TWI542993B - 啟動偵測系統 - Google Patents
啟動偵測系統 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI542993B TWI542993B TW101125380A TW101125380A TWI542993B TW I542993 B TWI542993 B TW I542993B TW 101125380 A TW101125380 A TW 101125380A TW 101125380 A TW101125380 A TW 101125380A TW I542993 B TWI542993 B TW I542993B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- detection signal
- start detection
- voltage value
- signal
- activation
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/143—Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/12005—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising voltage or current generators
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/148—Details of power up or power down circuits, standby circuits or recovery circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/31701—Arrangements for setting the Unit Under Test [UUT] in a test mode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Sources (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Description
本發明是有關於啟動偵測系統(power up detecting system),尤指一種擁有一個以上之啟動點(trip point)的啟動偵測系統。
動態快取記憶體(DRAM)裝置有著一些問題,像是:假如啟動偵測電路之啟動點(trip point)被設定太低,那麼於電源上升之時間內,裝置便會非預期地輸出邏輯值0或1。啟動偵測電路是用於偵測一電源供應器所提供之電源的電壓值,以產生一啟動偵測訊號PD,而啟動點是指啟動偵測訊號PD之電壓值達到一預定電壓值Vpre時,啟動偵測訊號PD從一邏輯值0轉變為一邏輯值1之點(如第1圖所示)。
因此,假如啟動點被設定太低,則電路邏輯可能無法在啟動偵測訊號PD啟動前正確地操作。然而,裝置可以在非理想狀態下於一供應電壓上運行,因為該裝置必須要能在很低的電壓下運作,以求能在低電壓界限(low voltage margin)之下被測試。
因此,本發明之一目的在於提供一種包含一個以上啟動點之啟動偵測系統。
本發明之一實施例揭露了一種用以依據一電源供應器所提供之電源來產生一第一啟動偵測訊號與一第二啟動偵測訊號其中之一以作為一最終啟動偵測訊號的啟動偵測系統。該啟動偵測系統包含:一啟動偵測模組,由一控制訊號控制以於一第一模式中產生該第一啟動偵測訊號,並在一第二模式中產生該第二啟動偵測訊號,其中該第一啟動偵測訊號之一電壓位準在該電源達到一第一預定電壓值時會產生準位變遷,而該第二啟動偵測訊號之一電壓位準在該電源達到一第二預定電壓值時會產生準位變遷;以及該第一預定電壓值高於該第二預定電壓值。
本發明之另一實施例揭露了一種用以依據一電源供應器所提供之電源來輸出一第一啟動偵測訊號與一第二啟動偵測訊號其中之一以作為一最終啟動偵測訊號的啟動偵測系統。該啟動偵測系統包含一啟動偵測模組與一選擇器。該啟動偵測模組是用以產生該第一啟動偵測訊號與該第二啟動偵測訊號。該第一啟動偵測訊號之一電壓位準在該電源達到一第一預定電壓值時會產生準位變遷,而該第二啟動偵測訊號之該電壓位準在該電源達到一第二預定電壓值時會產生準位變遷。該該第一預定電壓值高於該第二預定電壓值。該選擇器是由一控制訊號控制以在一第一模式輸出該第一啟動偵測訊號,並在一第二模式輸出該第二啟動偵測訊號,啟動以作為該最終啟動偵測訊號。
從上述實施例來看,本發明所揭示的啟動偵測系統包含一個以
上之啟動點,因而可對應不同情況選擇一合適之啟動點,如此一來,可解決上述之選擇啟動點的問題。
在說明書及後續的申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。所屬領域中具有通常知識者應可理解,硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及後續的申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式,而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及後續的請求項當中所提及的「包含」係為一開放式的用語,故應解釋成「包含但不限定於」。另外,「耦接」一詞在此係包含任何直接及間接的電氣連接手段。因此,若文中描述一第一裝置耦接於一第二裝置,則代表該第一裝置可直接電氣連接於該第二裝置,或透過其他裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝置。
第2圖是依據本發明一實施例之一啟動偵測系統200的方塊圖。如第2圖所示,啟動偵測系統200依據電源供應器205所提供之電源PW,以產生第一啟動偵測訊號PD1與第二啟動訊號PD2其中之一來作為最終啟動偵測訊號PDF。啟動偵測系統200包含一啟動偵測模組203,其是由控制訊號CS所控制,以於一第一模式中產生第一啟動偵測訊號PD1,以及於一第二模式中產生第二啟動偵測訊號PD2。啟動偵測模組203於該第一模式中使用一第一啟動點,並於該第二模式中使用一第二啟動點,而該第一啟動點高於該第二
