TWI502886B - 低功率，低潛時之電源閘裝置以及方法 - Google Patents

Description

低功率，低潛時之電源閘裝置以及方法

本揭露大體上係關於電子電路。本揭露尤其是(但並非唯一)關於一種電源閘電路。

電源閘技術通常涉及當某些電子元件處於未使用時，如在休眠或待命模式中，關掉或降低供應給上述電子電路元件的電源。

控制衝擊電流係為其中一項電源閘技術的挑戰。例如，有些電子元件可能無法容忍所供應電流的短期劇增/增加一當電源閘電路導通電源給上述電子元件時、當在所供應電流達到一較低穩定狀態準位之前可能有一衝擊電流之初始高準位，此高電流會成為重大不利的問題。

為了對付衝擊電流，傳統的電源閘方法/電路提供專用的額外延遲元件。延遲元件運作以提供延遲給供應電壓來從較低準位增強至較高(例如接近或幾乎等於全運作)準位。儘管供應電壓的延遲增強可試圖對付高衝擊電流的問題，但額外的延遲單元在主動及休眠/待命模式期間皆會促進功率耗損。再者，額外的延遲單元減緩傳統電源閘電路的關閉速度，使得在電源閘電路能降低電源給電子元件之前，於關閉過程期間有一些功率耗損量。

本文中說明用來提供電源閘能力的方法以及裝置之實施例。在下列說明中，提出許多具體細節以提供實施例之全盤了解。無須一或更多具體細節，或利用其他方法、元件、材料等，就能實施本實施例。在其他例子中，並未詳細顯示或描述熟知的結構、材料、或操作以免模糊實施例之態樣。

在本說明書內參考「一個實施例」或「一實施例」表示關於實施例所述之特定特徵、結構、或特色係包括在至少一實施例中。因此，在本說明書之各處中的「在一個實施例中」或「在一實施例中」之措辭的出現不一定皆指相同實施例。另外，特定特徵、結構、或特性可以任何適當方式結合在一或更多實施例中。

一實施例提出一種低功率、低潛時之電源閘(LPLLPG)電路，可用來關掉或以其他方式降低提供給電子元件的電源。電子元件可包括負載、一部分積體電路上的電路部分、或可供應電源並存在於系統中的其他電子元件，其中此系統會當在某些模式中(如在休眠或待命模式中)時藉由使供應至上述電子元件的電源關掉或以其他方式降低來更好地運作。

根據一實施例，衝擊電流可藉由適當地依電源閘電路中的至少一電晶體之尺寸來控制，而在上述之傳統方法中，控制衝擊電流係藉由使用一些額外的延遲元件來進行。在一實施例中，在待命狀態和主動狀態下的電源閘電路之功率耗損都可藉由不使用這種額外的延遲元件來降低。

根據在導通期間的一實施例，以低衝擊電流增強閘電壓供應(本文中稱為電壓供應VCCPG)的延遲係藉由施加/使用電壓供應VCCPG上的邏輯來產生。直到電壓VCCPG已增強至接近非閘電壓供應(本文中稱為電壓供應VCC)之準位，此邏輯才導通電源閘電路中多數的電晶體(電源開關)。

不使用額外的延遲單元之電源閘電路的一實施例之另一特徵係為極快的關閉時間。如先前針對傳統的電源閘電路所述，額外的延遲單元減緩關閉速度，因此在關掉或降低供應電源之前造成一些功率耗損。在一實施例中缺少上述額外的延遲單元能使關閉時間更快。此更快的關閉時間又在每次切換電源閘以關掉或降低供應電源時達成能源節省。

第1圖繪示依照一實施例的電源閘電路100。電源閘電路100可具有如第1圖所示之複數個電路區塊。每個電路區塊在其中可又具有一或更多電子元件，其耦接非閘電壓供應VCC。

第一區塊102(標記為「衝擊電流限制器」)係配置在一實施例中以限制或降低從非閘電壓供應VCC流到閘電壓供應VCCPG之衝擊電流的電流改變量和速率。區塊102包括耦接一接收輸入信號pgenb之緩衝器106的場效電晶體或「FET」(如P型或PFET電晶體104)。如以下將參考第2圖及別處詳細所述，藉由限制此區塊102中的PFET電晶體104之尺寸(如寬度)為小寬度可提供對衝 擊電流量的限制效果。

一實施例之區塊108(標記為「截波器延遲單元」係配置以依據(從區塊102所接收之)輸入是否具有上升或下降轉變來不同地延遲其兩者輸出(顯示為In_p和In_n)。在一實施例中利用延遲輸出In_p和In_n以避免電源閘單元區塊110中的任何短路路徑。

電源閘電路100之一實施例可具有至少一區塊110，其在第1圖中標記「電源閘單元」。區塊110係詳細顯示於第1圖中並包括將於下詳述之至少一電晶體，並且耦接區塊112之下一個電源閘單元區塊112可具有與區塊110實質上相同的元件及配置。為求簡單起見，於第1圖中不重覆區塊112的細節，因為上述細節容易藉由檢查區塊110中的配置來確定。

