TWI660519B - 屏幕下方感測器總成 - Google Patents

屏幕下方感測器總成 Download PDF

Info

Publication number
TWI660519B
TWI660519B TW106136739A TW106136739A TWI660519B TW I660519 B TWI660519 B TW I660519B TW 106136739 A TW106136739 A TW 106136739A TW 106136739 A TW106136739 A TW 106136739A TW I660519 B TWI660519 B TW I660519B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
traces
silicon substrate
conductive
sensor
trench
Prior art date
Application number
TW106136739A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201824578A (zh
Inventor
維吉 歐根賽安
Original Assignee
美商歐普提茲股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商歐普提茲股份有限公司 filed Critical 美商歐普提茲股份有限公司
Publication of TW201824578A publication Critical patent/TW201824578A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI660519B publication Critical patent/TWI660519B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
    • H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10—Image acquisition
    • G06V10/17—Image acquisition using hand-held instruments
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1329—Protecting the fingerprint sensor against damage caused by the finger
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M2250/00—Details of telephonic subscriber devices
    • H04M2250/12—Details of telephonic subscriber devices including a sensor for measuring a physical value, e.g. temperature or motion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Telephone Set Structure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Image Input (AREA)

Abstract

本案提供一感測器總成，其包括一矽基體及整合形成在其頂表面上或中的一感測器。接合墊形成在基體之頂表面且電氣耦合至該感測器。一溝槽形成進頂表面中，朝向基體之底表面延伸但未到達該底表面。傳導第一跡線各從該等接合墊中之一者延伸並下至溝槽中。一或多個洞孔形成進基體之底表面中，且朝向頂表面延伸但未到達該頂表面。此一或多個洞孔以暴露出該等傳導第一跡線的方式終止於該溝槽之底部。傳導第二跡線各從位於該溝槽之底部處的該等傳導第一跡線中之一者延伸而出，沿該一或多個洞孔之一側壁、及沿該矽基體之底表面延伸。

