TWI612389B - 處理基板之方法及裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種處理一基板之方法，其包含：使一基板在該基板之一表面上具備一感光性材料層；及自該感光性材料層之一外部邊緣周圍移除感光性材料，且控制該移除以便在保持於該基板之該表面上的該感光性材料層周圍產生具有一徑向寬度之一邊緣，其中該感光性材料之厚度變化，從而形成橫越該徑向寬度之一厚度剖面，且該移除經控制以便產生沿著該邊緣之長度之該厚度剖面的變化，及/或其中該移除經控制以便在保持於該基板之該表面上的該感光性材料層周圍產生一粗糙邊緣。

Description

處理基板之方法及裝置
本發明係關於一種用於自基板之外部邊緣周圍移除感光性材料之方法及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用以(例如)製造積體電路(IC)。在此狀況下，用於形成圖案之器件(例如，光罩或倍縮光罩)可產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之感光性材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。可經由微影裝置中之投影系統發生轉印。通常，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。習知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。
在所謂的浸潤微影裝置中，提供具有相對高折射率(例如水)之浸潤液體以填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。此情形之要點為實現較 小特徵之成像，此係因為曝光輻射在浸潤液體中將具有較短波長。浸潤液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度。
可以任何方式(例如，藉由旋塗)將感光性材料施加至基板。此方式包括將液體感光性材料施加於待輻照之基板之表面上，且使基板圍繞其軸線自旋以使液體感光性材料經受離心力。此力造成感光性材料遍及基板之表面散開且在該表面上形成薄均一層。然而，在自旋程序之後，可在基板之邊緣處形成相對厚的感光性材料環。亦可引起厚環之其他方法包括噴塗、浸塗、噴墨印刷等等。厚環常常被稱作邊緣珠粒。邊緣珠粒可造成(例如)歸因於來自基板處置之交叉污染之缺陷。因此，需要在處理之前移除邊緣珠粒以縮減可引起微影裝置之減低之良率及縮減之可用性之誤差。因而，基板之邊緣處之感光性材料可(例如)藉由使用噴嘴而以均一方式移除基板之邊緣周圍的感光性材料。
在浸潤微影裝置中，液體限制結構(諸如，流體處置結構、浸潤罩、噴嘴部件或其類似者)將浸潤液體限制至浸潤空間，基板之表面(剩餘感光性材料位於該表面上)相對於該浸潤空間被移動。隨著基板之表面相對於浸潤液體移動，基板之表面上之任何變化或不規則性可用作彎液面牽制特徵。詳言之，在習知邊緣珠粒移除程序之後的基板之表面及/或保持於基板之表面上的感光性材料之邊緣可在浸潤液體在感光性材料之邊緣上方傳遞時用作彎液面牽制特徵。此意謂在基板及/或感光性材料之邊緣移動遠離液體限制結構時，基板之表面與液體限制結構之間的浸潤液體之彎液面伸展。在基板及/或感光性材料之邊緣已移動某一距離之後，彎液面最終將破裂且浸潤液體留在基板之表面上，從而引起基板上之小滴可導致缺陷，例如水印。剩餘小滴可因此導致感光性材料之表面上的誤差，此可縮 減良率。
本發明之一目的應為避免或縮減由於歸因於基板之表面上之感光性材料層之邊緣而導出的水損失之缺陷，例如水印形成。
在本發明中，提供一種處理一基板之方法，其包含：使一基板在該基板之一表面上具備一感光性材料層；及自該感光性材料層之一外部邊緣周圍移除感光性材料，且控制該移除以便在保持於該基板之該表面上的該感光性材料層周圍產生具有一徑向寬度之一邊緣，其中該感光性材料之厚度變化，從而形成橫越該徑向寬度之一厚度剖面，且該移除經控制以便產生沿著該邊緣之長度之該厚度剖面的變化。
在本發明中，提供一種用於處理一基板之裝置，其包含：一基板支撐系統，其經組態以支撐一基板，該基板在其一表面上包含一感光性材料層；及一基板邊緣處理單元，其經組態以自該感光性材料層之一外部邊緣周圍移除感光性材料，其中該基板邊緣處理單元經組態以在移除該感光性材料時在保持於該基板之該表面上的該感光性材料層周圍產生具有一徑向寬度之一邊緣，其中該感光性材料之厚度變化，從而形成橫越該徑向寬度之一厚度剖面，且該基板邊緣處理單元經組態以控制該移除以便控制沿著該邊緣之長度之該厚度剖面的變化。
在本發明中，提供一種微影裝置，其包含如本文中之實施例中之任一者中所描述的圖案化裝置。
下文參考隨附圖式詳細地描述實施例之另外特徵及優點以及各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示， 額外實施例對於熟習相關技術者而言將為顯而易見的。
5‧‧‧感光性材料層
6‧‧‧邊緣珠粒
7‧‧‧基板支撐件
8‧‧‧小滴
10‧‧‧振盪噴嘴
11‧‧‧控制器
12‧‧‧支撐控制器
15‧‧‧溶劑
20‧‧‧噴嘴
21‧‧‧控制器
25‧‧‧溶劑
30‧‧‧實體元件/實體障壁
40‧‧‧噴嘴
45‧‧‧流體射流
50‧‧‧基板邊緣處理單元
60‧‧‧裝置
70‧‧‧基板支撐系統
80‧‧‧量測單元
90‧‧‧振盪雷射
91‧‧‧控制器
92‧‧‧量測單元
93‧‧‧抽取器
95‧‧‧振盪輻射光束
100‧‧‧雷射
101‧‧‧控制器
105‧‧‧脈衝式輻射光束
110‧‧‧雷射
111‧‧‧控制器
115‧‧‧輻射光束
116‧‧‧成形光罩
120‧‧‧雷射
121‧‧‧控制器
125‧‧‧輻射光束
125a‧‧‧輻射光束
125b‧‧‧輻射光束
126‧‧‧透射繞射光柵
126a‧‧‧第一光柵
126b‧‧‧第二光柵
130‧‧‧雷射
131‧‧‧控制器
135‧‧‧成角度輻射光束
136‧‧‧反射繞射光柵
140‧‧‧振盪電漿器件
141‧‧‧控制器
142‧‧‧量測單元
143‧‧‧抽取器
145‧‧‧振盪電漿射流
150‧‧‧電漿器件
151‧‧‧控制器
155‧‧‧脈衝式電漿射流
160‧‧‧電漿器件
161‧‧‧控制器
165‧‧‧電漿射流
166‧‧‧成形光罩
170‧‧‧不穩定電漿器件
171‧‧‧控制器
175‧‧‧不穩定電漿
BP‧‧‧斷裂點
F‧‧‧點
IH‧‧‧液體限制結構
IL‧‧‧浸潤液體
M‧‧‧彎液面
O‧‧‧最徑向向外點
RW‧‧‧徑向寬度
W‧‧‧基板/測試基板
X1‧‧‧最內部位/最內點
X2‧‧‧點
X3‧‧‧點
X4‧‧‧點
X5‧‧‧最外部位/最外點
併入本文中且形成本說明書之部分之隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。
圖1為固持於基板支撐件上之基板之側視圖的示意性說明。
圖2為基板之一部分之側視圖的示意性說明，在該基板中已移除邊緣珠粒。
圖3A至圖3D以橫截面描繪沈積於基板上之小滴的特寫視圖，在該基板中已移除邊緣珠粒，如圖2中一樣。
圖4A為圖2中之剩餘感光性材料層之邊緣的特寫視圖。
圖4B至圖4E為根據實施例而產生的剩餘感光性材料層之邊緣的特寫視圖。
圖5為根據一實施例的基板一部分及噴嘴之側視圖的示意性說明。
圖6為根據一實施例的基板之一部分及噴嘴之側視圖的示意性說明。
圖7為根據一實施例的基板之一部分及噴嘴之側視圖的示意性說明，其中提供障壁。
圖8為根據一實施例的基板之一部分及噴嘴之側視圖的示意性說明，其中提供障壁。
圖9為根據一實施例的基板之一部分及雷射之側視圖的示意性說明。
圖10為根據一實施例的基板之一部分及雷射之側視圖的示意性說明。
圖11A為根據一實施例的基板之一部分及雷射之側視圖的示意性說 明，其中提供圖案化器件。圖11B為基板及圖案化器件之平面圖的示意性說明。
圖12A為根據一實施例的基板之一部分及雷射之側視圖的示意性說明，其中提供圖案化器件。圖12B為基板及圖案化器件之平面圖的示意性說明。
圖13A為根據一實施例的基板之一部分及雷射之側視圖的示意性說明，其中提供圖案化器件。圖13B為基板及圖案化器件之平面圖的示意性說明。
圖14為根據一實施例的基板之一部分及電漿器件之側視圖的示意性說明。
圖15為根據一實施例的基板之一部分及電漿器件之側視圖的示意性說明。
圖16A為根據一實施例的基板之一部分及電漿器件之側視圖的示意性說明，其中提供圖案化器件。圖16B為基板及圖案化器件之平面圖的示意性說明。
圖17為根據一實施例的基板之一部分及電漿器件之側視圖的示意性說明。
圖18為根據一實施例之裝置之示意性說明。
該等圖為示意性的且未按比例繪製。該等圖中之許多者僅展示所描述特徵及組件之部分，且舉例而言，該等特徵及組件可在該等圖中在波浪線或點線之方向上延伸。根據下文在結合圖式所闡述之[實施方式]，所揭示實施例之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。
如以上所描述之基板W在該基板W之表面上具備感光性材料層5，如圖1所描繪。可以任何方式提供感光性材料層5。方法可包括將液體感光性材料提供於基板W之表面上且使基板W自旋以散開液體感光性材料，如以上所描述。如圖1所展示，邊緣珠粒6可形成於基板W之邊緣處。邊緣珠粒6可與剩餘感光性材料層5非均一。邊緣珠粒6亦可位於基板W之外部邊緣上方且可在基板W之另一側上存在於基板W之表面之外部邊緣上，如圖1所描繪。替代地，方法可包括使基板W具備已經在基板W之表面上之感光性材料層5。圖1所描繪之基板W被展示為由基板支撐件7支撐。基板支撐件7係選用的，但可視需要用以控制基板W之移動，亦即，平移及旋轉。
如以上所描述，可移除感光性材料層5之外部邊緣周圍的感光性材料以移除邊緣珠粒6，因此使得感光性材料層5較均一。然而，移除感光性材料層5之邊緣珠粒6之已知方法提供保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍之整潔邊緣。保持於基板W之表面上的感光性材料層5之邊緣為陡步階，如圖2所描繪。在使用已知方法及裝置的情況下，陡步階圍繞基板W之圓周係均一的。換言之，步階在圓周方向上實質上均一。保持於基板W之表面上的感光性材料層5之邊緣周圍之步階因此可在浸潤液體在基板W上方傳遞時牽制該浸潤液體，如以上所描述。此可被稱為膜牽拉。此情形導致基板W之表面上之小滴，且可造成缺陷，例如如所描述之水印。
圖3A至圖3D描繪在感光性材料層5之邊緣歸因於膜牽拉而在液體限制結構IH下方傳遞時如何發生水損失。圖3A至圖3D及圖4A至圖4E展示基板W之頂部上的感光性材料層5之該邊緣。僅展示基板W之頂部上之感光性材料層5及基板W的小部分。該等圖意欲為說明性的且未按比例，且感 光性材料層5可延伸至圖3A至圖4E中之任一者的右側，且基板W可比在圖3A至圖4E中之任一者中之波浪線(亦即，向右或向下)延伸的更遠。
如圖3A中所描繪，液體限制結構IH將浸潤液體IL限制至浸潤空間。使感光性材料層5相對於液體限制結構IH而移動。浸潤液體IL之側表面係由彎液面M界定。彎液面M為在液體限制結構IH與基板W及/或感光性材料層5之間延伸的浸潤液體IL之表面。彎液面M之形狀及曲率受到表面張力影響。彎液面M之形狀取決於液體限制結構IH與基板W及/或感光性材料層5之間的相對移動之方向及速度而改變。
圖3A至圖3D描繪液體限制結構IH橫越感光性材料層5之相對移動。通常，液體限制結構IH靜止，且使基板W相對於液體限制結構IH而移動。然而，出於說明性目的，貫穿本說明書描述液體限制結構IH相對於基板W之移動。圖3A至圖3D表示按時間順序的序列。液體限制結構IH在圖3A至圖3D中自左至右(亦即，遍及遠離基板W之邊緣的感光性材料層5之表面)在運動中。
在圖3A中，將液體限制結構IH向右移動。彎液面M之底部處於感光性材料層5之邊緣處。如圖3B中所展示，當液體限制結構IH繼續移動遠離感光性材料層5之邊緣時，彎液面M保持與感光性材料層5之邊緣接觸。換言之，彎液面M經牽制於感光性材料層5之邊緣處。
如圖3B所展示，當液體限制結構IH繼續前進時，彎液面M伸展。圖3C描繪如下情形：其中彎液面M已伸展如此遠使得彎液面M在斷裂點BP處斷裂。在此時間點，彎液面M保持經牽制於感光性材料層5之邊緣處。圖3D描繪在斷裂點BP處斷裂的彎液面M之效應。詳言之，當彎液面M斷裂時，浸潤液體IL之小滴8沈積於感光性材料層5上。此等小滴等同於感光 性材料層5之表面上之水損失，其可引起例如水印之缺陷。術語「缺陷」在此用以包括基板W之表面上之各種不同缺陷。舉例而言，該術語可在以下之描述中具體意謂水印缺陷。
儘管彎液面M在圖3A至圖3D中被展示為在感光性材料層5之邊緣上具有接觸點，但此僅出於實例起見。取而代之，彎液面M可在基板W之經曝光表面上具有接觸點。彎液面M可以與以上所描述相同的方式破裂，但其中在基板W之表面上代替在感光性材料層5之邊緣處發生牽制。
本發明提供處理基板W以縮減或避免感光性材料層5之表面上之缺陷的方法。方法包括使基板W在該基板W之表面上具備感光性材料層5，例如如圖1所描繪。方法進一步包含自感光性材料層5之外部邊緣周圍移除感光性材料。換言之，移除基板W之表面上之感光性材料層5之外部邊緣。
方法包括控制該移除以便在保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍產生具有徑向寬度之邊緣，其中感光性材料之厚度變化，從而形成橫越徑向寬度之厚度剖面，且該移除經控制以便產生沿著邊緣之長度之厚度剖面的變化。換言之，存在感光性材料層5之邊緣周圍的厚度剖面之變化，其在圓周方向上變化。
另外或替代地，方法包括控制移除以便在保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍產生粗糙邊緣。粗糙邊緣可具有在圓周方向上之厚度剖面之變化，如以上所描述。替代地，粗糙邊緣可具有粗糙厚度剖面(亦即，橫越徑向寬度RW)，但可在保持於基板W之表面上的感光性材料層5之邊緣周圍實質上均一。換言之，邊緣可具有在剩餘感光性材料層5之邊緣周圍恆定的粗糙厚度剖面。具有粗糙厚度剖面(亦即，在徑向方向上之粗糙度)可意謂厚度剖面呈現為具有至少一個顯著突起或更佳地，及/或其 可意謂厚度剖面之梯度切換多次，及/或其可意謂厚度具有實質上不斷改變之梯度及/或厚度剖面並非平滑。
產生諸如以上所描述之邊緣應在感光性材料之邊緣處變更牽制機構，因此縮減留在基板W之表面上的小滴之大小及/或數目，如以上所描述。
如所指示，邊緣在圓周方向上可非均一。換言之，當在橫越邊緣周圍之不同部位處的邊緣之徑向寬度之橫截面中檢視時，厚度變化。因此，邊緣之形狀當在橫越邊緣之橫截面中被檢視時在圓周方向上改變。該變化可為均一的或非均一的。該變化可經圖案化，亦即，可在平面圖中被檢視時形成圖案。在一實施例中，變化可為均一的，且邊緣可為在平面圖中具有重複圖案之步階邊緣。舉例而言，圖案可呈正弦波、三角形波、方形波或矩形波之形狀。圖案之形狀不受特別限制。在一實施例中，變化可為非均一的，例如，邊緣可為在平面圖中具有非重複非均一圖案的步階邊緣。因此，圖案可具有大體上正弦波、三角形波、正方形波及/或矩形波形狀，但可具有沿著邊緣之長度之振幅及/或波長的非均一變化。在一實施例中，邊緣可為非均一的且可為粗糙邊緣。
在一實施例中，邊緣為粗糙邊緣。在剩餘感光性材料層5周圍提供粗糙邊緣意謂邊緣不再成步階形。粗糙邊緣之粗糙度可被稱作微粗糙度。粗糙邊緣具有交替的局域結構，亦即，將導致圓周及徑向接觸角/高度變化之非均一結構。此可意謂粗糙邊緣受控制以變更方位角及/或徑向粗糙度。在感光性材料層5周圍提供粗糙邊緣會變更感光性材料層5之邊緣之牽制效應，且因此可導致較小膜牽拉，且因此導致較小水損失，因此，縮減或避免基板W之表面上之缺陷。如上文所指示，粗糙邊緣可在圓周方向上 均一且因此，可具有在保持於基板W之表面上的感光性材料層5之實質上整個邊緣之相同厚度剖面。替代地，如已經所描述，粗糙邊緣可在圓周方向上非均一。粗糙邊緣可被定義為在徑向方向上(亦即，橫越徑向寬度RW之厚度剖面，如下文所描述)為粗糙的及/或在圓周方向上(亦即，沿著邊緣之長度)為粗糙的。
