TWI587955B - 玻璃板切斷方法 - Google Patents

Description

玻璃板切斷方法

本發明是有關於一種熔斷玻璃板的切斷技術的改良。

先前，作為切斷玻璃板的方法，使用有：於玻璃板的表面形成劃線之後，使彎曲應力作用於該劃線以進行切割的方法(借助彎曲應力的切割)；或者於玻璃板上形成初始龜裂之後，利用雷射的照射熱來使該初始龜裂發展，以進行切割的雷射切割(借助熱應力的切割)。

然而，於借助彎曲應力的切割中，存在下述問題：無法避免微小玻璃粉的產生，該微小玻璃粉即使於切斷後的清洗中亦無法容易地去除。此種問題在要求高度的潔淨性的顯示器(display)用途等的玻璃基板中尤其成為問題。而且，於借助彎曲應力的切割中，玻璃板的切斷端部呈有稜角的形狀，容易產生碎片等的缺陷，因此必須在切斷後對玻璃板的切斷端部實施倒角加工。

另一方面，於雷射切割中，雖可大致無缺陷地切割玻璃板，但在對切割的玻璃板進行分離時，極難避免玻璃板的切斷端面彼此的接觸。因此，在分離時，有可能因玻璃板的切斷端面彼此的摩擦等，而於切斷端面形成微小缺陷。而且，於雷射切割中，亦與上述借助彎曲應力的切割同樣地，玻璃板的切斷端部呈有稜角的形狀，因此必須在切斷後實施倒角加工。

作為應對此種問題的切斷方法，備受矚目的是雷射熔 斷。

雷射熔斷是一方面藉由雷射的照射熱來熔融去除玻璃基板的一部分，一方面切斷玻璃板的方法。因此，於雷射熔斷中，可防止玻璃粉的產生。而且，藉由多餘玻璃的熔融去除而於熔斷端面(切斷端面)間形成規定的間隙(clearance)，亦可確實地避免在分離時玻璃板的熔斷端面彼此接觸的事態。進而，熔斷端面成為熔融而形成的平滑的鍛造面，因此即使另行實施倒角加工亦難以產生損傷。

然而，即使是此種雷射熔斷，於實用上仍殘留問題。

即，所述問題是：當利用雷射來熔斷玻璃板時，伴隨急遽的溫度上升而產生的過度的熱應力會作用於該雷射的照射區域附近的問題；或者在熔斷端面附近產生熱殘留應變的問題。並且，若該些問題的影響大，則玻璃板有時會因翹曲等發生變形或發生破損。

因此，例如於專利文獻1中揭示有：利用散焦的雷射來對玻璃基板進行預備加熱之後，利用聚光成微小點的雷射來熔斷玻璃板，進而，隨後，再次利用散焦的雷射來進行緩冷，藉此來降低熱應變。

再者，於該文獻中，緩冷用的雷射是與熔斷用的雷射同樣地，自正上方垂直地對玻璃板照射。

而且，於該文獻中，在玻璃基板的切斷預定線上，分別排列有預備加熱用的雷射的輸出端、熔斷用的雷射的輸出端以及緩冷用的雷射的輸出端(雷射照射器)，各雷射的照射區域成為彼此隔開間隔而獨立的狀態。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開昭60-251138號公報

<第1課題>

然而，於專利文獻1的情況下，緩冷用的雷射是自玻璃板的正上方垂直地對玻璃板的上表面入射，因此雷射帶來的熱的影響必然偏向於玻璃板的上表面側。其結果，無法充分地進行玻璃板的熔斷端面整體的緩冷，在玻璃板的熔斷過程中或熔斷後，仍可能受到熱殘留應變的影響而導致玻璃板產生翹曲等的變形。

再者，亦考慮取代如上所述般在熔斷中途與其並行地進行緩冷的做法，而在熔斷完成後對分離的玻璃板的熔斷端面各別地實施緩冷(退火(anneal))，但此時會產生如下所述的問題。即，近年來，實際情況是，以顯示器用途的玻璃基板為代表，正推進玻璃板的薄板化，一旦玻璃板在熔斷中途產生翹曲等的變形，則在隨後的處理(handling)時有可能造成破損，或者視情況而玻璃板在產生變形的時刻發生破損。因此，若考慮到玻璃板的薄板化的要求，關鍵在於在熔斷中途與其並行地進行緩冷。

本發明鑒於以上的實際情況，將下述內容作為第1課題：在玻璃板進行熔斷及與其並行地進行緩冷時，使玻璃板的熔斷端面確實地緩冷，儘可能降低玻璃板產生翹曲等的變形的事態。

<第2課題>

而且，專利文獻1中，排列於玻璃板的上方空間的3個雷射照射器各自的照射區域是彼此隔開間隔而獨立，因此在各照射區域之間供給的熱能可能產生損失。在進行預備加熱的照射區域與進行熔斷的照射區域之間，必須使玻璃板的溫度更高，因此若在該2個區域之間熱能損失，則預備加熱效果會降低而產生浪費。而且，若預備加熱效果降低，則熔斷時的玻璃板的溫度上升幅度將變大，因此亦有可能因熱衝擊導致玻璃板發生破損。進而，若進行熔斷的照射區域與進行緩冷的照射區域分離，則於該2個區域之間亦會造成熱能的損失。因此，於該2個區域之間被熔斷的玻璃板亦有可能急遽冷卻，從而因熱衝擊導致玻璃板發生破損。

本發明鑒於以上的實際情況，將下述內容作為第2課題：儘可能降低熔斷前後的預備加熱時以及緩冷時所給予的熱能的損失，藉此來確實地抑制玻璃板的破損或熱殘留應變的發生。

<第1發明>

為了解決上述第1課題而發明的第1發明是一種玻璃板切斷方法，沿著玻璃板的切斷預定線而自上方照射雷射，以所述切斷預定線為邊界來熔斷分離所述玻璃板，此玻璃板切斷方法的特徵在於，所述雷射包含熔斷用雷射與緩冷用雷射，所述熔斷用雷射進行所述玻璃板的熔斷，所述緩冷用雷射進行所述玻璃板的熔斷端面的緩冷，所述緩 冷用雷射是經由藉由所述熔斷而形成的所述熔斷端面間的間隙，相對於作為所述緩冷對象的所述熔斷端面而自上方傾斜地照射。

