JP4521889B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体製造装置等における基板処理装置に関し、特に、ターボ分子ポンプ等の超高真空ポンプによる減圧状態下で基板処理を行う基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置等の基板処理装置では、超高真空プロセスを実施するため、排気系にターボ分子ポンプ（以下ＴＭＰという）等の超高真空ポンプを使用することが知られている。
図２は従来の基板処理装置におけるＴＭＰ周辺の配管を示す図である。
図２において、１は図示しないチャンバから接続される排気用配管５に設けられ、この排気用配管５を開閉するバルブ、４は排気用配管のバルブ１の下流側に設けられたＴＭＰ、２はＴＭＰ４から図示しないポンプへ接続された排気用配管６に設けられ、この排気用配管６を開閉するバルブ、７はバルブ２をバイパスするよう設けられたバイパス配管、３はこのバイパス配管７に設けられ、このバイパス配管を開閉するバルブである。
【０００３】
ところで、ＴＭＰ４は反応室であるチャンバ側が約０．５Ｔｏｒｒ、ポンプ側が約３Ｔｏｒｒ以下でないと動作できない。また、ＴＭＰ４の立上げ、立下げには約５分程度必要である。このため、チャンバを真空に引く際には、バルブ１及び３を開け、チャンバが約１０Ｔｏｒｒ以下になった後にバルブ２を開ける。バルブ３をまず開くのは、大気圧から引き始める場合に、細い（排気抵抗の大きい）バイパス配管７より引き始めることにより、ポンプに大きな負荷が加わるのを防止すると共に、チャンバに急激な圧力変化が生じるのを防止するためである。
【０００４】
そして、チャンバを０．５Ｔｏｒｒ以下にした後にＴＭＰ４をオンし、その５分以降において、チャンバを０．５Ｔｏｒｒ以下に引いた状態下においてプロセス等の処理が実施可能になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、このような従来の配管系統では、０．５Ｔｏｒｒ以上（例えば１Ｔｏｒｒ）の圧力下では、全く圧力制御ができず、プロセスや基板（ウェーハ）搬送ができないという問題点がある。
【０００６】
そこで、この発明は、０．５Ｔｏｒｒ以上の圧力でのプロセス不可や基板搬送不可であるという問題点を解決し、制御された広範囲な圧力での処理、搬送を実施することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、この発明は、ターボ分子ポンプ等の超高真空用ポンプによる減圧状態下で基板処理を行う基板処理装置において、前記超高真空用ポンプの前後を渡るバイパスラインを設置し、該バイパスラインに開閉バルブと圧力制御機器を設けたものである。
【０００８】
このような構成によれば、広い圧力下において、バイパスラインに設けられた圧力制御機器を用いた圧力制御が可能となる。
【０００９】
なお、実施の形態においては、チャンバ側からポンプ側に設けられるメインライン９にチャンバ側より開閉バルブ１、ＡＰＣバルブ１３、ＴＭＰ４、及び開閉バルブ２を設け、このメインライン９に対するバイパスライン１０に開閉バルブ１１とＡＰＣバルブ１４を設けると共に、開閉バルブ１１にバルブ１２を備えたスローライン１７を設けている。
【００１０】
そして、このような構成によれば、高い圧力から、０．５Ｔｏｒｒ以下の低い圧力までの広範囲において圧力制御が可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図を用いて説明する。
図１は、この発明の実施の形態を示す構成図である。
図１において、１は図示しないチャンバから接続される排気用配管５に設けられ、この排気用配管５を開閉するバルブ、４は排気用配管のバルブ１の下流側に設けられたＴＭＰ、２はＴＭＰ４から図示しないポンプへ接続された排気用配管６に設けられ、この排気用配管６を開閉するバルブ、１３はバルブ１とＴＭＰ４の間に設けられた圧力制御機器であるＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ）バルブ（バタフライ式バルブ）である。ここで、排気用配管５、６、バルブ１、２、及びＡＰＣバルブ１３はメインライン９を構成している。
なお、バタフライ式バルブは、気体バラスト等の他のＡＰＣ機器の場合もある。
【００１２】
１０は、このメインライン９に対するバイパスラインであり、このバイパスライン１０は、バルブ１の上流側から、バルブ２の下流側を接続する配管１５と、この配管１５に設けられ、配管１５を開閉する開閉バルブ１１と、この開閉バルブ１１の下流側に設けられた圧力制御機器であるＡＰＣバルブ１４とを備え、更にスローライン１７を構成するため、バルブ１１をバイパスするよう接続され、配管１５よりも細くて配管抵抗が大きくされた配管１６、及びこの配管１６に設けられて、配管１６を開閉する開閉バルブ１２を備えて構成されている。
なお、メインライン９による配管抵抗は、バイパスライン１０の配管抵抗より小さくなるよう構成されている。
【００１３】
以下に、実施の形態の動作を説明する。
チャンバを真空に引く際には、全てのバルブ１、２、１１、１２が閉じられている状態から、配管抵抗の大きい配管１６のバルブ１２を開け、次に、チャンバが約１０Ｔｏｒｒ以下になった後、配管１６よりも抵抗の小さな配管１５のバルブ１１を開ける。
