TWI705428B - 發光二極體裝置及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供發光二極體裝置以及發光二極體裝置的控制方法。控制方法包括：由電壓調整器於預重置階段依據發光控制信號以及電壓控制信號來拉低驅動電晶體的第二端的電壓準位，以增大驅動電晶體的第一端與第二端之間的電壓差值；由驅動電晶體的控制端於第一重置階段接收重置電壓而被重置；由驅動電晶體的控制端於補償階段被補償至補償電位；由驅動電晶體於發光階段提供驅動電流以驅動發光二極體發光。

Description

發光二極體裝置及其控制方法
本發明是有關於一種發光二極體裝置以及發光二極體裝置的控制方法。
隨著顯示技術的進步，發光二極體已經被廣泛應用在顯示科技中，而主動矩陣有機發光二極體（Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED）即是顯示技術的主要發展重點之一。
然而，在主動矩陣有機發光二極體操作在高速狀態的情況下，當顯示畫面進行切換動作時，通常會發生動態模糊（motion blur）以及響應時間（response time）不足的顯示狀況，使得在畫面切換的過程中會存在些許的殘影，進而導致整體的顯示品質將會受到影響。因此，如何有效的透過適當的控制方法以改善或減輕畫面殘影的顯示狀況，並且進一步的改善畫面切換的響應時間，藉以提升整體的顯示品質，將是本領域相關技術人員重要的課題。
本發明提供一種發光二極體裝置以及發光二極體裝置的控制方法，可以有效地改善畫面動態模糊的狀況以及畫面切換的響應時間。
本發明的發光二極體裝置的控制方法，包括：由電壓調整器於預重置階段依據發光控制信號以及電壓控制信號來拉低驅動電晶體的第二端的電壓準位，以增大驅動電晶體的第一端與第二端之間的電壓差值；由驅動電晶體的控制端於第一重置階段接收重置電壓而被重置；由驅動電晶體的控制端於補償階段被補償至補償電位；由驅動電晶體於發光階段提供驅動電流以驅動發光二極體發光。
本發明的發光二極體裝置包括驅動電晶體、電壓調整器以及發光二極體。驅動電晶體的第一端接收系統高電壓。電壓調整器耦接至驅動電晶體的第二端。發光二極體的第一端耦接至電壓調整器，發光二極體的第二端接收系統低電壓。電壓調整器於預重置階段依據發光控制信號以及電壓控制信號來拉低驅動電晶體的第二端的電壓準位，以增大驅動電晶體的第一端與第二端之間的電壓差值。驅動電晶體的控制端於第一重置階段接收重置電壓而被重置。驅動電晶體的控制端於補償階段被補償至補償電位。驅動電晶體於發光階段提供驅動電流以驅動發光二極體發光。
本發明的發光二極體裝置的控制方法，包括：於重置階段中，由電壓調整器依據第一控制信號以拉低驅動電晶體的第二端的電壓準位，以增大驅動電晶體的第一端與第二端之間的電壓差值；於資料寫入階段中，由電壓產生器依據第一控制信號或第二控制信號以產生資料電壓至驅動電晶體的控制端，以對驅動電晶體進行資料寫入；於發光階段中，由驅動電晶體提供驅動電流以驅動發光二極體發光。
本發明的發光二極體裝置包括驅動電晶體、電壓調整器、發光二極體以及電壓產生器。驅動電晶體的第一端接收系統電壓源。電壓調整器耦接至驅動電晶體的第二端。發光二極體的第一端耦接至電壓調整器，發光二極體的第二端接收系統低電壓。電壓產生器耦接至驅動電晶體的控制端與第一端。於重置階段中，電壓調整器依據第一控制信號以拉低驅動電晶體的第二端的電壓準位，以增大驅動電晶體的第一端與第二端之間的電壓差值。於資料寫入階段中，電壓產生器依據第一控制信號或第二控制信號以產生資料電壓至驅動電晶體的控制端，以對驅動電晶體進行資料寫入。於發光階段中，驅動電晶體提供驅動電流以驅動發光二極體發光。
基於上述，本發明的發光二極體裝置可以在執行於第一重置階段之前，加入預重置階段的操作動作。在所述預重置階段中，發光二極體裝置可以透過電壓調整器來預先拉低驅動電晶體的第二端（亦即汲極端）的電壓準位，從而增大驅動電晶體的第一端（亦即源極端）與第二端之間的電壓差值。如此一來。當發光二極體裝置執行於發光階段時，能夠有效地增加驅動電流的電流大小，從而降低發光二極體裝置發生動態殘影的狀況，並且改善發光二極體裝置的響應時間，藉以提升整體顯示品質。
在本案說明書全文(包括申請專利範圍)中所使用的「耦接（或連接）」一詞可指任何直接或間接的連接手段。舉例而言，若文中描述第一裝置耦接（或連接）於第二裝置，則應該被解釋成該第一裝置可以直接連接於該第二裝置，或者該第一裝置可以透過其他裝置或某種連接手段而間接地連接至該第二裝置。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件/步驟代表相同或類似部分。不同實施例中使用相同標號或使用相同用語的元件/構件/步驟可以相互參照相關說明。
圖1是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體、電壓調整器以及驅動電晶體的耦接示意圖。請參照圖1，在本實施例中，發光二極體裝置100包括驅動電晶體TD、電壓調整器110以及發光二極體OLED。驅動電晶體TD具有第一端t1（例如是源極端）、第二端t2（例如是汲極端）以及控制端t3 （例如是閘極端）。驅動電晶體TD的第一端t1可以接收系統高電壓OVDD。電壓調整器110耦接至驅動電晶體TD的第二端t2。發光二極體OLED的第一端（例如是陽極端）耦接至電壓調整器110，發光二極體OLED的第二端（例如是陰極端）接收系統低電壓OVSS。
圖2是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制方法的流程圖，請同時參照圖1以及圖2，在步驟S210中，當發光二極體裝置100操作於一預重置階段時，發光二極體裝置100可以透過電壓調整器110來依據發光控制信號EM以及電壓控制信號CS以拉低驅動電晶體TD的第二端t2的電壓準位。
舉例來說，在所述預重置階段中，本實施例的電壓控制信號CS可以被設定為致能（例如是低電壓準位）狀態。在此情況下，電壓調整器110可以依據具有低電壓準位的電壓控制信號CS來拉低驅動電晶體TD的第二端t2的電壓準位，進而使得驅動電晶體TD的第一端t1以及第二端t2之間的電壓差值可以被增大。
在步驟S220中，當發光二極體裝置100操作於一第一重置階段時，發光二極體裝置100可以使用一重置電壓來重置驅動電晶體TD的控制端t3。在步驟S230中，當發光二極體裝置100操作於一補償階段時，發光二極體裝置100可以使驅動電晶體TD的控制端t3被補償至一補償電位，以對電晶體TD的控制端t3的電壓進行補償。在步驟S240中，當發光二極體裝置100操作於一發光階段時，驅動電晶體TD可以提供驅動電流ID至驅動發光二極體OLED，以驅動發光二極體OLED發光。
值得一提的是，由於本實施例的電壓調整器110於預重置階段時預先拉低驅動電晶體TD的第二端t2的電壓準位，以增大驅動電晶體TD的第一端t1以及第二端t2之間的電壓差值，因此，在增大驅動電晶體TD的第一端t1以及第二端t2之間的電壓差值的情況下，當發光二極體裝置100操作於發光階段時，驅動電晶體TD可以提供相對大的驅動電流ID以點亮發光二極體OLED。
換言之，本實施例的控制方法是在發光二極體裝置100執行於所述第一重置階段之前，加入所述預重置階段的操作動作。在所述預重置階段中，發光二極體裝置100可以透過電壓調整器110來預先拉低驅動電晶體TD的第二端t2的電壓準位，從而增大驅動電晶體TD的第一端t1與第二端t2之間的電壓差值。如此一來，在發光二極體裝置100執行於所述發光階段時，能夠有效地增加驅動電流ID的電流大小，從而降低發光二極體裝置100發生動態殘影的狀況，並且改善發光二極體裝置100的響應時間，藉以提升整體顯示品質。
需注意到的是，在圖2所示的控制方法中，本實施例的發光二極體裝置100會依續執行步驟S210、S220、S230以及S240的操作動作，然在一些設計需求下，步驟S220的操作動作可以在步驟S210之前完成。也就是說，在一些設計需求下，所述預重置階段（步驟S210）可以發生於所述第一重置階段（步驟S220）之後，所述補償階段（步驟S230）可以發生於所述預重置階段之後，所述發光階段（步驟S240）可以發生於所述補償階段之後。
此外，在另一些設計需求下，所述補償階段（步驟S230）以及所述發光階段（步驟S240）之間還可以包括一第二重置階段。在所述第二重置階段中，發光二極體裝置100可以再次執行步驟S210的操作動作，以使電壓調整器110可以再次拉低驅動電晶體TD的第二端t2的電壓準位，並使得驅動電晶體TD的第一端t1以及第二端t2的電壓差值可以進一步的被增大，從而使在所述發光階段時，能夠進一步提升驅動電流ID的電流大小。
圖3A至圖3G是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制示意圖。在本實施例中，發光二極體裝置300包括驅動電晶體TD、電壓調整器310、第一電壓產生器320、第二電壓產生器330以及發光二極體OLED。
電壓調整器310耦接於驅動電晶體TD的第二端以及發光二極體OLED的第一端。其中，電壓調整器310包括開關M5以及開關M6。開關M5的第一端與控制端相互耦接，且共同接收電壓控制信號CS，開關M5的第二端耦接至發光二極體OLED的第一端。開關M6的第一端耦接至發光二極體OLED的第一端，開關M6的第二端耦接至驅動電晶體TD的第二端，開關M6的控制端接收發光控制信號EM。
第一電壓產生器320耦接於驅動電晶體TD的控制端以及電壓調整器310之間。其中，第一電壓產生器320包括開關M3以及開關M4。開關M3的第一端接收重置電壓VINI，開關M3的控制端接收第一控制信號S1。開關M4的第一端耦接至開關M3的第二端以及電晶體M6的第二端，開關M4的第二端耦接至驅動電晶體TD的控制端，開關M4的控制端接收第二控制信號S2。
第二電壓產生器330耦接至驅動電晶體TD的控制端。其中，第二電壓產生器330包括開關M1、開關M2以及電容C。開關M1的第一端接收參考電壓VREF，開關M1的第二端耦接至節點P1，開關M1的控制端接收發光控制信號EM。開關M2的第一端接收資料電壓VDATA，開關M2的第二端耦接至節點P1，開關M2的控制端接收第二控制信號S2。電容C的第一端耦接至節點P1，電容C的第二端耦接至驅動電晶體TD的控制端。
在本實施例中，驅動電晶體TD以及開關M1～M6可分別是以電晶體來實施。其中，驅動電晶體TD以及開關M1～M6可分別為P型電晶體。此外，本實施例的發光二極體OLED可以例如是有機發光二極體或是其他種類的電激發光元件，發光二極體的數量可以是一個或是多個，其數量未特別的限制。
值得一提的是，本實施例的開關M5可以依據二極體組態（Diode Connection）的連接方式來形成一個二極體。其中，所述二極體的陰極端（亦即開關M5的第一端以及控制端）可以接收電壓控制信號CS，所述二極體的陽極端（亦即開關M5的第二端）可以耦接至發光二極體OLED的第一端。
圖4是對應於圖3A至圖3G的一實施例所繪示的控制波形示意圖。請參照圖4，控制波形示意圖可以區分為預重置階段TP、第一重置階段TRA、補償階段TC以及發光階段TE等四個階段。並且，預重置階段TP、第一重置階段TRA、補償階段TC以及發光階段TE彼此不相互重疊。其中，第一重置階段TRA位於（或發生於）預重置階段TP之後，補償階段TC位於（或發生於）第一重置階段TRA之後，發光階段TE位於（或發生於）補償階段TC之後。
需注意到的是，為了方便示意，在圖3A至圖3G斷開的開關以打叉示意，而導通的開關以未打叉來示意。
關於發光二極體裝置300在一實施例的操作細節，請同時參照圖3A以及圖4。詳細來說，當發光二極體裝置300操作於發光階段TE的第一子階段TE1時，第一控制信號S1、第二控制信號S2以及電壓控制信號CS皆可被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，且發光控制信號EM可被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，以使開關M2、M3、M4以及M5可以被斷開，且開關M1、M6可以被導通。
在此情況下，第二電壓產生器330可以透過開關M1以及電容C來將參考電壓VREF所提供的電壓耦合至驅動電晶體TD的控制端，以使驅動電晶體TD可以被導通。接著，驅動電晶體TD可以依據參考電壓VREF所提供的電壓而提供驅動電流ID至發光二極體OLED，以驅動發光二極體OLED進行發光動作。
請同時參照圖3B以及圖4，當發光二極體裝置300操作於發光階段TE的第二子階段TE2時，第二控制信號S2以及電壓控制信號CS皆可維持為禁能（例如為高電壓準位）狀態，且第一控制信號S1以及發光控制信號EM可被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，以使開關M2、M4以及M5可以被斷開，且開關M1、M3以及M6可以被導通。
在此情況下，類似於圖3A的操作動作，第二電壓產生器330可以持續的透過開關M1以及電容C來將參考電壓VREF所提供的電壓耦合至驅動電晶體TD的控制端，以使驅動電晶體TD可以持續的提供驅動電流ID至發光二極體OLED，並點亮發光二極體OLED。
接著，請同時參照圖3C以及圖4，當發光二極體裝置300操作於預重置階段TP的第一子階段TP1時，第一控制信號S1以及第二控制信號S2皆可被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，且發光控制信號EM以及電壓控制信號CS皆可被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，以使開關M2、M3以及M4可以被斷開，且開關M1、M5以及M6可以被導通。
值得一提的是，在電壓控制信號CS處於低電壓準位的情況下，本實施例的電壓調整器310可以透過開關M5以及開關M6所形成的導通路經，並且依據具有低電壓準位的電壓控制信號CS來將驅動電晶體TD的第二端的電壓準位進行下拉動作，以使驅動電晶體TD的第一端與第二端之間的電壓差值得以增加。
請同時參照圖3D以及圖4，當發光二極體裝置300操作於預重置階段TP的第二子階段TP2時，發光控制信號EM、第一控制信號S1以及第二控制信號S2皆可被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，且電壓控制信號CS可被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，以使開關M1、M3、M4以及M6可以被斷開，且開關M2以及M5可以被導通。
在開關M2處於導通狀態的情況下，本實施例的第二電壓產生器330可以透過開關M2以及電容C來將資料電壓VDATA所提供的電壓耦合至驅動電晶體TD的控制端。值得一提的是，由於本實施例的資料電壓VDATA的電壓準位可以低於參考電壓VREF的電壓準位，因此，當發光二極體裝置300透過資料電壓VDATA所提供的電壓以驅動電晶體TD的控制端的電壓準位時，本實施例可以進一步擴大驅動電晶體TD的控制端與第一端之間的電壓差值。藉此，可以使驅動電晶體TD的控制端的電壓能夠更接近開啟驅動電晶體TD的通道所需的電壓，或預先略為開啟驅動電晶體TD的通道。
接著，請同時參照圖3E以及圖4，當發光二極體裝置300操作於第一重置階段TRA時，發光控制信號EM以及電壓控制信號CS皆可被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，且第一控制信號S1以及第二控制信號S2可被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，以使開關M1、M5以及M6可以被斷開，且開關M2、M3以及M4可以被導通。
在此情況下，第一電壓產生器320可以透過開關M3以及開關M4所形成的導通路徑，將重置電壓VINI提供至驅動電晶體TD的控制端，以對驅動電晶體TD的控制端進行重置動作。
請同時參照圖3F以及圖4，當發光二極體裝置300操作於補償階段TC時，發光控制信號EM以及第一控制信號S1皆可被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，且第二控制信號S2以及電壓控制信號CS可被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，以使開關M1、M3、M5以及M6可以被斷開，且開關M2以及M4可以被導通。
在此情況下，驅動電晶體TD的控制端的電壓準位可以被補償至補償電位。其中，所述補償電位的電壓值可以為系統高電壓OVDD的電壓值與驅動電晶體TD的臨界電壓（threshold voltage）的電壓值之間的差值。藉此，驅動電晶體TD的控制端的電壓準位可以透過預重置階段TP、第一重置階段TRA以及補償階段TC的電路動作而得以被校正，進而改善驅動電晶體TD因製程差異而產生的元件特性誤差，以及不同畫面資料間轉換的影響。
接著，請同時參照圖3G以及圖4，當發光二極體裝置300操作於發光階段TE時，第一控制信號S1、第二控制信號S2以及電壓控制信號CS皆可被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，且發光控制信號EM可被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，以使開關M2、M3、M4以及M5可以被斷開，且開關M1以及M6可以被導通。
在此情況下，第一電壓產生器330可以透過開關M1以及電容C來將參考電壓VREF所提供的電壓耦合至驅動電晶體TD的控制端，以使驅動電晶體TD可以被導通。此外，由於驅動電晶體TD的第一端以及第二端之間的電壓差值在預重置階段TP的第一子階段TP1時已被增大，因此，當發光二極體裝置300操作於發光階段TE時，驅動電晶體TD可以提供相對大的驅動電流ID至發光二極體OLED，以驅動發光二極體OLED進行發光動作。
換言之，在提升了驅動電流ID的電流大小下，本實施例的發光二極體裝置300可以有效地降低發光二極體裝置300發生動態殘影，並且改善發光二極體裝置300的響應時間，藉以提升顯示品質。
特別一提的是，在圖4所繪示的控制波形示意圖中，發光二極體裝置300是依續操作於預重置階段TP、第一重置階段TRA、補償階段TC以及發光階段TE。而在一些設計需求下（在一些實施例中），發光二極體裝置300可以先執行第一重置階段TRA的操作動作之後，再執行預重置階段TP的操作動作。換言之，在一些實施例中，預重置階段TP可以位於第一重置階段TRA之後，補償階段TC可以位於預重置階段TP之後，發光階段TE可以位於補償階段TC之後。
除此之外，在另一些設計需求下（在另一些實施例中），控制波形示意圖可以更包括第二重置階段。在此請參照圖5，圖5是對應於圖3A至圖3G的另一實施例所繪示的控制波形示意圖。其中，圖5實施例的第二重置階段TRB可以介於補償階段TC的結束時間點以及發光階段TE的開始時間點之間。也就是說，在另一些實施例中，第一重置階段TRA可以位於預重置階段TP之後，補償階段TC可以位於第一重置階段TRA之後，第二重置階段TRB可以位於補償階段TC之後，發光階段TE可以位於第二重置階段TRB之後。
進一步來說，請同時參照圖3C以及圖5，不同於圖4實施例的是，在圖5所示的實施例中，發光二極體裝置300可以在執行完成補償階段TC的操作動作之後，接續執行第二重置階段TRB的操作動作。特別一提的是，本實施例的第二重置階段TRB的操作動作可以相同或相似於預重置階段TP的第一子階段TP1時的操作動作（對應於圖3C的電路動作），因此發光二極體裝置300在第二重置階段TRB中的電路動作可依據圖3C以及圖4所提及的電路動作的相關說明來類推，故不再贅述。
換言之，在圖5所示的實施例中，發光二極體裝置300的電壓調整器310可以在第二重置階段TRB中進一步的下拉驅動電晶體TD的第二端的電壓準位，從而再次提升驅動電流ID的電流大小，並進一步的降低發光二極體裝置300的動態殘影狀況。
圖6是依據本發明另一實施例所繪示的發光二極體、電壓調整器、電壓產生器以及驅動電晶體的耦接示意圖。請參照圖6，在本實施例中，發光二極體裝置600包括驅動電晶體TD、電壓調整器610、電壓產生器620以及發光二極體OLED。驅動電晶體TD具有第一端t1（例如是源極端）、第二端t2（例如是汲極端）以及控制端t3 （例如是閘極端）。驅動電晶體TD的第一端t1可以接收系統電壓源VSS。其中，根據發光二極體裝置600的操作狀態，本實施例的系統電壓源VSS可以切換為系統高電壓OVDD或第二參考電壓VREF2，其中系統高電壓OVDD的電壓值可以大於第二參考電壓VREF2的電壓值，但本發明並不限於此。
電壓調整器610耦接至驅動電晶體TD的第二端t2。發光二極體OLED的第一端（例如是陽極端）耦接至電壓調整器610，發光二極體OLED的第二端（例如是陰極端）接收系統低電壓OVSS。電壓產生器620耦接至驅動電晶體TD的控制端t3以及第一端t1。電壓產生器620可以接收第一控制信號S1（或第二控制信號S2）以及輸入電壓VIN。其中，根據發光二極體裝置600的操作狀態，本實施例的輸入電壓VIN可以切換為第一參考電壓VREF1或資料電壓VDATA，其中資料電壓VDATA的電壓值可以大於第一參考電壓VREF1的電壓值，但本發明並不限於此。
圖7是依據本發明另一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制方法的流程圖。請同時參照圖6以及圖7，在步驟S710中，當發光二極體裝置600操作於一重置階段時，電壓調整器610可以依據第一控制信號S1以拉低驅動電晶體TD的第二端t2的電壓準位，進而使得驅動電晶體TD的第一端t1以及第二端t2之間的電壓差值可以被增大。
舉例來說，在所述重置階段中，本實施例的第一控制信號S1可以被設定為致能（例如是低電壓準位）狀態。在此情況下，電壓調整器610可以依據具有低電壓準位的第一控制信號S1來拉低驅動電晶體TD的第二端t2的電壓準位，進而使得驅動電晶體TD的第一端t1以及第二端t2之間的電壓差值可以被增大。
在步驟S720中，當發光二極體裝置600操作於一資料寫入階段時，輸入電壓VIN可以為資料電壓VDATA。在此情況下，電壓產生器620可以依據第一控制信號S1或第二控制信號S2以產生資料電壓VDATA至驅動電晶體TD的控制端t3，以對驅動電晶體TD進行資料寫入的操作動作。在步驟S730中，當發光二極體裝置600操作於一發光階段時，驅動電晶體TD可以提供驅動電流ID至發光二極體OLED，以驅動發光二極體OLED發光。
值得一提的是，由於本實施例的電壓調整器610於所述重置階段時預先拉低驅動電晶體TD的第二端t2的電壓準位，以增大驅動電晶體TD的第一端t1以及第二端t2之間的電壓差值，因此，在增大驅動電晶體TD的第一端t1以及第二端t2之間的電壓差值的情況下，當發光二極體裝置100操作於所述發光階段時，驅動電晶體TD可以提供相對大的驅動電流ID以點亮發光二極體OLED。藉此，本實施例可以透過增加驅動電流ID的電流大小，從而降低發光二極體裝置600發生動態殘影的狀況，並且改善發光二極體裝置600的響應時間，藉以提升整體顯示品質。
圖8A至圖8C是依據本發明圖6所示的第一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制示意圖。在本實施例中，發光二極體裝置800包括驅動電晶體TD、電壓調整器810、電壓產生器820以及發光二極體OLED。
電壓調整器810包括開關M1。開關M1的第一端與控制端相互耦接，且共同接收第一控制信號S1，開關M1的第二端耦接至發光二極體OLED的第一端。電壓產生器820包括開關M2以及電容C。開關M2的第一端接收輸入電壓VIN，開關M2的第二端耦接至驅動電晶體TD的控制端，開關M2的控制端接收第一控制信號S1。電容C的第一端耦接至驅動電晶體TD的第一端，電容C的第二端耦接至驅動電晶體TD的控制端。
值得一提的是，本實施例的開關M1可以依據二極體組態（Diode Connection）的連接方式來形成一個二極體。其中，所述二極體的陰極端（亦即開關M1的第一端以及控制端）可以接收第一控制信號S1，所述二極體的陽極端（亦即開關M1的第二端）可以耦接至發光二極體OLED的第一端。
圖9是對應於圖8A至圖8C的一實施例所繪示的控制波形示意圖。請參照圖9，控制波形示意圖可以區分為重置階段PR、資料寫入階段PDI以及發光階段PEM等三個階段。並且，重置階段PR、資料寫入階段PDI以及發光階段PEM彼此不相互重疊。其中，資料寫入階段PDI位於（或發生於）重置階段PR之後，發光階段PEM位於（或發生於）資料寫入階段PDI之後。
需注意到的是，為了方便示意，在圖8A至圖8C斷開的開關以打叉示意，而導通的開關以未打叉來示意。
關於發光二極體裝置800的操作細節，請同時參照圖8A以及圖9。詳細來說，當發光二極體裝置800操作於重置階段PR時，第一控制信號S1可以被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，以使開關M1以及M2可以被導通。並且，在重置階段PR中，本實施例的輸入電壓VIN可以為第一參考電壓VREF1，並且系統電源電壓VSS可以為第二參考電壓VREF2。其中，第一參考電壓VREF1的電壓值可以大於第二參考電壓VREF2的電壓值。
進一步來說，在第一控制信號S1處於低電壓準位的情況下，本實施例的電壓調整器810可以透過開關M1所形成的導通路徑，並且依據具有低電壓準位的第一控制信號S1來將驅動電晶體TD的第二端的電壓準位進行下拉動作，以使驅動電晶體TD的第一端與第二端之間的電壓差值得以增加。
在此同時，電壓產生器820亦可透過開關M2所形成的導通路徑，將第一參考電壓VREF1提供至驅動電晶體TD的控制端。值得一提的是，在重置階段PR中，驅動電晶體TD的控制端與第一端之間的電壓差值（亦即第一參考電壓VREF1與第二參考電壓VREF2之間的電壓差值）可以大於驅動電晶體TD的臨界電壓的電壓值。
換言之，在驅動電晶體TD的第一端（亦即源極端）與第二端（亦即汲極端）之間的電壓差值被增大，並且驅動電晶體TD的控制端（亦即閘極端）與第一端之間的電壓差值大於驅動電晶體TD的臨界電壓的電壓值的情況下，驅動電流ID的電流大小可以相對的被提升。
請同時參照圖8B以及圖9，當發光二極體裝置800操作於資料寫入階段PDI時，第一控制信號S1可以維持為致能（例如為低電壓準位）狀態，以使開關M1以及M2持續的被導通。並且，在資料寫入階段PDI中，本實施例的輸入電壓VIN可以為資料電壓VDATA，並且系統電源電壓VSS可以維持為第二參考電壓VREF2。
