TWI507336B - Adhesive sheet - Google Patents

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Hiromitsu Maruyama
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Furukawa Electric Co Ltd
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Description

黏著薄片
本發明，是有關黏著薄片，尤其是，有關於具有切割膠帶及黏晶薄膜的2種功能的黏著薄片。
最近開發了一種黏著薄片，同時具有：將半導體晶圓切斷分離(切割)成各晶片時為了將半導體晶圓固定用的切割膠帶；及將被切斷的半導體晶片黏著在導線架和封裝基板等，或是在堆疊封裝中，將半導體晶片彼此層疊、黏著的黏晶薄膜(也稱為晶片固定片)的2種功能。
這種黏著薄片，因為考慮朝晶圓的貼附、和切割時的朝環形框的安裝等的作業性，所以會施加預切斷加工(例如專利文獻1參照)。
被預切斷加工的黏著薄片的例，是如第11圖及第12圖所示。第11圖，是顯示將黏著薄片捲取成捲筒狀的狀態的圖，第12圖(a)，是從黏著薄片的黏接薄膜53側所見的俯視圖，第12圖(b)，是第12圖(a)的線B-B的剖面圖。黏著薄片50，是由：脫模薄膜51、及 黏著劑層52、及黏接薄膜53所構成。黏著劑層52，是對應晶圓的形狀被加工成圓形者，具有圓形標籤形狀。黏接薄膜53，是將對應切割用的環形框的形狀的圓形部分的周邊領域除去者，如圖示，具有：圓形標籤部53a、及將其外側包圍的周邊部53b。黏著劑層52及黏接薄膜53的圓形標籤部53a，是將其中心對齊地被層疊，且，黏接薄膜53的圓形標籤部53a，是將黏著劑層52覆蓋，且，由其周圍與脫模薄膜51接觸。黏接薄膜53，一般是將黏接劑層層疊在基材薄膜上。
將晶圓切割時，是從層疊狀態的黏著劑層52及黏接薄膜53將脫模薄膜51剝離，如第13圖所示，將半導體晶圓W的背面貼附在黏著劑層52上，將切割用環形框F黏接固定在黏接薄膜53的圓形標籤部53a的外周部。在此狀態下將半導體晶圓W切割，其後，依據需要對於黏接薄膜53施加紫外線照射等的硬化處理將半導體晶片拾取。此時，黏接薄膜53，會從黏著劑層52剝離，使半導體晶片在背面附著黏著劑層52的狀態下被拾取。附著在半導體晶片的背面的黏著劑層52，其後，將半導體晶片黏著於導線架和封裝基板、或是其他的半導體晶片時，是作為黏晶薄膜的功能。
但是一般黏接薄膜53，是將黏著劑層52覆蓋，且，由其周圍與脫模薄膜51接觸，但是依據黏著劑層52的厚度，脫模薄膜51及黏接薄膜53之間極會產生些微的空隙，而具有空氣殘留的情況。此現象是在65μm 以上的厚的黏著劑層52、和黏接薄膜53的彈性率較高的情況時更顯著。這種脫模薄膜51及黏接薄膜53之間的空氣，也有會移動朝圓形標籤部53a的外側退離，因為大大地影響黏接薄膜53的物性，在單獨時不會成為問題。
但是黏著薄片50，在保管時及運送時被放置於低溫狀態(例如-20℃~5℃)，朝半導體晶圓W貼合時被加熱，在將半導體晶圓W加工時的使用時中被置於常溫狀態等，即被置於溫度變化的大的特殊的環境下。藉由這種溫度變化會使脫模薄膜51、及黏著劑層52、及黏接薄膜53的尺寸變化變大，在黏著劑層52及黏接薄膜53之間會發生空氣滲入空隙(氣洞)。氣洞會產生對於半導體晶圓W的貼合不良，其後的半導體晶圓W的切割過程和晶片的拾取過程、黏著過程中的成品率有可能下降。又，在本說明書中，空氣，是指黏接薄膜及脫模薄膜，或是黏著劑層及脫模薄膜之間的空氣，氣洞，是指黏著劑層及黏接薄膜之間的空氣。
氣洞是如上述會使成品率下降，且，在黏著劑層52及黏接薄膜53之間發生之後就不易移除，對於黏著薄片50成為非常地重大的問題。且，空氣，從氣洞發生的原理，因為愈多的話發展成氣洞的可能性愈高，所以能減少較佳。
抑制氣洞的對策，是例如在層疊薄片中形成朝厚度方向貫通黏接薄膜的基材薄膜及黏接劑層的貫通孔(例如專利文獻2的第1圖及第2圖參照)。如此在黏接 薄膜在形成貫通孔的構成的話，黏著劑層及黏接薄膜之間的氣洞就不會發生，可以期待有效地抑制對於半導體晶圓的貼合不良。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-2173號公報
[專利文獻2]日本特開2008-153587號公報
但是在專利文獻2的黏著薄片中，貫通孔的個數因為很少只有4~30個，具有無法將可能發展成氣洞的某空氣或已發生的氣洞完全地排出的情況。
