TWI621934B - 具有輸出補償的半導體裝置 - Google Patents

具有輸出補償的半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI621934B
TWI621934B TW105104494A TW105104494A TWI621934B TW I621934 B TWI621934 B TW I621934B TW 105104494 A TW105104494 A TW 105104494A TW 105104494 A TW105104494 A TW 105104494A TW I621934 B TWI621934 B TW I621934B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transistor
compensation
circuit
coupled
output
Prior art date
Application number
TW105104494A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201730706A (zh
Inventor
楊宜山
Original Assignee
旺宏電子股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 旺宏電子股份有限公司 filed Critical 旺宏電子股份有限公司
Publication of TW201730706A publication Critical patent/TW201730706A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI621934B publication Critical patent/TWI621934B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

半導體裝置包括放大器、通過電晶體、補償電路與偏壓產生電路。放大器具有輸出端。通過電晶體具有閘極與輸出端，閘極耦接至放大器的輸出端，通過電晶體的輸出端耦接至負載。補償電路耦接於放大器的輸出端與通過電晶體的輸出端之間。補償電路之阻抗可變。偏壓產生電路耦接於通過電晶體的輸出端與補償電路之間。

Description

具有輸出補償的半導體裝置
本案是有關於一種具有輸出補償的半導體裝置，且特別是有關於一種在廣電流負載範圍上具有穩定性的半導體裝置。
半導體裝置的電子放大器可廣泛應用於穩壓。例如，低壓降穩壓器( Low Dropout Regulator﹐LDO)，其包括誤差放大器，可應用於系統單晶片(system-on-chip (SOC))或記體系統的功率管理。後續具有電子放大器的裝置或電路也可稱為放大器電路。
放大器電路之特性之一是“極點(pole)”，其可由放大器電路的轉移函數而得。某些放大器電路，例如LDO或單增益緩衝器，具有至少一極點，例如是放大器電路之輸出級之極點。為達穩定操作，必須補償輸出極點。輸出極點的位置，亦即頻率，有關於放大器電路之負載電流。通常，放大器電路之負載電流可能因為負載變化而在大範圍內變動，因此，當負載變化時，輸出極點可能會產生偏移。因此，對某一負載所做出的輸出極點補償可能在另一負載下不會產生作用。
本案實施例提供一種半導體裝置，包括放大器、通過電晶體、補償電路與偏壓產生電路。放大器具有輸出端。通過電晶體具有閘極與輸出端，閘極耦接至放大器的輸出端，通過電晶體的輸出端耦接至負載。補償電路耦接於放大器的輸出端與通過電晶體的輸出端之間。補償電路之阻抗可變。偏壓產生電路耦接於通過電晶體的輸出端與補償電路之間。
根據本案另一實施例提出一種半導體裝置，包括：一放大器、一通過電晶體、一補償電晶體、一電流感應電路與一偏壓產生電路。該通過電晶體的一閘極耦接至該放大器的一放大輸出端，該通過電晶體的一源極或一汲極耦接至該半導體裝置的一裝置輸出端。補償電晶體耦接於該放大輸出端與該裝置輸出端之間。電流感應電路耦合至該通過電晶體的該閘極，且感應該半導體裝置之一負載電流。偏壓產生電路耦接於該補償電晶體的一閘極與一源極之間，該偏壓產生電路產生一補償控制信號以根據所感應的該負載電流而調整該補償電晶體之一阻抗。
為了對本案之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本說明書的技術用語係參照本技術領域之習慣用語，如本說明書對部分用語有加以說明或定義，該部分用語之解釋係以本說明書之說明或定義為準。本揭露之各個實施例分別具有一或多個技術特徵。在可能實施的前提下，本技術領域具有通常知識者可選擇性地實施任一實施例中部分或全部的技術特徵，或者選擇性地將這些實施例中部分或全部的技術特徵加以組合。
本案實施例包括具有輸出補償的半導體裝置。
底下，本案實施例將參考附圖而描述。在可能的情況下，相同參考符號代表相同或相似元件。
