TWI518827B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI518827B
TWI518827B TW102127498A TW102127498A TWI518827B TW I518827 B TWI518827 B TW I518827B TW 102127498 A TW102127498 A TW 102127498A TW 102127498 A TW102127498 A TW 102127498A TW I518827 B TWI518827 B TW I518827B
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柏山真人
西山耕二
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斯克林半導體科技有限公司
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種對基板進行特定之處理之基板處理裝置及基板處理方法。
為對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板等各種基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。
此種基板處理裝置一般係對一片基板連續地進行複數種不同之處理。日本專利特開2003-324139號公報中所記載之基板處理裝置包括裝載區塊(indexer block)、抗反射膜用處理區塊、抗蝕膜用處理區塊、顯影處理區塊及傳遞區塊(interface block)。以鄰接於傳遞區塊之方式，配置有與基板處理裝置不為一體之作為外部裝置之曝光裝置。
於上述基板處理裝置中，自裝載區塊搬入之基板藉由抗反射膜用處理區塊及抗蝕膜用處理區塊進行抗反射膜之形成及抗蝕膜之塗佈處理。其後，基板經由傳遞區塊而被搬送至曝光裝置。於曝光裝置中對基板上之抗蝕膜進行曝光處理後，基板經由傳遞區塊而被搬送至顯影處理區塊。藉由於顯影處理區塊中對基板上之抗蝕膜進行顯影處理而形成光阻圖案後，基板被搬送至裝載區塊。
近年來，伴隨器件之高密度化及高積體化，光阻圖案之微細化 成為重要課題。先前之一般之曝光裝置係藉由將主光罩(reticle)之圖案經由投影透鏡縮小投影至基板上而進行曝光處理。然而，於此種先前之曝光裝置中，由於曝光圖案之線寬取決於曝光裝置之光源之波長，故而光阻圖案之微細化存在極限。
因此，作為可實現曝光圖案之進一步微細化之投影曝光方法，已知液浸法(例如參照國際公開第99/49504號說明書)。於國際公開第99/49504號說明書之投影曝光裝置中，於投影光學系統與基板之間充滿液體，而可將基板表面之曝光光束短波長化。藉此，可實現曝光圖案之進一步微細化。
於國際公開第99/49504號說明書之投影曝光裝置中，因於基板與液體接觸之狀態下進行曝光處理，故若於曝光處理前，污染物質附著於基板，則該污染物質混入至液體中。
於曝光處理前中，對基板實施各種成膜處理，但於該成膜處理之過程中，有基板之端部受到污染之情形。如此般，若於基板之端部受到污染之狀態下進行基板之曝光處理，則有產生曝光圖案之尺寸不良及形狀不良之可能性。
本發明之目的在於提供一種可防止因基板之端部受到污染而產生基板之處理不良的基板處理裝置及基板處理方法。
(1)本發明之一態樣之基板處理裝置係對具有一面及另一面之基板進行特定之處理者，且包括：1個或複數個處理液供給單元，其對基板之一面供給處理液；第1溫度處理單元，其對由1個或複數個處理液供給單元供給處理液前或供給處理液後之基板進行溫度處理；第1搬送裝置，其構成為包括不與基板之端部接觸地保持基板之另一面之第1保持部，且藉由使第1保持部移動而搬送基板；及控制部，其控制第1搬送裝置而於1個或複數個處理液供給單元中之任一者與第1溫度 處理單元之間搬送基板；且1個或複數個處理液供給單元之各者包括：第2保持部，其不與基板之端部接觸地保持基板之另一面；及液體供給機構，其對由第2保持部保持之基板之一面供給感光性膜之塗佈液或顯影液作為處理液；且第1溫度處理單元包括：第3保持部，其不與基板之端部接觸地保持基板之另一面；及第1溫度處理裝置，其對由第3保持部保持之基板進行溫度處理。
於該基板處理裝置中，於1個或複數個處理液供給單元中之任一者與第1溫度處理單元之間，藉由第1搬送裝置搬送基板。於由第1搬送裝置搬送基板時，第1保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面。於1個或複數個處理液供給單元之各者中，於第2保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面之狀態下，對基板之一面供給處理液。於第1溫度處理單元中，於第3保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面之狀態下，對基板進行溫度處理。
如此般，當由第1搬送裝置搬送基板時，於利用1個或複數個處理液供給單元向基板之一面供給處理液時、及利用第1溫度處理單元進行基板之溫度處理時，第1、第2及第3保持部不與基板之端部接觸。藉此，防止因用以保持基板之構件與基板之端部接觸而產生污染物質。又，防止污染物質自第1、第2及第3保持部轉印至基板之端部。其結果，防止因基板之端部受到污染而產生基板之處理不良。
(2)第1保持部、第2保持部及第3保持部之各者亦可包括吸附基板之另一面之吸附保持機構。
於該情形時，第1保持部、第2保持部及第3保持部之各者可以簡單之構成，不與基板之端部接觸地保持基板之另一面。
(3)亦可為1個或複數個處理液供給單元包括複數個處理液供給單元，複數個處理液供給單元中之一處理液供給單元之液體供給機構係構成為對基板之一面供給感光性膜之塗佈液，複數個處理液供給單元 中之另一處理液供給單元之液體供給機構係構成為對基板之一面供給顯影液。
於該情形時，藉由一處理液供給單元之液體供給機構對基板之一面供給感光性膜之塗佈液，而於基板之一面上進行感光性膜之形成處理。將形成於基板之一面上之感光性膜曝光後，藉由另一處理液供給單元之液體供給機構對基板之一面供給顯影液。藉此，對基板進行顯影處理。
根據本發明之構成，可一邊防止基板之端部之污染，一邊於基板處理裝置內同時並進地進行光微影法中之感光性膜之形成處理與基板之顯影處理。
(4)基板處理裝置亦可包括：處理部，其包括複數個處理液供給單元、第1溫度處理單元及第1搬送裝置；搬入搬出部，其構成為以鄰接於處理部之一端部之方式設置，且對處理部搬入基板及搬出基板；交接部，其構成為配置於處理部之另一端部與對基板進行曝光處理之曝光裝置之間，且於處理部與曝光裝置之間進行基板之交接。
於該情形時，將基板自搬入搬出部搬入至處理部。於處理部，藉由一處理液供給單元而將感光性膜形成於基板之一面上。藉由交接部而自處理部接收形成有感光性膜之基板，且交付至曝光裝置。於曝光裝置中，對端部保持為潔淨之基板之感光性膜進行曝光處理。藉由交接部而自曝光裝置接收曝光處理後之基板，且交付至處理部。於處理部，藉由另一處理液供給單元將顯影液供給至曝光處理後之基板之一面上，而使感光性膜顯影。將顯影後之基板自處理部搬出至搬入搬出部。
如此般，於基板之端部保持為潔淨之狀態下，順利地進行曝光處理前之感光性膜之形成及曝光處理後之感光性膜之顯影。
(5)亦可為處理部及交接部中之至少一者包括清洗基板之另一面 之1個或複數個清洗單元，且1個或複數個清洗單元之各者包括：第4保持部，其不與基板之端部接觸地保持基板之另一面；及清洗機構，其清洗由第4保持部保持之基板之另一面。
於該情形時，於1個或複數個清洗單元之各者中，於第4保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面之狀態下，清洗基板之另一面。藉此，於清洗基板之另一面時，防止因用以保持基板之構件與基板之端部接觸而產生污染物質。又，防止污染物質自第4保持部轉印至基板之端部。
(6)亦可為第4保持部包括：第1吸附保持機構，其吸附基板之另一面之第1部分；及第2吸附保持機構，其吸附基板之另一面之與第1部分不同之第2部分；且清洗機構係構成為於藉由第1吸附保持機構保持基板而未藉由第2吸附保持機構保持基板之狀態下，清洗基板之另一面之除第1部分以外之區域，並且構成為於藉由第2吸附保持機構保持基板而未藉由第1吸附保持機構保持基板之狀態下，清洗基板之另一面之除第2部分以外之區域。
於該情形時，於1個或複數個清洗單元之各者中，於藉由第1吸附保持機構保持基板之另一面之第1部分而未藉由第2吸附保持機構保持基板之狀態下，清洗基板之另一面之除第1部分以外之區域。又，於藉由第2吸附保持機構保持基板之另一面之第2部分而未藉由第1吸附保持機構保持基板之狀態下，清洗基板之另一面之除第2部分以外之區域。
如此般，可藉由依次清洗基板之另一面之除第1部分以外之區域與基板之另一面之除第2部分以外之區域，而一邊保持基板之另一面，一邊清洗基板之另一面整體。
(7)1個或複數個清洗單元之各者亦可進而包括切換機構，該切換機構將第1吸附保持機構切換為吸附第1部分之吸附狀態與解除第1部 分之吸附之解除狀態，並且將第2吸附保持機構切換為吸附第2部分之吸附狀態與解除第2部分之吸附之解除狀態。
於該情形時，藉由切換機構，而將第1吸附保持機構切換為吸附狀態與解除狀態，且將第2吸附保持機構切換為吸附狀態與解除狀態。藉此，可順利地清洗基板之另一面之除第1部分以外之區域及基板之另一面之除第2部分以外之區域。
(8)清洗機構亦可包括：清洗工具，其構成為可與基板之另一面接觸；及清洗工具移動機構，其使清洗工具與基板之另一面接觸，並且使清洗工具相對於由第1或第2吸附保持機構保持之基板相對移動。
於該情形時，於藉由第1或第2吸附保持機構保持基板之另一面之狀態下，清洗工具與基板之另一面接觸。又，清洗工具相對於第1或第2吸附保持機構相對移動。藉此，可不保持基板之端部且不使基板移動地藉由清洗工具物理地清洗基板之另一面。
(9)1個或複數個清洗單元之各者亦可構成為清洗由曝光裝置進行曝光處理前之基板之另一面。
於該情形時，藉由清洗由曝光裝置進行曝光處理前之基板之另一面，而防止因污染物質附著於基板之另一面而產生散焦。
(10)亦可為交接部包括第2搬送裝置，該第2搬送裝置構成為包括不與基板之端部接觸地保持基板之另一面之第5保持部，且藉由使第5保持部移動而搬送基板，且控制部控制第2搬送裝置而於處理部與曝光裝置之間搬送基板。
於該情形時，於交接部，於處理部與曝光裝置之間，藉由第2搬送裝置搬送基板。於利用第2搬送裝置搬送基板時，第5保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面。
藉此，於交接部之基板之搬送時，防止因用以保持基板之構件與基板之端部接觸而產生污染物質。又，防止污染物質自第5保持部 轉印至基板之端部。
(11)第5保持部亦可包括吸附基板之另一面之吸附保持機構。
於該情形時，第5保持部可以簡單之構成，不與基板之端部接觸地保持基板之另一面。
(12)亦可為基板處理裝置進而包括第2溫度處理單元，該第2溫度處理單元對由1個或複數個處理液供給單元供給處理液前或供給處理液後之基板進行溫度處理，且第2溫度處理單元包括：冷卻部，其對基板進行冷卻處理；加熱部，其對基板進行加熱處理；及第3搬送裝置，其構成為包括不與基板之端部接觸地保持基板之另一面之第6保持部，且藉由使第6保持部移動而搬送基板；冷卻部包括冷卻裝置，該冷卻裝置藉由與第6保持部接觸，而對由第6保持部保持之基板進行冷卻處理；加熱部包括：第7保持部，其不與基板之端部接觸地保持基板之另一面；及加熱裝置，其對由第7保持部保持之基板進行加熱處理；且控制部控制第3搬送裝置使得保持基板之第6保持部與冷卻裝置接觸，並且控制第3搬送裝置而於冷卻部與加熱部之間搬送由第6保持部保持之基板，且於第6保持部與加熱部之第7保持部之間進行基板之交接。
於該情形時，於第2溫度處理單元中，第3搬送裝置之第6保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面。藉由保持基板之第6保持部移動，而於冷卻部與加熱部之間搬送基板。
於冷卻部，藉由保持基板之第6保持部與冷卻部之冷卻裝置接觸，而對基板進行冷卻處理。於加熱部，於第6保持部與第7保持部之間進行基板之交接。藉由將基板自第6保持部交付至第7保持部，而第7保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面。於第7保持部保持基板之另一面之狀態下，對基板進行加熱處理。
