JP5791412B2 - セラミックヒーター - Google Patents
セラミックヒーター Download PDFInfo
- Publication number
- JP5791412B2 JP5791412B2 JP2011162352A JP2011162352A JP5791412B2 JP 5791412 B2 JP5791412 B2 JP 5791412B2 JP 2011162352 A JP2011162352 A JP 2011162352A JP 2011162352 A JP2011162352 A JP 2011162352A JP 5791412 B2 JP5791412 B2 JP 5791412B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermocouple
- ceramic
- ceramic heater
- slide lid
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
- H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
Description
円盤状のセラミック基体の中に抵抗発熱体が埋設されたセラミックヒーターであって、
前記セラミック基体の下面にて前記セラミック基体の側面から中央に向かって直線状に形成されたレール溝と、
該レール溝に沿ってスライド可能であり、該レール溝から脱落しないように前記レール溝の側壁と係止し合うセラミック製のスライド蓋と、
前記レール溝の上面にて前記レール溝の長手方向に沿って形成され、前記スライド蓋を開けると外部に露出した開空間となり、前記スライド蓋を閉じると外部と遮断された閉空間となるガイド溝と、
を備えたものである。
図1のセラミックヒーター20において、熱電対38によってセラミック基体22の外周付近の温度を正確に測定しようとすると、熱電対38の先端部分38aがセラミック基体22の外周付近の下面に設けた穴22aに確実に安定して接触している必要がある。それには、先端部分38aを穴22aの底面に弾性力によって押しつけておくのがよい。図10は、その一例を示す断面図である。図10では、熱電対38としてシース熱電対を使用し、その熱電対38を第1屈曲点と第2屈曲点の2箇所で屈曲させてZ字状にした状態で(1点鎖線参照)、ガイド溝30に収納してスライド蓋28を閉めることにより、Z字状の熱電対38の先端部分38aがスライド蓋28によって上方向に押圧される(実線参照)。そして、その押圧された状態から元の状態に戻ろうとする復元力を弾性力として利用して、先端部分38aを穴22aの底面に押しつけている。なお、熱電対38の断面図を図11に示す。熱電対38は、図11に示すように、ステンレス製のシース38bの内部に絶縁充填材38cが充填され、その絶縁充填材38cに一対のK熱電対素線38d,38eが挿通されたものである。
図13は、熱電対38の先端部分38aを穴22aの底面に弾性力によって押しつけておくための、図10とは異なる例を示す断面図である。図13では、熱電対38の先端部分38aと第2屈曲点との間につば38bを設け、つば38bとスライド蓋28との間に圧縮バネ39(付勢部材)を配置し、その圧縮バネ39により熱電対38の先端部分38aを穴22aの底面に押しつけている。なお、スライド蓋28には、図示しないが圧縮バネ39を入るようにザグリ穴が設けられている。また、圧縮バネ38のピッチは、熱電対38の略水平な部分と干渉しない大きさに設定されている。
図1のセラミックヒーター20において、スライド蓋28の断面形状(長手方向と直交する面で切断したときの断面形状)とパーティクル量との関係を調べた。使用したセラミックヒーター20は、セラミック材料としてAlNを用いた。また、スライド蓋28は、最大幅を8mm、厚みを4mm、セラミック基体22の下面からの飛び出し量を1mmとした。そして、セラミックヒーター20の上面にシリコンウエハーを載せ、500℃、24時間後のシリコンウエハー表面のパーティクル量をウエハー検査装置(KLA-Tencor社製Surfscan SP2)を使って調べた。更にEPMAによってパーティクルの成分を調べた。その結果、パーティクルはAlNとSUSに由来するものと判断した。AlNはスライド蓋28とレール溝26が熱膨張で擦れることで発生したと考えられる。SUSは熱電対のシースの酸化により発生するが、スライド蓋28とレール溝26の機密性が高いとチャンバー内への飛散量が少なくシリコンウエハーのパーティクルになりにくいと考えられる。また、半導体製造装置に利用することを考慮すると、サイズ0.1μm以上のパーティクル量は1000個以下が好ましい。チャンバー内(熱電対38の周り)の雰囲気はN2+O2雰囲気で圧力0.1Torrとした。その結果を表3に示す。なお、表3に示したサンプル22〜27は、いずれも本発明の実施例に相当する。
Claims (10)
- 円盤状のセラミック基体の中に抵抗発熱体が埋設されたセラミックヒーターであって、
前記セラミック基体の下面にて前記セラミック基体の側面から中央に向かって直線状に形成されたレール溝と、
該レール溝に沿ってスライド可能であり、該レール溝から脱落しないように前記レール溝の側壁と係止し合うセラミック製のスライド蓋と、
前記レール溝の上面にて前記レール溝の長手方向に沿って形成され、前記スライド蓋を開けると外部に露出した開空間となり、前記スライド蓋を閉じると外部と遮断された閉空間となるガイド溝と、
を備え、
前記スライド蓋は、長手方向と直交する面で切断したときの形状が下辺よりも上辺の方が長い四角形状となっている、
セラミックヒーター。 - 前記ガイド溝は、前記セラミック基体の外周付近の温度を測定する熱電対が通される熱電対通路である、
請求項1に記載のセラミックヒーター。 - 前記熱電対は、先端部分が前記セラミック基体に弾性力によって押しつけられている、