第1圖繪示依照本案一實施例的半導體裝置100的電路圖。如第1圖所示，半導體裝置100包括低壓降穩壓器( Low Dropout Regulator﹐LDO)。在第1圖中，半導體裝置100包括穩壓電路102、補償電路104與補償控制電路106。
穩壓電路102包括誤差放大器108、通過電晶體110與分壓電路112，分壓電路112包括第一電阻112-1與第二電阻112-2。通過電晶體110與分壓電路112串聯，且耦合於電源114與接地116之間。如第1圖所示，誤差放大器108的負輸入端耦合至參考電壓VREF ，而誤差放大器108的正輸入端耦合至第一電阻112-1與第二電阻112-2的中間點，以接收回授電壓VFB ，而誤差放大器108的放大輸出端則耦合至通過電晶體110的閘極。第1圖中，通過電晶體110是p通道金屬半導體(PMOS)電晶體。在一些實施例中，通過電晶體110可為不同類型的電晶體，例如n通道金屬半導體(NMOS)電晶體。通過電晶體110的源極耦合至電源114，而其汲極則耦合至第二電阻112-2。在本案中，電晶體的源極與汲極也可稱為該電晶體的輸出端。在通過電晶體110的汲極與第二電阻112-2之間的耦合點上的輸出電壓VOUT 由穩壓電路102的輸出端118來輸出。此輸出端118也稱為LDO輸出端。在第1圖中，COUT 為輸出端電容性負載(Output Capacitive Load)。
補償電路104耦合於誤差放大器108的放大輸出端與LDO輸出端118之間，且包括補償電容120與補償電晶體122。在第1圖中，補償電晶體122是PMOS電體。補償電晶體122的阻抗或電阻值可由控制施加至補償電晶體122的閘極電壓而調整，使得補償電晶體122可當成阻抗可變裝置或電阻可變裝置。在一些實施例中，補償電晶體122可為其他類型電晶體，如NMOS電晶體。補償電路104用以在頻率上加零點，以相同於穩壓電路102的輸出極點的頻率，而抵消輸出極點。第2圖繪示依照抵消輸出極點的波德圖(Bode plot)。波德圖包括在上半部的波德增益圖，與下半部的波德相位圖。
如第2圖所示，穩壓電路102具有兩個極點：輸出極點p2，也稱為非主要極點，與另一極點p1，也稱為主要極點，其頻率低於輸出極點p2。由補償電路104所導入的零點z的頻率約同於穩壓電路102的輸出極點p2。因此，輸出極點p2可被抵消，而波德增益圖的斜率在輸出極點p2的頻率處不會有突然變化。實際上，由補償電路104所導入的零點z不同重疊於輸出極點p2，亦即，零點z的頻率不會完全相同於輸出極點p2的頻率。然而，零點z極相當接近於輸出極點p2，只要經由補償電路104補償之後，穩壓電路102的操作能穩定即可。
甚至，如第2圖所示，除了零點z之外，補償電路104也導入第三極點p3於穩壓電路102的波德圖。在本案實施例中，補償電路104使得第三極點p3靠近於單增益頻率(在此頻率處，增益為1或0dB，如第2圖所示)。在此條件下，如第2圖的下半部所示，穩壓電路102的相位裕度(phase margin)大於0，因此，穩壓電路102可穩定操作。根據本案，零點z與極點p2之間的間距可使得穩壓電路102的相位裕度大於0，以得到穩定操作。
如上述，補償電晶體122當成補償電路104的可變電阻，改變施加至補償電晶體122的閘極偏壓即可控制補償電晶體122的阻抗。此偏壓也可稱為補償偏壓或補償控制信號，標示為Vbias 。如第1圖所示，補償控制電路106耦合至補償電晶體122的閘極，且用以提供補償偏壓Vbias 給補償電晶體122。
如第1圖，補償控制電路106包括電流感應電路124、電流縮放電路126與偏壓產生電路128。偏壓產生電路128也稱為補償控制信號產生電路。在第1圖中，電流感應電路124包括PMOS電晶體，耦合於電源114與電流縮放電路126之間。電流縮放電路126耦合至接地116，且包括電流鏡，此電流鏡包括第一NMOS電晶體126-1與第二NMOS電晶體126-2。偏壓產生電路128包括PMOS電晶體，耦合於LDO輸出端118與電流縮放電路126之間，且耦合於LDO輸出端118與補償電路104之間。流經通過電晶體110的電流包括兩部份ILOAD 與Ir 。ILOAD 是輸出負載電流，流經半導體100的負載；Ir 則流至分壓電路112的第一電阻112-1。在本案中，Ir =VFB /R112-1 =VREF /R112-1 ，其中，R112-1 代表第一電阻112-1之電阻。
在本案實施例中，電流感應電路124回應於負載電流ILOAD 的變化而產生感應電流Isense ，流經電流感應電路124。感應電流Isense 由電流縮放電路126所鏡射，並輸入至偏壓產生電路128。偏壓產生電路128根據感應電流Isense (因而也根據負載電流ILOAD )來產生補償偏壓Vbias ，並將補償偏壓Vbias 輸入至補償電晶體122的閘極。特別是，偏壓產生電路128耦合於補償電晶體122的汲極或源極，與補償電晶體122的閘極之間。在第1圖中，偏壓產生電路128包括電晶體，且為二極體連接方式，亦即，偏壓產生電路128的該電晶體的汲極與閘極彼此耦合。因此，當負載電流ILOAD 變化時，偏壓產生電路128的輸出，亦即補償偏壓Vbias ，也變化。因此，由補償電路104所產生的零點可追蹤穩壓電路102的輸出級的輸出極點，亦即，零點與極點的頻率相同或相近，使得穩壓電路102的相位裕度大於0。
