TWI598641B - 紅外線截止濾光片及攝影裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種紅外線截止濾光片以及一種使用此紅外線截止濾光片的攝影裝置。
在數位相機等攝影裝置上通常配備有CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或是CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補式金屬氧化物半導體)等半導體固態攝影元件。由於這些固態攝影元件的靈敏度橫跨可見光區與紅外線區，因此，會在這些攝影裝置的攝影鏡頭與固態攝影元件之間設置紅外線截止濾光片，以阻隔紅外線。藉由設置紅外線截止濾光片，可調整固態攝影元件的靈敏度，使其趨近於人類的視感度(luminosity factor)。
在習知技術中，這類紅外線截止濾光片較廣為人知的形態為樹脂製的基板上形成紅外線反射層的類型(例如可參照專利文獻1)。其中，紅外線反射層是由電介質多層膜所形成。
專利文獻1：日本專利公開2005-338395號公報。
然而，因為電介質多層膜所形成的紅外線反射層，其紅外線阻隔特性通常具有入射角相依性，會隨入射角不同而產生變化，故將穿透上述紅外線反射層的光拍攝下來的時候，影像的中央與周圍之間可能會產生色調不同的現象。
又，由於紅外線截止濾光片係設置在固態攝影元件的前方，故紅外線截止濾光片需具備較高的耐刮傷性及耐環境性。
有鑑於上述課題，本發明的目的在於提供一種紅外線截止濾光片及應用此紅外線截止濾光片的攝影裝置。此紅外線截止濾光片不僅
入射角相依性低且具有良好的紅外線阻斷特性，同時還具備更高的耐刮傷性及耐環境性。
為達上述目的，依據本發明之一種紅外線截止濾光片係包含一透明電介質基板、一紅外線反射層以及一紅外線吸收層。紅外線反射層係形成於透明電介質基板的一側面上並反射紅外線。紅外線吸收層係形成於透明電介質基板的另一側面上並吸收紅外線，紅外線吸收層係將紅外線吸收色素附含於一基質而形成，此基質係以溶膠凝膠法製成的矽氧化物作為主要成分。
在一實施例中，紅外線反射層係由電介質多層膜形成。
在一實施例中，當紅外線反射層中穿透率為50%的波長係令為λRT50%nm，紅外線吸收層中穿透率為50%的波長係令為λAT50%nm時，紅外線反射層與紅外線吸收層係滿足λAT50%<λRT50%的條件。
在一實施例中，紅外線反射層及紅外線吸收層還滿足λAT50%-λRT50%≦-10nm的條件。
在一實施例中，紅外線反射層及紅外線吸收層還滿足λAT50%-λRT50%≦-20nm的條件。
在一實施例中，紅外線反射層及紅外線吸收層還滿足λAT50%-λRT50%≦-30nm的條件。
在一實施例中，紅外線反射層及紅外線吸收層還滿足-50nm≦λAT50%-λRT50%的條件。
在一實施例中，紅外線吸收層的原料係包含苯基三乙氧基矽烷與四乙氧基矽烷的混合物，苯基三乙氧基矽烷與四乙氧基矽烷的混合比例係介於50：50至80：20之間。
在一實施例中，透明電介質基板係由玻璃形成，紅外線反射層係反射紫外線。
在一實施例中，紅外線吸收層上還具備防止可見光反射的反射防止層，反射防止層具有防止紫外線穿透的功能。
在一實施例中，紅外線反射層的一側面係以凸面的方式彎曲，紅外線反射層的另一側面與透明電介質基板相鄰，紅外線反射層的一側面與紅外線反射層的另一側面相對。
在另一實施態樣中，本發明的一種攝影裝置係包含上述的紅外線截止濾光片以及一攝影元件，穿透上述紅外線截止濾光片的光係入射至此攝影元件。
又，值得一提的是，不論是將以上構成要素做任意地組合，或者是將本發明的表現形式在方法、裝置、系統等之間做變換後的態樣，同樣應視為本發明的實施態樣。
藉由上述構成，本發明提供一種紅外線截止濾光片及應用此紅外線截止濾光片的攝影裝置。此紅外線截止濾光片不僅入射角相依性低且具有良好的紅外線阻斷特性，同時還具備更高的耐刮傷性及耐環境性。
10‧‧‧紅外線截止濾光片
12‧‧‧透明電介質基板
14‧‧‧紅外線反射層
16‧‧‧紅外線吸收層
18‧‧‧反射防止層
100‧‧‧攝影裝置
102‧‧‧攝影鏡頭
104‧‧‧攝影元件
圖1為說明本發明一實施態樣之紅外線截止濾光片其結構的剖面圖。
圖2為溶膠凝膠法原料與色素的溶解性示意圖。
圖3為第1比較例中由電介質多層膜所構成之紅外線反射層其分光穿透率曲線一例的示意圖。
圖4為第2比較例中由紅外線吸收層所構成之分光穿透率曲線一例的示意圖。
圖5為一實施態樣中紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線一例的示意圖。
圖6為苯基三乙氧基矽烷與四乙氧基矽烷的混合比例以及水解所需之水添加量的研討結果示意圖。
圖7為第1~3實施例中所使用之紅外線吸收層其組成的示意圖。
圖8為第1~3實施例中僅形成紅外線吸收層之紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖9(a)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=60nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率的示意圖。
圖9(b)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=50nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率的示意圖。
圖9(c)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=40nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖9(d)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=30nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖9(e)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=20nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖9(f)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=10nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖9(g)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=0nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖9(h)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=-10nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖9(i)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=-20nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖9(j)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=-30nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖9(k)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=-40nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖9(l)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=-50nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖9(m)為第1實施例中λAT50%-λRT50%=-60nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖10(a)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=60nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率的示意圖。
