CN103242981B - 剥离用组合物以及剥离用组合物的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供使在剥离基板表面的支撑板后液痕残渣的产生得以减少的剥离用组合物。本发明所述的剥离用组合物含有用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂，其中，具有比该溶剂沸点高25℃以上的沸点的高沸点杂质的含量为5质量％以下。

Description

剥离用组合物以及剥离用组合物的制造方法

技术领域

本发明涉及剥离用组合物以及剥离用组合物的制造方法。

背景技术

近年来，随着手机、数字音频视频(AV)设备以及IC卡等的高功能化，对半导体硅片的小型化、薄型化以及高集成化的要求正在提高。例如，在一个半导体封装中搭载多个半导体芯片的***级封装(System inPackage，SiP)在实现所搭载的芯片的小型化、薄型化以及高集成化；电子设备的高性能化、小型化及轻量化的方面已经成为非常重要的技术。为了应对这种对薄型化以及高集成化的要求，不仅需要现有的引线键合技术(wire bondingtechnology)，还需要将形成有贯通电极的芯片层叠、并在芯片的里面形成凸块的贯通电极技术。

然而，在半导体芯片的制造中，由于半导体晶片本身壁薄且脆，而且电路图案具有凹凸，因此在运送至磨削工序或者切割工序时若施加外力则容易破损。因此，开发了一种晶片处理***，其通过对要磨削的晶片贴合被称为支撑板的、由玻璃、硬质塑料等形成的板，从而保持晶片的强度、防止裂纹的产生和晶片的翘曲。由于可以利用晶片处理***来维持晶片的强度，因此可以自动地进行已薄板化的半导体晶片的运送。

晶片和支撑板使用粘接带、热塑性树脂、粘接剂等来进行贴合。将贴附有支撑板的晶片薄板化后，在切割晶片之前剥离支撑板，将支撑板从晶片上去除。例如，在使用溶解型的粘接剂来贴合晶片和支撑板时，使用丙二醇单甲醚乙酸酯(以下，表示为“PGMEA”)作为剥离液使粘接剂溶解，然后将支撑板剥离而将其从晶片去除(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-119646号公报(2007年5月17日公开)

发明内容

发明要解决的问题

然而，在现有的使用剥离液的剥离方法中，剥离后的晶片表面会产生剥离液的液痕残渣。剥离后的残渣会引起所制造的芯片的电特性降低以及成品率降低的问题。

因而，本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于提供使在剥离晶片表面的支撑板后液痕残渣的产生得以减少的剥离用组合物以及剥离用组合物的制造方法。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，本发明所述的、含有用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂的剥离用组合物，其特征在于，其中，具有比上述溶剂的沸点高25℃以上的沸点的高沸点杂质的含量为5重量％以下。

本发明所述的、含有用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂的剥离用组合物的制造方法，其特征在于，包括将溶剂在该溶剂的沸点以上且低于比该溶剂沸点高25℃的温度的温度下进行蒸馏的蒸馏工序。

发明效果

本发明所述的、含有用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂的剥离用组合物中，具有比上述溶剂的沸点高25℃以上的沸点的高沸点杂质的含量为5重量％以下，因此，通过使用该剥离用组合物将基板从支撑板剥离，可以减少在剥离基板表面的支撑板后液痕残渣的产生。另外，可以提供使在剥离基板表面的支撑板后液痕残渣的产生得以减少的剥离用组合物。

附图说明

图1为表示实施例4所示的对薄荷烷的气相色谱分析结果的图。

图2为表示比较例1所示的对薄荷烷的气相色谱分析结果的图。

图3为表示使用高沸点杂质含量不同的对薄荷烷而得的液痕残渣的评价结果的图。

图4为表示使用对薄荷烷以外的溶剂而得的液痕残渣的评价结果的图。

具体实施方式

〔剥离用组合物〕

本发明所述的、含有用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂的剥离用组合物中，具有比上述溶剂的沸点高25℃以上的沸点的高沸点杂质的含量为5重量％以下。

本发明所述的剥离用组合物溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂，并通过使粘接剂溶解而将基板从支撑板剥离。涂布剥离用组合物而使粘接剂溶解、并剥离支撑板后的基板的表面，在去除粘接剂后进行干燥，但此时由于来源于剥离用组合物的杂质而导致在基板表面产生液痕残渣。