尤其是，在晶片尺寸大的MPU和需要大量生產來減少成本的記憶體(DRAM、快閃記憶體)中是使用大口徑的晶圓，此情況，為了對應晶圓使黏著劑層和黏接薄膜的大小也變大，防止氣洞的面積也必需變大，在少數的貫通孔中對於氣洞的排出有其上限。
且將半導體元件由面朝下黏著方式進行被搭載在電路基板的倒裝晶片貼裝，但是近年來提案，在此倒裝晶片貼裝使用晶圓加工用膠帶。此情況，黏著劑層，因為是被埋入半導體元件的突起電極和電路基板表面的配線 段差，所以成為需要某程度的厚度。黏著劑層的厚度若變大的話，在黏著劑層的外緣部且黏接薄膜與脫模薄膜貼合的部分，黏接薄膜及脫模薄膜之間發生的空隙因為變大，殘留在此空隙的空氣也變多，所以這種情況，對於空氣和從空氣發展的氣洞的排出，只由少數的貫通孔的話，具有其上限。
在此，考慮增加貫通孔的個數，但是在單純增加的話，相反地反而會有空氣通過貫通孔從外部滲入的問題。
在此，本發明的目的，是提供一種黏著薄片，可有效地抑制在黏著劑層及黏接薄膜之間發生氣洞，可以減少對於半導體晶圓的貼合不良。
為了解決上述的課題，本發明的黏著薄片，是被捲成捲筒狀，具有：長條的脫模薄膜；及黏著劑層，是在前述脫模薄膜上呈標籤狀設置；及黏接薄膜，是設有：將前述黏著劑層覆蓋且由前述黏著劑層的周圍與前述脫模薄膜接觸地設置的標籤部、及將前述標籤部的外側包圍的周邊部；其特徵為：將前述黏接薄膜貫通的貫通孔，是設在比對應前述黏著劑層的被覆體貼合預定部分的部分更外側且前述標籤部的內側，前述貫通孔的最大寬度×個數，是對於前述黏接薄膜的標籤部分1個，成為前述黏著劑層的外周長×1/43≦前述貫通孔的最大寬度×個數≦前述 黏著劑層的外周長。
且上述黏著薄片中，前述貫通孔，是對於前述黏接薄膜的標籤部分1個形成1個以上400個以內較佳。
且上述黏著薄片中，前述貫通孔的最大寬度是0.01mm以上50mm以下較佳。
且上述黏著薄片中，前述黏著劑層的厚度，是65μm以上較佳。
上述黏著薄片中，前述黏著劑層的直徑，是215mm以上較佳。
上述黏著薄片中，前述黏接薄膜的線膨脹率，是400ppm/K以下較佳。
且上述黏著薄片中，在前述黏接薄膜的標籤部的外側具有沿著長度方向設置的支撐構件較佳。
依據本發明的話，可有效地抑制在黏著劑層及黏接薄膜之間發生氣洞，可以減少對於半導體晶圓的貼合不良。
10、10’‧‧‧黏著薄片
11‧‧‧脫模薄膜
12‧‧‧黏著劑層
13‧‧‧黏接薄膜
13a‧‧‧圓形標籤部
13b‧‧‧周邊部
14‧‧‧貫通孔
15‧‧‧被覆體貼合預定部分
16‧‧‧支撐構件
[第1圖](a)，是將本發明的實施例的黏著薄片的構造示意的所示的俯視圖，(b)，是(a)的A-A剖面圖。
[第2圖]將本發明的實施例的黏著薄片的變形例的構造示意的所示的俯視圖。
[第3圖]示意本發明的實施例的黏著薄片的其他的變形例的構造的俯視圖。
[第4圖]將本發明的實施例的黏著薄片的其他的變形例的構造示意的所示的俯視圖。
[第5圖]將本發明的實施例的黏著薄片的其他的變形例的構造示意的所示的俯視圖。
[第6圖]將本發明的實施例的黏著薄片的其他的變形例的構造示意的所示的俯視圖。
[第7圖]將本發明的實施例的黏著薄片的其他的變形例的構造示意的所示的俯視圖。
[第8圖](a)，是將本發明的其他的實施例的黏著薄片的構造示意的所示的俯視圖，(b)，是(a)的A-A剖面圖。
[第9圖]顯示本發明的實施例‧比較例的黏著薄片的貫通孔的形狀的圖。
[第10圖]顯示本發明的實施例‧比較例的黏著薄片的貫通孔的位置的圖。
[第11圖]習知的黏著薄片被捲取捲筒狀的樣子示意的所示的立體圖。
[第12圖](a)，是顯示習知的黏著薄片的構造的俯視圖，(b)，是(a)的B-B剖面圖。
[第13圖]習知的黏著薄片及切割用環形框是顯示貼 合被的狀態的剖面圖。
 [第1實施例]
以下，依據圖面詳細說明本發明的實施例。第1圖(a)，是從本發明的實施例的黏著薄片的黏接薄膜側所見的俯視圖，第1圖(b)，是第1圖(a)的線A-A的剖面圖。
如第1圖(a)及第1圖(b)所示，黏著薄 片10，是具有：長條的脫模薄膜11、及黏著劑層12、及黏接薄膜13，且具有切割膠帶及黏晶薄膜的2種功能的晶圓加工用膠帶。
黏著劑層12，是設在脫模薄膜11的第1面上，具有對應晶圓的形狀的圓形標籤形狀。黏接薄膜13，是具有：將黏著劑層12覆蓋且由黏著劑層12的周圍與脫模薄膜11接觸地設置的圓形標籤部13a、及將此圓形標籤部13a的外側包圍的周邊部13b。周邊部13b，是包含：將圓形標籤部13a的外側完全地包圍的形態、及如圖示的未完全地包圍的形態。圓形標籤部13a，是具有對應切割用的環形框的形狀。
以下，詳細說明本實施例的黏著薄片10的各構成要素。
(脫模薄膜)
本發明的黏著薄片10所使用的脫模薄膜11，不特別限定，可以使用：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)系、聚乙烯系、其他被脫模處理的薄膜等周知者。脫模薄膜11的厚度，不特別限定，雖可以適宜地設定，但是25~75μm較佳。
(黏著劑層)
本發明的黏著劑層12，是如上述，形成於脫模薄膜11上，具有對應晶圓的形狀的圓形標籤形狀。對應晶圓的形狀的形狀，是與晶圓的形狀由大致相同大小且大致相同形狀以外，也包含與晶圓的形狀大致相同形狀且比晶圓的大小大的相似形。且，不一定需要圓形也可以，但是接近圓形的形狀較佳，圓形更佳。
黏著劑層12，是半導體晶圓是貼合被切割被之後，將晶片拾取時，附著在晶片背面，作為將晶片固定於基板和導線架時的黏著劑使用者。黏著劑層12，是可以使用從環氧系樹脂、丙烯系樹脂、酚系樹脂選擇的至少包含1種的黏著劑等較佳。其他，使用聚醯亞胺系樹脂和矽系樹脂也可以。其厚度雖可以適宜地設定，但是5~100μm程度較佳。
(黏接薄膜)
本發明的黏接薄膜13，是如上述，具有：對應切割 用的環形框的形狀的圓形標籤部13a、及將其外側包圍的周邊部13b。這種黏接薄膜，可以是藉由預切斷加工，從薄膜狀黏接劑將圓形標籤部13a的周邊領域除去而形成。對應切割用的環形框的形狀的形狀，是與環形框的內側大致相同形狀且比環形框內側的大小大的相似形。且，不一定需要圓形也可以，但是接近圓形的形狀較佳，圓形更佳。
如第1圖所示，在黏接薄膜13中，將黏接薄膜13貫通的圓形的貫通孔14，是被設成與黏著劑層12的外緣部接觸。
且貫通孔14，其最大寬度×個數，是對於1個黏接薄膜13的圓形標籤部13a，成為黏著劑層12的外周長×1/43≦最大寬度×個數≦黏著劑層12的外周長。
貫通孔14的最大寬度×個數，是比黏著劑層12的外周長×1/43更小的話，無法將可能發展成氣洞的某空氣和已發生的氣洞完全地排出，比黏著劑層12的外周長大的話，空氣會通過貫通孔14從外部滲入。
貫通孔14的位置，不限定於與黏著劑層12的外緣部接觸的位置，在比對應黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15的部分更外側且圓形標籤部13a的內側即可。例如，如第2圖所示，從對應黏接薄膜13中的黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15的外緣部的位置呈放射線狀地設置貫通孔14也可以。此情況，貫通孔14，其最大寬度×個數，也有需要對於1個黏接薄膜13的圓形標籤 部13a，成為黏著劑層12的外周長×1/43≦最大寬度×個數≦黏著劑層12的外周長。又，在本變形例中，將圓形的貫通孔14呈放射線狀配列，但是在包含對應在比黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15更外側且圓形標籤部13a的內側的部分的位置，隨機設置貫通孔14也可以。
在此，在比對應黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15的部分更外側且圓形標籤部13a的內側，是在黏接薄膜13從相當於黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15的外緣部的位置至圓形標籤部13a的外緣部為止的領域R。
且黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15，是使用黏著薄片10將半導體晶圓切割時，半導體晶圓應被貼合的位置，例如，從黏著劑層12的外緣部至10mm~25mm內側的位置。
貫通孔的目的，是排出：產生對於半導體晶圓的貼合不良的氣洞本身、和朝氣洞發展的前階段中的空氣者，因而有需要從黏著劑層12的半導體晶圓(被覆體)貼合預定部分15朝外側排出。只有在對應比黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15更內側的部分，或是在只有對應黏接薄膜13的圓形標籤部13a的外側的部分形成貫通孔14的情況時，因為藉由黏著劑層12的厚度所發生的脫模薄膜11及黏接薄膜13之間的空隙殘餘的空氣、和伴隨溫度變化使脫模薄膜11及黏著劑層12及黏接薄膜13的尺寸變化，而無法將在黏著劑層12及黏接薄膜13 之間滲入空氣而發生的空隙(氣洞)，朝比黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15更外側排出，所以有需要在比對應黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15的部分更外側且圓形標籤部13a的內側，設置貫通孔14。
