TWI600073B - 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置 - Google Patents
黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI600073B TWI600073B TW102130725A TW102130725A TWI600073B TW I600073 B TWI600073 B TW I600073B TW 102130725 A TW102130725 A TW 102130725A TW 102130725 A TW102130725 A TW 102130725A TW I600073 B TWI600073 B TW I600073B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- adhesive tape
- attaching
- tape
- wafer
- semiconductor wafer
- Prior art date
Links
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 title claims description 238
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 238000005304 joining Methods 0.000 title description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 54
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 26
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 134
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 35
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 19
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
- H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本發明係關於一種包含保護形成於半導體晶圓上的電路圖案的保護帶、或遍及環狀框架與載置於該環狀框架中央的半導體晶圓背面而貼附的切割帶之黏著帶的貼附方法及黏著帶貼附裝置。
一般而言，半導體晶圓(以下適當稱為「晶圓」)在其表面形成有多數個元件的電路圖案。例如，在晶圓表面形成有凸塊或細微電路。於是，為了保護該電路面而貼附有保護帶。
由於晶圓表面的凸塊等凹凸的影響，在貼附的保護帶表面也產生了同樣的凹凸。於是，在保護帶的貼附處理後，從該保護帶的表面側按壓，以將構成保護帶的基材表面平坦化(參照日本特開2010-45189號公報)。
然而，在上述先前方法方面，產生了如下的缺點。
近幾年，隨著TSV(Through-Silicon Via；穿透矽通孔)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor；絕
緣閘雙極性電晶體)或MEMS(Micro Electro Mechanical System；微機電系統)等的封裝，形成於晶圓面上的電路被要求包含比以往更狹窄間距的凸塊、體積高的凸塊在內的細微化。此外，隨著製造的此等封裝，分別使用不同特性的保護帶。例如，基材的硬度或帶厚度等的特性不同。
日本特開2010-45189號公報中所記載的先前裝置，係在大氣狀態下將保護帶貼附於晶圓表面上。此時，一面將帶狀的保護帶向搬送方向施加張力，一面使貼附輥轉動並按壓於該保護帶的表面，貼附於晶圓表面上。因此，保護帶的長度方向的張力比寬度方向強，而在容易產生皺紋的狀態將保護帶貼附於晶圓表面上。因而，黏著劑跟著不停侵入因晶圓表面上的凸塊之狹窄的間距等而形成的凹凸。換言之，保護帶未密接於晶圓表面。
在該狀態再加壓保護帶表面時，即使可依照保護帶的種類而將其表面平坦化，若不賦予保護帶比保護帶單體平坦化所需的理論負荷大的負荷，則也無法提高保護帶密接於晶圓表面的密合性。然而，若提高負荷，則有使包含凸塊等在內的電路破損之類的問題。
本發明係有鑑於此種情況而完成者，其目的在於提供一種不管形成於半導體晶圓上的電路狀態如何，都可精度良好地貼附黏著帶之黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置。
於是，為了達成此種目的，本發明採取如下的構造。
即，一種黏著帶貼附方法，係將黏著帶貼附於半導體晶圓之電路形成面上，包含以下的過程：第1貼附過程，係在將半導體晶圓載置保持在既收納於構成腔室的一對殼體其中一者之保持平台後，於該殼體的接合部上貼附大於該殼體內徑的前述黏著帶；第2貼附過程，其係於夾住前述黏著帶而接合一對殼體後，一面將與該黏著帶之黏著面接近地對向配置的前述半導體晶圓側的空間的氣壓降得比另一者的空間之氣壓還低，一面將該黏著帶貼附於半導體晶圓上；及加壓過程，係將貼附於前述半導體晶圓之電路形成面上的黏著帶表面利用加壓構件之扁平面加壓而平坦化；於貼附該黏著帶後，在是黏著帶表面會產生凹凸那樣的半導體晶圓的電路狀態及黏著帶的特性之情況，選擇地進行加壓過程的加壓處理。
藉由此方法，則藉由在腔室內將收納有半導體晶圓側的空間之氣壓降的比另一方的空間之氣壓還低，可將均勻的按壓作用於為一對殼體所夾住的黏著帶全面。因此，若無使皺紋等產生的情形，則不會因過量的按壓而使表面的凸塊等破損，可將黏著帶貼附於半導體晶圓上。此外，可利用減壓作用使氣泡從半導體晶圓表面的凹部脫氣，並可使黏著劑跟著密接於該半導體晶圓表面的凹凸形狀。
