TWI645491B - 真空處理裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]在於提供一種使運轉率或處理之効率提升的真空處理裝置。 　　[解決手段]配置於真空處理室內且在其上面載置有處理對象之晶圓的試料台，係具有：金屬製之基材；金屬製之基板，在下方夾隔著該基材與絕緣構件而絕緣；及架台，被配置於該基板之下方，在其內部具有被設成為大氣壓的空間，該空間上方之開口被覆蓋，與前述基板連接，前述絕緣構件具有：陶瓷製之環狀構件，夾隔著構件而配置，該構件，係將前述基材及基板的外周側部分之間，且連通於前述真空容器外部而被設成為大氣壓之內周側的空間與其外側的處理室內部之間密封，並被構成為具備有：複數個溫度感測器，貫穿前述基板且被裝設而***前述基材之內部，在裝設了前述複數個溫度感測器的狀態下，前述基材及絕緣構件與前述基板可從前述架台一體地朝前述處理室外拆卸。

Description

真空處理裝置
[0001] 本發明，係關於一種真空處理裝置，該真空處理裝置，係對被配載於真空容器內部之被減壓的處理室內之試料台上之處理對象的試料，使用形成於該處理室內的電漿而進行處理。
[0002] 在進行半導體晶圓等的被處理物之處理的真空處理裝置中，係例如於對真空處理室內部進行減壓的狀態下，將處理用氣體導入其內部，使被導入的處理用氣體電漿化，藉由與自由基之化學反應或電子的濺鍍，進行被保持於具備有靜電夾頭之試料台的半導體晶圓等之被處理物的處理。 　　[0003] 在真空處理裝置中，係使用處理用氣體，在使處理用氣體電漿化而處理被處理物(晶圓)之際，反應生成物會附著於真空處理室內部。當反應生成物附著於被配置在處理室內部之零件的表面時，會產生因該零件之劣化，導致反應生成物成為微小粒子而從表面剝離並落下，作為異物附著於晶圓等而污染的問題。為了抑制此情形，處理室內部之零件，係進行如下述之處理：定期交換或清潔，去除成為異物之原因的反應生成物等，或再生各零件的表面(維護)。由於維護的期間，係將處理室內部開放於大氣壓的氛圍，無法進行處理且裝置的運轉停止，因此，處理之效率下降。 　　[0004] 而且，近年來，被處理物即半導體晶圓不斷朝大口徑化演進。因此，真空處理裝置亦大型化，構成該裝置之各個零件亦大型化，並且其重量亦有增加的傾向，零件之拆卸或移動、安裝等並不容易，預期維護所需的時間會變長而有維護效率進一步下降之虞。 　　[0005] 用以使像這樣的真空處理裝置之維護效率提升的技術，係例如揭示於專利文獻1。又，關於在真空處理腔室內所使用的靜電夾頭，係例如揭示於專利文獻2。 　　[0006] 在專利文獻1中，揭示有一種真空處理裝置，其係在外側腔室之內部，具備有：上部內筒腔室，構成進行被處理物之處理的處理室；試料台；及該下部內筒腔室，被配置於排氣部側。在本真空處理裝置中，係於維護之際，以將被配置於搬送室側之鉸鏈部作為支點，使被配置於上部內筒腔室之上部並構成生成電漿的放電室之放電室底板旋轉的方式往上方舉起，確保上部內側腔室之作業空間，藉此，將上部內側腔室往上方舉起而從外側腔室取出。而且，記載有如下述之技術：以將被配置於搬送室側之鉸鏈部作為支點，使固定有具備以試料台之垂直方向的中心為軸而被繞軸配置並固定之支撐樑的環狀支撐底座構件(試料台區塊)之試料台底板旋轉的方式往上方舉起，確保下部內側腔室的作業空間，藉此，將下部內側腔室往上方舉起而從外側腔室取出。另外，以試料台之垂直方向的中心為軸，軸對稱地配置支撐樑(亦即，相對於試料台之中心軸的氣體流路形狀為大致同軸軸對稱)，藉此，上部內筒腔室內之試料台上之空間的氣體等(處理氣體、電漿中的粒子或反應生成物)會通過該支撐樑彼此之間的空間並經由下部內筒腔室被排氣。藉此，被處理物周方向上之氣體的流動變得均勻，可對被處理物進行均勻的處理。 　　[0007] 在將以鉸鏈部為支點而拉起該放電室底板及試料台底板的技術應用於大口徑化之被加工物之維護的情況下，由於固定有放電底板或試料台的支撐樑大型化而重量增加，因此，有難以藉由人力來將該些向上部拉起，並難以確保上部內筒腔室或下部內筒腔室的作業空間之虞。又，排氣部的維護，雖係從外側腔室的上部窺看而進行，但有因裝置大型化而無法徒手觸及，變得難以充分清潔等之虞。而且，向上部拉起之放電底板或構成試料台之零件的整備或交換等之非固定維護，係有立足處變得不穩定之虞。即便藉由起重機等來拉起放電底板或固定有試料台的支撐樑，亦無法消解後者的2個問題。 　　[0008] 又，在專利文獻2中，係揭示有藉由(水平方向地)通過被設置於真空處理腔室之側壁之開口部的方式，可相對於腔室安裝･拆卸，搭載有靜電夾頭組件之懸臂的基板支撐部。在將該技術應於用大口徑化之被加工物之維護的情況下，由於基板支撐部，係在腔室側壁的開口部被真空密封，因此，當重量增加時，則有對真空密封部的負載變大而難以保持真空之虞。又，由於懸臂，相對於試料支撐部的中心軸之氣體流路形狀不會成為同軸的軸對稱，被處理物的周方向上之氣體的流動會變得不均勻，從而難以對被處理物進行均勻的處理。 　　[0009] 作為用以解決像這樣之習知技術的技術，已知如下述者：在分成構成試料台或靜電夾具的部分與上下夾隔著該些而配置的複數個部分後，密封彼此之間而構成真空容器，構成試料台或靜電夾具的部分，係構成為可在連結於真空處理裝置或處理單元本體的狀態下，朝本體水平方向旋轉而移動，並依序拆卸上下的部分，藉此，使維護的效率提升。作為像這樣的技術之例子，係以往已知揭示於日本特開2015-141908號公報(專利文獻3)者。 　　[0010] 專利文獻3，係揭示有一種具有真空容器的真空處理裝置，該真空容器，係具備有：圓筒形之下部容器，被配置於底板上；環狀之試料台底座，在內側具備有支撐試料台的支撐樑；圓筒形之上部容器及圓筒形之放電區塊；及介電質製之蓋構件，關閉放電區塊的上部。在本習知技術的處理單元中，係在將真空容器的構件彼此之間密封而構成於真空容器內部的處理室內，藉由透過蓋構件而供給的微波抑或VHF或UHF帶的高頻電場與來自包圍放電區塊之上方及側方周圍而配置之螺管線圈的磁場，激發被供給至處理室內之處理用之氣體的原子或分子而形成電漿，對被載設於試料台上面上方而保持之半導體晶圓等的基板狀之試料進行處理。 　　[0011] 而且，在進行構成真空容器的構件或構成處理室內表面的構件之清潔或交換等的保養、檢查之際，係在將處理室內設成為大氣壓或近似於視為其之程度的壓力值後，使蓋構件或放電區塊與其他分離而拆卸上部容器，抑或使試料台底座與每個試料台水平地旋轉，從下方的下部容器或底板和被配置於底板下方之渦輪分子泵等的真空泵之上方移動並退避。進行上部容器或下部容器的交換或保養檢查，抑或試料台及與其連結之零件的交換或保養、檢查之作業的作業員，係可在各部分從其他部分拆卸或使其他部分退避的狀態下，確保足夠的空間而進行作業，使作業之效率提升，並可縮短真空處理裝置未處理試料的時間而使其運轉之效率提升。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0012] 　　[專利文獻1]日本特開2005-252201號公報 　　[專利文獻2]日本特開2005-516379號公報 　　[專利文獻3]日本特開2015-141908號公報
[本發明所欲解決之課題] 　　[0013] 由於上述之習知技術，係針對以下觀點之考慮不充分，故發生了問題。 　　[0014] 亦即，半導體晶圓等的試料，雖係通常被設定成適於或容許處理之範圍內的溫度來實施處理，但在將試料台或試料的溫度調節成該範圍內時，為了檢測試料台的溫度，而在試料台配置有檢知溫度之感測器等的檢知器。由於像這樣的檢知器，係有當被安裝於試料台的狀態不同時，對相同的溫度值進行不同之輸出的情形，因此，存在必需進行用以設定或修正相對於預先得知之特定溫度的輸出值之校正者。 　　[0015] 在具備了複數個像這樣的檢知器之試料台中，係必需根據將檢知器裝設於試料台的個數，在裝設於該試料台後，實施校正的作業。另一方面，由於試料台的上面或側面，係面對電漿之構成處理室的內表面之構件，因此，伴隨表面從潔淨的狀態開始之試料的處理之累計的片數增大，去除附著於表面之處理中所產生之反應生成物等的附著物，故在上述維護的作業中，必需拆卸構成該內側表面的構件即構成試料台的部分，而進行洗淨或清潔抑或交換。 　　[0016] 在上述習知技術中，由於在裝設了檢知器的部分為該交換之對象的情況下，係對於像這樣的每個維護之作業，必需要有檢知器之校正的作業，因此，真空處理裝置未進行試料之處理的時間會增加，從而損及運轉之效率或操作可用度抑或處理之效率。對於像這樣的課題，在上述習知技術中，係未充分考量，從而產生了問題。 　　[0017] 本發明之目的，係在於提供一種實施保養、檢查等的作業，縮短未處理試料的時間，使運轉率抑或處理之效率提升的真空處理裝置。 [用以解決課題之手段] 　　[0018] 上述目的，係藉由如下述者而達成：一種真空處理裝置，係具備有處理室、試料台及開口，使用被形成於前述試料台上方之前述處理室內的電漿來處理前述試料，該處理室，係被配置於真空容器內部，內側被排氣而減壓，該試料台，係被配置於該處理室內，在其上面載置有處理對象的晶圓，該開口，係被配置於該試料台之下方，與對處理室內部進行排氣的排氣泵連通，該真空處理裝置，其特徵係，前述試料台具有：金屬製之基材，在其上面具備了載置有前述晶圓之介電質製的膜；金屬製之基板，被配置於該基材之下方，夾隔著該基材與絕緣構件而絕緣；及架台，被配置於該基板之下方，在其內部具有被設成為大氣壓的空間，覆蓋該空間上方的開口，載設有前述基板及與此緊固的前述基材及絕緣構件，且與前述基板連接，前述絕緣構件具有：陶瓷製之環狀構件，夾隔著密封構件而配置，該密封構件，係將前述基材及基板的外周側部分之間，且連通於前述真空容器外部而被設成為大氣壓之該些內周側的空間與其外側的處理室內部之間氣密地密封，並被構成為具備有：複數個溫度感測器，貫穿前述基板且被裝設於前述基板而***前述基材之內部，以檢知該基材的溫度，在裝設了前述複數個溫度感測器的狀態下，與前述基材及絕緣構件緊固的前述基板可從前述架台往前述處理室外部向上方拆卸。 [發明之效果] 　　[0019] 根據本發明，可提供一種使處理之效率提升的真空處理裝置。
[0021] 發明者等，係想到了以下觀點作為用以達成上述目的之手段。亦即，(1)為了確保良好之處理的均勻性，相對於載置被處理物之試料台的中心軸，將處理腔室形狀設成為大致同軸軸對稱。 　　[0022] (2)為了可容易進行固定維護，即使對應大口徑化，亦可從固定維護之對象零件即腔室構件迅速地去除反應生成物等。另外，在此所謂的容易進行固定維護，係包括不需要切斷電源纜線，或者進行水冷卻沖洗等，在非固定維護之際進行的作業。(3)為了可容易進行非固定維護，即使對應大口徑化，亦可容易拉出非固定維護對象即放電用電極頭或各種感測器。 　　[0023] 而且，想到了以下構成作為實現上述的構成。 　　[0024] 對於(1)，至少將真空處理室之水平剖面的內壁形狀設成為圓形狀，支撐試料台的支撐樑，係以試料台之垂直方向的中心為軸而配置成軸對稱，並固定於環狀的支撐底座構件。對於(2)，進行固定維護的零件，係採用可交換(替換)。亦即，不是當場清潔附著有反應生成物等的零件，而是可用新的零件抑或已清潔的零件進行交換。而且，可針對每個相關零件，將非固定維護對象零件整合為單元，以單元單位在水平方向上移動，在進行固定維護之際，容易進行迴避，以便使該些不成為作業上的妨礙。對於(3)，在維護之際，使針對每個相關零件整合非固定維護對象零件的單元在水平方向上移動，並在周圍設置作業空間。 　　[0025] 在以下說明的實施例中，係說明在具備有像這樣的構成之真空處理裝置中，具備有達成上述目的之構成的例子。另外，在圖中，同一符號，係表示同一構成要素。 [實施例] 　　[0026] 以下，使用圖1~圖11，說明本發明之實施例的真空處理裝置。圖1，係說明本發明之實施例之真空處理裝置之構成之概略的俯視圖及立體圖。 　　[0027] 本實施例之真空處理裝置100即電漿處理裝置，係具有大氣區塊101與真空區塊102。大氣區塊101，係在大氣壓下，對半導體晶圓等的被處理物(試料)進行搬送、收納定位等之部分，真空區塊102，係在從大氣壓減壓的壓力下，搬送晶圓等的試料並進行處理等，在載置試料的狀態下使壓力上下變動之部分。 　　[0028] 大氣區塊101，係具備有：大氣搬送室106；及複數個匣盒台107，被安裝於該大氣搬送室106的前面側，收納有處理用或清洗用之試料的匣盒被載設於其上面。大氣區塊101，係匣盒台107上之各匣盒的內部所收納之處理用或清洗用的晶圓在與被連結於大氣搬送室106之背面的真空區塊102之間進行交換的地方，在大氣搬送室106內部，係為了搬送像這樣的晶圓，而配置有具備了晶圓保持用之臂件的大氣搬送機械臂109。 　　[0029] 真空區塊102，係具備有：複數個真空處理室200-1、200-2、200-3、200-4，減壓而處理試料；真空搬送室104-1、104-2，與該些真空處理室連結，在其內部具備有於減壓下搬送試料的真空搬送機械臂110-1、110-2；閉鎖室105，連接該真空搬送室104-1與大氣搬送室106；及搬送中間室108，連接真空搬送室104-1與真空搬送室104-2。該真空區塊102，係由其內部被減壓而可維持為高真空度之壓力的單元所構成。該些大氣搬送機械臂或真空搬送機械臂的動作或真空處理室中之處理的控制，係藉由控制裝置而進行。 　　[0030] 圖3，係示意地表示圖1所示之實施例之真空處理室之構成之概略的縱剖面圖。特別是，在圖3中，係表示真空處理室200中之真空處理室之構成的概略圖。在本實施例中，雖係配置相同構造的真空處理室，但亦可組入具有其他構造的真空處理室。 　　[0031] 圖3所示的真空處理室，係具備有：真空容器，包含有上部容器230或下部容器250；下方之排氣泵270，被連結於此而配置；及上方之第1高頻電源201及螺管線圈206。上部容器或下部容器，係具有水平剖面形狀為圓形狀的內壁，在其內部的中央部，係配置有圓筒形狀的試料台241。 　　