TWI545685B - 支承體分離裝置及支承體分離方法 - Google Patents

Description

支承體分離裝置及支承體分離方法

本發明，係有關於從層積體而將支承體分離之支承體分離裝置以及支承體分離方法。

近年來，對於IC卡、行動電話等之電子機器的薄型化、小型化、輕量化等係有所要求。為了滿足此些之要求，針對被組入之半導體晶片，亦係必須要使用薄型之半導體晶片。因此，成為半導體晶片之基礎的晶圓基板之厚度(膜厚)，在現狀下，係為125μm~150μm，但是，對於下一世代之晶片用而言，係被認為必須要成為25μm~50μm。故而，為了得到上述之膜厚的晶圓基板，晶圓基板之薄板化工程係為必要不可或缺。

晶圓基板，由於係會起因於薄板化而使強度降低，因此，為了防止薄板化後之晶圓基板的破損，在製造製程中，係一面在將支承板貼合於晶圓基板上的狀態下來進行自動搬送，一面在晶圓基板上安裝電路等之構造 物。又，在製造製程後，將晶圓基板從支承板而分離。故而，在製造製程中，係以將晶圓基板和支承板強固地作接著為理想，但是，在製造製程後，係以將晶圓基板從支承板而順暢地分離為理想。

當將晶圓基板和支承板強固地作了接著的情況時，依存於接著材料，想要並不使安裝在晶圓基板上之構造物破損地來將支承板從晶圓基板而分離一事，係為困難。故而，在製造製程中，係要求開發出能夠在實現晶圓基板和支承板間之強固之接著的同時，在製造製程後亦能夠並不使安裝在晶圓基板上之元件破損地來作分離之非常困難的暫時接著技術。

作為暫時接著技術，例如，係亦可預先在將晶圓基板以及支承板作接著之接著層和支承板之間，而設置會藉由照射光來產生變質的分離層。藉由在對於分離層照射光並使該分離層變質之後再對於將晶圓基板和支承板作了接著的層積體施加力，係能夠進行支承板和晶圓基板間之分離。

於此，在專利文獻1中，係記載有一種剝離裝置，其係具備有吸附支承板之吸附手段，並從被貼附有支承板之基板而將該支承板剝離。

又，在專利文獻2中，係記載有一種玻璃基板剝離裝置，其係具備有將中介存在有液體地而被吸附保持於吸附薄片上之玻璃基板從該吸附薄片而剝離之剝離手段。

[先行技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2010-16125號公報(2010年1月21日公開)

[專利文獻2]國際公開2013-5589號公報(2013年1月10日國際公開)

然而，當進行經由接著層而作了接著的支承體和基板間之分離時，作了變質之分離層，係會依存於區域之不同而在變質程度上有所差異。因此，若是僅將支承板垂直地上拉，則係會有無法適當地將支承體分離或者是導致基板之破損或變形之虞。

本發明之支承體分離裝置以及支承體分離方法，係為有鑑於上述課題所進行者，其目的，係在於從層積體而將支承體以更小的力量並且對於基板之破損以及變形有所抑制地來作分離。

本發明之支承體分離裝置，係為了解決上述課題，而具備有下述特徵：亦即是，係為從將基板和接著層和藉由吸收光而變質之分離層以及支承體依此順序而層積所成之層積體，而將上述支承體分離之支承體分離裝置，其特徵為，係具備有：將上述層積體之其中一面作保持之保持部；和使上述保持部升降之升降部；和用以將施 加於上述保持部處的力保持為一定之調整部。

本發明之支承體分離方法，係具備有下述特徵：亦即是，係為從將基板和接著層和藉由吸收光而變質之分離層以及支承體依此順序而層積所成之層積體，而將上述支承體分離之支承體分離方法，其特徵為：係將上述層積體固定，並將層積體之其中一面以將所施加之力保持為一定的方式來調整並作保持，並且使其升降。

本發明之支承體分離裝置以及支承體分離方法，係能夠得到下述之效果：亦即是，係能夠從層積體而將支承體以更小的力量並且對於基板之破損以及變形有所抑制地來作分離。

1‧‧‧基板

2‧‧‧接著層

3‧‧‧分離層

4‧‧‧支承板(支承體)

