TWI504720B - Adhesive sheet - Google Patents

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Description

黏著薄片
本發明，是有關於黏著薄片，尤其是，有關於具有切割膠帶及黏晶薄膜的2種功能的黏著薄片。
最近開發了一種黏著薄片，合併了2種功能，即具有：為了將半導體晶圓切斷分離(切割)成各晶片時將半導體晶圓固定用的切割膠帶的功能；及將被切斷的半導體晶片黏著在導線架和封裝基板等，或是在堆疊封裝中，將半導體晶片彼此層疊、黏著的黏晶薄膜(也稱為晶片固定片)的功能。
這種黏著薄片，因為考慮朝晶圓的貼附、和切割時的朝環形框的安裝等的作業性，所以會施加預切斷加工(例如專利文獻1參照)。
被預切斷加工的黏著薄片的例，是如第11圖及第12圖所示。第11圖，是顯示將黏著薄片捲取成滾筒狀的狀態的圖，第12圖(a)，是從黏著薄片的黏接薄膜53側所見的俯視圖，第12圖(b)，是第12圖(a)的線B-B的剖面圖。黏著薄片50，是由：脫模薄膜51、及 黏著劑層52、及黏接薄膜53所構成。黏著劑層52，是對應晶圓的形狀被加工成圓形者，具有圓形標籤形狀。黏接薄膜53，是將對應切割用的環形框的形狀的圓形部分的周邊領域除去者，如圖示，具有：圓形標籤部53a、及將其外側包圍的周邊部53b。黏著劑層52及黏接薄膜53的圓形標籤部53a，是將其中心對齊地被層疊，且，黏接薄膜53的圓形標籤部53a，是將黏著劑層52覆蓋，且，由其周圍與脫模薄膜51接觸。黏接薄膜53，一般是將黏接劑層層疊在基材薄膜上。
將晶圓切割時，是從層疊狀態的黏著劑層52及黏接薄膜53將脫模薄膜51剝離，如第13圖所示，將半導體晶圓W的背面貼附在黏著劑層52上，將切割用環形框F黏接固定在黏接薄膜53的圓形標籤部53a的外周部。在此狀態下將半導體晶圓W切割，其後，依據需要對於黏接薄膜53施加紫外線照射等的硬化處理將半導體晶片拾取。此時，黏接薄膜53，會從黏著劑層52至剝離，使半導體晶片在背面附著黏著劑層52的狀態下被拾取。附著在半導體晶片的背面的黏著劑層52，其後，將半導體晶片黏著於導線架和封裝基板、或是其他的半導體晶片時，是作為黏晶薄膜的功能。
但是一般黏接薄膜53，是將黏著劑層52覆蓋，且，由其周圍與脫模薄膜51接觸，但是依據黏著劑層52的厚度，脫模薄膜51及黏接薄膜53之間極會產生些微的空隙，而具有空氣殘留的情況。此現象是60μm以 上的厚的黏著劑層52、和黏接薄膜53的彈性率是較高的情況時更顯著。這種脫模薄膜51及黏接薄膜53之間的空氣，也有會移動朝圓形標籤部53a的外側退離，因為大大地影響黏接薄膜53的物性，在單獨時不會成為問題。
但是黏著薄片50，在保管時及運送時被放置於低溫狀態(例如-20℃~5℃)，朝半導體晶圓W貼合時被加熱，在將半導體晶圓W加工時的使用時中被置於常溫狀態等，即被置於溫度變化的大的特殊的環境下。藉由這種溫度變化會使脫模薄膜51、及黏著劑層52、及黏接薄膜53的尺寸變化變大，在黏著劑層52及黏接薄膜53之間會發生空氣滲入空隙(氣洞)。氣洞會產生對於半導體晶圓W的貼合不良，其後的半導體晶圓W的切割過程和晶片的拾取過程、黏著過程中的成品率有可能下降。又，在本說明書中，空氣，是指黏接薄膜及脫模薄膜，或是黏著劑層及脫模薄膜之間的空氣，氣洞，是指黏著劑層及黏接薄膜之間的空氣。
氣洞是如上述會使成品率下降，且，在黏著劑層52及黏接薄膜53之間發生之後就不易移除，對於黏著薄片50成為非常地重大的問題。且，空氣，從氣洞發生的原理，因為愈多的話發展成氣洞的可能性愈高，所以能減少較佳。
抑制氣洞的對策，是例如在層疊薄片中形成朝厚度方向貫通黏接薄膜的基材薄膜及黏接劑層的貫通孔(例如專利文獻2的第1圖及第2圖參照)。如此成為在 黏接薄膜形成貫通孔的構成的話，黏著劑層及黏接薄膜之間的氣洞就不會發生，可以期待有效地抑制對於半導體晶圓的貼合不良。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-2173號公報
[專利文獻2]日本特開2008-153587號公報
但是將黏著劑層附的晶片從黏接劑層拾取的拾取過程之前，為了將晶片彼此的間隔擴大，提高由CCD照相機等所進行的晶片的辨認性，並且防止拾取時相鄰接的晶片彼此再癒合，而進行將黏接薄膜朝圓周方向拉長的擴大過程。在擴大過程中，為了更確實地防止再癒合，或是為了短縮生產節拍時間，而具有欲加大擴大量及/或擴大速度的情況。
但是在專利文獻2的黏著薄片中，因為貫通孔是設在黏接薄膜，所以若加大擴大量及/或擴大速度的情況，會具有黏接薄膜會以將該貫通孔為起點裂開的問題。尤其是從氣洞發生的原理，在黏著劑層的外周緣設置貫通孔是最有效果，在專利文獻2的晶圓加工膠帶中，貫通孔，是將黏接薄膜貫通的方式被設在黏著劑層的外周緣 部，但是在黏著劑層的被層疊的範圍及黏接薄膜單獨的範圍中，擴大時的擴張性是相異，因為黏著劑層的外周緣的擴張的負荷最大，所以擴大時，黏接薄膜容易裂開。
在此，本發明的目的，是提供一種黏著薄片，可以抑制在黏著劑層及黏接薄膜之間發生氣洞，減少對於半導體晶圓的貼合不良，且即使加大擴大量及/或擴大速度的情況，黏接薄膜也不會裂開可以良好地擴大。
為了解決上述的課題，本發明的黏著薄片，是一種黏著薄片，是呈滾筒狀捲取，具有：長條的脫模薄膜；及黏著劑層，呈標籤狀設在前述脫模薄膜上；及黏接薄膜，是將前述黏著劑層覆蓋，且具有：由前述黏著劑層的周圍與前述脫模薄膜接觸地設置的標籤部、及將前述標籤部的外側包圍的周邊部；其特徵為：將前述脫模薄膜貫通的貫通孔，是被設在比前述黏著劑層的被覆體貼合預定部分更外側且包含對應前述標籤部的內側的部分的位置。
且上述黏著薄片，是前述脫模薄膜及前述黏接薄膜的線膨脹率的差是250ppm/K以下較佳。
上述黏著薄片，是前述貫通孔，是通過前述黏著劑層的中心點且以與前述脫模薄膜的長度方向垂直的直線為基準，被設在從前述黏著劑層的中心點至±60°以內的範圍較佳。
且上述黏著薄片中，在前述黏接薄膜的標籤 部的外側具有沿著長度方向設置的支撐構件較佳。
上述黏著薄片，是前述黏著劑層，是具有在將前述脫模薄膜剝離之後應將前述黏著劑層貼附的對應被覆體的平面形狀較佳。
且上述黏著薄片，是前述黏接薄膜，是具有在將前述脫模薄膜剝離之後應將前述黏接薄膜貼附的對應被覆體的平面形狀較佳。
且上述黏著薄片，是前述貫通孔，是被設在包含與前述黏著劑層的外緣部接觸的部分的位置較佳。
依據本發明的話，可以抑制在黏著劑層及黏接薄膜之間發生氣洞，減少對於半導體晶圓的貼合不良，且即使加大擴大量及/或擴大速度的情況，黏接薄膜也不會裂開可以良好地擴大。
10、10’‧‧‧黏著薄片
11‧‧‧脫模薄膜
12‧‧‧黏著劑層
13‧‧‧黏接薄膜
13a‧‧‧圓形標籤部
13b‧‧‧周邊部
14‧‧‧貫通孔
15‧‧‧被覆體貼合預定部分
16‧‧‧支撐構件
[第1圖](a)，是示意本發明的實施例的黏著薄片的構造的俯視圖，(b)，是(a)的A-A剖面圖。
[第2圖]示意本發明的實施例的黏著薄片的變形例的構造的俯視圖。
[第3圖]示意本發明的實施例的黏著薄片的其他的變形例的構造的俯視圖。
[第4圖]示意本發明的實施例的黏著薄片的其他的變形例的構造的俯視圖。
[第5圖]示意本發明的實施例的黏著薄片的其他的變形例的構造的俯視圖。
[第6圖]示意本發明的實施例的黏著薄片的其他的變形例的構造的俯視圖。
[第7圖]示意本發明的實施例的黏著薄片的其他的變形例的構造的俯視圖。
[第8圖](a)，是示意本發明的其他的實施例的黏著薄片的構造的俯視圖，(b)，是(a)的A-A剖面圖。
[第9圖]顯示本發明的實施例、比較例的黏著薄片的貫通孔的形狀的圖。
[第10圖]顯示本發明的實施例、比較例的黏著薄片的貫通孔的位置的圖。
[第11圖]示意習知的黏著薄片是呈滾筒狀捲取樣子的所示的立體圖。
[第12圖](a)，是顯示習知的黏著薄片的構造的俯視圖，(b)，是(a)的B-B剖面圖。
[第13圖]顯示習知的黏著薄片及切割用環形框貼合的狀態的剖面圖。
 [第1實施例]
以下，依據圖面詳細說明本發明的實施例。第1圖(a)，是從本發明的實施例的黏著薄片的脫模薄膜側所見的俯視圖，第1圖(b)，是第1圖(a)的線A-A的剖面圖。
如第1圖(a)及第1圖(b)所示，黏著薄片10，是具有：長條的脫模薄膜11、及黏著劑層12、及黏接薄膜13，且具有切割膠帶及黏晶薄膜的2種功能的晶圓加工用膠帶。
黏著劑層12，是設在脫模薄膜11的第1面上，具有對應晶圓的形狀的圓形標籤形狀。黏接薄膜13，是具有：將黏著劑層12覆蓋且由黏著劑層12的周圍與脫模薄膜11接觸地設置的圓形標籤部13a、及將此圓形標籤部13a的外側包圍的周邊部13b。周邊部13b，是包含：將圓形標籤部13a的外側完全地包圍的形態、及如圖示的未完全地包圍的形態。圓形標籤部13a，是具有對應切割用的環形框的形狀。
以下，詳細說明本實施例的黏著薄片10的各構成要素。
(脫模薄膜)
本發明的黏著薄片10所使用的脫模薄膜11，是脫模薄膜11及黏接薄膜13的線膨脹率的差為250ppm/K以下的話不特別限定，可以使用：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)系、聚乙烯系、其他經脫模處理的薄膜等周知 者。脫模薄膜11的厚度，不特別限定，雖可以適宜地設定，但是25~75μm較佳。
如第1圖所示，在脫模薄膜11中，將脫模薄膜11貫通的圓形的貫通孔，是與黏著劑層12的外緣部接觸的方式，被設置。貫通孔14，是通過黏著劑層12的中心點且以脫模薄膜11的長度方向及垂直的直線a為基準，被設在從黏著劑層12的中心點至±60°以內的範圍(在第1圖中，線b-c的內側的領域R及線d-e的內側的領域R)。
貫通孔14的位置，不限定於與黏著劑層12的外緣部接觸的位置，在比黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15更外側且包含對應圓形標籤部13a的內側的部分的位置即可。例如，如第2圖所示，從對應脫模薄膜11中的黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15的外緣部的位置呈放射線狀地設置貫通孔14也可以。又，在本變形例中，將圓形的貫通孔14呈放射線狀配列，但是在比黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15更外側且包含對應圓形標籤部13a的內側的部分的位置，隨機設置貫通孔14也可以。