特別是，補償偏壓Vbias 可表示如下：Vbias = VOUT – Vgs = VOUT – Vtp – Vov ，其中，Vgs 、Vtp 與Vov 是偏壓產生電路128的PMOS電晶體的源極-閘極電壓，臨界電壓與過驅動電壓。過驅動電壓Vov 取決於感應電流Isense 。當負載電流ILOAD 增加時，穩壓電路102的輸出極點的頻率也增加。然而，當負載電流ILOAD 增加時，感應電流Isense 與偏壓產生電路128的PMOS電晶體的過驅動電壓Vov 也增加。因此，補償偏壓Vbias 減少。因此，補償電晶體122的阻抗減少，將零點推至較高頻率，以追蹤輸出極點。
在第1圖中，偏壓產生電路128耦合於LDO輸出端118與補償電路104之間。例如，如第1圖，偏壓產生電路128直接耦合於LDO輸出端118與補償電路104之間，沒有其他元件(除了導線之間)介於偏壓產生電路128與LDO輸出端118之間，也沒有其他元件(除了導線之間)介於偏壓產生電路128與補償電路104之間。特別是，偏壓產生電路128的PMOS電晶體的源極直接耦合至LDO輸出端118，而偏壓產生電路128的PMOS電晶體的汲極與閘極則直接耦合至補償電路104的補償電晶體122的閘極。藉由此架構，補償偏壓Vbias 可由穩壓電路102的輸出直接產生。因此，補償偏壓Vbias 不被其他因子(例如電源114的電壓變動)影響，故可較為穩定。
本案實施例中，通過電晶體110，在第1圖為MOSFET，輸出電流給負載。另一方面，電流感應電路124，在第1圖也為MOSFET，感應負載電流ILOAD 來產生感應電流Isense ，亦即，電流感應電路124不輸出電流給負載。因而，電流感應電路124的電晶體尺寸可小於通過電晶體110的尺寸。
第3圖顯示根據本案另一實施例之半導體裝置200。半導體裝置200包括穩壓電路102、補償電路204與補償控制電路206。第3圖的補償電路204相似於第1圖的補償電路104，除了補償電路204以NMOS電晶體來當成補償電晶體222。補償控制電路206包括NMOS電晶體(而非PMOS電晶體)來當成偏壓產生電路228，且不包括電流縮放電路。亦即，在補償控制電路206中，電流感應電路124直接耦合至偏壓產生電路228。因此，由電流感應電路124所感應的電流直接輸入至偏壓產生電路228，而不被鏡射。相似於半導體裝置100，半導體裝置200的偏壓產生電路228直接耦合於LDO輸出端118與002204之間，如第3圖所示。
本案實施例的補償電路與補償控制電路不只可用於補償穩壓器，也可用於補償具有放大器的裝置。第4圖顯示根據本案其他實施例的半導體裝置300。半導體裝置300相似於半導體裝置100，除了半導體裝置300包括單增益緩衝器302，而沒有穩壓器102。如第4圖所示，單增益緩衝器302的架構相似於穩壓器102，且包括電流偏壓源312，而沒有分壓電路112。單增益緩衝器302的輸出端318耦合至誤差放大器108的正輸入端。輸出端318也稱為緩衝輸出端。相似於半導體裝置100，半導體裝置300的偏壓產生電路128直接耦合於緩衝器輸出端318與補償電路104之間。
第5圖顯示根據本案其他實施例的半導體裝置400。半導體裝置400相似於半導體裝置300，但，如同半導體裝置200，半導體裝置400包括補償電路204與補償控制電路206，而非補償電路104與補償控制電路106。在半導體裝置400中，偏壓產生電路228也直接耦合於緩衝器輸出端318與補償電路204之間。
第6圖顯示根據本案其他實施例的半導體裝置500。半導體裝置500包括單增益緩衝器502、補償電路104與補償控制電路506。如第6圖，單增益緩衝器502包括當成通過電晶體510的NMOS電晶體，而非如單增益緩衝器302般包括PMOS電晶體。在單增益緩衝器502中，誤差放大器108的正輸入端耦合至參考電壓VREF ，而誤差放大器108的負輸入端耦合至緩衝器輸出端318。
如第6圖所示，補償控制電路506包括電流感應電路524與偏壓產生電路128。電流感應電路524感應負載電流ILOAD 來產生感應電流Isense ，且其包括NMOS電晶體。偏壓產生電路128根據感應電流Isense 來產生補償偏壓Vbias 。在第6圖中，電流感應電路524與偏壓產生電路128彼此直接耦合，且在其間沒有電感縮放電路。甚至，偏壓產生電路128直接耦合於緩衝器輸出端318與補償電路104之間。
