KR101333341B1 - 웨이퍼 가공용 필름 및 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

접착제층 및 점착 필름으로 이루어지는 다이싱ㆍ다이 본딩 필름을 갖는 웨이퍼 가공용 필름을 롤 형상으로 권취한 경우에, 접착제층에서의 전사 흔적의 발생을 충분히 억제할 수 있는 웨이퍼 가공용 필름을 제공한다. 본 발명의 웨이퍼 가공용 필름(10)은 긴 기재 필름(11) 및 기재 필름(11) 상에 긴 필름 형상으로 형성된 점착제층(12)으로 이루어지는 점착 필름(14)과, 점착제층(12) 상에 긴 필름 형상으로 형성된 접착제층(13)을 갖고, 점착제층(12)은 방사선 중합성 화합물과 광개시제를 포함한다. 점착 필름(12)은 링 프레임(20)에 대응하는 형상으로 프리컷되어 있지 않고, 접착제층(13)은 반도체 웨이퍼(W)에 대응하는 형상으로 프리컷되어 있지 않다.

Description

웨이퍼 가공용 필름 및 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법 {WAFER PROCESSING FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING WAFER PROCESSING FILM}
본 발명은 웨이퍼 가공용 필름에 관한 것이며, 특히 다이싱 테이프와 다이 본딩 필름의 2가지 기능을 갖는 다이싱ㆍ다이 본딩 필름을 포함하는 웨이퍼 가공용 필름에 관한 것이다. 또한, 상기 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 칩으로 절단 분리(다이싱)할 때에 반도체 웨이퍼를 고정하기 위한 다이싱 테이프의 기능과, 절단된 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하기 위한 또는 적층된 패키지에 있어서는 반도체 칩끼리를 적층, 접착하기 위한 다이 본딩 필름(다이 부착 필름이라고도 함)의 기능의 2가지 기능을 겸비하는 다이싱ㆍ다이 본딩 필름이 개발되어 있다.
이러한 다이싱ㆍ다이 본딩 필름으로서는 반도체 웨이퍼에의 부착이나, 다이싱 시의 링 프레임에의 설치 등의 작업성을 고려하여 프리컷(pre-cut) 가공이 실시되고 있다.
프리컷 가공된 다이싱ㆍ다이 본딩 필름의 예를 도 5 및 도 6에 도시한다. 도 5, 도 6의 (A), 도 6의 (B)는 각각 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(35)을 구비한 웨이퍼 가공용 필름(30)의 개요도, 평면도, 단면도이다. 웨이퍼 가공용 필름(30)은 이형 필름(31), 접착제층(32) 및 점착 필름(33)으로 이루어진다. 접착제층(32)은 반도체 웨이퍼의 형상에 대응한 형상(예를 들어, 원형)으로 가공이 실시된 원형 라벨 형상을 갖는다. 점착 필름(33)은 다이싱용의 링 프레임의 형상에 대응하는 원형 부분의 주변 영역이 제거된 것이며, 도시하는 바와 같이 원형 라벨부(33a)와, 원형 라벨부(33a)의 외측을 둘러싸는 주변부(33b)를 갖는다. 접착제층(32)과 점착 필름(33)의 원형 라벨부(33a)는 그들의 중심을 정렬하여 적층되고, 또한 점착 필름(33)의 원형 라벨부(33a)는 접착제층(32)를 덮으면서, 그의 주위에서 이형 필름(31)에 접촉되어 있다. 그리고, 접착제층(32)과 점착 필름(33)의 원형 라벨부(33a)로 이루어지는 적층 구조에 의해 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(35)이 구성된다.
반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에는, 적층 상태의 접착제층(32) 및 점착 필름(33)으로부터 이형 필름(31)을 박리하고, 도 7에 도시한 바와 같이 접착제층(32) 상에 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 부착하고, 점착 필름(33)의 원형 라벨부(33a)의 외주부에 다이싱용 링 프레임(R)을 점착 고정한다. 이 상태에서 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱하여 개편화한 반도체 칩을 형성하고, 그 후 점착 필름(33(33a))에 자외선 조사 등의 경화 처리를 실시하여 반도체 칩을 픽업한다. 이때, 점착 필름(33(33a))은 경화 처리에 의해 점착력이 저하되어 있으므로, 접착제층(32)으로부터 용이하게 박리되고, 반도체 칩은 이면에 접착제층(32)을 부착한 상태에서 픽업된다. 반도체 칩의 이면에 부착된 접착제층(32)은 그 후 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때에 다이 본딩 필름으로서 기능한다.
그런데, 상기와 같은 웨이퍼 가공용 필름(30)은, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이 접착제층(32)과 점착 필름(33)의 원형 라벨부(33a)가 적층된 부분이 다른 부분보다 두껍다. 또한, 원형 라벨부(33a)와 주변부(33b) 사이의 노출된 이형 필름(31) 부분은 점착 필름(33)이 제거된 부분이며, 점착 필름(33(33a, 33b)) 부분과의 사이에 점착 필름(33)의 두께 분의 단차가 생겨 있다. 이로 인해, 원통 형상의 권취 코어를 사용하여 긴 웨이퍼 가공용 필름(30)을 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층(32)과 점착 필름(33)의 원형 라벨부(33a)의 적층 부분에 있어서, 점착 필름(33)과 이형 필름(31)에 의해 생긴 상술한 단차가 서로 겹쳐 유연한 접착제층(32) 표면에 단차가 전사되는 현상, 즉 도 8에 도시한 바와 같은 전사 흔적(라벨 흔적, 주름 또는 권취 흔적이라고도 함)이 발생한다. 이러한 전사 흔적의 발생은, 특히 접착제층(32)이 연한 수지로 형성되는 경우나 두께가 있는 경우, 및 웨이퍼 가공용 필름(30)의 권취수가 많은 경우 등에 현저하다. 그리고, 전사 흔적이 발생하면, 접착제층(32) 상에 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 부착할 때에 접착제층(32)과 반도체 웨이퍼(W) 사이에 공기가 혼입된 채로 부착해 버리기 때문에, 접착제층(32)과 반도체 웨이퍼(W) 사이가 밀착되지 않아, 그 결과 접착 불량을 일으켜 반도체 웨이퍼의 가공 시에 문제가 발생할 우려가 있다.