在此，比黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15更外側且對應圓形標籤部13a的內側的部分，是在脫模薄膜11中從與黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15的外緣部相面對的位置至在脫模薄膜11中與圓形標籤部13a的外緣部相面對的位置為止的領域R’。
且黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15，是使用黏著薄片10將半導體晶圓切割時，半導體晶圓應被貼合的位置，例如，從黏著劑層12的外緣部至10mm~25mm內側的位置。
且設置貫通孔14的位置，因為是在比黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15更外側且包含對應圓形標籤部13a的內側的部分即領域R’的位置即可，如第2圖所示，在從領域R’內及領域R’超出的位置設置貫通孔也可以。
貫通孔的目的，是排出：產生對於半導體晶圓的貼合不良的氣洞本身、和朝氣洞發展的前階段中的空氣者，因而有需要從黏著劑層12的半導體晶圓(被覆體)貼合預定部分15朝外側排出。在只有對應比黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15更內側的部分，或是只有對應黏接薄膜13的圓形標籤部13a的外側的部分設有貫通孔14的情況，在藉由黏著劑層12的厚度發生的脫模薄膜11及黏接薄膜13之間的空隙殘餘的空氣、和伴隨溫度變化的脫模薄膜11、及藉由黏著劑層12及黏接薄膜13的尺寸變化，因為無法將因空氣滲入黏著劑層12及黏接薄膜13之間而發生空隙(氣洞)，朝比黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15更外側排出，所以有需要在比黏著劑層12的被覆體貼合預定部分15外側且包含對應圓形標籤部13a的內側的部分的位置設置貫通孔14。
且設在對應黏著劑層12的外側的位置的話， 因為可以將空氣進行的方向朝黏著劑層12的外側誘導，所以空氣朝黏著劑層12及黏接薄膜13之間滲入而發展成氣洞的可能性可以極度降低。進一步，與黏著劑層12的外緣部接觸地設置的部分的話，因為空氣發展成氣洞可能性不只可降低，且可以將在黏著劑層12的外緣部發生的空氣立即排出，達成空氣本身的減少，所以效果較高。因此，將貫通孔14的個數作成最小限度的情況時，只有設在與黏著劑層12的外緣部接觸的部分較佳。
且設置貫通孔14的位置，不限定於通過黏著劑層12的中心點且以脫模薄膜11的長度方向及垂直的直線a為基準從黏著劑層12的中心點至±60°以內的範圍，如第3圖所示，設在以直線a為基準從黏著劑層的中心點至±90°全部的範圍也可以。但是，黏著薄片10，因為是成為呈滾筒狀捲取的製品，所以在脫模薄膜11的寬度方向具有貫通孔的話空氣就容易排除，氣洞的抑制效果大，因此貫通孔14，是以直線a為基準從黏著劑層12的中心點至±60°以內的範圍較佳，±45°以內的範圍更佳。
貫通孔14的形狀，只要可排除氣洞的話不限定於圓形，三角形、菱形、線形等也可以，但是從黏著劑層12的污染防止的觀點的話，線形較佳。線形的貫通孔，是例如，如第4圖所示的直線狀的貫通孔141也可以，如第5圖所示的波型的貫通孔142也可以，進一步，如第6圖所示的U字型的貫通孔143也可以，如第7圖所示的V字型的貫通孔144也可以。
貫通孔14的方向雖是設計事項，但是發明人等是藉由實驗發現以下較佳。即，貫通孔是圓形或正多角形的情況時，可以任意。貫通孔是「圓形或正多角形」以外的情況、及直線或波形的情況時，貫通孔的長度方向是設定成黏著劑層12和黏接薄膜13的標籤的圓周的接線之間儘可能平行即可。貫通孔是U字型、V字型的情況時，設定成各別在上述標籤的圓周的外側變凸即可。由此，氣洞容易朝向外側被排出。
又，在第4圖及第5圖中，貫通孔141、142的長度方向雖是與黏著劑層12和黏接薄膜13的標籤的圓周的接線平行地設置，但是與黏著劑層12和黏接薄膜13的標籤的圓周的接線垂直也可以，此情況，由包含領域R’的範圍即使連續地長地設置也可以。
進一步，貫通孔14，是適宜地組合上述的位置、形狀地設置也可以。
貫通孔14的最大寬度，較佳是50mm以下，更佳是0.01mm以上10mm以下，進一步較佳是0.1mm以上5mm以下。在0.01mm未滿中氣洞是排除不易，比50mm大的話空氣容易從脫模薄膜11的外側進入相反地具有誘發氣洞的危險性。最大寬度，是指貫通孔為線形的情況，從起點至終點為止的長度，線形以外的情況時，是指在孔的內側距離最長的部分。
貫通孔14的個數，是對於黏接薄膜13的圓形標籤部13a1個，較佳是1個以上150個以內，更佳是 6個以上100個以內，進一步較佳是8個以上64個以內。比150個多的話，空氣容易從脫模薄膜11的外側進入相反地具有誘發氣洞的危險性。
且對於黏接薄膜13的圓形標籤部13a1個，貫通孔14的個數是偶數的情況時，對於黏著劑層12的中心點配置成為點對稱的話，空氣容易排除，且氣洞的抑制效果大。