5‧‧‧切割膠帶

6‧‧‧切割框架

7‧‧‧多孔質部

8‧‧‧平台

11‧‧‧保持部

12‧‧‧升降部

13‧‧‧調整部

14‧‧‧檢測部

15‧‧‧平板部

16‧‧‧擋止構件

100‧‧‧支承體分離裝置

[圖1]係為對於本發明之其中一種實施形態的支承體分離裝置之概略性構成作展示之圖，(a)係為側面圖，(b)係為上面圖。

以下，使用圖1，針對本發明之其中一種實施形態作說明。圖1，係為對於本發明之其中一種實施形態的支承體分離裝置100之概略性構成作展示之圖，(a)係為側面圖，(b)係為上面圖。

〔支承體分離裝置100〕

本實施形態之支承體分離裝置100，係如圖1之(a)中所示一般，具備有多孔質部7、平台8、保持部11、升降部12、調整部13、檢測部14、平板部15以及擋止構件16。

支承體分離裝置100，係為用以從將基板1和接著層2和藉由吸收光而變質之分離層3以及支承板(支承體)4依此順序而層積所成之層積體，而將支承板4分離之裝置。又，支承體分離裝置100，係具備有對於分離層3照射光之光照射手段，係能夠在以搭載於支承體分離裝置100處之狀態下而使分離層3變質之後，從層積體來將支承板4分離，或者是，亦能夠在於支承體分離裝置100之外部處而使分離層3變質之後，再將層積體搬送至支承體分離裝置100處，並從層積體而將支承板4分離。

(基板1)

基板1，係經由接著層2而被貼附在支承板4上。又，基板1，係能夠在被支承於支承板4上的狀態下，而供給至薄化、安裝等之製程中。作為基板1，係並不被限定於矽晶圓基板，亦可使用陶瓷基板、薄的薄膜基板、可撓性基板等之任意的基板。

(支承板4)

支承板(支承體)4，係為支承基板1之支承體，並經由接著層2而被貼附在基板1上。因此，作為支承板4，係只要具備有在基板1之薄化、搬送、安裝等之製程時而能夠防止基板1之破損或變形的所需之強度即可。根據以上之觀點，作為支承板4，係可列舉出由玻璃、矽、丙烯酸系樹脂所成者等。

(接著層2)

接著層2，係為將基板1和支承板4作貼合者，並藉由在基板1上塗布接著劑一事而形成之。作為對於基板1或支承板4塗布接著劑之塗布方法，雖並未特別限定，但是，例如，係可列舉出旋轉塗布、浸漬、排輪(rollerblade)、噴霧塗布、細縫塗布等之方法。另外，在本實施形態中，雖係在基板上形成接著層，但是，係並不被限定於此，而亦可在支承體上形成接著層。

作為形成接著層2之接著劑，雖係未特別限定而可任意作使用，但是，係以會經由加熱而使熱流動性提昇之熱可塑性的接著材料為理想。作為熱可塑性之接著材料，例如，係可列舉出丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、烴系樹脂、彈性體等。

接著層2之厚度，雖可因應於成為貼合對象之基板1以及支承板4的種類、在接著後所對於基板1施加之處理等，而適宜作設定，但是，係以5~300μm為理想，又以10~200μm為更理想。

(分離層3)

分離層3，係為藉由照射光而產生變質之層。分離層3，係被形成在基板1和支承板4之間。因此，藉由在基板1之薄化、搬送、安裝等之製程後而對於分離層3照射光，係能夠容易地將基板1和支承板4分離。

在本說明書中，所謂分離層3「變質」，係指分離層3成為僅受到些微之外力便能夠被破壞的狀態，或者是成為使與分離層3相接之層之間的接著力降低的狀態之現象。又，分離層3之變質，係可為由所吸收了的光之能量所導致的(發熱性或非發熱性之)分解、交聯、立體配置之變化或官能基之解離(以及，伴隨於此些所產生之分離層3之硬化、脫氣、收縮或膨脹)等。