粗糙邊緣可具有徑向寬度RW，如圖4D及圖4E所描繪，而非為圖2及圖4A至圖4C所描繪之陡垂直邊緣。換言之，徑向寬度RW可為在徑向方向(亦即，圖4A至圖4E所描繪之x方向)上之長度。圖4A至圖4E為在邊緣周圍之不同點處的邊緣處之可能厚度剖面之實例。圖4D及圖4E展示遍及粗糙邊緣之可能厚度剖面。(圖4B及圖4C將在下文進行詳細地描述)。感光性材料之厚度可遍及徑向寬度RW(亦即，在徑向方向上之長度)非均一地改變。因此，在邊緣周圍之一個點處之厚度可相似於圖4D中所描繪之厚度剖面，但在邊緣周圍之另一點處之厚度可相似於圖4E中所描繪之厚度剖面。替代地，厚度剖面可沿著邊緣之長度為均一的。粗糙邊緣可在z方向上遍及粗糙邊緣之徑向寬度RW具有非均一變化，如圖4D及圖4E中所描繪。該變化可在徑向方向(亦即，圖4D及圖4E之x方向)上為非均一的及/或在圓周方向(亦即，正交於x方向及z方向兩者之方向，其由圖4D與圖4E之間的差指示)上為非均一的。
粗糙邊緣可為厚度自實質上零增加至實質上相同於基板W之表面上之剩餘感光性材料層5之厚度的漸進邊緣。替代地，粗糙邊緣可被認為在基板W上之感光性材料之厚度大於或等於剩餘感光性材料層5之厚度的20%時起始。替代地，粗糙邊緣可為厚度自基板W之邊緣增加之漸進邊緣。粗糙邊緣可橫越邊緣之徑向寬度RW非均一，且可以非均一方式增加 厚度。
粗糙邊緣可具有感光性材料層5之厚度(亦即，圖4D及圖4E中在z方向上之距離)對粗糙邊緣之徑向寬度RW之平均比率。徑向寬度RW為粗糙邊緣在徑向方向上之徑向長度。可判定自沿著可在基板W之表面上發現感光性材料的徑向路徑之最徑向向外點O至剩餘感光性材料層5上之點F之徑向寬度RW，該點F為剩餘感光性材料層5實質上扁平所處之起始點。剩餘感光性材料層5可被認為在剩餘感光性材料層5之表面之變化近似小於或等於表面厚度的1%時為實質上扁平的。厚度(亦即，圖4A至圖4E中在z方向上之距離)可經判定為剩餘感光性材料層5在其被認為實質上扁平(亦即，如圖4A所描繪)時之平均厚度。在一實施例中，平均比率可大於或等於至少近似0.25×10-3，或較佳大於1×10-3，或更佳大於1.7×10-3。在一實施例中，該比率可小於或等於至少近似0.15，或較佳小於30×10-3，或更佳小於15×10-3。
儘管圖4D及圖4E中未描繪，但粗糙邊緣之至少一部分之高度可高於剩餘感光性材料層5(在該等圖中在Z方向上)。此可歸因於在移除步驟期間(尤其(例如)在如下文所描述使用流體(例如，溶劑)時)感光性材料再沈積。換言之，橫越徑向寬度RW之粗糙邊緣之厚度可高於剩餘感光性材料層5上(例如，在點F處)之厚度。
在一實施例中，自感光性材料層5之外部邊緣周圍移除感光性材料包含將流體噴射於感光性材料層5之外部邊緣周圍的感光性材料層5上。在此實施例中，流體為液體溶劑，其在本文中被稱作溶劑15。溶劑15為用於感光性材料之溶劑，亦即，溶劑15使感光性材料溶解。可使用噴嘴來噴射溶劑15。方法可包括當噴射溶劑15時使噴嘴振盪以便產生粗糙邊緣。換 言之，可以規則方式使噴嘴來回移動。噴嘴可被稱作振盪噴嘴10。可提供控制器11以控制振盪噴嘴10之振盪。在一實施例中，以此方式使振盪噴嘴10振盪可沿圓周調變感光性材料層5之邊緣，使得粗糙邊緣相似於粗糙波紋管邊緣。
振盪噴嘴10可在平面圖中在基板W及/或感光性材料層5上方來回振盪，亦即，振盪噴嘴10可在振盪的同時大體上定位於基板W及/或感光性材料層5上方。此可意謂振盪噴嘴10在振盪期間一直處於基板W及/或感光性材料層5上方。振盪噴嘴10之來回運動係由圖5中之箭頭描繪。在一實施例中，方法包括使振盪噴嘴10在實質上徑向方向上振盪。隨著基板W可在發生振盪的同時旋轉，振盪噴嘴10與基板W之表面之間的相對移動可看起來在平面圖中形成圓形或螺旋形路徑。
在以上實施例中之任一者中，振盪噴嘴10持續振盪，亦即，振盪噴嘴10在基板W上方持續來回移動。此可意謂只要正噴射溶劑15，振盪噴嘴10就持續振盪。
在以上實施例中之任一者中，方法包含取決於感光性材料之至少一個屬性來控制振盪噴嘴10之振盪頻率及/或振幅。控制振盪頻率及/或振幅可變更在保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍而產生的粗糙邊緣之特性。舉例而言，振盪噴嘴10之振盪頻率及/或振幅可變更粗糙邊緣之特徵之間距及深度，亦即，可變更結構使得邊緣具有非均一結構。該非均一結構可具有圓周及徑向接觸角/高度變化。因此，控制振盪噴嘴10之此等振盪特徵會影響粗糙邊緣之屬性，且因此可受控制以考量粗糙邊緣之效應，例如，以考量基板W上之所得缺陷及/或水損失以便縮減或避免發生缺陷。以此方式，控制振盪噴嘴10之此等振盪特徵可基於來自至少一個感 測器及/或處理器之某種回饋予以控制。
在一實施例中，可提供基板W上之所得缺陷及/或水損失之指示。舉例而言，量測單元80可在基板W於微影裝置中曝光之後偵測及/或量測基板W上之所得缺陷及/或水損失，且提供基板W上之該等所得缺陷及/或水損失之指示。替代地，量測單元80可量測邊緣之剖面以判定/預測基板W上之所得缺陷及/或水損失之指示。可離線地(亦即，在曝光之後)使用量測單元80，且該量測單元80可僅使用測試基板W。量測單元80可在用於以上實施例中之任一者中之裝置外部，例如，量測單元80可為微影裝置之部分。在一實施例中，量測單元80可將控制信號發送至控制器11或自控制器11接收控制信號。量測單元80在圖5中被描繪為外部單元，其可與如以上所描述之實施例通信。量測單元80可經提供為與圖6至圖9中之任一者中所描繪之實施例通信，或可未經提供為與圖5中所描繪之實施例通信。
可判定需要振盪噴嘴10中之改變，例如，可改變由振盪噴嘴10噴射之溶劑15之振幅、頻率及/或流動速率。控制器11可用以判定所需改變且改變振盪噴嘴10之特性。替代地，控制器11可自量測單元80接收指示改變之輸入以控制振盪噴嘴10。可(例如)由上文所描述之量測單元80提供該改變對基板W上之所得缺陷及/或水損失之效應之指示，以判定是否需要進一步改變。
在一實施例中，控制振盪噴嘴10之振盪頻率包括將該頻率控制在預定頻率範圍內。將振盪噴嘴10之振盪控制在預定範圍內可控制粗糙邊緣之波長，亦即，振盪之頻率可經變更以調變/調整粗糙邊緣之波長。粗糙邊緣可由沿著邊緣之所謂的特徵形成。舉例而言，特徵可為沿著邊緣形成之結構，諸如，實質上渦旋結構。粗糙邊緣之波長可為兩個所謂的特徵之間 的距離，例如，沿著邊緣之兩個相對大渦旋結構之間的距離。因此，平均波長可為自一個相對大渦旋結構之中間至下一相對大渦旋結構之中間在圓周方向上之平均距離。因此，可藉由控制振盪噴嘴10之振盪頻率來變更及控制粗糙邊緣之形狀。此可允許控制振盪頻率以縮減或避免歸因於剩餘感光性材料層5之邊緣而出現的缺陷。在一實施例中，頻率近似小於或等於近似500kHz，或較佳小於或等於近似100kHz，或更佳小於或等於近似50kHz。在一實施例中，頻率近似大於或等於近似500Hz，或較佳大於或等於近似1kHz，或更佳大於或等於近似10kHz。
在一實施例中，振盪噴嘴10之振盪頻率經控制為使得典型波長小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。典型波長可為平均波長。在一實施例中，振盪噴嘴10之振盪頻率經控制為使得典型波長大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制振盪頻率以產生具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之波長之粗糙邊緣可縮減或甚至避免歸因於剩餘感光性材料層5之邊緣之缺陷。
在一實施例中，方法包含將噴嘴10之振盪振幅控制在預定振幅範圍內以控制粗糙邊緣之徑向寬度RW。將振盪噴嘴10之振幅控制在預定範圍內可控制粗糙邊緣之徑向寬度RW，亦即，振盪振幅可經變更以調變/調整粗糙邊緣在徑向方向上之寬度。因此，可藉由控制振盪噴嘴10之振盪振幅來變更及控制粗糙邊緣之形狀。此可允許控制振盪噴嘴10之振盪振幅以縮減或甚至避免歸因於剩餘感光性材料層5之邊緣之缺陷。
在一實施例中，振盪噴嘴10之振盪振幅經控制為使得徑向寬度RW小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於 近似0.3毫米。在一實施例中，振盪噴嘴10之振盪振幅經控制為使得徑向寬度RW大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制振盪振幅以產生具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之徑向寬度RW之粗糙邊緣可縮減或避免如所描述之缺陷。
在一實施例中，振盪噴嘴10之振盪振幅近似小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。在一實施例中，振盪噴嘴10之振盪振幅近似大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。
在以上實施例中之任一者中，振盪噴嘴10可另外被稱作邊緣珠粒移除噴嘴。
在一實施例中，方法包含在預定頻率下使振盪噴嘴10振盪。方法可進一步包含在第一頻率下使基板W旋轉且在第二頻率下使振盪噴嘴10振盪。在第一頻率下使基板W旋轉可包括將基板W提供於基板支撐件7上及控制基板支撐件7圍繞基板W之軸線之旋轉。方法可包含使基板W以每分鐘數百或數千次回轉而旋轉。第二頻率可高於第一頻率。第二頻率可顯著高於第一頻率。在此內容背景下，顯著較高可意謂第二頻率比第一頻率高至少10倍，或第二頻率比第一頻率高至少100倍，或第二頻率比第一頻率高至少1000倍。
在一替代實施例中，自感光性材料層5之外部邊緣移除感光性材料可包含移除感光性材料層5之外部邊緣周圍的感光性材料之初始移除步驟，及自噴嘴20噴射流體以自剩餘感光性材料層5周圍進一步移除感光性材料以便產生粗糙邊緣之另外步驟。流體可為液體溶劑，其在本文中被稱作溶劑25。溶劑25為用於感光性材料之溶劑，亦即，溶劑25使感光性材料溶 解。在此實施例中，可藉由多種方法進行第一步驟，例如使用邊緣移除噴嘴或使用如以上實施例中之任一者中所描述之振盪噴嘴10。然而，在此實施例中，產生粗糙邊緣且藉由自噴嘴20噴射溶劑25以自剩餘感光性材料層5周圍移除感光性材料來控制該粗糙邊緣。圖6中描繪此步驟。移除之初始步驟可使用可導致基板W之表面上之剩餘感光性材料層5不具有粗糙邊緣(如圖2、圖4A、圖6、圖7及圖8中所描繪)之任何已知方法來進行。因此，提供自噴嘴20噴射溶劑25以自剩餘感光性材料層5周圍進一步移除感光性材料之步驟作為該移除之部分，以便產生粗糙邊緣。控制器21可經提供為控制溶劑25自噴嘴20之噴射。
粗糙邊緣可具有如以上實施例中之任一者中所描述(亦即，在徑向方向上及/或圓周方向上)之非均一結構。粗糙邊緣之非均一結構可產生不穩定的波長擾動，其因此可導致彎液面M較快地破裂，此情形因此可導致較小水損失且亦導致較小缺陷。
在與噴嘴20有關之以上實施例中之任一者中，方法可包含取決於感光性材料之至少一個屬性來控制自噴嘴20噴射溶劑25之步驟。在一實施例中，可取決於感光性材料之至少一個屬性來控制溶劑25之噴射或來自噴嘴20之噴射之寬度。控制溶劑25自噴嘴20之噴射可變更在保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍而產生的粗糙邊緣之特性。舉例而言，來自噴嘴20之噴射之寬度及/或流動速率可變更粗糙邊緣之特徵之間距及深度，亦即，可變更結構使得邊緣具有非均一結構。該非均一結構可具有圓周及徑向接觸角/高度變化。因此，控制噴嘴20會影響粗糙邊緣之屬性，且因此可受控制以考量粗糙邊緣之效應，例如，以考量基板W上之所得缺陷及/或水損失以便縮減或避免發生缺陷。以此方式，控制自噴嘴20之噴 射及噴嘴20之移動可基於來自至少一個感測器及/或處理器之某種回饋予以控制。
在一實施例中，可提供基板W上之所得缺陷及/或水損失之指示。可使用如以上所描述之量測單元80(例如，運用圖6至圖9中所描繪之實施例)提供基板W上之所得缺陷及/或水損失之指示。然而，在此實施例中，量測單元80可將控制信號發送至控制器21或自控制器21接收控制信號。根據使用自如以上所描述之量測單元80所接收之指示，可判定出：需要噴嘴20中之改變，例如，可改變由噴嘴20噴射之溶劑25之流動速率及/或噴嘴20之移動速度及/或噴射之寬度。控制器21可用以判定所需改變且改變噴嘴20之特性。替代地，控制器21可自量測單元80接收指示改變之輸入以控制噴嘴20。可(例如)使用上文所描述之量測單元80提供該改變對基板W上之所得缺陷及/或水損失之效應之指示，以判定是否需要進一步改變。
在一實施例中，方法可包含將自噴嘴20噴射之溶劑25之噴射寬度控制在預定範圍內，以控制在保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍之粗糙邊緣之徑向寬度。如以上所描述，控制感光性材料層5之粗糙邊緣周圍之粗糙度(例如，徑向寬度RW)會影響基板W之表面上之缺陷，且因此可受控制以縮減上文所描述之誤差。
在一實施例中，溶劑25自噴嘴20噴射之寬度經控制為使得粗糙邊緣之徑向寬度RW小於或等於近似3毫米，或較佳小於或等於近似2毫米，或更佳小於或等於近似0.5毫米。在一實施例中，溶劑25自噴嘴20噴射之寬度經控制為使得粗糙邊緣之徑向寬度RW大於或等於近似0.01毫米，或較佳大於或等於近似0.05毫米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制溶劑 25自噴嘴20噴射之寬度以產生具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之徑向寬度RW之粗糙邊緣可縮減或甚至避免歸因於剩餘感光性材料層5之邊緣之缺陷。
在一實施例中，溶劑25自噴嘴20噴射之寬度小於或等於近似3毫米，或較佳小於或等於近似2毫米，或更佳小於或等於近似0.5毫米。在一實施例中，溶劑25自噴嘴20噴射之寬度大於或等於近似0.01毫米，或較佳大於或等於近似0.05毫米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。在此等實施例中，噴射之寬度可為基板W上之噴射之寬度，換言之，入射於基板W上之噴射之寬度。
在一實施例中，方法可進一步包含提供障壁，如圖7或圖8所描繪。障壁可經提供為保護感光性材料層5之部分免受由噴嘴20噴射之溶劑25影響，亦即，障壁可形成屏蔽件。因為經噴射之溶劑25基本上將使保持於基板W之表面上的感光性材料溶解，所以可較佳的是控制基板W之表面上的受到來自噴嘴20之額外溶劑影響的剩餘感光性材料層5中之感光性材料之量。因此，提供障壁會允許自噴嘴20進行之溶劑25之施加僅限於保持於物質基板W上的感光性材料層5之一些部分。障壁相對於基板W/剩餘感光性材料層5之定位允許粗糙邊緣之進一步控制。換言之，障壁可用以界定粗糙邊緣之內部邊緣(亦即，粗糙邊緣結束且剩餘感光性材料層5之實質上扁平表面開始所處之部位)。以此方式，障壁可用以另外控制徑向寬度RW。控制器21可除了控制噴嘴20以外亦用以控制障壁。控制器21可包含多個子控制單元，例如，一個控制單元用以控制噴嘴20且另一控制單元用以控制障壁之定位。
障壁可具有任何形狀且不受特別限制。在一實施例中，障壁可在平 面圖中形成直線。替代地，在一實施例中，障壁可在平面圖中實質上彎曲或甚至成U形。替代地，在一實施例中，障壁可在平面圖中實質上成V形。提供彎曲、成U形或成V形之障壁可特別有用，此係因為其可實質上定位於噴嘴20周圍。此意謂障壁可用以準確地控制溶劑25之噴射在何處降落於剩餘感光性材料層5上。
在一實施例中，障壁為實體元件30，如圖7中所描繪。實體元件30因此可實體地停止任何溶劑25自實體元件30徑向地向內行進。用於實體元件30之材料不受特別限制且可為適當的任何材料。實體元件30可為剛性元件。實體元件30可對溶劑(例如，溶劑15及/或溶劑25)具有抵抗性。
在一替代實施例中，障壁可為由另外噴嘴40提供之流體射流45，其中用於流體射流45之流體並非用於形成感光性材料層5之材料類型的溶劑。包含流體射流45之障壁描繪於圖8中。流體射流45可藉由在高速下射出形成流體射流45之流體來提供。包含流體射流45之障壁可具有與包含實體元件30之障壁實質上相同的效應。包含流體射流45之障壁相比於實體障壁30可提供對剩餘感光性材料層5之更有效保護，此係因為流體射流45可延伸至感光性材料之表面，而實體元件30通常將在該實體元件30之末端與感光性材料層5之間必須留間隙，此意謂溶劑25自噴嘴20之噴射中的一些可在該間隙下方傳遞，從而影響實體元件30之另一側上的剩餘感光性材料層5。
如本文中所描述之障壁(例如，如以上所描述之實體元件30或流體射流45)可具備振盪噴嘴10。