雖無關於貫通孔14的最大寬度及個數關係，但是考慮設置貫通孔14的場所是位於對應黏著劑層12的外緣部的位置，特別是通過黏著劑層12的中心點且以與脫模薄膜11的長度方向垂直的直線a為基準±60°以內的範圍內佳事的話，對於黏接薄膜13的圓形標籤部13a1個最大寬度×個數<黏著劑層的外周較佳，最大寬度×個數<黏著劑層的外周×2/3更佳。
(黏著劑層)
本發明的黏著劑層12，是如上述，形成於脫模薄膜11上，具有對應晶圓的形狀的圓形標籤形狀。對應晶圓的形狀的形狀，是與晶圓的形狀大致相同大小且大致相同形狀以外，也包含與晶圓的形狀大致相同形狀且比晶圓的大小更大的相似形。且，不一定需要圓形也可以，但是接近圓形的形狀較佳，圓形更佳。
黏著劑層12，是半導體晶圓是貼合被切割之後，將晶片拾取時，附著在晶片背面，作為將晶片固定於 基板和導線架時的黏著劑使用者。黏著劑層12，是可以使用從環氧系樹脂、丙烯系樹脂、酚系樹脂選擇之至少包含1種的黏著劑等較佳。其他，使用聚醯亞胺系樹脂和矽系樹脂也可以。其厚度雖可以適宜地設定，但是5~100μm程度較佳。
(黏接薄膜)
本發明的黏接薄膜13，是如上述，具有：對應切割用的環形框的形狀的圓形標籤部13a、及將其外側包圍的周邊部13b。這種黏接薄膜，可以是藉由預切斷加工，從薄膜狀黏接劑將圓形標籤部13a的周邊領域除去而形成。對應切割用的環形框的形狀的形狀，是與環形框的內側大致相同形狀且比環形框內側的大小更大的相似形。且，不一定需要圓形也可以，但是接近圓形的形狀較佳，圓形更佳。
黏接薄膜13，是脫模薄膜11及黏接薄膜13的線膨脹率的差成為250ppm/K以下的話，沒有特別限制，將晶圓切割時具有晶圓不會剝離的充分的黏接力，在切割後將晶片拾取時可容易地從黏著劑層剝離的較低的黏接力即可。例如，在基材薄膜設置黏接劑層者可以最佳地使用。
脫模薄膜11及黏接薄膜13的線膨脹率的差是250ppm/K以下的話，由冷藏保管~常溫，脫模薄膜11及黏接薄膜13的尺寸變化即使產生，因為兩者的尺寸變 化的差小使密合性被保持，所以可以防止膠帶13及脫模薄膜11剝離可成為空氣容易進入的狀態。因此，藉由與由貫通孔14所產生的氣洞的排出效果的相乘效果，可以在氣洞及空氣皆無的最佳的狀態下保管製品。
另一方面，脫模薄膜11及黏接薄膜13的線膨脹率的差是超過250ppm/K的話，冷藏保管~常溫中的尺寸變化的差變大，黏接膠帶13及脫模薄膜11容易剝離。如此的話，欲將氣洞排出而通過貫通孔，但相反地空氣會從外部滲入。但是，即使空氣從外部滲入，貫通孔是位於將空氣的進行朝黏著劑層12的外側誘導的位置的話，在使用黏著薄片10的常溫狀態下因為密合性會回復，所以空氣會朝黏著劑層12的外側被排出，因為不會作為氣洞殘存所以無問題。假設空氣即使殘餘，因為藉由貫通孔14使空氣的進行朝黏著劑層12的外側被誘導，成為留在黏接膠帶13及脫模薄膜11之間，黏接膠帶13及脫模薄膜11間的空氣因為不會引起半導體晶圓的貼合不良所以無問題。且，貫通孔14未位於將空氣的進行朝黏著劑層12的外側誘導的位置情況時，雖在氣洞容易產生的狀態下，但是氣洞即使發生因為從貫通孔14被排出即可，所以在容許範圍內。
黏接薄膜13的基材薄膜，是習知公知的話不特別限制皆可以使用，但是後述的黏接劑層是使用放射線硬化性的材料的情況時，使用具有放射線透過性者較佳。
例如，其材料可以列舉：聚乙烯、聚丙烯、 乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-酢酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸乙基共聚物、乙烯-丙烯酸甲基共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等的α-烯烴的均聚物或是共聚物或是這些的混合物、聚亞胺酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或是戊烯系共聚物、聚醯胺-聚酚共聚物等的熱可塑性彈性體、及這些的混合物。且，基材薄膜是從這些的群選擇2種以上的材料混合者也可以，這些是單層或被複層化者也可以。
基材薄膜的厚度，不特別限定，雖可以適宜地設定，但是50~200μm較佳。
被使用在黏接薄膜13的黏接劑層的樹脂，不特別限定，可以使用：被使用在黏接劑的公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂、聚亞胺酯樹脂、環氧樹脂等。在黏接劑層13的樹脂中，將丙烯系黏接劑、放射線聚合性化合物、光聚合開始劑、硬化劑等適宜摻合將黏接劑調製較佳。黏接劑層13的厚度是不特別限定，雖可以適宜地設定，但是5~30μm是較佳。
將放射線聚合性化合物摻合在黏接劑層的話，藉由放射線硬化就可以容易從黏著劑層剝離。其放射線聚合性化合物，是例如使用在可藉由光照射而三次元網狀化的分子內具有光聚合性碳-碳雙重結合至少2個以上的低分量化合物。
具體而言，可適用：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊 四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯和、寡糖酯丙烯酸酯等。
