TWI564644B - 顯示裝置 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種顯示裝置。
液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)具有低輻射、體積小及低耗能等優點,已逐漸取代傳統的陰極射線管顯示器(cathode ray tube display,CRT),因而被廣泛地應用在筆記型電腦、個人數位助理(personal digital assistant,PDA)、平面電視,或行動電話等資訊產品上。
傳統液晶顯示器之驅動方式是利用外部源極驅動電路(source driver)和閘極驅動電路(gate driver)來驅動面板上的像素以顯示影像,近年來逐漸發展成將驅動電路結構直接製作於顯示面板上,例如將閘極驅動電路(gate driver)整合於液晶面板之技術。
然而,由於傳統薄膜電晶體閘極及汲極易存在著寄生電容,因此在驅動的過程中,畫素單元會受寄生電容的影響,而造成所謂的饋通效應(feed through effect)。饋通效應會造成顯示裝置畫面閃爍(image flicker)的情形,因此導致顯示裝置畫面品質下降。
根據本發明實施例,本發明提供一種顯示裝置,包
含:一第一基板;一第二基板;一顯示介質層,位於該第一基板與該第二基板之間;一主動層,位於該第一基板上;一第一絕緣層,位於該主動層上;一第一電極層,位於該第一絕緣層上,該第一電極層包含沿一第一方向延伸的一閘極線,以及沿一第二方向延伸的一突出部,該第一方向與該第二方向正交;一第二絕緣層,位於該第一電極層上;以及,一第二電極層,位於該第二絕緣層上,該第二電極層包含沿該第二方向延伸的一資料線,以及一導電圖案,該資料線及該導電圖案分別位於該突出部的兩側,且該資料線及該導電圖案分別經由一第一接觸孔及一第二接觸孔電性連接該主動層。此外,該導電圖案包含一第一部分與一第二部分,該第一部分介於該第二部分及該閘極線之間,該第一部分與該第二部分的一交界面係延該第一方向延伸,且該第一部份對該基板的投影與該突出部對該基板的投影於第二方向至少部份重疊。其中,該第一部分在該第一方向上具有一第一最大寬度A,該第二部分在該第一方向上具有一第二最大寬度B,該第一最大寬度A小於該第二最大寬度B。
根據本發明其他實施例,本發明所述的顯示裝置,亦可包含:一第一基板;一第二基板;一顯示介質層,位於該第一基板與該第二基板之間;一主動層,位於該第一基板上;一第一絕緣層,位於該主動層上;一第一電極層,位於該第一絕緣層上,該第一電極層包含沿一第一方向延伸的一閘極線;一第二絕緣層,位於該第一電極層上;以及,一第二電極層,位於該第二絕緣層上,該第二電極層包含沿一第二方向延伸的一資料線以及一導電圖案,其中該第一方向與該第二方向正交,且該資料線及
該導電圖案分別經由一第一接觸孔及一第二接觸孔電性連接該主動層。其中,該閘極線由一第一閘極線部及一第二閘極線部所構成,其中該第一閘極線部與該主動層重疊,其中該第一閘極線部對該基板的投影與該導電圖案對該基板的投影具有一第一最小距離D2,而該第二閘極線部對該基板的投影與該導電圖案對該基板的投影具有一第二最小距離D3,其中該第一最小距離D2大於該第二最小距離D3。
為讓本發明之特徵、和優點能更明顯易懂,下文特舉出較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
10‧‧‧顯示裝置
12‧‧‧第一基板
14‧‧‧主動層
14A‧‧‧第一主動層部
14B‧‧‧第二主動層部
16‧‧‧第二電極層
16A‧‧‧閘極線
16B‧‧‧突出部
16C‧‧‧第一閘極線部
16D‧‧‧第二閘極線部
18‧‧‧第二電極層
18A‧‧‧資料線
18B‧‧‧導電圖案
18B1‧‧‧第一導電圖案部
18B2‧‧‧第二導電圖案部
19‧‧‧交界面
2-2’‧‧‧切線
20‧‧‧第一絕緣層
21‧‧‧接觸孔
22‧‧‧第二絕緣層
23‧‧‧接觸孔
24‧‧‧第三絕緣層
25‧‧‧非平面的側面
27‧‧‧接觸孔
6-6'‧‧‧切線
A‧‧‧最大寬度
B‧‧‧最大寬度
D1‧‧‧最小距離
D2‧‧‧最小距離
D3‧‧‧最小距離
W1‧‧‧最大寬度
W2‧‧‧最大寬度
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