另外或替代地，可控制噴嘴20之位置以控制溶劑25在其到達基板W時之方向。可控制該位置以控制溶劑25影響感光性材料層5之哪一部分。 可(例如)藉由使噴嘴20傾斜以變更溶劑25之噴射方向來控制該位置。舉例而言，此操作可致使溶劑25之噴射方向徑向地向外，此可縮減到達自噴嘴20徑向向內的感光性材料層5之溶劑25之量，因此保護感光性材料層5之部分。可以相似方式控制噴嘴10以噴射溶劑15。
在以上實施例中之任一者中，噴射之步驟可包含噴射溶劑之小滴，該溶劑為溶劑15及/或溶劑25。在以上實施例中之任一者中，噴射溶劑之步驟可包含噴射包含溶劑之小滴之霧劑，該溶劑為溶劑15或溶劑25。無論哪種方式，皆可取決於感光性材料之至少一個屬性來控制溶劑之小滴。方法可包含將來自噴嘴20之溶劑25之小滴的平均直徑控制在平均直徑之預定範圍內以控制在保持於基板W之表面上的感光性材料層5之外部邊緣周圍之粗糙度。在一實施例中，來自噴嘴20之溶劑25之小滴的平均直徑小於或等於200微米，或較佳為50微米，或更佳為30微米。在一實施例中，來自噴嘴20之溶劑25之小滴的平均直徑大於或等於1微米，或較佳為5微米，或更佳為10微米。
在以上實施例中之任一者中，溶劑15及/或溶劑25可為有機溶劑。在以上實施例中之任一者中，溶劑15及/或溶劑25可包含以下各者(或由以下各者組成)：丙二醇單甲醚(PGME)、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA或PMA)、乳酸乙酯、甲基乙基酮(2-丁酮)、環己酮、γ-丁內酯、二異戊醚、4-甲基戊-2-醇，及/或乳酸乙酯。溶劑15及/或溶劑25可包含包含此等溶劑或由此等溶劑組成的任何組合。在一實施例中，溶劑15及/或溶劑25可包含介於55%至60%之間的乳酸乙酯及介於40%至45%之間的甲基乙基酮(2-丁酮)。在一實施例中，溶劑15及/或溶劑25可包含介於60%至80%之間的丙二醇單甲醚及介於20%至40%之間的丙二醇單甲醚乙酸酯。
在以上實施例中之任一者中，噴嘴10或噴嘴20可為音波噴嘴或超音波噴嘴。在此實施例中，噴嘴10或噴嘴20可使用例如如由壓電轉換器產生之高頻率聲波，以在液體射流中產生毛細波。當毛細波之振幅達到臨界振幅時，該等波變得過高而不能支援自身且微小小滴自每一波之頂端下降，從而引起霧化。因此，此等噴嘴可另外被稱為霧化噴嘴及/或霧化微噴射噴嘴。可在以上實施例中之任一者中控制聲波之頻率以控制及改變溶劑之小滴之大小。
在以上實施例中之任一者中，流體不限於為溶劑，且亦可為液體之另一類型。在此實施例中，可如以上實施例中之任一者中所描述來使用噴嘴，惟流體可經組態以機械地分解感光性材料以供其移除除外。因此，流體將需要具備足夠的力以移除感光性材料。提供經組態以機械地分解感光性材料之此流體之細節提供於全文以引用方式併入本文中之US 8,641,831 B2中。以上實施例中之任一者中所描述之液體溶劑可用視情況呈流體射流之形式的另一流體替換。可有利的是機械地分解感光性材料(例如)以避免使用化學物質以使感光性材料溶解。可將流體提供為射流，例如，氣體射流或液體射流。流體可為任何合適流體，其包括水。液體溶劑可用作液體射流。
在剩餘感光性材料層5周圍提供粗糙邊緣意謂邊緣之厚度剖面在圓周方向上並不均一及/或橫越徑向寬度RW之厚度剖面之變化粗糙，亦即，邊緣具有粗糙厚度剖面。在一實施例中，邊緣為經圖案化邊緣。此意謂方法包括控制感光性材料之移除以沿著邊緣產生經界定特徵。如先前所描述，圖案可均一或非均一且可由在平面圖中形成一形狀之步階邊緣形成。平面圖中之圖案之形狀可均一，此係因為其包含規則重複部分。替代地，平面 圖中之圖案之形狀可非均一，此係因為其不包含規則重複部分。經圖案化邊緣具有交替局域結構，亦即，將導致圓周及徑向接觸角/高度變化之結構。在感光性材料層5周圍提供經圖案化邊緣會變更感光性材料層5之邊緣之牽制效應，且因此可導致較小膜牽拉，且因此導致較小水損失，因此，縮減或避免基板W之表面上之缺陷。
經圖案化邊緣可具有步階邊緣，如圖4B及圖4C中所描繪。儘管陡步階與在圖4A、圖4B及圖4C中呈現為相似的，但步階之徑向部位(亦即，在x方向上)關於圖4B及圖4C沿著經圖案化邊緣變化，而其在圖4A中與在先前技術中一樣在圓周方向上實質上恆定。圖4B描繪步階處於最內部位X1之實例部位之實例。圖4C描繪步階處於最外部位X5之實例。步階可出現於最內步階與最外步階之間的任何點處(例如，X2、X3及/或X4處)，如在圖4C中由點線所指示。在x方向上之部位將沿著在圓周方向上之邊緣變化使得在一個點處，步階可位於X2處，而在不同圓周部位處，其可位於任何其他部位，例如X4。應理解，X1、X2、X3、X4及X5之特定實例僅為實例，且步階之徑向距離可變化且可在x方向上位於未被展示之其他部位處。
步階邊緣可用自基板W之表面至為實質上扁平的感光性材料層5之表面之平滑轉變(例如，運用斜面或曲線)替換。無論哪種方式，經圖案化邊緣皆將具有自基板W之表面上之最外點(例如，圖4C中之X5)(自彼點徑向向外實質上不具有感光性材料)至最內點(例如，圖4B及圖4C中之X1)(其中自彼點徑向向內，感光性材料層5之厚度實質上均一，亦即，處於恆定厚度)之徑向寬度RW。換言之，徑向寬度RW可為在徑向方向(亦即，圖4B及圖4C所描繪之x方向)上之長度。在經圖案化邊緣上發生步階所處之徑 向距離將取決於該邊緣之哪一點被查看而變化。
徑向寬度RW為經圖案化邊緣在徑向方向上之徑向長度。徑向寬度RW可經判定為在徑向方向上在沿著徑向路徑為最徑向向外點的點(例如，圖4C中之X5)(其中存在基板W之表面上之感光性材料之步階(亦即，陡的增加))與為最徑向向內點的點(例如，圖4B及圖4C中之X1)(其中存在基板W之表面上之感光性材料之步階(亦即，陡的增加))之間的距離。實質上不存在自最徑向向外的陡步階(例如，圖4C中之X5)徑向向外之感光性材料。自最徑向向內陡步階(例如，圖4B及圖4C中之X1)徑向向內地，剩餘感光性材料層5係實質上扁平的。換言之，徑向寬度RW可為在徑向方向上自最外厚度改變(其自實質上零變成實質上相同於基板W之表面上之剩餘感光性材料層5之厚度的厚度)至最內厚度改變(其自實質上零變成實質上相同於基板W之表面上之剩餘感光性材料層5之厚度的厚度)之距離。
剩餘感光性材料層5可被認為在剩餘感光性材料層5之表面之變化近似小於或等於表面厚度的1%時為實質上扁平的。厚度(亦即，圖4A至圖4E中在z方向上之距離)可經判定為在剩餘感光性材料層5被認為實質上扁平時(亦即，如圖4A中所描繪)的該剩餘感光性材料層5之平均厚度。
在一實施例中，自感光性材料層5之外部邊緣周圍移除感光性材料包含導向來自雷射之輻射以入射於感光性材料層5之外部邊緣周圍的感光性材料上。使用來自雷射之經導向輻射進行移除受控制以便產生沿著邊緣之長度之厚度剖面的變化。舉例而言，此可形成如以上所描述之粗糙邊緣或經圖案化邊緣。
替代地，移除包含用於移除感光性材料層5之外部邊緣周圍的感光性材料之初始移除步驟，且進一步包含導向來自雷射之輻射以入射於感光性 材料上以自剩餘感光性材料層5周圍進一步移除感光性材料以便產生邊緣。在此實施例中，可藉由多種方法進行初始步驟，包括本文中所描述之實施例中的任一者中之方法。移除之初始步驟可使用可導致基板W之表面上之剩餘感光性材料層5不具有上述邊緣(如圖2中所描繪)之任何已知方法來進行。使用自雷射之導向輻射進行的另外感光性材料之移除受控制以便產生沿著邊緣之長度之厚度剖面的變化。舉例而言，此可形成如以上所描述之粗糙邊緣或經圖案化邊緣。
入射於感光性材料上之輻射可用以使感光性材料層5之邊緣周圍的感光性材料蒸發。可接著(例如)藉由圖9中所描繪之抽取器93移除經蒸發感光性材料。抽取器93可具備其他實施例中之任一者以便抽取經移除感光性材料。抽取器93可與用於自基板W周圍移除經蒸發感光性材料之其他構件可互換。
用於提供輻射之雷射之類型不受特別限制。輻射被提供為輻射光束，如下文所描述。實施例中之任一者中之雷射可為(例如)CO2雷射、Nd：YAG雷射、兩倍頻率或三倍頻率Nd：YAG雷射、準分子雷射、半導體-二極體雷射或二極體泵浦固態雷射。由雷射提供之輻射之波長可適應於待移除之感光性材料之屬性。
在一實施例中，方法包括使用雷射以提供入射於感光性材料上之輻射光束。方法可包括使輻射光束95振盪以便產生沿著邊緣之長度具有變化之厚度剖面的邊緣，且雷射可被稱作振盪雷射90，如圖9中所描繪。換言之，入射於感光性材料上之輻射可以規則方式來回移動。此可使用光學構件來完成，舉例而言，可使用可移動之一或多個鏡面(例如，藉由包括至少一個壓電致動器之構件/系統)將輻射光束95導向至表面；或鏡面可視需 要掃描遍及基板W及/或感光性材料層5之區之輻射光束95。替代地，輻射光束95可耦合至光纖中且經導引朝向基板W，其中光纖及(視情況)關聯光學聚焦元件與基板W可相對於彼此而移動。光纖可受到一或多個致動器(例如，壓電致動器)控制。可以任何適當方式組合機械或光學系統以便使雷射光束與基板W相對於彼此移動。可提供控制器91以控制輻射光束95之振盪。在一實施例中，以此方式使輻射光束95振盪可沿圓周調變感光性材料層5之邊緣。舉例而言，輻射光束95可經振盪以形成(例如)經圖案化邊緣，使得該邊緣之形狀相似於如以上所描述之正弦波、三角形波、方形波或矩形波。使用振盪雷射90可具有與使用如以上所描述之振盪噴嘴10同樣的優點。振盪雷射90可具有與能夠產生經圖案化邊緣相關聯之額外優點。
輻射光束95可在平面圖中在基板W及/或感光性材料層5上來回振盪。輻射光束95之來回運動係由圖9中之箭頭描繪。此可意謂振盪雷射90在輻射光束95之振盪期間在基板W及/或感光性材料層5上方，或其可意謂振盪雷射90位於別處(圖中未繪示)且例如使用如以上所描述之光學或機械系統將輻射光束95導向至基板W及/或感光性材料層5之表面。
在一實施例中，方法包括使輻射光束95在實質上徑向方向上振盪。隨著基板W可在發生振盪的同時旋轉，入射於基板W及/或感光性材料層5上之輻射光束95與基板W及/或感光性材料層5之表面之間的相對移動可看起來在平面圖中形成圓形或螺旋形路徑。
在以上實施例中之任一者中，輻射光束95可持續振盪，亦即，輻射光束95在基板W上方持續來回移動。此可意謂只要輻射光束95入射於感光性材料及/或基板W之任何部分上，輻射光束95就可持續振盪。
在以上實施例中之任一者中，方法包含取決於感光性材料之至少一個屬性來控制輻射光束95之振盪頻率及/或振幅。控制振盪頻率及/或振幅可變更在保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍而產生的邊緣之特性。舉例而言，輻射光束95之振盪頻率及/或振幅可變更邊緣之特徵之間距及深度。控制輻射光束95之此等振盪特徵會影響邊緣之屬性，且因此可受控制以考量邊緣之效應，例如，以考量基板W上之所得缺陷及/或水損失以便縮減或避免發生缺陷。以此方式，控制輻射光束95之此等振盪特徵可基於來自至少一個感測器及/或處理器之某種回饋予以控制。
在一實施例中，可提供基板W上之所得缺陷及/或水損失之指示。舉例而言，量測單元92(如圖9中所描繪)可在基板W於微影裝置中曝光之後偵測及/或量測基板W上之所得缺陷及/或水損失，且提供基板W上之該等所得缺陷及/或水損失之指示。替代地，量測單元92可量測邊緣之剖面以判定/預測基板W上之所得缺陷及/或水損失之指示。可離線地(亦即，在曝光之後)使用量測單元92，且該量測單元92可僅使用測試基板W。量測單元92可與圖5中關於振盪噴嘴10所描繪之量測單元80相同。量測單元92可在用於以上實施例中之任一者中之裝置外部，例如，量測單元92可為微影裝置之部分。在一實施例中，量測單元92可將控制信號發送至控制器91或自控制器91接收控制信號。量測單元92在圖9中被描繪為外部單元，其可與如以上所描述之實施例通信。量測單元92可經提供為與圖10至圖13B及圖18中之任一者中所描繪之實施例通信，或可未經提供為與圖9中所描繪之實施例通信。
可判定出需要輻射光束95中之改變，例如，可改變輻射光束95之振幅、頻率及/或功率。控制器91可用以判定所需改變且改變輻射光束95之 特性。替代地，控制器91可自量測單元92接收指示改變之輸入以控制輻射光束95。可(例如)由上文所描述之量測單元92提供該改變對基板W上之所得缺陷及/或水損失之效應之指示，以判定是否需要進一步改變。
在一實施例中，控制輻射光束95之振盪頻率包括將該頻率控制在預定頻率範圍內。將輻射光束95之振盪控制在預定範圍內可控制粗糙邊緣之波長，亦即，振盪頻率可經變更以調變/調整粗糙邊緣之波長。若邊緣為粗糙邊緣，則波長為特徵之間的距離，如以上關於具有上述相對大渦旋結構之實例所描述。然而，若邊緣經圖案化，則波長係與用於波週期之長度有關，如通常將理解。波長可被理解為意謂連續相對應點之間的距離，例如，兩個波峰之間的距離或兩個波谷之間的距離。因此，可藉由控制輻射光束95之振盪頻率來變更及控制邊緣之形狀，亦即，在圓周方向上之厚度變化。此可允許控制振盪頻率以影響可導致縮減或避免缺陷之邊緣之形狀。在一實施例中，頻率近似小於或等於近似500kHz，或較佳小於或等於近似100kHz，或更佳小於或等於近似50kHz。在一實施例中，頻率近似大於或等於近似500Hz，或較佳大於或等於近似1kHz，或更佳大於或等於近似10kHz。
在一實施例中，輻射光束95之振盪頻率經控制為使得典型波長小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。典型波長可為平均波長。在一實施例中，輻射光束95之振盪頻率經控制為使得典型波長大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制振盪頻率以產生具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之波長之邊緣可意謂可縮減或甚至避免缺陷。
在一實施例中，方法包含將輻射光束95之振盪振幅控制在預定振幅範圍內以控制邊緣之徑向寬度RW。將輻射光束95之振幅控制在預定範圍內可控制邊緣之徑向寬度RW，亦即，振盪振幅可經變更以調變/調整邊緣在徑向方向上之寬度。因此，可藉由控制輻射光束95之振盪振幅來變更及控制邊緣之形狀。邊緣之所得形狀可允許控制輻射光束95之振盪振幅以縮減或甚至避免缺陷。
在一實施例中，輻射光束95之振盪振幅經控制為使得徑向寬度RW小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。在一實施例中，輻射光束95之振盪振幅經控制為使得徑向寬度RW大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制振盪振幅以產生具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之徑向寬度RW之邊緣可縮減或避免如所描述之缺陷。
在一實施例中，輻射光束95之振盪振幅近似小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。在一實施例中，輻射光束95之振盪振幅近似大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。
在一實施例中，方法包含在預定頻率下使輻射光束95振盪。方法可進一步包含在第一頻率下使基板W旋轉且在第二頻率下使輻射光束95振盪。在第一頻率下使基板W旋轉可包括將基板W提供於基板支撐件7上及控制基板支撐件7圍繞基板W之軸線之旋轉。方法可包含使基板W以每分鐘數百或數千次回轉而旋轉。第二頻率可高於第一頻率。第二頻率可顯著高於第一頻率。在此內容背景下，顯著較高可意謂第二頻率比第一頻率高至少10倍，或第二頻率比第一頻率高至少100倍，或第二頻率比第一頻率 高至少1000倍。
在關於雷射使用之以上實施例中之任一者中，方法可包含使雷射脈動。圖10中描繪此實施例。換言之，來自雷射100之輻射光束105以脈衝式方式入射於基板W及/或感光性材料層5上，此係因為遍及一時間段，輻射光束105基本上處於「開啟」或「斷開」狀態中。「開啟」狀態為輻射光束105經導向至基板W及/或感光性材料層5(亦即，入射於基板W及/或感光性材料層5上)，且「斷開」狀態為輻射光束105並未經導向至基板W及/或感光性材料層5(亦即，並未入射於基板W及/或感光性材料層5上)。此可藉由接通及關斷雷射100來控制。此可藉由自雷射100提供恆定輻射光束105，但防止該輻射光束105在「斷開」狀態週期期間到達基板W及/或感光性材料層5之表面來控制。舉例而言，可使用實體障壁，諸如具有孔以允許輻射傳遞通過之旋轉圓盤。