[0032] 上部容器或下部容器的外壁，係構成真空隔壁。試料台241，係藉由被設置於試料台底座242的支撐樑而保持，支撐樑，係以試料台之垂直方向的中心為軸而配置為軸對稱(亦即，相對於試料台之中心軸290的氣體流路形狀為大致同軸軸對稱)。 　　[0033] 由於上部容器230內之試料台241上之空間的氣體等(處理氣體、電漿中的粒子或反應生成物)會通過該支撐樑彼此之間的空間並經由下部容器250被排氣，因此，載置有被處理物(試料)300之試料台241的周方向上之氣體的流動會變得均勻，可對被處理物300進行均勻的處理。另外，試料台底座242，係具有具備了支撐樑的環形狀，該環部分由真空容器即下部容器與上部容器的周圍加以保持，被真空密封，因此，即便試料台等的重量增加亦可進行對應。 　　[0034] 真空處理室，係在本實施例中，藉由依序層積於底板260上之包含有圓筒形狀的下部容器250、具備有支撐樑之環狀的試料台底座242、圓筒形狀的上部容器230、接地環225、圓筒形狀的放電區塊224、氣體導入環204的複數個構件所構成，各個構件，係被O形環207真空密封。在放電區塊224之內側，係配置有圓筒形狀的石英內筒205。又，在試料台底座242，係固定有具有試料台底部蓋245的試料台241而構成試料台單元，安裝有加熱器222的放電區塊224，係被固定於放電區塊底座221而構成放電區塊單元。 　　[0035] 又，上部容器230、下部容器250、底板260，係具有凸緣部，上部容器230與下部容器250，係以凸緣部被分別螺絲固定於底板260。另外，在本實施例中，構成真空處理室的構件，雖具有圓筒形狀，但關於外壁形狀，其水平剖面形狀亦可為矩形或其他形狀非圓形。 　　[0036] 在真空處理室的上方，係配置有構成真空容器之具有圓板形狀的蓋構件202與在其下方構成真空處理室的頂棚面之圓板形狀的噴淋板203。該些蓋構件202與噴淋板203，係石英等的介電質製之構件。因此，該些構件，係被構成為可透過微波或UHF、VHF波等的高頻電場，來自被配置於上方之第1高頻電源的電場會通過該些而被供給至真空處理室內。又，在真空容器之外側側壁的外周，係被構成為包圍此而配置有磁場的形成手段(螺管線圈)206，可將所產生的磁場供給至真空處理室內。 　　[0037] 在噴淋板203，係配置有複數個貫穿孔即處理用氣體之導入孔，從氣體導入環204所導入的處理用氣體會通過該導入孔而被供給至真空處理室內。噴淋板203的導入孔，係被配置複數個於試料台241的上面即試料之載置面的上方且試料台241之中心軸290的周圍之軸對稱的區域，通過均等配置的導入孔，具有預定組成而從不同氣體成分所構成的處理用氣體會被導入真空處理室內。 　　[0038] 藉由將以電場形成手段即第1高頻電源201與磁場形成手段即螺管線圈206而產生之電磁波及磁場供給至真空處理室內的方式，激發被導入至真空處理室內部的處理用氣體，在試料台241上方之放電區塊224內的空間被電漿化。此時，處理用氣體分子，係被電離成電子與離子，抑或被解離成自由基。該生成電漿的區域，係藉由其周圍被配置於放電區塊底座221上的放電區塊224而包圍，在該放電區塊224的外周側壁上，係包圍此而安裝有被連接於第1溫度控制器223的加熱器222，可加熱與電漿接觸的石英內筒205。 　　[0039] 藉由像這樣的構成，可降低反應生成物附著於石英內筒205或放電區塊224。因此，該些構件，係可從固定維護的對象排除。 　　[0040] 載置晶圓的試料台241，係在真空處理室的內部被配置成與該噴淋板203的中心軸290重合。在進行電漿所致之處理之際，係在被處理物300即晶圓被載設於試料台241的上面即圓形的載置面，藉由構成該面之介電質的膜靜電而吸附保持(靜電夾具)的狀態下進行處理。 　　[0041] 在本實施例中，試料即半導體晶圓，係考慮使用直徑450mm者，圓筒形狀之真空處理室的內徑，係設成為800mm。但是，亦可設成為該尺寸以下(600mm左右)。 　　[0042] 又，在被配置於試料台241內部的電極，係連接有高頻偏壓電源(第2高頻電源)243，藉由所供給的高頻電力，透過藉由被形成於試料台241及載設於其上之試料300之上方的高頻偏壓將電漿中之荷電粒子引誘至試料的表面而使其衝撞所致之物理反應與前述自由基與晶圓表面之化學反應的相互反應，進行蝕刻處理。又，試料台的溫度，係可藉由第2溫度控制器244來控制成所期望的溫度。 　　[0043] 對試料台241之高頻偏壓的施加或試料台241的溫度控制，係經由被配置於包含有支撐樑的試料台底座242內部所形成之空洞內的電源用配線電線或溫度控制用之配線電線抑或冷媒用配管而進行。另外，雖未圖示，但除了前述配線電線以外，亦可以包含溫度感測器或靜電夾具用配線電線。由於在被配置於試料台241之周邊的上部容器230，係容易附著有反應生成物，因此，為固定維護的對象構件。 　　[0044] 在真空處理室的下方，係配置有經由其底部與具有排氣開口之底板260而連接的排氣泵270。設置於底板260的排氣開口，係被配置於試料台241的正下方，藉由汽缸262，使被配置於排氣開口上之具有大致圓板形狀的排氣部蓋261上下移動，藉此，可調整排氣傳導度，並調節藉由排氣泵270而排出至真空處理室外之內部的氣體或電漿、生成物之量、速度。 　　[0045] 該排氣部蓋261，係在處理被處理物之際被開放，藉由處理用氣體之供給及排氣泵270等的排氣手段之動作的平衡，將真空處理室內部之空間的壓力保持於所期望的真空度。在本實施例中，處理中的壓力，係在0.1~4Pa之範圍被調節成預先設定的值。 　　[0046] 在本實施例中，作為排氣泵，係使用渦輪分子泵及設置有真空處理裝置的建築所具備之旋轉泵等的粗抽真空泵。另外，排氣部蓋261，係被構成為在維護之際關閉，可藉由O形環來對排氣泵進行真空密封。 　　[0047] 而且，在本實施例中，符號111表示第1閘閥，符號112表示第2閘閥，符號115表示閥箱，符號280表示支柱。 　　[0048] 在本實施例中，導入至真空處理室內的處理用氣體及電漿或處理之際的反應生成物，係藉由排氣泵270等的排氣手段之動作，從真空處理室上部通過試料台241之外周側的空間，經由下部容器250移動至被設置於下方之底板260的開口。由於下部容器250，係容易附著有反應生成物，因此，成為固定維護的對象構件。 　　[0049] 蝕刻處理中之真空處理室內部的壓力，係以真空計(未圖示)來監視，並以藉由排氣部蓋261控制排氣速度的方式，控制真空處理室內部的壓力。該些處理用氣體的供給或電場形成手段、磁場形成手段、高頻偏壓、排氣手段的動作，係藉由未圖示之可通信地連接的控制裝置來調節。 　　[0050] 在電漿處理所使用的處理用氣體，係依各製程的每個條件，使用單一種類的氣體，抑或將複數個種類的氣體以最適當之流量比混合的氣體。該混合氣體，係藉由氣體流量控制器(未圖示)來調節其流量，經由與此連結的氣體導入環204被導入至真空容器上部之真空處理室上方的噴淋板203與蓋構件202之間的氣體滯留用之空間。在本實施例中，係使用了不鏽鋼製之氣體導入環。 　　[0051] 其次，使用圖2~圖4，說明於被處理物之朝真空處理室內的搬入、從真空處理室之搬出的步驟。圖2，係用以說明圖1所示之實施例的真空處理裝置中之被處理物之搬送的主要部分概略俯視圖。 　　[0052] 圖2(a)，係閘閥為開啟的狀態，搬送機械臂將被處理物搬入至真空處理室的狀態，抑或正要搬出的狀態。圖2(b)，係表示晶圓300被搬入至真空搬送室104的狀態，閘閥為關閉的狀態，被處理物往真空搬送室搬入的狀態。 　　[0053] 首先，在大氣區塊中，藉由大氣搬送機械臂從匣盒所取出的晶圓，係經過閉鎖室往真空搬送室104搬送。真空處理室與真空搬送室，係經由第1閘閥111與第2閘閥而連接。 　　[0054] 在本圖中，閘閥，係兩者皆被關閉，被O形環207真空密封。符號115為閥箱，符號210為旋轉升降器(移動手段)。 　　[0055] 關於旋轉升降器210，係將於稍後詳述。其次，在使真空處理室與真空搬送室的壓力一致後，如圖2(a)所示，使用具備有臂件的真空搬送機械臂110，將晶圓300從真空搬送室104往真空處理室搬入。 　　[0056] 此時，第1及第2閘閥111、112兩者皆為開啟的狀態。其次，如圖3所示，將晶圓300載置於真空處理室內的試料台241，真空搬送機械臂，係返回到真空搬送室，第1、第2閘閥111、112被關閉。 　　[0057] 在真空處理室內，當對晶圓300的處理結束時，在調整真空處理室與真空搬送室的壓力後，如圖4所示，將第1、第2閘閥111、112設成為開啟狀態。圖4，係示意地表示圖1所示之實施例之真空處理室之構成之概略的縱剖面圖，且表示第1、第2閘閥111，112被開放的狀態。 　　[0058] 從該狀態，與圖2(a)所示者相同地，使用真空搬送機械臂110，晶圓300從試料台241往上方被舉起而從試料台241的上面脫離。接著，如圖2(b)所示，將晶圓300往真空搬送室104搬入。其後，晶圓300，在其他真空處理室被處理後，抑或未被處理就經由閉鎖室往匣盒搬送。 　　[0059] 其次，使用圖5~圖11，說明關於固定維護的步驟。圖5，係表示從圖3，4所示之真空處理室的構成去除螺管線圈206與第1高頻電源201，並同時以排氣部蓋261堵住被連接於排氣泵270之底板260的開口部而進行真空密封之構成，圖5(a)為平面圖，(b)為剖面圖。 　　[0060] 藉由排氣部蓋261，對排氣泵270進行真空密封，使排氣泵270先運轉，藉此，可縮短維護後之真空處理室的起動時間。另外，圖5(b)所示的剖面圖，係為了說明旋轉升降器210，觀看之方向與圖3或圖4不同。 　　[0061] 亦即，圖3或圖4所示的剖面圖，係在圖5(a)所示的平面圖中從右側觀看之圖，圖5(b)所示的剖面圖，係在圖5(a)所示的平面圖中從下側觀看之圖。圖6~圖11所示的縱剖面圖，係從與圖5(b)所示的剖面圖相同方向觀看之圖。 　　[0062] 其次，如圖6所示，使石英板202、其下方的噴淋板203及石英內筒205往上方移動而拆卸。藉此，在真空處理室的上端，係氣體導入環204露出。 　　[0063] 又，在真空處理室內部，係試料台241與試料台底座242之支撐樑的部分露出。其次，如圖7所示，使氣體導入環204往上方移動而拆卸。 　　[0064] 接著，如圖8所示，在使被固定於旋轉升降器210的可動部之包含有放電區塊底座221、被安裝於其上之放電區塊224及加熱器222的放電區塊單元220，如箭頭310所示地以旋轉軸211為中心往上方移動後，使其水平地往反時針方向旋轉，藉此，從垂直上方觀看，往真空處理室的區域外移動。在本實施例中，雖係使放電區塊單元往反時針方向旋轉，但亦可設成為將旋轉升降器之位置變更為相反側(將圖中右側配置變更為左側配置)而往順時針方向旋轉的構成。 　　[0065] 使放電區塊單元220往上方移動的距離，係設成為超過接地環225之突起部的高度以上。在本實施例中，雖係設成為5公分，但並不限於此。 　　[0066] 另外，在接地環之突起部的高度較低的情況下，係設成為O形環207自放電區塊單元220或接地環225遠離的高度(數公分)以上。又，旋轉角度，雖係設成為180度，但可設成為90度以上270度以下。 　　[0067] 但是，考慮到作業性，以180度±20度為適當。將並非為固定維護之對象的放電相關構件整合為放電區塊單元220而旋轉，藉此，可迅速・容易地從真空處理室的上部迴避該些。藉由使放電區塊單元220迴避的方式，在真空處理室的上端，係接地環225露出。 　　[0068] 其次，如圖9所示，使接地環225及主要的固定維護對象構件即上部容器230往上方移動而拆卸。亦即，在可替換(交換)的狀態下，可容易地拆卸上部容器230。 　　[0069] 在本實施例中，係構成真空處理室的真空隔壁本身(上部容器)為可交換。藉此，可將解體真空處理室後之上部容器230的維護時間抑制在最小限度。 　　[0070] 另外，在進行維護之際，第1閘閥為關閉，第2閘閥為開啟。藉由使第1閘閥111關閉而將真空搬送室104設成為真空密封狀態的方式，在其他真空處理室中進行處理便成為可能，可使作為真空處理裝置之運轉率的下降抑制在最小限度。 　　[0071] 另一方面，藉由將第2閘閥112設成為開放狀態的方式，可分離上部容器230與閥箱115。上部容器230的拆卸，係在將以凸緣部固定上部容器230與底板260的螺絲拆卸後才進行。 　　[0072] 放電區塊單元的移動，係藉由控制旋轉升降器的控制裝置來進行。該控制裝置，雖係亦可為旋轉升降器專用，但亦可組入作為真空處理裝置整體之控制裝置的一部分。藉由拆卸上部容器230的方式，除了試料台241與支撐樑以外，試料台底座242的環部分露出。 　　[0073] 其次，如圖10所示，在使被固定於旋轉升降器210的可動部之包含有試料台底座242、被安裝於其上之試料台241及試料台底部蓋245的試料台單元240，如箭頭320所示地以旋轉軸211為中心往上方移動後，使其水平地往反時針方向旋轉，藉此，從垂直上方觀看，往真空處理室的區域外移動。在本實施例中，雖係使試料台單元往反時針方向旋轉，但亦可設成為將旋轉升降器之位置變更為相反側(將圖中右側配置變更為左側配置)而往順時針方向旋轉的構成。 　　[0074] 使試料台單元240往上方移動的距離，係設成為O形環207從試料台單元240或下部容器250剝離的高度以上。在本實施例中，雖係設成為2公分，但並不限於此。 　　[0075] 又，旋轉角度，係設定為與放電區塊單元220成為相同為最理想。藉此，在從垂直上方觀看的情況下，可縮小放電區塊單元220與試料台單元240兩者的合計面積。 　　[0076] 將並非為固定維護之對象的試料台相關構件作整合為試料台單元240而旋轉，藉此，可迅速・容易地從真空處理室的上部迴避該些。試料台單元240的移動，係藉由控制旋轉升降器的控制裝置來進行。 　　[0077] 該控制裝置，雖係亦可為旋轉升降器專用，但亦可組入作為真空處理裝置整體之控制裝置的一部分。