請求項2に記載のセラミックヒーター。 - 前記熱電対は、前記ガイド溝に屈曲した状態で前記スライド蓋に押し込まれるようにして収納され、
前記弾性力は、前記熱電対が前記スライド蓋によって押された状態から元の状態に戻ろうとする復元力である、
請求項3に記載のセラミックヒーター。 - 前記弾性力は、前記熱電対の先端部分を前記セラミック基体に向かって付勢する付勢部材によって付与される、
請求項3に記載のセラミックヒーター。 - 前記ガイド溝は、前記抵抗発熱体に電力を供給する給電線が通される給電線通路である、請求項1に記載のセラミックヒーター。
- 前記ガイド溝は、所定のガスが流通するガス流通路である、請求項1に記載のセラミックヒーター。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載のセラミックヒーターであって、
前記セラミック基体の下面中央に取り付けられた中空形状のシャフトと、
前記ガイド溝に通じるように前記シャフトの外側にて上下方向に沿って形成されたチューブと、
を備えたセラミックヒーター。 - 前記チューブは、少なくとも一部が凹部と凸部を備えた複数の短いパイプを連結することにより構成され、隣接する2つのパイプの一方の凹部に他方の凸部が挿入されている、請求項8に記載のセラミックヒーター。
- 前記チューブは、最上部にて、前記スライド蓋を閉じたときに該スライド蓋の終端部と
嵌合する嵌合溝を有している、請求項8に記載のセラミックヒーター。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US36749310P | 2010-07-26 | 2010-07-26 | |
US61/367493 | 2010-07-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012028332A JP2012028332A (ja) | 2012-02-09 |
JP5791412B2 true JP5791412B2 (ja) | 2015-10-07 |
Family
ID=45492724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011162352A Active JP5791412B2 (ja) | 2010-07-26 | 2011-07-25 | セラミックヒーター |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8748782B2 (ja) |
JP (1) | JP5791412B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101333227B1 (ko) * | 2012-05-10 | 2013-11-26 | 주식회사 케이에스엠컴포넌트 | 세라믹 히터용 전극 커넥팅 구조. |
US9984866B2 (en) * | 2012-06-12 | 2018-05-29 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Multiple zone heater |
JP2014055677A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Dainichi Co Ltd | ケース挿入部品の取付構造 |
JP6078450B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2017-02-08 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材及びその製法 |
US20140251214A1 (en) * | 2013-03-06 | 2014-09-11 | Applied Materials, Inc. | Heated substrate support with flatness control |
EP2973659A4 (en) * | 2013-03-15 | 2016-11-09 | Component Re Engineering Company Inc | MORE ZONE HEATER |
TWI654332B (zh) * | 2014-07-02 | 2019-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於電漿處理的多區域基座 |
US9738975B2 (en) | 2015-05-12 | 2017-08-22 | Lam Research Corporation | Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making |
JP6960737B2 (ja) * | 2017-01-23 | 2021-11-05 | 株式会社日立ハイテク | 真空処理装置 |
RU2019123279A (ru) | 2017-01-26 | 2021-02-26 | Оно Фармасьютикал Ко., Лтд. | Этан-сульфонатная соль производного хинолина |
US11961747B2 (en) * | 2018-03-28 | 2024-04-16 | Kyocera Corporation | Heater and heater system |
JP6743325B1 (ja) * | 2018-12-20 | 2020-08-19 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
JP7210492B2 (ja) * | 2020-02-03 | 2023-01-23 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