可在恰當地產生如以上所描述之邊緣之任何頻率下提供「開啟」狀態。僅舉例而言，「開啟」狀態之頻率可為大約1Hz直至數百kHz或甚至數MHz，例如，頻率可介於近似10kHz至1MHz之間，但未必為此狀況。可取決於輻射光束105與基板W及/或感光性材料層5之間的相對移動、輻射光束105之波長及雷射100之功率來變化頻率。頻率可變化以獲得如以上所描述之邊緣。
在此實施例中，使入射於基板W及/或感光性材料層5之表面上之輻射光束105相對於基板W及/或感光性材料層5之表面而移動。舉例而言，在每一脈衝之間或在固定數目個脈衝之間可存在相對移動。在一實施例中，相對於基板W來移動雷射100。以此方式，輻射光束105之不同脈衝將入射於感光性材料之不同部分上，因此移除感光性材料層5之不同部分且產 生邊緣。
在此實施例中，方法可包含使雷射100脈動取決於感光性材料之至少一個屬性予以控制。控制器101可經提供以控制來自雷射100之輻射光束105之脈衝。控制器101可與先前所描述之控制器中之任一者相同。儘管控制器101被展示為在雷射100外部，但控制器101可與雷射100整合。
輻射光束105之脈衝可經控制為具有固定「開啟」及「斷開」狀態。輻射光束105之脈衝可處於規則時間間隔下。脈衝式輻射光束105之「開啟」及「斷開」狀態可為等效的，亦即，輻射光束105可入射於基板W及/或感光性材料層5上歷時之時間量與其不入射於基板W及/或感光性材料層5上歷時之時間量相同。換言之，作用區間循環可為50%。輻射光束105之脈衝之頻率為在特定時間單位內重複之脈衝之數目。換言之，該頻率為輻射光束105在特定時間單位內變成「開啟」狀態之次數。輻射光束105入射於基板W及/或感光性材料層5之表面上之時間量可取決於雷射100之功率。舉例而言，若縮減雷射100之功率，則輻射光束105可處於「開啟」狀態中歷時較長時間。
在一實施例中，控制來自雷射100之輻射光束105之脈衝頻率包括將該頻率控制在預定頻率範圍內。將輻射光束105之脈衝頻率控制在預定範圍內可控制邊緣之波長，亦即，頻率可經變更以調變/調整邊緣之波長。在適用時，波長可如上文關於粗糙邊緣或經圖案化邊緣所描述來解譯。因此，可藉由控制輻射光束105之脈衝頻率來變更及控制邊緣之形狀。此可允許控制脈衝之頻率以塑形邊緣使得可縮減或甚至避免缺陷。在一實施例中，頻率近似小於或等於近似500kHz，或較佳小於或等於近似100kHz，或更佳小於或等於近似50kHz。在一實施例中，頻率近似大於或等 於近似500Hz，或較佳大於或等於近似1kHz，或更佳大於或等於近似10kHz。
在一實施例中，來自雷射100之輻射光束105之脈衝頻率經控制為使得典型波長小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。典型波長可為平均波長。在一實施例中，來自雷射100之輻射光束105之脈衝頻率經控制為使得典型波長大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制來自雷射100之輻射光束105之脈衝頻率以產生具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之波長之邊緣可意謂可縮減或甚至避免缺陷。
在此實施例中，方法包含在預定頻率下使來自雷射100之輻射光束105脈動。方法可進一步包含在第一頻率下使基板W旋轉且在第二頻率下使輻射光束105脈動。在第一頻率下使基板W旋轉可包括將基板W提供於基板支撐件7上及控制基板支撐件7圍繞基板W之軸線之旋轉。方法可包含使基板W以每分鐘數百或數千次回轉而旋轉。第二頻率可高於第一頻率。第二頻率可顯著高於第一頻率。在此內容背景下，顯著較高可意謂第二頻率比第一頻率高至少10倍，或第二頻率比第一頻率高至少100倍，或第二頻率比第一頻率高至少1000倍。
在一實施例中，方法可包含將來自雷射100之入射於基板W及/或感光性材料層5上的輻射光束105之寬度控制在預定範圍內以控制保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍之邊緣之徑向寬度RW。如以上所描述，控制感光性材料層5周圍的邊緣之形狀(例如，徑向寬度RW)會影響基板W之表面上之缺陷，且因此可受控制以縮減上文所描述之誤差。此可允許控制來自雷射100之入射於基板W及/或感光性材料層5上的輻射光束105 之寬度以縮減或甚至避免缺陷。
在一實施例中，來自雷射100之入射於基板W及/或感光性材料層5上的輻射光束105之寬度經控制為使得邊緣之徑向寬度RW小於或等於近似3毫米，或較佳小於或等於近似2毫米，或更佳小於或等於近似0.5毫米。在一實施例中，來自雷射100之入射於基板W及/或感光性材料層5上的輻射光束105之寬度經控制為使得邊緣之徑向寬度RW大於或等於近似0.01毫米，或較佳大於或等於近似0.05毫米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制來自雷射100之入射於基板W及/或感光性材料層5上的輻射光束105之寬度以產生具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之徑向寬度RW之邊緣可縮減或甚至避免歸因於剩餘感光性材料層5之邊緣之缺陷。
在一實施例中，可提供基板W上之所得缺陷及/或水損失之指示。可使用如以上所描述之量測單元92(例如，運用圖9中所描繪之實施例)提供基板W上之所得缺陷及/或水損失之指示。然而，在此實施例中，量測單元92可將控制信號發送至控制器101或自控制器101接收控制信號。根據使用自如以上所描述之量測單元92所接收之指示，可判定出需要來自雷射100之輻射光束105中之改變，例如，輻射之脈衝頻率及/或強度等等。控制器101可用以判定所需改變且改變輻射光束105之特性。替代地，控制器101可自量測單元92接收指示改變之輸入以控制輻射光束105。可(例如)使用上文所描述之量測單元92提供該改變對基板W上之所得缺陷及/或水損失之效應之指示，以判定是否需要進一步改變。
輻射光束105可相同於輻射光束95，且雷射100可相同於雷射90。因而，用以提供振盪輻射光束95之雷射90亦可用以提供脈衝式輻射光束105。因此，輻射光束105可經組態以視情況同時地振盪及脈動。
在以上相關於雷射之實施例中之任一者中，方法可進一步包含提供圖案化器件。在此實施例中，圖案化器件可用以以某種方式圖案化入射於基板W及/或感光性材料層5上之輻射光束。在一實施例中，輻射光束可自圖案化器件反射。在一實施例中，輻射光束可傳遞通過圖案化器件。
在一實施例中，可使圖案化器件相對於基板W移動以產生如以上所描述之邊緣。舉例而言，可使圖案化器件圍繞基板W之外部移動以便再導向來自雷射之輻射。圖案化器件可將一些而非全部輻射導向朝向基板W及/或感光性材料層5。圖案化器件可變更輻射光束之強度。
在一實施例中，可取決於感光性材料之至少一個屬性來控制圖案化器件之相對移動。在一實施例中，圖案化器件之相對移動可經控制為使得邊緣之波長係在所要範圍內。在適用時，波長可如上文關於粗糙邊緣或經圖案化邊緣所描述來解譯。在一實施例中，典型波長小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。典型波長可為平均波長。在一實施例中，圖案化器件之移動經控制為使得典型波長大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制圖案化器件之移動以產生如以上所描述的具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之波長之邊緣可意謂可縮減或甚至避免缺陷。
在一實施例中，圖案化器件之相對移動經控制為使得徑向寬度RW小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。在一實施例中，圖案化器件之相對移動經控制為使得徑向寬度RW大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制圖案化器件之相對移動以產生如以上所描 述的具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之徑向寬度RW之邊緣可縮減或避免如所描述之缺陷。
在一實施例中，圖案化器件為成形光罩116。成形光罩116可另外被稱作幾何光罩。如圖11A中所展示，雷射110發射輻射光束115，該輻射光束115經導向朝向基板W及/或感光性材料層5。輻射光束115經導向至基板W及/或感光性材料層5，且成形光罩116防止或縮減成形光罩116之某一部分周圍的輻射到達基板W及/或感光性材料層5。
成形光罩116可為***至輻射光束115之橫截面中之光罩，其(例如)防止(或縮減)輻射到達基板W及/或感光性材料層5，惟通過特定成形孔使得僅通過該成形孔之輻射將到達基板W除外。使用成形光罩116產生邊緣在圖11A及圖11B中加以描繪。如所展示，成形光罩116允許輻射光束115在平面圖中以三角形之形狀傳遞通過其，亦即，輻射光束115係由成形光罩116塑形。成形光罩116可為為了達成邊緣周圍之所要厚度剖面之任何所要形狀。成形光罩116可具有具圖案或重複形狀而非如所展示之單一形狀的成形孔。成形光罩116可具有如所描述之成形孔，且該孔之大小並非特別限制性的。舉例而言，成形孔可具有大約數十微米、數百微米或數千微米之寬度。
可使用控制器111來控制成形光罩116之移動。控制器111可屬於與以上實施例中之任一者中所描述之相同控制器相同的類型。雷射110及輻射光束115可相同於分別如先前所描述之其他雷射及輻射光束。因此，除了上文所描述之振盪及/或脈衝式輻射光束實施例以外，亦可提供成形光罩116。
在一實施例中，圖11A及11B之成形光罩116可用透射經圖案化光罩 或反射經圖案化光罩替換。透射經圖案化光罩經組態以允許一些輻射傳遞通過透射部分。透射經圖案化光罩亦防止一些輻射傳遞通過該透射經圖案化光罩。因此，舉例而言，圖案形成於輻射光束115之橫截面中。另一方面，反射經圖案化光罩經組態以允許一些輻射自反射部分反射。反射經圖案化光罩防止一些輻射自反射圖案反射。以此方式，圖案可形成於輻射光束115之橫截面中。因此，反射經圖案化光罩及透射經圖案化光罩兩者可在輻射光束115之橫截面中形成圖案，然而，在運用反射經圖案化光罩的情況下，輻射光束115係自該反射經圖案化光罩反射，而在運用透射光罩的情況下，輻射光束115傳遞通過其。
在一實施例中，圖案化器件為透射繞射光柵126(另外被稱為干涉光柵)而非成形光罩116，亦即，如以上所描述之成形光罩116可用透射繞射光柵126替換。使用透射繞射光柵126產生邊緣在圖12A及12B中加以描繪。如圖12A中所展示，雷射120發射輻射光束125，該輻射光束125經導向朝向基板W及/或感光性材料層5以產生邊緣。輻射光束125傳遞通過透射繞射光柵126。因此，輻射光束125在空間上經調變。空間上經調變輻射光束125在剩餘感光性材料層5之邊緣處之相互作用及重疊產生上文所描述的在圓周方向上具有變化厚度剖面之邊緣。
透射繞射光柵126包含具有多個隙縫之至少一個表面，在該等隙縫之間具有預定距離。如圖12B中所描繪，透射繞射光柵126包含第一光柵126a及第二光柵126b。第一光柵126a或第二光柵126b包含具有多個隙縫之表面，在該等隙縫之間具有預定距離。輻射光束125傳遞通過透射繞射光柵126，且輻射光束125在傳遞通過該透射繞射光柵126之第一光柵126a中之多個隙縫時***為輻射光束125a。經***輻射光束125a接著傳遞通 過該透射繞射光柵126之第二光柵126b中之多個隙縫，且所得輻射光束125b經導向朝向基板W及/或感光性材料層5。輻射光束125a及125b之方向可至少取決於輻射在第一光柵126a及第二光柵126b上傳遞所通過之隙縫之間隔，及輻射光束125之波長。隙縫之間隔為取決於感光性材料之至少一個屬性而選擇之預定距離。
所使用之光柵之類型可為任何商用光柵。僅作為一實例，第一光柵126a及/或第二光柵126b中之至少一者可具有每毫米近似300個隙縫，且輻射光束125可具有近似355奈米之波長，且透射繞射光柵126可與基板W之表面相隔近似450微米之距離。每毫米隙縫之數目可取決於輻射光束125相對於透射繞射光柵126之定位及輻射光束125之波長。輻射光束125之波長、隙縫之間的預定距離、第一光柵126a與第二光柵126b之間的距離及透射繞射光柵126與基板W之表面之間的距離可變化，且此等變數可彼此影響。在某些半徑下發生經***輻射光束(例如，125b)之間的建設性干涉。因此，藉由使干涉圖案與邊緣之所要形狀匹配，可控制邊緣厚度。以此方式，可視需要在邊緣周圍獲得週期性經調變圖案。
可使用控制器121來控制透射繞射光柵126之移動。控制器121可屬於與以上實施例中之任一者中所描述之相同控制器相同的類型。雷射120及輻射光束125可相同於分別如先前所描述之其他雷射及輻射光束。因此，可提供透射繞射光柵126以替換上文所描述之其他圖案化器件中之任一者，或除了上文所描述之振盪及/或脈衝式輻射光束實施例以外，亦可提供透射繞射光柵126。
在一實施例中，圖案化器件可為反射繞射光柵136來代替成形光罩116，亦即，如以上所描述之成形光罩116可用反射繞射光柵136替換。使 用反射繞射光柵136產生邊緣在圖13A及圖13B中加以描繪。反射繞射光柵136可包含具有多個凹槽之至少一個表面，在該等凹槽之間具有預定距離。可取決於感光性材料之至少一個屬性而選擇該預定距離。如圖13A中所展示，雷射130發射輻射光束135，該輻射光束135經導向朝向基板W及/或感光性材料層5。輻射光束135係自反射繞射光柵136反射。因此，輻射光束135在空間上經調變。空間上經調變輻射光束135在剩餘感光性材料層5之邊緣處之相互作用及重疊產生上文所描述的在圓周方向上具有變化厚度剖面之邊緣。
如圖13B中所描繪，輻射光束135可在一角度下經導向朝向反射繞射光柵136。成角度輻射光束135係自反射繞射光柵136反射且經導向朝向基板W及/或感光性材料層5以產生邊緣。如圖13B中所描繪，當輻射光束135係自反射繞射光柵136反射時，該等輻射光束***為若干光束，亦即，光譜之若干階，其在圖13B中被標註為m=1、m=0、m=-1、m=-2。
如以上所描述，反射繞射光柵136可在該反射繞射光柵136之表面上包含凹槽，例如包含隆脊或劃線。該等凹槽彼此可相隔預定義距離，其中該等凹槽判定如何***輻射光束135。舉例而言，預定義距離(其可另外被稱作光柵之週期)可經判定為圖13B中之距離d，例如如反射繞射光柵136之表面上之每一凹槽之間的距離。該距離d可視需要經選擇為***輻射光束135。
可使用已知商用反射繞射光柵。僅作為一實例，可使用具有每毫米近似300個凹槽的商用繞射光柵，且輻射光束135可具有近似355奈米之波長，且反射繞射光柵136可與基板W之表面相隔近似450微米之距離。可 使用其他已知反射繞射光柵，且可取決於輻射光束135相對於反射繞射光柵136之定位及輻射光束135之波長來選擇週期。輻射光束135之波長、凹槽之間的預定距離及反射繞射光柵136與基板W之表面之間的距離可變化，且此等變數可彼此影響。
具有不同m值之經***輻射光束將具有變化之強度。改變輻射光束135之入射角度θ將變更經***輻射光束135之角度，例如，針對m=1光束為角度ε。變化此等角度可用以控制輻射光束135如何落在基板W及/或感光性材料層5之表面上以達成如以上所描述之邊緣。反射繞射光柵136相對於雷射130、輻射光束135及基板W及/或感光性材料層5之表面之位置可經變更以達成所要邊緣。在某些半徑下發生經***輻射光束之間的建設性干涉。因此，藉由使干涉圖案與邊緣之所要形狀匹配，可控制邊緣厚度。以此方式，可視需要在邊緣周圍獲得週期性經調變圖案。
可使用控制器131來控制反射繞射光柵136之移動。控制器131可屬於與以上實施例中之任一者中所描述之相同控制器相同的類型。雷射130及輻射光束135可相同於分別如先前所描述之其他雷射及輻射光束。因此，可提供反射繞射光柵136以替換上文所描述之其他圖案化器件中之任一者，或除了上文所描述之振盪及/或脈衝式輻射光束實施例以外，亦可提供反射繞射光柵136。