藉由使試料台單元240迴避的方式，在真空處理室的上端，係下部容器250露出。又，排氣部蓋261的全表面露出。 　　[0078] 接著，在以凸緣部固定下部容器250與底板260的螺絲拆卸後，如圖11所示，使主要的固定維護對象構件即下部容器250往上方移動而拆卸。 　　[0079] 亦即，在可替換(交換)的狀態下，可容易地拆卸下部容器250。藉此，可將解體真空處理室後之下部容器250的維護時間抑制在最小限度。 　　[0080] 拆卸了下部容器250後，進行底板260之表面或排氣部蓋261之表面的檢查・整備。通常，由於底板260的露出部，係被下部容器250覆蓋，因此，反應生成物的附著較少。 　　[0081] 又，排氣部蓋261的上部表面，係在處理被處理物之際，被配置於試料台之下方，雖反應生成物的附著較少，但可因應所需而進行清掃。由於在底板260的周邊，係沒有構成真空處理室之壁等(維護上的障礙物)且為平的，因此，可使作業者400(在圖10B中並未圖示)之維護的作業效率提升。 　　[0082] 在進行了固定維護對象之構件的清潔或檢查・整備、交換(特別是上部容器與下部容器)後，以與前述說明相反的順序來組裝，以供進行真空處理。 　　[0083] 其次，說明關於非固定維護的步驟。非固定維護的對象構件，係主要為構成放電區塊單元220的構件與構成試料台單元240的構件。 　　[0084] 在構成放電區塊單元220之構件的情況下，係如圖8所示，將放電區塊單元220往上方舉起而朝水平方向旋轉後，可從所期望的方向，進行加熱器222的檢查・交換、放電區塊224之內壁的檢查・清潔等之維護。由於放電區塊單元220，係迴避其他之構成真空處理室的構件，因此，可謀求作業效率之提升。 　　[0085] 在構成試料台單元240之構件的情況下，係如圖10所示，將試料台單元往上方舉起而朝水平方向旋轉後，如圖11(b)所示，拆卸試料台底部蓋，可從所期望的方向進行各種電源電線或感測器之配線、溫度調整用零件等的維護。在支撐樑內部的空洞，係配置有用於使被處理物靜電吸附於試料台的配線電線、用於對試料台施加高頻偏壓的配線電線、用於控制試料台之溫度的配線電線或冷媒用配管、用於檢測試料台之溫度的配線電線之中的至少一個，該些亦成為非固定維護的對象。 　　[0086] 又，在放電區塊單元220成為作業之妨礙的情況下，係可使其順時針方向旋轉至從垂直上方觀看之配置有真空處理室的區域或其附近。藉此，可謀求試料台單元240之作業效率的提升。又，由於藉由適當地錯開放電區塊單元與試料台單元之旋轉角度的方式，可同時維護兩個單元，因此，作業效率提升。 　　[0087] 另外，在本實施例中，雖係將放電區塊單元或試料台單元往上方舉起後朝水平方向旋轉，但亦可設成為在舉起後於水平方向直線狀地拉出的構成。藉此，可將移動範圍設成為最小限度。又，可謀求移動機構之構成的簡化。但是，就確保維護的作業空間而言，朝水平方向旋轉為有利。 　　[0088] 又，在本實施例中，雖係不僅上部容器，亦交換了下部容器，但亦可設成為以覆蓋下部容器內面的方式安裝襯套(蓋體)，交換該襯套的構成。 　　[0089] 又，在本實施例中，雖係將旋轉升降器設成為1個，使放電區塊單元與試料台單元往相同方向旋轉，但在可確保作業區域的情況下，係亦可設置2個旋轉升降器，使其分別往不同方向旋轉。藉由分別設置放電區塊單元用之旋轉升降器與試料台單元用之旋轉升降器的方式，可自由地設定各個單元的高度。又，由於可安排更多作業者，因此，作業之同時進行可輕易進行，從而可在短時間內結束作業，提升作業效率。 　　[0090] 又，在上述實施例中，使用旋轉升降器進行移動的放電區塊單元或試料台單元以外之構成零件的移動，雖係以人力來進行，但亦可使用吊車等的起重機。 　　[0091] 其次，使用圖12~圖15，更詳細地說明關於本實施例之真空處理室的構成。圖12，係示意地表示圖3所示之實施例之真空處理室之構成之概略的縱剖面圖。 　　[0092] 圖12(a)，係特別是放大表示圖3或圖4所示之真空處理室200-1~4之任一下部的縱剖面圖，省略被配置於真空處理室200-1~4之上部之第1高頻電源201、蓋構件202，線圈206等的構件。亦即，放大表示圖3或4所示之真空處理室200-1~4的任一之從上部容器230至下側的部分。 　　[0093] 在以下圖12~圖15的說明中，係將圖3或4所示之真空處理室200-1~4的任一稱為真空處理室2001。本圖所示的真空處理室2001，係大體上具備有真空容器及被配置於其下方並從下方支撐該真空容器的架台、被連接於該架台之下方且與真空容器內部連通而對該內部進行排氣的排氣手段。 　　[0094] 另外，在本圖中，係如非必要，則省略說明關於圖3等先前說明的圖面中所示之編號的部分。而且，表示被配置於真空容器之側壁，在連通真空容器內部與外部之間的開口即閘門的周圍，與側壁抵接且將閘門閉塞而氣密地密封或開放的第2閘閥112及在內部具備此的閥箱115。 　　[0095] 本圖之真空處理室2001的真空容器，係被構成為與圖3、4之實施例相同地，具備有上部容器230及其下方的試料台底座242和被配置於該下方的下部容器250，該些被載設成在上下方向形成層。下部容器250，係其下面鄰接此而被載設於底板260的上面。 　　[0096] 而且，真空處理室2001，係在架台即底板260的下面下方且配置有真空處理室2001之建築之地面上方的該些之間，具備有：複數根支柱280，其上端部被連接底板260，支撐底板260與其上方的真空容器。又，在底板260被支柱280支撐所形成之底板260的下面與地面之間的空間，具備有：排氣泵270，與被配置於底板260之中央部之內部的排氣用之排氣口連接，且被配置於該貫穿孔的下方；及致動器即汽缸262，被配置於下部容器250的內側，相對於排氣口上下驅動排氣部蓋261，該排氣部蓋261，係將排氣口開放或氣密地閉塞。 　　[0097] 另外，即便在真空容器2001，底板260，係亦與接地電極電性連接而形成接地電位。因此，使底板260與下面接觸而連接的下部容器250、試料台底座242、上部容器230，係形成接地電位。 　　[0098] 排氣手段，係具備有：渦輪分子泵等的排氣泵270，在被配置於下部容器250及底板260的貫穿孔即排氣口的下方，與之連通而配置；及排氣導管(未圖示)，連結排氣泵270之入口與排氣口而使其相互連通。另外，即便在本圖的真空處理室2001中，排氣泵270之排出口，係亦被連結於旋轉泵等的粗略泵，該旋轉泵，係預先被配置於真空處理室2001接地的建築，又，從排氣口所排出之排氣的流量或速度，係以下述方式來調節：汽缸262被驅動，排氣部蓋261相對於排氣口上下移動，藉此，使對排氣口之排氣之流路的面積增減。 　　[0099] 圖12(b)，係放大而示意地表示包含有圖12(a)所示之試料台底座242之主要部之構成的縱剖面圖。特別是，更詳細地放大表示試料台241之構成，該試料台241，係被連結於試料台底座242，且被配置於由上部容器230、試料台底座242及下部容器250所構成之真空容器的內部之處理室內，保持被載設於上面的晶圓300。 　　[0100] 與圖12(a)相同地，本圖所示的真空處理室2001，係在上下方向配置有：真空容器；底板260，被配置於其下方；及排氣手段，被配置於該下方。而且，真空容器，係被構成為在上下方向連接有內部之側壁面具有圓筒形的上部容器230、試料台底座242、下部容器250的各者，且被配置於使其上下方向的中心軸與水平方向彼此重合或近似於視為其之程度的位置。 　　[0101] 試料台區塊，係大體上被構成為具備有：試料台底座242，構成下部；試料台241，被載設並連接於該上方，包含具有圓筒形的頭部1201；及外周環1202，以試料台底座242上方且試料台241的外周側來將此包圍，配置成環狀。在本實施例中，該些部分，係被構成為在真空處理室2001進行零件交換或檢查等的保養之作業中，可於真空容器內部成為大氣壓而被開放的狀態下，自真空容器或下方的部分裝卸。 　　[0102] 構成試料台241之上部的頭部1201，係被構成為具備有具有圓形之金屬製的板狀構材即底板1203與具有被載設於該上方之圓板或圓筒形之金屬製的基材，及覆蓋具有基材之圓形的上面而配置之介電質製的膜。該些底板1203與具有介電質製的膜之基材，係如後述，被構成為相互連結而可一體地裝卸。 　　[0103] 試料台底座242，係作為使試料台241載設於其上方之架台而發揮功能的構件，具備有：圓筒形狀之底座圓柱(base cylinder)；T凸緣1205，被載設並連接於底座圓柱的中央部上方，並且在上方載設有頭部1201且與底板1203外周下面連接；及收納空間1207，該些底座圓柱及T凸緣1205內側的空間。收納空間1207，係如後述，在於內部配置有使複數個銷上下移動之銷驅動部1208或被連接於頭部1201之感測器或朝電極之連接器等的空間中，形成與大氣壓或真空處理室2001接地之建築內部者相同的壓力，該複數個銷，係使晶圓300在頭部1201上方上下升。
底座圓柱，係被構成為具備有：環狀之底座圓柱1204，構成最外周部，使其上下被夾置於上部容器230及下部容器250而構成真空容器；中央圓筒，具有被配置於底座圓柱1204之中心側的圓筒形；及複數根支撐樑1206，連結該些之間而一體地構成。在本實施例中，底座圓柱1204的內周及中央圓筒的外周，係被配置於上下方向之中心重合或近似於視為其之程度之水平方向的位置且具有半徑不同的圓筒形，支撐樑1206，係其軸從該中心軸的位置放射狀地沿半徑方向配置，並被配置為相鄰者彼此之軸間的角度形成相等或近似於視為其之程度的值。
中央圓筒的下面，係構成試料台部蓋245可裝卸，並被安裝成相對於中央圓筒，氣密地密封內部的收納空間1207而閉塞。收納空間1207，係包含有被配置為在各支撐樑1206及底座圓柱1204的內部，貫通此直至中央圓筒之內部與真空處理室2001之外部而連通的筒狀空間。
T凸緣1205，係具有圓筒形之外周部與在內部構成收納空間1207的空間，在空間內，係配置有銷驅動部1208。圓筒形的外周部，係其上端部夾隔著O形環等的密封構件而與上方的底板1203外周緣部下面對向或抵接，其下端部夾隔著O形環等的密封構件而與下方之底座圓柱的中央圓筒上端部對向或抵接。
在試料台底座242內部的收納空間1207內部， 係除了銷驅動部1208以外，另配置有被供給至頭部1201之冷媒的配管或感測器抑或對電極供電之供電纜線等的配線。而且，構成收納空間1207之支撐樑1206內的通路，係成為設置有連結被配置於試料台241與真空處理室2001外部的電源或冷媒的供給源之間的配管或纜線之空間。
配置於基材的內部之被***複數個凹部內而檢知基材之溫度的複數個溫度感測器，係被構成為其端部被配置於收納空間1207內，通過支撐樑1206內的空間，藉由纜線，與該端部及被配置於底座圓柱1204或真空處理室2001外部的容器控制器1209可通信地連接，晶圓300之處理中所發送之各溫度感測器的輸出可在容器控制器1209接收。又，銷驅動部1208亦相同地，藉由纜線，與容器控制器1209可通信地連接，因應來自容器控制器1209之指令信號，調節銷驅動部1208的動作。
又，金屬製之基材，係將用以形成電漿之比電場的頻率小之頻率的高頻電力供給至晶圓300之處理中，在被載設於介電質製的膜之上面的晶圓300上形成偏壓電位。在本實施例中，用以接收來自第2高頻電源243之偏壓電位形成用之高頻電力的連接器，係被***基材而電性連接且安裝於頭部1201，配置於收納空間1207內部之將該連接器的端部與第2高頻電源243之間電性連接的供電用之纜線，係被配置於包含有特定之支撐樑1206內部之空間的收納空間1207內。
而且，在金屬製之基材的內部，係配置有：冷媒流路，供給溫度被調節成預定範圍內之值的冷媒而循環。像這樣的冷媒，係在具備有使用了冷卻器等的冷凍循環之溫度調節器的第2溫度控制器244中，調節溫度，藉由內部的泵，在被供給至基材內部之冷媒流路並進行熱交換而排出的冷媒返回到第2溫度控制器244且再度進行溫度調節後，再次被供給至基材內部的冷媒流路。連接冷媒流路與第2溫度控制器244之冷媒的配管亦被配置於包含有支撐樑1206之空間的收納空間1207內。 　　[0111] 容器控制器1209，係包含有演算裝置，被配置於真空處理室2001或真空容器外部，與試料台241及被配置於收納空間的內部之銷驅動部1209等的複數個機器可通信地連接。容器控制器1209，係從可通信地連接的機器接收信號而檢測信號中所含的資訊，並對該些機器發送指令信號，調節其動作。 　　[0112] 本實施例的容器控制器1209，係具備有：演算器，由半導體元件所構成；介面，在與機器之間，發送接收信號；RAM或ROM等的記憶元件或硬碟驅動機等的記憶裝置，將資料儲存於內部而進行記錄或記憶，該些在容器控制器1209內部可通信地連接。通過介面接收了來自外部之信號的容器控制器1209，係演算器從該信號檢測資訊而將資訊儲存於記憶裝置內，並且讀取預先被儲存於記憶裝置內部的軟體，沿著其中所記載的演算法，算出對應於先前信號的指令信號，通過介面來對成為控制之對象的機器發送指令信號。 　　[0113] 容器控制器1209的記憶裝置，係即便被收納於容器控制器1209的內部，亦可可通信地配置於外部。本實施例的容器控制器1209，係與溫度感測器及銷驅動部1208可通信地連接。 　　[0114] 放大而更具體地說明圖12(b)之試料台區塊主要部的構成。圖13，放大而示意地表示圖12所示之實施例之真空處理室之試料台之構成的縱剖面圖。在本例中，圖13(a)，(b)，係表示在不同方向，以通過該些中心軸之縱方向的面切開試料台241及試料台底座242之剖面的圖。 　　[0115] 圖13(a)所示的試料台區塊，係被構成為包含有試料台241與試料台底座242與外周環1202。試料台區塊，係如圖10所示，被構成為在將比包含有真空處理室2001之上部容器230的試料台底座242更往上側的部分從試料台底座242拆卸後，使試料台底座242朝旋轉升降器210之上下方向的軸周圍旋轉，從而可與試料台241一體地從下方的下部容器250上方移動。 　　