第7圖顯示根據本案其他實施例之半導體裝置600。半導體裝置600是半導體裝置300的鏡射。亦即，半導體裝置300中的所有PMOS電晶體被取代為半導體裝置600中的NMOS電晶體。因此，半導體裝置300中的所有NMOS電晶體被取代為半導體裝置600中的PMOS電晶體。特別是，半導體裝置600包括單增益緩衝器502、補償電路204與補償控制電路606。單增益緩衝器502與補償電路204如上所述，其細節在此省略。
補償控制電路606包括：具有NMOS電晶體之電流感應電路524、具有NMOS電晶體之偏壓產生電路228，以及電流縮放電路626。電流縮放電路626包括電流鏡，具有第一PMOS電晶體626-1與第二PMOS電晶體626-2。在半導體裝置600中，偏壓產生電路228也直接耦合於緩衝器輸出端318與補償電路204之間。
第8-11圖顯示根據本案其他實施例之半導體裝置700、800、900與1000。半導體裝置700、800、900與1000相似於半導體裝置100，除了各半導體裝置700、800、900與1000中的補償電路更包括一或多個阻抗裝置。本案中之阻抗裝置可以是電阻，電容，電感或這些的電性耦合組合。一或多個阻抗裝置加入至半導體裝置700、800、900與1000，以改變零點的位置。
特別是，如第8圖所示，半導體裝置700包括補償電路704，其具有並聯阻抗裝置730，並聯於補償電晶體122。當輸出端118為浮接時，亦即，當輸出端118未連接至負載時，補償電晶體122被失能，亦即關閉。在此情況下，並聯阻抗裝置730，例如電阻，仍可提供路徑給補償電容120。
如第9圖所示，半導體裝置800包括補償電路804，其具有串聯阻抗裝置830，串聯於補償電晶體122。如第10圖所示，半導體裝置900包括補償電路904，其具有並聯阻抗裝置730與串聯阻抗裝置830。在半導體裝置900中，串聯阻抗裝置830串聯於補償電晶體122，而並聯阻抗裝置730並聯於補償電晶體122與串聯阻抗裝置830。如第11圖所示，半導體裝置1000包括補償電路1004，其具有並聯阻抗裝置730與串聯阻抗裝置830。在半導體裝置1000中，並聯阻抗裝置730並聯於補償電晶體122，而串聯阻抗裝置830串聯於補償電晶體122與並聯阻抗裝置730。根據本案，各阻抗裝置730與830可為電阻，電容，電感或其電性耦合組合。
第12與13圖顯示根據本案其他實施例之半導體裝置1100與1200。如第12圖所示，半導體裝置1100相似於半導體裝置200，除了半導體裝置1100包括補償電路1104，其相似於半導體裝置700的補償電路704，其具有並聯阻抗裝置730，耦合於補償電晶體222之源極與汲極之間，亦即並聯於補償電晶體222。相似地，如第13圖所示，半導體裝置1200相似於半導體裝置200，除了半導體裝置1200包括補償電路1204，其相似於半導體裝置900的補償電路904，其具有並聯阻抗裝置730與串聯阻抗裝置830。在半導體裝置1200中，串聯阻抗裝置830串聯於補償電晶體222，而並聯阻抗裝置730並聯於補償電晶體222與串聯阻抗裝置830。
在上述實施例中，負載變化之偵測乃藉由偵測負載電流之變化。補償電路之阻抗值，例如，補償電路104、204、704、804、904、1004、1104或1204，可根據電流感應電路(例如電流感應電路124或524)所感應的負載電流變化而被調整。在某些實施例中，負載變化可由乃藉由偵測負載電壓之變化，亦即使用電壓感應電路來感應負載電壓的變化。在此情況下，補償電路的阻抗值可利用分壓電路根據負載電壓的變化而被調整。
根據本案，如上述，偏壓產生電路，例如偏壓產生電路128或228，耦合於補償電晶體(例如補償電晶體122或222)的閘極與源極之間，產生補償控制信號以根據所感應的負載電流而調整補償電晶體的阻抗。因此，橫跨補償電晶體的閘極與源極間的電壓可由偏壓產生電路直接控制，而不會使其他干擾(例如電源變化)所影響。
綜上所述，雖然本案已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本案。本案所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本案之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧半導體裝置
102‧‧‧穩壓電路
104‧‧‧補償電路
106‧‧‧補償控制電路
108‧‧‧誤差放大器
110‧‧‧通過電晶體
112‧‧‧分壓電路
112-1‧‧‧第一電阻
112-2‧‧‧第二電阻
114‧‧‧電源
116‧‧‧接地
118‧‧‧輸出端
120‧‧‧補償電容
122‧‧‧補償電晶體
124‧‧‧電流感應電路
126‧‧‧電流縮放電路
126-1、126-2‧‧‧NMOS電晶體
128‧‧‧偏壓產生電路
VREF‧‧‧參考電壓
VFB‧‧‧回授電壓
Vbias‧‧‧補償偏壓
VOUT‧‧‧輸出電壓
ILOAD‧‧‧負載電流
COUT‧‧‧輸出端電容性負載
p1、p2、p3‧‧‧極點