在以上相關於用於產生邊緣之雷射之使用的實施例中之任一者中，入射於基板W及/或感光性材料層5上之輻射光束之橫截面積(例如，輻射光束之寬度)可取決於感光性材料之至少一個屬性予以控制。控制輻射光束可變更在保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍而產生的邊緣之特性。舉例而言，入射於基板W及/或感光性材料層5之表面上之輻射光束 之寬度及/或強度可變更邊緣之特徵之間距及深度，亦即，可變更結構使得邊緣具有所要結構。該結構可具有(例如)歸因於如以上所描述之圖案化或粗糙度之圓周及徑向接觸角/高度變化。因此，控制輻射光束會影響邊緣之屬性，且因此可受控制以考量邊緣之效應，例如，以考量基板W上之所得缺陷及/或水損失以便縮減或避免發生缺陷。以此方式，控制輻射光束可基於來自至少一個感測器及/或處理器之某種回饋予以控制。在以上相關於雷射之使用之實施例中的任一者中，雷射之位置可受控制以在輻射光束到達基板W時控制該輻射光束之方向。可控制該位置以控制輻射光束影響感光性材料層5之哪一部分。可(例如)藉由使雷射傾斜以變更輻射之方向(此稍微變更入射於基板W及/或感光性材料層5之表面上之輻射光束之形狀)來控制該位置。
在一實施例中，自感光性材料層5之外部邊緣周圍移除感光性材料包含在感光性材料層5之外部邊緣周圍使用電漿，如以下之實施例中所描述。此可在如以上實施例中之一些中所描述的初始移除步驟之後進行。為氣流與高電場之組合的大氣電漿放電可提供可移除感光性材料之反應性環境。電漿可藉由控制電漿之各種不同屬性予以控制。儘管在當前所描述實施例中參考術語電漿，但應理解，對電漿之參考可指電漿自身及/或電漿放電。舉例而言，藉由調諧頻率、電壓、氣體成分、壓力、流動速率及/或電極幾何形狀，可控制電漿之屬性。取決於特定設計及應用，大氣電漿器件可經組態以提供不穩定氣體放電或局域化電漿射流，不穩定氣體放電及局域化電漿射流兩者可用於移除感光性材料，同時產生沿著感光性材料層5之邊緣長度之厚度剖面的變化。藉由調諧氣體(例如，添加化學物質)及電漿設定，程序可用於蝕刻、灰化/氧化或(局域)表面改質(粗糙化或沈 積)。在O.V.Penkov等人之「A review of recent applications of atmospheric pressure plasma jets for materials processing」(J.Coatings Technology and Research(2015年))且亦在Schütze等人之「The Atmospheric-Pressure Plasma Jet：A Review and Comparison to Other Plasma Sources」(IEEE Transactions on Plasma Science(1998年))中提供關於大氣電漿放電之另外資訊。
大氣電漿放電可用以(例如)藉由蝕刻或灰化來移除感光性材料。此移除可涉及(例如)使用包括氧化物或氮氣之氣體混合物。在H.H.Chen等人之「Photo-resist stripping process using atmospheric micro-plasma system」(J.Phys D(2009年))中、H.Yoshiki等人之「Localized Removal of a Photoresist by Atmospheric Pressure Micro-Plasma Jet Using RF Corona Discharge」(Japanese J.Appl.Phys(2002年))中及在J.Y.Jeong等人之「Etching materials with an atmospheric-pressure plasma jet」(Plasma Sources Sci Technol(1998年))中已描述使用此技術進行之感光性材料移除之實例。可依據如US 6,238,587 B1中所描述之放電電漿使基板W旋轉，但在本實施例中，電漿具體用於感光性材料移除及邊緣處理，且更具體而言，用以產生沿著邊緣之長度之厚度剖面的變化。
如下文將進一步詳細地描述，電漿可用作電漿射流且電漿射流可視情況產生粗糙邊緣或經圖案化邊緣。如將描述，電漿射流可以與上文所描述之噴嘴及雷射相似之方式受控制，例如以提供粗糙邊緣(例如，藉由組合電漿射流與例如相似於圖5或圖9之實施例之振盪)或提供經圖案化邊緣。
在一實施例中，感光性材料之移除包含將感光性材料層5之外部邊緣 周圍的感光性材料曝露於電漿。該電漿可為局域化電漿，其可另外被稱作電漿射流。電漿射流包括電漿及/或電漿放電。電漿可由電漿器件提供。電漿射流可為微射流，亦即，具有極集中強度，及/或電漿器件可產生微電漿射流陣列，其可用作下文所描述之電漿射流。電漿器件可另外被稱作電漿炬或電漿噴嘴。使用來自電漿器件之電漿射流進行移除受控制以便產生沿著邊緣之長度之厚度剖面的變化。舉例而言，此可形成如以上所描述之粗糙邊緣或經圖案化邊緣。
替代地，移除包含用於移除在感光性材料層5之外部邊緣周圍的感光性材料之初始移除步驟，且進一步包含將感光性材料曝露於電漿以自剩餘感光性材料層5周圍進一步移除感光性材料以便產生邊緣。在此實施例中，可藉由多種方法進行初始步驟，包括本文中所描述之實施例中的任一者中之方法。移除之初始步驟可使用可導致基板W之表面上之剩餘感光性材料層5不具有上述邊緣(如圖2中所描繪)之任何已知方法來進行。使用來自電漿器件之電漿射流進行的另外感光性材料之移除受控制以便產生沿著邊緣之長度之厚度剖面的變化。舉例而言，此可形成如以上所描述之粗糙邊緣或經圖案化邊緣。
如圖14中所描繪，電漿器件140可發射電漿射流145，感光性材料經曝露於該電漿射流。經導向至感光性材料之電漿射流145可用以將感光性材料層5之邊緣周圍的感光性材料改變成灰。此程序可被稱作灰化。可接著(例如)藉由圖14中所描繪之抽取器143移除灰。抽取器143亦可移除由灰化引起的產物，諸如感光性材料氧化產物。抽取器143可具備其他實施例中之任一者以便抽取經移除感光性材料。抽取器143可與用於自基板W周圍移除感光性材料之其他構件可互換。
用於提供電漿射流145之電漿之類型不受特別限制。可如以上所描述控制電漿之各種屬性(例如，氣體成分、壓力、流動速率、電壓、電極幾何形狀及/或頻率)以產生電漿射流，該電漿射流可取決於待移除之感光性材料之屬性而予以準確地控制及調適。
在一實施例中，方法包括使用電漿器件140以提供電漿射流145(亦即，局域化電漿)，該電漿射流145經導向至感光性材料上，亦即，使得感光性材料曝露於電漿。方法可包括使電漿射流145振盪以便產生沿著邊緣之長度具有變化之厚度剖面的邊緣，且電漿器件140可被稱作振盪電漿器件，如圖14中所描繪。換言之，入射於感光性材料上之電漿射流145可以規則方式來回移動。此移動可包含使電漿器件140移動及/或傾斜以使電漿射流145振盪。控制器141可經提供以控制電漿射流145之振盪。在一實施例中，以此方式使電漿射流145振盪可沿圓周調變感光性材料層5之邊緣。舉例而言，電漿射流145可經振盪以形成(例如)經圖案化邊緣，使得該邊緣之形狀相似於如以上所描述之正弦波、三角形波、方形波或矩形波。電漿器件140可被稱作振盪電漿器件，且可具有與使用如以上所描述之振盪噴嘴10相同的優點。電漿器件140可具有與能夠產生經圖案化邊緣相關聯之額外優點。
電漿射流145可在平面圖中在基板W及/或感光性材料層5上來回振盪。電漿射流145之來回運動係由圖14中之箭頭描繪。此可意謂振盪電漿器件140在電漿射流145之振盪期間在基板W及/或感光性材料層5上方。
在一實施例中，方法包括使電漿射流145在實質上徑向方向上振盪。隨著基板W可在發生振盪的同時旋轉，入射於基板W及/或感光性材料層5上之電漿射流145與基板W及/或感光性材料層5之表面之間的相對移動可 看起來在平面圖中形成圓形或螺旋形路徑。
在以上實施例中之任一者中，電漿射流145可持續振盪，亦即，電漿射流145在基板W上方持續來回移動。此可意謂只要電漿射流145入射於感光性材料及/或基板W之任何部分上，電漿射流145就持續振盪。
在以上實施例中之任一者中，方法包含取決於感光性材料之至少一個屬性來控制電漿射流145之振盪頻率及/或振幅。控制振盪頻率及/或振幅可變更在保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍而產生的邊緣之特性。舉例而言，電漿射流145之振盪頻率及/或振幅可變更邊緣之特徵之間距及深度。控制電漿射流145之此等振盪特徵會影響邊緣之屬性，且因此可受控制以考量邊緣之效應，例如，以考量基板W上之所得缺陷及/或水損失以便縮減或避免發生缺陷。以此方式，控制電漿射流145之此等振盪特徵可基於來自至少一個感測器及/或處理器之某種回饋予以控制。
在一實施例中，可提供基板W上之所得缺陷及/或水損失之指示。舉例而言，量測單元142(如圖14中所描繪)可在基板W於微影裝置中曝光之後偵測及/或量測基板W上之所得缺陷及/或水損失，且提供基板W上之該等所得缺陷及/或水損失之指示。替代地，量測單元142可量測邊緣之剖面以判定/預測基板W上之所得缺陷及/或水損失之指示。可離線地(亦即，在曝光之後)使用量測單元142，且該量測單元142可僅使用測試基板W。該量測單元142可相同於圖5中關於振盪噴嘴10所描繪之量測單元80或圖9中所描繪之量測單元92。量測單元142可在用於以上實施例中之任一者中之裝置外部，例如，量測單元142可為微影裝置之部分。在一實施例中，量測單元142可將控制信號發送至控制器141或自控制器141接收控制信號。量測單元142在圖14中被描繪為外部單元，其可與如以上所描述之實施例 通信。量測單元142可經提供為與圖15至圖18中之任一者中所描繪之實施例通信，或可未經提供為與圖14中所描繪之實施例通信。
可判定出，可需要電漿射流145中之改變，例如，可改變電漿射流145之振幅、頻率及/或功率。控制器141可用以判定所需改變且改變電漿射流145之特性。替代地，控制器141可自量測單元142接收指示改變之輸入以控制電漿射流145。可(例如)由上文所描述之量測單元142提供該改變對基板W上之所得缺陷及/或水損失之效應之指示，以判定是否需要進一步改變。
在一實施例中，控制電漿射流145之振盪頻率包括將該頻率控制在預定頻率範圍內。將電漿射流145之振盪控制在預定範圍內可控制粗糙邊緣之波長，亦即，振盪之頻率可經變更以調變/調整粗糙邊緣之波長。若邊緣為粗糙邊緣，則波長為特徵之間的距離，如以上關於具有上述相對大渦旋結構之實例所描述。然而，若邊緣經圖案化，則波長係與用於波週期之長度有關，如通常將理解。波長可被理解為意謂連續相對應點之間的距離，例如，兩個波峰之間的距離或兩個波谷之間的距離。因此，可藉由控制電漿射流145之振盪頻率來變更及控制邊緣之形狀，亦即，在圓周方向上之厚度變化。此可允許控制振盪頻率以影響可導致縮減或避免缺陷之邊緣之形狀。在一實施例中，頻率近似小於或等於近似500kHz，或較佳小於或等於近似100kHz，或更佳小於或等於近似50kHz。在一實施例中，頻率近似大於或等於近似500Hz，或較佳大於或等於近似1kHz，或更佳大於或等於近似10kHz。
在一實施例中，電漿射流145之振盪頻率經控制為使得典型波長小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近 似0.3毫米。典型波長可為平均波長。在一實施例中，電漿射流145之振盪頻率經控制為使得典型波長大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制振盪頻率以產生具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之波長之邊緣可意謂可縮減或甚至避免缺陷。
在一實施例中，方法包含將電漿射流145之振盪振幅控制在預定振幅範圍內以控制邊緣之徑向寬度RW。將電漿射流145之振幅控制在預定範圍內可控制邊緣之徑向寬度RW，亦即，振盪振幅可經變更以調變/調整邊緣在徑向方向上之寬度。因此，可藉由控制電漿射流145之振盪振幅來變更及控制邊緣之形狀。邊緣之所得形狀可允許控制電漿射流145之振盪振幅以縮減或甚至避免缺陷。
在一實施例中，電漿射流145之振盪振幅經控制為使得徑向寬度RW小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。在一實施例中，電漿射流145之振盪振幅經控制為使得徑向寬度RW大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制振盪振幅以產生具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之徑向寬度RW之邊緣可縮減或避免如所描述之缺陷。
在一實施例中，電漿射流145之振盪振幅近似小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。在一實施例中，電漿射流145之振盪振幅近似大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。
在一實施例中，方法包含在預定頻率下使電漿射流145振盪。方法可進一步包含在第一頻率下使基板W旋轉且在第二頻率下使電漿射流145振 盪。在第一頻率下使基板W旋轉可包括將基板W提供於基板支撐件7上及控制基板支撐件7圍繞基板W之軸線之旋轉。方法可包含使基板W以每分鐘數百或數千次回轉而旋轉。第二頻率可高於第一頻率。第二頻率可顯著高於第一頻率。在此內容背景下，顯著較高可意謂第二頻率比第一頻率高至少10倍，或第二頻率比第一頻率高至少100倍，或第二頻率比第一頻率高至少1000倍。
在以上相關於電漿器件之使用之實施例中的任一者中，方法可包含使電漿器件150脈動。圖15中描繪此實施例。換言之，來自電漿器件150之電漿射流155以脈衝式方式入射於基板W及/或感光性材料層5上，此係因為遍及一時間段，電漿射流155基本上處於「開啟」或「斷開」狀態中。「開啟」狀態為基板W及/或感光性材料層5經曝露於電漿射流155，且「斷開」狀態為基板W及/或感光性材料層5未經曝露於電漿射流155。此可藉由自電漿器件150提供恆定電漿射流155，但防止該電漿射流155在「斷開」狀態週期期間到達基板W及/或感光性材料層5之表面來控制。舉例而言，可使用實體障壁以防止基板W及/或感光性材料層5曝露於電漿，諸如具有孔以允許輻射傳遞通過之旋轉圓盤。
可在恰當地產生如以上所描述之邊緣之任何頻率下提供「開啟」狀態。僅舉例而言，「開啟」狀態之頻率可為大約1Hz直至數百kHz或甚至數MHz，例如，頻率可介於近似10kHz至1MHz之間，但未必為此狀況。可取決於電漿射流155與基板W及/或感光性材料層5之間的相對移動、電漿射流155之波長及電漿器件150之功率來變化頻率。頻率可變化以獲得如以上所描述之邊緣。
在此實施例中，使入射於基板W及/或感光性材料層5之表面上之電漿 射流155相對於基板W及/或感光性材料層5之表面而移動。舉例而言，在每一脈衝之間或在固定數目個脈衝之間可存在相對移動。在一實施例中，相對於基板W來移動電漿器件150。以此方式，電漿射流155之不同脈衝將入射於感光性材料之不同部分上，因此移除感光性材料層5之不同部分且產生邊緣。
在此實施例中，方法可包含取決於感光性材料之至少一個屬性來控制電漿射流155在基板W及/或感光性材料層5上之脈動。控制器151可經提供以控制實體障壁之移動以控制來自電漿器件150之電漿射流155之脈衝。控制器151可與先前所描述之控制器中之任一者相同。儘管控制器151被展示為在電漿器件150外部，但控制器151及/或實體障壁可與電漿器件150整合。
電漿射流155之脈衝可經控制為具有固定「開啟」及「斷開」狀態。電漿射流155之脈衝可處於規則時間間隔下。脈衝式電漿射流155之「開啟」及「斷開」狀態可為等效的，亦即，電漿射流155可入射於基板W及/或感光性材料層5上歷時之時間量與其不入射於基板W及/或感光性材料層5上歷時之時間量相同。換言之，作用區間循環可為50%。電漿射流155之脈衝頻率為在特定時間單位內重複之脈衝之數目。換言之，頻率為電漿射流155在特定時間單位內變成「開啟」狀態之次數。基板W及/或感光性材料層5之表面經曝露於電漿射流155之時間量可取決於電漿器件150之功率。舉例而言，若縮減電漿器件150之功率，則電漿射流155可處於「開啟」狀態中歷時較長時間。
在一實施例中，控制在基板W及/或感光性材料層5上的電漿射流155之脈衝之頻率包括將該頻率控制在預定頻率範圍內。將電漿射流155之脈 衝頻率控制在預定範圍內可控制邊緣之波長，亦即，頻率可經變更以調變/調整邊緣之波長。在適用時，波長可如上文關於粗糙邊緣或經圖案化邊緣所描述來解譯。因此，可藉由控制電漿射流155之脈衝頻率來變更及控制邊緣之形狀。此可允許控制脈衝之頻率以塑形邊緣使得可縮減或甚至避免缺陷。在一實施例中，頻率近似小於或等於近似500kHz，或較佳小於或等於近似100kHz，或更佳小於或等於近似50kHz。在一實施例中，頻率近似大於或等於近似500Hz，或較佳大於或等於近似1kHz，或更佳大於或等於近似10kHz。