[0116] 如圖13(a)，(b)所示，試料台區塊，係被構成為在試料台底座242的上方載設有試料台241，該試料台241，係在下面具有底板1203，該些經由螺栓等的緊固手段可裝卸地連接。在該狀態下，在試料台241之外周側且底板1203的外周緣上面上方，係配置有金屬製之外周環1202。 　　[0117] 試料台底座242，係具備有：底座圓柱，具備有外周環1205與支撐樑1206與中央圓筒；及T凸緣1205，被配置為在其上方，夾隔著O形環等的密封構件而與此抵接或對向。而且，被構成為具備有：收納空間1207，連接有該些且被配置於內部。 　　[0118] T凸緣1205，係如上述具有：圓筒部，具有圓筒形並構成試料台底座242之真空處理室2001內的外周側壁；及T字狀或Y字狀之樑部1301，被配置於該圓筒部內部的收納空間1207內，一體地連接或形成於具有圓筒部之圓筒形的內周壁。而且，圓筒部，係被配置為上端部經由O形環被夾置於試料台241之頭部1201的底板1203，下端部經由O形環被夾置於底座圓柱的中央圓筒，相對於真空處理室2001將收納空間1207氣密地密封。 　　[0119] 又，T字狀或Y字狀的樑部1301，係該些端部一體地連接或形成於圓筒部之內周壁面，且被配置於圓筒部的內部，在從樑部1301的中央延伸於圓筒部之內周壁面的複數個樑彼此之間，形成有構成收納空間1207的空間。像這樣的樑之間的空間，係成為配置有穿過底板1203而被連結於頭部1201內部之上述感測器或連接器的纜線等配線或冷媒或氣體之配管並通過的路徑。 　　[0120] 樑部1301，係含有各樑且為板狀之構材，各樑的前端部一體地連接或形成於具有圓筒部之圓筒形的內周壁面之高度方向上下端之中間的位置，於在T凸緣1205上方載設有底板1203而內部被密封的狀態下，在樑部1301的上面與上方的底板1203下面之間形成有空間，將與該底板1203之間的空間亦利用作為配置有上述連接器或感測器的空間。而且，在樑部1301的中央部下面，係如上述，連接有銷驅動部1208的上端部，在各樑，係配置有複數個(在本實施例中為3根)銷1302貫穿的孔，該複數個銷1302，係被連結於銷驅動部1208之下端部，因應伸縮於銷驅動部1208之上下方向的動作，往上下方向移動。 　　[0121] 該些銷1302，係貫穿包含有上方之底板1203的頭部1201，且被***與配置在構成該頭部1201之上面的介電質製之膜上之開口連通的貫穿孔1303內，藉由上述上下方向的移動，使被載設於介電質製之膜上方的晶圓300相對於頭部1201或試料台241之上面進行上下地脫離、接近、載置的動作。因此，位於收納部1207內之銷1302之外周側的空間，係成為與真空處理室2001連通，由於在樑部的銷用之貫穿孔之上下的收納空間1207與銷之間，將與銷1302外周側之真空處理室2001內部連通的空間之間氣密地密封，因此，在樑部的銷用之貫穿孔的周圍配置有O形環等的密封構件。 　　[0122] 亦即，在底板1203的下部，係於複數個部位(在本實施例中，係3部位)配置有凸部1203’，該凸部1203’，係具有從其周圍之底板1203的下面向下方突出之圓筒形或圓錐梯形狀，且在中央部，配置有上述各銷1302貫穿而被收納於內側的貫穿孔1303。在底板1203與T凸緣1205被上下連結之狀態下，各凸部1203’的下端面與被配置於樑部1301之各樑的銷用之貫穿孔之外周的上面會抵接或對向，且夾隔著O形環等的密封構件，並將各樑的銷用之貫穿孔及頭部1201內之貫穿孔1303之內側的空間與外側的收納空間1207之間氣密地密封。
各銷1302，係在收納空間1207內部，藉由銷驅動部1208之上下之伸縮的動作，被連接於連接在銷驅動部1208下端部之3根臂件的前端部上面，並從該各臂件前端部上面延伸至頭部1201內部的貫穿孔1303內部，該銷驅動部1208，係上端部被連結於樑部1301中央部的下面。各銷的上前端，係在銷驅動部1208最收縮之狀態下，位於試料台241上面之上方的最大高度，在銷驅動部1208最伸長之狀態下，位於頭部1201內的貫穿孔1303內。
在位於樑部1301的各樑下方之各銷1302的外周，係配置有：波紋管1304，連接各樑下面與連接有各銷1302之各臂件的上面之間，且因應臂件及銷1302之上下的移動而收縮。與各樑下面及各臂件上面連接之波紋管1034的上下端，係夾隔著O形環等的密封構件而抵接或對向地被連結於樑下面及臂件上面之間，各銷1302經由被收納於內部之貫穿孔1303及樑部1301之樑的貫穿孔，使與真空處理室2001內部連通的波紋管1302內側與外側的收納空間1207之間被氣密地密封。
藉由像這樣的構成，因應藉由來自容器控制器1209之指令信號所驅動之銷驅動部1207的最大、最小之間的伸縮，銷1302沿上下方向移動而波紋管1304進行伸縮。即便對像這樣的銷1302之移動及波紋管1304之伸縮的動作，波紋管及貫穿孔1302的內部與收納空間1207之間亦 被氣密地密封。因此，即便在處理晶圓300之真空處理室2001正在運轉時，亦可抑制被形成於真空處理室2001內之具有電漿或處理用氣體之反應性的粒子或反應生成物的粒子對被配置於收納空間1207內之銷驅動部1208或感測器或連接器等的端子帶來不良影響之情形。
構成本實施例之試料台241的頭部1201，係被構成為具備有：底板1203；絕緣構件1305，被載設於其上方；及金屬製之基材1306，被載設於其上方，在包括具有圓板或圓筒形狀之基材1306之圓形的上面，係配置有介電質膜1307，該介電質膜1307，係包含構成晶圓300被載設於其上的載置面之氧化釔或氧化鋁等的陶瓷而構成。又，分別在底板1203、絕緣構件1305、基材1306之間，係被構成為夾隔著O形環等的密封構件而一體連接，且真空處理室2001內部及與收納空間1207連通之試料台區塊之內部的空間被氣密地密封，並且將頭部1201作為一個整體形成之構件而安裝於試料台底座242，並可朝上方拆卸。
亦即，底板1203，係具有圓板形狀，藉由通過被配置於外周側部分之貫穿孔而從底板1203下方所***的金屬製之螺栓1308，經由被載設於上方的絕緣構件1305，與上方的基材1306緊固。藉此，底板1203、絕緣構件1305、基材1306被一體連結。
而且，具有圓板形狀之底板1203的徑，係比外周被配置於具有圓板或圓筒形之上方的絕緣構件1305及基材1306大，於底板1203外周緣部下面的下方，夾隔著O形環，藉由螺栓，使其與上端部對向或抵接之T凸緣1205之圓筒部的上端部在絕緣構件1305之外周側緊固。藉此，被構成為可藉由解除外周側之螺栓之緊固的方式，將頭部1201作為一體地從T凸緣1305或試料台底座242往上方拆卸。 　　[0129] 如圖13(b)所示，基材1306，係使具有圓板或圓筒形狀之金屬製的2個上部基材1306a及下部基材1306b各自之上面與下面抵接，並藉由焊接或摩擦攪拌等的手段接合而成為一體之構件，且在下部基材1306b內部配置有冷媒流路1313。而且，在被形成於上部基材1306a內部之中央部並被形成為於圖上下方具有開口的凹部，係***有供給來自第2高頻電源242之高頻電力的受電連接器1310，且與基材1306連接。 　　[0130] 受電連接器1310的下部，係鄰接供電連接器1309且與此電性連接，該供電連接器1309，係與供電用之纜線的前端部連接。藉由從第2高頻電源243被供給至基材1306的高頻電源，因應被形成於頭部1201或載置在其載置面上方之晶圓300上面的上方之偏壓電位與電漿之電位的差，促進電漿中之荷電粒子被晶圓300上面方向吸引發生衝撞所致之處理，並且將晶圓300及其下方的基材加熱。 　　[0131] 在本實施例中，係為了將藉由該加熱而變化之晶圓300及基材1306或頭部1201的溫度調節成適於處理之所期望之範圍內的值，而使在第2溫度控制器244所設成為預定溫度之冷媒供給至基材1306內部的冷媒流路1313而循環，並且將He等之具有熱傳遞性的氣體供給至基材1306上的介電質膜1307上面與被載設於其上而吸附保持之晶圓300的背面之間。在本實施例中，係在基材1306之外周側，將被配置成環狀而熱傳遞性之氣體流通於內部的氣體流路1317及該氣體流路1317與晶圓300及介電質膜1307之間的間隙連通，且在試料台241具備有與被配置於構成基材1306上之載置面的介電質膜1307上面之開口連通的貫穿路徑即氣體供給路徑1318。 　　[0132] 從氣體供給路徑1318通過開口，將具有熱傳遞性之氣體供給至與介電質膜1307上面之間的間隙，促進被供給至晶圓300與基材1306乃至於內部為冷媒的循環路徑1313而循環之與冷媒之間的熱傳遞，從而增加其量。晶圓300或基材1306上面的溫度，係可藉由該些冷媒之溫度的值或流量抑或其速度，進一步為熱傳遞性氣體的間隙中之壓力的值與其分布進行調節。 　　[0133] 如上述，在金屬製的基材1306，係與晶圓300相比，具有相對大的熱容量，且供給有從第2溫度控制器244之被設成為預定範圍內之溫度的冷媒。基材1306，係被載設於上方而形成作為溫度的調節對象之晶圓300之溫度的值之基底，並且作為供給用以在晶圓300上方形成偏壓電位之高頻電力的電極而發揮功能。 　　[0134] 如上述，金屬製的圓板或圓筒形構件即上部基材1306a，係其外周側部分包圍中央側且配置有被配置成環狀的凹部，藉由該凹部所包圍的中央側部分，係形成具有從凹部的底面向上方凸之形狀之圓筒形的部分。上部基材1306a之凸狀部分之圓形的上面，係被介電質膜1307被覆，該介電質膜1307上面被使用來作為晶圓300的載置面。 　　[0135] 具有凸狀部分上面之圓形的載置面，係具有與晶圓300相同或近似的直徑，晶圓300，係於其處理的期間中及其前後，在被載設於載置面的狀態下，從複數個直流電源調節其值，藉由被供給至介電質膜1307內部之複數個部位的電力，在晶圓300與介電質膜1307之間形成靜電力而被吸附保持於介電質膜1307上面，抑或藉由所供給的直流電力，生成熱而調節晶圓300之溫度的值或其分布。 　　[0136] 亦即，介電質膜1307，係將包含有氧化釔或氧化鋁的陶瓷使用來作為材料而構成，在本實施例中，係藉由熔射法，以半熔融狀態，將材料之粒子吹噴至大於包含成為上部基材1306a之載置面的全區域之上面的區域而形成膜狀。在介電質膜1307的內部，係配置有：複數個膜狀之ESC(靜電吸附)電極1311，供給用以形成吸附晶圓300用之靜電力的直流電力；及複數個膜狀加熱器電極1312，被使用來作為用以將晶圓300的溫度加熱至適於處理之所期望之範圍內的值而進行調節之加熱器。 　　[0137] ESC電極1311，係在載設了晶圓300的狀態下，被配置於此所覆蓋之介電質膜1307之載置面的投影面之下方的區域之複數個膜狀的電極。本實施例之ESC電極1311，係與介電質膜1307相同地，藉由熔射法而形成者。 　　[0138] 複數個ESC電極1311中的2個，係分別與不同的直流電源1319連接，並賦予彼此不同極性的電位，夾隔著構成介電質膜1307之陶瓷的材料，電荷會於晶圓300內分極而累積，形成在處理中將晶圓300吸引至介電質膜1307之方向而保持的靜電力。而且，對該些ESC電極1311賦予晶圓300之處理後與處理中相反的極性，藉此，即便電漿消失後，所累積之電荷的分極亦被緩和抑或被容器去除，以便形成處理前或處理中吸附晶圓300的靜電力。 　　[0139] 各ESC電極1311，係經由被安裝於底板1203下面的ESC電極供電纜線連接器單元1320上部與貫穿底板1203、絕緣構件1305和基材1306的供電路徑而電性連接。而且，在複數個ESC電極被電性連接之ESC電極供電纜線連接器單元1320上部的下方與此連接之ESC電極供電纜線連接器單元1320的下部，係經由直流電源1319的一個與被配置於收納空間1207的1個供電纜線而電性連接，該直流電源1319，係被配置於真空處理室2001外部，並被指定為將直流電力供給至該複數個ESC電極1311。 　　[0140] 直流電源1319，係被構成為能可變地調節輸出之電流或電壓的大小，並且與容器控制器1209可通信地連接。從直流電源1319將表示上述電流或電壓之值的信號發送至容器控制器1209，並從容器控制器1209接收到使用演算器算出而發送之指令信號的直流電源1319，係基於該指令信號，藉由直流電源1319，將電壓或電流的大小被調節之直流電力通過試料台241外部之供電纜線及試料台241內部之複數個供電路徑而供給至與此連接的複數個ESC電極1311。 　　[0141] 加熱器電極1312，係被配置於介電質膜1307內部之高度方向下方的位置之金屬製之膜狀的複數個電極，且為各自與介電質膜1307相同地藉由熔射法所形成，並具有圓形或扇狀抑或圓弧狀者。各個加熱器電極1312，係經由被配置於各個的下方之複數個加熱器供電連接器1322的各個及至少1個加熱器供電連接器單元1323而電性連接，且在直流電源1321中供給電流或電壓被調節成所期望的值之直流電力而生成的熱量會被調節。 　　[0142] 在各個加熱器電極1312之下方與此電性連接的加熱器供電連接器1322，係如圖13(b)所示，具有：下端部，貫穿加熱器電極1312之下方的介電質膜1307下部及其下方的基材1306，且從下部基材1306b之下面下方露出於收納空間1207內。加熱器供電連接器1322的下端部，係通過其絕緣用構件之內部，經由被電性連接於連接端子的連接纜線1322’，貫穿底板1203，與位於下部基材1306b下方的加熱器供電連接器單元1323電性連接。 　　[0143] 加熱器供電連接器1322，係具備有：金屬製之連接端子，與連接纜線1322’電性連接於其內部，用以構成供電路徑；及介電質製之絕緣支柱，被配置於其外周側，從基材1306使連接端子絕緣。各加熱器供電連接器1322，係從基材1306之下方***被配置於此的***孔內，且被安裝於基材1306。 　　[0144] 在該狀態下，於***孔之內部，加熱器供電連接器1322的連接端子，係與加熱器電極1312電性連接，並在加熱器供電連接器1322之絕緣支柱的內側，與從***孔之上部延伸於下方之加熱器側的連接端子接觸或一方被嵌入於另一方之內部，且上下的連接端子兩者被連接。加熱器供電連接器1322的下端部，係在絕緣體內部的供電路徑與被安裝於底板1203之加熱器供電連接器單元1323的上部與底板1203和基材1306之間的絕緣構件1305內部之空間中，經由連接纜線1322’而連接。 　　[0145] 如後述，絕緣構件1305及基材1306之中央側的間隙或空間，係與收納空間1207連通而構成其一部分的空間，且藉由在該些外周側包圍該些而配置之O形環等的密封構件，內部與外部被氣密地密封。因此，配置於上述空間之供電路徑上的連接器或纜線的連接部分，係與收納空間1207相同地，無論有無真空處理室2001之運轉，皆被設成為大氣壓或近似於視為其之程度之值的壓力。 　　[0146] 加熱器供電連接器單元1323，係具備有在被安裝於底板1203的供電路徑上連接、切斷之端子的連接器，且具備有上下2個部分。 　　[0147] 加熱器供電連接器單元上部1323a於複數個加熱器供電連接器1322的連接纜線1323’與底板1203上面與基材1306的下面之間的部位連接。加熱器供電連接器單元下部1323b，係在被連接於加熱器用之直流電源1321的供電纜線與底板1203之下面下方的收納空間連接。 　　[0148] 該些加熱器供電連接器單元上部1323a及加熱器供電連接器單元下部1323b，係被構成為可裝卸，在兩者一體連接的狀態下，連接有與各個內部所具備之纜線電性連接的連接端子，且直流電源1321與複數個加熱器供電連接器1322被電性連接。藉由該方式，從直流電源1321所輸出之直流的電力，係並列地被供給至電性連接於複數個加熱器供電連接器1322及該些各個的複數個加熱器電極1312。 　　[0149] 如此一來，內藏有ESC電極1311及加熱器電極1312的介電質膜1307，係藉由熔射法噴吹各個材料，使其層積而形成。首先，為了預先使材料容易附著，而在形成有凹凸之上部基材1306a的上面，使用將陶瓷作為材料的粒子，藉由熔射法來形成介電質膜1307之下層的被膜，並在其上形成加熱器電極1312的膜。 　　[0150] 在覆蓋該些下層的被膜及加熱器電極1312的膜上面，且將陶瓷作為材料而藉由熔射法形成介電質膜1307之中間的層後，藉由熔射法，在中間的層上形成ESC電極1311。其後，覆蓋中間之層及ESC電極1311的膜層，藉由熔射法，形成介電質膜1307之上層的膜。 　　[0151] 藉由熔射法所層積之介電質膜1307，係至少構成載置面的面被削去，而藉由熔射所形成之表面的粒子彼此之間的孔被塞住，並且形狀被調整。在晶圓300被載設於構成載置面之介電質膜1307上面並藉由靜電力吸附的狀態下，在被形成於晶圓300的背面與載置面的上面之間的間隙，雖係供給具有He等的熱傳遞性之氣體等的流體而促進晶圓300與試料台241之間的熱傳遞，但以使在構成晶圓300與載置面的介電質膜1307之間接觸的面積可獲得兩者間之所期望的熱傳遞之量的方式，進行上述表面之形狀的調節。 　　[0152] 如圖13(a)所示，在金屬製之基材1306，係***有金屬製之受電連接器1310而接觸，在電漿被形成於真空處理室2001內之晶圓300的處理中，來自第2高頻電源243之高頻電力會通過被配置於收納空間1207的纜線，經由供電連接器1309及鄰接此的受電連接器1310被供給至電極即基材1306。在藉由該高頻電力之供給，被載設且靜電吸附於試料台241之載置面而保持的狀態下，在晶圓300上方形成偏壓電位，該偏壓電位，係因應與電漿的電位之間的電位差，使電漿中的荷電粒子引誘至晶圓300上面的方向且使其衝撞表面上之處理對象的膜層，而促進蝕刻等的處理。 　　[0153] 在具有圓板或圓筒形狀之下部基材1306b的上部，係於其中心之周圍被配置成同心或螺旋狀，且配置有在半徑方向被多重形成的溝，以與上部基材1306a接合的方式，在基材1306內部形成冷媒流路1313。冷媒流路1313的入口及出口，係經由連接於第2溫度控制器244之冷媒供給或返回用之配管1314的端部與被配置於底板1203下方的連接用之連接器，在收納空間1207內側連接。 　　[0154] 使用第2溫度控制器244之冷卻器等的冷凍循環而設成為預定之範圍內之溫度的冷媒，係通過配管1314且通過入口被供給至冷媒流路1313內，在於基材1306內進行熱交換而溫度上升的冷媒通過冷媒流路1313之出口及與此連接的配管1314且返回到第2溫度控制器244後，再次使溫度調節成預定之範圍內的值後，供給至基材1306內之冷媒流路1313且在封閉之環路內循環。藉由使像這樣的冷媒循環之供給，基材1306被調節成適於處理之所期望之範圍內的值。 　　[0155] 在本實施例中，係具備有被配置於複數個氣體供給路徑1318及與此連通之介電質膜1307上面之載置面的外周側之複數個部位的開口，該複數個氣體供給路徑1318，係被配置為覆蓋具有基材1306上部之圓筒形的凸部及具有該凸部之圓形的上面，貫穿構成晶圓300之載置面的介電質膜1307。在覆蓋上部基材1306a之載置面的外周緣之介電質膜1307的該外周緣部分，係配置有環凸部1307’，該環凸部1307’，係包圍上面的中央側且被配置為環狀，在其平坦的上面吸附了被載設於介電質膜1307之載置面上方之晶圓300的狀態下，與晶圓300的背面抵接，沿著該環凸部1307’，在其中央側之凹入的載置面之表面配置有上述複數個開口。 　　[0156] 在載設有晶圓300的狀態下，從開口被供給至環凸部1307’之中央側之圓形的區域即凹部內的晶圓300與介電質膜1307的間隙，熱傳遞性之氣體，係成為上述區域之外周側的端部是否被環凸部1307’封閉，或熱傳遞性之氣體僅以微小量在試料台241外部之真空處理室2001內漏出的狀態，且充滿凹部內而晶圓300之面內的方向中之熱傳遞之量的變動(分布)被減小，並且即便在晶圓300之外周緣的附近之周方向的區域中，熱傳遞的量或晶圓300的溫度亦可更接近所期望者。 　　[0157] 絕緣構件1305，係藉由介電質製之材料所構成的構件，且被配置為夾置於藉由螺栓1308而上下方向地緊固之金屬製的基材1306與金屬製的底板1203之間，如該些之間及圖13(a)所示，被安裝於底板1203並通過此而使被***基材1306內的溫度感測器1315之間絕緣。而且，在絕緣構件1305與底板1203及基材1306之間，係夾隔著O形環等的密封構件而可變形地保持，並將連通於收納空間1207之底板1203上方的絕緣構件1305及基材1306之內側之間隙等的空間與外側的真空處理室2001內部之間氣密地密封。 　　[0158] 本實施例的絕緣構件1305，係大體上由2個構件所構成。亦即，構成為具備有：絕緣環1305’，被配置於外周側並具有環形狀，外周側壁具有圓筒形，將氧化鋁等的陶瓷作為材料而構成；及上下2片絕緣板1305a，1305b，被配置於絕緣環1305’之中央側且由此所包圍的區域，將聚四氟乙烯等之具有彈性之樹脂作為材料而構成，在該些之間，係配置有間隙。 　　[0159] 藉由螺栓1308所致之基材1306與底板1203的緊固，外周側之絕緣環1305’之上下的端部，係具有平滑之面，在該平滑之面與上下的基材1306及底板1203之外周側的面之間夾隔著O形環等密封構件。藉由該方式，絕緣環1305’之內側的空間和使用螺栓1308而連通於絕緣環1305’與將此夾隔著而上下方向地緊固之基材1306及底板1203的內側之收納空間1207之間隙的空間，係從外部氣密地密封。 　　[0160] 而且，絕緣環1305’，係將剛性相對高之氧化鋁等的陶瓷作為材料而構成，並抑制變形而緊固，兩者，係成為可視作其位置被固定的狀態。由於絕緣環1305’的變形相對小，因此，從該狀態，藉由使用了螺栓1308之基材1306及底板1203的緊固，兩者間之上下方向之距離的變動會被減小至所期望者以下，從而抑制發生溫度感測器1315或底板1203與基材1306接觸抑或電性通電而導致損及該些之間的絕緣之情形，並且減低被安裝於底板1203或基材1306之配管、纜線或感測器這樣的機器伴隨上述緊固之作業或緊固後的試料台241上中之晶圓300的處理中之溫度的增減所致之構成頭部1201之各構件的形狀、尺寸之變化而移位或受到外力而損傷或檢知、檢測之性能變動的情形。 　　[0161] 絕緣環1305’，係構成頭部1201及絕緣構件1305之外周側的部分之環狀的構件，且被夾隔著而保持於上方的基材1306與下方的底板1203之間。於其上部，在外周側的部分，係具有向上方突出而包圍中央側之環狀的凸部，在該環狀的凸部之內周(中央)側之上下方向的高度低於凸部之部分具有平坦的上面。 　　[0162] 又，在構成基材1306的下部之下部基材1306b之下部之外周側的區域，係包圍中央側之部分而環狀地配置有凹部，該凹部，係上下方向之厚度被設成為較小，且從下部基材1306下面觀看為向上方凹入。在絕緣環1307’被夾置於底板1203與基材1306而保持的狀態下，絕緣環1307’之環狀的凸部，係卡合於下部構件1306b之外周側的凹部並可進入凹部內，且凸部之平坦的上面與凸部之內周側之平坦的上面夾隔著O形環等密封構件連接或隔開一間隙與上方的基材1306對向，而平坦的下面夾隔著O形環等密封構件連接或隔開一間隙與下方的底板1203上面對向。 　　[0163] 而且，絕緣環1305’，係在環狀凸部之內周側的上面具有開口且具備有貫穿孔，該貫穿孔，係基材1306與底板1203藉由螺栓1308來將兩者緊固，且螺栓1308上下地貫穿內部，螺栓1308，係從底板1203之貫穿孔的下方被***內部，在其上面貫穿使軸方向一致而配置之絕緣環1305’的貫穿孔，且***上方之基材1306的母螺栓孔並鎖入，並夾隔著絕緣環1305’及該些之間的O形環，將基材1306與下方的底板1203連結而緊固。 　　[0164] 在本實施例中，係在絕緣環1305’上部之凸部被嵌合於下部基材1306b外周側的凹部內，且兩者夾隔著O形環抵接或表面彼此經由間隙對向而連結的狀態下，來自試料台241或頭部1201之上下方向的中心軸之絕緣環1305’之環狀之凸部的內周側壁面與下部基材1306b之凹部的外周側壁面之半徑方向的位置，係前者被設成為較大，在兩者之間，相對於半徑方向，預定長度(寬)的間隙以繞該中心的方式被形成為環狀。該環狀的間隙，係經由被連接於未圖示之氣體源之配管的連接器與底板1203之配管用的貫穿孔而氣密地連結，He等之傳熱性高的氣體被供給至內部，成為使頭部1201內部之外周側的部分環狀地流通的氣體流路1317。 　　[0165] 供給至氣體流路1317之He等的氣體，係在其內部往頭部1201之周方向擴散，並分別從彼此繞試料台241之中心軸而以相等角度所配置的複數個氣體供給路徑1318被導入至載置面的外周側部分。以相等的流量或速度，將熱傳遞性之氣體供給至晶圓300背面之外周側的複數個部分，減低經由了介電質膜1307之晶圓300與基材1306或其內部之冷媒流路1313內的冷媒之間之熱傳遞之量之周方向的偏差乃至晶圓300之溫度的偏差。 　　[0166] 配置於頭部1201之中央側之區域的上下2片絕緣板1305a，1305b，係被構成為與絕緣環1305’相比，將剛性相對小的樹脂作為材料，在本實施例中，係分別配置有複數個貫穿孔，該貫穿孔，係在內側配置有從底板1203之圖上下方將此貫穿且被***基材1306內部的複數個溫度感測器1315。而且，在絕緣板1305a，1305b的中央部，係配置有貫穿孔，該貫穿孔，係在內側配置有貫穿底板1203且被***基材1306的受電連接器1310。 　　[0167] 受電連接器1310及各溫度感測器1315，係從基材1306的圖上下方朝圖上上方***，該些下端部，係在基材1306夾隔著絕緣構件1305而被緊固於底板1203的狀態下，被安裝於底板1203且其位置被加以固定。 　　[0168] 上下被積層重疊而配置之樹脂製的絕緣板1305a，1305b，係按照貫穿該些的溫度感測器1315、受電連接器1310而配置有貫穿孔。在本實施例中，在溫度感測器1315、受電連接器1310被安裝於底板1203的狀態下，在絕緣板1305a，1305b之貫穿孔的內周壁面與溫度感測器1315之外周側壁面及受電連接器1310的外周側壁面之間，係配置有預定間隙。 　　[0169] 本例的溫度感測器1315，係分別具備有：感測器本體即熱電偶，在上部具有棒狀之形狀，且被配置於沿著其軸之中心側的區域，並延伸於軸方向；金屬製之護套，在軸方向具有預定高度，且包圍熱電偶的外周而配置；及連接器部，與護套或熱電偶連結或結合，且被安裝於底板1203下面，連接器部，係與熱電偶絕緣，另一方面，通過內部與熱電偶電性連接，並連接有來自熱電偶之信號通過內部而發送的纜線。來自各溫度感測器1315之連接器部的複數個纜線，係被連結於底板1203之下面且被連接於所配置的1個感測器纜線連接器單元1316，並從該1個感測器纜線連接器單元1316作為一個整體形成的纜線且可通信地連接於容器控制器1209。 　　[0170] 各溫度感測器1315，係通過底板1203之複數個部位及被配置於其上方對應之位置的絕緣板1305a，b，更通過被配置於下部基材1306b之各個複數個部位的貫穿孔，從底板1203的下方被***貫穿孔，且熱電偶及護套的前端部被***配置在上部基材1306a之與上述貫穿孔對應的位置之圓筒形的凹部內。在連接器部被安裝於底板1203的狀態下，各溫度感測器1315的熱電偶，係不會與上部基材1306a的凹部內壁面接觸。 　　[0171] 另外，***有各溫度感測器的上述貫穿孔及被配置於與此對應的位置之上部基材1306a的凹部，係相對於具有圓筒或圓板形狀之試料台241或基材1306的上面，被配置於半徑方向及周方向的不同部位。在該狀態下，溫度感測器1315之熱電偶檢知到溫度的信號會被發送至容器控制器1209，且配置於容器控制器1209內部之演算器便沿著被記憶於構成內部之記憶裝置之軟體的演算法，檢測各溫度感測器1315的部位中之溫度的值及該些分布。 　　[0172] 各溫度感測器1315之金屬製的護套，係於該溫度感測器1315之連接器部被安裝於底板1203的狀態下，在其下端部或連接器部的連接部，與底板1203接觸而電性連接。又，各溫度感測器1315的護套，係在熱電偶的外周側具備有隔著距離將此包圍而配置的圓筒形狀，並與熱電偶絕緣。 　　[0173] 在各溫度感測器1315從底板1203下方被***並安裝於試料台241的狀態下，各溫度感測器1315的護套，係與基材1306隔著距離而配置。亦即，護套，係與基材1306電性絕緣，且與底板1203電性連接。 　　[0174] 底板1203，係經由下方的試料台底座242及下部容器250，與被設成為接地電位的底板260電性連接而成為接地電位。因此，各溫度感測器1315的護套亦成為接地電位，藉此，可抑制從第2高頻電源243被供給至基材1306之高頻電力的成分與從溫度感測器1315所輸出之信號重疊而成為雜訊的情形，並抑制損及容器控制器1209中之試料台241內部或其上面之溫度的值抑或其半徑方向抑或周方向之分布之檢測的精度之情形。 　　[0175] 在本實施例中，如上述，從第2高頻電源所輸出的高頻電力，係通過供電用之纜線，經由被連接於其一端並配置於底板1203下方之收納空間1207的中央部之供電連接器1309和與此連接的受電連接器1210，被供給至該受電連接器1210***中心部而連接的基材1306。基材1306與底板1203之間的絕緣板1305a，b之中心部，亦配置有貫穿孔，該貫穿孔，係在內部***有該些供電連接器1309及受電連接器1310。 　　[0176] 在露出於被安裝在底板1203下面之供電連接器1309之收納空間1207的端部，係連接有其一端與第2高頻電源244連接的供電纜線。藉由與容器控制器1209可通信地連接之第2高頻電源244，因應來自該容器控制器1209的指令信號，調節輸出之高頻電力的大小或量，並藉由通過受電連接器1310而供給的高頻電力，調節被形成於頭部1201上方之偏壓電位的大小與其分布。 　　[0177] 在本實施例中，受電連接器1310，係具有L字或倒T字形狀的構件。受電連接器1310，係具備有：金屬等的導電體製之上方構件(上部)；及下方構件(下部)，具有以其上端與該上部電性連接而以其下部之端部與供電連接器1309連接的連接端子，且具有L或倒T字的形狀。 　　[0178] 受電連接器1310，係被***配置在底板1203及絕緣板1305a或絕緣板1305b的中央部之貫穿孔的內部，在上部與下部被連接的狀態下，其下部，係被***該貫穿孔內部，且被安裝於底板1203下面。 　　[0179] 受電連接器1310的上部，係金屬製之棒狀構件，被***下部基材1306b之中央部的貫穿孔而貫穿，並被***配置在該上方且上部基材1306a之中央部的凹部即嵌合孔內而與上部基材1306a電性連接。又，上部的下端部，係在被連接於受電連接器1310下部的狀態下，被嵌入於配置在下部之金屬製之連接端子的凹部內。 　　[0180] 受電連接器1210的下部，係具有L字或倒T字之形狀的構件。而且，在由介電質或絕緣體材料所構成之構件的內部，具有：被連接於金屬製之上部之下端部的端子；及在與供電連接器1209連接的端子和該些端子彼此之間，被連接於L或倒T字之下部之端部的供電用之路徑。 　　[0181] 在該下部的上端部，係配置了具有嵌合孔的端子，該嵌合孔，係在受電連接器1210之上部與下部一體連接的狀態下，嵌入而連接有構成上部之金屬製之棒狀的構件之下端部。而且，具有受電連接器1210之L字或倒T字狀之形狀的下部，係在上部與下部連接的狀態下，露出於底板1203下面下方的收納空間1207，且在其一端之連接端子連接有被配置於收納空間1207內的供電連接器1209。 　　[0182] 供電連接器1209，係具備有連接端子之高頻供電用的連接器，該連接端子，係被配置於藉由介電質或絕緣體的材料所構成之本體的中心部，與流通有來自第2高頻電源244之高頻電力的供電纜線電性連接。在其一端，係露出有連接端子，另一端部，係與供電纜線連接，或在內部引出並延伸有被電性連接於連接端子的供電纜線。 　　[0183] 經由供電纜線而連接於第2高頻電源244的供電連接器1209，係被構成為可在受電連接器1210與收納空間1207內進行裝卸作業。該些裝卸，係對於受電連接器1210被安裝於頭部1201或底板1203之其L字或倒T字的下方部分且露出於底板1203下面下方之收納空間1207內之部分的端部而進行。 　　[0184] 在本實施例中，受電連接器1310的下部，係在此露出於底板1203下面下方且被安裝於此的狀態下，安裝有引出電性連接與第2高頻電源244之間的供電纜線之供電連接器1309的上端部。而且，在底板1203與上方的絕緣構件1305及基材1306一體安裝的狀態下，供電連接器1309與受電連接器1310被構成為可進行裝卸作業，頭部1201，係被構成為可對試料台底座242一體地裝卸。 　　[0185] 又，在受電連接器1310之棒狀的上部與下部被連接之部位的外周側具備有絕緣支柱，該絕緣支柱，係將此包圍且具有由具有陶瓷等的絕緣性之材料或介電質所構成之圓筒形狀抑或環形狀。絕緣支柱，係在受電連接器1310被安裝於頭部1201的狀態下，在絕緣板1305a、b及底板1203的中央部，相對於半徑方向，在絕緣板1305a或1305b及底板1203與受電連接器1310之上部下部被連接的部位之間，與該些隔開一間隙，相對於上下方向，在下部基材1306b下面及底板1203上面之間，隔開一間隙而配置的構件，從該些使受電連接器1310的供電路徑絕緣。 　　[0186] 在像這樣的本實施例之頭部1201中，係首先，受電連接器1310的上部被安裝於基材1306，兩者被連接。其後，絕緣環1305’及其中央側之絕緣板1305a，b被配置於基材1306下面的圖上下方，並且在中央部，受電連接器1310上部被***其內側的貫穿孔，且配置有絕緣支柱。 　　[0187] 其後，其間夾隔著絕緣構件1305及絕緣支柱，使用螺栓1308緊固底板1203與基材1306。由陶瓷材料所構成的絕緣支柱亦不僅在受電連接器1310與底板1203之間，其上下端面，係被配置為經由預定之微小間隙而與基材1306中央部的下面及底板1203中央部的上面對向，並與絕緣構件1305相同地，作為使基材1306及底板1203間絕緣的構件而發揮功能，並且作為抑制兩者間之上下方向之空間的距離(高度)成為所期望之值以下的構件而發揮功能。 　　[0188] 如圖13(b)所示，在頭部1201內，係配置有：複數個加熱器供電連接器1322，與介電質膜1307內部之複數個加熱器電極1312的各個之下面電性連接。該些加熱器供電連接器1322的各個之下端部，係朝加熱器電極1312之構成供電路徑的連接纜線1323從內部的連接端子被引出，與位於底板1203上面上方之加熱器供電連接器單元1324的加熱器供電連接器單元上部1324a連接，且形成為經由加熱器供電連接器單元1324接收來自加熱器用之直流電源1321之直流電力的構成。 　　[0189] 加熱器供電連接器單元1324，係具備有：加熱器供電連接器單元上部1324a，被安裝於底板1203且露出於底板1203上面上方；及加熱器供電連接器單元下部1324b，自下方可裝卸地被安裝於該加熱器供電連接器單元上部1324a下面，並與內部的供電路徑電性連接且與加熱器用之直流電源1321電性連接。 　　[0190] 在絕緣板1305a、b，係分別具備有按照加熱器供電連接器1322的各個之基材1306內之位置而配置的貫穿孔，在絕緣板1305被夾置於基材1306與底板1203之間且頭部1201一體構成的狀態下，加熱器供電連接器1322的下端部，係在其周圍隔開一間隙，被收納於該各個的貫穿孔內部。絕緣板1305a、b，係在被夾置於基材1306與底板1203之間而構成頭部1201的狀態下，在該些之間形成有間隙，並在該間隙內配置有電性連接各加熱器供電連接器1322與加熱器供電連接器單元1324之間的複數條連接纜線1323。 　　[0191] 本實施例的加熱器供電連接器1322，係分別具備有由介電質或絕緣體材料所構成之具有圓筒形的支柱與被配置於其內部的連接端子。連接端子，係在加熱器供電連接器1322被***且安裝於基材1306的狀態下，其上端部以加熱器電極1312側的連接端子進行連接且與此電性連接，下端部與連接纜線1323電性連接。 　　[0192] 加熱器供電連接器1322，係分別被***由下部基材1306b的貫穿孔與配置在上部基材1306a之圓筒形的孔所構成之***孔內，且被配置於該***孔內部的上端部(底部)而與上方的加熱器電極1322電性連接，在延伸於下方之加熱器側的連接端子與支柱的內側，於與包圍外周之基材1306絕緣的狀態下，被嵌合而接觸。如此一來，在與收納空間1207內部連通且設成為大氣壓的***孔內部中，加熱器電極1312與加熱器用的直流電源1321之間會被電性連接。 　　[0193] 各個供電纜線1323，係在絕緣板1305a、b間的間隙，連接各個加熱器供電連接器1322的下端部與位於底板1203上面上方的加熱器供電連接器單元1324上部1324a。加熱器供電連接器單元下部1324b與直流電源1321之間，係以1條或一個整體形成的供電纜線而連接，來自加熱器用之直流電源1321的直流電力，係通過從加熱器供電連接器單元上部1324a所分歧之連接纜線1323的各個及與此連接的各個加熱器供電連接器1322，並列地被供給至複數個加熱器電極1312。 　　[0194] 在本實施例中，由樹脂材料所構成之絕緣板1305a，b，係在與被配置於周圍的構件之間隔開一間隙而配置，即便在發生因應晶圓300之處理中的溫度而產生之基材1306之變形的情況下，亦可抑制供電纜線1323的端部與加熱器供電連接器1322抑或加熱器供電連接器單元1324之間的連接部分損傷或切斷之情形。 　　[0195] 本實施例的外周環1202，係被配置於試料台241之外周側並覆蓋其周圍之環狀的構件，大體上被構成具備有基座環1325、覆蓋環1326、限制環1327。該些構件，係對於試料台241不具有相互緊固的手段而是僅被載設於試料台241的外周側。 　　[0196] 在外周環1202被載設於試料台241的狀態下，基座環1325，係被配置於上部基材1306a上部外周側，覆蓋環1326，係被配置於基座環1325下方且底板1203上方且頭部1201之外周側面的周圍，限制環1327，係被配置於底板1203上方且覆蓋環1326外周側。又，在該些構件彼此之對向的表面之間，係配置有預定大小的間隙。 　　[0197] 在本實施例中，外周環1203，係在對試料台241或頭部1201裝設了覆蓋環1326後，將基座環1326及限制環1327依序裝設於試料台241。以下，雖係以在覆蓋環1326的裝設後，裝設限制環1327和基座環1325的順序進行說明，但亦可因應試料台的形狀或規格而先裝設基座環1325。 　　[0198] 首先，覆蓋環1326，係由氧化鋁或氧化釔等的陶瓷材料所構成之具有環狀或圓筒形狀的構件。其內周壁面隔開一預定間隙，從上方被嵌入「夾隔著絕緣構件1305而緊固底板1203與基材1306所構成的頭部1201之具有該圓筒形之外側壁形狀的絕緣構件1305之絕緣環1305’之圓筒形之外周側壁的外周側」，且被載設於底板1203之外周緣部上面的上方。 　　[0199] 在本實施例中，覆蓋環1326之內周壁面的大小(高度)，雖係與絕緣環1305’的外周側壁相同，但不限於該構成，可覆蓋絕緣環1305’的外周側壁而配置。又，覆蓋環1326之平坦的下端面，係在被載設於底板1203上面上方的狀態下，將此覆蓋而被載設於從絕緣環1305’的外周端至底板1203上面的外周端之間的上面。 　　[0200] 限制環1327，係在金屬製之基體的表面具備有由氧化鋁或氧化釔等的陶瓷材料所構成之被膜之環狀的構件，且縱方向的剖面，係具備有具有圓筒形的內周側部分與從內周側部分之上端部延伸於外周方向之環板狀的凸緣部。於該觀點，限制環1327，係具備有倒L字狀之剖面的構件。 　　[0201] 限制環1327之內周側部分的圓筒形之內周側壁的直徑，係被設成為僅稍大於覆蓋環1326之外周側壁的直徑，在覆蓋環1326被裝設於試料台241的狀態下，從上方隔開一間隙被嵌入覆蓋環1326的外周側，且被載設於覆蓋環1326之外周側的底板1203外周緣部上面上方。在該狀態下，覆蓋環1326或限制環1327，係從絕緣環1305’之外周側之底板1203外周緣部的上方被***，且將緊固底板1203與T凸緣1205之複數根螺栓的上方相對於真空處理室2001覆蓋。 　　[0202] 限制環1327之圓筒形之內周側部分的底面，係金屬製的基材露出。在限制環1327被載設於覆蓋環1326之外周側且底板1203的外周緣部上面而兩者抵接的狀態下，該露出之底面與底板1203之露出的金屬製之構件便抵接而電性連接。 　　[0203] 因此，限制環1327，係經由底板1203及T凸緣1205而與下部容器250電性連接，與該些相同地，在晶圓300的處理中，被設成為接地電位。設成為像這樣的電位之限制環1327的凸緣部，係在真空處理室2001內，包圍試料台241的該周圍而被配置於試料台241的外周側且與真空處理室2001的內周壁面之間的空間。 　　[0204] 在限制環1327之具備有環圓板狀之形狀的凸緣部，係配置有複數個在上下方向貫穿上下面的貫穿孔。真空處理室2001之該試料台241之外周側的空間，係形成為如下述之可謂通路：在試料台241之上方之空間所形成的電漿或被供給至真空處理室2001內的氣體抑或晶圓300的處理中所形成之反應生成物等的粒子通過於下方而流動且往試料台241下方移動並排出。 　　[0205] 限制環1327，係其凸緣部在該通路內橫切上述流動的方向而配置，藉此，通過貫穿孔，使氣體的粒子或電漿中之中性的粒子移動，抑制電漿內的荷電粒子往下方移動的情形。