z‧‧‧零點
200‧‧‧半導體裝置
204‧‧‧補償電路
206‧‧‧補償控制電路
222‧‧‧補償電晶體
228‧‧‧偏壓產生電路
300‧‧‧半導體裝置
302‧‧‧單增益緩衝器
312‧‧‧電流偏壓源
318‧‧‧輸出端
400‧‧‧半導體裝置
500‧‧‧半導體裝置
502‧‧‧單增益緩衝器
506‧‧‧補償控制電路
510‧‧‧通過電晶體
524‧‧‧電流感應電路
600‧‧‧半導體裝置
606‧‧‧補償控制電路
626‧‧‧電流縮放電路
626-1、626-2‧‧‧PMOS電晶體
700、800、900、1000、1100、1200‧‧‧半導體裝置
704‧‧‧補償電路
730‧‧‧並聯阻抗裝置
804‧‧‧補償電路
830‧‧‧串聯阻抗裝置
904‧‧‧補償電路
1004‧‧‧補償電路
1104‧‧‧補償電路
1204‧‧‧補償電路
第1圖繪示依照本案一實施例的半導體裝置的電路圖。 第2圖繪示依照本案一實施例的半導體裝置的波德圖(Bode plot)。 第3圖至第13圖繪示依照本案其他實施例的半導體裝置的電路圖。

Claims (10)

  1. 一種半導體裝置，包括： 一放大器，具有一輸出端； 一通過電晶體，具有一閘極與一輸出端，該閘極耦接至該放大器的該輸出端，該通過電晶體的該輸出端耦接至一負載； 一補償電路，耦接於該放大器的該輸出端與該通過電晶體的該輸出端之間，該補償電路之阻抗可變；以及 一偏壓產生電路，耦接於該通過電晶體的該輸出端與該補償電路之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中 該補償電路包括： 一可變阻抗裝置；以及 一電容，串聯於該可變阻抗裝置，且該偏壓產生電路產生一偏壓以調整該可變阻抗裝置的一阻抗。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中該可變阻抗裝置包括一可變電阻，該可變電阻包括一補償電晶體；以及 該補償電晶體的一閘極耦合至該偏壓產生電路，以接收該偏壓。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之半導體裝置，其中 該偏壓產生電路包括一信號產生電晶體， 該信號產生電晶體的一閘極耦合至該信號產生電晶體的一源極或一汲極之一，且更耦合至該補償電晶體，以及 該信號產生電晶體的該源極或該汲極之另一耦合至該通過電晶體之該輸出端。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，更包括： 一電流感應電路，耦合至該通過電晶體之該閘極，且感應該負載之一負載電流。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之半導體裝置，其中該電流感應電路包括一感應電晶體，該感應電晶體之一閘極耦合至該通過電晶體之該閘極。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，該通過電晶體之該輸出端耦合至該放大器之一輸入端。
  8. 一種半導體裝置，包括： 一放大器； 一通過電晶體，該通過電晶體的一閘極耦接至該放大器的一放大輸出端，該通過電晶體的一源極或一汲極耦接至該半導體裝置的一裝置輸出端； 一補償電晶體，耦接於該放大輸出端與該裝置輸出端之間； 一電流感應電路，耦合至該通過電晶體的該閘極，且感應該半導體裝置之一負載電流；以及 一偏壓產生電路，耦接於該補償電晶體的一閘極與一源極之間，該偏壓產生電路產生一補償控制信號以根據所感應的該負載電流而調整該補償電晶體之一阻抗。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置，其中，該補償電晶體的該源極耦合至該裝置輸出端，且該補償電晶體的一汲極耦合至該放大輸出端。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之半導體裝置，其中，該偏壓產生電路包括為二極體連接架構的一偏壓產生電晶體，該偏壓產生電晶體的一閘極與一源極或一汲極之一係耦合至該補償電晶體的該閘極，且該偏壓產生電晶體的該源極或該汲極之另一耦合至該補償電晶體的該源極。
TW105104494A 2015-12-07 2016-02-16 具有輸出補償的半導體裝置 TWI621934B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/960,657 US10133287B2 (en) 2015-12-07 2015-12-07 Semiconductor device having output compensation
US14/960,657 2015-12-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201730706A TW201730706A (zh) 2017-09-01
