TWI519621B - A wafer for processing a wafer, and a method for manufacturing a semiconductor device using a wafer processing wafer - Google Patents
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Description
本發明是有關晶圓加工用薄膜,特別是有關包含具有切割膠帶(Dicing Tape)及黏晶(die bonding)薄膜的2個機能的切割‧黏晶薄膜之晶圓加工用薄膜。又,有關使用前述晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法。
近來,一併具有切割膠帶的機能及黏晶薄膜(附晶薄膜(Die Attach film))的機能的2個機能之切割‧黏晶薄膜被開發著。該切割膠帶的機能是在將半導體晶圓切斷分離(切割)成各個的半導體晶片時用以固定半導體晶圓者,該黏晶薄膜的機能是用以將所被切斷的半導體晶片接著於引線架或封裝基板等、或在堆疊封裝中是用以層疊、接著半導體晶片彼此間者。
作為如此的切割‧黏晶薄膜,是考量往半導體晶圓的貼附或切割時往環框的安裝等的作業性來實施預先切割加工者。
圖5及圖6是表示所被預先切割加工的切割.黏晶薄膜的例子。圖5、圖6(A)、圖6(B)是分別為具備切割‧黏晶薄膜35的晶圓加工用薄膜30的概要圖、平面圖、剖面圖。晶圓加工用薄膜30是由脫模薄膜31、接著劑層32及黏著薄膜33所構成。接著劑層32是具有被加工成對應於半導體晶圓的形狀之形狀(例如圓形)的圓形貼紙(label)形狀。黏著薄膜33是被除去對應於切割用的環框形狀的圓形部分的周邊區域者,如圖示般,具有圓形貼紙部33a、及包圍圓形貼紙部33a的外側那樣的周邊部33b。接著劑層32與黏著薄膜33的圓形貼紙部33a是使其中心一致來層疊,且黏著薄膜33的圓形貼紙部33a是覆蓋接著劑層32,且以其周圍來接觸於脫模薄膜31。然後,藉由由接著劑層32及黏著薄膜33的圓形貼紙部33a所形成的層疊構造來構成切割‧黏晶薄膜35。
在切割半導體晶圓時,從層疊狀態的接著劑層32及黏著薄膜33來剝離脫模薄膜31,如圖7所示,在接著劑層32上貼附半導體晶圓W的背面,在黏著薄膜33的圓形貼紙部33a的外周部黏著固定切割用環框R。在此狀態下切割半導體晶圓W來形成單片化的半導體晶片,然後對黏著薄膜33(33a)實施紫外線照射等的硬化處理來拾取(pickup)半導體晶片。此時,黏著薄膜33(33a)藉由硬化處理而黏著力降低,因此容易從接著劑層32剝離,半導體晶片是在背面附著接著劑層32的狀態下被拾取。附著於半導體晶片的背面之接著劑層32是之後在將半導體晶片接著於引線架或封裝基板、或其他的半導體晶片時,具有作為黏晶薄膜的機能。
可是,上述那樣的晶圓加工用薄膜30,如圖5及圖6所示般,接著劑層32與黏著薄膜33的圓形貼紙部33a所層疊的部分比其他的部分更厚。並且,圓形貼紙部33a與周邊部33b之間的露出的脫模薄膜31部分是黏著薄膜33被除去的部分,在與黏著薄膜33(33a、33b)部分之間形成黏著薄膜33的厚度量的階差。因此,使用圓筒狀的捲芯來將長的晶圓加工用薄膜30作為製品捲成滾筒狀時,在接著劑層32與黏著薄膜33的圓形貼紙部33a的層疊部分,藉由黏著薄膜33與脫模薄膜31所形成的上述階差會互相重疊,在柔軟的接著劑層32表面產生階差被轉印的現象,亦即如圖8所示的轉印痕(貼紙痕跡、皺紋、或捲印)。如此的轉印痕的發生,特別是在接著劑層32為柔軟的樹脂所形成時或具有厚度時、及晶圓加工用薄膜30的捲數多時等顯著。然後,一旦發生轉印痕,則在接著劑層32上貼附半導體晶圓W的背面時會一邊在接著劑層32與半導體晶圓W之間捲入空氣一邊貼附,因此接著劑層32與半導體晶圓W之間不會密合,其結果,恐有引起接著不良,在半導體晶圓的加工時產生狀態不佳之虞。
為了抑制上述轉印痕的發生,雖可考量減弱晶圓加工用薄膜的捲壓,但此方法恐有產生製品的捆捲偏移,例如往貼帶機(tape mounter)的安裝困難等,晶圓加工用薄膜的實際使用時帶來障礙之虞。
並且,在專利文獻1揭示有為了抑制上述那樣貼紙痕跡的發生,而在剝離基材上的接著劑層及黏著薄膜的外方設置具有與接著劑層及黏著薄膜的合計膜厚同等或以上的膜厚的支撐層之接著薄片。專利文獻1的接著薄片是藉由具備支撐層來分散施加於接著薄片的捲起壓力或集中於支撐層,抑制轉印痕的發生。
[專利文獻1]特開2007-2173號公報