且如上述的丙烯酸酯系化合物之外，使用尿烷丙烯酸酯系低聚合物也可以。尿烷丙烯酸酯系低聚合物，是對於將聚酯型或是聚醚型等的聚酚化合物、及多異氰酸酯化合物(例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二亞甲基二異氰酸酯、1,4-苯二亞甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而得的異氰酸酯基封端的氨基甲酸酯預聚物，將具有羥基的丙烯酸酯或是甲基丙烯酸甲酯(例如2-羥基乙基丙烯酸酯、2-甲基丙烯酸羥乙酯、2-羥基丙基丙烯酸酯、2-羥基丙基甲基丙烯酸甲酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸等)反應而得。黏接劑層，是從上述的樹脂選擇的2種以上混合者也可以。
使用光聚合開始劑的情況，可以使用例如苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁基醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙噻噸酮、苄基二甲基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基環己基苯基酮基苯基丙烷等。這些光聚合開始劑的摻合量是對於丙烯系共聚物100質量部為0.01~5質量部較佳。
接著，說明本實施例的黏著薄片10的製造方法。
首先，藉由將長條狀的黏接薄膜13積層在設 有具有對應晶圓的形狀的圓形標籤形狀的黏著劑層12的長條狀的脫模薄膜11製造被貼合的層疊體。又，具有圓形標籤形狀的黏著劑層12，是將黏著劑清漆塗抹在脫模薄膜11並使乾燥，沖切成圓形，藉由將圓形部分的周邊的不要部分從脫模薄膜11剝離的方式進行預切斷加工形成即可。
接著，藉由從上述層疊體的黏接薄膜13側至脫模薄膜11的厚度方向的途中為止由刀鋒切入，將圓形標籤部13a及周邊部13b殘留將黏接薄膜13從脫模薄膜11剝離的方式進行預切斷加工。
貫通孔，是任意形成也可以，但是與黏著劑層或/及黏接薄膜的預切斷同時形成較佳。藉由在預切斷用的刀鋒設置對應貫通孔14的刀鋒，就可以與預切斷同時形成，可以將過程單純化。且，與黏著劑層12的預切斷同時進行的話，利用之後進行黏接薄膜13的預切斷時施加的切入的按壓和通道線上的壓輥等，將空氣移除也可以。
[第2實施例]
接著，說明第2實施例。本實施例的黏著薄片10’，是除了具有支撐構件16的點不同以外，可以適用與第1實施例所說明的同樣的構成、製造方法。
以下，說明與第1實施例不同的點。如第8圖(a)所示，支撐構件16，是被設在脫模薄膜11的寬 度方向兩端部。
支撐構件16的厚度，是相當於脫模薄膜11上的黏著劑層12及黏接薄膜13的圓形標籤部13a的層疊部分、及黏接薄膜13的周邊部13b的段差的厚度以上，即黏著劑層12的厚度以上即可。支撐構件是藉由具有這種厚度，將黏著薄片10捲取時，因為會在黏接薄膜13及與其表面重疊的脫模薄膜11的第2面11b之間形成有空間，所以在黏著劑層及黏接薄膜之間發生的氣洞就容易被排除。
又，支撐構件16，不限定於脫模薄膜11的寬度方向兩端部，設在對應黏著劑層12的外側的位置的話那裡也可以，但是成為呈滾筒狀捲取的製品時，黏著劑層12及黏接薄膜13的圓形標籤部13a和支撐構件16的層疊部分、及黏接薄膜13的周邊部13b的段差彼此重疊，從防止段差是被複寫在柔軟的黏著劑層12表面的觀點，是設在從脫模薄膜11的寬度方向兩端部至黏著劑層12為止的領域R”內較佳。
且在與設有脫模薄膜11的黏著劑層12及黏接薄膜13的第1面相反的第2面設置支撐構件16較佳。脫模薄膜11的第2面設在對應黏著劑層12的外側的位置的情況時，預切斷加工時將空氣拔取，將利用結束成為不需要的貫通孔14由支撐構件擋住也可以。
支撐構件16，是設在脫模薄膜11的寬度方向兩端部的情況時，雖可以沿著脫模薄膜11的長度方向間 斷或連續地設置，但是從更有效地抑制複寫痕的發生的觀點的話，沿著基材薄膜11的長度方向連續地設置較佳。
支撐構件16，是可以最佳地使用例如將黏著劑塗抹在樹脂薄膜基材的黏著膠帶。藉由將這種黏著膠帶，貼附在脫模薄膜11的第2面的兩端部分的預定位置，就可以形成本實施例的黏著薄片10’。黏著膠帶，是即使只有貼附一層也可以，將薄的膠帶層疊也可以。
黏著膠帶的基材樹脂，雖無特別限定，但是從耐熱性、平滑性、及容易取得度的觀點，從聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯、及高密度聚乙烯選擇較佳。對於黏著膠帶的黏接劑的組成及物性，沒有特別限定，在黏著薄片10的捲取過程及保管過程，不會從脫模薄膜11剝離即可。
<實施例>
以下，雖依據實施例進一步詳細說明本發明，但是本發明不限定於這些實施例。
如下述將黏接劑組成物及黏著劑組成物調製，由以下的方法製作黏著薄片，評價其性能。
(黏接劑組成物的調製) [黏接劑組成物1]