啟動點。
第3圖是第2圖中之啟動偵測系統之操作的時序圖。如第3圖所示,第一啟動偵測訊號PD1之電壓準位會在電源達到第一預定電壓值Vpre1時產生準位變遷,而第二啟動偵測訊號PD2之電壓準位則會在電源達到低於第一預定電壓值Vpre1之第二預定電壓值Vpre2時產生準位變遷。在第2圖所示之實施例中,控制訊號CS是由包含於啟動偵測系統200內之控制器201所產生,但控制訊號CS也可由其它裝置來產生。
在另一實施例中,電源PW是用以作為目標電子裝置207之操作電源。在此例子中,該第一模式指的是目標電子裝置207操作在一正常模式(normal mode)之下,而該第二模式指的是目標電子裝置207操作在一測試模式(test mode)之下,因此,可對應不同情形來選擇一適合之啟動點,如此一來,上述之選擇啟動點的問題便可被解決。
第4圖是依據本發明另一實施例之一啟動偵測系統的方塊圖。請注意,與第2圖中所示的一些裝置相同之裝置在第4圖中被省略以求簡潔。在此實施例中,啟動偵測模組203包含一第一啟動偵測電路401與一第二啟動偵測電路403。第一啟動偵測電路401是由控制訊號CS所控制以於該第一模式產生第一啟動偵測訊號PD1。第二啟動偵測電路403是由控制訊號CS所控制以於該第二模式產
生第二啟動偵測訊號PD2,也就是說,第一啟動偵測訊號PD1與第二啟動偵測訊號PD2可透過一單一電路或模組來產生(像是第2圖所示之實施例),然而,於一設計變化中,第一啟動偵測訊號PD1與第二啟動偵測訊號PD2也可各自透過獨立電路來產生(像是第4圖所示之實施例)。
第5圖是依據本發明之另一實施例之一啟動偵測系統的方塊圖。在第5圖中,電源偵測系統500也包含了一電源偵測模組501。然而,電源偵測模組501會同時產生第一啟動偵測訊號PD1與第二啟動偵測訊號PD2,而非只有產生第一啟動偵測訊號PD1與第二啟動偵測訊號PD2的其中之一。電源偵測模組501包含一選擇器503,用以接收控制訊號CS來輸出第一啟動偵測訊號PD1與第二啟動偵測訊號PD2之其一以作為最終啟動偵測訊號PDF。第5圖之實施例的其它操作與第2圖及第4圖相同,故在此省略以求簡潔。
第6圖是依據本發明另一實施例之一啟動偵測系統的方塊圖。請注意,與第5圖中所示相同的一些裝置被省略以求簡潔。如第6圖所示,啟動偵測模組503包含一第一啟動偵測電路505與一第二啟動偵測電路507。第一啟動偵測電路505被用以產生第一啟動偵測訊號PD1,同時第二啟動偵測電路403也被用以產生第二啟動偵測訊號PD2,也就是說,第一啟動偵測訊號PD1與第二啟動偵測訊號PD2可透過一單一電路或模組來產生(像是第5圖中所示之實施例),然而,於一設計變化中,第一啟動偵測訊號PD1與第二啟動
偵測訊號PD2也可透過不同電路來產生(像是第6圖所示之實施例)。
第7圖是第5圖所示之實施例中之選擇器的詳細結構的電路圖。請參照第7圖,選擇器503包含一反相器(inverter)701、一第一反及閘(NAND gate)703與一第二反及閘705。反相器701接收第一啟動偵測訊號PD1。第一反及閘703接收第二啟動偵測訊號PD2與控制訊號CS。第二反及閘705接收反相器701與第一反及閘703之輸出以產生最終啟動偵測訊號PDF。請注意,第7圖中之選擇器503不會直接輸出第一啟動偵測訊號PD1或第二啟動偵測訊號PD2,而是使用反相器701、第一反及閘703與第二反及閘705來基於第一啟動偵測訊號PD1、第二啟動偵測訊號PD2與控制訊號CS,來產生等同於第一啟動偵測訊號PD1或第二啟動偵測訊號PD2之最終啟動偵測訊號PDF。
如第8圖所示,第7圖所示之選擇器503之結構也可應用於第6圖之實施例。由於第8圖所示之電路操作與第7圖相同,故在此省略以求簡潔。
從上述實施例來看,本發明所揭示之啟動偵測系統包含一個以上之啟動點,因而可對應不同情況選擇一合適之啟動點,如此一來,可解決上述之選擇啟動點的問題。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍
所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
200‧‧‧啟動偵測系統
201‧‧‧控制器
203‧‧‧啟動偵測模組
205‧‧‧電源供應器
207‧‧‧目標電子裝置
401、505‧‧‧第一啟動偵測電路
403、507‧‧‧第二啟動偵測電路
500‧‧‧電源偵測系統
501‧‧‧電源偵測模組
503‧‧‧選擇器
701‧‧‧反相器
703‧‧‧第一反及閘
705‧‧‧第二反及閘
第1圖是說明啟動點之意義的示意圖。
第2圖是依據本發明之一實施例之啟動偵測系統之方塊圖。
第3圖是說明第2圖中所示之啟動偵測系統之操作的時序圖。
第4圖至第6圖是依據本發明之其它實施例之啟動偵測系統的方塊圖。
第7圖是第5圖中所示之選擇器的詳細結構之電路圖。
第8圖是第6圖中所示之實施例中之選擇器的詳細結構之電路圖。
200‧‧‧啟動偵測系統
201‧‧‧控制器
203‧‧‧啟動偵測模組
205‧‧‧電源供應器
207‧‧‧目標電子裝置
Claims (6)
- 一種啟動偵測系統,用以依據一電源供應器所提供之電源,來輸出一第一啟動偵測訊號與一第二啟動偵測訊號其中之一以作為一最終啟動偵測訊號,該啟動偵測系統包含:一啟動偵測模組,用以偵測該電源的一電壓值來產生該第一啟動偵測訊號與該第二啟動偵測訊號;以及一選擇器,由一控制訊號所控制以在一第一模式中輸出該第一啟動偵測訊號並在一第二模式中輸出該第二啟動偵測訊號,以作為該最終啟動偵測訊號;其中若該電源的該電壓值小於一第一預定電壓值,該第一啟動偵測訊號具有一第一電壓位準,若該電源的該電壓值大於該第一預定電壓值,該第一啟動偵測訊號具有一第二電壓位準;其中若該電源的該電壓值小於一第二預定電壓值,該第二啟動偵測訊號具有該第一電壓位準,若該電源的該電壓值大於該第二預定電壓值,該第二啟動偵測訊號具有該第二電壓位準;其中該第一預定電壓值高於該第二預定電壓值。
- 如申請專利範圍第1項所述之啟動偵測系統,其中該電源是一目標電子裝置之操作電源,該第一模式是指該目標電子裝置操作在一正常模式,並且該第二模式是指該目標電子裝置操作在一測試模式。
- 如申請專利範圍第1項所述之啟動偵測系統,其中該選擇器包含:一反相器,用以接收該第一啟動偵測訊號;一第一反及閘,用以接收該第二啟動偵測訊號與該控制訊號;以及一第二反及閘,用以接收該反相器與該第一反及閘之輸出,以產生該最終啟動偵測訊號。
- 如申請專利範圍第1項所述之啟動偵測系統,其中該啟動偵測模組包含:一第一啟動偵測電路,用以產生該第一啟動偵測訊號;以及一第二啟動偵測電路,用以產生該第二啟動偵測訊號。
- 如申請專利範圍第4項所述之啟動偵測系統,其中該選擇器包含:一反相器,耦接至該第一啟動偵測電路,用以接收該第一啟動偵測訊號;一第一反及閘,耦接至該第二啟動偵測電路,用以接收該第二啟動偵測訊號,並用以接收該控制訊號;以及一第二反及閘,用以接收該反相器與該第一反及閘之輸出,以產生該最終啟動偵測訊號。
- 一種啟動偵測系統,用以依據一電源供應器所提供之電源,來輸出一第一啟動偵測訊號與一第二啟動偵測訊號其中之一以作為 一最終啟動偵測訊號,該啟動偵測系統包含:一啟動偵測模組,用以產生該第一啟動偵測訊號與該第二啟動偵測訊號,其中該第一啟動偵測訊號之一電壓準位會在該電源達到一第一預定電壓值時產生準位變遷,該第二啟動偵測訊號之一電壓準位會在該電源達到一第二預定電壓值時產生準位變遷,以及該第一預定電壓值高於該第二預定電壓值;以及一選擇器,由一控制訊號所控制以在一第一模式中輸出該第一啟動偵測訊號並在一第二模式中輸出該第二啟動偵測訊號,以作為該最終啟動偵測訊號;其中該選擇器包含:一反相器,用以接收該第一啟動偵測訊號;一第一反及閘,用以接收該第二啟動偵測訊號與該控制訊號;以及一第二反及閘,用以接收該反相器與該第一反及閘之輸出,以產生該最終啟動偵測訊號。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/448,323 US9230613B2 (en) | 2012-04-16 | 2012-04-16 | Power up detecting system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201344422A TW201344422A (zh) | 2013-11-01 |
TWI542993B true TWI542993B (zh) | 2016-07-21 |
Family
ID=49324503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101125380A TWI542993B (zh) | 2012-04-16 | 2012-07-13 | 啟動偵測系統 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9230613B2 (zh) |
CN (1) | CN103377712B (zh) |
TW (1) | TWI542993B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9230613B2 (en) * | 2012-04-16 | 2016-01-05 | Nanya Technology Corp. | Power up detecting system |
KR20150054206A (ko) | 2013-11-11 | 2015-05-20 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리의 데이터 보호 방법 및 장치 |
US11119671B2 (en) | 2020-02-14 | 2021-09-14 | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. | Method for facilitating a memory system operable in advance during power-up, memory controller therefor, and memory system capable of being operable in advance during power-up |
CN112214379B (zh) * | 2020-10-29 | 2022-02-11 | 英业达科技有限公司 | 电源供应器监控***及其方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62121374A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-02 | Ricoh Co Ltd | テストモ−ド起動回路 |
AU3895395A (en) * | 1994-10-19 | 1996-05-15 | Intel Corporation | Voltage supplies for flash memory |
KR100240423B1 (ko) | 1997-02-05 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 레벨 검출 회로 |
TW483245B (en) * | 2000-09-15 | 2002-04-11 | Winbond Electronics Corp | Insulator for multi-power system |
JP3726711B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2005-12-14 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
US6911873B2 (en) * | 2003-06-24 | 2005-06-28 | Stmicroelectronics, Inc. | Detection circuit and method for an oscillator |
US7148742B2 (en) * | 2004-07-07 | 2006-12-12 | Micron Technology, Inc. | Power supply voltage detection circuitry and methods for use of the same |
KR100847828B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플래시 메모리 소자의 형성 방법 |
TWI381172B (zh) | 2009-06-03 | 2013-01-01 | Generalplus Technology Inc | 電源偵測電路、可攜式裝置以及防止資料遺失方法 |
TWI460435B (zh) | 2009-07-06 | 2014-11-11 | Advanced Risc Mach Ltd | 電源供應偵測電路、裝置及方法 |
US9134395B2 (en) * | 2012-03-07 | 2015-09-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for testing comparator and device therefor |
US9230613B2 (en) * | 2012-04-16 | 2016-01-05 | Nanya Technology Corp. | Power up detecting system |
-
2012
- 2012-04-16 US US13/448,323 patent/US9230613B2/en active Active
- 2012-07-13 TW TW101125380A patent/TWI542993B/zh active
- 2012-11-06 CN CN201210437654.1A patent/CN103377712B/zh active Active
-
2015
- 2015-11-25 US US14/951,508 patent/US9651600B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103377712B (zh) | 2016-07-06 |
US9651600B2 (en) | 2017-05-16 |
US9230613B2 (en) | 2016-01-05 |
US20130271117A1 (en) | 2013-10-17 |
TW201344422A (zh) | 2013-11-01 |
CN103377712A (zh) | 2013-10-30 |
US20160077143A1 (en) | 2016-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20060140020A1 (en) | Internal voltage generator for a semiconductor memory device | |
TWI542993B (zh) | 啟動偵測系統 | |
TWI631566B (zh) | 電熔絲之啟動方法、半導體裝置及包含其之半導體系統 | |
US20100164559A1 (en) | Power-on circuit | |
KR100795026B1 (ko) | 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치 및 방법 | |
US7795932B2 (en) | Reset signal generator and a method for generating reset signal of a semiconductor integrated circuit | |
KR20110000223A (ko) | 구동제어회로 및 내부전압 생성회로 | |
US9747113B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor system including the same | |
JP5620718B2 (ja) | 電圧レギュレータを有する集積回路装置 | |
KR20120109205A (ko) | 반도체 집적회로 | |
KR100757918B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 내부 전압 생성 회로 및 방법 | |
US7250809B2 (en) | Boosted voltage generator | |
KR100897283B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR20100001835A (ko) | 파워업신호 생성회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치 | |
KR20120109850A (ko) | 반도체 장치의 파워 업 신호 발생 회로 | |
KR20130080732A (ko) | 파워업신호 생성회로 | |
US7898270B2 (en) | Circuit for testing internal voltage of semiconductor memory apparatus | |
KR20100089547A (ko) | 내부 전압을 발생하는 반도체 장치 및 그 장치를 포함하는 메모리 시스템 장치 | |
JP5845328B2 (ja) | 電圧レギュレータを有する集積回路装置 | |
KR20170069510A (ko) | 테스트 모드 설정회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 | |
KR100854461B1 (ko) | 파워업신호 제어회로 | |
US9893612B2 (en) | Voltage generation circuit | |
CN109313225A (zh) | 电压检测*** | |
US8194491B2 (en) | Power-up circuit | |
KR101003129B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 내부 전압 생성 회로 |