且設在對應黏著劑層12的外側的位置的話，因為可以將空氣進行的方向朝黏著劑層12的外側誘導，所以空氣朝黏著劑層12及黏接薄膜13之間滲入而發展成氣洞的可能性可以極度降低。進一步，與黏著劑層12的外緣部接觸地設置的部分的話，因為空氣發展成氣洞可能性不只可降低，且可以將在黏著劑層12的外緣部發生的空氣立即排出，達成空氣本身的減少，所以效果較高。因此，將貫通孔14的個數作成最小限度的情況時，只有設在與黏著劑層12的外緣部接觸的部分較佳。
且貫通孔14，是沒有必要橫跨黏著劑層12的外緣部全周設置，如第3圖所示，通過黏著劑層12的中心點且以與脫模薄膜11的長度方向垂直的直線a為基準，設在從黏著劑層12的中心點至±60°以內的範圍(第1圖中為線b-c的內側的領域R及線d-e的內側的領域R’)也可以。進一步，設在以直線a為基準從黏著劑層12的中心點至±45°以內的範圍也可以。
貫通孔14的形狀，只要可排除氣洞的話不限定於圓形，三角形、菱形、線形等也可以，是從黏著劑層12的污染防止的觀點的話，線形較佳。線形的貫通孔，是例如，如第4圖所示的直線狀的貫通孔141也可以，如 第5圖所示的波型的貫通孔142也可以，進一步，如第6圖所示的U字型的貫通孔143也可以，如第7圖所示的V字型的貫通孔144也可以。
貫通孔14的方向雖是設計事項，但是發明人等是藉由實驗發現以下較佳。即，貫通孔是圓形或正多角形的情況時，可以任意。貫通孔是「圓形或正多角形」以外的情況、及直線或波形的情況時，貫通孔的長度方向是設定成黏著劑層12和黏接薄膜13的標籤的圓周的接線之間儘可能平行即可。貫通孔是U字型、V字型的情況時，設定成各別在上述標籤的圓周的外側變凸即可。由此，氣洞容易朝向外側被排出。
又，在第4圖及第5圖中，將貫通孔141、142，設成使貫通孔的長度方向與黏著劑層12和黏接薄膜13的標籤的圓周的接線平行，但是設成使貫通孔的長度方向與黏著劑層12和黏接薄膜13的標籤的圓周的接線平行也可以。此情況，在領域R的範圍連續地長地設置也可以。
進一步，貫通孔14，是適宜地組合上述的位置、形狀地設置也可以。
貫通孔14的最大寬度，較佳是50mm以下，更佳是0.01mm以上10mm以下，進一步較佳是0.1mm以上5mm以下。在0.01mm未滿中氣洞不易排除，比50mm大的話空氣容易從黏接薄膜13的外側進入反而具有誘發氣洞的危險性。最大寬度，是指貫通孔為線形的情況，從 起點至終點為止的長度，線形以外的情況時，是指在孔的內側距離最長的部分。
貫通孔14的個數，是對於1個黏接薄膜13的圓形標籤部13a，較佳是1個以上400個以內，更佳是2個以上300個以內，進一步較佳是6個以上250個以內。比360個多的話，空氣容易從脫模薄膜11的外側進入反而具有誘發氣洞的危險性。
且對於1個黏接薄膜13的圓形標籤部13a，貫通孔14的個數是偶數的情況時，對於黏著劑層12的中心點配置成為點對稱的話，空氣容易排除，且氣洞的抑制效果大。
黏接薄膜13，是脫模薄膜11及黏接薄膜13的線膨脹率的差成為250ppm/K以下的話，沒有特別限制，將晶圓切割時具有晶圓不會剝離的充分的黏接力，在切割後將晶片拾取時可容易地從黏著劑層剝離的較低的黏接力即可。例如，在基材薄膜設置黏接劑層者可以最佳地使用。
黏接薄膜13，是線膨脹率是400ppm/K以下較佳，更佳是345ppm/K以下，進一步較佳是290ppm以下。線膨脹率是藉由作成400ppm/K以下，因為可以抑制低溫中的收縮，特別是貫通孔14是線形的情況時，在冷藏保管、運送中可以防止貫通孔14打開讓空氣從外部滲入，可以更有效地防止氣洞。又，線膨脹率是超過400ppm/K的話，貫通孔14即使是線形的情況，在冷藏保 管、運送中，貫通孔14雖會打開讓空氣從外部滲入，但是因為空氣本身不會引起朝半導體晶圓的貼合不良所以空氣即使發展成氣洞也無問題。
黏接薄膜13的基材薄膜，是黏接薄膜13的線膨脹率成為400ppm/K以下的話，雖可以無特別限制地使用，但是作為後述的黏接劑層使用放射線硬化性的材料的情況時，使用具有放射線透過性者較佳。
例如，其材料，可以列舉：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-酢酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸乙基共聚物、乙烯-丙烯酸甲基共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等的α-烯烴的均聚物或是共聚物或是這些的混合物、聚亞胺酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或是戊烯系共聚物、聚醯胺-聚酚共聚物等的熱可塑性彈性體、及這些的混合物。且，基材薄膜是從這些的群選擇2種以上的材料混合者也可以，這些是單層或被複層化者也可以。