Description

屏幕下方感測器總成
本發明大體上係有關用於諸如手機之電子裝置中的感測器。
電子裝置，特別是行動電子裝置，愈來愈普及。在這些裝置中處理的資料於數量及敏感度上皆在成長。需要一卓越的安全裝置來保護使用者免受潛在傷害。此種穎異的安全裝置必須在準確度、形式因子及可用性上優異。
傳統指紋感測器裝置為習知。參見例如美國第8,358,816號專利。此等裝置使用一線性光感測器以捕捉使用者的指紋。若所捕捉的指紋與使用者的指紋相符，則允許對電子裝置的存取。然而，線性光感測器可能被破解，而使其變成一弱安全性裝置。例如，某人可單只在一張紙上印出指紋，並將其傳送通過感測器。線性感測器無法在一偽造的紙張複本與一真實手指之間做任何區別。線性感測器要求使用者作一揮動動作。此揮動必須為準確且良好定位，而使其有時難以使用。用於此裝置的封裝通常不會設計有一夠小的形式因子及有效的裝置整合。封裝典型為笨重的，且通常需要一特別設計的裝置蓋連帶有一窗口。
前述問題及需求係透過一感測器總成來解決，此感測器總成包括一矽基體，其具有相對立之頂表面及底表面；一感測器，其整合形成在該矽基體之該頂表面上或中；多個接合墊，其形成在該矽基體之該頂表面處且電氣耦合至該感測器；一溝槽，其形成進該矽基體之該頂表面中，且朝向該底表面延伸但未到達該底表面；多條傳導第一跡線，其各從該等接合墊中之一者延伸而出，沿該矽基體之該頂表面、沿該溝槽之一側壁、及沿該溝槽之一底部延伸；一或多個洞孔，其形成進該矽基體之該底表面中，且朝向該頂表面延伸但未到達該頂表面，其中該一或多個洞孔以暴露該等多條傳導第一跡線的方式終止於該溝槽之該底部；及多條傳導第二跡線，其各從於該溝槽之該底部處的該等傳導第一跡線延伸而出，沿該一或多個洞孔之一側壁、及沿該矽基體之該底表面延伸。
一手機包括一前屏幕、置設在該前屏幕下方且可穿過該前屏幕看見的一視訊顯示器、置設在該前屏幕之一區域下方並進行感測的一感測器總成、及電氣連接至該感測器總成及該視訊顯示器的控制電子組件。此感測器總成包括一矽基體，其具有相對立之頂表面及底表面；一感測器，其整合形成在該矽基體之該頂表面上或中；多個接合墊，其形成在該矽基體之該頂表面處且電氣耦合至該感測器；一溝槽，其形成進該矽基體之該頂表面中，且朝向該底表面延伸但未到達該底表面；多條傳導第一跡線，其各從該等接合墊中之一者延伸而出，沿著該矽基體之該頂表面、沿該溝槽之一側壁及沿該溝槽之一底部延伸；一或多個洞孔，其形成進該矽基體之該底表面中，且朝向該頂表面延伸但未到達該頂表面，其中該一或多個洞孔以暴露該等多條傳導第一跡線的方式終止於該溝槽之該底部；及多條傳導第二跡線，其各從位於該溝槽之該底部處的該等傳導第一跡線延伸而出，沿該一或多個洞孔之一側壁、及沿該矽基體之該底表面延伸。
一感測器總成包括一矽基體，其具有相對立之頂表面及底表面；一感測器，其整合形成在該矽基體之該頂表面上或中；多個第一接合墊，其形成在該矽基體之該頂表面處且電氣耦合至該感測器；一溝槽，其在該頂表面與該底表面之間延伸；多個第二接合墊，其在該底表面延伸越過該溝槽；及多條導線，其各從該等第一接合墊中之一者延伸到該溝槽中及延伸到該等第二接合墊中之一者；及多條傳導跡線，其各從該等第二接合墊中之一者且沿著該矽基體之該底表面延伸。
形成感測器總成之一方法包括設置一感測器晶粒(具有一矽基體，其有相對立之頂表面及底表面；一感測器，其整合形成在該矽基體之該頂表面上或中；及多個第一接合墊，其形成在該矽基體之該頂表面處且電氣耦合至該感測器)；形成一溝槽進該矽基體之該頂表面中，該溝槽朝向該底表面延伸但未到達該底表面；在該溝槽之一底部形成第二接合墊；連接多條導線於該等第一接合墊與該等第二接合墊之間；以絕緣材料填充溝槽；使該矽基體之該底表面凹入以暴露該等第二接合墊；及形成多條傳導跡線，其各從該等第二接合墊中之一者且沿著該矽基體之該底表面延伸。
本發明之其他目標及特徵透過檢視本案說明書、申請專利範圍及附圖將會變得明顯。
本發明係有關生物辨識(指紋)感測器、指紋感測器之封裝及此一裝置的整合。本發明使用一範圍的感測裝置，利用諸如電容、電磁及紅外線與光子感測的感測技術來達到指紋的最佳讀取。本發明亦包括超薄封裝及裝置整合，其中感測器可被置設在手持裝置之頂螢幕正下方用於指紋辨識及驗證。
圖1A~1E及圖2A~2M繪示形成本發明之封裝感測器總成之步驟。此程序始於設置如圖1A (俯視圖)及圖2A (側視橫截面圖)所示之一感測器總成10。此感測器總成10包括一矽基體12與一感測器14；用於感測器14之支援電路16；電氣連接到感測器14及/或電路16 (用於晶片外之信號處理)的接合墊18；及介電層20，以上元件全部形成在基體12之頂表面處或中。感測器14構成感測器總成10的作用區域，且可為任何類型的感測器，諸如電容式感測器、電磁感測器、超音波感測器、溫度感測器、壓力感測器、及/或光子感測器。感測器14較佳包括不同類型的多個感測器，其側邊對側邊設置、設在另一者之頂部上、或交錯設置。例如，一光子感測器可用來從通過感測器14之一手指偵測出指紋資訊，而以上所列之一或多個其他類型的感測器可用來確認光學感測的指紋源自於一實際手指而非一些列印的或其他偽造媒體。此其他一或多個感測器亦可輔助捕捉及/或確認所感測到的指紋資料。應了解的是，雖然圖1A及圖2A中僅顯示一個感測器總成10，但可有多個此種總成形成在單一晶圓基體12上。
溝槽22係在基體12之介於兩個相鄰感測器總成10之接合墊18間的區域中穿過介電層20並進入基體12之頂表面中而形成。溝槽22可使用一光微影程序及非等向性乾式蝕刻程序來形成，用以蝕刻穿過介電層20並進入矽基體12。機械鋸切或任何其他機械研磨程序亦可用來形成溝槽22。在相鄰的感測器總成之間可以有兩個溝槽，如圖1B及圖2B中所示，其中在劃分線24之任一側上有一溝槽22，而晶圓將沿此劃分線被切粒。替代地，可有單一溝槽22延伸越過劃分線24，如圖1C及圖2C中所示。溝槽22可具有如圖所示之垂直側壁、或呈傾斜。溝槽22可如圖所示形成在感測器14之兩個相對立側上，或形成在感測器14之全部四側上。較佳地，溝槽22之長度小於感測器14及接合墊18之對應長度。