JP7202322B2 (ja) * | 2020-02-03 | 2023-01-11 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH031213Y2 (ja) * | 1986-04-12 | 1991-01-16 | ||
JP2004200619A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP4595318B2 (ja) | 2003-12-02 | 2010-12-08 | 日産自動車株式会社 | 燃料電池スタックおよびその締付方法 |
JP4931376B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2012-05-16 | 日本碍子株式会社 | 基板加熱装置 |
US20060075970A1 (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-13 | Guenther Rolf A | Heated substrate support and method of fabricating same |
TWI281833B (en) * | 2004-10-28 | 2007-05-21 | Kyocera Corp | Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater |
JP4973150B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス導入機構及び被処理体の処理装置 |
JP4450106B1 (ja) * | 2008-03-11 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
US7751657B2 (en) * | 2008-09-17 | 2010-07-06 | Geum Suk Lee | Inclinometer system |
-
2011
- 2011-07-25 JP JP2011162352A patent/JP5791412B2/ja active Active
- 2011-07-26 US US13/190,796 patent/US8748782B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012028332A (ja) | 2012-02-09 |
US20120018416A1 (en) | 2012-01-26 |
US8748782B2 (en) | 2014-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5791412B2 (ja) | セラミックヒーター | |
JP5501467B2 (ja) | 半導体製造装置部材 | |
JPWO2013162000A1 (ja) | 基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法 | |
JP2018074009A (ja) | 保持装置 | |
KR20100057611A (ko) | 열분리 팁을 갖는 온도 프로브 | |
TW200604500A (en) | Substrate temperature measuring device and processing device | |
JP2013101105A (ja) | 高温摩擦磨耗測定装置 | |
TW200823439A (en) | Temperature measuring device | |
KR101446137B1 (ko) | 스프링 탄성을 이용한 열전대 고정장치 | |
TW201510492A (zh) | 一種實現穩定測溫的測溫裝置及其所在的半導體設備 | |
JP5366772B2 (ja) | 温度検出装置 | |
KR200484484Y1 (ko) | 가스터빈용 배기가스 열전대 조립체 | |
JP4463128B2 (ja) | コンロ用の温度検出装置 | |
KR101339201B1 (ko) | 온도측정유닛 및 이를 이용하는 온도측정장치 | |
TWI737319B (zh) | 無接觸式工件溫度感測器 | |
KR102025347B1 (ko) | 시스 열전대의 부착구조, 그 부착구조에 사용하는 패드 및 시스 열전대의 부착방법 | |
KR20110099447A (ko) | 튜브 내 열전대 삽입을 위한 코팅부재 및 코팅방법 | |
KR101442633B1 (ko) | 기판 지지 장치 | |
JP2010121659A (ja) | 配管内壁面の加熱ユニット | |
JP7181655B1 (ja) | 温度センサ及び温度センサの製造方法 | |
JP2004022803A (ja) | 温度測定機能付き突き上げピン | |
JP2005331205A (ja) | コンロ用の温度検出装置 | |
JP6899243B2 (ja) | 高温用保持治具 | |
JP2010025397A (ja) | ヒートパイプ着脱治具 | |
KR200382567Y1 (ko) | 열처리 장치의 히터 어셈블리 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150714 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150804 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5791412 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |