TWI633584B - 模片與模片基底、及壓印用模片基板之製造方法、壓印用模片之製造方法、及模片 - Google Patents

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Abstract

於用於將凹凸構造之轉印圖案轉印於被轉印基板之上之樹脂的壓印微影之模片與模片基底中，藉由於基部之主面之上形成第1階差構造，且於上述第1階差構造之上形成第2階差構造，並利用遮光膜覆蓋上述第1階差構造之上表面之上述第2階差構造之外側之區域而解決上述課題。

Description

模片與模片基底、及壓印用模片基板之製造方法、壓印用模片之製造方法、及模片
本發明係關於一種用於將微細之轉印圖案轉印於形成於被轉印基板上之樹脂的奈米壓印微影中之模片、及用於該模片之製造之模片基底。又，本發明係關於一種與用於將微細之轉印圖案轉印於形成於被轉印基板上之樹脂的奈米壓印微影中之模片相關，尤其是於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，且於上述第1階差構造之上表面之上具有遮光膜之壓印用模片基板之製造方法、壓印用模片之製造方法、及用於該等製造方法中之模片。
於半導體用元件製造等中，作為轉印形成微細之圖案之技術，已知有奈米壓印微影。 上述奈米壓印微影係如下技術，即，於使表面形成有微細之凹凸形狀之轉印圖案的壓印用之模片(亦稱為模型、壓模、模具)與形成於半導體晶圓等被轉印基板之上之樹脂接觸後，使上述樹脂硬化，而使上述模片之轉印圖案之凹凸形狀(更詳細而言，凹凸反轉形狀)轉印於上述樹脂。 作為該奈米壓印微影之方法，有藉由加熱而使樹脂硬化之熱壓印法、及藉由曝光而使樹脂硬化之光壓印法。於要求高對位精度之用途中，主要使用不受加熱所致之膨脹或收縮而影響之光壓印法(例如，專利文獻1、2)。 於用於如上所述之奈米壓印微影之模片中，以僅形成有凹凸形狀之轉印圖案之特定區域(稱為轉印圖案區域)與形成於被轉印基板之上之樹脂接觸之方式，於基部之主面之上設置台面狀之階差構造，而進行於該台面狀之階差構造之上表面形成轉印圖案之操作(例如，專利文獻3)。再者，於此種構成之模片中，台面狀之階差構造之上表面成為轉印圖案區域。 如上所述之台面狀之階差構造之階差(自基部之主面至階差構造之上表面為止之高度)由所用壓印裝置之機械精度等決定，典型而言，需要30 μm左右。 又，於奈米壓印微影中，隨著轉印圖案數之增加，模片與樹脂之密接面積增加，因此脫模時，需要對抗兩者間之摩擦力之力。尤其是半導體用途之轉印圖案，因其尺寸小，圖案密度高，故脫模時需要更大之力。 因此，提出了如下方法，即，於模片之背面側(與形成有轉印圖案之面為相反側)形成凹陷部，藉此將形成有轉印圖案之特定區域(包含轉印圖案區域之區域)之模片之厚度減薄而使其易於彎曲，脫模時使模片之轉印圖案區域向被轉印基板側呈凸狀彎曲，而自轉印區域之外緣部依序部分性地脫模(例如，專利文獻4)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特表2004-504718號公報 [專利文獻2]日本專利特開2002-93748號公報 [專利文獻3]日本專利特開2014-56893號公報 [專利文獻4]日本專利特表2009-536591號公報 [專利文獻5]日本專利特開2007-103924號公報
[發明所欲解決之問題] 於上述光壓印法中，為抑制壓印時使非轉印區域之樹脂出乎計劃地硬化，而提出了於模片之非圖案部(與轉印圖案區域不同之部位)設置遮光構件之方案(例如，專利文獻5)。 然而，通常難以實現例如，如專利文獻5之圖9(A)、7(B)、7(D)所示之於台面狀之階差構造之側面均勻地設置遮光構件之形態。於專利文獻5中，亦未詳細記載獲得如上述圖9(A)、7(B)、7(D)所示之形態之製造方法。 又，於如專利文獻5之圖9(C)所示之僅於基部之主面之上設置有遮光構件之形態中，例如，如上所述，於台面狀之階差構造之上表面與基部之主面之間存在30 μm左右之階差之情形時，自台面狀之階差構造與基部之主面相接之部位洩漏之曝光之光會對應於該階差之距離擴散而照射至樹脂，因此仍然會有計劃以外之部位之樹脂硬化之不良狀況。 尤其是，對於階差為30 μm左右之台面狀之階差構造之形成，若以乾式蝕刻形成則較費時間，因此通常藉由濕式蝕刻而形成，因此，台面狀之階差構造與基部之主面相接之部位之剖面形狀難以成為直角，而成為帶有弧度之形狀。而且，於該帶有弧度之形狀之部位(台面狀之階差構造與基部之主面相接之部位)，很難以與其他部位相同之膜厚形成遮光構件，從而曝光之光更易洩漏。 本發明係鑒於上述實際情況而完成者，其主要目的在於：提供一種可一面維持必要之轉印圖案區域之高度(與基部之主面相距之距離)，一面抑制壓印時曝光之光洩漏(向計劃以外之區域照射)之影響之模片與模片基底、及用以製造壓印用模片之壓印用模片基板之製造方法、壓印用模片之製造方法、及用於該等製造方法之模片。 [解決問題之技術手段] 即，本發明提供一種模片，其特徵在於：其係用於將凹凸構造之轉印圖案轉印於被轉印基板之上之樹脂之壓印微影者，且於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，於上述第2階差構造之上表面具有上述轉印圖案，且上述第1階差構造之上表面之上述第2階差構造之外側之區域被遮光膜所覆蓋。 又，本發明提供一種模片，其特徵在於：其係用於將凹凸構造之轉印圖案轉印於被轉印基板之上之樹脂之壓印微影者，且於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，於上述第2階差構造之上表面具有構成上述轉印圖案之第1凹凸構造體、及構成對準標記之第2凹凸構造體，上述第1階差構造之上表面之上述第2階差構造之外側之區域被遮光膜所覆蓋，且於上述遮光膜之上、及上述第2凹凸構造體之凹部之底面之上，形成有由與構成上述基部之材料不同之材料膜構成之高對比度膜。 又，於上述發明中，較佳為於將自上述基部之主面至上述第1階差構造之上之上述遮光膜之上表面為止的垂直方向之距離設為H1，將自上述基部之主面至上述第2階差構造之上表面的上述轉印圖案之凹部之底面為止的垂直方向之距離設為H2之情形時，成為H1＜H2之關係。 又，於上述發明中，較佳為於將自上述基部之主面至上述第1階差構造之上之上述遮光膜之上表面為止的垂直方向之距離設為H1，將自上述基部之主面至上述第2階差構造之上表面為止之垂直方向之距離設為H3，將自上述基部之主面之外緣至上述第1階差構造之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D1，將自上述基部之主面之外緣至上述第2階差構造之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D2之情形時，成為H1≦H3×(D1/D2)之關係。 又，於上述發明中，較佳為於上述基部之與主面為相反側之面，具有俯視下包含上述第2階差構造之凹陷部。 又，於上述發明中，較佳為上述凹陷部俯視下包含上述第1階差構造。 又，於上述發明中，較佳為上述遮光膜之於波長365 nm下之透過率為10%以下。 又，本發明提供一種模片基底，其特徵在於：其係用以製造用於將凹凸構造之轉印圖案轉印於被轉印基板之上之樹脂的壓印微影之模片者，且於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，且上述第1階差構造之上表面之上述第2階差構造之外側之區域被遮光膜所覆蓋。 又，於上述發明中，較佳為於將自上述基部之主面至上述第1階差構造之上之上述遮光膜之上表面為止的垂直方向之距離設為H1，將自上述基部之主面至上述第2階差構造之上表面為止之垂直方向之距離設為H4之情形時，成為H1＜H4之關係。 又，於上述發明中，較佳為於將自上述基部之主面至上述第1階差構造之上之上述遮光膜之上表面為止的垂直方向之距離設為H1，將自上述基部之主面至上述第2階差構造之上表面為止之垂直方向之距離設為H4，將自上述基部之主面之外緣至上述第1階差構造之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D1，將自上述基部之主面之外緣至上述第2階差構造之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D2之情形時，成為H1≦H4×(D1/D2)之關係。 又，於上述發明中，較佳為於上述基部之與主面為相反側之面，具有俯視下包含上述第2階差構造之凹陷部。 又，於上述發明中，較佳為上述凹陷部俯視下包含上述第1階差構造。 又，於上述發明中，較佳為上述遮光膜之於波長365 nm下之透過率為10%以下。 又，本發明提供一種壓印用模片基板之製造方法，其特徵在於：其係於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，且於上述第1階差構造之上表面之上具有遮光膜之壓印用模片基板之製造方法；該製造方法依序包括：具遮光材料層之多階模片基板準備步驟，其係準備具有上述第1階差構造及上述第2階差構造，且於上述第1階差構造之上表面之上及上述第2階差構造之上表面之上具有遮光材料層的具遮光材料層之多階模片基板；樹脂層形成步驟，其係於形成於上述第1階差構造之上表面之上的遮光材料層之上形成第1樹脂層，於形成於上述第2階差構造之上表面之上的遮光材料層之上形成厚度較上述第1樹脂層薄之第2樹脂層；第2樹脂層去除步驟，其係藉由乾式蝕刻，一面將上述第1樹脂層保留，一面將上述第2樹脂層去除；及遮光膜形成步驟，其係將殘存之上述第1樹脂層用作遮罩而對上述遮光材料層進行蝕刻，一面將形成於上述第1階差構造之上表面之上之遮光材料層保留，一面將形成於上述第2階差構造之上表面之上之遮光材料層去除；且上述樹脂層形成步驟包含樹脂厚度規定步驟，該樹脂厚度規定步驟係使用於與樹脂接觸之主面側具有凹部之樹脂厚度規定用之模片，將上述樹脂厚度規定用之模片之該凹部的外周部之上表面壓抵於第1樹脂，將上述樹脂厚度規定用之模片之凹部之底面壓抵於第2樹脂，上述第1樹脂係滴在形成於上述第1階差構造之上表面之上的遮光材料層之上者，上述第2樹脂係滴在形成於上述第2階差構造之上表面之上的遮光材料層之上者；且上述樹脂厚度規定用之模片之上述凹部之深度，小於自上述第1階差構造之上表面至上述第2階差構造之上表面為止之高度。 又，於上述發明中，較佳為上述樹脂層形成步驟包含：上述樹脂厚度規定步驟；及樹脂硬化步驟，其係於壓抵上述樹脂厚度規定用之模片之狀態下，藉由紫外線照射使上述第1樹脂及上述第2樹脂硬化而形成上述第1樹脂層及上述第2樹脂層。 又，於上述發明中，較佳為上述具遮光材料層之多階模片基板準備步驟依序包括：多階模片基板準備步驟，其係準備具有上述第1階差構造及上述第2階差構造之多階模片基板；及遮光材料層形成步驟，其係於上述第1階差構造之上表面之上、及上述第2階差構造之上表面之上形成遮光材料層。 又，於上述發明中，較佳為上述多階模片基板準備步驟依序包括：1階模片基板準備步驟，其係準備於上述基部之主面之上具有1階之階差構造之1階模片基板；蝕刻遮罩形成步驟，其係於上述1階模片基板之上述階差構造之上表面的成為轉印圖案區域之區域形成蝕刻遮罩；及多階化步驟，其係使用上述蝕刻遮罩對上述階差構造進行蝕刻，而形成下階之第1階差構造及上階之第2階差構造。 又，本發明提供一種壓印用模片之製造方法，其特徵在於：其係於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，於上述第1階差構造之上表面之上具有遮光膜，且於上述第2階差構造之上表面具有凹凸構造之轉印圖案之壓印用模片之製造方法；該製造方法依序包括：具遮光材料層之多階模片準備步驟，其係準備具有上述第1階差構造及上述第2階差構造，於上述第2階差構造之上表面具有凹凸構造之轉印圖案，且於上述第1階差構造之上表面之上及上述第2階差構造之上表面之上具有遮光材料層之具遮光材料層之多階模片；第1及第2樹脂層形成步驟，其係於形成於上述第1階差構造之上表面之上的遮光材料層之上形成第1樹脂層，於形成於上述第2階差構造之上表面之上的遮光材料層之上形成厚度較上述第1樹脂層薄之第2樹脂層；第2樹脂層去除步驟，其係藉由乾式蝕刻，一面將上述第1樹脂層保留，一面將上述第2樹脂層去除；及遮光膜形成步驟，其係將殘存之上述第1樹脂層用作遮罩而對上述遮光材料層進行蝕刻，一面將形成於上述第1階差構造之上表面之上之遮光材料層保留，一面將形成於上述第2階差構造之上表面之上之遮光材料層去除；且上述第1及第2樹脂層形成步驟包含第1及第2樹脂厚度規定步驟，該第1及第2樹脂厚度規定步驟係使用於與樹脂接觸之主面側具有凹部之第1及第2樹脂厚度規定用之模片，將上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之該凹部的外周部之上表面壓抵於第1樹脂，將上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之凹部之底面壓抵於第2樹脂，上述第1樹脂係滴在形成於上述第1階差構造之上表面之上的遮光材料層之上者，上述第2樹脂係滴在形成於上述第2階差構造之上表面之上的遮光材料層之上者；且上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之上述凹部之深度，小於自上述第1階差構造之上表面至上述第2階差構造之上表面為止之高度。 又，本發明提供一種壓印用模片之製造方法，其特徵在於：其係於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，於上述第1階差構造之上表面之上具有遮光膜，且於上述第2階差構造之上表面具有凹凸構造之轉印圖案之壓印用模片之製造方法；該製造方法依序包括：具遮光材料層之多階模片準備步驟，其係準備具有上述第1階差構造及上述第2階差構造，於上述第2階差構造之上表面具有構成上述轉印圖案之第1凹凸構造體、及構成對準標記之第2凹凸構造體，且於上述第1階差構造之上表面之上及上述第2階差構造之上表面之上具有遮光材料層之具遮光材料層之多階模片；第1及第2樹脂層形成步驟，其係於形成於上述第1階差構造之上表面之上的遮光材料層之上形成第1樹脂層，於形成於上述第2階差構造之上表面之上的遮光材料層之上形成厚度較上述第1樹脂層薄之第2樹脂層；第2樹脂層去除步驟，其係藉由乾式蝕刻，一面將上述第1樹脂層保留，一面將上述第2樹脂層去除；遮光膜形成步驟，其係將殘存之上述第1樹脂層用作遮罩而對上述遮光材料層進行蝕刻，一面將形成於上述第1階差構造之上表面之上之遮光材料層保留，一面將形成於上述第2階差構造之上表面之上之遮光材料層去除，藉此於上述第1階差構造之上表面之上形成遮光膜；高對比度層形成步驟，其係於上述遮光膜之上、上述第1凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上、以及上述第2凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上形成高對比度層；第3～第5樹脂層形成步驟，其係於形成於上述遮光膜之上之上述高對比度層之上形成第3樹脂層，於形成於上述第1凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上的上述高對比度層之上形成膜厚較上述第3樹脂層薄之第4樹脂層，於形成於上述第2凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上的上述高對比度層之上形成膜厚較上述第4樹脂層厚之第5樹脂層；第4樹脂層去除步驟，其係藉由乾式蝕刻，一面將上述第3樹脂層及上述第5樹脂層保留，一面將上述第4樹脂層去除；及高對比度膜形成步驟，其係將殘存之上述第3樹脂層及上述第5樹脂層用作遮罩而對上述高對比度層進行蝕刻，一面將形成於上述遮光膜之上、及上述第2凹凸構造體之凹部之底面之上的上述高對比度層保留，一面將形成於上述第1凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上、及上述第2凹凸構造體之凸部之上表面之上的上述高對比度層去除；且上述第1及第2樹脂層形成步驟包含第1及第2樹脂厚度規定步驟，該第1及第2樹脂厚度規定步驟係使用於與樹脂接觸之主面側具有凹部之第1及第2樹脂厚度規定用之模片，將上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之該凹部的外周部之上表面壓抵於第1樹脂，將上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之凹部之底面壓抵於第2樹脂，上述第1樹脂係滴在形成於上述第1階差構造之上表面之上的遮光材料層之上者，上述第2樹脂係滴在形成於上述第2階差構造之上表面之上的遮光材料層之上者；且上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之上述凹部之深度，小於自上述第1階差構造之上表面至上述第2階差構造之上表面為止之高度；上述第3～第5樹脂層形成步驟包含第3～第5樹脂厚度規定步驟，該第3～第5樹脂厚度規定步驟係使用於與樹脂接觸之主面側具有凹部，且具有形成於上述凹部之底面側之凹陷的第3～第5樹脂厚度規定用之模片，將上述第3～第5樹脂厚度規定用之模片的凹部之外周部之上表面壓抵於第3樹脂，將上述第3～第5樹脂厚度規定用之模片之凹部之底面壓抵於第4樹脂、及第5樹脂，將上述凹陷之底面壓抵於上述第5樹脂，上述第3樹脂係滴在形成於上述遮光膜之上之上述高對比度層之上者，上述第4樹脂係滴在形成於上述第1凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上的上述高對比度層之上者，上述第5樹脂係滴在形成於上述第2凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上的上述高對比度層之上者；且上述第3～第5樹脂厚度規定用之模片之上述凹部的除上述凹陷以外之部分之深度，小於自形成於上述遮光膜之上之上述高對比度層之上表面至形成在上述第1凹凸構造體之凹部之底面之上的上述高對比度層之上表面為止之高度。 