又，作為分離層3，係亦可使用藉由電漿CVD法所形成的無機膜或有機膜。作為無機膜，例如，係可使用金屬膜。又，作為有機膜，係可使用全氟碳膜。此種反應膜，例如，係可在支承板4上藉由電漿CVD法來形成。

作為照射於分離層3處之光，只要因應於分離層3所能夠吸收之波長，而例如適宜使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO₄雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射，色素雷射等之液體雷射、CO₂雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射，半導體雷射，自由電子雷射等之雷射光，或者是非雷射光。作為應 被分離層3所吸收之光的波長，雖並不被限定於此，但是，例如，係可為600nm以下之波長的光。

分離層3，係亦可包含有例如會藉由光等而被分解之光吸收劑。作為光吸收劑，例如，係可使用石墨粉、鐵、鋁、銅、鎳、鈷、錳、鉻、鋅、碲等之微粒子金屬粉末，黑色氧化鈦等之金屬氧化物粉末，炭黑，或者是芳香族二胺系金屬錯合物，脂肪族二胺系金屬錯合物，芳香族二硫醇金屬錯合物，巰基酚系金屬錯合物，方酸菁系化合物，花青系色素，次甲基系色素，萘醌系色素，蒽醌系色素等之染料或者是顏料。作為此種分離層3，例如，係可藉由與黏著劑樹脂混合並塗布在支承板4上而形成之。又，亦可將具有光吸收基之樹脂作為分離層3來使用。

(切割膠帶5)

切割膠帶5，係為了將基板1之強度作補強而被接著於基板1之單面上。在本實施形態中，於層積體中之基板1，係被貼著在切割膠帶5上，該切割膠帶5，係於其之外周處被安裝有切割框架6。

作為切割膠帶5，例如係可使用在基底薄膜上被形成有黏著層之構成的切割膠帶。作為基底薄膜，例如，係可使用PVC(聚氯乙烯)、聚烯烴或者是聚丙烯等之樹脂薄膜。切割膠帶5之外徑，係較基板1之外徑更大，若是將此些作貼合，則係成為在基板1之外緣部分處 露出有切割膠帶5之一部分的狀態。

在切割膠帶5之露出面的更外周處，係被安裝有用以防止切割膠帶5之撓折的切割框架6。亦即是，在切割膠帶5之外緣部分處，係成為露出有切割框架6之狀態。作為切割框架6，例如，係可列舉出鋁等之金屬製的切割框架、不鏽鋼(SUS)等之合金製之切割框架、以及樹脂製之切割框架。作為樹脂製之切割框架，例如，係可列舉出信越聚合物股份有限公司製或者是股份有限公司DISCO製之樹脂製切割框架等。

作為切割框架6，若是使用金屬製或合金製之切割框架，則係具有剛性而難以變形，並且為低價，但是，若是相較於樹脂製之切割框架，則由於係為重，因此在搬送時會對於作業者或搬送機器人造成負擔。近年來，係開發有平坦且具有剛性之樹脂製的切割框架，相較於在先前技術中所廣泛使用之金屬製或合金製之切割框架，係有著為輕量之優點。樹脂製之切割框架，由於係為輕量，因此係容易搬送，進而，在相對於金屬製之框架卡匣而進出時，係有著起因於摩擦所導致的塵埃之發生為少的優點。

以下，針對支承體分離裝置100之各構成作說明。

(多孔質部7)

多孔質部7，係指被設置在平台8處之多孔性部分。 以使層積體位置在多孔質部7上的方式，來將貼附有切割膠帶5之層積體載置於平台8上。藉由此，係能夠經由多孔質部7而吸引貼附有切割膠帶5之層積體，而能夠適當地將層積體固定在平台8上。藉由經由多孔質部7來將層積體固定在平台8上，就算是在藉由升降部12而使保持支承板4之保持部11作了上升的情況時，亦能夠防止層積體上升的情形。故而，藉由使保持支承板4之保持部11升降，係能夠將支承板4從被固定在平台上之層積體而分離。

(保持部11)

