JP2010263213A

JP2010263213A - 液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

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Publication number: JP2010263213A
Application number: JP2010104684A
Authority: JP
Inventors: Bokhoven Laurentius Johannes Adrianus Van; ボクホヴェン，ロウレンティウス，ヨハネス，アドリアヌスヴァン; Nicolaas Ten Kate; カテ，ニコラーステン; Raymond Wilhelmus Louis Lafarre; ラファーレ，レイモンド，ウィルヘルムス，ルイス; Henricus Jozef Castelijns; カステリンス，ヘンリカス，ヨゼフ; Petrus Martinus Gerardus Johannes Arts; アーツ，ペトルス，マルティヌス，ゲラルドス，ヨハネス
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2009-05-08
Filing date: 2010-04-30
Publication date: 2010-11-18
Also published as: US8405819B2; NL2004523A; US20100283981A1

Abstract

【課題】液浸流体の運動を制御することが可能な装置を提供する。
【解決手段】オールウェットリソグラフィ装置では、液浸液は基板テーブルの縁部から落下することができる。液浸液は、露光中に基板テーブルと共に移動する。液浸液の移動の結果、擾乱及び／又はディウェッティングが発生することがある。そのような擾乱及び／又はディウェッティングを低減することができる基板テーブルの幾何学形状が提案される。基板テーブルの断面のエッジプロファイル及び／又は基板テーブルの平面形状が考慮される。
【選択図】図７

Description

[0001] 本発明は、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。

[0004] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを提供することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。

[0006] １つの構成では、液体供給システムは、液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所区域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板Ｗ（図３に矢印で示す）上に、好ましくは最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給され、投影システムＰＳ（図３に矢印で示す）の下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは両側に出口を持つ４組の入口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイス内の矢印は、液体のフローの方向を示す。

[0007] 局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、矢印で表される入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口及び出口は動作しない）。入口／出口における基板Ｗの上の矢印は液体のフローの方向を示し、基板Ｗの下の矢印は基板テーブルの移動方向を示す。

[0008] 欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを有する。第１の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。さらに別の構成では、２つのテーブルがあり、そのうち一方は、基板を支持するためのものであり、他方のテーブルは、基板の交換時に液浸液の投影システムとの接触を維持するためのものである。

[0009] ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板を覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。

[0010] 露光中、基板及び基板テーブルを投影システムに対して移動させることで基板の様々な部分を露光することができる。オールウェット構成では、基板と基板テーブルの上面に供給された液浸流体を基板と基板テーブルに対して移動させることができる。したがって、液浸流体を基板テーブルによって加速しなければならない。

[0011] 液浸流体の運動を制御することは重要である。液浸流体（液浸液など）が制御されない形で移動する（例えば、加速及び／又は除去する）と、例えば、跳ねかかり、液滴を形成し、及び／又は波を形成することがある。その結果、構成要素が損傷し、及び／又は基板の露光が不正確になることがある。

[0012] 例えば、液浸流体を制御される形で移動させられる装置を提供することが望ましい。

[0013]
一態様によれば、基板上にパターン付放射ビームを投影する投影システムを有する液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、投影システムは光軸を有し、
基板テーブルは、露光中に基板を支持し、液浸液を基板から落下させて投影システムの光軸に垂直なほぼ平坦な部分から延在する基板テーブルの縁部領域上に流すように構成され、縁部領域は、
基板テーブルの幾何学的中心を通過し、基板の平面内の第１の方向に垂直な第１の平面内で切り取った断面の第１のエッジプロファイルであって、曲線を含む第１のエッジプロファイルと、
基板テーブルの幾何学的中心を通過し、基板の平面内の第２の方向に垂直な第２の平面内で切り取った断面の、第１のエッジプロファイルとは異なる第２のエッジプロファイルであって、曲線を含む第２のエッジプロファイルと、
を有し、
第１のエッジプロファイルは、第２のエッジプロファイルより長い基板テーブルが提供される。

[0014] 一態様によれば、液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、露光中に基板を支持し、液浸液を基板から落下させて基板テーブルの縁部領域上に流すように構成され、平面視で、基板テーブルの外周に曲率半径の不連続性がない基板テーブルが提供される。

[0015] 一態様によれば、液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、基板テーブルは、
基板を支持するように構成された基板支持体であって、基板テーブルの外周が基板支持体の表面に平行な平面内に画定される基板支持体と、
テーブルの外周の少なくとも一部の周囲の縁部領域と、
基板支持体と縁部領域との間のほぼ平面の部分であって、縁部領域が、平面の部分及び／又は基板支持体に垂直な平面内のエッジプロファイルを有するほぼ平面の部分と、
を有し、
エッジプロファイルは、テーブルの外周の一部に沿って連続的に変化し、エッジプロファイルは、基板及び／又は基板テーブルに供給される液浸液が基板テーブルのほぼ平面の部分から落下して縁部領域上を滑らかに流れるように構成される基板テーブルが提供される。

[0016] 一態様によれば、デバイス製造方法であって、
基板テーブル及び／又は基板テーブルによって保持された基板に液浸液を供給するステップであって、基板テーブルは、露光中に基板の平面に平行なほぼ平坦な部分から延在する縁部領域を有し、縁部領域は、
基板テーブルの幾何学的中心を通過し、基板の平面内の第１の方向に垂直な第１の平面内で切り取った断面の第１のエッジプロファイルであって、曲線を含む第１のエッジプロファイルと、
基板テーブルの幾何学的中心を通過し、基板の平面内の第２の方向に垂直な第２の平面内で切り取った断面の、第１のエッジプロファイルとは異なる第２のエッジプロファイルであって、曲線を含む第２のエッジプロファイルとを有し、
第１のエッジプロファイルが第２のエッジプロファイルより長いステップと、
液浸液を基板から落下させて基板テーブルの縁部領域上に流すステップと、
液浸液を通してパターン付放射ビームを基板上に投影して基板のターゲット部分を露光するステップと、
を含むデバイス製造方法が提供される。

[0017] 一態様によれば、デバイス製造方法であって、
基板テーブル及び／又は基板テーブルによって保持された基板に液浸液を供給するステップであって、基板テーブルは、平面視で、曲率半径の不連続性がない外周を有するステップと、
液浸液を基板から落下させて基板テーブルの縁部領域上に流すステップと、
液浸液を通してパターン付放射ビームを基板上に投影して基板のターゲット部分を露光するステップと、
を含むデバイス製造方法が提供される。

[0018] 一態様によれば、デバイス製造方法であって、
基板テーブル及び／又は基板テーブルによって保持された基板に液浸液を供給するステップであって、基板テーブルは、
基板を支持するように構成された基板支持体であって、基板テーブルの外周が基板支持体の表面に平行な平面内に画定される基板支持体と、
テーブルの外周の少なくとも一部の周囲の縁部領域と、
基板支持体と縁部領域との間のほぼ平面の部分とを有し、縁部領域は、平面の部分及び／又は基板支持体に垂直な平面内のエッジプロファイルを有し、エッジプロファイルは、テーブルの外周の一部に沿って連続的に変化し、エッジプロファイルは、基板及び／又は基板テーブルに供給される液浸液が基板テーブルのほぼ平面の部分から落下して縁部領域上を滑らかに流れるように構成されるステップと、
液浸液を基板から落下させて基板テーブルの縁部領域上に流すステップと、
液浸液を通してパターン付放射ビームを基板上に投影して基板のターゲット部分を露光するステップと、
を含むデバイス製造方法が提供される。

[0019] 一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の表面に形成された液浸液の層から液浸液を除去する方法であって、
液浸液の層との間に界面を有する乾燥領域を生成するように、表面の局所区域から液浸液をアクティブに除去するステップと、
乾燥領域の面積が増大し、液浸液の層の面積が減少するように、界面を液浸液の層を通して伝搬させるステップと、
を含むデバイス製造方法が提供される。

[0020] 一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の表面に形成された液浸液の層から液体を除去するように構成された液体除去装置であって、液浸液の層との間に界面を有する乾燥領域を生成するように、表面の局所区域から液浸液を除去するように構成されたトリガデバイスを備える液体除去装置が提供される。

[0021]対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0022]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0023]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0023]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0024]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0025]リソグラフィ投影装置で使用する液体閉じ込め構造を示す図である。 [0026]本発明のある実施形態による液体供給システム及び液体除去システムの断面図である。 [0027]本発明のある実施形態による基板テーブルの平面図である。 [0028]使用時に、液体がその上を流れることができる基板テーブルの縁部の詳細断面図である。 [0028]使用時に、液体がその上を流れることができる基板テーブルの縁部の詳細断面図である。 [0029]使用時に、液体がその上を流れることができる基板テーブルの別の縁部の詳細断面図である。 [0029]使用時に、液体がその上を流れることができる基板テーブルの別の縁部の詳細断面図である。 [0030]使用時に、本発明のある実施形態による基板テーブルの代替形状の平面図である。 [0031]基板テーブルの表面から液浸液の層を除去する際に使用する乾燥ユニットの平面図である。 [0032]基板テーブルから液浸液を除去するために使用されている図１１の乾燥ユニットの平面図である。 [0033]本発明のある実施形態による液浸リソグラフィ装置の表面からの液浸液の除去を示す平面図である。 [0034]本発明の別の実施形態による液浸リソグラフィ装置の表面からの液浸液の除去を示す平面図である。

[0035] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0036] 照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0037] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0038] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0039] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0040] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0041] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0042] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0043] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0044] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。

[0045] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0046] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0047] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0048] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。

[0049] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0050] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0051] 投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、少なくとも２つの一般的カテゴリに分類される。これらは、浴槽タイプ構成と局所液浸システムである。浴槽タイプ構成では、実質的に基板の全体及び任意選択として基板テーブルの一部が液体の浴槽内に浸漬される。いわゆる局所液浸システムでは、液体が基板の局所区域にのみ提供される液体供給システムが使用される。局所液浸システムでは、液体によって充填された空間は、平面視で基板の上面より小さい。空間内の液体、望ましくは、基板に接触している空間内の液体は、基板が空間の下を移動する間、投影システムに対して実質的に静止している。液浸液によって充填された区域を局所液浸区域と呼んでもよい。