然而,上述專利文獻1的接著薄片是在剝離基材上之製造半導體裝置時等所必要的接著劑層及黏著薄膜以外的部分形成支撐層,所以支撐層的寬度受限,相對於接著劑層及黏著薄膜的外徑,支撐層的寬度窄,會有貼紙痕跡的抑制效果不夠充分的問題發生。又,由於支撐層一般是不具黏著性,未與剝離基材(PET薄膜)充分地貼附,因此在支撐層的最窄部分從剝離基材浮起,使切割‧黏晶薄膜貼合於半導體晶圓時,上述浮起的部分會刮到裝置,發生半導體晶圓損傷的問題。
另外,雖也可考量擴大支撐層的寬度,但晶圓加工用薄膜全體的寬度也會變廣,所以難以使用原有的設備。又,由於支撐層最終是被廢棄的部分,因此擴大支撐層的寬度會帶來材料成本的上昇。
於是,本發明的目的是在於提供一種在將具有接著劑層及黏著薄膜的晶圓加工用薄膜捲成滾筒狀時,可充分抑制轉印痕發生於接著劑層的晶圓加工用薄膜。並且,提供一種使用如此的晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法。
為了達成以上那樣的目的,本發明之第1態樣的晶圓加工用薄膜的特徵係具有:黏著薄膜,其係由長的基材薄膜、及長薄膜狀地設於前述基材薄膜上的黏著劑層所構成;及接著劑層,其係長薄膜狀地設於前述黏著劑層上,前述黏著劑層係包含放射線聚合性化合物及光引發劑。
若根據上述發明的晶圓加工用薄膜,則因為黏著劑層含放射線聚合性化合物及光引發劑,所以藉由將光引發劑會反應之波長的光照射於黏著劑層的所望位置,可形成以所望的位置、大小及形狀來硬化之黏著劑層的部分及未硬化之黏著劑層的部分。因此,藉由使對應於環框的位置之黏著劑層曝光,可使黏著劑層對應於環框的部分硬化,使黏著性降低,而來剝離對應於該部分的位置之接著劑層。
以往,因為接著劑層難以和被著體剝離,所以使用預先切割成所望的形狀(例如圓形平面形狀)之接著劑層,藉此防止在剝離使用後的晶圓加工用薄膜時接著劑殘留於環框,但只要如上述般使對應於環框的位置的黏著性喪失來剝離接著劑層即可,因此不必將接著劑層及黏著薄膜預先切割成所定的形狀。其結果,在將晶圓加工用薄膜當作製品來捲成滾筒狀時,可防止在接著劑層發生轉印痕的情形。
又,本發明之第2態樣的晶圓加工用薄膜的特徵係具有:黏著薄膜,其係由長的基材薄膜、及長薄膜狀地設於前述基材薄膜上的黏著劑層所構成;及接著劑層,其係長薄膜狀地設於前述黏著劑層上,前述黏著劑層係含熱聚合性化合物。
若根據上述發明,則藉由對黏著劑層的所望位置照射熱,可形成以所望的位置、大小及形狀來硬化之黏著劑層的部分及未硬化之黏著劑層的部分。因此,藉由對對應於環框的位置的黏著劑層照射熱,可使黏著劑層對應於環框的部分硬化,使黏著性降低,而來剝離對應於該部分的位置的接著劑層。因此,不必將接著劑層及黏著薄膜預先切割成所定的形狀。其結果,在將晶圓加工用薄膜當作製品來捲成滾筒狀時,可防止在接著劑層發生轉印痕。
又,本發明之第3態樣的晶圓加工用薄膜,係於上述本發明之第1或2態樣的晶圓加工用薄膜中,前述黏著薄膜係未被預先切割成對應於環框的形狀,前述接著劑層係未被預先切割成對應於半導體晶圓的形狀。
若根據上述發明,則因為接著薄膜及黏著劑層未被預先切割,所以在將晶圓加工用薄膜當作製品來捲成滾筒狀時,在接著劑層與黏著薄膜的層疊部分產生的階差也不存在,因此可防止在接著劑層發生轉印痕。
又,本發明之第4態樣的晶圓加工用薄膜,係於上述本發明的第1~3的其中任一態樣的晶圓加工用薄膜中,前述接著劑層係在對應於比半導體晶圓的外周還要外側,比前述環框的外周還要內側的位置設有切口。
若根據上述發明的晶圓加工用薄膜,則藉由使對應於環框的位置的黏著劑層部分硬化,可使黏著力降低,從該部分以切口作為基點來使接著劑層剝離。
又,本發明之第5態樣的晶圓加工用薄膜,係於上述本發明的第1、第3或第4的其中任一態樣的晶圓加工用薄膜中,在前述接著劑層的表面,可剝離地貼合有保護薄膜,前述保護薄膜係具有放射線遮蔽性的同時,在對應於比半導體晶圓的外周還要外側,比前述環框的外周還要內側的位置形成有切口。
若根據上述發明的晶圓加工用薄膜,則藉由剝離比保護薄膜的切口還要外側的部分,以剩下的部分作為遮罩來曝光對應於環框的位置的黏著劑層,可使黏著劑層對應於環框的部分硬化,使黏著性降低,而來剝離對應於該部分的位置的接著劑層。
又,本發明之第1態樣的製造半導體裝置的方法,係使用上述本發明之第1~5的其中任一態樣的晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法,其特徵係包含:使前述黏著劑層對應於晶圓的部分以外,至少對應於環框的部分硬化,從所硬化的黏著劑層的部分剝離前述接著劑層之工程;在前述接著劑層貼合前述晶圓之工程;在前述黏著劑層固定前述環框之工程;切割前述晶圓,形成被單片化的晶片及接著劑層之工程;使前述黏著劑層對應於晶圓的部分硬化,拾取前述被單片化的晶片及接著劑層之工程。
若根據上述發明之製造半導體裝置的方法,則可使黏著劑層對應於半導體晶圓(或稱晶圓)的部分以外,至少對應於環框的部分、及黏著劑層對應於晶圓的部分階段性地硬化,使黏著劑層的黏著力降低,在接著劑層與黏著劑層之間改變可剝離的位置。因此,可不用大規模變更原有的設備來變更設計所望的半導體裝置。
另外,上述發明之製造半導體裝置的方法是有關製造半導體裝置之前的晶圓加工用薄膜,因為接著劑層與黏著劑層不必預先切割,所以在當作製品捲成滾筒狀時,在接著劑層與黏著薄膜的層疊部分產生的階差也不存在,因此可防止在接著劑層發生轉印痕。
若根據本發明的第1態樣的晶圓加工用薄膜,則因為黏著劑層含放射線聚合性化合物及光引發劑,所以藉由將光引發劑會反應之波長的光照射於黏著劑層的所望位置,可形成以所望的位置、大小及形狀來硬化之黏著劑層的部分及未硬化之黏著劑層的部分。因此,藉由使對應於環框的位置之黏著劑層曝光,可使黏著劑層對應於環框的部分硬化,使黏著性降低,而來剝離對應於該部分的位置之接著劑層。
因此,不必將接著劑層及黏著薄膜預先切割成所定的形狀。其結果,在將晶圓加工用薄膜當作製品來捲成滾筒狀時,可防止在接著劑層發生轉印痕。所以,可防止因空氣被捲入接著劑層與半導體晶圓之間而造成接著劑層與半導體晶圓之間的密合性降低的同時,可在將半導體晶片接著於引線架或封裝基板、或其他半導體晶片時,防止接著不良、或晶圓的加工時的狀態不佳。
若根據本發明的第2態樣的晶圓加工用薄膜,則藉由對黏著劑層的所望位置照射熱,可形成以所望的位置、大小及形狀來硬化之黏著劑層的部分及未硬化之黏著劑層的部分。因此,藉由對對應於環框的位置的黏著劑層照射熱,可使黏著劑層對應於環框的部分硬化,使黏著性降低,而來剝離對應於該部分的位置的接著劑層。因此,不必將接著劑層及黏著薄膜預先切割成所定的形狀。其結果,在將晶圓加工用薄膜當作製品來捲成滾筒狀時,可防止在接著劑層發生轉印痕。
所以,可防止因空氣被捲入接著劑層與半導體晶圓之間而造成接著劑層與半導體晶圓之間的密合性降低的同時,可在將半導體晶片接著於引線架或封裝基板、或其他半導體晶片時,防止接著不良、或晶圓的加工時的狀態不佳。
若根據本發明的第3態樣的晶圓加工用薄膜,則因為接著薄膜及黏著劑層未被預先切割,所以在將晶圓加工用薄膜當作製品來捲成滾筒狀時,在接著劑層與黏著薄膜的層疊部分產生的階差也不存在,因此可防止在接著劑層發生轉印痕。
所以,可防止因空氣被捲入接著劑層與半導體晶圓之間而造成接著劑層與半導體晶圓之間的密合性降低的同時,可在將半導體晶片接著於引線架或封裝基板、或其他半導體晶片時,防止接著不良、或晶圓的加工時的狀態不佳。
若根據本發明的第4態樣的晶圓加工用薄膜,則藉由使對應於環框的位置的黏著劑層部分硬化,可使黏著力降低,從該部分以切口作為基點來使接著劑層剝離。
若根據本發明的第5態樣的晶圓加工用薄膜,則藉由剝離比保護薄膜的切口還要外側的部分,以剩下的部分作為遮罩來曝光對應於環框的位置的黏著劑層,可使黏著劑層對應於環框的部分硬化,使黏著性降低,而來剝離對應於該部分的位置的接著劑層。
若根據本發明的第1態樣之製造半導體裝置的方法,則可使黏著劑層對應於半導體晶圓的部分以外,至少對應於環框的部分、及黏著劑層對應於晶圓的部分階段性地硬化,使黏著劑層的黏著力降低,在接著劑層與黏著劑層之間改變可剝離的位置。因此,可不用大規模變更原有的設備來變更設計所望的半導體裝置。
另外,有關製造半導體裝置之前的晶圓加工用薄膜,因為接著劑層與黏著劑層不必預先切割,所以在當作製品捲成滾筒狀時,在接著劑層與黏著薄膜的層疊部分產生的階差也不存在,因此可防止在接著劑層發生轉印痕。
以下根據圖面來詳細說明本發明的實施形態。圖1是本實施形態的晶圓加工用薄膜的剖面圖。圖2是本實施形態的變形例的晶圓加工用薄膜的剖面圖。圖3及圖4是說明使用本實施形態的晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法的圖。
以下,詳細說明有關本發明的第1實施形態的晶圓加工用薄膜的各構成要素。如圖1所示,本發明的第1實施形態的晶圓加工用薄膜10是具有黏著薄膜14及接著劑層13的切割‧黏晶薄膜15,該黏著薄膜14是由基材薄膜11及設於基材薄膜11上的黏著劑層12所構成,該接著劑層13是設於黏著劑層12上。接著劑層13是不被預先切割成對應於半導體晶圓(或稱晶圓)的形狀,黏著薄膜14是不被預先切割成對應於環框的形狀。在本實施形態中,黏著薄膜14及接著劑層13是在長的基材薄膜11上層疊成長的薄膜狀,晶圓加工用薄膜10是不具有厚度相異的部分。
切割‧黏晶薄膜15作為製品流通時,未圖示的保護薄膜之脫模薄膜會被貼附於接著劑層13側的切割‧黏晶薄膜全面,作為晶圓加工用薄膜10來流通於市場。以下,說明有關晶圓加工用薄膜10的構成要素之脫模薄膜、接著劑層13、及由基材薄膜11和黏著劑層12所構成的黏著薄膜14。
使用於晶圓加工用薄膜10的脫模薄膜,可使用聚對苯二甲二乙酯(PET)系、聚乙烯系、其他被施以脫模處理的薄膜等周知者。脫模薄膜的厚度並無特別加以限定,可適當地設定,但較理想是25~50μm。
接著劑層13是在半導體晶圓等被貼合而切割後,拾取被單片化的半導體晶片(或稱晶片)時,從黏著薄膜14剝離而附著於晶片,作為將晶片固定於基板或引線架時的接著劑使用者。因此,接著劑層13是在拾取晶片時,原封不動附著於被單片化的晶片之狀態下,具有可從黏著薄膜14剝離的剝離性,且在黏晶時,為了將晶片接著固定於基板或引線架,而具有充分的接著可靠度。
接著劑層13是預先使接著劑薄膜化者,例如可使用被使用在接著劑之公知的聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚次苯基硫化物樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、丙烯樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、聚丙烯醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂等或其混合物。又,為了強化對晶片或引線架的接著力,最好以矽烷耦合劑或鈦耦合劑作為添加劑來加在前述材料或其混合物中。
接著劑層13的厚度並無特別加以制限,但通常以5~100μm程度為佳。又,本實施形態的晶圓加工用薄膜10的接著劑層13是層疊於黏著薄膜14的黏著劑層12全面,未被進行使對應於半導體晶圓的形狀等之預先切割,至少在比對應於半導體晶圓的位置更外側,比對應於環框的位置更內側,設有切口13a。切口13a亦可設在環框被貼著時環框的內周及外周所位置的部分,但本實施形態是在接著劑層13對應於半導體晶圓的外周之位置設置切口13a。
因此,藉由使形成於比接著劑層13的切口13a還要外側的部分的接著劑層部分之下的黏著劑層部分硬化,可使硬化的黏著劑層部分的黏著力降低,而於黏著劑層12固定環框之前,以切口13a作為基點來使接著劑層13從黏著劑層12硬化的部分剝離。另外,亦可取代在對應於半導體晶圓的外周的位置所設置的上述切口13a,在對應於環框的內周及外周的位置設置切口,使對應於環框的位置的黏著劑層部分硬化,令接著劑層13對應於環框的部分從黏著劑層12剝離。
其結果,可形成一種在半導體晶圓貼合的部分有接著劑層13,在切割用的環框貼合的部分無接著劑層13,只存在黏著薄膜14之晶圓加工用薄膜。
本實施形態的黏著薄膜14是在基材薄膜11設置黏著劑層12者。而且,黏著薄膜14是在切割晶圓時具有充分的黏著力,使晶圓不會剝離,且在切割後拾取晶片時具有低的黏著力,使可容易從接著劑層13剝離。因此,在黏著薄膜14的黏著劑層12含有放射線聚合性化合物及光引發劑。
黏著薄膜14的基材薄膜11並無特別加以限制,可使用以往周知者,但因為本實施形態的黏著薄膜14的黏著劑層12是含放射線硬化性的放射線聚合性化合物,所以使用具有放射線透過性者為理想。
例如,該材料可舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子交聯聚合物等的α-烯烴的單獨聚合物或共聚物或該等的混合物、聚氨基甲酸酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚醯胺-多元醇共聚物等的熱可塑性彈性體、及該等的混合物。又,基材薄膜11亦可為從該等的群所選的2種以上的材料混合者,該等可為單層或複層化者。基材薄膜11的厚度並無特別加以限定,可酌量設定,但以50~200μm為理想。
使用於黏著薄膜14的黏著劑層12之樹脂並非無特別加以限定,可使用被使用在黏著劑之周知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、環氧樹脂等。
在黏著劑層12的樹脂中適當混合丙烯系黏著劑、放射線聚合性化合物、光聚合引發劑、硬化劑等來調製黏著劑為理想,在本實施形態的黏著劑層12的樹脂是含放射線聚合性化合物。因此,將放射線聚合性化合物混合於黏著劑層12,可容易藉由放射線硬化來從接著劑層13剝離。黏著劑層12的厚度並無特別加以限定,可酌量設定,但以5~30μm為理想。