亦即，可抑制電漿到達限制環1327之下方的試料台241抑或試料台242之外周側壁面或真空處理室2001之內壁面的表面而生成與構成該些之構件的材料進行相互作用，或附著於其表面的情形。 　　[0206] 而且，包圍試料台241或載置面上之晶圓300的外周，將被設成為接地電位的可謂電極配置於試料台241之外周側的通路且在頭部1201或基材1306上面之晶圓300的載置面上靠近高度方向的部位。限制環1327，係以穩定地維持與底板1203之間的電性連接，並且藉由電極覆蓋用以將頭部1201緊固於T凸緣1205上之螺栓之上面的方式，抑制該螺栓與電漿抑或其荷電粒子或具備有反應性之粒子接觸而發生相互作用的情形，並在晶圓300的處理中，抑制電漿之異常放電的發生而穩定處理，再者，抑制此所致之真空處理室2001內之構件的消耗，從而提升晶圓300之處理的再現性。 　　[0207] 在本實施例中，係在限制環1327被裝設於覆蓋環1326的外周側後，基座環1325包圍頭部1201之上部外周而被載設於覆蓋環1326的上方。基座環1325，係由氧化鋁或氧化釔等的陶瓷材料所構成之環狀的構件。 　　[0208] 基座環1325，係包圍晶圓300之載置面的外周而被配置於上部基材1306之上部外周側的部分，並被***其表面之高度減少(具有階差)的凹部，且包圍由介電質膜1307所構成之圓形之晶圓300的載置面或被載設於此的晶圓300，將凹部之上面或凸狀部分之外周側壁面相對於真空處理室2001內的電漿覆蓋，該介電質膜1307，係被上部基材1306a之凹部所包圍之圓筒形之凸狀部的上面。 　　[0209] 本實施例的基座環1325，係在被裝設於基材1306上部之凹部的狀態下，自其內周緣的基材1306或晶圓300之載置面的中心起至半徑方向的位置，係被設成為僅稍大於被凹部所包圍之凸狀部分或載置面之外周緣之半徑方向的位置，在該些之間，係配置有間隙。又，在晶圓300被載設於載置面的狀態下，晶圓300之外周緣之上述半徑方向的位置，係從基座環1326之內周緣往外周側增大，該結果，晶圓300，係在被載設於載置面而保持的狀態下，外周緣外伸地位於比凸狀部分及位於其外周側之基座環1326的內周緣更往半徑方向的外側。 　　[0210] 而且，本實施例之基座環1326之上面的高度，係被設成為比上部基材1306a之載置面的高度，抑或被配置於介電質膜1307之載置面或凸狀部分之外周端部並包圍中央部分的介電質膜1307所致之環凸部1307’之平坦的上面之高度小。晶圓300，係以其外伸之外周緣部的背面覆蓋其下方之基座環1325之內周緣部上面的方式，被配置於載置面上。 　　[0211] 而且，雖未圖示，但基座環1325之內周緣部之外周側的上面，係高度比內周緣部高，因此，晶圓300被配置於在基座環1326之該凸起的環狀之部分的中央側凹入(高度變低)的上面形狀為圓形之區域內。藉此，在晶圓300被載設於試料台241或載置面上之際，可指示自行定位於中央側。 　　[0212] 又，在本實施例的基座環1325中，其上下方向的厚度，係外周側之部分被設成為比內周側大。該基座環1325之內周側的部分，係在被嵌入於凹部的狀態下，被載設於凹部的上面(底面)，外周側之厚度之較大的部分，係包圍上部基材1306a之外周側壁面的外周而將此覆蓋。 　　而且，該厚度較大的外周側之部分之平坦的下面，係被配置為隔開一間隙，與覆蓋環1326的上端面對向。像這樣的間隙之大小或基座環1325之上下方向的高度位置，係可取決於與上部基材1306a之凹部的底面抵接之內周側部分的厚度。 　　[0213] 藉由基座環1326之下端面及覆蓋環1326與限制環1327之間的間隙，使真空處理室2001之內部的電漿或荷電粒子與底板1203及緊固T凸緣的螺栓之間的距離沿面形成，藉此，可抑制發生該螺栓與電漿或荷電粒子之相互作用的情形。 　　[0214] 以下，使用圖14，說明本實施例之試料台241被分解之動作的流程。圖14，係示意地表示圖12及圖13所示之實施例的試料台被分解成複數個零件之狀態的縱剖面圖。 　　[0215] 於本圖，在圖14(a)中，係表示在試料台241之頭部1201被安裝於試料台底座242的狀態下，外周環1202從試料台241朝上方拆卸的狀態。在圖14(b)中，係表示從圖14(a)所示的狀態，頭部1201進一步朝試料台底座242上方拆卸的狀態。 　　[0216] 圖14所示之試料台241的分解，係當藉由容器控制器1209檢測到真空處理室2001中之晶圓300之處理的片數或在內部形成了電漿之時間的累積值到達預先設定的值時，則該真空處理室2001，係停止處理其晶圓300的運轉而變更成用以保養、檢查的運轉。在該保養、檢查的運轉中，係進行如下述之作業：將真空處理室2001內部設成為大氣壓並開放，作業者拆卸真空處理室2001內部的構件而進行交換或洗清、洗淨，進而再次進行安裝。 　　[0217] 在進行像這樣的作業之前，容器控制器1209，係當確認處理完畢之晶圓300已從真空處理室2001被取出後，通知使用者或作業者以保養檢查的運轉模式進行運轉。其後，在關閉閘門且將真空處理室2001內密封後，將氮或氬等的稀有氣體導入真空處理室2001內，且使真空處理室2001內的壓力上升至大氣壓或視為與此相等之程度。 　　[0218] 而且，利用旋轉升降器210等，拆卸包含有真空處理室2001之上部容器230之上側的部分而從試料台區塊的上方移除。而且，在僅使試料台241與試料台底座242上升後，使其繞旋轉升降器210之上下方向的軸旋轉，且從下部容器250拆卸且從其上方移動至底板260之周圍之維護用的空間。 　　[0219] 在該狀態下，試料台241及試料台底座242，係移動至在其上方及下方中零件或構件不會成為作業之妨礙的位置，在作業者對該些施予作業後，確保所需的空間而抑制損及其作業之效率的情形。 　　[0220] 在本實施例中，作業者，係首先可從試料台241拆卸外周環1202。在圖14(a)中，雖係示意地表示將在被安裝於試料台底座242之試料台241的上方構成外周環1202的基座環1325、覆蓋環1326、限制環1327統一拆卸，但該些為逐一被拆卸。 　　[0221] 在該拆卸之際，係依與被安裝於試料台241之際的順序相反之順序，拆卸該些構件。亦即，與使用圖13進行說明的情況相反地，以基座環1325、限制環1327、覆蓋環1326的順序，將該些分別往試料台241的上方拆卸。 　　又，在本實施例中，係構成外周環1202的該些構件彼此及其他構件亦未被緊固。因此，作業者，係只要在拆卸之際，將該些構件從試料台241朝上方拆卸即可，從而降低作業量並降低保養或檢查之作業所需的時間。 　　當外周環1202之覆蓋環1326從試料台214被拆卸時，則露出於緊固底板1203的外周緣部與T凸緣1205之螺栓1401的上面作業者之側。在該狀態下，作業者，係可輕易地進行解除該些之緊固而將試料台241之頭部1201朝試料台底座242的上方拆卸。 　　[0222] 在從其外周側的部位拆卸了外周環1202的狀態下，試料台241，係其頭部1201從試料台底座242朝上方一體地拆卸。此時，在底板1203之外周側拆卸將此緊固於T凸緣1205上端部的複數根螺栓1401，並在解除被安裝於底板1203下面的感測器、配管或供電纜線之連接器的安裝後，頭部1201與被安裝於底板1203之感測器或纜線、連接器等一起往上方拆卸。 　　[0223] 亦即，在本實施例中，係以繞試料台241之中心軸呈等角度或近似於此之角度的間隔，從底板1203的上面外周側部分拆卸被配置於周方向的螺栓1401。 　　在此之前，構成試料台底座242之底面的試料台部蓋245朝下方拆卸，而使收納空間1207朝下方開放。藉此，由於作業者，係可從試料台底座242之下方進行解除被安裝於底板1203下面的供電纜線或感測器或配管之連接器之安裝的作業，因此，可使作業效率提升。 　　[0224] 作業者，係從向下方開放的試料台底座242下方取存於收納空間1207內部，且解除在供電連接器1209與受電連接器1210之間、在感測器纜線連接器單元1316的上部與下部之間，進一步在ESC電極連接器單元1320的上部與下部之間、且進一步在加熱器供電連接器單元上部1324a與加熱器供電連接器單元下部1324b之間的連接。相同地，雖未圖示，但作業者，係解除循環供給有被供給至冷媒流路1313之冷媒的配管1314與底板1203或頭部1201之間的連接。 　　[0225] 作業者，係在複數個溫度感測器1315或加熱器供電連接器1322被配置於其基材1306或絕緣構件1305內部的狀態下，可將拆卸了被安裝於底板1203之下面的纜線、配管等的連接器之連接的頭部1201朝試料台底座242上方拆卸。在該取出之際，複數個溫度感測器1315，係各個的下部亦被安裝於底板1203的下面且位置被固定，流通有輸出之信號的複數個纜線，係在底板1203下方的收納空間1207內，與被安裝於底板1203之感測器纜線連接器單元1316的上部連接，另一方面，複數個整合成一個的纜線連接與容器控制器1209之間之感測器纜線連接器單元1316的下部，係在收納空間1207內，藉由作業者自上部切離。 　　[0226] 相同地，複數個加熱器供電連接器1322的下部，係從下部基材1306b下面延伸於下方，在底板1203上方且被連通於絕緣環1305’內側之收納空間1207之頭部1201內的空間中，經由通過絕緣板1305a，1305b之間而配置的供電纜線1323，被連接於加熱器供電連接器單元上部1324a。另一方面，與直流電源1321電性連接的加熱器供電連接器單元下部1324b，係在底板1203下方，自加熱器供電連接器單元上部1324a切離。 　　[0227] 針對其他連接器亦相同地，在構成底面之試料台部蓋245被開放之收納空間1207的內部，藉由由作業者從下方所施予的作業，將與頭部1201的連接或與底板1203的連結切離。 　　[0228] 如此一來，在本實施例中，係在被容器控制器1209檢測到真空處理室2001中之晶圓300之處理的片數或形成了電漿之時間的累積值到達用以進行零件之交換或檢查等維護的預定值而開始之真空處理室2001之維護用的運轉中，附著物沈積於構成此之構件的表面或表面之構件損耗的頭部1201，係作為一個整體形成之構件(單元)而一體拆卸，並與預先準備且表面洗淨或作為單元之由新製造之構件所構成的頭部1201交換，使新頭部1201藉由複數根螺栓1401被緊固並連接於覆蓋表面之介電質製的蓋體受到洗淨者或與新品交換後之試料台底座242的T凸緣1205上端。 　　[0229] 在從包含有該底板1203之試料台241上部的上方拆卸之際，被配置於底板1203下面並具有從該下面向下方突出之圓筒形或圓錐梯形狀，且在中央部配置有上述各銷1303貫穿而被收納於內側之貫穿孔1303之凸部1203’的下端面，係與被配置於夾隔著O形環等的密封構件之樑部1301之各樑的銷1303用之貫穿孔之外周的上面抵接或對向，及各樑的銷用之貫穿孔及頭部1201內之貫穿孔1303之內側的空間與外側的收納空間1207之間的密封被解除，包含有銷1303用之貫穿孔周圍之部分的樑部1301上面，係曝露於大氣。 　　[0230] 如上述，本實施例之其間夾隔著絕緣構件1305且緊固試料台241之底板1203與基材1306而構成的頭部1201，係被構成為在安裝有溫度感測器1315、加熱器供電連接器1322及以纜線將該些各個之間連接的感測器纜線連接器單元1316、加熱器供電連接器單元1324之上部的狀態下，可包含底板1203而將試料台241上部一體地從試料台底座242拆卸。以作為一體之單元進行交換的方式，降低維護運轉之際之零件的交換或安裝後之調節等作業的量，並抑制真空處理室2001未進行晶圓300的處理用之運轉的所謂停機時間變長而導致該真空處理室2001之運轉的效率下降之情形。 　　[0231] 在本實施例中，係藉由夾隔著在底板1203、絕緣構件1305、基材1306之外周側的部分彼此間之O形環等的密封構件而氣密地密封，配置有上述溫度感測器1315或加熱器供電連接器1322之頭部1201之內側的空間，係與收納空間1207連通，且在晶圓300的處理中，亦被設成為大氣壓或近似於視為其之程度之值的壓力。於該觀點，頭部1201內部的空間，係形成為可謂收納空間1207的一部分。 　　[0232] 該收納空間1207，係在頭部1201被安裝於試料台底座242上方且被配置於真空處理室2001內的狀態下，與真空處理室2001內的空間氣密地區隔。因此，即便晶圓300在真空處理室2001受處理的片數或形成有電漿之時間的累積增大，溫度感測器1315的溫度檢知部分或連接器的連接端子彼此之接觸部分之周圍的空間，係不僅壓力，氣體或具有反應性的粒子亦不會進入，且條件伴隨時間經過之變動被抑制得較小。 　　[0233] 如此一來，以在減小了條件之變動的環境配置有溫度感測器1315或加熱器供電連接器1322之連接用端子的方式，抑制伴隨晶圓300的處理片數或形成有電漿之時間的累積增大而使檢知之輸出或所檢測到之結果發生變化的情形。而且，基於用以實現使用像這樣的檢知或檢測之結果所算出而發送之所期望之條件的指令信號，降低被供給至頭部1201內之電極的電力或冷媒等的大小之調節的精度下降之情形。藉由該方式，真空處理室2001中之晶圓300之處理的良率或再現性被提升。 　　[0234] 又，像這樣的被配置於作為一個整體形成之構件即單元之頭部1201內部之溫度感測器1315等的檢知器，係在與檢測對象之距離或配置之相對位置發生變化的情況下，通常必需進行如下述的校正作業：以足以運轉的精度，將作為每次發生其情況而檢知到之結果之輸出的信號與自此所檢測之溫度的相關關係調節成與實際之值(或充分地近似者而視為其之值)一致者。另一方面，在本實施例中，於僅另外組裝預先準備的頭部1201之際所安裝之溫度感測器1315的校正，係於維護運轉之際，在被安裝於真空處理室2001的試料台底座242之前而實施。 　　