此外，利用腔室內的差壓在貼附於半導體晶圓的黏著帶表面上因凸塊等的影響而形成有凹凸的情況
時，藉由選擇進行加壓過程的加壓處理，只要賦予可只將黏著帶的表面平坦化程度的加壓即可。因此，不會因該加壓處理而使半導體晶圓的電路破損。
再者，黏著帶為在背面研磨前貼附於晶圓之電路形成面上的表面保護用的黏著帶的情況，可抑制背面研磨後晶圓厚度的偏差。即，不管黏著帶的特性或晶圓之電路形成面的狀態如何，都可將黏著帶的表面平坦化。
在上述方法中，最好在第1貼附過程中，從由剝離構件折回並從隔片剝離而推出的黏著帶前端側，一面以貼附構件按壓，一面貼附於殼體之接合部上。
此情況，相較於一面對帶狀黏著帶的長度方向賦予張力，一面貼附於晶圓上的先前方法，可在無張力偏倚的狀態將黏著帶貼附於殼體之接合部上。因此，可在腔室內利用差壓一面賦予黏著帶均勻的張力，一面貼附於晶圓之電路形成面上。
在上述方法中，最好在加壓過程中，一面利用加熱器加熱黏著帶，一面加壓。
此情況，由於可使構成黏著帶的黏著劑及基材利用加熱軟化，所以容易使黏著帶變形。
再者，在上述方法中，在加壓過程中的加壓處理可如下實施。例如，在將腔室內維持於減壓狀態下，加壓黏著帶。或者，在解除兩殼體接合的大氣狀態下，加壓黏著帶。
此外，為了達成此種目的，本發明採取如下
的構造。
即，一種黏著帶貼附裝置，係將表面保護用的黏著帶貼附於半導體晶圓之電路形成面上，具備：保持平台，其係保持前述半導體晶圓；腔室，其係由收納前述保持平台的一對殼體構成；帶供應部，其係供應大於前述殼體內徑的前述黏著帶；帶貼附機構，其係在前述殼體之一方的接合部上貼附黏著帶；加壓機構，其係使藉由被一對前述殼體的接合部夾住的黏著帶所分隔的腔室內的兩個空間產生差壓，利用配備於該腔室內的加壓構件之扁平面加壓被貼附於半導體晶圓上的黏著帶表面；切斷機構，其係沿著前述半導體晶圓的外形而切斷黏著帶；剝離機構，其係剝離已切成前述半導體晶圓形狀的黏著帶；及帶回收部，其係回收剝離後的前述黏著帶，前述加壓機構係構成為：在藉由差壓將黏著帶貼附於前述半導體晶圓後，在是黏著帶表面會產生凹凸那樣的半導體晶圓的電路狀態及黏著帶的特性之情況，藉由前述加壓構件加壓黏著帶。
藉由此裝置，則可將因半導體晶圓表面的電路的凹凸而產生於表面保護用的黏著帶表面的凹凸利用加壓機構平坦化。因此，可抑制在背面研磨處理時容易產生的厚度的偏差。即，可適當地實施上述方法。
在上述裝置中，最好帶貼附機構具備：剝離構件，其係從隔片將黏著帶剝離並推出；貼附輥，其係按壓從前述剝離構件推出的黏著帶前端；及
切斷機構，其係在貼附終端位置切斷黏著帶的後端。
藉由此構造，則可在抑制張力偏倚的狀態將黏著帶貼附於殼體之接合部上。因此，在帶貼附於半導體晶圓上時，可在腔室內利用差壓賦予黏著帶全面均勻的張力。
在上述裝置中，最好具備移動機構，其係一面將貼附有黏著帶的半導體晶圓保持於保持平台上，一面和收納有該保持平台的殼體成為一體，在遍及帶貼附位置與帶切斷位置之範圍移動。
例如，移動機構具備：旋轉驅動機；及臂，其係連結固定於前述旋轉驅動機之旋轉軸上；構成為在前述臂之至少一端上具有收納前述保持平台的殼體。
藉由此構造，則例如藉由在臂兩端之各端具備收納有保持平台的殼體，可使一方的保持平台移動到帶貼附位置，使另一方的保持平台同時移動到帶切斷位置。即，可同時平行執行黏著帶的貼附處理與切斷處理。
此外，為了達成此種目的，本發明採取如下的構造。
即，一種黏著帶貼附裝置，係遍及半導體晶圓與環狀框架而貼附支持用的黏著帶，具備：晶圓保持平台，其係保持前述半導體晶圓；腔室，其係由收納前述晶圓保持平台的一對殼體構成；框架保持平台，其係包圍前述腔室外周並保持前述環狀框架；帶供應部，其係供應前述黏著帶；
帶貼附機構，其係在前述環狀框架與前述殼體之一者的接合部上貼附黏著帶；加壓機構，其係使藉由被一對前述殼體的接合部夾住的前述黏著帶所分隔的腔室內的兩個空間產生差壓，利用配備於該腔室內的加壓構件之扁平面加壓被貼附於半導體晶圓上的黏著帶表面；切斷機構，其係在前述環狀框架上切斷黏著帶；剝離機構，其係剝離切斷後的前述黏著帶；及帶回收部，其係回收剝離後的前述黏著帶，前述加壓機構係構成為：在藉由差壓將黏著帶貼附於前述半導體晶圓後，在是黏著帶表面會產生凹凸那樣的半導體晶圓的電路狀態及黏著帶的特性之情況，藉由前述加壓構件加壓黏著帶。
藉由此裝置，則於在半導體晶圓之兩面上形成有電路圖案時，有效地起作用。即，可將產生於支持用的黏著帶之基材面上的凹凸利用加壓機構平坦化。因此，可在將晶圓保持於平坦的狀態精度良好地進行切割處理。
在上述裝置中，最好具備移動機構，其係一面將貼附有黏著帶的半導體晶圓保持於保持平台上，一面和收納有該保持平台的殼體成為一體，在遍及帶貼附位置與帶切斷位置之範圍移動。
例如，最好帶貼附機構具備：剝離構件，其係從隔片剝離將黏著帶並推出；貼附輥，其係按壓從前述剝離構件推出的黏著帶前
端；及切斷機構，其係在貼附終端位置切斷黏著帶的後端。
藉由此構造，則可在抑制張力偏倚的狀態將黏著帶貼附於殼體之接合部上。因此，在帶貼附於半導體晶圓上時，可在腔室內利用差壓賦予黏著帶全面均勻的張力。
在上述裝置中，最好具備移動機構，其係一面將貼附有黏著帶的半導體晶圓保持於晶圓保持平台上，一面和收納有該晶圓保持平台的殼體成為一體，在遍及帶貼附位置與帶切斷位置之範圍移動。
例如，移動機構具備：旋轉驅動機；及臂，其係連結固定於前述旋轉驅動機之旋轉軸上；構成為在前述臂之至少一端上具有收納前述晶圓保持平台的殼體與框架保持平台。
藉由此構造，則藉由在臂兩端之各端具備收納晶圓保持平台的殼體與框架保持平台，可使一方的保持平台移動到帶貼附位置，使另一方的保持平台同時移動到帶切斷位置。即，可同時平行執行黏著帶的貼附處理與切斷處理。
再者，在上述各裝置中，最好在晶圓保持平台及加壓構件之至少一方具備加熱器。
利用加熱器，容易使構成黏著帶的黏著劑及基材利用加熱而軟化變形。
1‧‧‧晶圓供應/回收部
2‧‧‧晶圓搬送機構
3‧‧‧對準平台
4‧‧‧帶供應部
5‧‧‧貼附單元
6‧‧‧帶切斷機構
