TWI534940B - 高傳導靜電夾盤 - Google Patents

高傳導靜電夾盤 Download PDF

Info

Publication number
TWI534940B
TWI534940B TW100132405A TW100132405A TWI534940B TW I534940 B TWI534940 B TW I534940B TW 100132405 A TW100132405 A TW 100132405A TW 100132405 A TW100132405 A TW 100132405A TW I534940 B TWI534940 B TW I534940B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrostatic chuck
conductive
conductive path
workpiece
field region
Prior art date
Application number
TW100132405A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201216406A (en
Inventor
大衛 蘇羅納
盧德米拉 史東
朱立安 布雷克
戴爾Ｋ 史東
理查Ａ 庫克
史蒂芬 唐涅爾
香德拉 凡卡拉曼
Original Assignee
恩特格林斯公司
維瑞安半導體設備公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 恩特格林斯公司, 維瑞安半導體設備公司 filed Critical 恩特格林斯公司
Publication of TW201216406A publication Critical patent/TW201216406A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI534940B publication Critical patent/TWI534940B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • B23Q3/152—Rotary devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)
  • Gasket Seals (AREA)

Description

高傳導靜電夾盤 【相關申請案】
本案主張基於2010年9月8日申請之美國專利臨時申請案第61/380,970號和2011年7月20日申請之美國專利臨時申請案第61/509,970號的利益。上述申請案的所有教示併於此以為參考。
本發明相關一種高傳導靜電夾盤。
靜電夾盤亦稱為台板，是用來穩固並且支撐要處理的工件。靜電荷可能累積在工件上，也可能累積在支撐工件的台板表面上。累積在工件上的電荷可以傳送至台板的表面，而累積在台板表面上的電荷可以傳送至工件。
電荷的累積可造成工件「沾黏」(sticking)的問題。在某例中，電荷的累積可以強到使得典型的反夾持力無法鬆開工件。舉例來說，典型的反夾持力可藉由抬高升起栓來接觸工件的背面而提供。在另一例中，升起栓可能提高一部分的工件，但是剩餘的部分還是保持和工件接觸。當工件是碟形的半導體晶圓時，晶圓可能變得「傾斜」(tilted)，看起來黏在台板的邊緣。當相關的機器手臂試著取回晶圓時，可能無法適當地和晶圓接合，甚至是將晶圓推落台板而可能導致晶圓損傷並且打斷了製程。另一項工件「沾黏」的問題可稱為「在台板周圍跳舞」(dancing around the platen)。在此例中，於工件處理期間或是處於裝載位置時，工件可能夾持於台板。對於像是半導體晶圓的圓形或碟形工件，晶圓可能沿著台板的外緣而進入大致擺盪的進動(general oscillatory precession)狀態，使得晶圓掉落的風險大增。在其他的例子中，則是可能發生「晶圓漫步」(wafer walk)，其原因可能是晶圓邊緣在升起期間有部分沾黏於台板，而造成晶圓在升起栓上搖擺，並且可能因為沒有對齊在升起栓上而導致晶圓操作的問題。
即使電荷的累積並未導致工件「沾黏」的問題，卻也可能損壞正形成在工件上的元件。在工件與電漿置於相同腔室內的電漿摻雜離子植入器中，過量的電荷累積也可導致摻雜不均勻、微負載、發生電弧。因此，在某些例子中可能會故意限制電漿摻雜離子植入器的產出率以避免過量的電荷累積。
一種控制電荷累積的習用解決方案是使用三個彈簧負載的接地栓，其接觸工件的背面以便在工件處於夾持位置時提供接地的路徑。此項解決方案的缺點是彈簧負載的接地栓被限制在三個栓。因此，這種用來分散過多電荷累積之接地安排的功效是有限的。此種解決方案的另一項缺點是彈簧負載之接地栓的接觸點具有尖銳的邊緣，其可損傷工件的背面。損傷工件的背面也會產生不想要的粒子(污染)，而對某些處理應用而言，限制這些粒子是非常重要的。
據此，一直都有改善靜電夾盤效能的需求。
根據本發明的具體態樣，提供一種靜電夾盤，其包括：傳導路徑，其覆蓋靜電夾盤的氣密環之至少一部分接觸工件的表面，該傳導路徑包括至少一部分至接地的電路徑；以及靜電夾盤的接觸工件表面的主場區域，其包括範圍從每平方約108至約1012歐姆的表面電阻率。
在進一步相關的具體態樣中，傳導路徑可以包括每平方小於約107歐姆的表面電阻率，例如範圍從每平方約105歐姆至每平方約107歐姆的表面電阻率。傳導路徑可以包括類鑽石碳，像是摻雜的類鑽石碳(例如摻雜有氮的氫化碳)。傳導路徑可以包括厚度小於約1微米的披覆。傳導路徑可以包括覆蓋至少一部分靜電夾盤的外緣的披覆。傳導路徑可以繞到靜電夾盤的絕緣層下方。主場區域可以包括碳化矽，並且可以包括範圍從每平方約109到約1011歐姆的表面電阻率。
在其他相關的具體態樣中，靜電夾盤可以包括傳導接地層，其至少有一部分係位於靜電夾盤的絕緣層下方，該傳導接地層電接觸該傳導路徑。傳導接地層可以包括每平方小於約103歐姆的表面電阻率，並且可以包括鋁。傳導接地層的外緣至少有一部分可以被傳導路徑所覆蓋。傳導接地層可以電接觸靜電夾盤的接地栓。靜電夾盤可以進一步包括位於至少一部分傳導接地層下方的導電環氧樹脂層。
在進一步相關的具體態樣中，主場區域可以包括延伸在主場區域的周圍部分之上的至少一個浮凸物。靜電夾盤可以進一步包括在該至少一個浮凸物之接觸工件表面上的傳導披覆。靜電夾盤的傳導路徑以及該至少一個浮凸物之接觸工件表面上的傳導披覆可以都包括類鑽石碳披覆。具有至少一個浮凸物的靜電夾盤可以包括傳導接地層，其至少有一部分係位於靜電夾盤的絕緣層下方，該傳導接地層電接觸該傳導路徑。靜電夾盤的基部可以包括位於基部的一或更多個邊緣上的斜切區域。傳導路徑可以藉由在斜切區域中的導電環氧樹脂(例如石墨傳導環氧樹脂)而電接觸基部。傳導路徑可以包括覆蓋至少一部分靜電夾盤的外緣的披覆，而傳導路徑係繞至靜電夾盤的絕緣層下方。
在其他相關的具體態樣中，靜電夾盤可以進一步包括位於靜電夾盤的接觸工件表面上的傳導圖案，該至少一個傳導圖案電接觸傳導路徑。該至少一個傳導圖案可以包括披覆有傳導披覆的金屬，例如披覆有類鑽石碳的鋁。該至少一個傳導圖案可以包括以下至少一者：朝向靜電夾盤中心延伸的輻條、環繞靜電夾盤氣孔的環、在靜電夾盤的接觸工件表面上的至少一個浮凸物之間的痕跡。
在進一步相關的具體態樣中，靜電夾盤的主場區域可以包括聚合物。主場區域可以包括延伸在主場區域周圍部分之上的至少一個浮凸物，該至少一個浮凸物包括聚合物。主場區域可以包括範圍從每平方約108到約1010歐姆的表面電阻率。聚合物可以包括以下至少一者：聚醚亞醯胺、聚醚醚酮、聚亞醯胺。包括聚合物主場區域的靜電夾盤之傳導路徑可以包括位於至少部分的靜電夾盤外緣上方的類鑽石碳披覆，並且靜電夾盤可以進一步包括位於至少部分的靜電夾盤的絕緣層下方的鋁接地披覆，鋁披覆係電接觸傳導路徑。包括聚合物的主場區域的靜電夾盤之傳導路徑可以包括覆蓋至少部分主場區域的傳導披覆。舉例來說，傳導披覆可以包括覆蓋至少部分主場區域和至少部分氣密環的類鑽石碳，並且靜電夾盤可以進一步包括位於至少部分的靜電夾盤的絕緣層下方的鋁接地披覆，該鋁披覆係電接觸傳導路徑。傳導路徑可以包括摻雜的碳化矽。
在根據本發明的另一具體態樣中，提供一種靜電夾盤，其包括：傳導路徑，其電連接到至少部分的靜電夾盤的接觸工件表面，該傳導路徑包括至少一部分至接地的電路徑；以及靜電夾盤的接觸工件表面的主場區域，其包括範圍從每平方約108到約1010歐姆的表面電阻率，該主場區域包括含有奈米碳管的聚合物。舉例來說，該聚合物可以包括以下至少一者：裝填有奈米碳管的聚醚亞醯胺、裝填有奈米碳管的聚醚醚酮、裝填有奈米碳管的聚亞醯胺。
以下是本發明之範例性具體態樣的說明。
在一些傳統的靜電夾盤中，經過多次夾持工件的循環以後，表面可能因為斷裂而產生「島」(island)。在這些「島」之間，材料的截面積可能會減少，因而限制了頂部摻雜層各處的電荷分佈。其結果則產生「電荷島」(islands of electrical charge)，其中可觀察到電荷的極性於數個毫米的距離便會反轉。在4至6毫米的距離上有正/負400伏特或更大的變化也並非不常見。此局部的表面電荷可能導致非期望的晶圓夾持，即使並不存在外部的電壓。
據此，便有改善台板以控制靜電夾盤之電荷累積的需求。
圖1是根據本發明具體態樣的靜電夾盤100的圖式。靜電夾盤100具有接地之傳導路徑101的特徵，其允許過量的表面電荷放電至接地，藉此降低由於表面電荷累積而造成的晶圓沾黏。圖1具體態樣的好處是藉由使用此處所列之仔細挑選的表面電阻率和接地路徑，可以中和表面的電荷而不會對於夾持力有不利的影響。舉例來說，傳導路徑101可以由類鑽石碳(diamond-like carbon，DLC)所製成，其可加以摻雜以得到適當的表面電阻率。例如，傳導披覆101可具有每平方小於約107歐姆的表面電阻率，其係在如102所示的DLC披覆和接地之間所測量，舉例來說是在每平方約105歐姆和每平方約107歐姆之間。傳導路徑101可由例如摻雜有氮的氫化碳膜所製成，其厚度約1微米。傳導路徑101可以是覆蓋在環繞夾盤的邊緣的氣密環103上方的傳導披覆，並且在如104處的夾盤側繞折下來。此外，傳導接地層105(例如鋁或其他金屬的濺鍍層)可置於夾盤陶瓷層106的下方，並且可由環繞夾盤的邊緣的傳導路徑101所覆蓋。傳導接地層105可藉由傳導路徑101(例如可以是DLC披覆)來覆蓋而避免和基板(或其他工件)接觸。傳導接地層105使用例如接地栓107和/或下方的導電環氧樹脂層108來接地。傳導接地層105可為例如約0.5微米厚的鋁層。夾盤表面的主場區域109可以是具有浮凸物110的碳化矽表面，浮凸物110係延伸在主場區域109的邊緣區域上方。在主場區域109和接地之間的表面電阻率可位於從每平方約108歐姆到約1012歐姆之間的範圍內，例如在每平方1010歐姆的範圍內，而在傳導路徑101和接地之間的表面電阻率則是每平方約107歐姆。在傳導路徑101和接地之間較低的表面電阻率可能並沒有害處，只要傳導路徑101在靜電夾盤接觸工件的表面上僅延伸一小段距離即可。靜電夾盤100也包括例如由鋁所製成的基部111。例如是DLC披覆的傳導路徑101可以覆蓋氣密環103，並且環繞台板的邊緣而延伸以覆蓋在104處的陶瓷組件該面。進一步的電接觸可在靜電夾盤100的外緣中使用導電的石墨環氧樹脂來達成。從氣密環103(位於傳導路徑101內)至接地之每平方約5×105歐姆的表面電阻率可以使用。靜電夾盤可以進一步包括氣孔、升起栓、其他標準的構件(未顯示)。
根據圖1的具體態樣，傳導路徑101(例如類鑽石碳披覆)可以位於或是靠近靜電夾盤100的邊緣，以便和在氣密環103上的工件(例如半導體晶圓)接觸。從靜電夾盤100的中心到接地之間的表面電阻率可以小於每平方約1011歐姆，以便盡可能達到最大的電荷移動性。例如碳化矽的低表面電阻率材料可以用於主場區域109，以便達到從靜電夾盤的中心到邊緣之間有良好的電荷移動性。根據圖1之具有傳導路徑101的具體態樣對於靜電夾盤的氣體洩漏或夾持力的衝擊最小，並且具有良好的耐磨性與穩健性。
圖2是根據本發明具體態樣的靜電夾盤圖，其包括位於一或更多個浮凸物210之接觸工件表面上的傳導披覆212。在此具體態樣中，舉例來說，當夾盤係用於太陽能面板或其他基板時而精確的基板對齊要求基板滑入跨越夾盤表面的位置，則位於浮凸物210頂部上的傳導披覆212(例如類鑽石碳)有助於耐磨性。在這種情形下，具有相對於基板之低摩擦係數的傳導披覆212(例如類鑽石碳)可以是有幫助的。圖2具體態樣的製造可以是從用於主場區域209的材料做出雙重披覆(亦即由兩種材料做成的披覆，其中一者位於另一者上方)，例如碳化矽由傳導披覆212(例如類鑽石碳)所覆蓋，然後蝕刻移除材料以形成披覆的浮凸物210/212。
根據圖2的具體態樣，靜電夾盤包括位在靜電夾盤表面上的雙重披覆結構210/212以及背面的傳導接地層205。主場區域209可由比其他類似的、沒有雙重披覆的靜電夾盤更薄的材料所形成，例如由比其他類似的靜電夾盤再薄約1.5微米的碳化矽所製成，並且具有每平方約2×1010歐姆的表面電阻率。以類似圖1之具體態樣的方式，可以使用傳導路徑201，例如是由類鑽石碳所做成而厚度約1.5微米、表面電阻率每平方約107歐姆。可以使用比每平方約108歐姆稍微高一些的表面電阻率，並不會影響靜電夾盤的夾持力。可使用位於靜電夾盤的基部內的接地栓207來將靜電夾盤接地。如在此所使用的，將能理解的是可以使用接地螺絲或其他類似的接地結構來代替接地栓。