【００１４】
その後、バルブ１１、１２を閉じてバルブ１、２を開とし、チャンバが０．５Ｔｏｒｒ以下（例えば、１０-8〜０．５Ｔｏｒｒ）になった後、ＴＭＰ４をオンにする。その５分以降に従来の技術において述べたプロセス等の処理が可能となる。
【００１５】
０．５Ｔｏｒｒ以上（例えば１Ｔｏｒｒ）の圧力下において、プロセスやウェーハ搬送をする必要があるときは、バルブ１を閉じ（バルブ２は開閉どちらでもよい）、バルブ１１を開け、ＡＰＣバルブ１４による圧力制御下において可能となる。
【００１６】
メインライン９（０．５Ｔｏｒｒ以下）で真空引きしているときは、ＡＰＣバルブ１３により、圧力制御（ＡＰＣ）可能である。バイパスライン１０（０．５Ｔｏｒｒ以上）で真空引きしているときは、ＡＰＣバルブ１４によりＡＰＣ可能である。
以上のように、メインラインとバイパスライン、そしてそれぞれのラインのＡＰＣにより制御された広範囲な圧力での処理、搬送を実施することができる。
【００１７】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、超高真空用ポンプの前後を渡るバイパスラインを設置し、該バイパスラインに開閉バルブと圧力制御機器を設けたため、制御された広範囲な圧力での処理、搬送を実施することのできる基板処理装置を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態における圧力制御機構としての配管構造を示す構成図である。
【図２】従来の基板処理装置における配管構造を示す構成図である。
【符号の説明】
１、２、１１、１２ 開閉バルブ
４ ＴＭＰ（ターボ分子ポンプ）
９ メインライン
１０ バイパスライン
１３、１４ ＡＰＣバルブ
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体製造装置等における基板処理装置に関し、特に、ターボ分子ポンプ等の超高真空ポンプによる減圧状態下で基板処理を行う基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置等の基板処理装置では、超高真空プロセスを実施するため、排気系にターボ分子ポンプ（以下ＴＭＰという）等の超高真空ポンプを使用することが知られている。
図２は従来の基板処理装置におけるＴＭＰ周辺の配管を示す図である。
図２において、１は図示しないチャンバから接続される排気用配管５に設けられ、この排気用配管５を開閉するバルブ、４は排気用配管のバルブ１の下流側に設けられたＴＭＰ、２はＴＭＰ４から図示しないポンプへ接続された排気用配管６に設けられ、この排気用配管６を開閉するバルブ、７はバルブ２をバイパスするよう設けられたバイパス配管、３はこのバイパス配管７に設けられ、このバイパス配管を開閉するバルブである。
【０００３】
ところで、ＴＭＰ４は反応室であるチャンバ側が約０．５Ｔｏｒｒ、ポンプ側が約３Ｔｏｒｒ以下でないと動作できない。また、ＴＭＰ４の立上げ、立下げには約５分程度必要である。このため、チャンバを真空に引く際には、バルブ１及び３を開け、チャンバが約１０Ｔｏｒｒ以下になった後にバルブ２を開ける。バルブ３をまず開くのは、大気圧から引き始める場合に、細い（排気抵抗の大きい）バイパス配管７より引き始めることにより、ポンプに大きな負荷が加わるのを防止すると共に、チャンバに急激な圧力変化が生じるのを防止するためである。
【０００４】
そして、チャンバを０．５Ｔｏｒｒ以下にした後にＴＭＰ４をオンし、その５分以降において、チャンバを０．５Ｔｏｒｒ以下に引いた状態下においてプロセス等の処理が実施可能になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、このような従来の配管系統では、０．５Ｔｏｒｒ以上（例えば１Ｔｏｒｒ）の圧力下では、全く圧力制御ができず、プロセスや基板（ウェーハ）搬送ができないという問題点がある。
【０００６】
そこで、この発明は、０．５Ｔｏｒｒ以上の圧力でのプロセス不可や基板搬送不可であるという問題点を解決し、制御された広範囲な圧力での処理、搬送を実施することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、この発明は、ターボ分子ポンプ等の超高真空用ポンプによる減圧状態下で基板処理を行う基板処理装置において、前記超高真空用ポンプの前後を渡るバイパスラインを設置し、該バイパスラインに開閉バルブと圧力制御機器を設けたものである。
【０００８】
このような構成によれば、広い圧力下において、バイパスラインに設けられた圧力制御機器を用いた圧力制御が可能となる。
【０００９】
なお、実施の形態においては、チャンバ側からポンプ側に設けられるメインライン９にチャンバ側より開閉バルブ１、ＡＰＣバルブ１３、ＴＭＰ４、及び開閉バルブ２を設け、このメインライン９に対するバイパスライン１０に開閉バルブ１１とＡＰＣバルブ１４を設けると共に、開閉バルブ１１にバルブ１２を備えたスローライン１７を設けている。
【００１０】
そして、このような構成によれば、高い圧力から、０．５Ｔｏｒｒ以下の低い圧力までの広範囲において圧力制御が可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図を用いて説明する。