상기 전사 흔적의 발생을 억제하기 위해서는 웨이퍼 가공용 필름의 권취압을 약하게 하는 것을 생각할 수 있지만, 이 방법에서는 제품의 권취 어긋남이 발생하여, 예를 들어 테이프 마운터에의 세트가 곤란해지는 등 웨이퍼 가공용 필름의 실 사용 시에 지장을 초래할 우려가 있다.
또한, 하기 특허문헌 1에는 상기와 같은 라벨 흔적의 발생을 억제하기 위하여, 박리 기재 상의 접착제층 및 점착 필름의 외측에, 접착제층 및 점착 필름의 합계의 막 두께와 동등하거나 또는 그 이상의 막 두께를 갖는 지지층을 형성한 접착 시트가 개시되어 있다. 특허문헌 1의 접착 시트는 지지층을 구비함으로써, 접착 시트에 걸려 있던 권취의 압력을 분산시키거나 혹은 지지층에 모아 전사 흔적의 발생을 억제하고 있다.
일본 특허 공개 제2007-2173호 공보
그러나, 상기 특허문헌 1의 접착 시트에서는 박리 기재 상의 반도체 장치를 제조하는 경우 등에 필요하게 되는 접착제층 및 점착 필름 이외의 부분에 지지층이 형성되기 때문에, 지지층의 폭에 제한이 있고, 접착제층 및 점착 필름의 외경에 대하여 지지층의 폭이 좁아 라벨 흔적의 억제 효과가 충분하지 않다고 하는 문제가 발생하였다. 또한, 지지층은 일반적으로 점착성을 갖지 않아 박리 기재(PET 필름)와 충분히 부착되어 있지 않기 때문에, 지지층의 가장 좁은 부분에서 박리 기재로부터 들떠, 반도체 웨이퍼에 다이싱ㆍ다이 본딩 필름을 접합할 때에, 상술한 들뜬 부분이 장치에 걸려 반도체 웨이퍼가 손상되어 버린다고 하는 문제가 발생하였다.
또한, 지지층의 폭을 넓게 하는 것도 생각할 수 있지만, 웨이퍼 가공용 필름 전체의 폭도 넓어지기 때문에 기존 설비의 사용이 곤란하게 된다. 또한, 지지층은 최종적으로 폐기되는 부분이기 때문에, 지지층의 폭을 넓히는 것은 재료 비용의 상승으로 이어진다.
따라서, 본 발명의 목적은 접착제층 및 점착 필름을 갖는 웨이퍼 가공용 필름을 롤 형상으로 권취한 경우에, 접착제층에의 전사 흔적의 발생을 충분히 억제할 수 있는 웨이퍼 가공용 필름을 제공하는 데에 있다. 또한, 이러한 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 제공하는 데에 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름은, 긴 기재 필름 및 상기 기재 필름 상에 긴 필름 형상으로 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 상기 점착제층 상에 긴 필름 형상으로 형성된 접착제층을 갖고, 상기 점착제층은 방사선 중합성 화합물과 광개시제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 발명의 웨이퍼 가공용 필름에 따르면, 점착제층은 방사선 중합성 화합물과 광개시제를 포함하기 때문에, 광개시제가 반응하는 파장의 광을 점착제층의 원하는 위치에 조사함으로써, 원하는 위치, 크기 및 형상으로 경화된 점착제층의 부분과 경화되어 있지 않은 점착제층의 부분을 형성할 수 있다. 따라서, 링 프레임에 대응하는 위치의 점착제층을 노광함으로써, 점착제층의 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시키고 점착성을 저하시켜, 그 부분에 대응하는 위치의 접착제층을 박리할 수 있다.
종래, 접착제층이 피착체와 박리되기 어려웠기 때문에, 원하는 형상(예를 들어, 원형 평면 형상)으로 프리컷된 접착제층을 사용함으로써, 사용 후의 웨이퍼 가공용 필름을 박리할 때에 링 프레임에의 접착제의 잔존을 방지하였지만, 상술한 바와 같이 링 프레임에 대응하는 위치의 점착성을 잃게 하여 접착제층을 박리하면 되므로, 접착제층 및 점착 필름을 소정의 형상으로 프리컷할 필요가 없어진다. 그 결과, 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층에 전사 흔적이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름은, 긴 기재 필름 및 상기 기재 필름 상에 긴 필름 형상으로 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 상기 점착제층 상에 긴 필름 형상으로 형성된 접착제층을 갖고, 상기 점착제층은 열중합성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 발명에 따르면, 점착제층의 원하는 위치에 열을 조사함으로써, 원하는 위치, 크기 및 형상으로 경화된 점착제층의 부분과 경화되어 있지 않은 점착제층의 부분을 형성할 수 있다. 따라서, 링 프레임에 대응하는 위치의 점착제층에 열을 조사함으로써, 점착제층의 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시키고 점착성을 저하시켜, 그 부분에 대응하는 위치의 접착제층을 박리할 수 있다. 이로 인해, 접착제층 및 점착 필름을 소정의 형상으로 프리컷할 필요가 없어진다. 그 결과, 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층에 전사 흔적이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름은, 상술한 본 발명의 제1 또는 제2 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름에 있어서, 상기 점착 필름은 링 프레임에 대응하는 형상으로 프리컷되어 있지 않고, 상기 접착제층은 반도체 웨이퍼에 대응하는 형상으로 프리컷되어 있지 않은 것을 특징으로 한다.
상술한 발명에 따르면, 접착 필름 및 점착제층은 프리컷되어 있지 않기 때문에, 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층과 점착 필름의 적층 부분에 발생하고 있던 단차도 존재하지 않으므로 접착제층에 전사 흔적이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 제4 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름은, 상술한 본 발명의 제1 내지 제3 중 어느 하나의 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름에 있어서, 상기 접착제층은 반도체 웨이퍼의 외주보다 외측이며 상기 링 프레임의 외주보다 내측에 대응하는 위치에 절입이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상술한 발명의 웨이퍼 가공용 필름에 따르면, 링 프레임에 대응하는 위치의 점착제층 부분을 경화시킴으로써, 점착력을 저하시켜, 당해 부분으로부터 절입을 기점으로 하여 접착제층을 박리시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 제5 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름은, 상술한 본 발명의 제1, 제3 또는 제4 중 어느 하나의 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름에 있어서, 접착제층의 표면에는 보호 필름이 박리 가능하게 접합되고, 상기 보호 필름은 방사선 차폐성을 가짐과 함께, 반도체 웨이퍼의 외주보다 외측이며 상기 링 프레임의 외주보다 내측에 대응하는 위치에 절입이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상술한 발명의 웨이퍼 가공용 필름에 따르면, 보호 필름의 절입보다 외측 부분을 박리하고, 남은 부분을 마스크로 하여 링 프레임에 대응하는 위치의 점착제층을 노광함으로써, 점착제층의 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시키고 점착성을 저하시켜, 그 부분에 대응하는 위치의 접착제층을 박리할 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 형태에 관한 반도체 장치를 제조하는 방법은, 상술한 본 발명의 제1 내지 제5 중 어느 하나의 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법이며, 상기 점착제층의 웨이퍼에 대응하는 부분 이외이며, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시키고, 경화시킨 점착제층의 부분으로부터 상기 접착제층을 박리하는 공정과, 상기 접착제층에 상기 웨이퍼를 접합하는 공정과, 상기 점착제층에 상기 링 프레임을 고정하는 공정과, 상기 웨이퍼를 다이싱하여 개편화된 칩 및 접착제층을 형성하는 공정과, 상기 점착제층의 웨이퍼에 대응하는 부분을 경화시켜, 상기 개편화된 칩 및 접착제층을 픽업하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 발명의 반도체 장치를 제조하는 방법에 따르면, 점착제층의 반도체 웨이퍼(또는 웨이퍼라고 칭함)에 대응하는 부분 이외이며, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분과, 점착제층의 웨이퍼에 대응하는 부분을 단계적으로 경화시키고, 점착제층의 점착력을 저하시켜 접착제층과 점착제층 사이에서 박리 가능한 위치를 바꿀 수 있다. 따라서, 원하는 반도체 장치를 기존 설비의 대규모 변경을 수반하지 않고 설계 변경할 수 있다.
또한, 상술한 발명의 반도체 장치를 제조하는 방법에서는, 반도체 장치를 제조하기 전의 웨이퍼 가공용 필름에 관하여, 접착제층과 점착제층은 프리컷할 필요가 없기 때문에, 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층과 점착 필름의 적층 부분에 발생하고 있던 단차도 존재하지 않으므로 접착제층에 전사 흔적이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 제1 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름에 따르면, 점착제층은 방사선 중합성 화합물과 광개시제를 포함하기 때문에, 광개시제가 반응하는 파장의 광을 점착제층의 원하는 위치에 조사함으로써, 원하는 위치, 크기 및 형상으로 경화된 점착제층의 부분과 경화되어 있지 않은 점착제층의 부분을 형성할 수 있다. 따라서, 링 프레임에 대응하는 위치의 점착제층을 노광함으로써, 점착제층의 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시키고 점착성을 저하시켜, 그 부분에 대응하는 위치의 접착제층을 박리할 수 있다. 이로 인해, 접착제층 및 점착 필름을 소정의 형상으로 프리컷할 필요가 없어진다. 그 결과, 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층에 전사 흔적이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이에 공기가 혼입되는 것에 의한 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이의 밀착성의 저하를 방지할 수 있음과 함께, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때, 접착 불량이나 웨이퍼의 가공 시의 문제를 방지할 수 있다.
본 발명의 제2 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름에 따르면, 점착제층의 원하는 위치에 열을 조사함으로써, 원하는 위치, 크기 및 형상으로 경화된 점착제층의 부분과 경화되어 있지 않은 점착제층의 부분을 형성할 수 있다. 따라서, 링 프레임에 대응하는 위치의 점착제층에 열을 조사함으로써, 점착제층의 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시키고 점착성을 저하시켜, 그 부분에 대응하는 위치의 접착제층을 박리할 수 있다. 이로 인해, 접착제층 및 점착 필름을 소정의 형상으로 프리컷할 필요가 없어진다. 그 결과, 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층에 전사 흔적이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이에 공기가 혼입되는 것에 의한 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이의 밀착성의 저하를 방지할 수 있음과 함께, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때, 접착 불량이나 웨이퍼의 가공 시의 문제를 방지할 수 있다.
본 발명의 제3 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름에 따르면, 접착 필름 및 점착제층은 프리컷되어 있지 않기 때문에, 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층과 점착 필름의 적층 부분에 발생하고 있던 단차도 존재하지 않으므로 접착제층에 전사 흔적이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이에 공기가 혼입되는 것에 의한 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이의 밀착성의 저하를 방지할 수 있음과 함께, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때, 접착 불량이나 웨이퍼의 가공 시의 문제를 방지할 수 있다.
본 발명의 제4 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름에 따르면, 링 프레임에 대응하는 위치의 점착제층 부분을 경화시킴으로써, 점착력을 저하시켜, 당해 부분으로부터 절입을 기점으로 하여 접착제층을 박리시킬 수 있다.
본 발명의 제5 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름에 따르면, 보호 필름의 절입보다 외측 부분을 박리하고, 남은 부분을 마스크로 하여 링 프레임에 대응하는 위치의 점착제층을 노광함으로써, 점착제층의 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시키고 점착성을 저하시켜, 그 부분에 대응하는 위치의 접착제층을 박리할 수 있다.
