TWI520039B - Electrostatic capacitive touch sensor, electronic machine and transparent conductive film laminated body manufacturing method - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種具備靜電容式觸控感測器及靜電容式感測器的電子機器,以及可使用在靜電容式觸控感測器等的透明導電膜積層體之製造方法。
自習知以來,即在透明觸控面板或透明觸控開關等使用有如文獻1(國際公開第2006/126604號冊子(pamphlet))中所記載之具有透明導電膜的透明面狀體。
該透明導電膜係經圖案化(pattering)並在透明導電膜形成有感測電極(sensing electrode),而且透明導電膜之感測電極與外部電路係以撓性印刷配線板(flexible printed wiring board)(以下稱為FPC)等連接。藉由將此種感測電極與手指或筆之間的靜電容變化傳送到外部電路,可在外部電路探測手指或筆接觸到透明面狀體之位置。亦即,藉由將FPC連接到積層成透明薄片且經圖案化的透明導電膜,可形成靜電容式觸控感測器。
一般而言,在此種靜電容式觸控感測器中,係將透明導電膜積層在塑膠膜上,以形成覆蓋其透明導電膜之透明黏著層,並將透明導電膜疊層(laminate)到保護透明導電膜的絕緣層與塑膠膜之間。
而且,在透明黏著層中使用環氧基系或丙烯酸系等樹脂,且黏著層之層厚在25μm至75μm左右。具有25μm至75μm層厚的環氧基系或丙烯酸系之黏著層一旦暴露在高溫高濕的環境中,便會吸收外氣水分使表面白化。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:國際公開第2006/126604號冊子
爰此,增加塑膠膜之膜厚或使用具高水蒸氣阻絕特性(water vapor barrier property)的塑膠製膜,應可減少水蒸氣之侵入。但,一旦增加塑膠膜之膜厚或使用具高水蒸氣阻絕特性的塑膠製膜,會有可防止白化但光學特性變差的問題產生。
本發明之目的在於:提供一種可防止光學特性之惡化並防止黏著層因水蒸氣而白化的靜電容式觸控感測器。
本發明之一觀點的靜電容式觸控感測器具備:透明塑膠製薄片、形成於塑膠製薄片之上的透明導電膜層、及形成於透明導電膜層上來覆蓋透明導電膜層的透明黏著層;塑膠製薄片係水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下且波長550nm之平面內方向延遲值(in-plane direction retardation)在20nm以下者。
在該靜電容式觸控感測器中,塑膠製薄片之水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下,因此可防止水蒸氣侵入積層在塑膠製薄片上的黏著層或透明導電膜層。再加上,塑膠製薄片之平面內方向延遲值在20nm以下,因此即便使塑膠製薄片持有水蒸氣阻絕特性,亦可防止不規則顏色等生成、或使用者所觀測到的顏色不同於自液晶顯示器裝置所出射之光顏色等光學性問題。
靜電容式觸控感測器還具備:配置在黏著層之與塑膠製薄片相反之側的相位差膜、及配置在相位差膜上的偏光膜亦可。
在該靜電容式觸控感測器中,藉由依顯示器裝置之種類來適當配置偏光膜,可使來自顯示器裝置之光源的光穿透性加以提升。使用偏光膜與相位差膜,可抑制穿透偏光膜與相位差膜的光反射,並可抑制透明導電膜層中之光反射使難以察看到透明導電膜層之圖案。將塑膠製薄片之平面內方向延遲值設在20nm以下,可在未使上述偏光膜與相位差膜之性能降低的情況下使其充分發揮效能。
塑膠製薄片亦可包含:透明塑膠製基體薄片,係於其中一面之上形成透明導電膜層,且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下者;及透明保護薄片,係配置於基體薄片之另一面,而且水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下者。此時,保護薄片以環烯烴系樹脂所形成者為佳。又,基體薄片以聚碳酸酯系樹脂所形成者為佳。此外,保護薄片為成形呈立體形狀且覆蓋黏著層之側面者亦可。以已成形呈立體形狀的保護薄片,亦可防止水蒸氣從側面侵入黏著層。
塑膠製薄片係水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下、且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下的透明基體薄片亦可。此時,基體薄片以環烯烴系樹脂所形成者為佳。基體薄片成形呈立體形狀且覆蓋黏著層之側面亦可。以已成形呈立體形狀的基體薄片,亦可防止水蒸氣從側面侵入黏著層。
靜電容式觸控感測器還可具備:光學等向性薄片(optical isotropy sheet),係配置在黏著層上且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下者;其他透明導電膜層,係形成於光學等向性薄片上者;及透明的其他黏著層,係形成於其他透明導電膜層上者。
電子機器係具備筐體、配置在筐體內的顯示器裝置、及在筐體內配置在顯示器裝置上的上述靜電容式觸控感測器所構成亦可。
本發明之其他觀點的透明導電膜積層體之製造方法係具備下述步驟者:於水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下的透明塑膠製保護薄片上,配置波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下的透明基體薄片之步驟;導電膜層形成步驟,係於基體薄片上形成透明導電膜層者;黏著層形成步驟,係於透明導電膜層上形成透明黏著層,以覆蓋透明導電膜層者;及側面覆蓋步驟,係使用保護薄片覆蓋黏著層之側面者。
在該製造方法中,可輕易地製造黏著層之側面以保護薄片覆蓋的透明導電體膜積層體。
透明導電膜積層體之製造方法在覆蓋步驟之前,還具備將保護薄片成形呈立體形狀的成形步驟亦可。
本發明之其他觀點的透明導電膜積層體之製造方法係具備下述步驟者:導電膜層形成步驟,係在水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下的透明塑膠製基體薄片上,形成透明導電膜層者;黏著層形成步驟,係於透明導電膜層上形成透明黏著層,以覆蓋透明導電膜層者;及側面覆蓋步驟,係使用基體薄片覆蓋黏著層之側面者。
在該製造方法中,可輕易地製造黏著層之側面以基體薄片覆蓋的透明導電體膜積層體。
透明導電膜積層體之製造方法在覆蓋步驟之前,還具備將基體薄片成形呈立體形狀的成形步驟亦可。
依據本發明,可防止於穿透光生成不規則顏色的光學特性之惡化、並防止黏著層因水蒸氣白化。
第1圖係具備第1實施形態之靜電容式觸控感測器的手機之分解立體圖。
第2圖係第1圖之手機剖面形狀的示意部分剖面圖。
第3圖係第2圖之區域I的擴大圖。
第4圖係顯示第2圖中顯示之靜電容式觸控感測器之一製造步驟的示意剖面圖。
第5圖係顯示第2圖中顯示之靜電容式觸控感測器之一製造步驟的示意剖面圖。
第6圖係顯示第2圖中顯示之靜電容式觸控感測器之一製造步驟的示意剖面圖。
第7圖係顯示變形例1-1之靜電容式觸控感測器之構成的示意剖面圖。
第8圖係顯示變形例1-2之靜電容式觸控感測器之一構成的示意剖面圖。
第9圖係顯示變形例1-2之靜電容式觸控感測器之其他構成的示意剖面圖。
第10圖係顯示第2實施形態之靜電容式觸控感測器之構成的示意剖面圖。
第11圖係顯示第10圖之靜電容式觸控感測器之一製造步驟的示意剖面圖。
第12圖係顯示第10圖之靜電容式觸控感測器之其他製造步驟的示意剖面圖。
第13圖係顯示變形例2-1之靜電容式觸控感測器之構成的示意剖面圖。
第14圖係第13圖之區域II的擴大圖。
第15圖係顯示變形例2-2之靜電容式觸控感測器之一構成的示意剖面圖。
第16圖係顯示變形例2-2之靜電容式觸控感測器之其他構成的示意剖面圖。
第17圖係顯示第3實施形態之靜電容式觸控感測器之構成的示意剖面圖。
<第1實施形態>
以下將以手機為例說明具備本發明之第1實施形態之靜電容式觸控感測器的電子機器。惟,具備靜電容式觸控感測器的電子機器亦可為手機以外的例如個人電腦或自動販賣機等其他電子機器。可適用本發明之電子機器並非限於手機者。
(1)具備靜電容式觸控感測器的電子機器之概要
第1圖係顯示手機之構成概要的分解立體圖。第1圖中,手機10具備有液晶顯示器裝置20、及配置在液晶顯示器裝置20上的靜電容式觸控感測器30。手機10之筐體11於表面側邊11a具有凹部11b。於凹部11b有嵌入靜電容式觸控感測器30。而且,該凹部11b之中還形成有凹部11c。於凹部11c中有嵌入液晶顯示器裝置20。如此一來,在手機10等電子機器中,靜電容式觸控感測器30可配置在液晶顯示器裝置20之上。
靜電容式觸控感測器30具備有透明的觸控感測器部30a、形成在觸控感測器部30a周圍之不透明的裝飾部30b、FPC30c、及搭載在FPC30c的IC(integrated circuit:積體電路)晶片30d。FPC30c係連接在手機10之內部電路(省略圖示)。但,靜電容式觸控感測器中亦有未具有IC晶片之FPC的型態。
亦可於裝飾部30b適當地設置用以提升外觀設計的圖畫層。圖畫層係以聚乙烯系、聚醯胺系、聚丙烯酸系、聚胺酯系、及醇酸系等樹脂作為黏合劑(binder),使用含有以適當的顏色之顏料或染料為著色劑的著色墨水而形成。此時可使用的著色劑例如有鋁、鈦、青銅等金屬粒子或於雲母鍍敷有氧化鈦的珍珠顏料等。圖畫層之形成方法則有凹版印刷、網版印刷、平版印刷等通用印刷法或各種鍍敷法、塗裝等方法。
(2)透明導電膜積層體31
(2-1)構成概要
第2圖係第1圖之手機10的示意部分剖面圖。由觸控感測器部30a與裝飾部30b所形成之部分係由第2圖中顯示之透明導電膜積層體31與其他構材32所構成。其他構材32例如為玻璃基材等。
透明導電膜積層體31係以保護薄片311、基體薄片312、透明導電膜層313、及黏著層314所構成。透明導電膜積層體31為重複有類似結構的2層結構。第1層31a中,在第1層第1基體薄片312之單面(其中一面)形成有第1透明導電膜層313。於第1基體薄片312的相反側(另一面)積層有保護薄片311。第1基體薄片312及第1透明導電膜層313之上積層有覆蓋第1透明導電膜層313的第1黏著層314。
於第2層31b有第2基體薄片312,且第2基體薄片312係積層在第1黏著層314上。第2基體薄片312上形成有第2透明導電膜層313、且第2基體薄片312及第2透明導電膜層313之上積層有第2黏著層314。第2黏著層314上積層有其他構材32。而且,保護薄片311係形成呈立體形狀並覆蓋住第1層31a及第2層31b之黏著層314之側面。第3圖係以第2圖之虛線圓所圈劃之區域I的擴大圖。如第3圖所示,保護薄片311係以密附於其他構材32的方式所形成。藉由此種結構,可無縫地覆蓋第2層31b之黏著層314之側面,並防止水蒸氣從其他構材32與保護薄片311之縫隙侵入第1層31a及第2層31b之黏著層314內。由於保護薄片311具有高水蒸氣阻絕特性,因此亦可防止水蒸氣透過保護薄片311侵入第1層31a及第2層31b之黏著層314內。例如,如第2圖所示,即使水滴W1從筐體11與透明導電膜積層體31之縫隙12侵入手機10內,亦可如上述般防止水蒸氣從透明導電膜積層體31之側面侵入。同樣地,對於從手機10內部進入縫隙13的水蒸氣W2,亦可藉由保護薄片311防止其對黏著層314的侵入。
而,在第2圖中顯示之透明導電膜積層體31中,由基體薄片312、透明導電膜層313、及黏著層314所形成之構成雖重複有2次,此種構成之重複亦可為3次以上。
(2-2)基體薄片312
基體薄片312係波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下的透明薄片。該基體薄片312之厚度以30~2000μm左右為宜。就可將平面內方向延遲值設在20nm以下的基體薄片312之材料而言,例如有:聚碳酸酯系樹脂、聚芳酯化合物系樹脂、纖維素系樹脂、降莰烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、烯烴系樹脂、及丙烯酸系樹脂等塑膠膜。其中又以使用有聚碳酸酯系樹脂的塑膠膜,因可適用於製膜條件將上述平面內方向延遲值設在5nm以下而尤為理想。而,在此所提及之聚碳酸酯系樹脂之概念中亦包含聚碳酸酯樹脂。
本發明中之平面內延遲值係使用大塚電子株式會社製之低延遲值測定裝置(型號:RE-100)而測定者。該低延遲值測定裝置之測定波長為550nm。而,延遲值乃指入射結晶或其他非等方性物質之光,被分開成彼此持有垂直振動方向的2光波之現象。一旦非偏光之光入射進持有雙折射的材料中,入射光會分成2道。兩者在振動方向彼此呈直角,其中一方稱為垂直偏光,另一方稱為水平偏光。呈垂直的一方為異常光線,而呈水平的一方為常光線(ordinary ray),常光線為傳播速度不受傳播方向影響之光線,異常光線係會因傳播方向而有不同速度之光線。光學軸係指在雙折射材料中,該2道光線之速度呈一致的方向。平面內方向延遲值乃:當令在薄片312平面內方向的延遲相位(delayed-phase)軸方向之折射率為nx、令在薄片平面內方向的進階相位(advanced-phase)軸方向之折射率為ny、及令薄片厚度為d時,以(nx-ny)×d計算之值。
而,由於上述平面內方向延遲值很低的塑膠膜(包含聚碳酸酯系樹脂)多數具有高水蒸氣穿透率,因此易使水蒸氣透過。在此所提及之水蒸氣穿透率乃依據JISK7129之B法,以下述條件所測定者:透過槽(permeation cell)之溫度40±0.5℃、相對濕度差90±2%、高濕度箱之相對濕度90±2%、及低濕度箱之相對濕度0%。高水蒸氣穿透率意指當以上述條件依據JISK7129之B法測定薄片全體之水蒸氣穿透率時(結果)達10g/(m2‧24h)以上之情況。
(2-3)保護薄片311
保護薄片311係以上述條件依據JISK712之B法所測定時,水蒸氣穿透率為1g/(m2‧24h)以下且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下的透明塑膠製薄片。該保護薄片311的厚度以30~2000μm左右為宜。保護薄片311之材料例如有環烯烴系樹脂之塑膠膜。環烯烴系樹脂膜不僅具有高水蒸氣阻絕特性且平面內方向延遲值低,且易於立體加工。就水蒸氣穿透率為1g/(m2‧24h)以下且波長550nm之平面內方向延遲值在5nm以下的環烯烴系樹脂而言,例如,可適當地利用日本ZEON株式會社製之ZEONOR(登錄商標)。
(2-4)透明導電膜層313
透明導電膜層313例如為由銦錫氧化物、氧化鋅等金屬氧化物或樹脂黏合劑與奈米碳管或金屬奈米線等所形成之層,可藉由真空沉積法(vacuum deposition)、濺鍍法、離子電鍍法、鍍金法、凹版印刷、網版印刷、平版印刷等通用印刷法,以各種鍍膜機之方法、塗裝、浸漬(dipping)等方法而形成。宜將透明導電膜層313設定為厚度從數十nm左右至數μm左右、光線透過率80%以上、且表面電阻值從數mΩ至數百Ω之值。
(2-5)黏著層314
黏著層314例如係由丙烯酸系樹脂、聚胺酯系樹脂、乙烯基系樹脂、及橡膠系樹脂等所形成之層,可藉由凹版印刷、網版印刷、平版印刷等通用印刷法,以各種鍍膜機之方法、塗裝、浸漬等方法而形成。黏著層314宜形成為厚度在從數μm左右至數十μm左右且顯示牢固的黏著性與各種耐性。
(3)透明導電膜積層體之製造方法
(3-1)使用立體形狀的保護薄片之方法
將保護薄片311形成為直到覆蓋到黏著層314側面之結構的製造方法中,有經第4圖中顯示之步驟將形成呈立體形狀的保護薄片311積層到基體薄片312的方法。如第4圖所示,係以保護薄片311之外圍加工部311a達及黏著層314等之側面的方式,預先成形有保護薄片311。以覆蓋黏著層314等之側面的方式將保護薄片311預先成形呈立體形狀的方法,例如有:壓機成形(press forming)、真空成形、及加壓成形(pressure forming)等。壓機成形係以高於保護薄片311之軟化溫度更高的溫度加以進行,例如,當保護薄片311為由軟化溫度120℃的環烯烴系樹脂所形成時,以加熱到160℃來進行保護薄片311之形成。將形成呈立體形狀之保護薄片311積層至基體薄片312的方法,例如有透過接著劑等加以疊層之方法等。
(3-2)將保護薄片成形呈立體形狀並加以進行之方法
將保護薄片311形成為直到覆蓋到黏著層314側面之結構的製造方法中,例如有經第5圖中顯示之步驟,以覆蓋黏著層314等側面的方式沿著黏著層314等側面加工呈立體形狀,並將保護薄片311積層至基體薄片312之方法。
以沿著黏著層314等側面加工呈立體形狀且將保護薄片311積層至基體薄片312之方法中,例如有以聚矽氧推桿(silicone putt)等橡膠質之推壓材100加以推壓之方法等。在以推壓材100加以推壓之方法中,首先將保護薄片311加熱到軟化溫度以上使保護薄片311呈軟化的狀態。接下來,藉由以橡膠質之推壓材100加以推壓,使保護薄片311沿著黏著層314側面成形並將保護薄片311疊層至黏著層314側面。例如,當保護薄片311為由軟化溫度120℃的環烯烴系樹脂所形成時,以加熱至150℃的聚矽氧推桿推壓保護薄片311,藉此形成透明導電膜積層體31。為將保護薄片311疊層至側面,亦可同於上述方法預先將接著劑塗布至保護薄片311,又亦可利用黏著層314之黏著劑。
(3-3)積層保護薄片後成形呈立體形狀之方法
將保護薄片311形成為直到覆蓋到黏著層314側面之結構的製造方法中,例如有將保護薄片311積層至基體薄片312後,經第6圖顯示之步驟使保護薄片311沿著黏著層314等側面的方式予以加工之方法。
將保護薄片311積層至基體薄片312後使保護薄片311沿著黏著層314等側面的方式予以加工之方法中,例如有將高溫高壓之壓縮空氣110等噴濺到所貼附的保護薄片311之成形等。將保護薄片311加熱到軟化溫度以上並噴濺軟化溫度以上之高溫壓縮空氣。例如,當保護薄片311為由軟化溫度120℃的環烯烴系樹脂所形成時,可藉由溫度150℃且壓力10氣壓之壓縮空氣的功率使保護薄片311之外圍加工部311a密附到黏著層314側面。以耐熱性薄片等覆蓋透明導電膜積層體31之側、並透過耐熱性薄片等間接地將壓縮空氣之功率傳送至保護薄片311亦可。又,亦可藉由下述的加壓成形加以成形,即:從其他構材32之側噴濺壓縮空氣,並將保護薄片311之側往已加熱到保護薄片311之軟化溫度以上之模具加以推壓。
<變形例1-1>
在上述實施形態中係顯示於透明導電膜積層體31分別積層有各2層的基體薄片312、透明導電膜層313、及黏著層314,但亦可如第7圖所示將該等層各積層成1層。在第7圖中雖省略圖示,但靜電容式觸控感測器30A係以將第1圖中所示之FPC30c連接至透明導電膜積層體31A之透明導電膜層313而構成。該靜電容式觸控感測器30A亦可與第1圖中所示之液晶顯示器裝置20組合搭載在手機10等電子機器內。
<變形例1-2>
上述實施形態之透明導電膜積層體31或變形例1-1中所示之透明導電膜積層體31A係以保護薄片311之外圍加工部311a覆蓋住黏著層314之側面。但,當手機10之表面側邊11a側具高防水性時,亦可無需以保護薄片311覆蓋到直到黏著層314之側面。屆時,如第8圖之透明導電膜積層體31B或如第9圖之透明導電膜積層體31C,將保護薄片315積層到基體薄片312之另一面即可,可使構成或製造方法簡化。在第8圖及第9圖中雖省略圖示,但靜電容式觸控感測器30B、30C係將第1圖中所示之FPC30c連接至透明導電膜積層體31B、31C之透明導電膜層313而構成。該靜電容式觸控感測器30B、30C亦可與第1圖中所示之液晶顯示器裝置20組合搭載在手機10等電子機器內。