基材薄膜的厚度，不特別限定，雖可以適宜地設定，但是50~200μm較佳。
在黏接薄膜13的黏接劑層所使用的樹脂，是黏接薄膜13的線膨脹率成為400ppm/K以下的話，不特別限定，可以使用：在黏接劑所使用的公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂、聚亞胺酯樹脂、環氧樹脂等。在黏接劑層13的樹脂中，將丙烯系黏接劑、放射線聚合性化合物、光聚合開始劑、硬化劑等適宜地摻合將黏 接劑調製較佳。黏接劑層13的厚度是不特別限定，雖可以適宜地設定，但是5~30μm是較佳。
將放射線聚合性化合物摻合在黏接劑層藉由放射線硬化可以容易從黏著劑層剝離。其放射線聚合性化合物，是例如使用在可藉由光照射而三次元網狀化的分子內具有光聚合性碳-碳雙重結合至少2個以上的低分量化合物。
具體而言，可適用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、和寡糖酯丙烯酸酯等。
且如上述的丙烯酸酯系化合物之外，使用尿烷丙烯酸酯系低聚合物也可以。尿烷丙烯酸酯系低聚合物，是對於將聚酯型或聚醚型等的聚酚化合物、及多異氰酸酯化合物(例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二亞甲基二異氰酸酯、1,4-苯二亞甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而得的異氰酸酯基封端的氨基甲酸酯預聚物，將具有羥基的丙烯酸酯或是甲基丙烯酸甲酯(例如2-羥基乙基丙烯酸酯、2-甲基丙烯酸羥乙酯、2-羥基丙基丙烯酸酯、2-羥基丙基甲基丙烯酸甲酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸等)反應而得。黏接劑層，是從上述的樹脂選擇的2種以上混合者也可以。
使用光聚合開始劑的情況時，可以使用例如苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁基醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙噻噸酮、苄基二甲基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基環己基苯基酮基苯基丙烷等。這些光聚合開始劑的摻合量是對於丙烯系共聚物100質量部為0.01~5質量部較佳。
接著，說明本實施例的黏著薄片10的製造方法。
首先，藉由將長條狀的黏接薄膜13積層在設有具有對應晶圓的形狀的圓形標籤形狀的黏著劑層12的長條狀的脫模薄膜11製造被貼合的層疊體。又，具有圓形標籤形狀的黏著劑層12，是將黏著劑清漆塗抹在脫模薄膜11並使乾燥，沖切成圓形，藉由將圓形部分的周邊的不要部分從脫模薄膜11剝離的方式進行預切斷加工形成即可。
接著，藉由從上述層疊體的黏接薄膜13側至脫模薄膜11的厚度方向的途中為止由刀鋒切入，將圓形標籤部13a及周邊部13b殘留將黏接薄膜13從脫模薄膜11剝離的方式進行預切斷加工。
貫通孔，是任意形成也可以，但是與黏著劑層或/及黏接薄膜的預切斷同時形成較佳。藉由在預切斷用的刀鋒設置對應貫通孔14的刀鋒，就可以與預切斷同時形成，可以將過程單純化。且，與黏著劑層12的預切斷同時進行的話，利用之後進行黏接薄膜13的預切斷時 施加的切入的按壓和通道線上的壓輥等，將空氣移除也可以。
[第2實施例]
接著，說明第2實施例。本實施例的黏著薄片10’，是除了具有支撐構件16的點不同以外，可以適用與第1實施例所說明的同樣的構成、製造方法。
以下，說明與第1實施例不同的點。如第8圖(a)所示，支撐構件16，是被設在脫模薄膜11的寬度方向兩端部。
支撐構件16的厚度，是相當於脫模薄膜11 上中的黏著劑層12及黏接薄膜13的圓形標籤部13a的層疊部分、及黏接薄膜13的周邊部13b的段差的厚度以上，即黏著劑層12的厚度以上即可。支撐構件是藉由具有這種厚度，將黏著薄片10捲取時，因為會在黏接薄膜13及與其表面重疊的脫模薄膜11的第2面之間形成空間，所以在黏著劑層及黏接薄膜之間發生的氣洞容易被排除。
又，支撐構件16，不限定於脫模薄膜11的寬度方向兩端部，只要是設在對應黏接薄膜13的標籤部13a的外側的位置的話那裡也可以，但是在捲取成捲筒狀的製品時，黏著劑層12及黏接薄膜13的圓形標籤部13a和支撐構件16的層疊部分、及黏接薄膜13的周邊部13b的段差是彼此重疊，從防止段差被複寫在柔軟的黏著劑層 12表面的觀點的話，設在從脫模薄膜11的寬度方向兩端部至黏著劑層12為止的領域R”內較佳。
且在與設有脫模薄膜11的黏著劑層12及黏接薄膜13的第1面相反的第2面設置支撐構件16較佳。
支撐構件16，是設在脫模薄膜11的寬度方向兩端部的情況時，雖可以沿著脫模薄膜11的長度方向間斷或連續地設置，但是從更有效地抑制複寫痕的發生的觀點的話，沿著基材薄膜11的長度方向連續地設置較佳。
支撐構件16，是可以最佳地使用例如，將黏著劑塗抹在樹脂薄膜基材的黏著膠帶。藉由將這種黏著膠帶，貼附在脫模薄膜11的第2面的兩端部分的預定位置，就可以形成本實施例的黏著薄片10’。黏著膠帶，是即使只有貼附一層也可以，將薄的膠帶層疊也可以。
黏著膠帶的基材樹脂，雖無特別限定，但是從耐熱性、平滑性、取得容易度的點的話，從聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯、高密度聚乙烯選擇較佳。對於黏著膠帶的黏接劑的組成及物性，沒有特別限定，在黏著薄片10的捲取過程及保管過程，不會從脫模薄膜11剝離即可。
<實施例>
以下，雖依據實施例進一步詳細說明本發明，但是本發明不限定於這些實施例。
如下述將黏接劑組成物及黏著劑組成物調 製，由以下的方法製作黏著薄片，評價其性能。
(黏接劑組成物的調製) [黏接劑組成物1]
在溶劑的三烯400g中，將異辛酯340g、甲基丙烯酸甲酯13g、羥基丙烯酸酯60g、異丁烯酸0.5g、聚合開始劑為過氧化苯甲醯的混合液，適宜地調整滴下量，進一步調整反應溫度及反應時間，而獲得重量平均分子量80萬的化合物(1)的溶液。接著，在化合物(1)的溶液，對於溶液中的化合物(1)100重量份，加上CORONATEL(日本聚亞胺酯工業股份有限公司製)2重量份作為聚異氰酸酯，加上酢酸乙基300重量份作為溶劑，攪拌而獲得黏接劑組成物1。
[黏接劑組成物2]
在上述化合物(1)的溶液，將放射性硬化性碳-碳雙重結合及具有官能團的化合物為2-異氰酸酯基乙基甲基丙烯酸酯2.5g、聚合禁止劑為對苯二酚，適宜地調整滴下量，進一步調整反應溫度及反應時間而獲得具有放射性硬化性碳-碳雙重結合的化合物(2)的溶液。以DSC測量化合物(2)的Tg時，為-49℃。接著，在化合物(2)的溶液，對於溶液中的化合物(2)100重量份，加上CORONATEL 2重量份作為聚異氰酸酯，加上IRGACURE184(日本ciba-geigy公司製)1重量份作為光 聚合開始劑，加上酢酸乙基300重量份作為溶劑，攪拌而獲得黏接劑組成物2。
(黏接薄膜的製作) [黏接薄膜1A]
在已被脫模處理的聚乙烯-對苯二甲酸乙二醇薄膜所形成的剝離薄膜使黏接劑組成物1成為乾燥膜厚為25μm的方式進行塗抹，由110℃進行3分鐘乾燥之後，與由180℃擠壓出的厚度80μm的低密度聚乙烯薄膜貼合來製作線膨脹係數為260ppm/K的黏接薄膜1A。線膨脹係數是使用熱機械的分析裝置(理學電氣股份有限公司製)由以下的條件測量，讀取-20℃~+20℃的範圍的線膨脹率。
《測量條件》
機器：理學電氣股份有限公司製TMA8310
溫度範圍：-30~50℃
昇溫速度：5℃/min
測量負荷：49mN
環境氣體：N2
[黏接薄膜1B]
在由已被脫模處理的聚乙烯-對苯二甲酸乙二醇薄膜所形成的剝離薄膜使黏接劑組成物1成為乾燥膜厚為10μm的方式進行塗抹，由110℃進行3分鐘乾燥之後，與 由180℃擠壓出的厚度80μm的乙烯-酢酸乙烯共聚物薄膜貼合來製作線膨脹係數為300ppm/K的黏接薄膜1B。線膨脹係數，是與上述同樣地進行測量。
[黏接薄膜1C]
在已被脫模處理的聚乙烯-對苯二甲酸乙二醇薄膜所形成的剝離薄膜使黏接劑組成物2成為乾燥膜厚為10μm的方式進行塗抹，由110℃進行3分鐘乾燥之後，與由170℃擠壓出的厚度100μm的聚氯乙烯薄膜貼合來製作線膨脹係數為380ppm/K的黏接薄膜1C。線膨脹係數，是與上述同樣地進行測量。
[黏接薄膜1D]
在已被脫模處理的聚乙烯-對苯二甲酸乙二醇薄膜所形成的剝離薄膜使黏接劑組成物2成為乾燥膜厚為5μm的方式進行塗抹，由110℃進行3分鐘乾燥之後，與由190℃擠壓出的厚度80μm的聚氯乙烯薄膜貼合來製作線膨脹係數為420ppm/K的黏接薄膜1D。線膨脹係數，是與上述同樣地進行測量。
(脫模薄膜) [脫模薄膜2A]
