TWI525657B - Electronic components manufacturing support systems, manufacturing support methods and manufacturing support programs - Google Patents

Electronic components manufacturing support systems, manufacturing support methods and manufacturing support programs Download PDF

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TWI525657B
TWI525657B TW103107721A TW103107721A TWI525657B TW I525657 B TWI525657 B TW I525657B TW 103107721 A TW103107721 A TW 103107721A TW 103107721 A TW103107721 A TW 103107721A TW I525657 B TWI525657 B TW I525657B
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Muneyoshi Yamada
Akira Soga
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Toshiba Kk
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    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
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    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
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    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
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Description

電子元件之製造支援系統、製造支援方法及製造支援程式
本發明之實施形態係關於一種電子元件之製造支援系統、製造支援方法及製造支援程式。
存在半導體元件或磁性元件、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)等電子元件。於電子元件之製造中，伴隨著微細化，要求更嚴格之尺寸管理。因此，於電子元件之製造中，進行基於檢查步驟中之測定值，制定製造條件之改善對策，從而修正製造裝置之加工條件之設定。
實際實施之改善對策係基於具有專業知識之技術人員之成本效益之估算而決定。然而，利用技術人員之人工作業之改善對策之制定及效益之估算存在耗費時間、計算錯誤較多、若無專業知識或技能則無法實施、及僅能制定專業之製造步驟之改善對策等問題。如此，改善對策之決定之現狀為必需高度之專業知識，且即便具有專業知識之技術人員亦耗費時間。因此，對於電子元件之製造，期待可容易且適當地決定製造條件之改善對策。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-170502號公報
本發明之實施形態提供一種支援製造條件之改善對策之決定的電子元件之製造支援系統、製造支援方法及製造支援程式。
根據本發明之實施形態，提供一種包含檢查資料取得部、按分類偏差計算部、按要因資料取得部、及按要因偏差計算部之製造支援系統。上述檢查資料取得部基於用以特定出成為對象之電子元件之特定資訊，自保管複數個檢查資料之檢查資料庫，取得上述成為對象之電子元件之上述檢查資料，該等複數個檢查資料包含檢查步驟中取得之尺寸之資訊及上述特定資訊。上述按分類偏差計算部基於上述成為對象之電子元件之上述檢查資料，按照包含上述電子元件之批次間、以及基板間及基板面內之位置之至少任一者之分類，計算上述成為對象之電子元件之尺寸之偏差。上述按要因資料取得部自保管複數個改善歷程資料之知識資料庫，基於上述特定資訊，取得上述成為對象之電子元件之上述改善歷程資料，該等複數個改善歷程資料包含電子元件之品種之資訊、該品種之製造步驟之資訊、過去對於該製造步驟按上述分類所制定之複數個尺寸之偏差要因之資訊、及針對該等各偏差要因之各者之複數個改善對策之資訊。上述按要因偏差計算部基於上述成為對象之電子元件之上述改善歷程資料所包含之上述複數個偏差要因之資訊，決定上述成為對象之電子元件之複數個偏差要因，計算按照所決定之上述複數個偏差要因之尺寸之偏差，並且基於上述改善歷程資料所包含之上述複數個改善對策之資訊，決定上述成為對象之電子元件之複數個改善對策。
10‧‧‧製造支援系統
12‧‧‧網路
14‧‧‧檢查裝置
20‧‧‧製造支援裝置
20p‧‧‧製造支援程式
21‧‧‧控制部
22‧‧‧記憶部
23‧‧‧網路I/F
30‧‧‧用戶終端
30p‧‧‧用戶端程式
31‧‧‧控制部
32‧‧‧記憶部
33‧‧‧輸入部
34‧‧‧顯示部
35‧‧‧網路I/F
40‧‧‧DB群
41‧‧‧主DB
42‧‧‧檢查DB
43‧‧‧知識DB
44‧‧‧模擬DB
45‧‧‧不良資訊DB
46‧‧‧生產計劃DB
51‧‧‧檢查資料取得部
52‧‧‧按分類偏差計算部
53‧‧‧按要因資料取得部
54‧‧‧按要因偏差計算部
55‧‧‧不良率資料取得部
56‧‧‧良率計算部
57‧‧‧工時資料取得部
58‧‧‧生產計劃資料取得部
59‧‧‧費用計算部
60‧‧‧對策優先順序計算部
61‧‧‧輸出部
81‧‧‧製造資訊儲存部
82‧‧‧檢查資料儲存部
83‧‧‧按要因資料儲存部
84‧‧‧按要因資料計算結果儲存部
85‧‧‧不良率資料儲存部
86‧‧‧生產計劃資料儲存部
110‧‧‧製造支援系統
120‧‧‧製造支援裝置
EF‧‧‧電子檔案
ES‧‧‧輸入畫面
OS1‧‧‧第1輸出畫面
OS2‧‧‧第2輸出畫面
OS3‧‧‧第3輸出畫面
OS4‧‧‧第4輸出畫面
OS5‧‧‧第5輸出畫面
OS6‧‧‧第6輸出畫面
SB‧‧‧決定按鈕
TB1‧‧‧文字輸入框
TB2‧‧‧文字輸入框
TB3‧‧‧文字輸入框
TB4‧‧‧文字輸入框
圖1係表示實施形態之製造支援系統之模式性方塊圖。
圖2係模式性地表示實施形態之製造支援裝置之控制部及記憶部之功能方塊圖。
圖3係表示實施形態之用戶終端之輸入畫面之一例的模式圖。
圖4(a)~圖4(c)係表示實施形態之按要因偏差計算部之計算之一例的模式圖。
圖5(a)~圖5(c)係表示實施形態之良率計算部之計算之一例的模式圖。
圖6係表示實施形態之輸出畫面之一例之模式圖。
圖7係表示實施形態之輸出畫面之一例之模式圖。
圖8係表示實施形態之輸出畫面之一例之模式圖。
圖9係表示實施形態之輸出畫面之一例之模式圖。
圖10係表示實施形態之輸出畫面之一例之模式圖。
圖11係表示實施形態之輸出畫面之一例之模式圖。
圖12係模式性地表示實施形態之製造支援系統之動作之流程圖。
圖13係表示實施形態之另一製造支援系統之模式性方塊圖。
以下，一面參照圖式，一面對各實施形態進行說明。
再者，圖式係模式性或概念性者，各部分之厚度與寬度之關係、部分間之大小之比率等未必與實物相同。又，即便於表示相同部分之情形時，亦存在根據圖式而相互之尺寸或比率不同地表示之情形。
