TWI645468B - 清洗方法及基板處理裝置 - Google Patents

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原田彰俊
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可去除堆積在靜電吸盤上的含鈦之反應生成物的清洗方法。 該清洗方法，將至少具有載置基板之靜電吸盤而對該基板施行電漿處理之基板處理裝置，其附著在該靜電吸盤的含鈦之堆積物予以去除，該清洗方法包含如下步驟：第1步驟，將該含鈦之堆積物，藉由含有還原性氣體之處理氣體的電漿加以還原；第2步驟，將在該第1步驟中還原之該堆積物，藉由含有氟系氣體之處理氣體的電漿予以去除；以及第3步驟，將因該第2步驟而堆積在該靜電吸盤上之氟碳化物系的堆積物，藉由含氧之處理氣體的電漿予以去除。

Description

清洗方法及基板處理裝置
本發明係關於一種清洗方法及基板處理裝置。
作為基板處理裝置，使用電漿對半導體裝置用之晶圓等基板施行蝕刻等既定處理的電漿處理裝置廣為人知。電漿處理裝置，具有在內部產生電漿之處理容器、配置於此一處理容器內而載置晶圓之載置台、及配置於此一載置台的上部而支持晶圓之靜電吸盤（ESC）等而構成。
靜電吸盤，一般而言，將其徑設計為較載置的晶圓更小，在靜電吸盤的外周部與晶圓的背面之間產生若干間隙。若藉由電漿的作用蝕刻晶圓，則反應生成物堆積於此間隙與處理容器之壁面等。在反應生成物堆積於靜電吸盤上之情況，成為晶圓W之吸附故障的原因，阻礙良好的電漿處理。
因此，在每個既定期間進行用於將堆積在處理容器內之反應生成物去除的清洗處理、用於整頓處理容器內之環境氣體的處理。具體而言，於專利文獻1等，揭露以不使用晶圓的方式予以乾式清洗之無晶圓乾洗（Waferless Dry Cleaning:WLDC）處理，以作為去除反應生成物之方法。 【習知技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特表2008－519431號公報
【本發明所欲解決的問題】
過去，將矽系薄膜蝕刻處理後之清洗處理，係採用使用氧（O2 ）氣之WLDC處理。然而，近年，作為電漿蝕刻製程中之蝕刻對象膜的遮罩，有使用氮化鈦（TiN）膜等含鈦膜的情況。將TiN膜作為遮罩利用而蝕刻時，堆積在靜電吸盤等之含鈦反應生成物，在使用O2 氣體的WLDC處理中，難以將其去除。
對於上述問題，本發明提供一種，可去除堆積在靜電吸盤上的含鈦之反應生成物的清洗方法。 【解決問題之技術手段】
一實施態樣中，提供一種清洗方法，將至少具有載置基板之靜電吸盤而對該基板施行電漿處理之基板處理裝置，其附著在該靜電吸盤的含鈦之堆積物予以去除，該清洗方法包含如下步驟： 第1步驟，將該含鈦之堆積物，藉由含有還原性氣體之處理氣體的電漿加以還原； 第2步驟，將在該第1步驟中還原之該堆積物，藉由含有氟系氣體之處理氣體的電漿予以去除；以及 第3步驟，將因該第2步驟而堆積在該靜電吸盤上之氟碳化物系的堆積物，藉由含氧之處理氣體的電漿予以去除。 【本發明之效果】
本發明能夠提供一種，可去除堆積在靜電吸盤上的含鈦之反應生成物的清洗方法。
【實施本發明之最佳形態】
以下，參考附圖而對本發明之實施形態加以說明。另，本說明書及附圖中，對於實質上相同之構成，藉由給予同一符號而省略重複的說明。
（基板處理裝置） 首先，對於可實施本實施形態之清洗方法的基板處理裝置之構成加以說明。作為可實施本實施形態之清洗方法的基板處理裝置，雖無特別限定，但可列舉能夠對做為被處理體之半導體晶圓W（後文以晶圓W稱之）施行RIE（Reactive Ion Etching, 反應式離子蝕刻）處理或灰化處理等電漿處理的平行平板型（亦稱作電容耦合型）之電漿處理裝置。
圖1顯示，本實施形態之基板處理裝置的一例之概略構成圖。
本實施形態之基板處理裝置1，具有例如鋁或不鏽鋼等金屬製的圓筒型腔室（處理容器10）。使處理容器10接地。處理容器10內，對被處理體，施行後述之本實施形態的清洗方法，與蝕刻處理等電漿處理。
於處理容器10內，設置載置作為被處理體之半導體晶圓W(以下稱作晶圓W)的載置台12。載置台12，例如由鋁構成，隔著絕緣性的筒狀保持部14而被自處理容器10的底部起往垂直上方延伸之筒狀支持部16支持。於筒狀保持部14的頂面，配置將載置台12的頂面環狀地包圍之例如由石英構成的對焦環18。對焦環18，將在載置台12上方產生的電漿朝向晶圓W收束。
於處理容器10的內側壁與筒狀支持部16的外側壁之間，形成排氣路20。在排氣路20安裝環狀的擋板22。於排氣路20之底部設置排氣口24，透過排氣管26而與排氣裝置28連接。
排氣裝置28，具有未圖示的真空泵，將處理容器10內減壓至既定之真空度為止。於處理容器10的側壁，安裝在搬入或搬出晶圓W時開閉的閘閥30。
於載置台12，透過供電棒36及匹配器34而與電漿產生用之高頻電源32電性連接。高頻電源32，例如將60MHz的高頻電力對載置台12施加。如此地載置台12亦作為下部電極而作用。
於處理容器10的頂棚部，設置沖淋頭38作為接地電位之上部電極。將來自高頻電源32的電漿產生用之高頻電力，以電容性方式施加在載置台12與沖淋頭38之間。
於載置台12的頂面，設置用於將晶圓W以靜電吸附力保持的靜電吸盤（ESC）40。靜電吸盤40，係將由導電膜構成之薄片狀的吸盤電極40a夾入一對係介電構件之介電層部40b、40c間而形成。直流電壓源42，透過開關43而與吸盤電極40a連接。另，一般而言，於靜電吸盤40中的晶圓W之載置面，如後述圖3（a）～圖3（d）所示地，形成凸部40d與凹部40e。此等凸部40d及凹部40e，例如可藉由將靜電吸盤40壓紋加工而形成。
靜電吸盤40，藉由自直流電壓源42施加電壓，而以庫侖力將晶圓W吸附保持於吸盤上。此外，在未對吸盤電極40a施加電壓之情況呈藉由開關43往接地部44連接的狀態。以下，未對吸盤電極40a施加電壓之狀態，係指吸盤電極40a接地之狀態。
靜電吸盤40，具有介電層部40b及40c之體積電阻率為1×1014 Ωcm以上的庫侖型之靜電吸盤、體積電阻率為1×109 ～ 12 Ωcm程度的JR（Johnsen-Rahbeck）力型之靜電吸盤、體積電阻率為1×1012 ～ 14 Ωcm之噴敷有氧化鋁等的JR力型＋庫侖型之靜電吸盤。本實施形態之基板處理裝置1中，使用任一類型之靜電吸盤皆可。
熱傳氣體供給源52，將氦（He）氣等熱傳氣體，透過氣體供給管線54，供給至靜電吸盤40上的晶圓W背面。
頂棚部之沖淋頭38，具備具有多個通氣孔56a之電極板56、以及將該電極板56以可裝卸的方式支持之電極支持體58。於電極支持體58內部，設置緩衝室60。在緩衝室60之氣體導入口60a，透過氣體供給配管64而與氣體供給源62連結。藉由此等構成，而自沖淋頭38起，對處理容器10內供給期望的處理氣體。
氣體供給源62，至少將後述本實施形態之清洗方法中的各種處理氣體，分別獨立控制，對處理容器10內供給。藉此，自沖淋頭38起，對處理容器10內供給期望的氣體。
於載置台12之內部，為了與外部之未圖示的搬運臂之間進行晶圓W的傳遞，而設置複數根（例如3根）使晶圓W升降之支承銷81。複數根支承銷81，藉由透過連結構件82傳達之馬達84的動力而上下動作。在朝向處理容器10之外部貫通的支承銷81之貫通孔設置底部伸縮囊83，將處理容器10內的真空側與大氣側之間氣密性地保持。
此外，亦可於處理容器10之周圍，將環狀或同心圓狀地延伸之未圖示的磁石，例如上下2層地配置。
載置台12之內部，一般設置有冷媒管70。在此一冷媒管70，藉由配管72、73自急冷器單元71循環供給既定溫度的冷媒。此外，於靜電吸盤40之內部，埋設加熱器75。自未圖示之交流電源對加熱器75施加期望的交流電壓。藉由急冷器單元71所產生的冷卻與加熱器75所產生的加熱，而將靜電吸盤40上之晶圓W的處理溫度調整為期望的溫度。
基板處理裝置1，亦可為具有監視器80的構成，該監視器80用於監視對晶圓W的背面供給之熱傳氣體的壓力、熱傳氣體自晶圓W之背面漏洩的漏洩（流）量。在監視熱傳氣體的壓力之情況，熱傳氣體的壓力値P，係藉由安裝在晶圓W的背面之未圖示的壓力感測器加以測定。此外，熱傳氣體的漏洩（流）量F，係藉由例如安裝在晶圓W的側面附近等之未圖示的流量感測器加以測定。
於基板處理裝置1設置控制部100，控制例如氣體供給源62、排氣裝置28、加熱器75、直流電壓源42、開關43、匹配器34、高頻電源32、熱傳氣體供給源52、馬達84、及急冷器單元71的動作。控制裝置100，具有未圖示的CPU（Central Processing Unit, 中央處理單元）、ROM（Read Only Memory, 唯讀記憶體）、RAM（Random Access Memory, 隨機存取記憶體）。CPU，依據儲存於此等記憶區域的各種配方，而實行至少後述的本實施形態之清洗處理。配方記載有對於製程條件係裝置之控制資訊的處理時間、壓力（氣體的排氣）、高頻電力與電壓、各種處理氣體流量、腔室內溫度（例如上部電極溫度、腔室的側壁溫度、ESC溫度）等。另，可將此等程式與顯示處理條件之配方，記憶於硬碟或半導體記憶體，亦可在收納於自CD－ROM、DVD等可移動式之電腦可讀取的記憶媒體之狀態下，安裝於記憶區域之既定位置而構成。
（靜電吸盤之問題） 圖2（a）及圖2（b）顯示，用於說明本實施形態之基板處理裝置中的將含鈦膜作為遮罩使用之蝕刻時，其反應生成物的堆積形態之概略圖。另，圖2（a）及圖2（b）為，圖1之靜電吸盤附近的概略圖。
如同前述，靜電吸盤40，設置於載置台12的頂面，具有將晶圓W以靜電吸附力保持的功能。此時，以使靜電吸盤40的頂面、與晶圓W的背面對向之方式，將晶圓W載置於靜電吸盤40。靜電吸盤40，一般而言，將其徑設置為較載置之晶圓W略小，在靜電吸盤40的外周部與晶圓W的背面之間，產生若干間隙。因此，在將含鈦膜作為遮罩利用而蝕刻之時，如圖2（a）的箭頭所示，含鈦之反應生成物130，附著而堆積於靜電吸盤40的表面、沖淋頭38及對焦環18的表面等。
特別是，堆積在靜電吸盤40的表面之反應生成物130，如同後述地，造成靜電吸盤40對晶圓W之吸附故障。因此，在後述之既定的時間點，施行用於將處理容器10內之反應生成物去除的清洗處理。然而，習知之使用O2 氣體的WLDC處理中，如圖2（b）所示，有含鈦之反應生成物130氧化而形成TiO或TiO2 等鈦氧化物，無法將反應生成物130去除等問題。
圖3（a）～圖3（d）顯示，用於說明靜電吸盤40所造成之晶圓W的吸附之原理的概略圖。另，圖3（a）～圖3（d）為，圖1中之靜電吸盤40附近的概略圖。
參考圖3（a）及圖3（b），對於含鈦之反應生成物130未在靜電吸盤40堆積的情況，其靜電吸盤40所造成之晶圓W的吸附形態，加以說明。如圖3（a）所示，藉由直流電壓源42（參考圖1）對吸盤電極40a施加正的直流電壓之情況，吸盤電極40a帶有正電荷132，而載置於靜電吸盤40的頂面之晶圓W則帶有負電荷134。此等正電荷132與負電荷134呈平衡狀態，因其電位差而產生庫侖力或JR力，將晶圓W吸附保持在靜電吸盤40。而後，若解除直流電壓源42所產生的往吸盤電極40a之正的直流電壓，則如圖3（b）所示，晶圓W的電荷被電性中和，可藉由支承銷81（參考圖1）使晶圓W自靜電吸盤40脫離。
另一方面，參考圖3（c）及圖3（d），對於含鈦之反應生成物130堆積在靜電吸盤40之表面的凸部40d及凹部40e的情況，其靜電吸盤40所造成之晶圓W的吸附形態加以說明。如圖3（c）所示，藉由直流電壓源42（參考圖1）對吸盤電極40a施加正的直流電壓之情況，吸盤電極40a，與圖3（a）之實施形態同樣地帶有正電荷132。然而，載置於靜電吸盤40的頂面之晶圓W所具有的負電荷134之至少一部分，如圖3（c）的箭頭所示地，往靜電吸盤40的凹部40e之反應生成物130上移動。因此，正電荷132與負電荷134之間的電位差變小，靜電吸盤40所產生之晶圓W的吸附力變小。此外，即便在解除直流電壓源42所產生的往吸盤電極40a之正的直流電壓之情況，凹部40e之反應生成物130上的負電荷134、與殘留在晶圓W上的正電荷132仍呈平衡狀態，因其等之電位差，而將晶圓W往靜電吸盤40吸附。因此，支承銷81所產生的晶圓W脫離時之支承銷81的驅動轉矩變大。
晶圓W之吸附力的降低，例如，可藉由以監視器80（參考圖1）測定熱傳氣體供給源52（參考圖1）之He氣體等熱傳氣體的漏洩量，而加以確認。往靜電吸盤40的表面之反應生成物130的堆積量變大之情況，熱傳氣體的漏洩量變大。此外，因殘留之電荷而使靜電吸附力殘留的狀態下，在支承銷81上升而使晶圓W脫離的情況，有晶圓W產生破裂或偏移之情形。是故，堆積在靜電吸盤40的含鈦之反應生成物130的去除技術，顯得非常重要。
（本實施形態之清洗方法） 本案發明人等，對於去除含鈦之反應生成物130的方法用心研究，結果發現藉由後述之清洗方法，可效率良好地去除反應生成物130，進而完成本發明。
圖4顯示，本實施形態之清洗方法的一例之流程圖。如圖4所示，本實施形態之清洗方法，將至少具有載置基板之靜電吸盤而對該基板施行電漿處理之基板處理裝置，其附著在該靜電吸盤的含鈦之堆積物予以去除，該清洗方法包含如下步驟： 第1步驟（S200），將該含鈦之堆積物，藉由含有還原性氣體之處理氣體的電漿加以還原； 第2步驟（S210），將在該第1步驟中還原之該堆積物，藉由含有氟系氣體之處理氣體的電漿予以去除；以及 第3步驟（S220），將因該第2步驟而堆積在該靜電吸盤上之氟碳化物系的堆積物，藉由含氧之處理氣體的電漿予以去除。
對各個步驟詳細地說明。
圖5顯示，用於說明本實施形態之清洗方法的一例之概略圖。首先，S200之第1步驟中，如圖5（a）所示，將堆積在靜電吸盤40上的含鈦之反應生成物130，藉由含有還原性氣體之處理氣體的電漿，加以還原。
堆積在靜電吸盤40上的含鈦之反應生成物130，被系統內的氧等氧化，主要作為TiO或TiO2 等鈦氧化物而存在。鈦氧化物，無法在使用O2 氣體的習知之WLDC處理中去除。因此，S200之第1步驟，藉由含有還原性氣體之處理氣體的電漿，將鈦氧化還原。
作為處理氣體，為可將鈦氧化物還原者即無特別限制，但本實施形態中係使用氫（H2 ）氣及氮（N2 ）氣的混合氣體。亦即，藉由使用H2 氣體之電漿將鈦氧化物還原，並藉由使用N2 氣體之電漿，將鈦氧化物氮化為TiN。藉由此一處理，去除反應生成物130中的OH成分與水（H2 O）成分等。然而，本發明並未限定於此點，例如亦可使用氨（NH3 ）氣等還原性氣體。
其次，S210之第2步驟中，將主要含有TiN之反應生成物130，藉由含有氟系氣體之處理氣體的電漿，予以去除。藉由此一處理，去除反應生成物130中的Ti成分、NH成分、OH成分、H2 O成分等。
作為處理氣體，若為含有氟系氣體之處理氣體則無特別限制，本實施形態中，使用三氟甲烷（CHF3 ）氣體與O2 氣體之混合氣體。另，亦可單獨使用CHF3 氣體等氟系氣體。主要含有TiN之反應生成物130，雖藉由該第2步驟去除，但在使用含有氟系氣體之處理氣體的電漿之電漿處理中，氟碳化物（CF）系之反應生成物131，仍堆積於靜電吸盤40上。
因此，S220之第3步驟中，將主要為CF系之反應生成物131，藉由含有O2 氣體之處理氣體的電漿去除。藉由此一處理，去除CF系之反應生成物131。
本實施形態之清洗方法，若將第3步驟於最後實施，則可重複處理第1步驟、第2步驟及第3步驟。例如，可將第1步驟、第2步驟及第3步驟之步驟群組重複處理，亦可為將第1步驟及第2步驟之步驟群組重複處理，並在最後實施第3步驟的步驟。
另，本實施形態之清洗方法，亦可在對例如1片晶圓施行將氮化鈦（TiN）膜等含鈦膜作為遮罩之蝕刻處理後，加以實施。此外，亦可在對複數片，例如50片晶圓施行前述之蝕刻處理後，實施本實施形態之清洗方法。另，例如亦可為先累計將含鈦膜作為遮罩加以蝕刻處理時之處理時間，在累計時間超過既定時間的情況，實施本實施形態之清洗方法的構成。
以上，本實施形態之清洗方法，將堆積在靜電吸盤40上的含鈦之反應生成物130，藉由第1步驟還原，藉由第2步驟去除。而後，將因第2步驟而堆積在靜電吸盤40上的CF系之反應生成物131，藉由第3步驟去除。具有上述構成的本實施形態之清洗方法，可效率良好地將靜電吸盤40上之堆積物去除。
以下，參考實施形態，更詳細地說明本發明。
（第1實施形態） 對於確認藉由本實施形態之清洗方法，而可將靜電吸盤效率良好地清洗的實施形態加以說明。
使用圖1之基板處理裝置1，將形成有TiN膜之晶圓，以TiN膜作為遮罩而電漿蝕刻處理。對於電漿蝕刻處理之累計時間為169小時的靜電吸盤、及996小時的靜電吸盤，進行下述的分析。
在將晶圓載置於靜電吸盤上的狀態，對靜電吸盤之吸盤電極施加1.0kV、1.5kV、2.0kV或2.5kV，將晶圓吸附於靜電吸盤。其次，於靜電吸盤上之晶圓背面，以使供給之氣體的設定壓力成為10、15、20、25或30Torr的方式，供給He氣體。另，之後的全部實施形態中，將圖1之加熱器75的晶圓之加熱溫度設定為60℃，將圖1之急冷器單元71的冷媒之溫度設定為10℃。
而後，測定各條件中之，自晶圓的背面漏洩之He氣體的流量。另，自晶圓的背面漏洩之He氣體的流量，宜為1sccm以下。
表1顯示，累計時間為169小時的靜電吸盤之測定結果；表2顯示，累計時間為996小時的靜電吸盤之分析結果。
【表1】
【表2】如同自表1與表2之比較所明瞭，累計時間為996小時之靜電吸盤，He氣體的漏洩量多。
對於累計時間為996小時之靜電吸盤，使用圖1之基板處理裝置1，實施清洗處理。清洗處理中，第1步驟（S200）使用含有H2 氣體及N2 氣體之處理氣體，第2步驟（S210）使用含有CHF3 氣體及O2 氣體之處理氣體，第3步驟（S220）使用含有O2 氣體之處理氣體。
此外，將第1步驟及第2步驟之步驟群組重複3次後，實施第3步驟。
對於清洗處理後之靜電吸盤，進行與前述相同的分析。將分析結果顯示於表3。
【表3】自表2與表3的比較，得知藉由實施本實施形態之清洗方法，在幾乎所有的測定條件中，He氣體的漏洩量得到改善。亦即，得知藉由本實施形態之清洗方法，可將堆積在靜電吸盤上的含鈦之反應生成物去除。
（第2實施形態） 對於確認藉由本實施形態之清洗方法，可將靜電吸盤效率良好地清洗的其他實施形態，加以說明。
與第1實施形態同樣地，使用圖1之基板處理裝置1，將形成有TiN膜之晶圓，以TiN膜作為遮罩而電漿蝕刻處理。對於電漿蝕刻處理之累計時間為841小時的靜電吸盤，進行與第1實施形態相同的分析。將分析結果顯示於表4。
【表4】對此一靜電吸盤，使用圖1之基板處理裝置1，實施清洗處理。清洗處理中，與第1實施形態同樣地，第1步驟（S200）使用含有H2 氣體及N2 氣體之處理氣體，第2步驟（S210）使用含有CHF3 氣體及O2 氣體之處理氣體，第3步驟（S220）使用含有O2 氣體之處理氣體。
另，清洗處理中，以如下3種模式實施： 將第1步驟及第2步驟之步驟群組重複3次後，實施第3步驟之處理（第1模式）； 將第1步驟及第2步驟之步驟群組重複9次後，實施第3步驟之處理（第2模式）；以及 將第1步驟及第2步驟之步驟群組重複30次後，實施第3步驟之處理（第3模式）。
對於各模式下之清洗處理後的靜電吸盤，進行與前述相同的分析。將第1模式、第2模式及第3模式下的分析結果，分別於表5、表6及表7顯示。
【表5】
【表6】
【表7】自表4、表5～表7的比較，得知藉由實施本實施形態之清洗方法，He氣體的漏洩量得到改善。此外，得知藉由在重複第1步驟及第2步驟之步驟群組後實施第3步驟，而提高清洗效率。
以上，了解藉由本實施形態之清洗方法，而可將堆積在靜電吸盤上的含鈦之反應生成物，有效率地去除。
另，本發明並未限定為，於上述本實施形態所列舉之構成等組合其他要素等，此處所示之構成。關於此點，可在未逸脫本發明之主旨的範圍加以變更，配合其應用形態而適當決定。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧處理容器
12‧‧‧載置台（下部電極）
14‧‧‧筒狀保持部
16‧‧‧筒狀支持部
18‧‧‧對焦環
20‧‧‧排氣路
22‧‧‧擋板
24‧‧‧排氣口
26‧‧‧排氣管
28‧‧‧排氣裝置
30‧‧‧閘閥
32‧‧‧高頻電源
34‧‧‧匹配器
36‧‧‧供電棒
38‧‧‧沖淋頭(上部電極)
40‧‧‧靜電吸盤（ESC）
40a‧‧‧吸盤電極
40b、40c‧‧‧介電層部（介電構件）
40d‧‧‧凸部
40e‧‧‧凹部
42‧‧‧直流電壓源
43‧‧‧開關
44‧‧‧接地部
52‧‧‧熱傳氣體供給源
54‧‧‧氣體供給管線
56‧‧‧電極板
56a‧‧‧通氣孔
58‧‧‧電極支持體
60‧‧‧緩衝室
60a‧‧‧氣體導入口
62‧‧‧氣體供給源
64‧‧‧氣體供給配管
70‧‧‧冷媒管
71‧‧‧急冷器單元
72、73‧‧‧配管
75‧‧‧加熱器
80‧‧‧監視器
81‧‧‧支承銷
82‧‧‧連結構件
83‧‧‧底部伸縮囊
84‧‧‧馬達
100‧‧‧控制裝置
130‧‧‧含鈦之反應生成物
131‧‧‧CF系之反應生成物
132‧‧‧正電荷
134‧‧‧負電荷
W‧‧‧晶圓
P‧‧‧壓力値
F‧‧‧漏洩（流）量
S200、S210、S220‧‧‧步驟
圖1係本實施形態之基板處理裝置的一例之概略構成圖。 圖2(a)(b)係用於說明本實施形態之基板處理裝置中的將含鈦膜作為遮罩使用之蝕刻時，其反應生成物的堆積形態之概略圖。 圖3(a)~(d)係用於說明靜電吸盤所造成之晶圓吸附的原理之概略圖。 圖4係本實施形態之清洗方法的一例之流程圖。 圖5(a)~(c)係用於說明本實施形態之清洗方法的一例之概略圖。

Claims (9)

  1. 一種清洗方法，將至少具有載置基板用之靜電吸盤且用來對該基板施行電漿處理的基板處理裝置，其中之附著在該靜電吸盤的含鈦之堆積物予以去除，包含如下步驟：第1步驟，藉由含有還原性氣體之處理氣體的電漿，將該含鈦之堆積物加以還原；第2步驟，藉由含有氟系氣體之處理氣體的電漿，將在該第1步驟中還原之該堆積物予以去除；以及第3步驟，藉由含氧之處理氣體的電漿，將因該第2步驟而堆積在該靜電吸盤上之氟碳化物系的堆積物予以去除；且該含有還原性氣體之處理氣體，含有氫氣及氮氣之混合氣體。
  2. 一種清洗方法，將至少具有載置基板用之靜電吸盤且用來對該基板施行電漿處理的基板處理裝置，其中之附著在該靜電吸盤的含鈦之堆積物予以去除，包含如下步驟：第1步驟，藉由含有還原性氣體之處理氣體的電漿，將該含鈦之堆積物加以還原；第2步驟，藉由含有氟系氣體之處理氣體的電漿，將在該第1步驟中還原之該堆積物予以去除；以及第3步驟，藉由含氧之處理氣體的電漿，將因該第2步驟而堆積在該靜電吸盤上之氟碳化物系的堆積物予以去除；且該含有還原性氣體之處理氣體，含有氨氣。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之清洗方法，其中，該含有氟系氣體之處理氣體，含有三氟甲烷氣體及氧氣之混合氣體。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之清洗方法，其中，該含有氟系氣體之處理氣體，含有三氟甲烷氣體。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之清洗方法，其中，該含鈦之堆積物，含有鈦氧化物。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之清洗方法，其中，該清洗方法，係在以該氮化鈦膜作為遮罩，對至少形成有氮化鈦膜之該基板施行該電漿處理後予以實施；該清洗方法，係在該電漿處理之累計時間超過既定時間的情況下實施。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之清洗方法，其中，在將該第1步驟及該第2步驟之步驟群組重複實施既定次數後，實施該第3步驟。
  8. 一種基板處理裝置，具備：處理容器；靜電吸盤，設置於該處理容器內，用以保持基板；電極板，設置於該處理容器內，而與該靜電吸盤對向；氣體供給部，將處理氣體供給至該靜電吸盤與該電極板所包夾之空間；高頻電源，藉由對該靜電吸盤或該電極板中之至少一方供給高頻電力，而將自該氣體供給部供給至該空間的該處理氣體電漿化；以及控制部，控制該基板處理裝置；而該控制部，對附著有含鈦之堆積物的該靜電吸盤實施如下之步驟，以控制該基板處理裝置：第1步驟，藉由含有還原性氣體之處理氣體的電漿，將該含鈦之堆積物加以還原；第2步驟，藉由含有氟系氣體之處理氣體的電漿，將在該第1步驟中還原之該堆積物予以去除；以及第3步驟，藉由含氧之處理氣體的電漿，將因該第2步驟而堆積在該靜電吸盤上之氟碳化物系的堆積物予以去除；且該含有還原性氣體之處理氣體，含有氫氣及氮氣之混合氣體。
  9. 一種基板處理裝置，具備：處理容器；靜電吸盤，設置於該處理容器內，用以保持基板；電極板，設置於該處理容器內，而與該靜電吸盤對向；氣體供給部，將處理氣體供給至該靜電吸盤與該電極板所包夾之空間；高頻電源，藉由對該靜電吸盤或該電極板中之至少一方供給高頻電力，而將自該氣體供給部供給至該空間的該處理氣體電漿化；以及控制部，控制該基板處理裝置；而該控制部，對附著有含鈦之堆積物的該靜電吸盤實施如下之步驟，以控制該基板處理裝置：第1步驟，藉由含有還原性氣體之處理氣體的電漿，將該含鈦之堆積物加以還原；第2步驟，藉由含有氟系氣體之處理氣體的電漿，將在該第1步驟中還原之該堆積物予以去除；以及第3步驟，藉由含氧之處理氣體的電漿，將因該第2步驟而堆積在該靜電吸盤上之氟碳化物系的堆積物予以去除；且該含有還原性氣體之處理氣體，含有氨氣。
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