TWI587928B - 塗布裝置及塗布方法 - Google Patents

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Description

塗布裝置及塗布方法
本發明係關於塗布裝置及塗布方法。
本申請是根據2010年10月13日於日本申請之特願2010-230573號主張優先權，並將其內容援用於此。
使用含有金屬(選自Cu、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ga、In、Ti、Zn及其等的組合等)及硫族元素(選自S、Se、Te及其等的組合等的元素)之半導體材料的CIGS型太陽能電池、CZTS型太陽能電池，是作為具有高轉換效率之太陽能電池而受到注目(例如參照專利文獻1~專利文獻3)。例如CIGS型太陽能電池，作為光吸收層(光電轉換層)，是使用上述Cu、In、Ga、Se這4種半導體材料所形成的膜而構成。
CIGS型太陽能電池、CZTS型太陽能電池，相較於習知型的太陽能電池，由於可降低光吸收層的厚度，容易在曲面上進行設置、搬運。因此，作為高性能之可撓性太陽能電池，期待能應用於各種領域。作為形成光吸收層的手法，以往例如使用蒸鍍法、濺鍍法等來形成的手法是已知的(例如參照專利文獻3~專利文獻5)。
[專利文獻1]日本特開平11-340482號公報
[專利文獻2]日本特開2005-51224號公報
[專利文獻3]日本特表2009-537997號公報
[專利文獻4]日本特開平1-231313號公報
[專利文獻5]日本特開平11-273783號公報
針對這點，作為形成光吸收層的手法，本發明人提出：將讓上述半導體材料分散後的液狀體藉由噴嘴往基板上吐出，藉此將前述液狀體的膜塗布於基板上的手法。光吸收層是藉由塗布液狀體來形成的情況，為了使基板上所形成的液狀體膜厚成為均一，是要求將液狀體均一地塗布於基板上。
有鑒於以上的情事，本發明的目的是為了提供一種能在基板上均一地塗布液狀體之塗布裝置及塗布方法。
本發明的第一態樣，是關於一種塗布裝置，係具備塗布部及相對驅動部，該塗布部，是具有從設置於前端部分之吐出部吐出含有易氧化性的元素之液狀體之噴嘴；該相對驅動部，是以前述前端部分與前述基板對置的狀態讓前述基板與前述噴嘴相對移動；在前述噴嘴當中之至少前述前端部分設置親和性調整部，該親和性調整部與前述液狀體間之親和性是形成比前述液狀體彼此間的親和性更弱。
依據本發明的第一態樣，在噴嘴當中之至少前端部分設置親和性調整部，該親和性調整部與液狀體間之親和性是形成比液狀體彼此間的親和性更弱，因此可抑制從噴嘴的前端部分吐出之液狀體附著於前述前端部分。如此，使 液狀體容易固著於基板，而能在基板上均一地塗布液狀體。
上述塗布裝置較佳為，前述親和性調整部，是設置在前述噴嘴當中之包含前述前端部分、及與前述前端部分鄰接的部分之部分。
在此情況，由於親和性調整部是設置在噴嘴當中之包含前端部分、及與前述前端部分鄰接的部分之部分，可防止液狀體從噴嘴的前端部分傳送到與前述前端部分鄰接的部分。
上述塗布裝置較佳為，前述液狀體含有聯氨(hvdrazine)，前述親和性調整部與前述聯氨間之親和性是形成比前述聯氨彼此間的親和性更弱。
在此情況，由於液狀體含有聯氨，且親和性調整部與聯氨間的親和性是形成比聯氨彼此間的親和性更弱，可抑制從噴嘴的前端部分吐出之含有聯氨的液狀體附著於前述前端部分。如此，使含有聯氨的液狀體容易固著於基板，而能在基板上均一地塗布液狀體。
上述塗布裝置較佳為，前述親和性調整部與前述聯氨間之親和性是形成比前述聯氨與前述基板間的親和性更弱。
在此情況，由於親和性調整部與聯氨間的親和性是形成比聯氨與基板間的親和性更弱，相較於前端部分的親和性調整部，含有聯氨的液狀體更容易固著於基板。如此，能在基板上均一地塗布液狀體。
上述塗布裝置較佳為，前述親和性調整部是使用鈦及鈦合金當中之至少一方來形成。
在此情況，由於親和性調整部是使用鈦及鈦合金當中之至少一方來形成，液狀體容易固著於基板。如此，能在基板上均一地塗布液狀體。
上述塗布裝置較佳為，前述基板是使用鉬來形成。
在此情況，在使用鉬所形成的基板上容易固著液狀體，因此能在基板上均一地塗布液狀體。
上述塗布裝置較佳為，前述元素包含銅、銦、鎵及硒當中之至少1者。
在此情況，作為元素而含有銅、銦、鎵及硒當中之至少1者的液狀體容易固著於基板，因此能在基板上均一地塗布液狀體。
上述塗布裝置較佳為，進一步具備室，該室可包圍：藉由前述塗布部塗布前述液狀體之塗布空間及塗布前述液狀體後的前述基板之塗布後移動空間當中至少一方的空間。
在此情況，利用該室(可包圍：藉由塗布部塗布液狀體之塗布空間及塗布液狀體後的基板之塗布後移動空間當中至少一方的空間)來包圍液狀體的配置空間，因此可防止液狀體劣化。
上述塗布裝置較佳為，進一步具備：對前述室所包圍之前述空間供應非活性氣體之非活性氣體供應部。
在此情況，由於對室所包圍的空間供應非活性氣體， 可更確實地防止前述室所包圍的空間內發生液狀體劣化。
上述塗布裝置較佳為，前述塗布部之吐出部，是朝與前述前端部分對置之吐出區域吐出前述液狀體；前述相對驅動部係具有：以讓其通過前述吐出區域的方式搬運前述基板之基板搬運部。
在此情況，塗布部是朝與前端部分對置之吐出區域吐出液狀體，且相對驅動部具有：以讓其通過吐出區域的方式搬運基板之基板搬運部，因此例如能以不驅動噴嘴的方式搬運基板，而在基板上均一地塗布液狀體。
上述塗布裝置較佳為，前述塗布部之吐出部，是朝與前述前端部分對置之吐出區域吐出前述液狀體；前述相對驅動部係具有：以掃描前述基板上之前述吐出區域的方式驅動前述噴嘴之噴嘴驅動部。
在此情況，塗布部是朝與前端部分對置之吐出區域吐出液狀體，且相對驅動部係具有：以掃描基板上之吐出區域的方式驅動噴嘴之噴嘴驅動部，例如能以不驅動基板的方式驅動噴嘴，而在基板上均一地塗布液狀體。此外，相對驅動部也能同時具備基板搬運部及噴嘴驅動部雙方。在此情況，作為相對移動，例如可採用：讓基板移動、讓噴嘴移動、或讓基板及噴嘴雙方移動的態樣。
本發明的第二態樣，是關於一種塗布方法，是將含有易氧化性的元素之液狀體塗布於基板之塗布方法，其包含以下步驟：設置從形成於前端部分之吐出部吐出前述液狀體之噴嘴，在該前端部分設置親和性調整部，該親和性調 整部與前述液狀體間的親和性是形成比前述液狀體彼此間的親和性更弱，讓具有該噴嘴之塗布部的前述前端部分與前述基板對置的步驟；以在前述前端部分和前述基板之間挾持前述液狀體的方式，從前述吐出部吐出前述液狀體的步驟；以及以在前述前端部分和前述基板之間挾持前述液狀體的狀態，一邊從前述吐出部吐出前述液狀體一邊讓前述前端部分與前述基板相對移動的步驟。
依據本發明的第二態樣，藉由在前端部分設置親和性調整部，該親和性調整部與液狀體間的親和性是形成比液狀體彼此間的親和性更弱，讓在前述前端部分形成有液狀體的吐出部之噴嘴的前述前端部分與基板對置，以在前端部分和基板之間挾持液狀體的方式從吐出部吐出液狀體，因此液狀體成為不容易附著於前端部分的狀態，且液狀體彼此成為容易接觸的狀態。若在此狀態下從吐出部吐出液狀體並讓基板移動，由於配置在基板上的液狀體在基板上想要互相接觸，因此液狀體不致從前端部分流到噴嘴表面，而容易固著於基板。如此能在基板上均一地塗布液狀體。
依據本發明能在基板上均一地塗布液狀體。
以下參照圖式說明本發明的實施方式。
以下各圖中，在說明本實施方式之塗布裝置的構造時，為了簡化記載，是使用XYZ座標系來說明圖中的方向。 在前述XYZ座標系，圖中左右方向標記為X方向，俯視時與X方向正交的方向標記為Y方向。與包含X方向軸及Y方向軸的平面垂直的方向標記為Z方向。X方向、Y方向及Z方向，是以圖中的箭頭方向為+方向，與箭頭方向相反的方向為-方向的方式進行說明。
[塗布裝置]
第1圖係顯示本實施方式之塗布裝置CTR的構造之概略圖。
如第1圖所示般，塗布裝置CTR係具備：裝載鎖定裝置LL、第一室裝置CB1、及第二室裝置CB2。裝載鎖定裝置LL、第一室裝置CB1及第二室裝置CB2，例如沿X方向串列連接。塗布裝置CTR，是用來在基板S上塗布液狀體的裝置。在本實施方式，作為基板S，是採用例如鉬等的金屬所形成之板狀構件。
此外，在本實施方式，作為液狀體，例如是使用：在聯氨等的溶媒中含有銅(Cu)、銦(In)、鎵(Ga)、硒(Se)等的易氧化性元素材料之液狀組成物。該液狀組成物，是含有構成CIGS型太陽能電池、CZTS型太陽能電池的光吸收層(光電轉換層)之元素材料。當然，作為液狀體，也能採用讓其他易氧化性元素分散而形成的液狀體。
裝載鎖定裝置LL與第一室裝置CB1，是透過第一連接室JC1而連接。在第一連接室JC1配置有：將基板S從裝載鎖定裝置LL搬運至第一室裝置CB1之第一搬運裝置TJ1。 第一室裝置CB1與第二室裝置CB2是透過第二連接室JC2而連接。在第二連接室JC2配置有：將基板S在第一室裝置CB1和第二室裝置CB2之間進行搬運的第二搬運裝置TJ2。
本實施方式之塗布裝置CTR，基板S是從裝載鎖定裝置LL搬入塗布裝置CTR，經由第一室裝置CB1而從第二室裝置CB2搬出。因此，在塗布裝置CTR，原則上+X方向是成為基板S的移動方向。
(裝載鎖定裝置)
裝載鎖定裝置LL係具有：收容室RML、基板搬入口ENL及基板搬出口EXL。基板搬入口ENL是形成於收容室RML之-X側的壁部，例如與外部連接。基板搬出口EXL是形成於收容室RML之+X側的壁部，與第一連接室JC1連接。基板搬入口ENL及基板搬出口EXL是形成基板S可通過的尺寸。
在收容室RML設有：載置基板S之基板載置部(未圖示)、及驅動基板S之基板驅動機構SAL。此外，收容室RML是與例如泵機構等的減壓機構DCL連接。基板驅動機構SAL，是在收容室RML內搬運基板S的部分。
基板驅動機構SAL具有複數個滾子構件50。滾子構件50，是沿著X方向從基板搬入口ENL排到基板搬出口EXL。各滾子構件50設置成，能以Y軸方向為中心軸方向而繞Y軸旋轉。複數個滾子構件50，是分別形成直徑相同，且配置成在Z方向上的位置相同。複數個滾子構件50，是在+Z側的上端支承基板S。
各滾子構件50，例如藉由未圖示的滾子旋轉控制部來控制旋轉。作為基板驅動機構SAL，如第1圖所示般可採用例如滾子搬運機構，也能採用讓基板上浮而進行搬運之未圖示的上浮式搬運機構。
在基板搬入口ENL及基板搬出口EXL分別設有開閉構件SHL。讓開閉構件SHL例如朝Z方向滑動，能讓基板搬入口ENL及基板搬出口EXL進行開閉。藉由將開閉構件SHL閉合，使收容室RML成為密閉。
(第一室裝置)
第一室裝置CB1係具有：收容室RM1、基板搬入口EN1及基板搬出口EX1。收容室RM1設置成能在內部收容基板S。基板搬入口EN1及基板搬出口EX1是形成於收容室RM1之開口部。基板搬入口EN1，例如形成於收容室RM1之-X側端部，與第一連接室JC1連接。基板搬出口EX1，例如形成於收容室RM1之+X側端部，而與第二連接室JC2連接。基板搬入口EN1及基板搬出口EX1是形成基板S可通過的尺寸。
在基板搬入口EN1及基板搬出口EX1分別設置開閉構件SH1。讓開閉構件SH1例如朝Z方向滑動，使基板搬入口EN1及基板搬出口EX1進行開閉。藉由將開閉構件SH1閉合，使收容室RM1成為密閉。
在收容室RM1設有：基板驅動機構SA1、塗布部CT、及虛擬吐出機構DD。此外，收容室RM1是與例如用來調整前述收容室RM1的環境之環境調整部AC連接。基板驅動機構SA1是在收容室RM1內搬運基板S的部分。
基板驅動機構SA1具有複數個滾子構件51。滾子構件51，是沿著X方向從基板搬入口EN1排到基板搬出口EX1。各滾子構件51，是藉由未圖示的滾子旋轉控制部來控制旋轉。作為基板驅動機構SA1，與上述基板驅動機構SAL同樣的，例如可採用滾子搬運機構，也能採用讓基板上浮而進行搬運之上浮式搬運機構。
塗布部CT被收容於第一室裝置CB1之收容室RM1。塗布部CT具有形成長帶狀之縫隙噴嘴NZ。縫隙噴嘴NZ設置在收容室RM1之例如基板搬入口EN1的附近。縫隙噴嘴NZ例如是形成長邊沿Y方向。縫隙噴嘴NZ例如配置在收容室RM1之X方向的大致中央部。在縫隙噴嘴NZ之+X側及-X側，分別可確保基板S的配置空間。
第2A圖及第2B圖係顯示縫隙噴嘴NZ的構造圖。第2A圖係顯示縫隙噴嘴NZ從+Z方向觀察時的構造。第2B圖係顯示縫隙噴嘴NZ從+Y方向觀察時的構造。
如第2A圖及第2B圖所示般，縫隙噴嘴NZ例如形成長邊沿Y方向之長帶狀。在縫隙噴嘴NZ當中之朝向-Z方向的前端部分NZa設有，沿著前述縫隙噴嘴NZ的長邊方向而形成之縫隙狀的噴嘴開口部21。縫隙噴嘴NZ，從Z方向之大致中央部到前述前端部分NZa，是形成X方向的尺寸朝向前述X方向的中央部逐漸變小之前端漸細狀。
在縫隙噴嘴NZ的前端部分NZa之大致中央部，形成有噴嘴開口部21。噴嘴開口部21，是沿著例如縫隙噴嘴NZ之長邊方向而朝Y方向形成。如第2A圖所示般，噴嘴開口部21例如是形成：長邊方向與基板S的Y方向尺寸大致相同。
縫隙噴嘴NZ，是從噴嘴開口部21，吐出例如上述Cu、In、Ga、Se這4種元素以既定組成比混合之液狀體Q(參照第3圖)。縫隙噴嘴NZ，是透過連接配管(未圖示)等而與各液狀體的供應源(未圖示)連接。縫隙噴嘴NZ在內部具有保持液狀體之保持部。
縫隙噴嘴NZ係具有：用來調整保持部所保持的液狀體溫度之溫調機構(未圖示)。
縫隙噴嘴NZ例如是使用含有鈦或鈦合金的材料所形成。作為這種材料，例如可採用以下表1之(1)~(8)所示的材料當中至少1種材料。當然，將(1)~(8)的材料取複數個進行組合亦可。
上述(1)~(8)所示的材料都具有：其與上述組成的液狀體Q間之親和性比液狀體Q彼此間的親和性更弱的性質。更具體的說，上述(1)~(8)所示的材料都具有：其與液狀體Q所含之聯氨間的親和性比聯氨彼此間的親和性更弱的性質。因此，使用上述(1)~(8)所示的材料形成之縫隙噴嘴NZ，不容易讓液狀體Q附著。
在本實施方式，例如縫隙噴嘴NZ全體是使用上述材料(1)~(8)至少1種所形成。因此，在縫隙噴嘴NZ的表面全體，可形成其與液狀體Q間的親和性比液狀體Q彼此間的親和性更弱的部分(親和性調整部)AF。
該縫隙噴嘴NZ之表面全體，例如是包含前端部分NZa、以及與前述前端部分NZa鄰接之鄰接部分。前述鄰接部分，例如第2A圖及第2B圖所示般，是與縫隙噴嘴NZ的前端部分NZa之+X側端邊及-X側端邊分別連接之傾斜部分NZb及NZc。此外，作為鄰接部分，也能包含與前述傾斜部分NZb及NZc之+Z側分別連接之壁部分NZd及NZe。
如此般，本實施方式之縫隙噴嘴NZ，藉由使用上述材料(1)~(8)之至少1種所形成，在包含親和性調整部AF(例如前端部分NZa、傾斜部分NZb及NZc、壁部分NZd及NZe等)之表面全體，讓液狀體Q不容易附著。
此外，上述(1)~(8)所示的材料與聯氨間之親和性，具有比鉬與聯氨間的親和性更弱的性質。在本實施方式，由於基板S是使用鉬所形成，上述(1)~(8)所示的材料與聯氨間之親和性，具有比前述基板S與聯氨間的親和性更弱的性質。
換言之，相較於使用上述(1)~(8)所示的材料所形成之縫隙噴嘴NZ，液狀體Q更容易附著於使用鉬所形成的基板S。如此般縫隙噴嘴NZ是形成：讓從噴嘴開口部21吐出之液狀體Q不容易附著於縫隙噴嘴NZ，且容易附著於基板S。
在縫隙噴嘴NZ設有噴嘴驅動機構NA(參照第1圖)。噴嘴驅動機構NA，是將縫隙噴嘴NZ朝X方向、Y方向及Z方向驅動。例如，噴嘴驅動機構NA，能在收容室RM1之待機位置與塗布位置(第1圖所示的位置)之間讓縫隙噴嘴NZ移動。
虛擬吐出機構DD是設在縫隙噴嘴NZ之上述待機位置。虛擬吐出機構DD，例如將液狀體予以虛擬吐出。在虛擬吐出機構，例如設有用來檢測液狀體的氣泡之未圖示的氣泡感測器。
收容室RM1中之縫隙噴嘴NZ的-Z側，是成為對基板S塗布液狀體之塗布空間R1。收容室RM1中之縫隙噴嘴NZ的+X側的空間，是成為基板S之塗布後移動空間R2的一部分。
(第二室裝置)
回到第1圖，第二室裝置CB2係具有收容室RM2、基板搬入口EN2及基板搬出口EX2。收容室RM2可在內部收容基板S。收容室RM2是成為基板S之塗布後移動空間R2的一部分。基板搬入口EN2及基板搬出口EX2是形成於收容室RM2之開口部。基板搬入口EN2是例如形成於收容室RM2之-X側端部，而與第一連接室JC2連接。基板搬出口EX2是例如形成於收容室RM2之+X側端部，而與外部連接。基板搬入口EN2及基板搬出口EX2是形成可讓基板S通過的尺寸。
在基板搬入口EN2及基板搬出口EX2分別設有開閉構件SH2。藉由讓開閉構件SH2例如沿Z方向滑動，而使基板搬入口EN2及基板搬出口EX2進行開閉。藉由將開閉構件SH2閉合，使收容室RM2成為密閉。
在收容室RM2設有基板驅動機構SA2、加熱部HT。此外，收容室RM2，例如與用來調整前述收容室RM2的環境之環境調整部AC連接。基板驅動機構SA2與基板驅動機構SAL、SA1同樣的，是用來在收容室RM2內搬運基板S的部分。
基板驅動機構SA2具有複數個滾子構件52。滾子構件52，是沿著X方向從基板搬入口EN2排到基板搬出口EX2。各滾子構件52，是藉由未圖示的滾子旋轉控制部來控制旋轉。作為基板驅動機構SA2，與上述基板驅動機構SAL、SA1同樣的，可採用例如滾子搬運機構，或是讓基板上浮而進行搬運之上浮式搬運機構。
加熱部HT是用來將基板S上所塗布的液狀體予以加熱的部分。加熱部HT的內部具有紅外線裝置、加熱板、烘箱機構等的加熱機構。在加熱部HT，藉由使用前述加熱機構，來進行例如液狀體的乾燥、液狀體的燒成等。
(環境調整部)
環境調整部AC係具有氧濃度感測器31、壓力感測器32、非活性氣體供應部33、以及排氣部34。
氧濃度感測器31及壓力感測器32，是在第一室裝置CB1之收容室RM1及第二室裝置CB2之收容室RM2分別設有一組。氧濃度感測器31是用來檢測收容室RM1及收容室RM2之氧濃度，並將檢測結果送往控制裝置CONT。壓力感測器32是用來檢測收容室RM1及收容室RM2的壓力，並將檢測結果送往控制裝置CONT。在第1圖雖顯示出，將氧濃度感測器31及壓力感測器32安裝在收容室RM1及收容室RM2之頂部的構造，但設置在其他部分亦可。
非活性氣體供應部33，是用來對收容室RM1及收容室RM2內供應例如氮氣、氬氣、氦氣等的非活性氣體。非活性氣體供應部33係具有氣體供應源33a、配管33b及供應量調整部33c。氣體供應源33a可使用例如氣體高壓容器等。
配管33b之一端連接於氣體供應源33a，另一端分歧而連接於收容室RM1及收容室RM2。配管33b之與收容室RM1及收容室RM2連接的端部，分別成為收容室RM1及收容室RM2之非活性氣體供應口。前述非活性氣體供應口，是配置於例如收容室RM1的-X側之壁部且在頂部附近。此外，前述非活性氣體供應口，是配置於例如收容室RM2的+X側之壁部且在頂部附近。
供應量調整部33c，是用來調整對收容室RM1及收容室RM2供應的非活性氣體供應量之部分。作為供應量調整部33c，可使用例如電磁閥、經由手動開閉的閥等。供應量調整部33c例如設置在配管33b上。供應量調整部33c，除了配置在配管33b上以外，例如直接設置在氣體供應源33a亦可。
排氣部34，是用來將收容室RM1及收容室RM2的氣體往外部排出。此外，排氣部34也適用於，將收容室RM1及收容室RM2的氣體予以排氣而讓前述收容室RM1及收容室RM2減壓的情況。排氣部34係具有排氣驅動源34a、配管34b、配管34c及除去構件34d。排氣驅動源34a，是透過配管34b而分歧地連接於收容室RM1及收容室RM2各個的內部。排氣驅動源34a是使用例如泵等。配管34b，在設置於收容室RM1及收容室RM2內部的端部具有排氣口。該排氣口，是配置在例如收容室RM1及收容室RM2各個的底部(-Z側的面)。
如此般，將非活性氣體供應口配置在收容室RM1及收容室RM2的+Z側，且將排氣口配置在收容室RM1及收容室RM2的-Z側，藉此在收容室RM1及收容室RM2內使氣體朝-Z方向流通。因此，在收容室RM1及收容室RM2，可避免發生氣體被捲起的狀態。
配管34c的一端連接於排氣驅動源34a，另一端連接於非活性氣體供應部33之配管33b。配管34c是成為，讓藉由排氣驅動源34a排氣後之收容室RM1及收容室RM2的氣體循環至供應路徑之循環路徑。如此般，排氣部34兼作為讓收容室RM1及收容室RM2的氣體循環之循環機構。配管34c之連接對象，並不限定於非活性氣體供應部33之配管33b，例如也能直接連接至收容室RM1及收容室RM2各個內。配管34c上，例如在除去構件34d的上游側及下游側分別設置閥。
除去構件34d是設置於配管34c內。作為除去構件34d，可使用例如讓流過配管34c內之氣體中的氧成分及水分吸附之吸附劑。因此，能夠讓循環的氣體變得清淨化。除去構件34d，可配置在配管34c內的一處，也能遍及配管34c全體而配置。
(控制裝置)
控制裝置CONT是用來統轄控制塗布裝置CTR的部分。具體而言，控制裝置CONT是控制裝載鎖定裝置LL、第一室裝置CB1、第二室裝置CB2及環境調整部AC各個的動作。例如控制：開閉構件SHL、SH1及SH2的開閉動作，基板驅動機構SAL、SA1及SA2的動作，塗布部CT之塗布動作，加熱部HT之加熱動作，環境調整部AC之調整動作等。
作為調整動作的一例，控制裝置CONT是根據氧濃度感測器31及壓力感測器32的檢測結果，來調整非活性氣體供應部33之供應量調整部33c的開度。控制裝置CONT係具有：例如用來計測處理時間等之未圖示的計時器等。
[塗布動作]
接著說明本實施方式之塗布動作。在本實施方式，是使用上述構造的塗布裝置CTR而在基板S上形成塗布膜。塗布裝置CTR的各部分所進行的動作，是藉由控制裝置CONT所控制。
控制裝置CONT，先使設置於塗布裝置CTR之開閉構件SHL、SH1及SH2成為閉合狀態。在此狀態下，若從外部往塗布裝置CTR有基板S被搬運過來，控制裝置CONT使設置於裝載鎖定裝置LL的基板搬入口ENL之開閉構件SHL成為開啟狀態，而從前述基板搬入口ENL將基板S搬入收容室RML。
如第3圖所示般，當基板S搬入收容室RML後，控制裝置CONT使基板搬入口ENL之開閉構件SHL成為閉合狀態，而使收容室RML成為密閉狀態。
控制裝置CONT，在收容室RML成為密閉狀態後，使用減壓機構DCL讓收容室RML成為減壓狀態。
控制裝置CONT，當確認第一室裝置CB1的收容室RM1及第二室裝置CB2的收容室RM2成為密閉狀態後，讓前述收容室RM1及RM2的氛圍調整成非活性氣體氛圍。具體而言，使用非活性氣體供應部33對收容室RM1及收容室RM2供應非活性氣體。在此情況，控制裝置CONT，也能夠藉由適當地讓排氣部34動作而調整收容室RM1及RM2的壓力。
此外，控制裝置CONT是讓縫隙噴嘴NZ的保持部保持液狀體。控制裝置CONT，是使用縫隙噴嘴NZ內的溫調機構，來調整保持部所保持之液狀體的溫度。如此般，控制裝置CONT調整成要對基板S吐出液狀體的狀態。
當調整好塗布裝置CTR的狀態後，控制裝置CONT如第4圖所示般，使裝載鎖定裝置LL之基板搬出口EXL及第一室裝置CB1之基板搬入口EN1成為開啟狀態，從裝載鎖定裝置LL透過第一連接室JC1朝第一室裝置CB1之收容室RM1搬入基板S。
當基板S搬入後，控制裝置CONT讓基板驅動機構SA1之滾子構件51旋轉，使基板S朝+X方向移動。當基板S之+X側的端邊從Z方向觀察到達與縫隙噴嘴NZ的噴嘴開口部21重疊的位置時，如第5圖所示般，控制裝置CONT是使用縫隙噴嘴NZ而在基板S上塗布液狀體Q。
在此情況，控制裝置CONT是讓縫隙噴嘴NZ與基板S進行相對移動(在本實施方式，讓基板S朝+X方向移動)而使縫隙噴嘴NZ的前端部分NZa與基板S對置。當前端部分NZa與基板S對置後，控制裝置CONT如第5圖所示般，以在前端部分NZa與基板S間挾持液狀體的方式從噴嘴開口部21吐出液狀體Q。
在此，當前端部分NZa與液狀體Q之親和性比液狀體Q彼此間的親和性更強的情況，相較於液狀體Q彼此間的接觸，液狀體Q更想與前端部分NZa接觸。因此，液狀體Q成為附著於前端部分NZa的狀態，其對基板S的固著性降低。此外，不僅是前端部分NZa，當鄰接部分之傾斜部分NZb、NZc與液狀體Q的親和性比液狀體Q彼此間的親和性更強的情況，液狀體Q會從前端部分NZa流到傾斜部分NZb、NZc，而更加降低其對基板S的固著性。再者，當前端部分NZa(及鄰接部分)與液狀體Q的親和性比液狀體Q與基板S的親和性更強的情況，相較於基板S，液狀體Q更想附著於前端部分NZa(及鄰接部分)，在此情況也會降低其對基板S的固著性。
相對於此，在本實施方式，由於縫隙噴嘴NZ全體是使用上述表1(1)~(8)所示的材料當中至少1種所形成，例如縫隙噴嘴NZ之前端部分NZa(親和性調整部AF)與液狀體Q的親和性，變得比液狀體Q彼此間的親和性更弱。此外，前述前端部分NZa與液狀體Q之親和性，變得比基板S與液狀體Q間的親和性更弱。
因此，如上述般藉由縫隙噴嘴NZ之前端部分NZa與基板S來挾持液狀體Q，使液狀體Q成為不容易附著於前端部分NZa的狀態，且液狀體Q彼此容易接觸的狀態。此外，相較於前端部分NZa，液狀體Q成為更容易附著於基板S的狀態。
控制裝置CONT在上述狀態下，從噴嘴開口部21讓液狀體Q吐出並讓基板S移動。藉由此動作，液狀體Q不致從前端部分NZa流到傾斜部分NZb和傾斜部分NZc等，而能配置且固著在基板S上。
此外，利用配置在基板S上之液狀體Q彼此間的親和性，當基板S從噴嘴開口部21離開時，基板S上所塗布的液狀體Q會將前端部分NZa的液狀體Q拉走。結果如第6圖所示般，在基板S的既定區域上能以大致均一的膜厚形成前述液狀體的塗布膜L。當塗布膜L形成後，控制裝置CONT停止從噴嘴開口部21吐出液狀體的動作。
當吐出動作停止後，控制裝置CONT將形成有塗布膜L之基板S收容於第二室裝置CB2的收容室RM2。具體而言，如第7圖所示般，控制裝置CONT使收容室RM1之基板搬出口EX1及收容室RM2之基板搬入口EN2成為開啟狀態，透過基板搬出口EX1、第二連接室JC2及基板搬入口EN2將前述基板S搬入收容室RM2。
控制裝置CONT將基板S搬入收容室RM2後，如第8圖所示般，讓前述基板S移動至加熱部HT之-Z側，然後藉由讓排氣部34動作而將收容室RM2減壓。當收容室RM2減壓後，控制裝置CONT讓加熱部HT動作而將基板S上的塗布膜L加熱。藉由在減壓下將液狀體加熱，能在短時間內高效率地讓塗布膜L乾燥。
在該乾燥動作中，在未將收容室RM2減壓的狀態僅進行加熱處理亦可。此外，在該乾燥動作中，在未加熱的狀態下僅進行收容室RM2的減壓處理亦可。又在進行減壓處理後再進行加熱處理亦可。
加熱步驟之加熱溫度例如為300℃以下。此外，例如為50℃以上。藉由將加熱溫度設定成300℃以下，即使基板S之構成材料為樹脂材料，仍能以基板S不致變形的方式 進行加熱處理。因此，基板S材料的選擇範圍變大。
控制裝置CONT，例如讓滾子構件52的旋轉動作停止，而在停止讓基板S移動的狀態下使加熱部HT動作。例如事先記憶直到基板S上的塗布膜L乾燥為止的時間、或加熱溫度等，控制裝置CONT使用前述記憶值來調整加熱時間及加熱溫度等，藉此進行塗布膜L的加熱動作。
此外，也能在維持滾子構件52的旋轉動作下讓基板S通過加熱部HT下方。這時，加熱部HT也能具有從-X方向往+X方向之溫度梯度。在此情況，是將基板S逐漸加熱，當以期望溫度進行設定時間的加熱處理後，再逐漸冷卻，對於基板S、及基板S上所塗布之含有易氧化性元素之膜，能在不施加應力的狀態下進行乾燥。
在將上述含有易氧化性元素之液狀體Q塗布在基板S上而形成光吸收層的一部分的情況，例如Cu、In等是具有易氧化性質(易氧化性)的元素，若收容室RM1、收容室RM2之氧濃度高，易氧化性元素會氧化。若該等元素發生氧化，可能使基板S上所形成的塗布膜之品質降低。
於是，控制裝置CONT是使用環境調整部AC而將收容室RM1及收容室RM2調整成非活性氣體氛圍。具體而言，控制裝置CONT是使用非活性氣體供應部33，而對收容室RM1及收容室RM2供應氮氣、氬氣等的非活性氣體。
在供應步驟，控制裝置CONT先藉由氧濃度感測器31來檢測收容室RM1及收容室RM2的氧濃度。控制裝置CONT根據氧濃度感測器31的檢測結果，一邊使用供應量調整部33c來調整非活性氣體的供應量，一邊對收容室RM1及收容室RM2供應非活性氣體。例如，可在檢測出的氧濃度超過事先設定的臨限值的情況，對收容室RM1及收容室RM2供應非活性氣體。關於前述臨限值，可事先根據實驗或模擬等來求出，並讓控制裝置CONT記憶。此外，例如在塗布動作及乾燥動作的期間，設定成始終將一定量的非活性氣體供應給收容室RM1及收容室RM2的狀態，根據氧濃度感測器31的檢測結果而將供應量增多或減少亦可。
在供應步驟，控制裝置CONT在使用氧濃度感測器31的同時，是藉由壓力感測器32來檢測收容室RM1及收容室RM2的氣壓。控制裝置CONT根據壓力感測器32的檢測結果，一邊使用供應量調整部33c來調整非活性氣體的供應量，一邊對收容室RM1及收容室RM2供應非活性氣體。例如，當收容室RM1及收容室RM2的氣壓超過事先設定的臨限值的情況，是使用排氣部34讓收容室RM1及收容室RM2排氣。關於該臨限值也是，可事先根據實驗或模擬等來求出，並讓控制裝置CONT記憶。此外，例如在塗布動作及乾燥動作的期間，設定成讓收容室RM1及收容室RM2始終進行一定量排氣的狀態，根據壓力感測器32的檢測結果來將排氣量增多或減少亦可。如此般將收容室RM1及收容室RM2保持於減壓下。
從排氣部34排出的氣體，流過配管34b及配管34c而循環至非活性氣體供應部33的配管33b。在流過配管34c時，該氣體會通過除去構件34d。當氣體通過除去構件34d時，藉由除去構件34d吸附氣體中的氧成分而將其除去。因此，能使低氧濃度狀態的非活性氣體循環於配管33b。藉由讓收容室RM1及收容室RM2的氣體循環，能以溫度等安定化的狀態供應非活性氣體。
如以上所說明，依據本實施方式，由於在縫隙噴嘴NZ當中之至少前端部分NZa設置親和性調整部AF，該親和性調整部AF與液狀體Q間之親和性是形成比液狀體Q彼此間的親和性更弱，因此能抑制從縫隙噴嘴NZ的前端部分NZa吐出之液狀體Q附著於前述前端部分NZa。如此，使液狀體Q容易固著於基板S，而能在基板S上均一地塗布液狀體Q。
本發明之技術範圍並不限定於上述實施方式，在不脫離本發明的趣旨之範圍內可適當地加以變更。
例如在上述實施方式所示的例子，縫隙噴嘴NZ全體是使用表1所示(1)~(8)中至少1種材料來構成，但並不限定於此。
例如第9圖所示般，具有分別被覆縫隙噴嘴NZ的前端部分NZa、傾斜部分NZb及NZc、壁部分NZd及NZe之被覆部NZf亦可。前述被覆部NZf，是使用上述(1)~(8)中至少1種材料所形成。例如可將縫隙噴嘴NZ的表面實施被覆處理、蒸鍍處理來形成上述構造的被覆部NZf。在縫隙噴嘴NZ的表面設有被覆部NZf的情況也是，在設有前述被覆部NZf的部分形成親和性調整部AF。在此情況，縫隙噴嘴NZ當中被覆部NZf以外的部分，是使用與上述(1)~(8)的材料不同的材料亦可。
此外，在上述實施方式，雖是將塗布部CT和加熱部HT配置於不同的室裝置(第一室裝置CB1及第二室裝置CB2)，但並不限定於此，配置於一個室裝置CB亦可。例如第10圖所示般，在一個室裝置CB內之同一空間配置塗布部CT和加熱部HT亦可。在此情況，塗布部CT之-X側的空間成為塗布空間R1，前述塗布空間之+X側的空間成為塗布後移動空間R2。
此外，如第11圖所示般，以縫隙噴嘴NZ和加熱部HT配置在不同空間的方式將室CB內的空間區隔成兩個亦可。在室CB內設置區隔構件110。區隔構件110配置在基板S的搬運方向上。基板S要越過區隔構件110而進行搬運。
在區隔構件110之與基板S高度位置(Z方向上的位置)對應的區域形成開口部111。在開口部111設置蓋部111a，而使開口部111成為可開閉。在搬運基板S的情況，當基板S通過區隔構件110時使蓋部111a分別成為開狀態而讓前述基板S通過。當基板S不通過時、或在各空間內進行處理的情況，使蓋部111a成為閉合狀態。
用來檢測室CB內的氧濃度之氧濃度感測器31、用來檢測壓力之壓力感測器32，是分別設置在區隔構件110所區隔之各空間。此外，環境調整部也是與兩個空間分別連接。配置有縫隙噴嘴NZ之空間是與環境調整部AC1連接。環境調整部AC1的構造是與第1實施方式之環境調整部AC的構造相同。
設有加熱部HT之空間是與環境調整部AC2連接。在環境調整部AC2，除了環境調整部AC1(或第1實施方式所記載之環境調整部AC)的構造以外，還設有從配管34c分歧之分歧配管125。因此，與配管34c同樣的，藉由排氣驅動源34a排氣之氣體也會流過分歧配管125。
分歧配管125例如與蓄熱機構120連接。在分歧配管125上，設置用來將流過前述分歧配管125的氣體予以加熱之加熱機構121。此外，在分歧配管125上，也能設置用來除去氧之除去構件(例如與第1實施方式的除去構件34d相同的構件)。
加熱部HT係具備蓄熱機構120及加熱板130。蓄熱機構120，相對於基板S的搬運區域是配置在室CB之頂部側，加熱板130，相對於基板S的搬運區域是配置在室CB之底部側。在加熱板130，與第1實施方式的加熱部HT同樣的設有未圖示的加熱機構。
蓄熱機構120可將室CB內的氣體熱予以蓄熱。此外，對蓄熱機構120，供應流過分歧配管125之氣體。因此，在蓄熱機構120，所供應的氣體被調整成與室CB內溫度大致相同的溫度。蓄熱機構120在-Z側具有開口部，來自分歧配管125的氣體是透過開口部流入室CB內。
在上述構造，由於將縫隙噴嘴NZ與加熱部HT設置在不同空間，塗布步驟及加熱步驟變成在一個室CB內之不同空間進行。在此情況，控制裝置CONT先在配置有縫隙噴嘴NZ的空間對基板S進行塗布步驟。當塗布步驟完成後，控制裝置CONT使蓋部111a成為開啟狀態，將基板S搬運至配置有加熱部HT的空間。
當基板S搬運後，控制裝置CONT使蓋部111a成為閉合狀態，並讓配置有前述加熱部HT的空間減壓。減壓後，控制裝置CONT讓加熱部HT動作而對基板S上的液狀體進行加熱步驟。在加熱步驟，藉由蓄熱機構120及加熱板130從基板S的表裏兩側進行加熱。在加熱步驟，從前述空間排氣的氣體(例如非活性氣體)是透過分歧配管125而供應給蓄熱機構120。供應給蓄熱機構120的氣體，藉由所蓄熱的熱量加熱，而調整成與空間內大致相同的溫度(氣體加熱步驟)。該氣體從蓄熱機構120的開口部供應至空間內而進行再利用。在氣體加熱步驟，也能利用設置於分歧配管125之加熱機構121來加熱氣體。
當加熱步驟結束後，控制裝置CONT讓加熱部HT的動作停止，並讓室CB內(空間內)的壓力回到大氣壓。然後，控制裝置CONT，在保持蓋部111a為閉合狀態下使蓋部12a成為開啟狀態，將基板S朝+X方向搬運而將前述基板S搬出。
此外，在上述實施方式所說明的例子，在進行塗布動作時，是在讓縫隙噴嘴NZ固定的狀態下使基板S移動而將液狀體Q塗布於基板S上，但並不限定於此，在讓基板S固定的狀態下使縫隙噴嘴NZ移動而將液狀體Q塗布在基板S上亦可。此外，讓基板S和縫隙噴嘴NZ雙方都移動亦可。
此外，在上述實施方式所說明的例子，是在基板S上形成含有易氧化性元素之塗布膜，但並不限定於此。例如第12圖所示般，在帶狀之連續薄膜上塗布液狀體Q亦可。第12圖係顯示塗布裝置CTR的其他構造。如第12圖所示般，塗布裝置CTR係具有：基板搬入室SLC、基板處理室SPC、基板搬出室SUC及用來控制其等之控制裝置CONT。
基板搬入室SLC係具有：用來收容帶狀的薄膜基板F之收容室RMA。在收容室RMA設置供薄膜基板F捲繞之軸部SF1。軸部SF1配置成朝Y方向延伸，且能繞θ Y方向旋轉。收容室RMA與非活性氣體供應部133及排氣部134連接。在收容室RMA設置用來搬運薄膜基板F之基板搬運機構FAL。作為基板搬運機構FAL可使用例如滾子機構等。
基板處理室SPC具有收容室RMB。收容室RMB透過開口部OP1而與基板搬入室SLC的收容室RMA連接。在收容室RMB設有：塗布部CT、基板搬運部FAP、加熱部HT、噴嘴前端管理部MN、搬入側開閉部SH1及搬出側開閉部SH2。收容室RMB與非活性氣體供應部133及排氣部134連接。
塗布部CT具有噴嘴NZ及噴嘴驅動機構NA。噴嘴NZ，例如-Z側的端部是形成漸細狀。噴嘴NZ設置成可從-Z側的端部(前端)吐出液狀體。噴嘴驅動機構NA可按照需要而將噴嘴NZ朝X方向、Y方向及Z方向等驅動。
基板搬運部FAP可在噴嘴NZ的-Z側搬運薄膜基板F。基板搬運部FAP具有複數個滾子部。藉由組合前述滾子部的配置，將薄膜基板F的搬運路徑設定成可通過噴嘴NZ的-Z側。
加熱部HT是以在Z方向挾持薄膜基板F的方式，在前述薄膜基板F的搬運路徑之+Z側及-Z側分別配置一個。作為加熱部HT，例如是使用與上述實施方式的構造相同之加熱部HT。藉由將加熱部HT配置於薄膜基板F之+Z側及-Z側，可高效率地進行乾燥步驟及加熱步驟。
噴嘴前端管理部MN是用來維修保養噴嘴NZ的前端。噴嘴前端管理部MN例如配置在噴嘴NZ之可移動範圍內，且設有：用來進行噴嘴NZ前端的洗淨之部分、用來進行噴嘴NZ的預備吐出之部分、用來讓噴嘴NZ前端乾燥之部分等。
搬入側開閉部SH1，是用來讓基板搬入室SLC的收容室RMA和基板處理室SPC的收容室RMB之間進行開閉之開閉機構。搬入側開閉部SH1，是設置成可藉由未圖示的驅動機構等而朝Z方向移動。第12圖係顯示搬入側開閉部SH1成為開啟狀態的樣子。
搬出側開閉部SH2，是用來讓收容室RMB和基板搬出室SUC的收容室RMC之間進行開閉之開閉機構。搬出側開閉部SH2設置成可藉由未圖示的驅動機構等朝Z方向移動。第12圖係顯示搬出側開閉部SH2成為開啟狀態的樣子。
基板搬出室SUC具有用來收容薄膜基板F之收容室RMC。收容室RMC是透過開口部OP2而與基板處理室SPC之收容室RMB連接。在收容室RMC設有用來捲繞薄膜基板F之軸部SF2。軸部SF2配置成朝Y方向延伸，且可繞θY方向旋轉。收容室RMC與非活性氣體供應部133及排氣部134連接。在收容室RMC設有用來搬運薄膜基板F之基板搬運機構FAU。作為基板搬運機構FAU，例如可使用滾子機構等。
接著說明上述構造的塗布裝置CTR的動作。
在初期狀態，在軸部SF1捲繞薄膜基板F。控制裝置CONT使搬入側開閉部SH1及搬出側開閉部SH2成為開啟狀態後，將非活性氣體供應部133之供應量及排氣部134之排氣量予以適當地調整，藉此調整收容室RMA、收容室RMB及收容室RMC的環境。
控制裝置CONT，然後讓軸部SF1朝+θY方向旋轉而將薄膜基板F往+X側搬運。薄膜基板F是透過開口部OP1而從收容室RMA往收容室RMB搬運。控制裝置CONT，是讓收容室RMB內之構成基板搬運機構FAP的滾子部旋轉，藉此將薄膜基板F往+X側搬運。
當薄膜基板F被搬運至噴嘴NZ之-Z側的情況，控制裝置CONT從噴嘴NZ將液狀體朝向薄膜基板F吐出一定時間。藉由此動作，對薄膜基板F的既定區域塗布液狀體Q。藉由反覆進行此動作，對於連續通過噴嘴NZ的-Z側之薄膜基板F，在每個既定區域形成液狀體Q的塗布膜。
藉由搬運薄膜基板F，使塗布有液狀體Q的部分到達被兩個加熱部HT挾持的空間。這時，控制裝置CONT是讓兩個加熱部HT當中至少一方動作，藉此對薄膜基板F上所塗布之液狀體Q實施乾燥處理或是加熱處理。
控制裝置CONT，將薄膜基板F當中乾燥處理或加熱處理結束後的部分，透過開口部OP2往基板搬出室SUC的收容室RMC搬出。當薄膜基板F的前端到達收容室RMC的軸部SF2時，控制裝置CONT讓軸部SF2旋轉，而將薄膜基板F捲繞於前述軸部SF2。當所有的薄膜基板F都捲繞在軸部SF2後，控制裝置CONT使搬入側開閉部SH1及搬出側開閉部SH2成為閉合狀態。
當搬入側開閉部SH1及搬出側開閉部SH2成為閉合狀態的情況，收容室RMA和收容室RMB間、收容室RMB和收容室RMC間分別被遮斷。因此，例如收容室RMA內所收容的薄膜基板F全部被搬入基板處理室SPC後，使搬入側開閉部SH1成為閉合狀態並更換軸部SF1。同樣的，例如在收容室RMC，薄膜基板F全都被捲繞後，使搬出側開閉部SH2成為閉合狀態並更換軸部SF2。依據以上的說明，即使是在帶狀連續的薄膜上塗布液狀體Q的情況，也能適用本發明。
依據本發明，可在基板上均一地塗布液狀體，因此在產業上非常有用。
CTR．．．塗布裝置
LL．．．裝載鎖定裝置
CB1．．．第一室裝置
CB2．．．第二室裝置
RML、RM1、RM2．．．收容室
SAL、SA1、SA2．．．基板驅動機構
CT．．．塗布部
NZ．．．縫隙噴嘴
NZa．．．前端部分
Q．．．液狀體
AF．．．親和性調整部
NA．．．噴嘴驅動機構
R1．．．塗布空間
R2．．．塗布後移動空間
HT．．．加熱部
CONT．．．控制裝置
21．．．噴嘴開口部
S．．．基板
第1圖係顯示本發明的實施方式之塗布裝置的構造。
第2A圖係顯示本實施方式的塗布裝置之塗布部的構造。
第2B圖係顯示本實施方式的塗布裝置之塗布部的構造。
第3圖係顯示本實施方式的塗布裝置的動作。
第4圖係顯示本實施方式的塗布裝置的動作。
第5圖係顯示本實施方式的塗布裝置的動作。
第6圖係顯示本實施方式的塗布裝置的動作。
第7圖係顯示本實施方式的塗布裝置的動作。
第8圖係顯示本實施方式的塗布裝置的動作。
第9圖係顯示本實施方式的塗布裝置之其他構造。
第10圖係顯示本實施方式的塗布裝置之其他構造。
第11圖係顯示本實施方式的塗布裝置之其他構造。
第12圖係顯示本實施方式的塗布裝置之其他構造。

Claims (9)

  1. 一種塗布裝置，係具備塗布部、相對驅動部及控制部，該塗布部，是具有從設置於前端部分之吐出部吐出含有易氧化性的元素之液狀體之噴嘴；該相對驅動部，是以前述前端部分與基板對置的狀態讓前述基板與前述噴嘴相對移動；該控制部，是以在前述前端部分和前述基板之間挾持前述液狀體的方式，從前述噴嘴將前述液狀體吐出；在前述噴嘴當中之至少前述前端部分設置使用鈦及鈦合金當中至少一方所形成的親和性調整部，該親和性調整部與前述液狀體間之親和性是形成比前述液狀體彼此間的親和性更弱；前述液狀體含有聯氨，前述親和性調整部與前述聯氨間之親和性是形成比前述聯氨彼此間的親和性更弱；前述易氧化性的元素是銅、銦、鎵及硒當中至少1者。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之塗布裝置，其中，前述親和性調整部，是設置在前述噴嘴當中之包含前述前端部分、及與前述前端部分鄰接的部分之部分。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之塗布裝置，其中，前述親和性調整部與前述聯氨間之親和性是形成比前述聯氨與前述基板間的親和性更弱。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之塗布裝置，其中，前述基板是使用鉬所形成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之塗布裝置，其中，進一步具備室，該室可包圍：藉由前述塗布部塗布前述液狀體之塗布空間及塗布前述液狀體後的前述基板之塗布後移動空間當中至少一方的空間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之塗布裝置，其中，進一步具備：對前述室所包圍之前述空間供應非活性氣體之非活性氣體供應部。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之塗布裝置，其中，前述塗布部之吐出部，是朝與前述前端部分對置之吐出區域吐出前述液狀體；前述相對驅動部係具有：以讓其通過前述吐出區域的方式搬運前述基板之基板搬運部。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之塗布裝置，其中，前述塗布部之吐出部，是朝與前述前端部分對置之吐出區域吐出前述液狀體；前述相對驅動部係具有：以掃描前述基板上之前述吐出區域的方式驅動前述噴嘴之噴嘴驅動部。
  9. 一種塗布方法，是將含有易氧化性的元素之液狀體塗布於基板之塗布方法，其包含以下步驟：設置從形成於前端部分之吐出部吐出前述液狀體之噴嘴，在該前端部分設置使用鈦及鈦合金當中至少一方所形成的親和性調整部，該親和性調整部與前述液狀體間的親 和性是形成比前述液狀體彼此間的親和性更弱，讓具有該噴嘴之塗布部的前述前端部分與前述基板對置的步驟；以在前述前端部分和前述基板之間挾持前述液狀體的方式，從前述吐出部吐出前述液狀體的步驟；以及以在前述前端部分和前述基板之間挾持前述液狀體的狀態，一邊從前述吐出部吐出前述液狀體一邊讓前述前端部分與前述基板相對移動的步驟；前述液狀體含有聯氨，前述親和性調整部與前述聯氨間之親和性是形成比前述聯氨彼此間的親和性更弱；前述易氧化性的元素是銅、銦、鎵及硒當中至少1者。
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