放射線聚合性化合物,例如可適用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯,二季戊四醇六丙烯酸酯,1,4-丁烯乙二醇二丙烯酸酯,1,6己二醇二丙烯酸酯,聚乙烯乙二醇二丙烯酸酯或寡酯丙烯酸酯等。
又,除了上述那樣的丙烯酸酯系化合物以外,也可使用胺(基)甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物。胺(基)甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物是可在使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物與多價異氰酸鹽化合物(例如、2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯(基)甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而取得的末端異氰酸酯胺基甲酸乙酯預聚物中,使具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如、2-羥基乙基丙烯酸酯、2-羥基乙基甲基丙烯酸酯、2-羥基丙基丙烯酸酯、2-羥基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙烯基乙二醇丙烯酸酯、聚乙烯基乙二醇甲基丙烯酸酯等)反應來取得。另外,亦可在黏著劑層12中混合由上述樹脂所選擇的2種以上者。
並且,在本實施形態的黏著劑層12的樹脂中含光引發劑。光引發劑,例如可舉4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環已基苯酮等的α-酮醇系化合物;甲氰基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉代丙烷-1等的苯乙酮系化合物;苯偶姻***、苯偶姻異丙基醚、茴香偶姻甲醚等的苯偶姻醚系化合物;苄基二甲基縮酮等的縮酮系化合物;2-萘基磺醯氯化物等的芳香族磺醯氯化物系化合物;1-苯酮基-1,1一丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等的光活性肟系化合物;二苯基酮、苯醯基安息香酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯基酮等的二苯基酮系化合物;噻吨酮、2-氯基噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、異丙基噻吨酮、2,4-二氯基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二異丙基噻吨酮等的噻吨酮系化合物;樟腦醌;鹵化酮;醯基氯化碄;醯基磷酸鹽等。該等光聚合引發劑的混合量,較理想是相對於丙烯酸系共聚物100質量份,為0.01~5質量份。
由於黏著劑層12含放射線聚合性化合物及光聚合引發劑,因此藉由選擇照射光的範圍,可形成以所望的位置、大小及形狀來硬化之黏著劑層12的部分及未硬化之黏著劑層12的部分。因此,可階段性地分開形成黏著劑層12之硬化的部分,所以在將環框貼於黏著劑層12時,可在比黏著劑層12的環框還要外側的部分照射光,而使該部分的黏著力降低,剝離接著劑層13。其結果,不必將接著劑層13及覆蓋該接著劑層13的黏著薄膜14預先切割成所定的形狀,所以在將晶圓加工用薄膜10當作製品來捲成滾筒狀時,在接著劑層13與黏著薄膜14的層疊部分所產生的階差也不存在,因此可防止在接著劑層13發生轉印痕。
如圖2所示,第1實施形態的變形例的晶圓加工用薄膜50是在第1實施形態的晶圓加工用薄膜10(圖1)的接著劑層13側全面設有可剝離的保護薄膜17。具體而言,對於具有黏著薄膜14及接著劑層13’的切割‧黏晶薄膜15’更在接著劑層13’上設置保護薄膜17,該黏著薄膜14是由基材薄膜11及設於基材薄膜11上的黏著劑層12所構成,該接著劑層13’是設於黏著劑層12上。保護薄膜17是具有放射線遮蔽性。而且,在保護薄膜17形成有對應於環框的切口17a。切口17a可分別形成於當環框被貼著時環框的內周及外周所位置的部分,但亦可只形成於內周所位置的部分。並且,接著劑層13’也在對應於保護薄膜17的切口17a之位置形成有切口13b。
具有放射線遮蔽性,且形成有對應於環框的切口17a之保護薄膜17是可剝離地貼合於接著劑層13’的表面,因此若將對應於環框的保護薄膜17部分剝離後,使晶圓加工用薄膜50曝光,則可只使對應於環框的黏著劑層12部分感光、硬化,使硬化的部分的黏著力減弱。因此,可以切口13b作為基點來剝離位於黏著力被減弱的部分上的接著劑層部分。所以,不必將黏著薄膜14及接著劑層13’預先切割成所定的形狀。其結果,在將晶圓加工用薄膜50當作製品來捲成滾筒狀時,可防止在接著劑層13’發生轉印痕。並且,在剝離全面保護薄膜17後,不必貼著另外準備的光罩,可削減工數及成本。
另外,晶圓加工用薄膜50的構成要素之接著劑層13’是由與使用於上述晶圓加工用薄膜10的接著劑層13同樣的材料所構成,使用於晶圓加工用薄膜50的黏著薄膜14也是由與使用於上述晶圓加工用薄膜10的黏著薄膜14同樣的材料所構成。
使用於晶圓加工用薄膜50的保護薄膜17是只要具有放射線遮蔽性者,便可使用聚對苯二甲二乙酯(PET)系、聚乙烯系、其他被施以脫模處理的薄膜等周知者。保護薄膜17的厚度並無特別加以限定,可酌量設定,但以25~50μm為理想。
在具有放射線遮蔽性的薄膜之中,具有紫外線遮蔽性的薄膜,例如可舉使用丙烯系樹脂、氟系樹脂、聚氯乙烯系樹脂等的熱可塑性樹脂作為主成分,在該等的熱可塑性樹脂中添加入紫外線吸收劑而形成熱可塑性樹脂組成物的薄膜。作為上述主成分使用的熱可塑性樹脂亦可單獨使用,或併用2種類以上,但為了長期間確保良好的耐候性,較理想是使用丙烯系樹脂或氟系樹脂。上述丙烯系樹脂及氟系樹脂是可分別單獨使用,或兩者併用。
又,上述紫外線吸收劑並無特別加以限定,例如可舉二苯基酮系紫外線吸收劑、苯并***系紫外線吸收劑、氰基丙烯酸酯系紫外線吸收劑等,加以適用。該等的紫外線吸收劑可單獨使用,或2種類以上併用。
本發明的第2實施形態的晶圓加工用薄膜是與本發明的第1實施形態的晶圓加工用薄膜10(參照圖1)同樣,具有黏著薄膜(相當於圖1的符號14)及接著劑層(相當於圖1的符號13),該黏著薄膜是由基材薄膜(相當於圖1的符號11)及設於基材薄膜上的黏著劑層(相當於圖1的符號12)所構成,該接著劑層是被設於黏著劑層上,黏著薄膜及接著劑層是未被預先切割成對應於環框或半導體晶圓的形狀,在接著劑層對應於環框的內周之位置設有切口。本發明的第2實施形態的晶圓加工用薄膜與本發明的第1實施形態的晶圓加工用薄膜10的相異點,是第1實施形態的晶圓加工用薄膜10的黏著薄膜14的黏著劑層12為含放射線聚合性化合物及光引發劑者,相對的,第2實施形態的晶圓加工用薄膜的黏著薄膜的黏著劑層是取代放射線聚合性化合物及光引發劑,而含熱聚合性化合物者。由於第2實施形態的晶圓加工用薄膜的黏著劑層是含熱聚合性化合物,因此藉由選擇照射熱的範圍,可形成以所望的位置、大小及形狀來硬化之黏著劑層的部分及未硬化之黏著劑層的部分。
因此,與本發明的第1實施形態的晶圓加工用薄膜10時同樣,本發明的第2實施形態的晶圓加工用薄膜時也可階段性地分開形成黏著劑層之硬化的部分,所以在將環框貼於黏著劑層時,可在比黏著劑層的環框還要外側的部分照射熱,而使該部分的黏著力降低,剝離接著劑層。其結果,不必將接著劑層及覆蓋該接著劑層的黏著薄膜預先切割成所定的形狀,所以在將晶圓加工用薄膜當作製品來捲成滾筒狀時,在接著劑層與黏著薄膜的層疊部分所產生的階差也不存在,因此可防止在接著劑層發生轉印痕。
熱聚合性化合物是藉由熱來聚合者,例如可舉縮水甘油基、丙烯醯基、異丁烯醘基、羥基、羧基、三聚異氰酸基、氨基、醯氨基等具有官能基的化合物,該等是單獨或組合2種類以上皆可使用。另外使用:在考量晶圓加工用薄膜的耐熱性之後,藉由熱來予以硬化,而使黏著劑層之硬化的部分的黏著力降低,在接著劑層與黏著劑層之間可剝離者。
另外,在本發明的第2實施形態中,亦可適用與第1實施形態的變形例同樣的第2實施形態的變形例。
利用圖3及圖4來說明使用第1實施形態的晶圓加工用薄膜10來製造半導體裝置的方法。圖3及圖4是說明使用第1實施形態的晶圓加工用薄膜10來製造半導體裝置的方法的圖,圖3(A)是表示脫模薄膜16貼附於接著劑層13上的狀態之晶圓加工用薄膜的剖面圖。又,圖3(B)是表示晶圓W貼附於晶圓加工用薄膜的狀態之晶圓及晶圓加工用薄膜的剖面圖,圖3(C)是表示使黏著劑層12的一部分硬化,使硬化之黏著劑層部分12a上的接著劑層剝離的狀態之晶圓及晶圓加工用薄膜的剖面圖,圓3(D)是表示晶圓被切割的狀態之晶圓及晶圓加工用薄膜的剖面圖,圖3(E)是表示使對應於晶圓的位置的黏著劑層部分12b硬化的狀態之晶圓及晶圓加工用薄膜的剖面圖。又,圖4(A)是表示將貼合有被切割的晶圓之晶圓加工用薄膜搭載於擴展裝置的狀態之晶圓及晶圓加工用薄膜的剖面圖,圖4(B)是表示擴展(Expand)後之晶圓及晶圓加工用薄膜的剖面圖。