7‧‧‧腔室
8‧‧‧加壓單元
9‧‧‧剝離單元
10‧‧‧帶回收部
11A、11B‧‧‧機器手臂
12‧‧‧隔片回收部
14‧‧‧縱板
15‧‧‧可動台
16‧‧‧框架
17‧‧‧供應筒管
18‧‧‧導輥
19‧‧‧回收筒管
20‧‧‧剝離構件
21‧‧‧升降輥
22‧‧‧貼附輥
23‧‧‧切斷單元
24‧‧‧框架
25‧‧‧可動台
26‧‧‧刀具
27‧‧‧框架
28‧‧‧可動台
29‧‧‧支持臂
30‧‧‧刀具單元
31‧‧‧刀具
33A‧‧‧上殼體
33B、33C‧‧‧下殼體
34‧‧‧旋轉驅動機
35‧‧‧旋轉軸
36‧‧‧旋轉臂
37‧‧‧保持平台
38‧‧‧桿
39‧‧‧致動器
40‧‧‧升降驅動機構
41‧‧‧縱壁
42‧‧‧導軌
43‧‧‧可動台
44‧‧‧可動框
45‧‧‧臂
46‧‧‧支軸
47‧‧‧螺旋軸
48‧‧‧馬達
49‧‧‧加熱器
50‧‧‧流路
51‧‧‧真空裝置
52‧‧‧電磁閥
53、54‧‧‧電磁閥
55‧‧‧流路
56‧‧‧電磁閥
57‧‧‧流路
60‧‧‧控制部
61‧‧‧加壓構件
62‧‧‧氣缸
63‧‧‧加熱器
64‧‧‧導軌
65‧‧‧可動台
66‧‧‧固定支承片
67‧‧‧氣缸
68‧‧‧可動片
69‧‧‧回收容器
70‧‧‧接合部
71‧‧‧支持銷
75‧‧‧框架供應部
76‧‧‧機器手臂
77‧‧‧框架保持平台
78‧‧‧切斷單元
79‧‧‧搬送車
79‧‧‧軸承
80‧‧‧凸起部
81、82、83、84‧‧‧支持臂
85‧‧‧刀具
87‧‧‧按壓輥
88‧‧‧搖動臂
89‧‧‧連結部
90‧‧‧馬達
f‧‧‧環狀框架
s‧‧‧隔片
C1、C2‧‧‧片匣
DT‧‧‧黏著帶
PT‧‧‧黏著帶
W‧‧‧晶圓
請理解雖然為了說明發明而圖示有被認為目前適合的幾個形態，但是發明並不受如圖示的構造及方案限定。
第1圖為顯示整個表面保護用的黏著帶貼附裝置的平面圖。
第2圖為顯示整個表面保護用的黏著帶貼附裝置的正面圖。
第3圖為顯示配備於旋轉驅動機構的構造的正面圖。
第4圖為顯示腔室構造的正面圖。
第5圖為顯示腔室構造的縱剖面圖。
第6圖-第8圖為顯示實施例裝置動作的正面圖。
第9圖為顯示實施例裝置動作的平面圖。
第10圖為顯示實施例裝置動作的正面圖。
第11圖為顯示實施例裝置動作的平面圖。
第12圖-第17圖為顯示實施例裝置動作的正面圖。
第18圖為支持用的黏著帶貼附裝置的正面圖。
第19圖為支持用的黏著帶貼附裝置的平面圖。
第20圖為顯示腔室構造的正面圖。
第21圖-第25圖為顯示變形例裝置動作的正面圖。
以下，參照圖面說明本發明之一實施例。再者，在本實施例中，係以將表面保護用的黏著帶貼附於半導體晶圓(以下只稱為「晶圓」)之電路形成面上的情況為例而進行說明。
第1圖為關於本發明之一實施例，顯示整個黏著帶貼附裝置構造的正面圖，第2圖為黏著帶貼附裝置的平面圖。
黏著帶貼附裝置具備晶圓供應/回收部1、晶圓搬送機構2、對準平台3、帶供應部4、貼附單元5、帶切斷機構6、腔室7、加壓單元8、剝離單元9及帶回收部10等。以下，說明關於上述各構造部及機構等的具體構造。
在晶圓供應/回收部1上並排載置兩台片匣C1、C2。多數片晶圓W以使電路形成面(表面)向上的水平姿勢多層***收納於各片匣C內。
晶圓搬送機構2具備兩台機器手臂11A、11B。兩機器手臂11A、11B構成為可水平進退移動，並且全體可旋轉及升降。而且，在機器手臂11A、11B之前端具備呈馬蹄形的真空吸附式的晶圓保持部。晶圓保持部係***多層收納於片匣C內的晶圓W彼此的間隙，從背面吸附保持晶圓W。吸附保持的晶圓W係從片匣C1或C2被抽出，依對準平台3、保持平台37及晶圓供應/回收部1的順序被搬送。
對準平台3係將由晶圓搬送機構2搬入載置的晶圓W，基於形成於其外周的凹口或定向平面而進行對位。
如第1圖所示，帶供應部4、貼附單元5、隔片回收部12及切斷單元23安裝於同一縱板14上。該縱板14係經由可動台15，沿著上部的框架16而水平移動。
關於帶供應部4，係成卷狀的寬幅的黏著帶PT裝填於供應筒管17上，構成為將從該供應筒管17放出的附有隔片s的黏著帶PT捲繞引導至導輥18群，並將剝離
隔片s後的黏著帶PT引導至貼附單元5。此外，構成為賦予供應筒管17適度的旋轉阻力，以免進行過量的帶放出。
隔片回收部12係向捲取方向旋轉驅動回收筒管19，該回收筒管19係捲取從黏著帶PT剝離的隔片s。
如第3圖所示，貼附單元5具備剝離構件20、升降輥21及貼附輥22。再者，貼附單元5相當於本發明之帶貼附機構。
剝離構件20具有前端尖銳的邊緣。利用使該邊緣斜向下的該剝離構件20折回隔片s而剝離黏著帶PT。即，從剝離構件20向前方推出黏著帶PT。
升降輥21和剝離構件20協同動作而適時地把持黏著帶PT。
貼附輥22按壓從剝離構件20前端推出的黏著帶PT前端而逐漸貼附於後述的下殼體33B、33C之接合部70上。
切斷單元23具備：沿著設於剝離構件20前側的框架24而移動(紙面的跟前至內部)的可動台25；及於該可動台25之下部，經由刀具夾持器而具備刀具26。即，切斷單元23於寬度方向切斷黏著帶PT。
如第1圖及第2圖所示，帶切斷機構6在從可沿著框架27升降的可動台28懸臂支持的臂之前端下部，經由延伸於徑向的支持臂29而具備刀具單元30。關於刀具單元30，係經由刀具夾持器而安裝有使刀尖向下的刀具31。再者，刀具單元30可經由支持臂29而調整旋轉半徑。再者，帶切斷機構6相當於本發明之切斷機構。
腔室7係由具有小於黏著帶PT寬度之內徑的上下一對殼體所構成。在本實施例中，具備一個上殼體33A與兩個下殼體33B、33C。
如第3圖所示，下殼體33B、33C係連結固定於馬達等旋轉驅動機34之旋轉軸35上，分別配備於旋轉臂36之兩端。即，構成為例如一方的下殼體33B與上殼體33A形成腔室7時，另一方的下殼體33C位於貼附單元5側的帶貼附位置。此外，下殼體33B、33C之上面及下面施有氟加工等脫模處理。