図１は、この発明の実施の形態を示す構成図である。
図１において、１は図示しないチャンバから接続される排気用配管５に設けられ、この排気用配管５を開閉するバルブ、４は排気用配管のバルブ１の下流側に設けられたＴＭＰ、２はＴＭＰ４から図示しないポンプへ接続された排気用配管６に設けられ、この排気用配管６を開閉するバルブ、１３はバルブ１とＴＭＰ４の間に設けられた圧力制御機器であるＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ）バルブ（バタフライ式バルブ）である。ここで、排気用配管５、６、バルブ１、２、及びＡＰＣバルブ１３はメインライン９を構成している。
なお、バタフライ式バルブは、気体バラスト等の他のＡＰＣ機器の場合もある。
【００１２】
１０は、このメインライン９に対するバイパスラインであり、このバイパスライン１０は、バルブ１の上流側から、バルブ２の下流側を接続する配管１５と、この配管１５に設けられ、配管１５を開閉する開閉バルブ１１と、この開閉バルブ１１の下流側に設けられた圧力制御機器であるＡＰＣバルブ１４とを備え、更にスローライン１７を構成するため、バルブ１１をバイパスするよう接続され、配管１５よりも細くて配管抵抗が大きくされた配管１６、及びこの配管１６に設けられて、配管１６を開閉する開閉バルブ１２を備えて構成されている。
なお、メインライン９による配管抵抗は、バイパスライン１０の配管抵抗より小さくなるよう構成されている。
【００１３】
以下に、実施の形態の動作を説明する。
チャンバを真空に引く際には、全てのバルブ１、２、１１、１２が閉じられている状態から、配管抵抗の大きい配管１６のバルブ１２を開け、次に、チャンバが約１０Ｔｏｒｒ以下になった後、配管１６よりも抵抗の小さな配管１５のバルブ１１を開ける。
【００１４】
その後、バルブ１１、１２を閉じてバルブ１、２を開とし、チャンバが０．５Ｔｏｒｒ以下（例えば、１０-8〜０．５Ｔｏｒｒ）になった後、ＴＭＰ４をオンにする。その５分以降に従来の技術において述べたプロセス等の処理が可能となる。
【００１５】
０．５Ｔｏｒｒ以上（例えば１Ｔｏｒｒ）の圧力下において、プロセスやウェーハ搬送をする必要があるときは、バルブ１を閉じ（バルブ２は開閉どちらでもよい）、バルブ１１を開け、ＡＰＣバルブ１４による圧力制御下において可能となる。
【００１６】
メインライン９（０．５Ｔｏｒｒ以下）で真空引きしているときは、ＡＰＣバルブ１３により、圧力制御（ＡＰＣ）可能である。バイパスライン１０（０．５Ｔｏｒｒ以上）で真空引きしているときは、ＡＰＣバルブ１４によりＡＰＣ可能である。
以上のように、メインラインとバイパスライン、そしてそれぞれのラインのＡＰＣにより制御された広範囲な圧力での処理、搬送を実施することができる。
【００１７】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、超高真空用ポンプの前後を渡るバイパスラインを設置し、該バイパスラインに開閉バルブと圧力制御機器を設けたため、制御された広範囲な圧力での処理、搬送を実施することのできる基板処理装置を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態における圧力制御機構としての配管構造を示す構成図である。
【図２】従来の基板処理装置における配管構造を示す構成図である。
【符号の説明】
１、２、１１、１２ 開閉バルブ
４ ＴＭＰ（ターボ分子ポンプ）
９ メインライン
１０ バイパスライン
１３、１４ ＡＰＣバルブ
Claims (1)
- 超高真空用ポンプと、それとは異なる他のポンプを用いて減圧状態下で基板処理を行う基板処理装置において、
前記超高真空用ポンプと前記他のポンプが設けられるメインラインと、前記超高真空用ポンプの前後を渡る、排気抵抗が前記メインラインより大きくなるよう構成されるバイパスラインとを備え、
前記バイパスラインが接続される箇所よりも前記超高真空用ポンプ側の前記メインラインの領域と、該バイパスラインとの領域のそれぞれに開閉バルブと圧力制御機器を設けてなる基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11393198A JP4521889B2 (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11393198A JP4521889B2 (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11300193A JPH11300193A (ja) | 1999-11-02 |
| JP4521889B2 true JP4521889B2 (ja) | 2010-08-11 |
Family