圖10(b)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=50nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率的示意圖。
圖10(c)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=40nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖10(d)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=30nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖10(e)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=20nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖10(f)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=10nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖10(g)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=0nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖10(h)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=-10nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖10(i)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=-20nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖10(j)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=-30nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖10(k)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=-40nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖10(l)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=-50nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖10(m)為第2實施例中λAT50%-λRT50%=-60nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖11(a)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=60nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率的示意圖。
圖11(b)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=50nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率的示意圖。
圖11(c)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=40nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖11(d)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=30nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖11(e)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=20nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖11(f)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=10nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖11(g)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=0nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖11(h)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=-10nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖11(i)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=-20nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖11(j)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=-30nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖11(k)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=-40nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖11(l)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=-50nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖11(m)為第3實施例中λAT50%-λRT50%=-60nm時紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線的示意圖。
圖12為整合圖9(a)~(m)所示之分光穿透率曲線其主要參數之表的示意圖。
圖13為整合圖10(a)~(m)所示之分光穿透率曲線其主要參數之表的示意圖。
圖14為整合圖11(a)~(m)所示之分光穿透率曲線其主要參數之表的示意圖。
圖15(a)為表示第1實施例中，紅外線吸收層之截止波長與紅外線反射層之截止波長的差同分光穿透率曲線其過渡區域之陡度的關係圖。
圖15(b)為表示第1實施例中，紅外線吸收層之截止波長與紅外線反射層之截止波長的差同入射角從0°變成35°時截止波長其偏移量的關係圖。
圖16(a)為表示第2實施例中，紅外線吸收層之截止波長與紅外線反射層之截止波長的差同分光穿透率曲線其過渡區域之陡度的關係圖。
圖16(b)為表示第2實施例中，紅外線吸收層之截止波長與紅外線反射層之截止波長的差同入射角從0°變成35°時截止波長其偏移量的關係圖。
圖17(a)為表示第3實施例中，紅外線吸收層之截止波長與紅外線反射層之截止波長的差同分光穿透率曲線其過渡區域之陡度的關係圖。
圖17(b)為表示第3實施例中，紅外線吸收層之截止波長與紅外線反射層之截止波長的差同入射角從0°變成35°時截止波長其偏移量的關係圖。
圖18為本發明另一實施態樣之紅外線截止濾光片的示意圖。
圖19為本發明又一實施態樣之紅外線截止濾光片的示意圖。
圖20為使用本發明實施態樣中紅外線截止濾光片之攝影裝置的說明圖。
圖1為說明本發明一實施態樣之紅外線截止濾光片10其結構的剖面圖。如圖1所示，紅外線截止濾光片10係包含透明電介質基板12、紅外線反射層14以及紅外線吸收層16。紅外線反射層14形成於透明電介質基板12的其中一面上，紅外線吸收層16形成於透明電介質基板12的其中另一面上。
圖1所示之紅外線截止濾光片10係例如於數位照相機中，被設置在攝影鏡頭與攝影元件之間。在紅外線截止濾光片10中，光線係由紅外線反射層14入射，並從紅外線吸收層16射出。也就是說，在實際的裝設情況下，紅外線反射層14係與攝影鏡頭相對設置，紅外線吸收層16則與攝影元件相對設置。