第1圖係本發明一實施例所述之顯示裝置的平面示意圖。
第2A至2F圖係顯示第1圖所述之顯示裝置沿切線2-2’的剖面結構示意圖。
第3-5圖係本發明其他實施例所述之顯示裝置的平面示意圖。
第6A至6F圖係顯示第5圖所述之顯示裝置沿切線6-6’的剖面結構示意圖。
第7-8圖係本發明其他實施例所述之顯示裝置的平面示意圖。
以下針對本發明之顯示裝置作詳細說明。應了解的是,以下之敘述提供許多不同的實施例或例子,用以實施本發明之不同樣態。以下所述特定的元件及排列方式僅為簡單描述本發明。當然,這些僅用以舉例而非本發明之限定。此外,在不同實
施例中可能使用重複的標號或標示。這些重複僅為了簡單清楚地敘述本發明,不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者,當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時,包括第一材料層與第二材料層直接接觸之情形。或者,亦可能間隔有一或更多其它材料層之情形,在此情形中,第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。
必需了解的是,為特別描述或圖示之元件可以此技術人士所熟知之各種形式存在。此外,當某層在其它層或基板「上」時,有可能是指「直接」在其它層或基板上,或指某層在其它層或基板上,或指其它層或基板之間夾設其它層。
且在圖式中,實施例之形狀或是厚度可擴大,並以簡化或是方便標示。再者,圖式中各元件之部分將以分別描述說明之,值得注意的是,圖中未繪示或描述之元件,為所屬技術領域中具有通常知識者所知的形式,此外,特定之實施例僅為揭示本發明使用之特定方式,其並非用以限定本發明。
再者,說明書與請求項中所使用的序數例如”第一”、”第二”、”第三”等之用詞,以修飾請求項之元件,其本身並不意含及代表該請求元件有任何之前的序數,也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是製造方法上的順序,該些序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。
本發明實施例所述之顯示裝置,可藉由具有特定形狀設計的導電圖案(例如作為汲極)降低與閘極線之間的寄生電容(parasitic capacitance),以降低饋通效應(feed through effect),避
免顯示裝置畫面閃爍(image flicker)現象,並增加顯示裝置的效能。本發明實施例所述之顯示裝置可包含低溫多晶矽薄膜電晶體(low-temperature polysilicon thin film transistor,LTPS-TFT),其中該低溫多晶矽薄膜電晶體作為通道的主動層可例如為L型、或U型。
請參照第1圖,係為本發明一實施例所述之顯示裝置10平面示意圖,該圖僅繪示第一基板、主動層、第一電極層、以及第二電極層,其他元件(例如第二基板、位於第一基板與第二基板之間的顯示介質層例如液晶層)係省略之,用以說明該主動層、第一電極層、以及第二電極層之間的關係。該顯示裝置10包含一主動層14配置於一第一基板12之上。該主動層14可由一第一主動層部14A及一第二主動層部14B所構成,其中該第一主動層部14A沿一第一方向X延伸以及該第二主動層部14B沿一第二方向Y延伸,其中該第一方向X與該第二方向Y正交,本發明各實施例所指的正交,意味著該第一方向X與該第二方向Y之間具有一個90度的夾角且容許有正負10度以內的誤差,且該第一主動層部14A連接該第二主動層部14B。該主動層14之形狀可例如為L型,如第1圖如示。一第一電極層16配置於一第一絕緣層(未繪示)之上,其中該第一絕緣層可配置於該第一基板12之上並覆蓋該主動層14。換言之,該第一電極層16與該主動層14以該第一絕緣層相隔。該第一電極層16可包含沿一第一方向X延伸的一閘極線16A,以及沿一第二方向Y延伸的一突出部16B,且該閘極線16A連接該突出部16B。該第一電極層16之形狀可例如為T型,如第1圖如示。該第一電極層16之該突出部16B與該主動層14之該第一主動層部14A
部份重疊,而該第一電極層16之該閘極線16A與該主動層14之該第二主動層部14B部份重疊。一第二絕緣層(未繪示)可配置於該第一絕緣層之上並覆蓋該第一電極層16。一第二電極層18配置於該第二絕緣層上。
仍請參照第1圖,該第二電極層18包含沿該第二方向Y延伸的一資料線18A以及一導電圖案18B,其中該資料線18A與該導電圖案18B彼此電性連接但未直接接觸,且該資料線18A及該導電圖案18B分別位於該第一電極層16之該突出部16B的左右兩側。換言之,該資料線18A對該第一基板12的投影以及部份該導電圖案18B對該第一基板12的投影係被該第一電極層16之該突出部16B對該第一基板12的投影所分隔,即該第一電極層16之該突出部16B對該第一基板12的投影係配置於該資料線18A對該第一基板12的投影以及部分該導電圖案18B對該第一基板12的投影之間。該資料線18A係經由一貫穿該第一絕緣層及該第二絕緣層的一接觸孔(未繪示)與該主動層14電性連接,而該導電圖案18B則係經由一貫穿該第一絕緣層及該第二絕緣層的另一接觸孔(未繪示)與該主動層14電性連接。
該導電圖案18B由一第一導電圖案部18B1與一第二導電圖案部18B2所構成,且該第一導電圖案部18B1係配置於該第二導電圖案部18B2及該閘極線16A之間,即該第二導電圖案部18B2以及該閘極線16A係被該第一導電圖案部18B1所分隔開。詳細地說,該第一導電圖案部18B1對該第一基板12的投影係配置於該第二導電圖案部18B2對該第一基板12的投影以及該閘極線16A對該第一基板12的投影之間。該第一導電圖案部18B1連接該第二
導電圖案部18B2,且該第一導電圖案部18B1與該第二導電圖案部18B2之間具有一交界面19,而該交界面19係沿該第一方向X延伸,如第1圖所示。
此外,該第二導電圖案部18B2對該第一基板12的投影與該突出部16B對該第一基板12的投影於第二方向Y至少部份重疊。在此,第一導電圖案部18B1在該第一方向X上具有一最大寬度A、該第二導電圖案部18B2在該第一方向X上具有一最大寬度B,且該最大寬度A小於該最大寬度B,以縮小該導電圖案18B與該第一電極層16(例如該突出部16B)之間因重疊而產生的寄生電容(parasitic capacitance),從而降低饋通效應(feed through effect),避免顯示裝置畫面閃爍(image flicker)現象。
根據本發明某些實施例,該第一最大寬度A可介於約2.0μm至14.0μm之間、而該第二最大寬度B可介於約3.0μm至15.0μm之間,且該第一最大寬度A及該第二最大寬度B的比值係介於0.50至0.90之間,較佳的係介於0.75至0.85之間。此外,根據本發明實施例,為進一步降低饋通效應,該第一導電圖案部18B1對該第一基板12的投影與該突出部16B對該第一基板12的投影之間的最小距離D1可大於0。根據本發明實施例,該最小距離D1可介於約0.1μm至1.0μm之間。
第2A圖至第2F圖係第1圖沿著切線2-2’之一系列剖面圖,用以說明第1圖所述顯示裝置10的製造流程。首先,請參照第2A圖,提供一第一基板12,並在其上形成一主動層14。該第一基板12可為石英、玻璃、矽、金屬、塑膠、或陶瓷材料。該主動層14之形狀可例如為L型。如第1圖所示,該主動層14可由一第一
主動層部14A及一第二主動層部14B所構成,其中該第一主動層部14A沿一第一方向X延伸以及該第二主動層部14B沿一第二方向Y延伸,且該第一主動層部14A連接該第二主動層部14B。該主動層14可為低溫多晶矽(low temperature polysilicon,LTPS)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)、或其他本技術領域常用之金屬氧化物半導體材料,然本發明並不限於此。
接著,請參照第2B圖,形成一第一絕緣層20於該第一基板12之上,並覆蓋該主動層14。該第一絕緣層20之材質可為有機絕緣材料(例如:光感性樹脂)或無機絕緣材料(例如:氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合)。接著,請參照第2C圖,形成一第一電極層16於該第一絕緣層20之上,其中該第一電極層16可包含沿一第一方向X延伸的一閘極線16A,以及沿一第二方向Y延伸的一突出部16B,且該閘極線16A連接該突出部16B(請參照第1圖)。該第一電極層16之材質可為鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金。
接著,請參照第2D圖,形成一第二絕緣層22於該第一絕緣層20之上,並覆蓋部份該第一電極層16。該第二絕緣層22之材質可為有機絕緣材料(例如:光感性樹脂)或無機絕緣材料(例如:氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合),且該第二絕緣層22之材質可與第一絕緣層20之材質相同或不同。接著,請參照第2E圖,形成貫穿第一第一絕緣層20以及第二絕緣層22的接觸孔21及23,分別露出該第二主動層部14B及該第一主動層部14A的上表面。
最後,形成一第二電極層18於該第二絕緣層22之上,請參照第2F圖及第1圖。其中,該第二電極層18包含沿該第二方向延伸的一資料線18A以及一導電圖案18B,其中該資料線18A與該導電圖案18B彼此電性連接但未直接接觸,且該資料線18A及該導電圖案18B分別位於該第一電極層16之該突出部16B的左右兩側,即該突出部16B對該第一基板12的投影係位於該資料線18A對該第一基板12的投影以及部分該導電圖案18B對該第一基板12的投影之間。此外,該資料線18A係經由貫穿該第一絕緣層20及該第二絕緣層22的接觸孔21與該第二主動層部14B電性連接,而該導電圖案18B則係經由貫穿該第一絕緣層20及該第二絕緣層22的接觸孔23與該第一主動層部14A電性連接。根據本發明某些實施例,該顯示裝置10可更包含一遮光層(未繪示)配置於該第一基板12之上,並位於該主動層14之下。其中,該遮光層可例如為一黑色矩陣,,該黑色矩陣的材料可為有機絕緣材料(例如:光感性樹脂)或金屬材料,且該主動層14與該遮光層之間可以一絕緣層(未繪示)相隔。
根據本發明另一實施例,該第一導電圖案部18B1對該第一基板12的投影與該突出部16B對該第一基板12的投影之間的最小距離D1可為0,即該第一導電圖案部18B1對該第一基板12的投影緊鄰該突出部16B對該第一基板12的投影,請參照第3圖。此外,根據本發明其他實施例,該第一導電圖案部18B1對該第一基板12的投影與該突出部16B對該第一基板12的投影可部份重疊,且該重疊的距離於該第一方向X約為0.1μm至0.5μm之間,請參照第4圖。
請參照第5圖,係為本發明另一實施例所述之顯示裝置10平面示意圖,該圖僅繪示第一基板、主動層、第一電極層、以及第二電極層,其他元件(例如第二基板、位於第一基板與第二基板之間的顯示介質層例如液晶層、絕緣層)係省略之,用以說明該主動層、第一電極層、以及第二電極層之間的關係。該顯示裝置10包含一主動層14配置於一第一基板12之上。該主動層14可由一第一主動層部14A及一第二主動層部14B所構成,其中該第一主動層部14A對於該第一基板12之投影可為L型,係由沿一第一方向X延伸的第一部分與沿一第二方向Y延伸的第二部分所構成,該第二主動層部14B可沿一第二方向Y延伸,且該第一主動層部14A連接該第二主動層部14B。該主動層14之形狀可例如為U型,如第5圖如示。一第一電極層16配置於一第一絕緣層(未繪示)之上,其中該第一絕緣層可配置於該第一基板12之上並覆蓋該主動層14。換言之,該第一電極層16與該主動層14以該第一絕緣層相隔。該第一電極層16可例如為沿該第一方向X延伸的閘極線,且該第一電極層16可由一第一閘極線部16C及一第二閘極線部16D所構成。其中,該第一電極層16與該第一主動層部14A重疊的部份係被定義為該第一閘極線部16C,即該第一主動層部14A對該第一基板12的投影涵蓋了該第一閘極線部16C對該第一基板12的投影。此外,該第一電極層16並未與該第一主動層部14A重疊的部份則被定義為該第二閘極線部16D,即該第一主動層部14A對該第一基板12的投影係與該第二閘極線部16D對該第一基板12的投影緊鄰,也就是說,該第一主動層部14A對該第一基板12的投影並未與該第二閘極線部16D對該第一基板12的投影重疊。一第二絕緣
層(未繪示)可配置於該第一絕緣層之上並覆蓋該第一電極層16。一第二電極層18配置於該第二絕緣層上。
仍請參照第5圖,該第二電極層18包含沿該第二方向Y延伸的一資料線18A以及一導電圖案18B,其中該資料線18A與該導電圖案18B彼此電性連接但未直接接觸。該資料線18A係經由一貫穿該第一絕緣層及該第二絕緣層的一接觸孔(未繪示)與該主動層14電性連接,而該導電圖案18B則係經由一貫穿該第一絕緣層及該第二絕緣層的另一接觸孔(未繪示)與該主動層14電性連接。根據本發明實施例,該導電圖案18B具有一非平直的側邊25(例如為一凹陷邊緣),且該非平直的側邊25係該導電圖案18B鄰近該第一電極層16的一側邊。此外,該第一閘極線部16C對該第一基板12的投影與該導電圖案18B對該第一基板12的投影之間具有一最小距離D2,而該第二閘極線部16D對該第一基板12的投影與該導電圖案18B對該第一基板12的投影之間具有一最小距離D3,其中該最小距離D2大於該最小距離D3,以降低該導電圖案18B與該第一電極層16之間的寄生電容(parasitic capacitance),從而降低饋通效應(feed through effect),避免顯示裝置畫面閃爍(image flicker)現象。根據本發明某些實施例,該最小距離D2可介於約1.0μm至5.0μm之間,而該最小距離D3可介於約0.5μm至4.5μm之間,且該最小距離D3及該最小距離D2的比值(D3/D2)可介於約0.50至0.95之間,較佳係介於0.80至0.90之間。
第6A圖至第6F圖係第5圖沿著切線6-6’之一系列剖面圖,用以說明第5圖所述顯示裝置10的製造流程。首先,請參照第5A圖,提供一第一基板12,並在其上形成一主動層14。該第一
基板102可為石英、玻璃、矽、金屬、塑膠、或陶瓷材料。該主動層14之形狀可例如為U型。如第5圖所示,該主動層14可由一第一主動層部14A及一第二主動層部14B所構成,該第一主動層部14A對於該第一基板12之投影為L型,係由沿一第一方向X延伸的第一部分與沿一第二方向Y延伸的第二部分所構成,該第二主動層部14B沿一第二方向Y延伸,且該第一主動層部14A連接該第二主動層部14B。該主動層14可為低溫多晶矽(low temperature polysilicon,LTPS)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)、或其他本技術領域常用之金屬氧化物半導體材料,然本發明並不限於此。
接著,請參照第6B圖,形成一第一絕緣層20於該第一基板12之上,並覆蓋該主動層14。該第一絕緣層20之材質可為有機絕緣材料(例如:光感性樹脂)或無機絕緣材料(例如:氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合)。接著,請參照第6C圖,形成一第一電極層16於該第一絕緣層20之上,其中該第一電極層16可沿該第一方向X延伸,並作為閘極線。該第一電極層16可由一第一閘極線部16C及一第二閘極線部16D所構成。其中,該第一電極層16與該第一主動層部14A重疊的部份係被定義為該第一閘極線部16C,即該第一主動層部14A對該第一基板12的投影涵蓋了該第一閘極線部16C對該第一基板12的投影。此外,該第一電極層16並未與該第一主動層部14A的部份則被定義為該第二閘極線部16D,即該第一主動層部14A對該第一基板12的投影係與該第二閘極線部16D對該第一基板12的投影緊鄰,也就是說,該第一主動層部14A對該第一基板12的投影並未
與該第二閘極線部16D對該第一基板12的投影重疊,請參照第5圖。該第一電極層16之材質可為鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金。
接著,請參照第6D圖,形成一第二絕緣層22於該第一絕緣層20之上,並覆蓋該第一電極層16。該第二絕緣層22之材質可為有機絕緣材料(例如:光感性樹脂)或無機絕緣材料(例如:氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合),且該第二絕緣層22之材質可與第一絕緣層20之材質相同或不同。接著,請參照第6E圖,形成貫穿第一第一絕緣層20以及第二絕緣層22的接觸孔21及23,分別露出該第一主動層部14A及該第二主動層部14B的上表面。
最後,形成一第二電極層18於該第二絕緣層22之上,請參照第6F圖及第5圖。其中,該第二電極層18包含沿該第二方向Y延伸的一資料線18A以及一導電圖案18B,其中該資料線18A與該導電圖案18B彼此電性連接但未直接接觸。此外,該資料線18A係經由貫穿該第一絕緣層20及該第二絕緣層22的接觸孔23與第二主動層部14B電性連接,而該導電圖案18B則係經由貫穿該第一絕緣層20及該第二絕緣層22的接觸孔21與該第一主動層部14A電性連接。根據本發明某些實施例,該顯示裝置10可更包含一遮光層(未繪示)配置於該第一基板12之上,並位於該主動層14之下。其中,該遮光層可例如為一黑色矩陣,該黑色矩陣的材料可為有機絕緣材料(例如:光感性樹脂)或金屬材料,且該主動層14與該遮光層之間可以一絕緣層(未繪示)相隔。根據本發明其他
實施例,該遮光層對該第一基板12的投影可與該導電圖案18B對該第一基板12的投影部份重疊、或者該遮光層對該第一基板12的投影與該導電圖案18B對該第一基板12的投影未重疊。
根據本發明實施例,請參照第7圖,該顯示裝置10更包含一第三絕緣層24配置於該第二絕緣層(未繪示)之上並覆蓋該第二電極層18。其中,一接觸孔27貫穿該第三絕緣層24,並露出該導電圖案18B,以利後續所形成之一畫素電極(未繪示)經由該接觸孔27與該導電圖案18B電性連接。該接觸孔27對於該第一基板12之投影在該第一方向X上具有一最大寬度W1,而該接觸孔27對於該第一基板12之投影在該第二方向Y上具有一寬度最大W2,其中該最大寬度W1不等於該最大寬度W2。舉例來說,該接觸孔27對於該第一基板12之投影在該第一方向X上的最大寬度W1可大於該接觸孔27對於該第一基板12之投影在該第二方向Y上的最大寬度W2,如第7圖所示。如此以來,藉由上述接觸孔27的形狀設計,可縮小遮蔽閘極線16與接觸孔27的黑色矩陣(未繪示)在該第二方向Y的寬度,以利開口率的提昇。在此,該最大寬度W1介於約3.0μm至15.0μm之間,而該該最大寬度W2介於約2.0μm至13.0μm之間,該最大寬度W2與該最大寬度W1的比值(W2/W1)可介於約0.5至0.8之間,較佳係介於0.65至0.75之間。
另一方面,根據本發明其他實施例,請參照第8圖,該接觸孔27對於該第一基板12之投影在該第一方向X上的最大寬度W1可小於該接觸孔27對於該第一基板12之投影在該第二方向Y上的最大寬度W2。如此以來,藉由上述接觸孔27的形狀設計,可在維持畫素電極與導電圖案18B具有一定的接觸面積的前提
下,降低畫素間距(pixel pitch),增加畫素單元的集積度。在此,該最大寬度W1介於約2.0μm至13.0μm之間,而該最大寬度W2介於約3.0μm至15.0μm之間,該最大寬度W1與該最大寬度W2的比值(W1/W2)介於約0.5至0.8之間,較佳係介於0.65至0.75之間。
雖然本發明的實施例及其優點已揭露如上,但應該瞭解的是,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作更動、替代與潤飾。此外,本發明之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟,任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本發明揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟,只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本發明使用。因此,本發明之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外,每一申請專利範圍構成個別的實施例,且本發明之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。
10‧‧‧顯示裝置
12‧‧‧第一基板
14‧‧‧主動層
14A‧‧‧第一主動層部
14B‧‧‧第二主動層部
16‧‧‧第二電極層
16A‧‧‧閘極線
16B‧‧‧突出部
18‧‧‧第二電極層
18A‧‧‧資料線
18B‧‧‧導電圖案
18B1‧‧‧第一導電圖案部
18B2‧‧‧第二導電圖案部
19‧‧‧交界面
2-2’‧‧‧切線
A‧‧‧最大寬度
B‧‧‧最大寬度
D1‧‧‧最小距離
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
Claims (14)
- 一種顯示裝置,包含:一第一基板;一第二基板;一顯示介質層,位於該第一基板與該第二基板之間;一主動層,位於該第一基板上;一第一絕緣層,位於該主動層上;一第一電極層,位於該第一絕緣層上,該第一電極層包含沿一第一方向延伸的一閘極線,以及沿一第二方向延伸的一突出部,該第一方向與該第二方向正交;一第二絕緣層,位於該第一電極層上;以及一第二電極層,位於該第二絕緣層上,該第二電極層包含一導電圖案以及沿該第二方向延伸的一資料線,該資料線及部分該導電圖案分別位於該突出部的兩側,且該資料線及該導電圖案分別經由一第一接觸孔及一第二接觸孔電性連接該主動層,其中該導電圖案由一第一導電圖案部與一第二導電圖案部所構成,該第一導電圖案部配置於該第二導電圖案部及該閘極線之間,該第一導電圖案部與該第二導電圖案部的一交界面係沿該第一方向延伸,且該第二導電圖案部對該第一基板的投影與該突出部對該第一基板的投影於第二方向至少部份重疊,其中該第一導電圖案部在該第一方向上具有一第一最大寬度A,該第二導電圖案部在該第一方向上具有一第二最大寬度B,該第一最大寬度A小於該第二最大寬度B。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該閘極線連 接該突出部。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該第一最大寬度A係介於2.0μm至14.0μm之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該第二最大寬度B係介於3.0μm至15.0μm之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該第一最大寬度A及該第二最大寬度B的比值係介於0.50至0.90之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該第一最大寬度A及該第二最大寬度B的比值係介於0.75至0.85之間。
- 一種顯示裝置,包含:一第一基板;一第二基板;一顯示介質層,位於該第一基板與該第二基板之間;一主動層,位於該第一基板上;一第一絕緣層,位於該主動層上;一第一電極層,位於該第一絕緣層上,該第一電極層包含沿一第一方向延伸的一閘極線;一第二絕緣層,位於該第一電極層上;以及一第二電極層,位於該第二絕緣層上,該第二電極層包含一導電圖案以及沿一第二方向延伸的一資料線,其中該第一方向與該第二方向正交,且該資料線及該導電圖案分別經由一第一接觸孔及一第二接觸孔電性連接該主動層,其中,該閘極線由一第一閘極線部及一第二閘極線部所構成,其中該第一閘極線部與該主動層重疊,其中該第一閘極線部 對該第一基板的投影與該導電圖案對該第一基板的投影具有一第一最小距離D2,而該第二閘極線部對該第一基板的投影與該導電圖案對該第一基板的投影具有一第二最小距離D3,其中該第一最小距離D2大於該第二最小距離D3。
- 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置,其中該第一最小距離D2係介於1.0μm至5.0μm之間。
- 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置,其中該第一最小距離D3係介於0.5μm至4.5μm之間。
- 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置,其中該最小距離D3及該最小距離D2的比值係介於0.50至0.95之間。
- 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置,其中該最小距離D3及該最小距離D2的比值係介於0.80至0.90之間。
- 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置,更包含:一第三絕緣層,位於該第二電極層上;以及一畫素電極層,位於該第三絕緣層上,並經由一第三接觸孔電性連接該導電圖案,其中該第三接觸孔對於該第一基板之投影在該第一方向X上具有一第一最大寬度W1,而在該第二方向Y上具有一第二最大寬度W2,且該第一最大寬度W1不等於該第二最大寬度W2。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置,其中該第一最大寬度W1大於該第二最大寬度W2,且該第二最大寬度W2與該第一最大寬度W1的比值介於0.5至0.8之間。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置,其中該第一最大寬度W1小於該第二最大寬度W2,且該第一最大寬度W1與該 第二最大寬度W2的比值介於0.5至0.8之間。
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