<實施例1>
(1)透明導電膜積層體之製作
使用厚度50μm的聚碳酸酯系樹脂膜來作為基體薄片,並於其表面以濺鍍法形成由銦錫氧化物所形成之厚度200nm的透明導電膜層。所使用之聚碳酸酯系樹脂膜的平面內方向延遲值為20nm以下且水蒸氣穿透率為10g/(m2‧24h)以上。此外,在形成有透明導電膜層的聚碳酸酯系樹脂膜上,以網版印刷形成厚度25μm的聚胺酯系黏著層。準備10組如上述所製成之透明導電膜積層體。
接下來,在上述透明導電膜積層體之5組中,將由厚度100μm且軟化溫度120℃的環烯烴系樹脂膜所形成之保護薄片,積層至與基體薄片之黏著層形成面呈相反之面,並以已加熱到150℃的聚矽氧推桿從背面推壓保護薄片。所使用之環烯烴系樹脂膜的平面內方向延遲值為5nm以下且水蒸氣穿透率為1g/(m2‧24h)。經由聚矽氧推桿所推壓之區域係設定成大於基體薄片之尺寸,並藉由推壓將已軟化的保護薄片沿著基體薄片及黏著層之側面積層到直到黏著層之側面為止。其餘的5組中並未積層有保護薄片。而,於10組透明導電膜積層體之上積層有玻璃基材來作為其他構材。
(2)透明導電膜積層體的耐性評估
將以上積層有保護薄片之5組及未積層之5組放入60℃ 90RH%的耐濕試驗機內放置10日後,以目測確認表面狀態。積層有保護薄片之5組全無異常。但,未積層保護薄片之5組中,其黏著層全呈白化且其中1組之透明導電膜層亦有若干白化。
<實施例2>
(1)透明導電膜積層體之製作
使用厚度50μm的聚碳酸酯系樹脂膜來作為基體薄片,並於其表面以濺鍍法形成由銦錫氧化物所形成之厚度200nm的透明導電膜層。所使用之聚碳酸酯系樹脂膜的平面內方向延遲值為20nm以下且水蒸氣穿透率為10g/(m2‧24h)以上。此外,於形成有透明導電膜層的聚碳酸酯系樹脂膜上,以網版印刷形成厚度25μm的聚胺酯系黏著層。於黏著層上同樣地積層聚碳酸酯系樹脂膜,此外並使用前述方法形成厚度25μm的聚胺酯系黏著層。重覆上述方法將由基體薄片、透明導電膜層及黏著層所形成之層總共積層成三層。準備10組如上述所製成之透明導電膜積層體。
而且,將厚度100μm且軟化溫度120℃的環烯烴系樹脂膜加熱到160℃,並以壓機成形於環烯烴系樹脂膜之外圍形成200μm左右的上升邊緣(rising edge),且準備立體形狀的保護薄片。所使用之環烯烴系樹脂膜的平面內方向延遲值為5nm以下且水蒸氣穿透率為1g/(m2‧24h)。接下來,在上述透明導電膜積層體之5組中,於該立體形狀的保護薄片之內面塗布環氧基系接著劑,並從與所積層之最下層的基體薄片之黏著層形成面呈相反之側貼附保護薄片。保護薄片之平面狀的內面區域同於基體薄片的外形尺寸,乃藉由疊層以保護薄片覆蓋最下層的基體薄片並覆蓋上層的基體薄片之側面及黏著層之側面。其餘的5組中並未積層有保護薄片。而,於10組透明導電膜積層體之上積層有玻璃基材來作為其他構材。
(2)透明導電膜積層體的耐性評估
將以上貼附有保護薄片之5組及未貼附之5組放入60℃90RH%的耐濕試驗機內放置10日後,以目測確認表面狀態。貼附有保護薄片之5組全無異常。但,未貼附保護薄片之5組中,其黏著層全呈白化且其中3組之透明導電膜層亦已有相當白化。
<實施例3>
(1)透明導電膜積層體之製作
使用厚度50μm的聚碳酸酯系樹脂膜來作為基體薄片,並於其表面以濺鍍法形成由銦錫氧化物所形成之厚度200nm的透明導電膜層。所使用之聚碳酸酯系樹脂膜的平面內方向延遲值為20nm以下且水蒸氣穿透率為10g/(m2‧24h)以上。此外,於形成有透明導電膜層的聚碳酸酯系樹脂膜上,以網版印刷形成厚度25μm的聚胺酯系黏著層。於黏著層上同樣地積層聚碳酸酯系樹脂膜,此外並使用前述方法形成厚度25μm的聚胺酯系黏著層。準備10組以上述方法將由基體薄片、透明導電膜層及黏著層所形成之層總共積層成二層的透明導電膜積層體。
接下來,在上述透明導電膜積層體之5組中,透過環氧基系接著劑將由軟化溫度120℃的環烯烴系樹脂膜所形成之保護薄片貼附到與所積層之下層的基體薄片之黏著層形成面呈相反之面。所使用之環烯烴系樹脂膜的平面內方向延遲值為5nm以下且水蒸氣穿透率為1g/(m2‧24h)。將保護薄片設定為大於基體薄片之外形尺寸,在上述貼附步驟中並未接附到保護薄片的外圍部分,但之後以10氣壓且溫度150℃的加壓成形將保護薄片之外圍部分沿著上層的基體薄片及黏著層之側面加以貼附。於其餘的5組中並未積層有保護薄片。而,於10組透明導電膜積層體之上積層有玻璃基材來作為其他構材。
(2)透明導電膜積層體的耐性評估
將以上貼附有保護薄片之5組及未貼附之5組放入60℃90RH%的耐濕試驗機放置10日後,以目測確認表面狀態。貼附有保護薄片之5組全無異常。但,未貼附之5組中,其黏著層全呈白化且其中1組之透明導電膜層已有相當白化。
<特徵>
(1)
使用於基體薄片312之聚碳酸酯系樹脂等具低平面內方向延遲值的塑膠膜多半具有高水蒸氣穿透率,因此易使水蒸氣穿透。因此,在僅由聚碳酸酯系樹脂等形成之基體薄片312中,會有因透過基體薄片312的水蒸氣使黏著層314(依條件還有透明導電膜層313也會)呈白化之問題發生。
但,在第1實施形態之靜電容式觸控感測器30、30A、30B、30C中,保護薄片311(塑膠製薄片)的水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下,因此可防止水蒸氣侵入到積層於基體薄片312之上的黏著層314或透明導電膜層313。
尤其,具良好黏著性及各種耐性之黏著層多半有很顯著的吸附濕氣而白化之問題,因此在使用具良好黏著性或各種耐性之黏著劑時可發揮高效果。
由聚碳酸酯系樹脂所形成之基體薄片312及由環多烯烴系樹脂所形成之保護薄片311(塑膠製薄片),其平面內方向延遲值皆在20nm以下,因此可防止如透過第2圖顯示之太陽眼鏡等偏光板21觀看來自液晶顯示器裝置20之出射光25時的不規則顏色等生成、或使用者所觀測到的顏色不同於來自液晶顯示器裝置20所出射之光顏色等光學性問題。
(2)
保護薄片311之外圍加工部311a在覆蓋住第1及第2黏著層314之側面的靜電容式觸控感測器30、30A中,可防止水蒸氣從側面侵入黏著層314,並提升防止黏著層314白化的效果。
<第2實施形態>
以下將以第10圖至第12圖說明本發明之第2實施形態之靜電容式觸控感測器。第10圖至第12圖中圖示有靜電容式觸控感測器40之構成中透明導電膜積層體41與其他構材42。第2實施形態之靜電容式觸控感測器40係藉由將第1圖中所示之FPC30c連接至後述透明導電膜積層體41之透明導電膜層412而構成。第2實施形態之靜電容式觸控感測器40亦與第1實施形態之靜電容式觸控感測器30相同,可與第1圖中所示之液晶顯示器裝置20組合搭載在手機10等電子機器內。