在溶劑的三烯400g中，將異辛酯340g、甲基丙烯酸甲酯13g、羥基丙烯酸酯60g、異丁烯酸0.5g、聚合開始 劑為過氧化苯甲酰的混合液，適宜地調整滴下量，進一步調整反應溫度及反應時間，而獲得重量平均分子量80萬的化合物(1)的溶液。接著，在化合物(1)的溶液，對於溶液中的化合物(1)100重量份，加上CORONATEL(日本聚亞胺酯工業股份有限公司製)2重量份作為聚異氰酸酯，加上酢酸乙基300重量份作為溶劑，攪拌而獲得黏接劑組成物1。
[黏接劑組成物2]
在上述化合物(1)的溶液，將放射性硬化性碳-碳雙重結合及具有功能群的化合物為2-異氰酸酯基乙基甲基丙烯酸酯2.5g、聚合禁止劑為對苯二酚，適宜地調整滴下量，進一步調整反應溫度及反應時間而獲得具有放射性硬化性碳-碳雙重結合的化合物(2)的溶液。以DSC測量化合物(2)的Tg時，為-49℃。接著，在化合物(2)的溶液，對於溶液中的化合物(2)100重量份，加上CORONATEL2重量份作為聚異氰酸酯，加上IRGACURE184(日本ciba-geigy公司製)1重量份作為光聚合開始劑，加上酢酸乙基300重量份作為溶劑，攪拌而獲得黏接劑組成物2。
(黏接薄膜的製作) [黏接薄膜1A]
在已被脫模處理的聚乙烯-對苯二甲酸乙二醇薄膜所 形成的剝離薄膜使黏接劑組成物1成為乾燥膜厚為25μm的方式進行塗抹，由110℃進行3分鐘乾燥之後，與由180℃擠壓出的厚度80μm的低密度聚乙烯薄膜貼合來製作線膨脹係數為260ppm/K的黏接薄膜1A。線膨脹係數是使用熱機械的分析裝置(理學電氣股份有限公司製)由以下的條件測量，讀取-20℃~+20℃的範圍的線膨脹率。
《測量條件》
機器：理學電氣股份有限公司製TMA8310
溫度範圍：-30~50℃
昇溫速度：5℃/min
測量負荷：49mN
環境氣體：N2
[黏接薄膜1B]
將黏接劑組成物2使成為乾燥膜厚為10μm的方式塗抹在由已脫模處理的聚乙烯-對苯二甲酸乙二醇薄膜形成的剝離薄膜，由110℃ 3分鐘乾燥之後，由180℃與被擠壓出的厚度80μm的乙烯-酢酸乙烯共聚物薄膜貼合，製作線膨脹係數為300ppm/K的黏接薄膜1B。線膨脹係數，是與上述同樣地進行測量。
[黏接薄膜1C]
將黏接劑組成物1使成為乾燥膜厚為10μm的方式塗抹在由已脫模處理的聚乙烯-對苯二甲酸乙二醇薄膜所形 成的剝離薄膜，由110℃ 3分鐘乾燥了之後，由170℃與被擠壓出的厚度100μm的聚氯乙烯薄膜貼合，製作線膨脹係數為380ppm/K的黏接薄膜1C。線膨脹係數，是與上述同樣地進行測量。
(脫模薄膜) [脫模薄膜2A]
使用厚度38μm的已脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜。線膨脹係數，經與上述黏接薄膜的線膨脹係數的測量同樣地由熱機械的分析裝置(理學電氣(株)製)進行測量後，為60ppm/K。
[脫模薄膜2B]
使用厚度38μm的已脫模處理的聚丙烯薄膜。將線膨脹係數，與上述黏接薄膜的線膨脹係數的測量同樣地由熱機械的分析裝置(理學電氣(株)製)進行測量後，為120ppm/K。
(黏著劑組成物的調製) [黏著劑組成物]
對於由甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(環氧當量197、分子量1200、軟化點70℃)15質量部、丙烯樹脂SG-P3(nagasechemtex股份有限公司製，質量平均分子量：85萬，玻璃轉移溫度12℃)70質量部、硬化劑為酚中間體 樹脂(羥當量104、軟化點80℃)15質量部，促進劑為CUREZOL2PZ(四國化成股份有限公司製，商品名：2-苯基咪唑)1部所構成的組成物，加上環己酮攪拌混合，進一步使用珠磨機攪拌90分，獲得黏著劑組成物。
(黏著劑層的形成) [黏著劑層A]
將上述黏著劑組成物，使乾燥後的膜厚成為40μm的方式，塗抹在脫模薄膜2A或脫模薄膜2B上，由110℃ 1分鐘加熱乾燥，形成B平台狀態(熱硬化性樹脂的硬化中間狀態)的塗膜，獲得黏著劑層3A後，冷藏保管。
[黏著劑層B]
將上述黏著劑組成物，使乾燥後的膜厚成為120μm的方式，塗抹在脫模薄膜2A或是脫模薄膜2B上，由110℃ 1分鐘加熱乾燥，形成B平台狀態(熱硬化性樹脂的硬化中間狀態)的塗膜，獲得黏著劑層3B後，冷藏保管。
(黏著薄片的製作)
將被冷藏保管的形成有黏著劑層3A的脫模薄膜2A返回至常溫，使朝脫模薄膜2A的切口深度成為15μm以下的方式進行調整將黏著劑層3A預切斷加工成直徑為220mm(圓周約691mm)的圓形。其後，將黏著劑層3A相反側~第9圖(a)的形狀的貫通孔在脫模薄膜2A中的 第10圖(a)所示的位置設置32個，將黏著劑層3A的不要部分除去，將黏接薄膜1A其黏接劑層與黏著劑層3A接觸的方式，由室溫積層在脫模薄膜2A。接著對於黏接薄膜1A，使朝脫模薄膜2A的切口深度成為15μm以下的方式調節，與黏著劑層呈同心圓狀地進行直徑270mm的圓形預切斷加工，製作實施例1的黏著薄片。
由與實施例1同樣的方法，由下述表3所示的組合，製作了實施例14的黏著薄片。
將形成有冷藏保管的黏著劑層3A的脫模薄膜2B返回至常溫，使朝脫模薄膜2B的切口深度成為15μm以下的方式調整將黏著劑層3A預切斷加工成直徑220mm(圓周約691mm)的圓形的同時，將第9圖(b)的形狀的貫通孔在脫模薄膜2B中的第10圖(b)所示的位置設置6個。其後，將黏著劑層3A的不要部分除去，將黏接薄膜1B使其黏接劑層與黏著劑層3A接觸的方式，由室溫積層在脫模薄膜2B。接著對於黏接薄膜1B，使朝脫模薄膜2B的切口深度成為15μm以下的方式調節，與黏著劑層呈同心圓狀地預切斷加工成直徑270mm的圓形，製作實施例2的黏著薄片。
由與實施例2同樣的方法，由下述表1~3所示的組合，製作了實施例3~13、15~19的黏著薄片。
將形成有冷藏保管的黏著劑層3A的脫模薄膜2B返回至常溫，使朝脫模薄膜2B的切口深度成為15μm以下的方式調整將黏著劑層3A預切斷加工成直徑220mm (圓周約691mm)的圓形。其後，將黏著劑層3A的不要部分除去，將黏接薄膜1B使其黏接劑層與黏著劑層3A接觸的方式，由室溫積層在脫模薄膜2B。接著對於黏接薄膜1A，使朝脫模薄膜2A的切口深度成為15μm以下的方式調節，與黏著劑層呈同心圓狀地預切斷加工成直徑270mm的圓形，製作了比較例1的黏著薄片。
將被冷藏保管的形成有黏著劑層3A的脫模薄膜2A返回至常溫，使朝脫模薄膜2A的切口深度成為15μm以下的方式進行調整將黏著劑層3A預切斷加工成直徑為220mm(圓周約691mm)的圓形。其後，將黏著劑層3A的不要部分除去，將黏接薄膜1A使其黏接劑層與黏著劑層3A接觸的方式，由室溫積層在脫模薄膜2A。接著對於黏接薄膜1A，使朝脫模薄膜2A的切口深度成為15μm以下的方式調節，與黏著劑層呈同心圓狀地預切斷加工成直徑270mm的圓形的同時，將第9圖(a)的形狀的貫通孔在黏接薄膜1A中的第10圖(a)所示的位置設置4個，製作了比較例2的黏著薄片。
由與比較例2同樣的方法，由下述表4、5所示的組合，製作了實施例3~11的黏著薄片。
又，第9圖(a)的貫通孔，是最大寬度(從起點至終點為止的長度)為0.1mm的直線形狀，第9圖(b)的貫通孔，是最大寬度(直徑)為1mm的圓形的形狀。且，第9圖(c)的貫通孔，是最大寬度(從起點至終點為止的長度)為0.01mm的圓弧形狀，第9圖(d) 的貫通孔，是最大寬度(從起點至終點為止的長度)為30mm的V字形狀。
第10圖(a)所示的設置貫通孔的位置，是比黏著劑層的被覆體貼合預定部分更外側且對應圓形標籤部的內側的部分，在第10圖(a)由斜線顯示的領域Ra。第10圖(b)所示的設置貫通孔的位置，是比黏著劑層的外緣部更外側且對應圓形標籤部的內側的部分，在第10圖(b)由斜線顯示的領域Rb。第10圖(c)所示的設置貫通孔的位置，是對應黏著劑層的外緣部的部分，在第10圖(c)由實線顯示的領域Rc。第10圖(d)所示的設置貫通孔的位置，是比黏著劑層的外緣部更外側且對應圓形標籤部的內側的部分，通過黏著劑層的中心點且以與脫模薄膜的長度方向垂直的直線a為基準從黏著劑層的中心點至±60°以內的範圍，在第10圖(d)由斜線顯示的領域Rd。第10圖(e)所示的設置貫通孔的位置，是對應黏著劑層的外緣部的部分，通過黏著劑層的中心點且以與脫模薄膜的長度方向垂直的直線a為基準從黏著劑層的中心點至±45°以內的範圍，在第10圖(e)由實線顯示的領域Re。第10圖(f)所示的設置貫通孔的位置，是比黏著劑層的外緣部更外側且對應圓形標籤部的內側的部分，通過黏著劑層的中心點且以與脫模薄膜的長度方向垂直的直線a為基準從黏著劑層的中心點至±45°以內的範圍，在第10圖(f)由斜線顯示的領域Rf。
貫通孔，是在實施例中，設在脫模薄膜的第 10圖所示的位置，在比較例2~11中，設在黏接劑層的第10圖所示的位置。
第9圖(a)的貫通孔，是在第10圖(a)~(f)的其中任一的情況，貫通孔的長度方向皆與黏著劑層和黏接薄膜的標籤的圓周的接線平行地設置。且，第9圖(c)、(d)的貫通孔，是在第10圖(a)~(f)的其中任一的情況，在標籤的圓周的外側皆設成凸。
貫通孔，是由等間隔設置，設在第10圖(a)、(b)、(d)、(f)所示的位置的情況時，呈放射線狀配列。
(特性評價試驗)
對於實施例1~19、比較例1~11的晶圓加工用膠帶，由下述的方式進行特性評價試驗。
[氣洞的抑制性評價]
將實施例及比較例的晶圓加工用膠帶，使圓形的形狀的黏接薄膜的數量成為300枚，並呈滾筒狀捲取，製作了晶圓加工用膠帶滾筒。所獲得的晶圓加工用膠帶滾筒是由保管了1個月電冰箱內(5℃)之後，包裝捆包並載置於運送用卡車往復於日本的平塚~神戸之間(約1000km)。卡車內是藉由乾冰保持-20℃的冷藏狀態。其後，將黏著薄片捲筒開梱，將晶圓加工用膠帶滾筒返回至常溫從將包裝袋開封，評價了實施例及比較例的晶圓加工 用膠帶的氣洞的抑制性。晶圓加工用膠帶的氣洞的抑制性，是以目視將氣洞的有無觀察，依據以下的評價基準，由◎、○、△、×的4階段進行評價。
◎(優良品)：即使從各種的角度目視觀察也無法確認氣洞及空氣。
○(良品)：黏接薄膜及脫模薄膜之間可以確認若干的空氣。
△(容許品)：黏著劑層及脫模薄膜之間可以確認若干的空氣。
×(不良品)：黏著劑層及黏接薄膜之間可以確認氣洞。
[擴大性評價]