在兩下殼體33B、33C內具備可升降的保持平台37。保持平台37和貫穿下殼體33B、33C的桿38連結。桿38之另一端驅動連結於由馬達等構成的致動器39。因此，保持平台37在下殼體33B、33C內升降。此外，於保持平台37內埋設有加熱器49。
如第4圖所示，上殼體33A配備於升降驅動機構40。此升降驅動機構40具備：可動台43，其係可沿著縱向配置於縱壁41背部的導軌42升降；可動框44，其係可調節高度地支持於此可動台43上；及臂45，其係從此可動框44向前方伸出。於從此臂45之前端部向下方伸出的支軸46上安裝有上殼體33A。
可動台43係利用馬達48正反轉螺旋軸47而螺旋移動升降。
關於上下殼體33A-33C，如第5圖所示，係經由流路50而和真空裝置51連通連接。再者，關於上殼體33A側的流路50，係具備電磁閥52。此外，關於各殼體
33A-33C，係分別連通連接流路55，該流路55係具備大氣開放用的電磁閥53、54。再者，關於上殼體33A，係連通連接流路57，該流路57係具備利用洩漏來調整暫時減壓之內壓的電磁閥56。再者，此等電磁閥52、53、54、56之開關操作及真空裝置51之動作係由控制部60所進行。
加壓單元8於上殼體33A內具備加壓構件61。加壓構件61為具有扁平底面的板。於該加壓構件之上部連結有氣缸62，在上殼體33A內升降。此外，於加壓構件61內嵌入有加熱器63。再者，加壓單元8相當於本發明之加壓機構。
如第1圖、第2圖及第16圖所示，剝離單元9具備：可動台65，其係沿著導軌64而左右水平地移動；固定支承片66，其係在該可動台65上升降；及可動片68，其係以該固定支承片66與氣缸67開關。即，剝離單元9係利用固定支承片66和可動片68把持並逐漸剝離由帶切斷機構6切成晶圓W形狀的不要的黏著帶PT之一端側。再者，剝離單元9相當於本發明之剝離機構。
關於帶回收部10，係位於剝離單元9之剝離結束端側，配置有回收容器69，該回收容器69係回收由該剝離單元9剝離的黏著帶PT。
其次，說明利用上述的實施例裝置將黏著帶PT貼附於晶圓W上的一輪動作。
首先，利用機器手臂11A從片匣C1搬出晶圓W，載置於對準平台3上。在對準平台3上進行對位後，利用機器手臂11A搬送到在帶貼附位置上的保持平台37。
如第6圖所示，保持平台37係推上高於下殼體33B之頂部(接合部)70的複數根支持銷71而接收晶圓W。接收到晶圓W的支持銷71下降，該晶圓W以保持平台37之保持面吸附保持。此時，晶圓W的表面在低於接合部70的位置。
如第7圖所示，使貼附單元5移動到貼附開始端。一面保持黏著帶PT的供應與捲取的同步，一面從剝離構件20推出黏著帶PT僅預定長度。使貼附輥22下降，將黏著帶PT之前端貼附於下殼體33B之接合部70上。其後，一面使貼附單元5移動，一面將黏著帶PT逐漸貼附於該接合部70之全面上。此時，晶圓W的表面與黏著帶PT的黏著面係以預先決定的間隙接近對向。
貼附單元5在從貼附終端側的接合部70超過預定距離的位置停止。切斷單元23動作，如第8圖及第9圖所示，刀具26於寬度方向切斷黏著帶PT的後端側。再者，第7圖、第8圖及後述的第13圖係使記載於左側的下殼體33B旋轉90度而記載，以便容易理解貼附單元5的帶貼附動作。
如第10圖及第11圖所示，使旋轉驅動機34動作而使下殼體33B旋轉移動到上殼體33A的下方。此時，安裝於旋轉臂36另一端側的下殼體33C移動到帶貼附位置。
使上殼體33A下降，和下殼體33B夾住黏著帶PT而形成腔室7。
控制部60使加熱器49動作，從下殼體33B側
加熱黏著帶PT，並且在關閉電磁閥53、54、56的狀態，使真空裝置51動作，將上殼體33A內與下殼體33B內減壓。此時，調整電磁閥52的開度，以便兩殼體33A、33B內以相同的速度逐漸減壓。
將兩殼體33A、33B內減壓到預定的氣壓，控制部60就關閉電磁閥52，並且停止真空裝置51的動作。
控制部60調整電磁閥56的開度，一面使其洩漏，一面將上殼體33A內徐徐地提高到預定的氣壓。此時，下殼體33B內的氣壓低於上殼體33A內的氣壓，利用其差壓，將黏著帶PT從其中心逐漸拉入下殼體33B內，從接近配備的晶圓W中心向外周徐徐地貼附。
上殼體33A內到達預先設定的氣壓，控制部60就調整電磁閥54的開度，使下殼體33B內的氣壓和上殼體33A內的氣壓相同。隨著此氣壓調整，使保持平台37上升而使下殼體33B之接合部70的表面和晶圓W的上面成為相同的高度。
如第13圖所示，使由加熱器63加熱的加壓構件61下降到預先決定的高度。將黏著帶PT之全面邊加熱預定時間邊加壓。此高度係依照黏著帶PT的厚度、晶圓W上凸塊的高度等，預先設定於包含該凸塊在內的電路不破損的高度。
加壓處理完畢，控制部60就使上殼體33A上升而將上殼體33A內進行大氣開放，並且使電磁閥54全開而下殼體33B側也進行大氣開放。
再者，於在腔室7內將黏著帶PT貼附於晶圓W
上之間，一面以下殼體33C內的保持平台37吸附保持由機器手臂11B從片匣C2搬出的晶圓W，一面將黏著帶PT貼附於該下殼體33C之接合部70上。
在腔室7內的黏著帶PT貼附於晶圓W上的處理與加壓處理、及貼附單元5的黏著帶PT貼附於下殼體33C上的處理完畢，就如第14圖所示，使旋轉臂36反轉。即，使一方的下殼體33B移動到貼附單元5側的帶貼附位置，使另一方的下殼體33C移動到上殼體33A下方的接合位置。
使帶切斷機構6動作，如第15圖所示，使刀具單元30下降到預定高度，將刀具31刺入晶圓W與下殼體33B之間的黏著帶PT。在該狀態，沿著晶圓W的外周切斷黏著帶PT。此時，黏著帶PT的表面被保持於水平。黏著帶PT的切斷完畢，刀具單元30就上升，回到待命位置。
使剝離單元9移動到剝離開始位置。如第16圖所示，利用固定支承片66和可動片68夾住從下殼體33B露出的黏著帶PT之兩端側。如第17圖所示，在該狀態使其向斜上方移動預定距離後，一面使其水平移動，一面逐漸剝離切成晶圓形狀的黏著帶PT。
剝離單元9到達帶回收部10，就解除黏著帶PT的把持，使黏著帶PT落下到回收容器69內。