如此般，於第2溫度處理單元中，可藉由於冷卻部與加熱部之間 搬送基板，而連續地進行基板之冷卻處理及加熱處理。又，當利用第3搬送裝置搬送基板時，於利用冷卻部進行基板之冷卻處理時及利用加熱部進行加熱處理時，第6及第7保持部不與基板之端部接觸。藉此，可一邊防止污染物質於基板之端部之產生之及污染物質向基板之端部之轉印，一邊迅速地進行基板之冷卻處理及加熱處理。
(13)本發明之另一態樣之基板處理方法係使用對具有一面及另一面之基板進行特定之處理的基板處理裝置者，且包括以下步驟：藉由第1保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面，並且藉由使第1保持部移動，而於1個或複數個處理液供給單元中之任一者與溫度處理單元之間搬送基板；於1個或複數個處理液供給單元之各者中，藉由第2保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面，並且對由第2保持部保持之基板之一面供給感光性膜之塗佈液或顯影液作為處理液；及於溫度處理單元中，藉由第3保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面，並且對由第3保持部保持之基板進行溫度處理。
於該基板處理方法中，於1個或複數個處理液供給單元中之任一者與第1溫度處理單元之間，搬送基板。於搬送基板時，第1保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面。於1個或複數個處理液供給單元之各者中，於第2保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面之狀態下，對基板之一面供給處理液。於溫度處理單元中，於第3保持部不與基板之端部接觸地保持基板之另一面之狀態下，對基板進行溫度處理。
如此般，於搬送基板時，於利用1個或複數個處理液供給單元向基板之一面供給處理液時、及利用溫度處理單元進行基板之溫度處理時，第1、第2及第3保持部不與基板之端部接觸。藉此，防止因用以保持基板之構件與基板之端部接觸而產生污染物質。又，防止污染物質自第1、第2及第3保持部轉印至基板之端部。其結果，防止因基板 之端部受到污染而產生基板之處理不良。
11‧‧‧裝載區塊
12‧‧‧第1處理區塊
13‧‧‧第2處理區塊
14‧‧‧傳遞區塊
14A‧‧‧清洗乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
21、22、23、24‧‧‧塗佈處理室
25、35、41、98‧‧‧旋轉夾頭
27、37、43‧‧‧護罩
28、42‧‧‧噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬送機構
31、33‧‧‧顯影處理室
32、34‧‧‧塗佈處理室
37‧‧‧護罩
38‧‧‧狹縫噴嘴
39‧‧‧移動機構
50、60‧‧‧流體箱部
99‧‧‧光出射器
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧載具載置部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧載具
114‧‧‧控制部
115‧‧‧搬送機構
116、H1~H8‧‧‧手部
117、411、432a、432b、701s‧‧‧開口部
121‧‧‧塗佈處理部
122、132、163‧‧‧搬送部
123、133‧‧‧熱處理部
125、135‧‧‧上段搬送室
126、136‧‧‧下段搬送室
127、128、137、138、141、142、146‧‧‧搬送機構
129‧‧‧塗佈處理單元
131‧‧‧塗佈顯影處理部
139‧‧‧顯影處理單元
145‧‧‧襯墊
161、162‧‧‧清洗乾燥處理部
210‧‧‧基板載置板
213a、213b‧‧‧支持銷***孔
214a、214b‧‧‧氣體抽吸孔
220、440‧‧‧基板吸附片
220u‧‧‧上表面
221、441‧‧‧突起部
222、442‧‧‧密封突起部
230‧‧‧吸氣裝置
250‧‧‧溫度處理裝置
251‧‧‧溫度調整體
252‧‧‧溫度調整部
260、720、730‧‧‧升降裝置
261、461、721、731‧‧‧連結構件
262、462、722、732‧‧‧支持銷
301、303‧‧‧上段熱處理部
302、304‧‧‧下段熱處理部
311、312、313、421、422、423‧‧‧導軌
314‧‧‧移動構件
315‧‧‧旋轉構件
318、319‧‧‧手部支持構件
400C‧‧‧冷卻部
400H‧‧‧加熱部
410‧‧‧殼體
410a‧‧‧一側面
410b‧‧‧另一側面
420‧‧‧搬送機構
430‧‧‧搬送臂
431‧‧‧切口(狹縫)
460、720‧‧‧升降裝置
470‧‧‧基板載置板
474‧‧‧擋板裝置
475‧‧‧擋板
490、740a、740b、HS‧‧‧吸氣裝置
495‧‧‧導熱片
701‧‧‧殼體
710‧‧‧基板清洗用殼體
711‧‧‧上表面
712‧‧‧圓形開口部
750‧‧‧馬達
751‧‧‧旋轉軸
760‧‧‧清洗刷
761‧‧‧棒狀刷
770‧‧‧清洗液噴射噴嘴
800‧‧‧電腦主機
1000‧‧‧基板處理系統
c1、c2‧‧‧假想圓
ca、p1、p23‧‧‧接觸部分
CP‧‧‧冷卻單元
d‧‧‧一定寬度
EEW‧‧‧邊緣曝光部
HG‧‧‧導件
PAHP‧‧‧密接強化處理單元
PASS1~PASS9‧‧‧基板載置部
PHP‧‧‧熱處理單元
PN‧‧‧主面板
pr‧‧‧支持片
P-BF1、P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
SD1a、SD2‧‧‧清洗乾燥處理單元
SD1b‧‧‧背面清洗單元
SL‧‧‧管
sm‧‧‧吸附部
W‧‧‧基板
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1係本發明之一實施形態之基板處理系統之模式性俯視圖。
圖2主要係表示圖1之塗佈處理部、塗佈顯影處理部及清洗乾燥處理部之基板處理系統之一方側視圖。
圖3主要係表示圖1之熱處理部及清洗乾燥處理部之基板處理系統之另一方側視圖。
圖4主要係表示圖1之塗佈處理部、搬送部及熱處理部之側視圖。
圖5主要係表示圖1之搬送部之側視圖。
圖6係表示搬送機構之立體圖。
圖7係表示清洗乾燥處理區塊之內部構成之圖。
圖8係表示圖1、圖5及圖7之手部之構成之模式性俯視圖。
圖9係表示圖6之手部之構成之模式性俯視圖。
圖10係用以說明圖3之密接強化處理單元及冷卻單元之各者所包含之基板吸附片及溫度處理裝置之模式圖。
圖11係圖10之基板載置板之俯視圖。
圖12係圖3之熱處理單元之立體圖。
圖13係圖3之熱處理單元之俯視圖。
圖14係圖3之熱處理單元之側視圖。
圖15係表示熱處理單元之動作之模式性側視圖。
圖16係表示熱處理單元之動作之模式性側視圖。
圖17係表示熱處理單元之動作之模式性側視圖。
圖18係表示熱處理單元之動作之模式性側視圖。
圖19係表示熱處理單元之動作之模式性側視圖。
圖20係表示熱處理單元之動作之模式性側視圖。
圖21係表示熱處理單元之動作之模式性側視圖。
圖22係表示熱處理單元之動作之模式性側視圖。
圖23係表示熱處理單元之動作之模式性側視圖。
圖24係表示熱處理單元之動作之模式性側視圖。
圖25係圖2之背面清洗單元之俯視圖。
圖26係圖2之背面清洗單元之側視圖。
圖27(a)及(b)係表示背面清洗單元之動作之俯視圖及側視圖。
圖28(a)及(b)係表示背面清洗單元之動作之俯視圖及側視圖。
圖29(a)及(b)係表示背面清洗單元之動作之俯視圖及側視圖。
圖30(a)及(b)係表示背面清洗單元之動作之俯視圖及側視圖。
圖31(a)及(b)係表示背面清洗單元之動作之俯視圖及側視圖。
圖32(a)及(b)係表示背面清洗單元之動作之俯視圖及側視圖。
圖33(a)及(b)係表示背面清洗單元之動作之俯視圖及側視圖。
圖34(a)~(c)係用以說明於本發明之一實施形態中定義之基板之周緣部及端部之圖。
以下，利用圖式對本發明之一實施形態之基板處理裝置及基板處理方法進行說明。再者，於以下說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板等。
(1)基板處理系統之構成
圖1係本發明之一實施形態之基板處理系統之模式性俯視圖。
於圖1及圖2以後之特定之圖中，為使位置關係明確，而標註表示相互正交之X方向、Y方向與Z方向之箭頭。X方向與Y方向於水平面內相互正交，Z方向相當於鉛垂方向。再者，於各方向，將箭頭所朝之方向設為+方向，將其相反之方向設為-方向。
如圖1所示，基板處理系統1000包括基板處理裝置100及電腦主機800。
基板處理裝置100包括裝載區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。傳遞區塊14包括清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式配置有曝光裝置15。
將搬入至裝載區塊11之未處理之基板W經由第1處理區塊12、第2處理區塊13及傳遞區塊14而搬送至曝光裝置15。於曝光裝置15中，藉由液浸法對基板W進行曝光處理。其後，將利用曝光裝置15進行曝光處理後之基板W經由傳遞區塊14、第2處理區塊13及第1處理區塊12而搬送至裝載區塊11。於各區塊12、13、14中，對基板W進行特定之處理。於各區塊12、13、14中對基板W進行之處理之詳細內容於下文敍述。
於該基板處理裝置100中，於一邊處理基板W一邊將其自裝載區塊11搬送至曝光裝置15為止之期間、及一邊處理基板W一邊將其自曝光裝置15搬送至裝載區塊11為止之期間，保持基板W之構件或支持基板W之構件不與基板W之端部接觸。藉此，防止因基板W之保持構件或支持構件與基板W之端部接觸而產生污染物質。又，防止污染物質轉印至基板W之端部。對本實施形態中之基板W之端部之定義於下文敍述。
如圖1所示，裝載區塊11包括複數個載具載置部111及搬送部112。於各載具載置部111，載置有多段地收納複數個基板W之載具113。
於搬送部112，設置有控制部114及搬送機構115。控制部114控制基板處理裝置100內之各構成要素。又，控制部114藉由有線通信或無線通信而連接於電腦主機800。於控制部114與電腦主機800之間進行 各種資料之收發。
搬送機構115具有用以保持基板W之手部116。手部116可與基板W之端部不接觸地吸附保持基板W之背面。手部116之詳細內容於下文敍述。搬送機構115一邊藉由手部116保持基板W一邊搬送該基板W。又，如下述圖5所示，於搬送部112，形成有用以於載具113與搬送機構115之間交接基板W之開口部117。
於搬送部112之側面，設置有主面板(main panel)PN。主面板PN連接於控制部114。使用者可利用主面板PN確認基板處理裝置100中之基板W之處理狀況等。
於主面板PN之附近，設置有例如包括鍵盤之操作部(未圖示)。使用者可藉由對操作部進行操作，而進行基板處理裝置100之動作設定等。
第1處理區塊12包括塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123。塗佈處理部121與熱處理部123係以隔著搬送部122而對向之方式設置。於搬送部122與裝載區塊11之間，設置有載置基板W之基板載置部PASS1及下述基板載置部PASS2~PASS4(參照圖5)。於基板載置部PASS1~PASS4，設置有不與基板W之端部接觸地支持基板W之背面之複數個支持銷(未圖示)。於搬送部122，設置有搬送基板W之搬送機構127及下述搬送機構128(參照圖5)。
第2處理區塊13包括塗佈顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。塗佈顯影處理部131與熱處理部133係以隔著搬送部132而對向之方式設置。於搬送部132與搬送部122之間，設置有載置基板W之基板載置部PASS5及下述基板載置部PASS6~PASS8(參照圖5)。基板載置部PASS5~PASS8(參照圖5)具有與上述基板載置部PASS1~PASS4(參照圖5)相同之構成。於搬送部132，設置有搬送基板W之搬送機構137及下述搬送機構138(參照圖5)。於第2處理區塊13內，於熱處理部133 與傳遞區塊14之間設置有襯墊(packing)145。
清洗乾燥處理區塊14A包括清洗乾燥處理部161、162及搬送部163。清洗乾燥處理部161、162係以隔著搬送部163而對向之方式設置。於搬送部163，設置有搬送機構141、142。
於搬送部163與搬送部132之間，設置有載置兼緩衝部P-BF1及下述載置兼緩衝部P-BF2(參照圖5)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2構成為可收容複數個基板W。於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2，被收容之複數個基板W分別由未圖示之支持構件支持。設置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2之支持構件構成為不與基板W之端部接觸地支持基板W之背面。
又，於搬送機構141、142之間，以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式，設置有基板載置部PASS9及下述載置兼冷卻部P-CP(參照圖5)。基板載置部PASS9具有與上述基板載置部PASS1~PASS4(參照圖5)相同之構成。載置兼冷卻部P-CP具備冷卻基板W之功能(例如散熱板(cooling plate))，且具有與下述冷卻單元CP(參照圖3)相同之構成。於載置兼冷卻部P-CP，將基板W冷卻至適合曝光處理之溫度。
於搬入搬出區塊14B，設置有搬送機構146。搬送機構146具有用以保持基板W之手部H7、H8(參照圖5)。手部H7、H8可不與基板W之端部接觸地吸附保持基板W之背面。手部H7、H8之詳細內容於下文敍述。
搬送機構146進行對於曝光裝置15之基板W之搬入及搬出。於曝光裝置15，設置有用以搬入基板W之基板搬入部15a及用以搬出基板W之基板搬出部15b。再者，曝光裝置15之基板搬入部15a及基板搬出部15b既可以於水準方向鄰接之方式配置，或亦可上下配置。
(2)塗佈處理部及顯影處理部之構成
圖2主要係表示圖1之塗佈處理部121、塗佈顯影處理部131及清 洗乾燥處理部161之基板處理系統1000之一方側視圖。
如圖2所示，於塗佈處理部121，分層地設置有塗佈處理室21、22、23、24。於各塗佈處理室21~24，設置有塗佈處理單元129。於塗佈顯影處理部131，分層地設置有顯影處理室31、33及塗佈處理室32、34。於各顯影處理室31、33，設置有顯影處理單元139，於各塗佈處理室32、34，設置有塗佈處理單元129。
各塗佈處理單元129包括吸附保持基板W之背面中央部之旋轉夾頭25、及以覆蓋旋轉夾頭25之周圍之方式設置之護罩(cup)27。於本實施形態中，旋轉夾頭25及護罩27係於各塗佈處理單元129中各設置2個。旋轉夾頭25藉由未圖示之驅動裝置(例如電動馬達)而旋轉驅動。
又，如圖1所示，各塗佈處理單元129包括噴出處理液之複數個噴嘴28及搬送該噴嘴28之噴嘴搬送機構29。
於塗佈處理單元129中，複數個噴嘴28中之任一噴嘴28藉由噴嘴搬送機構29而移動至基板W之上方。而且，藉由自該噴嘴28噴出處理液，而將處理液塗佈至由旋轉夾頭25保持之基板W之一面上。再者，於自噴嘴28對基板W供給處理液時，藉由未圖示之驅動裝置而使旋轉夾頭25旋轉。藉此，基板W旋轉。
於本例之塗佈處理室22、24之塗佈處理單元129中，將抗反射膜之塗佈液自噴嘴28供給至基板W之一面上作為處理液。於塗佈處理室21、23之塗佈處理單元129中，將抗蝕膜之塗佈液自噴嘴28供給至基板W之一面上作為處理液。於塗佈處理室32、34之塗佈處理單元129中，將抗蝕覆蓋膜(resist cover film)之塗佈液自噴嘴28供給至基板W之一面上作為處理液。
於以下說明中，將被供給抗蝕膜之塗佈液的基板之一面稱為基板之主面，將主面之相反側之基板之另一面稱為基板之背面。
如圖2所示，顯影處理單元139與塗佈處理單元129同樣地包括旋 轉夾頭35及護罩37。又，如圖1所示，顯影處理單元139包括噴出顯影液之2個狹縫噴嘴38及使該狹縫噴嘴38沿X方向移動之移動機構39。
於顯影處理單元139中，首先，一狹縫噴嘴38一邊沿X方向移動，一邊將顯影液供給至各基板W之主面上。其後，另一狹縫噴嘴38一邊移動，一邊將顯影液供給至各基板W之主面上。再者，於自狹縫噴嘴38對基板W供給顯影液時，藉由未圖示之驅動裝置而使旋轉夾頭35旋轉。藉此，基板W旋轉。
於本實施形態中，藉由於顯影處理單元139中對基板W供給顯影液，而除去基板W上之抗蝕覆蓋膜，並且進行基板W之顯影處理。又，於本實施形態中，自2個狹縫噴嘴38噴出相互不同之顯影液。藉此，可對各基板W供給2種顯影液。
於圖2之例中，塗佈處理單元129具有2個旋轉夾頭25及2個護罩27，顯影處理單元139具有3個旋轉夾頭35及3個護罩37，但旋轉夾頭25、35及護罩27、37之數量並不限定於比，可任意變更。
於清洗乾燥處理部161，設置有複數個(本例中為2個)清洗乾燥處理單元SD1a及複數個(本例中為2個)背面清洗單元SD1b。
各清洗乾燥處理單元SD1a包括吸附保持基板W之背面中央部之旋轉夾頭41、及以覆蓋旋轉夾頭41之周圍之方式設置之護罩43。旋轉夾頭41藉由未圖示之驅動裝置(例如電動馬達)而旋轉驅動。又，各清洗乾燥處理單元SD1a包括噴出清洗液之噴嘴42。
於由旋轉夾頭41保持基板W之狀態下，藉由未圖示之驅動裝置而使旋轉夾頭41旋轉，從而基板W旋轉。自噴嘴42向旋轉之基板W之主面之中心部噴出清洗液，而清洗基板W之主面。其後，停止自噴嘴42向基板W供給清洗液，且旋轉夾頭41之旋轉速度上升。藉此，甩掉附著於基板W之清洗液，而使基板W乾燥。如此般，於各清洗乾燥處理單元SD1a中，進行曝光處理前之基板W之主面之清洗乾燥處理。
於各背面清洗單元SD1b中，進行曝光處理前之基板W之背面之清洗處理。各背面清洗單元SD1b之詳細內容於下文敍述。
如圖1及圖2所示，於塗佈處理部121，以鄰接於塗佈顯影處理部131之方式設置有流體箱部50。同樣地，於塗佈顯影處理部131，以鄰接於清洗乾燥處理區塊14A之方式設置有流體箱部60。於流體箱部50及流體箱部60內，收納有與對塗佈處理單元129及顯影處理單元139供給藥液、以及自塗佈處理單元129及顯影處理單元139排液及排氣等相關之導管、接頭、閥、流量計、調整器(regulator)、泵、溫度調節器等流體相關機器。
(3)熱處理部之構成
圖3主要係表示圖1之熱處理部123、133及清洗乾燥處理部162之基板處理系統1000之另一方側視圖。
如圖3所示，熱處理部123具有設置於上方之上段熱處理部301及設置於下方之下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302之各者，設置有複數個熱處理單元PHP、複數個密接強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。
於熱處理單元PHP中，進行基板W之加熱處理及冷卻處理。熱處理單元PHP之詳細內容於下文敍述。於密接強化處理單元PAHP中，進行用以使基板W與抗反射膜之密接性提昇之密接強化處理。具體而言，於密接強化處理單元PAHP中，將HMDS(Hexamethyl Disilazane，六甲基二矽氮烷)等密接強化劑塗佈至基板W，並且對基板W進行加熱處理。於冷卻單元CP中，進行基板W之冷卻處理。密接強化處理單元PAHP及冷卻單元CP之各者包括可不與基板W之端部接觸地保持基板W使得基板W不橫滑之基板保持機構。本實施形態中，密接強化處理單元PAHP及冷卻單元CP之各者包括吸附保持基板W之背面之基板吸附片220(參照圖10)作為上述基板保持機構之一例。又，密接強化 處理單元PAHP及冷卻單元CP之各者包括對由基板吸附片220保持之基板W進行溫度處理之溫度處理裝置250(參照圖10)。
熱處理部133具有設置於上方之上段熱處理部303及設置於下方之下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304之各者，設置有冷卻單元CP、複數個熱處理單元PHP及邊緣曝光部EEW。
邊緣曝光部EEW包括旋轉夾頭98及光出射器99。旋轉夾頭98構成為可吸附保持基板W之背面中央部。旋轉夾頭98藉由未圖示之驅動裝置(例如電動馬達)而旋轉驅動。藉此，由旋轉夾頭98保持之基板W旋轉。光自光出射器99出射至由旋轉夾頭98保持且旋轉之基板W之外周緣部。以如上方式進行基板W之主面之周緣部之曝光處理(邊緣曝光處理)。對本實施形態中之基板W之周緣部之定義於下文敍述。
藉由對基板W進行邊緣曝光處理，而於後續之顯影處理時，除去基板W之周緣部上之抗蝕膜。藉此，於顯影處理後，防止基板W之周緣部上之抗蝕膜剝離而成為微粒。
於清洗乾燥處理部162，設置有複數個(本例中為5個)清洗乾燥處理單元SD2。各清洗乾燥處理單元SD2具有與圖2之清洗乾燥處理單元SD1a相同之構成。於各清洗乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後之基板W之主面之清洗乾燥處理。
(4)搬送部之構成 (4-1)概略構成
圖4主要係表示圖1之塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123之側視圖。圖5主要係表示圖1之搬送部122、132、163之側視圖。
如圖4及圖5所示，搬送部122具有上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132具有上段搬送室135及下段搬送室136。
於上段搬送室125設置有搬送機構127，於下段搬送室126設置有搬送機構128。又，於上段搬送室135設置有搬送機構137，於下段搬 送室136設置有搬送機構138。
如圖4所示，塗佈處理室21、22與上段熱處理部301係以隔著上段搬送室125而對向之方式設置，塗佈處理室23、24與下段熱處理部302係以隔著下段搬送室126而對向之方式設置。同樣地，顯影處理室31及塗佈處理室32(圖2)與上段熱處理部303(圖3)係以隔著上段搬送室135(圖5)而對向之方式設置，顯影處理室33及塗佈處理室34(圖2)與下段熱處理部304(圖3)係以隔著下段搬送室136(圖5)而對向之方式設置。
如圖5所示，於搬送部112與上段搬送室125之間，設置有基板載置部PASS1、PASS2，於搬送部112與下段搬送室126之間，設置有基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬送室125與上段搬送室135之間，設置有基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬送室126與下段搬送室136之間，設置有基板載置部PASS7、PASS8。
於上段搬送室135與搬送部163之間，設置有載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬送室136與搬送部163之間，設置有載置兼緩衝部P-BF2。於搬送部163，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。
載置兼緩衝部P-BF1構成為可利用搬送機構137及搬送機構141、142(圖1)進行基板W之搬入及搬出。載置兼緩衝部P-BF2構成為可利用搬送機構138及搬送機構141、142(圖1)進行基板W之搬入及搬出。 又，基板載置部PASS9及載置兼冷卻部P-CP構成為可利用搬送機構141、142(圖1)及搬送機構146進行基板W之搬入及搬出。
於圖5之例中，僅設置有1個基板載置部PASS9，但亦可上下地設置複數個基板載置部PASS9。於該情形時，亦可使用複數個基板載置部PASS9作為用以暫時載置基板W之緩衝部。
於基板載置部PASS1及基板載置部PASS3，載置自裝載區塊11向 第1處理區塊12搬送之基板W。於基板載置部PASS2及基板載置部PASS4，載置自第1處理區塊12向裝載區塊11搬送之基板W。
於基板載置部PASS5及基板載置部PASS7，載置自第1處理區塊12向第2處理區塊13搬送之基板W。於基板載置部PASS6及基板載置部PASS8，載置自第2處理區塊13向第1處理區塊12搬送之基板W。
於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2，載置自第2處理區塊13向清洗乾燥處理區塊14A搬送之基板W。於載置兼冷卻部P-CP，載置自清洗乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B搬送之基板W。於基板載置部PASS9，載置自搬入搬出區塊14B向清洗乾燥處理區塊14A搬送之基板W。
(4-2)搬送機構之構成
其次，對搬送機構127進行說明。圖6係表示搬送機構127之立體圖。
如圖5及圖6所示，搬送機構127包括長條狀之導軌311、312。如圖5所示，導軌311於上段搬送室125內以沿上下方向延伸之方式固定於搬送部112側。導軌312於上段搬送室125內以沿上下方向延伸之方式固定於上段搬送室135側。
如圖5及圖6所示，於導軌311與導軌312之間，設置有長條狀之導軌313。導軌313可上下移動地安裝於導軌311、312。於導軌313安裝有移動構件314。移動構件314係設置為可沿導軌313之長度方向移動。
於移動構件314之上表面，可旋轉地設置有長條狀之旋轉構件315。於旋轉構件315，安裝有用以保持基板W之手部H1及手部H2。手部H1、H2係設置為可沿旋轉構件315之長度方向移動。手部H1、H2構成為可不與基板W之端部接觸地吸附保持基板W之背面。手部H1、H2之詳細內容於下文敍述。
根據如上所述之構成，搬送機構127可於上段搬送室125內沿X方向及Z方向自如移動。又，搬送機構127可利用手部H1、H2對塗佈處理室21、22(圖2)、基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(圖5)及上段熱處理部301(圖3)進行基板W之交接。
再者，如圖5所示，搬送機構128、137、138具有與搬送機構127相同之構成。
(5)清洗乾燥處理區塊之構成
圖7係表示清洗乾燥處理區塊14A之內部構成之圖。再者，圖7係自圖1之曝光裝置15側觀察清洗乾燥處理區塊14A所得之圖。
如圖7所示，搬送機構141具有用以保持基板W之手部H3、H4，搬送機構142具有用以保持基板W之手部H5、H6。手部H3~H6構成為可不與基板W之端部接觸地吸附保持基板W之背面。手部H3~H6之詳細內容於下文敍述。
於搬送機構141之+Y側，分層地設置有複數個清洗乾燥處理單元SD1a及複數個背面清洗單元SD1b，於搬送機構142之-Y側，分層地設置有複數個清洗乾燥處理單元SD2。於搬送機構141、142之間，於-X側，上下地設置有載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
又，上段熱處理部303及下段熱處理部304之熱處理單元PHP構成為可自清洗乾燥處理區塊14A搬入基板W。
(6)基板處理裝置之各構成要素之動作
以下，對本實施形態之基板處理裝置100之各構成要素之動作進行說明。
(6-1)裝載區塊11之動作
以下，主要利用圖1及圖5說明裝載區塊11之動作。
於本實施形態之基板處理裝置100中，首先，於裝載區塊11之載具載置部111，載置收容有未處理之基板W之載具113。搬送機構115 自該載具113取出1片基板W，且將該基板W搬送至基板載置部PASS1。其後，搬送機構115自載具113取出另1片未處理之基板W，且將該基板W搬送至基板載置部PASS3(圖5)。
再者，於在基板載置部PASS2(圖5)載置有經處理之基板W之情形時，搬送機構115將未處理之基板W搬送至基板載置部PASS1後，自基板載置部PASS2取出該經處理之基板W。然後，搬送機構115將該經處理之基板W搬送至載具113。同樣地，於在基板載置部PASS4載置有經處理之基板W之情形時，搬送機構115將未處理之基板W搬送至基板載置部PASS3後，自基板載置部PASS4取出該經處理之基板W。然後，搬送機構115將該經處理基板W向載具113搬送且收容於載具113。
(6-2)第1處理區塊12之動作
以下，主要利用圖1~圖3及圖5對第1處理區塊12之動作進行說明。再者，以下，為簡便起見，省略搬送機構127、128沿X方向及Z方向之移動之說明。
藉由搬送機構115(圖5)而載置於基板載置部PASS1(圖5)之基板W係由搬送機構127(圖5)之手部H1取出。又，搬送機構127將保持於手部H2之基板W載置於基板載置部PASS2。再者，自手部H2被載置至基板載置部PASS2之基板W為顯影處理後之基板W。
其次，搬送機構127藉由手部H2而自上段熱處理部301(圖3)之特定之密接強化處理單元PAHP(圖3)取出密接強化處理後之基板W。又，搬送機構127將保持於手部H1之未處理之基板W搬入至該密接強化處理單元PAHP。
其次，搬送機構127藉由手部H1而自上段熱處理部301(圖3)之特定之冷卻單元CP取出冷卻處理後之基板W。又，搬送機構127將保持於手部H2之密接強化處理後之基板W搬入至該冷卻單元CP。於冷卻 單元CP中，將基板W冷卻至適合形成抗反射膜之溫度。
其次，搬送機構127藉由手部H2而自塗佈處理室22(圖2)之旋轉夾頭25(圖2)上取出形成抗反射膜後之基板W。又，搬送機構127將保持於手部H1之冷卻處理後之基板W載置於該旋轉夾頭25上。於塗佈處理室22中，藉由塗佈處理單元129(圖2)，而將抗反射膜形成於基板W上。
其次，搬送機構127藉由手部H1而自上段熱處理部301(圖3)之特定之熱處理單元PHP取出熱處理後之基板W。又，搬送機構127將保持於手部H2之形成抗反射膜後之基板W搬入至該熱處理單元PHP。於熱處理單元PHP中，連續地進行基板W之加熱處理及冷卻處理。
其次，搬送機構127藉由手部H2而自上段熱處理部301(圖4)之特定之冷卻單元CP(圖3)取出冷卻處理後之基板W。又，搬送機構127將保持於手部H1之熱處理後之基板W搬入至該冷卻單元CP。於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適合抗蝕膜形成處理之溫度。
其次，搬送機構127藉由手部H1而自塗佈處理室21(圖2)之旋轉夾頭25(圖2)取出形成抗蝕膜後之基板W。又，搬送機構127將保持於手部H2之冷卻處理後之基板W載置於該旋轉夾頭25上。於塗佈處理室22中，藉由塗佈處理單元129(圖2)，而將抗蝕膜形成於基板W上。
其次，搬送機構127藉由手部H2而自上段熱處理部301(圖3)之特定之熱處理單元PHP取出熱處理後之基板W。又，搬送機構127將保持於手部H1之形成抗蝕膜後之基板W搬入至該熱處理單元PHP。
其次，搬送機構127將保持於手部H2之熱處理後之基板W載置於基板載置部PASS5(圖5)。又，搬送機構127藉由手部H2而自基板載置部PASS6(圖5)取出顯影處理後之基板W。其後，搬送機構127將自基板載置部PASS6取出之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖5)。
藉由搬送機構127重複進行上述處理，而於第1處理區塊12內對複數個基板W連續地進行特定之處理。
搬送機構128藉由與搬送機構127相同之動作，而對基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8(圖5)、塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖4)進行基板W之搬入及搬出。
如此般，於本實施形態中，由搬送機構127搬送之基板W係於塗佈處理室21、22及上段熱處理部301中得到處理，由搬送機構128搬送之基板W係於塗佈處理室23、24及下段熱處理部302中得到處理。於該情形時，可於上方之處理部(塗佈處理室21、22及上段熱處理部301)及下方之處理部(塗佈處理室23、24及下段熱處理部302)同時進行複數個基板W之處理。藉此，不使搬送機構127、128對基板W之搬送速度變快，便可使第1處理區塊12之產出量(throughput)提昇。又，由於上下地設置有搬送機構127、128，故而可防止基板處理裝置100之佔據面積(footprint)增加。
再者，上述例中係於塗佈處理室22中之抗反射膜之形成處理前，於冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理，但只要可精確地形成抗反射膜，亦可不於抗反射膜之形成處理前在冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理。
(6-3)第2處理區塊13之動作
以下，主要利用圖1~圖3及圖5對第2處理區塊13之動作進行說明。再者，以下，為簡便起見，省略搬送機構137、138於X方向及Z方向之移動之說明。
藉由搬送機構127而載置於基板載置部PASS5(圖5)之基板W係由搬送機構137(圖5)之手部H1取出。又，搬送機構137將保持於手部H2之基板W載置於基板載置部PASS6。再者，自手部H2被載置至基板載置部PASS6之基板W為顯影處理後之基板W。
其次，搬送機構137藉由手部H2而自塗佈處理室32(圖2)之旋轉夾頭25(圖2)取出形成抗蝕覆蓋膜後之基板W。又，搬送機構137將保持於手部H1之形成抗蝕膜後之基板W載置於該旋轉夾頭25上。於塗佈處理室32中，藉由塗佈處理單元129(圖2)，而將抗蝕覆蓋膜形成於基板W上。
其次，搬送機構137藉由手部H1而自上段熱處理部303(圖3)之特定之熱處理單元PHP取出熱處理後之基板W。又，搬送機構137將保持於手部H2之形成抗蝕覆蓋膜後之基板W搬入至該熱處理單元PHP。
其次，搬送機構137藉由手部H2而自邊緣曝光部EEW(圖3)取出邊緣曝光處理後之基板W。又，搬送機構137將保持於手部H1之熱處理後之基板W搬入至邊緣曝光部EEW。如上述般，於邊緣曝光部EEW，進行基板W之邊緣曝光處理。
搬送機構137將保持於手部H2之邊緣曝光處理後之基板W載置於載置兼緩衝部P-BF1(圖5)，並且藉由該手部H2而自鄰接於搬入搬出區塊14A之上段熱處理部301(圖4)之熱處理單元PHP取出熱處理後之基板W。再者，自鄰接於搬入搬出區塊14A之熱處理單元PHP取出之基板W係曝光裝置15中之曝光處理已結束之基板W。
其次，搬送機構137藉由手部H1而自上段熱處理部303(圖3)之特定之冷卻單元CP(圖3)取出冷卻處理後之基板W。又，搬送機構137將保持於手部H2之曝光處理後之基板W搬入至該冷卻單元CP。於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適合顯影處理之溫度。
其次，搬送機構137藉由手部H2而自顯影處理室31(圖2)之旋轉夾頭35(圖2)取出顯影處理後之基板W。又，搬送機構137將保持於手部H1之冷卻處理後之基板W載置於該旋轉夾頭35上。於顯影處理室31中，藉由顯影處理單元139而進行抗蝕覆蓋膜之除去處理及顯影處理。
其次，搬送機構137藉由手部H1而自上段熱處理部303(圖4)之特定之熱處理單元PHP取出熱處理後之基板W。又，搬送機構137將保持於手部H2之顯影處理後之基板W搬入至熱處理單元PHP。其後，搬送機構137將自熱處理單元PHP取出之基板W載置於基板載置部PASS6(圖5)。
藉由搬送機構137重複進行上述處理，而於第2處理區塊13內對複數個基板W連續地進行特定之處理。
搬送機構138藉由與搬送機構137相同之動作，而對基板載置部PASS7、PASS8，P-BF2(圖5)、顯影處理室33(圖2)、塗佈處理室34(圖2)及下段熱處理部304(圖3)進行基板W之搬入及搬出。
如此般，於本實施形態中，由搬送機構137搬送之基板W係於顯影處理室31、塗佈處理室32及上段熱處理部303中得到處理，由搬送機構138搬送之基板W係於顯影處理室33、塗佈處理室34及下段熱處理部304中得到處理。於該情形時，可於上方之處理部(顯影處理室31、塗佈處理室32及上段熱處理部303)及下方之處理部(顯影處理室33、塗佈處理室34及下段熱處理部304)同時進行複數個基板W之處理。藉此，不使搬送機構137、138對基板W之搬送速度變快，便可使第2處理區塊13之產出量提昇。又，由於上下地設置有搬送機構137、138，故而可防止基板處理裝置100之佔據面積增加。
(6-4)清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B之動作
以下，主要利用圖5及圖7對清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B之動作進行說明。
於清洗乾燥處理區塊14A中，搬送機構141(圖7)利用手部H3取出藉由搬送機構137(圖5)而載置於載置兼緩衝部P-BF1之邊緣曝光後之基板W。
其次，搬送機構141藉由手部H4而自清洗乾燥處理部161(圖7)之 特定之清洗乾燥處理單元SD1a取出主面清洗乾燥處理後之基板W。又，搬送機構141將保持於手部H3之邊緣曝光後之基板W搬入至該清洗乾燥處理單元SD1a。
其次，搬送機構141藉由手部H3而自清洗乾燥處理部161(圖7)之特定之背面清洗處理單元SD1b取出背面清洗處理後之基板W。又，搬送機構141將保持於手部H4之主面清洗乾燥處理後之基板W搬入至該背面清洗處理單元SD1b。
其次，搬送機構141將保持於手部H3之主面清洗乾燥處理後且背面清洗處理後之基板W載置於載置兼冷卻部P-CP(圖5)。於載置兼冷卻部P-CP，將基板W冷卻至適合曝光裝置15(圖1)中之曝光處理之溫度。
其次，搬送機構141利用手部H3取出藉由搬送機構138(圖5)而載置於載置兼緩衝部P-BF2之邊緣曝光後之基板W。
其次，搬送機構141藉由手部H4而自清洗乾燥處理部161(圖7)之特定之清洗乾燥處理單元SD1a取出主面清洗乾燥處理後之基板W。又，搬送機構141將保持於手部H3之邊緣曝光後之基板W搬入至該清洗乾燥處理單元SD1a。
其次，搬送機構141藉由手部H3而自清洗乾燥處理部161(圖7)之特定之背面清洗處理單元SD1b取出背面清洗處理後之基板W。又，搬送機構141將保持於手部H4之主面清洗乾燥處理後之基板W搬入至該背面清洗處理單元SD1b。
其次，搬送機構141將保持於手部H3之主面清洗乾燥處理後且背面清洗處理後之基板W載置於載置兼冷卻部P-CP(圖5)。
如此般，搬送機構141自載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2交替地取出邊緣曝光後之基板W，且將該基板W經由清洗乾燥處理部161而搬送至載置兼冷卻部P-CP。
此處，收容於載具113(圖5)之基板W由搬送機構115(圖5)交替地搬送至基板載置部PASS1、PASS3(圖5)。又，塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部301(圖3)中之基板W之處理速度、與塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖3)中之基板W之處理速度大致相等。
又，搬送機構127(圖5)之動作速度與搬送機構128(圖5)之動作速度大致相等。又，顯影處理室31(圖2)、塗佈處理室32及上段熱處理部303(圖3)中之基板W之處理速度、與顯影處理室33(圖2)、塗佈處理室34及下段熱處理部304(圖3)中之基板W之處理速度大致相等。又，搬送機構137(圖5)之動作速度與搬送機構138(圖5)之動作速度大致相等。
因此，如上述般，藉由利用搬送機構141(圖7)交替地將基板W自載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖5)搬送至載置兼冷卻部P-CP，並自載具113被搬入至基板處理裝置100之基板W之順序、與自清洗乾燥處理區塊14A被搬送至載置兼冷卻部P-CP(圖5)之基板W之順序一致。於該情形時，基板處理裝置100中之各基板W之處理歷程之管理變得容易。
搬送機構142(圖7)藉由手部H5而取出載置於基板載置部PASS9(圖5)之曝光處理後之基板W。其次，搬送機構142藉由手部H6而自清洗乾燥處理部162(圖7)之特定之清洗乾燥處理單元SD2取出清洗乾燥處理後之基板W。又，搬送機構142將保持於手部H5之曝光處理後之基板W搬入至該清洗乾燥處理單元SD2。
其次，搬送機構142將保持於手部H6之清洗乾燥處理後之基板W搬送至上段熱處理部303之熱處理單元PHP(圖7)。於該熱處理單元PHP中，進行曝光後烘烤(PEB，Post Exposure Bake)處理。
其次，搬送機構142(圖7)藉由手部H5而取出載置於基板載置部PASS9(圖5)之曝光處理後之基板W。其次，搬送機構142藉由手部H6 而自清洗乾燥處理部162(圖7)之特定之清洗乾燥處理單元SD2取出清洗乾燥處理後之基板W。又，搬送機構142將保持於手部H5之曝光處理後之基板W搬入至該清洗乾燥處理單元SD2。
其次，搬送機構142將保持於手部H6之清洗乾燥處理後之基板W搬送至下段熱處理部304之熱處理單元PHP(圖7)。於該熱處理單元PHP中，進行PEB處理。
如此般，搬送機構142將載置於基板載置部PASS9之曝光處理後之基板W經由清洗乾燥處理部162而交替搬送至上段熱處理部303及下段熱處理部304。
於搬入搬出區塊14B中，搬送機構146(圖5)藉由手部H7而取出載置於載置兼冷卻部P-CP之基板W，且將其搬送至曝光裝置15之基板搬入部15a。又，搬送機構146藉由手部H8而自曝光裝置15之基板搬出部15b取出曝光處理後之基板W，且將其搬送至基板載置部PASS9。
再者，於曝光裝置15無法收入基板W之情形時，藉由搬送機構141(圖7)，而將清洗乾燥處理後之基板W暫時收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
又，於第2處理區塊13之顯影處理單元139(圖2)無法收入曝光處理後之基板W之情形時，藉由搬送機構137、138(圖5)，而將PEB處理後之基板W暫時收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
又，於因第1及第2處理區塊12、13之不良情況等而導致無法將基板W正常地搬送至載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2之情形時，亦可暫時停止利用搬送機構141自載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2搬送基板W，直至基板W之搬送變得正常為止。
(7)手部之構成
圖1之搬送機構115之手部116、圖7之搬送機構141之手部H3、H4、圖7之搬送機構142之手部H5、H6及圖5之搬送機構146之手部 H7、H8具有相同之構成。
圖8係表示圖1、圖5及圖7之手部116、H3~H8之構成之模式性俯視圖。如圖8所示，手部116、H3~H8之各者具有前方開放之大致C字形狀之導件HG。於導件HG之內周部，相對於沿導件HG之內周部形成之圓之中心以等角度間隔、且以向導件HG之內側分別延伸之方式設置有複數個(本例中為3個)支持片pr。於各支持片pr之前端部，設置有吸附部sm。於各吸附部sm，連接有樹脂製之管SL之一端。各管SL之另一端連接於吸氣裝置HS。
於手部116、H3~H8之各者，於3個吸附部sm上載置基板W。於該狀態下，藉由吸氣裝置HS動作，而分別利用3個吸附部sm吸附位於3個吸附部sm上之基板W之背面之3個部分。以此方式吸附保持基板W之背面。於該狀態下，搬送基板W。圖8中，以兩點鏈線表示由手部116、H3~H8保持之基板W。
圖9係表示圖6之手部H1、H2之構成之模式性俯視圖。如圖9所示，手部H1具有前方開放之大致C字形狀之導件HG。於導件HG之內周部，相對於沿導件HG之內周部形成之圓之中心以等角度間隔、且以朝向導件HG之內側之方式形成有複數個(本例中為3個)支持片pr。於各支持片pr之前端部，設置有吸附部sm。於各吸附部sm，連接有樹脂製之管SL之一端。各管SL之另一端連接於吸氣裝置HS。手部H1藉由手部支持構件318而安裝於旋轉構件315之一側部。於該狀態下，手部H1可沿旋轉構件315之長度方向移動。
手部H2具有與手部H1相同之構成。手部H2於相對於手部H1以平行於旋轉構件315之長度方向之軸為中心反轉之狀態下，藉由手部支持構件319而安裝於旋轉構件315之另一側部。
於手部H1、H2之各者，與上述手部116、H3~H8之例同樣地，藉由吸氣裝置HS動作而吸附保持基板W之背面。圖9中，以兩點鏈線 表示由手部H1保持之基板W。
如上述般，於本實施形態之基板處理裝置100中，搬送機構115、127、128、137、138、141、142、146之手部116、H1~H8之各者可不與基板W之端部接觸地吸附保持基板W之背面。
(8)基板吸附片及溫度處理裝置
圖10係用以說明圖3之密接強化處理單元PAHP及冷卻單元CP之各者所包含之基板吸附片220及溫度處理裝置250之模式圖。
如圖10所示，溫度處理裝置250包括基板載置板210、溫度調整體251及溫度調整部252。圖10中係以縱剖面圖表示基板載置板210。
圖11係圖10之基板載置板210之俯視圖。圖10所示之基板載置板210之縱剖面圖相當於圖11之A-A線處之基板載置板210之縱剖面圖。
如圖10及圖11所示，基板載置板210具有圓形狀之上表面。基板載置板210之上表面具有較基板W之直徑大之直徑。於基板載置板210之上表面之中央部分安裝有圓形狀之基板吸附片220。基板吸附片220例如由樹脂形成。基板吸附片220之直徑小於基板W之直徑。
於基板載置板210，形成有複數個(本例中為3個)支持銷***孔213a及複數個(本例中為2個)氣體抽吸孔214a。於基板吸附片220，形成有複數個(本例中為3個)支持銷***孔213b及複數個(本例中為2個)氣體抽吸孔214b。
以基板載置板210之複數個支持銷***孔213a及複數個氣體抽吸孔214a之位置、與基板吸附片220之複數個支持銷***孔213b及複數個氣體抽吸孔214b之位置相互一致之方式，於基板載置板210之上表面安裝有基板吸附片220。
於基板吸附片220之上表面220u，以向上方突出之方式形成有複數個(本例中為10個)突起部221及密封突起部222。密封突起部222以沿著基板吸附片220之外周部之方式形成。複數個突起部221以於密封 突起部222之內側之區域分散之方式形成。複數個突起部221及密封突起部222具有相同之高度。
於基板載置板210之下表面中之各氣體抽吸孔214a之形成部分，連接有管SL之一端。各管SL之另一端連接於吸氣裝置230。
於基板載置板210之內部設置有溫度調整體251。於圖3之密接強化處理單元PAHP中，溫度調整體251為雲母加熱器(mica heater)等發熱體。另一方面，於圖3之冷卻單元CP中，溫度調整體251為珀爾帖元件(Peltier element)等冷卻體。溫度調整體251之溫度由溫度調整部252調整。溫度調整部252例如受圖1之控制部114控制。再者，於圖3之冷卻單元CP中，亦可於基板載置板210之內部設置冷卻水之迴圈流路代替溫度調整體251。於該情形時，可藉由將冷卻水供給至迴圈路徑，而將基板載置板210之溫度調整為特定溫度。
如圖10所示，於圖3之密接強化處理單元PAHP及冷卻單元CP中，一併設置有基板吸附片220及溫度處理裝置250以及升降裝置260。於升降裝置260，可沿上下方向移動地安裝有連結構件261。安裝於升降裝置260之連結構件261係配置於基板載置板210之下方。
於連結構件261分別以沿上下方向延伸之方式安裝有複數個(本例中為3個)支持銷262。各支援銷262為具有圓形狀之剖面之棒狀構件。
複數個支持銷262之各者之直徑小於複數個支持銷***孔213a、213b之內徑。複數個支援銷262係配置為可藉由沿上下方向移動而分別***至複數個支持銷***孔213a、213b。
升降裝置260例如受圖1之控制部114控制。藉由升降裝置260動作，而連結構件261沿上下方向移動。藉此，複數個支持銷262之上端部分別通過複數個支持銷***孔213a、213b而於基板載置板210之上方之位置與較基板載置板210之上表面靠下方之位置之間移動。
於圖10及圖11之溫度處理裝置250中，以如下方式對基板W進行 溫度處理。
首先，升降裝置260使連結構件261上升。藉此，複數個支援銷262之各者之上端部移動至基板載置板210之上方之位置為止。於該狀態下，將基板W自未圖示之搬送機構交付至複數個支持銷262上。
其次，以複數個支援銷262之上端部移動至較基板載置板210之上表面靠下方之位置為止之方式，升降裝置260使連結構件261下降。藉此，基板W之背面抵接於基板吸附片220之複數個突起部221及密封突起部222之上端部，從而基板W之背面由基板吸附片220支持。於該情形時，由於基板吸附片220之直徑小於基板W之直徑，故而基板W之端部不與基板吸附片220接觸。
繼而，藉由吸氣裝置230動作，而基板W之背面與基板吸附片220之上表面220u之間之空間內之氣氛通過氣體抽吸孔214a、214b及管SL被吸氣裝置230抽吸。藉此，基板W之背面與基板吸附片220之上表面220u之間之空間成為負壓，從而基板W之背面由基板吸附片220吸附保持。於該狀態下，藉由調整溫度調整體251之溫度，而對基板W進行溫度處理(加熱處理或冷卻處理)。
其後，吸氣裝置230停止，升降裝置260使連結構件261上升。藉此，於基板W之背面由複數個支援銷262支援之狀態下，基板W移動至基板載置板210之上方之位置為止。複數個支持銷262上之基板W由未圖示之搬送機構接收。
如上述般，基板吸附片220不與基板W之端部接觸地吸附保持基板W之背面。因此，於圖3之密接強化處理單元PAHP及冷卻單元CP中，保持基板W之構件或支持基板W之構件不與基板W之端部接觸。藉此，可一邊防止污染物質之產生及污染物質向基板W之端部之轉印，一邊對基板W進行溫度處理。
又，於藉由基板吸附片220吸附保持基板W之背面之狀態下，對 基板W進行溫度處理。於該情形時，可一邊防止基板W變形，一邊對基板W進行均勻之溫度處理。
(9)熱處理單元 (9-1)熱處理單元之構成
圖12係圖3之熱處理單元PHP之立體圖，圖13係圖3之熱處理單元PHP之俯視圖，圖14係圖3之熱處理單元PHP之側視圖。
如圖12~圖14所示，熱處理單元PHP包括冷卻部400C、加熱部400H、殼體410、搬送機構420及擋板裝置474。冷卻部400C、加熱部400H及搬送機構420分別收容於殼體410內。圖12中省略擋板裝置474之圖示。又，圖13及圖14中省略殼體410之圖示。
殼體410具有長方體形狀。於殼體410之一側面410a(圖12)，形成有將殼體410之內部空間與搬送室(例如圖5之上段搬送室125或下段搬送室126等)之內部空間連通之開口部411。通過開口部411而進行對於熱處理單元PHP的基板W之搬入及基板W之搬出。再者，於圖3之複數個熱處理單元PHP中鄰接於清洗乾燥處理區塊14A之熱處理單元PHP中，於殼體410之清洗乾燥處理區塊14A側之側面亦形成有開口部(未圖示)。該開口部係用以於殼體410之內部空間與清洗乾燥處理區塊14A之間進行基板W之搬入及搬出。
於殼體410之內部，以沿自殼體410之一側面410a(圖12)朝向與該一側面410a對向之另一側面410b(圖12)之方向並列之方式，依次配置有冷卻部400C及加熱部400H。
如圖14所示，冷卻部400C包括基板載置板470、升降裝置460、連結構件461、複數個(本例中為3個)支持銷462及導熱片495。於基板載置板470內，形成有未圖示之冷卻水之迴圈流路。升降裝置460、連結構件461及複數個支持銷462之構成分別與圖10之升降裝置260、連結構件261及複數個支援銷262之構成相同。於基板載置板470，形成 有用以使複數個支持銷462通過之複數個支持銷***孔。於基板載置板470之上表面貼附有導熱片495。
加熱部400H包括圖10及圖11之基板吸附片220、吸氣裝置230、溫度處理裝置250、升降裝置260、連結構件261及複數個支持銷262。圖12~圖14中僅圖示圖10及圖11之溫度處理裝置250中之基板載置板210。本例中，溫度處理裝置250之溫度調整體251(圖10)為雲母加熱器等發熱體。
搬送機構420包括以沿上下方向延伸之方式設置之2條長條狀之導軌421、422。如圖12所示，於殼體410內，一導軌421固定於殼體410之一側面410a側，另一導軌422固定於殼體410之另一側面410b側。於導軌421與導軌422之間，設置有長條狀之導軌423。導軌423可上下移動地安裝於導軌421、422。於導軌423安裝有搬送臂430。搬送臂430係設置為可沿導軌423之長度方向移動。
搬送臂430為具有較基板W之外形大之外形之平板狀構件。搬送臂430包含鋁等金屬材料。於搬送臂430內，形成有複數個氣體路徑。如圖13所示，於搬送臂430之上表面，於搬送臂430之中央部形成有複數個(本例中為3個)開口部432b，於搬送臂430之一側邊附近形成有複數個(本例中為3個)開口部432a。形成於中央部之3個開口部432b與形成於一側邊附近之3個開口部432a通過分別形成於搬送臂430內之3個氣體路徑而連通。
搬送機構420進而包括吸氣裝置490。如圖12所示，於搬送臂430之形成於一側邊附近之3個開口部432a，連接有3根管SL之一端。3根管SL之另一端分別連接於吸氣裝置490。
如圖13所示，於搬送臂430之上表面，於複數個(本例中為3個)部分，分別安裝有複數個基板吸附片440。於各基板吸附片440之上表面，以向上方突出之方式形成有複數個突起部441及密封突起部442。 密封突起部442以沿著基板吸附片440之外周部之方式形成。複數個突起部441以於密封突起部442之內側之區域分散之方式形成。複數個突起部441及密封突起部442具有相同之高度。於各基板吸附片440之中央部形成有貫穿孔。以貫穿孔之部分與形成於搬送臂430之中央部之開口部432b中之任一者重合之方式，將各基板吸附片440安裝於搬送臂430。
藉由吸氣裝置490動作，而形成於搬送臂430之中央部之3個開口部432b上之氣氛通過基板吸附片440之貫穿孔、搬送臂430內之氣體路徑及管SL被吸氣裝置490抽吸。
又，於搬送臂430，以不與冷卻部400C之升降裝置460之複數個支援銷462干涉之方式設置有切口(狹縫)431。
於熱處理單元PHP中，擋板裝置474設置於冷卻部400C與加熱部400H之間。擋板裝置474包括擋板475及擋板驅動部476。
本例中，擋板驅動部476係使擋板475於較基板載置板470之上表面及基板載置板210之上表面靠上方之位置(以下稱為閉合位置)與較基板載置板470之上表面及基板載置板210之上表面靠下方之位置(以下稱為打開位置)之間移動。於擋板475位於閉合位置之情形時，殼體410內之包圍冷卻部400C之空間與包圍加熱部400H之空間由擋板475阻隔。另一方面，於擋板475位於打開位置之情形時，殼體410內之包圍冷卻部400C之空間與包圍加熱部400H之空間連通。
(9-2)熱處理單元之動作
對圖12~圖14之熱處理單元PHP之動作進行說明。圖15~圖24係表示熱處理單元PHP之動作之模式性側視圖。於圖15~圖24中，表示圖14所示之複數個構成要素中之一部分構成要素。
如圖15所示，於初始狀態下，冷卻部400C之複數個支持銷462之上端部分別位於基板載置板470之上方，搬送機構420之搬送臂430與 基板載置板470上之導熱片495接觸。又，加熱部400H之複數個支持銷262之上端部分別位於較基板載置板210之上表面靠下方處。進而，擋板475位於閉合位置。於該狀態下，將通過殼體410之開口部411(圖12)而搬入至熱處理單元PHP之基板W載置於冷卻部400C之複數個支持銷462上。
其次，如圖16所示，搬送機構420之搬送臂430上升至冷卻部400C之基板載置板470之上方之位置為止，並且冷卻部400C之複數個支持銷462下降至較基板載置板470之上表面靠下方之位置為止。藉此，將基板W自冷卻部400C之複數個支持銷462交付至搬送臂430，且將基板W載置於複數個基板吸附片440上。於該狀態下，藉由圖12之吸氣裝置490動作，而利用複數個基板吸附片440吸附保持基板W之背面。又，加熱部400H之複數個支持銷262之上端部分別上升至較基板載置板210之上表面靠上方之位置為止。進而，擋板475自閉合位置移動至打開位置。
其次，如圖17所示，搬送臂430自冷卻部400C之基板載置板470之上方之位置移動至加熱部400H之基板載置板210之上方之位置為止，圖12之吸氣裝置490之動作停止。繼而，搬送臂430下降至較複數個支持銷262之上端部靠下方之位置為止。藉此，如圖18所示，基板W載置於加熱部400H之複數個支持銷262上。其後，搬送臂430移動至冷卻部400C之基板載置板470之上方之位置為止。
其次，如圖19所示，加熱部400H之複數個支持銷262下降至較基板載置板210之上表面靠下方之位置為止。藉此，基板W載置於基板吸附片220上。於該狀態下，藉由圖12之吸氣裝置230動作，而利用基板吸附片220吸附保持基板W之背面。又，藉由搬送臂430下降，而搬送臂430與基板載置板470上之導熱片495接觸。藉此，於基板載置板470上冷卻搬送臂430。進而，擋板475自打開位置移動至閉合位置。 如上述般，於基板W由基板吸附片220吸附保持之狀態下，藉由圖10之溫度調整體251發熱，而加熱基板W。
其次，於圖12之吸氣裝置230之動作停止後，如圖20所示，加熱部400H之複數個支持銷262之上端部上升至較基板載置板210之上表面靠上方之位置為止。藉此，基板W由加熱部400H之複數個支持銷262支持。又，搬送機構420之搬送臂430上升至冷卻部400C之基板載置板470之上方之位置為止。進而，擋板475自閉合位置移動至打開位置。
其次，如圖21所示，搬送臂430自冷卻部400C之基板載置板470之上方之位置移動至加熱部400H之基板載置板210之上方之位置為止。繼而，搬送臂430上升至較加熱部400H之複數個支持銷262之上端部靠上方之位置為止。藉此，基板W由搬送臂430接收。此時，基板W載置於複數個基板吸附片440上。藉由圖12之吸氣裝置490動作，而利用基板吸附片440吸附保持基板W之背面。其後，如圖22所示，搬送臂430移動至冷卻部400C之基板載置板470之上方之位置為止。
其次，如圖23所示，搬送臂430下降直至與基板載置板470上之導熱片495接觸為止，擋板475自打開位置移動至閉合位置，加熱部400H之複數個支持銷262下降至較基板載置板210之上表面靠下方之位置為止。於該情形時，藉由搬送臂430與基板載置板470上之導熱片495接觸，而將基板W與搬送臂430一併於基板載置板470上冷卻。
最後，於圖12之吸氣裝置490之動作停止後，如圖24所示，冷卻部400C之複數個支持銷462之上端部上升至較基板載置板470之上表面靠上方之位置為止。藉此，基板W由冷卻部400C之複數個支持銷462支持。於該狀態下，藉由未圖示之搬送機構接收複數個支持銷462上之基板W。
如上述般，基板吸附片220、440不與基板W之端部接觸地吸附保 持基板W之背面。因此，於圖3之熱處理單元PHP中，保持基板W之構件或支持基板W之構件不與基板W之端部接觸。藉此，可一邊防止污染物質之產生及污染物質向基板W之端部之轉印，一邊對基板W進行溫度處理。
又，於藉由基板吸附片220、440吸附保持基板W之背面之狀態下，對基板W進行加熱處理及冷卻處理。於該情形時，可一邊防止基板W變形，一邊對基板W進行均勻之溫度處理。
(10)背面清洗單元 (10-1)背面清洗單元之構成
圖25係圖2之背面清洗單元SD1b之俯視圖，圖26係圖2之背面清洗單元SD1b之側視圖。背面清洗單元SD1b具有殼體701。於殼體701之一側面，形成有用以對背面清洗單元SD1b進行基板W之搬入及搬出之開口部701s。圖25及圖26中係以虛線表示殼體701。
於殼體701之內部，設置有基板清洗用殼體710。基板清洗用殼體710具有長方體形狀。於基板清洗用殼體710之上表面711之中央部，形成有較基板W之外形大之圓形開口部712。以隔著圓形開口部712而對向之方式，於基板清洗用殼體710之上表面711上設置有升降裝置720、730。
於基板清洗用殼體710內之下部，設置有馬達750。馬達750之旋轉軸751以自馬達750向上方延伸之方式設置。以旋轉軸751之軸心之延長線通過基板清洗用殼體710之圓形開口部712之中心之方式，配置有馬達750。於旋轉軸751之上端部，以水準姿勢安裝有大致Y字形之清洗刷760。清洗刷760之中心位於旋轉軸751之軸心上。清洗刷760包括自該中心部以等角度間隔向3個方向延伸之3根棒狀刷761。
又，於基板清洗用殼體710之內部，於以旋轉軸751之軸心為中心之假想圓c1上，以包圍旋轉軸751之方式且以沿上下方向延伸之方 式，設置有3根第1支持銷722。3根第1支持銷722之下端部分別連接於連結構件721。連結構件721安裝於升降裝置720。藉由升降裝置720動作，而連結構件721與3根第1支持銷722一併沿上下方向移動。於3根第1支持銷722之上端部，分別設置有3個吸附部sm。於各吸附部sm，連接有樹脂製之管SL之一端。各管SL之另一端連接於設置於基板清洗用殼體710內之吸氣裝置740a。
又，於基板清洗用殼體710之內部，於以旋轉軸751之軸心為中心之假想圓c2上，以包圍旋轉軸751之方式且以沿上下方向延伸之方式，設置有3根第2支持銷732。如圖25所示，假想圓c2之直徑大於假想圓c1之直徑，且小於基板W之直徑。3根第2支持銷732之下端部分別連接於連結構件731。連結構件731安裝於升降裝置730。藉由升降裝置730動作，而連結構件731與3根第2支持銷732一併沿上下方向移動。於3根第2支持銷732之上端部，分別設置有3個吸附部sm。於各吸附部sm，連接有樹脂製之管SL之一端。各管SL之另一端連接於設置於基板清洗用殼體710內之吸氣裝置740b。再者，圖26及下述圖27以後之圖式中係以影線表示連結構件721及3根第1支持銷722，以可容易地識別3根第1支持銷722及3根第2支持銷732。
進而，於基板清洗用殼體710之內部，自下方設置有以朝向圓形開口部712之中心之方式且相對於上下方向傾斜地配置之3個清洗液噴射噴嘴770。3個清洗液噴射噴嘴770係相對於旋轉軸751之軸心以等角度間隔配置。3個清洗液噴射噴嘴770分別連接於未圖示之清洗液供給系統。本例中係對清洗液噴射噴嘴770供給純水等清洗液。
(10-2)背面清洗單元之動作
對圖25及圖26之背面清洗單元SD1b之動作進行說明。圖27~圖33係表示背面清洗單元SD1b之動作之俯視圖及側視圖。於圖27~圖33之各者中，(a)表示背面清洗單元SD1b之俯視圖，(b)表示背面清洗 單元SD1b之側視圖。
圖27~圖33中，省略圖25及圖26之殼體701之圖示。於背面清洗單元SD1b之側視圖中，以虛線表示圖25及圖26之升降裝置720、730及基板清洗用殼體710。
於初始狀態下，藉由升降裝置720動作，而連結構件721上升，且3根第1支持銷722之3個吸附部sm分別上升至清洗刷760之上方之位置。另一方面，3根第2支持銷732之3個吸附部sm分別於清洗刷760之下方之位置得到保持。於該狀態下，如圖27(a)、(b)所示，通過殼體701之開口部701s(圖26)而被搬入至背面清洗單元SD1b之基板W係載置於3根第1支持銷722之3個吸附部sm上。若圖26之吸氣裝置740a動作，則基板W之背面由3根第1支持銷722之3個吸附部sm吸附保持。圖27(a)中，以符號p1表示基板W之背面之與3根第1支持銷722之3個吸附部sm接觸之部分。
其次，藉由升降裝置720動作，而如圖28所示，3根第1支持銷722下降至基板W之背面與清洗刷760接觸之高度。圖28(a)中，以符號ca表示基板W之背面之與清洗刷760接觸之部分。
其次，如圖29所示，自3個清洗液噴射噴嘴770向基板W之背面噴射清洗液(本例中為純水)。其後，藉由馬達750動作，而清洗刷760以旋轉軸751之軸心為中心旋轉特定角度。如本例般，於清洗刷760包括以等角度間隔向3個方向延伸之3根棒狀刷761之情形時，特定角度例如係設定為大於60°之角度。如此般一邊對基板W之背面供給清洗液，一邊利用清洗刷760物理地清洗基板W之背面之一部分區域。
其次，於停止對基板W噴射清洗液後，藉由升降裝置730動作，而如圖30所示，3根第2支持銷722上升，直至3根第2支持銷732之3個吸附部sm與基板W之背面接觸為止。其後，若圖26之吸氣裝置740b動作，則基板W之背面由3根第2支持銷732之3個吸附部sm吸附保持。圖 30(a)中，以符號p2表示基板W之背面之與3根第2支持銷732之3個吸附部sm接觸之部分。
其次，於圖26之吸氣裝置740a之動作停止後，藉由升降裝置720動作，而如圖31所示，3根第1支持銷722之3個吸附部sm分別下降至清洗刷760之下方之位置。
其次，如圖32所示，自3個清洗液噴射噴嘴770向基板W之背面噴射清洗液(本例中為純水)。其後，藉由馬達750動作，而清洗刷760再次以旋轉軸751之軸心為中心以特定角度(本例中為大於60°之角度)旋轉。如此般一邊對基板W之背面供給清洗液，一邊利用清洗刷760物理地清洗基板W之背面之其他區域。
其次，於停止對基板W噴射清洗液後，藉由升降裝置730動作，而如圖33所示，3根第2支持銷732之3個吸附部sm上升至清洗刷760之上方之位置。繼而，於圖26之吸氣裝置740b之動作停止後，藉由未圖示之搬送機構接收於3根第2支持銷732上得到支持之基板W。
如上述般，於藉由3個吸附部sm吸附保持基板W之背面之狀態下，基板W不旋轉而清洗基板W之背面整體。因此，於背面清洗單元SD1b中，保持基板W之構件或支持基板W之構件不與基板W之端部接觸。藉此，可一邊防止污染物質之產生及污染物質向基板W之端部之轉印，一邊清洗基板W之背面。
又，如上述般，於本實施形態中，形成抗蝕膜及抗蝕覆蓋膜，且進行特定之熱處理後，於利用曝光裝置15進行曝光處理前清洗基板W之背面。藉此，防止因污染物質附著於基板W之另一面而產生散焦。
(11)基板之周緣部及端部
圖34係用以說明於本發明之一實施形態中定義之基板W之周緣部及端部之圖。圖34(a)、(b)、(c)中表示相互不同之複數種基板W之一 部分放大側視圖。
於本實施形態中，將自基板W之主面及背面之一端向內側一定寬度d之區域稱為基板W之周緣部。又，所謂基板W之端部係指如圖34(a)、(b)、(c)中以粗實線所示般，除基板W之主面及背面之周緣部以外之基板W之端面。
圖34(a)之基板W具有2個傾斜端面。一傾斜端面自基板W之主面之一端向下方傾斜，另一傾斜端面自基板W之背面之一端向上方傾斜。於該情形時，基板W之端部包括2個傾斜端面。
圖34(b)之基板W具有2個傾斜端面及1個鉛垂端面。一傾斜端面自基板W之主面之一端向下方傾斜，另一傾斜端面自基板W之背面之一端向上方傾斜。於2個傾斜端面之間，形成有沿與基板W之主面及背面正交之方向延伸之鉛垂端面。於該情形時，基板W之端部包括2個傾斜端面及1個鉛垂端面。
圖34(c)之基板W包括自基板W之主面之一端至背面之一端沿上下方向彎曲之彎曲端面。於該情形時，基板W之端部包括彎曲端面。
(12)本實施形態之效果
如上述般，基板處理裝置100所包括之搬送機構115、127、128、137、138、141、142、146、420之各者係一邊不與基板W之端部接觸地保持基板W之背面一邊搬送基板W。
又，基板處理裝置100所包括之複數個塗佈處理單元129及複數個顯影處理單元139之各者係一邊不與基板W之端部接觸地保持基板W之背面一邊對基板W之主面供給處理液。
又，基板處理裝置100所包括之複數個熱處理單元PHP、複數個密接強化處理單元PAHP、複數個冷卻單元CP及複數個載置兼冷卻部P-CP之各者係一邊不與基板W之端部接觸地保持基板W之背面一邊對基板W進行溫度處理。
又，基板處理裝置100所包括之複數個邊緣曝光部EEW之各者係一邊不與基板W之端部接觸地保持基板W之背面一邊對基板W之主面進行邊緣曝光處理。
又，基板處理裝置100所包括之基板載置部PASS1~PASS9及載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2之各者係不與基板W之端部接觸地支持基板W之背面。
如此般，於本實施形態之基板處理裝置100中，保持基板W之構件或支持基板W之構件不與基板W之端部接觸。藉此，防止因基板W之保持構件或支持構件與基板W之端部接觸而產生污染物質。又，防止污染物質轉印至基板W之端部。其結果，防止因基板W之端部受到污染而產生基板之處理不良。
(13)其他實施形態
(13-1)於上述實施形態中，說明了於背面清洗單元SD1b設置有3根第1支援銷722及3根第2支持銷732之例。並不限定於比，亦可於背面清洗單元SD1b設置4根或5根第1支援銷722。又，亦可於背面清洗單元SD1b設置4根或5根第2支援銷732。於該情形時，較佳為清洗刷760包括與第1支持銷722及第2支持銷732之數量對應之數量之棒狀刷761。
(13-2)於上述實施形態之背面清洗單元SD1b中，藉由清洗刷760旋轉，基板W不旋轉而清洗基板W之背面整體。並不限定於比，亦可構成為3根第1支持銷722及3根第2支持銷732可繞通過圓形開口部712之中心之鉛垂軸旋轉。於該情形時，可藉由使3根第1支持銷722及3根第2支持銷732旋轉代替清洗刷760旋轉，而使基板W相對於清洗刷760相對移動。藉此，藉由不使清洗刷760旋轉而使基板W旋轉，可清洗基板W之背面。
(13-3)於上述實施形態之基板處理裝置100中，複數個清洗乾燥 處理單元SD1a、複數個背面清洗單元SD1b及複數個清洗乾燥處理單元SD2設置於傳遞區塊14。並不限定於比，複數個清洗乾燥處理單元SD1a、複數個背面清洗單元SD1b及複數個清洗乾燥處理單元SD2中之一部分或全部亦可設置於第1處理區塊12及第2處理區塊13中之至少一者。
(13-4)上述實施形態之基板處理裝置100不包括清洗基板W之端部之端部清洗機構。並不限定於比，基板處理裝置100亦可包括清洗基板W之端部之端部清洗機構。進而，端部清洗機構亦可具有藉由與基板W之端部接觸而清洗基板W之端部之清洗工具(例如清洗刷)。於該情形時，於基板處理裝置100中，用以保持基板W之構件或用以支持基板W之構件不與由清洗工具清洗後之基板W之端部接觸。因此，基板W之端部保持為更潔淨。
(13-5)上述實施形態中，於塗佈處理室32、34中，藉由塗佈處理單元129而將抗蝕覆蓋膜形成於基板W上，但於塗佈處理室21、23中，於形成具有耐水性之抗蝕膜之情形時，亦可不於塗佈處理室32、34中形成抗蝕覆蓋膜。
於該情形時，於邊緣曝光部EEW，檢查抗蝕膜之狀態作為基板W之表面狀態。
再者，於在基板W上未形成有抗蝕覆蓋膜之情形時，亦可不設置塗佈處理室32、34，或亦可於塗佈處理室32、34中進行抗蝕膜之形成或顯影處理等其他處理。
(13-6)於上述實施形態之基板處理裝置100中，設置於裝載區塊11之控制部114控制基板處理裝置100內之各構成要素。並不限定於比，於基板處理裝置100，亦可對每一區塊設置用以控制該區塊內之1個或複數個搬送機構及複數個單元之動作的區塊控制部。於該情形時，複數個搬送機構115、127、128、137、138、141、142、146、 420、複數個塗佈處理單元129、複數個顯影處理單元139、複數個熱處理單元PHP、複數個密接強化處理單元PAHP、複數個冷卻單元CP、複數個載置兼冷卻部P-CP及複數個邊緣曝光部EEW之各者係由所對應之區塊控制部控制。
(13-7)上述實施形態中係使用藉由液浸法進行基板W之曝光處理之曝光裝置15作為基板處理裝置100之外部裝置，但並不限定於比，亦可使用不利用液體而進行基板W之曝光處理之曝光裝置作為基板處理裝置100之外部裝置。
(13-8)上述實施形態中，於密接強化處理單元PAHP、冷卻單元CP及熱處理單元PHP，使用吸附保持基板W之背面之基板吸附片220作為保持基板W之構成要素之一例。並不限定於比，於密接強化處理單元PAHP、冷卻單元CP及熱處理單元PHP中，亦可於基板載置板210上設置複數個突起構件，代替於基板載置板210上設置基板吸附片220。於該情形時，藉由基板載置板210上之複數個突起構件，不吸附基板W之背面而支持基板W。
(14)技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應
以下，對技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述例。
上述實施形態中，基板W為基板之例，基板W之主面為一面之例，基板W之背面為另一面之一例，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，抗蝕膜之塗佈液及顯影液為處理液之例，塗佈處理單元129及顯影處理單元139之各者為處理液供給單元之例，密接強化處理單元PAHP及冷卻單元CP之各者為第1溫度處理單元之例。
又，搬送機構127、128、137、138之手部H1、H2之各者為第1保持部之例，搬送機構127、128、137、138之各者為第1搬送裝置之例，控制部114為控制部之例，旋轉夾頭25、35之各者為第2保持部之 例，噴嘴28及狹縫噴嘴38之各者為液體供給機構之例。
又，密接強化處理單元PAHP及冷卻單元CP之基板吸附片220為第3保持部之例，溫度處理裝置250為第1溫度處理裝置之例，手部H1~H8之吸附部sm、旋轉夾頭25、35及基板吸附片220之各者為吸附保持機構之例。
又，塗佈處理單元129為一處理液供給單元之例，顯影處理單元139為另一處理液供給單元之例，第1處理區塊12及第2處理區塊13為處理部之例，裝載區塊11為搬入搬出部之例，傳遞區塊14為交接部之例，曝光裝置15為曝光裝置之例，背面清洗單元SD1b為清洗單元之例，複數個第1支援銷722、複數個第2支援銷732及設置於各者之複數個吸附部sm為第4保持部之例，馬達750、旋轉軸751及清洗刷760為清洗機構之例。
又，圖27~圖30中以符號p1表示之基板W之背面之與第1支援銷722之吸附部sm接觸之部分為第1部分之例，圖30~圖33中以符號p2表示之基板W之背面之與第2支援銷732之吸附部sm接觸之部分為第2部分之例，複數個第1支援銷722及設置於該等之複數個吸附部sm為第1吸附保持機構之例，複數個第2支持銷732及設置於該等之複數個吸附部sm為第2吸附保持機構之例。
又，吸氣裝置740a、740b為切換機構之例，清洗刷760為清洗工具之例，馬達750及旋轉軸751為清洗工具移動機構之例，搬送機構141、142、146為第2搬送裝置之例，手部H3~H8為第5保持部之例，熱處理單元PHP為第2溫度處理單元之例。
又，冷卻部400C為冷卻部之例，加熱部400H為加熱部之例，搬送臂430及複數個基板吸附片440為第6保持部之例，搬送機構420為第3搬送裝置之例，基板載置板470為冷卻裝置之例，加熱部400H之基板吸附片220為第7保持部之例，加熱部400H之溫度處理裝置250為加 熱裝置之例。
作為技術方案之各構成要素，亦可使用具有技術方案所記載之構成或功能之其他各種要素。
[產業上之可利用性]
本發明可有效用於各種基板之處理。
11‧‧‧裝載區塊
12‧‧‧第1處理區塊
13‧‧‧第2處理區塊
14‧‧‧傳遞區塊
14A‧‧‧清洗乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
27‧‧‧護罩
28‧‧‧噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬送機構
37‧‧‧護罩
38‧‧‧狹縫噴嘴
39‧‧‧移動機構
50、60‧‧‧流體箱部
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧載具載置部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧載具
114‧‧‧控制部
115‧‧‧搬送機構
116‧‧‧手部
121‧‧‧塗佈處理部
122、132、163‧‧‧搬送部
123、133‧‧‧熱處理部
127、137、141、142、146‧‧‧搬送機構
129‧‧‧塗佈處理單元
131‧‧‧塗佈顯影處理部
139‧‧‧顯影處理單元
145‧‧‧襯墊
161、162‧‧‧清洗乾燥處理部
800‧‧‧電腦主機
1000‧‧‧基板處理系統
PASS1、PASS5、PASS9‧‧‧基板載置部
P-BF1‧‧‧載置兼緩衝部
PN‧‧‧主面板
W‧‧‧基板
X、Y、Z‧‧‧方向

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，其對具有一面及另一面之基板進行特定之處理，且包括：1個或複數個處理液供給單元，其對基板之上述一面供給處理液；溫度處理單元，其對由上述1個或複數個處理液供給單元供給上述處理液前或供給上述處理液後之基板進行溫度處理；1個或複數個清洗單元，其清洗由上述1個或複數個處理液供給單元供給上述處理液前或供給上述處理液後之基板之上述另一面；第1搬送裝置，其構成為包括不與基板之端部接觸地保持基板之上述另一面之第1保持部，且藉由使上述第1保持部移動而搬送基板；及控制部，其控制上述第1搬送裝置而於上述1個或複數個處理液供給單元中之任一者與上述溫度處理單元與上述1個或複數個清洗單元中之任一者之間搬送基板；且上述1個或複數個處理液供給單元之各者包括：第2保持部，其不與基板之端部接觸地保持基板之上述另一面；及液體供給機構，其對由上述第2保持部保持之基板之上述一面供給感光性膜之塗佈液或顯影液作為上述處理液；上述溫度處理單元包括：第3保持部，其不與基板之端部接觸地保持基板之上述另一面；及溫度處理裝置，其對由上述第3保持部保持之基板進行溫度處 理；上述1個或複數個清洗單元之各者包括：第4保持部，其不與基板之端部接觸地保持基板之上述另一面；及清洗機構，其清洗由上述第4保持部保持之基板之上述另一面；上述第4保持部包括：第1吸附保持機構，其吸附基板之上述另一面之第1部分；及第2吸附保持機構，其吸附基板之上述另一面之與上述第1部分不同之第2部分；上述清洗機構係構成為於藉由上述第1吸附保持機構保持基板而未藉由上述第2吸附保持機構保持基板之狀態下，清洗基板之上述另一面之除上述第1部分以外之區域，並且構成為於藉由上述第2吸附保持機構保持基板而未藉由上述第1吸附保持機構保持基板之狀態下，清洗基板之上述另一面之除上述第2部分以外之區域。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述1個或複數個清洗單元之各者進而包括切換機構，將上述第1吸附保持機構切換為吸附上述第1部分之吸附狀態與解除上述第1部分之吸附之解除狀態，並且將上述第2吸附保持機構切換為吸附上述第2部分之吸附狀態與解除上述第2部分之吸附之解除狀態。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述清洗機構包括：清洗工具，其構成為可與基板之上述另一面接觸；及清洗工具移動機構，其使上述清洗工具與基板之上述另一面接觸，並且使上述清洗工具對由上述第1或第2吸附保持機構保持之基板相對移動。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述清洗工具為清洗刷。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述1個或複數個清洗單元之各者構成為清洗由上述曝光裝置進行曝光處理前之基板之上述另一面。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述第1保持部、上述第2保持部及上述第3保持部之各者包括吸附基板之上述另一面之吸附保持機構。
  7. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述1個或複數個處理液供給單元包括複數個處理液供給單元；上述複數個處理液供給單元中之一處理液供給單元之液體供給機構係構成為對基板之上述一面供給感光性膜之塗佈液；上述複數個處理液供給單元中之其他處理液供給單元之液體供給機構係構成為對基板之上述一面供給顯影液。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其包括：處理部，其包括上述複數個處理液供給單元、上述溫度處理單元及上述第1搬送裝置；搬入搬出部，其構成為以鄰接於上述處理部之一端部之方式設置，且對上述處理部搬入基板及搬出基板；及交接部，其構成為配置於上述處理部之另一端部與對基板進行曝光處理之曝光裝置之間，且於上述處理部與上述曝光裝置之間進行基板之交接；且上述處理部及上述交接部中之至少一者包括上述1個或複數個清洗單元。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中上述交接部包括第2搬送裝置，上述第2搬送裝置構成為包括不與基板之端部接觸地保持基 板之上述另一面之第5保持部，且藉由使上述第5保持部移動而搬送基板；且上述控制部控制上述第2搬送裝置而於上述處理部與上述曝光裝置之間搬送基板。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中上述第5保持部包括吸附基板之上述另一面之吸附保持機構。
  11. 基板處理裝置，其對具有一面及另一面之基板進行特定之處理，且包括：1個或複數個處理液供給單元，其對基板之上述一面供給處理液；溫度處理單元，其對由上述1個或複數個處理液供給單元供給上述處理液前或供給上述處理液後之基板進行溫度處理；第1搬送裝置，其構成為包括不與基板之端部接觸地保持基板之上述另一面之第1保持部，且藉由使上述第1保持部移動而搬送基板；及控制部，其控制上述第1搬送裝置而於上述1個或複數個處理液供給單元中之任一者與上述溫度處理單元之間搬送基板；且上述1個或複數個處理液供給單元之各者包括：第2保持部，其不與基板之端部接觸地保持基板之上述另一面；及液體供給機構，其對由上述第2保持部保持之基板之上述一面供給感光性膜之塗佈液或顯影液作為上述處理液；上述溫度處理單元包括：冷卻部，其對基板進行冷卻處理；加熱部，其對基板進行加熱處理；第2搬送裝置，其構成為包括不與基板之端部接觸地吸附並保 持基板之上述另一面之第3保持部；及殼體，收容上述冷卻部、上述加熱部及上述第2搬送裝置；上述第2搬送裝置係構成為使上述第3保持部僅於上述殼體內移動；上述冷卻部包括冷卻裝置，上述冷卻裝置藉由與上述第3保持部接觸，而對由上述第3保持部保持之基板進行冷卻處理；上述加熱部包括：第4保持部，其不與基板之端部接觸地吸附並保持基板之上述另一面；及加熱裝置，其對由上述第4保持部保持之基板進行加熱處理；上述控制部係控制上述第2搬送裝置使保持基板之上述第3保持部與上述冷卻裝置接觸，並控制上述第2搬送裝置而於上述冷卻部與上述加熱部之間搬送由上述第3保持部保持之基板，且於上述第3保持部與上述加熱部之上述第4保持部之間進行基板之交接；並且控制上述第2搬送裝置，將由上述第1搬送裝置之上述第1保持部搬入上述殼體內之基板由上述第3保持部接收，且由上述第3保持部保持之基板被交付至上述第1搬送裝置之上述第1保持部而被從上述殼體內搬出。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述第1搬送裝置係構成為：使上述第1保持部於上述溫度處理單元之上述殼體之外部移動，進入上述溫度處理單元之上述殼體內，從上述溫度處理單元之上述殼體內退出。
  13. 一種基板處理方法，其係使用對具有一面及另一面之基板進行特定之處理之基板處理裝置者，且包括以下步驟：藉由第1保持部不與基板之端部接觸地保持基板之上述另一 面，並且藉由使上述第1保持部移動，而於1個或複數個處理液供給單元中之任一者與溫度處理單元與1個或複數個清洗單元中之任一者之間搬送基板；於上述1個或複數個處理液供給單元之各者中，藉由第2保持部不與基板之端部接觸地保持基板之上述另一面，並且對由上述第2保持部保持之基板之上述一面供給感光性膜之塗佈液或顯影液作為處理液；於上述溫度處理單元中，由上述1個或複數個處理液供給單元供給上述處理液前或供給上述處理液後，藉由第3保持部不與基板之端部接觸地保持基板之上述另一面，並且對由上述第3保持部保持之基板進行溫度處理；及洗淨步驟，於上述1個或複數個清洗單元之各者中，由上述1個或複數個處理液供給單元供給上述處理液前或供給上述處理液後，藉由第4保持部不與基板之端部接觸地保持基板之上述另一面，並清洗由上述第4保持部保持之基板之上述另一面；且上述第4保持部包括：第1吸附保持機構，其吸附基板之上述另一面之第1部分；及第2吸附保持機構，其吸附基板之上述另一面之與上述第1部分不同之第2部分；上述清洗步驟包括以下步驟：於藉由上述第1吸附保持機構保持基板而未藉由上述第2吸附保持機構保持基板之狀態下，清洗基板之上述另一面之除上述第1部分以外之區域；於藉由上述第2吸附保持機構保持基板而未藉由上述第1吸附保持機構保持基板之狀態下，清洗基板之上述另一面之除上述第2部分以外之區域。
  14. 一種基板處理方法，其係使用對具有一面及另一面之基板進行特定之處理之基板處理裝置者，且包括以下步驟：藉由第1保持部不與基板之端部接觸地保持基板之上述另一面，並且藉由使上述第1保持部移動，而於1個或複數個處理液供給單元中之任一者與溫度處理單元之間搬送基板；於上述1個或複數個處理液供給單元之各者中，藉由第2保持部不與基板之端部接觸地保持基板之上述另一面，並且對由上述第2保持部保持之基板之上述一面供給感光性膜之塗佈液或顯影液作為處理液；及於上述溫度處理單元中，由上述1個或複數個處理液供給單元供給上述處理液前或供給上述處理液後，對基板進行溫度處理之步驟；且上述溫度處理單元包括：冷卻部，其對基板進行冷卻處理；加熱部，其對基板進行加熱處理；搬送裝置，其構成為包括不與基板之端部接觸地吸附並保持基板之上述另一面之第3保持部，且藉由使上述第3保持部移動而搬送基板；及殼體，收容上述冷卻部、上述加熱部及上述搬送裝置；上述搬送裝置係構成為使上述第3保持部僅於上述殼體內移動；上述冷卻部包括冷卻裝置，藉由與上述第3保持部接觸，而對由上述第3保持部保持之基板進行冷卻處理；上述加熱部包括：第4保持部，其不與基板之端部接觸地吸附並保持基板之上述另一面；及 加熱裝置，其對由上述第4保持部保持之基板進行加熱處理；且上述溫度處理之步驟包含後述步驟：控制上述搬送裝置使得保持基板之上述第3保持部與上述冷卻裝置接觸，並控制上述搬送裝置而於上述冷卻部與上述加熱部之間搬送由上述第3保持部保持之基板，且於上述第3保持部與上述加熱部之上述第4保持部之間進行基板之交接；上述藉由使第1保持部移動而搬送基板之步驟包含以下步驟：控制上述搬送裝置，將由上述第1保持部搬入上述殼體內之基板由上述第3保持部接收，且由上述第3保持部保持之基板被交付至上述第1保持部而從上述殼體內搬出。
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