根據此種方法，緩冷用雷射利用藉由熔斷而形成的熔斷端面間的間隙，相對於成為緩冷對象的熔斷端面而傾斜地照射。因此，不會如對玻璃板垂直地照射緩冷用的雷射的情況般，雷射的照射熱的影響極端偏向玻璃板的上表面。附言之，由於對熔斷端面的一部分或全部直接照射緩冷用雷射，因此照射熱容易傳遞至熔斷端面整體。因此，可確實地進行熔斷端面整體的緩冷。

於上述方法中，較佳為，於所述緩冷用雷射的照射區域，形成熱能強度自所述切斷預定線上的熔斷執行部遍及熔斷完成部而變化的強度分布。尤其，更佳為，形成熱能強度自熔斷執行部朝向熔斷完成部而降低的強度分布(溫度梯度)。此處，熔斷執行部是指當前藉由熔斷用雷射來進行熔斷的部分，熔斷完成部是指藉由熔斷用雷射的熔斷已完成的部分。

若如此，則可自切斷預定線上的熔斷執行部遍及熔斷完成部，而對緩冷用雷射的照射熱的影響賦予變化，並可視熔斷狀況等來適當調整緩冷條件。尤其，當形成熱能自熔斷執行部朝向熔斷完成部而下降的強度分布時，自切斷預定線上的熔斷執行部朝向熔斷完成部，緩冷用雷射的照射熱的影響減弱，從而形成溫度逐漸下降的平緩的溫度梯度。其結果，緩冷時的作為緩冷對象的熔斷端面的溫度分 布變得良好。

於上述方法中，較佳為，所述緩冷用雷射以下述方式而傾斜，即，隨著自所述切斷預定線上的熔斷未完成部側向熔斷完成部側移行，或者隨著自所述切斷預定線上的熔斷完成部側向熔斷未完成部側移行，而接近所述玻璃板。

若如此，則投影至玻璃板的緩冷用雷射的照射區域自玻璃板的熔斷端面的熔斷未完成部側遍及熔斷完成部側而呈長條狀，因此可充分緩冷玻璃板。並且，此時，當採用平行光束來作為緩冷用雷射時，投影區域的能量分布自中心呈點對稱。而且，當散焦地照射聚光光束時，可自熔斷執行部朝向熔斷完成部而使熱能強度逐漸變小，或者，可自熔斷完成部朝向熔斷執行部而使熱能強度逐漸變大。因此，當如前者般散焦地照射聚光光束時，可簡單地形成溫度自切斷預定線上的熔斷執行部朝向熔斷完成部而逐漸下降的溫度梯度。

此處，若對散焦照射傾斜的聚光光束的情況附言之，則如圖1所示，聚光點FP的上側與下側的水平方向的光束剖面上的能量分布均呈現出能量自長條照射區域的一方朝向另一方而減少的態樣，且於上側剖面(剖面1)與下側剖面(剖面2)，分布的梯度為反向。詳細而言，於上側剖面，呈現出能量自水平方向前方朝向水平方向後方而逐漸減少的態樣，於下側剖面，呈現出能量自水平方向後方朝向水平方向前方而逐漸減少的態樣。

於上述方法中，較佳為，所述緩冷用雷射的與光軸正 交的剖面上的光束形狀為橢圓形狀。

若如此，則可遍及玻璃板的廣範圍來照射緩冷用雷射，因此可效率良好地進行熔斷端面的緩冷。而且，如上所述，當使緩冷用雷射傾斜時，即使不加大該傾斜，亦可加長照射區域的全長以使熱能強度的強度梯度變得平緩。

於上述方法中，所述緩冷用雷射的照射區域亦能以跨及所述熔斷用雷射的照射區域前後的方式，重疊於熔斷用雷射的照射區域而形成。此處所述的「重疊」的狀態是指：在緩冷用雷射的照射區域與熔斷用雷射的照射區域具有彼此重合的部分的狀態下，緩冷用雷射的照射區域超出熔斷用雷射的照射區域的前後(熔斷進行方向的前後)。即，在與熔斷進行方向正交的寬度方向上，熔斷用雷射的照射區域的一部分既可自緩冷用雷射的照射區域超出，亦可不超出。

若如此，則在熔斷用雷射之前，可先於緩冷用雷射的照射區域的一部分對玻璃板進行預備加熱。因此，可防止在藉由熔斷用雷射來熔斷玻璃板時，玻璃板的溫度急遽上升，可降低熱殘留應變的產生。

於上述方法中，所述熔斷用雷射與所述緩冷用雷射亦可為使自同一光源出射的雷射分支而形成。

若如此，則可將光源統一成一個，因此可實現省空間化。此時，較佳為，將熔斷用雷射與緩冷用雷射各自的輸出調整為最佳值。作為輸出的調整方法，例如可列舉：對用於分離熔斷用雷射與緩冷用雷射的半透反射鏡(half mirror)等的透過率(反射率)進行調整；或者於光路上配置中性濾光鏡(ND filter，neutral density filter)等減光用的光學零件。

於上述方法中，所述熔斷用雷射與所述緩冷用雷射亦可為自各自的光源出射而形成。

若如此，則熔斷用雷射的光源與緩冷用雷射的光源各自獨立，因此具有下述優點：可簡單地進行調整，而不會使一個雷射的輸出對另一個雷射造成影響。

為了解決上述第1課題而發明的第1發明是一種玻璃板切斷裝置，沿著玻璃板的切斷預定線來自上方照射雷射，以所述切斷預定線為邊界來熔斷分離所述玻璃板，此玻璃板切斷裝置的特徵在於包括：第1雷射照射器，照射進行所述玻璃板的熔斷的熔斷用雷射；以及第2雷射照射器，照射進行所述玻璃板的熔斷端面的緩冷的緩冷用雷射，所述第2雷射照射器經由藉由所述熔斷而形成的所述熔斷端面間的間隙，相對於作為所述緩冷對象的所述熔斷端面而自上方傾斜地照射緩冷用雷射。