又，於上述發明中，較佳為上述第1及第2樹脂層形成步驟包含：上述第1及第2樹脂厚度規定步驟；以及第1及第2樹脂硬化步驟，其係於壓抵上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之狀態下，藉由紫外線照射使上述第1樹脂及上述第2樹脂硬化而形成上述第1樹脂層及上述第2樹脂層。 又，於上述發明中，較佳為上述具遮光材料層之多階模片準備步驟包含：多階模片準備步驟，其係準備具有上述第1階差構造及上述第2階差構造，且於上述第2階差構造之上表面具有上述轉印圖案之多階模片；及遮光材料層形成步驟，其係於上述第1階差構造之上表面之上、及上述第2階差構造之上表面之上形成遮光材料層。 又，於上述發明中，較佳為上述多階模片準備步驟依序包括：1階模片準備步驟，其係準備於上述基部之主面之上具有1階之階差構造，且於上述階差構造之上表面具有上述轉印圖案之1階模片；蝕刻遮罩形成步驟，其係於上述1階模片之上述階差構造之上表面之形成有上述轉印圖案之區域，形成蝕刻遮罩；及多階化步驟，其係使用上述蝕刻遮罩對上述階差構造進行蝕刻，而形成下階之第1階差構造及上階之第2階差構造。 又，於上述發明中，較佳為上述具遮光材料層之多階模片準備步驟依序包括：多階模片準備步驟，其係準備具有上述第1階差構造及上述第2階差構造，且於上述第2階差構造之上表面具有上述轉印圖案之多階模片；及遮光材料層形成步驟，其係於上述第1階差構造之上表面之上、及上述第2階差構造之上表面之上形成遮光材料層；且上述多階模片準備步驟依序包括：1階模片基板準備步驟，其係準備於上述基部之主面之上具有1階之階差構造之1階模片基板；蝕刻遮罩形成步驟，其係於上述1階模片基板之上述階差構造之上表面的成為上述轉印圖案之區域形成蝕刻遮罩；多階化步驟，其係使用上述蝕刻遮罩對上述階差構造進行蝕刻，而形成下階之第1階差構造及上階之第2階差構造；及轉印圖案形成步驟，其係於上述第2階差構造之上表面形成上述轉印圖案。 又，本發明提供一種模片，其特徵在於：於與樹脂接觸之主面側具有凹部。 又，本發明提供一種模片，其特徵在於：於與樹脂接觸之主面側具有凹部，且具有形成於上述凹部之底面側之凹陷。 又，於上述發明中，較佳為於上述主面側具有對位用之標記。 又，於上述發明中，較佳為於上述主面側具有對位用之標記，上述對位用之標記係於上述主面側形成於上述凹部之外側之凹陷，且形成於上述凹部之底面側之凹陷之深度，與形成於上述凹部之外側之凹陷之深度相同。 又，於上述發明中，較佳為上述凹部之底面尺寸係10 mm ×10 mm 以上且70 mm ×70 mm 以下。 又，於上述發明中，較佳為上述凹部之深度係0.3 μm以上且10 μm以下。 又，於上述發明中，較佳為上述模片用於上述壓印用模片基板之製造方法，且上述凹部之深度小於上述壓印用模片基板之自第1階差構造之上表面至2階差構造之上表面為止之高度。 又，於上述發明中，較佳為上述凹部之底面具有內含上述壓印用模片基板之第2階差構造之上表面之大小。 又，於上述發明中，較佳為被上述凹部之外周部之上表面之外緣所包圍之區域與上述壓印用模片基板之被第1階差構造之上表面之外緣所包圍之區域具有相同之形狀且具有相同之面積，或具有內含上述壓印用模片基板之被第1階差構造之上表面之外緣所包圍之區域之大小。 又，於上述發明中，較佳為上述模片用於上述壓印用模片之製造方法，且上述凹部之深度小於上述壓印用模片之自第1階差構造之上表面至2階差構造之上表面為止之高度。 又，於上述發明中，較佳為上述凹部之底面具有內含上述壓印用模片之第2階差構造之上表面之大小。 進而，於上述發明中，較佳為被上述凹部之外周部之上表面之外緣所包圍之區域與上述壓印用模片之被第1階差構造之上表面之外緣所包圍之區域具有相同之形狀且具有相同之面積，或具有內含上述壓印用模片之被第1階差構造之上表面之外緣所包圍之區域之大小。 [發明之效果] 於本發明之模片中，可一面維持必要之轉印圖案區域之高度(與基部之主面相距之距離)，一面抑制壓印時曝光之光洩漏(向計劃以外之區域照射)之影響。 又，藉由使用本發明之模片基底，可容易地製造如上所述之模片。 根據本發明之壓印用模片基板之製造方法，可將於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，且於上述第1階差構造之上表面之上具有遮光膜之壓印用模片基板以於上述遮光膜不產生缺損部及薄膜部之狀態製造。 又，根據本發明之壓印用模片之製造方法，可將於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，於上述第1階差構造之上表面之上具有遮光膜，且於上述第2階差構造之上表面具有凹凸構造之轉印圖案之壓印用模片以於上述遮光膜不產生缺損部及薄膜部之狀態製造。 而且，於藉由本發明之壓印用模片之製造方法而製造出之壓印用模片中，可一面維持必要之轉印圖案區域之高度(與基部之主面相距之距離)，一面抑制壓印時曝光之光洩漏(向計劃以外之區域照射)之影響。 又，藉由使用利用本發明之壓印用模片基板之製造方法而製造出之壓印用模片基板，可容易地製造如上所述之壓印用模片。
以下，使用圖式對本發明之模片與模片基底、及本發明之壓印用模片基板之製造方法、壓印用模片之製造方法、及模片進行詳細說明。 I.模片與模片基底 使用圖式對本發明之模片與模片基底進行詳細說明。 ＜模片＞ 首先，對本發明之模片進行說明。 本發明之模片大致分為第1實施形態與第2實施形態。以下，對第1實施形態及第2實施形態進行說明。 A.第1實施形態 首先，對第1實施形態之模片進行說明。圖1係對第1實施形態之模片之構成例進行說明之圖。 例如，如圖1所示，模片1係於基部10之主面11之上具有第1階差構造21，於第1階差構造21之上具有第2階差構造22，於第2階差構造22之上表面具有轉印圖案23，且第1階差構造21之上表面之第2階差構造22之外側之區域被遮光膜31所覆蓋。 再者，於模片1中，第2階差構造22之上表面成為轉印圖案區域。 因具有如上所述之構成，故模片1可一面維持必要之轉印圖案區域之高度(與基部10之主面11相距之距離)，一面抑制壓印時曝光之光洩漏(向計劃以外之區域照射)之影響。 例如，藉由將圖1所示之模片1之第1階差構造21之階差與第2階差構造22之階差合計所得之高度(H2)設定為30 μm左右，模片1可將轉印圖案區域之高度(與基部10之主面11相距之距離)維持於必要之高度。 又，因模片1於第1階差構造21之上表面具有遮光膜31，故與如先前般僅於基部10之主面11之上設置有遮光構件之形態(例如，專利文獻5之圖7(C))相比，遮光膜31存在於與轉印圖案區域即第2階差構造22之上表面在垂直方向(圖中之Z方向)更為接近之距離處。因此，可抑制壓印時曝光之光洩漏(向計劃以外之區域照射)之影響。 關於該作用效果，將使用圖3、圖12進行詳細說明。在此之前，首先，使用圖2對利用模片1而實施之壓印例進行說明。 圖2係對第1實施形態之模片之使用例進行說明之圖。 例如，如圖2所示，於使用模片1對藉由光壓印法而形成於被轉印基板50之上之光硬化性樹脂60之轉印區域61進行圖案轉印之情形時，需避免對光硬化性樹脂60之非轉印區域62照射曝光之光(例如，波長365 nm之紫外光)。其目的在於：防止使非轉印區域62之光硬化性樹脂60出乎計劃地硬化。 此處，通常，於搭載模片1之壓印裝置中，會設置有曝光區域成為開口部之俯視框狀之遮光板，以達到抑制曝光之光照射至計劃以外之區域之目的。 例如，於圖2所示之例中，設置有遮光板70，藉此將照射曝光之光之區域規定於與遮光板70之開口部對應之照射區域90。換言之，較照射區域90靠外側之曝光之光83被遮光板70遮擋，而不會照射至光硬化性樹脂60。 但由於與被轉印基板50之上之光硬化性樹脂60相距較遠(例如，模片1介置於中間)等原因，僅僅利用該遮光板70，很難以較高位置精度避免對光硬化性樹脂60之非轉印區域62照射曝光之光。 因此，將遮光板70之形狀精度及位置精度亦考慮在內，由遮光板70所規定之照射區域90通常設計為較光硬化性樹脂60之轉印區域61大。即，如圖2所示，照射區域90除包含大小與光硬化性樹脂60之轉印區域61對應之照射區域91以外，亦包含原本無需之照射區域92。 因此，於模片1中，如圖2所示，藉由形成於第1階差構造21之上表面之上之遮光膜31而遮擋上述照射區域92之曝光之光82。藉此，對被轉印基板50之上之光硬化性樹脂60，原則上僅照射大小與轉印區域61對應之照射區域91之曝光之光81。 再者，在搭載於如上所述具備對曝光之光之照射區域90加以限制的遮光板70之壓印裝置上之模片1中，無需如圖1、2所示，使形成於第1階差構造21之上表面之遮光膜31以覆蓋自第2階差構造22與第1階差構造21之上表面相接之部位(即，第2階差構造22之底部外緣)至第1階差構造21之上表面之外緣為止的全部區域之方式形成，而只要將其形成於遮擋曝光之光82所需之區域即可。 更具體而言，於模片1中，形成於第1階差構造21之上表面之遮光膜31只要以至少覆蓋自第2階差構造22與第1階差構造21之上表面相接之部位(即，第2階差構造22之底部外緣)至相當於圖2所示之照射區域90之區域的第1階差構造21之上表面之外緣為止的方式形成即可。 但若為如下形態，即，如圖1所示之模片1般，形成於第1階差構造21之上表面之遮光膜31以覆蓋自第2階差構造22與第1階差構造21之上表面相接之部位(即，第2階差構造22之底部外緣)至第1階差構造21之上表面之外緣為止的全部區域之方式形成；則即便圖2所示之遮光板70之形狀精度或位置精度較低，亦可更切實地防止使非轉印區域62之光硬化性樹脂60出乎計劃地硬化。 其次，使用圖3、圖12對上述壓印時曝光之光洩漏之影響更詳細地進行說明。 此處，圖3係對第1實施形態之模片之作用效果進行說明之圖，(a)表示第1實施形態之模片之概略剖視圖，(b)表示對(a)所示之區域R2內的曝光之光L1之洩漏狀態進行說明之概略放大圖。又，圖12係對先前之模片之不良狀況進行說明之圖，(a)表示先前之模片之概略剖視圖，(b)表示對(a)所示之區域R102內的曝光之光L2之洩漏狀態進行說明之概略放大圖。 首先，使用圖12，對先前之模片之壓印時曝光之光洩漏之影響進行說明。 如圖12(a)所示，於具有如下形態之先前之模片101中，即，於基部110之主面111之上具有階差構造121，於該階差構造121之上表面具有轉印圖案122，且基部110之主面111之階差構造121之外側之區域被遮光膜131所覆蓋；階差構造121之上表面(轉印圖案區域)與基部110之主面111(更準確而言，遮光膜131之上表面)之間相距距離H101。 該距離H101由所用壓印裝置之機械精度等決定，典型而言為30 μm左右。 因此，如圖12(b)所示，自階差構造121與基部110之主面111相接之部位洩漏之曝光之光L2對應於距離H101作為繞射光而擴散，於階差構造121之上表面(轉印圖案區域)之高度位置，有使相當於A2之區域之樹脂硬化之不良狀況。 進而，對於要求階差(大致相當於H101)為30 μm左右之階差構造121，若以乾式蝕刻進行製造則較費時間，因此通常藉由濕式蝕刻而形成。 因此，階差構造121與基部110之主面111相接之部位之剖面形狀難以成為直角，而如圖12(b)所示，易於成為帶有弧度之形狀。 而且，於該帶有弧度之形狀之部位(階差構造121與基部110之主面111相接之部位)，很難以與其他部位相同之膜厚形成遮光膜131，從而曝光之光更易洩漏。例如，於圖12(b)所示之例中，在相當於A3之區域，很難以與其他部位相同之膜厚形成遮光膜131。 再者，如圖12(b)所示，射向階差構造121之側面之曝光之光L3原則上全反射，因此可認為非轉印區域62之光硬化性樹脂60由於該曝光之光L3而出乎計劃地硬化之不良狀況原則上不會發生。 例如，可作為模片之材料而較佳地使用之合成石英的於波長365 nm之折射率為1.47左右，若將空氣之折射率設為1.0，則入射角θ為43度以上之曝光之光L3全反射，而不會自階差構造121之側面出射。 其次，使用圖3，對第1實施形態之模片之壓印時曝光之光洩漏之影響進行說明。 如圖3(a)所示，於具有如下形態之第1實施形態之模片1中，即，於基部10之主面11之上具有第1階差構造21，於第1階差構造21之上具有第2階差構造22，於第2階差構造22之上表面具有轉印圖案23，且第1階差構造21之上表面之第2階差構造22之外側之區域被遮光膜31所覆蓋；第2階差構造22之上表面(更準確而言，轉印圖案23之凹部之底面)與第1階差構造21之上表面(更準確而言，遮光膜31之上表面)之間相距距離(H2－H1)。 再者，於模片1中，根據所用壓印裝置之機械精度等而被認為必要之30 μm左右之高度承載著第1階差構造21之階差與第2階差構造22之階差合計所得之高度(H2)。 因此，如圖3(b)所示，儘管自第2階差構造22與第1階差構造21之上表面相接之部位洩漏之曝光之光L1對應於距離(H2－H1)作為繞射光而擴散，但由於距離(H2－H1)可小於圖12(b)所示之距離H101(30 μm左右)，故而該擴散亦可抑制得較小。 因此，於第2階差構造22之上表面(轉印圖案區域)之高度位置，有樹脂硬化之虞之區域(相當於圖3(b)所示之A1)亦可小於相當於圖12(b)所示之A2之區域。 進而，關於階差大致成為(H2－H1)之第2階差構造22，例如，若該階差為數μm以下，則即便以乾式蝕刻形成，時間上亦充分。 而且，藉由以乾式蝕刻形成，第2階差構造22與第1階差構造21之上表面相接之部位之剖面形狀如圖3(b)所示，較圖12(b)所示之帶有弧度之形狀更可形成為直角。 因此，即便於第2階差構造22與第1階差構造21之上表面相接之部位，亦易於以與其他部位相同之膜厚形成遮光膜31，從而更易抑制曝光之光L1之洩漏。 再者，關於階差大致成為H1之第1階差構造21，只要如先前般，藉由濕式蝕刻形成即可。 於該情形時，第1階差構造21與基部10之主面11相接之部位之剖面形狀與圖12(b)所示之例同樣地，易於成為帶有弧度之形狀，但於第1實施形態中，曝光之光之遮蔽係由形成於第2階差構造22之上表面之遮光膜31所負責，因此遮光膜31之效果不會因該帶有弧度之形狀而受損。 上述距離(H2－H1)之值只要較根據所用壓印裝置之機械精度等而被認為必要之高度(典型而言為30 μm左右)小，便可加以應用，但如上所述，在抑制壓印時曝光之光洩漏(向計劃以外之區域照射)之影響之目的下，該值越小越有效。 另一方面，在防止壓印時形成於被轉印基板50之上之光硬化性樹脂60附著於遮光膜31之目的下，如圖2所示，於遮光膜31之上表面(於圖2中為朝下之方向)與轉印圖案23之凹部之底面(於圖2中與光硬化性樹脂60之上表面位置相同)之間，有間隙(空間)為佳。 換言之，較佳為如圖1所示，於將自基部10之主面11至第1階差構造21之上之遮光膜31之上表面為止的垂直方向之距離設為H1，將自基部10之主面11至第2階差構造22之上表面的轉印圖案23之凹部之底面為止的垂直方向之距離設為H2之情形時，成為H1＜H2之關係。 作為滿足抑制壓印時曝光之光洩漏之影響之目的、及防止壓印時光硬化性樹脂附著於遮光膜31之目的此兩者之範圍，例如，上述距離(H2－H1)之值可設定於1 μm以上且5 μm以下之範圍內。 又，於模片1中，較佳為如圖4所示，在將自基部10之主面11至第1階差構造21之上之遮光膜31之上表面為止的垂直方向之距離設為H1，將自基部10之主面11至第2階差構造22之上表面為止之垂直方向之距離設為H3，將自基部10之主面11之外緣至第1階差構造21之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D1，將自基部10之主面11之外緣至第2階差構造22之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D2之情形時，成為H1≦H3×(D1/D2)之關係。 再者，圖4係對第1實施形態之模片之各階差構造之位置關係進行說明之圖，相當於圖1中以虛線圓表示之R1之主要部分放大圖。 於滿足此種關係之情形時，如圖4所示，第1階差構造21之上之遮光膜31之外緣E2存在於較將基部10之主面11之外緣E1與第2階差構造22之上表面之外緣E3連接之虛線更靠內側(模片1側)。 其原因在於：因該緣故，在進行如圖2所示之壓印時，即便模片1(更準確而言，模片1之第2階差構造22之上表面)相對於被轉印基板50(更準確而言，相對於形成於被轉印基板50之上之光硬化性樹脂60)並非水平地對向而是具有傾斜度地相接，亦可防止外緣E2(進而，第1階差構造21之上之遮光膜31)與被轉印基板50(更準確而言，形成於被轉印基板50之上之光硬化性樹脂60)接觸。 又，於模片1中，較佳為如圖1所示，於基部10之與主面11為相反側之面(背面12)具有俯視下包含第2階差構造22之凹陷部40。其原因在於：易於實施脫模等步驟。 更詳細而言，其原因在於：藉由將形成有轉印圖案23之區域(轉印圖案區域)之模片1之厚度減薄而使其易於彎曲，可於脫模時，使模片1之轉印圖案區域向被轉印基板側呈凸狀彎曲，而自形成於被轉印基板50之上的光硬化性樹脂60之轉印區域61之外緣部依序部分性地脫模。 進而，凹陷部40較佳為如圖1所示俯視下包含第1階差構造21。其原因在於：可防止在上述彎曲時形成於第1階差構造21之上表面之遮光膜31剝落等不良狀況。 對上述內容更詳細地進行說明，凹陷部40之內側因模片1之厚度較薄故在上述彎曲時易於變形，相對地凹陷部40之外側因模片1之厚度較厚故在上述彎曲時難以變形。 因此，於俯視下第1階差構造21不包含於凹陷部40之情形時，換言之，於俯視下第1階差構造21不僅存在於凹陷部40之內側亦存在於凹陷部40之外側之情形時，第1階差構造21具有易於變形之區域(即，凹陷部40之內側)與難以變形之區域(即，凹陷部40之外側)之交界。 而且，於該交界處，有如下之虞，即，因在上述彎曲時應力集中，故於反覆實施壓印之過程中，形成於第1階差構造21之上表面之遮光膜31剝落，而成為缺陷之源。 因此，為避免此種交界形成於第1階差構造21，而設定為如圖1所示，凹陷部40俯視下包含第1階差構造21之形態。 其次，對構成模片1之材料進行說明。 構成模片1之主要材料、即構成基部10、第1階差構造21、第2階差構造22、及轉印圖案23之材料係可用於光壓印法，且可透過壓印時之曝光之光者。 該曝光之光一般可使用波長200 nm～400 nm之範圍(尤其是300 nm～380 nm之範圍)內之紫外光。 作為上述材料，例如，可列舉石英玻璃、耐熱玻璃、氟化鈣(CaF2 )、氟化鎂(MgF2 )、及丙烯酸玻璃等透明材料、或該等透明材料之積層構造物。尤其是合成石英，因剛性高，熱膨脹係數低，且於一般所用波長即300 nm～380 nm之範圍內透過率佳，故較為合適。 再者，通常，在用於奈米壓印微影之模片中，構成基部之主要材料與構成具有轉印圖案之階差構造之主要材料係同一材料，於模片1中，亦為第1階差構造21及具有轉印圖案23之第2階差構造22係由與基部10相同之材料所構成。 作為構成遮光膜31之材料，例如，可列舉包含金屬材料及其氧化物、氮化物、氮氧化物等中之1種以上者。作為上述金屬材料之具體例，例如，可列舉鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)、鋯(Zr)、鈦(Ti)等。 此處，為防止曝光之光之照射，遮光膜31較佳為於波長365 nm下之透過率為10%以下。 例如，於使用鉻(Cr)作為構成遮光膜31之材料之情形時，該遮光膜31之膜厚只要為15 nm以上即可。 再者，第1實施形態之壓印用模片之轉印圖案既可為線與間隙圖案，又，亦可為柱形圖案。作為一例，關於該轉印圖案之大小，於為線與間隙圖案之情形時，線寬係30 nm左右，且其高度係60 nm左右。又，於為柱形圖案之情形時，直徑係50 nm左右，且其高度係60 nm左右。 再者，俯視模片1之情形時之第1階差構造21或第2階差構造22之縱向寬度及橫向寬度只要為滿足上述條件之寬度即可，並不加以特別限定，縱向寬度及橫向寬度既可相同亦可不同。 B.第2實施形態 其次，對第2實施形態之模片進行說明。圖5係對第2實施形態之模片之構成例進行說明之圖。 例如，如圖5所示，模片1係於基部10之主面11之上具有第1階差構造21，於第1階差構造21之上具有第2階差構造22，於第2階差構造22之上表面具有轉印圖案23，且第1階差構造21之上表面之第2階差構造22之外側之區域被遮光膜31所覆蓋。 模片1於第2階差構造22之上表面，具有構成轉印圖案23之第1凹凸構造體22a、及構成對準標記之第2凹凸構造體22b。於遮光膜31之上、及第2凹凸構造體22b之凹部之底面之上，形成有由與構成基部10之材料不同之材料膜構成之高對比度膜32。 再者，高對比度膜32形成於第2凹凸構造體22b之凹部之下側。又，於模片1中，第2凹凸構造體22b之上表面成為轉印圖案區域。 因具有如上所述之構成，故模片1與圖1所示之模片1同樣地，可一面維持必要之轉印圖案區域之高度(與基部10之主面11相距之距離)，一面抑制壓印時曝光之光洩漏(向計劃以外之區域照射)之影響。 又，於如上所述之構成中，在構成對準標記之第2凹凸構造體22b的凹部之底面之上形成有上述高對比度膜32，且第1階差構造21之上表面之第2階差構造22之外側之區域依序積層有上述遮光膜31與高對比度膜32。因此，於圖5所示之模片1中，可滿足提高對位時之對準標記之對比度、及防止壓印時光向計劃以外之區域照射此兩個要求。又，依序積層有遮光膜31與高對比度膜32之積層構造之遮光性與僅設有圖1所示之遮光膜31時之遮光性相比更高，故而例如可較圖1所示之模片1更有效地遮擋圖2所示之原本無需的照射區域92之曝光之光82。 另一方面，於圖5所示之模片1中，與圖1所示之模片1之遮光膜31之上表面與轉印圖案23之凹部之底面之間同樣地，在形成於遮光膜31之上之高對比度膜32之上表面與轉印圖案23之凹部之底面之間，有間隙(空間)為佳。 換言之，較佳為如圖5所示，於將自基部10之主面11至形成於遮光膜31之上之高對比度膜32之上表面為止的垂直方向之距離設為H11，將自基部10之主面11至第2階差構造22之上表面的轉印圖案23之凹部之底面為止的垂直方向之距離設為H12之情形時，成為H11＜H12之關係。 又，於圖5所示之模片1中，作為滿足抑制壓印時曝光之光洩漏之影響之目的、及防止壓印時光硬化性樹脂附著於遮光膜31之目的此兩者之範圍，例如，轉印圖案23之凹部之底面與形成於遮光膜31之上之高對比度膜32的上表面之間之距離(H12-H11)的值可設定於1 μm以上且5 μm以下之範圍內。 又，於圖5所示之模片1中，基於與圖1所示之模片1之H1與H3之關係相同之理由，較佳為在將自基部10之主面11至形成於遮光膜31之上之高對比度膜32之上表面為止的垂直方向之距離設為H11，將自基部10之主面11至第2階差構造22之上表面為止之垂直方向之距離設為H13，將自基部10之主面11之外緣至第1階差構造21之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D11，將自基部10之主面11之外緣至第2階差構造22之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D12之情形時，成為H11≦H13×(D11/D12)之關係。 又，於圖5所示之模片1中，基於與圖1所示之模片1相同之理由，較佳為在基部10之與主面11為相反側之面(背面12)具有俯視下包含第2階差構造22之凹陷部40。 進而，基於與圖1所示之模片1相同之理由，凹陷部40較佳為俯視下包含第1階差構造21。 其次，對構成轉印圖案23之第1凹凸構造體22a與構成對準標記之第2凹凸構造體22b之深度關係進行說明。 圖6係對第2實施形態之模片之主要部分之一例進行說明之圖。 於圖5所示之模片1中，較佳為如圖6所示，在將自第1凹凸構造體22a之凸部之上表面至凹部之底面為止之距離設為D13，將自第2凹凸構造體22b之凸部之上表面至凹部之底面之上的高對比度膜32之上表面為止之距離設為D14之情形時，滿足D13≦D14之關係。 其原因在於：若為此種構成，則於製造本發明之壓印用模片時，可進一步加厚殘留於第2凹凸構造體22b之凹部之底面之上的高對比度膜32之上、作為蝕刻遮罩之樹脂層(圖38(j)所示之形成於第2凹凸構造體22b之凹部之底面之上的第5樹脂層55)之膜厚，從而可更切實地防止蝕刻時第2凹凸構造體22b之凹部之底面之上的高對比度膜32消失之不良狀況。 如上所述之形態例如可藉由日本專利特願2014-193694號中所記載之方法而獲得。 即，可藉由如下方式而獲得：於下述本發明之壓印用模片之製造方法中，在將形成第1凹凸構造體22a與第2凹凸構造體22b時成為蝕刻遮罩之硬質遮罩圖案形成後，於藉由樹脂層覆蓋用以形成第1凹凸構造體22a之硬質遮罩圖案區域之狀態下，對第2凹凸構造體22b進行半蝕刻，其後，將上述樹脂層去除，而蝕刻形成第1凹凸構造體22a及第2凹凸構造體22。 其次，對構成圖5所示之模片1之材料及各膜之膜厚進行說明。 構成圖5所示之模片1之主要材料、即構成基部10、第1階差構造21、及第2階差構造22之材料與圖1所示之模片1相同，故而此處省略說明。又，構成圖5所示之模片1之第1凹凸構造體22a及第2凹凸構造體22b之材料與構成圖1所示之模片1之轉印圖案23之材料相同，故而此處省略說明。 作為構成遮光膜31之材料，只要為與構成基部10之材料不同、具有遮光性者，便可加以使用。例如，可使用與圖1所示之模片1之遮光膜31相同之材料。 此處，為防止曝光之光之照射，遮光膜31較佳為於波長365 nm下之透過率為10%以下。 例如，於使用鉻(Cr)作為構成遮光膜31之材料之情形時，遮光膜31之膜厚只要為15 nm以上即可。其中以35 nm～1000 nm之範圍內尤其是55 nm～1000 nm之範圍內為佳。其原因在於：藉由使遮光膜31之膜厚較該等範圍之下限厚，於波長365 nm下之透過率成為1%以下，於波長365 nm下之透過率成為0.1%以下，藉由使遮光膜31之膜厚較該等範圍之上限薄，可避免膜剝落。 作為構成高對比度膜32之材料，只要為折射率與構成基部10之材料不同、對於對準光具有遮光性者，便可加以使用。例如，可使用與圖1所示之模片1之遮光膜31相同之材料。 高對比度膜32之膜厚只要為可滿足對位時之對準標記之對比度要求及遮光性要求之膜厚即可，並不加以特別限定，於下述具有高對比度膜之壓印用模片之製造方法中，較佳為形成儘量厚之高對比度膜32，藉此製造儘量厚之壓印用模片。其原因在於：藉此，對準標記之對比度提高。 由於第1凹凸構造體22a及第2凹凸構造體22b之構造上、及製作上之限制，高對比度膜32之膜厚無法大幅變化，但遮光膜31之膜厚可大福變化。於由遮光膜31與高對比度膜32重疊而形成之第1階差構造21上，較佳為以獲得滿足遮光要求之膜厚之方式調整遮光膜31之膜厚。 再者，第2實施形態之壓印用模片之轉印圖案與第1實施形態之壓印用模片之轉印圖案相同，故而此處省略說明。 ＜模片基底＞ 其次，對本發明之模片基底進行說明。圖7係對本發明之模片基底之構成例進行說明之圖。 例如，如圖7所示，模片基底2係於基部10之主面11之上具有第1階差構造21，於第1階差構造21之上具有第2階差構造22，且第1階差構造21之上表面之第2階差構造22之外側之區域被遮光膜31所覆蓋。 模片基底2係用以製造模片1之模片基底，例如，可藉由於模片基底2之第2階差構造22之上表面形成凹凸構造之轉印圖案23，而製造如圖1所示之模片1。 而且，如上所述，於模片1中，可一面維持必要之轉印圖案區域之高度，一面抑制壓印時曝光之光洩漏(向計劃以外之區域照射)之影響。 此處，圖7所示之模片基底2之自基部10之主面11至第2階差構造22之上表面為止之垂直方向之距離H4相當於圖1所示之模片1之距離H2加上轉印圖案23之凸部之高度所得者。 其中，距離H2係30 μm左右，相對地轉印圖案23之凸部之高度係60 nm左右(30 μm之1/500左右)，因此圖7所示之距離H4可視為與圖1所示之距離H2大致相同之值。 圖7所示之模片基底2中之距離(H4－H1)之值與圖1所示之模片1中之距離(H2－H1)同樣地，只要較根據所用壓印裝置之機械精度等而被認為必要之高度(典型而言為30 μm左右)小，便可加以應用，但如上所述，在抑制壓印模片1時曝光之光洩漏之影響之目的下，該值越小越有效。 另一方面，如上所述，在防止壓印時形成於被轉印基板50之上之光硬化性樹脂60附著於模片1之遮光膜31之目的下，如圖2所示，於遮光膜31之上表面(於圖2中為朝下之方向)與轉印圖案23之凹部之底面(於圖2中與光硬化性樹脂60之上表面位置相同)之間，有間隙(空間)為佳。 因此，於模片基底2中，亦較佳為如圖7所示，在將自基部10之主面11至第1階差構造21之上之遮光膜31之上表面為止的垂直方向之距離設為H1，將自基部10之主面11至第2階差構造22之上表面為止之垂直方向之距離設為H4之情形時，成為H1＜H4之關係。 作為滿足抑制壓印模片1時曝光之光洩漏之影響之目的、及防止壓印時光硬化性樹脂附著於模片1之遮光膜31之目的此兩者之範圍，例如，上述距離(H4－H1)之值可設定於1 μm以上且5 μm以下之範圍內。 又，於模片基底2中，亦較佳為如圖8所示，在將自基部10之主面11至第1階差構造21之上之遮光膜31之上表面為止的垂直方向之距離設為H1，將自基部10之主面11至第2階差構造22之上表面為止之垂直方向之距離設為H4，將自基部10之主面11之外緣至第1階差構造21之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D1，將自基部10之主面11之外緣至第2階差構造22之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D2之情形時，成為H1≦H4×(D1/D2)之關係。 再者，圖8係對本發明之模片基底之各階差構造之位置關係進行說明之圖，相當於圖7中以虛線圓表示之R3之主要部分放大圖。 於滿足此種關係之情形時，如圖8所示，第1階差構造21之上之遮光膜31之外緣E2存在於較將基部10之主面11之外緣E1與第2階差構造22之上表面之外緣E3連接之虛線靠內側(模片基底2側)。 其原因在於：因該緣故，在如圖2所示般壓印模片1時，即便模片1(更準確而言，模片1之第2階差構造22之上表面)相對於被轉印基板50(更準確而言，相對於形成於被轉印基板50之上之光硬化性樹脂60)並非水平地對向而是具有傾斜度地相接，亦可防止外緣E2(進而，第1階差構造21之上之遮光膜31)與被轉印基板50(更準確而言，形成於被轉印基板50之上之光硬化性樹脂60)接觸。 又，於模片基底2中，亦較佳為如圖7所示，於基部10之與主面11為相反側之面(背面12)具有俯視下包含第2階差構造22之凹陷部40。其原因在於：易於實施模片1之脫模等步驟。 更詳細而言，其原因在於：若為此種構成，則可使形成有第2階差構造22之區域之模片基底2之厚度減薄，其結果，於模片1中，可將形成有轉印圖案23之區域(轉印圖案區域)之厚度減薄而使其易於彎曲，從而可於脫模時，使模片1之轉印圖案區域向被轉印基板側呈凸狀彎曲，而自形成於被轉印基板50之上的光硬化性樹脂60之轉印區域61之外緣部依序部分性地脫模。 進而，凹陷部40較佳為如圖7所示俯視下包含第1階差構造21。其原因在於：可防止在上述彎曲時形成於第1階差構造21之上表面之遮光膜31剝落等不良狀況。 對上述內容更詳細地進行說明，凹陷部40之內側因模片基底2之厚度較薄故成為在上述模片1之彎曲時易於變形之區域，相對地凹陷部40之外側因模片基底2之厚度較厚故成為在上述模片1之彎曲時難以變形之區域。 因此，於俯視下第1階差構造21不包含於凹陷部40之情形時，換言之，於俯視下第1階差構造21不僅存在於凹陷部40之內側亦存在於凹陷部40之外側之情形時，第1階差構造21具有易於變形之區域(即，凹陷部40之內側)與難以變形之區域(即，凹陷部40之外側)之交界。 而且，於該交界處，有如下之虞，即，因在上述模片1之彎曲時應力集中，故於反覆實施壓印之過程中，形成於第1階差構造21之上表面之遮光膜31剝落，而成為缺陷之源。 因此，為避免此種交界形成於第1階差構造21，而設定為如圖7所示，凹陷部40俯視下包含第1階差構造21之形態。 構成模片基底2之材料可使用與構成模片1之上述材料相同者。 ＜模片基底之製造方法＞ 其次，對本發明之模片基底之製造方法進行說明。 圖9係表示本發明之模片基底的製造方法之一例之流程圖。又，圖10、11係表示本發明之模片基底的製造方法之一例之概略步驟圖。 再者，本發明之模片可藉由使用本發明之模片基底，利用與先前相同之方法於第2階差構造22之上表面形成轉印圖案23而製造。因此，對於本發明之模片之製造方法，省略使用圖式而進行之說明。 例如，於藉由本製造方法而製造模片基底2時，首先，準備於基部10之主面11之上具有台面狀之階差構造201之第1模片基底200(圖9之S1，圖10(a))。 該第1模片基底200係不具有如模片基底2般之第1階差構造21、第2階差構造22、及遮光膜31者，例如，可使用與先前之光壓印法中所用之模片基底相同者。 該第1模片基底200例如係由合成石英所構成。 自基部10之主面11至階差構造201之上表面為止之距離H201，與圖7所示之模片基底2之距離H4為同等程度，典型而言為30 μm左右。 又，於基部10之背面12側，較佳為具有凹陷部40。 其次，於階差構造201之上表面形成第1蝕刻遮罩210(圖9之S2，圖10(b))。 例如，可使用鉻(Cr)實施濺鍍成膜，其後圖案加工為遮罩形狀，藉此形成第1蝕刻遮罩210。 其次，藉由將第1蝕刻遮罩210用作遮罩之乾式蝕刻，而形成第1階差構造21、及第2階差構造22(圖9之S3，圖10(c))。作為蝕刻氣體，例如可使用氟系氣體。 此處，圖10(c)所示之距離H202(相當於蝕刻深度)係數μm左右(1 μm以上且5 μm以下之範圍內)。 其次，將第1蝕刻遮罩210去除(圖11(d))，繼而，將之後會成為遮光膜31之遮光材料層220形成於基部10之主面11、第1階差構造21之上表面、及第2階差構造22之上表面，進而，於第1階差構造21之上表面之第2階差構造22之外側之區域，形成第2蝕刻遮罩230(圖9之S4、S5，圖11(e))。 例如，可使用鉻(Cr)，以膜厚成為15 nm以上之方式實施濺鍍成膜，藉此形成遮光材料層220。 又，可將樹脂滴在第1階差構造21之上表面之第2階差構造22之外側之區域，藉此形成由樹脂構成之第2蝕刻遮罩230。 其次，將自第2蝕刻遮罩230露出之遮光材料層220去除，其後，將第2蝕刻遮罩230去除而獲得模片基底2，該模片基底2係於基部10之主面11之上具有第1階差構造21，於第1階差構造21之上具有第2階差構造22，且第1階差構造21之上表面之第2階差構造22之外側之區域被遮光膜31所覆蓋(圖9之S6，圖11(f))。 以上，對本發明之模片與模片基底進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態僅為例示，具有與本發明之申請專利範圍中所記載之技術思想實質上相同之構成且發揮同樣作用效果者，無論為何種情形均包含於本發明之技術範圍內。 II.壓印用模片基板之製造方法、壓印用模片之製造方法、及模片 使用圖式對本發明之壓印用模片基板之製造方法、壓印用模片之製造方法、及模片進行詳細說明。 ＜壓印用模片基板、及壓印用模片＞ 首先，對藉由本發明之製造方法而製造之壓印用模片基板、及壓印用模片進行說明。 再者，為避免繁瑣，將上述壓印用模片基板、及壓印用模片適當亦簡稱為模片基板、及模片。 圖13係對本發明之模片基板之一例進行說明之圖。又，圖14係對本發明之模片之一例進行說明之圖。 例如，如圖13所示，模片基板4係於基部10之主面11之上具有第1階差構造21，於第1階差構造21之上具有第2階差構造22，且第1階差構造21之上表面(露台、階面)之第2階差構造22之外側之區域被遮光膜31所覆蓋。 模片基板4係用以製造如圖14所示之具有遮光膜31之模片1之模片基板，例如，可藉由於模片基板4之第2階差構造22之上表面形成凹凸構造之轉印圖案，而製造如圖14所示之模片1。再者，於圖14所示之模片1中，第2階差構造22之上表面成為轉印圖案區域。 而且，於模片1中，可一面維持必要之轉印圖案區域之高度，一面抑制壓印時曝光之光洩漏(向計劃以外之區域照射)之影響。 例如，藉由將圖14所示之模片1之第1階差構造21之階差與第2階差構造22之階差合計所得之高度製造成必要之高度(例如30 μm)，模片1可將轉印圖案區域之高度(與基部10之主面11相距之距離)維持於必要之高度(例如30 μm)。 又，因模片1於第1階差構造21之上表面具有遮光膜31，故與如先前般僅於基部10之主面11之上設置有遮光構件之形態(例如，專利文獻5之圖7(C))相比，遮光膜31存在於與轉印圖案區域即第2階差構造22之上表面在垂直方向(圖中之Z方向)更為接近之距離。因此，可抑制壓印時曝光之光洩漏(向計劃以外之區域照射)之影響。 例如，第2階差構造22之階差(H1)之值可設定於1 μm以上且5 μm以下之範圍內。若為此種數μm以下之階差，則即便以乾式蝕刻形成，時間上亦充分。 而且，藉由以乾式蝕刻形成，第2階差構造22與第1階差構造21之上表面相接之部位之剖面形狀較以濕式蝕刻形成之情形更可形成為直角。 因此，即便於第2階差構造22與第1階差構造21之上表面相接之部位，亦易於以與其他部位相同之膜厚形成遮光膜31，從而更易抑制曝光之光L1之洩漏。 ＜壓印用模片基板之製造方法＞ 其次，對本發明之壓印用模片基板之製造方法進行說明。 圖15係表示本發明之壓印用模片基板的製造方法之一例之流程圖。又，圖16係表示本發明之樹脂層形成步驟之一例之流程圖。又，圖17、18係表示本發明之壓印用模片基板的製造方法之一例之概略步驟圖。 本發明之壓印用模片基板之製造方法係於基部之主面之上具有第1階差構造，於第1階差構造之上具有第2階差構造，且於第1階差構造之上表面之上具有遮光膜之壓印用模片基板之製造方法，如圖15所示，依序包括：具遮光材料層之多階模片基板準備步驟(S10)，其係準備具有第1階差構造及第2階差構造，且於第1階差構造之上表面之上及第2階差構造之上表面之上具有遮光材料層之具遮光材料層之多階模片基板；樹脂層形成步驟(S20)，其係於形成於第1階差構造之上表面之上的遮光材料層之上形成第1樹脂層，於形成於第2階差構造之上表面之上的遮光材料層之上形成厚度較第1樹脂層薄之第2樹脂層；第2樹脂層去除步驟(S30)，其係藉由乾式蝕刻，一面將第1樹脂層保留，一面將第2樹脂層去除；及遮光膜形成步驟(S40)，其係將殘存之第1樹脂層用作遮罩而對遮光材料層進行蝕刻，一面將形成於第1階差構造之上表面之上之遮光材料層保留，一面將形成於第2階差構造之上表面之上之遮光材料層去除。 而且，樹脂層形成步驟(S20)之特徵在於：包含樹脂厚度規定步驟(圖16之S21)，該樹脂厚度規定步驟係使用於與樹脂接觸之主面側具有俯視矩形形狀之凹部之樹脂厚度規定用之模片，將樹脂厚度規定用之模片之該凹部的外周部之上表面壓抵於第1樹脂，將樹脂厚度規定用之模片之凹部之底面壓抵於第2樹脂，上述第1樹脂係滴在形成於第1階差構造之上表面之上的遮光材料層之上者，上述第2樹脂係滴在形成於第2階差構造之上表面之上的遮光材料層之上者；且樹脂厚度規定用之模片之凹部之深度，小於自第1階差構造之上表面至上述第2階差構造之上表面為止之高度。 以下，按各步驟，依序進行說明。 (具遮光材料層之多階模片基板準備) 例如，於藉由本製造方法而製造模片基板4時，首先，準備具有第1階差構造21及第2階差構造22，且於第1階差構造21之上表面(露台、階面)之上及第2階差構造22之上表面之上具有遮光材料層170之具遮光材料層之多階模片基板300(圖15之S10，圖17(a))。 於具遮光材料層之多階模片基板300中，第1階差構造21與第2階差構造22合計所得之高度，係與先前之光壓印法中所用之具有1階之階差構造之模片基板之階差相同或同等程度的高度，典型而言為30 μm左右。又，於基部10之背面12側，較佳為具有凹陷部40。 該具遮光材料層之多階模片基板300例如可如圖22～24所示，利用先前之光壓印法中所用之具有1階之階差構造之模片基板而製造。詳細內容將於下述之具遮光材料層之多階模片基板之製造方法中進行說明。 (樹脂層形成) 其次，如圖17(b)所示，將第1樹脂51a滴在形成於第1階差構造21之上表面之上的遮光材料層170之上，將第2樹脂52a滴在形成於第2階差構造22之上表面之上的遮光材料層170之上，繼而，如圖17(c)所示，壓抵樹脂厚度規定用之模片400，規定各樹脂之厚度(圖16之S21)，於該狀態下使第1樹脂51a及第2樹脂52a硬化(圖16之S22)，其後，將樹脂厚度規定用之模片400脫模，而如圖18(d)所示，獲得膜厚被分別規定之第1樹脂層51及第2樹脂層52(圖15之S20)。 此處，於本製造方法中，藉由使用具有特定形態之樹脂厚度規定用之模片400，可將第2樹脂層52之膜厚形成為較第1樹脂層51之膜厚為薄。 又，藉由使用樹脂厚度規定用之模片400，如圖18(d)所示，可使第1樹脂層51成為膜厚均勻之樹脂層。例如，可使第1樹脂層51之膜厚之高低差處於50 nm以下。 (第2樹脂層去除) 其次，如圖18(e)所示，藉由使用蝕刻氣體75之乾式蝕刻(回蝕)，一面將第1樹脂層51保留，一面將第2樹脂層52去除。 如上所述，第2樹脂層52之膜厚較第1樹脂層51之膜厚為薄，因此藉由回蝕之方法，可一面將第1樹脂層51保留，一面將第2樹脂層52去除。 作為蝕刻氣體75，例如可使用氧氣。 (遮光膜形成) 其次，將殘存之第1樹脂層51用作遮罩，而對自第1樹脂層51露出之遮光材料層170進行蝕刻，一面將形成於第1階差構造21之上表面之上之遮光材料層170保留，一面將形成於第2階差構造22之上表面之上之遮光材料層170去除。於該步驟中保留之形成於第1階差構造21之上表面之上之遮光材料層170成為模片基板4之遮光膜31。 例如，於遮光材料層170中使用含鉻(Cr)材料之情形時，可使用乾式蝕刻及濕式蝕刻中之任一者對其進行蝕刻。例如於乾式蝕刻之情形時，可為使用氧氣與氯氣之混合氣體之乾式蝕刻。又，於濕式蝕刻之情形時，可為使用包含硝酸鈰銨與過氯酸之水溶液之濕式蝕刻。 其後，將殘存之第1樹脂層51去除，藉此如圖18(f)所示，可獲得模片基板4，該模片基板4係於基部10之主面11之上具有第1階差構造21，於第1階差構造21之上具有第2階差構造22，且於第1階差構造21之上表面(露台、階面)之上具有遮光膜31。 對於殘存之第1樹脂層51之去除，例如，可使用藉由氧氣而進行之灰化等方法。 (先前之問題點1) 此處，於在圖17(b)所示之步驟中，不將第2樹脂52a滴在形成於第2階差構造22之上表面之上的遮光材料層170之上(即，在形成於第2階差構造22之上表面之上的遮光材料層170之上不形成樹脂層)，而欲將形成於第2階差構造22之上表面之上之遮光材料層170蝕刻去除之情形時，有如下問題，即，無法避免第1樹脂51a藉由滴下第1樹脂51a時之飛沫等而附著於形成於第2階差構造22之上表面之上的遮光材料層170之上，由於該無用之第1樹脂51a，無用之遮光材料層170亦會殘存於圖18(f)所示之模片基板4之第2階差構造22之上表面。 (先前之問題點2) 又，若如圖17(b)所示，只是將第1樹脂51a滴在形成於第1階差構造21之上表面之上的遮光材料層170之上，則所形成之樹脂層會因該所滴第1樹脂51a之密度分佈而具有缺損部(無樹脂之部分)或薄膜部(樹脂較薄之部分)。而且，若實施圖18(e)所示之乾式蝕刻(回蝕)，則此種缺損部或薄膜部進而增加。 因此，有如下問題，即，若於其後之步驟中對遮光材料層170進行蝕刻，則成為遮光膜31之形成於第1階差構造21之上表面之上之遮光材料層170亦會產生缺損部或薄膜部。 (本發明之製造方法之效果) 另一方面，於本發明之壓印用模片基板之製造方法中，如圖17(c)所示，藉由使用具有特定形態之樹脂厚度規定用之模片400，可將包含滴下第1樹脂51a時之飛沫等之第2樹脂層52之膜厚形成為較第1樹脂層51之膜厚為薄。又，可使第1樹脂層51及第2樹脂層52之兩者成為膜厚均勻之樹脂層。 而且，如圖18(e)所示，藉由回蝕之方法，可一面將第1樹脂層51保留，一面將第2樹脂層52去除。 因此，藉由於其後之步驟中，對自第1樹脂層51露出之遮光材料層170進行蝕刻，如圖18(f)所示，可於第2階差構造22之上表面，將遮光材料層170毫無殘留地去除。 又，可使第1樹脂層51成為無缺損部且膜厚均勻之樹脂層，因此成為遮光膜31之形成於第1階差構造21之上表面之上之遮光材料層170亦可成為無缺損部及薄膜部之膜。 (樹脂) 第1樹脂51a、第2樹脂52a係由利用熱或光而硬化之材料所構成，較佳為奈米壓印微影領域中所用之紫外線硬化性樹脂。 於第1樹脂51a、第2樹脂52a係紫外線硬化性樹脂之情形時，對於使上述第1樹脂51a及第2樹脂52a硬化之步驟(圖16之S22)，如圖17(c)所示，可使用照射紫外線65之方法。 再者，第1樹脂51a、第2樹脂52a只要為於下述第2樹脂層去除步驟(圖15之S30，圖18(e))中，可藉由乾式蝕刻一面將第1樹脂層51保留一面將第2樹脂層52去除者，便亦可由不同之材料所構成。但自使用之容易性方面而言，較佳為由相同之材料所構成。 (樹脂厚度規定用之模片) 圖19係對本發明之樹脂厚度規定用之模片之一例進行說明之圖。此處，圖19(a)表示樹脂厚度規定用之模片400之概略仰視圖，圖19(b)表示圖19(a)之A-A剖視圖。 例如，圖19所示之樹脂厚度規定用之模片400於與樹脂接觸之主面側(於圖19(b)中為下側)具有凹部402，且凹部402之周圍被俯視框狀之凸部403所包圍。即，於樹脂厚度規定用之模片400中，凹部402之外周部之上表面相當於俯視框狀之凸部403之上表面。 更詳細而言，樹脂厚度規定用之模片400之凹部402具有如下大小，即，俯視下內含具遮光材料層之多階模片基板300之第2階差構造22之上表面，且內含於具遮光材料層之多階模片基板300之被第1階差構造21之上表面之外緣所包圍之區域內；樹脂厚度規定用之模片400之凹部402之深度，小於具遮光材料層之多階模片基板300之自第1階差構造21之上表面至第2階差構造22之上表面為止之高度。 圖20係對本發明之樹脂厚度規定用之模片之作用效果進行說明之圖。該圖20相當於圖17(c)之主要部分放大圖。 例如，如圖20所示，於壓抵樹脂厚度規定用之模片400，而規定第1樹脂層51及第2樹脂層52之各膜厚時，在將具遮光材料層之多階模片基板300之自第1階差構造21之上表面至第2階差構造22之上表面為止之高度(與壓印用模片基板4之自第1階差構造21之上表面至第2階差構造22之上表面為止之高度相同)設為H1，將凹部402之深度(於圖19所示之樹脂厚度規定用之模片400中與凸部403之高度相同)設為H2，將所形成之第1樹脂層51之膜厚設為T1，將所形成之第2樹脂層52之膜厚設為T2之情形時，以H2＜H1之方式進行設計，藉此成為T2＜T1。 例如，凹部402之深度H2可設定於0.3 μm以上且10 μm以下之範圍內。 因此，若於圖17(c)所示之步驟中使用該樹脂厚度規定用之模片400，則可將第2樹脂層52之膜厚形成為較第1樹脂層51之膜厚為薄。又，藉由使用樹脂厚度規定用之模片400，如圖18(d)所示，可使第1樹脂層51成為膜厚均勻之樹脂層。 其結果，如圖18(f)所示，可於第2階差構造22之上表面，將遮光材料層170毫無殘留地去除，且可使成為遮光膜31之形成於第1階差構造21之上表面之上之遮光材料層170成為無缺損部及薄膜部之膜。 此處，樹脂厚度規定用之模片400之凹部402之底面較佳為具有內含具遮光材料層之多階模片基板300之第2階差構造22之上表面(與壓印用模片基板4之第2階差構造22之上表面相同)的大小。 更具體而言，較佳為於將圖19(b)所示之樹脂厚度規定用之模片400的凹部402之底面之寬度設為L21，將圖13所示之壓印用模片基板4的第2階差構造22之上表面之寬度設為L11之情形時，L21＞L11。 其原因在於：更易實施壓抵樹脂厚度規定用之模片400之步驟、及將樹脂厚度規定用之模片400自具遮光材料層之多階模片基板300脫模之步驟。 例如，凹部402之底面尺寸可設定於10 mm ×10 mm 以上且70 mm ×70 mm 以下之範圍內。 又，樹脂厚度規定用之模片400之被凹部402之外周部之上表面之外緣所包圍之區域較佳為與具遮光材料層之多階模片基板300之被第1階差構造21之上表面(與壓印用模片基板之第1階差構造21之上表面相同)之外緣所包圍之區域具有相同之形狀且具有相同之面積，或具有內含具遮光材料層之多階模片基板300之被第1階差構造21之上表面(與壓印用模片基板之第1階差構造21之上表面相同)之外緣所包圍之區域的大小。 更具體而言，較佳為於將圖19(b)所示之樹脂厚度規定用之模片400之被凸部403之上表面之外緣所包圍之區域之寬度設為L22，將圖13所示之壓印用模片基板4之被第1階差構造21之上表面之外緣所包圍之區域之寬度設為L12之情形時，L22≧L12。 其原因在於：直至具遮光材料層之多階模片基板300的第1階差構造21之上表面(與壓印用模片基板4之第1階差構造21之上表面相同)之外緣為止，均可使第1樹脂層51成為無缺損部且膜厚均勻之樹脂層。 又，樹脂厚度規定用之模片400較佳為於凸部403之外周側具有深度與凹部402相等之區域404。 通常難以直接計測凹部402之高度位置，以便例如，如圖17(c)所示，於壓抵樹脂厚度規定用之模片400時，使樹脂厚度規定用之模片400之凹部402之底面與具遮光材料層之多階模片基板300之第2階差構造22之上表面均勻地接觸。 其原因在於：計測用之光等會被凸部403或具遮光材料層之多階模片基板300所遮擋。 另一方面，若樹脂厚度規定用之模片400具有如上所述之區域404，則於壓抵樹脂厚度規定用之模片400時，計測用之光等不會被凸部403或具遮光材料層之多階模片基板300遮擋，從而可計測區域404之高度位置。然後，根據該計測結果，可掌握凹部402之高度位置。 又，樹脂厚度規定用之模片400較佳為於主面側具有對位用之標記。 其原因在於：如圖17(c)所示，於壓抵樹脂厚度規定用之模片400時，可使其與具遮光材料層之多階模片基板300之相對位置對齊，從而可位置精度良好地進行壓抵。 圖21係對本發明之樹脂厚度規定用之模片之另一例進行說明之圖。 例如，圖21(a)所示之樹脂厚度規定用之模片410於與主面側為相反側之面，具有俯視下包含凹部412之凹陷部415。 若為此種形態，則可使樹脂厚度規定用之模片410之設置有凹部412的區域之厚度減薄而使其易於彎曲，從而於壓抵時可進一步排除氣泡混入之狀況，於脫模時可自凹部412之外緣部依序部分性地脫模。 又，本發明之樹脂厚度規定用之模片除如圖19所示之樹脂厚度規定用之模片400般，凹部402之周圍被俯視框狀之凸部403所包圍之形態以外，亦可為如圖21(b)所示之樹脂厚度規定用之模片420般，凹部422之外周部之上表面之外緣形成至樹脂厚度規定用之模片之外緣之形態。 其原因在於：即便為此種形態，亦與圖19所示之樹脂厚度規定用之模片400同樣地，可將第2樹脂層52之膜厚形成為較第1樹脂層51之膜厚為薄。又，亦可使第1樹脂層51成為膜厚均勻之樹脂層。 進而，除此種形態以外，亦可如圖21(a)所示之樹脂厚度規定用之模片410般，於與主面側為相反側之面，具有俯視下包含凹部422之凹陷部。 其原因在於：若為此種形態，則可使樹脂厚度規定用之模片420之設置有凹部422的區域之厚度減薄而使其易於彎曲，從而於壓抵時可進一步排除氣泡混入之狀況，於脫模時可自凹部422之外緣部依序部分性地脫模。 ＜具遮光材料層之多階模片基板之製造方法＞ 其次，對本發明之具遮光材料層之多階模片基板之製造方法進行說明。 圖22係表示本發明之具遮光材料層之多階模片基板的製造方法之一例之流程圖。又，圖23、24係表示本發明之具遮光材料層之多階模片基板的製造方法之一例之概略步驟圖。 本發明之具遮光材料層之多階模片基板之製造方法依序包括：1階模片基板準備步驟(圖22之S11)，其係準備於基部之主面之上具有1階之階差構造之1階模片基板；蝕刻遮罩形成步驟(圖22之S12)，其係於1階模片基板之階差構造之上表面的成為轉印圖案區域之區域形成蝕刻遮罩；多階化步驟(圖22之S13)，其係使用該蝕刻遮罩對階差構造進行蝕刻，而形成下階之第1階差構造及上階之第2階差構造；以及遮光材料層形成步驟(圖22之S14)，其係於第1階差構造之上表面之上、及第2階差構造之上表面之上形成遮光材料層。 以下，按各步驟依序進行說明。 (1階模片基板準備) 例如，於藉由本製造方法而製造具遮光材料層之多階模片基板300時，首先，準備於基部10之主面11之上具有1階之階差構造151之1階模片基板150(圖23(a))。 構成1階模片基板150之材料係可用於光壓印法，且可透過壓印時之曝光之光者。 該曝光之光一般可使用波長200 nm～400 nm之範圍(尤其是300 nm～380 nm之範圍)內之紫外光。 作為上述材料，例如，可列舉石英玻璃、耐熱玻璃、氟化鈣(CaF2 )、氟化鎂(MgF2 )、及丙烯酸玻璃等透明材料、或該等透明材料之積層構造物。尤其是合成石英，因剛性高，熱膨脹係數低，且於一般所用波長即300 nm～380 nm之範圍內透過率佳，故較為合適。 於1階模片基板150中，階差構造151之高度H101係與先前之光壓印法中所用、具有1階之階差構造之模片基板之階差相同或同等程度之高度，典型而言為30 μm左右。 又，於1階模片基板150之基部10之背面12側，較佳為具有凹陷部40。 (蝕刻遮罩形成) 其次，於1階模片基板150之階差構造151之上表面的成為轉印圖案區域之區域形成蝕刻遮罩160(圖23(b))。 再者，上述所謂之「成為轉印圖案區域之區域」係指，於經由利用該1階模片基板150而製造之具遮光材料層之多階模片基板300，最終所製造之壓印用模片1(圖14)中，形成轉印圖案23之區域。於圖14所示之模片1中，第2階差構造22之上表面相當於轉印圖案區域。 作為構成蝕刻遮罩160之材料，只要為於其後之多階化步驟中，對構成1階模片基板150之材料進行乾式蝕刻時，作為蝕刻遮罩而發揮作用者，便可加以使用。 例如，可列舉包含金屬材料及其氧化物、氮化物、氮氧化物等中之1種以上者。作為上述金屬材料之具體例，例如，可列舉鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)、鋯(Zr)、鈦(Ti)等。 例如，可利用濺鍍成膜，而成膜膜厚30 nm以上且200 nm以下之鉻(Cr)膜，並塗佈光阻劑，於圖案化後，對自光阻劑露出之鉻(Cr)膜進行蝕刻，藉此形成所期望之蝕刻遮罩160。對於鉻(Cr)膜之蝕刻，例如，可使用藉由氧氣與氯氣之混合氣體而進行之乾式蝕刻。 (多階化) 其次，將蝕刻遮罩160用作遮罩對階差構造151進行蝕刻，而形成下階之第1階差構造21及上階之第2階差構造22(圖23(c))，其後，將蝕刻遮罩160去除(圖24(d))。 圖23(c)所示之第2階差構造22之階差(H102)之值與圖13所示之模片基板4的第2階差構造22之階差(H1)之值相同，可設定於1 μm以上且5 μm以下之範圍內。若為此種數μm以下之階差，則即便以乾式蝕刻形成，時間上亦充分。 而且，藉由使用乾式蝕刻，第2階差構造22與第1階差構造21之上表面相接之部位之剖面形狀較以濕式蝕刻形成之情形更可形成為直角。 此處，構成1階模片基板150之材料一般為合成石英，對於上述蝕刻，可較佳地使用藉由氟系氣體而進行之乾式蝕刻。 又，對於蝕刻遮罩160之去除，例如，於使用含鉻(Cr)材料之情形時，可藉由使用氧氣與氯氣之混合氣體之乾式蝕刻進行去除。 又，亦可藉由使用包含硝酸鈰銨與過氯酸之水溶液之濕式蝕刻進行去除。 (遮光材料層形成) 其次，於第1階差構造21之上表面之上、及第2階差構造22之上表面之上形成遮光材料層170，而獲得具遮光材料層之多階模片基板300(圖24(e))。 再者，於圖24(e)所示之具遮光材料層之多階模片基板300中，在基部10之主面11之上亦形成有遮光材料層170，但於本發明之壓印用模片基板之製造方法中，通常會在上述圖18(e)～(f)之步驟中，將該主面11之上之遮光材料層170去除。 作為構成遮光材料層170之材料，例如，可列舉包含金屬材料及其氧化物、氮化物、氮氧化物等中之1種以上者。作為上述金屬材料之具體例，例如，可列舉鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)、鋯(Zr)、鈦(Ti)等。 此處，為防止曝光之光之照射，遮光材料層170較佳為於波長365 nm下之透過率為10%以下。 例如，於使用鉻(Cr)作為構成遮光材料層170之材料之情形時，該遮光材料層170之膜厚只要為15 nm以上即可。 作為形成遮光材料層170之方法，可較佳地列舉於光罩等之製造方面擁有實績之濺鍍成膜。 ＜壓印用模片之製造方法＞ 其次，對本發明之壓印用模片之製造方法進行說明。 本發明之壓印用模片之製造方法大致分為第1實施形態與第2實施形態。以下，對第1實施形態及第2實施形態進行說明。 A.第1實施形態 首先，對本發明之壓印用模片之製造方法之第1實施形態進行說明。 作為製造於基部10之主面之上具有第1階差構造21，於第1階差構造21之上具有第2階差構造22，於第1階差構造21之上表面之上具有遮光膜31，且於第2階差構造22之上表面具有凹凸構造之轉印圖案23之如圖14所示之模片1之方法，可列舉如下方法，即，準備如圖13所示之藉由上述本發明之壓印用模片基板之製造方法而製造出之模片基板4，對該第2階差構造22之上表面實施與先前之壓印用模片之製造方法相同之步驟，藉此形成所期望之凹凸構造之轉印圖案23。 上述先前之壓印用模片之製造方法中包含使用電子束微影技術等而形成轉印圖案23之抗蝕圖案之方法、及使用壓印技術而形成轉印圖案23之樹脂圖案之方法。 B.第2實施形態 其次，對本發明之壓印用模片之製造方法之第2實施形態進行說明。 於本製造方法中，準備已形成有凹凸構造之轉印圖案之具遮光材料層之多階模片700，實施與上述本發明之壓印用模片基板之製造方法相同之步驟，藉此例如製造於基部10之主面之上具有第1階差構造21，於第1階差構造21之上具有第2階差構造22，於第1階差構造21之上表面之上具有遮光膜31，且於第2階差構造22之上表面具有凹凸構造之轉印圖案23之如圖14所示之模片1。 上述具遮光材料層之多階模片700例如可藉由如下方式而製造：準備具有與先前之模片相同之構成者，即，於基部之主面之上具有1階之階差構造，且於該階差構造之上表面具有凹凸構造之轉印圖案23之1階模片500，實施與上述本發明之具遮光材料層之多階模片基板之製造方法相同之步驟(下述第1實施態樣)。 以下，首先，對製造第2實施形態之具遮光材料層之多階模片之方法進行說明，繼而，對利用具遮光材料層之多階模片製造本發明之壓印用模片之方法(製造第2實施形態之壓印用模片之方法)進行說明。又，緊隨其後，對利用具遮光材料層之多階模片製造本發明之具有高對比度膜之壓印用模片之方法(製造第2實施形態之壓印用模片之方法)進行說明。 再者，為避免繁瑣，對與已於上述本發明之壓印用模片基板之製造方法中進行過詳細說明之事項重複之事項，適當省略說明。 ＜具遮光材料層之多階模片之製造方法＞ 第2實施形態之具遮光材料層之多階模片之製造方法大致分為第1實施態樣與第2實施態樣。以下，對第1實施態樣及第2實施態樣進行說明。 a.第1實施態樣 圖25係表示第1實施態樣之具遮光材料層之多階模片的製造方法之一例之流程圖。又，圖26、27係表示第1實施態樣之具遮光材料層之多階模片的製造方法之一例之概略步驟圖。 (1階模片準備) 例如，於藉由本實施形態之製造方法而製造具遮光材料層之多階模片700時，首先，準備於基部10之主面11之上具有1階之階差構造501，且於階差構造501之上表面具有凹凸構造之轉印圖案23之1階模片500(圖25之S111，圖26(a))。 該1階模片500係由與先前之壓印用模片相同之材料所構成。 又，該1階模片500具有與先前之壓印用模片相同之構成，例如，階差構造501之高度H501係與先前之光壓印法中所用、具有1階之階差構造之模片之階差相同或同等程度之高度，典型而言為30 μm左右。 又，於1階模片500之基部10之背面12側，較佳為具有凹陷部40。 其中，1階模片500之階差構造501之上表面具有較最終所獲得之模片1之第2階差構造22之上表面大的面積。 其原因在於：如下所述，1階模片500之階差構造501之上表面之外周部受到蝕刻而形成第1階差構造21之上表面。 即，1階模片500之階差構造501之上表面較模片1之轉印圖案區域(與模片1之第2階差構造22之上表面等同)寬廣，形成於1階模片500上之轉印圖案23於模片1中形成在成為轉印圖案區域之區域。 (蝕刻遮罩形成) 其次，於1階模片500之階差構造501之上表面的成為轉印圖案區域之區域形成蝕刻遮罩160(圖25之S112，圖26(b))。 (多階化) 其次，使用蝕刻遮罩160對階差構造501進行蝕刻，而形成下階之第1階差構造21及上階之第2階差構造22，其後，將蝕刻遮罩160去除(圖25之S113，圖26(c)、圖27(d))。 圖26(c)所示之第2階差構造22之階差(H502)之值與圖14所示之模片1的第2階差構造22之階差(H1)之值相同，可設定於1 μm以上且5 μm以下之範圍內。若為此種數μm以下之階差，則即便以乾式蝕刻形成，時間上亦充分。 而且，藉由使用乾式蝕刻，第2階差構造22與第1階差構造21之上表面相接之部位之剖面形狀較以濕式蝕刻形成之情形更可形成為直角。 (遮光材料層形成) 其次，於第1階差構造21之上表面之上、及第2階差構造22之上表面之上形成遮光材料層170，而獲得具遮光材料層之多階模片700(圖25之S114，圖27(e))。 再者，於圖27(e)所示之具遮光材料層之多階模片700中，在基部10之主面11之上亦形成有遮光材料層170，但於其後之本發明之壓印用模片之製造方法中，通常會將該主面11之上之遮光材料層170去除。 b.第2實施態樣 圖28係表示第2實施態樣之具遮光材料層之多階模片的製造方法之另一例之流程圖。又，圖29、30係表示第2實施態樣之具遮光材料層之多階模片的製造方法之另一例之概略步驟圖。 (1階模片基板準備) 例如，於藉由本實施形態之製造方法而製造具遮光材料層之多階模片700時，首先，準備於基部10之主面11之上具有1階之階差構造151之1階模片基板150(圖28之S211，圖29(a))。 構成圖29(a)所示之1階模片基板150之材料與圖23所示之1階模片基板150相同，故而此處省略說明。 於圖29(a)所示之1階模片基板150中，階差構造151之高度H201與圖23所示之1階模片基板150之階差構造151之高度H101相同，故而此處省略說明。 又，於圖29(a)所示之1階模片基板150之基部10之背面12側，與圖23所示之1階模片基板150同樣地，較佳為具有凹陷部40。 (蝕刻遮罩形成) 其次，於1階模片基板150之階差構造151之上表面的成為構成轉印圖案之第1凹凸構造體及構成對準標記之第2凹凸構造體之區域形成蝕刻遮罩160(圖28之S212，圖29(b))。 再者，上述所謂之「成為構成轉印圖案之第1凹凸構造體及構成對準標記之第2凹凸構造體之區域」係指，於經由利用該1階模片基板150而製造之具遮光材料層之多階模片700(圖30(f))，最終所製造之壓印用模片1(圖38(l))中，形成第1凹凸構造體22a及第2凹凸構造體22b之區域。 構成蝕刻遮罩160之材料與圖23(b)所示之蝕刻遮罩160相同，故而此處省略說明。 形成蝕刻遮罩160之方法與形成圖23(b)所示之蝕刻遮罩160之方法相同，故而此處省略說明。 (多階化) 其次，將蝕刻遮罩160用作遮罩對階差構造151進行蝕刻，而形成下階之第1階差構造21及上階之第2階差構造22，其後，將蝕刻遮罩160去除(圖28之S213，圖29(c)、圖30(d))。 圖29(c)所示之第2階差構造22之階差(H202)之值與圖14所示之模片1的第2階差構造22之階差(H1)之值相同，可設定於1 μm以上且5 μm以下之範圍內。若為此種數μm以下之階差，則即便以乾式蝕刻形成，時間上亦充分。 而且，藉由使用乾式蝕刻，第2階差構造22與第1階差構造21之上表面相接之部位之剖面形狀較以濕式蝕刻形成之情形更可形成為直角。 此處，對於上述蝕刻，與對圖23(b)所示之1階模片基板150之1階之階差構造151進行蝕刻之情形時同樣地，可較佳地使用藉由氟系氣體而進行之乾式蝕刻。 又，去除蝕刻遮罩160之方法與圖23(c)所示之蝕刻遮罩160之去除方法相同，故而此處省略說明。 (轉印圖案形成) 其次，於第2階差構造22之上表面，形成構成轉印圖案23之第1凹凸構造體22a及構成對準標記之第2凹凸構造體22b，而獲得多階模片600(圖28之S214，圖30(e))。 作為形成第1凹凸構造體22a及第2凹凸構造體22b之方法，可列舉藉由實施與先前之壓印用模片之製造方法相同之步驟，而形成所期望之第1凹凸構造體22a及所期望之第2凹凸構造體22b之方法。 上述先前之壓印用模片之製造方法中包含使用電子束微影技術等而形成第1凹凸構造體22a及第2凹凸構造體22b之抗蝕圖案之方法、及使用壓印技術而形成第1凹凸構造體22a及第2凹凸構造體22b之樹脂圖案之方法。 (遮光材料層形成) 其次，於基部10之主面11之上、第1階差構造21之上表面之上、及第2階差構造22之上表面之上形成遮光材料層170，而獲得具遮光材料層之多階模片700(圖28之S215，圖30(f))。 再者，於圖30(f)所示之具遮光材料層之多階模片700中，在基部10之主面11之上亦形成有遮光材料層170，但於其後之本發明之壓印用模片之製造方法中，通常會將該主面11之上之遮光材料層170去除。 構成遮光材料層170之材料與構成圖5所示之模片1之遮光膜31之材料相同，故而此處省略說明。遮光材料層170之膜厚與構成圖5所示之模片1之遮光膜31之膜厚相同，故而此處省略說明。 c.第2實施形態之具遮光材料層之多階模片之製造方法 如上所述，作為第2實施形態之具遮光材料層之多階模片之製造方法，可為如圖25、26、27所示之第1實施態樣、及如圖28、29、30所示之第2實施態樣中之任一者，但相較於第1實施態樣而言第2實施態樣更佳。其原因在於：與第1實施態樣不同，於第2實施態樣中，在上述多階化之步驟後之上述轉印圖案形成之步驟中，進行了較上述多階化更微細之加工，即於第2階差構造22之上表面形成凹凸構造體，因此凹凸構造體之損傷、破壞之風險降低。 ＜壓印用模片之製造方法＞ 其次，對利用藉由上述步驟而獲得之具遮光材料層之多階模片700製造本發明之壓印用模片1之方法(製造第2實施形態之壓印用模片之方法)進行說明。 圖31係表示第2實施形態之模片的製造方法之一例之流程圖。又，圖32、33係表示第2實施形態之模片的製造方法之一例之概略步驟圖。 (具遮光材料層之多階模片準備) 例如，於藉由本製造方法而製造模片1時，首先，準備具有第1階差構造21及第2階差構造22，於第2階差構造22之上表面具有凹凸構造之轉印圖案23，且於第1階差構造21之上表面之上及第2階差構造22之上表面之上具有遮光材料層170之具遮光材料層之多階模片700(圖31之S100，圖32(a))。 於具遮光材料層之多階模片700中，第1階差構造21與第2階差構造22合計所得之高度係與先前之光壓印法中所用、具有1階之階差構造之模片基板之階差相同或同等程度之高度，典型而言為30 μm左右。又，於基部10之背面12側，較佳為具有凹陷部40。 該具遮光材料層之多階模片700例如可藉由上述第1實施態樣之具遮光材料層之多階模片之製造方法(圖25～27)而製造。 (樹脂層形成) 其次，如圖32(b)所示，將第1樹脂51a滴在形成於第1階差構造21之上表面之上的遮光材料層170之上，將第2樹脂52a滴在形成於第2階差構造22之上表面之上的遮光材料層170之上，繼而，如圖32(c)所示，壓抵樹脂厚度規定用之模片400，規定各樹脂之厚度，於該狀態下使第1樹脂51a及第2樹脂52a硬化，其後，將樹脂厚度規定用之模片400脫模，而如圖33(d)所示，獲得膜厚被分別規定之第1樹脂層51及第2樹脂層52(圖31之S200)。 藉由使用具有特定形態之樹脂厚度規定用之模片400，可將第2樹脂層52之膜厚形成為較第1樹脂層51之膜厚為薄。 又，藉由使用樹脂厚度規定用之模片400，可使第1樹脂層51成為膜厚均勻之樹脂層。 (第2樹脂層去除) 其次，如圖33(e)所示，藉由使用蝕刻氣體75之乾式蝕刻(回蝕)，一面將第1樹脂層51保留，一面將第2樹脂層52去除。 如上所述，第2樹脂層52之膜厚較第1樹脂層51之膜厚為薄，因此藉由回蝕之方法，可一面將第1樹脂層51保留，一面將第2樹脂層52去除。 (遮光膜形成) 其次，將殘存之第1樹脂層51用作遮罩，而對自第1樹脂層51露出之遮光材料層170進行蝕刻，一面將成為遮光膜31之形成於第1階差構造21之上表面之上之遮光材料層170保留，一面將形成於第2階差構造22之上表面之上之遮光材料層170去除。 其後，將殘存之第1樹脂層51去除，藉此如圖33(f)所示，可獲得模片1，該模片1係於基部10之主面11之上具有第1階差構造21，於第1階差構造21之上具有第2階差構造22，於第2階差構造22之上表面具有凹凸構造之轉印圖案23，且於第1階差構造21之上表面之上具有遮光膜31。 ＜具有高對比度膜之壓印用模片之製造方法＞ 其次，對利用藉由上述步驟而獲得之具遮光材料層之多階模片700製造本發明之具有高對比度膜之壓印用模片1之方法(製造第2實施形態之壓印用模片之方法)進行說明。 圖34係表示第2實施形態之模片的製造方法之另一例之流程圖。又，圖35、36、37、38係表示第2實施形態之模片的製造方法之另一例之概略步驟圖。 (具遮光材料層之多階模片準備) 例如，於藉由本製造方法而製造模片1時，首先，準備具有第1階差構造21及第2階差構造22，於第2階差構造22之上表面具有構成轉印圖案23之第1凹凸構造體22a、及構成對準標記之第2凹凸構造體22b，且於第1階差構造21之上表面之上及第2階差構造22之上表面之上具有遮光材料層170之具遮光材料層之多階模片700(圖34之S100，圖35(a))。 於具遮光材料層之多階模片700中，第1階差構造21與第2階差構造22合計所得之高度係與先前之光壓印法中所用、具有1階之階差構造之模片基板之階差相同或同等程度之高度，典型而言為30 μm左右。又，於基部10之背面12側，較佳為具有凹陷部40。 該具遮光材料層之多階模片700例如可藉由上述第2實施態樣之具遮光材料層之多階模片之製造方法(圖28～30)而製造。 (第1及第2樹脂層形成) 其次，如圖35(b)所示，將第1樹脂51a滴在形成於第1階差構造21之上表面之上的遮光材料層170之上，將第2樹脂52a滴在形成於第2階差構造22之上表面之上的遮光材料層170之上，繼而，如圖35(c)所示，壓抵第1及第2樹脂厚度規定用之模片430，規定各樹脂之厚度，於該狀態下使第1樹脂51a及第2樹脂52a硬化，其後，將第1及第2樹脂厚度規定用之模片430脫模，而如圖36(d)所示，獲得膜厚被分別規定之第1樹脂層51及第2樹脂層52(圖34之S200)。 藉由使用具有特定形態之第1及第2樹脂厚度規定用之模片430，可將第2樹脂層52之膜厚形成為較第1樹脂層51之膜厚為薄。具體而言，作為此種第1及第2樹脂厚度規定用之模片430之形態，例如，可列舉與樹脂厚度規定用之模片400之形態同樣地，與樹脂接觸之主面側之凹部432之深度較具遮光材料層之多階模片700之自第1階差構造21之上表面至第2階差構造22之上表面為止之高度(與下述壓印用模片1之自第1階差構造21之上表面至第2階差構造22之上表面為止之高度相同)小之形態。 又，藉由使用第1及第2樹脂厚度規定用之模片430，與如上所述使用樹脂厚度規定用之模片400之情形時同樣地，可使第1樹脂層51成為膜厚均勻之樹脂層。 (第2樹脂層去除) 其次，如圖36(e)所示，藉由使用蝕刻氣體75之乾式蝕刻(回蝕)，一面將第1樹脂層51保留，一面將第2樹脂層52去除(圖34之S300)。 如上所述，第2樹脂層52之膜厚較第1樹脂層51之膜厚為薄，因此藉由回蝕之方法，可一面將第1樹脂層51保留，一面將第2樹脂層52去除。 (遮光膜形成) 其次，將殘存之第1樹脂層51用作遮罩，而對自第1樹脂層51露出之遮光材料層170進行蝕刻，一面將成為遮光膜31之形成於第1階差構造21之上表面之上之遮光材料層170保留，一面將形成於基部10之主面11之上、及第2階差構造22之上表面之上之遮光材料層170去除。 其後，將殘存之第1樹脂層51去除，藉此如圖36(f)所示，可獲得模片1，該模片1係於基部10之主面11之上具有第1階差構造21，於第1階差構造21之上具有第2階差構造22，於第2階差構造22之上表面具有構成轉印圖案23之第1凹凸構造體22a、及構成對準標記之第2凹凸構造體22b，且於第1階差構造21之上表面之上具有遮光膜31(圖34之S400)。 (高對比度層形成) 其次，於在第1階差構造21之上表面之上具有遮光膜31之模片1中，在基部10之主面11之上、遮光膜31之上、第1凹凸構造體22a之凸部之上表面及凹部之底面、以及第2凹凸構造體22b之凸部之上表面及凹部之底面之上，形成高對比度層330(圖34之S500，圖37(g))。 構成高對比度層330之材料與構成圖5所示之模片1之高對比度膜32之材料相同，故而此處省略說明。高對比度層330之膜厚與構成圖5所示之模片1之高對比度膜32之膜厚相同，故而此處省略說明。 (第3～第5樹脂層形成) 其次，將第3樹脂53a滴在形成於遮光膜31之上之高對比度層330之上，將第4樹脂54a滴在形成於第1凹凸構造體22a之凸部之上表面及凹部之底面之上的高對比度層330之上，將第5樹脂55a滴在形成於第2凹凸構造體22b之凸部之上表面及凹部之底面之上的高對比度層330之上(圖37(h))。 其次，壓抵第3～第5樹脂厚度規定用之模片440，於該狀態下使第3樹脂53a、第4樹脂54a、及第5樹脂55a硬化(圖37(i))。其後，將第3～第5樹脂厚度規定用之模片440脫模(圖38(j))。藉此，在形成於遮光膜31之上之高對比度層330之上形成第3樹脂層53，在形成於第1凹凸構造體22a之凸部之上表面及凹部之底面之上的高對比度層330之上形成膜厚較第3樹脂層53薄之第4樹脂層54，在形成於第2凹凸構造體22b之凸部之上表面及凹部之底面之上的高對比度層330之上形成膜厚較第4樹脂層54厚之第5樹脂層55(圖34之S600，圖38(j))。 此處，於本發明中，所謂「膜厚較第3樹脂層薄之第4樹脂層」表示如下述圖40所示，於將第3樹脂層53之膜厚設為T53，將形成於第1凹凸構造體22a之凹部之底面之上的第4樹脂層54之膜厚設為T54之情形時，T54＜T53之第4樹脂層54。又，所謂「膜厚較第4樹脂層厚之第5樹脂層」表示如下述圖40所示，於將形成於第1凹凸構造體22a之凹部之底面之上的第4樹脂層54之膜厚設為T54，將形成於第2凹凸構造體22b之凹部之底面之上的第5樹脂層55之膜厚設為T55之情形時，T54＜T55之第5樹脂層55。 於形成該等樹脂層時，如圖37(i)所示，使用在與樹脂接觸之主面側具有凹部442，且具有形成於凹部442之底面側之凹陷442a的第3～第5樹脂厚度規定用之模片440，將第3～第5樹脂厚度規定用之模片440的凹部442之外周部之上表面壓抵於第3樹脂53a，將第3～第5樹脂厚度規定用之模片440之凹部442之底面壓抵於第4樹脂54a、及第5樹脂55a，將凹陷442a之底面壓抵於第5樹脂55a。藉此，可按上文所述規定第3樹脂層53、第4樹脂層54、及第5樹脂層55之膜厚。又，可使第3樹脂層53、第4樹脂層54、及第5樹脂層55成為膜厚均勻之樹脂層。 第3樹脂53a、第4樹脂54a、及第5樹脂55a係由利用熱或光而硬化之材料所構成，較佳為奈米壓印微影領域中所用之紫外線硬化性樹脂。 於第3樹脂53a、第4樹脂54a、及第5樹脂55a係紫外線硬化性樹脂之情形時，對於使上述第3樹脂53a、第4樹脂54a、及第5樹脂55a硬化之步驟，如圖37(i)所示，可使用照射紫外線65之方法。 再者，第3樹脂53a、第4樹脂54a、及第5樹脂55a只要為於下述第4樹脂層去除步驟(圖34之S700，圖38(k))中，可藉由乾式蝕刻一面將第3樹脂層53及第5樹脂層55之下側保留一面將第3樹脂層53及第5樹脂層55之上側、以及第4樹脂層54去除者，便亦可由不同之材料所構成。但自使用之容易性方面而言，較佳為由相同之材料所構成。 (第4樹脂層去除) 其次，藉由使用蝕刻氣體75之乾式蝕刻(回蝕)，一面將第3樹脂層53及第5樹脂層55之下側保留，一面將第3樹脂層53及第5樹脂層55之上側、以及第4樹脂層54去除(圖34之S700，圖38(k))。 如上所述，第4樹脂層54之膜厚T54較第3樹脂層53之膜厚T53及第5樹脂層55之膜厚T55薄，因此藉由回蝕之方法，可一面將第3樹脂層53及第5樹脂層55之下側保留，一面將第4樹脂層54去除。 作為蝕刻氣體75，例如可使用氧氣。 (高對比度膜形成) 將殘存之第3樹脂層53及第5樹脂層55之下側用作遮罩，而對高對比度層330進行蝕刻，一面將形成於遮光膜31之上、及第2凹凸構造體22b之凹部之底面之上的高對比度層330保留，一面將形成於基部10之主面11之上、第1凹凸構造體22a之凸部之上表面及凹部之底面、以及第2凹凸構造體22b之凸部之上表面之上的高對比度層330去除，並將殘存之第3樹脂層53及第5樹脂層55去除(圖34之S800，圖38(l))。 藉此，可獲得模片1，該模片1係於第2階差構造22之上表面具有構成轉印圖案23之第1凹凸構造體22a、及構成對準標記之第2凹凸構造體22b，且於遮光膜31之上、及第2凹凸構造體22b之凹部之底面之上形成有高對比度膜32(圖38(l))。再者，圖38(l)所示之具有高對比度膜32之壓印用模片1係與圖5所示之模片1相同者。 (樹脂厚度規定用之模片) 圖39係對本發明之樹脂厚度規定用之模片之另一例進行說明之圖。此處，圖39(a)表示第3～第5樹脂厚度規定用之模片440之概略仰視圖，圖39(b)表示圖39(a)之A-A剖視圖。再者，圖39所示之第3～第5樹脂厚度規定用之模片440係與圖37(i)所示之第3～第5樹脂厚度規定用之模片440相同者。 例如，圖39所示之第3～第5樹脂厚度規定用之模片440於與樹脂接觸之主面側(於圖39(b)中為下側)具有凹部442，且具有形成於凹部442之底面側之凹陷442a。第3～第5樹脂厚度規定用之模片440之形態係凹部442之外周部之上表面之外緣形成至第3～第5樹脂厚度規定用之模片440之外緣之形態。 更詳細而言，第3～第5樹脂厚度規定用之模片440之凹部442具有如下大小，即，於俯視下，如圖37(i)所示，內含形成有高對比度層330之模片1之第2階差構造22之上表面，且內含於形成有高對比度層330之模片1之被第1階差構造21之上表面之外緣所包圍之區域內。 圖40係對本發明之樹脂厚度規定用之模片之作用效果進行說明之圖。該圖40相當於圖37(i)之主要部分放大圖。 例如，如圖40所示，於壓抵第3～第5樹脂厚度規定用之模片440，而規定第3樹脂層53、第4樹脂層54、及第5樹脂層55之各膜厚時，在將自形成於遮光膜31之上之高對比度層330之上表面至形成於第1凹凸構造體22a之凹部之底面之上的高對比度層330之上表面為止之高度設為H53，將凹部442之凹陷442a以外之部分之深度設為H54，將所形成之第3樹脂層53之膜厚設為T53，將所形成之第4樹脂層54之膜厚(形成於第1凹凸構造體22a之凹部之底面之上的第4樹脂層54之膜厚)設為T54之情形時，以H54＜H53之方式進行設計，藉此成為T54＜T53。又，如圖40所示，於將形成於凹部442之底面側之凹陷442a之深度設為H55之情形時，以H55＜H54之方式進行設計，從而於將所形成之第5樹脂層55之膜厚(形成於第2凹凸構造體22b之凹部之底面之上的第4樹脂層54之膜厚)設為T55之情形時，成為T54＜T55。 因此，若於圖37(i)所示之步驟中使用該第3～第5樹脂厚度規定用之模片440，則可將第4樹脂層54之膜厚T54形成為較第3樹脂層53之膜厚T53薄，將第5樹脂層55之膜厚T55形成為較第4樹脂層54之膜厚T54厚。又，藉由使用第3～第5樹脂厚度規定用之模片440，可使第3樹脂層53、第4樹脂層54、及第5樹脂層55成為膜厚均勻之樹脂層。 其結果，如圖38(k)所示，可於藉由乾式蝕刻一面將第3樹脂層53及第5樹脂層55之下側保留一面將第3樹脂層53及第5樹脂層55之上側、以及第4樹脂層54去除後，如圖38(l)所示，藉由將殘存之第3樹脂層53及第5樹脂層55之下側作為遮罩對高對比度層330進行蝕刻，而將形成於遮光膜31之上、及第2凹凸構造體22b之凹部之底面之上的高對比度層330之下側保留。又，可使殘留於遮光膜31之上之高對比度層330即高對比度膜32、及殘留於第2凹凸構造體22b之凹部之底面之上的高對比度層330即高對比度膜32成為無缺損部及薄膜部之膜。 例如，凹部442之凹陷442a以外之部分之深度H54可設定於0.3 μm以上且10 μm以下之範圍內。又，如圖40所示，於將形成於凹部442之底面側之凹陷442a之深度設為H55，將第1凹凸構造體22a及第2凹凸構造體22b之凹部之深度設為H60之情形時，設定為H55≧H60。藉此，可自第1凹凸構造體22a之上，不留殘渣地將高對比度膜32(高對比度層330)去除。具體而言，例如，H55設定於H60×1.0～H60×2.0之範圍內。 此處，第3～第5樹脂厚度規定用之模片440之凹部442之底面較佳為具有內含圖37(i)所示之形成有高對比度層330之模片1的第2階差構造22之上表面之大小。 更具體而言，較佳為於將圖39(b)所示之第3～第5樹脂厚度規定用之模片440的凹部442之底面之寬度設為L21，將圖37(i)所示之形成有高對比度層330之模片1的第2階差構造22之上表面之寬度設為L11之情形時，L21＞L11。 其原因在於：更易實施壓抵第3～第5樹脂厚度規定用之模片440之步驟、及將第3～第5樹脂厚度規定用之模片440自形成有高對比度層330之模片1脫模之步驟。 例如，凹部442之底面尺寸可設定於10 mm ×10 mm 以上且70 mm ×70 mm 以下之範圍內。 又，第3～第5樹脂厚度規定用之模片440之被凹部442之外周部之上表面之外緣所包圍之區域較佳為與圖37(i)所示之形成有高對比度層330之模片1之被第1階差構造21之上表面之外緣所包圍之區域具有相同之形狀且具有相同之面積，或具有內含形成有高對比度層330之模片1之被第1階差構造21之上表面之外緣所包圍之區域的大小。 更具體而言，較佳為於將圖39(b)所示之第3～第5樹脂厚度規定用之模片440之被凹部442之外周部之上表面之外緣所包圍之區域之寬度設為L22，將圖37(i)所示之形成有高對比度層330之模片1之被第1階差構造21之上表面之外緣所包圍之區域之寬度設為L12之情形時，L22≧L12。 其原因在於：直至形成有高對比度層330之模片1的第1階差構造21之上表面之外緣為止，均可使第3樹脂層53成為無缺損部且膜厚均勻之樹脂層。 又，圖35(c)所示之第1及第2樹脂厚度規定用之模片430於主面側具有對位用之標記435。因此，如圖35(c)所示，於壓抵第1及第2樹脂厚度規定用之模片430時，可使其與形成有對應之對準標記(未圖示)的具遮光材料層之多階模片700之相對位置對齊，從而可位置精度良好地進行壓抵。 再者，圖35(c)所示之對位用之標記435係於第1及第2樹脂厚度規定用之模片430之主面側形成於凹部432之外側之凹陷435a。於第1及第2樹脂厚度規定用之模片430中，凹部432及形成於凹部432之外側之凹陷435a係藉由不同之步驟形成。具體而言，於實施凹部432及凹陷435a中之一者之加工後，藉由對準繪圖進行對位，而實施另一者之加工。又，形成於凹部432之外側之凹陷435a成為具有可讀取標記之程度之深度(例如20 nm～300 nm)之凹陷。 進而，圖39所示之第3～第5樹脂厚度規定用之模片440亦於主面側具有對位用之標記435。因此，如圖37(i)所示，於壓抵第3～第5樹脂厚度規定用之模片440時，可使其與形成有對應之對準標記(未圖示)之模片1之相對位置對齊，從而可位置精度良好地進行壓抵。 圖39所示之對位用之標記435係於第3～第5樹脂厚度規定用之模片440之主面側形成於凹部442之外側之凹陷435a，且形成於凹部442之底面側之凹陷442a之深度H55與對位用之標記435之凹陷435a之深度H56相同。因此，可使形成於凹部442之底面側之凹陷442a與對位用之標記435之凹陷435a藉由相同之步驟而形成。 本發明之樹脂厚度規定用之模片較佳為如圖39所示之第3～第5樹脂厚度規定用之模片440般，於主面側具有對位用之標記，上述對位用之標記係於上述主面側形成於上述凹部之外側之凹陷，且形成於上述凹部之底面側之凹陷之深度與形成於上述凹部之外側之上述凹陷之深度相同。其原因在於：可使形成於上述凹部之底面側之凹陷與上述對位用之標記之凹陷藉由相同之步驟而形成。 以上，對本發明之模片基板之製造方法、模片之製造方法、及模片進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態僅為例示，具有與本發明之申請專利範圍中所記載之技術思想實質上相同之構成且達成同樣作用效果者無論為何種情形均包含於本發明之技術範圍內。 再者，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態僅為例示，具有與本發明之申請專利範圍中所記載之技術思想實質上相同之構成且達成同樣作用效果者無論為何均包含於本發明之技術範圍內。
1‧‧‧模片
2‧‧‧模片基底
4‧‧‧模片基板
10‧‧‧基部
11‧‧‧主面
12‧‧‧背面
21‧‧‧第1階差構造
22‧‧‧第2階差構造
22a‧‧‧第1凹凸構造體
22b‧‧‧第2凹凸構造體
23‧‧‧轉印圖案
31‧‧‧遮光膜
32‧‧‧高對比度膜
40‧‧‧凹陷部
50‧‧‧被轉印基板
51‧‧‧第1樹脂層
51a‧‧‧第1樹脂
52‧‧‧第2樹脂層
52a‧‧‧第2樹脂
53‧‧‧第3樹脂層
53a‧‧‧第3樹脂
54‧‧‧第4樹脂層
54a‧‧‧第4樹脂
55‧‧‧第5樹脂層
55a‧‧‧第5樹脂
60‧‧‧光硬化性樹脂
61‧‧‧轉印區域
62‧‧‧非轉印區域
65‧‧‧紫外線
70‧‧‧遮光板
75‧‧‧蝕刻氣體
81‧‧‧曝光之光
82‧‧‧曝光之光
83‧‧‧曝光之光
90‧‧‧照射區域
91‧‧‧照射區域
92‧‧‧照射區域
101‧‧‧模片
110‧‧‧基部
111‧‧‧主面
121‧‧‧階差構造
122‧‧‧轉印圖案
131‧‧‧遮光膜
150‧‧‧1階模片基板
151‧‧‧階差構造
160‧‧‧蝕刻遮罩
170‧‧‧遮光材料層
200‧‧‧第1模片基底
201‧‧‧階差構造
210‧‧‧第1蝕刻遮罩
220‧‧‧遮光材料層
230‧‧‧第2蝕刻遮罩
250‧‧‧多階模片基板
300‧‧‧具遮光材料層之多階模片基板
330‧‧‧高對比度層
400‧‧‧樹脂厚度規定用之模片
401‧‧‧基部
402‧‧‧凹部
403‧‧‧凸部
404‧‧‧區域
410‧‧‧樹脂厚度規定用之模片
411‧‧‧基部
412‧‧‧凹部
413‧‧‧凸部
414‧‧‧區域
415‧‧‧凹陷部
420‧‧‧樹脂厚度規定用之模片
421‧‧‧基部
422‧‧‧凹部
423‧‧‧凹部之外周部
430‧‧‧第1及第2樹脂厚度規定用之模片
432‧‧‧第1及第2樹脂厚度規定用之模片之凹部
435‧‧‧對位用之標記
435a‧‧‧凹陷
440‧‧‧第3～第5樹脂厚度規定用之模片
442‧‧‧第3～第5樹脂厚度規定用之模片之凹部
442a‧‧‧第3～第5樹脂厚度規定用之模片之凹部之凹陷
500‧‧‧1階模片
501‧‧‧階差構造
600‧‧‧多階模片
700‧‧‧具遮光材料層之多階模片
A1‧‧‧區域
A2‧‧‧區域
A3‧‧‧區域
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
D11‧‧‧距離
D12‧‧‧距離
D13‧‧‧距離
D14‧‧‧距離
E1‧‧‧外緣
E2‧‧‧外緣
E3‧‧‧外緣
H1‧‧‧距離
H2‧‧‧距離
H3‧‧‧距離
H4‧‧‧距離
H11‧‧‧距離
H12‧‧‧距離
H13‧‧‧距離
H53‧‧‧高度
H54‧‧‧深度
H55‧‧‧深度
H56‧‧‧深度
H60‧‧‧深度
H101‧‧‧高度
H102‧‧‧階差
H201‧‧‧高度
H202‧‧‧階差
H501‧‧‧高度
H502‧‧‧階差
L1‧‧‧曝光之光
L2‧‧‧曝光之光
L3‧‧‧曝光之光
L11‧‧‧寬度
L12‧‧‧寬度
L21‧‧‧寬度
L22‧‧‧寬度
R1‧‧‧區域
R2‧‧‧區域
R3‧‧‧區域
R102‧‧‧區域
T1‧‧‧膜厚
T2‧‧‧膜厚
T53‧‧‧膜厚
T54‧‧‧膜厚
T55‧‧‧膜厚
θ‧‧‧入射角
圖1係對第1實施形態之模片之構成例進行說明之圖。 圖2係對第1實施形態之模片之使用例進行說明之圖。 圖3(a)、(b)係對第1實施形態之模片之作用效果進行說明之圖。 圖4係對第1實施形態之模片之各階差構造之位置關係進行說明之圖。 圖5係對第2實施形態之模片之構成例進行說明之圖。 圖6係對第2實施形態之模片之主要部分之一例進行說明之圖。 圖7係對本發明之模片基底之構成例進行說明之圖。 圖8係對本發明之模片基底之各階差構造之位置關係進行說明之圖。 圖9係表示本發明之模片基底的製造方法之一例之流程圖。 圖10(a)～(c)係表示本發明之模片基底的製造方法之一例之概略步驟圖。 圖11(d)～(f)係接續於圖10之後、表示本發明之模片基底的製造方法之一例之概略步驟圖。 圖12(a)、(b)係對先前之模片之不良狀況進行說明之圖。 圖13係對本發明之壓印用模片基板之一例進行說明之圖。 圖14係對本發明之壓印用模片之一例進行說明之圖。 圖15係表示本發明之模片基板的製造方法之一例之流程圖。 圖16係表示本發明之樹脂層形成步驟之一例之流程圖。 圖17(a)～(c)係表示本發明之壓印用模片基板的製造方法之一例之概略步驟圖。 圖18(d)～(f)係接續於圖17之後、表示本發明之模片基板的製造方法之一例之概略步驟圖。 圖19(a)、(b)係對本發明之樹脂厚度規定用之模片之一例進行說明之圖。 圖20係對本發明之樹脂厚度規定用之模片之作用效果進行說明之圖。 圖21(a)、(b)係對本發明之樹脂厚度規定用之模片之另一例進行說明之圖。 圖22係表示本發明之具遮光材料層之多階模片基板的製造方法之一例之流程圖。 圖23(a)～(c)係表示本發明之具遮光材料層之多階模片基板的製造方法之一例之概略步驟圖。 圖24(d)、(e)係接續於圖23之後、表示本發明之具遮光材料層之多階模片基板的製造方法之一例之概略步驟圖。 圖25係表示第1實施態樣之具遮光材料層之多階模片的製造方法之一例之流程圖。 圖26(a)～(c)係表示第1實施態樣之具遮光材料層之多階模片的製造方法之一例之概略步驟圖。 圖27(d)、(e)係接續於圖26之後、表示第1實施態樣之具遮光材料層之多階模片的製造方法之一例之概略步驟圖。 圖28係表示第2實施態樣之具遮光材料層之多階模片的製造方法之另一例之流程圖。 圖29(a)～(c)係表示第2實施態樣之具遮光材料層之多階模片的製造方法之另一例之概略步驟圖。 圖30(d)～(f)係接續於圖29之後、表示第2實施態樣之具遮光材料層之多階模片的製造方法之另一例之概略步驟圖。 圖31係表示第2實施形態之模片的製造方法之一例之流程圖。 圖32(a)～(c)係表示第2實施形態之模片的製造方法之一例之概略步驟圖。 圖33(d)～(f)係接續於圖32之後、表示第2實施形態之模片的製造方法之一例之概略步驟圖。 圖34係表示第2實施形態之模片的製造方法之另一例之流程圖。 圖35(a)～(c)係表示第2實施形態之模片的製造方法之另一例之概略步驟圖。 圖36(d)～(f)係接續於圖35之後、表示第2實施形態之模片的製造方法之另一例之概略步驟圖。 圖37(g)～(i)係接續於圖36之後、表示第2實施形態之模片的製造方法之另一例之概略步驟圖。 圖38(j)～(l)係接續於圖37之後、表示第2實施形態之模片的製造方法之另一例之概略步驟圖。 圖39(a)、(b)係對本發明之樹脂厚度規定用之模片之另一例進行說明之圖。 圖40係對本發明之樹脂厚度規定用之模片之作用效果進行說明之圖。

Claims (35)

  1. 一種模片，其特徵在於：其係用於將包含凹部及凸部之轉印圖案轉印於被轉印基板之上之樹脂之壓印微影者，且於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，於上述第2階差構造之上表面具有包含上述凹部及上述凸部之上述轉印圖案，且上述第1階差構造之上表面具有光透過率低於上述第1階差構造之遮光膜。
  2. 一種模片，其特徵在於：其係用於將包含凹部及凸部之轉印圖案轉印於被轉印基板之上之樹脂之壓印微影者，且於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，於上述第2階差構造之上表面具有構成包含上述凹部及上述凸部之上述轉印圖案之第1凹凸構造體、及構成對準標記之第2凹凸構造體，上述第1階差構造具有光透過率低於上述第1階差構造之遮光膜，且於上述遮光膜之上、及上述第2凹凸構造體之凹部之底面之上，形成有由與構成上述基部之材料不同之材料膜構成之高對比度膜。
  3. 如請求項1或2之模片，其中於將自上述基部之主面至上述第1階差構造之上之上述遮光膜之上表面為止的垂直方向之距離設為H1，將自上述基部之主面至上述第2階差構造之上表面的上述轉印圖案之上述凹部之底面為止的垂直方向之距離設為H2之情形時，成為H1<H2之關係。
  4. 如請求項1或2之模片，其中於將自上述基部之主面至上述第1階差構造之上之上述遮光膜之上表面為止的垂直方向之距離設為H1，將自上述基部之主面至上述第2階差構造之上表面為止之垂直方向之距離設為H3，將自上述基部之主面之外緣至上述第1階差構造之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D1，將自上述基部之主面之外緣至上述第2階差構造之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D2之情形時，成為H1≦H3×(D1/D2)之關係。
  5. 如請求項1或2之模片，其中於上述基部之與主面為相反側之面，具有俯視下包含上述第2階差構造之凹陷部。
  6. 如請求項5之模片，其中上述凹陷部俯視下包含上述第1階差構造。
  7. 如請求項1或2之模片，其中上述遮光膜之於波長365nm下之透過率為10%以下。
  8. 一種模片基底，其特徵在於：其係用以製造用於將包含凹部及凸部之轉印圖案轉印於被轉印基板之上之樹脂的壓印微影之模片者，且於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，且上述第1階差構造之上表面具有光透過率低於上述第1階差構造之遮光膜。
  9. 如請求項8之模片基底，其中於將自上述基部之主面至上述第1階差構造之上之上述遮光膜之上表面為止的垂直方向之距離設為H1，將自上述基部之主面至上述第2階差構造之上表面為止之垂直方向之距離設為H4之情形時，成為H1<H4之關係。
  10. 如請求項8或9之模片基底，其中於將自上述基部之主面至上述第1階差構造之上之上述遮光膜之上表面為止的垂直方向之距離設為H1，將自上述基部之主面至上述第2階差構造之上表面為止之垂直方向之距離設為H4，將自上述基部之主面之外緣至上述第1階差構造之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D1，將自上述基部之主面之外緣至上述第2階差構造之上表面之外緣為止的水平方向之距離設為D2之情形時，成為H1≦H4×(D1/D2)之關係。
  11. 如請求項8或9之模片基底，其中於上述基部之與主面為相反側之面，具有俯視下包含上述第2階差構造之凹陷部。
  12. 如請求項11之模片基底，其中上述凹陷部俯視下包含上述第1階差構造。
  13. 如請求項8或9之模片基底，其中上述遮光膜之於波長365nm下之透過率為10%以下。
  14. 一種壓印用模片基板之製造方法，其特徵在於：其係於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，且於上述第1階差構造之上表面之上具有光透過率低於上述第1階差構造之遮光膜之壓印用模片基板之製造方法；該製造方法依序包括：具遮光材料層之多階模片基板準備步驟，其係準備具有上述第1階差構造及上述第2階差構造，且於上述第1階差構造之上表面之上及上述第2階差構造之上表面之上具有光透過率低於上述第1階差構造之遮光材料層的具遮光材料層之多階模片基板；樹脂層形成步驟，其係於形成於上述第1階差構造之上表面之上的上述遮光材料層之上形成第1樹脂層，於形成於上述第2階差構造之上表面之上的上述遮光材料層之上形成厚度較上述第1樹脂層薄之第2樹脂層；第2樹脂層去除步驟，其係藉由乾式蝕刻，一面將上述第1樹脂層保留，一面將上述第2樹脂層去除；及遮光膜形成步驟，其係將殘存之上述第1樹脂層用作遮罩而對上述遮光材料層進行蝕刻，一面將形成於上述第1階差構造之上表面之上之上述遮光材料層保留，一面將形成於上述第2階差構造之上表面之上之上述遮光材料層去除；且上述樹脂層形成步驟包含樹脂厚度規定步驟，該樹脂厚度規定步驟係使用於與樹脂接觸之主面側具有凹部之樹脂厚度規定用之模片，將上述樹脂厚度規定用之模片之該凹部的外周部之上表面壓抵於第1樹脂，且將上述樹脂厚度規定用之模片之凹部之底面壓抵於第2樹脂，上述第1樹脂係滴在形成於上述第1階差構造之上表面之上的上述遮光材料層之上者，上述第2樹脂係滴在形成於上述第2階差構造之上表面之上的上述遮光材料層之上者；且上述樹脂厚度規定用之模片之上述凹部之深度，小於自上述第1階差構造之上表面至上述第2階差構造之上表面為止之高度。
  15. 如請求項14之壓印用模片基板之製造方法，其中上述樹脂層形成步驟包含：上述樹脂厚度規定步驟；及樹脂硬化步驟，其係於壓抵上述樹脂厚度規定用之模片之狀態下，藉由紫外線照射使上述第1樹脂及上述第2樹脂硬化而形成上述第1樹脂層及上述第2樹脂層。
  16. 如請求項14或15之壓印用模片基板之製造方法，其中上述具遮光材料層之多階模片基板準備步驟依序包括：多階模片基板準備步驟，其係準備具有上述第1階差構造及上述第2階差構造之多階模片基板；及遮光材料層形成步驟，其係於上述第1階差構造之上表面之上、及上述第2階差構造之上表面之上形成上述遮光材料層。
  17. 如請求項16之壓印用模片基板之製造方法，其中上述多階模片基板準備步驟依序包括：1階模片基板準備步驟，其係準備於上述基部之主面之上具有1階之階差構造之1階模片基板；蝕刻遮罩形成步驟，其係於上述1階模片基板之上述階差構造之上表面的成為轉印圖案區域之區域形成蝕刻遮罩；及多階化步驟，其係使用上述蝕刻遮罩對上述階差構造進行蝕刻，而形成下階之第1階差構造及上階之第2階差構造。
  18. 一種壓印用模片之製造方法，其特徵在於：其係於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，於上述第1階差構造之上表面之上具有光透過率低於上述第1階差構造之遮光膜，且於上述第2階差構造之上表面具有包含凹部及凸部之轉印圖案之壓印用模片之製造方法；該製造方法依序包括：具遮光材料層之多階模片準備步驟，其係準備具有上述第1階差構造及上述第2階差構造，於上述第2階差構造之上表面具有包含上述凹部及上述凸部之上述轉印圖案，且於上述第1階差構造之上表面之上及上述第2階差構造之上表面之上具有光透過率低於上述第1階差構造之遮光材料層之具遮光材料層之多階模片；第1及第2樹脂層形成步驟，其係於形成於上述第1階差構造之上表面之上的上述遮光材料層之上形成第1樹脂層，於形成於上述第2階差構造之上表面之上的上述遮光材料層之上形成厚度較上述第1樹脂層薄之第2樹脂層；第2樹脂層去除步驟，其係藉由乾式蝕刻，一面將上述第1樹脂層保留，一面將上述第2樹脂層去除；及遮光膜形成步驟，其係將殘存之上述第1樹脂層用作遮罩而對上述遮光材料層進行蝕刻，一面將形成於上述第1階差構造之上表面之上之上述遮光材料層保留，一面將形成於上述第2階差構造之上表面之上之上述遮光材料層去除；且上述第1及第2樹脂層形成步驟包含第1及第2樹脂厚度規定步驟，該第1及第2樹脂厚度規定步驟係使用於與樹脂接觸之主面側具有凹部之第1及第2樹脂厚度規定用之模片，將上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之該凹部的外周部之上表面壓抵於第1樹脂，將上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之凹部之底面壓抵於第2樹脂，上述第1樹脂係滴在形成於上述第1階差構造之上表面之上的上述遮光材料層之上者，上述第2樹脂係滴在形成於上述第2階差構造之上表面之上的上述遮光材料層之上者；且上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之上述凹部之深度，小於自上述第1階差構造之上表面至上述第2階差構造之上表面為止之高度。
  19. 一種壓印用模片之製造方法，其特徵在於：其係於基部之主面之上具有第1階差構造，於上述第1階差構造之上具有第2階差構造，於上述第1階差構造之上表面之上具有遮光膜，且於上述第2階差構造之上表面具有凹凸構造之轉印圖案之壓印用模片之製造方法；該製造方法依序包括：具遮光材料層之多階模片準備步驟，其係準備具有上述第1階差構造及上述第2階差構造，於上述第2階差構造之上表面具有構成上述轉印圖案之第1凹凸構造體、及構成對準標記之第2凹凸構造體，且於上述第1階差構造之上表面之上及上述第2階差構造之上表面之上具有遮光材料層之具遮光材料層之多階模片；第1及第2樹脂層形成步驟，其係於形成於上述第1階差構造之上表面之上的遮光材料層之上形成第1樹脂層，於形成於上述第2階差構造之上表面之上的遮光材料層之上形成厚度較上述第1樹脂層薄之第2樹脂層；第2樹脂層去除步驟，其係藉由乾式蝕刻，一面將上述第1樹脂層保留，一面將上述第2樹脂層去除；遮光膜形成步驟，其係將殘存之上述第1樹脂層用作遮罩而對上述遮光材料層進行蝕刻，一面將形成於上述第1階差構造之上表面之上之遮光材料層保留，一面將形成於上述第2階差構造之上表面之上之遮光材料層去除，藉此於上述第1階差構造之上表面之上形成遮光膜；高對比度層形成步驟，其係於上述遮光膜之上、上述第1凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上、以及上述第2凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上形成高對比度層；第3~第5樹脂層形成步驟，其係於形成於上述遮光膜之上之上述高對比度層之上形成第3樹脂層，於形成於上述第1凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上的上述高對比度層之上形成膜厚較上述第3樹脂層薄之第4樹脂層，於形成於上述第2凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上的上述高對比度層之上形成膜厚較上述第4樹脂層厚之第5樹脂層；第4樹脂層去除步驟，其係藉由乾式蝕刻，一面將上述第3樹脂層及上述第5樹脂層保留，一面將上述第4樹脂層去除；及高對比度膜形成步驟，其係將殘存之上述第3樹脂層及上述第5樹脂層用作遮罩而對上述高對比度層進行蝕刻，一面將形成於上述遮光膜之上、及上述第2凹凸構造體之凹部之底面之上的上述高對比度層保留，一面將形成於上述第1凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上、及上述第2凹凸構造體之凸部之上表面之上的上述高對比度層去除；且上述第1及第2樹脂層形成步驟包含第1及第2樹脂厚度規定步驟，該第1及第2樹脂厚度規定步驟係使用於與樹脂接觸之主面側具有凹部之第1及第2樹脂厚度規定用之模片，將上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之該凹部的外周部之上表面壓抵於第1樹脂，將上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之凹部之底面壓抵於第2樹脂，上述第1樹脂係滴在形成於上述第1階差構造之上表面之上的遮光材料層之上者，上述第2樹脂係滴在形成於上述第2階差構造之上表面之上的遮光材料層之上者；且上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之上述凹部之深度，小於自上述第1階差構造之上表面至上述第2階差構造之上表面為止之高度；上述第3~第5樹脂層形成步驟包含第3~第5樹脂厚度規定步驟，該第3~第5樹脂厚度規定步驟係使用於與樹脂接觸之主面側具有凹部，且具有形成於上述凹部之底面側之凹陷的第3~第5樹脂厚度規定用之模片，將上述第3~第5樹脂厚度規定用之模片的凹部之外周部之上表面壓抵於第3樹脂，將上述第3~第5樹脂厚度規定用之模片之凹部之底面壓抵於第4樹脂、及第5樹脂，將上述凹陷之底面壓抵於上述第5樹脂，上述第3樹脂係滴在形成於上述遮光膜之上之上述高對比度層之上者，上述第4樹脂係滴在形成於上述第1凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上的上述高對比度層之上者，上述第5樹脂係滴在形成於上述第2凹凸構造體之凸部之上表面及凹部之底面之上的上述高對比度層之上者；且上述第3~第5樹脂厚度規定用之模片之上述凹部的除上述凹陷以外之部分之深度，小於自形成於上述遮光膜之上之上述高對比度層之上表面至形成在上述第1凹凸構造體之凹部之底面之上的上述高對比度層之上表面為止之高度。
  20. 如請求項18或19之壓印用模片之製造方法，其中上述第1及第2樹脂層形成步驟包含：上述第1及第2樹脂厚度規定步驟；以及第1及第2樹脂硬化步驟，其係於壓抵上述第1及第2樹脂厚度規定用之模片之狀態下，藉由紫外線照射使上述第1樹脂及上述第2樹脂硬化而形成上述第1樹脂層及上述第2樹脂層。
  21. 如請求項18或19之壓印用模片之製造方法，其中上述具遮光材料層之多階模片準備步驟依序包含：多階模片準備步驟，其係準備具有上述第1階差構造及上述第2階差構造，且於上述第2階差構造之上表面具有上述轉印圖案之多階模片；及遮光材料層形成步驟，其係於上述第1階差構造之上表面之上、及上述第2階差構造之上表面之上形成遮光材料層。
  22. 如請求項21之壓印用模片之製造方法，其中上述多階模片準備步驟依序包括：1階模片準備步驟，其係準備於上述基部之主面之上具有1階之階差構造，且於上述階差構造之上表面具有上述轉印圖案之1階模片；蝕刻遮罩形成步驟，其係於上述1階模片之上述階差構造之上表面的形成有上述轉印圖案之區域形成蝕刻遮罩；及多階化步驟，其係使用上述蝕刻遮罩對上述階差構造進行蝕刻，而形成下階之第1階差構造及上階之第2階差構造。
  23. 如請求項19之壓印用模片之製造方法，其中上述具遮光材料層之多階模片準備步驟依序包括：多階模片準備步驟，其係準備具有上述第1階差構造及上述第2階差構造，且於上述第2階差構造之上表面具有上述轉印圖案之多階模片；及遮光材料層形成步驟，其係於上述第1階差構造之上表面之上、及上述第2階差構造之上表面之上形成遮光材料層；且上述多階模片準備步驟依序包括：1階模片基板準備步驟，其係準備於上述基部之主面之上具有1階之階差構造之1階模片基板；蝕刻遮罩形成步驟，其係於上述1階模片基板之上述階差構造之上表面的成為上述轉印圖案之區域形成蝕刻遮罩；多階化步驟，其係使用上述蝕刻遮罩對上述階差構造進行蝕刻，而形成下階之第1階差構造及上階之第2階差構造；及轉印圖案形成步驟，其係於上述第2階差構造之上表面形成上述轉印圖案。
  24. 一種模片，其特徵在於：於與樹脂接觸之主面側具有凹部。
  25. 一種模片，其特徵在於：於與樹脂接觸之主面側具有凹部，且具有形成於上述凹部之底面側之凹陷。
  26. 如請求項24或25之模片，其中於上述主面側具有對位用之標記。
  27. 如請求項25之模片，其中於上述主面側具有對位用之標記，上述對位用之標記係於上述主面側形成於上述凹部之外側之凹陷，且形成於上述凹部之底面側之凹陷之深度，與形成於上述凹部之外側之凹陷之深度相同。
  28. 如請求項24或25之模片，其中上述凹部之底面尺寸係10mm×10mm以上且70mm×70mm以下。
  29. 如請求項24或25之模片，其中上述凹部之深度係0.3μm以上且10μm以下。
  30. 如請求項24或25之模片，其用於如請求項14或15之壓印用模片基板之製造方法，且上述凹部之深度小於上述壓印用模片基板之自第1階差構造之上表面至2階差構造之上表面為止之高度。
  31. 如請求項30之模片，其中上述凹部之底面具有內含上述壓印用模片基板之第2階差構造之上表面之大小。
  32. 如請求項30之模片，其中被上述凹部之外周部之上表面之外緣所包圍之區域，與上述壓印用模片基板之被第1階差構造之上表面之外緣所包圍之區域具有相同之形狀且具有相同之面積，或具有內含上述壓印用模片基板之被第1階差構造之上表面之外緣所包圍之區域之大小。
  33. 如請求項24或25之模片，其用於如請求項18之壓印用模片之製造方法，且上述凹部之深度小於上述壓印用模片之自第1階差構造之上表面至2階差構造之上表面為止之高度。
  34. 如請求項33之模片，其中上述凹部之底面具有內含上述壓印用模片之第2階差構造之上表面之大小。
  35. 如請求項33之模片，其中被上述凹部之外周部之上表面之外緣所包圍之區域，與上述壓印用模片之被第1階差構造之上表面之外緣所包圍之區域具有相同之形狀且具有相同之面積，或具有內含上述壓印用模片之被第1階差構造之上表面之外緣所包圍之區域之大小。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI833995B (zh) * 2019-09-30 2024-03-01 日商佳能股份有限公司 壓印用模具、壓印方法及物品之製造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7022615B2 (ja) * 2018-02-26 2022-02-18 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、モールドの製造方法、および、物品の製造方法
JP7027200B2 (ja) * 2018-03-09 2022-03-01 キオクシア株式会社 レプリカテンプレートの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP7384153B2 (ja) * 2018-04-09 2023-11-21 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用テンプレート及びその製造方法、並びに、２段メサブランクス及びその製造方法
WO2019230460A1 (ja) * 2018-05-30 2019-12-05 富士フイルム株式会社 パターン原盤、パターン原盤の製造方法、モールドの製造方法および基体の製造方法
JP7139751B2 (ja) * 2018-07-24 2022-09-21 大日本印刷株式会社 インプリントモールドの製造方法
JP7346268B2 (ja) * 2019-12-05 2023-09-19 キヤノン株式会社 インプリント用のテンプレート、テンプレートを用いたインプリント方法
CN111061124A (zh) * 2019-12-23 2020-04-24 杭州欧光芯科技有限公司 带切割道的紫外固化纳米压印模具及方法
JP2021150461A (ja) 2020-03-18 2021-09-27 キオクシア株式会社 テンプレート、パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP2023537471A (ja) * 2020-08-03 2023-09-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド シームレスソフトスタンプを製造するための装置及び方法
CN112305859B (zh) * 2020-11-17 2022-07-12 国家纳米科学中心 一种纳米压印模板及其制备方法和应用
US20230205080A1 (en) * 2021-12-27 2023-06-29 Canon Kabushiki Kaisha Template, method of forming a template, apparatus and method of manufacturing an article
WO2023190168A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 大日本印刷株式会社 硬化膜形成方法、インプリントモールド用基板の製造方法、インプリントモールドの製造方法、凹凸構造体の製造方法、パターン形成方法、ハードマスク形成方法、絶縁膜形成方法及び半導体装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7396475B2 (en) * 2003-04-25 2008-07-08 Molecular Imprints, Inc. Method of forming stepped structures employing imprint lithography

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6482742B1 (en) 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
JP2002093748A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> インプリント装置及びインプリント方法
US20080160129A1 (en) 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
JP4330168B2 (ja) 2005-09-06 2009-09-16 キヤノン株式会社 モールド、インプリント方法、及びチップの製造方法
US8011916B2 (en) 2005-09-06 2011-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint apparatus, and process for producing structure
JP5182470B2 (ja) * 2007-07-17 2013-04-17 大日本印刷株式会社 インプリントモールド
JP2010171109A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Toppan Printing Co Ltd インプリント用金型の原版及びインプリント用金型原版の製造方法
JP5407525B2 (ja) * 2009-04-27 2014-02-05 大日本印刷株式会社 ナノインプリント転写用基板およびナノインプリント転写方法
JP5451450B2 (ja) * 2010-02-24 2014-03-26 キヤノン株式会社 インプリント装置及びそのテンプレート並びに物品の製造方法
JP2012204429A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp インプリント用テンプレート、その製造方法及びパターン形成方法
JP2013016734A (ja) * 2011-07-06 2013-01-24 Sumitomo Electric Ind Ltd ナノインプリント用モールドを作製する方法
JP2013168604A (ja) * 2012-02-17 2013-08-29 Fujifilm Corp ナノインプリント用モールドの製造方法
EP3012097A3 (en) * 2012-06-13 2016-06-22 Asahi Kasei E-materials Corporation Function transfer product, functional layer transfer method, packed product, and function transfer film roll
JP2014011254A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Dainippon Printing Co Ltd 位置合わせマーク、該マークを備えたテンプレート、および、該テンプレートの製造方法
JP5983218B2 (ja) 2012-09-11 2016-08-31 大日本印刷株式会社 ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法
JP6075129B2 (ja) * 2013-03-11 2017-02-08 大日本印刷株式会社 テンプレートの製造方法
JP2015170828A (ja) 2014-03-11 2015-09-28 富士フイルム株式会社 プラズマエッチング方法およびパターン化基板の製造方法
JP5773024B2 (ja) * 2014-04-25 2015-09-02 大日本印刷株式会社 ナノインプリントによるパターン形成装置
JP6446943B2 (ja) 2014-09-24 2019-01-09 大日本印刷株式会社 インプリント用テンプレート及びインプリント方法
JP6377480B2 (ja) * 2014-09-30 2018-08-22 Hoya株式会社 基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びインプリントモールドの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7396475B2 (en) * 2003-04-25 2008-07-08 Molecular Imprints, Inc. Method of forming stepped structures employing imprint lithography

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI833995B (zh) * 2019-09-30 2024-03-01 日商佳能股份有限公司 壓印用模具、壓印方法及物品之製造方法

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