TWI621934B true TWI621934B (zh) 2018-04-21

Family

ID=58798981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105104494A TWI621934B (zh) 2015-12-07 2016-02-16 具有輸出補償的半導體裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10133287B2 (zh)
CN (1) CN106843347B (zh)
TW (1) TWI621934B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9998075B1 (en) 2017-01-25 2018-06-12 Psemi Corporation LDO with fast recovery from saturation
US9915963B1 (en) 2017-07-05 2018-03-13 Psemi Corporation Methods for adaptive compensation of linear voltage regulators
CN112166547B (zh) 2018-01-05 2021-11-16 阿特拉佐有限公司 功率管理***
US10614184B2 (en) 2018-01-08 2020-04-07 Atlazo, Inc. Semiconductor process and performance sensor
US10635130B2 (en) 2018-02-01 2020-04-28 Atlazo, Inc. Process, voltage and temperature tolerant clock generator
US10571945B2 (en) * 2018-02-21 2020-02-25 Atlazo, Inc. Low power regulator circuits, systems and methods regarding the same
US10700604B2 (en) 2018-03-07 2020-06-30 Atlazo, Inc. High performance switch devices and methods for operating the same
JP2019193139A (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 制限回路および電子装置
TWI695386B (zh) * 2018-07-17 2020-06-01 旺宏電子股份有限公司 半導體電路及其操作方法
CN109240405B (zh) * 2018-11-22 2020-11-03 北京昂瑞微电子技术有限公司 一种自适应ldo电路
CN112684844B (zh) * 2019-10-18 2022-08-16 圣邦微电子（北京）股份有限公司 一种低压差线性稳压器
US11720129B2 (en) * 2020-04-27 2023-08-08 Realtek Semiconductor Corp. Voltage regulation system resistant to load changes and method thereof
US11561563B2 (en) 2020-12-11 2023-01-24 Skyworks Solutions, Inc. Supply-glitch-tolerant regulator
US11817854B2 (en) 2020-12-14 2023-11-14 Skyworks Solutions, Inc. Generation of positive and negative switch gate control voltages
US11556144B2 (en) * 2020-12-16 2023-01-17 Skyworks Solutions, Inc. High-speed low-impedance boosting low-dropout regulator
US11502683B2 (en) 2021-04-14 2022-11-15 Skyworks Solutions, Inc. Calibration of driver output current
US11726514B2 (en) 2021-04-27 2023-08-15 Stmicroelectronics International N.V. Active compensation circuit for a semiconductor regulator