貼附有黏著帶PT的晶圓W利用機器手臂11A，使其收納於片匣C1的原來位置。
再者，在進行下殼體33B側的黏著帶PT切斷及剝離處理之間，進行下殼體33C側的黏著帶PT貼附於
晶圓W上的處理。以上，黏著帶PT貼附於晶圓W上的一輪動作結束，以後，反覆進行相同的處理。
藉由上述實施例裝置，由於將黏著帶PT之前端側在自由狀態貼附於下殼體33B、33C之接合部70上，所以可在抑制往貼附方向施加張力的狀態貼附黏著帶PT。因此，藉由使差壓作用於無張力偏倚的黏著帶PT，可使放射狀均勻的張力作用於該黏著帶PT。因此，可不使皺紋等產生而將黏著帶PT貼附於晶圓W的表面上。
此外，由於不像利用貼附輥等貼附構件時那樣過量的按壓作用於晶圓W，所以可不使包含凸塊等在內的電路破損而將黏著帶PT貼附於晶圓W上。
可以利用減壓作用使氣泡從晶圓W的凹部脫氣，並且也可以使黏著劑跟著密接於該晶圓W表面的凹凸形狀。
利用腔室7的差壓在貼附於晶圓W上的黏著帶PT表面上因凸塊等的影響而形成有凹凸的情況，藉由選擇進行加壓處理，可賦予可只將黏著帶PT的表面平坦化程度的加壓。因此，不會因該加壓處理而使晶圓W的電路破損。
由於構成黏著帶PT的基材表面為平坦，所以可抑制背面研磨後晶圓厚度的偏差。即，不管黏著帶PT的特性或晶圓W之電路形成面的狀態如何，都可將黏著帶PT的表面平坦化。
再者，於在腔室7內進行黏著帶PT貼附於晶圓W上的處理及加壓處理之間，可平行地同時進行黏著
帶PT貼附於另一方的下殼體的處理或帶切斷及帶剝離處理。因此，可縮短生產節拍時間(tact time)。
再者，本發明也可以用如下的形態實施：
(1)在上述實施例中，係以貼附表面保護用的黏著帶PT的情況為例而進行了說明，但可以也適用於遍及電路形成於表背面的晶圓W與環狀框架而貼附於支持用的黏著帶(切割帶)上的情況。因此，在和上述實施例裝置相同的構造上只是附上相同的符號，就不同的構造部分進行詳細敘述。
如第18圖及第19圖所示，該黏著帶貼附裝置再具備框架供應部75、機器手臂76、框架保持平台77及切斷單元78。
框架供應部75設置於片匣C1的旁邊。於該空間連結層積收納有環狀框架f的台車式搬送車79。該搬送車79於其內部具備升降台。在該升降台上層積有環狀框架f，構成為一面以預定間距升降，一面從上方的開口一片一片地將環狀框架f交接給機器手臂76。
機器手臂76以呈馬蹄形的保持部吸附保持環狀框架f的上面而搬送。
框架保持平台77為包圍下殼體33B、33C外周的環狀，設置於旋轉臂36上。因此，和下殼體33B、33C成為一體而旋轉。於該框架保持平台77上載置有環狀框架f時，將高度設定成下殼體33B、33C之接合面和環狀框架f之面成為齊平面。
切斷單元78配備於使上殼體33A升降的升降
驅動機構40。即，具備經由第20圖所示的軸承79而繞支軸46旋轉的凸起部80。在此凸起部80上，於中心具備延伸於徑向的四根支持臂81至84。
水平軸支有圓板形刀具85的刀具托座可上下移動地安裝於一方的支持臂81之前端，並且按壓輥87經由搖動臂88而可上下移動地安裝於其他的支持臂82至84之前端。
於凸起部80之上部具有連結部89，於此連結部89和配備於臂45的馬達90之旋轉軸驅動連結。
茲就利用以下的該實施例裝置將黏著帶DT貼附於環狀框架f與晶圓W上的一輪動作進行說明。
在利用機器手臂11A從片匣C1搬出晶圓W並在對準平台3上進行對位之間，利用機器手臂76搬出環狀框架f並載置於在帶貼附位置的框架保持平台77上。
對位完畢的晶圓W利用機器手臂11A交接給保持平台37，就如第21圖所示，利用貼附單元5遍及環狀框架f與下殼體33B之接合部70貼附黏著帶DT。此時，晶圓W的表面與黏著帶DT的黏著面係以預先決定的間隙接近對向。再者，第21圖係使記載於左側的下殼體33B側旋轉90度而記載，以便容易理解貼附單元5的帶貼附動作。
貼附單元5到達貼附終端位置，就利用切斷單元23切斷黏著帶DT。此時，切斷後的黏著帶DT之後端從環狀框架f露出預定長度。
使旋轉驅動機34動作而使下殼體33B旋轉移動到上殼體33A的下方。此時，安裝於旋轉臂36另一端側
的下殼體33C移動到帶貼附位置。
如第22圖所示，使上殼體33A下降，和下殼體33B夾住黏著帶DT而形成腔室7。
控制部60調整上殼體33A與下殼體33B之兩空間的氣壓而將黏著帶DT貼附於晶圓W上。其後，使下殼體33B內的氣壓和上殼體33A內的氣壓相同。隨著此氣壓調整，使保持平台37上升而使環狀框架f的表面和晶圓W的上面成為相同的高度。
如第23圖所示，使由加熱器63加熱的加壓構件61下降到預先決定的高度，將黏著帶PT之全面邊加熱預定時間邊加壓。此高度係依照黏著帶PT的厚度、晶圓W上凸塊的高度等，設定於包含該凸塊在內的電路不破損的高度。
再者，於在腔室7內進行黏著帶DT的貼附處理及加壓處理之間，切斷單元78動作。此時，刀具85將貼附於環狀框架f上的黏著帶DT切斷成環狀框架f的形狀，並且按壓輥87跟著刀具85，一面在環狀框架f上的帶切斷部位轉動，一面逐漸按壓。即，利用下降的上殼體33A與下殼體33B構成腔室7時，切斷單元78之刀具85與按壓輥87也到達切斷作用位置。
加壓處理完畢，如第24圖所示，控制部60就使上殼體33A上升而將上殼體33A內進行大氣開放，並且使電磁閥54全開而下殼體33B側也進行大氣開放。
再者，於在腔室7內將黏著帶PT貼附於晶圓W上之間，利用機器手臂11A、76將晶圓W與環狀框架f載
置於在帶貼附位置的下殼體33C與框架保持平台77上，進行黏著帶DT的貼附處理。
在腔室7內的黏著帶貼附於晶圓W上的處理與加壓處理、及貼附單元5的黏著帶PT貼附於下殼體33C上的處理完畢，就使旋轉臂36反轉。
使剝離單元9移動到剝離開始位置。如第25圖所示，利用固定支承片66和可動片68夾住從環狀框架f露出的黏著帶DT之兩端側。在該狀態向斜上方使其移動預定距離後，一面使其水平移動，一面逐漸剝離切成晶圓形狀的黏著帶PT。
剝離單元9到達帶回收部10，就解除黏著帶PT的把持，使黏著帶PT落下到回收容器69內。