根據此種結構，可享有與已述的對應的方法的發明同樣的作用效果。再者，第1雷射照射器與第2雷射照射器既可不同體，第1雷射照射器亦可兼作第2雷射照射器

<第2發明>

為了解決上述第2課題而發明的第2發明是一種玻璃板切斷方法，沿著玻璃板的切斷預定線來照射熔斷用雷射及緩冷用雷射，以所述切斷預定線為邊界來熔斷分離所述 玻璃板，此玻璃板切斷方法的特徵在於，在沿著所述切斷預定線的熔斷進行方向上，使所述緩冷用雷射的照射區域的尺寸大於所述熔斷用雷射的照射區域的尺寸，且，以所述緩冷用雷射的照射區域跨及所述熔斷用雷射的照射區域的所述熔斷進行方向的前後的方式，而使所述緩冷用雷射的照射區域重疊於所述熔斷用雷射的照射區域。再者，此處所述的「重疊」的狀態是指：在緩冷用雷射的照射區域與熔斷用雷射的照射區域具有彼此重合的部分的狀態下，緩冷用雷射的照射區域超出熔斷用雷射的照射區域的熔斷進行方向的前後。即，在與熔斷進行方向正交的寬度方向上，熔斷用雷射的照射區域的一部分既可自緩冷用雷射的照射區域超出，亦可不超出。於前者的情況下，例如當將玻璃板熔斷分離為製品部(良品)與非製品部(非良品)時，只要熔斷用雷射超出非製品部側，且對製品部側照射緩冷用雷射，便可實質上享有本發明的效果。於後者的情況下，熔斷用雷射的照射區域全部被包含於緩冷用雷射的照射區域。

根據此種方法，藉由緩冷用雷射的照射區域，於熔斷用雷射的照射區域的熔斷進行方向的前後，玻璃板以熔斷溫度以下的規定溫度受到加熱。即，於緩冷用雷射的照射區域中的、熔斷用雷射的照射區域的熔斷進行方向後方側的區域進行緩冷，於熔斷用雷射的照射區域的熔斷進行方向前方側的區域進行預備加熱。因此，能儘可能降低下述事態：在熔斷前後，發生因急遽的溫度上升或急遽的溫度 下降造成的破損，即發生因熱衝擊造成的破損或熱殘留應變。並且，由於該發揮預備加熱與緩冷作用的緩冷用雷射的照射區域重疊於熔斷用雷射的照射區域，因此預備加熱、熔斷、緩冷的各區域於熔斷進行方向上簡單且確實地連續。因此，對玻璃板連續地進行該些一連串的熱處理，因此可抑制所供給的熱能的損失，而效率良好地去除熱殘留應變。再者，預備加熱與緩冷的平衡(balance)可藉由變更熔融用雷射的照射區域相對於緩冷用雷射的照射區域的相對位置而容易地調整。

於上述方法中，較佳為，所述玻璃板被熔斷分離為製品部與非製品部，並且所述緩冷用雷射的照射區域是較成為所述非製品部的一側偏向成為所述製品部的一側而形成。

若如此，則當將玻璃板熔斷分離為製品部與非製品部時，可對玻璃板中的成為製品部的一側優先實施預備加熱處理或緩冷處理，因此可更確實地降低製品部的熱殘留應變。

於上述方法中，較佳為，所述熔斷用雷射的照射區域是在較所述熔斷進行方向上的所述緩冷用雷射的照射區域的中心位置更靠所述熔斷進行方向的前方側，與所述緩冷用雷射的照射區域重疊。

若如此，則緩冷用雷射的照射區域中的進行玻璃板的緩冷的區域較進行玻璃板的預備加熱的區域，在熔斷進行方向上更長。熱殘留應變是因在熔斷後急速冷卻而產生， 因此，如上所述般加長進行緩冷的區域的做法對於去除熱殘留應變是較佳的態樣。

於上述方法中，所述緩冷用雷射的照射區域亦可沿著所述熔斷進行方向而呈長條的細長形狀。

熱殘留應變是集中產生於玻璃板的熔斷部附近，因此若將緩冷用雷射的照射區域設為沿熔斷進行方向呈長條的細長形狀(例如橢圓形狀等)，則可對熔斷端部重點照射雷射。因此，能儘可能降低所供給的熱能的浪費。

於上述方法中，較佳為，所述緩冷用雷射自相對於所述玻璃基板的表面而傾斜的方向照射。

若如此，則在投影至玻璃基板的表面時，緩冷用雷射的照射區域被拉長，因此可將緩冷用雷射的照射區域簡單地整形為細長形狀。

於上述方法中，較佳為，所述熔斷用雷射與所述緩冷用雷射的波長互不相同。

雷射為同調(coherent)光，因此干涉性高。於本發明中，若在熔斷用雷射的照射區域與緩冷用雷射的照射區域的重合部分形成干涉條紋，則玻璃板所受的能量分布將變得複雜。其結果，難以充分控制熔斷、緩冷的各步驟。因此，於上述方法中，使熔斷用雷射與緩冷用雷射的波長互不相同，藉此，抑制在兩雷射重合的區域形成在時間上恆定的干涉條紋。因此，若考慮到前述的重合區域中的時間平均，可降低干涉條紋造成的影響，從而容易充分控制玻璃板所受的能量分布。

於上述方法中，較佳為，所述熔斷用雷射光束與所述緩冷用雷射光束是由互不相同的振盪器振盪發出的光束。

若如此，則可使熔斷用雷射光束的波長與緩冷用雷射光束的波長容易且穩定地不同。即，只要使用不同的振盪器，則即使是例如使同質的雷射媒體振盪的振盪器，亦可容易地振盪發出不同波長的光束，因此可抑制在熔斷用雷射光束與緩冷用雷射光束重合的區域形成在時間上恆定的干涉條紋。

再者，於上述方法中，作為所述熔斷用雷射光束與所述緩冷用雷射光束，即便使用對由同一振盪器振盪發出的光束進行分光所得的光束時，只要考慮兩光束中的可干涉距離來調整所述熔斷用雷射光束與所述緩冷用雷射光束的光路差，亦可抑制干涉條紋的形成。

根據如上所述的第1發明，可對玻璃板的熔斷端面整體確實地進行緩冷，因此能儘可能降低玻璃板產生翹曲等變形的事態。

而且，根據如上所述的第2發明，進行預備加熱、熔斷、緩冷的照射區域各自連續，因此能儘可能降低熔斷前後的預備加熱時以及緩冷時所賦予的熱能的損失，因此可確實地降低玻璃板因熱衝擊而發生破損或者玻璃板產生熱殘留應變的比例。

