TWI541368B - 遮罩框架組件、製造該遮罩框架組件之方法、以及使用該遮罩框架組件製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents
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Description
相關申請案的交互參照
本申請案主張於2010年12月20日向韓國智慧財產局提出,申請號為10-2010-0130933之專利申請案之優先權效益,其全部內容納於此處作為參考。
本揭露是有關於一種遮罩框架組件、製造該遮罩框架組件之方法、以及使用該遮罩框架組件製造有機發光顯示裝置之方法。
有機發光顯示裝置由於其輕且薄、廣視角、快速反應速度、以及低功率消耗,已成為下一代顯示裝置之焦點。
有機發光顯示裝置一般包含以預定圖樣形成於透明絕緣基板上之第一電極、形成於第一電極上之有機薄膜,其中該薄膜可使用真空沉積法而形成、以及形成於有機薄膜之頂部表面之第二電極。
第一電極可藉由使用例如光蝕刻之溼蝕刻法而圖樣化。然而,若
有機薄膜為用以產生預定彩色影像之有機發光層,則有機薄膜與形成於有機薄膜上的第二電極不可以溼蝕刻法圖樣化。這是由於當有機薄膜形成而接著使用溼蝕刻法時,因溼蝕刻所產生的溼氣會滲入有機薄膜或殘留於有機薄膜上,進而降低有機發光顯示裝置之效能與壽命。
目前已嘗試使用沉積法以解決此問題。為了使用沉積法製造有機發光顯示裝置,與欲形成於基板上之薄膜具有相同圖樣的精細金屬遮罩(fine metal mask,FMM)將被使用且對齊,且將薄膜之原始材料沉積以形成具有預定圖樣之薄膜。
當精細金屬遮罩變大時,用以形成圖樣之蝕刻錯誤將會增加,且由於本身重量所造成中央部位的下垂將會更為嚴重。因此,目前已使用藉由將遮罩分割為複數個條狀之遮罩且將其貼附至框架所獲得之分割遮罩。然而分割遮罩也可能有某種程度的下垂。為了解決下垂的問題,當貼附分割遮罩至框架時,可以縱長方向拉伸分割遮罩並焊接至框架。
然而,若分割遮罩焊接時,張力被施加於分割遮罩拉伸之縱長方向,則會於寬度方向施加收縮力,因而在分割遮罩中造成波浪狀的皺褶。一旦此皺褶形成,由於分割遮罩的部分部位無法緊密地接觸基板,因此無法獲得精確的圖樣。
本揭露提供一種遮罩框架組件,當遮罩拉伸以焊接至框架時,其可避免皺摺之產生、以及一種使用該遮罩框架組件以製造具有高解析度之有機發光顯示裝置之方法。
根據一態樣,其係提供一種遮罩框架組件,其包含:框架;以及遮罩,其係於第一方向被拉伸時安裝於框架上,其中遮罩包含:包含複數個沉積圖樣部位之沉積區域;邊緣單元,其係形成以具有大於沉積區域之厚度的厚度,且包含於沉積區域之二側上以第一方向延伸之第一邊緣與第二邊緣;以及二個或多個肋條,其係形成以具有大於沉積區域之厚度的厚度,肋條係以第二方向而位於彼此相鄰之複數個沉積圖樣部位之間,其中第二方向係垂直於第一方向。
遮罩框架組件可更包含設置於肋條之間的虛擬沉積圖樣部位。
虛擬沉積圖樣部位之圖樣可與每一複數個沉積圖樣部位之圖樣相同。
遮罩框架組件可更包含覆蓋遮罩,以覆蓋對應至虛擬沉積圖樣部位之區域。
虛擬沉積圖樣部位之寬度可小於每一複數個沉積圖樣部位之寬度。
邊緣單元之厚度可與每一肋條之厚度相同。
邊緣單元與肋條可相互連接。
遮罩可包含安裝於框架上之複數個分割遮罩,其中第一方向係為每一複數個分割遮罩之縱長方向,而第二方向係為每一複數個分割遮罩之寬度方向。
根據另一態樣,其係提供一種製造遮罩框架組件之方法,該方法包含:準備框架;準備遮罩,其包含具有複數個沉積圖樣部位之
沉積區域、邊緣單元、以及二個或多個肋條,邊緣單元係形成以具有大於每一沉積區域之厚度的厚度,且包含於沉積區域之二側上以第一方向延伸之第一邊緣與第二邊緣,而該些肋條係形成以具有大於每一沉積區域之厚度的厚度,肋條係以第二方向而位於彼此相鄰之複數個沉積圖樣部位之間,其中第二方向係垂直於第一方向;以及藉由以第一方向拉伸遮罩之二端,以將遮罩安裝於框架上。
遮罩可藉由電鑄(electroforming)而準備。
此方法可更包含形成於肋條之間的虛擬沉積圖樣部位。
虛擬沉積圖樣部位之圖樣可與每一複數個沉積圖樣部位之圖樣相同。
此方法可更包含準備覆蓋遮罩以覆蓋對應到虛擬沉積圖樣部位之區域,以及安裝覆蓋遮罩以覆蓋虛擬沉積圖樣部位。
遮罩與框架可藉由雷射焊接而相互焊接。
遮罩可包含複數個分割遮罩,複數個分割遮罩係藉由以第一方向拉伸複數個分割遮罩之二端而安裝於框架上,其中第一方向係為每一複數個分割遮罩之縱長方向,而第二方向係為每一複數個分割遮罩之寬度方向。
根據另一態樣,其係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法,有機發光顯示裝置包含基板、設置於基板上以相互面對之第一電極與第二電極、以及設置於第一電極與第二電極之間的有機薄膜。其中有機薄膜或第二電極係藉由使用遮罩框架組件而沉積,遮罩
框架組件包含框架與以第一方向拉伸而安裝於框架上的遮罩。其中遮罩包含:包含複數個沉積圖樣部位之沉積區域;邊緣單元,其係形成以具有大於沉積區域之厚度的厚度,且包含於沉積區域之二側上以第一方向延伸之第一邊緣與第二邊緣;以及二個或多個肋條,其係形成以具有大於沉積區域之厚度的厚度,肋條係以第二方向而位於彼此相鄰之複數個沉積圖樣部位之間,其中第二方向係垂直於第一方向。
100‧‧‧遮罩
100A、100B‧‧‧分割遮罩
110‧‧‧沉積區域
111‧‧‧沉積圖樣部分
120‧‧‧邊緣單元
121‧‧‧第一邊緣
122‧‧‧第二邊緣
130‧‧‧肋條單元
131‧‧‧第一肋條
132‧‧‧第二肋條
141‧‧‧虛擬圖樣部位
150‧‧‧焊接部位
200‧‧‧框架
300‧‧‧基板
321‧‧‧第一電極層
326‧‧‧有機層
327‧‧‧第二電極層
330‧‧‧緩衝層
331‧‧‧半導體主動層
332‧‧‧閘極絕緣薄膜
333‧‧‧閘極電極
334‧‧‧層間絕緣薄膜
335‧‧‧源極與汲極電極
336‧‧‧鈍化層
337‧‧‧平坦化薄膜
338‧‧‧像素定義薄膜
400‧‧‧覆蓋遮罩
A‧‧‧第一方向
B‧‧‧第二方向
T0、T1、T2‧‧‧厚度
G1、G2‧‧‧寬度
OLED‧‧‧有機發光二極體
TFT‧‧‧薄膜電晶體
藉由參考附圖詳細地描述其例示性實施例,本發明之上述及其他特徵與優點更為顯而易見,其中:第1圖係為遮罩框架組件之實施例之平面圖;第2圖係根據第1圖中遮罩框架組件之實施例的分割遮罩其中之一之正面與背面之平面圖;第3圖係為第2圖中III部分之放大平面圖;第4圖係為第3圖中沿線段IV-IV所截取之剖面圖;第5圖係為第3圖中沿線段V-V所截取之剖面圖;第6圖係為說明藉由使用第1圖之遮罩框架組件於基板上進行沉積以形成有機發光顯示裝置之剖面圖;以及第7圖係為藉由使用第1圖之遮罩框架組件所形成之有機發光顯示裝置之實施例的剖面圖。
現將參照附圖更完整地描述部分實施例。
第1圖係為遮罩框架組件之實施例之平面圖。
請參閱第1圖,遮罩框架組件包含框架200、以及二端固定於框架
200之遮罩100。
作為外部結構以支撐遮罩框架組件之框架200具有開口(圖未示)形成於中央部位之矩形形狀。遮罩100之二端係於焊接部位150焊接於框架200相互面對之二對側邊上。
遮罩100可具有條狀形狀之複數個分割遮罩100A、100B…,且以垂直於遮罩100拉伸之第一方向A的第二方向B(寬度方向)而配置。
為了降低由於重量造成的下垂,複數個分割遮罩100A、100B…係以如第1圖所示的複數個條狀形狀形成,而非以覆蓋框架200之開口(圖未示)的單一遮罩形成。雖然接下來的描述將集中於分割遮罩100A、100B…,但實施例並不限於此,且遮罩100可具有任何不同形狀,包含寬度方向短於遮罩100拉伸之長度方向的遮罩。
每一分割遮罩100A、100B…包含具有複數個沉積圖樣部分111之沉積區域110、具有第一邊緣121與第二邊緣122設置於沉積區域110之二側上的邊緣單元120、以及肋條單元130,其包含形成於相鄰沉積圖樣部分111之間的第一肋條131與第二肋條132。
沉積圖樣部分111可藉由電鑄形成以獲得精細圖樣與絕佳的表面光滑度。在其他實施例中,沉積圖樣部分111可藉由蝕刻形成。在一些實施例中,沉積圖樣部分111可藉由使用光阻而於薄板上形成與每一沉積圖樣部分111具有相同圖樣之光阻層而形成,或是於薄板上貼附具有圖樣之薄膜且蝕刻薄板而形成。
雖然沉積圖樣部分111在第1圖中以點狀形成,但在其他實施例中,沉積圖樣部分111可為任一各種不同形狀,例如狹縫形狀或大
型矩形形狀。
為了使用具有複數個沉積圖樣部分111之遮罩100以高精準度執行圖樣化,藉由增加遮罩100與基板300(參閱第6圖)之間的貼附可降低陰影效應(shadow phenomenon)。因此遮罩100以薄板形式形成為佳。遮罩100可由鎳、鎳合金、鎳鈷合金或其相似物形成。
第2圖係第1圖中遮罩框架組件之分割遮罩100A、100B…其中之一之正面(F)與背面(B)之平面圖。第3圖為第2圖中III部分之放大平面圖。第4圖為第3圖中沿線段IV-IV所截取之剖面圖。第5圖為第3圖中沿線段V-V所截取之剖面圖。
請參閱第2圖與第3圖,邊緣單元120之第一邊緣121與第二邊緣122以第一方向A相互面對,且設置於分割遮罩100A之沉積區域110的二側上。
請參閱第4圖,邊緣單元120的厚度T1係大於沉積區域110的厚度T0。
請參閱第3圖與第5圖,肋條單元130包含以垂直於第一方向A的第二方向B相互面對的第一肋條131與第二肋條132,且設置於分割遮罩100A之相鄰沉積圖樣部位111之間。
請參與第5圖,肋條單元130之厚度T2係大於沉積區域110之厚度T0。在一些實施例中,邊緣單元120之厚度T1可與肋條單元130之厚度T2相同。
一般來說,為了避免由於熱膨脹或重量所造成的下垂,當分割遮罩100A安裝於框架200上時,分割遮罩100A會在以為縱向方向之
第一方向A施加張力的狀態下固定至框架200上。在某些狀態下,收縮力會施加於為寬度方向之第二方向B,因此分割遮罩100A會產生波浪狀的皺褶。尤其是為了避免可能會影響沉積薄膜之厚度的陰影效應,分割遮罩相對較薄且僅具有約數微米(μm)至數十微米的厚度,因此容易由於施加於寬度方向的收縮力於遮罩上產生皺摺。
在遮罩框架組件之實施例中,由於邊緣單元120以分割遮罩100A拉伸的第一方向A形成於沉積區域110周圍,且肋條單元130以垂直於第一方向A的第二方向B形成於相鄰之沉積圖樣部位111之間,因此可避免分割遮罩100A產生皺褶。由於分割遮罩100A的平坦度改善,因此當分割遮罩100A拉伸而焊接時,可改善圖樣之精確度。
雖然邊緣單元120與肋條單元130在第1圖至第3圖中係連續地連接,在其他實施例中邊緣單元120與肋條單元130可相互分開。
在一些實施例中,如第5圖所示,虛擬沉積圖樣部位(dummy deposition pattern portion)141可更形成於相鄰之沉積圖樣部位111之間。虛擬沉積圖樣部位141係形成於設置在相鄰沉積圖樣部位111之間之第一肋條131與第二肋條132之間。藉由降低施加於第二方向B的收縮力,虛擬沉積圖樣部位141可更避免皺摺於第二方向B形成。
如第2圖所示,為了具有足夠的顯示區域,虛擬沉積圖樣部位141之寬度G1小於每一沉積圖樣部位111的寬度G2。
為了加速遮罩製造過程,虛擬沉積圖樣部位141之圖樣可與每一
沉積圖樣部位111之圖樣相同。在其他實施例中,虛擬沉積圖樣部位141可具有任一其他形狀。
若希望對應至虛擬沉積圖樣部位141的圖樣不會沉積到基板300(見第6圖)上,則可使用覆蓋遮罩400(見第6圖)以覆蓋虛擬沉積圖樣部位141。
遮罩框架組件之實施例可用於各種薄膜沉積、以及用於形成有機薄膜之圖樣或有機發光顯示裝置之第二電極。遮罩框架組件可安裝於沉積裝置(圖未示)上以進行沉積。
第6圖係說明藉由使用第1圖之遮罩框架組件於基板300上進行沉積以形成有機發光顯示裝置之剖面圖。
請參閱第6圖,為了藉由使用遮罩100而沉積有機發光薄膜或有機發光顯示裝置之第二電極,遮罩100與框架200的組件係安裝於對應至真空室(vacuum chamber)(圖未示)之沉積容器(圖未示)的一側上。遮罩框架組件藉由拉伸遮罩100時將遮罩100固定於框架200上而安裝,其中遮罩100包含肋條單元130與邊緣單元120,二者均較沉積區域110為厚。藉由此方式,遮罩框架組件係與用於形成有機發光顯示裝置的基板300相鄰,且有機發光材料或第二電極形成材料(沉積材料,圖未示)係沉積於沉積室(圖未示)中。
在一些實施例中,若增加了用以覆蓋虛擬沉積圖樣部位141之覆蓋遮罩400,則沉積材料不沉積於基板300對應於虛擬沉積圖樣部位141之處。
由於包含較沉積區域110為厚的肋條單元130與邊緣單元120之遮罩100係穩定地固定於框架200上,因此降低陰影現象,進而能夠
精確地於基板300上形成有機薄膜或第二電極之圖樣。
第7圖藉由使用第1圖之遮罩框架組件所形成之有機發光顯示裝置之剖面圖。
第7圖中係繪示了主動矩陣(active matrix,AM)型有機發光顯示裝置作為有機發光顯示裝置。第7圖係描繪主動矩陣型有機發光顯示裝置之一次像素。
在第7圖中,每一次像素包含至少一薄膜電晶體TFT以及例如有機發光二極體OLED之自發光裝置之電致發光(electroluminescent,EL)元件。薄膜電晶體之實施例不限於第7圖所示,且薄膜電晶體之數量與結構可以各種方式修改。此主動矩陣型有機電致發光顯示裝置將於下文中詳細描述。
如第7圖所示,緩衝層330係形成於基板300上,且薄膜電晶體TFT係設置於緩衝層330上。
薄膜電晶體TFT包含半導體主動層331、形成以覆蓋半導體主動層331之閘極絕緣薄膜332、以及形成於閘極絕緣薄膜332上的閘極電極333。
層間絕緣薄膜334係形成以覆蓋閘極電極333,且源極與汲極電極335係形成於層間絕緣薄膜334上。
源極與汲極電極335分別透過形成於閘極絕緣薄膜332與層間絕緣薄膜334中的接觸孔以接觸半導體主動層331之源極區域與汲極區域。
作為有機發光二極體OLED之陽極的第一電極層321係連接於源極
與汲極電極335。第一電極層321係形成於鈍化層336與平坦化薄膜337上,且像素定義薄膜338係形成以覆蓋第一電極層321。在一預定開口形成於像素定義薄膜338中之後,形成有機發光二極體OLED之有機層326,且第二電極層327係沉積於所獲得結構上而作為共同電極。
有機發光二極體OLED之有機層326包含紅色、綠色、及藍色有機發光層以產生全彩影像。如上所述,藉由使用包含有點狀形狀之沉積圖樣部位111之遮罩框架組件,可藉由增加基板300與遮罩100之間的貼附程度進而獲得高精確度之圖樣。
如上所述,在一些實施例中,藉由使用包含遮罩之遮罩框架組件,其中沉積圖樣部位111於第二電極層327中係全部開放的,可增加基板300與遮罩100之間的貼附程度,進而獲得高精確度之圖樣。
有機發光顯示裝置係密封以避免外部之氧氣與濕氣的滲入。雖然第7圖中繪示了有機發光二極體,但在其他實施例中,有機發光二極體之結構可以各種方式修改。
如上所述,根據遮罩框架組件與使用該遮罩框架組件製造有機發光顯示裝置之方法的實施例,雖然遮罩於拉伸時焊接於框架上,遮罩很少因皺摺而變形。因此若於沉積製程中使用該遮罩框架組件,則可製造具有高解析度之有機發光顯示裝置。
雖然本發明已參照其部分實施例具體地顯現與描述,然而所屬技術領域之技術人士應了解的是,其各種形式與細節之變更,均應包含於後附之申請專利範圍所定義之本發明的精神與範疇中。
100A‧‧‧分割遮罩
110‧‧‧沉積區域
111‧‧‧沉積圖樣部分
120‧‧‧邊緣單元
121‧‧‧第一邊緣
122‧‧‧第二邊緣
130‧‧‧肋條單元
131‧‧‧第一肋條
132‧‧‧第二肋條
141‧‧‧虛擬圖樣部位
A‧‧‧第一方向
B‧‧‧第二方向
G1、G2‧‧‧寬度
Claims (15)
- 一種遮罩框架組件,其包含:一框架;以及一遮罩,其係於以一第一方向被拉伸時安裝於該框架上,其中該遮罩包含:一沉積區域,其包含複數個沉積圖樣部位;一邊緣單元,其係形成以具有大於該沉積區域之一厚度的一厚度,且包含以該第一方向於該沉積區域之二側上延伸之一第一邊緣與一第二邊緣;以及二個或多個肋條(rib),其係以垂直於該第一方向的一第二方向形成於彼此相鄰之該複數個沉積圖樣部位之間,其中該二個或多個肋條係配置為具有大於該沉積區域之該厚度的一厚度,其中一虛擬沉積圖樣部位設置於該二個或多個肋條之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之遮罩框架組件,其中該虛擬沉積圖樣部位之一圖樣係與每一該複數個沉積圖樣部位之一圖樣相同。
- 如申請專利範圍第1項所述之遮罩框架組件,更包含一覆蓋遮罩,以覆蓋對應至該虛擬沉積圖樣部位之一區域。
- 如申請專利範圍第1項所述之遮罩框架組件,其中該虛擬沉積圖樣部位之一寬度係小於每一該複數個沉積圖樣部位之一寬度。
- 如申請專利範圍第1項所述之遮罩框架組件,其中該邊緣單元之該厚度係與每一該些肋條之一厚度相同。
- 如申請專利範圍第1項所述之遮罩框架組件,其中該邊緣單元與 該些肋條係相互連接。
- 如申請專利範圍第1項所述之遮罩框架組件,其中該遮罩包含安裝於該框架上之複數個分割遮罩,其中該第一方向係為每一該複數個分割遮罩之一縱長方向,而該第二方向係為每一該複數個分割遮罩之一寬度方向。
- 一種製造遮罩框架組件之方法,該方法包含:準備一框架;準備一遮罩,其包含具有複數個沉積圖樣部位之一沉積區域、一邊緣單元、以及二個或多個肋條(rib),該邊緣單元係形成以具有大於每一該沉積區域之一厚度的一厚度,且包含以一第一方向於該沉積區域之二側上延伸之一第一邊緣與一第二邊緣,該些肋條係形成以具有大於每一該沉積區域之該厚度的一厚度,該些肋條係以一第二方向位於彼此相鄰之該複數個沉積圖樣部位之間,其中該第二方向係垂直於該第一方向;以及藉由以該第一方向拉伸該遮罩之二端,以將該遮罩安裝於該框架上。
- 如申請專利範圍第8項所述之方法,其中該遮罩係藉由電鑄(electroforming)而準備。
- 如申請專利範圍第8項所述之方法,更包含形成於該些肋條之間的一虛擬沉積圖樣部位。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法,其中該虛擬沉積圖樣部位之一圖樣係與每一該複數個沉積圖樣部位之一圖樣相同。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法,更包含準備一覆蓋遮罩以覆蓋對應至該虛擬沉積圖樣部位之一區域、以及安裝該覆蓋遮罩以覆蓋該虛擬沉積圖樣部位。
- 如申請專利範圍第8項所述之方法,其中該遮罩與該框架係藉由雷射焊接而相互焊接。
- 如申請專利範圍第8項所述之方法,其中該遮罩包含複數個分割遮罩,該複數個分割遮罩係藉由以該第一方向拉伸該複數個分割遮罩之二端而安裝於該框架上,其中該第一方向係為每一該複數個分割遮罩之一縱長方向,而該第二方向係為每一該複數個分割遮罩之一寬度方向。
- 一種製造有機發光顯示裝置之方法,該有機發光顯示裝置包含一基板、設置於該基板上以相互面對之一第一電極與一第二電極、以及設置於該第一電極與該第二電極之間的一有機薄膜,其中該有機薄膜或該第二電極係藉由使用一遮罩框架組件而沉積,該遮罩框架組件包含一框架與以一第一方向拉伸而安裝於該框架上的一遮罩,其中該遮罩包含:一沉積區域,其包含複數個沉積圖樣部位;一邊緣單元,其係形成以具有大於該沉積區域之一厚度的一厚度,且包含以該第一方向於該沉積區域之二側上延伸之一第一邊緣與一第二邊緣;以及二個或多個肋條(rib),其係形成以具有大於該沉積區域之該厚度的一厚度,該些肋條係以一第二方向位於彼此相鄰之該複數個沉積圖樣部位之間,其中該第二方向係垂直於該第一方向。
Applications Claiming Priority (1)
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