藉由將每個電源閘單元的輸出菊鏈至下一個電源閘單元的輸入，可設置複數個電源閘單元。例如，提供輸出信號Out_p和Out_n的終端可耦接提供輸入信號In_p和In_n至下一個電源閘單元之終端。一實施例之電源閘單元之數量可基於電子元件的尺寸、功率耗損規格、電路類型或尺寸等(通常顯示於第1圖中如同耦接電壓供應VCCPG的負載114)來選擇以被電源閘控。為求簡單起見，第1圖顯示第一電源閘單元區塊110，並顯示下一個區塊112來表示一或更多額外的電源閘單元可菊鏈或以其他方式耦接第一電源閘單元區塊110。

有關區塊108的細節，一實施例之截波器延遲單元包 括一或更多延遲單元116，延遲單元116具有耦接以接收來自區塊102之信號pgenb的輸入端。延遲單元116具有耦接AND閘118的第一輸入端以及耦接OR閘120的第一輸入端之輸出端。區塊102亦提供信號pgenb至AND閘118的第二輸入端以及提供至OR閘120的第二輸入端。延遲單元116、AND閘118、及OR閘120可耦接電壓供應VCC以接收電源。

透過此區塊108之配置，(提供至OR閘120之輸入端的)信號pgenb的上升緣立即出現於OR閘120的輸出端上，且於AND閘118的輸出端延遲。另外透過此配置，(提供至OR閘120及延遲元件116之輸入端的)信號pgenb的下降緣會在OR閘120的輸出端以及AND閘118的輸出端上延遲。

顯示於第1圖之區塊108中的元件類型及元件之具體連接僅為一實例。替代的/額外的元件及/或邏輯裝置的其他配置可使用在一些其他實施例中。

區塊108係耦接電源閘單元的區塊110。在一實施例中，會耦接AND閘118的輸出端以提供信號In_p至反向器122的輸入端。反向器122具有耦接以提供信號pgen_vcc至電晶體之控制端的輸出端，其在一實施例中可為P型MOSFET或「PFET」P2的閘極端。在一實施例中，PFET P2具有耦接電壓電源VCC的源極端且具有提供信號pgenb_pfet的汲極端。在其他實施例中，可對遍及本揭露所述之PFET或NFET替代地或額外的使用其他類型的 電晶體或電子元件。

在一實施例中，可提供信號pgen_vcc至反向器124的輸入端，反向器124又具有提供輸出Out_p的輸出端。提供輸出Out_p之反向器124的輸出端可能又耦接下一個電源閘單元(區塊122)，例如藉由以類似於區塊110中顯示的方式來提供作為輸入In_p的輸出Out_p給下一個電源閘單元之反向器。

在一實施例中，區塊110包括另一電晶體，例如具有耦接PFET P2之汲極端的控制或閘極端以接收信號pgenb_pfet的PFET P1。PFET P1可能具有耦接電壓供應VCC的源極端以及耦接電壓供應VCCPG的汲極端。

OR閘120具有一輸出端，耦接以提供信號In_n至反向器126的輸入端、緩衝器128的輸入端、電晶體的控制端(如PFET P3的閘極端)、另一電晶體的控制端(如PFET P6的閘極端)、及另一電晶體的控制端(如N型MOSFET或「NFET」N4的閘極端)。反向器126具有一輸出端，耦接以提供信號pgen_vccpg至電晶體的控制端(如PFET P4的閘極端)以及電晶體的控制端(如NFET N3的閘極端)。PFET P4又具有耦接電晶體之控制端(如PFET P5的閘極端)的汲極端，使得電晶體P4的汲極端以及電晶體P5的閘極端會耦接提供信號pgenb_pfet之PFET P2的汲極端以及耦接PFET P1的閘極端。

PFET P3具有耦接電壓供應VCCPG的源極端以及耦接PFET P4之源極端的汲極端。PFET P4本身具有耦接 NFET N3之汲極端的汲極端，其本身又具有接地的源極端。

PFET P5具有耦接電壓供應VCCPG的源極端以及耦接PFET P6之源極端的汲極端。PFET P6本身具有耦接NFET N4之汲極端的汲極端，其本身又具有接地的源極端。又在一實施例中，PFET P6的汲極端以及NFET N4的汲極端係耦接電晶體的控制端(如NFET N2的閘極端)，使得信號pden會提供給NFET N2的閘極端。NFET N2又具有耦接提供信號pgenb_pfet之PFET P2的汲極端以及耦接PFET P1之閘極端的汲極端，且具有接地的源極端。

緩衝器128具有提供輸出信號Out_n的輸出端，其接著可形成提供至區塊112中的下一個電源閘單元之輸入端的輸入信號In_n。一實施例之緩衝器128可接收來自電壓供應VCC的電源，而其他元件(如反向器126)可接收來自電壓供應VCCPG的電源，且電壓供應VCCPG可又耦接區塊112中的下一個電源閘單元中的其他元件。

第2圖更詳細繪示第1圖之區塊102中的衝擊電流限制器之實施例。區塊102包括一子區塊200，且可包括一或更多包含與子區域200相似的電子元件及配置之額外的子區塊202。

在一實施例中，緩衝器106(在其輸入端上接收信號pgenb)具有耦接以提供信號pgen_in至許多電晶體之控制端(如PFET 2I、NFET 1I、及NFET 2I的閘極端)的輸出端。

PFET 2I具有耦接電壓供應VCC的源極端，並具有耦 接NFET N2I之汲極端的汲極端。PFET 2I的汲極端更耦接以提供信號pgenb_pfet至PFET 1I的閘極端。第2圖之PFET 1I可能是與第1圖所示之PFET 104相同的電晶體。PFET 1I具有耦接電壓供應VCC的源極端，並具有耦接電壓供應VCCPG的汲極端。NFET N2I的源極端係耦接NFET N1I的汲極端，其又具有接地的源極端。

在一實施例中，子區塊200包括額外的電晶體，例如PFET 4I、PFET 3I、及NFET N3I。PFET 4I具有耦接電壓供應VCC的源極端、耦接PFET 2I之汲極端以接收信號pgenb_pfet的閘極端、以及耦接PFET 3I之源極端的汲極端。PFET 3I又具有耦接以接收信號pgenb的閘極端以及耦接NFET 3I之汲極端的汲極端。

NFET 3I又具有耦接以接收信號pgenb的閘極端、以及接地的源極端。信號pgen_out會出現於NFET 3I之汲極端耦接PFET 3I之汲極端的節點上。可耦接具有信號pgen_out的節點以提供信號pgen_in至下一個子區塊202。

第3圖係依照一實施例的關於第1圖之電源閘電路100的各種信號(如電壓或電流)之實例波形圖。第3圖所描繪之時間框顯示週期300，其中第1圖之電源閘單元(區塊110)轉成一第一狀態(如去能狀態)，其中提供電壓供應VCCPG的降低值至負載114。第3圖所描繪之時間框亦顯示週期302，其中第1圖之電源閘單元(區塊110)轉成一第二狀態(如賦能狀態)，其中提供電壓供應VCCPG的較高值(接近或等於電壓供應VCC)至負載 114。週期304(當電源閘單元係處於去能狀態時)代表電壓供應VCCPG已達到一穩定狀態值的時間框，且可能存在洩漏電流。週期306(當電源閘單元係處於賦能狀態時)代表在全運作期間的時間框，其中可提供電壓供應VCC給全運作的電子元件。

第3圖所示之波形包括信號pgenb(波形308)、信號pgen_vcc(波形310)、信號pgen_vccpg(波形312)、信號pgenb_pfet(波形314)、電壓供應VCCPG(波形316)、及信號pden(波形318)。

現在將參考第1、2、及3圖來說明電源閘電路100之一實施例的運作。將說明關於電源閘電路100進入OFF狀態，使得電壓供應VCCPG為低的去能順序，以及關於電源閘電路100進入不同的狀態(ON狀態)，使得電壓供應VCCPG為高(例如，在接近或等於電壓供應VCC之準位)的賦能順序之運作。

首先由根據一實施例的去能(OFF狀態)順序開始，去能順序由電壓供應VCCPG為高的初始條件開始。當信號pgenb從第二/低邏輯準位轉成第一/高邏輯準位時，信號pgen_vccpg出現的節點以及信號pden出現的節點會立即降低，如由第3圖之標記(1)和(2)所指。這些降低的節點導致NFET N3和N2關閉，NFET N3和N2為電源閘單元(區塊110)內部的下拉裝置。

然而，在信號pgen_vcc也降低之前，截波器延遲單元(區塊108)會延遲信號pgen_vcc，如由第3圖之標記 (3)所指。降低的信號pgen_vcc導致PFET P2導通，PFET P2為電源閘單元(區塊110)中的上拉裝置。一實施例之區塊108中的截波器延遲單元防止電源閘單元(區塊110)中有任何短路或「短路」電流通過PFET P2和NFET N3或通過PFET P2和NFET N2。一旦因應降低的信號pgen_vcc而導通PFET P2(其係為上拉電晶體)，信號pgenb_pfet出現的節點就會被拉高，如由第3圖之標記(4)所指，並且立即(例如，從關閉PFET P1起)關閉區塊110和112的PFET電源閘單元。電壓供應VCCPG的準位(位於耦接負載114的節點)會洩漏掉或以其他方式降至一穩定狀態值，如由第3圖之標記(5)所指。

現在輪到根據一實施例的賦能(ON狀態)順序，信號pgenb由高轉成低。區塊102之衝擊電流限制器中的第1圖之PFET 104(亦顯示為第2圖之PFET P1I)現在被導通並開始充電達電壓供應VCCPG，如由第3圖之標記(6)所指。之後於下說明衝擊電流限制器的運作。在一實施例中由負載114汲取的電流量係取決於衝擊電流限制器中的PFET P1I之寬度而定。藉此，電路設計者可藉由將PFET P1I的寬度改成小尺寸(例如比區塊110中的較大PFET P1寬度更小的寬度)，來控制電壓供應VCCPG出現之節點上的充電率。在一實施例中，若不能精確地估計負載114的容量，則可將衝擊電流限制器中的PFET P1I分成幾個基於可編程保險絲配置或其他技術來導通或關閉的接腳。

當輸入信號pgenb降低時，區塊108中的截波器延遲單元便將信號pgen_vcc信號由低轉成高，如由第3圖之標記(7)所指，藉此關閉區塊110中的電源閘單元內部的上拉PFET P2。現在當下拉NFET N2完全導通時，電源閘單元中的其餘PFET(如PFET P1)將會導通。具體來說，信號pgen_vccpg出現的節點會被由電壓供應VCCPG供電的反向器126驅動。由於輸入到此反向器126的輸入為低，因此pgen_vccpg節點會跟隨電壓供應VCCPG且隨著電壓供應VCCPG增強而緩慢地上拉，如由第3圖之標記(8)所指。這表示直到衝擊電流限制器電路已充分地將電壓供應VCCPG充電至或接近電壓供應VCC之準位後，NFET N3(其係為下拉電晶體)才會完全導通(例如，才完成NFET N3的啟動)。此下拉NFET N3會確保PFET P1不會太快導通而導致高衝擊電流。

當下拉NFET N3開始導通時，NFET N3就開始拉低信號pgenb_pfet出現的節點，如由第3圖之標記(9)所指。這樣會緩慢地導通PFET P1，亦有助於增強電壓供應VCCPG，如由第3圖之標記(10)所指。在一實施例中，NFET N3的尺寸(例如寬度)係極小的，以致於PFET P1不會太快導通而造成高衝擊電流。由於信號pgenb_pfet出現的節點被下拉至夠低的準位以導通PFET P1，PFET P5導通，因此又將信號pden上拉至電壓供應VCCPG的準位，如由第3圖之標記(11)所指。到了這個時候，電壓供應VCCPG已達到非常接近電壓供應VCC之準位的準位。

最後，隨著信號pden變高以因應PFET P5導通，於是NFET N2導通。這個NFET N2的導通會強烈地下拉信號pgenb_pfet出現的節點，如由第3圖之標記(12)所指，因此藉由完成PFET P1的導通以放置電壓供應VCCPG在或接近電壓供應VCC來完成導通電源閘電路100。

在一實施例中，衝擊電流限制器電路(詳細顯示於第2圖中)不但控制在導通順序期間所汲取之衝擊電流的峰值準位，而且控制在導通期間的Ldidt(其係為衝擊電流的斜率)。當電源閘電路100導通時，Ldidt應該要低，以致於對電壓供應VCC有最小干擾。衝擊電流的峰值係藉由選擇適當尺寸(例如寬度)的PFET P1I來控制。

NFET N1I和NFET N2I係以慢速來放電節點pgenb_pfet，這表示PFET P1I會以慢速導通，因此促成低Ldidt。NFET N1I和NFET N2I的寬度在電源閘電路100之導通順序期間控制Ldidt。一實施例之衝擊電流限制器甚至亦可進一步***成一串菊鏈單元以減緩Ldidt，如由耦接第2圖之子區塊200的子區塊202所示。信號pgenb(反轉成高準位)會平行供應至這所有的單元以在電源閘電路100的導通順序期間平行關閉PFET P2I。一單元接著另一單元地相繼導通PFET P1I(由於NFET N2I和N1I被導通以下拉在PFET P1I之閘極上的節點)，因此導致低Ldidt。因此，在導通順序期間的Ldidt可在一實施例中藉由使用窄-寬NFET N1I及/或藉由菊鏈的子區塊200、202等之數量來控制。

此外，Vdroop(其係為當導通電源閘電路100時，電壓供應VCC的最大下降)能被維持得較低。降低的Vdroop將保持電壓供應VCC較少彈性及雜訊。

在電源閘電路100的關閉順序期間，信號pgenb關閉所有平行的子區塊200、202等，並傳送至其餘的電源閘電路100。

接下來說明各種實施例的一些額外的特徵：

-在導通順序期間，當電壓供應VCCPG增強時，pgenb_pfet節點可能在由第3圖之標記(7)和(9)所指之時間週期之間處於高阻抗狀態一段時間。在由標記(8)所指之此時間週期期間，電壓供應VCCPG出現的節點耦接在信號pgenb_pfet出現的節點上，可能造成超越量。藉由使用PFET P4可避免或以其他方式減少此超越量。此PFET P4透過PFET P3將耦接在信號pgenb_pfet之節點上的電荷回傳到電壓供應VCCPG。

-可將NFET N3和PFET P3的尺寸縮小，以防止或以其他方式降低高衝擊電流。

-可在信號pgen_vcc與pgen_vccpg的節點之間產生夠大的截波器延遲，以防止或以其他方式降低通過PFET P2和NFET N2以及通過PFET P2和NFET N3的短路電流。

-在傳統方法中，以足夠的延遲邊限來超安全標準設計額外的延遲元件以防止高衝擊電流。相較下，一 實施例能使導通期間的延遲動態地依據設計者所設定之衝擊電流限制而定。這是因為對第1圖之電壓供應VCCPG的邏輯運算可能只有在電壓供應VCCPG增強之後才會動態地導通，因此排除用邊限來設計的需求，因而最佳化導通時間而沒有延遲負擔成本。

藉此根據以上說明，可知衝擊電流可藉由適當地選擇PFET P1I的寬度為足夠小/窄尺寸來控制。由於衝擊電流在一實施例中僅可由PFET-寬度控制，因此較易控制衝擊電流。與傳統方法對照下，控制衝擊電流會另外依據設置一些額外的延遲元件而定，這會造成更多面積及功率耗損。

另外，在一實施例中，在待命狀態和主動狀態下的功率耗損都藉由不使用這種額外的延遲元件來降低。例如，在關閉期間，由於缺乏額外的延遲元件/單元，一實施例具有較少耦接永遠導通的電壓供應VCC之單元/元件，藉此造成在待命狀態及/或全運作狀態下有較少的功率耗損。

又由上述顯見，在導通順序期間，用於以低衝擊電流來增強電壓供應VCCPG的延遲係藉由對電壓供應VCCPG本身施用邏輯來產生。此邏輯係描述於上方並顯示於第1-3圖中，其中信號被延遲，使得當電壓供應VCCPG增加且直到電壓供應VCCPG已增強至接近電壓供應VCC時，才藉由不導通上述電晶體來維持大多數的PFET停用。

再者，如以上所示及所述，能達到在不使用傳統方法之額外延遲元件，會有極快之關閉時間的一實施例。在傳 統方法中，額外的延遲單元減緩關閉速度，而在一實施例中缺乏這種額外的延遲單元能有更快的關閉速度，快上好幾數量級。此快速關閉使得每次將電源閘電路100切換為關閉時都能省電。

上述實施例的一些變化係可能的。例如，可在一實施例中移除PFET P3和P4。此移除之可能的副作用為信號pgenb_pfet出現之節點上的超越量。若超越量的數值係可容許的，則能移除PFET P3和P4。

作為另一實例，可在一實施例中移除NFET N2、NFET N4、PFET P5、及PFET P6。存在這些電晶體，使得一旦電源閘電路100完全導通時，信號pgenb_pfet出現的節點會很強的拉至地。若藉由NFET N3將信號pgenb_pfet之上述節點之微弱拉至地就足夠了，則能省去NFET N2、NFET N4、PFET P5、及PFET P6之一或更多者。

作為又一實例，驅動信號pgen_vccpg的反向器122可以特定方式建立於一實施例中。例如，在此反向器122中的PFET能以NFET替換。此修改在導通期間會造成信號pgen_vccpg的節點具有VCCPG-VT之值(其中VT係為NFET的臨界電壓)。這在NFET N3導通之前，增加了更多延遲邊限以防止高衝擊電流。

作為再一實例，於這些單元係彼此串聯耦接的菊鏈配置中，不必重覆第1圖之電源閘單元。例如，第4圖繪示依照另一實施例的可與第1圖之電源閘電路100連接使用的電路400，來取代如上所述之菊鏈配置。在第4圖中， 區塊110之單一電源閘單元係藉由具有一或更多接收信號pgenb的延遲元件之至少一延遲單元402來耦接並接著下游。延遲單元402然後藉由菊鏈一或更多不具延遲元件的電源閘單元404、410等來接著下游。電源閘單元404、410等可各包括一反向器406，反向器406具有耦接以接收延遲的pgenb信號且由電源電壓VCC供電的輸入端，並具有耦接PFET 408之閘極端的輸出端。PFET 408又具有耦接電壓供應VCC的源極以及耦接電壓供應VCCPG的汲極。PFET 408可被設計成較大尺寸，例如大於PFET P1的寬度之增加的寬度。

本文中所述之電源閘電路的實施例可使用在一些實作及應用上。例如，以低功率電路來設計的行動裝置，包括但不限定為智慧型手機、迷你桌上型電腦、平板電腦及其他行動網路裝置(MID)。而且，具有低功率狀態的微處理器可能使用電源閘技術以避免其某些電路或元件有不必要的功率耗損。第5圖係繪示適合用來實施所揭露之各種實施例的電源閘電路/方法之實例計算機系統500的方塊圖。