本发明人等重复进行了深入研究，结果发现，剥离支撑板后的基板表面产生的液痕残渣受到剥离用组合物中所含的高沸点杂质的影响。本发明所述的剥离用组合物中，高沸点杂质的含量为5重量％以下，因此通过使用该剥离用组合物将基板从支撑板剥离，可以减少在剥离基板表面的支撑板后液痕残渣的产生。

在本发明所述的剥离用组合物中，具有比溶剂沸点高25℃以上的沸点的高沸点杂质的含量为5重量％以下，更优选为1重量％以下，最优选为0.1重量％以下。

(高沸点杂质)

“高沸点杂质”为用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂中所含的杂质，是指具有比该溶剂沸点高25℃以上的沸点的杂质。即，将溶剂在溶剂的沸点以上且低于比溶剂沸点高25℃的温度的温度下加热时，残留于釜底的物质可能是高沸点杂质。所含有的高沸点杂质因溶剂的种类而异，在溶剂为烃类溶剂时，含有异冰片(isoborneol)、葑醇(fenchol)等之类的高沸点杂质。

在溶剂为对薄荷烷时，其在99.2kPa下的沸点在顺式时为168.8℃、在反式时为168.1℃，因此沸点比这些温度高25℃以上的杂质可能是高沸点杂质。

对薄荷烷等烃类溶剂中所含的异冰片、葑醇等杂质具有比溶剂沸点高25℃以上的沸点。若剥离用组合物中含有包含这种杂质的高沸点杂质，则在将基板与支撑板之间的粘接剂溶解并使基板干燥时，会成为产生液痕残渣的原因。本发明所述的剥离用组合物中，这种高沸点杂质的含量为5重量％以下，因此通过使用该剥离用组合物将基板从支撑板剥离，从而在使剥离支撑板后的基板表面干燥时可以使基板表面上液痕残渣的产生减少。

(溶剂)

本发明所述的剥离用组合物中所含的溶剂只要是使粘接基板和支撑板的粘接剂溶解的溶剂即可，其用于将基板从支撑板剥离。作为这种溶剂，可列举出烃类溶剂、对薄荷烷、四氢萘、十氢萘、环己烷、环辛烷、蒎烷、二甲苯、D-柠檬烯(limonene)、α-蒎烯等，可以根据要溶解的粘接剂的组成来适当选择。例如，在使用含有烃树脂作为粘接成分的粘接剂来粘接基板和支撑板时，作为溶剂适合使用烃类溶剂。

作为构成烃类溶剂的烃，例如，可列举出萜烯类烃、环烷烃类烃、脂肪族类烃、异构烷烃类烃等。作为烃类溶剂的具体例，例如，可列举出对薄荷烷、D-柠檬烯、环己烷、己烷、辛烷、环辛烷、蒎烷以及壬烷等。它们可以单独使用，也可以将两种以上混合使用。另外，在混合使用两种以上溶剂的情况下，高沸点杂质是指具有比混合溶剂的沸点高25℃以上的沸点的杂质。

作为烃类溶剂，可列举出直链状、支链状或者环状的烃、稠多环式烃。作为直链状、支链状或者环状的烃，例如，可列举出己烷、庚烷、辛烷、壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷等直链状的烃；碳数3～15的支链状的烃；对薄荷烷、邻薄荷烷、间薄荷烷、二苯基薄荷烷、α-萜品烯、β-萜品烯、γ-萜品烯、1，4-萜二醇、1，8-萜二醇、莰烷(bornane)、降莰烷(norbornane)、蒎烷、α-蒎烯、β-蒎烯、侧柏烷、α-侧柏酮、β-侧柏酮、蒈烷、长叶烯等。

另外，作为稠多环式烃，有两个以上单环相互供给仅1条各自的环的边而形成的稠环的烃，优选使用两个单环稠合而成的烃。

作为这种烃，可列举出五元环和六元环的组合或者两个六元环的组合。作为组合有五元环和六元环的烃，例如，可列举出茚、并环戊二烯、茚满、四氢茚等，作为组合有两个六元环的烃，例如，可列举出萘、四氢萘(四氢化萘)以及十氢萘(十氢化萘)等。

本发明所述的剥离用组合物中，在不损害本发明的效果的范围内，还可以含有其它成分。

本发明所述的剥离用组合物中所含的溶剂可能是在该溶剂的沸点以上且低于比该溶剂沸点高25℃的温度的温度下进行蒸馏而得的溶剂。即，通过将上述的任意溶剂在溶剂的沸点以上且低于比溶剂沸点高25℃的温度的温度下进行蒸馏，可以得到包含具有比溶剂沸点高25℃以上的沸点的高沸点杂质的含量为5重量％以下的溶剂的剥离用组合物。