如圖3(A)所示,首先,準備一晶圓加工用薄膜,其係對於具有黏著薄膜14及接著劑層13的切割‧黏晶薄膜15,從接著劑層13側來貼附有脫模薄膜16,該黏著薄膜14是由基材薄膜11及設於基材薄膜11上的黏著劑層12所構成,該接著劑層13是設有形成對應於半導體晶圓的外周的形狀之切口13a。由於晶圓加工用薄膜是接著劑層13等未被預先切割,所以在作為貼合有脫模薄膜16的製品來捲成滾筒狀時,在接著劑層13與黏著薄膜14的層疊部分所產生的階差也不存在,因此可防止在接著劑層13發生轉印痕。
其次,如圖3(B)所示,從晶圓加工用薄膜剝下脫模薄膜16,由切割‧黏晶薄膜15的接著劑層13側來對接著劑層13貼合半導體晶圓W的背面。另外,在以後的工程中,不是將環框20及半導體晶圓W貼合於長狀的切割‧黏晶薄膜15的狀態下使搬送於各工程,而是使環框20及半導體晶圓W各1組個別地搬送時,只要在貼合環框20之前或後,沿著環框20的外周來切斷切割‧黏晶薄膜15即可。
其次,將含於黏著劑層12的光引發劑會反應之波長的紫外線照射至黏著劑層12之中對應於半導體晶圓W以外的黏著劑層部分12a而使硬化。此時,若由切割‧黏晶薄膜15的上方,亦即貼合半導體晶圓W的側來照射紫外線,則半導體晶圓W會成為遮罩,對對應於半導體晶圓W以外的黏著劑層部分12a照射紫外線。使對應於半導體晶圓W以外的黏著劑層部分12a的黏著力降低的結果,如圖3(C)所示,以設於接著劑層13的切口13a作為基點,可只剝離硬化之黏著劑層部分12a上的接著劑層13。
在晶圓加工用薄膜的外周部、亦即黏著力降低的黏著劑層部分12a,利用剩下的黏著力施加壓力來貼合環框20,使用未圖示的切割刀來機械性地切斷半導體晶圓W,分割成複數的半導體晶片C的同時,接著劑層13也分割(圖3(D))。
然後,如圖3(E)所示,從切割‧黏晶薄膜15的下方將紫外線照射至對應於被分割成複數的半導體晶片C的晶圓的位置之黏著劑層部分12b而使硬化。使該部分12b的黏著力降低的結果,可使該部分12b上的接著劑層13剝離。
以紫外線照射來使對應於被分割成半導體晶片C的晶圓的位置之黏著劑層部分12b硬化後,如圖4(A)所示,將保持被分割的複數個半導體晶片C之晶圓加工用薄膜載置於擴展裝置的平台21上。圖中,符號22是擴展裝置的中空圓柱形狀的頂起構件。
然後,如圖4(B)所示,實施擴展工程,其係將黏著薄膜14拉長於環框20的周方向,該黏著薄膜14是由保持被切割的半導體晶片C及接著劑層13的基材薄膜11及黏著劑層12(12a及12b)所構成。具體而言,對於保持被切割的複數個半導體晶片C及接著劑層13的狀態之黏著薄膜14,使中空圓柱形狀的頂起構件22從黏著薄膜14的下面側上昇,將上述黏著薄膜14拉長於環框20的周方向。藉由擴展工程來擴大半導體晶片C彼此間的間隔,提高CCD攝影機等之半導體晶片C的辨識性的同時,可防止拾取時鄰接的半導體晶片C彼此間接觸而造成半導體晶片C彼此間的再接著。
實施擴展工程後,在維持擴展黏著薄膜14的狀態下,實施拾取半導體晶片C的拾取工程。具體而言,從黏著薄膜14的下側藉由銷(未圖示)來頂起半導體晶片C的同時,從黏著薄膜14的上面側以吸附冶具(未圖示)來吸附半導體晶片C,藉此連同附著於該半導體晶片C的狀態的接著劑層13來拾取被單片化的半導體晶片C。
然後,實施拾取工程後,實施黏晶工程。具體而言,藉由在拾取工程與半導體晶片C一起被拾取的接著劑層13來將半導體晶片C接著於引線架或封裝基板等,製造半導體裝置。
另外,使用第1實施形態的變形例的晶圓加工用薄膜50來製造半導體裝置時,因為該晶圓加工用薄膜50(圖2)具有放射線遮蔽性的同時,形成有對應於環框R的切口17a之保護薄膜17可剝離地被貼合於接著劑層13’的表面,因此藉由剝離對應於保護薄膜17的環框R之部分,可使用在接著劑層13’上未被剝離存在的保護薄膜17作為遮罩。因此,以保護薄膜17作為遮罩,在黏著劑層12對應於環框R的部分照射紫外線來使黏著力降低,剝離除去位於其上的接著劑層13’後,可以和以往進行預先切割加工的切割‧黏晶薄膜15’同樣的工程來製造半導體裝置。
另外,在使用第1實施形態的晶圓加工用薄膜10來製造半導體裝置的方法中,因為使用含反應於黏著劑層12的光引發劑之晶圓加工用薄膜,所以將紫外線分成2階段照射,而使硬化的黏著劑層102的位置、大小、形狀變化。但,在使用第2實施形態的晶圓加工用薄膜時,因為在黏著劑層12中含熱聚合性化合物,所以使黏著劑層部分12a的硬化及黏著劑層部分12b的硬化,在選擇熱的照射範圍下,分成2階段進行熱硬化,而使硬化的黏著劑層12的位置、大小、形狀變化。