ID=14624788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11393198A Expired - Lifetime JP4521889B2 (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4521889B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102506299A (zh) * | 2011-10-20 | 2012-06-20 | 秦皇岛首秦金属材料有限公司 | 一种降低普通压缩风管网运行压力的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI524388B (zh) | 2013-12-27 | 2016-03-01 | Hitachi Int Electric Inc | A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium |
| JP6413293B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び記憶媒体 |
| KR101594932B1 (ko) * | 2014-04-01 | 2016-02-18 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| CN112349623A (zh) * | 2019-08-06 | 2021-02-09 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法和计算机可读取记录介质 |
| JP7055173B2 (ja) | 2019-08-06 | 2022-04-15 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理プログラム |
| US11742188B2 (en) * | 2019-08-15 | 2023-08-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, pressure control apparatus and substrate processing system |
| KR20220104007A (ko) | 2020-02-04 | 2022-07-25 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 제어 밸브, 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
Citations (3)
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| JPS6368790A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-28 | Hitachi Ltd | 真空排気装置 |
| JPH02303131A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 絶縁膜形成方法 |
| JP2762367B2 (ja) * | 1989-08-10 | 1998-06-04 | アネルバ株式会社 | Ｃｖｄ方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0633231A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-08 | Hitachi Sci Syst:Kk | イオンスパッタリング装置 |
| JPH08283946A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-10-29 | Canon Inc | 堆積膜製造装置及び製造方法 |
-
1998
- 1998-04-23 JP JP11393198A patent/JP4521889B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| CN102506299A (zh) * | 2011-10-20 | 2012-06-20 | 秦皇岛首秦金属材料有限公司 | 一种降低普通压缩风管网运行压力的方法 |
| CN102506299B (zh) * | 2011-10-20 | 2014-04-02 | 秦皇岛首秦金属材料有限公司 | 一种降低普通压缩风管网运行压力的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11300193A (ja) | 1999-11-02 |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040329 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040414 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080206 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080730 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090402 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100525 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |