TWI490935B - 剝離方法、及剝離液 - Google Patents
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Description
本發明係關於從黏貼有支承板之基板,將該支承板剝離之剝離方法,及用於該剝離方法之剝離液。
隨著行動電話、數位影音裝置及晶片卡等的高機能化,藉由將所搭載的半導體矽晶片(以下簡稱晶片)小型化及薄板化,而提高對封裝內之晶片高集積化的要求。為了實現封裝內之晶片的高集積化,必須將晶片的厚度減薄至25~150μm之範圍。
然而,成為晶片之基礎的半導體晶圓(以下簡稱晶圓),係因研削而薄化,其強度變弱,容易在晶圓上產生龜裂或翹曲。此外,由於要自動搬送因薄板化而使強度變弱的晶圓係有困難,因此必須人工搬送,其處理繁雜。
因此,開發一種晶圓承載系統:其係藉由使稱為支撐板的玻璃或硬質塑膠等所成的板貼合於研削的晶圓,而保持晶圓的強度,並防止龜裂的發生以及晶圓的翹曲。藉由晶圓承載系統可維持晶圓的強度,因此可將已薄板化的半導體晶圓之搬送自動化。
晶圓與支撐板,係使用黏著帶、熱塑性樹脂及黏著劑等貼合。在將貼附有支撐板的晶圓薄板化之後,晶圓進行模切之前,將支撐板從基板剝離。例如,使用黏著劑來使晶圓與支撐板貼合的情況,使黏著劑溶解後將晶圓從支撐板剝離。
以往,使黏著劑溶解後將晶圓從支撐板剝離時,對黏著劑之溶劑的浸透、黏著劑的溶解等需要時間,結果,在將晶圓從支撐板剝離上需要長時間。為了解決上述的問題,於專利文獻1中記載著使用可容易剝離的黏著劑之方法。
於專利文獻1中記載:內含使第1黏著材料的黏著力下降的離型劑,在具有分散有因熱而溶解的微膠囊之第1黏著材料的第1黏著劑層上,使用具有第2黏著劑層之黏著劑,該第2黏著劑層係具有分散有因熱膨脹的熱膨脹性粒子的第2黏著材料,來使工件貼合。
接著,記載著:藉由該黏著劑使工件貼合的情況,藉由將黏著劑加熱,而將離型劑從微膠囊釋放到第1黏著劑層內,進一步藉由因熱膨脹性粒子的熱膨脹所成之押壓力,而在第1及第2黏著劑層產生龜裂的結果,係不殘留黏著劑的殘渣於工件而剝離。
[專利文獻1]日本國公開專利公報「特開2008-94957號公報(2008年4月24日公開)」
當將支撐板從已薄板化的晶圓剝離時,必須注意不要損壞已薄板化的晶圓。然而,根據專利文獻1記載的方法,藉由加熱及因熱膨脹性粒子的熱膨脹所造成的押壓力,而損壞晶圓的可能性高。此外,也會產生因離型劑所造成晶圓的污染,以及因含有熱膨脹性粒子所造成黏著性降低的問題。因此,需開發一種:不會讓晶圓損壞及污染,並可用更短時間容易地將晶圓從支撐板剝離之新的剝離方法及剝離液。
本發明係鑑於上述課題所開發完成的,其目的係提供一種:可用更短時間便容易地將支撐板從晶圓剝離的剝離方法、及剝離液。
本發明之剝離方法,係為了解決上述課題,將藉由黏著劑被黏貼於設有在厚度方向貫通的貫通孔之支承板的基板,從該支承板剝離的剝離方法,其係包含使剝離液經由上述貫通孔接觸上述黏著劑,而將上述黏著劑溶解的步驟,上述黏著劑,係以烴樹脂為黏著成分之黏著劑,上述剝離液,係黏度為1.3mPa‧s以下,且對上述黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上的烴系溶劑之構成。
此外,為了解決上述課題,本發明之剝離液,為將基板黏貼於支承板的黏著劑予以溶解之剝離液,黏度為1.3mPa‧s以下,且對上述黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上,由單一或複數之烴化合物所構成。
如上所述,根據本發明之剝離方法,係使用黏度為1.3mPa‧s以下,且對黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上之烴系溶劑作為剝離液。因此,可縮短使基板與支承板黏貼的黏著劑之溶解所需的時間,其結果,可縮短基板與支承板之剝離所需的時間。
此外,本發明之剝離液,係由黏度為1.3mPa‧s以下,且對黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上之烴系溶劑所構成。因此,使用該剝離液來剝離基板與支承板時,可縮短使基板與支承板黏貼的黏著劑溶解所需的時間,其結果,可縮短基板與支承板之剝離所需的時間。
針對本發明之一實施形態說明如下。
本發明之剝離方法,係只要用於將藉由黏著劑被黏貼於支承板的基板從該支承板剝離之用途者,其具體的用途係不特別限定。根據本實施形態,舉例說明:在用於將為了使用在晶圓承載系統中而藉由黏著劑來暫時地黏貼於支撐板(支承板)上的晶圓(基板)從支撐板剝離的用途之情況。
另外,於本說明書中所謂「支撐板」,係指當半導體晶圓進行研削時,藉由貼合於半導體晶圓,來保護以避免因研削而薄化的半導體晶圓上產生龜裂及翹曲所暫時使用之支承板。
本發明者們,針對溶解黏著劑而可將支撐板從晶圓剝離為止所需的時間(剝離時間)之時間短縮進行銳意檢討的結果發現:從支撐板的貫通孔供給剝離液而使黏著劑迅速地溶解,剝離液的浸透性及對黏著劑的溶解速度皆很重要,並發現剝離液的浸透性受到剝離液之黏度的影響,而完成本發明。
本發明之剝離方法,係將藉由黏著劑被黏貼於設有在厚度方向貫通的貫通孔之支撐板的晶圓,從該支撐板剝離的剝離方法,其係包含使剝離液經由上述貫通孔接觸黏著劑,而將該黏著劑溶解的步驟,黏著劑,係以烴樹脂為黏著成分之黏著劑,剝離液,係黏度為1.3mPa‧s以下,且對上述黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上的烴系溶劑之構成。另外,於本說明書中,所謂「將晶圓從支撐板剝離」係指:藉由剝離而將晶圓與支撐板分離的意思,「將支撐板(從晶圓)剝離」與「將晶圓與支撐板剝離」兩者可交換地使用。
於本發明之剝離方法中之剝離液,係用來將支撐板與晶圓黏貼之黏著劑溶解所使用者。
剝離液係黏度為1.3mPa‧s以下之烴系溶劑,較佳為1.1mPa‧s以下之烴系溶劑,更佳為0.5mPa‧s以下之烴系溶劑。於本說明書中之「黏度」係指:根據使用毛細管黏度計VMC-252(離合社製),在25℃之恆溫槽,於坎農-芬斯克(Cannon-Fenske)黏度管進行15ml取樣,藉由以自身重量通過細管中的速度(時間)而測量的結果。烴系溶劑的黏度係只要在1.3mPa‧s以下即可,其下限並無特別限制,可使用例如0.3mPa‧s以上之烴系溶劑作為剝離液。烴系溶劑的黏度若為1.3mPa‧s以下,可更提升從支撐板之貫通孔所供給的剝離液之對支撐板與黏著劑之層(以下簡稱黏著劑層)的界面之浸透性,及剝離液對黏著劑之浸透性,因此,可迅速地進行黏著劑的溶解,藉此,可用短時間進行支撐板與晶圓的剝離。
作為剝離液的烴系溶劑,可由單一的烴化合物所構成之溶劑,也可為複數之烴化合物的混合物。另外,在實際的使用上,於無損本發明之本質的特性之範圍內,可將混入有不純物等之其他成分於烴系溶劑者作為剝離液。只要無損本發明之本質的特性,則不限制不純物的含量,但從充分得到縮短剝離時間的效果之觀點來看,於剝離液中所佔之烴化合物的含量較佳為80重量%以上,更佳為90重量%以上。
複數之烴化合物的混合物,係可在混合複數之烴化合物的狀態下調製或可取得之烴系溶劑,或者,也可分別獨立地調製或混合已取得的複數之烴系溶劑。
就構成烴系溶劑的烴而言,可為直鏈狀、分支狀及環狀之任一者,可列舉例如,萜烯系烴、環烷系烴、脂肪族系烴、異烷系烴等。就由單一之烴化合物所構成的烴系溶劑而言,可列舉例如,對烷、d-薴(d-limonene)、環己烷、己烷、辛烷、壬烷等。就混合複數之烴化合物之狀態下調製或可取得之烴系溶劑而言,可列舉例如,作為與雙鍵之位置不同的對二烯(p-menthadiene)類之異構物混合物的二戊烯等。就於混合複數之烴化合物的狀態下之市售烴系溶劑而言,可列舉例如,作為對二烯類之異構物混合物的日本TERPENE化學公司製之「二戊烯T」(商品名)、作為環烷烴之混合物的Exxon Mobil公司製之「EXXSOL」(商品名)及丸善石油化學公司製之「SWA Clean」(商品名)、以及作為脂肪族烴之混合物的Exxon Mobil公司製之「PEGASOL」(商品名)等。
在剝離液為獨立地調製或混合已取得之複數的烴系溶劑之混合物的情況,只要混合結果所得到的烴系溶劑之黏度在上述範圍內即可。例如,只要最後所得到的混合物之黏度在上述範圍內,也可在混合前之複數的烴系溶劑中,含有黏度大於1.3mPa‧s之烴系溶劑。亦即,只要最後所得到的混合物之黏度在上述範圍內,也可將混合松節油(黏度:1.31mPa‧s)等所得到之烴系溶劑作為剝離液。剝離液為混合複數之烴系溶劑之混合物的情況,複數之烴系溶劑中至少任一者,以黏度為0.5mPa‧s以下之烴系溶劑較佳。於複數之烴系溶劑的混合物中,藉由含有黏度為0.5mPa‧s以下之烴系溶劑,可將混合物中的黏度減低,並可作為本發明之剝離方法所使用的剝離液。例如,從安全性、環境面及成本等的觀點來看,雖使用所期望的烴系溶劑,但相對於黏度大於1.3mPa‧s之烴系溶劑,藉由混合黏度為0.5mPa‧s以下之烴系溶劑,可調製能作為本發明之剝離方法中之剝離液使用的烴系溶劑。
於本發明之剝離方法中,對使晶圓黏貼於支撐板的黏著劑之剝離液的溶解速度,係30nm/sec以上,較佳為50nm/sec以上。剝離液之溶解速度,雖隨著溶解的黏著劑而變化,但藉由以往已知的方法,可預先容易地測量對各黏著劑之剝離液的溶解速度。雖對剝離液之溶解速度並無特別的上限,但可使用例如1,000nm/sec以下之剝離液。在作為剝離液之烴系溶劑為複數之烴化合物的混合物之情況,只要在混合物中之溶解速度為30nm/sec以上即可。因此,例如將混合有複數之烴系溶劑的混合物作為剝離液使用的情況,只要在最後所得到之混合物中的溶解速度為30nm/sec以上,也可含有對黏著劑之溶解速度小於30nm/sec的烴系溶劑。在黏度為1.30mPa‧s以下,而且對黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上的情況下,可實現剝離時間的縮短。
在將複數之烴系溶劑混合而作為剝離液的情況,雖對烴系溶劑的組合無特別的限制,但較佳為含有黏度較小的烴系溶劑,例如較佳為混合有黏度為0.5mPa‧s以下之烴系溶劑。此外,此時,關於混合的複數之烴系溶劑,以各烴系溶劑的黏度皆為1.3mPa‧s以下,且對應溶解之黏著劑的溶解速度皆為30nm/sec以上更佳。此外,各烴系溶劑的黏度皆為1.0mPa‧s以下,且對應溶解之黏著劑的溶解速度皆為30nm/sec以上,並且以複數之烴系溶劑的至少任一者之黏度為0.5mPa‧s以下特佳。
此外,在將黏度為0.5mPa‧s以下之烴系溶劑與其他的烴系溶劑組合後使用的情況,藉由與對黏著劑的溶解速度更大的烴系溶劑組合,可更縮短溶解時間。
此外,將黏度為0.5mPa‧s以下之烴系溶劑與其他的烴系溶劑混合而作為剝離液的情況,對混合比並無特別的限制,但為了充分得到各別之烴系溶劑的優點,混合物之黏度為0.5mPa‧s以下之烴系溶劑的比例,較佳為5重量%~95重量%,更佳為25重量%~75重量%,特佳為45重量%~55重量%。
由上述得知,本發明包含:使晶圓黏貼於支撐板的黏著劑溶解之剝離液,其黏度為1.3mPa‧s以下,且對上述黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上,由單一或複數之烴化合物所構成之剝離液。
於本發明之剝離方法中之剝離液所溶解的黏著劑,係使支撐板與晶圓黏貼之黏著劑,且以烴樹脂作為黏著成分之黏著劑。
就烴樹脂而言,雖可列舉,環烯烴系樹脂、萜烯系樹脂、松香系樹脂及石油樹脂等,但並不限定於此等。就環烯烴系樹脂而言,係將含有環烯烴單體的單體成分進行聚合而成之樹脂。具體而言,係可列舉,使含有環烯烴單體的單體成分之開環(共)聚合物、含有環烯烴單體之單體成分進行加成(共)聚合的樹脂等。
就含有用來製造環烯烴系樹脂的單體成分之環烯烴單體而言,雖無特別限定,但以原冰片烯系單體為佳。就原冰片烯系單體而言,只要是具有原冰片烯環者則無特別限制,但可列舉例如,原冰片烯、原冰片二烯等之二環體;二環戊二烯、二羥戊二烯(dihydroxy pentadiene)等之三環體;四環十二烯(tetracyclododecene)等之四環體;環戊二烯三聚物等之五環體;四環戊二烯等之七環體;或該等多環體之烷基(甲基、乙基、丙基、丁基等)取代基、烯基(乙烯基等)取代基、烷叉基(亞乙基等)取代基、芳香基(苯基、甲苯基、萘基等)取代基等。具體而言,可列舉如下述一般式(I)所示之原冰片烯、四環十二烯、或從此等之烷基取代基所組成群中選出之原冰片烯系單體。
(一般式(I)中,R1
及R2
為各自獨立之氫原子或碳數1~6之烷基、n為0或1)。
為了製造環烯烴系樹脂所使用的單體成分,除了環烯烴單體之外,也可含有能與環烯烴單體共聚合之其他單體。就其他單體而言,可含有例如下述一般式(II)所表示之烯烴單體。
(一般式(II)中,R3
~R6
為各自獨立之氫原子或碳數1~4之烷基)。
烯烴單體系可為直鏈狀或分支狀。就烯烴單體而言,可列舉例如,乙烯、丙烯、1-丁烯、異丁烯、及1-己烯等之α-烯烴。
就作為環烯烴系樹脂使用之市售品而言,可列舉例如,Polyplastics公司製之「TOPAS」(商品名)、三井化學公司製之「APEL」(商品名)、日本ZEON公司製之「ZEONOR」(商品名)及「ZEONEX」(商品名)、以及JSR公司製之「ARTON」(商品名)等。
就萜烯系樹脂而言,可列舉例如,萜烯樹脂、萜烯酚樹脂、變性萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂及氫化萜烯酚樹脂等。就松香系樹脂而言,可列舉例如,松香、松香酯、氫化松香、氫化松香酯、聚合松香、聚合松香酯及變性松香等。就石油樹脂而言,可列舉例如,脂肪族或芳香族石油樹脂、氫化石油樹脂、變性石油樹脂、脂環族石油樹脂及苯并呋喃-茚石油樹脂等。此等之中,較佳為氫化萜烯樹脂及氫化石油樹脂。
此外,也可將環烯烴系樹脂、萜烯系樹脂、松香系樹脂及石油樹脂等之混合物作為黏著劑使用。
為了將晶圓黏貼於支撐板所使用的黏著劑,係將上述烴樹脂溶解於有機溶劑中者。有機溶劑,只要能溶解烴樹脂者則無特別限制,但可使用例如烴系溶劑、萜烯系溶劑較為適合。
於本發明之剝離方法的實施形態中之支撐板,係用來防止在晶圓上產生翹曲及龜裂,為了使用在晶圓承載系統中而藉由黏著劑來暫時地黏貼於晶圓,其係設有在其厚度方向貫穿的貫通孔。藉由在支撐板設有在厚度方向貫通的貫通孔,可將從支撐板的外部所供給的剝離液經由貫通孔,而到達使支撐板與晶圓黏貼的黏著劑層,然後將黏著劑溶解。為了更加縮短剝離時間,以形成複數個貫通孔為佳。另外,本說明書中所謂的「厚度方向」,係指與朝向黏著劑層之支撐板的面垂直的方向。剝離液,係在溶解與黏著劑層之接觸部分的同時,浸透到支撐板與黏著劑層的界面,也將接觸到各貫通孔之間的區域、亦即支撐板未設有貫通孔的部分之黏著劑溶解。另外,在此,黏著劑的溶解係指除了完全溶解黏著劑的情況之外,也包含局部性溶解的情況之意。
貫通孔之孔間距離雖無特別的限制,但從讓剝離液更早到達支撐板與黏著劑層的界面之未設有貫通孔的部分之觀點來看,緊鄰之貫通孔彼此的孔間距離係以500μm以下較佳,以300μm以下更佳,以200μm以下特佳。此外,各貫通孔的尺寸雖無特別限制,但從支撐板的強度及可供給剝離液到黏著劑的量之觀點來看,可設為例如直徑300μm的貫通孔。藉由對被黏貼有本支撐板的晶圓使用上述之剝離液,而提升對支撐板與黏著劑層之界面的剝離液之浸透性,並可更加縮短剝離時間。
本發明之剝離方法,係將藉由黏著劑被黏貼於設有在厚度方向貫通的貫通孔之支撐板的晶圓,從該支撐板剝離的剝離方法,其係包含使剝離液經由上述貫通孔接觸黏著劑,而將該黏著劑溶解的步驟,黏著劑,係以烴樹脂為黏著成分之黏著劑,剝離液,係只要是黏度為1.3mPa‧s以下,且對黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上的烴系溶劑即可,其他之具體的步驟、條件及使用裝置等並無特別限制。
於經由貫通孔使剝離液接觸黏著劑,溶解黏著劑的步驟中,首先,準備藉由成為剝離處理的對象之黏著劑,而黏貼於支撐板的晶圓(處理對象)。其次,將上述剝離液供給到處理對象。被供給的剝離液係經由支撐板的貫通孔而到達黏著劑層。已到達黏著劑層的剝離液,係將朝向貫通孔之部分的黏著劑溶解。進一步將剝離液從已溶解的部分侵入黏著劑內部,並進行溶解。已經由貫通孔而到達黏著劑層的剝離液,亦浸透到支撐板與黏著劑層的界面,並將接觸到各貫通孔之間的區域、亦即未設有支撐板之貫通孔的部分之黏著劑溶解。在將黏著劑層溶解之後,使用工模(jig)等使支撐板從晶圓剝離。另外,黏著劑的溶解,並不限於將黏著劑層完全溶解的情況,也可溶解到可將支撐板剝離程度的狀態。之後,可藉由將殘留在晶圓表面的黏著劑洗淨而移除。
於本發明之剝離方法中,藉由使用上述之剝離液,而提升對支撐板與黏著劑層之界面的剝離液之浸透性。藉此,即使對各貫通孔之間的區域的黏著劑也能迅速地開始溶解,並且供給更多的剝離液到該區域。其結果,可迅速地進行黏著劑層的溶解,並可較以往更加縮短剝離所需的時間。
將實施例顯示於下,並進一步詳細地說明本發明之實施形態。當然,本發明並不限定於以下之實施例,關於細節係可能存在各種型態,在此無須多言。再者,本發明並不限定於上述的實施形態,在請求項所表示的範圍內可做種種的變更,關於使各別揭示之技術性手段適當地組合所得之實施形態亦包含於本發明之技術性範圍中。此外,將本說明書中所記載之全部文獻作為參考而援用。
將原冰片烯與乙烯以茂金屬觸媒共聚合後之環烯烴共聚物(Polyplastics公司製之「TOPAS(商品名)8007」,原冰片烯:乙烯=65:35(重量比)、重量平均分子量:98,200、Mw/Mn:1.69、玻璃轉移溫度(Tg):70℃),於對烷中溶解後得到固形成分濃度30重量%之黏著劑。將該黏著劑作為黏著劑1。此外,將「TOPAS8007」與氫化萜烯樹脂(YASUHARA CHEMICAL CO.,LTD.製「Clearon(商品名)P135」、重量平均分子量:820、軟化點:135℃),以65/35(TOPAS 8007/Clearon P135)的比例(重量比)於對烷中溶解後得到固形成分濃度30重量%之黏著劑。將該黏著劑作為黏著劑2。
於切割成1cm×2cm大小之矽晶圓上,塗佈黏著劑1或黏著劑2,並以在110℃ 3分鐘,接著150℃ 3分鐘,然後200℃ 3分鐘的條件下乾燥,形成層厚25μm之黏著劑層。使已形成黏著劑層的矽晶圓浸漬於保持23℃之剝離液,測量至黏著劑層完全溶解為止所需的時間,從該溶解時間(T(sec))與預先所測量之黏著劑層的厚度(L(nm))算出溶解速度(L/T(nm/sec))。就剝離液而言,可使用YASUHARA CHEMICAL CO.,LTD.製之「Woody River #10(商品名)」(純度96.0%之對烷)、「Woody River #8(商品名)」(純度98.5%之d-薴)、日本TERPENE化學公司製之「松節油(商品名)」「蒎烷(商品名)」及「二戊烯T(商品名)」、Exxon Mobil公司製之「EXXSOL(商品名)D40」、「EXXSOL(商品名)D80」、「EXXSOL(商品名)DSP80/100」、「EXXSOL(商品名)D30」、「PEGASOL(商品名)3040」及「PEGASOL(商品名)AN45」、以及丸善石油化學公司製之「SWA Clean(商品名)」。表1表示對黏著劑1之溶解速度的測量結果,表2表示對黏著劑2之溶解速度的測量結果。
使用毛細管黏度計VMC-252(離合社製),在25℃之恆溫槽,於坎農-芬斯克(Cannon-Fenske)黏度管進行15ml取樣,藉由以自身重量通過細管中的速度(時間)來測量作為剝離液使用之烴系溶劑的黏度。其結果如表1及表2所示。
於切割成1cm×2cm大小的矽晶圓上,塗佈黏著劑1或黏著劑2,並以在110℃ 3分鐘,接著150℃ 3分鐘,然後200℃ 3分鐘的條件使其乾燥,形成層厚25μm之黏著劑層。接著,使具有貫通孔的直徑為300μm、各貫通孔的孔間距離為200μm之貫通孔的1cm×2cm大小之玻璃的支撐板,以與矽晶圓交叉的方式黏著於矽晶圓上的黏著劑層。為了將支撐板貼附於矽晶圓上所需的貼附條件為:0.3kg/cm2
、200℃、30秒或15秒。
將貼附於支撐板之矽晶圓,於保持23℃之剝離液中,使支撐板在上方,將支撐板以工模(jig)固定後完全浸漬。使貼附於支撐板的矽晶圓浸漬於剝離液之後,測量以矽晶圓從支撐板剝離到藉由自身重量開始脫落為止的時間來作為剝離時間。表1表示藉由黏著劑1黏著的情況之剝離時間的結果,表2表示藉由黏著劑2黏著的情況之剝離時間的結果。另外,所使用的剝離液,係如表1及表2所示。以生產性的觀點而言,期望剝離時間為60分鐘以下。
如表1及表2所示,使用對應溶解的黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上,黏度為1.30mPa‧s以下之剝離液,將晶圓與支撐板剝離的情況(於表中分類為實施例)中,剝離時間皆在60分鐘以下。亦即,可實現剝離時間之短縮化。另一方面,對應溶解的黏著劑之溶解速度小於30nm/sec、或黏度大於1.30mPa‧s、或者兩者並存的情況(於表中分類為比較例)中,晶圓從支撐板剝離的時間超過60分鐘。
針對使用將2種烴系溶劑混合之混合物作為剝離液的情況進行評估。就組合之烴系溶劑而言,一方為Exxon Mobil公司製之「EXXSOL(商品名DSP80/100)」,另一方為YASUHARA CHEMICAL CO.,LTD.製之「Woody River #10(商品名)」(純度96.0%之對烷)、「Woody River #8(商品名)」(純度98.5%之d-薴)、或是日本TERPENE化學公司製之「松節油(商品名)」。所組合之烴系溶劑的混合比如表3及表4所示。各混合物中之黏度、對應溶解之黏著劑的溶解速度、及剝離時間之測量係如同實施例1般地進行。表3表示對黏著劑1之各測量結果,表4表示對黏著劑2之各測量結果。
如表3及表4所示,即使剝離液為複數的烴系溶劑之混合物,若對混合物中之應溶解的黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上,黏度為1.30mPa‧s以下,則使晶圓與支撐板剝離的時間也會在60分鐘以下。此外,於混合物中,即使包含黏度大於1.30之烴系溶劑的松節油(黏度:1.31),若最後所得到的混合物之黏度為1.30以下,則使晶圓與支撐板剝離的時間也會在60分鐘以下。
再者,相較於組合有對烷與EXXSOL DSP80/100的剝離液,組合有溶解速度大於對烷且黏度小的d-薴與EXXSOL DSP80/100的剝離液,可使晶圓與支撐板剝離的時間縮短,不論在使用何種黏著劑的情況,其剝離時間皆在30分鐘以下。
根據本發明之剝離方法,可用短時間使容易地將支撐板從基板剝離,因此可適當地利用於製造微細化的半導體裝置。
Claims (8)
- 一種剝離方法,係將藉由黏著劑被黏貼於設有在厚度方向貫通的貫通孔之支承板的基板,從該支承板剝離的剝離方法,其特徵為:包含使剝離液經由上述貫通孔接觸上述黏著劑,而將上述黏著劑溶解的步驟,上述黏著劑,係以烴樹脂為黏著成分之黏著劑,上述剝離液,係黏度為1.3mPa‧s以下,且對上述黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上之烴系溶劑。
- 如申請專利範圍第1項所記載之剝離方法,其中上述烴系溶劑由單一的烴化合物所構成。
- 如申請專利範圍第1項所記載之剝離方法,其中上述烴系溶劑為複數的烴化合物之混合物。
- 如申請專利範圍第3項所記載之剝離方法,其中於上述烴系溶劑中,係混合有黏度為0.5mPa‧s以下之烴系溶劑。
- 如申請專利範圍第4項所記載之剝離方法,其中上述烴系溶劑,係混合有黏度為1.3mPa‧s以下且對上述黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上之複數的烴系溶劑。
- 如申請專利範圍第5項所記載之剝離方法,其中上述複數之烴系溶劑,黏度分別為1.0mPa‧s以下。
- 如申請專利範圍第1~6項中任何一項所記載之剝離方法,其中於上述支承板形成複數個上述貫通孔,緊鄰之上述貫通孔彼此的距離為500μm以下。
- 一種剝離液,係使基板黏貼於支承板的黏著劑予以溶解之剝離液,其特徵為:黏度為1.3mPa‧s以下,且對上述黏著劑之溶解速度為30nm/sec以上,由單一或複數之烴化合物所構成。
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JP6093187B2 (ja) * | 2012-02-08 | 2017-03-08 | 東京応化工業株式会社 | 剥離用組成物、剥離用組成物の製造方法、及びその利用 |
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TW201519725A (zh) * | 2013-11-14 | 2015-05-16 | Wintek Corp | 電子元件半成品、電子元件及其製造方法 |
WO2016152598A1 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | 富士フイルム株式会社 | キットおよび積層体 |
JP6835069B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2021-02-24 | 住友化学株式会社 | 熱可塑性樹脂組成物およびその成形体 |
JP7402601B2 (ja) * | 2018-05-09 | 2023-12-21 | リンテック株式会社 | 個片体形成装置および個片体形成方法 |
JP7154955B2 (ja) * | 2018-11-01 | 2022-10-18 | 株式会社東芝 | 剥離液、剥離方法、及び電子部品の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11140431A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-25 | Tokyo Magnetic Printing Co Ltd | 非極性分散媒を用いた遊離砥粒研磨スラリー組成物 |
JP2004296912A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | ウェハ支持基板 |
US20050173064A1 (en) * | 2003-12-01 | 2005-08-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Substrate supporting plate and stripping method for supporting plate |
US20090250168A1 (en) * | 2008-04-07 | 2009-10-08 | Seiko Epson Corporation | Method for disassembling bonded structure |
JP2011510518A (ja) * | 2008-01-24 | 2011-03-31 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | デバイスウェーハーをキャリヤー基板に逆に装着する方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3335088A (en) * | 1965-12-20 | 1967-08-08 | Pennsalt Chemicals Corp | Method of stripping resins |
JPH07108780A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-04-25 | Riso Kagaku Corp | 孔版印刷用原紙およびその穿孔方法 |
CA2123023A1 (en) * | 1993-12-22 | 1995-06-23 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Process of manufacturing a water-based adhesive bonded, solvent resistant protective laminate |
US6489407B1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-12-03 | Dow Corning Corporation | Silicone coatings containing silicone mist suppressant compositions |
US20030138737A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-24 | Kazumasa Wakiya | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same |
JP4784604B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-10-05 | Jsr株式会社 | 固定剤付きウエハの製造方法 |
WO2007123241A1 (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-01 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | カバーフィルム |
US7649071B2 (en) * | 2006-09-01 | 2010-01-19 | Momentive Performance Materials Inc. | Branched polysiloxane composition |
JP2008094957A (ja) | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Fujitsu Ltd | 粘着剤及び粘着シート、並びにワークの剥離方法 |
JP5074940B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2012-11-14 | 東京応化工業株式会社 | 基板の処理方法 |
CN102753636B (zh) * | 2010-02-12 | 2014-02-12 | 道康宁公司 | 用于半导体加工的暂时晶片粘结方法 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11140431A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-25 | Tokyo Magnetic Printing Co Ltd | 非極性分散媒を用いた遊離砥粒研磨スラリー組成物 |
JP2004296912A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | ウェハ支持基板 |
US20050173064A1 (en) * | 2003-12-01 | 2005-08-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Substrate supporting plate and stripping method for supporting plate |
JP2011510518A (ja) * | 2008-01-24 | 2011-03-31 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | デバイスウェーハーをキャリヤー基板に逆に装着する方法 |
US20090250168A1 (en) * | 2008-04-07 | 2009-10-08 | Seiko Epson Corporation | Method for disassembling bonded structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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