以上,若根據本實施形態的晶圓加工用薄膜,則在將晶圓加工用薄膜捲成滾筒狀時,可充分抑制在接著劑層發生轉印痕,防止因空氣被捲入接著劑層與半導體晶圓之間而造成接著劑層與半導體晶圓之間的密合性降低的同時,可在將半導體晶片接著於引線架或封裝基板、或其他的半導體晶片時,防止接著不良、或晶圓的加工時的狀態不佳。又,若根據使用本發明的晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法,則可不用大規模變更原有的設備來變更設計所望的半導體裝置。
10,30,50...晶圓加工用薄膜
11...基材薄膜
12...黏著劑層
13,13’...接著劑層
13a,13b...接著劑層的切口
14...黏著薄膜
15,15’...切割‧黏晶薄膜
16...脫模薄膜
17...保護薄膜
17a...保護薄膜的切口
20...環框
圖1是本實施形態的晶圓加工用薄膜的剖面圖。
圖2是本實施形態的變形例的晶圓加工用薄膜的剖面圖。
圖3是說明使用本實施形態的晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法。
圖4是說明使用本實施形態的晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法。
圖5是以往的晶圓加工用薄膜的概要圖。
圖6(A)是以往的晶圓加工用薄膜的平面圖,(B)是剖面圖。
圖7是貼合切割‧黏晶薄膜與切割用環框的狀態剖面圖。
圖8是用以說明以往的晶圓加工用薄膜的狀態不佳的模式圖。
10...晶圓加工用薄膜
11...基材薄膜
12...黏著劑層
13...接著劑層
13a...接著劑層的切口
14...黏著薄膜
15...切割‧黏晶薄膜
Claims (4)
- 一種晶圓加工用薄膜,其特徵係具有:黏著薄膜,其係由長的基材薄膜、及長薄膜狀地設於前述基材薄膜上的黏著劑層所構成;及接著劑層,其係長薄膜狀地設於前述黏著劑層上,前述黏著劑層係包含放射線聚合性化合物及光引發劑,前述黏著薄膜係未被預先切割成對應於環框的形狀,前述接著劑層係未被預先切割成對應於半導體晶圓的形狀。
- 如申請專利範圍第1項之晶圓加工用薄膜,其中,前述接著劑層係在對應於比半導體晶圓的外周還要外側,比前述環框的外周還要內側的位置設有切口。
- 如申請專利範圍第1項之晶圓加工用薄膜,其中,在前述接著劑層的表面,可剝離地貼合有保護薄膜,前述保護薄膜係具有放射線遮蔽性的同時,在對應於比半導體晶圓的外周還要外側,比前述環框的外周還要內側的位置形成有切口。
- 一種方法,係使用如申請專利範圍第1~3項中任一項所記載之晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置之方法,其特徵係包含:使前述黏著劑層對應於晶圓的部分以外,至少對應於環框的部分硬化,從所硬化的黏著劑層的部分剝離前述接著劑層之工程; 在前述接著劑層貼合前述晶圓之工程;在前述黏著劑層固定前述環框之工程;切割前述晶圓,形成被單片化的晶片及接著劑層之工程;使前述黏著劑層對應於晶圓的部分硬化,拾取前述被單片化的晶片及接著劑層之工程。
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JP2005203749A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-07-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウェハ加工用テープおよびその製造方法 |
WO2005057644A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | ウェハ加工用テープおよびその製造方法 |
JP4781635B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2011-09-28 | 日東電工株式会社 | レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート |
MY138566A (en) * | 2004-03-15 | 2009-06-30 | Hitachi Chemical Co Ltd | Dicing/die bonding sheet |
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JP4776188B2 (ja) * | 2004-08-03 | 2011-09-21 | 古河電気工業株式会社 | 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ |
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