본 발명의 제1 형태에 관한 반도체 장치를 제조하는 방법에 따르면, 점착제층의 반도체 웨이퍼에 대응하는 부분 이외이며, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분과, 점착제층의 웨이퍼에 대응하는 부분을 단계적으로 경화시키고, 점착제층의 점착력을 저하시켜 접착제층과 점착제층 사이에서 박리 가능한 위치를 바꿀 수 있다. 따라서, 원하는 반도체 장치를 기존 설비의 대규모 변경을 수반하지 않고 설계 변경할 수 있다. 또한, 반도체 장치를 제조하기 전의 웨이퍼 가공용 필름에 관하여, 접착제층과 점착제층은 프리컷할 필요가 없기 때문에, 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층과 점착 필름의 적층 부분에 발생하고 있던 단차도 존재하지 않으므로 접착제층에 전사 흔적이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름의 단면도.
도 2는 본 실시 형태의 변형예에 관한 웨이퍼 가공용 필름의 단면도.
도 3은 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하는 도면.
도 4는 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하는 도면.
도 5는 종래의 웨이퍼 가공용 필름의 개요도.
도 6의 (A)는 종래의 웨이퍼 가공용 필름의 평면도이고, (B)는 단면도.
도 7은 다이싱ㆍ다이 본딩 필름과 다이싱용 링 프레임이 접합된 상태를 도시하는 단면도.
도 8은 종래의 웨이퍼 가공용 필름의 문제를 설명하기 위한 모식도.
이하에 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이다. 도 2는 본 실시 형태의 변형예에 관한 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이다. 도 3 및 도 4는 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하는 도면이다.
<제1 실시 형태>
이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름의 각 구성 요소에 대하여 상세하게 설명한다. 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름(10)은, 도 1에 도시한 바와 같이 기재 필름(11) 및 기재 필름(11) 상에 형성된 점착제층(12)으로 이루어지는 점착 필름(14)과, 점착제층(12) 상에 형성된 접착제층(13)을 갖는 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)이다. 접착제층(13)은 반도체 웨이퍼(또는 웨이퍼라고 칭함)에 대응한 형상으로 프리컷되어 있지 않고, 점착 필름(14)은 링 프레임에 대응한 형상으로 프리컷되어 있지 않다. 본 실시 형태에 있어서는 점착 필름(14) 및 접착제층(13)은 긴 기재 필름(11) 상에 긴 필름 형상으로 적층되어 있고, 웨이퍼 가공용 필름(10)은 두께가 다른 부분을 갖고 있지 않다.
다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)은 제품으로서 유통되는 경우, 도시하지 않은 보호 필름인 이형 필름이 접착제층(13)측의 다이싱ㆍ다이 본딩 필름 전체면에 부착되어, 웨이퍼 가공용 필름(10)으로서 시장에 유통된다. 이하, 웨이퍼 가공용 필름(10)의 구성 요소인 이형 필름과, 접착제층(13)과, 기재 필름(11) 및 점착제층(12)으로 이루어지는 점착 필름(14)에 대하여 설명한다.
(이형 필름)
웨이퍼 가공용 필름(10)에 사용되는 이형 필름으로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)계, 폴리에틸렌계, 그 밖에 이형 처리가 이루어진 필름 등 주지의 것을 사용할 수 있다. 이형 필름의 두께는 특별히 한정되는 것이 아니며 적절하게 설정하여도 되지만, 25 내지 50㎛가 바람직하다.
(접착제층)
접착제층(13)은, 반도체 웨이퍼 등이 접합되어 다이싱된 후, 개편화된 반도체 칩(또는 칩이라고 칭함)을 픽업할 때에, 점착 필름(14)으로부터 박리하여 칩에 부착하고, 칩을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용되는 것이다. 따라서, 접착제층(13)은 칩을 픽업할 때에, 개편화된 칩에 부착된 상태에서 점착 필름(14)으로부터 박리할 수 있는 박리성을 갖고, 또한 다이 본딩할 때에 칩을 기판이나 리드 프레임에 접착 고정하기 위하여 충분한 접착 신뢰성을 갖는 것이다.
접착제층(13)은 접착제를 미리 필름화한 것이며, 예를 들어 접착제에 사용되는 공지된 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌술피드 수지, 폴리에테르케톤 수지, 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 폴리아크릴아미드 수지, 멜라민 수지 등이나 그의 혼합물을 사용할 수 있다. 또한, 칩이나 리드 프레임에 대한 접착력을 강화하기 위하여, 실란 커플링제 혹은 티타늄 커플링제를 첨가제로서 상기 재료나 그의 혼합물에 첨가하는 것이 바람직하다.
접착제층(13)의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상 5 내지 100㎛ 정도가 바람직하다. 또한, 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름(10)의 접착제층(13)은 점착 필름(14)의 점착제층(12) 전체면에 적층되어 있고, 반도체 웨이퍼의 형상 등에 대응시킨 프리컷이 행해져 있지 않고, 적어도 반도체 웨이퍼에 대응하는 위치보다 외측이며 링 프레임에 대응하는 위치보다 내측에 절입(13a)이 형성되어 있다. 절입(13a)은 링 프레임이 접착되었을 때에 링 프레임의 내주 및 외주가 위치하는 부분에 형성하여도 되지만, 본 실시 형태에 있어서는 접착제층(13)의 반도체 웨이퍼의 외주에 대응하는 위치에 절입(13a)이 형성되어 있다.
따라서, 접착제층(13)의 절입(13a)보다 외측 부분의 접착제층 부분의 밑에 형성되어 있는 점착제층 부분을 경화시킴으로써, 경화시킨 점착제층 부분의 점착력을 저하시켜, 점착제층(12)에 링 프레임을 고정하기 전에, 절입(13a)을 기점으로 하여 점착제층(12)의 경화시킨 부분으로부터 접착제층(13)을 박리시킬 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼의 외주에 대응하는 위치에 형성된 상술한 절입(13a) 대신에, 링 프레임의 내주 및 외주에 대응하는 위치에 절입을 형성하고, 링 프레임에 대응하는 위치의 점착제층 부분을 경화시켜, 접착제층(13)의 링 프레임에 대응하는 부분을 점착제층(12)으로부터 박리시켜도 된다.
그 결과, 반도체 웨이퍼가 접합되는 부분에는 접착제층(13)이 있고, 다이싱용의 링 프레임이 접합되는 부분에는 접착제층(13)이 없어 점착 필름(14)만이 존재하는 웨이퍼 가공용 필름을 형성할 수 있다.
(점착 필름)
본 실시 형태에 관한 점착 필름(14)은 기재 필름(11)에 점착제층(12)을 형성한 것이다. 그리고, 점착 필름(14)은 웨이퍼를 다이싱할 때에는 웨이퍼가 박리되지 않도록 충분한 점착력을 갖고, 다이싱 후에 칩을 픽업할 때에는 용이하게 접착제층(13)으로부터 박리할 수 있도록 낮은 점착력을 갖는 것이다. 그를 위해, 점착 필름(14)의 점착제층(12)에는 방사선 중합성 화합물과 광개시제가 포함되어 있다.
점착 필름(14)의 기재 필름(11)으로서는 종래 공지된 것이라면 특별히 제한되지 않고 사용할 수 있지만, 본 실시 형태에 관한 점착 필름(14)의 점착제층(12)은 방사선 경화성의 방사선 중합성 화합물을 포함하기 때문에, 방사선 투과성을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 그의 재료로서 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 혹은 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머 및 이들의 혼합물을 열거할 수 있다. 또한, 기재 필름(11)은 이들 군으로부터 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 되고, 이것들이 단층 또는 복층화된 것이어도 된다. 기재 필름(11)의 두께는 특별히 한정되는 것이 아니며 적절하게 설정하여도 되지만, 50 내지 200㎛가 바람직하다.
점착 필름(14)의 점착제층(12)에 사용되는 수지로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 점착제에 사용되는 공지된 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.
점착제층(12)의 수지에는 아크릴계 점착제, 방사선 중합성 화합물, 광중합 개시제, 경화제 등을 적절히 배합하여 점착제를 제조하는 것이 바람직하며, 본 실시 형태에 관한 점착제층(12)의 수지에는 방사선 중합성 화합물을 포함한다. 따라서, 방사선 중합성 화합물을 점착제층(12)에 배합하여 방사선 경화에 의해 접착제층(13)으로부터 박리하기 쉽게 할 수 있다. 점착제층(12)의 두께는 특별히 한정되는 것이 아니며 적절하게 설정하여도 되지만, 5 내지 30㎛가 바람직하다.
방사선 중합성 화합물로서, 예를 들어 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트나 올리고에스테르 아크릴레이트 등이 적용 가능하다.
또한, 상기와 같은 아크릴레이트계 화합물 외에, 우레탄 아크릴레이트계 올리고머를 사용할 수도 있다. 우레탄 아크릴레이트계 올리고머는 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들어, 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌 디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 예비중합체에, 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들어, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어진다. 또한, 점착제층(12)에는 상기의 수지로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것이어도 된다.
또한, 본 실시 형태에 관한 점착제층(12)의 수지에는 광개시제를 포함한다. 광개시제로서, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐 클로라이드 등의 방향족 술포닐 클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 이들 광중합 개시제의 배합량은 아크릴계 공중합체 100질량부에 대하여 0.01 내지 5질량부가 바람직하다.
점착제층(12)은 방사선 중합성 화합물과 광중합 개시제를 포함하기 때문에, 광을 조사하는 범위를 선택함으로써 원하는 위치, 크기 및 형상으로 경화된 점착제층(12)의 부분과 경화되어 있지 않은 점착제층(12)의 부분을 형성할 수 있다. 따라서, 점착제층(12)의 경화된 부분을 단계적으로 나누어 형성할 수 있기 때문에, 링 프레임을 점착제층(12)에 부착할 때에는 점착제층(12)의 링 프레임보다 외측 부분에 광을 조사하여, 당해 부분의 점착력을 저하시켜 접착제층(13)을 박리할 수 있다. 그 결과, 접착제층(13) 및 그 접착제층(13)을 덮는 점착 필름(14)을 소정의 형상으로 프리컷할 필요가 없어지기 때문에, 웨이퍼 가공용 필름(10)을 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층(13)과 점착 필름(14)의 적층 부분에 발생하고 있던 단차도 존재하지 않으므로 접착제층(13)에 전사 흔적이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
<제1 실시 형태의 변형예>
제1 실시 형태의 변형예에 관한 웨이퍼 가공용 필름(50)은, 도 2에 도시한 바와 같이 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름(10)(도 1)의 접착제층(13)측 전체면에 박리 가능한 보호 필름(17)이 설치되어 있는 것이다. 구체적으로는 기재 필름(11) 및 기재 필름(11) 상에 형성된 점착제층(12)으로 이루어지는 점착 필름(14)과, 점착제층(12) 상에 형성된 접착제층(13')을 갖는 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15')에 대하여, 접착제층(13') 상에 보호 필름(17)이 더 설치된 것이다. 보호 필름(17)은 방사선 차폐성을 갖는다. 또한, 보호 필름(17)에는 링 프레임에 대응한 절입(17a)이 형성되어 있다. 절입(17a)은 링 프레임이 접착되었을 때에 링 프레임의 내주 및 외주가 위치하는 부분에 각각 형성하면 좋지만, 내주가 위치하는 부분에만 형성하여도 된다. 또한, 접착제층(13')에도 보호 필름(17)의 절입(17a)에 대응하는 위치에 절입(13b)이 형성되어 있다.
방사선 차폐성을 가짐과 함께 링 프레임에 대응한 절입(17a)이 형성된 보호 필름(17)이 접착제층(13')의 표면에 박리 가능하게 접합되어 있기 때문에, 링 프레임에 대응한 보호 필름(17) 부분을 박리한 후, 웨이퍼 가공용 필름(50)을 노광하면, 링 프레임에 대응하는 점착제층(12) 부분만을 감광시켜 경화시키는 것이 가능하게 되어, 경화시킨 부분의 점착력을 약화시킬 수 있다. 따라서, 점착력이 약화된 부분 상에 위치하는 접착제층 부분을 절입(13b)을 기점으로 하여 박리할 수 있다. 따라서, 점착 필름(14) 및 접착제층(13')을 소정의 형상으로 프리컷할 필요가 없어진다. 그 결과, 웨이퍼 가공용 필름(50)을 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층(13')에 전사 흔적이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 전체면 보호 필름(17)을 박리한 후에, 별도 준비한 포토마스크를 접착할 필요가 없어 공정수 및 비용을 삭감할 수 있다.
또한, 웨이퍼 가공용 필름(50)의 구성 요소인 접착제층(13')은, 상술한 웨이퍼 가공용 필름(10)에 사용되는 접착제층(13)과 동일한 재료로 이루어지고, 웨이퍼 가공용 필름(50)에 사용되는 점착 필름(14)도, 상술한 웨이퍼 가공용 필름(10)에 사용되는 점착 필름(14)과 동일한 재료로 이루어진다.
(보호 필름)
웨이퍼 가공용 필름(50)에 사용되는 보호 필름(17)으로서는 방사선 차폐성을 갖는 것이면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)계, 폴리에틸렌계, 그 밖에 이형 처리가 이루어진 필름 등 주지의 것을 사용할 수 있다. 보호 필름(17)의 두께는 특별히 한정되는 것이 아니며 적절하게 설정하여도 되지만, 25 내지 50㎛가 바람직하다.
방사선 차폐성을 갖는 필름 중, 자외선 차폐성을 갖는 필름으로서는, 예를 들어 주성분으로서 아크릴계 수지, 불소계 수지, 염화비닐계 수지 등의 열가소성 수지를 사용하고, 이들 열가소성 수지 중에 자외선 흡수제를 첨가하여 넣은 열가소성 수지 조성물이 성형된 필름을 들 수 있다. 상기 주성분으로서 사용되는 열가소성 수지는 단독으로 사용되어도 되고, 2종류 이상이 병용되어도 되지만, 우수한 내후성을 장기간에 걸쳐 확보하기 위해서는 아크릴계 수지나 불소계 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 아크릴계 수지 및 불소계 수지는 각각 단독으로 사용되어도 되고, 양자가 병용되어도 된다.
또한, 상기 자외선 흡수제로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 벤조페논계 자외선 흡수제, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 시아노아크릴레이트계 자외선 흡수제 등을 들 수 있으며, 적절하게 사용된다. 이들 자외선 흡수제는 단독으로 사용되어도 되고, 2종류 이상이 병용되어도 된다.
<제2 실시 형태>
본 발명의 제2 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름(10)(도 1 참조)과 마찬가지로 기재 필름(도 1의 부호 11에 상당) 및 기재 필름 상에 형성된 점착제층(도 1의 부호 12에 상당)으로 이루어지는 점착 필름(도 1의 부호 14에 상당)과, 점착제층 상에 형성된 접착제층(도 1의 부호 13에 상당)을 갖는 것이며, 점착 필름 및 접착제층은 링 프레임이나 반도체 웨이퍼에 대응한 형상으로 프리컷되어 있지 않고, 접착제층에 링 프레임의 내주에 대응하는 위치에 절입이 형성되어 있다. 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름과 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름(10)의 차이점은, 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름(10)의 점착 필름(14)의 점착제층(12)이 방사선 중합성 화합물과 광개시제를 포함하는 것인 것에 비해, 제2 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름의 점착 필름의 점착제층은, 방사선 중합성 화합물과 광개시제 대신에 열중합성 화합물을 포함하는 것인 점이다. 제2 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름의 점착제층은 열중합성 화합물을 포함하기 때문에, 열을 조사하는 범위를 선택함으로써, 원하는 위치, 크기 및 형상으로 경화된 점착제층의 부분과 경화되어 있지 않은 점착제층의 부분을 형성할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름(10)의 경우와 마찬가지로, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름의 경우도 점착제층의 경화된 부분을 단계적으로 나누어 형성할 수 있기 때문에, 링 프레임을 점착제층에 부착할 때에는 점착제층의 링 프레임보다 외측 부분에 열을 조사하여 당해 부분의 점착력을 저하시켜 접착제층을 박리할 수 있다. 그 결과, 접착제층 및 그 접착제층을 덮는 점착 필름을 소정의 형상으로 프리컷할 필요가 없어지기 때문에, 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층과 점착 필름의 적층 부분에 발생하고 있던 단차도 존재하지 않으므로 접착제층에 전사 흔적이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
열중합성 화합물로서는 열에 의해 중합되는 것, 예를 들어 글리시딜기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 수산기, 카르복실기, 이소시아누레이트기, 아미노기, 아미드기 등의 관능기를 갖는 화합물을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여도 사용할 수 있다. 또한, 웨이퍼 가공용 필름의 내열성을 고려한 후에, 열에 의해 경화하여 점착제층의 경화된 부분의 점착력을 저하시켜, 접착제층과 점착제층 사이에서 박리 가능한 것을 사용한다.
또한, 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서도, 제1 실시 형태의 변형예와 동일한 제2 실시 형태의 변형예를 적용할 수 있다.
<반도체 장치를 제조하는 방법>
제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름(10)을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 도 3 및 도 4를 사용하여 설명한다. 도 3 및 도 4는 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름(10)을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하는 도면이며, 도 3의 (A)는 이형 필름(16)이 접착제층(13) 상에 부착되어 있는 상태를 도시하는 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이다. 또한, 도 3의 (B)는 웨이퍼(W)가 웨이퍼 가공용 필름에 부착된 상태를 도시하는 웨이퍼 및 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이고, 도 3의 (C)는 점착제층(12)의 일부를 경화시키고, 경화시킨 점착제층 부분(12a) 상의 접착제층을 박리시킨 상태를 도시하는 웨이퍼 및 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이고, 도 3의 (D)는 웨이퍼가 다이싱된 상태를 도시하는 웨이퍼 및 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이고, 도 3의 (E)는 웨이퍼에 대응하는 위치의 점착제층 부분(12b)을 경화시킨 상태를 도시하는 웨이퍼 및 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이다. 또한, 도 4의 (A)는 다이싱된 웨이퍼가 접합된 웨이퍼 가공용 필름을 익스팬드 장치에 탑재한 상태의 웨이퍼 및 웨이퍼 가공용 필름을 도시하는 단면도이고, 도 4의 (B)는 익스팬드 후의 웨이퍼 및 웨이퍼 가공용 필름을 도시하는 단면도이다.
(준비 공정)
도 3의 (A)에 도시한 바와 같이, 우선, 기재 필름(11) 및 기재 필름(11) 상에 형성된 점착제층(12)으로 이루어지는 점착 필름(14)과, 반도체 웨이퍼의 외주에 대응한 형상으로 형성된 절입(13a)이 형성되어 있는 접착제층(13)을 갖는 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)에 대하여, 접착제층(13)측으로부터 이형 필름(16)이 부착되어 있는 웨이퍼 가공용 필름을 준비한다. 웨이퍼 가공용 필름은 접착제층(13) 등이 프리컷되어 있지 않기 때문에, 이형 필름(16)이 접합된 제품으로서 롤 형상으로 감았을 때, 접착제층(13)과 점착 필름(14)의 적층 부분에 발생하고 있던 단차도 존재하지 않으므로 접착제층(13)에 전사 흔적이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
(접합 공정)
이어서, 도 3의 (B)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 필름으로부터 이형 필름(16)을 벗기고, 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)의 접착제층(13)측으로부터 접착제층(13)에 대하여 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 접합한다. 또한, 이후의 공정에 있어서, 링 프레임(20) 및 반도체 웨이퍼(W)를 긴 형상의 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)에 접합한 상태에서 각 공정으로 반송시키는 것이 아니라, 링 프레임(20) 및 반도체 웨이퍼(W)를 1조씩 개별적으로 반송시키는 경우에는, 링 프레임(20)을 접합하기 전 혹은 접합한 후에 링 프레임(20)의 외주를 따라 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)을 절단하면 된다.
(제1 단계 자외선 조사 공정)
이어서, 점착제층(12)에 포함되는 광개시제가 반응하는 파장의 자외선을, 점착제층(12) 중 반도체 웨이퍼(W)에 대응하지 않는 점착제층 부분(12a)에 조사하여 경화시킨다. 이때, 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)의 상방, 즉 반도체 웨이퍼(W)를 접합한 측으로부터 자외선을 조사하면, 반도체 웨이퍼(W)가 마스크로 되어 반도체 웨이퍼(W)에 대응하지 않는 점착제층 부분(12a)에 자외선이 조사된다. 반도체 웨이퍼(W)에 대응하지 않는 점착제층 부분(12a)의 점착력을 저하시킨 결과, 도 3의 (C)에 도시한 바와 같이 접착제층(13)에 형성된 절입(13a)을 기점으로 하여, 경화된 점착제층 부분(12a) 상의 접착제층(13)만을 박리할 수 있다.
(다이싱 공정)
웨이퍼 가공용 필름의 외주부, 즉 점착력이 저하된 점착제층 부분(12a)에 링 프레임(20)을 남은 점착력을 이용하여 압력을 가하여 접합하고, 도시하지 않은 다이싱 블레이드를 사용하여 반도체 웨이퍼(W)를 기계적으로 절단하여 복수의 반도체 칩(C)으로 분할함과 함께, 접착제층(13)도 분할한다(도 3의 (D)).
(제2 단계 자외선 조사 공정)
그리고, 도 3의 (E)에 도시한 바와 같이, 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)의 하방으로부터 자외선을, 복수의 반도체 칩(C)으로 분할된 웨이퍼의 위치에 대응하는 점착제층 부분(12b)에 조사하여 경화시킨다. 당해 부분(12b)의 점착력을 저하시킨 결과, 당해 부분(12b) 상의 접착제층(13)을 박리시키는 것이 가능하게 된다.
(적재 공정)
반도체 칩(C)으로 분할된 웨이퍼의 위치에 대응하는 점착제층 부분(12b)을 자외선 조사에 의해 경화시킨 후, 도 4의 (A)에 도시한 바와 같이, 분할된 복수의 반도체 칩(C)을 유지하는 웨이퍼 가공용 필름을 익스팬드 장치의 스테이지(21) 상에 적재한다. 도면 중 부호 22는 익스팬드 장치의 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재이다.
(익스팬드 공정)
그리고, 도 4의 (B)에 도시한 바와 같이, 다이싱된 반도체 칩(C) 및 접착제층(13)을 유지한 기재 필름(11) 및 점착제층(12(12a 및 12b))으로 이루어지는 점착 필름(14)을 링 프레임(20)의 둘레 방향으로 잡아 늘이는 익스팬드 공정을 실시한다. 구체적으로는, 다이싱된 복수의 반도체 칩(C) 및 접착제층(13)을 유지한 상태의 점착 필름(14)에 대하여, 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(22)를 점착 필름(14)의 하면측으로부터 상승시켜, 상기 점착 필름(14)을 링 프레임(20)의 둘레 방향으로 잡아 늘인다. 익스팬드 공정에 의해 반도체 칩(C)끼리의 간격을 넓혀 CCD 카메라 등에 의한 반도체 칩(C)의 인식성을 높임과 함께, 픽업 시에 인접하는 반도체 칩(C)끼리 접촉함으로써 발생하는 반도체 칩(C)끼리의 재접착을 방지할 수 있다.
(픽업 공정)
익스팬드 공정을 실시한 후, 점착 필름(14)을 익스팬드한 상태 그대로 반도체 칩(C)을 픽업하는 픽업 공정을 실시한다. 구체적으로는 점착 필름(14)의 하측으로부터 반도체 칩(C)을 핀(도시하지 않음)에 의해 밀어올림과 함께, 점착 필름(14)의 상면측으로부터 흡착 지그(도시하지 않음)에 의해 반도체 칩(C)을 흡착함으로써, 개편화된 반도체 칩(C)을 당해 반도체 칩(C)에 부착된 상태의 접착제층(13)과 함께 픽업한다.
(다이 본딩 공정)
그리고, 픽업 공정을 실시한 후, 다이 본딩 공정을 실시한다. 구체적으로는 픽업 공정에서 반도체 칩(C)과 함께 픽업된 접착제층(13)에 의해, 반도체 칩(C)을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하여 반도체 장치를 제조한다.
또한, 제1 실시 형태의 변형예에 관한 웨이퍼 가공용 필름(50)을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 경우, 당해 웨이퍼 가공용 필름(50)(도 2)은 방사선 차폐성을 가짐과 함께 링 프레임(R)에 대응한 절입(17a)이 형성된 보호 필름(17)이 접착제층(13')의 표면에 박리 가능하게 접합되어 있기 때문에, 보호 필름(17)의 링 프레임(R)에 대응한 부분을 박리함으로써, 접착제층(13') 상에 박리되지 않고 존재하는 보호 필름(17)을 마스크로서 사용할 수 있다. 따라서, 보호 필름(17)을 마스크로 하여 점착제층(12)의 링 프레임(R)에 대응한 부분에 자외선을 조사하여 점착력을 저하시키고, 그 위에 위치하는 접착제층(13')을 박리하여 제거한 후에는 종래의 프리컷 가공이 이루어진 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15')과 동일한 공정에 의해 반도체 장치를 제조할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름(10)을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법에서는, 점착제층(12)에 반응하는 광개시제를 포함하는 웨이퍼 가공용 필름을 사용하고 있기 때문에, 자외선을 2단계로 나누어 조사하여, 경화시키는 점착제층(12)의 위치, 크기, 형상을 변화시키고 있다. 그러나, 제2 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름을 사용한 경우, 점착제층(12)에 열중합성 화합물을 포함하기 때문에, 점착제층 부분(12a)의 경화와 점착제층 부분(12b)의 경화를 열의 조사 범위를 선택함으로써 열경화를 2단계로 나누어 행하여, 경화시키는 점착제층(12)의 위치, 크기, 형상을 변화시킨다.
이상으로부터, 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 필름에 따르면, 웨이퍼 가공용 필름을 롤 형상으로 권취한 경우에, 접착제층에서의 전사 흔적의 발생을 충분히 억제할 수 있고, 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이에 공기가 혼입되는 것에 의한 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이의 밀착성의 저하를 방지함과 함께, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때, 접착 불량이나 웨이퍼의 가공 시의 문제를 방지할 수 있었다. 또한, 본 발명의 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법에 따르면, 원하는 반도체 장치를 기존 설비의 대규모 변경을 수반하지 않고 설계 변경할 수 있었다.
10, 30, 50: 웨이퍼 가공용 필름
11: 기재 필름
12: 점착제층
13, 13': 접착제층
13a, 13b: 접착제층의 절입
14: 점착 필름
15, 15': 다이싱ㆍ다이 본딩 필름
16: 이형 필름
17: 보호 필름
17a: 보호 필름의 절입
20: 링 프레임

Claims (6)

  1. 기재 필름 및 상기 기재 필름 상에 필름 형상으로 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과,
    상기 점착제층 상에 필름 형상으로 형성된 접착제층을 가지는 웨이퍼 가공용 필름으로서,
    상기 점착제층은 방사선 중합성 화합물과 광개시제를 포함하는 것을 특징으로 하고,
    상기 접착제층의 표면에는 보호 필름이 박리 가능하게 접합되고,
    상기 보호 필름은 방사선 차폐성을 가짐과 함께, 반도체 웨이퍼의 외주보다 외측이며 링 프레임의 외주보다 내측에 대응하는 위치에 절입이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 필름.
  2. 기재 필름 및 상기 기재 필름 상에 필름 형상으로 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과,
    상기 점착제층 상에 필름 형상으로 형성된 접착제층을 가지는 웨이퍼 가공용 필름으로서,
    상기 점착제층은 열중합성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하고,
    상기 접착제층의 표면에는 보호 필름이 박리 가능하게 접합되고,
    상기 보호 필름은 방사선 차폐성을 가짐과 함께, 반도체 웨이퍼의 외주보다 외측이며 링 프레임의 외주보다 내측에 대응하는 위치에 절입이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 필름.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접착제층은 반도체 웨이퍼의 외주보다 외측이며 상기 링 프레임의 외주보다 내측에 대응하는 위치에 절입이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 필름.
  5. 삭제
  6. 제1항 또는 제2항에 기재된 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법이며,
    상기 점착제층의 웨이퍼에 대응하는 부분 이외이며, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시켜, 경화시킨 점착제층의 부분으로부터 상기 접착제층을 박리하는 공정과,
    상기 접착제층에 상기 웨이퍼를 접합하는 공정과,
    상기 점착제층에 상기 링 프레임을 고정하는 공정과,
    상기 웨이퍼를 다이싱하여 개편화된 칩 및 접착제층을 형성하는 공정과,
    상기 점착제층의 웨이퍼에 대응하는 부분을 경화시켜, 상기 개편화된 칩 및 접착제층을 픽업하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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