如所示，計算機系統500可包括一電源單元502、一些處理器或處理器核心504、具有儲存於其中之處理器可讀取且處理器可執行指令508的一系統記憶體506、亦可儲存指令508的一大容量儲存裝置510、及一通訊介面512。基於此應用之目的(包括申請專利範圍)，可將「處理器」與「處理器核心」視為同義詞，除非內容另有明 確要求。

在本揭露之各種實施例中，至少其中一個處理器504可產生或將導致產生具有高或低狀態的信號pgenb，以因應計算機系統100的特定狀態，例如一或更多其電路或元件是否被置於待命狀態。

一或更多的大容量儲存裝置510及/或記憶體506可包含一實體的、非暫時性的電腦可讀儲存裝置(例如磁片、硬碟、光碟唯讀記憶體(CDROM)、硬體儲存單元等等)。計算機系統500亦可包含輸入/輸出裝置514(例如鍵盤、顯示螢幕、游標控制等等)。在各種實施例中純粹用舉例方式，I/O裝置514可包括將成為電源閘之電子元件518(如第1圖之負載114)，及/或可本身包含電源閘電路100及其他上述裝置。上述元件518可替代地或另外地位於計算機系統500中的某處，且可包含部分或全部的積體電路。第1圖之負載114亦可為其中一個變成電源閘的處理器核心504。

第5圖之各種元件可經由系統匯流排516(代表一或更多匯流排)來彼此耦接。在複數個匯流排的例子中，可由一或更多匯流排橋接器(未顯示)來橋接。資料可透過I/O裝置514經過系統匯流排516，例如，在元件518與處理器504之間。

可採用系統記憶體506及大容量儲存裝置510來儲存工作副本及編程實施一或更多作業系統、韌體模組或驅動器、應用等(本文中共同表示成508)的指令之永久副本 。可將編程指令的永久副本透過例如分配媒體(未顯示)(如光碟)、或透過通訊介面512(來自分配伺服器(未顯示))在工廠中、或場域中放置到永久儲存器內。

計算機系統500之各種元件的其餘組成都是已知的，因此將不再進一步詳細說明。

以上所示之實施例的說明(包括摘要所述之內容)並非預期為徹底詳盡地且限於所揭露之精確形式。儘管本文中所述之具體實施例及實例係供說明之目的，但仍可能有各種修改。例如，在上述信號之高/低值(因應信號之上升/下降緣)、反轉信號的反向器、P型和N型電晶體等等之上下文中，已說明了各種實施例中某些元件的配置及連接。在其他實施例中，能有鑒於是否使用N型電晶體來取代P型電晶體、是否反向某些信號、是否因應下降緣而不是上升緣(反之亦然)來觸發某些狀態改變、等等，來設置不同的配置。

可按照上述詳細的說明來作出這些及其他修改。使用於下列申請專利範圍中的名詞不應被理解為侷限於本說明書所揭露之具體實施例。

100‧‧‧電源閘電路

102‧‧‧區塊

104‧‧‧電晶體

106‧‧‧緩衝器

108‧‧‧區塊

110‧‧‧電源閘單元區塊

112‧‧‧電源閘單元區塊

114‧‧‧負載

116‧‧‧延遲單元

118‧‧‧AND閘

120‧‧‧OR閘

122‧‧‧反向器

124‧‧‧反向器

126‧‧‧反向器

128‧‧‧緩衝器

VCC‧‧‧電壓供應

VCCPG‧‧‧電壓供應

pgenb‧‧‧輸入信號

In_p‧‧‧輸入信號

In_n‧‧‧輸入信號

Out_p‧‧‧輸出信號

Out_n‧‧‧輸出信號

pgen_vcc‧‧‧信號

pgenb_pfet‧‧‧信號

pgen_vccpg‧‧‧信號

pden‧‧‧信號

P1‧‧‧電晶體

P2‧‧‧電晶體

P3‧‧‧電晶體

P4‧‧‧電晶體

P5‧‧‧電晶體

P6‧‧‧電晶體

N2‧‧‧電晶體

N3‧‧‧電晶體

N4‧‧‧電晶體

200‧‧‧子區塊

202‧‧‧子區塊

P1I‧‧‧電晶體

P2I‧‧‧電晶體

P3I‧‧‧電晶體

P4I‧‧‧電晶體

N1I‧‧‧電晶體

N2I‧‧‧電晶體

N3I‧‧‧電晶體

N4I‧‧‧電晶體

pgen_out‧‧‧信號

pgen_in‧‧‧信號

300‧‧‧週期

302‧‧‧週期

304‧‧‧週期

306‧‧‧週期

308‧‧‧波形

310‧‧‧波形

312‧‧‧波形

314‧‧‧波形

316‧‧‧波形

318‧‧‧波形

400‧‧‧電路

402‧‧‧延遲單元

404‧‧‧電源閘單元

406‧‧‧反向器

408‧‧‧電晶體

410‧‧‧電源閘單元

500‧‧‧計算機系統

502‧‧‧電源單元

504‧‧‧處理器

506‧‧‧系統記憶體

508‧‧‧指令

510‧‧‧大容量儲存裝置

512‧‧‧通訊介面

514‧‧‧輸入/輸出裝置

516‧‧‧系統匯流排

518‧‧‧電子元件

參考下列圖示來說明非限制且非詳盡的實施例，其中除非有另外指定，否則所有各種圖示的相同參考數字係指相同部件。

第1圖繪示依照一實施例的一電源閘電路。

第2圖更詳細繪示第1圖之電源閘電路的衝擊電流限制器區塊之一實施例。

第3圖係依照一實施例的關於第1圖之電源閘電路的各種信號之實例波形圖。

第4圖繪示依照另一實施例的可與第1圖之電源閘電路連接使用的一電路。

第5圖係繪示適合用來實施所揭露之各種實施例的電源閘電路/方法的實例計算機系統之方塊圖。

100‧‧‧電源閘電路

102‧‧‧區塊

104‧‧‧電晶體

106‧‧‧緩衝器

108‧‧‧區塊

110‧‧‧電源閘單元區塊

112‧‧‧電源閘單元區塊

114‧‧‧負載

116‧‧‧延遲單元

118‧‧‧AND閘

120‧‧‧OR閘

122‧‧‧反向器

124‧‧‧反向器

126‧‧‧反向器

128‧‧‧緩衝器

VCC‧‧‧電壓供應

VCCPG‧‧‧電壓供應

pgenb‧‧‧輸入信號

In_p‧‧‧輸入信號

In_n‧‧‧輸入信號

Out_p‧‧‧輸出信號

Out_n‧‧‧輸出信號

pgen_vcc‧‧‧信號

pgenb_pfet‧‧‧信號

pgen_vccpg‧‧‧信號

pden‧‧‧信號

P1‧‧‧電晶體

P2‧‧‧電晶體

P3‧‧‧電晶體

P4‧‧‧電晶體

P5‧‧‧電晶體

P6‧‧‧電晶體

N2‧‧‧電晶體

N3‧‧‧電晶體

N4‧‧‧電晶體

Claims (16)

1. 一種用於電源閘的裝置，包含：一第一電源閘單元，具有至少一電晶體，並配置以轉成一第一狀態，其中由該第一電源閘單元控制一電壓供應以具有一第一準位，以及配置以轉成一第二狀態，其中由該第一電源閘單元控制該電壓供應以具有高於該第一準位之一第二準位；一電流限制器單元，耦接該第一電源閘單元並配置以在轉成該第二狀態期間降低一電流改變量和速率；一延遲單元，耦接該第一電源閘單元及該電流限制器單元，並配置以在轉成該第一狀態期間移除該第一電源閘單元中的一短路路徑；至少一延遲元件，耦接於單一該電源閘單元的下游；及一第二電源閘單元，耦接於該至少一延遲元件的下游，該第二電源閘單元不具有延遲元件並具有一尺寸比該第一電源閘單元的該至少一電晶體的一尺寸大的一電晶體，其中該第二電源閘單元的該電晶體係配置以將該電壓供應轉換至該第一準位和該第二準位。 其中該第一電源閘單元包括邏輯，配置以延遲該電壓供應的增加至該第二準位，並當該電壓供應增加至該第二準位時維持該至少一電晶體停用。
2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中關於該在轉成該第二狀態期間降低該電流量，該電流限制器單元包 括並配置以運作具有一尺寸比該電源閘單元之該至少一電晶體的一尺寸小的一電晶體。
3. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該裝置包括電源閘單元的一數量，該電源閘單元包括該第一電源閘單元及該第二電源閘單元，且其中該電源閘單元的該數量係基於一電子元件的大小和功率的耗損規格來選擇以接收該電壓供應。
4. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該第一電源閘單元係配置以接收一輸入信號，且其中該第一電源閘單元的邏輯包括：一上拉電晶體，耦接該至少一電晶體並配置以因應該輸入信號之一第一邏輯準位而啟動，以在轉成該第一狀態期間停用該至少一電晶體；及一下拉電晶體，耦接該上拉電晶體以及該至少一電晶體，其中該上拉電晶體係配置以因應該輸入信號之一第二邏輯準位而停用，以在轉成該第二狀態期間開始啟動該下拉電晶體，且其中該下拉電晶體的啟動係未完成的，以在該第二狀態期間當該電壓供應增加至該第二準位時維持該至少一電晶體停用，直到在該電壓供應達到該第二準位之後。
5. 如申請專利範圍第4項所述之裝置，其中該至少一電晶體包括：一第一電晶體，該第一電晶體在該第二狀態期間該電 壓供應增加至該第二準位時被維持停用，且當達到該第二準位時被啟動；一第二電晶體，耦接該第一電晶體並配置以當該第一電晶體啟動時啟動；及一第三電晶體，配置以因應該第二電晶體的啟動而啟動，以完成該第一電晶體的啟動以放置該電壓供應在該第二準位。
6. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該第一電源閘單元係配置以加速轉成該第一狀態，以在轉成該第一狀態期間降低功率耗損，以及其中該第一電源閘單元缺少額外的延遲單元，以當在該第一狀態或該第二狀態時降低功率耗損。
7. 一種用於電源閘的方法，包含：將具有至少一電晶體的一電源閘單元轉成去能狀態，其中由該電源閘單元控制一電壓供應以具有一降低值；將該電源閘單元轉成賦能狀態，其中由該電源閘單元控制該電壓供應以具有比該降低值高的一較高值；在轉成該賦能狀態期間降低一電流量；及在轉成該去能狀態期間移除該電源閘單元中的一短路路徑，其中該轉成該賦能狀態包括使用在該電源閘單元中的邏輯，以延遲該電壓供應的增加至該較高值，以及當該電壓供應增加至該較高值時以維持該至少一電晶體停用，及其中該轉成該賦能狀態包括： 在該第二狀態期間該電壓供應增加至該較高準位時，維持停用該電源閘單元的一第一電晶體，且當達到該較高準位時被啟動；當該第一電晶體啟動時，啟動該電源閘單元的一第二電晶體；及啟動該電源閘單元的一第三電晶體，以因應該第二電晶體的啟動，以完成該第一電晶體的啟動以放置該電壓供應在該較高準位。
8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該在轉成該賦能狀態期間降低電流量包括運作具有一尺寸比該至少一電晶體的尺寸小的一電晶體。
9. 如申請專利範圍第7項所述之方法，更包含：加速轉成該去能狀態，以在轉成該去能狀態期間降低功率耗損；及當在該去能狀態或該賦能狀態下時，藉由不供電額外的延遲單元來降低功率耗損。
10. 如申請專利範圍第7項所述之方法，更包含：接收具有一第一邏輯準位或一第二邏輯準位的一輸入信號；因應該輸入信號之該第一邏輯準位來啟動一上拉電晶體，以在轉成該去能狀態期間停用該至少一電晶體；因應該輸入信號之該第二邏輯準位來停用一下拉電晶體，以在轉成該賦能狀態期間開始啟動該下拉電晶體，其中該下拉電晶體的啟動係未完成的，以在該賦能狀 態期間該當該電壓供應增加至該較高值時維持該至少一電晶體停用，直到在該電壓供應達到該較高值之後。
11. 一種用於電源閘的系統，包含：一負載；一電源閘單元，耦接該負載並具有至少一電晶體，該電源閘單元係配置以轉成一第一狀態，其中給該負載的一電壓供應由該電源閘單元控制以具有一第一準位，以及配置以轉成一第二狀態，其中給該負載的該電壓供應由該電源閘單元控制以具有高於該第一準位並幾乎等於一全運作準位之一第二準位；及一電流限制器單元，耦接該電源閘單元並配置以在轉成該第二狀態期間降低一電流量，其中該電源閘單元包括邏輯，配置以延遲該電壓供應的增加至該第二準位，並當該電壓供應增加至該第二準位時維持該至少一電晶體停用，及其中該電源閘單元的該至少一電晶體包括：一第一電晶體，該第一電晶體在該第二狀態期間該電壓供應增加至該第二準位時被維持停用，且當達到該第二準位時被啟動；一第二電晶體，耦接該第一電晶體並配置以當該第一電晶體啟動時啟動；及一第三電晶體，配置以因應該第二電晶體的啟動而啟動，以完成該第一電晶體的啟動以放置該電壓供應在該第二準位。
12. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中該負載包括一行動裝置的一電子元件。
13. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中該負載包括一部分的積體電路。
14. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中關於該在轉成該第二狀態期間降低該電流量，該電流限制器單元包括並配置以運作具有一尺寸比該電源閘單元之該至少一電晶體的尺寸小的一電晶體。
15. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中該電源閘單元係配置以接收一輸入信號，且其中該電源閘單元的邏輯包括：一上拉電晶體，耦接該至少一電晶體並配置以因應該輸入信號之一第一邏輯準位而啟動，以在轉成該第一狀態期間停用該至少一電晶體；及一下拉電晶體，耦接該上拉電晶體以及該至少一電晶體，其中該上拉電晶體係配置以因應該輸入信號之一第二邏輯準位而停用，以在轉成該第二狀態期間開始啟動該下拉電晶體，以及其中該下拉電晶體的啟動係未完成的，以在該第二狀態期間該當該電壓供應增加至該第二準位時維持該至少一電晶體停用，直到在該電壓供應達到該第二準位之後。
16. 如申請專利範圍第11項所述之系統，更包含一延遲單元，耦接該電源閘單元及該電流限制器單元，並配置 以在轉成該第一狀態期間移除該電源閘單元中的一短路路徑。