本发明所述的剥离用组合物可以通过后述的本发明所述的剥离用组合物的制造方法进行制造，也可以通过其它方法按照使高沸点杂质的含量达到5重量％以下的方式来制造。

(剥离用组合物的用途)

本发明所述的剥离用组合物用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将基板从支撑板剥离。

作为基板，例如，可列举出现有公知的材质的半导体晶片等。

支撑体是例如在将基板薄化的工序中起到支撑基板作用的部件，其利用粘接剂粘接在基板上。在一个实施方式中，支撑体例如由膜厚为500～1000μm的玻璃或硅形成。

在一个实施方式中，在支撑体上设置有在厚度方向上贯通支撑体的孔。因此，在从支撑体剥离基板时，借助该孔使本发明所述的剥离用组合物流入支撑板与基板之间，从而可以高效地溶解粘接剂、容易将基板从支撑板剥离。

需要说明的是，使用本发明所述的剥离用组合物剥离基板和支撑体的方法、在从支撑体剥离的基板上形成电极等的基板处理方法也属于本发明的范畴。

在使用本发明所述的剥离用组合物从支撑体剥离基板时，例如，通过对基板和支撑体之间的粘接剂供给本发明所述的剥离用组合物，从而使粘接剂溶解而将基板从支撑体剥离，洗涤从支撑体剥离的基板表面后进行干燥。在对由此得到的基板施加之后的处理时，基板表面不会产生液痕残渣，因此可以防止基板的电特性降低和成品率降低。

〔剥离用组合物的制造方法〕

本发明所述的剥离用组合物的制造方法中，所述剥离用组合物含有用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂，该方法包括将溶剂在溶剂的沸点以上且低于比溶剂沸点高25℃的温度的温度下进行蒸馏的蒸馏工序。

(蒸馏工序)

在蒸馏工序中，例如，通过间歇式蒸馏或连续式蒸馏将溶剂在溶剂的沸点以上且低于比溶剂沸点高25℃的温度的温度下进行蒸馏。

在间歇式蒸馏的情况下，将溶剂导入蒸馏塔底部的蒸馏釜中，在溶剂的沸点以上且低于比溶剂沸点高25℃的温度的温度下加热。持续加热溶剂时，首先，溶剂中所含的低沸点杂质蒸发，接着溶剂成分蒸发，从塔顶以馏出液的形式取出。此处，低沸点杂质是指沸点比溶剂成分低的物质。在这种条件下蒸馏时，只要形成共沸组成而不会馏出高沸点杂质，则高沸点杂质在蒸馏釜中作为釜底物分离。

在连续式蒸馏的情况下，将利用加热而气化的溶剂导入蒸馏塔的中段，分离为从蒸馏塔的塔顶得到的包含低沸点杂质和溶剂成分的馏出液、以及从蒸馏塔的底部得到的包含高沸点杂质的釜残液。由于间歇式蒸馏只能处理蒸馏釜的容积大小的量，因此在蒸馏大量溶剂时，优选连续式蒸馏。

另外，在蒸馏工序中，蒸馏可以是1段，但为了更高精度地进行蒸馏，优选多段蒸馏。多段蒸馏根据溶剂的种类而异，例如，在蒸馏对薄荷烷时，优选使用包括塔顶和塔底在内的段数为2～15段的多段塔进行蒸馏，更优选使用10段的多段塔进行蒸馏。多段塔的段数，例如为使气液的组成处于平衡、各段间的物质移动处于恒定状态的段数即可。

根据多段蒸馏，包含挥发性较高的低沸点杂质的气体被送到上段，包含挥发性较低的高沸点杂质的液体向下段滴落，因此越往上段越富集挥发性高的低沸点杂质，越往下段越富集挥发性低的高沸点杂质，从而可以提高分离性能。

在蒸馏工序中，还可以将从蒸馏塔的塔顶得到的蒸气的冷凝液的一部分进行回流而以回流液的形式再供给至蒸馏塔中。

蒸馏工序中的蒸馏条件可以根据蒸馏对象溶液的种类进行适当设定，例如，在蒸馏对薄荷烷的情况下，优选在20～100mmHg的减压条件下进行，更优选在60mmHg的减压条件下进行。蒸馏温度为溶剂的沸点以上且低于比溶剂沸点高25℃的温度即可。