以下，參照附圖來說明第1發明及第2發明各自的實 施形態。再者，以下，玻璃板設為厚度500 μm以下的平板顯示器(flat panel display)用的玻璃基板，但當然不限定於此。例如，可適用於太陽電池用、有機電激發光(Electroluminescence，EL)照明用、觸控面板(touch panel)用、數位電子看板(Digital Signage)用等利用在各種領域中的玻璃基板或者與該有機樹脂的積層體等。再者，玻璃板的厚度較佳為300 μm以下、尤佳為200 μm以下。

<第1發明的實施形態>

如圖2A、圖2B所示，第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置1是將平置姿勢的玻璃基板G以切斷預定線CL為邊界而熔斷分離為製品部Ga與非製品部Gb，具備第1雷射照射器2、第2雷射照射器3及氣體噴射噴嘴4。

第1雷射照射器2自玻璃基板G的切斷預定線CL的正上方大致鉛直地照射熔斷用雷射LB1。藉由該熔斷用雷射LB1，於玻璃基板G的切斷預定線CL的一部分形成成為熔斷執行部的第1照射區域SP1。本實施形態中，藉由未圖示的搬送裝置(例如吸附保持玻璃基板G的搬送帶(belt))來使玻璃基板G沿搬送方向(圖中的箭頭A)移動，藉由沿著切斷預定線CL來掃描第1照射區域SP1，從而連續地熔斷分離玻璃基板G。即，與箭頭A相反的圖中的箭頭B成為熔斷進行方向。此時，在成為製品部Ga的一側的熔斷端面Ga1與成為非製品部Gb的一側的熔斷端面Gb1之間，形成熔斷間隙S。再者，並不限於如此般僅使玻璃基板G移動的情況，只要在加工單元(unit)與 玻璃基板G之間存在相對移動，便可進行玻璃基板G的熔斷，所述加工單元包含第1雷射照射器2、第2雷射照射器3及氣體噴射噴嘴4。例如，亦可為下述結構：在使玻璃基板G靜止的狀態下，使加工單元移動。

第2雷射照射器3經由藉由熔斷用雷射LB1而形成的玻璃基板G的熔斷端面Ga1、Gb1間的熔斷間隙S，自成為非製品部Gb的一側的上方對成為製品部Ga的一側的熔斷端面Ga1傾斜地照射緩冷(退火)用雷射LB2。藉由該緩冷用雷射LB2，於玻璃基板G的切斷預定線CL的一部分，形成成為緩冷執行部的第2照射區域SP2。第2照射區域SP2是沿著切斷預定線CL而呈長條的細長形狀(圖示例為橢圓形狀)的區域，且與第1照射區域SP1隔開間隔而形成於切斷預定線CL上的熔斷完成部R1。本實施形態中，藉由使玻璃基板G如上所述般移動，沿著切斷預定線CL來掃描第2照射區域SP2，從而對成為製品部Ga的一側的熔斷端面Ga1連續地進行緩冷。

再者，如圖3A所示，第2照射區域SP2亦可與第1照射區域SP1接觸。而且，如圖3B所示，第2照射區域SP2亦能以跨及第1照射區域SP1的搬送方向前後的方式，重疊於第1照射區域SP1而形成。於後者的情況下，第2照射區域SP2的一部分形成於玻璃基板G的熔斷未完成部R2，因此在即將熔斷之前對玻璃基板G進行預備加熱。

氣體噴射噴嘴4為了吹趕在第1照射區域SP1產生的 熔融異物，相對於第1照射區域SP1而自上方噴射輔助氣體AG。詳細而言，於玻璃基板G的成為製品部Ga的一側的上方位置配置有氣體噴射噴嘴4，輔助氣體AG自成為製品部Ga的一側的上方位置朝向第1照射區域SP1而傾斜地噴射。藉此，藉由輔助氣體AG來將熔融異物吹趕至非製品部Gb側，以抑制熔融異物附著於製品部Ga的熔斷端面Ga1而產生形狀不良的事態。此處，「熔融異物」是指在玻璃板G的熔斷時產生的渣滓等的異物，包含處於熔融狀態的異物及處於固化狀態的異物這兩者。

作為輔助氣體AG，例如可單獨或在混合狀態下使用氧(或空氣)、水蒸氣、二氧化碳、氮、氬等的氣體。而且，輔助氣體AG亦可作為熱風而噴射。

再者，玻璃基板G的上方空間的氣體噴射噴嘴4的配置位置並無特別限定，例如亦可配置於切斷預定線CL的正上方，並與熔斷用雷射LB1一同相對於玻璃基板G而大致垂直地噴射輔助氣體AG。而且，亦可將氣體噴射噴嘴4配置於玻璃基板G的下方空間，以自玻璃基板G的下方吹趕熔融異物。該些輔助氣體AG是用於效率良好地進行熔斷，但亦可適當省略。

本實施形態中，如圖4所示，第2雷射照射器3配置於熔斷未完成部R2的成為非製品部Gb的一側的上方位置。自該第2雷射照射器3出射的緩冷用雷射LB2以隨著自熔斷未完成部R2側向熔斷完成部R1側移行而接近玻璃基板G的方式而傾斜。再者，緩冷用雷射LB2亦能以隨著 自熔斷完成部R1側向熔斷未完成部R2側移行而接近玻璃基板G的方式而傾斜。

即，緩冷用雷射LB2具有圖中所示的方位角θ與極角φ。因此，如圖5所示，投影至玻璃基板G的第2照射區域SP2自成為熔斷執行部的第1照射區域SP1遍及熔斷完成部R1而呈長條狀，從而呈橢圓形狀。該橢圓形狀的長軸的方向於圖2B中圖示為與切斷預定線CL平行，但視方位角θ的大小而變化，具有熔斷進行方向的成分。再者，亦可將下述緩冷用雷射LB2照射至成為製品部Ga的一側的熔斷端面Ga1，所述緩冷用雷射LB2設θ=π/2，且以長軸的方向沿著切斷預定線CL的方式，將與光軸正交的剖面預先整形成橢圓形狀。作為將雷射的與光軸正交的剖面預先整形成橢圓形狀的方法，例如可列舉使用柱狀透鏡(cylindrical lens)等的光學零件或狹縫(slit)狀的遮光罩(mask)等。