[0052] 本発明のある実施形態が指向する別の構成は、オールウェット液浸システムである。オールウェット液浸システムでは、液体が閉じ込められない。この構成では、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの層又は膜であってもよい。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部が存在しないか、活性化されていないか、通常のものより効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所区域にのみ封止する効果がない。

[0053] 図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図２〜図４に開示された液体供給システムについては上記の通りである。提案されている別の構成は、液体供給システムに流体閉じ込め構造を提供する構成である。流体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在していてもよい。そのような構成を図５に示す。流体閉じ込め構造は、投影システムに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。流体閉じ込め構造と基板表面との間に封止が形成される。ある実施形態では、封止は、ガスシールなどの非接触封止である。

[0054] 図５は、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗ、あるいはその両方によって画定される面との間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材又は液体閉じ込め構造を形成する本体１２を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造又はデバイスを概略的に示す。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい）。

[0055] 流体ハンドリングデバイスは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１内に閉じ込められるように、基板Ｗへのガスシール１６などの非接触封止を投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。ガスシール１６は、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ_２又は他の不活性ガスによって形成される。ガスシール１６内のガスは、加圧下で入口１５を介して本体１２と基板Ｗとの間のギャップに提供される。ガスは、出口１４を介して抽出される。そのようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置し、それを取り囲む本体１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムＰＳの下の空間１１、及び液体入口開口１３によって本体１２内に流し込まれる。液体は、液体出口開口１３によって除去することができる。図５の断面図で、矢印は、流体閉じ込め構造内の開口へ流入しそこから流出する流体のフローの方向を示す。

[0056] 図５の例は、液体が任意の一時点で基板Ｗの上面の局所区域にのみ提供されるいわゆる局所区域構成である。例えば、米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示された単相抽出器（２相モードで動作するか否かを問わず）を使用する流体ハンドリングシステムを含む他の構成も可能である。しかし、本発明のある実施形態は、液浸液が閉じ込められないオールウェット液浸リソグラフィ装置に関する。

[0057] 投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１全体にわたってある方向に流体フローを可能にする多くのタイプの流体ハンドリング構造が配置されている。例えば、流体ハンドリングシステムでは、フローは、空間１１を取り囲む表面に画定された複数の開口（例えば、入口及び出口）によって達成することができる。フローは、開口を通して液体を選択的に供給及び／又は抽出することにより調整して所望のフローを生成することができる。流量は、１つ又は複数の開口を通して流量を変更することにより変更することができる。したがって、図５に示す実施形態に類似しているある実施形態では、液体開口１３は、本体１２によって閉じ込められた空間１１内の液体の貫通フローのための複数の開口を備えていてもよい。開口は、空間１１を取り囲んでいてもよい表面に画定されている。液体は、開口を通して供給又は除去して所望の方向の、例えば、空間１１を横切るフローを提供することができる。液体が空間に供給される開口を一組の供給開口と呼んでもよい。液体を除去することができる開口を一組の除去開口と呼んでもよい。ある実施形態では、オールウェットシステムが使用されていて、そのため除去開口がない場合がある。図２及び図３の実施形態に示すように、開口の各々の組は、各々がそこを通る液体のフローのための開口が画定された表面を有する複数の本体と考えることができる。

[0058] いかなる局所液体供給システムにも付きまとう困難は、液浸液のすべてを封じ込め、基板が投影システムの下を移動する際に基板上に液浸液の一部が残らないようにすることが難しいということである。そのような局所区域液体供給システム内の液体の損失を回避するために、基板が液体供給システムの下を移動する速度を制限しなければならない。これは、液浸リソグラフィ装置内で高いＮＡ値を生成することができる液浸液（特に水以外の液体）の場合に特にあてはまる。そのような液体は、水よりも表面張力が低く、粘度が高い傾向がある。メニスカスの崩壊速度は粘度に対する表面張力に応じて上下するため、高ＮＡ液体を封じ込めることははるかに困難である。基板の一定の区域上にのみ液体を残留させると、基板の一定の区域上にのみ残留した液浸液が蒸発して基板全体で温度が変動し、重なりエラーが発生することがある。追加的に又は代替的に、液浸液が蒸発するにつれて、乾燥する汚れ（汚染又は微粒子の）が蒸発後に基板Ｗ上に残留することがある。追加的に又は代替的に、液体は、基板上のレジスト内に拡散し、基板の上面の光化学の不調和が発生することがある。これらの問題は、例えば、液浸液として水又は高ＮＡ液体が使用される時に発生することがある。浴槽タイプの解決策（すなわち、基板が容器内の液体に浸漬される）は、これらの問題の多くを解決するであろう。しかし、本明細書で説明するように、従来の浴槽タイプの解決策の１つ又は複数の問題（例えば、浴槽タイプの解決策では、液浸装置内の基板スワップが特に困難であること、及び／又は封じ込められていない液浸液の層の十分な制御を行うことが困難であること）が依然として残っている。本発明のある実施形態は、これらの１つ又は複数の問題、及び／又は本明細書に記載していない１つ又は複数の他の問題を扱う。

[0059] 本発明のある実施形態は、オールウェット液浸装置で使用される流体ハンドリング構造に適用することができる。オールウェット実施形態では、例えば、投影システムの最終要素と基板との間に液体を閉じ込める閉じ込め構造から液体が漏出できるようにすることにより、流体は基板テーブルの一部又は上面全体を覆うことができる。オールウェット実施形態の流体ハンドリング構造の一例は、参照により本明細書に組み込むものとする２００８年９月２日出願の米国特許出願ＵＳ６１／１３６，３８０号に記載されている。

[0060] 図６に示す実施形態では、局所液体供給システムＬＳＳを使用して基板Ｗの上部の投影システムＰＳの下に液体を供給する。その区域内に液体のフローが生成される。このために、例えば、図５に示すような、またその変形形態を含む、図２〜図５に示すタイプのような局所液体供給システムを含む任意の局所液体供給システムを使用することができる。しかし、局所液体供給システムＬＳＳと基板Ｗとの間に形成された封止を特に入念に作成する必要はなく、実際、なくてもよい。すなわち、液体は閉じ込められない。例えば、バリア部材１２の底部側にある構成要素のすべてが図５の実施形態でなくてもよい。液体の膜又は層１７が図６に示すように基板Ｗの上面の全体をほぼ覆うようにこの設計が選択されている。基板テーブルＷＴの上面は、液体の層１７内に完全に、又は部分的に覆われていてもよい。米国特許出願公開ＵＳ２００８／００７３６０２号は、基板Ｗの上面全体が液体の膜１７内に覆われるいくつかのその他の実施形態を開示する。本発明は、米国特許出願公開ＵＳ２００８／００７３６０２号で開示されたすべての液体供給システムに適用することができることが理解されよう。

[0061] ある実施形態によれば、図６に示すように、液浸液は、基板テーブルＷＴの縁部４００から排出することができる。図７に示すように、基板テーブルＷＴはエッジ面４０７を有する。エッジ面４０７は、基板テーブルＷＴの平坦な上面４５０に結合されたエッジ表面である（例えば、図８を参照）。基板テーブルＷＴは、平坦な上面４５０上に保持及び／又は支持されている。

[0062] 図６は、ある実施形態の基板テーブルＷＴの断面の概略構成を示す。断面は、例えば、スキャン方向又はステップ方向に切り取ることができる。例えば、エッジ面４０７の形状は、断面が切り取られる平面によって変化してもよい。これを以下に説明する。図６に示すように、液浸液は、縁部４００から外に流れることができる。液体は、縁部４００から排出されて縁部４００の下に位置する溝５００内に落ちる。ある実施形態では、液体は縁部４００の全面から排出することができる。

[0063] 図６から分かるように、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の区域に液浸液が供給される。液体は、基板Ｗの上面全体にわたって液体供給システムＬＳＳの下に漏れることができる。さらに、液浸液は、基板テーブルＷＴの上面に流出又は漏出することができる。その後、液体は、エッジ面４０７の少なくとも一部の上の縁部４００の上を通って溝５００内に流出又は漏出することができる。その後、液体は溝５００から除去される。

[0064] 図６に示す実施形態では、液体の層１７が基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの上面に形成される。露光中、この液体の層１７は、基板Ｗ及び基板テーブルＷＴと共に移動する。このために液体の層１７を移動させ加速することが必要である。通常、液体供給システムＬＳＳを介して液浸液を供給して高速の流量で液体の層１７を形成することが望ましい。液体の層１７への及び／又は液体の層１７からの熱伝達を低減することができるため、これは有利である。さらに、基板のスループットを上げるには、基板テーブルＷＴ及び基板Ｗの迅速な運動（迅速な加速を含む）が望ましい。この基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの迅速な運動には、基板テーブルＷＴの縁部４００での、また液体の層１７がエッジ面４０７上を流れる場所での液体の層１７の迅速な運動（迅速な加速／減速を含む）が必要である。

[0065] 液体の層１７内の大きい流量及び／又は基板Ｗと基板テーブルＷＴの迅速な運動は、エッジ面４０７上の液浸液を制御される形で除去することが難しいことを意味する。特に、液滴が液体の層１７から除去されることがある。これらの液滴は、液浸リソグラフィ装置のおそらくはきわめて重要な構成要素上に跳ねかかり又は落下することがある。例えば、液滴は、位置決め（もしくはメトロロジー）システム及び／又はセンサ上に落下することがある。その結果、これらの構成要素は、意図した形で動作するのを停止したり動作できなくなる場合がある。例えば、液滴は、蒸発して熱負荷を発生させることがある。追加的に又は代替的に、液滴は、液浸リソグラフィ装置上に機械的及び／又は光学的な悪影響を与えることがある。追加的に又は代替的に、微細な液浸液の液滴（又は霧状の液滴）が形成され、霧を形成することがある。そのような霧状の液滴は、周囲の湿度を上昇させることがある。霧状の液滴によって、液体の層１７と流体連通する液浸リソグラフィ装置の任意の場所に液滴が形成されることがある。

[0066] 追加的に又は代替的に、エッジ面４０７の上を流れる液体が十分に制御されない場合、波などの擾乱が液体の層１７内に形成されることがある。そのような擾乱は、露光放射ビームが通過する領域内などの液体の層１７の光学特性を変えることがある。擾乱は、基板の露光、例えば、露光の繰り返し再現性及び／又は精度に悪影響を与えることがある。

[0067] 基板テーブルＷＴの幾何学構造が液浸液のフローに影響する場合がある。平面視での基板テーブルＷＴの一定の形状及び／又はエッジ面４０７の断面の一定の形状、及び／又はそれらの組合せから、より安定した液体のフローが生成されることがある。その結果、より安定した液体の層１７が生成されることがある。

[0068] 図７は、ある実施形態による基板テーブルＷＴの平面図を示す。基板テーブルＷＴは外周縁４００を有する。基板テーブルＷＴのエッジ面４０７は、内側の点線と外側の実線４００の間の区域によって示されている。図７で、基板テーブルＷＴの隣の２つの矢印１１０、１２０は、それぞれスキャン方向１１０、ステップ方向１２０を示す。

[0069] ある実施形態では、基板テーブルＷＴは、ステップ方向１２０よりもスキャン方向１１０の方が長い。これは、基板テーブルＷＴの加速などの運動が、ステップ方向１２０よりもスキャン方向１１０で大きくなるためである。これは、液浸液の層１７のより大きい不安定性及び／又は擾乱がステップ方向１２０よりもスキャン方向１１０で生成されることがあるという意味である。したがって、基板テーブルＷＴをスキャン方向１１０に伸長させることは、スキャン方向１１０の液体の層１７内のあらゆる擾乱（波などの）の伝搬及び／又は形成を低減するのを助ける。例えば、スキャン方向１１０の伸長は、液体の層１７内に形成されるあらゆる擾乱が露光放射ビームが通過する区域１１内の液浸液への伝搬を阻止するのを助ける。

[0070] 図７に示すようなある実施形態では、基板テーブルＷＴの縁部４００（本明細書では、外周４００とも呼ばれる）の曲率半径は連続的である。したがって、平面視で基板テーブルＷＴの縁部４００の曲率半径の不連続性はない。不連続性を含まない基板テーブルＷＴの縁部４００という表現は、不連続性をほとんど含まない基板テーブルＷＴの縁部４００の可能性を含むことが理解されよう。したがって、曲率半径の不連続性を含まない縁部４００という表現は、曲率半径の微小な及び／又は重要でない不連続性を含む縁部４００の可能性を含む。これは、基板テーブルＷＴの縁部４００には鋭い角がないことを意味する。しかし、これは、曲率半径が縁部４００全体の周囲で一定である（ある実施形態では、そうであってもよいが）ということを必ずしも意味しない。例えば、図７に示す実施形態では、縁部４００の曲率半径は常に変化しているが、不連続性はない。ある実施形態では、基板テーブルＷＴの縁部４００の平面視の形状は、長円及び／又は楕円形であってもよい。

[0071] 基板テーブルＷＴは、任意の適したサイズであってもよい。例えば、基板テーブルＷＴのスキャン方向１１０の長さは、４００ｍｍ〜７００ｍｍの範囲から選択することができる。ある実施形態では、基板テーブルＷＴのスキャン方向１１０の長さは、５００ｍｍ〜６００ｍｍの範囲から選択することができる。ある実施形態では、基板テーブルＷＴのスキャン方向１１０の長さは、約５２６ｍｍであってもよい。基板テーブルＷＴのステップ方向１２０の幅は、３００ｍｍ〜５００ｍｍの範囲から選択することができる。ある実施形態では、基板テーブルＷＴのステップ方向１２０の幅は、３５０ｍｍ〜４５０ｍｍの範囲から選択することができる。ある実施形態では、基板テーブルＷＴのステップ方向１２０の幅は、約３９８ｍｍであってもよい。基板テーブルＷＴのスキャン方向１１０及びステップ方向１２０の平面に垂直な方向の奥行きは、５ｍｍ〜２５ｍｍの範囲から選択することができる。ある実施形態では、基板テーブルＷＴのスキャン方向１１０及びステップ方向１２０の平面に垂直な方向の奥行きは、１０ｍｍ〜２０ｍｍの範囲から選択することができる。ある実施形態では、基板テーブルＷＴのスキャン方向１１０及びステップ方向１２０の平面に垂直な方向の奥行きは、約１６ｍｍであってもよい。

[0072] 基板テーブルＷＴの縁部４００の不連続性の欠如の結果、擾乱（例えば、不安定性及び／又は波）のエッジ面４０７上の形成及び／又は、例えば、図７の縁部４００と破線の間に示す区域内の液浸液の層１７への伝搬を低減又は解消する。例えば、角及び／又は鋭い屈曲の形状の、基板テーブルＷＴの縁部４００のプロファイル内に不連続性（例えば、実質的な不連続性）を有することは、液浸液が基板テーブルＷＴのエッジ面４０７上を流れる際の液浸液内に擾乱が生成される結果をもたらす。

[0073] ある実施形態では、基板テーブルＷＴの縁部４００上の任意の地点の平面視の最小曲率半径は、特定の値より大きくてもよい。基板テーブルＷＴの縁部４００上の任意の地点の平面視の最小曲率半径に下限値を設定することで、液浸液がエッジ面４０７上を流れる際の液浸液内に生成及び／又は伝搬される擾乱及び／又は不安定性を低減することができる。これは、基板テーブルＷＴの最大速度及び／又は加速度を増大することができるということを意味する。

[0074] ある実施形態では、基板テーブルＷＴの縁部４００上の任意の地点の最小曲率半径は、約１０ｍｍである。そのような最小曲率半径によって、許容できないレベルの擾乱力が形成されず、及び／又は基板テーブルＷＴのディウェッティングが発生することなく露光中に使用可能な基板テーブルＷＴの速度は、約０．８ｍ／ｓであってもよい。

[0075] ある実施形態では、基板テーブルＷＴの縁部４００上の任意の地点の最小曲率半径は、約３０ｍｍである。そのような最小曲率半径によって、許容できないレベルの擾乱力が形成されず、及び／又は基板テーブルＷＴのディウェッティングが発生することなく露光中に使用可能な基板テーブルＷＴの速度は、約１．１ｍ／ｓであってもよい。

[0076] ある実施形態では、基板テーブルＷＴの縁部４００上の任意の地点の最小曲率半径は、約８０ｍｍである。そのような最小曲率半径によって、許容できないレベルの擾乱力が形成されず、及び／又は基板テーブルＷＴのディウェッティングが発生することなく露光中に使用可能な基板テーブルＷＴの速度は、約１．６ｍ／ｓであってもよい。

[0077] ある実施形態では、液浸リリソグラフィ装置は、基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの上部に液浸液の層１７を形成する液浸液を供給するように構成された流体ハンドリング構造を備える。例えば、流体ハンドリング構造は、図６に示す液体供給構造ＬＳＳを含んでいてもよい。流体ハンドリング構造は下面を含んでいてもよい。流体ハンドリング構造のこの下面は、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴに対向するため、対向面又は下向き対向面と呼ぶことができる。

[0078] 流体ハンドリング構造の下向き対向面の外側縁部（又は外周）は、平面視で基板テーブルＷＴの外側縁部４００のほぼ上部にあってもよい。したがって、投影システムＰＳの光軸周りの各々の角位置で、基板テーブルＷＴの縁部４００は、流体ハンドリング構造の外側縁部の同等な位置に対応していてもよい。ある実施形態では、基板テーブルＷＴの縁部４００の平面視の瞬間的な曲率半径は、同等の角位置にある流体ハンドリング構造の下向き対向面の外周上の地点の瞬間的な曲率半径より大きくてもよい。言い換えれば、縁部４００の瞬間的な曲率半径は、その真上にあるか又はそれに対向する流体ハンドリング構造の外周の瞬間的な曲率半径より大きくてもよい。そのような構成は、さらに液浸液の層１７内の波などのあらゆる擾乱の形成を低減するのを助ける。代替的に又は追加的に、この構成はさらに、形成されるあらゆる擾乱を減衰させる（すなわち、伝搬を低減する）のを助ける。

[0079] 図７に示し上述したようなある実施形態では、基板テーブルＷＴの縁部４００の平面視の曲率半径は、角位置と共に連続的に変化する。例えば、縁部４００は、楕円形状、特に長円形状を形成してもよい。これは、さらに、液浸液内の擾乱の形成及び／又は伝搬を低減するのを助ける。追加的に又は代替的に、連続的に変化する曲率半径は、基板テーブル、例えば、エッジ面４０７のより均質なウェッティングを促進する（及び／又は再ウェッティングを低減する）のを助ける。これは、例えば、エッジ面４０７上を流れる際に液浸液の層１７から離れる液滴を低減するのを助ける。図７に示すような、そのような実施形態では、スキャン方向１１０又はステップ方向１２０の基板テーブルＷＴの運動中、平面視で屈曲した縁部４００は、基板テーブルＷＴと共に液体を運動方向に引っ張るのを助ける。これは、例えば、基板テーブルＷＴのディウェッティングを低減するのを助ける。

[0080] しかし、ある実施形態では、縁部４００の曲率半径は、投影システムＰＳの光軸周りの角位置と共に連続的に変化することは必須ではない。例えば、図１０に示すように、ある実施形態による基板テーブルＷＴは、直線部分６４０を有していてもよい。ある実施形態では、これらの直線部分６４０は、スキャン方向１１０に整列していてもよい。スキャン方向１１０に任意の直線部分６４０を整列させる利点は、ステップ工程よりもスキャン工程中により大きく、及び／又はより頻繁な加速を提供することができるという点である。したがって、スキャン方向１１０の液体の加速は、ステップ方向１２０の液体の加速よりも大きく、及び／又は頻繁である。したがって、液浸液の散乱（液滴の形成など）に関連する問題は従来、スキャン方向１１０よりもステップ方向１２０で重要でなかった。図１０に示す実施形態では、基板テーブルＷＴの縁部６００の曲率半径は、角位置と共に連続的に変化しない。例えば、曲率半径は、縁部６００の直線部分６４０に沿って変化しない。図１０に示す実施形態の基板テーブルＷＴの縁部６００は、曲率半径の不連続性がほとんどない。基板テーブルＷＴは、平坦な上面６５０を有していてもよい。

[0081] 図７及び図１０に示す基板テーブルＷＴの平面視の形状は、スキャン方向１１０及びステップ方向１２０に関して対称である。しかし、これはそうでなくてもよい。いくつかの実施形態では、基板テーブルＷＴの平面視の形状は、スキャン軸１１０及び／又はステップ軸１２０に関して非対称であってもよい。これは、さらに、液浸液内のあらゆる擾乱の伝搬及び／又は形成を拡散及び／又は低減するのを助ける。

[0082] 図８ａは、図７のＡ−Ａで示す平面で切った基板テーブルＷＴの断面図を示す。言い換えれば、図８ａは、基板テーブルＷＴの幾何学的中心を通過しステップ方向１２０に垂直な平面内で切り取った断面の基板テーブルＷＴのエッジ面４０７を少なくとも通って延在するエッジプロファイルを示す。図８ａに示す断面が切り取られる平面Ａ−Ａは、スキャン方向１１０に平行である。平面Ａ−Ａは、スキャン方向１１０と投影システムＰＳの光軸に平行である。

[0083] 図８ａに示すように、エッジ面４０７の平面Ａ−Ａを通る断面のエッジプロファイル４１０は、基板テーブルＷＴの平坦な部分４５０から連続的に延在していてもよい。基板テーブルＷＴの平坦な部分４５０は、投影システムの光軸にほぼ垂直である。基板Ｗ（図７には図示していないが破線内にある）は、基板テーブルＷＴの平坦な部分４５０上に保持又は支持されている。例えば、基板テーブルＷＴは、図６の断面図に示すような引き込み位置に基板Ｗを保持又は支持することができる。基板Ｗの上面（すなわち、露出面）は、基板テーブルＷＴの表面（例えば、平坦な部分４５０）と同一面であってもよい。

[0084] 図８ａに示すエッジプロファイル４１０は、基板テーブルＷＴの縁部４００に垂直の方向に距離Ｘ_１にわたって延在する。言い換えれば、図８ａに示すエッジプロファイルは、スキャン方向１１０に距離Ｘ_１にわたって延在する。ある実施形態では、Ｘ_１は、１０ｍｍ〜７０ｍｍの範囲から選択される。ある実施形態では、Ｘ_１は、２０ｍｍ〜６０ｍｍの範囲から選択される。ある実施形態では、Ｘ_１は、３０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲から選択される。ある実施形態では、エッジプロファイル４１０がスキャン方向１１０に延在する距離Ｘ_１は、約４０ｍｍである。

[0085] ある実施形態では、スキャン方向のエッジプロファイル４１０は平滑な曲線である、すなわち、曲率半径の不連続性がない。しかし、これは必須ではない。図９ａは、代替実施形態の平面Ａ−Ａから切り取られたエッジプロファイル５１０を示す。図９ａに示すエッジプロファイル５１０は、各々が異なる曲率半径を有する３つの離散的な部分又は区分を有する。図９ａに示す実施形態は各々が異なる曲率半径を有する３つの異なる部分を有するが、代替実施形態は、別の数の部分、例えば、２つの部分、４つの部分、５つの部分、６つの部分、７つの部分、又は８つ以上の部分を有していてもよい。

[0086] 図９ａに示すエッジプロファイル５１０では、１０ｍｍ〜４０ｍｍの範囲から、例えば、約２５ｍｍの半径ｒ_１ａを選択してもよい。５ｍｍ〜１５ｍｍの範囲から、例えば、約１０ｍｍの半径ｒ_１ｂを選択してもよい。２ｍｍ〜１０ｍｍの範囲から、例えば、約５ｍｍの半径ｒ_１ｃを選択してもよい。ある実施形態では、ｒ_１ａ＞ｒ_１ｂ＞ｒ_１ｃであるが、これは必須ではない。ある実施形態では、エッジプロファイル５１０（又は４１０）の少なくとも一部は曲線でなくてもよい。すなわち、無限曲率半径を有していてもよい。

[0087] 図９ａに示す実施形態のエッジプロファイル５１０は、Ｘ_１と表示された距離にわたって延在する。図９ａに示す値Ｘ_１が表すことができる値の範囲は、図８ａに示すエッジプロファイル４１０に関して上述したＸ_１の値の範囲と同じであってもよい。

[0088] 図８ｂは、図７でＢ−Ｂとして示した平面で切った基板テーブルＷＴの断面図を示す。言い換えると、図８ｂは、基板テーブルＷＴの幾何学的中心を通過しスキャン方向１１０に垂直な平面内で切り取った断面の基板テーブルＷＴのエッジ面４０７を少なくとも通って延在するエッジプロファイルを示す。図８ｂに示す断面が切り取られる平面Ｂ−Ｂは、ステップ方向１２０に平行である。平面Ｂ−Ｂは、ステップ方向１２０と投影システムＰＳの光軸に平行である。

[0089] 図８ｂに示すように、エッジ面４０７の平面Ｂ−Ｂを通る断面のエッジプロファイル４２０は、基板テーブルＷＴの平坦な部分４５０から連続的に延在している。

[0090] 図８ｂに示すエッジプロファイル４２０は、基板テーブルＷＴの縁部４００に垂直の方向に距離Ｘ_２にわたって延在する。言い換えれば、図８ｂに示すエッジプロファイルは、ステップ方向１２０に距離Ｘ_２にわたって延在する。図７に示すように、ステップ方向１２０は、図８ａに示すエッジプロファイル４１０が提供されるスキャン方向に垂直である。ある実施形態では、Ｘ_２は、５ｍｍ〜１５ｍｍの範囲から選択される。ある実施形態では、エッジプロファイル４２０がステップ方向１２０に延在する距離Ｘ_２は、約１０ｍｍである。

[0091] ある実施形態では、ステップ方向のエッジプロファイル４２０は平滑な曲線である、すなわち、曲率半径の不連続性がない。しかし、これは必須ではない。図９ｂは、代替実施形態の平面Ｂ−Ｂから切り取られたエッジプロファイル５２０を示す。図９ｂに示すエッジプロファイル５２０は、各々が異なる曲率半径を有する２つの離散的な部分又は区分を有する。図９ｂに示す実施形態は、各々が異なる曲率半径を有する２つの異なる部分を有するが、代替実施形態は、別の数の部分、例えば、３つの部分、４つの部分、５つの部分、６つの部分、７つの部分、又は８つ以上の部分を有していてもよい。

[0092] 図９ｂに示すエッジプロファイル５２０では、５ｍｍ〜１５ｍｍの範囲から、例えば、約１０ｍｍの半径ｒ_２ａを選択してもよい。２ｍｍ〜８ｍｍの範囲から、例えば、約５ｍｍの半径ｒ_２ｂを選択してもよい。ある実施形態では、ｒ_２ａ＞ｒ_２ｂであるが、これは必須ではない。ある実施形態では、エッジプロファイル５２０（又は４２０）の少なくとも一部は曲線でなくてもよい。すなわち、無限曲率半径を有していてもよい。

[0093] 図９ｂに示す実施形態のエッジプロファイル５２０は、Ｘ_２と表示された距離にわたって延在する。図９ｂに示す値Ｘ_２が表すことができる値の範囲は、図８ｂに示すエッジプロファイル４２０に関して上述したＸ_２の値の範囲と同じであってもよい。

[0094] ある実施形態では、エッジプロファイルがスキャン方向（すなわち、ステップ方向に垂直な平面Ａ−Ａ内で）延在する距離Ｘ_１は、エッジプロファイル４２０、５２０がステップ方向１２０（すなわち、スキャン方向１１０に垂直な平面Ｂ−Ｂを通る断面内で）延在する距離より大きい。ある実施形態では、長さＸ_１は、距離Ｘ_２の１．５〜１０倍の長さの範囲から選択される。ある実施形態では、長さＸ_１は、距離Ｘ_２の２〜８倍の長さの範囲から選択される。ある実施形態では、長さＸ_１は、距離Ｘ_２の３〜６倍の長さの範囲から選択される。ある実施形態では、長さＸ_１は、距離Ｘ_２の４〜５倍の長さの範囲から選択される。

[0095] 同様に、参照番号４１０（図８ａ）及び５１０（図９ａ）で示されるエッジプロファイルのスキャン方向の長さは、参照番号４２０（図８ｂ）及び５２０（図９ｂ）で示されるエッジプロファイルのステップ方向の長さより大きくてもよい。

[0096] 上記のように、動作時の基板テーブルＷＴの運動、例えば、速度及び／又は加速度は、一般にステップ方向１２０よりもスキャン方向１１０の方が大きくてもよい。ステップ方向１２０にエッジプロファイル４２０、５２０を延在させる距離（Ｘ_２）よりも大きい距離（Ｘ_１）にわたってスキャン方向１１０にエッジプロファイル４１０、５１０を延在させることで、液浸液の層１７内のスキャン方向１１０に生成される擾乱（不安定性及び／又は波）が低減される。これは、例えば、液浸液は、エッジ面４０７上を流れる際にほぼ水平方向からほぼ垂直方向へ方向転換するより大きい距離を有するためである。追加的に又は代替的に、ステップ方向１２０よりもスキャン方向１１０の方でエッジプロファイル４１０、４２０、５１０、５２０をより大きく延在させることで、形成される波などのあらゆる擾乱がスキャン方向１１０でより有効に拡散又は減衰させる。スキャン方向１１０の方が運動が大きいために、スキャン方向１１０に形成されるいかなる波もステップ方向１２０の波よりも強い、例えば、振幅が大きいという理由から、このことは妥当である。

[0097] スキャン方向及びステップ方向に関してエッジ面４０７のエッジプロファイル４１０、４２０について上述してきた。ある実施形態では、エッジ面４０７に沿ったエッジプロファイル４１０のスキャン方向１１０の運動からプロファイル４２０のステップ方向１２０の運動への遷移は滑らかであってもよい。これは、例えば、エッジ面４０７のあらゆる断面にほとんど不連続性がないということを意味する。しかし、これはそうでなくてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、エッジ面４０７にある程度不連続性があってもよい。

[0098] 図７に示すようなある実施形態では、エッジ面４０７の断面の長さは、断面を切り取った平面が、平面Ａ−Ａから平面Ｂ−Ｂに、例えば、２つの平面Ａ−Ａ及びＢ−Ｂの交点の軸を中心に回転する際に連続して低減してもよい。断面の平面が回転する中心になるこの軸は、基板テーブルＷＴの平坦な部分４５０に垂直で基板テーブルＷＴの幾何学的中心を通る軸であってもよい。平面Ａ−Ａで切ったエッジプロファイルから平面Ｂ−Ｂで切ったエッジプロファイルまでの長さの減少は連続的であってもよい。すなわち、断面の長さは突然変化しなくてもよい。これは、さらに、液浸液内の擾乱（波など）の生成を防止及び／又は低減するのを助ける。追加的に又は代替的に、この構成は、例えば、エッジ面４０７上を流れる際に液浸液内に生成される波などのあらゆる擾乱を抑止し、減衰させ、又は拡散させるのを助ける。

[0099] エッジ面４０７の断面（平面Ａ−Ａ、平面Ｂ−Ｂ、又は平面Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂの間の任意の平面で切った）の正確なエッジプロファイル４１０、４２０、５１０、５２０は、基板テーブルの予想運動プロファイル（例えば、速度及び／又は加速度）に依存していてもよい。例えば、エッジプロファイル４１０、５１０の断面Ａ−Ａは、スキャン方向１１０の予想運動プロファイルに基づいて選択してもよい。エッジプロファイル４２０、５２０の断面Ｂ−Ｂは、ステップ方向１２０の予想運動プロファイルに基づいて選択してもよい。

[00100] 本明細書に記載する任意の特徴を他の１つ又は複数の特徴と組み合わせてもよいことを理解されたい。例えば、基板テーブルＷＴの幾何学的構造の任意の特徴を本明細書に記載する基板テーブルＷＴの１つ又は複数の他の互換特徴と組み合わせてもよい。例えば、本明細書に記載する任意の断面エッジプロファイル（例えば、図８ａ、図８ｂ、図９ａ及び図９ｂに関連して説明した断面エッジプロファイル）を、本明細書に記載する基板テーブルＷＴの任意の平面視の形状（例えば、図７及び図１０に関連して説明した形状）と組み合わせてもよい。さらに、本発明のある実施形態は、任意の好適な方法で、例えば、液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルとして、基板テーブルを備える液浸リソグラフィ装置として、及び／又はデバイス製造方法として提供することができる。

[00101] 基板Ｗの露光後に、基板テーブルＷＴ（基板Ｗがその上に支持されていてもよい）を投影システムの下から除去することができる。しかし、露光中に液浸液内に浸漬された１つ又は複数の表面上に液浸液が残ることがある。そのような表面は、例えば、基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、センサ５５１、５５２、５５３、５５４、及び／又は基板テーブルＷＴが搭載される位置決めテーブルの一部であってもよい。図示していない覆い（例えば、カバー板）を液浸液に暴露された上記の１つ又は複数の表面に提供してもよい。覆いは、液浸液に浸漬されていた表面の表面特性を変更することができる。

[00102] 露光の完了後に基板Ｗの露光中に液浸液によって覆われていた表面に残っている液浸液（例えば、液浸液の層）を除去することが望ましい。表面から液浸液を除去するために、乾燥ユニットを提供してもよい。そのような乾燥ユニットは、専用乾燥ユニットであってもよい。

[00103] 図１１は、露光後に液浸リソグラフィ装置の表面から液浸液を除去するために使用することができる乾燥ユニット７００の一例を示す。図１１に示す具体的な乾燥ユニット７００の例は、２つのアーム７１０、７２０を備える。高速ガス（大気又は窒素）をアーム７１０，７２０の全長の一部（例えば、ほぼ全体）に沿って供給することができる。高速ガスは、除去されている液浸液の層にほぼ垂直な方向に供給することができる。したがって、例えば、図１１（及び図１２）に示す例では、ページにほぼ垂直な方向に高速ガスを供給することができる。

[00104] 図１１及び図１２に示す例では、液浸液の層が除去される表面と乾燥ユニット７００との間の相対運動がある。これは、乾燥ユニット７００、液浸液の層が除去される表面、又はその両方を動かすことで達成することができる。図１１及び図１２に示す例では、液浸液の層が除去される表面は、矢印７６０の方向に乾燥ユニット７００に向かって、またその下を移動する。

[00105] 図１１に示す網掛け区域は、液浸液の層で覆われた領域を示す。図１２から分かるように、表面が乾燥ユニット７００の下を移動すると、乾燥領域７４０（網掛けがない区域）が生成される。乾燥ユニット７００の下を通過しようとする領域７３０は、液浸液（例えば、液浸液の層）に覆われたままである。

[00106] 図１１及び図１２に示す例では、乾燥ユニット７００と乾燥中の表面との間のギャップ（すなわち、図１１及び図１２のページに垂直な）は、５０〜５００μｍの範囲内、望ましくは１００〜２００μｍの範囲内にあり、又は望ましくは約１５０μｍであってもよい。

[00107] 液浸液の層が移動する表面の相対速度（例えば、図１１の基板テーブルＷＴの矢印７６０の方向の運動）は、０．１ｍ／ｓ〜２ｍ／ｓ、望ましくは０．２ｍ／ｓ〜１．５ｍ／ｓ、望ましくは０．４ｍ／ｓ〜１ｍ／ｓ、又は望ましくは約０．８ｍ／ｓであってもよい。

[00108] 図１１及び図１２に関連して説明する装置及び方法は、専用乾燥ユニットの一例である。さらに、又は別の専用乾燥ユニットを提供してもよい。例えば、液浸液の抽出によって液浸液が除去される乾燥ユニットを提供することができる。例えば、液体の出口、例えば、ダクト又は導管による抽出で液浸液を除去することができる。代替及び／又は同様の乾燥ユニットがその全体が参照によって本明細書に組み込むものとする２００８年１２月８日出願の米国特許出願ＵＳ２００８−０００７７０４号及び米国特許出願第６１／１９３，５７６号に記載されている。

[00109] しかし、単一の乾燥ステップで表面から液浸液の層を除去する方法及び装置には欠点がある。例えば、図１１及び図１２に関連して説明した乾燥ユニット７００が有効に動作するには、大量のガスの流量を供給しなければならない。大量のガスの流量は、表面から液浸液のほぼ全部を除去するのに十分でなければならない。液浸液が残っていると、例えば残留液体が蒸発する際の熱吸収、及び／又は残留液浸液が蒸発する表面に残る汚れなどのエラー及び／又は不具合が発生することがある。

[00110] 大量のガスの流量が含まれるため、乾燥ユニット７００と液浸液の層との間に相対運動が起こる際に液滴が液浸液の層から分離される大きい危険がある。言い換えれば、液浸液の跳ねかけが発生することがある。これは、乾燥ユニット７００が乾燥されている表面の溝の上部に位置する時に特に問題である。そのような溝は、表面の間のギャップによって形成されることがある。例えば、そのような溝は、センサ５５１、５５２、５５３、５５４と基板テーブルＷＴとの間のギャップによって形成されることがある。追加的に又は代替的に、乾燥ユニット７００の大量の流量によって、例えば、乾燥ユニット７００のガスの勢いが表面に影響して乾燥中の表面が擾乱の力を受けることがある。追加的に又は代替的に、乾燥ユニット７００を使用した表面の乾燥によって、液体が除去される際に大きな熱負荷が乾燥中の表面にかかることがある。

[00111] 液浸液が液体出口を通して表面から抽出される上記の代替乾燥ユニットは、通常、液体を合理的な時間内に除去するために高速の抽出速度を必要とする。次に、その結果、乾燥中の表面に大きい擾乱力がかかる。追加的に又は代替的に、表面の乾燥によって、乾燥工程で表面に大きい熱負荷がかかることがある。追加的に又は代替的に、抽出ノズル（基板に極めて接近している必要がある）がその近さのために基板を締め付けることがある。これによって、追加の擾乱力及び／又は不正確さが生まれることがある。

[00112] 表面の乾燥に関連して上に概説した１つ又は複数の問題は、表面から大量の液浸液を除去する欲求によって悪化する可能性があることが理解されよう。例えば、通常、厚さがほぼ１ｍｍの液浸液の層を表面から除去する必要がある。したがって、これらの乾燥ステップ中に表面から除去する必要がある液浸液の量を低減することが望ましい。

[00113] ある実施形態では、装置は、例えば図１１及び図１２に関連して上述した乾燥ステップの前に乾燥前ステップを実行するように構成されている。そのような乾燥前ステップを図１３及び図１４に関連して本明細書で説明する。

[00114] なお、図１１〜図１４に示す基板テーブルＷＴは、図７に関連して上述したのと同じ一般的な形態を有する。しかし、図１１〜図１４に関連して説明する液浸リソグラフィ装置の表面からの液浸液の層の除去に関連する装置及び方法は、任意の形状の基板テーブルＷＴ、基板テーブルＷＴを位置決めする位置決めデバイス、又は実際、例えば、基板Ｗの露光中に液浸液で少なくとも部分的に覆われるか液浸液に浸漬される任意の構成要素（又はその表面）に適用することができることが理解されよう。

[00115] 図１３は、基板Ｗ、及び液浸液の層に大部分が覆われたセンサ５５１、５５２、５５３、５５４などの様々な構成要素を含む基板テーブルＷＴを示す。液浸液の層は、網掛け区域で示されている。図１３は、液浸液の層が除去された区域８１０（実際、区域８１０は、基板Ｗの表面の一部である）を示す。乾燥区域８１０と液浸液の層との間の界面は、線８２５で示されている。

[00116] 図１３の内部の円形区域８００は、液浸液がアクティブに除去された局所区域を表す。任意の非貫入方法を用いて局所区域８００から液浸液をアクティブに除去することができる。例えば、非貫入方法は、液浸液の層を物理的なオブジェクトにアクティブに接触させるステップを含まない方法であってもよい。

[00117] 液浸液がアクティブに除去された局所区域は、トリガを用いて生成又は起動することができる。例えば、液浸液がアクティブに除去された局所区域８００は、トリガであるガス噴流を用いて生成することができる。ガス噴流は、高速ガス噴流又は低速ガス噴流である。ガス噴流は、例えば、大気又は窒素ガスを含む噴流であってもよい。ガス噴流は、断面が円形又はほぼ円形であってもよい。

[00118] したがって、表面から液浸液を除去するために、トリガは、液浸液がアクティブに除去される局所区域８００を生成しなければならない。さらに、局所区域は、トリガが除去された時にディウェッティングされた区域（すなわち、液浸液が除去された区域）が崩壊するのではなく、成長することができるだけの大きさがなければならない。

[00119] トリガが除去された時にディウェッティングされた区域が崩壊するのではなく、成長するために、液浸液がアクティブに除去される局所区域８００のサイズは、一定のサイズより大きくなければならない。このサイズは、例えば、液浸液の層が形成される静的後退接触角（ＳＲＣＡ）と液浸液の層の厚さｈによって変化してもよい。１つの関係（説明のためだけのもので限定的ではない）は、ディウェッティングされた区域が崩壊するのではなく、成長するために必要な局所区域８００のクリティカルディメンションｄ（例えば、直径）が、

によって与えられるという関係である。

[00120] 局所区域８００の直径ｄ（ガス噴流が液浸液の層と接触する地点でのガス噴流の直径にほぼ等しい）は、所与の液浸液の厚さ及び／又は所与の静的後退接触角の場合にディウェッティングを液浸液内に伝搬させるのに好適である。ある実施形態では、ガス噴流の直径は、０．５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内、望ましくは１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内、又は望ましくは約４ｍｍであってもよい。純粋に単なる例として、４ｍｍを超える直径を備えた局所区域８００を生成するのに好適なガス噴流（例えば、液浸液の表面に接触する地点の直径が４ｍｍを超えるガス噴流）は、約７０°の静的後退接触角を備えた約１ｍｍの液浸液の層の場合に、ディウェッティングされた区域を崩壊ではなく成長させるのに十分であるはずである。

[00121] トリガとして作用するガス噴流は、局所区域８００から液浸液を除去する（すなわち、ディウェッティングする）だけの能力がなければならない。これに関して、液浸液の表面に接触する地点のガス噴流の速度は、２ｍｓ^−１〜３５ｍｓ^−１の範囲内、望ましくは３ｍｓ^−１〜１０ｍｓ^−１の範囲内、又は望ましくは約４ｍｓ^−１であってもよい。局所区域８００内の液浸液の層が形成される表面をディウェッティングするガス噴流の有効性は、以下の式で与えられるウェーバー数（Ｗｅ）によって表すことができる。

ここで、
ρ：ガス噴流流体の密度
Ｖ：ガス噴流の速度
Ｌ：ガス噴流のクリティカルディメンション、例えば直径
σ：液浸液と周囲ガスの間の界面の表面張力

[00122] ウェーバー数は、１〜１０の範囲内であってもよい。通常、表面張力（σ）は７２ｍＮ／ｍであってもよく、密度（ρ）は１．２ｋｇ／ｍ^３であってもよい。したがって、純粋に単なる例として、液浸液の表面に接触する地点の直径が４ｍｍのガス噴流の場合、約４ｍｓ^−１より大きいガス噴流速度は約１のウェーバー数を与える。したがって、約４ｍｓ^−１より大きいガス噴流速度は、約１より大きいウェーバー数を与える。

[00123] ガス噴流ノズルの出口でのガス噴流の速度は、液浸液の表面に接触する地点のガス噴流の速度より大きくてもよい。これは、ガス噴流の直径はガス噴流がガス噴流ノズルから離れるに従って増大するためである。例えば、ノズル直径ｄとノズル出口からの距離ｚのガス噴流の直径ｂの実験による関係は、以下の式で与えられる。
ｂ＝ｄ＋０．７５×ｚ

[00124] ガス噴流ノズルの直径ｄは、例えば、０．５ｍｍ〜２ｍｍの範囲内、望ましくは０．７５ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲内、又は望ましくは約１ｍｍであってもよい。ノズルへの出口でのガスの速度は、例えば、１０ｍｓ^−１〜７０ｍｓ^−１の範囲内、望ましくは２０ｍｓ^−１〜６５ｍｓ^−１の範囲内、又は約４０ｍｓ^−１であってもよい。ノズルへの出口のガス噴流の速度は、液浸液に接触する地点の所望のガス噴流パラメータ（例えば、速度及び寸法）を与えるように必要に応じて７０ｍｓ^−１より大きいか又は１０ｍｓ^−１より小さくてもよいことが理解されよう。したがって、ガス噴流の出口でのマッハ数は、例えば、０．０１〜０．３の範囲内であってもよく、又は望ましくは０．０５〜０．２の範囲内であってもよいが、その他の値（これより大きいか又は小さい値）も可能である。純粋に単なる例として、液浸液の表面に接触する地点のガス噴流速度が４ｍｓ^−１で、ガス噴流ノズルと液浸液の表面との距離が３ｍｍで、液浸液の表面に接触する地点のガス噴流の直径が約４ｍｍ（すなわち、ウェーバー数が約１）の場合、ノズル出口でのガス噴流の速度は約２０．９ｍｓ^−１で、関連付けられたマッハ数が約０．０６である。通常、ガス噴流ノズルと液浸液の表面との距離は、例えば、０．５ｍｍ〜５ｍｍの範囲内、望ましくは１ｍｍ〜４ｍｍの範囲内、望ましくは２ｍｍ〜３ｍｍの範囲内、又は約２．１５ｍｍであってもよいが、これらの範囲外の他の距離も可能である。

[00125] 除去される液浸液の層の表面に対して約９０°の角度でガス噴流を供給することができる。

[00126] ガス噴流を供給する任意の好適な手段を使用することができる。例えば、ノズルを用いてガス噴流を生成することができる。ガス噴流を生成するために高圧ガスをノズルに供給することができる。任意の好適な場所にガス噴流を生成する装置を提供することができる。例えば、基板テーブルＷＴの通常の経路、例えば、基板Ｗの露光後に基板テーブルＷＴがたどるように構成された経路に沿ってガス噴流を供給することができる。したがって、液浸リソグラフィ装置の測定フレームからガス噴流を供給することができる。追加的に又は代替的に、投影システムと乾燥ユニット、例えば、図１１及び図１２に関連して上述した乾燥ユニット７００との間の液浸リソグラフィ装置内のある位置（すなわち、基板Ｗが露光される区域）からガス噴流を供給することができる。

[00127] 動作時に、液浸液の層にガス噴流を短い時間供給し、次に、停止することができる。例えば、液浸液の層にガス噴流を５秒未満、望ましくは２秒未満、望ましくは１秒未満、又は望ましくは０．５秒未満供給することができる。

[00128] この離散的な時間間隔だけ液浸液の層の表面にガス噴流を供給することで、局所区域に乾燥領域を生成するように局所区域から液浸液がアクティブに除去される。最初、この乾燥領域はガス噴流の断面と同じサイズ（又はほぼ同じサイズ）である。図１３で、この初期乾燥領域は領域８００として示されている。

[00129] この局所区域から液浸液がアクティブに除去されることで、乾燥領域８１０と液浸液の層との間に界面８２５が形成される。この界面８２５は、液浸液の層を通して外側へ伝搬する。界面８２５のこの伝搬を矢印８１１、８１２、８１３及び８１４で図１３に示す。したがって、ガス噴流８００によって初期乾燥区域が生成されると、界面８２５の伝搬によって液浸液の層が表面から自動的にほぼ除去される。言い換えれば、表面全体への界面８２５の伝搬によってディウェッティングが実行される。

[00130] 液浸液が除去されている表面全体への界面８２５の伝搬速度は、液浸液が除去されている表面の１つ又は複数の特性によって変化することがある。例えば、界面８２５の伝搬速度は、疎油性の増大（例えば、疎水性の増大）と共に増大することがある。これに関して、カバーの表面、例えば、カバープレートを液浸液を除去する１つ又は複数の表面に供給することができる。例えば、基板テーブルＷＴの上面に疎水性のカバープレートを提供してもよい。

[00131] 追加的に又は代替的に、液浸液が除去されている表面全体への界面８２５の伝搬速度は、除去されている液浸液の層の厚さによって変化することがある。例えば、伝搬速度は、除去されている液浸液の層の厚さが減少するにつれて増大することがある。液浸液の層の厚さは、例えば、露光及び／又は露光後の排水中に使用する流量によって変化することがある。

[00132] 初期局所乾燥領域８００を生成するために別の装置及び／又は方法ステップを使用することができる。例えば、初期乾燥領域８００を生成するために液浸液の層の表面に放射ビームを提供することができる。そのような放射ビームは、レーザビームであってもよい。そのような実施形態では、レーザビームは、初期局所８００を生成又は起動するトリガと呼んでもよい。

[00133] そのようなレーザビーム（赤外線レーザビームでもよい）は、熱毛管効果を生成することができる。したがって、レーザビームが入射する液浸液の層は、局所的に擾乱される。これによって液体の層は、レーザビームの入射地点で分散（したがって薄肉化）することがある。この拡張は、レーザビームによって引き起こされる局所加熱の結果である。液浸液がアクティブに除去されている局所区域８００は、局所加熱による液浸液の層の局所分散（したがって薄肉化）と蒸発の増大の一方又は両方による放射ビームによって誘起されることがある。

[00134] そのような実施形態で使用される放射ビーム（レーザビームなどの）の波長は、液体の層が形成される表面（例えば、基板Ｗ、又は基板テーブルＷＴ）を損傷しないように適切な波長及び／又は強度でなければならない。したがって、例えば、十分に短い吸収長を有する放射を使用することができる。

[00135] 追加又は代替実施形態では、音波（例えば、局所音波）を用いて液浸液がアクティブに除去される局所乾燥領域８００を生成することができる。

[00136] 図１３で、液浸液が除去されて乾燥領域を生成する初期局所区域は、それを生成するためのトリガと同じか、又はほぼ同じ形状である。上記のように、そのようなトリガは、例えば、ガス噴流又はレーザビームなどの放射ビーム、又は音波である。したがって、例えば、局所乾燥領域は、最初は図１３に表示８００で示すような円形領域であってもよい。

[00137] ある実施形態では、液浸液の層内に局所乾燥区域８００を生成するためのトリガ（例えば、ガス噴流又は放射ビーム）の打撃の中心と液浸液の層との間に相対運動があってもよい。そのようなシステムの一例を図１４に示す。図１４で、液浸液の層（及びそれが形成される表面）は、トリガに対して矢印８２０の方向に移動する。この結果、トリガは、液浸液の層に沿って通過して液浸液がトリガによってアクティブに除去される細長い局所区域が形成される。液浸液の層及びそれが形成される表面がトリガに対して移動する相対速度は、０．１ｍ／ｓ〜５ｍ／ｓの範囲内、望ましくは０．２ｍ／ｓ〜３ｍ／ｓの範囲内、望ましくは０．５ｍ／ｓ〜２ｍ／ｓの範囲内、又は望ましくは約１ｍ／ｓであってもよい。

[00138] 図１４に示すように、トリガの打撃の中心と液浸液の層との間に上記のような相対運動がある場合、乾燥領域８３０と残りの液浸液の層との間に界面８２６が形成できる。図１３に示す界面８２５と同様、図１４に示す界面８２６は、矢印８１５及び８１６で示す界面にほぼ垂直な方向に伝搬する。液浸液は（上記の相対運動のために）図１４の例で線から除去されるため、界面８２６はほぼ直線的である。界面は、液浸液内に伝搬してほぼＶ状の乾燥領域を形成する。

[00139] 図１３及び図１４に関連して上記の方法及び装置を使用することで、図１１及び図１２に示すような乾燥ユニットが必要になる前に液浸液の層のほとんどが除去される。例えば、ある実施形態では、９０％を超える液浸液が図１３及び図１４に関連して上記技術を用いて該当する表面から除去される。ある実施形態では、ほぼ９９％又はそれ以上の液浸液の層を図１３及び図１４に関連して上記技術を用いて表面から除去することができる。これは、図１３及び図１４に関連して本明細書に記載した乾燥前ステップのために、図１１及び図１２に示す乾燥ユニットを用いて除去しなければならない液浸液ははるかに少ないことを意味する。図１１及び図１２に示す乾燥ユニット７００（又は同等の専用乾燥ユニット）によって除去する必要がある液浸液ははるかに少ないため、上記の多数の問題を低減又は解消することができる。例えば、乾燥ユニット７００に供給されるガスの大量の流量を大幅に低減することができるが、これはより少ない量の液体を除去するからである。液浸液が液体出口から抽出されるある実施形態では、除去される液体の流量を大幅に低減することは可能であろう。

[00140]
ある実施形態によれば、基板上にパターン付放射ビームを投影する投影システムを有する液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、投影システムは光軸を有し、
基板テーブルは、露光中に基板を支持し、液浸液を基板から落下させて投影システムの光軸に垂直なほぼ平坦な部分から延在する基板テーブルの縁部領域上に流すように構成され、縁部領域は、
基板テーブルの幾何学的中心を通過し、基板の平面内の第１の方向に垂直な第１の平面内で切り取った断面の第１のエッジプロファイルであって、曲線を含む第１のエッジプロファイルと、
基板テーブルの幾何学的中心を通過し、基板の平面内の第２の方向に垂直な第２の平面内で切り取った断面の、第１のエッジプロファイルとは異なる第２のエッジプロファイルであって、曲線を含む第２のエッジプロファイルと、
を有し、
第１のエッジプロファイルは、第２のエッジプロファイルより長い基板テーブルが提供される。

[00141] ある実施形態では、第１の方向はステップ方向であり、第２の方向はスキャン方向である。

[00142] ある実施形態では、縁部領域は、第１及び第２のエッジプロファイルの間の滑らかな遷移を有する。

[00143] ある実施形態では、第１及び第２の平面の交点を通過する平面内で切り取った断面の縁部領域のエッジプロファイルは、第２の平面の位置から第１の平面の位置まで、交点を中心に平面が回転するにつれて連続的に長さが増大する。

[00144] ある実施形態では、第１のエッジプロファイルは、第２のエッジプロファイルよりも１．５〜１０倍だけ長い。

[00145] ある実施形態では、第１のエッジプロファイルは、第２の方向に３０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲内で延在する。

[00146] ある実施形態では、第１のエッジプロファイルは、ほぼ平坦な部分からの第２の方向の距離と共に減少する曲率半径を有する連続的な曲線である。

[00147] ある実施形態では、第１のエッジプロファイルは、各々が異なる曲率半径を有する複数の曲線区分を有する。

[00148] ある実施形態では、第１のエッジプロファイルの各々の曲線区分は、一定の曲率半径を有し、隣接する曲線区分の曲率半径は、ほぼ平坦な部分からの第２の方向の距離と共に減少する。

[00149] ある実施形態では、第１のエッジプロファイルは、
約２５ｍｍの曲率半径を有する基板テーブルのほぼ平坦な部分に隣接する第１の曲線区分と、
約１０ｍｍの曲率半径を有する第１の曲線区分に隣接する第２の曲線区分と、
約５ｍｍの曲率半径を有する第２の曲線区分に隣接する第３の曲線区分と、
を含む。

[00150] ある実施形態では、第２のエッジプロファイルは、ほぼ平坦な部分からの第２の方向の距離と共に減少する曲率半径を有する連続的な曲線である。

[00151] ある実施形態では、第２のエッジプロファイルは、各々が異なる曲率半径を有する複数の曲線区分を有する。

[00152] ある実施形態では、第２のエッジプロファイルの各々の曲線区分は、一定の曲率半径を有し、隣接する曲線区分の曲率半径は、ほぼ平坦な部分からの第１の方向の距離と共に減少する。

[00153] ある実施形態では、第２のエッジプロファイルは、
約１０ｍｍの曲率半径を有する基板テーブルのほぼ平坦な部分に隣接する第１の曲線区分と、
約５ｍｍの曲率半径を有する第１の曲線区分に隣接する第２の曲線区分と、
を含む。

[00154] ある実施形態では、平面視で、基板テーブルの外周に曲率半径の不連続性がない。

[00155] ある実施形態では、第１及び第２のエッジプロファイルは、基板及び／又は基板テーブルに供給される液浸液が縁部領域上を滑らかに流れるような形状を有し、第１及び第２のプロファイルの形状は、それぞれ第２及び第１の方向の基板テーブルの予想加速及び／又は速度に基づく。

[00156] ある実施形態によれば、液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、露光中に基板を支持し、液浸液を基板から落下させて基板テーブルの縁部領域上に流すように構成され、平面視で、基板テーブルの外周に曲率半径の不連続性がない基板テーブルが提供される。

[00157] ある実施形態では、平面視で、基板テーブルの外周は、第１の方向より第２の方向の方が長い。

[00158] ある実施形態では、平面視で、基板テーブルの外周は、連続的に変化する曲率半径を有する。

[00159] ある実施形態では、平面視で、基板テーブルの外周は、楕円形状及び／又は長円形状である。

[00160] ある実施形態では、平面視で、基板テーブルの外周は、すべての地点で３０ｍｍより大きい曲率半径を有する。

[00161] ある実施形態では、平面視で、基板テーブルの外周は、すべての地点で８０ｍｍより大きい曲率半径を有する。

[00162] ある実施形態では、平面視で、基板テーブルの外周は、第２の方向に平行な直線部分を含む。

[00163] ある実施形態では、本明細書に開示する基板テーブルを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

[00164] ある実施形態では、液浸リソグラフィ装置は、パターン付放射ビームを基板上に投影する投影システムをさらに備え、投影システムは光軸を有する。

[00165] ある実施形態では、液浸リソグラフィ装置は、液浸液を供給して基板を液浸液で覆うように配置された流体ハンドリング構造であって、基板及び／又は基板テーブルに対向する対向面を有するバリア部材を備える流体ハンドリング構造をさらに備え、
平面視で、基板テーブルの外周が、光軸周りの同等の角位置にある対向面の外周上の地点の曲率半径より大きい瞬間的な曲率半径をすべての地点で有する液浸リソグラフィ装置が提供される。

[00166] ある実施形態によれば、液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、基板テーブルは、
基板を支持するように構成された基板支持体であって、基板テーブルの外周が基板支持体の表面に平行な平面内に画定される基板支持体と、
テーブルの外周の少なくとも一部の周囲の縁部領域と、
基板支持体と縁部領域との間のほぼ平面の部分であって、縁部領域が、平面の部分及び／又は基板支持体に垂直な平面内のエッジプロファイルを有するほぼ平面の部分と、
を有し、
エッジプロファイルは、テーブルの外周の一部に沿って連続的に変化し、エッジプロファイルは、基板及び／又は基板テーブルに供給される液浸液が基板テーブルのほぼ平面の部分から落下して縁部領域上を滑らかに流れるように構成される基板テーブルが提供される。

[00167] ある実施形態では、テーブルの外周の少なくとも一部は曲線である。

[00168] ある実施形態では、テーブルの外周の少なくとも一部は、連続的に変化する曲率半径を有する。

[00169] ある実施形態では、エッジプロファイルの少なくとも一部は曲線である。

[00170] ある実施形態では、エッジプロファイルは、テーブルの外周からの変位と共に増大する曲率半径を有する。

[00171] ある実施形態では、エッジプロファイルの一部分は、基板支持体及び／又は平面部分にほぼ垂直である。

[00172] ある実施形態では、エッジプロファイルの少なくとも一部は、平面であり、この平面部分に対して角度をなす。

[00173] ある実施形態によれば、デバイス製造方法であって、
基板テーブル及び／又は基板テーブルによって保持された基板に液浸液を供給するステップであって、基板テーブルは、露光中に基板の平面に平行なほぼ平坦な部分から延在する縁部領域を有し、縁部領域は、
基板テーブルの幾何学的中心を通過し、基板の平面内の第１の方向に垂直な第１の平面内で切り取った断面の第１のエッジプロファイルであって、曲線を含む第１のエッジプロファイルと、
基板テーブルの幾何学的中心を通過し、基板の平面内の第２の方向に垂直な第２の平面内で切り取った断面の、第１のエッジプロファイルとは異なる第２のエッジプロファイルであって、曲線を含む第２のエッジプロファイルとを有し、
第１のエッジプロファイルが第２のエッジプロファイルより長いステップと、
液浸液を基板から落下させて基板テーブルの縁部領域上に流すステップと、
液浸液を通してパターン付放射ビームを基板上に投影して基板のターゲット部分を露光するステップと、
を含むデバイス製造方法が提供される。