CN114253340B (zh) * 2021-12-20 2023-05-02 深圳飞骧科技股份有限公司 一种零点动态调整的频率补偿线性稳压电路

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6556083B2 (en) * 2000-12-15 2003-04-29 Semiconductor Components Industries Llc Method and apparatus for maintaining stability in a circuit under variable load conditions
CN101847028B (zh) * 2010-04-14 2012-03-28 广州市广晟微电子有限公司 一种超低功耗的动态补偿电路及应用该电路的线性调节器
US8169203B1 (en) * 2010-11-19 2012-05-01 Nxp B.V. Low dropout regulator
TWI441006B (zh) * 2010-04-29 2014-06-11 Qualcomm Inc 具品質係數控制之晶片上低電壓無電容器低壓降電壓調節器、用於形成其之方法及用於其之系統
CN102707754B (zh) * 2012-05-30 2014-08-13 昆山锐芯微电子有限公司 低压差线性稳压电路
TW201516610A (zh) * 2013-07-31 2015-05-01 Em Microelectronic Marin Sa 低壓差電壓穩壓器
CN204314766U (zh) * 2014-12-26 2015-05-06 上海贝岭股份有限公司 带有补偿电路的低压差稳压器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5850139A (en) * 1997-02-28 1998-12-15 Stmicroelectronics, Inc. Load pole stabilized voltage regulator circuit
US7173402B2 (en) * 2004-02-25 2007-02-06 O2 Micro, Inc. Low dropout voltage regulator
JP2005327256A (ja) * 2004-04-15 2005-11-24 Ricoh Co Ltd 定電圧回路
US7091710B2 (en) * 2004-05-03 2006-08-15 System General Corp. Low dropout voltage regulator providing adaptive compensation
US7589507B2 (en) * 2005-12-30 2009-09-15 St-Ericsson Sa Low dropout regulator with stability compensation
CN101105696B (zh) * 2007-08-08 2010-08-18 中国航天时代电子公司第七七一研究所 一种用于线性稳压器的电压缓冲电路
IT1392263B1 (it) * 2008-12-15 2012-02-22 St Microelectronics Des & Appl Regolatore lineare di tipo low-dropout e corrispondente procedimento
JP5594980B2 (ja) * 2009-04-03 2014-09-24 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 非反転増幅回路及び半導体集積回路と非反転増幅回路の位相補償方法
US8482266B2 (en) * 2011-01-25 2013-07-09 Freescale Semiconductor, Inc. Voltage regulation circuitry and related operating methods
CN103105883A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 中国科学院微电子研究所 具有负载检测电路及动态零点补偿电路的线性稳压器
CN102707756B (zh) * 2012-05-30 2016-08-31 西安航天民芯科技有限公司 一种采用动态esr补偿电阻的宽负载线性调整器
JP6253481B2 (ja) * 2014-03-27 2017-12-27 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ボルテージレギュレータ及びその製造方法
CN104699161B (zh) * 2015-03-27 2017-06-06 西安紫光国芯半导体有限公司 一种根据负载频率和输出电压动态调整偏置电流的稳压器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6556083B2 (en) * 2000-12-15 2003-04-29 Semiconductor Components Industries Llc Method and apparatus for maintaining stability in a circuit under variable load conditions
CN101847028B (zh) * 2010-04-14 2012-03-28 广州市广晟微电子有限公司 一种超低功耗的动态补偿电路及应用该电路的线性调节器
TWI441006B (zh) * 2010-04-29 2014-06-11 Qualcomm Inc 具品質係數控制之晶片上低電壓無電容器低壓降電壓調節器、用於形成其之方法及用於其之系統
US8169203B1 (en) * 2010-11-19 2012-05-01 Nxp B.V. Low dropout regulator
CN102707754B (zh) * 2012-05-30 2014-08-13 昆山锐芯微电子有限公司 低压差线性稳压电路
TW201516610A (zh) * 2013-07-31 2015-05-01 Em Microelectronic Marin Sa 低壓差電壓穩壓器
CN204314766U (zh) * 2014-12-26 2015-05-06 上海贝岭股份有限公司 带有补偿电路的低压差稳压器

Also Published As

Publication number Publication date
US20170160757A1 (en) 2017-06-08
CN106843347A (zh) 2017-06-13
TW201730706A (zh) 2017-09-01
CN106843347B (zh) 2018-09-21
US10133287B2 (en) 2018-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI621934B (zh) 具有輸出補償的半導體裝置
WO2018129967A1 (zh) 低压差线性稳压器
US9671805B2 (en) Linear voltage regulator utilizing a large range of bypass-capacitance
WO2019119264A1 (zh) 低压差线性稳压电路
US7218087B2 (en) Low-dropout voltage regulator
US10338618B2 (en) Low dropout regulator circuit and method for controlling a voltage of a low dropout regulator circuit
CN110377088B (zh) 一种集成电路、低压差线性稳压电路及其控制方法
KR20140007398A (ko) 부하 임피던스를 기반으로 한 전류 및 전압 폴드백을 갖는 전압 조정기
KR20130016083A (ko) 볼티지 레귤레이터
TW200836037A (en) Voltage regulator
US11016519B2 (en) Process compensated gain boosting voltage regulator
TW201606475A (zh) 電壓調節器
TW201821925A (zh) 穩壓器
US9946276B2 (en) Voltage regulators with current reduction mode
TW202105906A (zh) 具高電源抑制比的訊號放大電路及其中之驅動電路
TWI514104B (zh) 用於穩壓器之電流源及其穩壓器
US9231525B2 (en) Compensating a two stage amplifier
US9582015B2 (en) Voltage regulator
CN204044342U (zh) 双向磁滞比较器电路及磁传感器电路
US9195249B2 (en) Adaptive phase-lead compensation with Miller Effect
TWI548964B (zh) 電壓翻轉式零點補償電路
JP2019022179A (ja) 演算増幅器
CN110377102B (zh) 一种低压差线性稳压电路和集成电路
Park et al. Design techniques for external capacitor-less LDOs with high PSR over wide frequency range
KR20160012858A (ko) 저 드롭아웃 레귤레이터