此處，緩冷用雷射LB2的方位角θ與極角φ較佳為處於如下的範圍。即，方位角θ較佳為處於0<θ<π/2及π/2<θ<π的範圍。若處於該範圍，則具有沿著切斷預定線CL的方向的成分，因此第2照射區域SP2中的緩冷用雷射LB2的熱能強度自第1照射區域SP1側遍及熔斷完成部R1側而具備平緩的變化。因此，形成熱能強度自切斷預定線CL上的第1照射區域SP1遍及熔斷完成部R1側而平緩地變化的強度梯度。再者，如圖6所示，當採用平行光束作為緩冷用雷射LB2時，對於方位角θ，於0<θ<π/2 及π/2<θ<π中的任一範圍內，照射的效果均等同，但如圖7所示，當採用聚光光束並散焦地照射時，方位角θ存在適當範圍。即，當在聚光點更下方位置散焦照射至玻璃基板G時(參照圖1的剖面2)，0<θ<π/2為適當範圍，相反地，當在聚光點更上方位置散焦照射至玻璃基板G時(參照圖1的剖面1)，π/2<θ<π為適當範圍。

另一方面，如圖6所示，當採用平行光束來作為緩冷用雷射LB2時，若將緩冷用雷射LB2的束徑設為w₂、將玻璃基板G的厚度設為t、將照射位置的調整量設為d，則極角φ較佳為滿足0<φ<cos^-1[(t+w₂)/{2(s+t+d)}]的範圍。而且，如圖7所示，當採用聚光光束來作為緩冷用雷射LB2並使其散焦地照射時，若將緩冷用雷射LB2與非製品部Gb接觸的狀態下的接點的束徑設為w₂、將聚光角設為α、將玻璃基板G的厚度設為t、將照射位置的調整量設為d，則極角φ較佳為滿足0<φ<cos^-1〔(tcosα+w₂)/{2(s+t+d)}〕的範圍。換言之，極角φ較佳為設定為下述角度範圍，即：在與製品部Ga的熔斷端面Ga1靠近並相向的非製品部Gb的熔斷端面Gb1附近不會產生干涉的角度範圍。緩冷用雷射LB2的照射位置較佳為根據緩冷前的製品部Ga的熔斷端面Ga1附近產生的拉伸應力的位置而調整，其調整量d例如於-0.5t≦d≦2.5t的範圍內進行調整。

再者，若將緩冷用雷射LB2整形成與光軸正交的剖面呈橢圓形狀，則即使不加大傾斜角(極角φ)，亦可形成全 長較長且能量分布的梯度平緩的第2照射區域SP2。

其次，簡單說明以上述方式構成的本實施形態的玻璃切斷裝置1的動作。

首先，如圖2A、圖2B所示，一方面搬送玻璃基板G，一方面自第1雷射照射器2對玻璃基板G照射熔斷用雷射LB1。藉此，熔斷玻璃基板G。此時，相對於熔斷用雷射LB1的第1照射區域SP1，在氣體噴射噴嘴4噴射輔助氣體AG，以自第1照射區域SP1吹趕熔融異物。

與此同時，自第2雷射照射器3對玻璃基板G照射緩冷用雷射LB2。該緩冷用雷射LB2是經由藉由熔斷用雷射LB1的照射而形成的熔斷端面Ga1、Gb1間的熔斷間隙S，相對於成為製品部Ga的一側的熔斷端面Ga1而自上方傾斜地照射。藉此，對熔斷端面Ga1進行緩冷。

若如此，則不會如對玻璃基板G的上表面垂直地照射緩冷用雷射LB2的情況般，緩冷用雷射LB2的照射熱的影響極端偏向玻璃基板G的上表面。附言之，由於對熔斷端面Ga1的一部分或全部直接照射緩冷用雷射LB2，因此照射熱容易傳遞至熔斷端面Ga整體。因此，即使玻璃基板是500 μm以下的薄板，亦可效率良好地去除殘留應變，從而可避免產生翹曲等變形的問題。

此處，玻璃基板G的熔斷是藉由下述過程而完成，即：藉由熔斷用雷射LB1而自玻璃基板G的上表面側開始熔融，且藉由該熔融而形成的切斷槽貫穿至下方。因此，熔斷端面Ga1越接近上表面，將會越強地受到熔斷時供給的 照射熱的影響，對於熔斷端面Ga1的熱殘留應變而言，亦認為上表面側相對較大。因此，要去除熔斷端面Ga1的殘留應變，較佳為對熔斷端面Ga1的上表面側供給更多的熱以進行緩冷處理。因此，緩冷用雷射LB2較佳為如圖6及圖7所示，直接照射至熔斷端面Ga1的上方部(例如上半部分的區域)。

再者，第1發明並不限定於上述的實施形態，可進行各種變形。

上述實施形態中，對在玻璃基板G的切斷預定線CL的正上方配置第1雷射照射器2，在玻璃基板G的非製品部Gb的上方配置第2雷射照射器3的情況進行說明，但第1雷射照射器2或第2雷射照射器3的配置態樣並不限定於此。例如，亦可如圖8所示，將第1雷射照射器2與第2雷射照射器3配置於製品部Ga的上方位置，並藉由反射鏡(mirror)5、6等的光學零件來引導熔斷用雷射LB1及緩冷用雷射LB2。

而且，上述實施形態中，使第1雷射照射器2與第2雷射照射器3由各自的光源構成，但亦可如圖9所示，第1雷射照射器2兼作第2雷射照射器3。即，亦可藉由半透反射鏡7等的光學零件來使自第1雷射照射器2出射的雷射LB分支為熔斷用雷射LB1與緩冷用雷射LB2。此時，緩冷用雷射LB2亦可藉由調整半透反射鏡等的透過率(反射率)或在其光路上藉由ND濾光鏡等來減光而適當調整能量後，照射至玻璃基板G。而且，藉由考慮到熔斷用雷 射光束LB1與緩冷用雷射光束LB2中的可干涉距離來調整兩光束的光路差，亦可抑制干涉條紋的形成。

而且，當利用溢流下拉(overflow down draw)法等來使玻璃基板G成形時，如圖10所示，與玻璃基板G的寬度方向中央部的厚度相比，玻璃基板G的寬度方向兩端部的厚度相對較厚。並且，寬度方向中央部被設為製品部Ga，寬度方向兩端部被設為非製品部(被稱作耳部)Gb。第1發明的切斷方法及切斷裝置亦可適用於去除此種玻璃基板G的耳部。

而且，上述實施形態中，對將玻璃基板G熔斷分離為製品部Ga與非製品部Gb的情況進行了說明，但亦可適用於將經熔斷分離的兩者利用作製品部的情況。

[實例1]