[0235] 亦即，在為了交換而準備之頭部1201安裝有複數個溫度感測器1315，以狀態之頭部1201單體或被載設於容易校正的試料台底座242，且包含氛圍之條件被設成為與晶圓300的處理中相等或近似於視為其之程度者而進行溫度感測器1315的校正。安裝有實施了像這樣的校正之複數個溫度感測器1315而構成的構件，係其表面被洗淨，或新品即頭部1201與用於晶圓300之處理的頭部1201交換，且由於被安裝於試料台底座242後之收納空間1207內的溫度或壓力抑或與內部之粒子的相互作用之量等的環境之條件和實施了校正之條件的差，係經時變化小，因此，可抑制使用了溫度感測器1315之檢測之精度的變化。 　　[0236] 由此可知，在安裝前，於大氣壓下事先實施校正，藉此，降低在將頭部1201安裝於試料台242上方後重新進行溫度感測器1315之校正的必要性，並以節省此的方式，縮短在保養或檢查的作業後，用以直至再開始真空處理室2001中之晶圓300的處理用之運轉為止之準備之運轉所需的時間。而且，抑制在真空處理室2001所實施之晶圓300的處理之再現性的經時變化，處理之良率或效率便提升。 　　[0237] 使用圖15，說明本實施例所具備之T凸緣1205的構成。圖15，係示意地表示圖12~圖14所示之實施例之真空處理室之T凸緣之構成之概略的俯視圖。 　　[0238] 本實施例之T凸緣1205，係具備有：外周側之圓筒部1501，構成試料台底座242的上部外周側壁；及樑部1301，被配置於其圓筒形的內周壁面內側，將內周壁面彼此之間連接而一體構成。而且，本實施例之樑部1301，係具有從上方觀看之平面圖形為T字或Y字形狀，且具有從圓筒部1501之中央部延伸於半徑方向的3根板狀之樑，並在各個樑配置有銷1302被***內側的銷用之貫穿孔1502。 　　[0239] 而且，在樑部1301中央部的下面，係連結有銷驅動部1208。銷驅動部1208之上端部，係被安裝而定位於樑部1301的下面，在下端部具備有長度以流體或馬達等的電動而伸縮之圓筒狀的致動器。在該致動器下端，係連接有與樑部1301相同之T字或Y字狀的板構件即臂件1208’，且被收納於收納空間1207內部而與不與周圍之壁面接觸，在上下移動之臂件1208’的3個前端部，係分別配置有：具備風箱形狀之部分的金屬製之波紋管1304，從3根銷1302之下端部及銷1302下端部周圍的臂件1208’上面被連接至位於其上方之樑部1301之樑的下面，伴隨臂件1208’的上下移動所致之臂件1208’上面與樑部1301的下面之間的距離之增減而伸縮。 　　[0240] 再者，在包圍貫穿孔1502之外周側的樑部1301上面，係底板1203之凸部1203’之環狀的下面經由O形環等的密封構件而抵接，或使其端面彼此經由間隙而對向的部位。波紋管1304之上下端的面與樑部1301下面及臂件1208’上面之間，及凸部1203’下端面與樑部1301上面，係與被夾置於之間的O形環抵接而收納有銷1302，且包含有波紋管1304之內側的貫穿孔1502內部的空間與外周部分的收納空間1207之間被氣密地密封。 　　[0241] 而且，波紋管1304之周圍的空間，係在上方，經由收納有該銷1302之基材1306的貫穿孔1303，與真空處理室2001連通。亦即，上述樑部1301的上下面與波紋管1304及臂件1208’上面之間，係收納空間1207與真空處理室2001內部之間被氣密地密封的部位。 　　[0242] 圓筒部1501的上下端面與其上方之底板1203的外周緣部下面之間及與底座圓柱之中央圓筒的上端面之間，係亦夾隔著有O形環等的密封構件，且該些構件之內側的空間即收納空間1207與外側的空間即真空處理室2001內部被氣密地密封。 　　[0243] 本實施例之T凸緣1205的樑部1301，係使3根連接圓筒部1501之內周壁面之對向的部位彼此之板狀的樑連接在圓筒部1501的中央部，且從上方觀看具有T或Y字狀的形狀。樑部1301，係與圓筒部一體形成或連接的構件，且即便在對樑部1301施加外力的情況下，亦可抑制樑部1301之上下面之位置的變動。 　　[0244] 銷驅動部1208，係其上端面被連接於樑部1301的中央部下面且被安裝於此。在銷驅動部1208的下端部，係前端位置在上下方向移動且其長度增減，並具備有筒狀的致動器，該致動器之上端部被收納於銷驅動部1208本體內，下端部被連接於具有與樑部1301相同之T字或Y字之平面圖形的臂件1208’。 　　[0245] 本例之臂件1208’，係與樑部1301相同地，具備有從中央部延伸於外周側之3根板狀的樑，且在其前端部上面安裝有銷1302。臂件1208’之樑的長度，係被設置成比上方之樑部1301之樑的長度短，並被配置為即便在伴隨銷驅動部1208的致動器之上下方向的伸縮動作之上下之高度的移動中，其前端部亦不與收納空間1208內部的構件接觸。 　　[0246] 又，伴隨臂件1208’之上下的移動，銷1302亦在貫穿孔1303及1502內上下地移動，且使載置於其前端上而支撐的晶圓300上下移動。 　　[0247] 藉由上述的構成，抑制伴隨銷驅動部1208的驅動而使被連接於樑部1301之下面之銷驅動部1208的安裝位置變動，或夾隔著被連接於其上面之O形環而連接之底板1203的凸部1203’之環狀的下端面與上面之間的密封受到破壞之情形，真空處理室2001所致之晶圓300的處理之可靠性被提升。 　　[0248] 根據以上之實施例，抑制真空處理室2001未進行晶圓300的處理用之運轉的所謂停機時間變長而導致該真空處理室2001之運轉的效率下降之情形。 　　[0249] 又，以在減小了條件之變動的環境配置有溫度感測器1315或加熱器供電連接器1322之連接用端子的方式，抑制伴隨晶圓300的處理片數或形成有電漿之時間的累積增大而使檢知之輸出或所檢測到之結果發生變化的情形。而且，基於用以實現使用像這樣的檢知或檢測之結果所算出而發送之所期望之條件的指令信號，降低被供給至頭部1201內之電極的電力或冷媒等的大小之調節的精度下降之情形。 　　[0250] 藉由該方式，真空處理室2001中之晶圓300之處理的良率或再現性被提升。而且，縮短在保養或檢查的作業後，用以直至再開始真空處理室2001中之晶圓300的處理用之運轉為止之準備之運轉所需的時間。而且，抑制在真空處理室2001所實施之晶圓300的處理之再現性的經時變化，處理之良率或效率便提升。 　　[0251] 另外，在本實施例中，雖係使用了ECR類型的真空處理裝置來作為真空處理裝置，但並不限於此，亦可應用於ICP類型的裝置等。又，雖使用了具備有以鏈接方式配列之真空處理室的真空處理裝置，但並不限於此，亦可應用於群簇方式的裝置。 　　[0252] 另外，本發明，係不限定於上述之實施例，亦包含各種的變形例。例如，上述之實施例，係為了使本發明易於了解而詳細地進行了說明者，並不限定於具備先前說明的全部構成。又，亦可將某構成的一部分置換成其他構成，又，亦可對某構成加入其他構成。
[0253] 100：真空處理裝置 101：大氣區塊 102：真空區塊 104、104-1、104-2：真空搬送室 105：閉鎖室 106：大氣搬送室 107：匣盒台 108：搬送中間室 109：大氣搬送機械臂 110、110-1、110-2：真空搬送機械臂 111：第1閘閥 112：第2閘閥 115：閥箱 200、200-1、200-2、200-3、200-4：真空處理室 201：第1高頻電源 202：蓋構件(石英板) 203：噴淋板 204：氣體導入環 205：石英內筒 206：線圈 207：O形環 210：旋轉升降器 211：旋轉軸 220：放電區塊單元 221：放電區塊底座 222：加熱器 223：第1溫度控制器 224：放電區塊 225：接地環 230：上部容器 240：試料台單元 241：試料台 242：試料台底座 243：第2高頻電源 244：第2溫度控制器 245：試料台底部蓋 250：下部容器 260：底板 261：排氣部蓋 262：汽缸 263：附帶閥箱之底板 270：排氣泵 280：支柱 290：中心軸 300：被處理物(晶圓、試料) 310：放電區塊單元之移動方向 320：試料台單元之移動方向 400：作業者
[0020] 　　[圖1]說明本發明之實施例之真空處理裝置之構成之概略的俯視圖及立體圖。 　　[圖2]用以說明圖1所示之實施例的真空處理裝置中之被處理物之搬送的主要部分概略俯視圖。 　　[圖3]示意地表示圖1所示之實施例之真空處理室之構成之概略的縱剖面圖。 　　[圖4]示意地表示圖1所示之實施例之真空處理室之構成之概略的縱剖面圖。 　　[圖5]用於說明圖1所示之本發明之實施例之真空處理裝置的真空處理室中之維護之順序的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖6]用於說明圖1所示之本發明之實施例之真空處理裝置的真空處理室中之維護之順序的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖7]用於說明圖1所示之本發明之實施例之真空處理裝置的真空處理室中之維護之順序的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖8]用於說明圖1所示之本發明之實施例之真空處理裝置的真空處理室中之維護之順序的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖9]用於說明圖1所示之本發明之實施例之真空處理裝置的真空處理室中之維護之順序的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖10]用於說明圖1所示之本發明之實施例之真空處理裝置的真空處理室中之維護之順序的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖11]用於說明圖1所示之本發明之實施例之真空處理裝置的真空處理室中之維護之順序的俯視圖及縱剖面圖。 　　[圖12]示意地表示圖3所示之實施例之真空處理室之構成之概略的縱剖面圖。 　　[圖13]放大而示意地表示圖12所示之實施例之真空處理室之試料台之構成的縱剖面圖。 　　[圖14]示意地表示圖12及圖13所示之實施例的試料台被分解成複數個零件之狀態的縱剖面圖。 　　[圖15]示意地表示圖12~圖14所示之實施例之真空處理室之T凸緣之構成之概略的俯視圖。

Claims (6)

  1. 一種真空處理裝置，係具備有處理室、試料台及開口，使用被形成於前述試料台上方之前述處理室內的電漿來處理前述試料，該處理室，係被配置於真空容器內部，內側被排氣而減壓，該試料台，係被配置於該處理室內，在其上面載置有處理對象的晶圓，該開口，係被配置於該試料台之下方，與對處理室內部進行排氣的排氣泵連通，該真空處理裝置，其特徵係，前述試料台具有：金屬製之基材，在其上面具備了載置有前述晶圓之介電質製的膜；金屬製之基板，被配置於該基材之下方，夾隔著絕緣構件而與該基材絕緣；及架台，被配置於該基板之下方，在其內部具有被設成為大氣壓的空間，覆蓋該空間上方的開口，載設有前述基板及與此緊固的前述基材及絕緣構件，且與前述基板連接，前述絕緣構件具有：陶瓷製之環狀構件，夾隔著密封構件而配置，該密封構件，係將前述基材及基板的外周側部分之間，且連通於前述真空容器外部而被設成為大氣壓之該些內周側的空間與其外側的處理室內部之間氣密地密封，並被構成為具備有：複數個溫度感測器，貫穿前述基板且被裝設於前述基板而***前述基材之內部，以檢知該基材的溫度，在裝設了前述複數個溫度感測器的狀態下，與前述基材及絕緣構件緊固的前述基板可從前述架台往前述處理室外部向上方拆卸。
  2. 一種真空處理裝置，係具備有處理室、試料台及開口，使用被形成於前述試料台上方之前述處理室內的電漿來處理前述試料，該處理室，係被配置於真空容器內部，內側被排氣而減壓，該試料台，係被配置於該處理室內，在其上面載置有處理對象的晶圓，該開口，係被配置於該試料台之下方，與對處理室內部進行排氣的排氣泵連通，該真空處理裝置，其特徵係，前述試料台具有：金屬製之基材，在其上面具備了載置有前述晶圓之介電質製的膜；金屬製之基板，被配置於該基材之下方，夾隔著絕緣構件而與該基材絕緣；及架台，被配置於該基板之下方，在其內部具有被設成為大氣壓的空間，覆蓋該空間上方的開口，載設有前述基板及與此緊固的前述基材及絕緣構件，且與前述基板連接，前述絕緣構件具有：剛性大之環狀的第1構件，夾隔著密封構件而配置，該密封構件，係將前述基材及基板的外周側部分之間，且連通於前述真空容器外部而被設成為大氣壓之該些內周側的空間與其外側的處理室內部之間氣密地密封；及剛性小之板狀的第2構件，被配置於該第1構件之內周側區域，並被構成為具備有：複數個溫度感測器，貫穿前述基板及前述絕緣構件之第2構件且被***前述基材之內部而裝設於前述基板，以檢知前述基材的溫度，在裝設了前述複數個溫度感測器的狀態下，與前述基材及絕緣構件緊固的前述基板可從前述架台往前述處理室外部向上方拆卸。
  3. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述絕緣構件，係具備有：絕緣板，其具有前述複數個溫度感測器貫穿內部的複數個貫穿孔，該絕緣板，係被配置於前述基材與前述基板之間之前述環狀構件之內周側的區域，且使前述基材與前述基板之間絕緣的樹脂製之絕緣板。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中，使用螺栓，夾隔著前述環狀構件而緊固前述基材與前述基板。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中，具備有：流路，被配置於前述基材之內部，在內側流通有用以調節該基材之溫度的冷媒；及膜狀加熱器，被配置於前述介電質膜內。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中，前述基板被設成為接地電位。
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