再者，於本案說明書與各圖中，關於已列出之圖，對與上述同樣之要素標註同一符號而適當省略詳細說明。
圖1係表示實施形態之製造支援系統之模式性方塊圖。
如圖1所示，製造支援系統10例如包含製造支援裝置20、及用戶終端30。製造支援裝置20與用戶終端30係經由網路12而相互連接。即，製造支援裝置20與用戶終端30可經由網路12相互進行通信。
製造支援系統10係支援半導體元件或磁性元件等電子元件之製造步驟之改善之決策的系統。更詳細而言，支援將複數塊基板作為1批次處理且於基板上排列形成複數個元件之電子元件之製造步驟之改善之決策。以下，以半導體元件為例進行說明。於半導體元件中，基板係使用晶圓。以下，以將25片晶圓作為1批次並於各晶圓形成複數個半導體元件之情形為例進行說明。
於製造支援系統10中，使用者自用戶終端30對製造支援裝置20進行存取。繼而，使用者將用以特定出成為對象之半導體元件之特定資訊經由用戶終端30輸入至製造支援裝置20。於該例中，將與所需之半導體元件之製造相關之資訊(以下稱為製造資訊)作為特定資訊輸入。於製造資訊中例如包含半導體元件之品種(製品名)、半導體元件之製造步驟、用於檢查半導體元件之檢查裝置、及製造半導體元件之期間等資訊。製造資訊並不限於該等，亦可包含其他資訊等。又，特定資訊並不限於製造資訊，亦可為例如賦予至每一半導體元件之識別編號等。
製造支援裝置20基於所輸入之製造資訊，分析該半導體元件之尺寸之偏差。又，製造支援裝置20基於過去所實施之改善對策之資訊，求出有效之改善對策，並且估算實施該改善對策之情形時之效益。繼而，製造支援裝置20將所求出之改善對策及效益之估算結果之資訊等輸出至用戶終端30。
用戶終端30顯示自製造支援裝置20輸出之資訊。使用者基於所顯示之改善對策及效益之估算結果等，決定實際實施之改善對策。藉此，製造支援系統10可支援製造步驟之改善對策之決策。如此，製造支援系統10執行支援電子元件之製造步驟之改善對策之決策的處理(以下稱為決策支援處理)。
網路12例如可為LAN(Local Area Network，區域網路)等連接特定 之區域之網路，亦可為網際網路等公共網路。
製造支援裝置20例如包含控制部21、記憶部22、及網路介面23(以下稱為網路I/F23)。
控制部21例如係CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)或MPU(Micro-Processing Unit，微處理單元)等處理器。
於記憶部22中記憶有用以執行決策支援處理之製造支援程式20p。記憶部22例如包含記憶有製造支援程式20p等各種程式或資料之ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)區域、及暫時記憶控制之過程中產生之各種資料之RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)區域。控制部21自記憶部22讀出各種程式，並逐次處理該等程式，藉此總括地控制製造支援裝置20之各部。記憶部22例如使用ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)及硬碟等記憶裝置。記憶部22亦可為例如該等各種記憶裝置組合而構成。
網路I/F23將製造支援裝置20連接於網路12。網路I/F23與控制部21電性連接。控制部21例如經由網路I/F23而連接於網路12。網路I/F23例如為數據機或路由器等。網路I/F23係使用依據網路12之規格之機器。
製造支援裝置20例如為應用伺服器。製造支援裝置20例如可為1台伺服器，亦可為複數台伺服器組合而成之伺服器群(server farm)。
用戶終端30例如包含控制部31、記憶部32、輸入部33、顯示部34、及網路介面35(網路I/F35)。
控制部31例如與製造支援裝置20之控制部21同樣，為CPU或MPU等處理器。網路I/F35將用戶終端30連接於網路12。網路I/F35由於與製造支援裝置20之網路I/F23相同，故而省略詳細說明。
輸入部33例如使用鍵盤或滑鼠等。輸入部33例如可為能夠輸入資訊或對控制部31輸入指示之任意輸入裝置。顯示部34例如使用液晶 顯示器等。顯示部34例如可為能夠顯示與控制部31之控制相應之畫面之任意顯示裝置。
於記憶部32中記憶有與製造支援系統10對應之用戶端程式30p。記憶部32例如包含記憶有用戶端程式30p等各種程式或資料之ROM區域、及暫時記憶控制之過程中產生之各種資料之RAM區域。控制部31自記憶部32讀出各種程式，並逐次處理該等程式，藉此總括地控制用戶終端30之各部。記憶部32例如使用ROM、RAM及硬碟等各種記憶裝置。記憶部32亦可為例如該等各種記憶裝置組合而構成。
用戶端程式30p例如可為與製造支援系統10對應之專用之程式，亦可為通用之網頁瀏覽器等。用戶端程式30p例如只要能夠執行如下處理即可，即：受理自輸入部33之資訊或指示之輸入之處理、響應所輸入之指示而對製造支援裝置20進行存取之處理、及將與該存取結果等相應之各種畫面顯示於顯示部34之處理。
用戶終端30例如係個人電腦。用戶終端30例如亦可為用於製造支援系統10用途而專門設計之終端。用戶終端30例如亦可為智慧型手機或平板電腦等可攜式終端。用戶終端30可以有線連接於網路12，亦可以無線連接於網路12。
再者，於該例中，表示了1台用戶終端30，但製造支援系統10亦可包含複數台用戶終端30。亦可為複數台用戶終端30之各者能夠對製造支援裝置20進行存取。
於網路12連接有資料庫(DB)群40。於DB群40中設置有例如主DB41、檢查DB42、知識DB43、模擬DB44、不良資訊DB45、及生產計劃DB46。各DB41~46可分別設置於單獨之伺服器，亦可設置於1台伺服器內。又，連接於網路12之資料庫並不限於該等。對網路12亦可進而連接其他資料庫。
於主DB41中，例如保管有半導體元件之品種(製品名)之資訊、 實施過之製造步驟之資訊、用於檢查之測量裝置之資訊、半導體元件之製造日(實施對象之製造步驟之日)之資訊、晶圓之面內之半導體元件之位置的資訊、出貨日、顧客、及世代等製造資訊。主DB41例如於開始分析(估算)前，用於關於何者(製品、步驟、時期等)進行之對象之選擇。
於檢查DB42中，保管有所製造之半導體元件之於檢查步驟中取得之複數個檢查資料。於檢查資料中例如包含製造裝置中之成膜或蝕刻等加工後之尺寸之資訊。又，於檢查資料中例如包含半導體元件之品種(製品名)之資訊、實施過之製造步驟之資訊、用於檢查之測量裝置之資訊、半導體元件之製造日(實施對象之製造步驟之日)之資訊、及晶圓之面內之半導體元件之位置的資訊等製造資訊。於檢查資料中，將該等製造資訊與尺寸之資訊建立關聯而保管。藉此，可個別地讀出所製造之半導體元件之每一製造步驟之尺寸之資訊。
於知識DB43中保管有複數個改善歷程資料。於改善歷程資料，例如關聯有半導體元件之品種之資訊、該品種之製造步驟之資訊、對於該製造步驟過去按分類所制定之複數個尺寸之偏差要因的資訊、針對該等各偏差要因之各者之複數個改善對策之資訊、實施該等各改善對策之各者之情形時複數個尺寸之改善預期之資訊、及該等各改善對策之各者實施前所耗費之複數個工時之資訊。
例如，對於特定之半導體元件之特定之製造步驟實施改善對策。於此情形時，藉由參照知識DB43之同樣之製造步驟之改善歷程資料，可得知該製造步驟之偏差要因、改善對策及改善預期。例如，於保管有對於同樣之步驟之複數個改善歷程資料之情形時，藉由算出該等各改善歷程資料之改善預期之資訊之平均值、或採用最新之各改善歷程資料之改善預期之資訊，可獲得更適當之改善預期。