圖3是根據本發明具體態樣之圖2靜電夾盤另外可選擇的版本圖式，其中傳導接地層305係置於環繞靜電夾盤邊緣的傳導路徑301的外側。和圖2相較之下，此種安排透過台板的邊緣而可降低表面電阻率。從另一方面來看，圖2將傳導接地層置於傳導路徑內部的安排可以是較佳的做法，以便減少金屬在工件上的污染。在決定傳導接地層305延伸至靜電夾盤的邊緣的最高距離時，會求取兩項目標之間的平衡：第一項目標是保持金屬污染遠離工件，其鼓勵使用較短的傳導接地層305；第二項目標則是想要改善路徑301的傳導性，其鼓勵使用較長的傳導接地層305。在圖3的具體態樣以及此處其他的具體態樣中，對於主場區域309可採用每平方約109和約1011歐姆之間的表面電阻率；例如類鑽石碳披覆的傳導路徑301可採用每平方約105和約107歐姆之間的表面電阻率；而例如鋁層的傳導接地層305則可採用每平方小於約103歐姆的表面電阻率。
圖4是根據本發明具體態樣的靜電夾盤圖，其中使用了導電環氧樹脂以形成電連接。在此具體態樣中，可採用和圖2類似的技術，例外的是基部411在一或更多個邊緣413上被斜切以及使用導電環氧樹脂(例如石墨傳導環氧樹脂)在斜切區域414中做出電連接。此外，例如類鑽石碳披覆的傳導路徑401可繞折到靜電夾盤的背面，如於415處，而在陶瓷絕緣層406的下方。再者，也可以採用接地螺絲、接地栓或其他類似的接地結構。
圖5是根據本發明具體態樣的靜電夾盤圖，其包括位於靜電夾盤的接觸工件表面上的傳導圖案。傳導圖案可以電接觸傳導路徑101(見圖1)，並且舉例來說可以包括從靜電夾盤面中心至夾盤邊緣的高傳導輻條516。此種傳導圖案可提供至接地的高傳導路徑，並且可幫助電荷在夾盤表面之上和到接地的移動性。輻條516舉例來說可以是由例如DLC、鋁或其他高傳導材料的傳導披覆所製成。舉例而言，傳導圖案可由金屬(例如鋁)所製成，並且披覆有傳導披覆(例如DLC)以避免金屬污染工件。進一步來說，傳導圖案可由金屬製成，並且該金屬披覆有用於主場區域(見圖1的109)其餘部分的材料(例如碳化矽)。在一具體態樣中，傳導圖案可由沉積至厚度為1000埃的鋁所形成，其披覆著摻雜有氮的氫化碳。傳導圖案舉例來說也可以包括環517，其環繞著靜電夾盤的氣孔而位於氣密環503上。例如輻條516的傳導圖案可採取曲線的路徑，以避開例如在靜電夾盤表面上之浮凸物的特徵。在進一步的具體態樣中，高傳導材料做的像是小痕跡般的路徑可形成在靜電夾盤的浮凸物之間而最終至接地，並且也可在浮凸物的頂部上採用高傳導材料。傳導圖案可設計成將整個路徑面積最小化，使得由於此種路徑的寄生效應而竊取的夾持力達到最小。
圖6是根據本發明具體態樣之具有聚合物表面的靜電夾盤圖，其提供電荷至接地的路徑，其中該表面包括裝填有奈米碳管的聚合物。具有聚合物表面的靜電夾盤藉由在聚合物表面與工件之間極佳的接觸，而能提供極佳的粒子生產效能。根據本發明的具體態樣，此種具有聚合物表面的靜電夾盤提供將電荷從夾盤表面以及從工件向接地移動的能力，同時維持聚合物/工件的接觸，避免金屬污染的問題，而允許靜電夾盤的表面能夠維修翻新。根據本發明的具體態樣，具有聚合物表面的靜電夾盤在夾盤表面的主場區域內係提供有每平方從約108至約1010歐姆的表面電阻率，而在氣密區域則是每平方從約105至約107歐姆的表面電阻率，以及提供有從夾盤的邊緣到接地的高傳導路徑，例如小於約104歐姆。
在圖6的具體態樣中，靜電夾盤的表面包括裝填有奈米碳管的聚合物，其形成毯覆層609和浮凸物610。聚合物表面609/610係藉由傳導路徑601而接地，傳導路徑601可從毯覆層609的正下方延伸，而環繞靜電夾盤的邊緣至氧化鋁絕緣層606的下方。傳導路徑601舉例來說可以藉由物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)所形成的鋁披覆或其他例如類鑽石碳(例如摻雜有氮的氫化碳)的傳導披覆來製成。接地螺絲607可將傳導路徑601電連接至鋁基部/冷卻結構611。靜電夾盤也包括氣密環603、導電環氧樹脂層608、黏合披覆618、氧化鋁介電質619、金屬電極620、氟化聚合物的結合物621(例如全氟烷氧基(PFA)結合物)、導電環氧樹脂的結合物622、電極栓623。黏合披覆層可以包括以下至少一者：含矽的氮化物、氧化物、碳化物以及此等的非化學計量版本，例如但是並不限於SiOxNy、氮化矽、氧化矽或碳化矽。黏合披覆層也可以包括碳或碳的氮化物，並且可以包括類鑽石碳。聚合物表面609/610舉例來說可以是裝填有奈米碳管的聚合物，例如裝填有奈米碳管的聚醚亞醯胺(PEI)、聚醚醚酮(PEEK)或聚亞醯胺。奈米碳管表面609/610的表面電阻率舉例來說可以是在每平方從約108到約1010歐姆的範圍內。奈米碳管表面609/610舉例來說可以藉由層疊和以反應性離子蝕刻來圖案化所形成，其做法類似Entegris公司的專利合作條約申請案公告第WO 2010/132640 A2號、標題為「具有聚合突起物的靜電夾盤」所描述的，該申請案全部的揭露乃併於此以為參考。圖6裝填有奈米碳管之聚合物表面的具體態樣的優點可為材料各處的電阻率是均勻的，並且隨著時間或清潔將不會磨損掉或是磨光。
圖7是根據本發明具體態樣之具有聚合物表面的靜電夾盤圖，其提供電荷至接地的路徑，其中該接地路徑係由具有氣密接觸部的傳導披覆毯覆膜所提供。在圖7的具體態樣中，靜電夾盤的表面包括聚合物，其形成毯覆層709和浮凸物710。聚合物表面709/710是藉由傳導路徑701而接地的，該路徑可存在於浮凸物710之間的場區域、於氣密環703的上方並且環繞靜電夾盤的邊緣、位於氧化鋁絕緣層706的下方。傳導路徑701舉例來說可以是由例如類鑽石碳(例如摻雜有氮的氫化碳)的傳導披覆所形成。此外，傳導路徑701可藉由進一步的披覆路徑724(例如由物理氣相沉積法(PVD)所形成的鋁披覆)而電連接至接地。接地螺絲707可將披覆路徑724電連接至鋁基部/冷卻結構711。靜電夾盤也包括氣密環703、氧化鋁絕緣層706、導電環氧樹脂層708、黏合披覆718、氧化鋁介電質719、金屬電極720、陶瓷對陶瓷的結合物721、導電環氧樹脂的結合物722、電極栓723。黏合披覆層可以包括和用於圖6具體態樣類似的材料。聚合物表面709/710舉例來說可以是例如聚醚亞醯胺(PEI)、聚醚醚酮(PEEK)或聚亞醯胺的聚合物。聚合物表面709/710的表面電阻率舉例來說可以是在每平方從約108到約1010歐姆的範圍內。聚合物表面709/710舉例來說可以藉由層疊和以反應性離子蝕刻來圖案化所形成，其做法類似Entegris公司的專利合作條約申請案公告第WO 2010/132640 A2號、標題為「具有聚合突起物的靜電夾盤」所描述的，該申請案全部的揭露乃併於此以為參考。
圖7之具體態樣的優點可以是：聚合物/工件的接觸係保持在浮凸物710上；使用非接觸工件的場區域而替位於夾盤中心的電荷提供至接地的傳導路徑；穩健的披覆應該足以承受清潔的操作。
圖8是根據本發明具體態樣之具有聚合物表面的靜電夾盤圖，其提供電荷至接地的路徑，其中接地的路徑係由具有氣密接觸部的傳導披覆所提供。在圖8的具體態樣中，以和圖7類似的方式，靜電夾盤的表面包括聚合物，其形成毯覆層809和浮凸物810。聚合物表面809/810是藉由傳導路徑801而接地的，該路徑延伸在氣密環803的上方而環繞靜電夾盤邊緣、以及位於氧化鋁絕緣層806的下方。傳導路徑801舉例來說可以由例如類鑽石碳(例如摻雜有氮的氫化碳)的傳導披覆所形成。此外，傳導路徑801可藉由進一步的披覆路徑824(例如由物理氣相沉積法(PVD)所形成的鋁披覆)而電連接至接地。接地螺絲807可將披覆路徑824電連接至鋁基部/冷卻結構811。靜電夾盤也包括氣密環803、氧化鋁絕緣層806、導電環氧樹脂層808、黏合披覆818、氧化鋁介電質819、金屬電極820、氟化聚合物的結合物821(例如全氟烷氧基(PFA)結合物)、導電環氧樹脂的結合物822、電極栓823。黏合披覆層可以包括和用於圖7具體態樣類似的材料。聚合物表面809/810舉例來說可以是例如聚醚亞醯胺(PEI)、聚醚醚酮(PEEK)或聚亞醯胺的聚合物。聚合物表面809/810的表面電阻率舉例來說可以是在每平方從約108到約1010歐姆的範圍內。聚合物表面809/810舉例來說可以藉由層疊和以反應性離子蝕刻來圖案化所形成，其做法類似Entegris公司的專利合作條約申請案公告第WO 2010/132640 A2號、標題為「具有聚合突起物的靜電夾盤」所描述的，該申請案全部的揭露乃併於此以為參考。
圖8的具體態樣的優點可以是：聚合物/工件的接觸係保持在浮凸物810上；製程比圖7的具體態樣要簡單，因為在環繞浮凸物的區域中沒有添加任何的披覆；至接地的傳導路徑是從夾盤邊緣處提供；穩健的披覆應該足以承受清潔的操作。
圖9是根據本發明具體態樣之靜電夾盤900的圖式，其中使用了位於下方的傳導層925。傳導層925可由傳導材料來製造，其可以包括但並不限於類鑽石碳(DLC)或鋁。傳導層925的表面電阻率可以是在每平方從約109至約1011歐姆的範圍內。傳導層925大部分的表面積(96~98%)為分散電荷而提供了足夠的路徑，此係透過電通孔或藉由將傳導層環繞著台板的側面而繞折至台板接地的基部來為之。
可能累積在台板表面上的靜電荷可以是造成工件「沾黏」問題的顯著因素。此種位於台板上的靜電荷現象可藉由傳導層925而得到控制和分散。傳導層925也可以有助於在工件和接地之間傳送靜電荷。此外，由於傳導層925並未接觸位於夾持位置的工件背面，因此可避免由於接觸摩擦而造成傳導層925的任何磨損。
圖10是根據本發明具體態樣之靜電夾盤1000的圖式，其中使用了毯覆層1025。和圖9的具體態樣相較之下，傳導層1025是沉積在氣密環與浮凸物之上而成為「毯覆」(blanket)層。至接地的電連接可以類似於圖9。傳導層1025的表面電阻率也可以是在每平方從約109至約1011歐姆的範圍內。藉由浮凸物的導電頂部表面，電荷可傳送跨越整個工件而進入浮凸物之間的一般區域，並且分散至接地。此外，例如通道的低電阻路徑可納入台板的結構中，以控制晶圓的電荷和台板表面的電荷經由台板基部而排到接地。傳導路徑可藉由採用連接至接地的傳導通孔或是通道而做成穿過靜電構件的厚度。
藉由提供至接地的高傳導路徑，根據本發明的具體態樣在給定的靜電夾盤處理基板的步調中，允許電荷於足夠短的時間內流出靜電夾盤，以避免或減輕晶圓的沾黏或其他晶圓處理的問題。在此方面，應注意的是根據本發明具體態樣之至接地的傳導路徑，其表面電阻率應足以於正在使用靜電夾盤的過程所允許的時間內將電荷傳送至接地。舉例來說，對於每個工件10秒的處理時間和每個工件1秒的處理時間，表面電阻率的差異將需要一個數量級，以便在所需的時間內把電荷傳送至接地。對於植入的過程而言，在幾個十分之一秒內的週期時間需要在此所列的表面電阻率，儘管可能視需要而採用其他的表面電阻率。
根據本發明的具體態樣，為靜電夾盤提供有至接地的傳導路徑，這不但允許電荷流出至接地，同時也避免過量的寄生效應(其中傳導路徑本身可能降低靜電夾盤的夾持力)。儘管可能產生一些寄生效應，但是據信不會顯著降低夾持力，舉例來說，因為傳導路徑(例如DLC披覆)僅存在於夾盤的邊緣。
如在此所用的，「接觸工件的表面」(workpiece-contacting surface)一詞是指一表面，其於使用靜電夾盤的期間接觸著被靜電夾盤所夾持的工件。
根據本發明的具體態樣可用於庫倫(Coulombic)夾盤和強森-拉貝(Johnsen-Rahbek)夾盤。進一步而言，雖然此處描述的是傳導披覆，將了解的是可使用各式各樣不同可能的傳導材料；舉例來說，可採用摻雜的碳化矽、金屬(例如鋁)或其他材料來代替類鑽石碳。可採取拋光來降低傳導路徑的有效表面電阻率。在一具體態樣中，用於靜電夾盤之主場區域的雙重結構可由碳化矽來形成，其結合了用於傳導路徑之高度摻雜的碳化矽。根據本發明具體態樣的靜電夾盤可採用例如反應性離子蝕刻製程來維修翻新。進一步而言，根據本發明的具體態樣可應用在不同的系統中，包括但是並不限於束線離子植入機、電漿摻雜離子植入機、電漿浸沒式離子植入系統、洪氾離子植入機、聚焦電漿系統、調制電漿鞘的系統、蝕刻系統、基於光學的處理系統、化學氣相沉積系統。
此處所有引用之專利、公開的申請案、參考文獻的教示皆整個併於此以為參考。
雖然本發明已特別參考其範例性的具體態樣來展示和描述，但是熟於此技藝者將了解當中可進行各式各樣之形式與細節上的變化，而不背離由所附申請專利範圍所涵蓋的本發明範圍。
100．．．靜電夾盤
101．．．傳導路徑
102．．．表面電阻率測量
103．．．氣密環
104．．．向下繞折到靜電夾盤側面
105．．．傳導接地層
106．．．陶瓷層
107．．．接地栓
108．．．導電環氧樹脂
109．．．主場區域
110．．．浮凸物
111．．．基部
201．．．傳導路徑
205．．．傳導接地層
207．．．接地栓
209．．．主場區域
210．．．浮凸物
212．．．傳導披覆
301．．．傳導路徑
305．．．傳導接地層
309．．．主場區域
401．．．傳導路徑
406．．．陶瓷絕緣層
411．．．基部
413．．．邊緣
414．．．斜切區域
415．．．繞折到靜電夾盤背面
503．．．氣密環
516．．．輻條
517．．．氣孔周圍的環
601．．．傳導路徑
603．．．氣密環
606．．．氧化鋁絕緣層
607．．．接地螺絲
608．．．環氧樹脂層
609．．．毯覆層
610．．．浮凸物
611．．．基部/冷卻結構
618．．．黏合披覆
619．．．氧化鋁介電質
620．．．金屬電極
621．．．氟化聚合物的結合物
622．．．環氧樹脂的結合物
623．．．電極栓
701．．．傳導路徑
703．．．氣密環
706．．．氧化鋁絕緣層
707．．．接地螺絲
708．．．環氧樹脂層
709．．．毯覆層
710．．．浮凸物
711．．．基部/冷卻結構
718．．．黏合披覆
719．．．氧化鋁介電質
720．．．金屬電極
721．．．陶瓷對陶瓷的結合物
722．．．環氧樹脂的結合物
723．．．電極栓
724．．．披覆路徑
801．．．傳導路徑
803．．．氣密環
806．．．氧化鋁絕緣層
807．．．接地螺絲
808．．．環氧樹脂層
809．．．毯覆層
810．．．浮凸物
811．．．基部/冷卻結構
818．．．黏合披覆
819．．．氧化鋁介電質
820．．．金屬電極
821．．．氟化聚合物的結合物
822．．．環氧樹脂的結合物
823．．．電極栓
824．．．披覆路徑
900．．．靜電夾盤
925．．．傳導層
1000．．．靜電夾盤
1025．．．毯覆層
從以上對於本發明之範例性具體態樣更特定的說明，上述內容將很容易了解；如所附圖式中所示範的，其中相同的參考符號係指不同觀察角度中相同的部分。圖式不一定合乎比例，而在示範本發明的具體態樣時會對比例予以強調。此外，應了解的是雖然構件是顯示成相鄰的，它們卻可能是互相電連接的，即使是為了明確起見而在圖式中顯示成在它們之間具有些許的空間，這於發明說明的文字中藉由參考圖式將可明瞭。
圖1是根據本發明具體態樣的靜電夾盤圖。
圖2是根據本發明具體態樣的靜電夾盤圖，其包括位於一或更多個浮凸物之接觸工件表面上的傳導披覆。
圖3是根據本發明具體態樣之圖2靜電夾盤另外可選擇的版本圖式，其中傳導接地層係置於環繞靜電夾盤邊緣之傳導路徑的外側。
圖4是根據本發明具體態樣的靜電夾盤圖，其中使用了導電環氧樹脂以形成電連接。
圖5是根據本發明具體態樣的靜電夾盤圖，其包括在靜電夾盤接觸工件的表面上的傳導圖案。
圖6是根據本發明具體態樣之具有聚合物表面的靜電夾盤圖，其提供電荷接地的路徑，而該表面包括裝填有奈米碳管的聚合物。
圖7是根據本發明具體態樣之具有聚合物表面的靜電夾盤圖，其提供電荷接地的路徑，其中接地的路徑係由具有氣密接觸部的傳導披覆毯覆膜所提供。
圖8是根據本發明具體態樣之具有聚合物表面的靜電夾盤圖，其提供電荷接地的路徑，其中接地的路徑係由具有氣密接觸部的傳導披覆所提供。
圖9是根據本發明具體態樣的靜電夾盤圖，其中使用了位於下方的傳導層。
圖10是根據本發明具體態樣的靜電夾盤圖，其中使用了毯覆層。
100．．．靜電夾盤
101．．．傳導路徑
102．．．表面電阻率測量值
103．．．氣密環
104．．．向下繞折到靜電夾盤側面
105．．．傳導接地層
106．．．陶瓷層
107．．．接地栓
108．．．導電環氧樹脂
109．．．主場區域
110．．．浮凸物
111．．．基部

Claims (26)

  1. 一種靜電夾盤，其包括：傳導路徑，其覆蓋靜電夾盤的氣密環之至少一部分接觸工件的表面，該傳導路徑包括覆蓋至少一部分之該靜電夾盤的外緣的披覆並且包括至少一部分至接地的電路徑，該傳導路徑包括範圍從每平方約105歐姆至每平方約107歐姆的表面電阻率；該靜電夾盤的接觸工件表面的主場區域，其包括範圍從每平方約108至約1012歐姆的表面電阻率，該主場區域包括延伸在該主場區域的周圍部分之上的至少一個浮凸物；以及在至少一個該浮凸物之接觸工件表面上的傳導披覆。
  2. 根據申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中該傳導路徑包括類鑽石碳。
  3. 根據申請專利範圍第2項的靜電夾盤，其中該傳導路徑包括摻雜的類鑽石碳。
  4. 根據申請專利範圍第3項的靜電夾盤，其中該傳導路徑包括摻雜有氮的氫化碳。
  5. 根據申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中該傳導路徑包括厚度小於約1微米的披覆。
  6. 根據申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中該傳導路徑繞到該靜電夾盤的絕緣層下方。
  7. 根據申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中該主場區域包括碳化矽。
  8. 根據申請專利範圍第7項的靜電夾盤，其中該主場區域包括範圍從每平方約109歐姆至每平方約1011歐姆的表面電阻率。
  9. 根據申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中該靜電夾盤包括傳導接地層，其至少有一部分係位於該靜電夾盤之絕緣層下方，該傳導接地層電接觸該傳導路徑。
  10. 根據申請專利範圍第9項的靜電夾盤，其中該傳導接地層的外緣至少有一部分係被該傳導路徑所覆蓋。
  11. 根據申請專利範圍第9項的靜電夾盤，其中該傳導接地層電接觸該靜電夾盤的接地栓。
  12. 根據申請專利範圍第9項的靜電夾盤，其進一步包括位於至少一部分該傳導接地層下方的導電環氧樹脂層。
  13. 根據申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中該靜電夾盤的傳導路徑以及至少一個該浮凸物之接觸工件表面上的傳導披覆都包括類鑽石碳披覆。
  14. 根據申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中該靜電夾盤包括傳導接地層，其至少有一部分係位於該靜電夾盤的絕緣層下方，該傳導接地層電接觸該傳導路徑。
  15. 根據申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中該靜電夾盤的基部包括位於該基部的一或更多個邊緣上的斜切區域。
  16. 根據申請專利範圍第15項的靜電夾盤，其中該傳導路徑是藉由在該斜切區域中的傳導環氧樹脂而電接觸該基部。
  17. 根據申請專利範圍第16項的靜電夾盤，其中該傳導路徑包括覆蓋至少一部分該靜電夾盤的外緣的披覆，該傳導路徑係繞於該靜電夾盤的絕緣層下方。
  18. 根據申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其進一步包括位於該靜電夾盤的接觸工件表面上的至少一個傳導圖案，該至少一個傳導圖案電接觸該傳導路徑。
  19. 根據申請專利範圍第18項的靜電夾盤，其中該至少一個傳導圖案包括披覆有傳導披覆的金屬。
  20. 根據申請專利範圍第18項的靜電夾盤，其中該至少一個傳導圖案包括以下至少一者：朝向該靜電夾盤中心延伸的輻條、環繞該靜電夾盤之氣孔的環、在該靜電夾盤的接觸工件表面上的至少一個浮凸物之間的痕跡。
  21. 根據申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中該靜電夾盤的主場區域包括聚合物。
  22. 根據申請專利範圍第21項的靜電夾盤，其中該主場區域包括延伸在該主場區域周圍部分之上的至少一個浮凸物，該至少一個浮凸物包括聚合物。
  23. 根據申請專利範圍第21項的靜電夾盤，其中該主場區域包括範圍從每平方約108到約1010歐姆的表面電阻率。
  24. 根據申請專利範圍第21項的靜電夾盤，其中該傳導路徑包括傳導披覆，該傳導披覆也覆蓋至少一部分的主場區域。
  25. 一種靜電夾盤，其包括：傳導路徑，其電連接到至少部分之靜電夾盤接觸工件 的表面，該傳導路徑包括覆蓋至少一部分之該靜電夾盤的外緣的披覆並且包括至少一部分至接地的電路徑，該傳導路徑包括範圍從每平方約105歐姆至每平方約107歐姆的表面電阻率；該靜電夾盤的接觸工件表面的主場區域，其包括範圍從每平方約108到約1010歐姆範圍的表面電阻率，該主場區域包括含有奈米碳管的聚合物，該主場區域包括延伸在該主場區域的周圍部分之上的至少一個浮凸物；以及在至少一個該浮凸物之接觸工件表面上的傳導披覆。
  26. 根據申請專利範圍第25項的靜電夾盤，其中該聚合物包括以下至少一者：裝填有奈米碳管的聚醚亞醯胺、裝填有奈米碳管的聚醚醚酮以及裝填有奈米碳管的聚亞醯胺。
TW100132405A 2010-09-08 2011-09-08 高傳導靜電夾盤 TWI534940B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38097010P 2010-09-08 2010-09-08
US201161509970P 2011-07-20 2011-07-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201216406A TW201216406A (en) 2012-04-16
TWI534940B true TWI534940B (zh) 2016-05-21

Family

ID=45811160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100132405A TWI534940B (zh) 2010-09-08 2011-09-08 高傳導靜電夾盤

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9692325B2 (zh)
JP (1) JP5796076B2 (zh)
KR (1) KR101896127B1 (zh)
CN (1) CN103222043B (zh)
SG (1) SG188434A1 (zh)
TW (1) TWI534940B (zh)
WO (1) WO2012033922A2 (zh)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008083002A1 (en) * 2006-12-26 2008-07-10 Fujifilm Dimatix, Inc. Printing system with conductive element
TWI475594B (zh) 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
JP5731485B2 (ja) 2009-05-15 2015-06-10 インテグリス・インコーポレーテッド ポリマー突起を有する静電チャック
US8861170B2 (en) 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
KR101731136B1 (ko) 2010-05-28 2017-04-27 엔테그리스, 아이엔씨. 표면저항이 높은 정전 척
JP5796076B2 (ja) * 2010-09-08 2015-10-21 インテグリス・インコーポレーテッド 高導電性静電チャック
US9147593B2 (en) * 2012-10-10 2015-09-29 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
JP6238996B2 (ja) * 2012-11-02 2017-11-29 インテグリス・インコーポレーテッド 光パターン化可能な軟質突出部接触面を有する静電チャック
US10937684B2 (en) * 2012-11-28 2021-03-02 Kyocera Corporation Placement member and method of manufacturing the same
EP2956960B1 (en) * 2013-02-13 2023-03-29 Entegris, Inc. Vacuum chuck with polymeric embossments
KR101812666B1 (ko) * 2013-08-05 2017-12-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 얇은 기판 취급을 위한 정전 캐리어
JP6527524B2 (ja) 2014-02-07 2019-06-05 インテグリス・インコーポレーテッド 静電チャックおよびその作製方法
KR20170026360A (ko) * 2014-06-17 2017-03-08 에바텍 아크티엔게젤샤프트 무선 주파수 션트를 구비한 정전척
US10325800B2 (en) * 2014-08-26 2019-06-18 Applied Materials, Inc. High temperature electrostatic chucking with dielectric constant engineered in-situ charge trap materials
US10978334B2 (en) * 2014-09-02 2021-04-13 Applied Materials, Inc. Sealing structure for workpiece to substrate bonding in a processing chamber
CN107258012B (zh) * 2015-03-20 2021-04-16 应用材料公司 以高温聚合物接合剂接合至金属基底的陶瓷静电夹盘
US9999947B2 (en) * 2015-05-01 2018-06-19 Component Re-Engineering Company, Inc. Method for repairing heaters and chucks used in semiconductor processing
US9623679B1 (en) * 2015-11-18 2017-04-18 Xerox Corporation Electrostatic platen for conductive pet film printing
KR101710010B1 (ko) * 2015-12-30 2017-02-24 성균관대학교산학협력단 문서의 상대적 특징을 반영한 문서 요약 방법 및 시스템
TWI781945B (zh) 2016-07-06 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 基板固持器及製造一基板固持器之方法
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
JP2020537336A (ja) * 2017-10-09 2020-12-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 無損傷基板処理のための静電チャック
KR102655866B1 (ko) 2018-01-31 2024-04-05 램 리써치 코포레이션 정전 척 (electrostatic chuck, ESC) 페데스탈 전압 분리
US11086233B2 (en) * 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
JP7170449B2 (ja) * 2018-07-30 2022-11-14 東京エレクトロン株式会社 載置台機構、処理装置及び載置台機構の動作方法
KR102556739B1 (ko) * 2018-11-19 2023-07-17 엔테그리스, 아이엔씨. 전하 소산 코팅이 적용된 정전 척
US11640917B2 (en) * 2018-12-07 2023-05-02 Applied Materials, Inc. Ground electrode formed in an electrostatic chuck for a plasma processing chamber
TWI762978B (zh) * 2019-07-24 2022-05-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 用於多層之靜電吸盤之接地機構及相關之方法
KR20210089375A (ko) 2020-01-08 2021-07-16 주식회사 미코세라믹스 정전척
WO2022051185A1 (en) * 2020-09-02 2022-03-10 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with embossments that comprise diamond-like carbon and deposited silicon-based material, and related methods
EP4057068A1 (en) * 2021-03-09 2022-09-14 ASML Netherlands B.V. Apparatus comprising an electrostatic clamp and method
JP7303249B2 (ja) 2021-06-30 2023-07-04 新光電気工業株式会社 静電チャック及び基板固定装置
FR3125355A1 (fr) * 2021-07-19 2023-01-20 Soitec Agencement de dispositif de maintien pour une utilisation dans un processus d'implantation d'un substrat piézoélectrique
CN113894720A (zh) * 2021-10-20 2022-01-07 华能(大连)热电有限责任公司 一种汽封弧段固定方法及其固定装置
US20230274967A1 (en) * 2022-02-28 2023-08-31 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with a charge dissipation structure

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0717153Y2 (ja) * 1988-07-15 1995-04-19 日本電子株式会社 静電チャック装置
US5452177A (en) 1990-06-08 1995-09-19 Varian Associates, Inc. Electrostatic wafer clamp
JPH0563063A (ja) * 1991-09-02 1993-03-12 Nikon Corp 静電チヤツク装置
JPH08316298A (ja) * 1995-05-11 1996-11-29 Souzou Kagaku:Kk 静電チャック
US6370007B2 (en) * 1995-09-20 2002-04-09 Hitachi, Ltd. Electrostatic chuck
US6117246A (en) * 1997-01-31 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck
JP2000183146A (ja) 1998-12-18 2000-06-30 Ibiden Co Ltd 静電チャック
JP4010541B2 (ja) * 2002-06-18 2007-11-21 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着装置
KR100511854B1 (ko) 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
EP1391786B1 (en) 2002-08-23 2010-10-06 ASML Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2004082007A1 (ja) 2003-03-12 2004-09-23 Tokyo Electron Limited 半導体処理用の基板保持構造及びプラズマ処理装置
JP2004349663A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Creative Technology:Kk 静電チャック
JP2005005001A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Daicel Chem Ind Ltd 導電ペースト
US6946403B2 (en) * 2003-10-28 2005-09-20 Axcelis Technologies, Inc. Method of making a MEMS electrostatic chuck
CN100481366C (zh) * 2003-11-14 2009-04-22 爱德牌工程有限公司 静电卡盘、基片支持、夹具和电极结构及其制造方法
JP4349952B2 (ja) * 2004-03-24 2009-10-21 京セラ株式会社 ウェハ支持部材とその製造方法
JP2006040993A (ja) 2004-07-23 2006-02-09 Nikon Corp 静電チャック
KR20070072571A (ko) * 2004-11-04 2007-07-04 가부시키가이샤 알박 정전 척 장치
TW200721244A (en) 2005-11-17 2007-06-01 Beam Corp E Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
EP2024994B1 (en) * 2006-06-02 2014-04-23 Sulzer Metaplas GmbH Method to prevent metal contamination by a substrate holder
JP5063063B2 (ja) 2006-09-19 2012-10-31 株式会社リコー 感熱記録材料の製造方法及び感熱記録材料
JP4890421B2 (ja) * 2006-10-31 2012-03-07 太平洋セメント株式会社 静電チャック
JP2008210913A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Creative Technology:Kk 静電チャック
JP2008251737A (ja) 2007-03-29 2008-10-16 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置用電極部材ならびにそれを用いた静電チャック装置および静電吸着解除方法
CN101796626B (zh) * 2007-09-06 2012-02-01 创意科技股份有限公司 静电吸盘装置中的气体供给结构的制造方法及静电吸盘装置气体供给结构以及静电吸盘装置
US7649729B2 (en) 2007-10-12 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
TWI475594B (zh) 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
US8169768B1 (en) * 2008-06-09 2012-05-01 Kla-Tencor Corporation Electrostatic chuck
KR100903306B1 (ko) 2008-10-08 2009-06-16 주식회사 아이피에스 진공처리장치
US8139340B2 (en) * 2009-01-20 2012-03-20 Plasma-Therm Llc Conductive seal ring electrostatic chuck
US8531814B2 (en) * 2009-04-16 2013-09-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Removal of charge between a substrate and an electrostatic clamp
US8861170B2 (en) * 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
JP5731485B2 (ja) 2009-05-15 2015-06-10 インテグリス・インコーポレーテッド ポリマー突起を有する静電チャック
JP5796076B2 (ja) * 2010-09-08 2015-10-21 インテグリス・インコーポレーテッド 高導電性静電チャック

Also Published As

Publication number Publication date
JP5796076B2 (ja) 2015-10-21
KR20140012613A (ko) 2014-02-03
SG188434A1 (en) 2013-05-31
US9692325B2 (en) 2017-06-27
WO2012033922A3 (en) 2012-05-31
US20130155569A1 (en) 2013-06-20
CN103222043A (zh) 2013-07-24
KR101896127B1 (ko) 2018-09-07
TW201216406A (en) 2012-04-16
CN103222043B (zh) 2016-10-12
JP2013542590A (ja) 2013-11-21
WO2012033922A2 (en) 2012-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI534940B (zh) 高傳導靜電夾盤
TWI534945B (zh) 具有聚合物突出物的靜電吸盤
TWI740278B (zh) 具有電荷消散塗層之靜電卡盤
KR100511854B1 (ko) 정전 흡착 장치
EP1070381B1 (en) Electrostatic wafer clamp having low particulate contamination of wafers
US9025305B2 (en) High surface resistivity electrostatic chuck
US20100104403A1 (en) Apparatus for transferring a wafer
KR20170026360A (ko) 무선 주파수 션트를 구비한 정전척
EP4029053A1 (en) Electrostatic puck and method of manufacture