透明電介質基板12可例如為厚度介於0.1mm至0.3mm左右的板狀體。其中，構成透明電介質基板12的材料只要能令可見光穿透即可，並沒有其它特別的限制，例如可以是玻璃。又，由於使用玻璃製成的玻璃基板價格低廉，因此從成本方面來看相當理想。或者在其它態樣中，透明電介質基板12亦可使用PMMA(Polymethylmethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(Polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、PC(Polycarbonate，聚碳酸酯)或PI(Polyimide，聚醯亞胺)等合成樹脂薄膜或合成樹脂基板。
如上所述，紅外線反射層14係形成於透明電介質基板12的其中一面上，並用以作為光的入射面。又，紅外線反射層14能讓可見光穿透並反射紅外線，同時，紅外線反射層14亦可由電介質多層膜形成，其中電介質多層膜係由具有不同折射率的多層電介質經層積後形成。經由控制電介質多層膜之各層的折射率及各層的厚度，將可自由地設計電介質多層膜的分光穿透率特性等光學特性。舉例來說，紅外線反射層14可由折射率不同的二氧化鈦(TiO2)層和二氧化矽(SiO2)層交替地蒸鍍在透明電介質基板12而形成。電介質多層膜的材料除了TiO2和SiO2之外，亦可使用
MgF2、Al2O3、MgO、ZrO2、Nb2O5、Ta2O5等電介質。
紅外線吸收層16係如上所述，形成在透明電介質基板12的其中另一面上，並用以作為光的出射面。又，紅外線吸收層16能讓可見光穿透並吸收紅外線。由於入射到紅外線截止濾光片10的光在穿透紅外線反射層14及透明電介質基板12後會入射到紅外線吸收層16，故紅外線吸收層16會吸收紅外線反射層14及透明電介質基板12未阻斷的紅外線。
在本實施態樣的紅外線截止濾光片10之中，紅外線吸收層16係由基質以及紅外線吸收色素所形成，其中，基質係以溶膠凝膠法所製成的矽氧化物(silica)作為主要成分。又，習知技術常見的紅外線吸收薄膜大多是將紅外線吸收色素附含於樹脂基質(resin matrix)而形成，紅外線吸收色素係由酞花青基(phthalocyanine)化合物、花青基(cyanine)化合物或二亞胺(diimonium)化合物等有機化合物所構成，樹脂基質的材料係為聚酯、聚丙烯酸酯、聚烯烴、聚乙烯醇縮丁醛或聚碳酸酯等透明電介質。然而，出於有機樹脂本身的物理性質，習知技術中的有機樹脂基質通常有硬度較低且耐刮傷性不佳的問題，因此在實際使用時，必須在這類樹脂基質的表面上層積形成硬質薄膜等保護層。
於此，為解決上述問題，本實施形態的紅外線截止濾光片10其紅外線吸收層16係採用以溶膠凝膠法製成之矽氧化物作為主要成分的基質。接下來，將對採用上述以溶膠凝膠法製成之矽氧化物作為主要成分之基質的紅外線吸收層16所帶來的功效加以說明。
首先，第一點在於，可獲得高硬度的紅外線吸收層16。在習知技術中，通常會將酞花青基化合物、花青基化合物或二亞胺化合物等有機化合物所構成之紅外線吸收色素加入至含有有機基質的結合劑(binder)之中，以使紅外線吸收色素附含於基質。然而，出於有機基質本身的物理性質，習知技術中的有機基質通常具有硬度較低且耐刮傷性不佳的問題，因此在實際使用時，必須在這類基質的表面層積形成硬質的保護層。
在本實施態樣中，由於紅外線吸收層16係由稱為有機-無機混成材料(Organic-Inorganic Hybrid Materials)之矽氧化物作為主要成分的基質所形成，因此應用在對硬度有所要求的技術領域時將不會產生任何
問題，不僅克服物理性質上的缺陷，同時也不必再為了保護紅外線吸收層16而在其表面層積形成硬質薄膜，因而也帶來了降低製造成本的優點。
其次，第二點在於，可獲得耐環境性有所提升的紅外線吸收層16。因為本實施態樣中的紅外線吸收層16係透過以矽氧化物作為主要成分的基質所形成，因此，相較於習知技術之由有機結合劑構成的紅外線吸收薄膜，本實施態樣的紅外線吸收層16對於濕氣的阻氣性不僅有所提升，同時還能夠更有效地防止由有機化合物形成之附含於基質的紅外線吸收色素受到來自周遭環境的惡性影響。
再者，第三點在於，紅外線吸收層16對玻璃等材質之基板的附著力將更加穩固。在習知技術中，欲將一般常用之由樹脂結合劑構成的紅外線吸收薄膜層積形成於作為無機物的玻璃基板上時，實際上仍然必須先經過在玻璃基板上塗佈一層矽烷耦合劑的初步處理。若不進行此初步處理，則在周遭環境較為嚴苛時，紅外線吸收薄膜將可能從玻璃基板剝落。由於本實施態樣的紅外線吸收層16係使用以矽氧化物作為主要成分的基質，因此，紅外線吸收層16對屬於同類之玻璃基板的附著性將能夠有所提升。
接下來，進一步說明以溶膠凝膠法形成矽氧化物薄膜所需的材料以及此矽氧化物薄膜所帶來的功效。
首先，對矽氧化物的原料加以說明。在本實施態樣的紅外線截止濾光片10之中，紅外線吸收層16其材料的主要成分為四乙氧基矽烷(TEOS，tetraethoxysilane/化學式：Si(OC2H5)4)，其係藉由溶膠凝膠法來形成紅外線吸收層16的基質。四乙氧基矽烷為後述之烷氧基矽烷(通式：SiR4-m(OCnH2n+1)m，其中R代表官能基，m為介於0~4之間的整數)的其中一種。
一般而言，玻璃是透過熔融法，在超過1500℃的高溫下熔融並冷卻其原料而被製造出來。相較之下，溶膠凝膠法則是一種在低溫條件下製造玻璃或陶瓷的相對較嶄新的方法。詳細而言，溶膠凝膠法係以有機金屬化合物或無機金屬化合物的溶液作為起始原料，透過溶液中化合物的水解反應與聚縮合反應，將有機金屬化合物或無機金屬化合物的溶液轉變為金屬氧化物或金屬氫氧化物之微粒溶解而形成的溶膠，並透過更進一
步的反應使上述溶膠轉變為凝膠而固化，最後再加熱此凝膠以獲得氧化物固體的方法。由於溶膠凝膠法是從溶液中製造出玻璃的方法，因此而能夠在各種材質的基板上製造薄膜，此外，相較於熔融法的玻璃製造溫度，溶膠凝膠法係具有可在較低溫的條件下製造出玻璃的特徵。
接下來，對溶膠凝膠法的製程加以說明，此處係以透過溶膠凝膠法形成矽氧化物的薄膜為例。舉例而言，在以烷氧基矽烷為起始原料的溶膠凝膠法製程之中，烷氧基矽烷將會透過溶液中的水以及觸媒開始進行水解反應與脫水縮合反應，而形成含有低聚物的溶膠，其中此低聚物係由矽氧鍵所構成。接著，將上述溶膠塗佈於基板等材料時，水和觸媒將會揮發，低聚物將會因為被濃縮而使分子量提高，最終失去流動性而轉變為凝膠。剛凝膠化時，網狀結構的空隙間係處於充滿溶劑與水分的狀態。最後，乾燥此凝膠使水分與觸媒揮發後，矽氧烷聚合物將進一步被濃縮而產生固化現象。
一般而言，當烷氧基矽烷以四乙氧基矽烷為例時，烷氧基矽烷與水的水解反應化學式係表示如下：n‧Si(OC2H5)4+4n‧H2O → n‧Si(OH)4+4n‧C2H5OH n‧Si(OH)4 → n‧SiO2+2n‧H2O也就是說，就化學計量而言，在反應系統中，相對於1莫耳的烷氧基矽烷，只要有4莫耳以上的水就能夠使所有的烷氧基(-O-CnH2n+1)被水解。又，通常會在溶液中添加鹼或酸作為反應的觸媒。
透過溶膠凝膠法形成之矽氧化物薄膜的起始原料，在大多數情況下會使用以四乙氧基矽烷為首的四烷氧基矽烷(tetraalkoxysilane)。以這類原料作為起始物製造溶膠凝膠薄膜時，四烷氧基矽烷上的四個反應活性基將會反應而形成穩固的網狀結構，因而容易獲得緻密且玻璃光澤佳的薄膜。又，除了四乙氧基矽烷以外，亦可使用四甲氧基矽烷(tetramethoxysilane)、四丙氧基矽烷(tetrapropoxysilane)或四異丙氧基矽烷(tetraisopropoxysilane)等其它種類的四烷氧基矽烷。另外，關於上述這些矽烷類的原料，由於配位在Si上的烷氧基(-O-CnH2n+1)體積越大，水解反應的速率就越慢，因此可以依據產物的特性或製程方面的考量選擇所需的起始原料。
在本實施態樣中，溶膠凝膠薄膜的原料係使用上述的四乙氧基矽烷，以及苯基三乙氧基矽烷(phenyltriethoxysilane)等具有三個反應官能基之三烷氧基矽烷的混合物。上述所採用的四乙氧基矽烷由於在相對較低溫的條件下進行燒製後，容易獲得玻璃光澤佳的外觀和特性，因此適合作為構成溶膠凝膠薄膜的矽氧化物原料而使用。
然而，在只使用四乙氧基矽烷作為原料的溶膠凝膠薄膜之中，當在成膜製程中進行凝膠化時，架橋結構中常有空間不充足的現象，因而導致薄膜之中容易產生裂痕。此現象在欲增加薄膜的厚度時，將表現的更為顯著。
進一步地，本實施態樣還必須將由有機化合物構成之至少一種以上的紅外線吸收色素附含於薄膜之中，然而，若只使用四乙氧基矽烷作為溶膠凝膠薄膜的原料，將會帶來無法將特定份量的紅外線吸收色素附含於薄膜之中的問題。
只要賦予溶膠凝膠薄膜一定程度的柔軟度，即可降低產生裂痕的可能性。於此，較常見的手法為在四乙氧基矽烷之中添加具有三個反應官能基的三烷氧基矽烷(trialkoxysilane)。三烷氧基矽烷係為一種矽烷的總稱，其中，Si的周圍係具有三個烷氧基，剩下的一個位置則是由甲基、乙基或苯基等官能基所構成之反應活性較低的修飾官能基。由含有三個反應官能基的三烷氧基矽烷形成的矽氧化物薄膜由於架橋結構的空間較充足，凝膠化時產生的應力較小，因此較不易產生裂痕。又，因為三烷氧基矽烷具有三個反應官能基，每個矽化合物可以形成三個穩固的矽氧鍵，因此亦可透過架橋而形成交錯的網狀結構。於此需注意的是，雖然具有兩個烷氧基的二烷氧基矽烷(dialkoxysilane)也能夠進行反應，但在進行水解反應與縮聚合反應時易形成直鏈狀的聚合物，因只會形成鎖鏈狀的結構，而導致薄膜的耐磨損性降低。
另外，上述之三烷氧基矽烷還可以使用甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、正丁基三甲氧基矽烷、異丁基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苯基三異丙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷以及丙基三乙氧基矽烷。
其中，又以具有苯基(-C6H5)這一官能基的三烷氧基矽烷最為合適。因為在100~200℃的燒製條件下，苯基在溶膠凝膠法的反應結束後仍會殘留在最終形成的薄膜上，而使薄膜產生柔軟度。
此外，具有苯基的三烷氧基矽烷還能對有機化合物構成之紅外線吸收色素的附含帶來有利的效果。如後述，作為三烷氧基矽烷之其中一種的甲基三乙氧基矽烷(methyltriethoxysilane)與苯基三乙氧基矽烷(PhTEOS，phenyltriethoxysilane/化學式：Si(C6H5)(C2H5O)3)其對於色素的附含特性，經調查後發現，前者在溶膠凝膠法的反應結束後，色素將凝聚在一處而無法形成透明度一致的矽氧化物主成分薄膜，而後者則能夠將特定的紅外線吸收色素充足地附含於薄膜之中。這是因為具有苯基的烷氧基矽烷形成之矽氧化物主成分薄膜所產生的氣孔之中能夠導入大量的有機化合物紅外線吸收色素。其中，具有苯基這一官能基的三烷氧基矽烷除了上述的苯基三乙氧基矽烷以外，亦可使用苯基三甲氧基矽烷、苯基三異丙氧基矽烷或苯基三丙氧基矽烷等。本實施態樣係將具有上述優點之具有苯基的三烷氧基矽烷(下稱苯基三烷氧基矽烷)與四乙氧基矽烷等的四烷氧基矽烷混合，以作為溶膠凝膠法形成之矽氧化物薄膜的原料。混合使用苯基三烷氧基矽烷與四乙氧基矽烷的原因在於，在使用過量的苯基三烷氧基矽烷，或者是只以苯基三烷氧基矽烷作為原料的情況下，由於苯基三烷氧基矽烷本身的柔軟度高，因此在透過溶膠凝膠法形成矽氧化物薄膜時將不會硬化，即使硬化也必須在非常高溫的燒製條件下才有辦法達成，致使無法製造出具有足夠機械強度的薄膜。因此，必須將具有三個反應官能基的苯基三烷氧基矽烷與具有四個反應官能基的四烷氧基矽烷以適當的比例混合使用。
圖2係表示將四乙氧基矽烷分別混合於甲基三乙氧基矽烷與苯基三乙氧基矽烷，並使酞花青類紅外線吸收色素與花青類紅外線吸收色素分別附含於上述兩組混合物的實驗結果。
根據圖2所示的實驗結果，當使用四乙氧基矽烷與甲基三乙氧基矽烷的混合物作為溶膠凝膠薄膜的原料時，不論是添加酞花青色素或是花青色素，兩者皆會凝聚在薄膜內且附含量也有所受限。相對地，以四乙氧基矽烷與苯基三乙氧基矽烷的混合物作為溶膠凝膠薄膜的原料時，
不論是添加酞花青類色素或花青類色素，兩者皆能夠足夠地附含於薄膜之中且能夠自由調整膜厚，同時在附含這些紅外線吸收色素時，還能夠帶來有利的效果。
接下來對反應式中的水加以說明。在烷氧基矽烷的水解反應中，水是不可或缺的成分。如上所述，就化學計量的角度來看，欲使1莫耳的烷氧基矽烷水解時，需添加4莫耳的水。然而，在透過溶膠凝膠法形成矽氧化物薄膜時，由於水分會持續蒸發，因此，一般常會在反應系統中添加份量大於化學計量的水。
但需注意的是，若水量過多，則可能會造成紅外線吸收薄膜其附含色素的障礙。這是因為由有機化合物構成的紅外線吸收色素通常極性較低且為疏水性，另一方面，因為水係屬於高極性的成分，因此，過量的水將會在疏水性的紅外線吸收色素溶解於溶劑或附含於烷氧基矽烷時帶來干擾。
接下來對反應所使用的溶劑加以說明。溶劑是為了提升烷氧基矽烷、水以及作為觸媒的酸之間的互溶度而添加。然而在本發明，溶劑除了達成上述目的以外，對於有機化合物所構成的紅外線吸收色素也必須具有高溶解度。因此，較佳係使用具有適度極性的溶劑。
進一步地，在透過溶膠凝膠法形成矽氧化物薄膜時，溶劑至少必須在燒製溫度以下的溫度條件下蒸發，相反地，若溶劑的沸點過低，當溶液塗佈於基板後，溶劑在形成矽氧化物網狀結構的途中將會急遽揮發而使紅外線吸收色素無法順利地附含在矽氧化物薄膜之中。此外，當溶劑的沸點低於水時，在進行燒製工程時，表面張力較高的水最後將可能會殘留在矽氧化物薄膜之中，導致矽氧化物薄膜急遽收縮而產生裂痕。
另外，由有機化合物構成的紅外線吸收色素在高溫環境下會劣化，導致其吸收紅外線的特性與最初相比產生大幅的差異，因而無法獲得所需的紅外線吸收薄膜。因此，上述燒製溫度必須控制在不會使紅外線吸收色素產生熱劣化的溫度範圍內。紅外線吸收色素的耐熱溫度依其本身的性質而有所不同，但通常係為200℃(酞花青色素)或140~160℃(花青色素)，因此，至少必須在此溫度以下完成燒製工程。
根據上述考察，溶劑的沸點較佳係介於100℃以上至200℃
以下之間，更佳係介於100℃以上至160℃以下之間。
於此，一般常使用的溶劑係例如包括甲醇(methanol)、乙醇(ethanol)、正丙醇(propanol)、異丙醇(isopropanol)、丙酮(acetone)、乙腈(acetonitrile)、二甲基亞碸(dimethyl sulfoxide)、二甲基亞醯胺(dimethylformamide，DMF)、二甲基咪唑啉酮(dimethylimidazolidinone)、乙二醇(ethylene glycol)、四甘醇(tetraethylene glycol)、二甲基乙醯胺(dimethylacetamide，DMAC)、N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone)、四氫呋喃(tetrahydrofuran，THF)、二噁烷(dioxane)、甲乙酮(methylethylketone)、環己酮(cyclohexanone)、環戊酮(cyclopentanone)、2-甲氧基乙醇(2-methoxyethanol/methyl cellosolve)、2-乙氧基乙醇(2-ethoxyethanol/ethyl cellosolve)以及乙酸乙酯(ethyl acetate，EA)。
於此，考慮到溶劑與紅外線吸收色素的溶解度以及沸點，本實施態樣係使用環己酮(沸點131℃)或環戊酮(沸點156℃)作為合適的溶劑。
接下來，對反應所使用的酸加以說明。酸是作為烷氧基矽烷之水解反應的觸媒而添加，較佳係使用強酸，例如鹽酸、硝酸、三氯乙酸、三氟乙酸、硫酸、磷酸、甲基磺酸、對甲苯磺酸或者是草酸。
接下來對本實施態樣中紅外線截止濾光片10的作用加以說明。首先，針對比較例中紅外線截止濾光片的作用加以說明。
圖3係為第1比較例中紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線一例的示意圖，其中，紅外線截止濾光片在玻璃基板上僅形成由電介質多層膜所構成的紅外線反射層。另外，圖4係為第2比較例中紅外線截止濾光片其分光穿透率曲線一例的示意圖，其中，紅外線截止濾光片在玻璃基板上僅形成紅外線吸收層，此紅外線吸收層係由基質與紅外線吸收色素構成，基質係透過溶膠凝膠法形成並以矽氧化物作為主要成分。
第1比較例的紅外線截止濾光片中，從圖3所示內容可看出電介質多層膜其阻斷特性之入射角相依性的特徵。圖3中，實線係表示入射角為0°時的分光穿透率曲線，虛線係表示入射角為25°時的分光穿透率曲線，一點鎖線係表示入射角為35°時的分光穿透率曲線。又，穿透率為50%
時的波長係令為λRT50%，在入射角為0°時，λRT50%=約655nm，但在入射角變成25°時，λRT50%=約637nm，在入射角變成35°時，λRT50%=約625nm。由此可知，第1比較例的紅外線截止濾光片在入射角從0°變成35°時，λRT50%會往短波長側偏移約30nm。
將紅外線截止濾光片應用於攝影元件時，一般而言，朝向紅外線截止濾光片且入射角較小(例如入射角為0°等的情況)的光會入射到攝影元件的中央部，而朝向紅外線截止濾光片且入射角較大(例如入射角為25°或35°的情況)的光會入射到攝影元件的周邊部。因此，將圖3所示之具有紅外線阻斷特性的紅外線截止濾光片應用於攝影裝置時，會因為攝影元件其受光面位置的不同，入射到攝影元件的光其分光穿透率曲線特性(尤其是波長650nm附近的分光特性)也會跟著改變。前述的現象可能會使得在圖像中央部與周邊部產生色調不同的現象，進而對色彩再現性帶來不良的影響。