於模擬DB44中，例如保管有開發品之半導體元件等中新追加之 製造步驟之製程模擬之結果。例如，亦可於與模擬DB44相同之伺服器中設置製程模擬器。例如，亦可響應來自製造支援裝置20之指示等進行製程模擬，並將模擬結果與對製造支援裝置20之模擬結果之響應一併保管於模擬DB44。製程模擬器亦可例如設置於與模擬DB44不同之伺服器。製程模擬之結果亦可例如預先記憶於模擬DB44。
於不良資訊DB45中保管有複數個不良率資料。於不良率資料，例如關聯有半導體元件之品種之資訊、該品種之製造步驟之資訊、及該製造步驟中之尺寸與不良率(良率)之關聯。
於生產計劃DB46中保管有複數個生產計劃資料。於生產計劃資料，例如關聯有半導體元件之品種之資訊、該品種之製造步驟之資訊、及針對該製造步驟之偏差要因而實施改善對策所耗費之費用的資訊。
於網路12，例如連接有檢查裝置14。檢查裝置14例如於半導體元件之檢查步驟中進行尺寸之檢查。然後，檢查裝置14將所取得之尺寸之資訊作為檢查資料輸出至檢查DB42。檢查DB42保管所輸入之檢查資料。於該例中，表示了1台檢查裝置14，但實際上，針對半導體元件之每一生產線及每一製造步驟等設置之複數台檢查裝置14連接於網路12。將檢查資料自各檢查裝置14之各者輸出至檢查DB42。藉此，將半導體元件之各製造步驟之檢查資料儲存於檢查DB42。檢查裝置14例如使用三維測量SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡)等。
圖2係模式性地表示實施形態之製造支援裝置之控制部及記憶部之功能方塊圖。
如圖2所示，於製造支援裝置20之控制部21，設置有檢查資料取得部51、按分類偏差計算部52、按要因資料取得部53、按要因偏差計算部54、不良率資料取得部55、良率計算部56、工時資料取得部57、 生產計劃資料取得部58、費用計算部59、對策優先順序計算部60及輸出部61。該等各部51~61例如藉由製造支援程式20p之執行，而以軟體設置於控制部21。該等各部51~61亦可例如藉由邏輯電路等而以硬體設置於控制部21。又，於該例中，將各部51~61設置於控制部21，但各部51~61亦可例如分開設置於複數個處理器等。亦可將使各部51~61之各者設為獨立之處理器。
於製造支援裝置20之記憶部22，設置有製造資訊儲存部81、檢查資料儲存部82、按要因資料儲存部83、按要因資料計算結果儲存部84、不良率資料儲存部85及生產計劃資料儲存部86。該等各部81~86例如為記憶部22內之特定容量之記憶體空間。各部81~86亦可例如為分別獨立之記憶裝置。
對檢查資料取得部51及製造資訊儲存部81輸入成為處理之對象之半導體元件之製造資訊。製造資訊係經由用戶終端30之輸入部33而被輸入。製造資訊儲存部81暫時記憶所輸入之製造資訊。
圖3係表示實施形態之用戶終端之輸入畫面之一例的模式圖。
如圖3所示，若於用戶終端30中執行用戶端程式30p，則於顯示部34顯示輸入畫面ES。於輸入畫面ES，例如設置有用以輸入製造資訊之文字輸入框。於輸入畫面ES，例如設置用以輸入半導體元件之品種之文字輸入框TB1、用以輸入製造步驟之文字輸入框TB2、用以輸入檢查步驟中使用之檢查裝置之文字輸入框TB3、及用以輸入成為對象之製造期間之文字輸入框TB4。又，於輸入畫面ES，例如設置用以指示決定所輸入之製造資訊之決定按鈕SB。再者，製造資訊之輸入可設為能夠直接輸入，亦可設為能夠自下拉選單等選擇。
使用者例如於欲執行對於所需之半導體元件之決策支援處理之情形時，操作輸入部33，指示用戶終端30之控制部31執行用戶端程式30p。控制部31例如響應來自輸入部33之指示，讀出用戶端程式30p， 並根據用戶端程式30p執行處理。控制部31例如使顯示部34顯示輸入畫面ES。
使用者將製造資訊經由輸入部33輸入至顯示部34所顯示之輸入畫面ES之各文字輸入框TB1~TB4。繼而，於輸入後，點擊決定按鈕SB。控制部31響應決定按鈕SB之點擊，將所輸入之製造資訊發送至製造支援裝置20。
製造支援裝置20之控制部21若接收到自用戶終端30發送之製造資訊，則將該製造資訊輸入至檢查資料取得部51，並且使該製造資訊記憶於記憶部22之製造資訊儲存部81。藉此，將製造資訊輸入至檢查資料取得部51及製造資訊儲存部81。
檢查資料取得部51進行檢查資料之取得。檢查資料取得部51例如響應製造資訊之輸入，對檢查DB42進行存取，而將與該製造資訊對應之檢查資料自檢查DB42讀出。
檢查資料儲存部82暫時記憶檢查資料取得部51所讀出之檢查資料。檢查資料取得部51使自檢查DB42讀出之檢查資料記憶於檢查資料儲存部82。
按分類偏差計算部52基於記憶於檢查資料儲存部82之檢查資料，按照包含批次間、晶圓間及晶圓面內之位置之至少任一者之分類，計算成為對象之半導體元件之尺寸之偏差。尺寸例如包括線寬、蝕刻之深度、及孔徑等。以下，將成為對象之半導體元件之批次間之尺寸之偏差稱為批次間偏差。將成為對象之半導體元件之晶圓間之尺寸之偏差稱為晶圓間偏差。將成為對象之半導體元件之晶圓面內之位置的尺寸之偏差稱為面內偏差。
例如，於僅對晶圓面內之複數個元件中之1個進行檢查步驟之半導體元件中，面內偏差並不包含於分類中。例如，於僅對1個批次所包含之複數個晶圓中之1個進行檢查步驟之半導體元件中，晶圓間偏 差並不包含於分類中。如此，於分類中只要包含批次間偏差、晶圓間偏差、及面內偏差之至少任一者即可。以下，以批次間偏差、晶圓間偏差、及面內偏差之各者包含於分類中之情形為例，進行說明。再者，分類並不限於該等3個，亦可包含其他要素。例如，存在對於1個半導體元件檢查複數個部位之尺寸之情形。於此情形時，亦可將元件內之部位包含於分類中。
以下為實施形態之按分類偏差計算部之偏差之計算式之一例。
按分類偏差計算部52例如使用(1)式~(6)式、及記憶於檢查資料儲存部82之檢查資料，計算半導體元件之按分類之尺寸之偏差。
於(1)式~(6)式中，下標h係表示於製造資訊所包含之製造期間內用於半導體元件之製造之晶圓之批次的變數。下標i係表示於製造資訊所包含之製造期間內用於半導體元件之製造之晶圓的變數。下標j係表示將於製造資訊所包含之製造期間內製造之半導體元件或晶圓面 內分為適當大小之區域時之區域的變數。
於(1)式中，δ所有 2係於所輸入之製造資訊所包含之製造期間內製造之所有對象之半導體元件之尺寸的方差。
晶圓數係於製造資訊所包含之製造期間內用於半導體元件之製造之晶圓之數量。
批次數係於製造資訊所包含之製造期間內用於半導體元件之製造之晶圓之批次之數量。
δ2 元件，i，h係製造期間內之各晶圓所包含之各半導體元件之尺寸的方差。即，δ2 元件，i，h表示面內偏差。
δ2 晶圓，h係製造期間內之各晶圓間之尺寸之方差。即，δ2 晶圓，h表示晶圓間偏差。
δ2 批次係製造期間內之各批次間之尺寸之方差。即，δ2 批次表示批次間偏差。
於(2)式中，元件數係於製造資訊所包含之製造期間內製造之半導體元件之數量。
xh，j，i係檢查資料所包含之1個尺寸之資料。
附有上線之xh，i係某一晶圓內之複數個尺寸資料之平均值。
於(3)式中，附有上線之xh係1批次內之尺寸之資料之平均值。
於(4)式中，附有上線之x係檢查資料所包含之所有尺寸之資料之平均值。於(6)式中，「(元件數×晶圓數)@批次」係1批次內之半導體元件之數量與晶圓數之數量之積。
如此，按分類偏差計算部52例如計算方差作為尺寸之偏差。按分類偏差計算部52例如讀出記憶於檢查資料儲存部82之檢查資料，將檢查資料所包含之尺寸之各資料代入上述(1)式~(6)式。藉此，可計算按照批次間、晶圓間及晶圓面內之位置之分類之尺寸之偏差(方差)。偏差亦可為例如標準偏差等。
按要因資料取得部53例如基於記憶於製造資訊儲存部81之製造資訊及記憶於檢查資料儲存部82之檢查資料之至少一者，對知識DB43進行存取。繼而，按要因資料取得部53將與成為對象之半導體元件及成為對象之製造步驟對應之改善歷程資料自知識DB43讀出。