保持部11，係為將層積體之其中一面作保持的吸附墊片。在本實施形態中，保持部11，係將層積體之與被設置有支承板4之分離層3的面相反側之面作保持。保持部11，係在兩端處具備有開口部，並在內部具備有中空部，其中一方之開口部係與支承板4相接觸，另外一方之開口部係被與吸引手段(未圖示)作連接。因此，藉由使吸引手段進行吸引，支承板4係被吸引於保持部11處並被作保持。另外，保持部11，係並不被限定於如同本實施形態一般之吸引支承板4並作保持的形態，例如，係亦可為把持支承板4而作保持之構成。

如圖1之(b)中所示一般，保持部11，係被設置於圓形狀之平板部15處，並從平板部15之中心起而等距離地將4個的保持部11分別設置有2組。因應於所 保持之支承板4的大小，所使用之保持部11係會有所相異，例如，在保持半徑為小之支承板4時，係使用內側之4個的保持部11，在保持半徑為大之支承板4時，係使用外側之4個的保持部11。在本實施形態中，係列舉出使用外側之4個保持部的情況作為例子。

又，從平板部15之中心起而等距離之4個1組的保持部11，由於係分別以等間隔而被作設置，因此，保持部11係能夠無偏離地而保持支承板4。另外，從平板部15之中心起而被等距離地作配置之保持部11，係並不被限定於4個，而亦可為任意之數量。

又，在本實施形態中，外側之保持部11的中心(保持部11之開口部的中心)，係以位在平板部15之外周近旁處為理想。外側之4個的保持部11之中心，係以位置在藉由從平板部15之中心起而延伸的線條並且相當於平板部15之半徑的80%以上之長度的線條所形成之圓的圓周上為更理想。進而，外側之4個的保持部11之中心，係以位置在藉由平板部15之半徑的90%以上略100%以下之長度的線條所形成之圓的圓周上為更理想。外側之保持部11的中心，係藉由位置在平板部15之外周近旁處，而成為易於對支承板4之全體均等地施加力，並成為易於將支承板4從層積體而分離。

又，在本實施形態中，平板部15之形狀和支承板4之形狀，係以成為略相同(全等)為理想，平板部15之半徑和支承板4之半徑，係以成為略相同為更理 想。

當將4個1組的保持部11與吸引手段作連接，並藉由該吸引手段而進行吸引來將支承板4作吸引保持的情況時，係以將4個1組的保持部11之吸引力以合計而設為70kPa以上100kPa以下為理想，又以設為80kPa以上90kPa以下為更理想。藉由此，保持部11係能夠適當地將支承板4作吸引保持。另外，為了使保持部11將支承板4無偏離地作保持，係以將所有的保持部11之吸引力設為互為相等為理想。

(升降部12)

升降部12，係為用以使保持部11升降者。藉由使保持支承板4之保持部11升降，係能夠將基板1和支承板4分離。

藉由照射光而作了變質的分離層3，係成為僅受到些微之外力便能夠被破壞的狀態，或者是成為使與分離層3相接之層(接著層2)之間的接著力降低的狀態。故而，藉由在將層積體固定於平台8上的狀態下而使保持支承板4之保持部11上升，係能夠容易地將支承板4從層積體而分離。

作為在將層積體固定於平台8上的狀態下而使保持支承板4之保持部11上升的速度，係以成為1mm/秒以上2mm/秒以下為理想。藉由此，係能夠將支承板4緩慢地分離，而不會有對於基板1或支承板4過度地施加 力的情形。又，當在維持於將支承板4作了保持的狀態下而將保持部11合計上拉了20mm程度的情況時，通常支承板4係從層積體而分離。故而，在將保持部11合計上拉了20mm程度之後，就算是將使保持部11上升的速度提高，也不會對於基板1施加過度之力。

(調整部13)

調整部13，係被安裝於平板部15處，並為用以將施加於保持部11處之力保持為一定者。藉由此，來抑制對於保持部11所保持之層積體而過度地施加力的情形，而能夠防止基板1之破損、變形等。

在本實施形態中，調整部13，係具備有相對於保持部11而為可動之關節。又，關節之進行移動時的軌跡，係為會與層積體之面成為平行或垂直一般之弧或圓。藉由使關節相對於被設置在平板部15處之保持部11而可自由移動，係能夠將施加於保持部11處之力保持為一定。

當進行移動之關節的軌跡係為與層積體之面成為平行之弧或圓的情況時，保持部11以及保持部11所保持之支承板4，係描繪出會成為與層積體之面相平行一般之弧或圓的軌跡。

所謂進行移動之關節的軌跡係為與層積體之面成為垂直之弧的情況，係指移動之關節所描繪的弧(亦包含弧的延長線)之某一切線會與層積體之面垂直地相交 的情形。

作為關節，只要是相對於保持部11而可移動者，則並不作限定，例如，係可列舉出浮動關節、萬向關節等。藉由將此些之關節作為調整部13來使用，當保持部11將支承板4作保持的情況時，保持部11係與支承板4一同動作。故而，係對於保持部11所保持之支承板4全體而均等地施加力，並從與接著層2之間的接著為弱之部分的分離層3起來逐漸與接著層2相剝離、從與分離層3之間的接著為弱的部份之支承板4起來逐漸與分離層3相剝離、或者是從容易被破壞之部分的分離層3起而被破壞並使支承板4從層積體而逐漸分離。

當保持部11保持支承板4時，係亦可在將層積體固定於平台8之多孔質部7處的狀態下，而使保持部11傾斜。藉由此，係能夠相對於作了固定的層積體來使支承板4傾斜。藉由使支承板4傾斜，係成為容易將支承板4從層積體而分離。

在本實施形態之支承體分離裝置100處，係以不會使保持部11作必要以上之傾斜的方式，而作為卡止手段來設置有擋止構件16。此時，若是保持部11想要作必要以上之傾斜，則擋止構件16和調整部13或者是平板部15係相接觸，平板部15係並不會作更進一步之傾斜。故而，係能夠防止對於基板1或支承板4過度地施加力的情形。

進而，當相對於作了固定的層積體而使支承 板4傾斜的情況時，係以使在支承板4處之最高的位置和在支承板4處之最低的位置之兩者間的高低差會成為1cm以下的方式來設置擋止構件16為理想。藉由將該高低差設為1cm以下，不會有對於基板1或支承板4過度地施加力的情形，而能夠防止基板1或支承板4之破損或變形。

(檢測部14)

檢測部14，係為用以檢測出施加於升降部12處之力者。因此，檢測部14，係成為檢測出是否對於升降部12而施加有過度之力、亦即是成為檢測出是否對於保持部11所保持之層積體而施加有過度之力。故而，當有對於保持部11所保持之層積體而過度地施加力之虞時，例如，保持部11係解除支承板4之保持，或者是，升降部12係停止保持部11之上升。藉由此，來抑制對於保持部11所保持之層積體而過度地施加力的情形，而能夠適當地防止基板1之破損、變形等。另外，作為本發明之支承體分離裝置所具備之檢測部，例如，係可使用負載胞等。

又，支承體分離裝置100，係亦可具備有當由檢測部14所得到之檢測結果為預先所設定之臨限值以上時，將支承體分離處理中斷之控制部。作為將支承體分離處理中斷之處理，例如，係可列舉出將由保持部11所致之層積體之保持解除，或者是將由升降部12所致之保持部11之上升停止等。藉由此，當對於保持部11所保持之層積體而過度地施加了力時，控制部係自動地將支承體分 離處理中斷，而能夠適當地防止基板1之破損、變形等。

作為預先所設定之臨限值，只要是不會產生基板1之破損、變形等之值。則係並不作限定，但是，係以2.0Kgf以上、7.0Kgf以下為理想，又以3.0Kgf以上、5.0Kgf以下為更理想。藉由此，當分離層3充分地變質的情況時，就算是在對於層積體施加了未滿臨限值之力時，也能夠將支承板4從層積體而分離。進而，在對於層積體而施加了上述臨限值程度之力的情況時，係並不會發生基板1之破損、變形等。故而，係能夠在發生基板1之破損、變形之前，便將支承體分離處理中斷。

進而，控制部，係亦能夠以在中止了支承體分離處理之後而再度開始支承板4之分離的方式，來對於支承體分離裝置100作控制。例如，控制部，當將由保持部11所致之層積體之保持解除的情況時，係以再度使保持部11將層積體作保持的方式來控制支承體分離裝置100，或者是，當將由升降部12所致之保持部11之上升作了停止的情況時，係以再度令升降部12使保持部11上升的方式來控制支承體控制裝置100。藉由此，係能夠使支承體分離裝置100再度自動地進行支承板4之分離。另外，當再度開始支承板4之分離，並且由檢測部14所得到之檢測結果再度超過了預先所設定之臨限值以上的情況時，控制部係將支承體分離處理中斷。

進而，控制部，係亦可構成為當對於相同之層積體而斷續性地施加了3次的臨限值以上之力的情況 時，以結束支持體分離處理的方式來對於支承體分離裝置100作控制。當就算是斷續性地施加了3次之臨限值以上之力也無法將支承板4分離的情況時，就算是反覆進行在同一條件下之支承體分離處理，之後能夠將支承板4適當地分離的可能性亦為少。因此，當就算是到達了預先所制定之次數(在本實施形態中，係為3次)也無法將支承板4分離的情況時，藉由令控制部以使支承體分離處理結束的方式來控制支承體分離裝置100，係能夠防止反覆進行不必要之處理的情況。另外，控制部之直到結束支承體分離處理為止所對於相同之層積體而施加臨限值以上之力的次數，係並不被限定於3次，使用者係可適宜對於該次數作制定。

〔支承體分離裝置100之動作流程〕

以下，針對本發明之其中一種實施形態的支承體分離裝置100之動作流程作說明。首先，係將照射光而使分離層3作了變質的層積體設置在平台8上。此時，係能夠經由多孔質部7而吸引貼附有切割膠帶5之層積體，而能夠將層積體固定在平台8上。

接著，保持部11，係將層積體之與被設置有支承板4之分離層3的面相反側之面作保持。在本實施形態中，係使用與保持部11作了連接的吸引手段，而將支承板4吸引於保持部11處並作保持。

之後，藉由使升降部12上升，而使保持支承 板4之保持部11上升。藉由此，係能夠在將層積體固定在平台8上的狀態下，而使支承板4(層積體之其中一面)上升。

當在使支承板4上升時所施加在層積體處之力為未滿預先所制定之臨限值的情況時，係並不使支承體分離處理中斷地而使支承板4上升。故而，係能夠將支承板4從層積體而分離。

另一方面，當在使支承板4上升時所施加在層積體處之力為預先所制定之臨限值以上的情況時，係將支承體分離處理中斷。之後，再度對於同一之層積體而進行支承體分離處理。又，當對於層積體而將臨限值以上之力斷續地作了預先所制定之次數(例如，3次)的情況時，係結束支承體分離處理。

針對雖然結束了支承體分離處理但是仍無法將支承板4從基板1而分離的層積體，係亦可再度從支承板4側來照射光並使分離層3更進一步變質。藉由此，當再度針對同一層積體而施加了支承體分離處理的情況時，係成為更容易將支承板4從層積體而分離。

在本實施形態中，支承體分離裝置100，係具備有將層積體之其中一面作保持之保持部11、和用以在藉由升降部12而使保持部11升降時將施加於保持部11處之力保持為一定的調整部13。因此，係對於保持部11所保持之支承板4全體而均等地施加力，並從與接著層2之間的接著為弱之部分的分離層3起來逐漸與接著層2相 剝離、從與分離層3之間的接著為弱的部份之支承板4起來逐漸與分離層3相剝離、或者是從容易被破壞之部分的分離層3起而被破壞並使支承板4從層積體而逐漸分離。故而，係能夠並不使基板1或支承板4破損、變形地，而將支承體4以更小的力量並且對於基板之破損以及變形有所抑制地來從層積體而分離。

在使用本實施形態之支承體分離裝置100而將支承板4作了分離之後，將支承板4作保持之保持部11，例如，係亦可將支承板4，搬送至將附著於支承板4處之分離層3除去的除去部(未圖示)處，或者是搬送至將分離層3除去之分離層除去裝置(未圖示)處。

另外，在本實施形態中，雖係針對使用有支承體分離裝置100之支承體分離方法而作了說明，但是，本發明係並不被限定於此，針對使用有其他之支承體分離裝置的支承體分離方法以及並不使用支承體分離裝置地而將支承體分離的情況，係亦被包含在本發明之支承體分離方法中。

以下，對於實施例作展示，並針對本發明之實施形態作更詳細的說明。當然的，本發明係並不被限定於以下之實施例，當然的，針對細部構成，係能夠採用各種之型態。進而，本發明係並不被限定於上述之實施形態，在申請專利範圍所示之範圍內，係可進行各種之變更，關於將各個作了揭示的技術性手段作適宜組合所得到的實施形態，係亦被包含在本發明之技術性範圍內。又， 係將在本說明書中所記載之所有文獻作為參考而援用之。

[實施例]

[實施例1]

(層積體之製作)

如同下述一般而製作了實施例之層積體。首先，在流量400sccm、壓力700mTorr、高頻電力2500W以及成膜溫度240℃的條件下，藉由作為反應氣體而使用有C₄F₈之CVD法，來將身為分離層之全氟化碳膜(厚度1μm)形成在支承體(12吋玻璃支承板，厚度700μm)上。接著，在12吋矽晶圓上，將身為接著劑組成物之TZNR-A3007t(東京應化工業股份有限公司製)作旋轉塗布，並以100℃、160℃、200℃來各加熱3分鐘，而形成了接著層(膜厚50μm)。之後，在真空下、220℃、4000Kg的條件下，以3分鐘來隔著接著層以及分離層而進行矽晶圓和支承板之間的貼合，而製作了層積體。

(支承板之分離)

將藉由上述製作條件所製作出的層積體，如同下述一般而進行了處理，並針對支承板是否從矽晶圓而分離一事作了評價。

將具備有532nm之波長的脈衝雷射，從層積體之支承板側來朝向分離層作了照射。作為雷射條件，係為電流19A，照射速度6500mm/sec、脈衝頻率40kHz、照 射節距180μm、照射範圍 309mm。

在以上述條件而照射了脈衝雷射之後，藉由圖1中所示之作為調整部而具備有關節的支承體分離裝置，來將支承板從層積體而作了分離。在支承體分離裝置處，係在半徑150mm之平板部處，於距離其外周10mm的位置處，作為保持部而設置了4個的吸附墊片( 15mm)(吸附墊片之中心係位置在距離外周2.5mm之位置處)，並將支承板以合計90kPa之吸附力來吸附在該吸附墊片上。之後，在將層積體固定在平台上的狀態下，而將吸附有支承板之吸附墊片以1~2mm/sec之速度來作了上拉。此時，若是藉由檢測部而檢測出施加於使保持部上升之升降部處的力，則係為0.3Kgf。之後，將吸附有支承板之吸附墊片上拉20mm，而將支承板從固定在平台上之層積體作了分離。

[比較例1]

藉由與實施例1相同之方法而製作層積體，並且以同樣的條件來將雷射作了照射。

在藉由與實施例1相同之條件來照射了脈衝雷射之後，使用支承體分離裝置來將支承板從層積體作了分離。在本比較例中所使用之支承體分離裝置，係並未被設置有用以將施加於保持部之力保持為一定的調整部(關節)，保持部係並不會朝向升降方向以外之方向而移動。關於在本比較例中所使用之支承體分離裝置中的平板部和 吸附墊片，係與實施例1相同。

首先，使用比較例之支承體分離裝置，來將支承板以合計90kPa之吸附力而吸附在該吸附墊片處。之後，在將層積體固定在平台上的狀態下，而將吸附有支承板之吸附墊片以1~2mm/sec之速度來作了上拉。此時，若是藉由檢測部而檢測出施加於使保持部上升之升降部處的力，則係為3.0Kgf，但是，矽晶圓係破裂。

在實施例1中，係能夠以相較於比較例1而使施加在升降部處之力成為更小的狀態下，來將支承板從層積體而分離。另一方面，在比較例1中，相較於實施例1，施加在升降部處之力係為更大，其結果，在將支承板從層積體而分離時，矽晶圓係破碎。根據上述結果，可以得知，在使用了實施例1之支承體分離裝置的情況時，係能夠在對於升降部而施加更小之力的狀態下，來將支承板從層積體而更安定地作分離。

[產業上之利用可能性]

本發明之支承體分離裝置以及支承體分離方法，例如，係可在微細化日益進展之半導體裝置的製造工程中而廣泛地作利用。

1‧‧‧基板

2‧‧‧接著層

3‧‧‧分離層

4‧‧‧支承板(支承體)

5‧‧‧切割膠帶

6‧‧‧切割框架

7‧‧‧多孔質部

8‧‧‧平台

11‧‧‧保持部

12‧‧‧升降部

13‧‧‧調整部

14‧‧‧檢測部

15‧‧‧平板部

16‧‧‧擋止構件

100‧‧‧支承體分離裝置

Claims (10)

1. 一種支承體分離裝置，係為從將基板和接著層和藉由吸收光而變質之分離層以及支承體依此順序而層積所成之層積體，而將上述支承體分離之支承體分離裝置，該支承體分離裝置，其特徵為，係具備有：將上述層積體之其中一面做保持之保持部；和使上述保持部升降之升降部；和用以將施加於上述保持部處的力保持為一定之調整部；及當上述保持部傾斜時，接觸於上述調整部、或者具備上述保持部的平板部的卡止手段。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之支承體分離裝置，其中，上述調整部，係具備有相對於上述保持部而為可動之關節，上述關節，其移動時之軌跡，係會成為與上述層積體之面相平行或者是相垂直的弧或是圓。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之支承體分離裝置，其中，係更進而具備有檢測出施加於上述升降部處之力的檢測部。
4. 如申請專利範圍第3項所記載之支承體分離裝置，其中，係具備有：當由上述檢測部所得到的檢測結果係為預先所設定之臨限值以上時，藉由將由上述保持部所進行之層積體的保持解除以及將由上述升降部所進行之保持部的上升停止之至少其中一者，來中斷支承體分離處理之控制部。
5. 如申請專利範圍第4項所記載之支承體分離裝置，其中，上述臨限值係為2.0Kgf以上7.0Kgf以下。
6. 一種支承體分離方法，係為從將基板和接著層和藉由吸收光而變質之分離層以及支承體依此順序而層積所成之層積體，而將上述支承體分離之支承體分離方法，該支承體分離方法，其特徵為：係將上述層積體固定，藉由保持部來保持層積體之其中一面，並使具備有相對於上述保持部而為可動之關節的調整部升降，當上述保持部傾斜時，使上述調整部、或者具備上述保持部的平板部，接觸於卡止手段。
7. 如申請專利範圍第6項所記載之支承體分離方法，其中，係當使上述層積體之其中一面上升時所施加在該層積體處之力為預先所設定之臨限值以上時，藉由上述層積體的保持之解除以及將上述面的上升停止之至少其中一者，來中斷支承體分離處理。
8. 如申請專利範圍第7項所記載之支承體分離方法，其中，當上述力係為上述臨限值以上時，係中斷上述支承體分離處理，之後，再度對於同一層積體而進行上述支承體分離處理。
9. 一種支承體分離方法，係為從將基板和接著層和藉由吸收光而變質之分離層以及支承體依此順序而層積所成之層積體，而將上述支承體分離之支承體分離方法，該支承體分離方法，其特徵為：係將上述層積體固定，藉由保持部來保持層積體之其 中一面，並使相對於上述保持部而為可動之關節升降，而促使上述層積體升降，當使上述層積體之其中一面上升時所施加在該層積體處之力為預先所設定之臨限值以上時，藉由上述層積體的保持之解除以及將上述面的上升停止之至少其中一者，來中斷支承體分離處理，當對於1個層積體而斷續性地施加了3次的上述臨限值以上之力的情況時，係結束上述支承體分離處理。
10. 如申請專利範圍第1項所記載之支承體分離裝置，其中，藉由使上述卡止手段，接觸於上述調整部、或者具備上述保持部的平板部，而使上述支持體之最高的位置與上述支持體之最低的位置之間的高度差形成1cm以下。