絕緣材料26係隨機地(或偽隨機地)置設在除了接合墊18及感測器14上方之區域以外的結構上。絕緣材料26可為例如二氧化矽或矽氮化物。較佳地，絕緣材料26為具有至少0.5 mm厚度的二氧化矽。絕緣材料26可透過電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)或任何另外合適沉積方法來形成，而後接續一光微影程序及蝕刻來移除絕緣材料在接合墊18及感測器14上方之部分。一傳導材料，諸如一鋁合金、銅/鈦或任何其他習知傳導材料，係形成在該結構上方(較佳為透過濺鍍來沉積的鋁)，且接著使用一光微影及蝕刻程序來選擇性移除電氣跡線28及接合墊30以外的部分。各跡線28自接合墊18之一者延伸而出，沿絕緣材料26及沿溝槽22之一者的側壁向下，並終止於溝槽22之底部處的一接合墊30，如圖1D及圖2D中所示。
一介電(絕緣)包封材料32可隨機地(或偽隨機地)置設在包括於溝槽22中的結構上，同時讓感測器14暴露出來，如圖1E及圖2E中所示。介電材料32可為二氧化矽、矽氮化物、光可成像聚合物、環氧樹脂或其他合適材料。較佳地，介電材料32係由一光可成像聚合物製成。此光可成像材料積設方法可為旋轉及/或噴霧塗覆或任何另外合適積設方法，而後使用一光微影及蝕刻程序來選擇性移除以暴露感測器14。包封材料32將作為用於跡線28及在溝槽22之底部的接合墊30之一支撐性層體。
感測器14可受感測器14上方之一透明/半透明基體及/或一保護膜塗層所保護。保護材料34可隨機地(或偽隨機地)置設在整個表面上，且選擇性移除成如圖2F中所示覆蓋感測器14。保護材料34可為二氧化矽或矽氮化物或任何合適聚合物材料。較佳地，保護材料34係由透過物理氣相沉積(PVD)或任何另外合適沉積方法沉積之至少0.5 mm的二氧化矽及矽氮化物所製成。替代地，感測器14可受一半透明或透明的基體36所保護，此基體利用附著的環氧樹脂材料接合到感測器的作用側，如圖2G中所示。接合步驟可利用晶圓壓力接合或旋轉接合設備來實行。如圖2H中所示，感測器14可受保護材料34及基體36兩者保護。
矽薄化程序可透過機械研磨、化學機械拋光(CMP)、濕式蝕刻、大氣下游電漿(atmospheric downstream plasma; ADP)、乾式化學蝕刻(DCE)、前述程序之組合、或任何另外矽薄化方法，在基體12之底表面上執行。基體12在薄化後較佳的厚度大約為150微米。洞孔(穿孔)38接著形成進基體12之底表面中，其各從基體12之底表面延伸到溝槽22之一者的底部，且穿過絕緣層26致使跡線28及/或其接合墊30被暴露出來，如圖2I中所示。包封材料32將作為在洞孔38形成期間與之後用於跡線28及在溝槽22之底部處之接合墊30的一支撐性層體。洞孔38可透過雷射、微影術及蝕刻(電漿或化學)程序組合、或任何另外合適方法來形成。較佳地，針對各接合墊30有一個別洞孔38。替代地，單一洞孔38可類似於溝槽22含有多個接合墊30。
絕緣材料40係形成在基體12之底表面上，包括在洞孔38中。絕緣材料40可為二氧化矽、矽氮化物或光可成像聚合物材料。較佳地，絕緣材料40係由至少0.5 mm的二氧化矽所製成，二氧化矽係透過物理氣相沉積(PVD)或任何另外合適沉積方法形成。一光微影程序及乾式電漿蝕刻係用來移除絕緣材料40在洞孔38中之跡線28或其接合墊區域30上方的部分。一傳導層係形成在基體12之底表面上，且使用光微影蝕刻選擇性移除以形成傳導跡線42。各跡線42自跡線28之一者延伸、沿著洞孔38之一者的側壁、及沿著沿基體12之底表面之層體40延伸而出，如圖2J中所示。跡線42可由鋁、銅或任何其他習知傳導材料形成。可選擇地，跡線42可為Ni/Au或鎳/鈀/金(Ni/Pd/Au)鍍敷。
一包封絕緣層44可沉積在基體12之整個底表面及跡線42上，且透過光微影及蝕刻選擇性移除，以留下暴露出來之跡線42的接觸墊部分42a。絕緣層44可為二氧化矽、矽氮化物、光可成像聚合物或環氧樹脂。較佳地，絕緣層44係由光可成像聚合物製成。互連部46可形成在接觸墊部分42a上。互連部46可為球柵陣列(BGA)、台面柵格陣列(LGA)、鍍敷凸塊、黏附凸塊、栓柱凸塊或任何其他合適互連技術。較佳地，互連部46為如圖2K中所示之BGA。
組件的晶圓級切粒/單一化可利用機械刀刃切粒設備、雷射切割或任何其他合適程序來作成，以沿刻劃/切粒線切粒/單一化晶圓，造成個別的感測器總成10。感測器總成10可使用BGA互連部46連接到具有接觸墊50及跡線或電路52的一外部電路48 (可撓或堅硬基體/PCB)，如圖2L中所示。替代地，於LGA的情況下，可使用利用非等向性傳導膜(ACF)的互連部。
感測器總成10可安裝在用於電子裝置之前屏幕正下方，其中該電子裝置中有使用總成10。例如，如圖2M及圖3A~3B中所示，感測器總成10係安裝到一手機55的前屏幕54。屏幕54為一介電質，諸如塑膠、玻璃或任何其他習知的合適材料。屏幕54的光學透明性是較佳但非必要的。手機55包括前屏幕54、安裝在前屏幕54 (且較佳可穿過前屏幕看見)之視訊顯示器55a、安裝在前屏幕54之感測器顯示器10、及用以響應於來自感測器總成10之信號而提供(習知)手機功能性之控制電子組件55b。屏幕54亦可包括塗層及其他電子裝置結構。可選擇地，屏幕54可於感測器14正上方在其上表面中包括用以增強感測器之靈敏度的一凹陷(內凹)區域56及/或在其內表面中包括墨水塗層。該靈敏度因外部環境與感測器14之間的距離縮減而增加。凹陷區域56可透過蝕刻、機械研磨或用於特定覆蓋基體54之任何其他合適方法來形成。凹陷深度可上達至屏幕厚度的50%。感測器總成10可被拾取並放置在覆蓋基體54之背側上。一黏附層可透過熱、壓力、化學料劑或任何其他合適方法來促動。
圖2M及圖3A~3B中顯示之封裝的感測器具有許多優點。第一，感測器總成10直接安裝到手機的前屏幕54，而不需任何特殊窗口或突起部在屏幕54中。第二，跡線28將感測器信號從基體之頂表面上的接合墊18攜載離開且具最小添加的厚度。此基體12之頂表面上方的最小結構(絕緣部20、26及32與跡線28)代表感測器14與屏幕54之間的距離，而因此感測器14與在屏幕54之表面處檢測到的手指之間的距離為最小(用於最大感測器性能)。基體12之厚度可被最小化，因為跡線28及42延伸穿過基體12。將感測器信號安排路由至基體12之底側提供透過互連部46對外部PCB之電氣連接的方便性及可靠性。
圖4A~4F繪示使用導線取代跡線以電氣連接至感測器總成10之接合墊18的一替代實施例之形成。此程序始於圖2B中所示之結構。不採用形成向下延伸進溝槽22中且形成接觸墊30的跡線28，接觸墊30係形成在溝槽22之底部而無任何自溝槽22延伸出去的任何跡線，如圖4A中所示。保護材料34接著如上述形成在感測器14上方。一導線接合程序而後被用來附接各在接合墊18之一者與接合墊30之一者間延伸(且在其間提供一電氣連接)的導線60，如圖4B中所示。
介電包封材料32接著如上述形成，覆蓋導線60但讓感測器14暴露出來，如圖4C中所示。基體12而後透過使矽基體12之底表面凹入而薄化，直到接合墊30從底部暴露出來(同時移除絕緣層26)。此底表面凹入程序可藉由機械研磨、化學機械拋光(CMP)、濕式蝕刻、大氣下游電漿(ADP)、乾式化學蝕刻(DCE)、或前述程序之組合、或施用在基體12之底表面上的任何合適矽薄化方法來達成。一絕緣材料層62係積設在基體12之底表面上。基體12的整個底表面或僅其之部分可凹入。絕緣層62可為二氧化矽、矽氮化物或光可成像聚合物材料。較佳地，絕緣層62係由透過物理氣相沉積(PVD)或任何合適沉積方法來形成之至少0.5 mm的二氧化矽製成。一光微影程序及乾式電漿蝕刻係用來移除絕緣層62在接合墊30上方的部分，如圖4D中所示。
一傳導材料層係形成在基體12之底表面上，此傳導材料層諸如鋁、銅或任何其他傳導材料。諸如鋁的金屬材料較佳，且可藉由濺鍍程序積設。該傳導材料係接著使用一光微影程序及蝕刻而選擇性移除，留下其之各從接合墊30之一者延伸且在絕緣層62上沿基體12之底表面延伸的跡線64。可選擇地，跡線64可為Ni/Pd/Au鍍敷。一介電包封絕緣層66係積設在基體12之底表面上方，包括在跡線64上方。層體66之選擇部分被移除(例如透過光微影及蝕刻)以暴露出跡線64之構成接合墊64a的部分。介電層66可為二氧化矽、矽氮化物、光可成像聚合物、環氧樹脂等。較佳地，介電層66係由一光可成像聚合物製成。此光可成像材料積設方法可為旋轉及/或噴霧塗覆或任何另外合適積設方法。互連部68，諸如球柵陣列(BGA)，係形成在接合墊64a上，如圖4E中所示。互連部可替代地為LGA、鍍敷凸塊、黏著凸塊、栓柱凸塊或任何其他合適互連技術。模板印刷或球珠設置技術可用於球柵陣列形成。此結構接著如前述被單一化且安裝到外部PCB 48及前屏幕54，造成圖4F中所示的最終結構。
應了解的是本發明不受限於上述及本文所例示之(多個)實施例，而是含括落入申請專利範圍任何請求項之範疇內的任何及所有變化。例如，在此本發明之參考敘述並不意欲限制任何請求項或請求項所列條件之範疇，而是只是要論述可由一或多個請求項涵蓋之一或多個特徵。以上描述之材料、程序及數值實例僅為範例，且不應視為限制申請專利範圍。再者，如同從申請專利範圍及說明書顯而易見的，並非所有方法步驟需要按所述或請求的精確順序來實行，而是可採允許適當形成經封裝之感測器總成的任何順序來實行。單一材料層可形成為此種或類似材料的多重層，且反之亦然。最後，本文中所使用之「形成」一詞應包括材料積設、材料成長、或如所述或請求提供材料的任何其他技術。
應注意的是，在本文中使用時，「在…上方」及「在…上」等用語，均包括「直接在…上」(無中間材料、元件或空間設置於其間)及「間接在…上」(有中間材料、元件或空間設置於其間)。類似地，「鄰近」一詞包括「緊鄰」(無中間材料、元件或空間設置於其間)及「間接相鄰」(有中間材料、元件或空間設置於其間)；「安裝到…」用語包括「直接安裝到…」(無中間材料、元件或空間設置於其間)或「間接安裝到…」(有中間材料、元件或空間設置於其間)；及「電氣耦合」用語包括「直接電氣耦合至…」(其間沒有將構件電氣連接在一起的中間材料或元件)及「間接電氣耦合至…」(其間有將構件電氣連接在一起的中間材料或元件)。例如，形成一元件「在一基體上方」可包括直接形成該元件於該基體上，而無中間材料/元件位於其間；以及間接形成該元件於該基體上，而有一或多個中間材料/元件位於其間。
10‧‧‧(感測器)總成；感測器(顯示器)
12‧‧‧(矽)基體
14‧‧‧感測器
16‧‧‧(支援)電路
18、64a‧‧‧接合墊
20‧‧‧介電層；絕緣部
22‧‧‧溝槽
24‧‧‧劃分線
40‧‧‧絕緣材料
42‧‧‧(傳導)跡線
42a‧‧‧接觸墊部分
44‧‧‧(包封)絕緣層；絕緣層
46‧‧‧(BGA)互連部
48‧‧‧外部電路；外部PCB
50‧‧‧接觸墊
52‧‧‧電路
54‧‧‧(前)屏幕；特定覆蓋基體
26‧‧‧絕緣材料；絕緣層；絕緣部
28‧‧‧(電氣)跡線
30‧‧‧接合墊(區域)；接觸墊
32‧‧‧介電(包封)材料；包封材料；絕緣部
34‧‧‧保護材料
36‧‧‧基體
38‧‧‧洞孔
55‧‧‧手機
55a‧‧‧視訊顯示器
55b‧‧‧控制電子組件
56‧‧‧凹陷區域
60‧‧‧導線
62‧‧‧絕緣(材料)層
64‧‧‧跡線
66‧‧‧介電包封絕緣層；介電層；層體
圖1A~1E為說明形成本發明之感測器總成之步驟的俯視圖。
圖2A~2M為說明形成本發明之感測器總成之步驟的側視橫截面視圖。
圖3A係為手機前屏幕的一俯視圖。
圖3B係為手機的一側視橫截面平面圖。
圖4A~4F為說明形成本發明之感測器總成之一替代實施例的步驟之側視橫截面視圖。