所謂對應之改善歷程資料例如係與成為對象之半導體元件及製造步驟相同之半導體元件及製造步驟之改善歷程資料。即，包含對於同樣之半導體元件及製造步驟過去所實施之改善對策之改善歷程資料。
所謂同樣之半導體元件例如為相同品種之半導體元件、或可視為實質上相同之品種之半導體元件。所謂同樣之製造步驟例如為相同製造步驟、或可視為實質上相同之製造步驟。
再者，所要讀出之改善歷程資料可為1個，亦可為複數個。按要因資料取得部53亦可將對應之複數個改善歷程資料自知識DB43讀出。
又，按要因資料取得部53進行成為對象之半導體元件為量產品或開發品之判定。按要因資料取得部53例如基於製造資訊進行上述判定。按要因資料取得部53於判定為開發品之情形時，對模擬DB44進行存取，並將與成為對象之半導體元件及成為對象之製造步驟對應之製程模擬之結果自模擬DB44讀出。按要因資料取得部53例如將與新穎之製造步驟相關之製程模擬之結果自模擬DB44讀出。再者，製程模擬之結果亦可例如藉由根據來自按要因資料取得部53之要求使製程模擬器啟動，而自製程模擬器取得。
按要因資料儲存部83暫時記憶按要因資料取得部53所讀出之改善歷程資料及製程模擬之結果。按要因資料取得部53使自知識DB43讀出之改善歷程資料及自模擬DB讀出之製程模擬之結果記憶於按要因資料儲存部83。
按要因偏差計算部54基於記憶於檢查資料儲存部82之檢查資料、及記憶於按要因資料儲存部83之改善歷程資料或製程模擬之結果，計算按偏差要因之尺寸之偏差。
按要因偏差計算部54首先基於改善歷程資料所包含之複數個偏差要因之資訊，決定成為對象之半導體元件及製造步驟之複數個偏差要因。按要因偏差計算部54例如將改善歷程資料所包含之複數個偏差要因之各者決定為成為對象之半導體元件及製造步驟之複數個偏差要因。
按要因偏差計算部54於決定複數個偏差要因後，例如基於檢查資料及改善歷程資料，計算按照所決定之複數個偏差要因之尺寸之偏差。
又，按要因偏差計算部54基於改善歷程資料所包含之複數個改善對策之資訊，決定成為對象之半導體元件及製造步驟之複數個改善對策。按要因偏差計算部54例如將改善歷程資料所包含之複數個改善對策之各者決定為成為對象之半導體元件及製造步驟之複數個改善對策。
又，按要因偏差計算部54基於檢查資料、及改善歷程資料所包含之複數個改善預期之資訊，對於複數個改善對策之各者，計算對成為對象之半導體元件及製造步驟實施改善對策之情形時之尺寸的改善預期。按要因偏差計算部54例如根據檢查資料所包含之尺寸與改善歷程資料所包含之改善預期之尺寸之相對比率，計算成為對象之半導體元件及製造步驟之改善預期。按要因偏差計算部54對於成為對象之半導體元件及製造步驟之複數個改善對策之各者，針對每一改善對策計算改善預期。
又，按要因偏差計算部54於按要因資料儲存部83中記憶有製程模擬之結果之情形時，基於該製程模擬之結果，對於新穎之製造步驟 進行偏差要因之決定、按要因之偏差之計算、改善對策之決定、及改善預期之計算。
按要因偏差計算部54於進行偏差要因之決定、按要因之偏差之計算、改善對策之決定、及改善預期之計算後，將該等各資訊作為計算結果輸出至按要因資料計算結果儲存部84。按要因資料計算結果儲存部84暫時記憶自按要因偏差計算部54輸入之計算結果。
圖4(a)~圖4(c)係表示實施形態之按要因偏差計算部之計算之一例的模式圖。
圖4(a)~圖4(c)表示用於各半導體元件之檢查步驟之相同機種之複數個檢查裝置14間的測量尺寸之偏差之計算作為按要因偏差計算部54之計算例。即，圖4(a)~圖4(c)係各檢查裝置14間之測量誤差之偏差之計算例。例如，半導體元件係如加工精度為1nm或0.1nm等般微細化發展，而變得無法忽視此種檢查裝置14間之裝置間差。於此情形時，例如可列舉謀求各檢查裝置14間測量值之匹配作為改善對策。再者，於圖4(a)~圖4(c)中，例示了使用測長SEM測定機作為檢查裝置14之情形。
圖4(a)係於每一檢查裝置14匯總有複數個半導體元件之檢查資料之盒形圖。圖4(a)之橫軸係測定機，縱軸係所測量之尺寸。按要因偏差計算部54於計算各檢查裝置14間之測量尺寸之偏差之情形時，如圖4(a)所示般，將各檢查資料匯總於每一檢查裝置14。
圖4(b)係表示自每一檢查裝置14之各資料之各者減去每一檢查裝置14之各資料之各者之平均值所得之值的盒形圖。圖4(b)之橫軸係測定機，縱軸係減去平均值後之值。按要因偏差計算部54於將各檢查資料匯總於每一檢查裝置14後，進行如下計算，即，自1個檢查裝置14之各資料之各者減去該檢查裝置14之各資料之平均值。繼而，按要因偏差計算部54對各檢查裝置14之各者進行該計算。如此，可認為減去 平均值後剩餘之值係由各檢查裝置14間之測量尺寸之偏差以外之要因導致之偏差。
如圖4(c)所示，按要因偏差計算部54於進行減去平均值之計算後，計算匯總於每一檢查裝置14之基礎之各資料之標準偏差(圖4(a)所示之各資料之標準偏差)、及減去平均值後之各資料之標準偏差(圖4(b)所示之各資料之標準偏差)。繼而，按要因偏差計算部54如(7)式所示般，自基礎之各資料之標準偏差減去將平均值減去後之各資料之標準偏差。藉此，按要因偏差計算部54計算各檢查裝置14間之測量尺寸之偏差之標準偏差。
按要因偏差計算部54例如依照如上所述之順序，基於檢查資料或改善歷程資料，計算按偏差要因之尺寸之偏差。但，計算之順序因偏差要因而不同。
不良率資料取得部55例如基於記憶於製造資訊儲存部81之製造資訊，對不良資訊DB45進行存取。繼而，不良率資料取得部55將與成為對象之半導體元件及成為對象之製造步驟對應之不良率資料自不良資訊DB45讀出。
不良率資料儲存部85暫時記憶不良率資料取得部55所讀出之不良率資料。不良率資料取得部55使自不良資訊DB45讀出之不良率資料記憶於不良率資料儲存部85。
良率計算部56例如基於記憶於檢查資料儲存部82之檢查資料、記憶於按要因資料計算結果儲存部84之計算結果、及記憶於不良率資料儲存部85之不良率資料，計算複數個改善對策之每一者之預測良率。良率計算部56例如基於檢查資料與不良率資料，計算實施改善對策前之預測良率。繼而，良率計算部56例如基於計算結果所包含之尺寸之改善預期之資訊與不良率資料，計算實施改善對策之情形時之預測良率。
圖5(a)~圖5(c)係表示實施形態之良率計算部之計算之一例的模式圖。
良率計算部56例如對於檢查資料與不良率資料，以批次單位取得資料，並建立關聯。良率計算部56例如以特定之分格(Binning)寬度算出良率之平均值。良率計算部56建立不良率與尺寸之關聯。良率計算部56例如去除資料端之異常值等。良率計算部56例如圖5(a)所示般，以二次函數進行擬合，將取得最小值之尺寸(橫軸)之值設為分割點。良率計算部56例如於在不良率與尺寸之間幾乎未見關聯之情形、或存在擬合之異常等情形時，如圖5(c)所示般，畫出不良率(縱軸)之平均值之線。
良率計算部56對於分割點之左右，利用高斯函數(Exp)進行擬合，建立(8)式及(9)式。此時，於存在良率為0%之情形時，例如預先代入1×10-6%。藉此，可適當進行利用高斯函數之擬合。良率計算部56藉由已建立之(8)式及(9)式，針對每一改善對策計算改善前之預測良率與改善後之預測良率。
工時資料取得部57自記憶於按要因資料儲存部83之改善歷程資料讀出實施改善對策所耗費之工時之資訊。工時資料取得部57例如取得改善歷程資料所包含之工時之資訊，作為實施改善對策所耗費之預測工時。工時資料取得部57取得與複數個改善對策之各者對應之複數個預測工時。
生產計劃資料取得部58基於記憶於製造資訊儲存部81之製造資訊，對生產計劃DB46進行存取。繼而，生產計劃資料取得部58將與成為對象之半導體元件及成為對象之製造步驟對應之生產計劃資料自生產計劃DB46讀出。
生產計劃資料儲存部86暫時記憶生產計劃資料取得部58所讀出之生產計劃資料。生產計劃資料取得部58使自生產計劃DB46讀出之 生產計劃資料記憶於生產計劃資料儲存部86。
費用計算部59基於記憶於生產計劃資料儲存部86之生產計劃資料，計算實施改善對策之情形時之預測費用。費用計算部59計算與複數個改善對策之各者對應之複數個預測費用。
對策優先順序計算部60例如基於良率計算部56計算出之預測良率、工時資料取得部57所取得之預測工時、及費用計算部59計算出之預測費用之至少任一者，進行複數個改善對策之優先排序。對策優先順序計算部60例如基於預測良率、預測工時及預測費用之各者，進行優先排序。對策優先順序計算部60例如提高預測良率之改善率較高之改善對策之優先順序。對策優先順序計算部60例如提高預測工時較短之改善對策之優先順序。對策優先順序計算部60例如提高預測費用較低之改善對策之優先順序。藉此，可進行更適當之優先排序。
輸出部61建立電子檔案EF，該電子檔案EF包含按分類偏差計算部52之計算結果、按要因偏差計算部54之計算結果、良率計算部56之計算結果、工時資料取得部57之取得資料、費用計算部59之計算結果、及對策優先順序計算部60之計算結果之各資訊。繼而，輸出部61將已建立之電子檔案EF發送至用戶終端30。輸出部61例如建立以HTML(HyperText Markup language，超文字標示語言)形式等標示語言記載之文本檔案作為電子檔案EF。電子檔案EF之檔案形式並不限於此，可為能夠於用戶終端30顯示之任意之檔案形式。又，輸出部61可建立匯總有各部之計算結果等之1個電子檔案EF，亦可例如建立分別針對各部之計算結果之複數個電子檔案EF。
製造資訊儲存部81、檢查資料儲存部82、按要因資料儲存部83、按要因資料計算結果儲存部84、不良率資料儲存部85、及生產計劃資料儲存部86之各部中所儲存之各資訊例如於1次決策支援處理完成前記憶保持於各部。各資訊亦可例如於開始下次決策支援處理前記 憶保持於各部。
圖6係表示實施形態之輸出畫面之一例之模式圖。
用戶終端30之控制部31若接收到自製造支援裝置20發送之電子檔案EF，則基於該電子檔案EF，例如使顯示部34顯示圖6所示之第1輸出畫面OS1。即，於該例中，控制部31作為顯示控制部發揮功能。
於第1輸出畫面OS1中例如顯示由按分類偏差計算部52計算出之對象之半導體元件之整體之尺寸之偏差及按分類之尺寸之偏差。於第1輸出畫面OS1例如顯示由按要因偏差計算部54決定之對象之半導體元件之偏差要因。於第1輸出畫面OS1中例如顯示由按要因偏差計算部54計算出之按偏差要因之尺寸之偏差。於第1輸出畫面OS1中例如顯示由按要因偏差計算部54決定之對象之半導體元件之改善對策。於第1輸出畫面OS1中例如顯示由按要因偏差計算部54計算出之尺寸之改善預期之資訊。於第1輸出畫面OS1中例如顯示由良率計算部56計算出之預測良率。預測良率例如以自實施改善對策前之良率之改善率之形式顯示。於第1輸出畫面OS1中例如顯示由對策優先順序計算部60計算出之改善對策之優先順序。於第1輸出畫面OS1中例如顯示由工時資料取得部57取得之預測工時。於第1輸出畫面OS1中例如顯示由費用計算部59計算出之預測費用。
如此，用戶終端30之控制部31基於電子檔案EF，使製造支援裝置20之各計算結果可視化而顯示於顯示部34。又，於第1輸出畫面OS1中例如顯示表示按分類之尺寸之偏差之各分類之比率的圖表。如此，控制部31將製造支援裝置20之各計算結果圖表化而顯示。藉此，例如可使統計性之計算結果更易於理解。
圖7係表示實施形態之輸出畫面之一例之模式圖。
圖7係表示批次間偏差所包含之按要因之尺寸之偏差的第2輸出畫面OS2之一例。
用戶終端30之控制部31例如於藉由輸入部33之操作被指示顯示批次間偏差之詳情時，使顯示部34顯示圖7所示之第2輸出畫面OS2。於第2輸出畫面OS2中例如顯示表示由按要因偏差計算部54計算出之按要因之尺寸之偏差之各要因的比率之圖表。
圖8係表示實施形態之輸出畫面之一例之模式圖。
圖8表示批次間偏差所包含之按要因之尺寸之偏差的詳情顯示之一例。於圖8中，例如例示了被指示顯示濕式蝕刻裝置間差之詳情之情形。
用戶終端30之控制部31例如於藉由輸入部33之操作被指示顯示濕式蝕刻裝置間差之詳情時，使顯示部34顯示圖8所示之第3輸出畫面OS3。於第3輸出畫面OS3中例如顯示表示濕式蝕刻裝置間差之檢查資料之尺寸之盒形圖、及表示由按要因偏差計算部54計算出之改善預期之尺寸之盒形圖。又，亦可如圖8中「潛在性」所表示般，可進而顯示表示對應性能最高之裝置時之改善預期之尺寸的盒形圖。
圖9係表示實施形態之輸出畫面之一例之模式圖。
圖9表示批次間偏差所包含之按要因之尺寸之偏差的詳情顯示之一例。於圖9中例如例示了被指示顯示三維測量SEM測定機差之詳情之情形。
用戶終端30之控制部31例如於藉由輸入部33之操作被指示顯示三維測量SEM測定機差之詳情時，使顯示部34顯示圖9所示之第4輸出畫面OS4。於第4輸出畫面OS4中例如顯示表示三維測量SEM測定機差之檢查資料之尺寸之盒形圖、表示由按要因偏差計算部54計算出之改善預期之尺寸之盒形圖、及表示對應性能最高之測定機時之改善預期之尺寸的盒形圖。
圖10係表示實施形態之輸出畫面之一例之模式圖。
圖10表示批次間偏差所包含之按要因之尺寸之偏差的詳情顯示 之一例。於圖10中例如例示了被指示顯示LP-CVD(low pressure chemical vapor deposition，低壓化學氣相沈積)裝置之反應爐內之位置之偏差之詳情的情形。
用戶終端30之控制部31例如於藉由輸入部33之操作被指示顯示LP-CVD裝置之反應爐內之位置之詳情時，使顯示部34顯示圖10所示之第5輸出畫面OS5。於第5輸出畫面OS5中例如顯示於反應爐內之每一位置匯總有檢查資料之盒形圖、及於反應爐內之每一位置匯總有由按要因偏差計算部54計算出之改善預期之尺寸的盒形圖。
圖11係表示實施形態之輸出畫面之一例之模式圖。
圖11表示批次間偏差所包含之按要因之尺寸之偏差的詳情顯示之一例。於圖11中例如例示了被指示顯示批次間之經時變化之詳情之情形。
用戶終端30之控制部31例如於藉由輸入部33之操作被指示顯示經時變化之詳情時，使顯示部34顯示圖11所示之第6輸出畫面OS6。於第6輸出畫面OS6中例如顯示表示經時變化之檢查資料之尺寸之盒形圖、及表示由按要因偏差計算部54計算出之改善預期之尺寸之盒形圖。
如此，用戶終端30之控制部31於被指示在第1輸出畫面OS1中顯示各分類之詳情時，使各分類之詳細內容顯示。而且，於在使各分類之詳細內容顯示之狀態下，被指示顯示按要因之偏差之詳情時，使按要因之偏差之詳情顯示。藉此，例如可對使用者易於理解地傳送統計性之計算結果。
圖12係模式性地表示實施形態之製造支援系統之動作之流程圖。
其次，一面參照圖12所示之流程圖，一面對製造支援系統10之作用進行說明。
使用者於欲執行對所需之半導體元件之決策支援處理之情形時，操作用戶終端30之輸入部33，使顯示部34顯示輸入畫面ES，並將製造資訊輸入至輸入畫面ES之各文字輸入框TB1~TB4(步驟S101)。繼而，點擊決定按鈕SB，指示開始各種計算(步驟S102)。用戶終端30之控制部31響應決定按鈕SB之點擊，將所輸入之製造資訊發送至製造支援裝置20。
製造支援裝置20之控制部21若接收到自用戶終端30發送之製造資訊，則將該製造資訊輸入至檢查資料取得部51，並且使該製造資訊記憶於記憶部22之製造資訊儲存部81。
檢查資料取得部51響應製造資訊之輸入而對檢查DB42進行存取，將與該製造資訊對應之檢查資料自檢查DB42讀出。即，檢查資料取得部51將對象之半導體元件之檢查資料自檢查DB42讀出(步驟S103)。檢查資料取得部51使所讀出之檢查資料記憶於檢查資料儲存部82。
控制部21響應檢查資料之讀出之完成，指示按分類偏差計算部52開始計算。按分類偏差計算部52基於記憶於檢查資料儲存部82之檢查資料，計算成為對象之半導體元件之按分類之尺寸之偏差(步驟S104)。
控制部21於按分類之偏差之計算後，指示按要因資料取得部53取得改善歷程資料。按要因資料取得部53基於製造資訊等，對知識DB43進行存取，將對象之半導體元件之改善歷程資料自知識DB43讀出(步驟S105)。按要因資料取得部53使所讀出之改善歷程資料記憶於按要因資料儲存部83。
按要因資料取得部53基於製造資訊，判定對象之半導體元件是否為開發品(步驟S106)。按要因資料取得部53於判定為開發品之情形時，對模擬DB44進行存取，將對象之半導體元件之製程模擬之結果 自模擬DB44讀出(步驟S107)。按要因資料取得部53使所讀出之製程模擬之結果記憶於按要因資料儲存部83。按要因資料取得部53於判定為非開發品之情形時，不進行製程模擬之結果之讀出。
控制部21於由按要因資料取得部53進行之改善歷程資料或製程模擬之結果之取得完成後，指示按要因偏差計算部54計算按偏差要因之尺寸之偏差。
按要因偏差計算部54響應來自控制部21之指示，進行偏差要因之決定、按要因之偏差之計算、改善對策之決定、及改善預期之計算(步驟S108)。按要因偏差計算部54使該等各資訊作為計算結果記憶於按要因資料計算結果儲存部84。按要因偏差計算部54基於記憶於按要因資料儲存部83之改善歷程資料，進行按要因之偏差之計算。又，按要因偏差計算部54於在按要因資料儲存部83中記憶有製程模擬之結果之情形時、即對象之半導體元件為開發品之情形時，基於製程模擬之結果，對於新穎之製造步驟進行計算，並使該計算結果記憶於按要因資料計算結果儲存部84。
控制部21於按要因偏差計算部54之計算完成後，指示不良率資料取得部55取得不良率資料。
不良率資料取得部55響應來自控制部21之指示，基於記憶於製造資訊儲存部81之製造資訊，對不良資訊DB45進行存取。不良率資料取得部55將與成為對象之半導體元件及成為對象之製造步驟對應之不良率資料自不良資訊DB45讀出。繼而，不良率資料取得部55使自不良資訊DB45讀出之不良率資料記憶於不良率資料儲存部85。
控制部21於由不良率資料取得部55進行之不良率資料之取得完成後，指示良率計算部56計算預測良率。
良率計算部56響應來自控制部21之指示，計算實施改善對策前之預測良率、及實施改善對策之情形時之預測良率(步驟S110)。良率 計算部56例如基於記憶於檢查資料儲存部82之檢查資料、記憶於按要因資料計算結果儲存部84之計算結果、及記憶於不良率資料儲存部85之不良率資料等，進行預測良率之計算。
控制部21於由良率計算部56進行之預測良率之計算完成後，指示工時資料取得部57取得預測工時。
工時資料取得部57響應來自控制部21之指示，對按要因資料儲存部83進行存取。繼而，工時資料取得部57取得記憶於按要因資料儲存部83之改善歷程資料所包含之工時之資訊作為實施改善對策所耗費之預測工時(步驟S111)。
控制部21於由工時資料取得部57進行之預測工時之取得完成後，指示生產計劃資料取得部58取得生產計劃資料。
生產計劃資料取得部58響應來自控制部21之指示，基於記憶於製造資訊儲存部81之製造資訊，對生產計劃DB46進行存取。繼而，生產計劃資料取得部58將與成為對象之半導體元件及成為對象之製造步驟對應之生產計劃資料自生產計劃DB46讀出，並使該生產計劃資料記憶於生產計劃資料儲存部86(步驟S112)。
控制部21於由生產計劃資料取得部58進行之生產計劃資料之取得完成後，指示費用計算部59計算預測費用。
費用計算部59響應來自控制部21之指示，基於記憶於生產計劃資料儲存部86之生產計劃資料，計算實施改善對策之情形時之預測費用(步驟S113)。
控制部21於由費用計算部59進行之預測費用之計算完成後，指示對策優先順序計算部60執行改善對策之優先排序。
對策優先順序計算部60響應來自控制部21之指示，進行記憶於按要因資料計算結果儲存部84之計算結果所包含之改善對策之優先排序(步驟S114)。對策優先順序計算部60例如基於預測良率、預測工時 及預測費用之各者，進行複數個改善對策之優先排序。
控制部21於由對策優先順序計算部60進行之優先排序完成後，指示輸出部61建立電子檔案EF。
輸出部61響應來自控制部21之指示，建立包含各計算結果之資訊之電子檔案EF，並將該電子檔案EF發送至用戶終端30。
用戶終端30之控制部31若接收到電子檔案EF，則使顯示部34顯示基於該電子檔案EF之畫面，而使計算結果可視化。控制部31例如使顯示部34顯示圖6所示之第1輸出畫面OS1。控制部31例如藉由盒形圖或圓形圖等，使計算結果可視化而顯示。
又，控制部31於被指示顯示各分類之詳情時，使各分類之詳細內容顯示。例如，使圖7所示之第2輸出畫面OS2顯示。繼而，控制部31於被指示顯示按要因之偏差之詳情時，使按要因之偏差之詳情顯示。例如，使圖8~圖11所示之第3輸出畫面OS3~第6輸出畫面OS6顯示。
如此，於製造支援系統10中，僅藉由輸入所需之半導體元件之製造資訊，即可將該半導體元件之整體之尺寸之偏差、按分類之尺寸之偏差、偏差之要因、按要因之尺寸之偏差、偏差之改善對策、尺寸之改善預期、預測良率、預測工時、預測費用、及改善對策之優先順序等各計算結果顯示於顯示部34。
藉此，製造支援系統10係例如即便不具有專業知識者亦可藉由參照顯示於顯示部34之各計算結果，容易且適當地決定製造條件之改善對策。例如，與具有專業知識之技術人員藉由人工作業進行估算之情形相比，可縮短改善對策之決定所耗費之時間。例如，可縮短半導體裝置之製造之PDCA(Plan-Do-Check-Act，計劃-實施-查核-行動)之循環。進而，亦可抑制產生計算錯誤等。
又，於製造支援系統10中，製造支援裝置20之控制部21將製程 模擬之結果與表示過去所實施之改善對策之改善歷程資料組合，而計算按要因之尺寸之偏差。藉此，不僅可進行具有過去之見解之資料之量產品的半導體元件之決策支援處理，亦可進行開發品之半導體元件(下一代半導體元件)之決策支援處理。
又，於製造支援系統10中，用戶終端30之控制部31使各計算結果顯示於顯示部34而可視化。藉此，可對使用者易於理解地表示統計性之各計算結果。又，控制部31將各計算結果圖表化而顯示。藉此，可對使用者更易於理解地表示各計算結果。
圖13係表示實施形態之另一製造支援系統之模式性方塊圖。
如圖13所示，於該例之製造支援系統110中，製造支援裝置120包含輸入部33及顯示部34。製造支援系統110係於製造支援裝置120中進行製造資訊之輸入。製造支援裝置120基於所輸入之製造資訊，與上述製造支援裝置20同樣地，進行各種計算。繼而，製造支援裝置120將各計算結果顯示於顯示部34。於該例中，控制部21作為顯示控制部發揮功能。
如此，輸入部33及顯示部34亦可設置於製造支援裝置120。又，於製造支援系統110中，各DB41~46設置於製造支援裝置120之外部。並不限於此，亦可例如將各DB41~46設置於製造支援裝置120。換言之，製造支援系統亦可設為1個製造支援裝置。製造支援裝置120亦可例如併入至蝕刻裝置或成膜裝置等半導體製造裝置。例如，亦可於欲決定半導體製造裝置之1個製造步驟之改善對策之情形時，使用製造支援裝置120。
根據實施形態，可提供一種支援製造條件之改善對策之決定的電子元件之製造支援系統、製造支援方法及製造支援程式。
以上，一面參照具體例，一面對本發明之實施形態進行了說明。然而，本發明之實施形態並不限定於該等具體例。例如，關於製 造支援系統所包含之檢查資料取得部、按分類偏差計算部、按要因資料取得部、按要因偏差計算部、不良率資料取得部、良率計算部、顯示控制部、對策優先順序計算部、工時資料取得部、生產計劃資料取得部、費用計算部等各要素之具體構成，只要業者可藉由自公知之範圍內適當選擇而同樣地實施本發明並獲得同樣之效果，便包含於本發明之範圍內。
又，於技術上可能之範圍內組合各具體例之任意2個以上之要素而成者亦只要包含本發明之主旨，便包含於本發明之範圍內。
另外，以下各者亦只要包含本發明之主旨，便屬於本發明之範圍，即：業者基於作為本發明之實施形態而於上文敍述之電子元件之製造支援系統、製造支援方法及製造支援程式而可適當進行設計變更並加以實施的所有電子元件之製造支援系統、製造支援方法及製造支援程式。
另外，於本發明之思想之範疇中，只要為業者，便可想到各種變更例及修正例，且瞭解該等變更例及修正例亦屬於本發明之範圍。
對本發明之若干個實施形態進行了說明，但該等實施形態係作為示例而提出者，並非意欲限定發明之範圍。該等新穎之實施形態可以其他各種形態實施，可於不脫離發明之主旨之範圍內，進行各種省略、置換、變更。該等實施形態或其變化係包含於發明之範圍或主旨內，並且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。
10‧‧‧製造支援系統
12‧‧‧網路
14‧‧‧檢查裝置
20‧‧‧製造支援裝置
20p‧‧‧製造支援程式
21‧‧‧控制部
22‧‧‧記憶部
23‧‧‧網路I/F
30‧‧‧用戶終端
30p‧‧‧用戶端程式
31‧‧‧控制部
32‧‧‧記憶部
33‧‧‧輸入部
34‧‧‧顯示部
35‧‧‧網路I/F
40‧‧‧DB群
41‧‧‧主DB
42‧‧‧檢查DB
43‧‧‧知識DB
44‧‧‧模擬DB
45‧‧‧不良資訊DB
46‧‧‧生產計劃DB

Claims (20)

  1. 一種電子元件之製造支援系統，其包含：檢查資料取得部，其基於用以特定出成為對象之電子元件之特定資訊，自保管複數個檢查資料之檢查資料庫，取得上述成為對象之電子元件之上述檢查資料，該等複數個檢查資料包含檢查步驟中取得之尺寸之資訊及上述特定資訊；按分類偏差計算部，其基於上述成為對象之電子元件之上述檢查資料，按照包含上述電子元件之批次間、基板間及基板面內之位置之至少任一者之分類，計算上述成為對象之電子元件之尺寸之偏差；按要因資料取得部，其自保管複數個改善歷程資料之知識資料庫，基於上述特定資訊，取得上述成為對象之電子元件之上述改善歷程資料，該等複數個改善歷程資料包含電子元件之品種之資訊、該品種之製造步驟之資訊、過去對於該製造步驟按上述分類所制定之複數個尺寸之偏差要因之資訊、及針對該等各偏差要因之各者之複數個改善對策之資訊；及按要因偏差計算部，其基於上述成為對象之電子元件之上述改善歷程資料所包含之上述複數個偏差要因之資訊，決定上述成為對象之電子元件之複數個偏差要因，計算按照所決定之上述複數個偏差要因之尺寸之偏差，並且基於上述改善歷程資料所包含之上述複數個改善對策之資訊，決定上述成為對象之電子元件之複數個改善對策。
  2. 如請求項1之製造支援系統，其更包含顯示控制部，該顯示控制部將上述按分類之尺寸之偏差之計算結果、及上述按複數個偏差要因之尺寸之偏差之計算結果顯示於顯示部。
  3. 如請求項2之製造支援系統，其中上述顯示控制部將上述計算結果圖表化而顯示。
  4. 如請求項2之製造支援系統，其更包含：不良率資料取得部，其自保管複數個不良率資料之不良資訊資料庫，基於上述特定資訊，取得上述成為對象之電子元件之上述不良率資料，該等複數個不良率資料包含電子元件之品種之資訊、該品種之製造步驟之資訊、及該製造步驟中之尺寸與良率之關聯；及良率計算部，其基於上述成為對象之電子元件之上述檢查資料及上述不良率資料，計算上述複數個改善對策之每一者之預測良率；並且上述顯示控制部進而將上述預測良率顯示於上述顯示部。
  5. 如請求項4之製造支援系統，其更包含對策優先順序計算部，該對策優先順序計算部基於上述良率計算部計算出之預測良率，進行上述複數個改善對策之優先順序之排序，並且上述顯示控制部進而將上述優先順序顯示於上述顯示部。
  6. 如請求項2之製造支援系統，其更包含工時資料取得部，該工時資料取得部取得實施上述改善對策所耗費之預測工時，於上述改善歷程資料中更包含實施上述改善對策前所耗費之工時之資訊，上述工時資料取得部取得上述成為對象之電子元件之上述改善歷程資料所包含之上述工時之資訊，作為實施上述改善對策所耗費之上述預測工時，並且上述顯示控制部進而將上述預測工時顯示於上述顯示部。
  7. 如請求項2之製造支援系統，其更包含：生產計劃資料取得部，其自保管複數個生產計劃資料之生產 計劃資料庫，基於上述特定資訊，取得上述成為對象之電子元件之上述生產計劃資料，該等複數個生產計劃資料包含電子元件之品種之資訊、該品種之製造步驟之資訊、及針對該製造步驟之偏差要因而實施改善對策所耗費之費用之資訊；及費用計算部，其基於上述成為對象之電子元件之上述生產計劃資料，計算實施上述改善對策之情形時之預測費用；並且上述顯示控制部進而將上述預測費用顯示於上述顯示部。
  8. 如請求項1之製造支援系統，其中上述按要因偏差計算部基於製程模擬之結果，進行對於新穎之製造步驟之偏差要因之決定、按要因之偏差之計算、及改善對策之決定。
  9. 如請求項2之製造支援系統，其中上述顯示控制部進而顯示由上述按要因偏差計算部決定之上述複數個改善對策。
  10. 如請求項2之製造支援系統，其更包含：輸入部，其用以進行上述特定資訊之輸入操作；及控制部，其將自上述輸入部輸入之上述特定資訊輸入至上述檢查資料取得部。
  11. 如請求項9之製造支援系統，其中上述顯示控制部使用以輸入上述特定資訊之輸入畫面顯示於上述顯示部，並且上述特定資訊係經由上述輸入畫面及上述輸入部之上述輸入操作而被輸入。
  12. 如請求項10之製造支援系統，其更包含：製造支援裝置，及用戶終端，其經由網路而與上述製造支援裝置連接；上述製造支援裝置包含上述檢查資料取得部、上述按分類偏差計算部、上述按要因資料取得部、上述按要因偏差計算部、及上述控制部，並且 上述用戶終端包含上述輸入部、及上述顯示控制部。
  13. 如請求項12之製造支援系統，其中上述製造支援裝置經由上述網路而與上述檢查資料庫及上述知識資料庫之各者連接。
  14. 如請求項10之製造支援系統，其更包含製造支援裝置，該製造支援裝置包含上述檢查資料取得部、上述按分類偏差計算部、上述按要因資料取得部、上述按要因偏差計算部、上述顯示控制部、上述輸入部、及上述控制部。
  15. 如請求項1之製造支援系統，其中上述按要因偏差計算部基於上述檢查資料、及上述改善歷程資料所包含之複數個改善預期之資訊，對上述複數個改善對策之各者，計算對上述成為對象之電子元件實施改善對策之情形時之尺寸之改善預期。
  16. 如請求項1之製造支援系統，其中上述特定資訊包含與上述電子元件之製造相關之製造資訊。
  17. 如請求項11之製造支援系統，其中上述製造資訊包含上述電子元件之品種、上述電子元件之製造步驟、檢查上述電子元件所使用之檢查裝置、及製造上述電子元件之期間之至少任一者。
  18. 如請求項1之製造支援系統，其中上述電子元件為半導體元件，並且上述基板為晶圓。
  19. 一種電子元件之製造支援方法，其包括如下步驟：基於用以特定出成為對象之電子元件之特定資訊，自保管複數個檢查資料之檢查資料庫，取得上述成為對象之電子元件之上述檢查資料，該等複數個檢查資料包含檢查步驟中取得之尺寸之資訊及上述特定資訊；基於上述成為對象之電子元件之上述檢查資料，按照包含上述電子元件之批次間、基板間及基板面內之位置之至少任一者 之分類，計算上述成為對象之電子元件之尺寸之偏差；自保管複數個改善歷程資料之知識資料庫，基於上述特定資訊，取得上述成為對象之電子元件之上述改善歷程資料，該等複數個改善歷程資料包含電子元件之品種之資訊、該品種之製造步驟之資訊、過去對於該製造步驟按上述分類所制定之複數個尺寸之偏差要因之資訊、及針對該等各偏差要因之各者之複數個改善對策之資訊；及基於上述成為對象之電子元件之上述改善歷程資料所包含之上述複數個偏差要因之資訊，決定上述成為對象之電子元件之複數個偏差要因，計算按照所決定之上述複數個偏差要因之尺寸之偏差，並且基於上述改善歷程資料所包含之上述複數個改善對策之資訊，決定上述成為對象之電子元件之複數個改善對策。
  20. 一種電子元件之製造支援程式，其使電腦執行如下處理：基於用以特定出成為對象之電子元件之特定資訊，自保管複數個檢查資料之檢查資料庫，取得上述成為對象之電子元件之上述檢查資料，該等複數個檢查資料包含檢查步驟中取得之尺寸之資訊及上述特定資訊；基於上述成為對象之電子元件之上述檢查資料，按照包含上述電子元件之批次間、基板間及基板面內之位置之至少任一者之分類，計算上述成為對象之電子元件之尺寸之偏差；自保管複數個改善歷程資料之知識資料庫，基於上述特定資訊，取得上述成為對象之電子元件之上述改善歷程資料，該等複數個改善歷程資料包含電子元件之品種之資訊、該品種之製造步驟之資訊、過去對於該製造步驟按上述分類所制定之複數個尺寸之偏差要因之資訊、及針對該等各偏差要因之各者之複 數個改善對策之資訊；及基於上述成為對象之電子元件之上述改善歷程資料所包含之上述複數個偏差要因之資訊，決定上述成為對象之電子元件之複數個偏差要因，計算按照所決定之上述複數個偏差要因之尺寸之偏差，並且基於上述改善歷程資料所包含之上述複數個改善對策之資訊，決定上述成為對象之電子元件之複數個改善對策。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180188718A1 (en) * 2015-09-02 2018-07-05 Mitsubishi Electric Corporation Simulation apparatus and computer readable medium
JP6837852B2 (ja) * 2017-02-01 2021-03-03 株式会社日立ソリューションズ 製造実績の可視化方法、画像処理装置及びプログラム
US11435393B2 (en) * 2017-11-03 2022-09-06 Tokyo Electron Limited Enhancement of yield of functional microelectronic devices
CN112262350A (zh) * 2018-07-12 2021-01-22 应用材料公司 用于制造环境的基于块的预测
JP7260293B2 (ja) * 2018-12-04 2023-04-18 ファナック株式会社 加工品の自動検査システム
FR3090697B1 (fr) 2018-12-20 2021-06-04 Safran Piece de turbine resistante au sable fondu
FR3090698B1 (fr) 2018-12-20 2021-04-09 Safran Piece aeronautique resistante au sable fondu
JP7438723B2 (ja) * 2019-11-15 2024-02-27 株式会社日立製作所 製造プロセスの適正化システムおよびその方法
CN115916460A (zh) * 2020-08-18 2023-04-04 三菱电机株式会社 调度装置及学习装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1170445A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Nec Kyushu Ltd 製造プロセス変更管理装置及び製造プロセス変更管理方法
JP3897922B2 (ja) * 1998-12-15 2007-03-28 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、及びコンピュ−タ読取り可能な記録媒体
JP2002353084A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Hitachi Ltd 情報処理システム及び情報処理方法
US6954883B1 (en) * 2002-01-11 2005-10-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for performing fault detection using data from a database
JP2003332209A (ja) * 2002-05-13 2003-11-21 Hitachi Ltd 半導体デバイスの製造方法並びに製造ラインの診断方法、そのシステムおよびそのプログラム
TWI280603B (en) 2003-09-08 2007-05-01 Toshiba Corp Manufacturing system of semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
GB0324161D0 (en) 2003-10-15 2003-11-19 Inverness Medical Ltd Meter and test sensor bank incorporating re-writable memory
JP2005317984A (ja) * 2005-05-16 2005-11-10 Hitachi Ltd 検査システム、及び、欠陥解析装置
JP4697879B2 (ja) 2006-05-09 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 サーバ装置、およびプログラム
JP4982303B2 (ja) * 2006-09-25 2012-07-25 株式会社東芝 検査方法、検査システム、検査プログラム及び電子デバイスの製造方法
JP2009170502A (ja) 2008-01-11 2009-07-30 Renesas Technology Corp 半導体製造支援システム
JP5193112B2 (ja) 2009-03-31 2013-05-08 東レエンジニアリング株式会社 半導体ウエーハ外観検査装置の検査条件データ生成方法及び検査システム
JP2011003603A (ja) 2009-06-16 2011-01-06 Panasonic Corp 半導体製造システムおよび半導体製造装置の制御方法
JP5192476B2 (ja) * 2009-10-22 2013-05-08 株式会社日立製作所 作業支援システム、作業支援方法、および作業支援プログラム
JP2011198300A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp プロセス改善施策評価装置及び方法
JP5014500B1 (ja) * 2011-04-04 2012-08-29 シャープ株式会社 異常要因特定方法および装置、上記異常要因特定方法をコンピュータに実行させるためのプログラム、並びに上記プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

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