(1)透明導電膜積層體41
(1-1)構成概要
第10圖係用以說明靜電容式觸控感測器40之構成的示意剖面圖。靜電容式觸控感測器40係由第10圖中顯示之透明導電膜積層體41與其他構材42、以及省略圖示的FPC所構成。其他構材42係如玻璃基材等。
透明導電膜積層體41係以基體薄片411、透明導電膜層412、黏著層413、及光學等向性薄片414所構成。於基體薄片411之單面(其中一面)形成有第1透明導電膜層412。於基體薄片411及第1透明導電膜層412之上形成有覆蓋第1透明導電膜層412的第1黏著層413。
於第1黏著層413上積層有光學等向性薄片414且於光學等向性薄片414上形成有第2透明導電膜層412。於光學等向性薄片414及第2透明導電膜層412之上形成有第2黏著層413。而且,於第2黏著層413上積層有其他構材42。基體薄片411係形成呈立體形狀並覆蓋住第1及第2黏著層413之側面。
基體薄片411係以接觸於其他構材42的方式所形成。藉由此種結構可覆蓋第1及第2黏著層413之側面,並防止水蒸氣從其他構材42與基體薄片411之縫隙侵入第1及第2黏著層413。該基體薄片411具有高水蒸氣阻絕特性,因此亦可防止水蒸氣透過基體薄片411侵入黏著層413。例如,當將用於第2圖之手機10的靜電容式觸控感測器30換成靜電容式觸控感測器40時,即便水滴W1從筐體11與透明導電膜積層體41之縫隙12侵入手機10內,亦可如上述般地從透明導電膜積層體41之側面防止水蒸氣之侵入。同樣地,亦可藉由基體薄片411阻止水蒸氣W2自手機10內部侵入黏著層413。
而,第10圖中顯示之透明導電膜積層體41乃重複2次由透明導電膜層412與黏著層413所形成之構成,但亦可為進一步於第2黏著層413上設置光學等向性薄片414、透明導電膜層412與黏著層413之層等將透明導電膜層412重複3次以上之構成。
(1-2)基體薄片411
當以上述條件依據JISK712之B法所測定時,基體薄片411為水蒸氣穿透率為1g/(m2‧24h)以下且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下的透明塑膠製薄片。該基體薄片411之厚度以30~2000μm左右為宜。基體薄片411之材料可舉如環烯烴系樹脂之塑膠膜。環烯烴系樹脂膜不僅具有高水蒸氣阻絕特性且平面內方向延遲值很低,並且易於立體加工。水蒸氣穿透率為1g/(m2‧24h)以下且波長550nm之平面內方向延遲值在5nm以下的環烯烴系樹脂,可適當使用例如日本ZEON株式會社製的ZEONOR(登錄商標)。
(1-3)透明導電膜層412及黏著層413
透明導電膜層412及黏著層413可同如第1實施形態之透明導電膜層313及黏著層314加以形成,故省略説明。
(1-4)光學等向性薄片414
光學等向性薄片414係以波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下的透明塑膠膜所構成。該光學等向性薄片414之厚度以30~2000μm左右為宜。就可將平面內方向延遲值設在20nm以下的光學等向性薄片414之材料而言,例如有:聚碳酸酯系樹脂、聚芳酯化合物系樹脂、纖維素系樹脂、降莰烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、烯烴系樹脂、及丙烯酸系樹脂等塑膠膜。其中,使用有聚碳酸酯系樹脂之塑膠膜因可適用於製膜條件將上述平面內方向延遲值設在5nm以下而尤為理想。
(2)透明導電膜積層體之製造方法
(2-1)使用立體形狀的基體薄片之方法
就將基體薄片411形成為覆蓋到直到黏著層314之側面之結構的製造方法而言,有使用預先已成形呈立體形狀的基體薄片411覆蓋黏著層413等之側面之方法。在該方法中,首先於基體薄片411上形成第1透明導電膜層412及第1黏著層413。爾後,將形成有第1透明導電膜層412及第1黏著層413的基體薄片411形成呈立體形狀後,再於該基體薄片411之底面上形成光學等向性薄片414並於該光學等向性薄片414上形成第2透明導電膜層412及第2黏著層413。
又,亦可經第11圖中顯示之步驟形成透明導電膜積層體41。第11圖中所顯示者乃將積層有第2透明導電膜層412及第2黏著層413以及其他構材42的光學等向性薄片414加以組合疊層至形成有第1透明導電膜層412及第1黏著層413且成形呈立體形狀的基體薄片411之方法。
就預先將基體薄片411形成呈立體形狀且覆蓋黏著層413等之側面之方法而言,例如有:壓機成形、真空成形、及加壓成形等。壓機成形係以較基體薄片411之軟化溫度更高的溫度加以進行,例如,當基體薄片411由軟化溫度120℃的環烯烴系樹脂所形成時,乃加熱至160℃來進行基體薄片411之形成。就將光學等向性薄片414積層至形成呈立體形狀的基體薄片411之方法而言,例如有透過接著劑等加以疊層之方法等。
(2-2)積層成基體薄片後成形呈立體形狀之方法
就形成為將基體薄片411覆蓋到直到黏著層314側面之結構的製造方法而言,有下述方法,即:在基體薄片411上之積層結束後,經第12圖中顯示之步驟以使基體薄片411沿著黏著層314等之側面的方式予以加工。在該方法中,首先於基體薄片411上形成第1透明導電膜層412及第1黏著層413。接下來,於第1黏著層413上形成光學等向性薄片414後,再於光學等向性薄片414上形成第2透明導電膜層412及第2黏著層413。爾後,以將基體薄片411覆蓋到直到光學等向性薄片414上之第2黏著層413之側面的方式予以加工。
就使基體薄片411沿著黏著層314等之側面的方式予以加工之方法而言,例如有:將高溫高壓的壓縮空氣110等噴濺到所貼附之基體薄片411之成形等。將基體薄片411加熱到軟化溫度以上並噴濺軟化溫度以上的高溫壓縮空氣。例如,當基體薄片411由軟化溫度120℃的環烯烴系樹脂所形成時,可藉由溫度150℃且壓力10氣壓的壓縮空氣之功率使基體薄片411之外圍加工部411a密附至黏著層413側面。以耐熱性薄片等覆蓋透明導電膜積層體41之側,並透過耐熱性薄片等間接地將壓縮空氣之功率傳送到基體薄片411亦可。又,亦可從其他構材42之側噴濺壓縮空氣、並以加壓成形,即,將基體薄片411之側推壓至已加熱到基體薄片411之軟化溫度以上之模具予以成形。
<變形例2-1>
在上述實施形態之透明導電膜積層體41中雖顯示出積層有透明導電膜層412與黏著層413各2層的態樣,但如第13圖所示將該等層積層成各1層亦可。第14圖中顯示在第13圖中以虛線圓所圈劃之區域Ⅱ的擴大圖。如第14圖所示,在透明導電膜積層體41中,基體薄片411係密附到光學等向性薄片414(而非其他構材42)。藉此,將無基體薄片411與光學等向性薄片414之縫隙,故而可防止水蒸氣之侵入。在第13圖中雖省略圖示,但靜電容式觸控感測器40A係藉由將第1圖中所示之FPC30c連接到透明導電膜積層體41A之透明導電膜層412而構成。該靜電容式觸控感測器40A亦可與第1圖中所示之液晶顯示器裝置20組合搭載在手機10等電子機器內。
<變形例2-2>
上述實施形態之透明導電膜積層體41、或變形例2-1中所示之透明導電膜積層體41A係以基體薄片411之外圍加工部411a覆蓋住黏著層413側面。但,當手機10之表面側邊11a之側具高防水性時,亦可無需以基體薄片411覆蓋到直到黏著層413之側面。屆時,亦可如第15圖之透明導電膜積層體41B及第16圖之透明導電膜積層體41C,設定為未以基體薄片415覆蓋黏著層413之側面之構成,使構成及製造方法簡化。在第15圖及第16圖中雖省略圖示,但靜電容式觸控感測器40B、40C係藉由將第1圖中所示之FPC30c連接到透明導電膜積層體41B、41C之透明導電膜層412而構成。該靜電容式觸控感測器40B、40C亦可與第1圖中所示之液晶顯示器裝置20組合搭載在手機10等電子機器內。
<實施例4>
(1)透明導電膜積層體之製作
使用厚度50μm的環烯烴系樹脂膜來作為基體薄片,並於其表面以濺鍍法形成由銦錫氧化物所形成之厚度200nm的透明導電膜層。所使用之環烯烴系樹脂膜的平面內方向延遲值為5nm以下且水蒸氣穿透率為1g/(m2‧24h)。此外,於形成有透明導電膜層的環烯烴系樹脂膜上,以網版印刷形成有厚度25μm的聚胺酯系黏著層。準備5組如上述所製成之透明導電膜積層體。
又,用以比較而使用厚度50μm的聚碳酸酯系樹脂膜來作為基體薄片,並於其表面以濺鍍法形成有由銦錫氧化物所形成之厚度200nm的透明導電膜層。所使用之聚碳酸酯系樹脂膜的平面內方向延遲值為20nm以下且水蒸氣穿透率為10g/(m2‧24h)以上。此外,於形成有透明導電膜層的聚碳酸酯系樹脂膜上,以網版印刷形成厚度25μm的聚胺酯系黏著層。準備5組如上述所製成之透明導電膜積層體。而,於10組透明導電膜積層體之上積層有玻璃基材來作為其他構材。
(2)透明導電膜積層體的耐性評估
將以上述環烯烴系樹脂膜作為基體薄片之5組及以聚碳酸酯系樹脂膜作為基體薄片之5組放入60℃90RH%的耐濕試驗機放置10日後,以目測確認表面狀態。就以環烯烴系樹脂膜作為基體薄片之5組而言,僅2組有觀察到若干的黏著層之白化。但,就以聚碳酸酯系樹脂膜作為基體薄片之5組而言,黏著層全呈白化且其中2組之透明導電膜層亦有若干白化。
<實施例5>
(1)透明導電膜積層體之製作
準備10組使用厚度50μm的環烯烴系樹脂膜來作為基體薄片,並於其表面以濺鍍法形成由銦錫氧化物所形成之厚度200nm的透明導電膜層之薄片。所使用之環烯烴系樹脂膜的平面內方向延遲值為5nm以下且水蒸氣穿透率為1g/(m2‧24h)。
對所準備的10組中之5組,將基體薄片加熱至160℃進行壓機成形,並將基體薄片成形呈於外圍具有200μm左右的上升邊緣之立體形狀。
另一方面,使用厚度50μm的聚碳酸酯系樹脂膜來作為光學等向性薄片,並於聚碳酸酯系樹脂膜之表面以濺鍍法形成由銦錫氧化物所形成之厚度200nm的透明導電膜層。所使用之聚碳酸酯系樹脂膜的平面內方向延遲值為20nm以下且水蒸氣穿透率為10g/(m2‧24h)以上。於已形成透明導電膜層之聚碳酸酯系樹脂膜上,以網版印刷形成厚度25μm的聚胺酯系黏著層,並且於其上積層玻璃基材來作為其他構材。如此一來,即準備好10組由光學等向性薄片、透明導電膜層、黏著層、及其他構材所形成之薄片積層物。
接下來,於10組中全部的透明導電膜積層體之透明導電膜層上噴濺厚度25μm的聚胺酯系黏著層並以塗裝加以形成。
將基體薄片作為立體形狀之5組中,以聚碳酸酯系樹脂膜側有接到該立體形狀之基體薄片之平面狀內面的方式,貼附上述薄片積層物。基體薄片的平面區域乃與光學等向性薄片之外形尺寸一致,並藉由貼附使基體薄片之上升邊緣部分覆蓋住光學等向性薄片及形成在其上之黏著層之側面。
未形成立體形狀之其餘的5組基體薄片係僅以連接聚碳酸酯系樹脂膜側的方式貼附上述薄片積層物。
(2)透明導電膜積層體的耐性評估
將基體薄片設為立體形狀之5組及未設為立體形狀之5組放入60℃90RH%的耐濕試驗機放置10日後,以目測確認表面狀態。將基體薄片設為立體形狀之5組全無異常。但,未設為立體形狀之5組中之3組的黏著層在端部呈現有相當的白化。
<實施例6>
(1)透明導電膜積層體之製作
使用厚度50μm的環烯烴系樹脂膜來作為基體薄片,並於其上以濺鍍法形成由銦錫氧化物所形成之厚度200nm的透明導電膜層。所使用之環烯烴系樹脂膜的平面內方向延遲值為5nm以下且水蒸氣穿透率為1g/(m2‧24h)。此外,於形成有透明導電膜層之環烯烴系樹脂膜上,以網版印刷形成厚度25μm的聚胺酯系黏著層,並於其黏著層上積層厚度50μm的聚碳酸酯系樹脂膜來作為光學等向性薄片。所使用之聚碳酸酯系樹脂膜的平面內方向延遲值為20nm以下且水蒸氣穿透率為10g/(m2‧24h)以上。於其所積層之聚碳酸酯系樹脂膜上,以濺鍍法形成由銦錫氧化物所形成之厚度200nm的透明導電膜層。此外,於形成有透明導電膜層的聚碳酸酯系樹脂膜上,以網版印刷形成25μm的聚胺酯系黏著層後,再於其上積層玻璃基材來作為其他構材。如此一來,即準備好10組由基體薄片、透明導電膜層、黏著層、光學等向性薄片、透明導電膜層、黏著層、及其他構材所形成之透明導電膜積層體。
接下來,就準備好的透明導電膜積層體之10組中之5組,以溫度150℃壓力10氣壓的加壓成形進行加工。基體薄片係設定成大於光學等向性薄片之外形尺寸,且所準備之透明導電膜積層體之10組中其基體薄片之外圍部分的黏著層並未接附到其他層。但,施加有加壓成形之加工的5組,其基體薄片之外圍部分有經立體加工、且與上層的光學等向性薄片及黏著層之側面相接附。就其餘的5組則未進行加壓成形之立體加工。
(2)透明導電膜積層體的耐性評估
將已立體加工基體薄片之5組及未經立體加工之5組放入60℃90RH%的耐濕試驗機放置10日後,以目測確認表面狀態。有將基體薄片予以立體加工之5組全無異常。但,未經立體加工之5組則是5組之黏著層全呈白化,尤其是黏著層之端部呈現白化,且其中1組之透明導電膜層亦有若干白化。
<特徵>
(1)
自習知以來便使用在基體薄片或光學等向性薄片414之聚碳酸酯系樹脂等具有低平面內方向延遲值的塑膠膜中,多半具有高水蒸氣穿透率,因此易使水蒸氣穿透。因此,會有黏著層413(依條件透明導電膜層412也會)因水蒸氣穿透由聚碳酸酯系樹脂等形成之基體薄片或光學等向性薄片414而白化之問題產生。
但,在第2實施形態之靜電容式觸控感測器40中,基體薄片411(塑膠製薄片)之水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下,因此可防止水蒸氣侵入積層在基體薄片411之上的黏著層413或透明導電膜層412。
尤其,具良好黏著性與各種耐性的黏著層大多有顯著的吸附濕氣而白化之問題,因此在使用具良好黏著性或各種耐性之黏著劑時可發揮高效果。
由聚碳酸酯系樹脂所形成之光學等向性薄片414及由環多烯烴系樹脂所形成之基體薄片411,其平面內方向延遲值皆在20nm以下,因此可防止如透過第2圖顯示之太陽眼鏡等偏光板21觀看來自液晶顯示器裝置20之出射光25時的不規則顏色等生成、或使用者所觀測到的顏色不同於自液晶顯示器裝置20所出射之光顏色等光學性問題。
(2)
在基體薄片411之外圍加工部411a覆蓋住第1及第2黏著層413之側面的靜電容式觸控感測器40、40A中,可防止水蒸氣從側面侵入黏著層413,而提升防止黏著層413之白化之效果。
<第3實施形態>
以第17圖說明本發明之第3實施形態之靜電容式觸控感測器。第17圖係手機10A的部分剖面圖。在第17圖中,附有與第2圖同符號者乃同於第2圖者,故而省略說明。
(1)概要
第17圖之手機10A與第2圖之手機10之相異點在於:配置在液晶顯示器裝置20之上的相位差膜22與靜電容式觸控感測器50之構成。靜電容式觸控感測器50係由第17圖顯示之透明導電膜積層體51及其他構材52、以及省略圖示的FPC所構成。其他構材52係如玻璃基材,FPC與第1圖中所示之FPC30c同樣地係與透明導電膜積層體51之透明導電膜層412相連接。
(2)透明導電膜積層體51
(2-1)構成概要
透明導電膜積層體51具備有:基體薄片411、透明導電膜層412、黏著層413、光學等向性薄片414、偏光膜511、及相位差膜512。透明導電膜積層體51中除偏光膜511及相位差膜512以外之構成乃與第16圖顯示之透明導電膜積層體41C相同。因此,在此就偏光膜511及相位差膜512加以說明而省略說明基體薄片411、透明導電膜層412、黏著層413、及光學等向性薄片414。
相位差膜512係積層在第2黏著層413上,並且於其相位差膜512上積層有偏光膜511。偏光膜511上積層有由玻璃基材等所形成之其他構材52。
(2-2)偏光膜511
偏光膜511會將入射之光轉換成直線偏光。例如,偏光膜511係由具有經染色之聚乙烯醇(PVA)與用以從兩側支撐前者之支撐體的三醋酸纖維素(TAC)所構成之三層結構者。偏光膜511在光學特性上以使用單體穿透率40%以上且偏光度99%以上者為佳。
(2-3)相位差膜512
相位差膜512係設置在較偏光膜511更靠近光學等向性薄片414側並將經直線偏光過的光轉換成圓偏光(circular polarization)。相位差膜512以具有137nm左右(相當於人類視感度中最高550nm波長的1/4之長度)之延遲值者為佳。例如,相位差膜512係以預先所設定之延伸條件將聚碳酸酯樹脂(PC)、聚芳酯化合物(polyarylate)樹脂(PAR)及降莰烯系樹脂之膜予以製膜所獲得之預期延遲值者。就降莰烯系樹脂之膜而言,例如有:株式會社JSR製之ARTON(登錄商標)或日本ZEON株式會社製之ZEONOR(登錄商標)等膜。
<變形例3-1>
在上述實施形態之透明導電膜積層體51中雖顯示出積層有透明導電膜層412與黏著層413各2層之態樣,但如第13圖所示將該等層積層成各1層亦可。又,透明導電膜積層體51並未以基體薄片411之外圍加工部覆蓋黏著層413之側面。但,在手機10之表面側邊11a之側具低防水性等的情況下,亦可製作成如第10圖與第13圖(以基體薄片411覆蓋住黏著層413或偏光膜511與相位差膜512之側面)中所顯示之構成。
又,在實施形態之透明導電膜積層體51中雖於基體薄片411使用有具高水蒸氣阻絕特性與低平面內方向延遲值的環烯烴系樹脂,但如第1實施形態亦可使用組合保護薄片311與基體薄片312者來替代基體薄片411。
<實施例7>
(1)透明導電膜積層體之製作
在使用實施例1之環烯烴系樹脂膜的透明導電膜層薄片中,於玻璃基材與透明導電膜層之間依序積層有110μm的三層結構偏光膜(由30μm的聚乙烯醇(PVA)及從兩側支撐前者之40μm的支撐體三醋酸纖維素(TAC)而構成)及相位差膜(以70μm的聚芳酯化合物樹脂為主要成分)。前述偏光膜具有偏光度99.5%且單體穿透率43%的光學特性,而相位差膜之吸收軸具有與偏光膜之吸收軸呈約45度偏位的135nm延遲值。
(2)透明導電膜積層體的耐性評估
設為上述構成而與實施例1同樣進行評估之結果,有發現同於使用實施例1之環烯烴系樹脂膜的透明導電膜層薄片之黏著層的白化防止效果,且較使用實施例1之環烯烴系樹脂膜的透明導電膜層薄片更可抑制透明導電膜層412之反射,故而難以觀察到透明導電膜層之圖案(pattern)的境界部分。與在實施例1中用於比較之未積層保護薄片者相較之下,得到具良好耐性且可防止看到透明導電膜層圖案之問題的透明導電膜積層體。
<特徵>
(1)
第3實施形態之透明導電膜積層體51含有第2實施形態之透明導電膜積層體41C之構成,故而在防止黏著層413與透明導電膜層412之白化方面可發揮與第2實施形態相同之效果。
又,就可防止不規則顏色等生成、或使用者所觀測到的顏色不同於自液晶顯示器裝置20所出射之光顏色等光學性問題之觀點而言,亦可發揮同於第2實施形態之效果。
(2)
若以設置在基體薄片411下部的液晶顯示器裝置20之偏光板同於吸收軸的方式配置偏光膜511,可使來自液晶顯示器裝置20之光源的出射光25在液晶顯示器裝置20之資訊顯示時更易於穿透。
此外,由於藉以設置相位差膜512可抑制通過偏光膜511與相位差膜512的光反射,故而幾乎沒有透明導電膜層412之反射。因此,可防止看到透明導電膜層412的圖案,進而可防止因看到透明導電膜層412之圖案而難以看清液晶顯示器裝置20之資訊顯示的問題。
10、10A...手機
11...筐體
11a...表面側邊
11b、11c...凹部
12、13...縫隙
20...液晶顯示器裝置
21...偏光板
22、512...相位差膜
25...出射光
30、30A、30B、30C、40、40A、40B、40C、50...靜電容式觸控感測器
30a...觸控感測器部
30b...裝飾部
30c...FPC
30d...IC晶片
31、31A、31B、31C、41、41A、41B、41C、51...透明導電膜積層體
31a...第1層
31b...第2層
32、42、52...其他構材
100...推壓材
110...壓縮空氣+
311、315...保護薄片
311a、411a...外圍加工部
312、411、415...基體薄片(第1基體薄片、第2基體薄片)
313、412...透明導電膜層(第1透明導電膜層、第2透明導電膜層)
314、413...黏著層(第1黏著層、第2黏著層)
414...光學等向性薄片
511...偏光膜
Ⅰ、Ⅱ...區域
W1...水滴
W2...水蒸氣
第1圖係具備第1實施形態之靜電容式觸控感測器的手機之分解立體圖。
第2圖係第1圖之手機剖面形狀的示意部分剖面圖。
第3圖係第2圖之區域I的擴大圖。
第4圖係顯示第2圖中顯示之靜電容式觸控感測器之一製造步驟的示意剖面圖。
第5圖係顯示第2圖中顯示之靜電容式觸控感測器之一製造步驟的示意剖面圖。
第6圖係顯示第2圖中顯示之靜電容式觸控感測器之一製造步驟的示意剖面圖。
第7圖係顯示變形例1-1之靜電容式觸控感測器之構成的示意剖面圖。
第8圖係顯示變形例1-2之靜電容式觸控感測器之一構成的示意剖面圖。
第9圖係顯示變形例1-2之靜電容式觸控感測器之其他構成的示意剖面圖。
第10圖係顯示第2實施形態之靜電容式觸控感測器之構成的示意剖面圖。
第11圖係顯示第10圖之靜電容式觸控感測器之一製造步驟的示意剖面圖。
第12圖係顯示第10圖之靜電容式觸控感測器之其他製造步驟的示意剖面圖。
第13圖係顯示變形例2-1之靜電容式觸控感測器之構成的示意剖面圖。
第14圖係第13圖之區域II的擴大圖。
第15圖係顯示變形例2-2之靜電容式觸控感測器之一構成的示意剖面圖。
第16圖係顯示變形例2-2之靜電容式觸控感測器之其他構成的示意剖面圖。
第17圖係顯示第3實施形態之靜電容式觸控感測器之構成的示意剖面圖。
10...手機
11...筐體
11b...凹部
12、13...縫隙
20...液晶顯示器裝置
21...偏光板
25...出射光
30...靜電容式觸控感測器
31...透明導電膜積層體
31a...第1層
31b...第2層
32...其他構材
311...保護薄片
312...基體薄片
313...透明導電膜層
314...黏著層
I...區域
W1...水滴
W2...水蒸氣
Claims (15)
- 一種靜電容式觸控感測器,其具備:透明塑膠製薄片;透明導電膜層,係形成於前述塑膠製薄片上;及透明黏著層,係形成於前述透明導電膜層上,以覆蓋前述透明導電膜層者;前述塑膠製薄片係水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下,且波長550nm之平面內方向延遲值(in-plane direction retardation)在20nm以下。
- 如申請專利範圍第1項之靜電容式觸控感測器,其還具備:相位差膜,係配置在前述黏著層之與前述塑膠製薄片相反之側;及偏光膜,係配置在前述相位差膜上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之靜電容式觸控感測器,其中前述塑膠製薄片包含:透明塑膠製基體薄片,係於其中一面之上形成前述透明導電膜層,且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下者;及透明保護薄片,係配置於前述基體薄片之另一面,而水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下,且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下者。
- 如申請專利範圍第3項之靜電容式觸控感測器,其中前述保護薄片係以環烯烴系樹脂所形成。
- 如申請專利範圍第4項之靜電容式觸控感測器,其中前 述基體薄片係以聚碳酸酯系樹脂所形成。
- 如申請專利範圍第3項之靜電容式觸控感測器,其中前述保護薄片乃成形呈立體形狀且覆蓋前述黏著層之側面。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之靜電容式觸控感測器,其中前述塑膠製薄片係水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下、且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下的透明基體薄片。
- 如申請專利範圍第7項之靜電容式觸控感測器,其中前述基體薄片係以環烯烴系樹脂所形成。
- 如申請專利範圍第7項之靜電容式觸控感測器,其中前述基體薄片乃成形呈立體形狀且覆蓋前述黏著層之側面。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之靜電容式觸控感測器,其還具備:光學等向性薄片,係配置在前述黏著層上且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下者;其他透明導電膜層,係形成於前述光學等向性薄片上者;及透明的其他黏著層,係形成於前述其他透明導電膜層上者。
- 一種電子機器,其具備:筐體;顯示器裝置,配置在前述筐體內;及 如申請專利範圍第1至10項中任一項所記載之靜電容式觸控感測器,係在前述筐體內配置在前述顯示器裝置上者。
- 一種透明導電膜積層體之製造方法,其具備下述步驟:配置步驟,係於水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下、且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下的透明塑膠製保護薄片上,配置波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下的透明基體薄片;導電膜層形成步驟,係於前述基體薄片上形成透明導電膜層者;黏著層形成步驟,係於前述透明導電膜層上形成透明黏著層,以覆蓋前述透明導電膜層者;及側面覆蓋步驟,係使用前述保護薄片覆蓋前述黏著層之側面者。
- 如申請專利範圍第12項之透明導電膜積層體之製造方法,其中在前述覆蓋步驟之前,還具備將前述保護薄片成形呈立體形狀的成形步驟。
- 一種透明導電膜積層體之製造方法,其具備:導電膜層形成步驟,係在水蒸氣穿透率為1g/(m2‧day‧atm)以下、且波長550nm之平面內方向延遲值在20nm以下的透明塑膠製基體薄片上,形成透明導電膜層者;黏著層形成步驟,係於前述透明導電膜層上形成透明黏著層,以覆蓋前述透明導電膜層者;及 側面覆蓋步驟,係使用前述基體薄片覆蓋前述黏著層之側面者。
- 如申請專利範圍第14項之透明導電膜積層體之製造方法,其中於前述覆蓋步驟之前,還具備將前述基體薄片成形呈立體形狀的成形步驟。
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