JP2012124227A - 基板洗浄方法及び基板処理装置 - Google Patents
基板洗浄方法及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012124227A JP2012124227A JP2010271827A JP2010271827A JP2012124227A JP 2012124227 A JP2012124227 A JP 2012124227A JP 2010271827 A JP2010271827 A JP 2010271827A JP 2010271827 A JP2010271827 A JP 2010271827A JP 2012124227 A JP2012124227 A JP 2012124227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- etching
- wafer
- foreign matter
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】アッシング時の酸化によりウエハWの表面に形成されたシリコン酸化膜8を、フッ化水素ガスによりエッチングすることで、ウエハWに付着したパーティクルPをシリコン酸化膜8ごと除去する。このフッ化水素によるエッチング時には、ウエハWの向きを表面が下を向くように設定し、更にウエハWを加熱して帯電させることにより、パーティクルPに対して重力に加えて熱泳動力及び静電気力を作用させる。また、アッシング時のシリコン酸化膜8をエッチングした後、更に例えばオゾンガスによりウエハWの表面を酸化し、次いでフッ化水素ガスによるエッチングを行う連続工程を1回あるいは2回以上実施することで、より一層確実にパーティクルPを除去することができる。
【選択図】図5
Description
基板を、表面が下を向くように保持部に保持する工程と、
基板の表面に酸化用のガスを供給して基板の表面を酸化する工程と、
前記保持部に保持された基板の下向きの表面にエッチングガスを供給して、前記工程により酸化された酸化膜をエッチングすることにより、基板の表面に付着している異物を酸化膜ごと除去する除去工程と、を含み、
この除去工程は、重力の作用に加えて、熱泳動力及び静電斥力の少なくとも一方を異物に作用させるために、基板を加熱する工程及び基板を帯電させる工程の少なくとも一方を併用して行われることを特徴とする。
エッチングマスクを用いて、真空雰囲気にてエッチングガスによりエッチングした後の基板の表面に付着している異物を除去する方法において、
前記エッチング後に真空を破らずに、前記基板を表面が下を向くように保持部に保持する工程と、
前記保持部に保持された基板の下向きの表面にエッチングガスを供給して、当該基板の表層部をエッチングすることにより、基板の表面に付着している異物を表層部ごと除去する除去工程と、を含み、
この除去工程は、重力の作用に加えて、熱泳動力及び静電斥力の少なくとも一方を異物に作用させるために、基板を加熱する工程及び基板を帯電させる工程の少なくとも一方を併用して行われることを特徴とする。
基板を、表面が下を向くように保持する保持部を内部に有する処理容器と、
前記保持部に保持された基板の表面を酸化するために酸化用のガスを供給する酸化用のガス供給部と、
前記酸化用のガスにより酸化された基板の表面を下向きのままエッチングして、基板の表面に付着している異物を酸化膜ごと除去するためにエッチングガスを基板の表面に供給するエッチングガス供給部と、
基板上の異物に熱泳動力を作用させるために基板を加熱する加熱機構及び基板上の異物に静電斥力を作用させるために基板を帯電させる帯電機構のうちの少なくとも一方と、を備えたことを特徴とする。
エッチング用の処理容器を有し、エッチングマスクを用いてエッチングガスにより基板の表面をエッチングするエッチングモジュールと、
前記エッチング用の処理容器に気密に接続され、基板を搬送する基板搬送機構を有する真空搬送室と、
この真空搬送室に気密に接続され、基板を、表面が下を向くように保持するための保持部を内部に有する洗浄用の処理容器と、
前記保持部に保持された基板の表面に付着している異物を表層部ごと除去するためにエッチングガスを基板の表面に供給するエッチングガス供給部と、
基板上の異物に熱泳動力を作用させるために基板を加熱する加熱機構及び基板上の異物に静電斥力を作用させるために基板を帯電させる帯電機構のうちの少なくとも一方と、を備えたことを特徴とする。
(1) 図10は、単結晶シリコン層81、シリコン酸化膜82、ポリシリコン層83をこの順に積層した積層構造体をシリコン窒化膜(SiN膜と略す)84をハードマスクとし、エッチングモジュール17にてエッチングして、積層構造体に凹部85を形成したウエハWの表面構造を示している。ポリシリコン層83及び単結晶シリコン層81をエッチングするガスとしては、例えば臭化水素と酸素の混合ガスを処理ガスとして用いている。また、シリコン酸化膜82をエッチングするガスとしては、例えばCF4、C2F4などのCF系ガスを用いている。洗浄処理前の時点で、凹部85の側壁には、エッチング時の副生成物としてシリコン酸化物の残渣物86及びフッ化炭素化合物87が図10のように積層して付着している。洗浄モジュール2では、既述のように表面(被処理面)が下向きとなるようにウエハWが保持反転機構6に保持され、フッ化水素ガスをウエハWの表面に供給することにより、前記副生成物であるシリコン酸化物86が除去され、このときに凹部85の側壁に付着しているパーティクルPやシリコン酸化物86の上に積層されているフッ化炭素化合物87も一緒に除去される。
(1)〜(3)について述べた各ウエハWに対して洗浄処理を行う場合においても、先の実施形態と同様に熱泳動や静電斥力を利用してもよいことは勿論である。
W 半導体ウエハ
P パーティクル
1 基板処理装置
10 制御部
11 大気搬送室
12 搬入出ステージ
13 アライメントモジュール
14 大気搬送室の搬送機構
15 ロードロック室
16 真空搬送室
17 エッチングモジュール
18 真空搬送室の搬送機構
2 洗浄モジュール
3 処理容器
31 搬入口
4 加熱機構
44 電極
45 給電線
5 真空ポンプ
51 排気口
52 排気管
6 保持反転機構
62 クランプ部材
63 回転軸
64 ガイド部材
67 回転機構
7 ガス供給部
71 ガス吹き付け孔
72 ガス供給管
76 フッ化水素ガス供給系
78 オゾンガス供給系
8 半導体ウエハに形成された酸化膜
Claims (9)
- 基板を、表面が下を向くように保持部に保持する工程と、
基板の表面に酸化用のガスを供給して基板の表面を酸化する工程と、
前記保持部に保持された基板の下向きの表面にエッチングガスを供給して、前記工程により酸化された酸化膜をエッチングすることにより、基板の表面に付着している異物を酸化膜ごと除去する除去工程と、を含み、
この除去工程は、重力の作用に加えて、熱泳動力及び静電斥力の少なくとも一方を異物に作用させるために、基板を加熱する工程及び基板を帯電させる工程の少なくとも一方を併用して行われることを特徴とする基板洗浄方法。 - 基板の表面を酸化する工程は、基板を、表面が下を向くように前記保持部に保持した状態で行われることを特徴とする請求項1記載の基板洗浄方法。
- エッチングマスクを用いて、真空雰囲気にてエッチングガスによりエッチングした後の基板の表面に付着している異物を除去する方法において、
前記エッチング後に真空を破らずに、前記基板を表面が下を向くように保持部に保持する工程と、
前記保持部に保持された基板の下向きの表面にエッチングガスを供給して、当該基板の表層部をエッチングすることにより、基板の表面に付着している異物を表層部ごと除去する除去工程と、を含み、
この除去工程は、重力の作用に加えて、熱泳動力及び静電斥力の少なくとも一方を異物に作用させるために、基板を加熱する工程及び基板を帯電させる工程の少なくとも一方を併用して行われることを特徴とする基板洗浄方法。 - 前記保持部に保持された基板は、エッチングマスクを用いてエッチングした後、さらに酸素を含むアッシングガスによりアッシングされたものであることを特徴とする請求項3記載の基板洗浄方法。
- 基板の表面にエッチングガスを供給して、当該基板の表層部をエッチングする工程の前に、基板の表面に酸化用のガスを供給して基板の表層部に酸化膜を形成する工程を行うことを特徴とする請求項3または4記載の基板洗浄方法。
- 酸化膜をエッチングすることにより、基板の表面に付着している異物を酸化膜ごと除去する工程の後、
基板の表面に酸化用のガスを再度供給して基板の表面を酸化する工程と、次いで下向きの基板の表面にエッチングガスを供給して、前記工程により酸化された酸化膜をエッチングすることにより、基板の表面に付着している異物を酸化膜ごと除去する工程と、を行うことを特徴とする請求項1、2または5記載の基板洗浄方法。 - 基板を、表面が下を向くように保持する保持部を内部に有する処理容器と、
前記保持部に保持された基板の表面を酸化するために酸化用のガスを供給する酸化用のガス供給部と、
前記酸化用のガスにより酸化された基板の表面を下向きのままエッチングして、基板の表面に付着している異物を酸化膜ごと除去するためにエッチングガスを基板の表面に供給するエッチングガス供給部と、
基板上の異物に熱泳動力を作用させるために基板を加熱する加熱機構及び基板上の異物に静電斥力を作用させるために基板を帯電させる帯電機構のうちの少なくとも一方と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - エッチング用の処理容器を有し、エッチングマスクを用いてエッチングガスにより基板の表面をエッチングするエッチングモジュールと、
前記エッチング用の処理容器に気密に接続され、基板を搬送する基板搬送機構を有する真空搬送室と、
この真空搬送室に気密に接続され、基板を、表面が下を向くように保持するための保持部を内部に有する洗浄用の処理容器と、
前記保持部に保持された基板の表面に付着している異物を表層部ごと除去するためにエッチングガスを基板の表面に供給するエッチングガス供給部と、
基板上の異物に熱泳動力を作用させるために基板を加熱する加熱機構及び基板上の異物に静電斥力を作用させるために基板を帯電させる帯電機構のうちの少なくとも一方と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記保持部は、前記真空搬送室内の前記基板搬送機構から受け取った基板を反転させる機構を備えていることを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010271827A JP2012124227A (ja) | 2010-12-06 | 2010-12-06 | 基板洗浄方法及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010271827A JP2012124227A (ja) | 2010-12-06 | 2010-12-06 | 基板洗浄方法及び基板処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015030555A Division JP2015099937A (ja) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | 基板洗浄方法及び基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012124227A true JP2012124227A (ja) | 2012-06-28 |
Family
ID=46505399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010271827A Pending JP2012124227A (ja) | 2010-12-06 | 2010-12-06 | 基板洗浄方法及び基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012124227A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019129246A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR20230024689A (ko) * | 2021-08-12 | 2023-02-21 | 한국원자력연구원 | 플라즈마 챔버 내 더스트 입자 제거 장치, 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치, 그리고 그 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02106927A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5403434A (en) * | 1994-01-06 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafer |
JP2003151959A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Sony Corp | レジスト除去装置およびレジスト除去方法 |
JP2005254186A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Sony Corp | 異物除去装置 |
JP2007235065A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008159892A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Univ Nagoya | パターン形成方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2010103444A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法及び装置 |
-
2010
- 2010-12-06 JP JP2010271827A patent/JP2012124227A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02106927A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5403434A (en) * | 1994-01-06 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafer |
JP2003151959A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Sony Corp | レジスト除去装置およびレジスト除去方法 |
JP2005254186A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Sony Corp | 異物除去装置 |
JP2007235065A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008159892A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Univ Nagoya | パターン形成方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2010103444A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法及び装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019129246A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7111472B2 (ja) | 2018-01-25 | 2022-08-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR20230024689A (ko) * | 2021-08-12 | 2023-02-21 | 한국원자력연구원 | 플라즈마 챔버 내 더스트 입자 제거 장치, 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치, 그리고 그 방법 |
KR102599026B1 (ko) * | 2021-08-12 | 2023-11-06 | 한국원자력연구원 | 플라즈마 챔버 내 더스트 입자 제거 장치, 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치, 그리고 그 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI645468B (zh) | 清洗方法及基板處理裝置 | |
JP2003273078A (ja) | プラズマ処理装置の洗浄方法、洗浄方法及びプラズマ処理装置 | |
US11784054B2 (en) | Etching method and substrate processing system | |
JP2011099156A (ja) | 搬送アームの洗浄方法、基板処理装置の洗浄方法及び基板処理装置 | |
JP5281811B2 (ja) | プラズマ処理用環状部品、プラズマ処理装置、及び外側環状部材 | |
KR100440380B1 (ko) | 드라이 세정장치 | |
JP4016598B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR102546756B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101008341B1 (ko) | 기판 배면 처리 장치 및 방법 | |
EP1237177A2 (en) | Apparatus and method for etching semiconductor wafers | |
TWI374475B (ja) | ||
JP2012124227A (ja) | 基板洗浄方法及び基板処理装置 | |
JPH07142438A (ja) | 洗浄装置、半導体製造装置及び半導体製造ライン | |
CN109727857B (zh) | 干法刻蚀方法 | |
JP2015099937A (ja) | 基板洗浄方法及び基板処理装置 | |
JP2009099957A (ja) | 表示用基板の製造方法および真空処理装置 | |
CN1734724A (zh) | 等离子体处理方法及后处理方法 | |
JP4299638B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TW202314849A (zh) | 用於減少背側顆粒之腔室製程 | |
TW202245075A (zh) | 熔融接合方法 | |
JP7311988B2 (ja) | 基板処理方法、半導体製造方法、および、基板処理装置 | |
KR102037902B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101934984B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP5179896B2 (ja) | 基板処理方法 | |
KR102083853B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140527 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140826 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141024 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141118 |