在此情況下，電壓產生器820可以透過開關M2所形成的導通路徑，將資料電壓VDATA提供至驅動電晶體TD的控制端，以對驅動電晶體TD進行資料寫入的操作動作。
請同時參照圖8C以及圖9，當發光二極體裝置800操作於發光階段PEM時，第一控制信號S1可以被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，以使開關M1以及M2可以被斷開。並且，在發光階段PEM中，本實施例的系統電源電壓VSS可以為系統高電壓OVDD。
在此情況下，電壓產生器820可以透過電容C來將系統高電壓OVDD所提供的電壓耦合至驅動電晶體TD的控制端，以使驅動電晶體TD可以被導通。此外，由於驅動電晶體TD的第一端以及第二端之間的電壓差值在重置階段PR時已被增大，因此，當發光二極體裝置800操作於發光階段PEM時，驅動電晶體TD可以提供相對大的驅動電流ID至發光二極體OLED，以驅動發光二極體OLED進行發光動作。
圖10A至圖10C是依據本發明圖6所示的第二實施例所繪示的發光二極體裝置的控制示意圖。在本實施例中，發光二極體裝置1000包括驅動電晶體TD、電壓調整器1010、電壓產生器1020以及發光二極體OLED。
電壓調整器1010包括開關M1以及開關M2。開關M1的第一端與控制端相互耦接，且共同接收第一控制信號S1，開關M1的第二端耦接至發光二極體OLED的第一端。開關M2的第一端耦接至驅動電晶體TD的第二端，開關M2的第二端耦接至發光二極體OLED的第一端，開關M2的控制端接收發光控制信號EM。
電壓產生器1020包括開關M3以及電容C。開關M3的第一端接收輸入電壓VIN，開關M3的第二端耦接至驅動電晶體TD的控制端，開關M3的控制端接收第一控制信號S1。電容C的第一端耦接至驅動電晶體TD的第一端，電容C的第二端耦接至驅動電晶體TD的控制端。
圖11是對應於圖10A至圖10C的一實施例所繪示的控制波形示意圖。請參照圖11，控制波形示意圖可以區分為重置階段PR、資料寫入階段PDI以及發光階段PEM等三個階段。並且，重置階段PR、資料寫入階段PDI以及發光階段PEM彼此不相互重疊。其中，資料寫入階段PDI位於（或發生於）重置階段PR之後，發光階段PEM位於（或發生於）資料寫入階段PDI之後。
需注意到的是，為了方便示意，在圖10A至圖10C斷開的開關以打叉示意，而導通的開關以未打叉來示意。
關於發光二極體裝置1000的操作細節，請同時參照圖10A以及圖11。詳細來說，當發光二極體裝置1000操作於重置階段PR時，第一控制信號S1以及發光控制信號EM可以被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，以使開關M1、M2以及M3可以被導通。並且，在重置階段PR中，本實施例的輸入電壓VIN可以為第一參考電壓VREF1，並且系統電源電壓VSS可以為第二參考電壓VREF2。其中，第一參考電壓VREF1的電壓值可以大於第二參考電壓VREF2的電壓值。
具體而言，在第一控制信號S1以及發光控制信號EM皆處於低電壓準位的情況下，本實施例的電壓調整器1010可以透過開關M1以及M2所形成的導通路徑，並且依據具有低電壓準位的第一控制信號S1來將驅動電晶體TD的第二端的電壓準位進行下拉動作，以使驅動電晶體TD的第一端與第二端之間的電壓差值得以增加。
在此同時，電壓產生器1020亦可透過開關M3所形成的導通路徑，將第一參考電壓VREF1提供至驅動電晶體TD的控制端。值得一提的是，在重置階段PR中，驅動電晶體TD的控制端與第一端之間的電壓差值（亦即第一參考電壓VREF1與第二參考電壓VREF2之間的電壓差值）可以大於驅動電晶體TD的臨界電壓的電壓值。
換言之，在驅動電晶體TD的第一端（亦即源極端）與第二端（亦即汲極端）之間的電壓差值被增大，並且驅動電晶體TD的控制端（亦即閘極端）與第一端之間的電壓差值大於驅動電晶體TD的臨界電壓的電壓值的情況下，驅動電流ID的電流大小可以相對的被提升。
請同時參照圖10B以及圖11，當發光二極體裝置1000操作於資料寫入階段PDI時，第一控制信號S1可以維持為致能（例如為低電壓準位）狀態，並且發光控制信號EM可以被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，以使開關M2可以被斷開且開關M1以及M3可以被導通。此外，在資料寫入階段PDI中，本實施例的輸入電壓VIN可以為資料電壓VDATA，並且系統電源電壓VSS可以維持為第二參考電壓VREF2。
在此情況下，電壓產生器1020可以透過開關M3所形成的導通路徑，將資料電壓VDATA提供至驅動電晶體TD的控制端，以對驅動電晶體TD進行資料寫入的操作動作。
請同時參照圖10C以及圖11。當發光二極體裝置1000操作於發光階段PEM時，第一控制信號S1可以被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，並且發光控制信號EM可以被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，以使開關M2可以被導通且開關M1以及M3可以被斷開。並且，在發光階段PEM中，本實施例的系統電源電壓VSS可以為系統高電壓OVDD。
在此情況下，電壓產生器1020可以透過電容C來將系統高電壓OVDD所提供的電壓耦合至驅動電晶體TD的控制端，以使驅動電晶體TD可以被導通。此外，由於驅動電晶體TD的第一端以及第二端之間的電壓差值在重置階段PR時已被增大，因此，當發光二極體裝置1000操作於發光階段PEM時，驅動電晶體TD可以提供相對大的驅動電流ID至發光二極體OLED，以驅動發光二極體OLED進行發光動作。
圖12A至圖12D是依據本發明圖6所示的第三實施例所繪示的發光二極體裝置的控制示意圖。在本實施例中，發光二極體裝置1200包括驅動電晶體TD、電壓調整器1210、電壓產生器1220以及發光二極體OLED。
電壓調整器1210包括開關M1、M2以及M3。開關M1的第一端耦接至驅動電晶體TD的第二端，開關M1的第二端耦接至發光二極體OLED的第一端，開關M1的控制端接收第三控制信號S3。開關M2的第一端耦接至驅動電晶體TD的第二端。開關M3的第一端耦接至開關M2的第二端，開關M3的第二端與控制端以及開關M2的控制端相互耦接，且共同接收第一控制信號S1。
電壓產生器1220包括開關M4、開關M5以及電容C。開關M4的第一端接收輸入電壓VIN，開關M4的第二端耦接至驅動電晶體TD的控制端，開關M4的控制端接收第二控制信號S2。開關M5的第一端接收系統電壓源VSS，開關M5的第二端耦接至驅動電晶體TD的控制端，開關M5的控制端接收第一控制信號S1。