作為第1發明的實例，準備無鹼玻璃的試料與鈉玻璃(soda glass)的試料，將各試料熔斷，進行(1)熔斷端面有無殘留應變的確認、(2)熔斷端面於劃痕賦予測試中有無破損的確認、(3)熔斷後的各試料有無翹曲的確認。再者，作為熔斷用雷射及緩冷用雷射，使用波長10.6μm附近的CO₂雷射。而且，熔斷用雷射的照射區域(SP1)與緩冷用雷射的照射區域(SP2)設為圖2B所示的態樣。上述(1)~(3)的各測試的詳細內容如下。

(1)殘留應變

熔斷端面有無殘留應變是藉由下述方式來確認，即，使用作為光學應變計測的塞納蒙(Senarmont)法或靈敏色 法來觀察各試料的熔斷端面。

(2)劃痕賦予測試

熔斷端面的劃痕賦予測試是於各試料的熔斷端面藉由#1000的砂紙(sand paper)來賦予劃痕後，放置1000小時，並根據是否自我破壞來確認。

(3)翹曲

將熔斷後的各試料置於壓盤上，確認有無翹曲。此處，翹曲是對將各試料的背面朝上的情況與將背面朝下的情況分別進行確認，對於各情況，在試料的周緣部存在自壓盤翹起0.3mm的部分的情況下評價為「有」。

將如上所述的對比測試的結果示於表6。再者，於表中，將θ、φ設為遵照圖4者，將w₂、s、d設為遵照圖6及圖7者。而且，表中的雷射的能量強度[W]設為實際上的玻璃基板表面的值。

根據以上的表1，於使緩冷用雷射相對於玻璃基板而垂直入射的比較例1及比較例2中，對於殘留應變、劃痕賦予測試、翹曲，可分別確認產生了問題。與此相對，於使緩冷用雷射相對於玻璃基板而傾斜地入射的實例1~實例6中，對於殘留應變、劃痕賦予測試、翹曲，可認識到全部獲得良好的結果。

<第2發明的實施形態>

第2發明的實施形態的玻璃板切斷裝置是與第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置同樣地，具備熔斷用雷射照射器、緩冷用雷射照射器及氣體噴射噴嘴(參照圖2A)。對於所述各結構，由於與第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置相同，因此省略詳細的說明。以下，以與切斷方法 相關的不同點為中心來進行說明。

如圖11所示，當利用第2發明的實施形態的玻璃板切斷裝置來切斷玻璃板時，以藉由緩冷用雷射而形成的第2照射區域SP2跨及藉由熔斷用雷射而形成的第1照射區域SP1的熔斷進行方向(圖中的箭頭B方向)的前後的方式，第2照射區域SP2重疊於第1照射區域SP1。即，在第1照射區域SP1與第2照射區域SP2具有彼此重合的部分的狀態下，第2照射區域SP2超出第1照射區域SP1的熔斷進行方向的前後。因此，當在第2照射區域SP2對玻璃基板G進行加熱時，在連續於第1照射區域SP1的熔斷進行方向前後的區域，玻璃基板G以比熔斷溫度(例如1300℃~3000℃)低的低溫(例如100℃~1000℃)受到加熱。即，在第2照射區域SP2中的、第1照射區域SP1的熔斷進行方向前方側的區域SP2a，對玻璃基板G進行預備加熱，在第1照射區域SP1的熔斷進行方向後方側的區域SP2b，對玻璃基板G進行緩冷。並且，藉由使玻璃基板G沿搬送方向(圖中的箭頭A方向)移動，第2照射區域SP2沿著切斷預定線CL受到掃描，對於玻璃基板G，在熔斷前後連續地實施預備加熱與緩冷。

藉此，能儘可能降低下述事態：在熔斷前後，發生因急遽的溫度上升或急遽的溫度下降造成的破損，即發生因熱衝擊造成的破損或熱殘留應變。尤其，在500 μm以下的玻璃基板的情況下，若預備加熱、熔斷、緩冷的各區域SP2a、SP1、SP2b分離，則溫度上升或溫度下降變得急遽。 並且，該發揮預備加熱與緩冷作用的第2照射區域SP2重疊於第1照射區域SP1，因此預備加熱、熔斷、緩冷的各區域SP2a、SP1、SP2b於熔斷進行方向上簡單且確實地連續。因此，對玻璃基板G連續地進行所述一連串的熱處理，可避免在各熱處理區域SP2a、SP1、SP2b之間不當地損失熱能的事態。換言之，可一方面藉由對玻璃基板G供給的熱能來效率良好地執行預備加熱與熔斷，一方面去除熱殘留應變。

此處，如圖12A所示，當將通過與第2照射區域SP2的熔斷進行方向正交的方向的中心位置且沿熔斷進行方向延伸的線設為X軸、將在第2照射區域SP2的熔斷進行方向的中心位置與該X軸正交的線設為Y軸、將第2照射區域SP2的X軸方向尺寸設為2a₂、將第2照射區域SP2的Y軸方向尺寸設為2b₂、將第1照射區域SP1的X軸方向尺寸設為2a₁、將第1照射區域SP1的Y軸方向尺寸設為2b₁、將第1照射區域SP1的中心座標設為(x，y)時，第1照射區域SP1與第2照射區域SP2之間的較佳關係如下。

即，第1照射區域SP1與第2照射區域SP2的點徑之間的關係為a₁<a₂、b₁<b₂，但較佳為50a₁≦a₂ 30b₁≦b₂………(1)。

而且，第1照射區域SP1的中心座標(x，y)較佳為 滿足-a₂/4≦x<a₂-a₁ -b₂-b₁<y≦b₂/2………(2)

的關係(圖12B的A1所示的區域)，更佳為滿足a₂/4≦x≦3a₂/4 -b₂/2≦y≦0………(3)

的關係(圖12B的A2所示的區域)。

若滿足上述式(1)或式(2)，則第1照射區域SP1與第2照射區域SP2的大小關係或位置關係成為最佳，可確實地降低玻璃基板G的製品部Ga中的熱殘留應變的發生。而且，若滿足式(3)，則第2照射區域SP2較非製品部Gb側偏向製品部Ga側而形成，並且在第2照射區域SP2的熔斷進行方向的中心位置(Y軸的位置)更前方側，第1照射區域SP1相對於第2照射區域SP2而重疊。若如此，則可對玻璃基板G中的成為製品部Ga的一側優先實施預備加熱處理或緩冷處理，因此可更確實地降低製品部Ga的熱殘留應變。而且，此時，照射區域SP2中的進行緩冷的區域SP2b的熔斷進行方向的尺寸比進行預備加熱的區域SP2a的熔斷進行方向的尺寸更長。熱殘留應變是因在熔斷後受到急速冷卻而產生，因此如上所述般加長進行 緩冷的區域且減小冷卻速度的做法對於去除熱殘留應變而為較佳的態樣。

而且，作為熔斷用雷射與緩冷用雷射，使用由不同的振盪器振盪發出的雷射，藉此，使兩者的波長互不相同。若如此，則不會由熔斷用雷射與緩冷用雷射形成在時間上恆定的干涉條紋，而容易充分控制對玻璃板給予的能量分布。

再者，第2發明並不限定於上述實施形態，可進行各種變形。

例如，上述實施形態中，對將玻璃基板G熔斷分離為製品部Ga與非製品部Gb的情況進行了說明，但亦可適用於將經熔斷分離的兩者利用作製品部的情況。

而且，可同樣地適用上述第1發明中說明的變形例。

[實例2]

作為第2發明的實例，將使熔斷用雷射(波長10.6 μm附近的CO₂雷射，於以下所示的表中顯示為輸出1)相對於玻璃基板而以10 mm/s的相對移動速度來掃描以進行熔斷時的殘留應變設為10時，檢查該殘留應變得到何種程度的改善。當殘留應變為10時，有可能在玻璃基板產生翹曲等的變形，或者在處理時或加工步驟中引起破損。殘留應變較佳為3以下。而且，配合上述殘留應變的檢查，亦檢查在熔斷時玻璃基板是否因熱衝擊發生破損。因熱衝擊造成的破損被認為可能在熔斷時玻璃基板受到急遽加熱的情況下產生。

詳細而言，使由各不相同的振盪器振盪發出的熔斷用雷射與緩冷用雷射(波長10.6 μm附近的CO₂雷射，於以下所示的表中顯示為輸出2)各自的照射區域的相對位置發生變化，或者使緩冷用雷射的照射區域的大小發生變化，藉此來評價因上述殘留應變或熱衝擊造成的破損得到何種程度的改善。將其結果示於表2~表4。再者，以下所示的表中的a₁、b₁、a₂、b₂、x、y的符號設為遵照圖12B者。而且，以下所示的表中的輸出1以及輸出2表示玻璃基板表面上的各雷射的能量。

根據以上的表2，於作為比較例的試料No.1中，對於薄板玻璃既未實施預備加熱亦未實施緩冷，因此殘留應變成為10，以至產生因熱衝擊造成的破裂。與此相對，於作為實例的試料No.2~試料No.9中，第2照射區域(緩冷用雷射的照射區域)以跨及第1照射區域(熔斷用雷射的照射區域)前後的方式而重疊，因此在熔斷薄板玻璃的前後實施預備加熱與緩冷，殘留應變均得到改善，亦未發生 因熱衝擊造成的破裂。尤其，如試料No.2、試料No.7~試料No.9般，於a₂/a₁≧50且b₂/b₁≧30的範圍內，可獲得殘留應變成為1的極為良好的結果。

根據以上的表3，於作為比較例的試料No.10中，第2照射區域為僅超出第1照射區域的熔斷進行方向前方側的狀態，因此對於薄板玻璃，於熔斷後未實施緩冷，殘留應變未見改善。而且，於作為比較例的試料No.20中，第2照射區域為僅超出第1照射區域的熔斷進行方向後方側的狀態，因此對於薄板玻璃，於熔斷前未實施預備加熱，以至產生因熱衝擊造成的破裂。與此相對，於作為實例的試料No.11~試料No.19中，第2照射區域在具有與第1照射區域重合的部分的狀態下超出熔斷進行方向的前後，因此在熔斷薄板玻璃的前後實施預備加熱與緩冷，因此達成下述結果，即，殘留應變均得到改善，因熱衝擊造成的破裂亦得到改善。

根據以上的表4，於作為比較例的試料No.21中，第2照射區域不與第1照射區域重合而向薄板玻璃的成為製品部的一側偏離，因此第2照射區域的熱能不會作用於第1照射區域，從而獲得下述結果，即，無論是殘留應變還是因熱衝擊造成的破裂均未改善。而且，於作為比較例的試料No.31中，第2照射區域不與第1照射區域重合而向薄板玻璃的成為非製品部的一側偏離，因此第2照射區域的熱能不會作用於第1照射區域，同樣獲得下述結果，即，無論是殘留應變還是因熱衝擊造成的破裂均未改善。與此 相對，於作為實例的試料No.22~試料No.30中，第2照射區域在超出第1照射區域的熔斷進行方向的前後的狀態下，在與熔斷進行方向正交的寬度方向上具有重合的部分，預備加熱與緩冷的效果作用於薄板玻璃的熔斷部，獲得下述結果，即，殘留應變均得到改善，亦未產生因熱衝擊造成的破裂。

尤其，根據表3及表4，如試料No.12~試料No.19及試料No.22~試料No.30般，於-a₂/4≦x<a₂-a₁且-b₂-b₁<y≦b₂/2的範圍內，可確認獲得下述良好的結果，即，因熱衝擊造成破裂得到改善，並且殘留應變為3以下。其中，如試料No.15~試料No.17及試料No.25~試料No.26般，於1/4≦x/a₂≦3/4且-1/2≦y/b₂≦0的範圍內，可確認獲得下述極為良好的結果，即，完全無因熱衝擊造成的破裂，且殘留應變為1以下。