又，第2比較例的紅外線截止濾光片係不同於第1比較例的紅外線截止濾光片，第2比較例的紅外線截止濾光片不具有阻斷特性的入射角相依性。然而，如圖4所示，第2比較例的紅外線截止濾光片在過渡區域內的分光穿透率曲線會緩慢地下降，其中過渡區域係指穿透率從較高區域往較低區域變化的區域。一般來說，在紅外線截止濾光片中，為了不對色彩再現性造成影響，在波長為600nm至700nm附近會存在上述的過渡區域，在此區域中的穿透率係被要求具有急遽變化的特性(稱為「銳截止特性」)。因此，第2比較例的紅外線截止濾光片，較難在色調再現性這方面進行理想的控制。
在針對這些比較例所具有的缺點進行考量後，本專利的發明人發現，藉由在透明電介質基板12的一面上形成紅外線反射層14，以及在另一面上形成紅外線吸收層16，將能降低阻斷特性的入射角相依性，進而實現良好的銳截止特性。
圖5係為本實施態樣中紅外線截止濾光片10其分光穿透率曲線的示意圖，圖5中，同樣令實線為入射角0°時的分光穿透率曲線，虛線為入射角25°時的分光穿透率曲線，一點鎖線為入射角35°時的分光穿透率曲線。
本實施態樣中，紅外線截止濾光片10的特性係由紅外線反射層14其光學特性與紅外線吸收層16其光學特性兩者的組合來決定。其中，紅外線反射層單體內入射角為0°且穿透率為50%時的波長係令為λRT50%(nm)，紅外線吸收層單體中穿透率為50%時的波長係令為λAT50%(nm)。又，圖4係表示λAT50%=λRT50%-30nm，即λAT50%比λRT50%短30nm時紅外線截止濾光片10的分光穿透率曲線。
另外，本實施態樣之紅外線截止濾光片10其入射角為0°且穿透率為50%的波長係令為λT50%(nm)，如圖5所示，本實施態樣之紅外線截止濾光片10在入射角為0°時，λT50%=約650nm，在入射角為25°時，λT50%=約650nm，在入射角為35°時，λT50%=約642nm。承前述內容，本實施態樣的紅外線截止濾光片10即使入射角從0°變到35°，λT50%也僅向短波長側偏移了約8nm，λT50%的入射角相依性小於上述第1比較例中λRT50%的入射角相依性。再參照圖5內容，在穿透率高於50%的區域，即使入射角發生變化，分光穿透率曲線仍幾乎不會產生差異。相反地，在穿透率低於50%的區域，當入射角發生變化時，分光穿透率曲線會出現差異，然而，由於穿透率低於50%的區域中分光穿透率曲線的差異對色彩再現性帶來的影響較小，因此不會造成太大的問題。
此外，如圖5所示，本實施態樣之紅外線截止濾光片10在波長600nm至700nm附近具有過渡區域，在此區域內，穿透率會急遽地變化，從而可實現良好的銳截止特性。
本實施態樣之紅外線截止濾光片10的光學特性係由紅外線反射層14與紅外線吸收層16的組合來決定，以下係分別針對紅外線反射層14及紅外線吸收層16的較佳光學特性進行說明。
首先，針對紅外線反射層14的較佳光學特性進行說明。紅外線反射層14在性能的設計上，係被要求至少可穿透波長400nm~600nm波段的可見光，以及至少可反射波長750nm以上的紅外線。在穿透區域與反射區域之間的過渡區域中，係將分光穿透率為50%時的波長定義為截止波長λRT50%。λRT50%雖然仍與攝影元件等的分光靈敏度區域存在相依性，但紅外線反射層14的λRT50%其波長在設定上，會接近於紅外線吸收層16的截止波長λAT50%，較佳係設定為λAT50%<λRT50%。又，紅外線反射層14的截止
波長λRT50%較佳係介於630nm~690nm的範圍內。
另外，紅外線反射層14在設計上，會儘可能地提高可見光區域的穿透率，這是為了在構成圖像時讓所需的可見光區域的光能儘可能地到達攝影元件的受光面。相對地，紅外線反射層14在設計上同時會儘量降低紅外線區域的穿透率，這是為了儘可能地阻斷無助或有害於圖像構成之波段的光線。舉例來說，紅外線反射層14較佳為在波長400nm~600nm波段的可見光區域中具有至少90%以上的平均分光穿透率，以及在波長750nm以上的紅外線區域中具有至少未滿2%的分光穿透率。
進一步地，紅外線反射層14較佳為在過渡區域中分光穿透率會急遽地變化(稱為「銳截止特性」)。這是因為在喪失銳截止特性之下過渡區域變得過大，則色調再現性的控制會變得相當困難。當過渡區域中穿透率的陡度被定義為λRSLOPE=| λRT50%-λRT2% |時(λRT2%是分光穿透率為2%時的波長)，紅外線反射層14的λRSLOPE必須儘可能地小，較佳例如是λRSLOPE未滿70nm。
在圖3所示的分光穿透率曲線中，無論入射角為0°、25°或35°，可見光區域的平均分光穿透率皆為90%以上，而紅外線區域的平均分光穿透率皆未滿2%。此外，在圖3所示的分光穿透率曲線中，不論入射角為0°、25°或35°，λRSLOPE皆未滿70nm。因此，具有圖3所示之分光穿透率曲線的紅外線反射層14能合適地應用於本實施態樣的紅外線截止濾光片10。
接著，針對紅外線吸收層16的較佳光學特性進行說明。在本實施態樣中，紅外線吸收層16的光學特性係對應與其組合之紅外線反射層14的光學特性而產生變化。
此外，在本實施態樣中，紅外線吸收層16的截止波長λAT50%較佳為小於紅外線反射層14的截止波長λRT50%，也就是說，較佳的關係為λAT50%<λRT50%。只要紅外線吸收層16滿足該條件，即可降低紅外線截止濾光片10其紅外線阻斷特性的入射角相依性，換言之，能降低入射角從0°變成35°時紅外線截止濾光片10其截止波長λT50%的偏移量。又，紅外線吸收層16的截止波長λAT50%較佳係介於630nm~690nm的範圍內。
此外，在本實施態樣中，紅外線吸收層16其可見光區域的
平均穿透率較佳係為儘可能地提高。這是因為當紅外線吸收層16的平均穿透率較低時，到達攝影元件的光量會變少。其中，較佳例如是紅外線吸收層16的波長為400nm~600nm時，平均穿透率在75%以上。
在本實施態樣中，在波長比λRT2%長的區域範圍中不考慮紅外線吸收層16的分光穿透率。這是因為在該區域中，紅外線反射層14的分光穿透率非常小，自然能减低紅外線截止濾光片10整體上的穿透率。
又，在本實施態樣中，紅外線吸收層16的分光穿透率曲線較佳為在過渡區域(例如600nm~λRT2%)會單調减少。這是因為與紅外線反射層14合成後的紅外線截止濾光片10其截止波長λT50%的概略大小能更容易地得知，同時也具有設定上較容易、自由，以及易於控制色彩再現性等優點。
以下所示之第1~3實施例中，紅外線截止濾光片將使用滿足上述較佳態樣條件之紅外線反射層和紅外線吸收層，並對紅外線反射層14的截止波長λRT50%與紅外線吸收層16的截止波長λAT50%的關係作詳細地研討。
首先，對苯基三乙氧基矽烷與四乙氧基矽烷兩者之合適的混合比例加以說明。圖6係表示苯基三乙氧基矽烷與四乙氧基矽烷的混合比例，以及水解反應所需之水添加量(水/矽比值)的研討結果。
如圖6的表格所示，「○」記號係表示能夠附含後述第1~3實施例所示之色素且機械強度達到標準的薄膜，「×」記號則是表示不符合上述條件的薄膜。其中，機械強度係以下列條件作為指標：(a)在薄膜成形後，即使用含有酒精的軟質紙巾進行擦拭也不會造成薄膜剝落等現象。(b)在事先切割為棋盤格狀的薄膜貼上特定的膠帶後，即使撕除此膠帶也不會造成薄膜剝落等現象。
其中，從圖6所示的表格可明白，苯基三乙氧基矽烷與四乙氧基矽烷的混合比例較佳係介於50：50至80：20之間，水的添加量則是1莫耳的矽對應添加4莫耳以上的水，較佳係介於6~8莫耳之間。
又，如圖6的表格所示，當苯基三乙氧基矽烷與四乙氧基矽烷的混合比例在40：60以下時，即使添加特定種類且足量的色素，色素仍是會凝聚而無法附含在薄膜之中。
圖7係表示第1~3實施例所使用之紅外線吸收層16的組成成份。在圖7中，CY-10與IRG-022係由日本化藥股份有限公司所製，NIA-7200H係由Hakko Chemical股份有限公司所製，SEPc-6係由山田化學工業股份有限公司所製，CIR-RL則是由日本CARLIT股份有限公司所製。於此係依據圖6的研討結果，將混合比例設定為50：50的苯基三乙氧基矽烷與四乙氧基矽烷用作溶膠凝膠薄膜的原料。其中，各實施例的溶劑皆是使用環戊酮，酸性觸媒係使用1mol/L的鹽酸，而相對於每1莫耳的矽則是添加了6莫耳的水。為了明白特定紅外線吸收薄膜的分光特性，本實施態樣中係添加圖7所示的三種色素群，以作為本發明的第1~3實施例。
於此，各實施例的紅外線吸收層16皆是透過下列製程而形成。首先，將溶膠凝膠原料、水以及作為酸性觸媒的鹽酸(重量百分比相對於水約為1/10wt%)加入至適當的容器之中，在室溫條件下攪拌4小時以獲得溶膠。接著，將特定且適量的色素在秤重後添加至作為溶劑的環戊酮之中並在室溫條件下攪拌20分鐘，再將此溶液與溶膠混合。
另一方面，各實施例的紅外線反射層14則是透過下列製程而形成。首先採用Schott公司所生產的D263玻璃(面積為76~90mm2，厚度約為0.1~0.2mm)作為透明電介質基板12的材料，接著在透明電介質基板12已洗淨過的其中一面上以離子鍍層法、濺鍍法或蒸鍍法形成紅外線反射層14。此紅外線反射層14可例如是由具有圖3所示之分光穿透率曲線的電介質多層膜所構成，而電介質的材料可為SiO2、TiO2、Ta2O3或MgF2之中一種以上的材料。
需注意的是，若採用上述任一種製程方法來形成由電介質多層膜構成之紅外線反射層14，則此製程必須安排在紅外線吸收層16形成之前。因為在這些多層膜形成方法的製程中，透明電介質基板12將會曝露在真空高溫(100℃左右至200℃左右)的環境下，若在形成紅外線吸收層16後安排此製程，則紅外線吸收色素可能會產生熱劣化現象。
透明電介質基板12其未形成紅外線反射層14的另外一面在以特定方式洗淨後，係塗佈含有紅外線吸收色素的溶膠。此塗佈製程係在室溫環境下以轉速約500rpm的旋塗法進行。
接著，透明電介質基板12在塗佈溶膠後係在烤爐內例如以
140℃加熱20分鐘，這是為了促進水解反應帶來的溶膠凝膠反應進行，同時也是為了讓剩下的水或溶劑等成份蒸發。藉由上述方法獲得之紅外線吸收層16其表面的玻璃光澤佳且硬度高，因而適合應用。
圖8係表示第1~3實施例中僅形成紅外線吸收層之紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。各實施例的分光穿透率曲線在波長400nm~600nm之可見光區域的平均穿透率係在75%以上，且截止波長λAT50%介於波長630nm~690nm之間，皆滿足本實施態樣之紅外線吸收層16所要求的特性。
接著，針對紅外線反射層14的截止波長λRT50%與紅外線吸收層16的截止波長λAT50%的更佳實施例條件進行說明。圖9(a)~圖9(m)係表示將第1實施例中λAT50%與λRT50%的差每次改變10nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線，圖10(a)~圖10(m)係表示將第2實施例中λAT50%與λRT50%的差每次改變10nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線，圖11(a)~圖11(m)係表示將第3實施例中λAT50%與λRT50%的差每次改變10nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。在圖9(a)~圖9(m)、圖10(a)~圖10(m)以及圖11(a)~圖11(m)中，實線表示入射角為0°時的分光穿透率曲線，虛線表示入射角為25°時的分光穿透率曲線，一點鎖線表示入射角為35°時的分光穿透率曲線。此外，每個實施例皆是令紅外線吸收層16的λAT50%為固定值，藉由改變紅外線反射層14的截止波長λRT50%來設定λAT50%與λRT50%的差。紅外線反射層14係由電介質多層膜形成，因此透過調整其膜厚和層數，即可容易地實現過渡區域的改變。
圖9(a)、圖10(a)以及圖11(a)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=60nm，也就是λAT50%比λRT50%長60nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。圖9(b)、圖10(b)及圖11(b)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=50nm，也就是λAT50%比λRT50%長50nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。圖9(c)、圖10(c)及圖11(c)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=40nm，也就是λAT50%比λRT50%長40nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。圖9(d)、圖10(d)及圖11(d)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=30nm，也就是λAT50%比λRT50%長30nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。圖9(e)、圖10
(e)及圖11(e)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=20nm，也就是λAT50%比λRT50%長20nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。圖9(f)、圖10(f)及圖11(f)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=10nm，也就是λAT50%比λRT50%長10nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。圖9(g)、圖10(g)及圖11(g)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=0nm，也就是λAT50%與λRT50%相等時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。圖9(h)、圖10(h)及圖11(h)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=-10nm，也就是λAT50%比λRT50%短10nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。圖9(i)、圖10(i)及圖11(i)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=-20nm，也就是λAT50%比λRT50%短20nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。圖9(j)、圖10(j)及圖11(j)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=-30nm，也就是λAT50%比λRT50%短30nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。圖9(k)、圖10(k)及圖11(k)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=-40nm，也就是λAT50%比λRT50%短40nm時的紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。圖9(l)、圖10(l)及圖11(l)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=-50nm，也就是λAT50%比λRT50%短50nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。圖9(m)、圖10(m)及圖11(m)係分別表示第1~3實施例中λAT50%-λRT50%=-60nm，也就是λAT50%比λRT50%短60nm時紅外線截止濾光片的分光穿透率曲線。
此外，圖12係表示圖9(a)~(m)其分光穿透率曲線(第1實施例)的主要參數，圖13係表示圖10(a)~(m)其分光穿透率曲線(第2實施例)的主要參數，圖14則是表示圖11(a)~(m)其分光穿透率曲線(第3實施例)的主要參數。
在對圖9(a)~(m)、圖10(a)~(m)以及圖11(a)~(m)所示的分光穿透率曲線作評價時，本發明的發明人在紅外線截止濾光片中設定了以下(1)與(2)的條件作為基本的要求特性(以下稱作「要求特性」)。
(1)波長400nm~600nm時平均穿透率Tave>70%。
(2)λSLOPE=| λT50%-λT2% |<70nm(銳截止特性)。
關於上述(1)所示之平均穿透率Tavc的要求特性，雖然圖
10(a)中λAT50%-λRT50%=60nm時的分光穿透率曲線並不滿足此要求特性，但圖9(a)~(m)及圖10(b)~(m)及圖11(a)~(m)所示的分光穿透率曲線皆滿足該要求特性。
圖15(a)、圖16(a)及圖17(a)分別表示第1~3實施例中紅外線吸收層16其截止波長λAT50%與紅外線反射層14其截止波長λRT50%的差λAT50%-λRT50%，以及過渡區域中分光穿透率曲線其陡度λSLOPE=| λT50%-λT2% |兩者的關係。如上述說明，在紅外線截止濾光片中，分光穿透率曲線其過渡區域的陡度(銳截止特性)以儘可能減小為較佳態樣，再從上述的要求特性(2)來看，在未滿70nm時就是屬於較佳的態樣。因此，從圖15(a)、圖16(a)及圖17(a)中可得出較佳的態樣為-50≦λAT50%-λRT50%。
進一步地，只形成紅外線反射層的紅外線截止濾光片其問題點在於，分光穿透率曲線的特性會隨入射角不同而發生改變，由此可知，人之所以會感覺到色調不同，是因為穿透率大於50%之區域內的分光穿透率有所差異。於此，本發明的發明人在紅外線截止濾光片中設定了以下(3-1)~(3-3)的條件作為要求特性，以提高紅外線阻斷特性的入射角相依性。當入射角從0°變成35°時，截止波長λT50%的偏移量係令為△λT50%，則(3-1)△λT50%<25nm，較佳的態樣為(3-2)△λT50%<20nm，更佳的態樣為(3-3)△λT50%<12.5nm。
一般常見之只形成紅外線反射層的紅外線截止濾光片雖容易滿足上述的要求特性(1)和(2)，但作為入射角相依性指標的△λT50%通常在30nm~40nm以上，此截止波長λT50%的高偏移量將會使圖像畫面中產生色調不同的現象。
圖15(b)、圖16(b)及圖17(b)係分別表示第1~3實施例中紅外線吸收層16其截止波長λAT50%與紅外線反射層14其截止波長λRT50%的差λAT50%-λRT50%以及入射角從0°變成35°時截止波長λT50%的偏移量△λT50%兩者的關係。從上述的要求特性(3-1)~(3-3)來看，△λT50%較佳為未滿25nm，更佳為未滿20nm，進一步更佳為未滿12.5nm。因此，從圖15(b)、圖16(b)及圖17(b)中可知，較佳的態樣為λAT50%-λRT50%≦-10nm，更佳的態樣為λAT50%-λRT50%≦-20nm，進一步更佳的態樣為
λAT50%-λRT50%≦-30nm。
從以上考察來看，紅外線吸收層16的截止波長λAT50%與紅外線反射層14的截止波長λRT50%的差較佳係為滿足下列的條件(4)。
(4)-50nm≦λAT50%-λRT50%≦-10nm。
進一步地，紅外線反射層14的截止波長λRT50%以及紅外線吸收層16的截止波長λAT50%較佳係為滿足下列的條件(5)。
(5)630nm≦λRT50%，λAT50%≦690nm。
只要在滿足上述條件(4)以及(5)的情況下形成紅外線反射層14以及紅外線吸收層16，穿透率與色調品質等畫質要素將能夠取得平衡，使圖像呈現良好的畫質。如上所述，人之所以會感覺到色調不同，是因為穿透率大於50%之區域內的分光穿透率有所差異，然而，從本實施態樣之第1~3實施例其紅外線截止濾光片10的分光穿透率曲線可看出，在滿足上述條件(4)以及(5)的實施例中，即使入射角發生改變，穿透率大於50%之區域內的分光穿透率曲線仍是幾乎沒有變化的。又，上述要求特性僅為舉例，在其它態樣中也可例如變更要求規格參數，使其適合於攝影元件的特性。
以上係針對本實施態樣的紅外線截止濾光片10作了說明，本實施態樣之紅外線截止濾光片10係於透明電介質基板12的其中一面上形成紅外線反射層14，並在其中另一面上形成紅外線吸收層16，藉此提供一種入射角相依性較低且具有良好紅外線阻斷特性的紅外線截止濾光片。
又，本實施態樣之紅外線截止濾光片10中，透明電介質基板12的材料係可使用一般的玻璃基板。由於不需使用如氟磷酸玻璃般脆弱且不易進行研磨等加工的玻璃，因此本發明的基板可進行一般的研磨及切斷等加工，從而可輕易地達到薄型化等厚度變更的功效。
本實施態樣之紅外線截止濾光片10藉由紅外線反射層14的光學特性與紅外線吸收層16的光學特性兩者的組合來決定紅外線截止濾光片10整體的特性。透過調整電介質多層膜的層結構，能容易地變更紅外線反射層14的光學特性。此外，經由調整以溶膠凝膠法製成之矽氧化物作為主要成分的基質所含之紅外線吸收色素的種類和濃度，以及調整紅外線吸收層的厚度，能輕易地變更紅外線吸收層16的光學特性。相反地，如果
是使用例如具有紅外線吸收功能的氟磷酸玻璃，由於紅外線吸收特性的變更需要使用熔爐對氟磷酸玻璃做熔融，因此氟磷酸玻璃的切斷，以及厚度調整時所需的研磨製程等會相當地繁雜。因此，本實施態樣之紅外線截止濾光片10在是否可輕易地變更紅外線截止濾光片10其光學特性的點上也是相當優秀的。
進一步地，在本實施態樣的紅外線截止濾光片10中，紅外線吸收層16係採用以溶膠凝膠法製成之矽氧化物作為主要成分的基質，藉此將可提高紅外線吸收層16的硬度，即使不另外層積形成硬質薄膜等保護層，也能夠實現較高的耐刮傷性。又，透過以矽氧化物作為主要成分的基質形成紅外線吸收層16，除了能夠增強對於濕氣的阻氣性，同時還能夠實現較高的耐環境性。
此外，在本實施態樣的紅外線截止濾光片10中，由於紅外線吸收層16係採用以矽氧化物作為主要成分的基質，因此可提升紅外線吸收層16與其同類之玻璃基板的附著性。藉此，在透明電介質基板12上形成紅外線吸收層16時將不需經過任何前置處理，因而能夠達成降低製造成本的功效。
在圖1所示的紅外線截止濾光片10中，還可讓紅外線反射層14具有反射紫外線的機能。這是因為在使用電介質多層膜形成紅外線截止濾光片10時，可藉由調整層結構，輕易地使紅外線截止濾光片10具備紫外線反射的機能。因為一般攝影元件中所裝設的濾色片可能會受紫外線作用而導致壽命縮短等不良的影響，所以，透過位於攝影元件前方的紅外線反射層14除去紫外線，可避免產生前述的不良影響。再者，在紅外線反射層14具備紫外線反射功能的情况下，能在紫外線到達樹脂基質所形成的紅外線吸收層16之前去除紫外線，從而可防止紅外線吸收層16的劣化。
圖18係表示本發明另一實施態樣的紅外線截止濾光片10。在圖18所示的紅外線截止濾光片10中，係將與圖1所示之紅外線截止濾光片相同或對應的構成要素標註相同的元件符號，並適當地省略重複的說明。
本實施態樣之紅外線截止濾光片10在紅外線吸收層16上係形成有用於防止可見光反射的反射防止層18，前述結構不同於圖1所示
的紅外線截止濾光片。如圖18所示，反射防止層18係形成在紅外線吸收層16的一側面上，紅外線吸收層16的另一側面與透明電介質基板12相鄰，前述紅外線吸收層16的側面與前述紅外線吸收層16的另一側面相對。又，在本實施態樣之紅外線截止濾光片10中，光是從反射防止層18射出。
如本實施態樣的紅外線截止濾光片10所示，當在紅外線吸收層16上形成反射防止層18的情況下，將能夠提高紅外線截止濾光片10整體的可見光線穿透率。
在圖18所示的紅外線截止濾光片10中，還可讓反射防止層18具有防止紫外線穿透的機能。在此情况下，由於從光的出射面入射的紫外線將遭到阻擋，而不會抵達攝影元件，因此能避免設置於攝影元件的濾色片發生劣化的情形。
圖19係表示本發明又一實施態樣的紅外線截止濾光片10。在圖19所示的紅外線截止濾光片10中，係將與圖1所示之紅外線截止濾光片相同或對應的構成要素標註相同的元件符號，並適當地省略重複的說明。
本實施態樣之紅外線截止濾光片10的紅外線反射層14係為彎曲狀態，前述結構係不同於圖1所示之紅外線截止濾光片。紅外線反射層14的一側面係以凸面的方式彎曲，紅外線反射層14的另一側面係與透明電介質基板12相鄰，前述紅外線反射層14的側面與前述紅外線反射層14的另一側面相對。此外，在本實施態樣中，不僅紅外線反射層14呈現彎曲狀態，透明電介質基板12及紅外線吸收層16亦呈現彎曲狀態。
如上述內容，當紅外線截止濾光片10應用於攝影裝置時，紅外線反射層14係與攝影鏡頭相面對，紅外線吸收層16係與攝影元件相面對地裝設配置。但是，因為紅外線截止濾光片10非常薄，體積也相當小，所以在區分紅外線反射層14與紅外線吸收層16上並不容易。因此，如本實施態樣中所示，藉由彎曲紅外線反射層14，即可利用目視來判別出哪個面是紅外線反射層14。又，透過控制將電介質多層膜蒸鍍至透明電介質基板12上時的應力，將能夠在不對光學特性造成影響的範圍內調整紅外線反射層14的彎曲程度。
圖20係為說明使用本發明實施態樣中紅外線截止濾光片10
之攝影裝置100的圖。如圖20所示，攝影裝置100包括攝影鏡頭102、紅外線截止濾光片10及攝影元件104，攝影元件104可以是CCD或CMOS等半導體固態攝影元件。又，紅外線截止濾光片10係設置於攝影鏡頭102與攝影元件104之間，紅外線反射層14係與攝影鏡頭102相面對且紅外線吸收層16係與攝影元件104相面對地設置。
如圖20所示，來自被攝物體的光會先被攝影鏡頭102彙集，經由紅外線截止濾光片10除去紅外線後，入射到攝影元件104。從圖20中可知，雖然光是從攝影鏡頭102以各種入射角入射到紅外線截止濾光片10，但透過使用本實施態樣的紅外線截止濾光片10，不論入射角為任何大小，都能適當地阻斷紅外線，故能拍攝出色彩再現性高的良好圖像。
在上述說明中，針對將紅外線截止濾光片10應用於攝影裝置的實施態樣作了說明，但上述實施態樣的紅外線截止濾光片10還能應用於其它用途。例如，紅外線截止濾光片10可作為汽車的前擋風玻璃和側窗、建築用玻璃等的隔熱膜來使用。此外，紅外線截止濾光片10還能作為PDP(Plasma Display Panel，電漿顯示面板)用的近紅外線截止濾光片來使用。
以上係依據本發明的實施態樣作了說明，然而這些實施態樣僅為舉例性，本領域技術人員應當理解各構成要素和各處理過程的組合可以有各種變化態樣，且這些變化態樣同樣包含在本發明的專利範圍內。
10‧‧‧紅外線截止濾光片
12‧‧‧透明電介質基板
14‧‧‧紅外線反射層
16‧‧‧紅外線吸收層
Claims (13)
- 一種紅外線截止濾光片，其係包含：一透明電介質基板；一紅外線反射層，其係形成於該透明電介質基板的一側面上並反射紅外線；以及一紅外線吸收層，其係形成於該透明電介質基板的另一側面上並吸收紅外線，該紅外線吸收層係將紅外線吸收色素附含於一基質而形成，該基質係以溶膠凝膠法製成的矽氧化物作為主要成分，其中該紅外線反射層中穿透率為50%的波長係令為λRT50%nm，該紅外線吸收層中穿透率為50%的波長係令為λAT50%nm時，該紅外線反射層與該紅外線吸收層係滿足λAT50%<λRT50%的條件。
- 如申請專利範圍第1項所述之紅外線截止濾光片，其中該紅外線反射層係由電介質多層膜形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之紅外線截止濾光片，其中該紅外線反射層及該紅外線吸收層還滿足λAT50%-λRT50%≦-10nm的條件。
- 如申請專利範圍第1項所述之紅外線截止濾光片，其中該紅外線反射層及該紅外線吸收層還滿足λAT50%-λRT50%≦-20nm的條件。
- 如申請專利範圍第1項所述之紅外線截止濾光片，其中該紅外線反射層及該紅外線吸收層還滿足λAT50%-λRT50%≦-30nm的條件。
- 如申請專利範圍第3項所述之紅外線截止濾光片，其中該紅外線反射層及該紅外線吸收層還滿足-50nm≦λAT50%-λRT50%的條件。
- 如申請專利範圍第1項所述之紅外線截止濾光片，其中該紅外線吸收層的原料係包含苯基三乙氧基矽烷與四乙氧基矽烷的混合物，該苯基三乙氧基矽烷與該四乙氧基矽烷的混合比例係介於50：50至80：20之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之紅外線截止濾光片，其中該透明電介質基板係由玻璃形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之紅外線截止濾光片，其中該紅外線反射層係反射紫外線。
- 如申請專利範圍第1項所述之紅外線截止濾光片，其中該紅外線吸收層上還具備防止可見光反射的反射防止層。
- 如申請專利範圍第10項所述之紅外線截止濾光片，其中該反射防止層具有防止紫外線穿透的功能。
- 如申請專利範圍第1項所述之紅外線截止濾光片，其中該紅外線反射層的一側面係以凸面的方式彎曲，該紅外線反射層的另一側面與該透明電介質基板相鄰，該紅外線反射層的該側面與該紅外線反射層的該另一側面相對。
- 一種攝影裝置，其係包含：一紅外線截止濾光片，其係為申請專利範圍第1項至第12項任一項所述之紅外線截止濾光片；以及一攝影元件，穿透該紅外線截止濾光片的光係入射至該攝影元件。
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|---|---|---|---|---|
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| JP6103152B2 (ja) * | 2015-01-14 | 2017-03-29 | 旭硝子株式会社 | 近赤外線カットフィルタおよび固体撮像装置 |
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| TW201728732A (zh) * | 2016-01-20 | 2017-08-16 | Fujifilm Corp | 近紅外線吸收組成物、近紅外線截止濾波器的製造方法、近紅外線截止濾波器、固體攝像元件、照相機模組及紅外線感測器 |
| CN105676330A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-06-15 | 温岭市现代晶体有限公司 | 新型红外截止滤光片及其加工工艺 |
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Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011975A1 (fr) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Composition de resine durcissable par rayonnements actiniques et faisant barrage aux rayonnements thermiques, et film revetu de cette composition |
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| JP2000209510A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Daishinku Corp | 撮像装置 |
| JP2000212480A (ja) * | 1999-01-21 | 2000-08-02 | Toray Ind Inc | 赤外線吸収性ハ―ドコ―ト被膜 |
| JP2001215320A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Nippon Zeon Co Ltd | 光学フィルターおよびこれを用いた表示装置 |
| WO2002069000A1 (fr) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Seiko Epson Corporation | Filtre a film multicouche et procede de production de celui-ci, filtre eliminateur d'uv, verre etanche aux poussieres, panneau d'affichage et unite d'affichage du type a projection |
| JP3937823B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2007-06-27 | 株式会社大真空 | 光線カットフィルタ |
| TWI388876B (zh) * | 2003-12-26 | 2013-03-11 | Fujifilm Corp | 抗反射膜、偏光板，其製造方法，液晶顯示元件，液晶顯示裝置，及影像顯示裝置 |
| JP4513420B2 (ja) | 2004-05-26 | 2010-07-28 | Ｊｓｒ株式会社 | 近赤外線カットフィルターおよびその製造方法 |
| JP2006301489A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Nidec Copal Corp | 近赤外線カットフィルタ |
| US8202927B2 (en) * | 2007-08-09 | 2012-06-19 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Near-infrared absorbing composition and near-infrared absorbing filter |
| JP5594110B2 (ja) * | 2010-01-15 | 2014-09-24 | 旭硝子株式会社 | 撮像装置用レンズおよび撮像装置 |
| EP2584385A4 (en) * | 2010-06-18 | 2014-02-26 | Daishinku Corp | INFRARED BARRIER FILTER |
| JP2012137649A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Canon Electronics Inc | 光学フィルタ |
-
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI731996B (zh) * | 2016-06-30 | 2021-07-01 | 日商日本板硝子股份有限公司 | 截斷紅外線之濾光器及攝像光學系統 |
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