使用氣洞的無黏著劑層及黏接薄膜是被層疊的標籤如以下地評價了擴大性。將標籤的黏著劑層由70℃ 1分鐘加熱並貼合於厚度75μm的半導體晶圓之後，固定在環形框，將半導體晶圓切割成10mm×10mm的晶片。其後，只有使用黏接薄膜1B的黏著薄片(實施例2、5、11、13及比較例1、6)藉由氣冷式高壓水銀燈(80W/cm、照射距離10cm)被照射紫外線200mJ/cm2 ，藉由晶片黏著裝置，由擴大量15mm、擴大速度30mm/sec將半導體晶圓附黏著薄片擴張，進行擴大性評價。擴大性評價是依據以下的評價基準，由○、×的2階段評價。
○(良品)：黏接薄膜能不裂開地擴張
×(不良品)：在黏接薄膜被確認裂開
各實施例、比較例中的上述試驗的結果如表1~5所示。
如表1~3所示，實施例1~19，因為是將脫模薄膜 貫通的貫通孔，是設在比黏著劑層的被覆體貼合預定部分外側且包含對應標籤部的內側的部分的位置，所以即使加大擴大量及速度仍可以進行良好地擴大。
且實施例1~13，是如表1、2所示，脫模薄膜及黏接薄膜的線膨脹率的差因為是250ppm/K以下，所以可以非常地良好地抑制氣洞。實施例17~19，是如表3所示，因為脫模薄膜及黏接薄膜的線膨脹率的差是超過250ppm/K，所以可見到空氣的滲入。但是，因為貫通孔是限定於通過黏著劑層的中心點且以與脫模薄膜的長度方向垂直的直線a為基準從黏著劑層的中心點至±60°的範圍地設置，所以黏接薄膜及脫模薄膜之間只有若干的空氣殘存，可以良好地抑制成為晶圓的貼合不良的原因的氣洞。實施例14~16，是如表3所示，因為脫模薄膜及黏接薄膜的線膨脹率的差超過250ppm/K，所以空氣的侵入被確認，且，因為貫通孔是通過黏著劑層的中心點且以與脫模薄膜的長度方向垂直的直線a為基準從黏著劑層的中心點在±90°的範圍地設置，所以空氣的滲入量較多，黏著劑層及脫模薄膜之間也被確認。如此，空氣進行的方向沒有朝黏著劑層12的外側被誘導，氣洞容易產生的黏著薄片，因為可以藉由貫通孔的氣洞排出效果無法確認氣洞，而成為容許範圍的結果。
另一方面，如表4所示，比較例1，因為未設有貫通孔，雖擴大性成為良好的結果，但是黏著劑層及黏接薄膜之間氣洞被確認。且，如表4、5所示，比較例2 ~11，因為是在黏接薄膜設置貫通孔，加大擴大量及速度擴大的話，黏接薄膜已裂開。
又，比較例2~6，是如表4所示，脫模薄膜及黏接薄膜的線膨脹率的差因為是250ppm/K以下，所以氣洞的抑制非常地良好。另一方面，比較例9~11，是如表5所示，因為脫模薄膜及黏接薄膜的線膨脹率的差超過250ppm/K，所以黏接薄膜及脫模薄膜之間若干的空氣被確認，但是氣洞未被確認。比較例7、8，是如表5所示，因為脫模薄膜及黏接薄膜的線膨脹率的差超過250ppm/K，空氣的侵入被確認，且，因為貫通孔是通過黏著劑層的中心點且以與脫模薄膜的長度方向垂直的直線a為基準從黏著劑層的中心點至±90°的範圍地設置，所以黏著劑層及脫模薄膜之間也被確認。
從這些的實施例及比較例可知，本發明的黏著薄片，可以抑制在黏著劑層及黏接薄膜之間發生氣洞，減少對於半導體晶圓的貼合不良，且即使加大擴大量及/或擴大速度的情況，黏接薄膜也不會裂開可以良好地擴大。
10‧‧‧黏著薄片
11‧‧‧脫模薄膜
12‧‧‧黏著劑層
13‧‧‧黏接薄膜
13a‧‧‧圓形標籤部
13b‧‧‧周邊部
14‧‧‧貫通孔
15‧‧‧被覆體貼合預定部分

Claims (7)

  1. 一種黏著薄片，是呈滾筒狀捲取，具有：長條的脫模薄膜；及黏著劑層，呈標籤狀設在前述脫模薄膜上；及黏接薄膜，是將前述黏著劑層覆蓋，且具有：由前述黏著劑層的周圍與前述脫模薄膜接觸地設置的標籤部、及將前述標籤部的外側包圍的周邊部；其特徵為：將前述脫模薄膜貫通的貫通孔，是被設在比前述黏著劑層的被覆體貼合預定部分更外側且包含對應前述標籤部的內側的部分的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之黏著薄片，其中，前述脫模薄膜及前述黏接薄膜的線膨脹率的差是250ppm/K以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著薄片，其中，前述貫通孔，是通過前述黏著劑層的中心點且以與前述脫模薄膜的長度方向垂直的直線為基準，被設在從前述黏著劑層的中心點至±60°以內的範圍。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著薄片，其中，在前述黏接薄膜的標籤部的外側具有沿著長度方向設置的支撐構件。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著薄片，其中， 前述黏著劑層，是具有在將前述脫模薄膜剝離之後應將前述黏著劑層貼附的對應被覆體的平面形狀。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著薄片，其中，前述黏接薄膜，是具有在將前述脫模薄膜剝離之後應將前述黏接薄膜貼附的對應被覆體的平面形狀。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著薄片，其中，前述貫通孔，是被設在包含與前述黏著劑層的外緣部接觸的部分的位置。
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