1‧‧‧玻璃板切斷裝置

2‧‧‧第1雷射照射器

3‧‧‧第2雷射照射器

4‧‧‧氣體噴射噴嘴

5、6‧‧‧反射鏡

7‧‧‧半透反射鏡

A、B‧‧‧箭頭

AG‧‧‧輔助氣體

CL‧‧‧切斷預定線

d‧‧‧照射位置的調整量

FP‧‧‧聚光點

G‧‧‧玻璃基板

Ga‧‧‧製品部

Ga1、Gb1‧‧‧熔斷端面

Gb‧‧‧非製品部

LB1‧‧‧熔斷用雷射

LB2‧‧‧緩冷用雷射

R1‧‧‧熔斷完成部

R2‧‧‧熔斷未完成部

S‧‧‧熔斷間隙

SP1‧‧‧第1照射區域

SP2‧‧‧第2照射區域

SP2a‧‧‧預備加熱區域

SP2b‧‧‧緩冷區域

t‧‧‧玻璃基板的厚度

w₂‧‧‧緩冷用雷射與非製品部接觸的狀態下的接點的束徑

α‧‧‧聚光角

θ‧‧‧緩冷用雷射的方位角

φ‧‧‧緩冷用雷射的極角

圖1是用於說明第1發明的玻璃板切斷方法的作用的圖。

圖2A是表示第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置的剖面圖。

圖2B是表示圖1的發明的實施形態的玻璃板切斷裝置的雷射的照射區域的平面圖。

圖3A是表示第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置的雷射照射區域的變形例的平面圖。

圖3B是表示第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置 的雷射照射區域的變形例的平面圖。

圖4是表示第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置的緩冷用雷射的照射狀態的立體圖。

圖5是表示第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置的緩冷用雷射的照射狀態的立體圖。

圖6是用於說明使用平行光束來作為第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置中的緩冷用雷射時的照射狀態的概念圖。

圖7是用於說明使用聚光光束來作為第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置中的緩冷用雷射，並散焦照射該聚光光束時的照射狀態的概念圖。

圖8是表示第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置中的雷射的照射態樣的變形例的立體圖。

圖9是表示第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置中的雷射的照射態樣的變形例的立體圖。

圖10是表示成為第1發明的實施形態的玻璃板切斷裝置的切斷對象的玻璃基板的變形例的剖面圖。

圖11是表示第2發明的實施形態的玻璃板切斷裝置的雷射的照射區域的平面圖。

圖12A是用於說明第2發明的實施形態的玻璃板切斷裝置中的熔斷用雷射與緩冷用雷射各自的照射區域的位置關係的圖。

圖12B是用於說明第2發明的實施形態的玻璃板切斷裝置中的熔斷用雷射與緩冷用雷射各自的照射區域的位置 關係的較佳範圍的圖。

1‧‧‧玻璃板切斷裝置

2‧‧‧第1雷射照射器

3‧‧‧第2雷射照射器

4‧‧‧氣體噴射噴嘴

AG‧‧‧輔助氣體

G‧‧‧玻璃基板

Ga‧‧‧製品部

Ga1、Gb1‧‧‧熔斷端面

Gb‧‧‧非製品部

LB1‧‧‧熔斷用雷射

LB2‧‧‧緩冷用雷射

S‧‧‧熔斷間隙

Claims (14)

1. 一種玻璃板切斷方法，沿著玻璃板的切斷預定線而自上方照射雷射，以所述切斷預定線為邊界來熔斷分離所述玻璃板，此玻璃板切斷方法的特徵在於，所述雷射包含熔斷用雷射與緩冷用雷射，所述熔斷用雷射進行所述玻璃板的熔斷，所述緩冷用雷射至少在沿著所述熔斷用雷射的照射區域的所述切斷預定線之熔斷進行方向的後方側區域進行所述玻璃板的熔斷端面的緩冷，所述緩冷用雷射是經由藉由所述熔斷而形成的所述熔斷端面間的間隙，相對於作為所述緩冷對象的所述熔斷端面而自上方傾斜地照射。
2. 如申請專利範圍第1項所述之玻璃板切斷方法，其中於所述緩冷用雷射的照射區域，形成熱能強度自所述切斷預定線上的熔斷執行部遍及熔斷完成部而變化的強度分布。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之玻璃板切斷方法，其中所述緩冷用雷射以下述方式而傾斜，即，隨著自所述切斷預定線上的熔斷未完成部側向熔斷完成部側移行，或者隨著自所述切斷預定線上的熔斷完成部側向熔斷未完成部側移行，而接近所述玻璃板。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之玻璃板切斷方法，其中 所述緩冷用雷射的與光軸正交的剖面上的光束形狀為橢圓形狀。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之玻璃板切斷方法，其中所述緩冷用雷射的照射區域以跨及所述熔斷用雷射的照射區域前後的方式，重疊於熔斷用雷射的照射區域而形成。
6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之玻璃板切斷方法，其中所述熔斷用雷射與所述緩冷用雷射是使自同一光源出射的雷射分支而形成。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之玻璃板切斷方法，其中所述熔斷用雷射與所述緩冷用雷射是自各自的光源出射而形成。
8. 一種玻璃板切斷方法，沿著玻璃板的切斷預定線來照射熔斷用雷射及緩冷用雷射，以所述切斷預定線為邊界來熔斷分離所述玻璃板，此玻璃板切斷方法的特徵在於，在沿著所述切斷預定線的熔斷進行方向上，使所述緩冷用雷射的照射區域的尺寸大於所述熔斷用雷射的照射區域的尺寸，且，以所述緩冷用雷射的照射區域跨及所述熔斷用雷射的照射區域的所述熔斷進行方向的前後的方式，而使所述緩冷用雷射的照射區域重疊於所述熔斷用雷射的照射區域。
9. 如申請專利範圍第8項所述之玻璃板切斷方法，其中所述玻璃板被熔斷分離為製品部與非製品部，並且所述緩冷用雷射的照射區域是較成為所述非製品部的一側偏向成為所述製品部的一側而形成。
10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述之玻璃板切斷方法，其中所述熔斷用雷射的照射區域是在較所述熔斷進行方向上的所述緩冷用雷射的照射區域的中心位置更靠所述熔斷進行方向的前方側，與所述緩冷用雷射的照射區域重疊。
11. 如申請專利範圍第8項或第9項所述之玻璃板切斷方法，其中所述緩冷用雷射的照射區域沿著所述熔斷進行方向而呈長條的細長形狀。
12. 如申請專利範圍第11項所述之玻璃板切斷方法，其中所述緩冷用雷射自相對於所述玻璃基板的表面而傾斜的方向照射。
13. 如申請專利範圍第8項或第9項所述之玻璃板切斷方法，其中所述熔斷用雷射與所述緩冷用雷射的波長互不相同。
14. 如申請專利範圍第13項所述之玻璃板切斷方法，其中所述熔斷用雷射光束與所述緩冷用雷射光束是由互不 相同的振盪器振盪發出的光束。