JP5094781B2 - 有機el装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1を参照し、本実施例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード加飾層50、カソード層60を備える。本発明の実施例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
予めに処理されたガラス基板を真空のチャンバーに置き、1×10-3 Paまで真空引きし、正孔輸送材料NPBを蒸着し、材料の薄膜の蒸着レートが0.1nm/sであり、薄膜の厚さが50nmである。正孔輸送層の上に厚さが70nmのAlq3を装置の発光層及び電子輸送層として蒸着する。
電子輸送層の作製後、厚さが0.2nmのKBH4を装置のカソード加飾層として作製し、本実施例はKBH4を蒸着することで、カソード加飾層を作製し、その蒸着レートが0.01nm/s程度であり、蒸着温度が350℃程度である。
本発光装置におけるカソードは厚さが150nmのアルミニウム薄膜からなり、アルミニウム層の蒸着レートは1.0nm/sである。
図1を参照し、本実施例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード加飾層50、カソード層60を備える。本発明の実施例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
作製方法は、電子輸送層の形成後に厚さが0.5nmのKBH4を作製するほかに、実施例1と同じである。
図1を参照し、本実施例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード加飾層50、カソード層60を備える。本発明の実施例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
作製方法は、電子輸送層の形成後に厚さが2.0nmのKBH4を作製するほかに、実施例1と同じである。
図1を参照し、本実施例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード加飾層50、カソード層60を備える。本発明の実施例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
作製方法は電子輸送層の形成後に厚さが5.0nmのKBH4を作製するほかに、実施例1と同じである。
図1を参照し、本実施例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード加飾層50、カソード層60を備える。本発明の実施例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
作製方法は電子輸送層の形成後に厚さが10.0nmのKBH4を作製するほかに、実施例1と同じである。
図1を参照し、本実施例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード加飾層50、カソード層60を備える。本発明の実施例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
作製方法は電子輸送層の形成後に厚さが150nmのAgを作製するほかに、実施例1と同じである。
図1を参照し、本比較例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード加飾層50、カソード層60を備える。本発明の比較例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
作製方法は、電子輸送層の形成後に厚さが0.5nmのLiFを作製するほかに、実施例1と同じである。
図5を参照し、本比較例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード層60を備える。本発明の比較例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
作製方法は比較例において金属の銀であり、カソード加飾層50がないほかに、実施例1と同じである。
図1を参照し、本実施例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード加飾層50、カソード層60を備える。本発明の実施例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
作製方法はカソード加飾層の形成後に厚さが150nmのAgを作製するほかに、実施例1と同じである。
図1を参照し、本実施例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード加飾層50、カソード層60を備える。本発明の実施例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
作製方法はカソード加飾層の形成後に厚さが20nmのAgを作製するほかに、実施例1と同じである。
図1を参照し、本実施例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード加飾層50、カソード層60を備える。本発明の実施例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
KBH4:Ag[1:10](10nm)とはカソード加飾層におけるKBH4とAgのドーピング比が1:10となり、厚さが10nmである意味である。該カソード加飾層は両ソース又は複数のソースで共蒸着の方式を採用して作製した。
本実施例の制作のカソード層はAgが10nmとなり、両面発光装置である。
図1を参照し、本実施例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード加飾層50、カソード層60を備える。本発明の実施例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
作製方法は電子輸送層の形成後に厚さが0.5nmのLiBH4を作製するほかに、実施例1と同じである。
図1を参照し、本実施例の有機EL装置の構成の断面図である。その中、基板10、アノード層20、正孔輸送層30、発光層40、カソード加飾層50、カソード層60を備える。本発明の実施例における有機EL装置の構成は以下のとおりである。
作製方法は電子輸送層の形成後に厚さが1.0nmのLiBH4を作製するほかに、実施例1と同じである。
KBH4に対応する比較的に厚い好適な厚度(2.0〜5.0nm)の範囲において、カソードをスパッタリング法で作製することができる。KBH4は有機層を保護する役割を果たしており、かつ装置の電子注入効果を高めることができる。カソードはAg、Alなどを選択すればいい。
20 アノード層
30 正孔輸送層
40 発光層
50 カソード加飾層
60 カソード層
Claims (11)
- 基板と、基板に形成されたアノード層と、アノード層に形成された有機機能層と、有機機能層に形成されたカソード層を備える有機EL装置であり、
前記有機機能層とカソード層との間に化合物KBH 4 又はそれが分解した混合物を含むカソードインターフェース加飾層を更に備え、前記化合物KBH 4 の分解したものはKであることを特徴とする有機EL装置。 - 前記カソードインターフェース加飾層は厚さが0.1nm〜50nmであることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
- 前記カソードインターフェース加飾層は厚さが0.5nm〜10nmであることを特徴とする請求項2に記載の有機EL装置。
- 前記カソードインターフェース加飾層は、前記化合物KBH 4 又はそれが分解した混合物と金属材料とをドープしたものであり、両者のドーピング比は1:10〜1:1であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
- 前記金属は装置のカソードの金属と同じであることを特徴とする請求項4に記載の有機EL装置。
- 前記金属はアルミニウム又は銀であることを特徴とする請求項5に記載の有機EL装置。
- 前記カソード層はスパッタリング法で作製されたことを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
- 前記カソード層は金属のアルミニウム又は銀であることを特徴とする請求項7に記載の有機EL装置。
- 基板にアノード層と有機機能層を順に作製し、有機機能層に化合物KBH 4 からなるカソードインターフェース加飾層を作製し、その後、カソード層を作製し、前記化合物KBH 4 の分解したものはKであることを特徴とする有機EL装置の製造方法。
- 前記化合物KBH 4 を含むカソードインターフェース加飾層を作製する方法は真空蒸着法であることを特徴とする請求項9に記載の有機EL装置の製造方法。
- KBH 4 を真空蒸着することにより、アルカリ金属水素化合物を含む前記カソードインターフェース加飾層を作製することを特徴とする請求項9又は10に記載の有機EL装置の製造方法。
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