使用厚度38μm的已脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜。線膨脹係數，經與上述黏接薄膜的線膨脹係數 的測量同樣地由熱機械的分析裝置(理學電氣(株)製)進行測量，為60ppm/K。
(黏著劑組成物的調製) [黏著劑組成物]
對於由甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(環氧當量197、分子量1200、軟化點70℃)15質量部、丙烯樹脂SG-P3(nagasechemtex股份有限公司製，質量平均分子量：85萬，玻璃轉移溫度12℃)70質量部、硬化劑為酚中間體樹脂(羥當量104、軟化點80℃)15質量部，促進劑為CUREZOL2PZ(四國化成股份有限公司製，商品名：2-苯基咪唑)1部所構成的組成物，加上環己酮攪拌混合，進一步使用珠磨機攪拌90分，獲得黏著劑組成物。
(黏著劑層的形成) [黏著劑層A]
將上述黏著劑組成物，使乾燥後的膜厚成為65μm的方式塗抹在脫模薄膜2A上，由110℃進行1分鐘加熱乾燥，形成B平台狀態(熱硬化性樹脂的硬化中間狀態)的塗膜，獲得黏著劑層3A後，冷藏保管。
[黏著劑層B]
將上述黏著劑組成物，使乾燥後的膜厚成為120μm的方式塗抹在脫模薄膜2A上，由110℃進行1分鐘加熱 乾燥，形成B平台狀態(熱硬化性樹脂的硬化中間狀態)的塗膜，獲得黏著劑層3B後，冷藏保管。
(黏著薄片的製作)
將被冷藏保管的形成有黏著劑層3A的脫模薄膜2A返回至常溫，使朝脫模薄膜2A的切口深度成為15μm以下的方式進行調整將黏著劑層3A預切斷加工成直徑為320mm(圓周約1005mm)的圓形。其後，將黏著劑層3A的不要部分除去，將黏接薄膜1C使其黏接劑層與黏著劑層3A接觸的方式，由室溫積層在脫模薄膜2A。接著對於黏接薄膜1C，使朝脫模薄膜2A的切口深度成為15μm以下的方式進行調節，與黏著劑層同心圓狀地預切斷加工成直徑370mm的圓形的同時，將第9圖(a)的形狀的貫通孔在黏接薄膜1C中的第10圖(a)所示的位置設置256個，製作了對應12英吋晶圓的實施例1的黏著薄片。
由與實施例1同樣的方法，由下述表1~4所示的組合，製作了實施例2、4~12、14~18、比較例2、4~6的黏著薄片。
將被冷藏保管的形成有黏著劑層3A的脫模薄膜2A返回至常溫，使朝脫模薄膜2A的切口深度成為15μm以下的方式進行調整將黏著劑層3A預切斷加工成直徑為220mm(圓周約691mm)的圓形。其後，將黏著劑層3A的不要部分除去，將黏接薄膜1C使其黏接劑層與 黏著劑層3A接觸的方式，由室溫積層在脫模薄膜2A。接著對於黏接薄膜1C，使朝脫模薄膜2A的切口深度成為15μm以下的方式進行調節，預切斷加工成與黏著劑層同心圓狀且直徑為270mm的圓形的同時，將第9圖(a)的形狀的貫通孔在黏接薄膜1C中的第10圖(b)所示的位置設置200個，製作了對應8英吋晶圓的實施例3的黏著薄片。
由與實施例3同樣的方法，由下述表3、4所示的組合，製作了實施例13、比較例1、3的黏著薄片。
在此，因為可以使成為黏著劑層的外周長×1/43≦貫通孔的最大寬度×個數≦黏著劑層的外周長的方式設置貫通孔，所以將「(貫通孔的最大徑×個數)/黏著劑層的外周長」作為L的話，因為成為0.0233≦L≦1即可，所以對於各實施例、比較例求得L的值。其結果如表1~4所示。
又，第9圖(a)的貫通孔，是最大寬度(起點至終點為止的長度)了0.1mm的直線形狀，第9圖(b)的貫通孔，是最大寬度(直徑)了1mm的圓形的形狀，第9圖(c)的貫通孔，是最大寬度(起點至終點為止的長度)為0.06mm的圓弧形狀，第9圖(d)的貫通孔，是最大寬度(起點至終點為止的長度)為30mm的V字形狀，第9圖(e)的貫通孔，是最大寬度(起點至終點為止的長度)為2mm的直線形狀。
貫通孔，是等間隔地設在黏接劑層的第10圖 所示的位置。
第10圖(a)所示的設置貫通孔的位置，是對應黏著劑層的外緣部的部分，在第10圖(a)為實線顯示的領域Rc。第10圖(b)所示的設置貫通孔的位置，是對應黏著劑層的外緣部的部分，通過黏著劑層的中心點且以與脫模薄膜的長度方向垂直的直線a為基準，從黏著劑層的中心點±60°以內的範圍，在第10圖(b)為實線顯示的領域Rb。第10圖(c)所示的貫通孔的設置位置，是對應黏著劑層的外緣部的部分，通過黏著劑層的中心點且以與脫模薄膜的長度方向垂直的直線a為基準，從黏著劑層的中心點±45°以內的範圍，在第10圖(c)為實線顯示的領域Rc。
(特性評價試驗)
對於實施例1~18、比較例1~6的黏著薄片，如下述進行特性評價試驗。
[氣洞的抑制性評價]