[00174] ある実施形態によれば、デバイス製造方法であって、
基板テーブル及び／又は基板テーブルによって保持された基板に液浸液を供給するステップであって、基板テーブルは、平面視で、曲率半径の不連続性がない外周を有するステップと、
液浸液を基板から落下させて基板テーブルの縁部領域上に流すステップと、
液浸液を通してパターン付放射ビームを基板上に投影して基板のターゲット部分を露光するステップと、
を含むデバイス製造方法が提供される。

[00175] ある実施形態によれば、デバイス製造方法であって、
基板テーブル及び／又は基板テーブルによって保持された基板に液浸液を供給するステップであって、基板テーブルは、
基板を支持するように構成された基板支持体であって、基板テーブルの外周が基板支持体の表面に平行な平面内に画定される基板支持体と、
テーブルの外周の少なくとも一部の周囲の縁部領域と、
基板支持体と縁部領域との間のほぼ平面の部分とを有し、縁部領域は、平面の部分及び／又は基板支持体に垂直な平面内のエッジプロファイルを有し、エッジプロファイルは、テーブルの外周の一部に沿って連続的に変化し、エッジプロファイルは、基板及び／又は基板テーブルに供給される液浸液が基板テーブルのほぼ平面の部分から落下して縁部領域上を滑らかに流れるように構成されるステップと、
液浸液を基板から落下させて基板テーブルの縁部領域上に流すステップと、
液浸液を通してパターン付放射ビームを基板上に投影して基板のターゲット部分を露光するステップと、
を含むデバイス製造方法が提供される。

[00176] ある実施形態によれば、液浸リソグラフィ装置の表面に形成された液浸液の層から液浸液を除去する方法であって、
液浸液の層との間に界面を有する乾燥領域を生成するように、表面の局所区域から液浸液をアクティブに除去するステップと、
乾燥領域の面積が増大し、液浸液の層の面積が減少するように、界面を液浸液の層を通して伝搬させるステップと、
を含む方法が提供される。

[00177] ある実施形態では、液浸液を表面の局所区域からアクティブに除去するステップは、液浸液の層の表面に乾燥領域を形成する場所にガス噴流を供給するステップを含み、上記ガス噴流の強度は上記乾燥領域を生成するのに十分である。

[00178] ある実施形態では、ガス噴流は、断面が円形であり、０．５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内の直径を有する。

[00179] ある実施形態では、ガス噴流は、液浸液の層の表面に１秒未満供給される。

[00180] ある実施形態では、ガス噴流を生成するために大気又は窒素が使用される。

[00181] ある実施形態では、液浸液を表面の局所区域からアクティブに除去するステップは、液浸液の層の表面に乾燥領域を形成する場所に放射ビームを提供するステップを含み、上記放射の強度は上記乾燥領域を生成するのに十分である。

[00182] ある実施形態では、上記放射ビームは、レーザビームである。

[00183] ある実施形態では、上記方法は、液浸液の層が除去されている表面とガス噴流及び／又は放射ビームとの間の相対運動をさらに提供し、それによって、液浸液が細長い局所区域からアクティブに除去されるように、ガス噴流及び／又は放射ビームが入射する液体の表面上の位置を変化させる。

[00184] ある実施形態では、相対運動の速度は、０．１ｍ／ｓ〜５ｍ／ｓの範囲内である。

[00185] ある実施形態では、上記方法は、基板テーブル、基板、センサ、投影システムに対して基板テーブルを移動させるように配置されたポジショナ、又は露光中に液浸液に暴露される構成要素の表面を覆うように配置されたカバープレートのうち少なくとも１つの表面から液浸液の層を除去するステップをさらに含む。

[00186] ある実施形態では、上記方法は、
液浸液が除去されている表面を乾燥させるステップであって、局所区域から液浸液をアクティブに除去した後で乾燥が実行されるステップと、
界面を液浸液の層を通して伝搬させるステップとをさらに含み、乾燥ステップが表面からあらゆる残留液浸液を完全に除去するように構成されている。

[00187] ある実施形態によれば、液浸リソグラフィ装置の表面に形成された液浸液の層から液体を除去するように構成された液体除去装置であって、液浸液の層との間に界面を有する乾燥領域を生成するように、表面の局所区域から液浸液を除去するように構成されたトリガデバイスを備える液体除去装置が提供される。

[00188] ある実施形態では、上記トリガデバイスは、乾燥領域を生成するように液浸液の層の表面に局所ガス噴流を供給するように構成されたガス供給ユニットを備える。

[00189] ある実施形態では、上記トリガデバイスは、乾燥領域を生成するように液浸液の層の表面に放射ビームを提供するように構成された放射ビーム発生器を備える。

[00190] ある実施形態では、液浸リソグラフィ装置の表面を乾燥させるように構成された乾燥装置であって、
液体除去装置と、
液体除去装置の動作後に残留する表面からあらゆる液浸液を完全に除去するように構成された乾燥ユニットと、
を備える乾燥装置が提供される。

[00191] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00192] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。

[00193] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。

[00194] １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。

[00195] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面区域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[00196] 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組み合わせを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。

[00197] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims

基板上にパターン付放射ビームを投影する投影システムを有する液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、前記投影システムが光軸を有し、前記基板テーブルが露光中に基板を支持し、液浸液を前記基板から落下させて前記投影システムの前記光軸にほぼ垂直なほぼ平坦な部分から延在する前記基板テーブルの縁部領域上に流すように構成され、前記縁部領域が、
前記基板テーブルの幾何学的中心を通過し、前記基板の平面内の第１の方向に垂直な第１の平面内で切り取った断面の第１のエッジプロファイルであって、曲線を含む第１のエッジプロファイルと、
前記基板テーブルの幾何学的中心を通過し、前記基板の平面内の第1の方向に垂直な第２の方向に対して垂直な第２の平面内で切り取った断面の、前記第１のエッジプロファイルとは異なる第２のエッジプロファイルであって、曲線を含む第２のエッジプロファイルとを有し、
前記第１のエッジプロファイルが、前記第２のエッジプロファイルより長い基板テーブル。
前記第１の方向がステップ方向であり、前記第２の方向がスキャン方向である、請求項１に記載の基板テーブル。
前記縁部領域が、前記第１及び第２のエッジプロファイルの間の滑らかな遷移を有する、請求項１又は２に記載の基板テーブル。
前記第１及び第２の平面の交点を通過する平面内で切り取った断面の前記縁部領域のエッジプロファイルが、前記第２の平面の位置から前記第１の平面の位置まで、前記交点を中心に前記平面が回転するにつれて、連続的に長さが増大する、請求項１から３のいずれか１項に記載の基板テーブル。
前記第１のエッジプロファイルが、前記ほぼ平坦な部分から前記第２方向に離れるにつれて減少する曲率半径を有する連続的な曲線である、請求項１から４のいずれか１項に記載の基板テーブル。
前記第１のエッジプロファイルが、各々が異なる曲率半径を有する複数の曲線区分を有する、請求項１から４のいずれか１項に記載の基板テーブル。
前記第１のエッジプロファイルの各々の曲線区分が、一定の曲率半径を有し、
隣接する曲線区分の曲率半径が、前記ほぼ平坦な部分から前記第２方向に離れるにつれて減少する、請求項６に記載の基板テーブル。
前記第２のエッジプロファイルが、前記ほぼ平坦な部分から前記第２方向に離れるにつれて減少する曲率半径を有する連続的な曲線である、請求項１から７のいずれか１項に記載の基板テーブル。
前記第２のエッジプロファイルが、各々が異なる曲率半径を有する複数の曲線区分を有する、請求項１から７のいずれか１項に記載の基板テーブル。
前記第２のエッジプロファイルの各々の曲線区分が、一定の曲率半径を有し、
隣接する曲線区分の曲率半径が、前記ほぼ平坦な部分から前記第２方向に離れるにつれて減少する、請求項９に記載の基板テーブル。
前記第１及び第２のエッジプロファイルが、前記基板及び／又は基板テーブルに供給される液浸液が前記縁部領域上を滑らかに流れるような形状を有し、前記第１及び第２のプロファイルの形状が、それぞれ前記第２及び第１の方向の前記基板テーブルの予想加速及び／又は速度に基づく、前記請求項のいずれか１項に記載の基板テーブル。
液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、露光中に基板を支持し、液浸液を前記基板から落下させて前記基板テーブルの縁部領域上に流すように構成され、平面視で、前記基板テーブルの外周に曲率半径の不連続性がない基板テーブル。
平面視で、前記基板テーブルの外周が、連続的に変化する曲率半径を有する、請求項１から１２のいずれか１項に記載の基板テーブル。
液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、
基板を支持する基板支持体であって、前記基板テーブルの外周が前記基板支持体の表面に平行な平面内に画定される基板支持体と、
前記テーブルの外周の少なくとも一部の周囲の縁部領域と、
前記基板支持体と前記縁部領域との間のほぼ平面の部分であって、前記縁部領域が、前記平面の部分及び／又は基板支持体に垂直な平面内のエッジプロファイルを有するほぼ平面の部分とを備え、
前記エッジプロファイルが、前記テーブルの外周の一部に沿って連続的に変化し、前記エッジプロファイルが、前記基板及び／又は基板テーブルに供給される液浸液が前記基板テーブルの前記ほぼ平面の部分から落下して前記縁部領域上を滑らかに流れるように構成される基板テーブル。
デバイス製造方法であって、
基板テーブル及び／又は基板テーブルによって保持された基板に液浸液を供給するステップであって、前記基板テーブルが、露光中に前記基板の平面に平行なほぼ平坦な部分から延在する縁部領域を有し、前記縁部領域が、
前記基板テーブルの幾何学的中心を通過し、前記基板の平面内の第１の方向に垂直な第１の平面内で切り取った断面の第１のエッジプロファイルであって、曲線を含む第１のエッジプロファイルと、
前記基板テーブルの幾何学的中心を通過し、前記基板の平面内の第1の方向に垂直な第２の方向に対して垂直な第２の平面内で切り取った断面の、前記第１のエッジプロファイルとは異なる第２のエッジプロファイルであって、曲線を含む第２のエッジプロファイルとを有し、
前記第１のエッジプロファイルが前記第２のエッジプロファイルより長いステップと、
前記液浸液を前記基板から落下させて前記基板テーブルの前記縁部領域上に流すステップと、
前記液浸液を通してパターン付放射ビームを前記基板上に投影して前記基板のターゲット部分を露光するステップと、
を含むデバイス製造方法。