圖13是對應於圖12A至圖12D的一實施例所繪示的控制波形示意圖。請參照圖13，控制波形示意圖可以區分為重置階段PR、停止發光階段PSTOP、資料寫入階段PDI以及發光階段PEM等四個階段。並且，重置階段PR、停止發光階段PSTOP、資料寫入階段PDI以及發光階段PEM彼此不相互重疊。其中，停止發光階段PSTOP位於（或發生於）重置階段PR之後，資料寫入階段PDI位於（或發生於）停止發光階段PSTOP之後，發光階段PEM位於（或發生於）資料寫入階段PDI之後。
需注意到的是，為了方便示意，在圖12A至圖12D斷開的開關以打叉示意，而導通的開關以未打叉來示意。
關於發光二極體裝置1200的操作細節，請同時參照圖12A以及圖13。詳細來說，當發光二極體裝置1200操作於重置階段PR時，第一控制信號S1以及第三控制信號S3可以被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，並且第二控制信號S2可以被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，以使開關M1、M2、M3以及M5可以被導通，且開關M4可以被斷開。並且，在重置階段PR中，本實施例的系統電源電壓VSS可以為系統高電壓OVDD。
具體而言，在第一控制信號S1處於低電壓準位的情況下，本實施例的電壓調整器1210可以透過開關M2以及M3所形成的導通路徑，並且依據具有低電壓準位的第一控制信號S1來將驅動電晶體TD的第二端的電壓準位進行下拉動作，以使驅動電晶體TD的第一端與第二端之間的電壓差值得以增加。
換言之，在驅動電晶體TD的第一端（亦即源極端）與第二端（亦即汲極端）之間的電壓差值被增大的情況下，驅動電流ID的電流大小可以相對的被提升。
請參照圖12B以及圖13，當發光二極體裝置1200操作於停止發光階段PSTOP時，第一控制信號S1可以被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，並且第二控制信號S2以及第三控制信號S2可以被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，以使開關M2、M3以及M5可以被導通，且開關M1以及M4可以被斷開。
在此情況下，電壓調整器1210會依據具有高電壓準位的第三控制器S3而無法導通驅動電晶體TD與發光二極體OLED之間的導通路徑，使得驅動電晶體TD在停止發光階段PSTOP時停止對發光二極體OLED進行發光。
請同時參照圖12C以及圖13，當發光二極體裝置1200操作於資料寫入階段PDI時，第二控制信號S2可以被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，並且第一控制信號S1以及第三控制信號S3可以被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，以使開關M4可以被導通，且開關M1、M2、M3以及M4可以被斷開。並且，在資料寫入階段PDI中，本實施例的輸入電壓VIN可以為資料電壓VDATA。
在此情況下，電壓產生器1220可以透過開關M4所形成的導通路徑，將資料電壓VDATA提供至驅動電晶體TD的控制端，以對驅動電晶體TD進行資料寫入的操作動作。
請同時參照圖12D以及圖13，當發光二極體裝置1200操作於發光階段PEM時，第三控制信號S3可以被設定為致能（例如為低電壓準位）狀態，並且第一控制信號S1以及第二控制信號S2可以被設定為禁能（例如為高電壓準位）狀態，以使開關M2～M5可以被斷開，且開關M1可以被導通。
在此情況下，電壓產生器1220可以透過電容C來將系統高電壓OVDD所提供的電壓耦合至驅動電晶體TD的控制端，以使驅動電晶體TD可以被導通。此外，由於驅動電晶體TD的第一端以及第二端之間的電壓差值在重置階段PR時已被增大，因此，當發光二極體裝置1200操作於發光階段PEM時，驅動電晶體TD可以提供相對大的驅動電流ID至發光二極體OLED，以驅動發光二極體OLED進行發光動作。
需注意到的是，在圖8A至圖8C、圖10A至圖10C以及圖12A至圖12D等諸多實施例中，開關M1～M5以及驅動電晶體TD可分別為P型電晶體。此外，發光二極體OLED可以例如是有機發光二極體或是其他種類的電激發光元件，發光二極體的數量可以是一個或是多個，其數量未特別的限制。
依據上述圖8A至圖8C、圖10A至圖10C以及圖12A至圖12D等諸多實施例的說明可以得知，在提升了驅動電流ID的電流大小下，發光二極體裝置800、1000以及1200可以有效地降低發生動態殘影的狀況，並且改善發光二極體裝置的響應時間，藉以提升顯示品質。
綜上所述，本發明的發光二極體裝置可以在執行於第一重置階段之前，加入預重置階段的操作動作。在所述預重置階段中，發光二極體裝置可以透過電壓調整器來預先拉低驅動電晶體的第二端（亦即汲極端）的電壓準位，從而增大驅動電晶體的第一端（亦即源極端）與第二端之間的電壓差值。如此一來。當發光二極體裝置執行於發光階段時，能夠有效地增加驅動電流的電流大小，從而降低發光二極體裝置發生動態殘影的狀況，並且改善發光二極體裝置的響應時間，藉以提升整體顯示品質。
100、300、600、800、1000、1200:發光二極體裝置 110、310、610、810、1010、1210:電壓調整器 320、330、620、820、1020、1220:電壓產生器 CS:電壓控制信號 C:電容 EM:發光控制信號 ID:驅動電流 M1～M6:開關 OLED:發光二極體 OVDD:系統高電壓 OVSS:系統低電壓 PR:重置階段 PDI:資料寫入階段 PSTOP:停止發光階段 TE、PEM:發光階段 TE1、TE2、TP1、TP2:子階段 TP:預重置階段 TRA:第一重置階段 TRB:第二重置階段 TC:補償階段 VSS:系統電壓源 VIN:輸入電壓 VINI:重置電壓 VDATA:資料電壓 VREF、VREF1、VREF2:參考電壓 S1～S3:控制信號 S210～S240、S710～S730:步驟 TD:驅動電晶體 t1:第一端 t2:第二端 t3:控制端