Claims (27)

  1. 一種感測器總成，其包含： 一矽基體，其具有相對立的頂表面及底表面； 一感測器，其整合形成在該矽基體之該頂表面上或中； 多個接合墊，其形成在該矽基體之該頂表面處，且電氣耦合至該感測器； 一溝槽，其形成進該矽基體之該頂表面中，且朝向該底表面延伸但未到達該底表面； 多條傳導第一跡線，其各從該等接合墊中之一者延伸而出，沿該矽基體之該頂表面、沿該溝槽之一側壁、及沿該溝槽之一底部延伸； 一或多個洞孔，其形成進該矽基體之該底表面中，且朝向該頂表面延伸但未到達該頂表面，其中該一或多個洞孔以暴露出該等多條傳導第一跡線的方式終止於該溝槽之該底部；以及 多條傳導第二跡線，其各從在該溝槽之該底部處的該等傳導第一跡線中之一者延伸而出，沿該一或多個洞孔之一側壁、及沿該矽基體之該底表面延伸。
  2. 如請求項1之感測器總成，其更包含： 包封材料，其填充該溝槽且在該溝槽之該底部處對該等傳導第一跡線提供支撐。
  3. 如請求項1之感測器總成，其中： 該等多條傳導第一跡線與該矽基體之該頂表面及該溝槽之該側壁絕緣；及 該等多條傳導第二跡線與該矽基體之該底表面及該一或多個洞孔之該側壁絕緣。
  4. 如請求項1之感測器總成，其中該一或多個洞孔為多個分開的洞孔，其各僅具有一條該傳導第二跡線延伸於其中。
  5. 如請求項1之感測器總成，其中該一或多個洞孔為一單一洞孔，其讓所有的該等傳導第二跡線延伸於其中。
  6. 如請求項1之感測器總成，其更包含下列項目中之至少一者： 置設在該感測器上方的一層保護材料；及 置設在該感測器上方的一保護基體。
  7. 如請求項1之感測器總成，其更包含： 多個互連部，其各電氣連接到置設於該底表面上方之該等傳導第二跡線中之一者的一部分。
  8. 如請求項7之感測器總成，其更包含： 一印刷電路板，其具有多個第二接合墊，其中該等多個互連部各電氣連接到該等第二接合墊中之一者。
  9. 一種手機，其包含： 一前屏幕； 一視訊顯示器，其置設在該前屏幕下方且可穿過該前屏幕看見； 一感測器總成，其置設在該前屏幕之一區域下方且感測該前屏幕之該區域，其中該感測器總成包含： 一矽基體，其具有相對立的頂表面及底表面； 一感測器，其整合形成在該矽基體之該頂表面上或中； 多個接合墊，其形成在該矽基體之該頂表面處且電氣耦合至該感測器； 一溝槽，其形成進該矽基體之該頂表面中，且朝向該底表面延伸但未到達該底表面； 多條傳導第一跡線，其各從該等接合墊中之一者延伸而出，沿該矽基體之該頂表面、沿該溝槽之一側壁、及沿該溝槽之一底部延伸； 一或多個洞孔，其形成進該矽基體之該底表面中，且朝向該頂表面延伸但未到達該頂表面，其中該一或多個洞孔以暴露出該等多條傳導第一跡線的方式終止於該溝槽之該底部；及 多條傳導第二跡線，其各從位於該溝槽之該底部處的該等傳導第一跡線中之一者延伸而出，沿該一或多個洞孔之一側壁、及沿該矽基體之該底表面延伸；以及 控制電子組件，其電氣連接到該感測器總成及該視訊顯示器。
  10. 如請求項9之手機，其更包含： 包封材料，其填充該溝槽且在該溝槽之該底部處對該等傳導第一跡線提供支撐。
  11. 如請求項9之手機，其中該前屏幕包括在該感測器總成上方有一凹陷部分的一頂表面。
  12. 如請求項9之手機，其中該前屏幕包括一底表面，且該視訊顯示器及該感測器總成係安裝於該前屏幕之該底表面。
  13. 如請求項9之手機，其中： 該等多條傳導第一跡線係與該矽基體之該頂表面及該溝槽之該側壁絕緣；及 該等多條傳導第二跡線係與該矽基體之該底表面及該一或多個洞孔之該側壁絕緣。
  14. 如請求項9之手機，其中該一或多個洞孔為多個分開洞孔，其各僅具有一條該傳導第二跡線延伸於其中。
  15. 如請求項9之手機，其中該一或多個洞孔為單一洞孔，其讓所有的該等傳導第二跡線延伸於其中。
  16. 如請求項9之手機，其更包含下列項目之至少一者： 一層保護材料，其置設在該感測器與該前屏幕之間；以及 一保護基體，其置設在該感測器與該前屏幕之間。
  17. 如請求項9之手機，其中該感測器總成更包含： 多個互連部，其各電氣連接到置設在該底表面上方之該等傳導第二跡線中之一者的一部分。
  18. 如請求項17之手機，其中該感測器總成更包含：一印刷電路板，其具有多個第二接合墊，其中該等多個互連部各電氣連接到該等第二接合墊中之一者。
  19. 一感測器總成，其包含：一矽基體，其具有相對立的頂表面及底表面；一感測器，其整合形成在該矽基體之該頂表面上或中；多個第一接合墊，其形成在該矽基體之該頂表面處，且電氣耦合至該感測器；一溝槽，其在該頂表面與該底表面之間延伸；多個第二接合墊，其在該底表面處延伸越過該溝槽；多條導線，其各從該等第一接合墊中之一者延伸到該溝槽中及延伸到該等第二接合墊中之一者；以及多條傳導跡線，其各從該等第二接合墊中之一者且沿著該矽基體之該底表面延伸。
  20. 如請求項19之感測器總成，其更包含：包封材料，其填充該溝槽且在溝槽之一底部處對該等第二接合墊提供支撐。
  21. 如請求項19之感測器總成，其中：該等多條傳導跡線係與該矽基體之該底表面絕緣。
  22. 如請求項19之感測器總成，其更包含：多個互連部，其各電氣連接到置設在該底表面上方之該等傳導跡線中之一者的一部分。
  23. 如請求項22之感測器總成，其更包含：一印刷電路板，其具有多個第三接合墊，其中該等多個互連部各電氣連接到該等第三接合墊中之一者。
  24. 一種形成感測器總成之方法，其包含：設置一感測器晶粒，其包括：一矽基體，其具有相對立的頂表面及底表面；一感測器，其整合形成在該矽基體之該頂表面上或中；及多個第一接合墊，其形成在該矽基體之該頂表面處，且電氣耦合至該感測器；形成一溝槽進該矽基體之該頂表面中，該溝槽朝向該底表面延伸但未到達該底表面；在該溝槽之一底部形成第二接合墊；在該等第一接合墊與該等第二接合墊之間連接多條導線；以絕緣材料填充該溝槽；使該矽基體之該底表面凹入以暴露出該等第二接合墊；以及形成多條傳導跡線，其各從該等第二接合墊中之一者且沿該矽基體之該底表面延伸。
  25. 如請求項24之方法，其中：該等多條傳導跡線係與該矽基體之該底表面絕緣。
  26. 如請求項24之方法，其更包含：形成多個互連部，其各電氣連接到置設在該底表面上方之該等傳導跡線中之一者的一部分。
  27. 如請求項26之方法，其更包含：將該等多個互連部各電氣連接到一印刷電路板之多個第三接合墊中之一者。
TW106136739A 2016-11-03 2017-10-25 屏幕下方感測器總成 TWI660519B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/343,141 2016-11-03
US15/343,141 US9996725B2 (en) 2016-11-03 2016-11-03 Under screen sensor assembly