再者，下殼體33B側的黏著帶DT的剝離處理及剝離處理完畢，在進行一體製成有晶圓W與環狀框架f的安裝框架搬出之間，進行下殼體33C側的黏著帶PT貼附於晶圓上的處理、加壓處理及切斷處理。以上，黏著帶T的一輪貼附於晶圓W上的動作結束，以後，反覆進行相同的處理。
藉由該實施例裝置，則即使是在晶圓W的兩面形成有電路的情況，也有效地起作用。即，可將產生於支持用的黏著帶DT之基材面上的凹凸利用加壓機構平坦化。因此，可在將晶圓W保持於平坦的狀態下精度良好地進行切割處理。
再者，在該實施例裝置方面，也可以是和主要實施例同樣，將切斷單元78設置於貼附單元5配備的帶
貼附位置側的構造。
(2)在上述兩實施例裝置方面，雖然是具備兩台下殼體33B、33C的構造，但也可以是一台。此情況，和上述實施例同樣，下殼體可以利用旋轉臂36使其旋轉移動，也可以構成為沿著直線軌道而使其滑動。
(3)在上述實施例中，雖然是在保持平台37與加壓構件61兩方具備加熱器49、63的構造，但也可以是具備於任一方的構造。
(4)在上述實施例中，雖然是在片匣C1、C2內收納相同的晶圓W，但也可以將形成有不同電路的晶圓W分開收納於各個片匣C1、C2內。例如，將電路形成面的凹凸小的晶圓W與凹凸大的晶圓W分開收納於片匣內。黏著帶PT及黏著帶DT在兩晶圓W上利用相同的黏著帶。
此情況，在腔室7內利用差壓將基材堅硬的黏著帶(例如聚對苯二甲酸乙二酯基材)貼附於晶圓W上時，會在貼附於表面凹凸大的晶圓W上的黏著帶表面產生凹凸。在貼附於凹凸小的晶圓上的黏著帶表面則不產生凹凸。
因此，對於會在黏著帶表面產生凹凸的晶圓W，可在腔室7內進行加壓處理，對於不會在黏著帶表面產生凹凸的晶圓W，可僅進行利用差壓的帶貼附處理。換言之，可用一台裝置進行黏著帶貼附於不同種類的晶圓W上。
此外，也可以在利用差壓的黏著帶貼附處理
後，以感測器測定黏著帶表面的平坦度，依照有無凹凸而進行加壓處理。
本發明可不脫離其思想或本質而用其他的具體形態實施，因此作為顯示發明的範圍者，應參照所附加的申請專利範圍，而非以上的說明。
5‧‧‧貼附單元
7‧‧‧腔室
23‧‧‧切斷單元
33A‧‧‧上殼體
33B‧‧‧下殼體
33C‧‧‧下殼體
36‧‧‧旋轉臂
37‧‧‧保持平台
61‧‧‧加壓構件
63‧‧‧加熱器
70‧‧‧接合部
s‧‧‧隔片
PT‧‧‧黏著帶
W‧‧‧晶圓
Claims (15)
- 一種黏著帶貼附方法，係將黏著帶貼附於半導體晶圓之電路形成面上，前述方法包含以下的過程：第1貼附過程，係在將半導體晶圓載置保持在既收納於構成腔室的一對殼體其中一者之保持平台後，於該殼體的接合部上貼附大於該殼體內徑的前述黏著帶；第2貼附過程，係於夾住前述黏著帶而接合一對殼體後，一面將與該黏著帶之黏著面接近地對向配置的前述半導體晶圓側的空間的氣壓降得比另一者的空間之氣壓還低，一面將該黏著帶貼附於半導體晶圓上；及加壓過程，係將貼附於前述半導體晶圓之電路形成面上的黏著帶表面利用加壓構件之扁平面加壓而平坦化；於貼附該黏著帶後，在是黏著帶表面會產生凹凸那樣的半導體晶圓的電路狀態及黏著帶的特性之情況，選擇性地進行加壓過程的加壓處理。
- 如申請專利範圍第1項之黏著帶貼附方法，其中前述第1貼附過程係從由剝離構件折回並從隔片剝離而推出的黏著帶前端側，一面以貼附構件按壓，一面貼附於殼體之接合部上。
- 如申請專利範圍第1或2項之黏著帶貼附方法，其中前述加壓過程係一面利用加熱器加熱黏著帶，一面加壓。
- 如申請專利範圍第1或2項之黏著帶貼附方法，其中前述加壓過程係在將腔室內維持於減壓狀態下，加壓黏 著帶。
- 如申請專利範圍第4項之黏著帶貼附方法，其中前述加壓過程係在解除了兩殼體接合的大氣狀態下，加壓黏著帶。
- 一種黏著帶貼附裝置，係將表面保護用的黏著帶貼附於半導體晶圓之電路形成面上，前述裝置包含以下的構造：保持平台，其係保持前述半導體晶圓；腔室，其係由收納前述保持平台的一對殼體構成；帶供應部，其係供應大於前述殼體之內徑的前述黏著帶；帶貼附機構，其係在前述殼體之一者的接合部上貼附黏著帶；加壓機構，其係使藉由被一對前述殼體的接合部夾住的黏著帶所分隔的腔室內的兩個空間產生差壓，利用配備於該腔室內的加壓構件之扁平面加壓被貼附於半導體晶圓上的黏著帶表面；切斷機構，其係沿著前述半導體晶圓的外形而切斷黏著帶；剝離機構，其係剝離已切成前述半導體晶圓形狀的黏著帶；及帶回收部，其係回收剝離後的前述黏著帶，前述加壓機構係構成為：在藉由差壓將黏著帶貼附於前述半導體晶圓後，在是黏著帶表面會產生凹凸那樣的半導體晶圓的電路狀態及黏著帶的特性之情況 ，藉由前述加壓構件加壓黏著帶。
- 如申請專利範圍第6項之黏著帶貼附裝置，其中前述帶貼附機構具備：剝離構件，其係從隔片將黏著帶剝離並推出；貼附輥，其係按壓從前述剝離構件推出的黏著帶前端；及切斷機構，其係在貼附終端位置切斷黏著帶的後端。
- 如申請專利範圍第6或7項之黏著帶貼附裝置，其中具備移動機構，其係一面將貼附有前述黏著帶的半導體晶圓保持於保持平台上，一面和收納有該保持平台的殼體成為一體，在遍及帶貼附位置與帶切斷位置之範圍移動。
- 如申請專利範圍第8項之黏著帶貼附裝置，其中前述移動機構具備：旋轉驅動機；及臂，其係連結固定於前述旋轉驅動機之旋轉軸上；在前述臂之至少一端上具有收納前述保持平台的殼體。
- 如申請專利範圍第6項之黏著帶貼附裝置，其中在前述保持平台及加壓構件之至少一方具備加熱器。
- 一種黏著帶貼附裝置，係遍及半導體晶圓與環狀框架而貼附支持用的黏著帶，前述裝置包含以下的構造：晶圓保持平台，其係保持前述半導體晶圓；腔室，其係由收納前述晶圓保持平台的一對殼體 構成；框架保持平台，其係包圍前述腔室外周並保持前述環狀框架；帶供應部，其係供應前述黏著帶；帶貼附機構，其係在前述環狀框架與前述殼體之一者的接合部上貼附黏著帶；加壓機構，其係使藉由被一對前述殼體的接合部夾住的黏著帶所分隔的腔室內的兩個空間產生差壓，利用配備於該腔室內的加壓構件之扁平面加壓被貼附於半導體晶圓上的黏著帶表面；切斷機構，其係在前述環狀框架上切斷黏著帶；剝離機構，其係剝離切斷後的前述黏著帶；及帶回收部，其係回收剝離後的前述黏著帶，前述加壓機構係構成為：在藉由差壓將黏著帶貼附於前述半導體晶圓後，在是黏著帶表面會產生凹凸那樣的半導體晶圓的電路狀態及黏著帶的特性之情況，藉由前述加壓構件加壓黏著帶。
- 如申請專利範圍第11項之黏著帶貼附裝置，其中前述帶貼附機構具備：剝離構件，其係從隔片將黏著帶剝離並推出；貼附輥，其係按壓從前述剝離構件推出的黏著帶前端；及切斷機構，其係在貼附終端位置切斷黏著帶的後端。
- 如申請專利範圍第11或12項之黏著帶貼附裝置，其中具備移動機構，其係一面將貼附有前述黏著帶的半導 體晶圓保持於晶圓保持平台上，一面使收納有該晶圓保持平台的殼體和框架保持平台成為一體，在遍及帶貼附位置與帶切斷位置之範圍移動。
- 如申請專利範圍第13項之黏著帶貼附裝置，其中前述移動機構具備：旋轉驅動機；及臂，其係連結固定於前述旋轉驅動機之旋轉軸上；在前述臂之至少一端上具有收納前述晶圓保持平台的殼體與框架保持平台。
- 如申請專利範圍第11項之黏著帶貼附裝置，其中在前述晶圓保持平台及加壓構件之至少一者具備加熱器。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012191757A JP5797623B2 (ja) | 2012-08-31 | 2012-08-31 | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201413808A TW201413808A (zh) | 2014-04-01 |
| TWI600073B true TWI600073B (zh) | 2017-09-21 |
Family
ID=50318443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102130725A TWI600073B (zh) | 2012-08-31 | 2013-08-28 | 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5797623B2 (zh) |
| KR (1) | KR102146999B1 (zh) |
| CN (1) | CN103681228B (zh) |
| TW (1) | TWI600073B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017050388A (ja) | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 日東電工株式会社 | 保護テープ貼付け方法および保護テープ貼付け装置 |
| CN108470692B (zh) * | 2017-02-23 | 2023-08-18 | 日东电工株式会社 | 粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置 |
| JP6918563B2 (ja) * | 2017-02-23 | 2021-08-11 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 |
| JP6999322B2 (ja) * | 2017-07-31 | 2022-01-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの研削方法 |
| DE112018007519T5 (de) * | 2018-04-24 | 2021-01-14 | Disco Hi-Tec Europe Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen eines Schutzbandes auf einem Halbleiterwafer |
| JP7109244B2 (ja) * | 2018-04-25 | 2022-07-29 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ搬送方法および粘着テープ搬送装置 |
| CN110610888B (zh) * | 2019-09-27 | 2023-06-16 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种晶圆自动贴合固定装置 |
| CN111489988A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-08-04 | 南通通富微电子有限公司 | 一种晶圆转帖设备 |
| CN112687599B (zh) * | 2020-12-24 | 2023-08-04 | 宁波凯驰胶带有限公司 | 一种芯片切割用平带及其安装结构 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4371890B2 (ja) * | 2004-04-14 | 2009-11-25 | リンテック株式会社 | 貼付装置及び貼付方法 |
| JP2006187862A (ja) * | 2006-03-07 | 2006-07-20 | Lintec Corp | 切断装置及び切断方法 |
| JP2008066684A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Takatori Corp | ダイシングフレームへの基板のマウント装置 |
| JP4773419B2 (ja) * | 2007-12-20 | 2011-09-14 | リンテック株式会社 | シート貼付装置及び貼付方法 |
| JP2009194064A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Takatori Corp | 基板への接着フィルム貼付け装置及び貼付け方法 |
| JP5216472B2 (ja) | 2008-08-12 | 2013-06-19 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの保護テープ貼付け方法およびその装置 |
| JP2010141254A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理装置 |
| JP5417131B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2014-02-12 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ貼付け装置および粘着テープ貼付け方法 |
| JP5626782B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2014-11-19 | リンテック株式会社 | シート貼付装置 |
-
2012
- 2012-08-31 JP JP2012191757A patent/JP5797623B2/ja active Active
-
2013
- 2013-08-28 TW TW102130725A patent/TWI600073B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-08-29 CN CN201310385311.XA patent/CN103681228B/zh active Active
- 2013-08-30 KR KR1020130103619A patent/KR102146999B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140029312A (ko) | 2014-03-10 |
| KR102146999B1 (ko) | 2020-08-21 |
| CN103681228B (zh) | 2017-11-03 |
| JP2014049626A (ja) | 2014-03-17 |
| CN103681228A (zh) | 2014-03-26 |
| TW201413808A (zh) | 2014-04-01 |
| JP5797623B2 (ja) | 2015-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI600073B (zh) | 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置 | |
| TWI639671B (zh) | 黏著帶貼付方法及黏著帶貼付裝置 | |
| TWI446471B (zh) | 對半導體晶圓黏貼黏著帶之方法、自半導體晶圓剝離保護帶之方法及使用此等方法之裝置 | |
| WO2010026909A1 (ja) | マウント装置及びマウント方法 | |
| KR102157458B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 마운트 방법 및 반도체 웨이퍼의 마운트 장치 | |
| JP2009246067A (ja) | 基板への加熱接着テープの貼り付け方法及び貼り付け装置 | |
| JP7188705B2 (ja) | 半導体ウエハへの保護テープの貼付装置及び貼付方法 | |
| TW201717312A (zh) | 保護帶貼附方法 | |
| TW201714236A (zh) | 保護帶貼附方法及保護帶貼附裝置 | |
| JP6298381B2 (ja) | 基板貼合せ方法および基板貼合せ装置 | |
| JP7240440B2 (ja) | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 | |
| KR20210003139A (ko) | 반도체 웨이퍼의 보호 테이프 부착장치 및 부착방법 | |
| CN115410952A (zh) | 加工装置 | |
| TW202147506A (zh) | 黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法 | |
| JP6933788B2 (ja) | 基板への接着テープ貼り付け装置及び貼り付け方法 | |
| JP2019192776A (ja) | 粘着テープ搬送方法および粘着テープ搬送装置 | |
| CN108470692B (zh) | 粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置 | |
| TW201721790A (zh) | 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置 | |
| CN113782478A (zh) | 粘合片粘贴方法、粘合片粘贴装置和半导体产品的制造方法 | |
| TW202109703A (zh) | 薄片材貼附方法及薄片材貼附裝置 | |
| JP2021197544A (ja) | 粘着シート貼付け方法、粘着シート貼付け装置、および半導体製品の製造方法 | |
| CN115910843A (zh) | 加工装置 | |
| CN115430928A (zh) | 加工方法和加工装置 | |
| CN112992761A (zh) | 片状粘合材料剥离装置 | |
| CN114628282A (zh) | 加工装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |