TWI570178B - 用於薄膜層的聚乙烯組成物 - Google Patents

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Description

用於薄膜層的聚乙烯組成物
本發明係關於一種聚合物組成物;該聚合物組成物於薄膜應用中之用途;及一種包含本發明之聚合物組成物之薄膜。
單峰聚乙烯(polyethylene,PE)聚合物,例如SSC產品通常用於薄膜應用。單峰PE聚合物具有例如良好光學性質,如低混濁度,但例如,該等聚合物之熔融加工從生產的眼光來看並不令人滿意且此外可能會導致最終產品之品質問題。具有兩種或更多種不同聚合物組分之多峰PE聚合物加工起來更佳,但例如,多峰PE之熔融均質化可能成問題,產生非均質最終產品,此例如由最終產品之高凝膠含量證明。
Borealis之EP1472298A揭示具有兩種不同共聚單體之多峰PE聚合物組成物。多峰PE聚合物在茂金屬催化劑存在下聚合。實施例揭示具有兩種具有例如不同類型之共聚單體之聚合物組分之多峰PE聚合物。該公開案的確似乎定義最終多峰PE聚合物之熔體流動比率MFR21/MFR2(FRR21/2)之任何範圍,然而,例示之聚合物之該熔體流動比率在38-55範圍內變化。
持續需要尋找具有不同性質平衡之多峰PE聚合物,以便提供調整之溶液以滿足最終應用生產者之增加的需求,例如以便降低生產成 本同時維持或甚至改良最終產品性質。調整之聚合物溶液亦需要滿足最終應用領域中持續發展之設備技術的需求。
圖1展示熱黏溫度及拉伸模數之關係。■參考產品◆本發明樣品
本發明係針對一種聚合物組成物,其包含(a)乙烯與至少兩種選自具有4至10個碳原子之α-烯烴之不同共聚單體的多峰聚合物,其中多峰乙烯聚合物(a)具有a)0.5至10g/10min之MFR2(根據ISO 1133在190℃下在2.16kg負荷下),b)13至35之MFR21/MFR2(在190℃下在21.6kg負荷下之MFR21),及c)5或小於5之MWD;且其中多峰乙烯聚合物(a)包含至少- 乙烯聚合物組分(A),及- 乙烯聚合物組分(B),且其中該乙烯聚合物組分(A)之MFR2不同於該乙烯聚合物組分(B)之MFR2
術語「多峰」在乙烯聚合物(a)之情形下在本文中意謂就乙烯聚合物組分(A)及(B)之熔體流動速率(melt flow rate,MFR)而言之多峰性,亦即乙烯聚合物組分(A)及(B)具有不同MFR值。多峰乙烯 聚合物(a)可具有就乙烯聚合物組分(A)與(B)之間的一或多種其他性質而言之其他多峰性,如稍後將在下文描述。
如上文、下文或申請專利範圍中所定義,本發明之聚合物組成物在本文中亦簡短地稱為「聚合物組成物」。
如上文、下文或申請專利範圍中所定義,「(a)乙烯與至少兩種選自具有4至10個碳原子之α-烯烴之不同共聚單體的多峰聚合物」或對應地「多峰乙烯聚合物(a)」在本文中亦簡短地稱為「乙烯聚合物(a)」。
乙烯聚合物組分(A)及乙烯聚合物組分(B)當兩者均提及時亦稱為「乙烯聚合物組分(A)及(B)」。
出乎意料地,本發明之聚合物組成物提供可撓性以將聚合物結構調整為最適用於所選應用。
令人驚訝地,本發明之聚合物組成物之所主張性質組合(亦即包含兩種不同共聚單體且具有窄MWD、特定MFR21/MFR2比率組合加上就MFR而言為多峰性)向聚合物組成物提供極佳性質平衡,例如可加工性(例如若與單峰聚合物相比顯著降低之擠出機壓力所指示)以及組合改良之均質性(例如若與「較寬」多峰乙烯聚合物相比低凝膠含量所指示)之間的有利平衡。
較佳除了所主張本發明之聚合物組成物所實現的以上極佳性質平衡之外,例如與具有相同最終密度之單峰乙烯聚合物相比,機械性質亦改良,例如更高硬度(例如像加工方向(machine direction,MD)上更高拉伸模數所表示)。
更佳,本發明之聚合物組成物具有極佳密封性質,例如像最 大熱黏力下低熱黏溫度所指示。聚合物組成物即使在低溫下亦能啟動密封。
此外,在本發明之性質平衡下,聚合物組成物,儘管多峰,但提供良好光學性質,如極可行之混濁度值。
所獲得之性質平衡例如對於薄膜應用為高度可行的。
本發明進一步係針對一種薄膜,其包含至少一個層,該至少一個層包含聚合物組成物。薄膜可為包含聚合物組成物之單層薄膜,或為多層薄膜,其中至少一個層包含聚合物組成物。術語「單層薄膜」及「多層薄膜」具有此項技術中熟知的含義。
聚合物組成物、乙烯聚合物(a)及其乙烯聚合物組分(A)及(B)及本發明之薄膜的以下較佳具體實例、性質及亞群(包括其較佳範圍)可獨立地普遍化,以便其可以任何次序或組合使用以進一步定義本發明之聚合物組成物及物品之較佳具體實例。
聚合物組成物、乙烯聚合物(a)以及乙烯聚合物組分(A)及乙烯聚合物組分(B)
如上文已提及,乙烯聚合物(a)在本文中稱為「多峰的」,因為乙烯聚合物組分(A)及乙烯聚合物組分(B)已在不同聚合條件下製備,產生不同熔體流動速率(MFR,例如MFR2)。亦即,聚合物組成物至少就兩種乙烯聚合物組分(A)與(B)之MFR差異而言為多峰的。術語「多」包括由兩種具有該MFR的差異之組分組成之「雙峰」組成物。
較佳地,乙烯聚合物組分(A)具有1至50g/10min、較佳1至40g/10min、更佳1至30g/10min、更佳2至20g/10min、更佳2至15g/10 min、甚至更佳2至10g/10min之MFR2。更佳地,乙烯聚合物組分(A)具有比乙烯聚合物組分(B)高之MFR2
甚至更佳地,乙烯聚合物組分(A)之MFR2比最終多峰乙烯聚合物(a)之MFR2的比率為2至50、較佳5至40、較佳10至30、更佳10至25、更佳15至25。
較佳地,聚合物組成物、較佳乙烯聚合物(a)之MFR2較佳為0.5至7g/10min、較佳0.5至5g/10min。較佳地,聚合物組成物、較佳乙烯聚合物(a)具有13至30、較佳15至30、更佳15至25之MFR21/MFR2
若乙烯聚合物組分(例如組分(B))之MFR2無法量測,因為其無法自至少乙烯聚合物組分(A)或(B)之混合物分離,則其可使用所謂海格斯壯方程式(Hagström equation)計算(以下MI2)(Hagström,The Polymer Processing Society,Europe/Africa Region Meeting,Gothenburg,Sweden,1997年8月19-21日):
根據該海格斯壯,在該方程式(eq.3)中,對於MFR2,a=5.2且b=0.7。此外,w為具有更高MFR之其他乙烯聚合物組分(例如組分(A))之重量分率。乙烯聚合物組分(A)因此可視為組分1且乙烯聚合物組分(B)視為組分2。MIb為最終乙烯聚合物(a)之MFR2。當乙烯聚合物組分(A)(MI1)及最終乙烯聚合物(a)(MIb)之MFR1已知時,乙烯聚合物組分(B)之MFR2(MI2)可隨後由方程式1求解。
乙烯聚合物(a)之至少兩種具有4至10個碳原子之α-烯 烴共聚單體較佳為1-丁烯及1-己烯。
自然地,除了就乙烯聚合物組分(A)與(B)之MFR之間的差異而言之多峰性之外,本發明之聚合物組成物之乙烯聚合物(a)亦可就例如兩種其他性質中之一或兩者而言為多峰的:- 就下列性質之間的差異而言之多峰性;- 乙烯聚合物組分(A)及(B)中所存在之共聚單體類型或共聚單體含量,或乙烯聚合物組分(A)及(B)中所存在之共聚單體之類型及含量兩者;及/或- 乙烯聚合物組分(A)及(B)之密度。
較佳地,聚合物組成物之多峰乙烯聚合物(a)就共聚單體類型及/或共聚單體含量(mol%)而言為進一步多峰的,較佳其中乙烯聚合物組分(A)之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體不同於乙烯聚合物組分(B)之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體,較佳其中乙烯聚合物組分(A)之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體為1-丁烯且乙烯聚合物組分(B)之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體為1-己烯。
較佳地,[乙烯聚合物組分(A)中所存在之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體的量(mol%)]比[最終多峰乙烯聚合物(a)之至少兩種具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體的量(mol%)]之比率為0.2至0.6、較佳0.24至0.5,更佳乙烯聚合物組分(A)具有比乙烯聚合物組分(B)更低量(mol%)之共聚單體。
可量測組分(A)及(B)之共聚單體含量,或倘若且較佳地,在所謂多重程序中,首先製備組分之一,且其後在第一製備物存在下 製備另一者,隨後可量測首先製備之組分(例如組分(A))之共聚單體含量,且可根據下式計算另一組分(例如組分(B))之共聚單體含量:組分B中之共聚單體含量(mol%)=(最終產物中之共聚單體含量(mol%)-(組分A之重量分率×組分A中之共聚單體含量(mol%)))/(組分B之重量分率)
較佳地,乙烯聚合物組分(A)中所存在之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體的量(mol%)為0.03至5.0mol%、較佳0.05至4.0mol%、更佳0.1至3.0mol%、甚至更佳0.1至2.0mol%、更佳0.15至1.5mol%、甚至更佳0.15至1.0mol%。
更佳地,多峰乙烯聚合物(a)中所存在之共聚單體之總量為0.5至10mol%、較佳1.0至8mol%、更佳1.0至5mol%、更佳1.5至5.0mol%。
進一步特定多峰性,亦即乙烯聚合物組分(A)與乙烯聚合物組分(B)之間的在共聚單體類型及共聚單體含量之間的差異進一步有助於高度有利的密封性質,例如有助於如上文所提及之改良熱黏性質,且較佳亦有助於即使在低溫下亦極佳之密封起始溫度。光學性質,如混濁度亦處於有利水準。
甚至更佳地,聚合物組成物之多峰乙烯聚合物(a)就乙烯聚合物組分(A)與乙烯聚合物組分(B)之間的密度差異而言為進一步多峰的。較佳地,乙烯聚合物組分(A)之密度不同於、較佳高於乙烯聚合物組分(B)之密度。更佳地,乙烯聚合物組分(A)之密度為925至950kg/m3、較佳930至945kg/m3
多峰乙烯聚合物(a)較佳為具有熟知含義之線性低密度聚 乙烯(linear low density polyethylene,LLDPE)。甚至更佳地,多峰乙烯聚合物(a)、較佳聚合物組成物之密度為910至935kg/m3、較佳915至930kg/m3
就密度而言之多峰性進一步有助於聚合物組成物之有益機械性質。
另外,聚合物組成物之乙烯聚合物(a)就乙烯聚合物組分(A)與(B)之(重量平均)分子量之間的差異而言亦可為多峰的,亦即在乙烯聚合物組分(A)與(B)之(重量平均)分子量之間具有差異。重量平均分子量之多峰性意謂,該種多峰聚乙烯之分子量分佈曲線之形式(亦即聚合物重量分率作為其分子量之函數之圖的外觀)將展示兩個或更多個最大值或與個別組分之曲線相比至少明顯加寬。
更佳地,如上文、下文或申請專利範圍(包括聚合物組成物之較佳範圍或具體實例中任一者)中所定義,多峰乙烯聚合物(a)至少就乙烯聚合物組分(A)與乙烯聚合物組分(B)之MFR2、共聚單體類型及共聚單體含量(mol%)之間的差異而言、以及就密度之間的差異而言為多峰的,亦即在MFR2、共聚單體類型及共聚單體含量(mol%)之間、以及在密度之間具有差異。
最佳地,如上文、下文或申請專利範圍中所定義,本發明之聚合物組成物包含多峰乙烯聚合物(a),其包含乙烯聚合物組分(A)及乙烯聚合物組分(B),較佳由乙烯聚合物組分(A)及乙烯聚合物組分(B)組成,其中- 乙烯聚合物組分(A)具有比乙烯聚合物組分(B)更高之MFR2;- 更佳地,乙烯聚合物組分(A)具有1至50g/10min、較佳1至40g/10 min、更佳1至30g/10min、更佳2至20g/10min、更佳2至15g/10min、甚至更佳2至10g/10min之MFR2;- 甚至更佳地,乙烯聚合物組分(A)之MFR2比最終多峰乙烯聚合物(a)之MFR2的比率為2至50、較佳5至40、較佳10至30、更佳10至25、更佳15至25;且其中- 乙烯聚合物組分(A)具有與乙烯聚合物(B)不同之共聚單體;- 更佳地,乙烯聚合物組分(A)具有比乙烯聚合物組分(B)更低量(mol%)之共聚單體,甚至更佳地,[乙烯聚合物組分(A)中所存在之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體的量(mol%)]比[最終多峰乙烯聚合物(a)之至少兩種具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體的量(mol%)]之比率為0.2至0.6、較佳0.25至0.5;- 甚至更佳地,其中乙烯聚合物組分(A)之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體為1-丁烯且乙烯聚合物組分(B)之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體為1-己烯;且其中- 乙烯聚合物組分(A)具有與乙烯聚合物組分(B)之密度不同、較佳更高之密度;更佳地,多峰乙烯聚合物(a)、較佳聚合物組成物之密度為910至935kg/m3、較佳915至930kg/m3;- 甚至更佳地,乙烯聚合物組分(A)之密度為925至950kg/m3、較佳930至945kg/m3
當如下文在測定方法下所定義根據「動態剪切量測」測定時,聚合物組成物、較佳多峰乙烯聚合物(a)較佳具有1.5至7、較佳2至3.5之剪切稀化值,SHI2.7/210
當如下文在「測定方法」下所描述根據ISO 527-1及ISO 527-3測定且自由聚合物組成物組成之薄膜樣品(40μm厚度)量測時,聚合物組成物、較佳多峰乙烯聚合物(a)較佳具有200至350MPa、較佳210至330MPa之加工方向(MD)上拉伸模數。
聚合物組成物、較佳多峰乙烯聚合物(a)較佳在40μm薄膜之MD方向上拉伸模數與熱黏溫度(獲得最大熱黏力之最低溫度)之間具有以下相關性:熱黏溫度<0.0794 MD上拉伸模數+83。
MD上拉伸模數及熱黏溫度之測定如下文在「測定方法」下所描述而定義。
當如上文在「測定方法」下所描述根據ASTM F 1921-98(2004),方法B量測且量測自由聚合物組成物組成之薄膜樣品(40μm厚度)時,聚合物組成物較佳具有低於112℃之熱黏溫度。較佳地,熱黏溫度為80℃或高於80℃。更佳地,熱黏溫度為111至85℃。
更佳地,當如上文在「測定方法」下所描述根據ASTM F 1921-98(2004),方法B量測且量測自由聚合物組成物組成之薄膜樣品(40μm厚度)時,聚合物組成物具有1.95N或大於1.95N之熱黏性(最大熱黏力)。較佳地,熱黏性為至多5.0N。更佳地,熱黏性為2.1至5.0N。
較佳地,以乙烯聚合物(a)之總量(100wt%)計,多峰乙 烯聚合物(a)包含30至70wt%、較佳40至60wt%、更佳35至50wt%、更佳40至50wt%之量的乙烯聚合物組分(A)及70至30wt%、較佳60至40wt%、更佳50至65wt%、更佳50至60wt%之量的乙烯聚合物組分(B)。最佳地,乙烯聚合物(a)由乙烯聚合物組分(A)及(B)作為僅有的聚合物組分組成。因此,乙烯聚合物組分(A)比乙烯聚合物組分(B)之間的比率為(30至70):(70至30)wt%、較佳(40至60):(60至40)wt%、更佳(35至50):(65至50)wt%、更佳(40至50):(50至60)wt%。
聚合物組成物可含有其他聚合物組分及視情況添加劑及/或填充劑。本文中應注意,添加劑可存在於乙烯聚合物(a)中,及/或例如在混配步驟中與乙烯聚合物(a)混合以便製備聚合物組成物。倘若聚合物組成物含有其他聚合物組分,則以乙烯聚合物(a)及其他聚合物組分之組合量計,其他聚合物組分之量典型地在3至20wt%之間變化。
視情況選用之添加劑及填充劑及其使用量在薄膜應用領域中為習知的。該等添加劑之實例尤其為抗氧化劑、過程穩定劑、UV穩定劑、顏料、填充劑、抗靜電添加劑、防結塊劑、成核劑、除酸劑以及聚合物加工劑(polymer processing agent,PPA)。
本文中應理解,添加劑及/或填充劑中任一者可視情況在所謂母體混合物中添加,該母體混合物包含各別添加劑以及載體聚合物。在該情況下,以聚合物組成物之總量(100wt%)計,載體聚合物不計算為聚合物組成物之聚合物組分,但計算為各別添加劑之量。
較佳地,以聚合物組成物及視情況且較佳地添加劑之總量(100wt%)計,聚合物組成物包含至少80wt%之乙烯聚合物(a)。
本文中應注意,乙烯聚合物(a)可視情況包含至多20wt%之量的在此項技術中具有熟知含義之預聚物組分。在該情況下,以乙烯聚合物(a)之總量計,預聚物組分計算於乙烯聚合物組分(A)或(B)之一中,較佳於乙烯聚合物組分(A)之量中。
因此,多峰乙烯聚合物(a)較佳使用配位催化劑製備。更佳地,乙烯聚合物(a)之乙烯聚合物組分(A)及(B)較佳使用單中心催化劑製備,該單中心催化劑包括茂金屬催化劑及非茂金屬催化劑,該等所有術語均具有此項技術中熟知之含義。在本文中,術語「單中心催化劑」意謂與共催化劑組合之催化性活性茂金屬化合物或錯合物。茂金屬化合物或錯合物在本文中亦稱為有機金屬化合物(C)。
有機金屬化合物(C)包含週期表(IUPAC 2007)之第3族至第10族或錒系或鑭系之過渡金屬(M)。
根據本發明之術語「有機金屬化合物(C)」包括過渡金屬之任何茂金屬或非茂金屬化合物,其攜有至少一個有機(配位)配位體且單獨或與共催化劑一起展現催化活性。過渡金屬化合物為此項技術中熟知,且本發明涵蓋週期表(IUPAC 2007)之第3族至第10族(例如第3族至第7族或第3族至第6族,諸如第4族至第6族)之金屬以及鑭系元素或錒系元素之化合物。
在一具體實例中,有機金屬化合物(C)具有下式(I):(L)mRnMXq (I)
其中「M」為週期表(IUPAC 2007)之第3族至第10族之過渡金屬(M), 各「X」獨立地為單陰離子配位體,諸如σ-配位體,各「L」獨立地為與過渡金屬「M」配位之有機配位體,「R」為鍵聯該等有機配位體(L)之橋聯基團,「m」為1、2或3,較佳為2,「n」為0、1或2,較佳為1,「q」為1、2或3,較佳為2,且m+q等於過渡金屬(M)之價數。
「M」較佳選自由鋯(Zr)、鉿(Hf)或鈦(Ti)組成之群,更佳選自由鋯(Zr)及鉿(Hf)組成之群。「X」較佳為鹵素,最佳為Cl。
最佳地,如上文所定義,有機金屬化合物(C)為包含過渡金屬化合物之茂金屬錯合物,其含有環戊二烯基、茚基或茀基配位體作為取代基「L」。此外,配位體「L」可具有取代基,諸如烷基、芳基、芳烷基、烷芳基、矽烷基、矽烷氧基、烷氧基或其他雜原子基團或其類似基團。適合之茂金屬催化劑為此項技術中已知且揭示於尤其WO-A-95/12622、WO-A-96/32423、WO-A-97/28170、WO-A-98/32776、WO-A-99/61489、WO-A-03/010208、WO-A-03/051934、WO-A-03/051514、WO-A-2004/085499、EP-A-1752462及EP-A-1739103中。
最佳之單中心催化劑為茂金屬催化劑,如上文所定義,其意謂催化性活性茂金屬錯合物以及共催化劑(其亦稱為活化劑)。適合之活化劑為此項技術中已知之金屬烷基化合物及尤其鋁烷基化合物。與茂金屬催化劑一起使用的尤其適合之活化劑為烷基鋁氧基化合物,諸如甲基鋁氧烷(methylalumoxane,MAO)、四異丁基鋁氧烷(tetraisobutylalumoxane,TIBAO) 或六異丁基鋁氧烷(hexaisobutylalumoxane,HIBAO)。
更佳地,乙烯聚合物(a)之乙烯聚合物組分(A)及(B)使用相同茂金屬催化劑,亦即在相同茂金屬催化劑存在下製備。
多峰乙烯聚合物(a)可在此項技術中已知之任何適合聚合製程中製備。亦向聚合區中引入乙烯、視情況惰性稀釋劑及視情況氫氣及/或共聚單體。乙烯聚合物組分(A)較佳在第一聚合區中製備且乙烯聚合物組分(B)在第二聚合區中製備。第一聚合區及第二聚合區可以任何次序連接,亦即第一聚合區可在第二聚合區之前,或第二聚合區可在第一聚合區之前,或者聚合區可平行連接。然而,較佳的為以級聯模式操作聚合區。聚合區可在漿液、溶液或氣相條件或其組合下操作。包含級聯漿液及氣相聚合階段之適合製程尤其揭示於WO-A-92/12182及WO-A-96/18662中。
通常較佳的為在將聚合物引入至後續聚合階段之前自聚合物移除前一聚合階段之反應物。此較佳在將聚合物自一個聚合階段轉移至另一聚合階段時進行。
催化劑可藉由此項技術中已知之任何方式轉移至聚合區中。舉例而言,有可能將催化劑懸浮於稀釋劑中且將其維持為均質漿液,將催化劑與油脂及油之黏性混合物混合且將所得糊狀物饋送至聚合區中,或使催化劑沈降且將因此獲得之催化劑殘渣部分引入至聚合區中。
第一聚合區中較佳乙烯聚合物組分(A)之聚合較佳在漿液中進行。隨後,聚合中形成之聚合物粒子以及粒子內***及分散之催化劑懸浮於流體烴中。攪動漿液以實現反應物自流體向粒子之轉移。
聚合通常在惰性稀釋劑中進行,該惰性稀釋劑典型地為烴稀 釋劑,諸如甲烷、乙烷、丙烷、正丁烷、異丁烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷等或其混合物。較佳地,稀釋劑為具有1至4個碳原子之低沸點烴或該等烴之混合物,且較佳之稀釋劑為丙烷。
漿液之流體相中之乙烯含量可為2至約50莫耳%、較佳約2至約20莫耳%且尤其約3至約12莫耳%。
漿液聚合之溫度典型地為50至115℃、較佳60至110℃且尤其70至100℃。壓力為1至150巴、較佳10至100巴。
漿液聚合可在用於漿液聚合之任何已知反應器中進行。該等反應器包括連續攪拌槽反應器及迴路反應器。尤其較佳的為在迴路反應器中進行聚合。在該等反應器中,漿液藉由使用循環泵沿著封閉管道高速循環。環流反應器通常在此項技術中已知且實例例如於US-A-4582816、US-A-3405109、US-A-3324093、EP-A-479186及US-A-5391654中給出。
有時有利的為在高於流體混合物之臨界溫度及壓力下進行漿液聚合。該等操作描述於US-A-5391654中。在該操作中,溫度典型地為85至110℃、較佳90至105℃,且壓力為40至150巴、較佳50至100巴。
漿液可連續或間歇地自反應器抽取。較佳之間歇抽取方式為使用沈降支線,於其中使漿液濃縮,隨後自反應器抽取一批濃縮漿液。連續抽取有利地與適合濃縮方法組合,例如如EP-A-1310295及EP-A-1591460中所揭示。
如此項技術中已知,氫氣可饋入反應器中以控制聚合物之分子量。此外,一或多種α-烯烴共聚單體添加至反應器中以例如控制聚合物產物之密度。該氫氣及共聚單體饋料之實際量視所用催化劑及所得聚合物 之所要熔體指數(或分子量)及密度(或共聚單體含量)而定。
第二聚合區中較佳乙烯聚合物組分(B)之聚合較佳在氣相中,較佳在流體化床反應器中、在快速流體化床反應器中或在沈降床反應器中或在其任何組合中進行。第二聚合區中之聚合更佳在流體化床氣相反應器中進行,其中乙烯在聚合催化劑存在下,且較佳在來自第一聚合區之包含乙烯聚合物組分(A)之反應混合物存在下在向上移動氣流中與至少一種共聚單體一起聚合。反應器典型地含有流體化床,該流體化床包含位於流體化柵格上之生長聚合物粒子,該生長聚合物粒子含有活性催化劑。
聚合物床藉助於流體化氣體流體化,該流體化氣體包含烯烴單體、最終共聚單體、最終鏈生長控制劑或鏈轉移劑(諸如氫氣)及最終惰性氣體。流體化氣體引入至反應器底部之進氣室中。上文所提及之組分中之一或多者可連續添加至流體化氣體中以補償尤其由反應或產物抽取引起之損耗。
流體化氣體通過流體化床。流體化氣體之表面速度必須高於流體化床中所含有之粒子之最小流體化速度,因為否則的話將不發生流體化。另一方面,氣體之速度應低於氣動輸送之起始速度,因為否則的話整個床將夾帶有流體化氣體。
當流體化氣體與含有活性催化劑之床接觸時,氣體之反應性組分(諸如單體及鏈轉移劑)在催化劑存在下反應以產生聚合物產物。同時,氣體藉由反應熱加熱。
未反應之流體化氣體自反應器頂部移出且在熱交換器中冷卻以移除反應熱。氣體冷卻至低於床溫度之溫度以防止床由於反應而加 熱。有可能將氣體冷卻至一部分氣體冷凝之溫度。當液滴進入反應區時,其氣化。氣化熱隨後促進反應熱之移除。此種操作稱為冷凝模式且其變化形式揭示於尤其WO-A-2007/025640、US-A-4543399、EP-A-699213及WO-A-94/25495中。亦有可能添加冷凝劑至再循環氣流中,如EP-A-696293中所揭示。冷凝劑為不可聚合組分,諸如正戊烷、異戊烷、正丁烷或異丁烷,其在冷卻器中至少部分冷凝。
氣體隨後壓縮且再循環至反應器之進氣室中。在進入反應器之前,新鮮反應物引入至流體化氣流中以補償由反應及產物抽取所產生之損耗。通常已知分析流體化氣體之組成且引入氣體組分以保持組成恆定。實際組成由產物之所要性質及聚合中所用之催化劑確定。
催化劑可以各種方式連續或間歇地引入至反應器中。在氣相反應器為反應器級聯之一部分時,催化劑通常分散於來自前一聚合階段之聚合物粒子內。聚合物粒子可引入至氣相反應器中,如EP-A-1415999及WO-A-00/26258中所揭示。尤其若前一反應器為漿液反應器,則有利的為將漿液直接饋送至氣相反應器之流體化床中,如EP-A-887379、EP-A-887380、EP-A-887381及EP-A-991684中所揭示。
聚合產物可連續或間歇地自氣相反應器抽取。亦可使用此等方法之組合。連續抽取揭示於尤其WO-A-00/29452中。間歇抽取揭示於尤其US-A-4621952、EP-A-188125、EP-A-250169及EP-A-579426中。
需要時,抗靜電劑,諸如水、酮、醛及醇亦可引入至氣相反應器中。反應器亦可包括機械攪拌器以進一步促進流體化床內之混合。
典型地,流體化床聚合反應器在50至100℃、較佳65至90 ℃範圍內之溫度下操作。壓力適合地為10至40巴、較佳15至30巴。
第一及第二聚合區中至少乙烯聚合物組分(A)及乙烯聚合物組分(B)之聚合前可為預聚合步驟。預聚合之目的為在低溫及/或低單體濃度下使少量聚合物聚合至催化劑上。藉由預聚合,有可能改良漿液中之催化劑之效能及/或改質最終聚合物之性質。預聚合步驟可在漿液中或在氣相中進行。較佳地,預聚合在漿液中、較佳在迴路反應器中進行。預聚合隨後較佳在惰性稀釋劑中進行,稀釋劑較佳為具有1至4個碳原子之低沸點烴或該等烴之混合物。
預聚合步驟中之溫度典型地為0至90℃、較佳20至80℃且更佳40至70℃。
壓力不為臨界的且典型地為1至150巴、較佳10至100巴。催化劑組分較佳均引入至預聚合步驟。較佳地,預聚合步驟之反應產物隨後引入至第一聚合區。亦較佳地,如上文所提及,預聚物組分計算為乙烯聚合物組分(A)之量。
調整各步驟中之聚合條件以及饋料流及滯留時間以獲得所主張之多峰乙烯聚合物(a)在技術人員之瞭解內。
包含至少、且較佳僅僅包含獲自第二聚合區之乙烯聚合物組分(A)及(B)的多峰乙烯聚合物(a)經歷習知反應器後處理以移除未反應之組分,該第二聚合區較佳為如上文所述之氣相反應器。
其後,典型地,所獲得之聚合物經擠壓及粒化。擠壓可以此項技術中通常已知之方式,較佳在雙螺桿擠出機中進行。適合雙螺桿擠出機之一個實例為同向旋轉雙螺桿擠出機。其尤其由Coperion或Japan Steel Works製造。另一實例為反向旋轉雙螺桿擠出機。該等擠出機尤其由Kobe Steel及Japan Steel Works製造。在擠出之前,至少一部分如上文所提及之所要添加劑較佳與聚合物混合。擠出機典型地包括熔融區段,聚合物在其中熔融;及混合區段,聚合物熔融物在其中均質化。熔融及均質化藉由引入能量至聚合物中實現。比能量輸入(specific energy input,SEI)之適合水準為約150至約450千瓦時/公噸聚合物、較佳175至350千瓦時/公噸。
本發明之薄膜
本發明之薄膜包含至少一個層,該至少一個層包含聚合物組成物。薄膜可為包含聚合物組成物之單層薄膜,或為多層薄膜,其中至少一個層包含聚合物組成物。術語「單層薄膜」及「多層薄膜」具有此項技術中熟知的含義。
本發明之單層或多層薄膜之層可由聚合物組成物原樣組成或由聚合物組成物與其他聚合物一起之摻合物組成。在摻合物之情況下,任何其他聚合物不同於乙烯聚合物(a)且較佳為聚烯烴。上文所提及之添加劑之一部分(如加工助劑)可視情況在薄膜製備過程期間添加至聚合物組成物中。
較佳地,本發明之至少一個層包含至少50wt%、較佳至少60wt%、較佳至少70wt%、更佳至少80wt%之本發明之聚合物組成物。更佳地,本發明之薄膜之該至少一個層由聚合物組成物組成。
因此,本發明之薄膜可包含單個層(亦即單層)或可為多層的。多層薄膜典型地且較佳地包含至少3個層。
薄膜較佳藉由此項技術中已知之任何習知薄膜擠出程序製 備,該程序包括鑄造薄膜及吹塑薄膜擠出。最佳地,薄膜為吹塑或鑄造薄膜。例如,吹塑薄膜藉由以下方式製備:通過環形模具擠出,及藉由形成氣泡吹塑為管狀薄膜,該氣泡在凝固之後在軋輥之間崩塌。此薄膜隨後可在必要時撕裂、切割或轉換(例如裝角撐板)。就此而言可使用習知薄膜製備技術。若較佳之吹塑或鑄造薄膜為多層薄膜,則典型地共擠出各種層。熟練人員將知道適合擠出條件。
所得薄膜可具有此項技術中習知之任何厚度。薄膜之厚度不為臨界的且視最終用途而定。因此,薄膜可具有例如300μm或小於300μm、典型地6至200μm、較佳10至180μm、例如20至150μm或20至120μm之厚度。必要時,本發明之聚合物實現小於100μm、例如小於50μm之厚度。亦可製備具有甚至小於20μm之厚度的本發明之薄膜,同時維持良好機械性質。
測定方法
除非說明書或實驗部分另外陳述,否則如上下文或實驗部分中所規定,以下方法用於聚合物組成物、極性聚合物及/或其任何樣品製劑之性質測定。
熔體流動速率
熔體流動速率(MFR)根據ISO 1133測定且以g/10min為單位指示。MFR為聚合物之流動性及因此可加工性之指示。
熔體流動速率愈高,聚合物之黏度愈低。聚乙烯之MFR係在190℃下測定。MFR可在不同負荷下測定,該等負荷諸如216kg(MFR2)、5kg(MFR5)或216kg(MFR21)。
密度
聚合物之密度根據ASTM;D792,方法B(23℃下平衡密度)在根據EN ISO 1872-2(2007年2月)製備之壓縮模製試樣上量測且以kg/m3為單位給出。
分子量,分子量分佈(Mn、Mw、MWD)-GPC
使用PL 220(Agilent)GPC,其裝備有折射率(refractive index,RI)、線上四毛細管橋黏度計(PL-BV 400-HT)以及具有15°及90°角度之雙重光散射偵測器(PL-LS 15/90光散射偵測器)。在160℃下且在1mL/min恆定流動速率下,施用來自Agilent之3×Olexis及1×Olexis保護管柱作為固定相且1,2,4-三氯苯(trichlorobenzene,TCB,用250mg/L 2,6-二第三丁基-4-甲基-苯酚穩定)作為移動相。每次分析注射200μL樣品溶液。在160℃下,在連續輕緩振盪下,藉由將8.0-12.0mg聚合物溶解於10mL(160℃下)穩定TCB(與移動相相同)中(PP 2.5小時且PE 3小時)製備全部樣品。在160℃下用以下方式測定聚合物溶液之注射濃度(c160℃)。
其中:w25(聚合物重量)及V25(25℃下之TCB體積)。
使用窄PS標準(MWD=1.01)、132900g/mol莫耳質量及0.4789dl/g黏度測定相應偵測器常數以及偵測器間延遲體積。TCB中之所用PS標準的相應dn/dc為0.053cm3/g。使用Cirrus Multi-Offline SEC-軟體版本3.2(Agilent)執行計算。
藉由使用15°光散射角度計算各溶離切片之莫耳質量。使用Cirrus Multi SEC軟體版本3.2執行資料收集、資料處理及計算。使用Cirrus 軟體中欄位「樣品計算選擇分支切片MW資料(sample calculation options subfield slice MW data from)」中之選項「使用LS 15角度(use LS 15 angle)」計算分子量。自RI偵測器之偵測器常數、樣品濃度c及分析樣品之偵測器反應面積計算用於測定分子量之dn/dc。
使用C.Jackson及H.G.Barth(C.Jackson及H.G.Barth,「Molecular Weight Sensitive Detectors」,Handbook of Size Exclusion Chromatography and related techniques,C.-S.Wu,第2版,Marcel Dekker,New York,2004,第103頁)所述之方式在低角度下計算各切片處之此分子量。對於LS偵測器或RI偵測器訊號較少之低及高分子區域分別實現線性擬合,用以使沖提體積與相應分子量相關。視樣品而定,調整線性擬合區域。
藉由凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography,GPC),根據ISO 16014-4:2003及ASTM D 6474-99,使用下式測定分子量平均值(Mz、Mw及Mn)、分子量分佈(MWD)及其藉由多分散指數PDI=Mw/Mn(其中Mn為數目平均分子量且Mw為重量平均分子量)描述之廣度:
對於恆定沖提體積間隔△Vi,其中Ai及Mi為層析峰值切片面積及藉由GPC-LS測定之聚烯烴分子量(MW)。
共聚單體含量:
藉由NMR光譜法定量微結構
定量核磁共振(nuclear-magnetic resonance,NMR)光譜法用以定量聚合物之共聚單體含量。
以熔融狀態使用對於1H及13C分別在500.13及125.76MHz下操作之Bruker Advance III 500 NMR光譜儀記錄定量13C{1H}NMR光譜。所有光譜均在150℃下使用氮氣(對於所有氣動裝置)使用13C最佳化之7mm魔術角旋轉(magic-angle spinning,MAS)探頭記錄。大約200mg材料封裝至7mm外徑氧化鋯MAS轉子中且在4kHz下旋轉。此設置主要針對為快速鑑別及準確定量所需之高敏感度選擇。{klimke06,parkinson07,castignolles09}標準單脈衝激勵係利用NOE在短再循環延遲{pollard04,klimke06}及RS-HEPT去耦合方案{fillip05,griffin07}下使用。每個光譜總共獲得1024(1k)個瞬態。
定量13C{1H}NMR光譜經處理、積分,且自積分測定相關定量性質。所有化學位移均內部參考30.00ppm下之大量亞甲基訊號(δ+)。
乙烯之量係使用30.00ppm下亞甲基(δ+)位點之積分定量,解釋每一單體之報導位點數目:E=Iδ+/2
經分離共聚單體單元之存在係基於存在之經分離共聚單體單元之數目校正:E總=E+(3*B+2*H)/2
其中B及H係關於其各別共聚單體定義。以類似方式針對連續及非連續共聚單體併入(當存在時)進行校正。觀測到對應於1-丁烯併入之特性訊號,且共聚單體分率就聚合物中之所有單體而言經計算為聚 合物中之1-丁烯分率:fB總=(B總/(E總+B總+H總)
EEBEE序列中併入之經分離1-丁烯之量係使用38.3ppm下*B2位點之積分定量,解釋每一共聚單體之報導位點數目:B=I*B2
EEBBEE序列中連續併入之1-丁烯之量係使用39.4ppm下α α B2B2位點之積分定量,解釋每一共聚單體之報導位點數目:BB=2 * I α α B2B2
EEBEBEE序列中非連續併入之1-丁烯之量係使用24.7ppm下β β B2B2位點之積分定量,解釋每一共聚單體之報導位點數目:BEB=2 * I β β B2B2
由於對應地經分離(EEBEE)及非連續併入(EEBEBEE)1-丁烯之*B2及* β B2B2位點之重疊,經分離1-丁烯併入之總量係基於存在之非連續1-丁烯之量校正:B=I*B2-2 * Iβ β B2B2
總1-丁烯含量係基於經分離、連續及非連續併入之1-丁烯之總和計算:B總=B+BB+BEB
聚合物中1-丁烯之總莫耳分率隨後經計算為:fB=(B總/(E總+B總+H總)
觀測到對應於1-己烯併入之特性訊號,且共聚單體分率就聚合物中之所有單體而言經計算為聚合物中之1-己烯分率: fH總=(H總/(E總+B總+H總)
EEHEE序列中併入之經分離1-己烯之量係使用39.9ppm下*B4位點之積分定量,解釋每一共聚單體之報導位點數目:H=I*B4
EEHHEE序列中連續併入之1-己烯之量係使用40.5ppm下α α B4B4位點之積分定量,解釋每一共聚單體之報導位點數目:HH=2 * I α α B4B4
EEHEHEE序列中非連續併入之1-己烯之量係使用24.7ppm下β β B4B4位點之積分定量,解釋每一共聚單體之報導位點數目:HEH=2 * I β β B4B4
聚合物中1-己烯之總莫耳分率隨後經計算為:fH=(H總/(E總+B總+H總)
共聚單體併入莫耳百分比係自莫耳分率計算:B[mol%]=100 * fB H[mol%]=100 * fH
共聚單體併入重量百分比係自莫耳分率計算:B[wt%]=100 *(fB * 56.11)/((fB * 56.11)+(fH * 84.16)+((1-(fB+fH))* 28.05)) H[wt%]=100 *(fH * 84.16)/((fB * 56.11)+(fH * 84.16)+((1-(fB+fH))* 28.05))
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加工方向(MD)上拉伸模數:係根據ISO 527-1(以試樣類型2,15mm寬度,在1mm/min速度下)及ISO527-3(以試樣類型2,15mm寬度,在200mm/min速度下)使用具有40μm厚度之薄膜樣品測定。薄膜樣品係如下文在「實驗部分」下所描述製備。
密封性質:熱黏溫度及熱黏力係根據ASTM F 1921-98(2004),方法B,使用具有40μm厚度之薄膜樣品量測,該等薄膜樣品係如下文在「實驗部分」下所描述製備。關於熱黏溫度下熱黏性,使用以下設置:
熱黏溫度(獲得最大熱黏力之最低溫度)及熱黏性(最大熱黏力)係根據以下設置量測:
Q-名稱儀器:熱黏-密封測試儀
型號:J&B型號4000 MB
密封棒長度:50[mm]
密封棒寬度:5[mm]
密封棒形狀:平的
密封棒之塗層:NIPTEF ®
密封棒之粗糙度:1[μm]
密封溫度:變化[℃]
密封時間:1[s]
冷卻時間:0.2[s]
密封壓力:0.15[N/mm2]
夾緊分離速率:200[mm/s]
樣品寬度:25[mm]
密封溫度:使用如以下下文之設置。40μm厚度之薄膜樣品係如下文在「實驗部分」下所描述製備。
Q-名稱儀器:熱黏-密封測試儀2
型號:J&B型號4000 MB
密封棒長度:50[mm]
密封棒寬度:5[mm]
密封棒形狀:平的
密封棒之塗層:NIPTEF ®
密封棒之粗糙度:1[μm]
密封溫度:變化[℃]
密封時間:1[s]
冷卻時間:30[s]
密封壓力:0.4[N/mm2]
夾緊分離速率:42[mm/s]
樣品寬度:25[mm]
凝膠含量測定:
凝膠計數:
擠出約70μm厚度之鑄造薄膜樣品,且用電荷耦合裝置(Charged-Coupled Device,CCD)攝影機、影像處理器及評估軟體(Insstrument OCS-FSA100,供應商OCS GmbH(Optical Control System))檢查。薄膜缺陷經量測且根據其大小(最長尺寸)進行分級。
鑄造薄膜製備、擠出參數:
1.輸出25±4g/min
2.擠出機溫度概況:230-230-230-220-210(熔融溫度223℃)
3.薄膜厚度約70μm
4.冷卻輥溫度55-65℃
5.不需要Airkife
擠出機之技術資料:
1.螺桿類型:3區,硝化
2.螺桿直徑:25mm
3.螺桿長度:25D
4.饋料區:10D
5.壓縮區:4D
6.模具100mm
缺陷係根據大小(μm)/m2分級:
100-299
300-599
600-999
>999
流變性質:
動態剪切量測(掃頻量測)
聚合物熔融物藉由動態剪切量測之鑑定符合ISO標準6721-1及6721-10。在裝備有25mm平行板幾何結構之Anton Paar MCR501應力控制旋轉流變儀上進行量測。在壓縮模製板上,使用氮氣氛圍且將應變設定於線性黏彈性方案內來進行量測。在190℃下,施加0.0154與500rad/s之間的頻率範圍且設定1.2mm間隙,進行振盪剪切測試。
在動態剪切實驗中,在正弦變化剪切應變或剪切應力(分別應變及應力控制模式)下,探針經歷均勻形變。在控制應變實驗時,探針經受可藉由以下表示之正弦應變:γ(t)=γ0 sin(ω t) (1)
若施加之應變在線性黏彈性方案內,則可藉由以下給出所得正弦應力反應:σ(t)=σ0 sin(ω t+δ) (2)
其中σ0及γ0分別為應力及應變振幅;ω為角頻率;δ為相移(施加之應變與應力反應之間的損耗角);t is時間。
動態測試結果典型地藉助於若干不同流變函數表示,亦即剪切儲存模數G',剪切損耗模數G",複數剪切模數G*,複數剪切黏度η *,動態剪切黏度η',複數剪切黏度之異相位分量η"及損耗正切tan η,其可 如下表示:
G*=G'+iG"[Pa] (5)
η*=η'+iη"[Pa.s] (6)
除上文所提及之流變函數之外,亦可測定其他流變參數,諸如所謂彈性指數EI(x)。彈性指數EI(x)為針對x kPa之損耗模數G"值測定的儲存模數G'之值,且可由等式9描述。
EI(x)=G'(針對G"=x kPa)[Pa] (9)
舉例而言,EI(5kPa)由針對等於5kPa之G"值測定的儲存模數G'之值定義。
如等式10中所描述,對所謂剪切稀化指數進行測定。
舉例而言,SHI(2.7/210)係由針對等於2.7kPa之G*值測定的複數黏度以Pa.s為單位之值除以針對等於210kPa之G*值測定的複數黏度以Pa.s為單位之值定義。
儲存模數(G')、損耗模數(G")、複數模數(G*)及複數黏度(η *)之值係作為頻率(ω)之函數獲得。
因此,例如,η *300rad/s(eta*300rad/s)用作300rad/s頻率下之複數黏度之縮寫,且η *0.05rad/s(eta*0.05rad/s)用作0.05rad/s頻率下之複數黏度之縮寫。
值係藉助於如Rheoplus軟體所定義之單點內插程序測定。在既定G*值無法實驗上獲得之情況下,該值係藉助於外推法使用如前之相同程序測定。在兩種情況(內插或外推)下,應用自Rheoplus「自參數內插y值至x值(Interpolate y-values to x-values from parameter)」及「對數內插類型(logarithmic interpolation type)」之選擇。
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實驗部分
實施例之製備
催化劑實施例:催化劑製備
將130公克茂金屬錯合雙(1-甲基-3-正丁基環戊二烯基)鋯(IV)二氯化物(CAS編號151840-68-5)及9.67kg 30%市售甲基鋁氧烷(MAO)於甲苯中之溶液組合,且添加3.18kg無水純化甲苯。將因此獲得之錯合物溶液藉由經2小時極緩慢均勻噴塗而添加至17kg二氧化矽載體Sylopol 55 SJ(由Grace供應)上。保持溫度低於30℃。在錯合物添加之後使混合物在 30℃下反應3小時。
聚合:發明實施例1:乙烯與1-丁烯及1-己烯共聚單體之本發明多峰聚合物
預聚合:使具有50dm3體積之迴路流反應器在60℃溫度及65巴壓力下操作。向反應器中引入2.5kg/h乙烯、30kg/h丙烷稀釋劑及50g/h1-丁烯。亦向反應器中引入16g/h催化劑實施例之催化劑。聚合物生產速率為約2kg/h。
聚合:
將來自反應器之漿液間歇地抽取且引導至具有500dm3體積之迴路反應器中,且使其在85℃溫度及64巴壓力下操作。進一步向反應器中添加25kg/h丙烷及乙烯以及1-丁烯共聚單體及氫氣,以便反應混合物中之乙烯含量為4mol%,氫氣比乙烯之莫耳比為0.3mol/kmol,且1-丁烯比乙烯之比率為110mol/kmol。具有6g/10min熔體指數MFR2及938kg/m3密度之乙烯共聚物之生產速率為50kg/h。
將漿液藉由使用沈降支線自迴路反應器間歇地抽取且引導至在50℃溫度及3巴壓力下操作之閃蒸器。自其中將聚合物引導至在20巴壓力及75℃溫度下操作之氣相反應器(gas phase reactor,GPR)。添加額外乙烯、1-己烯共聚單體、氮氣作為惰性氣體及氫氣,以便反應混合物中之乙烯含量為37mol%,氫氣比乙烯之比率為0.4mol/kmol,且1-己烯比乙烯之比率為38mol/kmol。氣相反應器中之聚合物生產速率為70kg/h,且因此自氣相反應器之總聚合物抽取速率為122kg/h。聚合物具有1.5g/10min之熔體指數MFR2及918kg/m3之密度。產量比率(環流%/GPR組分%)為42/58。 預聚合產物之量計算為迴路產物之量。
將聚合物與2400ppm之Irganox B561混合。隨後將其混配且在氮氣氛圍下藉由使用CIMP90擠出機擠出為球粒,以便SEI為230kWh/kg且熔融溫度為250℃。(實施例1之聚合物組成物)
實施例2及實施例3之本發明聚合物及其最終聚合物組成物以及比較實施例,其最終聚合物組成物係如發明實施例1般製備,但使用表1中給出之聚合條件。
本發明摻合物組成物發明摻合物1及發明摻合物2之實施例:
發明摻合物1:90wt%發明實施例1之最終聚合物組成物及10wt%在高壓製程中製備、以商標名FT5230(供應商Borealis,MFR2:0.75g/10min;密度:923kg/m3,MD拉伸模數:230MPa)銷售之市售線性低密度聚乙烯。重量%係基於兩種聚合物組分之組合量。
發明摻合物2:80wt%發明實施例1之最終聚合物組成物及20wt%在高壓製程中製備、以商標名LDPE LD150BW(供應商ExxonMobil,MFR2:0.75g/10min;密度:923kg/m3,MD拉伸模數:240MPa)銷售之市售線性低密度聚乙烯。重量%係基於兩種聚合物組分之組合量。
用於拉伸模數、熱黏溫度、熱黏性及密封起始量測之薄膜樣品製備
使用5層共擠出吹塑薄膜作業線(Hosokawa Alpine)製備40μm厚度之由本發明聚合物組成物(最終聚合物組成物)、本發明摻合物組成物及各別比較或參考聚合物組成物組成之測試薄膜。
設備具有5個擠出機,4個擠出機設備螺桿直徑為65mm,且1個擠出機為90mm(中間擠出機為最大的一個)。模具寬度為400mm, 模隙為1.8mm,薄膜厚度為40μm。
- 吹脹比(blow-up ratio,BUR):2.5
- 溫度概況,℃:30-190-190-190-190-190-195-195-195,對於所有5個擠出機,擠出機溫度概況相同,每個擠出機產量為60kg/h
- 模溫205℃,對於所有5個擠出機,模溫概況相同
- FLH:2倍模具直徑
在生產本發明摻合物組成物之薄膜樣品之情況下,將兩種聚合物組分在饋送至擠出機之前乾式摻合。
市售單峰薄膜LLDPE等級作為參考
參考1為乙烯與1-己烯共聚單體用茂金屬催化劑製備之單峰線性低密度共聚物
參考2為乙烯與1-己烯共聚單體用茂金屬催化劑製備之單峰線性低密度共聚物
參考3為乙烯與1-辛烯共聚單體用茂金屬催化劑製備之單峰線性低密度共聚物
參考4為乙烯與1-辛烯共聚單體用齊格勒-納塔(Ziegler-Natta)催化劑製備之單峰線性低密度共聚物
參考5為乙烯與1-己烯共聚單體用茂金屬催化劑製備之單峰線性低密度共聚物
參考6為乙烯與1-己烯共聚單體用茂金屬催化劑製備之單峰線性低密度共聚物。

Claims (21)

  1. 一種聚合物組成物,其包含(a)乙烯與至少兩種選自具有4至10個碳原子之α-烯烴之不同共聚單體的多峰聚合物,其具有a)0.5至10g/10min之MFR2(根據ISO 1133在190℃下在2.16kg負荷下),b)13至35之MFR21/MFR2(在190℃下在21.6kg負荷下之MFR21),及c)5或小於5之MWD;其包含至少乙烯聚合物組分(A),及乙烯聚合物組分(B),且其中該乙烯聚合物組分(A)具有1至40g/10min之MFR2,且該乙烯聚合物組分(A)之MFR2高於該乙烯聚合物組分(B)之MFR2
  2. 如申請專利範圍第1項之聚合物組成物,其中該乙烯聚合物組分(A)具有1至30g/10min之MFR2
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中該乙烯聚合物組分(A)之MFR2比該最終多峰乙烯聚合物(a)之MFR2的比率為2至50。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中該至少兩種具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體為1-丁烯及1-己烯。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中該多峰乙烯聚 合物(a)就共聚單體含量而言為進一步多峰的。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中乙烯聚合物組分(A)之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體不同於乙烯聚合物組分(B)之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體。
  7. 如申請專利範圍第6項之聚合物組成物,其中乙烯聚合物組分(A)之該具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體為1-丁烯且乙烯聚合物組分(B)之該具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體為1-己烯。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中[乙烯聚合物組分(A)中所存在之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體的量(mol%)]比[該最終多峰乙烯聚合物(a)之至少兩種具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體的量(mol%)]之比率為0.2至0.6。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中該乙烯聚合物組分(A)中所存在之具有4至10個碳原子之α-烯烴共聚單體的量(mol%)為0.03至5.0mol%。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中該乙烯聚合物組分(A)之密度不同於於該乙烯聚合物組分(B)之密度。
  11. 如申請專利範圍中第10項之聚合物組成物,其中該乙烯聚合物組分(A)之密度高於該乙烯聚合物組分(B)之密度。
  12. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中該乙烯聚合物組分(A)之密度為925至950kg/m3
  13. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中該多峰乙烯聚合物(a)之密度為910至935kg/m3
  14. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中該多峰乙烯聚合物(a)具有13至30之MFR21/MFR2
  15. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中該多峰乙烯聚合物(a)就MFR、共聚單體之類型、共聚單體含量及密度而言為多峰的。
  16. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中當根據ISO 527-1及ISO 527-3測定且自由該聚合物組成物組成之40μm厚度薄膜樣品量測時,該聚合物組成物具有200至350MPa之加工方向(MD)上拉伸模數。
  17. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中該聚合物組成物具有1.5至7之SHI2.7/210
  18. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中該多峰乙烯聚合物(a)係使用單中心催化劑製備。
  19. 如申請專利範圍第1項或第2項之聚合物組成物,其中該乙烯聚合物(a)之該等乙烯聚合物組分(A)及(B)係使用相同單中心催化劑製備。
  20. 一種物品,其包含如前述申請專利範圍第1項至第19項中任一項之聚合物組成物。
  21. 一種薄膜,其包含至少一個層,該至少一個層包含如前述申請專利範圍第1項至第19項中任一項之聚合物組成物。
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