TWI580686B - 一種有機電致發光元件及其製備方法 - Google Patents
一種有機電致發光元件及其製備方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI580686B TWI580686B TW103145355A TW103145355A TWI580686B TW I580686 B TWI580686 B TW I580686B TW 103145355 A TW103145355 A TW 103145355A TW 103145355 A TW103145355 A TW 103145355A TW I580686 B TWI580686 B TW I580686B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal compound
- transport layer
- electron transport
- alq
- alkali metal
- Prior art date
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 62
- -1 lanthanide metal compound Chemical class 0.000 claims description 44
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 29
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 24
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 20
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 14
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 13
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 13
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 11
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/326—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising gallium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/351—Metal complexes comprising lanthanides or actinides, e.g. comprising europium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本發明涉及有機電致發光技術領域，具體地說，是一種有機電致發光元件及其製備方法。
有機電致發光元件(OLED)是主動發光元件。相比現在的主流平板顯示技術薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)，OLED具有高對比、廣視角、低功耗、體積更薄等優點，有望成為繼LCD之後的下一代平板顯示技術，是目前平板顯示技術中受到關注最多的技術之一。
OLED元件一般由陽極、空穴傳輸層(HTL)、發光層(EL)與電子傳輸層(ETL)及陰極構成。其中，現有技術中電子傳輸層常使用單一有機材料，但是使用單一有機材料做為電子傳輸層所製備的OLED元件，往往驅動電壓較高，效率較低，由此帶來了OLED屏體功耗較大、壽命不長等問題。在有機電致發光元件中，為了降低元件的工作電壓，改進電子與空穴之間的電荷平衡，提高電子的注入與傳輸效率是非常必要的。現有的提高電子注入效率的技術中，需要限定電子傳輸層後接陰極的材料，該陰極材料中需要有一種金屬，該金屬能在真空中將有機配合物中的金屬離子還原成相應金屬，這限制了陰極材料的選擇。
本發明要解決的技術問題是提供一種電子注入效率高的有機電致發光元件及其製備方法。
為了解決上述技術問題，本發明提供了一種有機電致發光元件，包括陽極、空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層和陰極，所述電子傳輸層中摻雜有有機金屬配合物和活潑金屬化合物，其中，所述活潑金屬化合物為鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物或鑭系金屬化合物。
進一步地，所述有機金屬配合物為喹啉金屬配合物。
進一步地，所述喹啉金屬配合物為Alq3或Gaq3。
進一步地，所述鹼金屬化合物為鹼金屬氮化物或鹼金屬硼氫化物；所述鹼土金屬化合物為鹼土金屬氮化物或鹼土金屬硼氫化物；所述鑭系金屬化合物為鑭系金屬氮化物或鑭系金屬硼氫化物。
進一步地，所述鹼金屬氮化物包括Li3N、Na3N、K3N或Rb3N；所述鹼土金屬氮化物包括Mg3N2、Ca3N2、Sr3N2或Ba3N2；所述鑭系金屬氮化物包括LaN；所述鹼金屬硼氫化物包括LiBH4、NaBH4或KBH4。
進一步地，所述電子傳輸層中電子傳輸材料、有機金屬配合物、活潑金屬化合物的摩爾比為1：(0.01~5)：(0.01~5)。
進一步地，所述電子傳輸層中電子傳輸材料、有機金屬配合物、活潑金屬化合物的摩爾比為1：1：1。
本發明還提供了一種有機電致發光元件的製備方法，包括：在ITO玻璃基片上依次蝕刻陽極圖形、蒸鍍空穴傳輸層和有機發光層；
在所述有機發光層上共蒸鍍電子傳輸材料、有機金屬配合物、活潑金屬化合物，形成電子傳輸層，其中，所述活潑金屬化合物為鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物或鑭系金屬化合物；在所述電子傳輸層上蒸鍍陰極。
進一步地，所述有機金屬配合物為喹啉金屬配合物。
進一步地，所述喹啉金屬配合物為Alq3或Gaq3。
進一步地，所述鹼金屬化合物為鹼金屬氮化物或鹼金屬硼氫化物；所述鹼土金屬化合物為鹼土金屬氮化物或鹼土金屬硼氫化物；所述鑭系金屬化合物為鑭系金屬氮化物或鑭系金屬硼氫化物。
進一步地，所述鹼金屬氮化物包括Li3N、Na3N、K3N或Rb3N；所述鹼土金屬氮化物包括Mg3N2、Ca3N2、Sr3N2或Ba3N2；所述鑭系金屬氮化物包括LaN；所述鹼金屬硼氫化物包括LiBH4、NaBH4或KBH4。
進一步地，所述電子傳輸層中電子傳輸材料、有機金屬配合物、活潑金屬化合物的摩爾比為1：(0.01~5)：(0.01~5)。
進一步地，所述電子傳輸層中電子傳輸材料、有機金屬配合物、活潑金屬化合物的摩爾比為1：1：1。
本發明通過在電子傳輸層中摻雜有機金屬配合物和活潑金屬化合物，在高溫真空環境中，活潑金屬化合物會分解出活潑金屬，活潑金屬能有效還原電子傳輸材料化合物與有機金屬配合物，形成活潑金屬摻雜層。從而獲得驅動電壓更低、效率更高的陰極結構，並可以使用更廣泛的材料作為陰極。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧透明陽極
3‧‧‧空穴傳輸層
4‧‧‧有機發光層
5‧‧‧電子傳輸層
6‧‧‧陰極
圖1為本發明有機電致發光元件結構示意圖。
下面通過具體實施例對本發明作進一步說明，以使本領域的技術人員可以更好地理解本發明並能予以實施，但所舉實施例不作為對本發明的限定。
如圖1所示，本發明中的有機電致發光元件包括透明基板1、透明陽極2、空穴傳輸層3、有機發光層4、電子傳輸層5和陰極6，另外，還可以包括空穴注入層、電子注入層等，其結構與現有的有機電致發光元件相同。本發明是在電子傳輸層中摻雜有機金屬配合物以及活潑金屬化合物形成電子傳輸混合層。其中，有機金屬配合物較佳為熱穩定性好的喹啉金屬配合物，例如Alq3或Gaq3。活潑金屬化合物為鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物或鑭系金屬化合物。其中，鹼金屬化合物可以為鹼金屬氮化物，例如Li3N、Na3N、K3N或Rb3N，也可以為鹼金屬硼氫化物，例如LiBH4、NaBH4或KBH4；鹼土金屬化合物可以為鹼土金屬氮化物，例如Mg3N2、Ca3N2、Sr3N2或Ba3N2，也可以鹼土金屬硼氫化物；鑭系金屬化合物可以為鑭系金屬氮化物，例如LaN，也可是鑭系金屬硼氫化物。
電子傳輸層中電子傳輸材料、有機金屬配合物、活潑金屬化合物的摩爾比為1：(0.01~5)：(0.01~5)，較佳為1：1：1。其中，電子傳輸材料可採用現有技術中常用的材料例如可以是Bphen、TPBi、Bebq2或Bepp2等，也可以是其它一類電子遷移率高的電子傳輸材料，例如公告號為CN101875637B的中國發明專利中公開的材料：
或者公告號為CN 101891673B的中國發明專利中公開的材料：
而本發明的有機電致發光元件製備方法為：在ITO(銦錫氧化物)玻璃基片上依次蝕刻陽極圖形、蒸鍍空穴傳輸層和有機發光層；在所述有機發光層上共蒸鍍電子傳輸材料、有機金屬配合物、活潑金屬化合物，形成電子傳輸層，其中，所述活潑金屬化合物為鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物或鑭系金屬化合物；在所述電子傳輸層上蒸鍍陰極。
本發明中，在電子傳輸層中摻雜有機金屬配合物和活潑金屬化合物。其中，電子傳輸材料具有高遷移率，有機金屬配合物的熱穩定性好，電子傳輸層兼顧了遷移率與穩定性。而活潑金屬化合物在真空中加熱能釋放出活潑金屬，活潑金屬能有效還原電子傳輸材料化合物與有機金屬配合物，形成N摻雜結構，有利於電子的注入和傳輸。從而獲得驅動電壓更低、效率更高的陰極結構。另外，由於本發明通過活潑金屬化合物在高溫真空環境下釋放出活潑金屬，因此對於陰極的材料沒有限制，可以使用更廣泛的材料作為陰極。
下面舉具體實施例予以說明。
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bebq2(15nm)：Alq3(100%)：Li3N(100%)/Al(150nm)
其中，陽極為ITO；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度為50nm；有機發光層的材料為Alq3，厚度為50nm；構成電子傳輸層的材料為Bebq2，並摻雜Alq3(有機金屬配合物)和Li3N(鹼金屬氮化物)，電子傳輸層的總厚度為45nm，Alq3和Li3N相對於Bebq2分別計為摩爾比，即Bebq2、Alq3、Li3N三種材料之間的摩爾比為1：1：1；陰極材料為Al，厚度為150nm。
本實施例的有機電致發光元件的製備方法如下：1)根據設計在ITO基板蝕刻好固定陽極圖形；2)利用洗滌劑超音波和去離子水超音波的方法對已經蝕刻好固定圖形的ITO玻璃基片進行清洗，並放置在紅外線燈下烘乾；3)把上述處理好的玻璃基片置於真空腔內，抽真空至1×10-5Pa，在上述陽極層膜上繼續蒸鍍空穴傳輸層(NPB)，該層成膜速率為0.1nm/s，膜厚為50nm；4)在空穴傳輸層上蒸鍍Alq3作為發光層，蒸鍍速率為0.1nm/s，總膜厚為50nm；5)在發光層上蒸鍍電子傳輸層，蒸鍍時將Bebq2、Alq3、Li3N材料共蒸鍍，摩爾比例為1：1：1，蒸鍍速率為0.1nm/s，總膜厚為45nm；6)在上述電子傳輸層上繼續蒸鍍Al層作為元件的陰極層，Al層的蒸鍍速率為1nm/s，厚度為150nm。
按照實施例1的有機電致發光元件的製備方法製備如下元件：ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bphen(15nm)：Alq3(100%)：Li3N(100%)/Al(150nm)
其中，陽極為ITO(銦錫氧化物)；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度為50nm；有機發光層的材料為Alq3，厚度為50nm；構成電子傳輸層的材料為Bphen，並摻雜Alq3(有機金屬配合物)和Li3N(鹼金屬氮化物)，電子傳輸層的厚度為45nm，Alq3和Li3N相對於Bphen分別計為摩爾比，即Bphen、Alq3、Li3N三種材料之間的摩爾比為1：1：1；陰極材料為Al，厚度為150nm。
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bphen(15nm)：Alq3(100%)：KBH4(50%)/Al(150nm)
其中，陽極為ITO(銦錫氧化物)；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度為50nm；有機發光層的材料為Alq3，厚度為50nm；構成電子傳輸層的材料為Bphen，並摻雜Alq3(有機金屬配合物)和KBH4(鹼金屬硼氫化物)，電子傳輸層的厚度為35nm，Alq3和Li3N相對於Bphen分別計為摩爾比，即Bphen、Alq3、Li3N三種材料之間的摩爾比為1：1：0.5；陰極材料為Al，厚度為150nm。
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bebq2(15nm)：Alq3(1%)：Li3N(500%)/Al(150nm)
其中，陽極為ITO；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度為50nm；有機發光層的材料為Alq3，厚度為50nm；構成電子傳輸層的材料為Bebq2，並
摻雜Alq3(有機金屬配合物)和Li3N(鹼金屬氮化物)，電子傳輸層的總厚度為90nm，Alq3和Li3N相對於Bebq2分別計為摩爾比，即Bebq2、Alq3、Li3N三種材料之間的摩爾比為1：0.01：5；陰極材料為Al，厚度為150nm。
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bebq2(15nm)：Alq3(500%)：Li3N(1%)/Al(150nm)
其中，陽極為ITO；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度為50nm；有機發光層的材料為Alq3，厚度為50nm；構成電子傳輸層的材料為Bebq2，並摻雜Alq3(有機金屬配合物)和Li3N(鹼金屬氮化物)，電子傳輸層的總厚度為90nm，Alq3和Li3N相對於Bebq2分別計為摩爾比，即Bebq2、Alq3、Li3N三種材料之間的摩爾比為1：5：0.01；陰極材料為Al，厚度為150nm。
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bebq2(15nm)：Alq3(1%)：Li3N(1%)/Al(150nm)
其中，陽極為ITO；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度為50nm；有機發光層的材料為Alq3，厚度為50nm；構成電子傳輸層的材料為Bebq2，並摻雜Alq3(有機金屬配合物)和Li3N(鹼金屬氮化物)，電子傳輸層的總厚度為15nm，Alq3和Li3N相對於Bebq2分別計為摩爾比，即Bebq2、Alq3、Li3N三種材料之間的摩爾比為1：0.01：0.01；陰極材料為Al，厚度為150nm。
ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bebq2(15nm)：Alq3(500%)：Li3N(500%)/Al(150nm)
其中，陽極為ITO；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度為50nm；有機發光層的材料為Alq3，厚度為50nm；構成電子傳輸層的材料為Bebq2，並摻雜Alq3(有機金屬配合物)和Li3N(鹼金屬氮化物)，電子傳輸層的總厚度為165nm，Alq3和Li3N相對於Bebq2分別計為摩爾比，即Bebq2、Alq3、Li3N三種材料之間的摩爾比為1：5：5；陰極材料為Al，厚度為150nm。
按照實施例1的有機電致發光元件的製備方法製備如下元件：ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bphen(15nm)：Alq3(100%)/Al(150nm)
其中，陽極為ITO(銦錫氧化物)；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度為50nm；有機發光層的材料為Alq3，厚度為50nm；構成電子傳輸層的材料為Bphen，並摻雜Alq3(有機金屬配合物)，電子傳輸層的厚度為30nm，Alq3相對於Bphen分別計為摩爾比，即Bphen、Alq3兩種材料之間的摩爾比為1：1；陰極材料為Al，厚度為150nm。
按照實施例1的有機電致發光元件的製備方法製備如下元件：ITO(150nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Bphen(15nm)：Li3N(100%)/Al(150nm)
其中，陽極為ITO(銦錫氧化物)；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度為50nm；有機發光層的材料為Alq3，厚度為50nm；構成電子傳輸層的材料為Bphen，並摻雜Li3N(鹼金屬/鹼土金屬/鑭系金屬化合物)，電子傳輸層的
厚度為30nm，Li3N相對於Bphen分別計為摩爾比，即Bphen、Li3N兩種材料之間的摩爾比為1：1；陰極材料為Al，厚度為150nm。
在1000cd/m2的亮度下，實施例和對比例的元件性能為：
由上表可以看出實施例1-7製備的元件比對比例1、2製備的元件擁有更低的驅動電壓和更高的電流效率。說明通過高遷移率電子傳輸材料、有機金屬配合物、鹼金屬/鹼土金屬/鑭系金屬化合物共蒸形成的電子傳輸層比只有電子傳輸材料和有機金屬配合物或鹼金屬/鹼土金屬/鑭系金屬化合物形成的電子傳輸具有更有的元件性能。
本發明是利用活潑金屬化合物受熱後釋放出活潑金屬的性質，本領域的技術人員根據上述實施例可知，其它未例舉的活潑金屬化合物同樣可以應用於本發明。
以上所述實施例僅是為充分說明本發明而所舉的較佳的實施例，本發明的保護範圍不限於此。本技術領域的技術人員在本發明基礎上所作的等同替代或變換，均在本發明的保護範圍之內。本發明的保護範圍以申請專利範圍為准。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧透明陽極
3‧‧‧空穴傳輸層
4‧‧‧有機發光層
5‧‧‧電子傳輸層
6‧‧‧陰極
Claims (4)
- 一種有機電致發光元件，包括陽極、空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層和陰極，其特徵在於，所述電子傳輸層中摻雜有有機金屬配合物和活潑金屬化合物，其中，所述活潑金屬化合物為鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物或鑭系金屬化合物；其中，所述鹼金屬化合物為鹼金屬氮化物或鹼金屬硼氫化物；所述鹼土金屬化合物為鹼土金屬氮化物；所述鑭系金屬化合物為鑭系金屬氮化物；所述鹼金屬氮化物包括Li3N、Na3N、K3N或Rb3N；所述鹼土金屬氮化物包括Mg3N2、Ca3N2、Sr3N2或Ba3N2；所述鑭系金屬氮化物包括LaN；所述鹼金屬硼氫化物包括LiBH4、NaBH4或KBH4；所述電子傳輸層中電子傳輸材料、有機金屬配合物、活潑金屬化合物的摩爾比為1：(0.01~5)：(0.01~5)；所述有機金屬配合物為Alq3或Gaq3。
- 根據請求項1所述的有機電致發光元件，其中，所述電子傳輸層中電子傳輸材料、有機金屬配合物、活潑金屬化合物的摩爾比為1：1：1。
- 一種有機電致發光元件的製備方法，其特徵在於，包括：在ITO玻璃基片上依次蝕刻陽極圖形、蒸鍍空穴傳輸層和有機發光層； 在所述有機發光層上共蒸鍍電子傳輸材料、有機金屬配合物、活潑金屬化合物，形成電子傳輸層，其中，所述活潑金屬化合物為鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物或鑭系金屬化合物；及在所述電子傳輸層上蒸鍍陰極；其中，所述鹼金屬化合物為鹼金屬氮化物或鹼金屬硼氫化物；所述鹼土金屬化合物為鹼土金屬氮化物；所述鑭系金屬化合物為鑭系金屬氮化物；所述鹼金屬氮化物包括Li3N、Na3N、K3N或Rb3N；所述鹼土金屬氮化物包括Mg3N2、Ca3N2、Sr3N2或Ba3N2；所述鑭系金屬氮化物包括LaN；所述鹼金屬硼氫化物包括LiBH4、NaBH4或KBH4；所述電子傳輸層中電子傳輸材料、有機金屬配合物、活潑金屬化合物的摩爾比為1：(0.01~5)：(0.01~5)；所述有機金屬配合物為Alq3或Gaq3。
- 根據請求項3所述的有機電致發光元件的製備方法，其中，所述電子傳輸層中電子傳輸材料、有機金屬配合物、活潑金屬化合物的摩爾比為1：1：1。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310747676.2A CN103700775B (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201546082A TW201546082A (zh) | 2015-12-16 |
| TWI580686B true TWI580686B (zh) | 2017-05-01 |
Family
ID=50362241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103145355A TWI580686B (zh) | 2013-12-31 | 2014-12-24 | 一種有機電致發光元件及其製備方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10256417B2 (zh) |
| EP (1) | EP3070758B1 (zh) |
| JP (1) | JP6280234B2 (zh) |
| KR (1) | KR101974255B1 (zh) |
| CN (1) | CN103700775B (zh) |
| PL (1) | PL3070758T3 (zh) |
| TW (1) | TWI580686B (zh) |
| WO (1) | WO2015101257A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103700775B (zh) | 2013-12-31 | 2017-08-25 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN108717956B (zh) * | 2018-05-31 | 2020-04-03 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其显示装置 |
| WO2020208774A1 (ja) * | 2019-04-11 | 2020-10-15 | シャープ株式会社 | 発光素子および表示装置 |
| CN112449034A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 北京小米移动软件有限公司 | 一种移动终端 |
| CN110911574A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-24 | 昆山国显光电有限公司 | 组合物、oled器件、oled显示面板及显示装置 |
| CN111584731B (zh) * | 2020-05-29 | 2022-09-16 | 合肥福纳科技有限公司 | 电子传输材料、薄膜、量子点发光二极管及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201122080A (en) * | 2009-12-31 | 2011-07-01 | Bejing Visionox Technology Co Ltd | Organic material and organic electroluminescence devices adopting the same. |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0845924B1 (en) * | 1996-11-29 | 2003-07-16 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescent device |
| JP4505067B2 (ja) | 1998-12-16 | 2010-07-14 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| CN100448058C (zh) | 2005-04-13 | 2008-12-31 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件 |
| KR100806812B1 (ko) * | 2005-07-25 | 2008-02-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법 |
| US20070092753A1 (en) | 2005-10-26 | 2007-04-26 | Eastman Kodak Company | Organic element for low voltage electroluminescent devices |
| CN101427399A (zh) | 2006-04-20 | 2009-05-06 | 出光兴产株式会社 | 有机发光元件 |
| US20090004573A1 (en) | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Aton Thomas J | System and method for making photomasks |
| CN101368264B (zh) * | 2007-08-16 | 2012-01-04 | 清华大学 | 有机电致发光器件 |
| US20090162644A1 (en) | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Ricks Michele L | Organic element for low voltage electroluminescent devices |
| KR100931060B1 (ko) * | 2008-04-02 | 2009-12-10 | 단국대학교 산학협력단 | 유기 전계 발광 소자 |
| CN102084514A (zh) | 2008-07-01 | 2011-06-01 | 东丽株式会社 | 发光元件 |
| CN101891673B (zh) | 2009-11-13 | 2013-03-20 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种有机材料及其在有机电致发光器件中的应用 |
| CN101875637B (zh) | 2009-11-13 | 2013-11-06 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种有机材料及其在有机电致发光器件中的应用 |
| US8870523B2 (en) | 2011-03-07 | 2014-10-28 | General Electric Company | Method for manufacturing a hot gas path component and hot gas path turbine component |
| JP5803648B2 (ja) | 2011-12-16 | 2015-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
| KR101358784B1 (ko) | 2012-02-14 | 2014-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 개선된 효율 특성을 갖는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| TWI577238B (zh) * | 2012-04-25 | 2017-04-01 | 群康科技(深圳)有限公司 | 有機發光二極體及包含其之顯示裝置 |
| JP5998745B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2016-09-28 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| CN102916134B (zh) * | 2012-10-31 | 2016-06-29 | 昆山维信诺科技有限公司 | 电子传输层、含该层的有机电致发光器件及其制造方法 |
| US20140203246A1 (en) * | 2013-01-23 | 2014-07-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Diode and Display Panel |
| CN103078061B (zh) * | 2013-01-23 | 2014-07-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种二极管及显示面板 |
| CN103700775B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-08-25 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
-
2013
- 2013-12-31 CN CN201310747676.2A patent/CN103700775B/zh active Active
-
2014
- 2014-12-24 TW TW103145355A patent/TWI580686B/zh active
- 2014-12-29 PL PL14877046T patent/PL3070758T3/pl unknown
- 2014-12-29 KR KR1020167019897A patent/KR101974255B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-29 EP EP14877046.4A patent/EP3070758B1/en active Active
- 2014-12-29 US US15/109,406 patent/US10256417B2/en active Active
- 2014-12-29 WO PCT/CN2014/095334 patent/WO2015101257A1/zh active Application Filing
- 2014-12-29 JP JP2016558256A patent/JP6280234B2/ja active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201122080A (en) * | 2009-12-31 | 2011-07-01 | Bejing Visionox Technology Co Ltd | Organic material and organic electroluminescence devices adopting the same. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160101180A (ko) | 2016-08-24 |
| CN103700775B (zh) | 2017-08-25 |
| WO2015101257A1 (zh) | 2015-07-09 |
| PL3070758T3 (pl) | 2018-07-31 |
| TW201546082A (zh) | 2015-12-16 |
| EP3070758A1 (en) | 2016-09-21 |
| US10256417B2 (en) | 2019-04-09 |
| JP2016541129A (ja) | 2016-12-28 |
| US20160380213A1 (en) | 2016-12-29 |
| EP3070758B1 (en) | 2018-01-31 |
| KR101974255B1 (ko) | 2019-04-30 |
| JP6280234B2 (ja) | 2018-02-14 |
| CN103700775A (zh) | 2014-04-02 |
| EP3070758A4 (en) | 2016-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI580686B (zh) | 一種有機電致發光元件及其製備方法 | |
| US8338223B2 (en) | Fabrication method for organic electronic device and organic electronic device fabricated by the same method | |
| CN105895820B (zh) | 有机发光器件及其显示器 | |
| CN104167496B (zh) | 倒置式顶发射器件及其制备方法 | |
| JP5094781B2 (ja) | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 | |
| WO2009021365A1 (fr) | Oled et son procédé | |
| Liu et al. | Improved color quality in double-EML WOLEDs by using a tetradentate Pt (II) complex as a green/red emitter | |
| WO2018228198A1 (zh) | 有机电致发光器件及制备方法、蒸镀设备 | |
| Dong et al. | An efficient solution-processed hole injection layer with phosphomolybdic acid in quantum dot light-emitting diodes | |
| CN105870350B (zh) | 有机发光器件 | |
| CN108649128B (zh) | 一种单组分电致白光器件及其制备方法 | |
| CN208422959U (zh) | 一种新型oled器件及其显示、照明装置 | |
| CN105762294A (zh) | 利用铱配合物的白光有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN109004098A (zh) | 一种新型oled器件及其显示、照明装置 | |
| WO2019095501A1 (zh) | 一种oled器件及制备方法 | |
| CN105932177A (zh) | 有机电致发光器件、发光层材料、掺杂方法及制备方法 | |
| TWI338393B (en) | Fabrication method for organic light emitting device and organic light emitting device fabricated by the same method | |
| TWI472057B (zh) | 有機發光二極體製造方法及其構造 | |
| CN105789470A (zh) | 一种白光有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN105789462A (zh) | 掺杂cbp的蓝色有机电致发光器件及其制备方法 | |
| Yang et al. | 31.5: Invited Paper: Solution Processable Materials for Printed OLED Displays | |
| CN112661708A (zh) | 一种单层掺杂电子传输层绿光磷光器件及其制备方法与应用 | |
| CN105789458A (zh) | 一种铱配合物的白光有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN105789457A (zh) | 两种铱配合物混合的白光有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN105789480A (zh) | 无掺杂的蓝色有机电致发光器件及其制备方法 |