在蒸馏工序中分离高沸点杂质、并对从蒸馏塔的塔顶或者在多段蒸馏的情况下从蒸馏釜的上部各段作为蒸气取出的馏出液进行冷却，从而回收溶剂。然后，得到含有该溶剂的本发明所述的剥离用组合物。

对薄荷烷(bp：168℃)等烃类溶剂中所含的异冰片(isoborneol)(bp：212℃)、葑醇(bp：202℃)、茴香酮(bp：194℃)等具有极性基团(羟基、羰基等)的杂质具有比溶剂沸点高25℃以上的沸点。若剥离用组合物中含有包含这种杂质的高沸点杂质，则在将基板与支撑板之间的粘接剂溶解并使基板干燥时，会成为产生液痕残渣的原因。根据本发明所述的剥离用组合物的制造方法，由于在溶剂沸点以上且低于比溶剂沸点高25℃的温度的温度下进行蒸馏，因此可以从该溶剂中分离这种高沸点杂质。

在蒸馏工序中，优选对溶剂进行蒸馏，以使包含蒸馏后的溶剂的剥离用组合物中的、具有比溶剂沸点高25℃以上的沸点的高沸点杂质的含量达到5重量％以下。

由此，在包含该溶剂的剥离用组合物中，由于高沸点杂质的含量为5重量％以下，因此通过使用该剥离用组合物将基板从支撑板剥离，从而在使剥离支撑板后的基板表面干燥时可以减少基板表面上液痕残渣的产生。

在蒸馏工序中得到的溶剂中所含的高沸点杂质的含量可以通过气相色谱分析来测定。

实施例

(1：根据蒸馏阶段而异的高沸点杂质的含量的分析)

对纯度95.7％的对薄荷烷进行蒸馏，利用气相色谱对根据蒸馏阶段而异的高沸点杂质的含量进行了分析。在分离能力为10段、60mmHg的减压条件下，将回流比设定为5，对薄荷烷进行蒸馏。回收馏出液，利用气相色谱对其成分进行分析。

<气相色谱分析条件>

Agilent公司制造的6890N

检测器：FID(火焰电离检测器，Flame Ionization Detector)

注入口温度：250℃；检测器温度：250℃

烘箱温度：50℃(1分钟)→升温10℃/分钟→220℃(保持3分钟)

使用柱：inert1φ0.25mm×60m

利用上述气相色谱分析条件对蒸馏阶段1～8中的各馏出液中的成分进行分析。然后，使用蒸馏阶段1～8中的各馏出液，评价粘接剂溶解后的晶片表面的液痕残渣。

首先，将降冰片烯与乙烯共聚而成的环烯烃共聚物(Polyplastics Co.，Ltd.制造的“TOPAS(商品名)8007”、降冰片烯∶乙烯＝65∶35(重量比)、重均分子量：98,200、Mw/Mn：1.69)按照25重量％的浓度溶于对薄荷烷中。相对于100重量份该溶液，添加5重量份BASF公司制造的“IRGANOX(商品名)1010”作为抗氧化剂，制备粘接剂组合物。

接着，将该粘接剂组合物涂布在12英寸的硅片上，在100℃、160℃以及220℃下各烘烤3分钟，形成膜厚15μm的粘接剂层。利用蒸馏前的对薄荷烷、各蒸馏阶段的馏出液、釜底的釜残液来溶解所形成的粘接剂层。此时，边将各溶剂滴加至粘接剂层，边使晶片以500rpm旋转5分钟。溶解粘接剂层后，使晶片以2000rpm旋转60秒钟，从而使晶片表面干燥。然后，目视确认已干燥的晶片表面是否产生液痕残渣。

蒸馏前的对薄荷烷、各蒸馏阶段的馏出液和釜底的釜残液的成分分析结果以及分别使用它们的晶片表面的液痕残渣的评价结果如表1所示。在表1中，各成分的含量用area％表示。

[表1]

在表1中，在薄荷烷2(反式)右侧记载的检测成分峰为高沸点杂质。蒸馏前的对薄荷烷中共含有0.22area％的高沸点杂质。而且，在蒸馏阶段1～4(分取比例0～50％)，虽然含有低沸点杂质，但不含有高沸点杂质。在蒸馏阶段5～8(分取比例50～94％)，以各阶段中的馏出液整体为100area％时，含有0.10～0.49area％的高沸点杂质。在设釜残液整体为100重量％时，釜底物含有40.29area％的高沸点杂质。需要说明的是，所使用的对薄荷烷的纯度为95.7％，因此仅蒸馏至分取率94％。需要说明的是，利用NMR和气相色谱-质谱联用(GC-MS)可以确认高沸点杂质为异冰片、葑醇、茴香酮。

在使用不含高沸点杂质的蒸馏阶段1～4的馏出液溶解粘接剂的情况下，在晶片表面未观察到液痕残渣(A)。另外，在将高沸点杂质的含量为0.10area％的蒸馏阶段5的馏出液用于溶解粘接剂的情况下，在晶片表面也未观察到液痕残渣(A)。此外，在使用蒸馏前的对薄荷烷、蒸馏阶段6～8的馏出液溶解粘接剂的情况下，虽然在晶片表面观察到少许液痕残渣，但是已达成液痕残渣的降低，粘接剂溶解后的晶片处于能够无问题地使用的水平(B)。另一方面，在将釜底的釜残液用于溶解粘接剂的情况下，在晶片表面观察到液痕残渣(C)。

另外，如表1所示那样，在蒸馏阶段1～4的馏出液中，对薄荷烷的顺式和反式的总比率尽管比蒸馏阶段6～8的馏出液低，但在粘接剂溶解后的晶片表面未观察到液痕残渣，因此可以说对液痕残渣的产生造成影响的是高沸点杂质的含量而不是对薄荷烷的纯度。即，在用于解决液痕残渣的问题时可以不考虑溶剂中的低沸点杂质的含量。

(2：使用高沸点杂质含量不同的溶剂时产生液痕残渣的评价)

按照上述1.所述的方法，将纯度95.7％的对薄荷烷进行蒸馏，如以下表2所示那样，准备了高沸点杂质含量不同的10种对薄荷烷溶剂。使用这些对薄荷烷，对在溶解晶片上的粘接剂之后产生的液痕残渣进行了评价。

[表2]

	高沸点杂质的含量(重量％)	液痕评价
			实施例1	0.10	A
实施例2	0.07	A
			实施例3	0.03	A
实施例4	0.02	A
			实施例5	0.00	A
实施例6	1.03	B

实施例7	0.18	B
			实施例8	0.12	B
比较例1	5.32	C
			比较例2	9.02	C

如表2所示，溶剂中的高沸点杂质含量为5重量％以下的实施例1～8中，可以将剥离基板表面的支撑板后的液痕残渣的产生降低至能够无问题地使用的水平。即，实施例1～5中，在溶解粘接剂后的晶片表面未观察到液痕残渣(A)。此外，实施例6～8中，虽然在晶片表面观察到少许液痕残渣，但是已达成液痕残渣的降低，粘接剂溶解后的晶片处于能够无问题地使用的水平(B)。另一方面，溶剂中的高沸点杂质的含量超过5重量％的比较例1及2中，在溶解粘接剂后的晶片表面确认到液痕残渣(C)。

此处，按照上述1.记载的方法分析各对薄荷烷中的高沸点杂质的含量。作为基于气相色谱的分析结果的例子，在图1中示出实施例4所示的对薄荷烷的气相色谱分析结果，并且在图2中示出比较例1所示的对薄荷烷的气相色谱分析结果。

在图1和2中，两个较大的峰表示对薄荷烷的顺式和反式，图中在这些峰右侧的区域示出高沸点杂质。如图1所示那样，对于实施例4的对薄荷烷而言，在顺式和反式的峰右侧的区域X基本上不存在峰，基本上不含有高沸点杂质。另一方面，如图2所示那样，对于比较例1的对薄荷烷而言，在顺式和反式的峰右侧的区域Y存在多个峰，含有多种高沸点杂质。

首先，与上述1.同样地进行基于实施例1～8以及比较例1和2的各对薄荷烷溶剂的、晶片表面的液痕残渣的评价。结果如图3所示。

图3中通过对晶片表面拍摄的图像来表示使用高沸点杂质含量不同的对薄荷烷而得的液痕残渣的评价结果。如图3所示那样，实施例1～5中在干燥后的晶片表面上完全观察不到液痕，实施例6～8中也基本观察不到液痕。另一方面，在比较例1和2中，在干燥后的晶片表面上观察到液痕。

(3：使用对薄荷烷以外的溶剂时产生液痕残渣的评价)

使用对薄荷烷以外的溶剂，按照上述1.记载的方法对在溶解晶片上的粘接剂后产生的液痕残渣进行了评价。作为溶剂，分别使用了D-柠檬烯(bp：176℃，实施例9)、环辛烷(bp：151℃，实施例10)、蒎烷(bp：167℃，实施例11)、将D-柠檬烯和对薄荷烷以1∶1混合而得的混合物(实施例12)、将环辛烷和对薄荷烷以1∶1混合而得的混合物(实施例13)、将蒎烷和对薄荷烷以1∶1混合而得的混合物(实施例14)、将环辛烷和蒎烷以1∶1混合而得的混合物(实施例15)。另外，溶剂的混合比均以重量比来表示。

D-柠檬烯使用纯度为97.5％的物质，环辛烷使用纯度为98.2％的物质，蒎烷使用纯度为99.6％的物质。这些对薄荷烷以外的溶剂是通过在与实施例同样的条件下进行蒸馏而精制得到的溶剂。作为对薄荷烷，使用按照上述1.记载的方法蒸馏成与实施例5同样的对薄荷烷。

实施例9～15中使用的各溶剂、各溶剂的高沸点杂质的含量及液痕评价的结果如表3所示。

【表3】

	溶剂	高沸点杂质的含量(重量％)	液痕评价
				实施例9	D-柠檬烯	1.07	B
实施例10	环辛烷	0.01	A
				实施例11	蒎烷	0.25	A
实施例12	D-柠檬烯/对薄荷烷＝1/1	0.54	A
				实施例13	环辛烷/对薄荷烷＝1/1	0.01	A
实施例14	蒎烷/对薄荷烷＝1/1	0.13	A
				实施例15	环辛烷/蒎烷＝1/1	0.13	A

如表3所示，即使在使用对薄荷烷以外的溶剂的情况下，在溶剂中的高沸点杂质的含量为5重量％以下的实施例9～15中也可以将剥离基板表面的支撑板后的液痕残渣的产生降低至能够无问题地使用的水平。即，实施例10～15中，在溶解粘接剂后的晶片表面未观察到液痕残渣(A)。此外，实施例9中，虽然在晶片表面观察到少许的液痕残渣，但是已达成液痕残渣的降低，粘接剂溶解后的晶片处于能够无问题地使用的水平(B)。

此外，图4中通过对晶片表面拍摄的图像来表示使用对薄荷烷以外的溶剂而得的液痕残渣的评价结果。如图4所示，实施例9中，残留在干燥后的晶片表面的液痕残渣较薄。此外，实施例10～15中，在干燥后的晶片表面未观察到液痕。

本发明不限定于上述实施方式，可以在权利要求所示的范围内进行各种变更，并且适当组合实施方式公开的技术手段而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围中。

产业上的可利用性

本发明例如可适合利用在经微细化的半导体装置的制造工序中。

Claims (8)

1.一种剥离用组合物，其特征在于，其含有用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂，其中，

具有比所述溶剂的沸点高25℃以上的沸点的高沸点杂质的含量为5重量％以下，

所述溶剂为环状的烃、或者为环状的烃与萜烯系溶剂的组合，

所述环状的烃为选自四氢萘、十氢萘、环己烷、环辛烷及二甲苯中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的剥离用组合物，其特征在于，所述溶剂为环辛烷，或者为选自对薄荷烷、D-柠檬烯、蒎烷中的至少一种与环辛烷的组合。

3.根据权利要求2所述的剥离用组合物，其特征在于，所述溶剂为对薄荷烷与环辛烷的组合。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的剥离用组合物，其特征在于，所述基板为晶片。

5.一种剥离用组合物的制造方法，其特征在于，所述剥离用组合物含有用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂，

该方法包括将溶剂在该溶剂的沸点以上且低于比该溶剂沸点高25℃的温度的温度下进行蒸馏的蒸馏工序，

所述溶剂为选自环状的烃、或者为环状的烃与萜烯系溶剂的组合，

所述环状的烃为选自四氢萘、十氢萘、环己烷、环辛烷及二甲苯中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的剥离用组合物的制造方法，其特征在于，在所述蒸馏工序中将溶剂进行蒸馏，使得所述剥离用组合物中的具有比所述溶剂的沸点高25℃以上的沸点的高沸点杂质的含量达到5重量％以下。

7.一种剥离方法，其特征在于，所述剥离方法为通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将所述基板从所述支撑板剥离的剥离方法，其中，

通过对所述支撑板和所述基板之间供给权利要求1～4中任一项所述的剥离用组合物，从而将所述粘接剂溶解，将所述基板从所述支撑板剥离。

8.根据权利要求7所述的剥离方法，其特征在于，所述粘接剂含有将降冰片烯与乙烯共聚而成的环烯烃共聚物。