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201824578A TW201824578A (zh) 2018-07-01
TWI660519B true TWI660519B (zh) 2019-05-21

Family

ID=62021643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106136739A TWI660519B (zh) 2016-11-03 2017-10-25 屏幕下方感測器總成

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9996725B2 (zh)
JP (1) JP6549204B2 (zh)
KR (1) KR101945633B1 (zh)
CN (1) CN108021867B (zh)
HK (1) HK1251693A1 (zh)
TW (1) TWI660519B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11662328B2 (en) 2020-07-08 2023-05-30 Oht Inc. Capacitive sensor and manufacturing method of capacitive sensor

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102448682B1 (ko) * 2017-09-25 2022-09-29 삼성전자주식회사 지문인식 패키지 및 그 제조방법
WO2020098214A1 (zh) * 2018-11-12 2020-05-22 通富微电子股份有限公司 一种半导体芯片封装方法及半导体封装器件
WO2020098213A1 (zh) * 2018-11-12 2020-05-22 通富微电子股份有限公司 一种半导体芯片封装方法及半导体封装器件
CN112216784A (zh) * 2019-07-12 2021-01-12 茂丞科技(深圳)有限公司 晶圆级超声波感测装置及其制造方法
TWI712190B (zh) * 2019-07-12 2020-12-01 茂丞科技股份有限公司 晶圓級超聲波感測裝置及其製造方法
KR20210037092A (ko) * 2019-09-27 2021-04-06 삼성전자주식회사 디스플레이 하부에 배치되는 센서를 포함하는 전자 장치
KR102611843B1 (ko) * 2019-10-21 2023-12-07 선전 구딕스 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 지문 인식 장치 및 전자 장치
CN111176485A (zh) * 2019-12-26 2020-05-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种自容式触控显示面板
EP4315159A1 (en) * 2021-03-23 2024-02-07 Fingerprint Cards Anacatum IP AB Fingerprint sensor module and method for manufacturing a fingerprint sensor module

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030178714A1 (en) * 2002-03-20 2003-09-25 Fujitsu Limited Semiconductor device having a built-in contact-type sensor and manufacturing method thereof
TW200952139A (en) * 2008-02-28 2009-12-16 Atmel Corp Wafer-level integrated circuit package with top and bottom side electrical connections
TW201222685A (en) * 2010-09-17 2012-06-01 Tessera Inc Staged via formation from both sides of chip

Family Cites Families (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8911607D0 (en) 1989-05-19 1989-07-05 Emi Plc Thorn A method of encapsulation for electronic devices and devices so encapsulated
JPH07169872A (ja) 1993-12-13 1995-07-04 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
IL123207A0 (en) 1998-02-06 1998-09-24 Shellcase Ltd Integrated circuit device
US6627864B1 (en) 1999-11-22 2003-09-30 Amkor Technology, Inc. Thin image sensor package
IL133453A0 (en) 1999-12-10 2001-04-30 Shellcase Ltd Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US20050051859A1 (en) 2001-10-25 2005-03-10 Amkor Technology, Inc. Look down image sensor package
JP4285966B2 (ja) 2002-09-27 2009-06-24 三洋電機株式会社 カメラモジュール
JP3867785B2 (ja) 2002-10-15 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 光モジュール
US7033664B2 (en) 2002-10-22 2006-04-25 Tessera Technologies Hungary Kft Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
JP2004165191A (ja) 2002-11-08 2004-06-10 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置、半導体装置の製造方法及びカメラシステム
US20040157426A1 (en) * 2003-02-07 2004-08-12 Luc Ouellet Fabrication of advanced silicon-based MEMS devices
US6972480B2 (en) 2003-06-16 2005-12-06 Shellcase Ltd. Methods and apparatus for packaging integrated circuit devices
CN100587962C (zh) 2003-07-03 2010-02-03 泰塞拉技术匈牙利公司 用于封装集成电路器件的方法和设备
US20050104186A1 (en) 2003-11-14 2005-05-19 International Semiconductor Technology Ltd. Chip-on-film package for image sensor and method for manufacturing the same
TWI234884B (en) 2003-12-31 2005-06-21 Advanced Semiconductor Eng Image sensor package and method for manufacturing the same
KR100673950B1 (ko) 2004-02-20 2007-01-24 삼성테크윈 주식회사 이미지 센서 모듈과 이를 구비하는 카메라 모듈 패키지
JP2006145501A (ja) 2004-11-24 2006-06-08 Hamamatsu Photonics Kk 赤外線検出装置
JP4528100B2 (ja) * 2004-11-25 2010-08-18 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7576401B1 (en) 2005-07-07 2009-08-18 Amkor Technology, Inc. Direct glass attached on die optical module
KR100738653B1 (ko) 2005-09-02 2007-07-11 한국과학기술원 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 이의제조방법
US20070190747A1 (en) 2006-01-23 2007-08-16 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer level packaging to lidded chips
US7936062B2 (en) 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
JP3940423B1 (ja) 2006-03-02 2007-07-04 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 機能素子実装モジュール及びその製造方法
KR100691398B1 (ko) 2006-03-14 2007-03-12 삼성전자주식회사 미소소자 패키지 및 그 제조방법
KR100770690B1 (ko) 2006-03-15 2007-10-29 삼성전기주식회사 카메라모듈 패키지
JP5117698B2 (ja) * 2006-09-27 2013-01-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7829438B2 (en) 2006-10-10 2010-11-09 Tessera, Inc. Edge connect wafer level stacking
US7901989B2 (en) 2006-10-10 2011-03-08 Tessera, Inc. Reconstituted wafer level stacking
US8513789B2 (en) 2006-10-10 2013-08-20 Tessera, Inc. Edge connect wafer level stacking with leads extending along edges
US7935568B2 (en) 2006-10-31 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
US7807508B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
US7781781B2 (en) * 2006-11-17 2010-08-24 International Business Machines Corporation CMOS imager array with recessed dielectric
US7791199B2 (en) 2006-11-22 2010-09-07 Tessera, Inc. Packaged semiconductor chips
US8569876B2 (en) 2006-11-22 2013-10-29 Tessera, Inc. Packaged semiconductor chips with array
JP2008148222A (ja) 2006-12-13 2008-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置とその製造方法
US7749886B2 (en) 2006-12-20 2010-07-06 Tessera, Inc. Microelectronic assemblies having compliancy and methods therefor
US7569409B2 (en) 2007-01-04 2009-08-04 Visera Technologies Company Limited Isolation structures for CMOS image sensor chip scale packages
WO2008083853A1 (de) 2007-01-10 2008-07-17 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektronisches bauelementmodul und verfahren zu dessen herstellung
TWI341025B (en) 2007-02-02 2011-04-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Sensor semiconductor package and method for fabricating the same
CN101246893A (zh) 2007-02-13 2008-08-20 精材科技股份有限公司 具有高传导面积的集成电路封装体及其制作方法
JP5584474B2 (ja) 2007-03-05 2014-09-03 インヴェンサス・コーポレイション 貫通ビアによって前面接点に接続された後面接点を有するチップ
CN100546026C (zh) 2007-04-29 2009-09-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像摄取装置
EP2213148A4 (en) 2007-10-10 2011-09-07 Tessera Inc ROBUST MULTILAYER WIRING ELEMENTS AND ASSEMBLIES INCLUDING MICROELECTRONIC ELEMENTS INCLUDED
JP4799543B2 (ja) 2007-12-27 2011-10-26 株式会社東芝 半導体パッケージ及びカメラモジュール
US20090212381A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Tessera, Inc. Wafer level packages for rear-face illuminated solid state image sensors
US20100053407A1 (en) 2008-02-26 2010-03-04 Tessera, Inc. Wafer level compliant packages for rear-face illuminated solid state image sensors
US8773929B1 (en) 2008-03-11 2014-07-08 Xilinx, Inc. Single-event-upset resistant memory cell with triple well
KR20090102208A (ko) 2008-03-25 2009-09-30 서울반도체 주식회사 방열 ｌｅｄ 패키지
CN102067310B (zh) * 2008-06-16 2013-08-21 泰塞拉公司 带有边缘触头的晶片级芯片规模封装的堆叠及其制造方法
KR100950915B1 (ko) 2008-06-17 2010-04-01 삼성전기주식회사 웨이퍼 레벨 카메라 모듈 및 그 제조방법
US7859033B2 (en) 2008-07-09 2010-12-28 Eastman Kodak Company Wafer level processing for backside illuminated sensors
JP5356742B2 (ja) * 2008-07-10 2013-12-04 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体パッケージの製造方法
KR101486420B1 (ko) 2008-07-25 2015-01-26 삼성전자주식회사 칩 패키지, 이를 이용한 적층형 패키지 및 그 제조 방법
KR100982270B1 (ko) 2008-08-08 2010-09-15 삼성전기주식회사 카메라 모듈 및 이의 제조 방법
JP5317586B2 (ja) 2008-08-28 2013-10-16 ラピスセミコンダクタ株式会社 カメラモジュール及びその製造方法
US8232633B2 (en) 2008-09-25 2012-07-31 King Dragon International Inc. Image sensor package with dual substrates and the method of the same
US8168458B2 (en) * 2008-12-08 2012-05-01 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming bond wires and stud bumps in recessed region of peripheral area around the device for electrical interconnection to other devices
US8193555B2 (en) 2009-02-11 2012-06-05 Megica Corporation Image and light sensor chip packages
JP2010219425A (ja) 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp 半導体装置
JP2010238995A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュールおよびこれを搭載したカメラモジュール
TW201104747A (en) 2009-07-29 2011-02-01 Kingpak Tech Inc Image sensor package structure
US8531485B2 (en) * 2009-10-29 2013-09-10 Immersion Corporation Systems and methods for compensating for visual distortion caused by surface features on a display
US8283745B2 (en) 2009-11-06 2012-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating backside-illuminated image sensor
US8183579B2 (en) 2010-03-02 2012-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. LED flip-chip package structure with dummy bumps
US8536044B2 (en) * 2010-07-08 2013-09-17 Intersil Americas Inc. Protecting bond pad for subsequent processing
US8492911B2 (en) 2010-07-20 2013-07-23 Lsi Corporation Stacked interconnect heat sink
US8791575B2 (en) 2010-07-23 2014-07-29 Tessera, Inc. Microelectronic elements having metallic pads overlying vias
US8796135B2 (en) 2010-07-23 2014-08-05 Tessera, Inc. Microelectronic elements with rear contacts connected with via first or via middle structures
US8598695B2 (en) 2010-07-23 2013-12-03 Tessera, Inc. Active chip on carrier or laminated chip having microelectronic element embedded therein
US8847376B2 (en) 2010-07-23 2014-09-30 Tessera, Inc. Microelectronic elements with post-assembly planarization
US8697569B2 (en) 2010-07-23 2014-04-15 Tessera, Inc. Non-lithographic formation of three-dimensional conductive elements
US9640437B2 (en) 2010-07-23 2017-05-02 Tessera, Inc. Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream
US8686565B2 (en) 2010-09-16 2014-04-01 Tessera, Inc. Stacked chip assembly having vertical vias
US8685793B2 (en) 2010-09-16 2014-04-01 Tessera, Inc. Chip assembly having via interconnects joined by plating
US8610259B2 (en) 2010-09-17 2013-12-17 Tessera, Inc. Multi-function and shielded 3D interconnects
US8356514B2 (en) * 2011-01-13 2013-01-22 Honeywell International Inc. Sensor with improved thermal stability
US8546900B2 (en) 2011-06-09 2013-10-01 Optiz, Inc. 3D integration microelectronic assembly for integrated circuit devices
US8552518B2 (en) 2011-06-09 2013-10-08 Optiz, Inc. 3D integrated microelectronic assembly with stress reducing interconnects
US8546951B2 (en) 2011-06-09 2013-10-01 Optiz, Inc. 3D integration microelectronic assembly for integrated circuit devices
US8604576B2 (en) 2011-07-19 2013-12-10 Opitz, Inc. Low stress cavity package for back side illuminated image sensor, and method of making same
US9018725B2 (en) 2011-09-02 2015-04-28 Optiz, Inc. Stepped package for image sensor and method of making same
US8796800B2 (en) 2011-11-21 2014-08-05 Optiz, Inc. Interposer package for CMOS image sensor and method of making same
US8432011B1 (en) 2011-12-06 2013-04-30 Optiz, Inc. Wire bond interposer package for CMOS image sensor and method of making same
US8587077B2 (en) * 2012-01-02 2013-11-19 Windtop Technology Corp. Integrated compact MEMS device with deep trench contacts
US20130168791A1 (en) 2012-01-04 2013-07-04 Vage Oganesian Quantum Efficiency Back Side Illuminated CMOS Image Sensor And Package, And Method Of Making Same
US8570669B2 (en) 2012-01-23 2013-10-29 Optiz, Inc Multi-layer polymer lens and method of making same
US8692344B2 (en) 2012-03-16 2014-04-08 Optiz, Inc Back side illuminated image sensor architecture, and method of making same
US20130249031A1 (en) 2012-03-22 2013-09-26 Vage Oganesian Quantum Efficiency Back Side Illuminated CMOS Image Sensor And Package, And Method Of Making Same
JP6022792B2 (ja) * 2012-03-30 2016-11-09 国立大学法人東北大学 集積化デバイス及び集積化デバイスの製造方法
US9233511B2 (en) 2012-05-10 2016-01-12 Optiz, Inc. Method of making stamped multi-layer polymer lens
KR101356143B1 (ko) * 2012-05-15 2014-01-27 크루셜텍 (주) 지문센서 패키지 및 그 제조방법
US8890274B2 (en) 2012-07-11 2014-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interconnect structure for CIS flip-chip bonding and methods for forming the same
US8921759B2 (en) 2012-07-26 2014-12-30 Optiz, Inc. Integrated image sensor package with liquid crystal lens
US8809984B2 (en) 2012-08-02 2014-08-19 Larview Technologies Corporation Substrate connection type module structure
US8806743B2 (en) 2012-08-07 2014-08-19 Excelitas Technologies Singapore Pte. Ltd Panelized process for SMT sensor devices
US8759930B2 (en) * 2012-09-10 2014-06-24 Optiz, Inc. Low profile image sensor package
KR101440344B1 (ko) * 2012-09-20 2014-09-15 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 지문 인식용 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP6146976B2 (ja) * 2012-09-24 2017-06-14 オリンパス株式会社 撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡
CN203133144U (zh) * 2013-02-28 2013-08-14 大洋电机新动力科技有限公司 一种新型的电流传感器组件
US9142695B2 (en) * 2013-06-03 2015-09-22 Optiz, Inc. Sensor package with exposed sensor array and method of making same
JP6372747B2 (ja) * 2014-07-07 2018-08-15 大日本印刷株式会社 タッチパネル装置およびタッチ位置検出機能付き表示装置
US9666730B2 (en) * 2014-08-18 2017-05-30 Optiz, Inc. Wire bond sensor package
KR101634067B1 (ko) * 2014-10-01 2016-06-30 주식회사 네패스 반도체 패키지 및 그 제조방법
CN104407751A (zh) * 2014-10-27 2015-03-11 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种移动终端
JP2016111285A (ja) * 2014-12-10 2016-06-20 株式会社東芝 半導体装置
US20160190353A1 (en) * 2014-12-26 2016-06-30 Xintec Inc. Photosensitive module and method for forming the same
KR101769740B1 (ko) * 2015-01-23 2017-08-21 크루셜텍 (주) 지문센서 패키지 및 이의 제조방법
CN104637967A (zh) * 2015-02-13 2015-05-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 封装方法及封装结构
CN105404881A (zh) * 2015-12-25 2016-03-16 成都费恩格尔微电子技术有限公司 一种指纹传感器组件及其制备方法
CN105676953B (zh) * 2015-12-25 2020-03-20 上海菲戈恩微电子科技有限公司 一种具有指纹传感器封装结构的移动终端及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030178714A1 (en) * 2002-03-20 2003-09-25 Fujitsu Limited Semiconductor device having a built-in contact-type sensor and manufacturing method thereof
TW200952139A (en) * 2008-02-28 2009-12-16 Atmel Corp Wafer-level integrated circuit package with top and bottom side electrical connections
TW201222685A (en) * 2010-09-17 2012-06-01 Tessera Inc Staged via formation from both sides of chip

