TWI552189B - 多重荷電粒子束之遮沒裝置及多重荷電粒子束描繪裝置 - Google Patents

多重荷電粒子束之遮沒裝置及多重荷電粒子束描繪裝置 Download PDF

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TWI552189B
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Description

多重荷電粒子束之遮沒裝置及多重荷電粒子束描繪裝置
本申請案，係以2013年10月11日時對於日本特許廳所申請的日本專利申請(特願2013-214123)作為基礎，而主張優先權。在該日本專利申請案中所記載之全部的內容，係被導入至本申請案中。
本發明，係有關於多重荷電粒子束之遮沒裝置，例如係有關於在多重束描繪中之遮沒裝置。
擔負著半導體元件之細微化的進展之光微影技術，在半導體製造製程中，亦為唯一之產生圖案的極為重要之製程。近年來，伴隨著LSI之高積體化，對於半導體元件所要求之電路線寬幅亦係日益細微化。於此，電子線(電子束)描繪技術，係本質性地具備有優良之解析度，而進行有對於晶圓等來使用電子線而進行描繪。
例如，係存在著使用有多重束之描繪裝置。相較於藉由1根的電子束來進行描繪的情況，藉由使用多重束，由於係能夠一次地照射多數之束，因此係能夠使產率大幅度的提升。在此種多重束方式之描繪裝置中，例如，係使從電子槍所放出之電子束通過具有複數之孔的遮罩而形成多重束，並對於各束進行遮沒控制，並未被作遮沒之各束，係藉由光學系而被作縮小，並藉由偏向器而被作偏向，再照射至試料上之所期望的位置處。
於此，在多重束描繪中，係藉由照射時間來對於各個的束之照射量個別地作控制。為了以高精確度來對於該各束之照射量作控制，係有必要將進行束之ON/OFF的遮沒控制以高速來進行。在多重束方式之描繪裝置中，係在配置有多重束之各遮沒器的遮沒板處，搭載各束用之遮沒控制電路。又，在該各束用之控制電路中，係分別被組入有橫移暫存器，並對於從連接墊來對於在被配列成行列狀之複數之遮沒器之每一行處而被作了串聯連接之橫移暫存器輸出訊號一事有所檢討。為了實施此種內容，係有必要在遮沒板上配置與複數之遮沒器之行數相同數量的連接墊。另一方面，為了對於訊號延遲作抑制，係希望使從連接墊起直到所對應之串聯連接的橫移暫存器之端部的橫移暫存器處之配線的長度，成為同等程度的長度。因此，係對於將各連接墊在配置有被配列成行列狀之複數之遮沒器的矩形區域之4邊中的其中一邊處來沿著束節距而作配置一事有所檢討。於此，被配置在遮沒板上之 各遮沒器以及控制電路，由於係使用LSI之製造技術而作成，因此晶片尺寸之上限係成為20mm程度。故而，若是束之根數增加而使行數增加，則將與行數相對應之數量的連接墊配置在遮沒板之1邊上一事，係變得困難。例如，若是將束配列設為512×512，則束節距係成為32μm程度，連接墊之間隔會變得過窄，而成為難以作配置。
進而，若是束之根數增加，則配置在1行上之橫移暫存器的數量也會增加。因此，在資料傳輸中會成為耗費時間。為了使其進行高速動作，係成為有必要將串聯連接之橫移暫存器的數量減少，但是，若是將橫移暫存器的數量減少，則相應於此，連接墊之數量會增加。起因於此，將連接墊作配置一事係變得更加困難。
另外，雖然與使用橫移暫存器而進行資料傳輸的情況有所相異，但是，在先前技術中，係考案有在多重束之各遮沒器(遮沒電極)的周圍配置有與遮沒器之數量同數的電極墊之遮沒板(例如，參考日本特開平11-176719號公報)。在此種技術中，係進行有從電極墊而直接對於各遮沒器之電極施加偏向電壓的技術。
本發明之其中一種形態之多重荷電粒子束之遮沒裝置，其特徵為，係具備有：基板，係被形成有配列為2維並使多重束通過之複數之開口部；和複數之橫移暫存器，係藉由被形成於前述基板中之與前述複數之開口部 中的相對應之開口部之近旁，而被配列為2維，並構成被串聯地作了連接的複數之組；和複數之遮沒器，係具備有以包夾著前述複數之開口部中的相對應之開口部地而相對向的方式來配置在前述基板上之電極對，並藉由使前述電極對之至少1個分別經由前述複數之橫移暫存器中之相對應之橫移暫存器而被作控制，來產生偏向電場，並使多重束之相對應之束分別進行遮沒偏向；和複數之序列‧並列轉換部，係沿著將複數之橫移暫存器全體作包圍的矩形區域之4邊而被作配置，並以並列配線而被連接於藉由複數之橫移暫存器所構成的複數之組之至少1個處；和複數之連接墊，係沿著矩形區域之4邊而被作配置，並分別與複數之序列‧並列轉換部之1個相互成組，且藉由單一配線而與相互成為一組之序列‧並列轉換部作了連接。
本發明之其中一種形態之多重荷電粒子束描繪裝置，其特徵為，係具備有：平台，係載置試料，並可進行連續移動；和放出部，係放出荷電粒子束；和光圈構件，係被形成有複數之開口部，並於包含有前述複數之開口部全體的區域中，接收前述荷電粒子束之照射，而藉由使前述荷電粒子束之一部分分別通過前述複數之開口部，來形成多重束；和基板，係被形成有配列為2維並使多重束通過之複數之開口部；和複數之橫移暫存器，係藉由被形成於前述基板中之與前述複數之開口部中的相對應之開口部之近旁，而被配列為2維，並構成被串聯地作了連接的複數之組；和複數之遮沒器，係具備有以包夾著前述複 數之開口部中的相對應之開口部地而相對向的方式來配置在前述基板上之電極對，並藉由使前述電極對之至少1個分別經由前述複數之橫移暫存器中之相對應之橫移暫存器而被作控制，來產生偏向電場，並使通過了前述光圈構件之複數之開口部的多重束中之對應之束分別進行遮沒偏向；和複數之序列‧並列轉換部，係沿著將前述複數之橫移暫存器全體作包圍的矩形區域之4邊而被作配置，並以並列配線而被連接於藉由前述複數之橫移暫存器所構成的複數之組之至少1個處；和複數之連接墊，係沿著前述矩形區域之4邊而被作配置，並分別與前述複數之序列‧並列轉換部之1個相互成組，且藉由單一配線而與相互成為一組之序列‧並列轉換部作了連接。
20‧‧‧多重束
20a‧‧‧多重束
20b‧‧‧多重束
20c‧‧‧多重束
20d‧‧‧多重束
20e‧‧‧多重束
22‧‧‧孔
24‧‧‧電極
24a‧‧‧電極
24b‧‧‧電極
24c‧‧‧電極
25‧‧‧通過孔
25a‧‧‧通過孔
25b‧‧‧通過孔
25c‧‧‧通過孔
26‧‧‧電極
26a‧‧‧電極
26b‧‧‧電極
26c‧‧‧電極
27‧‧‧遮沒器
28‧‧‧序列‧並列轉換部
28A‧‧‧序列‧並列轉換部
28B‧‧‧序列‧並列轉換部
28C‧‧‧序列‧並列轉換部
28D‧‧‧序列‧並列轉換部
28E‧‧‧序列‧並列轉換部
28F‧‧‧序列‧並列轉換部
28G‧‧‧序列‧並列轉換部
28H‧‧‧序列‧並列轉換部
28a‧‧‧序列‧並列轉換部
28b‧‧‧序列‧並列轉換部
28c‧‧‧序列‧並列轉換部
28d‧‧‧序列‧並列轉換部
28e‧‧‧序列‧並列轉換部
28f‧‧‧序列‧並列轉換部
28g‧‧‧序列‧並列轉換部
28h‧‧‧序列‧並列轉換部
29‧‧‧連接墊
29A‧‧‧連接墊
29B‧‧‧連接墊
29C‧‧‧連接墊
29D‧‧‧連接墊
29E‧‧‧連接墊
29F‧‧‧連接墊
29G‧‧‧連接墊
29H‧‧‧連接墊
29a‧‧‧連接墊
29b‧‧‧連接墊
29c‧‧‧連接墊
29d‧‧‧連接墊
29e‧‧‧連接墊
29f‧‧‧連接墊
29g‧‧‧連接墊
29h‧‧‧連接墊
30‧‧‧薄膜區域
31‧‧‧基板
32‧‧‧外周區域
33‧‧‧支持台
34‧‧‧照射區域
40‧‧‧橫移暫存器
40a‧‧‧橫移暫存器
40b‧‧‧橫移暫存器
41‧‧‧控制電路
41a‧‧‧控制電路
41b‧‧‧控制電路
42‧‧‧暫存器
42a‧‧‧暫存器
42b‧‧‧暫存器
46‧‧‧放大器
46a‧‧‧放大器
46b‧‧‧放大器
47‧‧‧個別遮沒機構
48‧‧‧計數器
48a‧‧‧計數器
48b‧‧‧計數器
60‧‧‧面積密度算出部
62‧‧‧照射時間算出部
64‧‧‧資料加工部
68‧‧‧傳輸處理部
72‧‧‧描繪控制部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧記憶體
130‧‧‧偏向控制電路
139‧‧‧平台位置檢測器
140‧‧‧記憶裝置
142‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧光圈構件
204‧‧‧遮沒平板
205‧‧‧縮小透鏡
206‧‧‧限制光圈構件
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧偏向器
210‧‧‧反射鏡
340‧‧‧試料
圖1，係為對於在實施形態1中之描繪裝置的構成作展示之概念圖。
圖2A和圖2B，係為對於在實施形態1中之光圈構件的構成作展示之概念圖。
圖3，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的構成作展示之剖面圖。
圖4，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的薄膜區域內之構成的一部分作展示之上面概念圖。
圖5A，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的構成 作展示之上面圖。
圖5B，係為對於在實施形態1中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例作展示之圖。
圖6A和圖6B，係為對於成為實施形態1之比較例A的遮沒平板之構成作展示之上面圖。
圖7A和圖7B，係為對於成為實施形態1之比較例B的遮沒平板之構成作展示之上面圖。
圖8A和圖8B，係為對於成為實施形態1之比較例C的遮沒平板之構成作展示之上面圖。
圖9A和圖9B，係為對於成為實施形態1之變形例的遮沒平板之構成作展示之上面圖。
圖10，係為對於在實施形態1中之個別遮沒控制電路的內部構成作展示之概念圖。
圖11，係為對於在實施形態1中之描繪方法的重要部分工程作展示之流程圖。
圖12，係為用以對於在實施形態1中之描繪動作的其中一例作說明之概念圖。
圖13A~圖13C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之其中一例作說明之概念圖。
圖14A~圖14C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之其中一例作說明之概念圖。
圖15A~圖15C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之另外一例作說明之概念圖。
圖16A~圖16C，係為用以對於在實施形態1中之條 帶內的描繪動作之另外一例作說明之概念圖。
以下，在實施形態中，係作為荷電粒子束之其中一例，而針對使用有電子束之構成作說明。但是，荷電粒子束，係並不被限定於電子束，亦可為離子束等之使用有荷電粒子之束。
以下，在實施形態中，係針對身為使用橫移暫存器來進行多重束之遮沒控制的遮沒裝置並且能夠配置更多的連接墊之遮沒裝置來作說明。
〔實施形態1〕
圖1，係為對於在實施形態1中之描繪裝置的構成作展示之概念圖。在圖1中，描繪裝置100，係具備有描繪部150和控制部160。描繪裝置100，係為多重荷電粒子束描繪裝置之其中一例。描繪部150，係具備有電子鏡筒102和描繪室103。在電子鏡筒102內，係被配置有電子槍201、照明透鏡202、光圈構件203、遮沒平板204、縮小透鏡205、限制光圈構件206、對物透鏡207、以及偏向器208。在描繪室103內，係被配置有XY平台105。在XY平台105上，於進行描繪時，係被配置有成為描繪對象基板之遮罩等的試料101。在試料101中，係包含有在製造半導體裝置時所使用之曝光遮罩、或者是被製造出半導體裝置之半導體基板(矽晶圓)等。又，在試 料101中，係包含有被塗布了光阻之尚未被進行任何之描繪的空白光罩。在XY平台105上，係更進而被配置有XY平台105之位置測定用的反射鏡210。
控制部160，係具備有控制計算機110，記憶體112，偏向控制電路130，平台位置檢測器139以及磁碟裝置等之記憶裝置140、142。控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、平台位置檢測器139以及記憶裝置140、142，係經由未圖示之匯流排而被相互作連接。在記憶裝置140(記憶部)中，係從外部而被輸入有描繪資料並作儲存。
在控制計算機110內，係被配置有面積密度算出部60、照射時間T算出部62、資料加工部64、描繪控制部72、以及傳輸處理部68。面積密度算出部60、照射時間T算出部62、資料加工部64、描繪控制部72以及傳輸處理部68之類的各功能，係可藉由電性電路等之硬體來構成，亦可藉由實行此些之功能的程式等之軟體來構成。或者是，亦可藉由硬體和軟體之組合來構成。在面積密度算出部60、照射時間T算出部62、資料加工部64、描繪控制部72以及傳輸處理部68處進行輸入輸出之資訊、以及演算中之資訊，係逐次地被儲存在記憶體112中。
於此，在圖1中，係記載有為了對於實施形態1作說明時所必要之構成。對於描繪裝置100而言，通常係亦可具備有必要之其他的構成。
圖2A和圖2B，係為對於在實施形態1中之光圈構件的構成作展示之概念圖。在圖2A中，於光圈構件203處，係以特定之配列節距而將縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m，n≧2)之孔(開口部)22形成為矩陣狀。在圖2A中，例如係被形成有512×8列之孔22。各孔22，係均被形成為相同尺寸形狀之矩形。或者是，亦可為相同外徑之圓形。於此，係對於針對y方向之各列而在x方向上分別被形成有A~H之8個的孔22之例子作展示。藉由使電子束200之一部分分別通過此些之複數之孔22，係成為形成有多重束20。於此，雖係針對縱橫(x，y方向)均為配置有2列以上之孔22的例子而作了展示，但是，係並不被限定於此。例如，亦可設為縱橫(x，y方向)之其中一者為複數列而另外一方僅為一列。又，孔22之配列的設計，亦並非為被限定於如圖2A中一般之縱橫地配置為格子狀的情況。亦可如圖2B中所示一般，例如使縱方向(y方向)第1段之列和第2段之列的孔彼此在橫方向(x方向)上作尺寸a之偏移地來作配置。同樣的，亦可使縱方向(y方向)第2段之列和第3段之列的孔彼此在橫方向(x方向)上作尺寸b之偏移地來作配置。
圖3，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的構成作展示之剖面圖。
圖4，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的薄膜區域內之構成的一部分作展示之上面概念圖。另外，在圖3 和圖4中，係並未使電極24、26和控制電路41之位置關係相互一致地來作記載。遮沒平板204(遮沒裝置)，係如圖3中所示一般，在支持台33上，被配置有由矽等所成之半導體基板31。基板31之中央部，係從背面側起而被削薄，並被加工成較薄之膜厚h的薄膜區域30(第1區域)。將薄膜區域30作包圍之周圍，係成為較厚之膜厚H的外周區域32(第2區域)。薄膜區域30之上面和外周區域32之上面，係以會成為相同高度之位置或者是會成為實質性相同之高度位置的方式而被形成。基板31，係以外周區域32之背面而被保持於支持台33上。支持台33之中央部係開口，薄膜區域30之位置，係位置在支持台33之作了開口的區域處。
在薄膜區域30處，係於與圖2A和圖2B中所示之光圈構件203之各孔22相對應的位置處，開口有使多重束之各束作通過的通過孔25(開口部)。換言之，在基板31之薄膜區域30處，係被形成有配列為2維並使多重束通過之複數之通過孔25。又，在薄膜區域30上，係如圖3以及圖4中所示一般，在各通過孔25之近旁位置處，包夾著所對應之通過孔25而分別配置有藉由成為遮沒偏向用之電極對的電極24、26之組所構成的遮沒器27(遮沒偏向器)。又，在薄膜區域30上之各通過孔25的近旁處，係被配置有各通過孔25用之例如對於電極24施加偏向電壓之控制電路41(邏輯電路)。各束用之2個的電極24、26之另外一方(例如，電極26)，係被作 接地。又，如圖4中所示一般，各控制電路41，係被連接有控制訊號用之例如10位元之並列配線。各控制電路41，除了例如10位元之並列配線以外，係亦被連接有電源用、控制區塊等之配線。電源用之配線，係亦可將並列配線之一部分的配線作流用。針對構成多重束之各束的每一者，而分別構成有由電極24、26和控制電路41所致之個別遮沒機構47。又，在各束用之控制電路41內，係分別被配置有後述之橫移暫存器。故而，複數之橫移暫存器和複數之遮沒器，係被配置在基板31之膜厚為薄的薄膜區域30處。
又，在膜厚為厚之外周區域32上，係如圖3中所示一般，被配置有藉由序列‧並列轉換部28和連接墊29所構成的複數之組。
通過各通過孔之電子束20，係分別獨立地藉由被施加至該些成對之2個的電極24、26處之電壓而被作偏向。藉由此偏向而進行遮沒控制。換言之，複數之遮沒器27，係具備有以包夾著複數之通過孔25中之所對應之通過孔25而相對向的方式而被配置在基板31上之電極對(電極24、26)，並藉由使電極對之至少1者分別透過複數之橫移暫存器中之所對應之束用的橫移暫存器而被作控制，來產生偏向電場，以使多重束中之所對應之束分別作遮沒偏向。如此這般，複數之遮沒器，係進行在通過了光圈構件203之複數之孔22(開口部)的多重束中之分別所對應的束之遮沒偏向。
圖5A，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的構成作展示之上面圖。橫移暫存器基板31，係當從上方作觀察時被形成為矩形，且中央部之薄膜區域30亦係被形成為矩形。而，在薄膜區域30內，複數之個別遮沒機構47係被配列為2維。例如，係被配置為行列狀。在圖5之例中，例如，係展示有被配列為8行×8列之複數之個別遮沒機構47。在各個別遮沒機構47之控制電路41內，係分別被配置有後述之橫移暫存器。又，薄膜區域30內之全部束用之複數之橫移暫存器，係構成被作了串聯連接的複數之組。
在圖5A之例中，於每一行中，係藉由於各行所並排(橫向並排)之複數之個別遮沒機構47中的一次跳開1個地所配置的複數之個別遮沒機構47內的橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。例如，如圖5中所示一般，係藉由從上側起之第1行的以「A」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第2行的以「B」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第3行的以「C」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第4行的以「D」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第5行的以「E」來標示之例如4個 的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第6行的以「F」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第7行的以「G」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第8行的以「H」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。
又，在圖5A之例中，係藉由在每1行處而各作了1列的偏移之例如4個的個別遮沒機構47，來構成組。例如，如圖5中所示一般，第1行、第3行、第5行、第7行之組之4個的個別遮沒機構47，例如係藉由第1列、第3列、第5列、第7列之個別遮沒機構47來構成之。第2行、第4行、第6行、第8行之組之4個的個別遮沒機構47，例如係藉由第2列、第4列、第6列、第8列之個別遮沒機構47來構成之。
又，在圖5A之例中，更進而，於每一列中，係藉由於各列所並排(縱向並排)之複數之個別遮沒機構47中的一次跳開1個地所配置的複數之個別遮沒機構47內的橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。例如，如圖5中所示一般，係藉由從左側起之第1列的以「a」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第2列的以「b」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之 橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第3列的以「c」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第4列的以「d」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第5列的以「e」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第6列的以「f」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第7列的以「g」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。同樣的，係藉由第8列的以「h」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成被作串聯連接之1個的組。
又，在圖5A之例中，係藉由在每1列處而各作了1行的偏移之例如4個的個別遮沒機構47，來構成組。例如，如圖5中所示一般，第1列、第3列、第5列、第7列之組之4個的個別遮沒機構47，例如係藉由第2行、第4行、第6行、第8行之個別遮沒機構47來構成之。第2列、第4列、第6列、第8列之組之4個的個別遮沒機構47，例如係藉由第1行、第3行、第5行、第7行之個別遮沒機構47來構成之。如此這般，複數之組的各組，係藉由將在2維配列中之行或列上而並排 之複數之橫移暫存器中的相異之組之橫移暫存器包夾於中間地而作了並排的橫移暫存器群所構成。
藉由如同上述一般地來構成，在每一行之各組(在圖5A之例中，係為8組)和每一列之各組(在圖5A之例中，係為8組)，係以不會在相互之間而使個別遮沒機構47(內部之橫移暫存器)被重複作適用的方式(不會相互重複的方式)，來作組合。
又，在藉由被作了串聯連接的複數之橫移暫存器所構成的複數之組之各組中，構成組之複數之橫移暫存器係藉由並列配線而被作串聯連接。又，在藉由被作了串聯連接的複數之橫移暫存器所構成的複數之組之各組中，序列‧並列轉換部28係藉由並列配線而被作連接。複數之序列‧並列轉換部28，係沿著將複數之橫移暫存器全體作包圍的薄膜區域30(矩形區域)之4邊而被作配置。
在複數之序列‧並列轉換部28之各序列‧並列轉換部28處，連接墊29係分別藉由單一配線而被作連接。換言之，複數之連接墊29，係分別與複數之序列‧並列轉換部28的1個相互成組，並藉由單一配線而被與相互成組之序列‧並列轉換部28作連接。又，複數之連接墊29，係沿著薄膜區域30之4邊而被作配置。
在圖5A之例中，沿著薄膜區域30之4邊中的左邊，係被配置有以「A」來作標示之序列‧並列轉換部28A和連接墊29A之組、和以「C」來作標示之序列‧ 並列轉換部28C和連接墊29C之組、和以「E」來作標示之序列‧並列轉換部28E和連接墊29E之組、和以「G」來作標示之序列‧並列轉換部28G和連接墊29G之組。沿著薄膜區域30之4邊中的右邊，係被配置有以「B」來作標示之序列‧並列轉換部28B和連接墊29B之組、和以「D」來作標示之序列‧並列轉換部28D和連接墊29D之組、和以「F」來作標示之序列‧並列轉換部28F和連接墊29F之組、和以「H」來作標示之序列‧並列轉換部28H和連接墊29H之組。
又，沿著薄膜區域30之4邊中的上邊，係被配置有以「b」來作標示之序列‧並列轉換部28b和連接墊29b之組、和以「d」來作標示之序列‧並列轉換部28d和連接墊29d之組、和以「f」來作標示之序列‧並列轉換部28f和連接墊29f之組、和以「h」來作標示之序列‧並列轉換部28h和連接墊29h之組。沿著薄膜區域30之4邊中的下邊，係被配置有以「a」來作標示之序列‧並列轉換部28a和連接墊29a之組、和以「c」來作標示之序列‧並列轉換部28c和連接墊29c之組、和以「e」來作標示之序列‧並列轉換部28e和連接墊29e之組、和以「g」來作標示之序列‧並列轉換部28g和連接墊29g之組。
又，序列‧並列轉換部28A，係藉由並列配線，而被與從上側起之第1行的以「A」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的左端之橫移 暫存器作連接。序列‧並列轉換部28B，係藉由並列配線，而被與從上側起之第2行的以「B」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的右端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28C，係藉由並列配線，而被與從上側起之第3行的以「C」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的左端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28D，係藉由並列配線，而被與從上側起之第4行的以「D」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的右端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28E，係藉由並列配線，而被與從上側起之第5行的以「E」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的左端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28F，係藉由並列配線，而被與從上側起之第6行的以「F」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的右端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28G，係藉由並列配線，而被與從上側起之第7行的以「G」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的左端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28H，係藉由並列配線，而被與從上側起之第8行的以「H」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的右端之橫移暫存器作連接。
又，序列‧並列轉換部28a，係藉由並列配線，而被與從左側起之第1列的以「a」來標示之例如4 個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的下端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28b，係藉由並列配線，而被與從左側起之第2列的以「b」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的上端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28c，係藉由並列配線，而被與從左側起之第3列的以「c」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的下端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28d，係藉由並列配線，而被與從左側起之第4列的以「d」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的上端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28e，係藉由並列配線，而被與從左側起之第5列的以「e」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的下端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28f，係藉由並列配線，而被與從左側起之第6列的以「f」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的上端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28g，係藉由並列配線，而被與從左側起之第7列的以「g」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的下端之橫移暫存器作連接。序列‧並列轉換部28h，係藉由並列配線，而被與從左側起之第8列的以「h」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器之組的上端之橫移暫存器作連接。
在圖5A之例中，雖係將序列‧並列轉換部 28和橫移暫存器之間的連接簡略化而展示有4位元之並列配線，但是，係被以與圖4相同之位元數的配線，例如以10位元之並列配線而被作連接。
圖5B，係為對於在實施形態1中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例作展示之圖。在圖5B中，針對控制電路41內之橫移暫存器40以外的電路，係省略圖示。在圖5B之例中，例如，係針對將圖5A中所示之從上側起之第1行的以「A」來標示之例如4個的個別遮沒機構47之橫移暫存器40的全部，藉由10位元之並列配線來作了串聯連接的情況作展示。序列‧並列轉換部28，係藉由10位元之並列配線，而被與每一行的群組之橫移暫存器群的其中一者(序列‧並列轉換部28側之端部的橫移暫存器40)作連接。又，在圖5B之例中，係將通過第1行的以「A」來標示之例如4個的個別遮沒機構47之各束，例如從較接近序列‧並列轉換部28者起來定義為束1、束2、...。在圖5B所示之構成中，當在第1行之「A」中例如被配置有4個的個別遮沒機構47的情況時，為了使用橫移暫存器40來將遮沒訊號一直傳輸至束4處，係成為需要進行4次的時脈動作。故而，在圖5B之例中，於1次之束擊射中，例如係成為需要4次的時脈動作。如此這般，複數之橫移暫存器40，係藉由被形成於基板31中之複數的通過孔25中之相對應的通過孔25之近旁處，而被配列為2維，並構成被作了串聯連接的複數之組。
如同上述一般，在實施形態1中，藉由將被 作了串聯連接的橫移暫存器之組，以不會使橫移暫存器相互有所重複的方式來分成行的組和列的組，係能夠將序列‧並列轉換部28和連接墊29的複數之組，沿著薄膜區域30(矩形區域)之4邊來作配置。如同上述一般，由於係能夠對於薄膜區域30(矩形區域)之4邊作利用，因此，相較於對1邊作利用的情況或者是對2邊作利用的情況，係能夠將可配置區域擴廣。故而，就算是在多重束之束之根數有所增加的情況時，也能夠將序列‧並列轉換部28和連接墊29的複數之組作配置。
又，在實施形態1中，係能夠使各組之序列‧並列轉換部28和連接墊29之間的距離一致設為相同之距離。故而，係能夠使各組之序列‧並列轉換部28和連接墊29的每一者之訊號傳輸速度相互一致，而能夠避免訊號延遲。
又，在實施形態1中，係能夠使序列‧並列轉換部28和所對應的橫移暫存器之組之端部的橫移暫存器之間之距離一致設為略相同之距離。故而，係能夠在每一組中而使從序列‧並列轉換部28起而對於所對應之被作了串聯連接的橫移暫存器之訊號傳輸速度相互一致，而能夠避免訊號延遲。
另外，各遮沒器以及控制電路，係使用LSI之製造技術而作成。在薄膜區域30內，並列配線係會相互交叉，但是，只要在每一行之組(在圖5之例中，係為8組)和每一列之組(在圖5之例中，係為8組)而於相 異之層處形成並列配線即可。
又，如圖5中所示一般，在薄膜區域30之4邊的各邊處，藉由連接墊29和序列‧並列轉換部28所構成的複數之組，係以相同之節距而被作配置。在4邊的各邊處，藉由連接墊29和序列‧並列轉換部28所構成的複數之組，係以成為多重束之各束間的配置節距之束節距的2n倍(n為自然數)之節距而被作配置。在圖5之例中，係以束節距之2倍的節距來作配置。藉由在各邊處而使配置節距相互一致，係能夠將藉由連接墊29和序列‧並列轉換部28所構成的複數之組作更多數量的配置。其結果，就算是在多重束之束之根數有所增加的情況時，也能夠將序列‧並列轉換部28和連接墊29的複數之組作配置。
又，如圖5中所示一般，在薄膜區域30之4邊的各邊處，藉由連接墊29和序列‧並列轉換部28所構成的複數之組，係被配置有相同之數量。藉由在各邊處而使配置數量相互一致，係能夠將藉由連接墊29和序列‧並列轉換部28所構成的複數之組作更多數量的配置。其結果，就算是在多重束之束之根數有所增加的情況時，也能夠將序列‧並列轉換部28和連接墊29的複數之組作配置。
圖6A和圖6B，係為對於成為實施形態1之比較例A的遮沒平板之構成作展示之上面圖。在圖6A中，與圖3相同的，係對於當對於基板而從上方作觀察時 被形成為矩形，且中央部之薄膜區域亦係被形成為矩形的遮沒平板之其中一例作展示。在圖6B之比較例A中，係針對被配置為行列狀之複數之個別遮沒機構的橫移暫存器，而對於在每一行中而將在該行上所並排之所有的橫移暫存器作了串聯連接之例作展示。又，在圖6B之比較例A中，係針對作為各行之橫移暫存器之組所使用者，而僅在薄膜區域之4邊中的例如左邊之一邊處來配置了序列‧並列轉換電路和連接墊之組的例子作展示。在此種比較例A之構成中，若是束之根數增加而使行數增加，則將與行數相對應之數量的序列‧並列轉換部和連接墊之組配置在遮沒板之該1邊上一事，係變得困難。例如，若是將束配列設為512×512，則束節距係成為32μm程度，連接墊之間隔會變得過窄，而成為難以作配置。又，在圖6B之比較例A中，由於係將在各行上而並排之所有的橫移暫存器作串聯連接，因此，若是束之根數增加，則配置在1行上之橫移暫存器的數量也會增加。因此，在資料傳輸中會成為耗費時間。
相對於此，在實施形態1中，由於係在薄膜區域30之4邊配置序列‧並列轉換部和連接墊之組，因此，係能夠解決起因於連接墊間隔變得過窄而導致難以進行配置的問題。又，在實施形態1中，由於係並非將在各行上而並排之所有的橫移暫存器作串聯連接，而是將其中之一部分的橫移暫存器作串聯連接，因此，就算是束之根數增加而配置在1行上之橫移暫存器的數量有所增加，也 能夠將作串聯連接之各組的橫移暫存器數量之增加情況減少。因此，係能夠縮短在資料傳輸中所耗費的時間。故而，係能夠使其進行高速動作。
圖7A和圖7B，係為對於成為實施形態1之比較例B的遮沒平板之構成作展示之上面圖。在圖7A之比較例B中，係針對被配置為行列狀之複數之個別遮沒機構的橫移暫存器，而對於在每一行中而將在該行上所並排之所有的橫移暫存器作了串聯連接之例作展示。又，在圖7A之比較例B中，係如圖7B中所示一般，針對在2行的橫移暫存器之組之每一者處而將1組的序列‧並列轉換電路和連接墊之組作連接的例子作展示。又，係針對在每2行處而於薄膜區域之4邊中的左右之2邊來交互地配置了序列‧並列轉換電路和連接墊之組的例子作展示。在圖7A之比較例B中，由於係將2行之量的橫移暫存器之各組藉由1組的序列‧並列轉換電路和連接墊之組來作連接，因此，係能夠將序列‧並列轉換電路和連接點之組的數量作相應之量的減少。又，藉由使用薄膜區域之4邊中的左右之2邊，係能夠使序列‧並列轉換電路和連接墊之組的彼此間之配置間隔更具有餘裕。但是，由於係將在各行上而並排之所有的橫移暫存器作串聯連接，因此，若是束之根數增加，則配置在1行上之橫移暫存器的數量也會增加。又，由於係將2行之量的橫移暫存器之各組的資料，從1個的連接墊來藉由序列送訊而進行傳輸，因此，在從連接墊所對於序列‧並列轉換電路之訊號的傳輸中係 變得會耗費時間。因此，在資料傳輸中會成為耗費時間。
相對於此，在實施形態1中，由於係在薄膜區域30之4邊配置序列‧並列轉換部和連接墊之組，因此，相較於圖7A之比較例B，係能夠具有更大的餘裕。又，在實施形態1中，由於係並非將在各行上而並排之所有的橫移暫存器作串聯連接，而是將其中之一部分的橫移暫存器作串聯連接，因此，就算是束之根數增加而配置在1行上之橫移暫存器的數量有所增加，也能夠將作串聯連接之各組的橫移暫存器數量之增加情況減少。進而，在實施形態1中，由於1個的連接墊所擔當的橫移暫存器數量相較於圖7A之比較例B係大幅度的減少(例如，成為1/4)，因此，從連接墊而藉由序列送訊來進行傳輸的資料數量係為少。因此，係能夠縮短在資料傳輸中所耗費的時間。故而，係能夠使其進行高速動作。
圖8A和圖8B，係為對於成為實施形態1之比較例C的遮沒平板之構成作展示之上面圖。在圖8A之比較例C中，係針對被配置為行列狀之複數之個別遮沒機構的橫移暫存器，而對於在每一行中而將在該行上所並排之所有的橫移暫存器作了串聯連接之例作展示。又，在圖8A之比較例C中，係如圖8B中所示一般，針對在1行的橫移暫存器之組之每一者處而將1組的序列‧並列轉換電路和連接墊之組作連接的例子作展示。又，係針對在薄膜區域之4邊處來配置了連接墊的例子作展示。序列‧並列轉換電路和連接墊之組的配置節距，係設為與圖7A和圖 7B相同。在圖8A之比較例C中，由於係僅存在有各行的每一者之組，因此從被配置在薄膜區域之4邊中的特別是上邊和下邊之連接墊起直到序列‧並列轉換電路為止的單股配線之長度係會變長，並且在橫移暫存器的各組中之從連接墊而來的配線長度會變得並不一致。此會成為導致發生訊號延遲之原因。如此這般，在圖8A之比較例C中，於每一連接墊處，配線長度和訊號延遲量係會有所相異。故而，係難以使其進行高速動作。
相對於此，在實施形態1中，沿著薄膜區域30的4邊中之上邊和下邊而被作配置的序列‧並列轉換部和連接墊之組，係被與橫移暫存器的每一列之組作連接，沿著左邊和右邊而被作配置的序列‧並列轉換部和連接墊之組，係被與橫移暫存器的每一行之組作連接。故而，係並不需要將從連接墊29起直到序列‧並列轉換部28處之單股配線作較長的引繞。進而，係能夠將從連接墊29起直到所對應的序列‧並列轉換部28處之單股配線的長度縮短。故而，係能夠更進而降低訊號延遲。又，在實施形態1中，由於係在薄膜區域30之4邊配置序列‧並列轉換部和連接墊之組，並且進而能夠將從連接墊起直到所對應之序列‧並列轉換電路的單股配線之長度統一，因此，係能夠對於訊號延遲量之參差作抑制。故而，係能夠使其進行高速動作。
圖9A和圖9B，係為對於成為實施形態1之變形例的遮沒平板之構成作展示之上面圖。在圖9A之變 形例中，與圖5相同的，係分成被作串聯連接之橫移暫存器的每一行之組(在圖9A之例中，係為16組)和每一列之組(在圖9A之例中，係為16組)。並且，與圖5相同的，係以不會在每一行之組和每一列之組的各組相互之間而使橫移暫存器被重複作適用的方式(不會相互重複的方式)，來作組合。於此，在圖9A之變形例中，與圖5相異，在薄膜區域30之4邊中的上邊和下邊之序列‧並列轉換部28和連接墊29之組，係如圖9B中所示一般，分別被與每一列之複數之組的2組作連接。藉由此，在圖9A之變形例中，相較於圖5中所示之形態，係能夠將序列‧並列轉換部28和連接墊29之組數減少為一半。故而，係能夠對於束根數之增加作更進一步的對應。但是，由於被分配至1個的連接墊29處之橫移暫存器的數量係成為2倍，因此，相較於圖5中所示之形態，資料傳輸速度係會變慢。
但是，相較於圖7A之比較例B，由於被分配至1個的連接墊29處之橫移暫存器的數量係為較少，因此，相較於圖7A之比較例B，係能夠使資料傳輸速度變快。又，在圖9A之變形例中，與圖5中所示之形態相同的，沿著薄膜區域30的4邊中之上邊和下邊而被作配置的序列‧並列轉換部和連接墊之組，係被與橫移暫存器的每一列之組作連接，沿著左邊和右邊而被作配置的序列‧並列轉換部和連接墊之組，係被與橫移暫存器的每一行之組作連接。故而，係並不需要將從連接墊29起直到序 列‧並列轉換部28處之單股配線作較長的引繞。如圖9A中所示一般，係能夠將從連接墊29起直到所對應的序列‧並列轉換部28處為止的距離M，設為較從遮沒平板204之基板31的端部起直到薄膜區域30之端(邊)為止的距離L更短。進而，係能夠將從連接墊29起直到所對應的序列‧並列轉換部28處之單股配線的長度縮短。故而，係能夠更進而降低訊號延遲。又，在實施形態1中，由於係在薄膜區域30之4邊配置序列‧並列轉換部和連接墊之組，並且進而能夠將從連接墊起直到所對應之序列‧並列轉換電路的單股配線之長度統一，因此，係能夠對於訊號延遲量之參差作抑制。故而，係能夠使其進行高速動作。
圖10，係為對於在實施形態1中之個別遮沒控制電路的內部構成作展示之概念圖。在圖10中，在被配置於描繪裝置100本體內的遮沒平板204處之個別遮沒控制用之各控制電路41中，係被配置有橫移暫存器40、暫存器42、計數器48、以及放大器46。複數之遮沒器27，係具備有以包夾著複數之通過孔25中之所對應之通過孔25而相對向的方式而被配置在基板31上之電極對(電極24、26)，並藉由使電極對之至少1者分別透過複數之橫移暫存器中之所對應之束用的橫移暫存器40而被作控制，來產生偏向電場，以使多重束中之所對應之束分別作遮沒偏向。在實施形態1中，係藉由例如10位元的控制訊號來對於各束用之個別遮沒控制進行控制。另 外，如圖10中所示一般，當將圖3中所示之遮沒平板204搭載於描繪裝置100中時，若是以使被形成有控制電路41和電極24、26之面成為朝上的方式來作配置，則為理想。
圖11，係為對於在實施形態1中之描繪方法的重要部分工程作展示之流程圖。在圖11中，於實施形態1中之描繪方法，係實施圖案面積密度算出工程(S102)、擊射時間(照射時間)T算出工程(S104)、照射時間配列資料加工工程(S109)、照射時間配列資料輸出工程(S110)、資料傳輸工程(S112)、描繪工程(S114)、判定工程(S124)之一連串的工程。
作為圖案面積密度算出工程(S102)，面積密度算出部60，係從記憶裝置140而讀出描繪資料，並針對試料101之描繪區域、或者是對於將被作描繪之晶片區域假想分割成網格狀後之複數之網格區域的各網格區域之每一者，而算出被配置在其內部之圖案的面積密度。例如，首先，係將試料101之描繪區域、或者是將被作描繪之晶片區域，以特定之寬幅來分割成短籤狀之條帶區域。之後，將各條帶區域假想分割成上述之複數之網格區域。網格區域之尺寸，例如，若是設為束尺寸，或是設為束尺寸以下之尺寸，則為理想。例如，若是設為10nm程度之尺寸，則為理想。面積密度算出部60，例如，係針對條帶區域之每一者，而從記憶裝置140來讀出所對應之描繪資料，並將在描繪資料內所定義的複數之圖形圖案分配至 網格區域中。之後，只要算出在每一網格區域中所配置的圖形圖案之面積密度即可。
作為擊射時間(照射時間)T算出工程(S104)，照射時間算出部62，係針對特定之尺寸的網格區域之每一者，而算出每一擊射中之電子束的照射時間T(擊射時間，或者是亦稱作曝光時間，以下亦同)。在進行多重描繪的情況時，係只要算出在各階層中之每一擊射的電子束之照射時間T即可。成為基準之照射時間T，若是與所算出之圖案的面積密度成正比地來求取，則為合適。又，最終所算出的照射時間T，若是身為相當於藉由照射量之調整來針對起因於未圖示之近接效果、重疊效果、旋轉效果等之會引發尺寸變動的現象而導致的尺寸變動量而進行了修正之修正後的照射量之時間，則為合適。對於照射時間T作定義之複數之網格區域、和對於圖案之面積密度作定義之複數之網格區域，係可構成為相同之尺寸，亦可藉由相異之尺寸來構成。在以相異之尺寸來構成的情況時，係只要在藉由線性內插等來對於面積密度作了內插之後，再求取出各照射時間T即可。每一網格區域之照射時間T，係被定義於照射時間映射中，照射時間映射，例如係被儲存在記憶裝置142中。
在照射時間配列資料加工工程(S109)中，資料加工部64，係將被儲存在記憶裝置142中之各束所照射的網格區域之照射時間讀出，並對於被作了串聯連接的複數之橫移暫存器之組的每一者，而將所對應的束之照 射時間之資料轉換為10位元之資料，再以會以藉由所對應之組的複數之橫移暫存器40來作傳輸之順序而作並排的方式來進行加工。係以使從被作了串聯連接的橫移暫存器之組中之後段側之橫移暫存器用的資料起來依序作並排的方式，而進行配列加工。
作為照射時間配列資料輸出工程(S110)，傳輸處理部68，係針對各束之每一擊射，而對於被作了串聯連接的複數之橫移暫存器之組，來將使順序被作了加工的照射時間配列資料輸出至偏向控制電路130處。
作為資料傳輸工程(S112)，偏向控制電路130，係針對每一擊射，而對於與分別被配置有各組之被作了串聯連接的橫移暫存器之各組相對應的控制電路41，來輸出照射時間配列資料。照射時間配列資料，係被作序列傳輸。
在實施形態1中，如圖10中所示一般，在控制電路41中，由於係使用有橫移暫存器40，因此，在進行資料傳輸時，偏向控制電路130，係將構成相同之組的各10位元之資料，以被作了串聯連接之橫移暫存器40的配列順序(或者是辨識號碼順序)來資料傳輸至遮沒平板204之各組的連接墊29處。各連接墊29，係將被序列傳輸而來之訊號輸出至所對應的序列‧並列轉換部28處。各序列‧並列轉換部28，係將被序列傳輸而來之訊號，轉換為每一束之10位元的並列訊號，並將10位元之並列訊號資料傳輸至所對應之控制電路41處。又，係輸出同 步用之時脈訊號(CLK1)以及資料讀出用之讀取訊號(read)。各束之橫移暫存器40，係依據時脈訊號(CLK1)，而從上位側起，依序將資料1次10位元地來傳輸至下一個的橫移暫存器40處。
接著，各束之暫存器42，若是被輸入讀取訊號(read)，則各束之暫存器42係從橫移暫存器40而將各個束之資料讀入。各束之個別暫存器42，若是被輸入10位元之資料，則係依據該資料來對於計數器48輸出ON/OFF訊號。而，在計數器48處，若是暫存器42之訊號為ON，則係對於照射時間作計數，並在照射時間的期間中，對於放大器46輸出ON訊號。之後，放大器46，在受訊ON訊號的期間中，係對於個別遮沒偏向器之電極24施加ON電壓。於其以外的期間，計數器48，係對於放大器46輸出OFF訊號，放大器46，係對於個別遮沒偏向器之電極24施加OFF電壓。
作為描繪工程(S114)，描繪部150，係在各束之每一擊射中，實施所符合之照射時間的描繪。具體而言，係如同下述一般地而動作。
從電子槍201(放出部)所放出之電子束200，係藉由照明透鏡202而略垂直地對於光圈構件203全體作照明。在光圈構件203處，係被形成有矩形之複數的孔(開口部)，電子束200，係對於包含有複數之孔的全部孔之區域作照明。被照射至複數之孔的位置處之電子束200的各一部分，係藉由分別通過此光圈構件203之複 數之孔，而形成例如矩形形狀之複數之電子束(多重束)20a~e。此些多重束20a~e，係通過遮沒平板204之分別所對應的遮沒器(第1偏向器：個別遮沒機構)內。此些遮沒器，係分別使個別地通過之電子束20作偏向(進行遮沒偏向)。
通過了遮沒平板204後之多重束20a~e，係藉由縮小透鏡205而被縮小，並朝向被形成在限制光圈構件206處之中心的孔而前進。於此，藉由遮沒平板204之遮沒器而作了偏向的電子束20，其位置係從限制光圈構件206(遮沒光圈構件)之中心的孔而偏離，並被限制光圈構件206所遮沒。另一方面，並未藉由遮沒平板204之遮沒器而作偏向的電子束20，係如圖1中所示一般，通過限制光圈構件206之中心的孔。藉由此些之個別遮沒機構的ON/OFF，而進行遮沒控制，束之ON/OFF係被作控制。如此這般，限制光圈構件206，係將藉由個別遮沒機構而以成為束OFF之狀態的方式來作了偏向之各束作遮沒。並且，藉由從成為束ON起直到成為束OFF為止所形成的通過了限制光圈構件206之束，來形成1次之擊射的束。通過了限制光圈構件206之多重束20，係藉由對物透鏡207而作了對焦，並成為所期望之縮小率的圖案像，再藉由偏向器208，來使通過了限制光圈構件206之各束(多重束20全體)整批地偏向至相同方向處，並照射至各束之在試料101上的各別之照射位置處。又，例如當XY平台105正在作連續移動時，係以使束之照射位置追 隨於XY平台105之移動的方式，來藉由偏向器208而進行控制。從平台位置檢測器139來朝向XY平台105上之反射鏡210照射雷射光，並使用其之反射光來測定XY平台105之位置。在一次中被作了照射的多重束20，理想上，係會成為以在光圈構件203之複數之孔的配列節距上乘上了上述之所期望之縮小率後的節距來作並排。描繪裝置100，係以將擊射束連續地依序逐次作照射之光柵掃描方式來進行描繪動作，在描繪所期望之圖案時，係因應於圖案，而將必要之束藉由遮沒控制而控制為束ON。
作為判定工程(S124)，描繪控制部72，係判定全部之擊射是否已結束。之後，若是全部擊射均結束，則結束動作，若是全部之擊射尚未結束，則係回到照射時間配列資料加工工程(S109)，並反覆進行從照射時間配列資料加工工程(S109)起直到判定工程(S124)為止之工程，直到全部擊射均結束為止。
圖12，係為用以對於在實施形態1中之描繪動作的其中一例作說明之概念圖。如圖12中所示一般，試料101之描繪區域30，例如，係朝向y方向而以特定之寬幅來假想分割成短籤狀之複數的條帶區域32。此些之各條帶區域32，係成為描繪單位區域。首先，使XY平台105移動，並以在第1個條帶區域32之左端或者是較其更左側的位置處而位置有藉由1次之多重束20的照射所能夠照射之照射區域34的方式來作調整，而開始描繪。在對於第1個條帶區域32進行描繪時，係藉由使XY 平台105例如朝向-x方向移動，來相對性地朝向x方向進行描繪。XY平台105，係以特定之速度而例如作連續移動。在第1個的條帶區域32之描繪結束後，使平台位置朝向-y方向移動，並以使照射區域34相對性地在y方向上而位置於第2個的條帶區域32之右端或者是較其更右側之位置處的方式，來進行調整，此次，係藉由使XY平台105例如朝向x方向移動，來朝向-x方向而同樣地進行描繪。在第3個的條帶區域32處，係朝向x方向進行描繪，在第4個的條帶區域32處，係朝向-x方向而進行描繪，藉由如此這般地一面交互改變方向一面進行描繪，係能夠縮短描繪時間。但是，係並不被限定於一面交互地改變方向一面進行描繪的情況，在對於各條帶區域32進行描繪時，係亦可設為朝向相同之方向而進行描繪。在1次的擊射中，係以藉由通過光圈構件203之各孔22一事所形成的多重束，而一次性地形成與各孔22相同數量之複數之擊射圖案。
圖13A~圖13C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之其中一例作說明之概念圖。在圖13A~圖13C之例中，例如，係針對在x、y方向上使用4×4的多重束來於條帶內進行描繪的例子作展示。在圖13A~圖13C之例中，例如，係針對在y方向上而以多重束全體之照射區域的約2倍之寬幅來將條帶區域作了分割的例子作展示。並且，係針對在x方向或者是y方向上，而一面一次一個網格地來使照射位置偏移，一面以4次之 擊射(1個擊射係為複數之照射步驟的合計)來使多重束全體之1個的照射區域結束曝光(描繪)的情況作展示。首先，針對條帶區域之上側的區域作描繪。在圖13A中，係針對以1次的擊射(1個擊射係為複數之照射步驟的合計)所照射了的網格區域作展示。接著，如圖13B中所示一般，朝向y方向而使位置偏移至尚未被照射之網格區域處，並進行第2次之擊射(複數之照射步驟之合計)。接著，如圖13C中所示一般，朝向x方向而使位置偏移至尚未被照射之網格區域處，並進行第3次之擊射(複數之照射步驟之合計)。
圖14A~圖14C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之其中一例作說明之概念圖。在圖14A~圖14C中，係對於圖13C之後續作展示。接著，如圖14A中所示一般，朝向y方向而使位置偏移至尚未被照射之網格區域處，並進行第4次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。藉由該4次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟的合計)來使多重束全體之1個的照射區域結束曝光(描繪)。接著，針對條帶區域之下側的區域作描繪。如圖14B中所示一般，針對條帶區域之下側的區域，進行第1次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。接著，朝向y方向而使位置偏移至尚未被照射之網格區域處，並進行第2次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。接著，朝向x方向而使位置偏移至尚未被照射之網格區域處，並進行第3次之擊射(1個擊 射係為複數之照射步驟之合計)。接著，朝向y方向而使位置偏移至尚未被照射之網格區域處，並進行第4次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。藉由以上之動作，條帶區域中之多重束的照射區域之第1列的描繪係結束。之後，只要如圖14C中所示一般，在x方向上移動，並針對多重束之照射區域的第2列而同樣地進行描繪即可。藉由反覆進行以上之動作，係能夠對於條帶區域全體進行描繪。
圖15A~圖15C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之另外一例作說明之概念圖。在圖15A~圖15C之例中，例如，係針對在x、y方向上使用4×4的多重束來於條帶內進行描繪的例子作展示。在圖15A~圖15C之例中，係針對使各束間之距離遠離，並例如在y方向上而以與多重束全體之照射區域同等或者是更些許廣的寬幅來將條帶區域作了分割的例子作展示。並且，係針對在x方向或者是y方向上，而一面一次一個網格地來使照射位置偏移，一面以16次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟的合計)來使多重束全體之1個的照射區域結束曝光(描繪)的情況作展示。在圖15A中，係針對以1次的擊射(1個擊射係為複數之照射步驟的合計)所照射了的網格區域作展示。接著，如圖15B中所示一般，一面朝向y方向而在尚未被照射之網格區域中使位置1次1個網格地來作偏移，一面依序進行第2、3、4次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。接著， 如圖15C中所示一般，朝向x方向而在尚未被照射之網格區域中使位置1次1個網格地來作偏移，並進行第5次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。接著，一面朝向y方向而使位置1次1個網格地來作偏移，一面依序進行第6、7、8次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。
圖16A~圖16C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之另外一例作說明之概念圖。在圖16A~圖16C中，係對於圖15C之後續作展示。如圖16A中所示一般，只要與在圖14A~圖14C中所說明了的動作相同地，而反覆依序進行剩餘之第9~16次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)即可。在圖15A~圖15C、圖16A~圖16C之例中，例如係針對進行多重描繪(多重度=2)的情況作展示。在此種情況中，係朝向x方向作多重束全體之照射區域之約1/2的尺寸之移動，並如圖16B中所示一般，進行多重描繪之第2層的第1次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟的合計)。以下，只要如同在圖15B以及圖15C中所作了說明一般，依序進行多重描繪之第2層的第2~8次之各擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)，並如圖16C中所示一般，與在圖15B以及圖15C中所說明了的動作相同地，反覆依序進行剩餘之第9~16次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)即可。
如同上述一般，若依據實施形態1，則係在身 為使用橫移暫存器來進行多重束之遮沒控制的遮沒裝置的同時，亦能夠配置更多的連接墊。故而，係能夠進行更多之束根數的遮沒控制。
以上，係一面參考具體例一面針對實施形態作了說明。但是，本發明，係並不被限定於此些之具體例。在上述之例中，雖係針對在橫移暫存器40處被輸入有10位元之控制訊號的情況來作了展示，但是，位元數係只要適宜作設定即可。例如，係亦可使用2位元或者是3位元~9位元之控制訊號。在此種情況時，在被作串聯連接之橫移暫存器40彼此間，以及被作串聯連接之橫移暫存器40的端部之橫移暫存器40與序列‧並列轉換部28之間，係只要藉由所設定了的位元數之並列配線來作連接即可。例如，係亦可使用11位元以上之控制訊號。
又，針對裝置構成或控制手法等之對於本發明之說明而言並非為直接必要的部份等，係省略記載，但是，係可適宜選擇所需要之裝置構成或控制手法並使用之。例如，針對控制描繪裝置100之控制部構成，雖係省略記載，但是，當然的，係適宜選擇所需要之控制部構成並作使用。
除此之外，具備有本發明之要素並且可為同業者所適宜進行設計變更的所有之多重荷電粒子束描繪裝置以及方法，均係被包含在本發明之範圍內。
27‧‧‧遮沒器
28A~28H‧‧‧序列‧並列轉換部
28a~28h‧‧‧序列‧並列轉換部
29A~29H‧‧‧連接墊
29a~29h‧‧‧連接墊
30‧‧‧薄膜區域
31‧‧‧基板
32‧‧‧外周區域
40‧‧‧橫移暫存器
47‧‧‧個別遮沒機構

Claims (12)

  1. 一種多重荷電粒子束之遮沒裝置，其特徵為，係具備有：基板，係被形成有配列為2維並使多重束通過之複數之開口部；和複數之橫移暫存器，係藉由被形成於前述基板中之與前述複數之開口部中的相對應之開口部之近旁，而被配列為2維，並構成被串聯地作了連接的複數之組；和複數之遮沒器，係具備有以包夾著前述複數之開口部中的相對應之開口部地而相對向的方式來配置在前述基板上之電極對，並藉由使前述電極對之至少1個分別經由前述複數之橫移暫存器中之相對應之橫移暫存器而被作控制，來產生偏向電場，並使多重束之相對應之束分別進行遮沒偏向；和複數之序列‧並列轉換部，係沿著將前述複數之橫移暫存器全體作包圍的矩形區域之4邊而被作配置，並以並列配線而被連接於藉由前述複數之橫移暫存器所構成的複數之組之至少1個處；和複數之連接墊，係沿著前述矩形區域之4邊而被作配置，並分別與前述複數之序列‧並列轉換部之1個相互成組，且藉由單一配線而與相互成為一組之序列‧並列轉換部作了連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，在前述4邊之各邊處，藉由前述連接墊和前述序列‧並列轉 換部所構成的複數之組，係以相同之節距而被作配置。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，在前述4邊之各邊處，藉由前述連接墊和前述序列‧並列轉換部所構成的複數之組，係被配置有相同之數量。
  4. 如申請專利範圍第2項所記載之裝置，其中，在前述4邊之各邊處，前述複數之組，係以前述多重束之束節距的2n倍之節距而被作配置，其中，n為自然數。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，係更進而具備有：基板，係具有膜厚為薄之第1區域、和膜厚為厚之第2區域，前述複數之橫移暫存器和前述複數之遮沒器，係被配置在前述基板之膜厚為薄之前述第1區域處，藉由前述連接墊和前述序列‧並列轉換部所構成的複數之組，係被配置在前述基板之膜厚為厚之前述第2區域處。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之裝置，其中，構成前述複數之組的各組之前述連接墊和前述序列‧並列轉換部之間之距離，係較該組所被作配置之矩形區域之邊與前述基板之端之間的距離而更小。
  7. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，係更進而具備有：複數之控制電路，係在前述第1區域內而被配列為2維，並對於前述複數之遮沒器的各個相對應之遮沒器進行控制。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之裝置，其中，在前述複數之控制電路之各者處，係分別被配置有前述複數之橫移暫存器中的相對應之橫移暫存器。
  9. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，前述複數之組，係藉由將在2維配列中之行或列上而並排之複數之橫移暫存器中的相異之組之橫移暫存器包夾於中間地而作了並排的橫移暫存器群所構成。
  10. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，前述複數之組，係具備有在2維配列中之每一行各者之組和每一列各者之組，並以不會在前述每一行各者之組和前述每一列各者之組之相互間而使橫移暫存器被重複作適用的方式，來作組合。
  11. 一種多重荷電粒子束描繪裝置，其特徵為，係具備有：平台，係載置試料，並可進行連續移動；和放出部，係放出荷電粒子束；和光圈構件，係被形成有複數之開口部，並於包含有前述複數之開口部全體的區域中，接收前述荷電粒子束之照射，而藉由使前述荷電粒子束之一部分分別通過前述複數之開口部，來形成多重束；和基板，係被形成有配列為2維並使多重束通過之複數之開口部；和複數之橫移暫存器，係藉由被形成於前述基板中之與前述複數之開口部中的相對應之開口部之近旁，而被配列 為2維，並構成被串聯地作了連接的複數之組；和複數之遮沒器，係具備有以包夾著前述複數之開口部中的相對應之開口部地而相對向的方式來配置在前述基板上之電極對，並藉由使前述電極對之至少1個分別經由前述複數之橫移暫存器中之相對應之橫移暫存器而被作控制，來產生偏向電場，並使通過了前述光圈構件之複數之開口部的多重束中之對應之束分別進行遮沒偏向；和複數之序列‧並列轉換部，係沿著將前述複數之橫移暫存器全體作包圍的矩形區域之4邊而被作配置，並以並列配線而被連接於藉由前述複數之橫移暫存器所構成的複數之組之至少1個處；和複數之連接墊，係沿著前述矩形區域之4邊而被作配置，並分別與前述複數之序列‧並列轉換部之1個相互成組，且藉由單一配線而與相互成為一組之序列‧並列轉換部作了連接。
  12. 一種多重荷電粒子束之遮沒裝置，其特徵為，係具備有：基板，係被形成有配列為2維並使多重束通過之複數之開口部；和複數之橫移暫存器，係藉由被形成於前述基板中之與前述複數之開口部中的相對應之開口部之近旁，而被配列為2維，並構成被串聯地作了連接的複數之組；和複數之偏向手段，係具備有以包夾著前述複數之開口部中的相對應之開口部地而相對向的方式來配置在前述基 板上之電極對，並藉由使前述電極對之至少1個分別經由前述複數之橫移暫存器中之相對應之橫移暫存器而被作控制，來產生偏向電場，並使多重束之相對應之束分別進行遮沒偏向；和複數之序列‧並列轉換手段，係沿著將前述複數之橫移暫存器全體作包圍的矩形區域之4邊而被作配置，並以並列配線而被連接於藉由前述複數之橫移暫存器所構成的複數之組之至少1個處；和複數之連接墊，係沿著前述矩形區域之4邊而被作配置，並分別與前述複數之序列‧並列轉換部之1個相互成組，且藉由單一配線而與相互成為一組之序列‧並列轉換部作了連接。
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