將實施例及比較例的黏著薄片，使圓形的形狀的黏接薄膜的數量成為300枚的方式，捲取成捲筒狀，製了作黏著薄片捲筒。所獲得的黏著薄片捲筒是由電冰箱內(5℃)保管了1個月之後，包裝捆包並載置於運送用卡車往復於日本的平塚~神戸之間(約1000km)。卡車內是藉由乾冰保持-20℃的冷藏狀態。其後，將黏著薄片捲筒開 梱，將黏著薄片捲筒返回至常溫後將包裝袋開封，評價了實施例及比較例的黏著薄片的氣洞的抑制性。黏著薄片的氣洞的抑制性，是以目視觀察氣洞的有無，隨著以下的評價基準，由◎、○、△、×的4階段進行評價。
◎(優良品)：即使從各式各樣的角度目視觀察也無法確認氣洞及空氣。
○(良品)：黏接薄膜及脫模薄膜之間可以確認空氣。
△(容許品)：黏著劑層及脫模薄膜之間可以確認空氣。
×(不良品)：黏著劑層及黏接薄膜之間可以確認氣洞。
各實施例、比較例中的上述試驗的結果如表1 ~4所示。
如表1、2所示，實施例1~11，是使黏接薄膜貫通的貫通孔的最大徑×個數設定成為規定的範圍內， 因為黏接薄膜的線膨脹率也在400ppm/K以下，氣洞是非常地良好地被抑制。
實施例12~14，是如表2、3所示，黏著劑層的厚度是與120μm及實施例1~11相比較厚很多，但是使黏接薄膜貫通的貫通孔的最大徑×個數設定成為規定的範圍內，因為黏接薄膜的線膨脹率也在400ppm/K以下，氣洞是非常地良好地被抑制。
實施例15、16，是如表3所示，使黏接薄膜貫通的貫通孔的最大徑×個數設定成為規定的範圍內，因為黏接薄膜的線膨脹率是超過400ppm/K，所以觀察到空氣滲入黏接薄膜及脫模薄膜之間，但是氣洞是良好地被抑制。
實施例17、18，是如表3所示，使黏接薄膜貫通的貫通孔的最大徑×個數設定成為規定的範圍內，因為黏接薄膜的線膨脹率是超過400ppm/K，黏著劑層的厚度與120μm及實施例1~11相比較厚很多，所以觀察到空氣滲入黏著劑層及脫模薄膜之間。空氣滲入黏著劑層及脫模薄膜之間，即黏著劑層的內側，是因為黏著劑層及黏接薄膜之間也是空氣進入成為氣洞的危險性高的狀態，但是藉由貫通孔的氣洞排出效果，氣洞被抑制。
另一方面，如表4所示，比較例1、2，因為將黏接薄膜貫通的貫通孔的最大徑×個數超過規定的範圍，所以從外部侵入的空氣過多，無法將空氣和從空氣發展的氣洞完全地排出，無法將氣洞充分地抑制。
比較例3~6，是如表4所示，因為將黏接薄膜貫通的貫通孔的最大徑×個數是未滿規定的範圍，貫通孔過少，無法將空氣和從空氣發展的氣洞完全地排出，無法將氣洞充分地抑制。
從這些實施例及比較例可知，本發明的黏著薄片，可在黏著劑層及黏接薄膜之間抑制氣洞發生，可以減少對於半導體晶圓的貼合不良。
10‧‧‧黏著薄片
11‧‧‧脫模薄膜
12‧‧‧黏著劑層
13‧‧‧黏接薄膜
13a‧‧‧圓形標籤部
13b‧‧‧周邊部
14‧‧‧貫通孔
15‧‧‧被覆體貼合預定部分

Claims (7)

  1. 一種黏著薄片，是被捲成捲筒狀，具有：長條的脫模薄膜；及黏著劑層，是在前述脫模薄膜上呈標籤狀設置；及黏接薄膜，是設有：將前述黏著劑層覆蓋且由前述黏著劑層的周圍與前述脫模薄膜接觸地設置的標籤部、及將前述標籤部的外側包圍的周邊部；其特徵為：將前述黏接薄膜貫通的貫通孔，是設在比對應前述黏著劑層的被覆體貼合預定部分的部分更外側且前述標籤部的內側，前述貫通孔的最大寬度×個數，是對於前述1個黏接薄膜的圓形標籤部，成為前述黏著劑層的外周長×1/43≦前述貫通孔的最大寬度×個數≦前述黏著劑層的外周長。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之黏著薄片，其中，前述貫通孔，是對於前述1個黏接薄膜的圓形標籤部形成1個以上400個以內。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著薄片，其中，前述貫通孔的最大寬度是0.01mm以上50mm以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著薄片，其中，前述黏著劑層的厚度是65μm以上。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著薄片，其中， 前述黏著劑層的直徑是215mm以上。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著薄片，其中，前述黏接薄膜的線膨脹率是400ppm/K以下。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著薄片，其中，在前述黏接薄膜的標籤部的外側具有沿著長度方向設置的支撐構件。
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