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11662328B2 (en) 2020-07-08 2023-05-30 Oht Inc. Capacitive sensor and manufacturing method of capacitive sensor

Also Published As

Publication number Publication date
HK1251693A1 (zh) 2019-02-01
KR101945633B1 (ko) 2019-04-17
TW201824578A (zh) 2018-07-01
CN108021867B (zh) 2022-10-04
KR20180049797A (ko) 2018-05-11
JP2018074163A (ja) 2018-05-10
JP6549204B2 (ja) 2019-07-24
US9996725B2 (en) 2018-06-12
CN108021867A (zh) 2018-05-11
US20180121705A1 (en) 2018-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI660519B (zh) 屏幕下方感測器總成
US10157811B2 (en) Chip package and method for forming the same
JP7065094B2 (ja) 指紋感知モジュール及びその方法
US9893213B2 (en) Method of forming a wire bond sensor package
KR101942141B1 (ko) 지문센서 패키지
TWI545505B (zh) 蓋基體上之半導體裝置及其製造方法
TWI596722B (zh) 晶片堆疊封裝體及其製造方法
US9437478B2 (en) Chip package and method for forming the same
TWI781491B (zh) 指紋感測器以及製造指紋感測器的方法
US10891459B2 (en) Fingerprint sensor module and method for manufacturing a fingerprint sensor module
TWI593069B (zh) 晶片封裝體及其製造方法
KR20160091493A (ko) 지문센서 모듈 및 이의 제조방법
US11404361B2 (en) Method for fabricating package structure having encapsulate sensing chip
TWM537714U (zh) 平板式半導體封裝結構