圖1是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體、電壓調整器以及驅動電晶體的耦接示意圖。 圖2是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制方法的流程圖。 圖3A至圖3G是依據本發明一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制示意圖。 圖4是對應於圖3A至圖3G的一實施例所繪示的控制波形示意圖。 圖5是對應於圖3A至圖3G的另一實施例所繪示的控制波形示意圖。 圖6是依據本發明另一實施例所繪示的發光二極體、電壓調整器、電壓產生器以及驅動電晶體的耦接示意圖。 圖7是依據本發明另一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制方法的流程圖。 圖8A至圖8C是依據本發明圖6所示的第一實施例所繪示的發光二極體裝置的控制示意圖。 圖9是對應於圖8A至圖8C的一實施例所繪示的控制波形示意圖。 圖10A至圖10C是依據本發明圖6所示的第二實施例所繪示的發光二極體裝置的控制示意圖。 圖11是對應於圖10A至圖10C的一實施例所繪示的控制波形示意圖。 圖12A至圖12D是依據本發明圖6所示的第三實施例所繪示的發光二極體裝置的控制示意圖。 圖13是對應於圖12A至圖12D的一實施例所繪示的控制波形示意圖。
S210~S240:步驟

Claims (39)

  1. 一種發光二極體裝置的控制方法，包括： 由一電壓調整器於一預重置階段依據一發光控制信號以及一電壓控制信號來拉低一驅動電晶體的第二端的電壓準位，以增大該驅動電晶體的第一端與第二端之間的電壓差值； 由該驅動電晶體的控制端於一第一重置階段接收一重置電壓而被重置； 由該驅動電晶體的控制端於一補償階段被補償至一補償電位；以及 由該驅動電晶體於一發光階段提供一驅動電流以驅動一發光二極體發光。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的控制方法，其中該第一重置階段位於該預重置階段之後，該補償階段位於該第一重置階段之後，該發光階段位於該補償階段之後。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的控制方法，其中該預重置階段位於該第一重置階段之後，該補償階段位於該預重置階段位之後，該發光階段位於該補償階段之後。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的控制方法，其中該電壓控制信號於該預重置階段時操作於一低電壓準位。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的控制方法，其中由該驅動電晶體的控制端於該第一重置階段接收該重置電壓而被重置的步驟包括： 由一第一電壓產生器於該第一重置階段依據一第一控制信號以及一第二控制信號以提供該重置電壓至該驅動電晶體的控制端；以及 由一第二電壓產生器依據該第二控制信號以及該發光控制信號以產生一參考電壓或一資料電壓。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的控制方法，其中該補償電位的電壓值為一系統高電壓的電壓值與該驅動電晶體的臨界電壓的電壓值之間的電壓差值。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的控制方法，其中該控制方法更包括： 由該電壓調整器於一第二重置階段依據該發光控制信號以及該電壓控制信號來再次拉低該驅動電晶體的第二端的電壓準位，以再次增大該驅動電晶體的第一端與第二端之間的電壓差值。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的控制方法，其中該第一重置階段位於該預重置階段之後，該補償階段位於該第一重置階段之後，該第二重置階段位於該補償階段之後，該發光階段位於該第二重置階段之後。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的控制方法，其中該發光二極體包括有機發光二極體。
  10. 一種發光二極體裝置，包括： 一驅動電晶體，其第一端接收一系統高電壓； 一電壓調整器，耦接至該驅動電晶體的第二端；以及 一發光二極體，其第一端耦接至該電壓調整器，其第二端接收一系統低電壓，其中， 該電壓調整器於一預重置階段依據一發光控制信號以及一電壓控制信號來拉低該驅動電晶體的第二端的電壓準位，以增大該驅動電晶體的第一端與第二端之間的電壓差值， 該驅動電晶體的控制端於一第一重置階段接收一重置電壓而被重置， 該驅動電晶體的控制端於一補償階段被補償至一補償電位， 該驅動電晶體於一發光階段提供一驅動電流以驅動該發光二極體發光。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體裝置，其中該第一重置階段位於該預重置階段之後，該補償階段位於該第一重置階段之後，該發光階段位於該補償階段之後。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體裝置，其中該預重置階段位於該第一重置階段之後，該補償階段位於該預重置階段位之後，該發光階段位於該補償階段之後。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體裝置，其中該電壓控制信號於該預重置階段時操作於一低電壓準位。
  14. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體裝置，其中該發光二極體裝置更包括： 一第一電壓產生器，耦接於該驅動電晶體的控制端以及該電壓調整器之間，其中該第一電壓產生器於該第一重置階段依據一第一控制信號以及一第二控制信號以提供該重置電壓至該驅動電晶體的控制端；以及 一第二電壓產生器，耦接至該驅動電晶體的控制端，依據該第二控制信號以及該發光控制信號以產生一參考電壓或一資料電壓。
  15. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體裝置，其中該補償電位的電壓值為該系統高電壓的電壓值與該驅動電晶體的臨界電壓的電壓值之間的電壓差值。
  16. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體裝置，其中該電壓調整器包括： 一第一開關，其第一端與控制端共同接收該電壓控制信號，其第二端耦接至該發光二極體的第一端；以及 一第二開關，其第一端耦接至該發光二極體的第一端，其第二端耦接至該驅動電晶體的第二端，其控制端接收該發光控制信號。
  17. 如申請專利範圍第14項所述的發光二極體裝置，其中該第一電壓產生器包括： 一第一開關，其第一端接收該重置電壓，其控制端接收該第一控制信號；以及 一第二開關，其第一端耦接至該第一開關的第二端以及該電壓調整器，其第二端耦接至該驅動電晶體的控制端，其控制端接收該第二控制信號。
  18. 如申請專利範圍第14項所述的發光二極體裝置，其中該第二電壓產生器包括： 一第一開關，其第一端接收該參考電壓，其第二端耦接至一第一節點，其控制端接收該發光控制信號； 一第二開關，其第一端接收該資料電壓，其第二端耦接至該第一節點，其控制端接收該第二控制信號；以及 一電容，其第一端耦接至該第一節點，其第二端耦接至該驅動電晶體的控制端。
  19. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體裝置，其中該電壓調整器於一第二重置階段依據該發光控制信號以及該電壓控制信號來再次拉低該驅動電晶體的第二端的電壓準位，以再次增大該驅動電晶體的第一端與第二端之間的電壓差值。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的發光二極體裝置，其中該第一重置階段位於該預重置階段之後，該補償階段位於該第一重置階段之後，該第二重置階段位於該補償階段之後，該發光階段位於該第二重置階段之後。
  21. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體裝置，其中該發光二極體包括有機發光二極體。
  22. 一種發光二極體裝置的控制方法，包括： 於一重置階段中，由一電壓調整器依據一第一控制信號以拉低一驅動電晶體的第二端的電壓準位，以增大該驅動電晶體的第一端與第二端之間的電壓差值； 於一資料寫入階段中，由該電壓產生器依據該第一控制信號或一第二控制信號以產生一資料電壓至該驅動電晶體的控制端，以對該驅動電晶體進行資料寫入；以及 於一發光階段中，由該驅動電晶體提供一驅動電流以驅動一發光二極體發光。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的控制方法，其中該第一控制信號於該重置階段時操作於一低電壓準位。
  24. 如申請專利範圍第22項所述的控制方法，其中該資料寫入階段位於該重置階段之後，該發光階段位於該資料寫入階段之後。
  25. 如申請專利範圍第22項所述的控制方法，其中於該重置階段中，由該電壓產生器依據該第一控制信號以產生一第一參考電壓至該驅動電晶體的控制端，並且該驅動電晶體的控制端與第一端之間的電壓差值大於該驅動電晶體的臨界電壓的電壓值。
  26. 如申請專利範圍第22項所述的控制方法，其中該控制方法更包括： 於一停止發光階段中，由該電壓調整器依據一第三控制信號以使該驅動電晶體停止對該發光二極體發光。
  27. 如申請專利範圍第26項所述的控制方法，其中該停止發光階段位於該重置階段之後，該資料寫入階段位於該停止發光階段之後，該發光階段位於該資料寫入階段之後。
  28. 如申請專利範圍第22項所述的控制方法，其中該發光二極體包括有機發光二極體。
  29. 一種發光二極體裝置，包括： 一驅動電晶體，其第一端接收一系統電壓源； 一電壓調整器，耦接至該驅動電晶體的第二端； 一發光二極體，其第一端耦接至該電壓調整器，其第二端接收一系統低電壓；以及 一電壓產生器，耦接至該驅動電晶體的控制端與第一端，其中， 於一重置階段中，該電壓調整器依據一第一控制信號以拉低該驅動電晶體的第二端的電壓準位，以增大該驅動電晶體的第一端與第二端之間的電壓差值， 於一資料寫入階段中，該電壓產生器依據該第一控制信號或一第二控制信號以產生一資料電壓至該驅動電晶體的控制端，以對該驅動電晶體進行資料寫入， 於一發光階段中，該驅動電晶體提供一驅動電流以驅動該發光二極體發光。
  30. 如申請專利範圍第29項所述的發光二極體裝置，其中該第一控制信號於該重置階段時操作於一低電壓準位。
  31. 如申請專利範圍第29項所述的發光二極體裝置，其中該資料寫入階段位於該重置階段之後，該發光階段位於該資料寫入階段之後。
  32. 如申請專利範圍第29項所述的發光二極體裝置，其中該系統電壓源為一系統高電壓或一第二參考電壓。
  33. 如申請專利範圍第29項所述的發光二極體裝置，其中於該重置階段中，該電壓產生器依據該第一控制信號以產生一第一參考電壓至該驅動電晶體的控制端，並且該驅動電晶體的控制端與第一端之間的電壓差值大於該驅動電晶體的臨界電壓的電壓值。
  34. 如申請專利範圍第29項所述的發光二極體裝置，其中該電壓調整器包括： 一第一開關，其第一端與控制端共同接收該第一控制信號，其第二端耦接至該發光二極體的第一端， 其中該電壓產生器包括： 一第二開關，其第一端接收一輸入電壓，其第二端耦接至該驅動電晶體的控制端，其控制端接收該第一控制信號；以及 一電容，其第一端耦接至該驅動電晶體的第一端，其第二端耦接至該驅動電晶體的控制端。
  35. 如申請專利範圍第29項所述的發光二極體裝置，其中該電壓調整器包括： 一第一開關，其第一端與控制端共同接收該第一控制信號，其第二端耦接至該發光二極體的第一端；以及 一第二開關，其第一端耦接至該驅動電晶體的第二端，其第二端耦接至該發光二極體的第一端，其控制端接收一發光控制信號， 其中該電壓產生器包括： 一第三開關，其第一端接收一輸入電壓，其第二端耦接至該驅動電晶體的控制端，其控制端接收該第一控制信號；以及 一電容，其第一端耦接至該驅動電晶體的第一端，其第二端耦接至該驅動電晶體的控制端。
  36. 如申請專利範圍第29項所述的發光二極體裝置，其中該電壓調整器包括： 一第一開關，其第一端耦接至該驅動電晶體的第二端，其第二端耦接至該發光二極體的第一端，其控制端接收一第三控制信號； 一第二開關，其第一端耦接至該驅動電晶體的第二端； 一第三開關，其第一端耦接至該第二開關的第二端，其第二端與控制端以及該第二開關的控制端共同接收該第一控制信號， 其中該電壓產生器包括： 一第四開關，其第一端接收一輸入電壓，其第二端耦接至該驅動電晶體的控制端，其控制端接收該第二控制信號； 一第五開關，其第一端接收該系統電壓源，其第二端耦接至該驅動電晶體的控制端，其控制端接收該第一控制信號；以及 一電容，其第一端耦接至該驅動電晶體的第一端，其第二端耦接至該驅動電晶體的控制端。
  37. 如申請專利範圍第29項所述的發光二極體裝置，其中於一停止發光階段中，該電壓調整器依據一第三控制信號以使該驅動電晶體停止對該發光二極體發光。
  38. 如申請專利範圍第37項所述的發光二極體裝置，其中該停止發光階段位於該重置階段之後，該資料寫入階段位於該停止發光階段之後，該發光階段位於該資料寫入階段之後。
  39. 如申請專利範圍第29項所述的發光二極體裝置，其中該發光二極體包括有機發光二極體。
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