在一實施例中，在基板W及/或感光性材料層5上的電漿射流155之脈衝頻率經控制使得典型波長小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。典型波長可為平均波長。在一實施例中，在基板W及/或感光性材料層5上的電漿射流155之脈衝頻率經控制使得典型波長大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制在基板W及/或感光性材料層5上的電漿射流155之脈衝頻率以產生具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之波長之邊緣可意謂可縮減或甚至避免缺陷。
在此實施例中，方法包含在預定頻率下使電漿射流155在基板W及/或感光性材料層5上脈動。方法可進一步包含在第一頻率下使基板W旋轉且在第二頻率下使電漿射流155脈動。在第一頻率下使基板W旋轉可包括將基板W提供於基板支撐件7上及控制基板支撐件7圍繞基板W之軸線之旋轉。方法可包含使基板W以每分鐘數百或數千次回轉而旋轉。第二頻率可高於第一頻率。第二頻率可顯著高於第一頻率。在此內容背景下，顯著較高可意謂第二頻率比第一頻率高至少10倍，或第二頻率比第一頻率高至少 100倍，或第二頻率比第一頻率高至少1000倍。
在一實施例中，方法可包含將來自電漿器件150之入射於基板W及/或感光性材料層5上的電漿射流155之定位(亦即，寬度)控制在預定範圍內以控制保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍之邊緣之徑向寬度RW。如以上所描述，控制感光性材料層5周圍的邊緣之形狀(例如，邊緣之徑向寬度RW)會影響基板W之表面上之缺陷，且因此可受控制以縮減上文所描述之誤差。此可允許控制來自電漿器件150之入射於基板W及/或感光性材料層5上的電漿射流155之寬度以縮減或甚至避免缺陷。
在一實施例中，來自電漿器件150之入射於基板W及/或感光性材料層5上的電漿射流155之寬度經控制為使得邊緣之徑向寬度RW小於或等於近似3毫米，或較佳小於或等於近似2毫米，或更佳小於或等於近似0.5毫米。在一實施例中，來自電漿器件150之入射於基板W及/或感光性材料層5上的電漿射流155之寬度經控制為使得邊緣之徑向寬度RW大於或等於近似0.01毫米，或較佳大於或等於近似0.05毫米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制來自電漿器件150之入射於基板W及/或感光性材料層5上的電漿射流155之寬度以產生具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之徑向寬度RW之邊緣可縮減或甚至避免歸因於剩餘感光性材料層5之邊緣之缺陷。
在一實施例中，可提供基板W上之所得缺陷及/或水損失之指示。可使用如以上所描述之量測單元142(例如，運用圖14中所描繪之實施例)提供基板W上之所得缺陷及/或水損失之指示。然而，在此實施例中，量測單元142可將控制信號發送至控制器151或自控制器151接收控制信號。根據使用自如以上所描述之量測單元142所接收之指示，可判定出：需要來自電漿器件150之電漿射流155中之改變，例如，電漿射流155之脈衝頻率 及/或強度等等。控制器151可用以判定所需改變且改變電漿射流155之特性。替代地，控制器151可自量測單元142接收指示改變之輸入以控制電漿射流155。可(例如)使用上文所描述之量測單元142提供該改變對基板W上之所得缺陷及/或水損失之效應之指示，以判定是否需要進一步改變。
電漿射流155可相同於電漿射流145，且電漿器件150可相同於電漿器件140。因而，用以提供振盪電漿射流145之電漿器件140亦可用以提供脈衝式電漿射流155。因此，電漿射流155可經組態以視情況同時地振盪及脈動。
在以上相關於電漿射流(亦即，局域化電漿)之實施例中之任一者中，方法可進一步包含提供圖案化器件。在此實施例中，圖案化器件可用以以某種方式圖案化入射於基板W及/或感光性材料層5上之電漿射流。在一實施例中，電漿射流可傳遞通過圖案化器件。
在一實施例中，可使圖案化器件相對於基板W移動以產生如以上所描述之邊緣。舉例而言，可使圖案化器件圍繞基板W之外部移動以便再導向電漿射流。圖案化器件可允許一些但並非全部電漿射流導向至基板W及/或感光性材料層5。
在一實施例中，可取決於感光性材料之至少一個屬性來控制圖案化器件之相對移動。在一實施例中，圖案化器件之相對移動可經控制為使得邊緣之波長係在所要範圍內。在適用時，波長可如上文關於粗糙邊緣或經圖案化邊緣所描述來解譯。在一實施例中，典型波長小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。典型波長可為平均波長。在一實施例中，圖案化器件之移動經控制為使得典型波長大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳 大於或等於近似0.1毫米。控制圖案化器件之移動以產生如以上所描述的具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之波長之邊緣可意謂可縮減或甚至避免缺陷。
在一實施例中，圖案化器件之相對移動經控制為使得徑向寬度RW小於或等於近似2毫米，或較佳小於或等於近似0.5毫米，或更佳小於或等於近似0.3毫米。在一實施例中，圖案化器件之相對移動經控制為使得徑向寬度RW大於或等於近似10微米，或較佳大於或等於近似50微米，或更佳大於或等於近似0.1毫米。控制圖案化器件之相對移動以產生如以上所描述的具有此等值(尤其是較佳值及更佳值)之徑向寬度RW之邊緣可縮減或避免如所描述之缺陷。
在一實施例中，圖案化器件為成形光罩166。成形光罩166在圖16A及圖16B中被描繪為分離組件，但可為電漿器件160之部分，因此界定由電漿器件160發射之電漿射流165之形狀。成形光罩166可另外被稱作幾何光罩。如圖16A中所展示，電漿器件160發射電漿射流165，基板W及/或感光性材料層5經曝露於該電漿射流165。電漿射流165經導向至基板W及/或感光性材料層5，且成形光罩166防止或縮減在成形光罩166之某一部分外部所提供的電漿射流165到達基板W及/或感光性材料層5。
成形光罩166可為***至電漿射流165之橫截面中之光罩，其(例如)防止(或縮減)電漿射流165到達基板W及/或感光性材料層5，惟通過特定成形孔使得僅通過該成形孔之電漿射流165將到達基板W除外。使用成形光罩166產生邊緣在圖16A及圖16B中予以描繪。如所展示，成形光罩166允許電漿射流165在平面圖中以三角形之形狀傳遞通過其，亦即，電漿射流165係由成形光罩166塑形。成形光罩166可為為了達成邊緣周圍之所要 厚度剖面之任何所要形狀。成形光罩166可具有具圖案或重複形狀而非如所展示之單一形狀的成形孔。成形光罩166可具有如所描述之成形孔，且該孔之大小並非特別限制性的。舉例而言，成形孔可具有大約數十微米、數百微米或數千微米之寬度。
可使用控制器161來控制成形光罩166之移動。控制器161可屬於與以上實施例中之任一者中所描述之相同控制器相同的類型。電漿器件160及電漿射流165可與分別如先前所描述之其他電漿器件及電漿射流相同。因此，除了上文所描述之振盪及/或脈衝式電漿射流實施例以外，亦可提供成形光罩166。
在以上相關於用於產生邊緣之電漿器件之使用的實施例中之任一者中，入射於基板W及/或感光性材料層5上之電漿射流之橫截面積(例如，電漿射流之寬度)可取決於感光性材料之至少一個屬性予以控制。控制電漿射流可變更在保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍產生的邊緣之特性。舉例而言，入射於基板W及/或感光性材料層5之表面上之電漿射流之寬度及/或強度可變更邊緣之特徵之間距及深度，亦即，可變更結構使得邊緣具有所要結構。該結構可具有(例如)歸因於如以上所描述之圖案化或粗糙度之圓周及徑向接觸角/高度變化。因此，控制電漿射流會影響邊緣之屬性且因此可受控制以考量邊緣之效應，例如，以考量基板W上之所得缺陷及/或水損失以便縮減或避免發生缺陷。以此方式，控制電漿射流可基於來自至少一個感測器及/或處理器之某種回饋予以控制。在以上相關於電漿器件之使用之實施例中的任一者中，可控制電漿器件之位置以控制電漿射流在其到達基板W時之方向。可控制該位置以控制電漿射流影響感光性材料層5之哪一部分。可(例如)藉由使電漿器件傾斜以變更電漿 射流之方向(此稍微變更入射於基板W及/或感光性材料層5之表面上之電漿射流之形狀)來控制該位置。
在以上使用電漿之實施例中，獲得表面粗糙度之替代方式為利用不穩定串流傳輸電漿放電。依據此電漿類型使基板邊緣旋轉將在基板W之邊緣處引起所要構形。因此，舉例而言，圖14至圖16B中之電漿器件可用以產生不穩定串流傳輸電漿放電而非局域化射流。圖17展示用於產生不穩定電漿175之不穩定電漿器件170，亦即，其為不規則的且並未將電漿放電提供為上文所描述之受控制射流。如所描繪，控制器171可用以控制不穩定電漿器件170。不穩定電漿175可產生歸因於此電漿類型之不穩定性質的沿著邊緣之厚度剖面之變化。因此，可使用不穩定串流傳輸電漿且使電漿器件170下方之基板W旋轉來產生粗糙邊緣，而不進行如以上針對其他實施例所描述之進一步控制或圖案化。
在所有狀況下，應小心不損害基板W。此可藉由調諧電漿屬性且將電漿放電限制至基板W之邊緣以供移除邊緣珠粒來達成。此亦應用於使用其他技術(包括(例如)使用以上實施例中之任一者中所描述之噴嘴或雷射)進行感光性材料之移除。
在以上實施例中之任一者中，可處理經移除之邊緣之部分若干次。換言之，邊緣之同一部分可在上述噴嘴及/或雷射及/或電漿器件中之任一者下方通過多次。以此方式，可對邊緣之同一部分使用上述噴嘴及/或雷射及/或電漿器件若干次以達成所要厚度剖面。
在以上相關於雷射光束或電漿射流之實施例中之任一者中，雷射光束(或電漿射流)與基板W可相對於彼此藉由機械構件移動。舉例而言，基板W可相對於輻射光束藉由控制系統移動，該控制系統視需要使基板W位 移。替代地，輻射光束之位置可藉由光學構件移動。舉例而言，可(例如)藉由包括至少一個壓電致動器之構件移動一或多個鏡面；或鏡面可視需要遍及基板W之區及/或感光性材料層5掃描輻射光束。替代地，輻射光束可耦合至光纖中且經導引朝向基板W，其中光纖及(視情況)關聯光學聚焦元件與基板W可相對於彼此而移動。可以任何適當方式組合機械或光學系統以便使雷射光束與基板W相對於彼此移動。
在以上包含振盪組件之實施例中之任一者中，更一般而言，方法可經控制為使噴嘴、輻射光束、雷射及/或電漿器件相對於基板W振盪(亦即，噴嘴、輻射光束、雷射及/或電漿器件未必必須振盪)。因此，儘管噴嘴、輻射光束、雷射及電漿器件中之每一者被描述為能夠振盪，但此等實施例可藉由確保相對移動等效於已經描述之移動而具有相同效應。因此，亦可移動基板W，或可分別代替噴嘴、輻射光束、雷射及/或電漿器件來移動基板W。舉例而言，基板支撐件7可由圖1中所描繪之控制器12控制，該控制器12可移動基板W。因此，基板W可經控制為振盪，其可提供與上文所描述之噴嘴、輻射光束、雷射及/或電漿器件相同之相對移動。
如以上所描述及圖1中所展示，基板W可由基板支撐件7支撐。基板支撐件7可在必要時用以控制基板W之移動。隨著基板W可在自感光性材料層之外部邊緣周圍移除感光性材料的同時旋轉，可(例如)在第一頻率下控制該基板W之旋轉。因此，在以上實施例中之任一者中，可控制基板支撐件7以控制在基板W之邊緣處之圓周速度。基板支撐件7可由圖1中所描繪之支撐控制器12控制。
基板支撐件7可經組態以使基板W在一頻率下旋轉使得基板W之邊緣處之圓周速度小於或等於近似12m/s。較佳地，使基板W在具有較低圓周 速度(較佳小於或等於10m/s，或小於或等於8m/s或較佳甚至更低)之速度下旋轉。因此，更一般而言，在實施例中之任一者中，方法可進一步包含使基板W旋轉以在基板W之邊緣處具有小於或等於近似12m/s、較佳小於或等於10m/s或更佳小於或等於8m/s之圓周速度。舉例而言，對於直徑為300毫米之基板W，此等同於使基板W分別在近似小於或等於近似750rpm、小於或等於近似650rpm、小於或等於近似500rpm或甚至更低下旋轉。若基板W之直徑較大，則可需要較低自旋速度(亦即，較低rpm)以在基板W之邊緣處達成較佳圓周速度。因此，基板W之較佳rpm將取決於基板W之大小，亦即，基板W之直徑。
因此，可控制基板W(自該基板W移除感光性材料)與進行移除之組件(例如，使用噴嘴、雷射或電漿器件(上文所描述)中的任一者)之間的相對速度。縮減如以上所描述之基板W之旋轉速度具有可縮減膜牽拉之優點。基板W之速度縮減提供沿著感光性材料之邊緣之長度之厚度剖面的變化，因此，沿著感光性材料層5該邊緣之增加之粗糙度。藉由縮減基板W之旋轉速度，可達成上文所描述之粗糙邊緣，其具有與已經描述之相同有利效應，例如改良膜牽拉。不存在關於基板W之旋轉速度之下限。然而，一般而言，較佳的是儘可能快地處理基板W以便在給定時間段內儘可能多地產生基板W。因此，使基板W旋轉之速度為維持適當處理時間與減低基板W之旋轉速度之間的折衷，以提供上文所描述之優點。
除了根據上文所描述之組件控制基板W之旋轉速度以產生粗糙邊緣以外，亦可使用用於自感光性材料層5之外部邊緣周圍移除感光性材料之先前已知方法，且基板W之旋轉速度可縮減以產生沿著邊緣之厚度剖面之變化。換言之，舉例而言，可使用習知噴嘴，且基板W之旋轉速度可縮減 至上文所描述之值使得藉由變化基板W相對於噴嘴之速度以便產生沿著邊緣長度之厚度剖面之變化來控制移除。以此方式，歸因於使基板W旋轉之速度縮減(即使使用先前已知邊緣移除技術)，邊緣可產生為粗糙邊緣。
在一實施例中，可提供用於處理基板W之裝置60。圖18中描繪該裝置60。該裝置60可經提供以進行以上實施例中之任一者中所描述之方法。更詳細地，可提供用於處理基板W之裝置60，該裝置包含：基板支撐系統70，其經組態以支撐基板W，該基板W在該基板W之表面上包含感光性材料層5；及基板邊緣處理單元50，其經組態以自感光性材料層5之外部邊緣周圍移除感光性材料。基板邊緣處理單元50經組態以在移除感光性材料時在保持於基板W之表面上的感光性材料層5周圍產生具有徑向寬度RW之邊緣。感光性材料之厚度變化，從而形成橫越徑向寬度RW之厚度剖面。可控制移除以便產生沿著邊緣之長度之厚度剖面之變化。可控制移除以產生可具有沿著邊緣長度之厚度剖面之變化的粗糙邊緣(如上所述)或替代地，具有沿著邊緣長度之均一厚度剖面之粗糙邊緣。基板支撐系統70可包含如以上所描述之基板支撐件7。
在一實施例中，基板邊緣處理單元50經組態以產生粗糙邊緣。如所描述，粗糙邊緣可在圓周方向上(亦即，沿著邊緣之長度)為均一的或非均一的。在此實施例中，基板邊緣處理單元50可包含噴嘴10，該噴嘴10經組態以將溶劑15噴射於感光性材料層5之外部邊緣周圍的感光性材料層5上，且該噴嘴10可經組態以在噴射溶劑15時振盪以便產生粗糙邊緣。替代地，在此實施例中，基板邊緣處理單元50經組態以移除感光性材料包括：基板邊緣處理單元50經組態以自感光性材料層5之外部邊緣周圍僅移除一些感光性材料，且該基板邊緣處理單元50包含一噴嘴20，該噴嘴20 經組態以噴射溶劑25之小滴以自剩餘感光性材料層5周圍進一步移除感光性材料以便產生粗糙邊緣。
在一實施例中，基板邊緣處理單元50經組態以產生經圖案化邊緣。
在一實施例中，基板邊緣處理單元50包含雷射(例如，雷射90、100、110、120及/或130中之任一者)，該雷射經組態以將輻射(例如，輻射光束95、105、115、125及/或135)導向於感光性材料層5之外部邊緣周圍的感光性材料層5上以便產生具有沿著邊緣及/或粗糙邊緣之長度之厚度剖面之變化的邊緣。使用雷射可提供如以上所描述的具有沿著邊緣之長度之厚度剖面的變化之粗糙或經圖案化邊緣。在此實施例中，雷射90可經組態以在將輻射導向於感光性材料層5上時振盪。在此實施例中，雷射100可經組態以在將輻射導向於感光性材料層5上時脈動。在此實施例中，裝置可進一步包含圖案化器件，且基板邊緣處理單元50經組態以將輻射導向於圖案化器件上或導向通過圖案化器件。在此實施例中，圖案化器件可包含透射或反射經圖案化光罩116、透射繞射光柵126及/或反射繞射光柵136。
在一實施例中，基板邊緣處理單元50包含電漿器件(例如，電漿器件140、150、160及/或170中之任一者)，該電漿器件經組態以將電漿射流(例如，電漿射流145、155、165及/或175)導向於感光性材料層5之外部邊緣周圍的感光性材料層5上以便產生具有沿著邊緣及/或粗糙邊緣之長度之厚度剖面之變化的邊緣。使用電漿器件可提供如以上所描述的具有沿著邊緣之長度之厚度剖面的變化之粗糙或經圖案化邊緣。在此實施例中，電漿器件140可經組態以在將電漿射流145導向於感光性材料層5上時振盪。在此實施例中，電漿器件150可經組態以在將電漿射流155導向於感光性材 料層5上時脈動。在此實施例中，裝置可進一步包含圖案化器件166，且基板邊緣處理單元50經組態以將電漿射流165導向通過圖案化器件166。
裝置60可進一步包含如以上所描述之控制器(11、21、91、101、111、121、131、141、151、161及/或171)中的任一者。裝置60可進一步包含與邊緣處理單元一起使用的上文所描述之量測單元80、92、142或與該等量測單元通信。
在以上實施例中之任一者中，基板W可在該基板W之表面上包含若干材料層(或一個材料層)，在該基板W之頂部上定位有感光性材料層5。此等材料層可為基板W之部分(正如其所形成之形式)或為基板W上之塗層，其視情況為暫時性的。此等材料層將被認為是如以上實施例中之任一者中所描述之基板W之部分。
在以上實施例中之任一者中，在剩餘感光性材料層5之整個邊緣周圍可不產生具有沿著邊緣長度之厚度剖面之變化的邊緣，例如，感光性材料層5之邊緣周圍之整個圓周可並不具有沿著該邊緣之厚度剖面之變化。舉例而言，可有益的是在剩餘感光性材料層5之圓周周圍之特定或預定部位中產生沿著邊緣長度之厚度剖面之變化的邊緣。舉例而言，具有沿著邊緣長度之厚度剖面之變化的邊緣可僅提供於其中液體限制結構IH穿過感光性材料層5之邊緣的邊緣周圍之部位中。粗糙邊緣同樣適用，該粗糙邊緣沿著邊緣之長度可為均一的，但可僅應用於邊緣周圍之某些部分。
在一實施例中，此可藉由在剩餘感光性材料層5之預定部分上方使振盪噴嘴10持續振盪，且在剩餘感光性材料層5之其他部分上方不使振盪噴嘴10振盪予以控制。在一實施例中，此可藉由分別在剩餘感光性材料層5之預定部分上方自振盪噴嘴10及/或噴嘴20噴射溶劑15、25，且在剩餘感 光性材料層5之其他部分上方並不自振盪噴嘴10及/或噴嘴20噴射溶劑15、25予以控制。在一實施例中，此可藉由在剩餘感光性材料層5之預定部分上方使來自雷射90之輻射光束95振盪，且在剩餘感光性材料層5之其他部分上方並不使輻射光束95振盪予以控制。在一實施例中，此可藉由允許來自上文所描述之雷射(90、100、110、120、130)中的任一者之待入射於基板W上的輻射光束(95、105、115、125、135)在剩餘感光性材料層5之預定部分上方，且並不允許輻射光束(95、105、115、125、135)在剩餘感光性材料層5之其他部分上方予以控制。在一實施例中，此可藉由允許來自上文所描述之電漿器件(分別為140、150、160、170)中的任一者之待入射於基板W上的電漿射流(145、155、165、175)在剩餘感光性材料層5之預定部分上方，且並不允許電漿射流(145、155、165、175)在剩餘感光性材料層5之其他部分上方予以控制。
如本文中所描述之裝置可用於微影裝置中。由以上方法中之任一者引起的基板W可用於微影裝置中。
本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。亦可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將感光性材料層5施加至基板W且顯影經曝光感光性材料之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板W。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板W處理多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術 語基板W亦可指已經含有多個經處理層之基板W。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，用於形成圖案之器件中之構形界定產生於基板W上之圖案。可將用於形成圖案之器件之構形壓入被供應至基板W之感光性材料層5中，於是感光性材料係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在感光性材料固化之後，將用於形成圖案之器件移出感光性材料，從而在其中留下圖案。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。
在本文中所描述之實施例中，術語「透鏡」及「透鏡元件」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
另外，本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長λ)、極紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長，諸如，13.5奈米)或在小於5奈米下工作之硬X射線，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。通常，具有介於約400奈米至約700奈米之間的波長之輻射被認為是可見光輻射；具有介於約780奈米至3000奈米(或更大)之間的波長之輻射被認為是IR輻射。UV係指具有近似100奈米至400奈米之波長的輻射。在微影內，術語「UV」亦應用於可由水銀放電燈產生之波長：G線436奈米；H線405奈米；及/或I線365奈米。真空UV或VUV(亦即，由氣體吸收之UV)係指具 有近似100奈米至200奈米之波長的輻射。深UV(DUV)通常係指具有在126奈米至428奈米之範圍內的波長之輻射，且在一實施例中，準分子雷射可產生在微影裝置內使用之DUV輻射。應瞭解，具有在(例如)5奈米至20奈米之範圍內的波長之輻射係關於具有某一波長帶之輻射，該波長帶之至少部分係在5奈米至20奈米之範圍內。
如本文中所使用之術語「基板」通常描述後續材料層經添加至之材料。在實施例中，基板W自身可經圖案化，且添加於基板之頂部上的材料亦可經圖案化，或可保持無圖案化。
雖然上文已描述特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐實施例。該描述不意欲限制本發明。
以上之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解譯申請專利範圍。[發明內容】及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明人預期之一或多個而並非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式限制本發明及附加申請專利範圍。
上文已憑藉說明指定功能及其關係之實施的功能建置區塊來描述實施例。為了便於描述，本文中已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需 進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
下文列出表示根據實施例之微影裝置之配置的條項。
條項1. 一種處理一基板之方法，其包含：使一基板在該基板之一表面上具備一感光性材料層；及自該感光性材料層之一外部邊緣周圍移除感光性材料，且控制該移除以便在保持於該基板之該表面上的該感光性材料層周圍產生具有一徑向寬度之一邊緣，其中該感光性材料之厚度變化，從而形成橫越該徑向寬度之一厚度剖面，且該移除經控制以便產生沿著該邊緣之長度之該厚度剖面的變化。
條項2. 如條項1之方法，其中該邊緣為一粗糙邊緣。
條項3. 如條項2之方法，其中自該感光性材料層之該外部邊緣周圍移除該感光性材料包含使用一噴嘴將一溶劑噴射於該感光性材料層之該外部邊緣周圍的該感光性材料層上；及在噴射該溶劑時使該噴嘴振盪以便產生該粗糙邊緣。
條項4. 如條項3之方法，其進一步包含在一第一頻率下使該基板旋轉，及在一第二頻率下使該噴嘴振盪，該第二頻率顯著高於該第一頻率。
條項5. 如條項3或4之方法，其中該噴嘴在一實質上徑向方向上振盪。
條項6. 如條項3至5中任一項之方法，其包含取決於該感光性材料之至少一個屬性來控制該噴嘴之振盪之頻率及/或振幅。
條項7. 如條項3至6中任一項之方法，其包含將該噴嘴之振盪頻率控制在一預定頻率範圍內以控制該粗糙邊緣之一波長。
條項8. 如條項7之方法，其中該預定頻率範圍為近似500Hz至500kHz，或較佳地，該預定頻率範圍為近似1kHz至100kHz，或更佳地，該預定頻率範圍為近似10kHz至50kHz。
條項9. 如條項7或8之方法，其中該噴嘴之該振盪頻率經控制為使得該波長係介於近似10微米至2毫米之間，或較佳介於近似50微米至0.5毫米之間，或更佳介於近似0.1毫米至0.3毫米之間。
條項10. 如條項3至9中任一項之方法，其包含將該噴嘴之振盪振幅控制在一預定振幅範圍內以控制該粗糙邊緣之該徑向寬度。
條項11. 如條項10之方法，其中該預定振幅範圍經控制為使得該徑向寬度係介於近似10微米至2毫米之間，或較佳介於近似50微米至0.5毫米之間，或更佳介於近似0.1毫米至0.3毫米之間。
條項12. 如條項3至11中任一項之方法，其中該噴嘴為一邊緣移除噴嘴。
條項13. 如條項2之方法，其中該移除包含用於移除該感光性材料層之該外部邊緣周圍的感光性材料之一初始移除步驟，且進一步包含自一噴嘴噴射一溶劑以自該剩餘感光性材料層周圍進一步移除感光性材料以便產生該粗糙邊緣。
條項14. 如條項13之方法，其包含將溶劑自該噴嘴之該噴射之寬度控制在一預定範圍內以控制保持於該基板之該表面上的該感光性材料層周 圍之該粗糙邊緣之一徑向寬度。
條項15. 如條項14之方法，其中溶劑自該噴嘴之於該基板上的該噴射之該寬度之該預定範圍經控制為使得該徑向寬度係介於近似0.01毫米至3毫米之間，或較佳介於近似0.05毫米至2毫米之間，或更佳介於近似0.1毫米至0.5毫米之間。
條項16. 如條項13至15中任一項之方法，其進一步包含提供一障壁以保護該感光性材料層之部分免受由該噴嘴噴射之該溶劑影響。
條項17. 如條項16之方法，其中該障壁包含一實體元件。
條項18. 如條項16之方法，其中該障壁包含一流體射流，其中用於該流體射流之流體並非用於該感光性材料之一溶劑。
條項19. 如條項13至18中任一項之方法，其中噴射步驟包含噴射溶劑之小滴。
條項20. 如條項13至18中任一項之方法，其中該噴射步驟包含噴射包含溶劑小滴之霧劑。
條項21. 如條項19或20之方法，其包含將來自該噴嘴之該等溶劑小滴之平均直徑控制在一預定平均直徑範圍內以控制保持於該基板之該表面上的該感光性材料層之該外部邊緣周圍之該粗糙度邊緣。
條項22. 如條項21之方法，其中來自該噴嘴之該等溶劑小滴之該平均直徑夫人該預定範圍係介於近似1微米至0.2毫米之間，或較佳介於近似5微米至50微米之間，或更佳介於近似10微米至30微米之間。
條項23. 如條項3至22中任一項之方法，其中該噴嘴為一音波噴嘴或一超音波噴嘴。
條項24. 如條項1之方法，其中該邊緣為一經圖案化邊緣。
條項25. 如條項24之方法，其中該經圖案化邊緣具有沿著該邊緣之該長度之一實質上均一圖案，其中較佳地該圖案為沿著該邊緣之該長度之一正弦波、一三角形波、一方形波或一矩形波。
條項26. 如條項1、2、24及25中任一項之方法，其中自該感光性材料層之該外部邊緣周圍移除該感光性材料包含導向來自一雷射之輻射以入射於該感光性材料層之該外部邊緣周圍的該感光性材料上。
條項27. 如條項1、2、24及25中任一項之方法，其中該移除包含用於移除該感光性材料層之該外部邊緣周圍的感光性材料之一初始移除步驟，且進一步包含導向來自一雷射之輻射以入射於該感光性材料上以自該剩餘感光性材料層周圍進一步移除感光性材料以便產生該邊緣。
條項28. 如條項26或27之方法，其進一步包含使在該感光性材料上的該輻射之該入射振盪以便產生該邊緣。
條項29. 如條項28之方法，其進一步包含在一第一頻率下使該基板旋轉，且在一第二頻率下使在該感光性材料上的該輻射之該入射振盪，該第二頻率顯著高於該第一頻率。
條項30. 如條項28或29之方法，其中在該感光性材料上的該輻射之該入射在一實質上徑向方向上振盪。
條項31. 如條項28至30中任一項之方法，其包含取決於該感光性材料之至少一個屬性來控制在該感光性材料上的該輻射之該入射之振盪之頻率及/或振幅。
條項32. 如條項28至31中任一項之方法，其包含將在該感光性材料上的該輻射之該入射之振盪頻率控制在一預定頻率範圍內以控制該邊緣之一波長。
條項33. 如條項32之方法，其中該預定頻率範圍為近似500Hz至500kHz，或較佳地，該預定頻率範圍為近似1kHz至100kHz，或更佳地，該預定頻率範圍為近似10kHz至50kHz。
條項34. 如條項32或33之方法，其中在該感光性材料上的該輻射之該入射之該振盪頻率經控制為使得該波長係介於近似10微米至2毫米之間，或較佳介於近似50微米至0.5毫米之間，或更佳介於近似0.1毫米至0.3毫米之間。
條項35. 如條項28至34中任一項之方法，其包含將在該感光性材料上的該輻射之該入射之振盪振幅控制在一預定振幅範圍內以控制該邊緣之該徑向寬度。
條項36. 如條項35之方法，其中該預定振幅範圍經控制為使得該徑向寬度係介於近似10微米至2毫米之間，或較佳介於近似50微米至0.5毫米之間，或更佳介於近似0.1毫米至0.3毫米之間。
條項37. 如條項26至36中任一項之方法，其中該方法進一步包含使來自該雷射之輻射光束脈動，且使入射於該感光性材料上之該脈衝式輻射光束相對於該感光性材料移動以便產生該邊緣。
條項38. 如條項37之方法，其進一步包含在一第一頻率下使該基板旋轉，及在一第二頻率下使該雷射脈動，該第二頻率顯著高於該第一頻率。
條項39. 如條項37之方法，其進一步包含取決於該感光性材料之至少一個屬性來控制該雷射之脈衝之頻率。
條項40. 如條項37或38之方法，其包含將該雷射之脈衝頻率控制在一預定頻率範圍內以控制該邊緣之一波長。
條項41. 如條項39之方法，其中該預定頻率範圍為近似500Hz至500kHz，或較佳地，該預定頻率範圍為近似1kHz至100kHz，或更佳地，該預定頻率範圍為近似10kHz至50kHz。
條項42. 如條項39或40之方法，其中該雷射之該脈衝頻率經控制為使得該波長係介於近似10微米至2毫米之間，或較佳介於近似50微米至0.5毫米之間，或更佳介於近似0.1毫米至0.3毫米之間。
條項43. 如條項41之方法，其中該雷射之該等脈衝經控制為使得該徑向寬度係介於近似10微米至2毫米之間，或較佳介於近似50微米至0.5毫米之間，或更佳介於近似0.1毫米至0.3毫米之間。
條項44. 如條項26或27之方法，其進一步包含：提供一圖案化器件，及導向該輻射以自該圖案化器件反射或傳遞通過該圖案化器件以便產生該邊緣。
條項45. 如條項43之方法，其進一步包含相對於該基板來移動該圖案化器件以產生該邊緣。
條項46. 如條項43或44中任一項之方法，其中取決於該感光性材料之至少一個屬性來控制該圖案化器件之相對移動。
條項47. 如條項43至45中任一項之方法，其中該圖案化器件之相對移動經控制為使得該邊緣之該波長係介於近似10微米至2毫米之間，或較佳介於近似50微米至0.5毫米之間，或更佳介於近似0.1毫米至0.3毫米之間。
條項48. 如條項43至46中任一項之方法，其中該圖案化器件之相對移動受控制以控制該邊緣之該徑向寬度，且該徑向寬度係介於近似10微米至2毫米之間，或較佳介於近似50微米至0.5毫米之間，或更佳介於近似 0.1毫米至0.3毫米之間。
條項49. 如條項43至47中任一項之方法，其中該圖案化器件包含一透射經圖案化光罩、一反射經圖案化光罩或一成形光罩。
條項50. 如條項43至47中任一項之方法，其中該圖案化器件包含一透射繞射光柵。
條項51. 如條項49之方法，其中該透射繞射光柵包含具有多個隙縫之至少一個表面，在該等隙縫之間具有一預定距離，且該預定距離係取決於該感光性材料之至少一個屬性予以選擇。
條項52. 如條項43至47中任一項之方法，其中該圖案化器件包含一反射繞射光柵。
條項53. 如條項51之方法，其中該反射繞射光柵包含具有多個凹槽之至少一個表面，在該等凹槽之間具有一預定距離，且該預定距離係取決於該感光性材料之至少一個屬性予以選擇。
條項54. 如條項26至52中任一項之方法，其中入射於該感光性材料上之輻射之橫截面積經控制為使得該邊緣之該徑向寬度係介於近似10微米至2毫米之間，或較佳介於近似50微米至0.5毫米之間，或更佳介於近似0.1毫米至0.3毫米之間。
條項55. 一種用於處理一基板之裝置，其包含：一基板支撐系統，其經組態以支撐一基板，該基板在其一表面上包含一感光性材料層；及一基板邊緣處理單元，其經組態以自該感光性材料層之一外部邊緣周圍移除感光性材料，其中該基板邊緣處理單元經組態以控制該移除以便在保持於該基板之該表面上的該感光性材料層周圍產生具有一徑向寬度之 一邊緣，其中該感光性材料之厚度變化，從而形成橫越該徑向寬度之一厚度剖面，且該基板邊緣處理單元經組態以控制該移除以便控制沿著該邊緣之長度之該厚度剖面的變化。
條項56. 如條項55之裝置，其中該基板邊緣處理單元經組態以產生一粗糙邊緣。
條項57. 如條項56之裝置，其包含一噴嘴，該噴嘴經組態以將一溶劑噴射於該感光性材料層之該外部邊緣周圍的該感光性材料層上，且該噴嘴經組態以在噴射該溶劑時振盪以便產生該粗糙邊緣。
條項58. 如條項56之裝置，其中該基板邊緣處理單元經組態以移除感光性材料包括：該基板邊緣處理單元經組態以自該感光性材料層之該外部邊緣周圍移除至少一些感光性材料，且該基板邊緣處理單元包含一噴嘴，該噴嘴經組態以噴射一溶劑之小滴以自該剩餘感光性材料層周圍進一步移除感光性材料以便產生該粗糙邊緣。
條項59. 如條項55之裝置，其中該基板邊緣處理單元經組態以產生一經圖案化邊緣。
條項60. 如條項55、56及59中任一項之裝置，其中該基板邊緣處理單元包含一雷射，該雷射經組態以將輻射導向於該感光性材料層之該外部邊緣周圍的該感光性材料層上以便產生該邊緣。
條項61. 如條項60之裝置，其中該雷射經組態以在將輻射導向於該感光性材料層上時振盪。
條項62. 如條項60之裝置，其中該雷射經組態以在將輻射導向於該感光性材料層上時脈動。
條項63. 如條項60之裝置，其進一步包含一圖案化器件，且該基板 邊緣處理單元經組態以將該輻射導向於該圖案化器件上或導向通過該圖案化器件。
條項64. 如條項63之裝置，其中該圖案化器件為一透射或反射經圖案化光罩。
條項65. 如條項63之裝置，其中該圖案化器件為一透射繞射光柵。
條項66. 如條項63之裝置，其中該圖案化器件為一反射繞射光柵。
條項67. 一種微影裝置，其包含如條項55至66中任一項之裝置。
5‧‧‧感光性材料層
6‧‧‧邊緣珠粒
10‧‧‧振盪噴嘴
11‧‧‧控制器
15‧‧‧溶劑
80‧‧‧量測單元
W‧‧‧基板/測試基板

Claims (16)

  1. 一種處理一基板之方法，其包含：使一基板在該基板之一表面上具備一感光性材料(photosensitive material)層的一步驟；及自該感光性材料層之一外部邊緣(outer edge)周圍移除感光性材料的一後續步驟，控制該移除以便在保持(remaining)於該基板之該表面上的該感光性材料層周圍產生一邊緣，該邊緣具有一徑向寬度(radial width)，其中橫越該邊緣之該徑向寬度之保持於該基板之該表面上的該感光性材料之厚度變化而形成一厚度剖面，其中該移除受控制以便產生沿著該邊緣之長度之該厚度剖面的變化。
  2. 如請求項1之方法，其中該邊緣為一粗糙邊緣。
  3. 如請求項1之方法，其中該邊緣為一經圖案化邊緣。
  4. 一種處理一基板之方法，其包含：使一基板在該基板之一表面上具備一感光性材料層的一步驟；及自該感光性材料層之一外部邊緣周圍移除感光性材料的一後續步驟，控制該移除以便在保持於該基板之該表面上的該感光性材料層周圍 產生一粗糙邊緣(rough edge)。
  5. 如請求項2或4之方法，其中自該感光性材料層之該外部邊緣周圍移除該感光性材料的該後續步驟包含：使用一噴嘴將一流體噴射於該感光性材料層之該外部邊緣周圍的該感光性材料層上；及在噴射該流體時使該噴嘴及/或該基板振盪以便產生該粗糙邊緣。
  6. 如請求項2或4之方法，其中自該感光性材料層之該外部邊緣周圍移除該感光性材料的該後續步驟包含：用於移除該感光性材料層之該外部邊緣周圍的感光性材料之一初始移除步驟，及自一噴嘴噴射一流體以自該剩餘感光性材料層周圍進一步移除感光性材料的一後續移除步驟，及在噴射該流體時使該噴嘴及/或該基板振盪以便產生該粗糙邊緣。
  7. 如請求項1至4中任一項之方法，其中自該感光性材料層之該外部邊緣周圍移除該感光性材料的該後續步驟包含：導向來自一雷射之輻射以入射於該感光性材料層之該外部邊緣周圍的該感光性材料上。
  8. 如請求項1至4中任一項之方法，其中自該感光性材料層之該外部邊緣周圍移除該感光性材料的該後續步驟包含：用於移除該感光性材料層之該外部邊緣周圍的感光性材料之一初始移除步驟，且導向來自一雷射之輻射以入射於該感光性材料上以自該剩餘感光性材料層周圍進一步移除感光性材料以便產生該邊緣之一後續移除步驟。
  9. 如請求項7之方法，其進一步包含：使在該感光性材料上的該輻射之該入射振盪以便產生該邊緣。
  10. 如請求項7之方法，其進一步包含：使該雷射之輻射光束脈動(pulsing)且使入射於該感光性材料上之脈衝式輻射相對於該感光性材料移動以便產生該邊緣。
  11. 如請求項7之方法，其進一步包含：提供一圖案化器件；及導向該輻射以自該圖案化器件反射或傳遞通過該圖案化器件以便產生該邊緣。
  12. 如請求項1至4中任一項之方法，其中自該感光性材料層之該外部邊緣周圍移除該感光性材料的該後續步驟包含：將該感光性材料層之該外部邊緣周圍的該感光性材料曝露於一電漿。
  13. 如請求項1至4中任一項之方法，其中自該感光性材料層之該外部邊緣周圍移除該感光性材料的該後續步驟包含：用於移除該感光性材料層之該外部邊緣周圍的感光性材料之一初始移除步驟，及將該感光性材料曝露於一電漿以自該剩餘感光性材料層周圍進一步移除感光性材料以便產生該邊緣的一後續移除步驟。
  14. 如請求項1至4中任一項之方法，其包含使該基板旋轉為在該基板之該邊緣處具有一圓周速度，該圓周速度小於或大約等於12m/s。
  15. 一種用於處理一基板之裝置，其包含：一基板支撐系統(substrate support system)，其經組態以支撐一基板，該基板在其一表面上包含一感光性材料層；及一基板邊緣處理單元(substrate edge processing unit)，其經組態以自該感光性材料層之一外部邊緣周圍移除感光性材料，其中該基板邊緣處理單元經組態以控制該移除以便在保持於該基板之該表面上的該感光性材料層周圍產生一邊緣，該邊緣具有一徑向寬度，其中保持於該基板之該表面上的該感光性材料橫越該邊緣之該徑向寬度之厚度變化，而形成一厚度剖面，及其中該基板邊緣處理單元經進一步組態以控制該移除以便產生沿著該邊緣之長度之該厚度剖面的變化。
  16. 一種用於處理一基板之裝置，其包含：一基板支撐系統，其經組態以支撐一基板，該基板在其一表面上包含一感光性材料層；及一基板邊緣處理單元，其經組態以自該感光性材料層之一外部邊緣周圍移除感光性材料，其中該基板邊緣處理單元經組態以控制該移除以便在保持於該基板之該表面上的該感光性材料層周圍產生一粗糙邊緣。
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WO2020067013A1 (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 京セラ株式会社 複合基板、圧電素子および複合基板の製造方法
JP7499237B2 (ja) 2018-10-19 2024-06-13 コモンウェルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガナイゼーション 複数のステップエッジの製作
WO2020102085A1 (en) 2018-11-14 2020-05-22 Lam Research Corporation Methods for making hard masks useful in next-generation lithography
KR102270936B1 (ko) * 2019-06-17 2021-07-01 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN116705595A (zh) 2020-01-15 2023-09-05 朗姆研究公司 用于光刻胶粘附和剂量减少的底层
WO2022010809A1 (en) * 2020-07-07 2022-01-13 Lam Research Corporation Integrated dry processes for patterning radiation photoresist patterning

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW594868B (en) * 2001-02-08 2004-06-21 Macronix Int Co Ltd Method of removing wafer edge photo resist
TW200505617A (en) * 2003-04-24 2005-02-16 Schott Glas Method and apparatus for removing an edge region of a layer applied to a substrate and for coating a substrate and a substrate
TW200845259A (en) * 2007-02-23 2008-11-16 Rudolph Technologies Inc Wafer fabrication monitoring systems and methods, including edge bead removal processing
US20120305030A1 (en) * 2011-06-06 2012-12-06 Micron Technology, Inc. Methods of Profiling Edges and Removing Edge Beads

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0902961B1 (en) 1996-05-31 2000-07-05 IPEC Precision, Inc. Method for treating articles with a plasma jet
JPH10294250A (ja) 1997-04-18 1998-11-04 Nittetsu Semiconductor Kk エッジリンス処理方法
US6565920B1 (en) 2000-06-08 2003-05-20 Honeywell International Inc. Edge bead removal for spin-on materials containing low volatility solvents fusing carbon dioxide cleaning
US6506688B2 (en) * 2001-01-24 2003-01-14 Macronix International Co., Inc. Method for removing photoresist layer on wafer edge
JP2003037053A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Toshiba Corp 塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法
JP2004128251A (ja) 2002-10-03 2004-04-22 Elpida Memory Inc 塗布機及び塗布方法
US8192555B2 (en) 2002-12-31 2012-06-05 Micron Technology, Inc. Non-chemical, non-optical edge bead removal process
US6874510B2 (en) 2003-02-07 2005-04-05 Lsi Logic Corporation Method to use a laser to perform the edge clean operation on a semiconductor wafer
KR101006086B1 (ko) 2003-12-31 2011-01-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 기판의 에지비드제거장치
JP4980644B2 (ja) * 2005-05-30 2012-07-18 東京エレクトロン株式会社 塗布方法及び塗布装置
KR20070014576A (ko) 2005-07-29 2007-02-01 삼성전자주식회사 에지 비드 제거 장치
US20070093067A1 (en) 2005-10-24 2007-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer edge cleaning process
US20090004865A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Kastenmeier Bernd E E Method for treating a wafer edge
US7745095B2 (en) 2007-07-05 2010-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and device manufactured thereby
JP2009117832A (ja) 2007-11-06 2009-05-28 Asml Netherlands Bv リソグラフィの基板を準備する方法、基板、デバイス製造方法、密封コーティングアプリケータ及び密封コーティング測定装置
NL1036333A1 (nl) * 2008-01-02 2009-07-07 Asml Netherlands Bv Immersion lithography.
CN102019266A (zh) * 2009-09-17 2011-04-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 涂层材料的涂布方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW594868B (en) * 2001-02-08 2004-06-21 Macronix Int Co Ltd Method of removing wafer edge photo resist
TW200505617A (en) * 2003-04-24 2005-02-16 Schott Glas Method and apparatus for removing an edge region of a layer applied to a substrate and for coating a substrate and a substrate
TW200845259A (en) * 2007-02-23 2008-11-16 Rudolph Technologies Inc Wafer fabrication monitoring systems and methods, including edge bead removal processing
US20120305030A1 (en) * 2011-06-06 2012-12-06 Micron Technology, Inc. Methods of Profiling Edges and Removing Edge Beads

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