TWI485210B - 具有導電性與鐵磁性之複合材料及其混成漿料 - Google Patents

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Description

具有導電性與鐵磁性之複合材料及其混成漿料
本發明係有關於複合材料，且特別是有關於一種具有鐵磁性及導電性的複合材料及其漿料。
電磁波干擾(Electro-Magnetic Interference，EMI)是近年來被發現的電子污染。隨著高科技的發展，電磁輻射的程度日趨嚴重。若無法有效隔離電磁波，不但會妨害各種通訊、造成各式精密儀器的誤差及損壞，甚至會影響人類的生活品質與健康。因此，高性能的電磁波防護材料的需求正不斷增加。
電磁波主要是由互相垂直的電場與磁場組成，因而可將之分為靜電場與靜磁場之遮蔽。靜電場遮蔽是藉由金屬表面的電荷分佈以抵消金屬內的電場；靜磁場遮蔽則是由高導磁率的鐵磁材料提供低電阻的線路，讓磁力線傳導並經過或到達遮蔽物，以減少遮蔽物內的磁場干擾。因此，電磁波防護的原理包括有反射損失及吸收損失兩種。由於高導電性材料的體積阻抗低，其反射損失作用大。磁性材料的磁滯現象則與其含磁量和矯頑磁力(coercivity)相關，帶磁量愈大、矯頑磁力愈大的物質，其磁力曲線中的封包面積也會愈大。因此，其所能提供的能量耗損也愈大，亦即其電磁波的防護能力愈強。
目前最常用的EMI材料為高導電性的金屬材料，但是使用金屬材料則有較重、易腐蝕、硬度高等的缺點。為了滿足電子產品輕薄化和電動車等新興市場的需求，研發高效能、具可撓性和超薄化EMI材料有極大的潛在應用價值。
雖然已經有許多人發展同時具有導電性與鐵磁性的材料技術，但是現有技術或多或少都尚有若干的缺點，包括奈米複合材料本身的鐵磁性或導電性不足，或是複合材料製作過程存在不容易分散與加工的問題。
因此，目前亟需一種EMI材料，不僅要具備高效能磁性與導電性，同時要能夠具備輕薄、易加工、可撓曲、不易腐蝕等特性，才能符合未來市場的需求。
本發明一實施例提供一種具有導電性與鐵磁性之複合材料，包括：5至90重量份之導電性高分子基質；以及0.1至40重量份之柱狀奈米氧化鐵，其係具有鐵磁性的氧化鐵，且該柱狀奈米氧化鐵的長徑比大於3。
本發明另一實施例提供一種混成漿料，包括：一導電性高分子；一柱狀奈米氧化鐵，其係具有鐵磁性的氧化鐵，且該柱狀奈米氧化鐵的長徑比大於3；以及一溶劑。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
以下依本發明之不同特徵舉出數個不同的實施例。本發明中特定的元件及安排係為了簡化，但本發明並不以這些實施例為限。此外，為簡明起見，本發明在不同例子中以重複的元件符號及/或字母表示，但不代表所述各實施例及/或結構間具有特定的關係。
在本發明一實施例中，利用有機無機混成技術開發同時兼具鐵磁性與導電性的混成漿料。此混成漿料可透過便利的加工與成形而成為實用的奈米複合材料。其中，並利用控制奈米氧化鐵結構的長徑比而形成柱狀奈米氧化鐵，藉此可改變其鐵磁特性，而達到良好的電磁波防護能力。
在本發明另一實施例中，可額外在柱狀氧化鐵表面包覆導電性高分子外殼，以同時加強鐵磁與導電雙相的連續性。因此，將其應用以形成混成漿料或複合材料時，可具有較佳的鐵磁性及導電性。
在本發明一實施例中，混成漿料中，包括柱狀奈米氧化鐵、導電性高分子及溶劑。另外，混成漿料也可依需要包括接著劑。其中，柱狀奈米氧化鐵係具有鐵磁性的氧化鐵，且其長徑比大於3，更佳為介於5至10之間。
在混成漿料中，柱狀奈米氧化鐵：導電性高分子：接著劑：溶劑的重量比例如為0.01-0.5：1-3：0.5-1.5：90-98，且其固含量例如介於0.5至90%。在一實施例中，混成漿料的導電度可介於20至2000μS。
上述柱狀奈米氧化鐵例如可包括四氧化三鐵(Fe3 O4 )、γ-三氧化二鐵(γ-Fe2 O3 )、或前述之組合。在一實施例中，柱狀奈米氧化鐵的直徑可介於10至100 nm，而依前述之長徑比，其對應長度可介於30至1000 nm。在另一實施例中，柱狀奈米氧化鐵的飽和磁化量可介於2至90 emu/g，矯頑磁力可介於0.5至200 G。
由於奈米氧化鐵可隨著粒徑的變化而呈現不同的磁特性。在特定粒徑之下，氧化鐵的矯頑磁力可達到最高點，此曲塊稱為單磁疇區(single domain)。此外，其長徑比對磁性也有顯著的影響，例如當長徑比>5時，奈米氧化鐵會位於單磁疇區。因此，藉由對奈米氧化鐵的長徑比加以控制，就會得到不同特性的奈米磁性材料。經實驗發現，奈米氧化鐵長徑比較佳為大於3，更佳為介於5至10之間。
然而，應注意的是，若單獨使用氧化鐵作為電磁波防護材料，其遮蔽特性並不顯著。例如，材料厚度在超過2 mm時，遮蔽效率才可達19 dB。亦即，單獨使用氧化鐵所形成的材料必須要有相當的厚度才有電磁波遮蔽效果。因此，本案除了柱狀奈米氧化鐵之外，更需加入導電性高分子形成混成漿料，才可達到較佳的電磁波防護效果。
上述導電性高分子係具有共軛雙鍵的高分子聚合物，例如包括聚乙炔(polyacetylene)、聚吡咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)、聚苯胺(polyaniline)、對聚苯硫醚(poly(p-phenylene sulfide))、聚對位苯基乙烯(poly(p-phenylene vinylene))、聚3,4-二氧乙烯噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))、聚3,4-二氧乙烯噻吩-聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-polystyrene sulfonate)、或前述之組合。在一實施例中，導電性高分子基質係使用聚3,4-二氧乙烯噻吩-聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-polystyrene sulfonate)。
應注意的是，雖然單獨使用導電性高分子也有一定程度的電磁波防護能力，但同時使用導電性高分子與氧化鐵混摻形成混成漿料時，其電磁波防護能力較單獨使用導電性高分子為高，顯示氧化鐵與導電性高分子對於電磁波的防護具有加成效果。
另外，在上述漿料中所使用的接著劑例如可包括聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、聚丙烯酸(polyacrylic acid)、聚氨酯(polyurethane)、環氧樹脂(epoxy resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene)、或前述之組合。使用接著劑的主要目的，在於後續製程中，可提升所形成複合材料與其他物質之間的黏著性，並加強材料本身的機械強度。此外，在上述混程漿料中所使用的溶劑，係為一水性溶劑，例如包括以水為主要成份的溶劑或水，這是由於柱狀奈米氧化鐵、導電性高分子及黏著劑為水溶性，因而可形成均勻分散的漿料。
在本發明另一實施例中，混成漿料不僅可包括柱狀奈米氧化鐵、導電性高分子、溶劑及接著劑，且其柱狀奈米氧化鐵表面包覆有導電性高分子外殼以形成一核殼(core shell)結構。在一實施例中，導電性高分子外殼的厚度介於5至50 nm。
上述導電性高分子外殼係具有共軛雙鍵的高分子聚合物，例如包括聚乙炔(polyacetylene)、聚吡咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)、聚苯胺(polyaniline)、對聚苯硫醚(poly(p-phenylene sulfide))、聚對位苯基乙烯(poly(p-phenylene vinylene))、聚3,4-二氧乙烯噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))、聚3,4-二氧乙烯噻吩-聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-etbylenedioxythiophene)-polystyrene sulfonate)、或前述之組合。在一實施例中，該用以包覆柱狀奈米氧化鐵的導電性高分子外殼，係使用聚苯胺(polyaniline)。
經實驗發現，當混成漿料中包括具有核殼結構的柱狀奈米氧化鐵時，可更有效的提升其電磁波防護效果。
此外，可將前述混成漿料進行加工，以形成實用的奈米複合材料。在一實施例中，可將混成漿料倒入模具中，並於30至80℃下烘乾，即可得到奈米複合材料。複合材料例如可包括：5至90重量份之導電性高分子基質；0.1至40重量份之柱狀奈米氧化鐵；以及0.5至85重量份之接著劑。在一實施例中，複合材料可經由各種塗佈方式形成薄膜，例如旋轉塗佈(spin coating)、棒狀塗佈(bar coating)、刮刀塗佈(blade coating)、滾筒塗佈(roller coating)、線棒塗佈(wire bar coating)、浸漬塗佈(dip coating)、噴灑塗佈(spray coating)等。此外，所形成薄膜的表面電阻例如可介於1至1000Ω/□，較佳介於1至100Ω/□。此外，複合材料例如可應用於電磁波遮蔽、雷達/微波吸收、或靜電防護。
相較於傳統的電磁波防護材料，例如單純使用氧化鐵所形成之電磁波防護材料、單純使用導電性高分子所形成之電磁波防護材料、或以球形氧化鐵所形成之電磁波防護材料，本案各實施例之具有導電性與鐵磁性之複合材料可具有較佳的電磁波防護效果。在一實施例中，利用長徑比大於3的奈米氧化鐵以及導電性高分子混合形成混成漿料，其磁性及導電性皆可具有加成的效果。因此，再更進一步形成複合材料薄膜時(含導電性高分子基質以及長徑比大於3的奈米氧化鐵)，其在較薄的狀態下即可達到所需的電磁波防護效果。例如，當薄膜厚度介於20μm至30μm時，即可達到20dB的電磁波防護能力。
另外，在本發明另一實施例中，則更進一步的在柱狀奈米氧化鐵表面包覆導電性高分子外殼以形成核殼結構。而後再以具核殼結構的柱狀奈米氧化鐵與導電性高分子混合形成一混成漿料，或形成具電磁波遮蔽性的複合材料。經實驗發現，以具有核殼結構的柱狀奈米氧化鐵所形成的複合材料之電磁波防護效果更佳。上述現象可能的原因為當導電性高分子外殼包覆在柱狀奈米氧化鐵表面上時，會使得原本在柱狀奈米氧化鐵表面之不具磁性的α-三氧化二鐵(α-Fe2 O3 )轉變為具磁性的四氧化三鐵(Fe3 O4 )，故可增加整體結構的磁性，進而使得所形成的複合材料具有更高的電磁波防護效果。
綜上所述，相較於傳統電磁波防護薄膜之厚度需大於5mm時，才可達到20dB(EMI 99%)的電磁波遮蔽效果。本案各實施例之複合材料薄膜的厚度僅需達例如40μm，即可達到30dB(EMI 99.9%)的電磁波防護效果，甚至在30MHz下時可達50dB的電磁波防護效果。
【實施例1】　柱狀奈米氧化鐵的合成
將0.648克FeCl3 溶於80 ml的水中，再加入0.556克的硫酸亞鐵(FeSO4 ‧7H2 O)並攪拌使之溶解。溶解後於氮氣下加入40 ml的甲苯(Toluene)，然後緩緩加入10 ml(20mM)的溴化鯨蠟基三甲基銨(CTAB；cetyltrimethylammonium bromide)及10 ml的乙二胺(ethylenediamine)作為界面活性劑，攪拌20分鐘後，於120℃反應20小時。而後，取出樣品並加純水清洗，再使用超音波振盪器將粒子分散於水溶液中。將合成的氧化鐵分別以掃描式電子顯微鏡(SEM；scanning electron microscope)、穿透式電子顯微鏡(TEM；Transmission electron microscopy)以及X-光繞射儀(XRD；X-ray scattering techniques)分析其形狀、粒徑及成份。
第1圖顯示所形成柱狀奈米氧化鐵的SEM圖。在第1圖中，可看出所形成奈米氧化鐵的形狀為柱狀，寬度約介於10至50nm，長度約介在100至300nm之間，平均長徑比約為5-10。
第2圖顯示為所形成柱狀奈米氧化鐵的XRD圖。在第2圖中，可看出本發明所合成的氧化鐵為四氧化三鐵，其為立方(cubic)晶形，在XRD圖譜中呈現出(220)、(311)、(400)、(422)、(511)、(440)六個晶面。
第3圖顯示所形成的柱狀奈米氧化鐵使用振動試品磁強計(VSM；Vibrating Sample Magnetometer)測得飽和磁化量(Ms；saturated magnetization)及矯頑磁力(Hc；coercivity)，其飽和磁化量為62.9 emu/g，矯頑磁力為122.5G。
【實施例2】　具導電性高分子外殼的柱狀奈米氧化鐵的合成
取0.04克實施例1中合成之奈米柱狀氧化鐵，置入水中並加入40μl的苯胺(aniline)攪拌。同時將0.328克的過硫酸銨(APS；Ammonium persulfate)作為起始劑溶於0.01M鹽酸溶液中。而後，將過硫酸銨溶液慢慢加入反應溶液中，並且持續攪拌及保持冰浴6小時，反應後即可得到四氧化三鐵(Fe3 O4 )/聚苯胺(PANi；polyaniline)核殼結構微粒。以純水清洗，再將之分散於水中。以TEM分析所合成的四氧化三鐵/聚苯胺微粒的核殼結構。參照第4圖可發現微粒的內層是顏色較深的氧化鐵，外層披覆一層極薄且顏色較淡的聚苯胺。這是由於聚苯胺的電子密度低於四氧化三鐵，因而在TEM上顏色的表現會淡於四氧化三鐵。從TEM分析亦可知道此導電性高分子外殼厚度(即PANi膜厚)約為5~10 nm。
第5圖顯示所形成的柱狀奈米氧化鐵/聚苯胺核殼結構使用振動試品磁強計(VSM)測得的磁性分析結果，其測量得到的飽和磁化量為71.69 emu/g，矯頑磁力為137.09 G，由測量值可知經過聚苯胺的包覆並沒有減弱氧化鐵本身的磁性。
【實施例3】　配製混成漿料-B
將實施例1合成製得且已分散於水中的柱狀奈米氧化鐵、適當比例的導電性高分子和1wt %聚乙烯醇(PVA；polyvinyl alcohol)混合。其中，所使用的導電性高分子為聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS；Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)；購自全虹)。將上述混合物於超音波振盪器震盪30分鐘，再持續攪拌約18小時，使之均勻混合，即可得到混成漿料。
依上述方法配製成具有三種不同柱狀奈米氧化鐵含量的混成漿料，其中柱狀奈米氧化鐵的含量分別為1.2wt%(B1 )、6wt%(B2 )、12wt%(B3 )。
以導電度計分別量測各漿料的導電度(Conductivity)，分別為1040(B1 )、910(B2 )和715μS/cm(B3 )，如表1所示。
另外，將漿料以烘乾方式乾燥後，使用振動試品磁強計(VSM)量測其飽和磁化量，分別為2.32(B1 )、2.03(B2 )和5.14emu/g(B3 )。若依漿料中柱狀氧化鐵的含量將其飽和磁量正規化(Normalization)之後，則分別為193.02(B1 )、33.87(B2 )和21.42emu/g(B3 )。參照表1，單純使用柱狀奈米氧化鐵時，雖可具有較佳的矯頑磁力，但其導電度差。然而，實施例1所形成的混成漿料(B1 、B2 、B3 )則可同時兼具磁性及導電性。
表1
【實施例4】　配製混成漿料-C
將實施例2合成製得且已分散於水中的Fe3 O4 /PANi核殼結構微粒與適當比例的PEDOT:PSS(購自全虹)和聚乙烯醇(1 wt%)混合，於超音波振盪器震盪30分鐘，再持續攪拌(約18小時)使之均勻混合，即可得到混成漿料-C。以不同含量的Fe3 O4 /PANi核殼結構微粒依上述方法配製成三種各含1.2%(C1 )、6%(C2 )、12%(C3 )的混成漿料。
以導電度計量測漿料的導電度，分別為1280、1150和990μS/cm，如表2所示。將漿料乾燥後，使用(振動試品磁強計)VSM測量其飽和磁化量，分別為3.805(C1 )、4.795(C2 )和3.965 emu/g(C3 )。依漿料中之核殼結構氧化鐵的含量，將其飽和磁量正規化之後，則分別為317.08(C1 )、79.92(C2 )和33.04 emu/g(C3 )。參照表2，若僅在柱狀奈米氧化鐵外包覆導電性高分子外殼時，也只能略為提升其導電度，仍無法同時兼具良好的磁性及導電性。然而，以具有核殼結構的柱狀奈米氧化鐵所形成的混成漿料，不僅可提升導電性(殼核結構可增加導電的連續性)，其飽和磁化量更可大幅提升。推測飽和磁化量提升的原因可能係因為當導電性高分子外殼包覆在柱狀奈米氧化鐵表面上時，會使得原本在柱狀奈米氧化鐵表面之不具磁性的α-Fe2 O3 轉變為具磁性的Fe3 O4 ，故可增加整體結構的磁性。
【比較例1】　配製混成漿料-S1
將4 ml的氯化鐵(1M；FeCl3 )以及1 ml的氯化亞鐵(2M；FeCl2 )置於燒杯中，再慢慢滴入氫氧化鈉(1M；NaOH)直到pH值達到12為止。加水清洗並加入溴化鯨蠟基三甲基銨(CTAB；cetyltrimethylammonium bromide)作為保護劑，回溶於50ml的純水中，於超音波振盪30分鐘，加入70 g的導電性高分子和1wt%聚乙烯醇(PVA；polyvinyl alcohol)混合。其中，所使用的導電性高分子為聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS；Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)；購自全虹)。將上述混合物於超音波振盪器震盪30分鐘，再持續攪拌約18小時，使之均勻混合，即可得到混成漿料。
【實施例5】　混成漿料在EMI遮蔽之應用
取適當量的混成漿料B1 、B2 、B3 (實施例3)裝於圓底瓶中，在超音波震盪下真空除泡。待泡沫除盡後，將之倒入模具中，並於50℃下烘乾，可製得15cm×15cm×40μm的薄膜。將此膜送測EMI，可測得其電磁波遮蔽效果(第6圖)。參照第6圖，相較於單純使用導電性高分子，以導電性高分子及柱狀奈米氧化鐵所形成的混成漿料可具有良好的電磁波遮蔽效果。
另外，依照上述方法將混成漿料C1 、C2 、C3 (實施例4)製成15cm×15cm×40μm的薄膜。將此膜送測EMI，可測得其電磁波遮蔽效果(第7圖)。參照第7圖，相較於單純使用導電性高分子，以導電性高分子及具殼核結構的柱狀奈米氧化鐵所形成的混成漿料可具有良好的電磁波遮蔽效果。
最後，將實施例3的混成漿料B1 (包括柱狀奈米氧化鐵及導電性高分子)、實施例4的混成漿料C1 (包括具殼核結構的柱狀奈米氧化鐵及導電性高分子)、比較例1的混成漿料S1 (包括球形奈米氧化鐵及導電性高分子)及純PEDOT:PSS分別依前述方法製成薄膜，並測量其電磁波遮蔽效果(第8圖)。參照第8圖，具核殼結構的柱狀奈米氧化鐵及導電性高分子所形成的混成漿料C1 具有最佳的電磁波遮蔽效果，而以柱狀奈米氧化鐵及導電性高分子所形成的混成漿料B1 的電磁波遮蔽效果居次，以球形奈米氧化鐵及導電性高分子所形成的混成漿料S1 及單純使用導電性高分子PEDOT:PSS的電磁波遮蔽效果最差。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
第1圖顯示根據本發明一實施例之柱狀奈米氧化鐵之SEM圖。
第2圖顯示根據本發明一實施例之柱狀奈米氧化鐵之XRD圖。
第3圖顯示根據本發明一實施例之柱狀奈米氧化鐵之磁性分析的結果。
第4圖顯示根據本發明一實施例之具核殼結構之柱狀奈米氧化鐵之TEM圖。
第5圖顯示根據本發明一實施例之具核殼結構柱狀奈米氧化鐵之磁性分析的結果。
第6-8圖顯示根據本發明數個實施例之複合材料之電磁波遮蔽效果。

Claims (21)

  1. 一種具有導電性與鐵磁性之複合材料，包括：5至90重量份之導電性高分子基質；0.1至40重量份之柱狀奈米氧化鐵，其係具有鐵磁性的氧化鐵，且該柱狀奈米氧化鐵的長徑比大於3；以及其中該導電性高分子基質係具有共軛雙鍵的高分子聚合物，包括聚乙炔(polyacetylene)、聚吡咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)、聚苯胺(polyaniline)、對聚苯硫醚(poly(p-phenylene sulfide))、聚對位苯基乙烯(poly(p-phenylene vinylene))、聚3,4-二氧乙烯噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))、聚3,4-二氧乙烯噻吩-聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-polystyrene sulfonate)、或前述之組合。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，其中該柱狀奈米氧化鐵包括四氧化三鐵(Fe3 O4 )、γ-三氧化二鐵(γ-Fe2 O3 )、或前述之組合。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，其中該柱狀奈米氧化鐵的長徑比係介於5至10，且該柱狀奈米氧化鐵的直徑介於10至100nm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，其中該柱狀奈米氧化鐵的飽和磁化量介於2至90emu/g，矯頑磁力介於0.5至200G。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，其中該導電性高分子基質係聚3,4-二氧乙烯噻吩-聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)- polystyrene sulfonate)。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，更包括一導電性高分子外殼包覆在該柱狀奈米氧化鐵表面以形成一核殼(core shell)結構。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，其中該導電性高分子外殼的厚度介於5至50nm。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，其中該導電性高分子外殼係具有共軛雙鍵的高分子聚合物，包括聚乙炔(polyacetylene)、聚吡咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)、聚苯胺(polyaniline)、對聚苯硫醚(poly(p-phenylene sulfide))、聚對位苯基乙烯(poly(p-phenylene vinylene))、聚3,4-二氧乙烯噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))、聚3,4-二氧乙烯噻吩-聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-polystyrene sulfonate)、或前述之組合。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，其中該導電性高分子外殼係聚苯胺(polyaniline)。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，其中該具有導電性與鐵磁性之複合材料為一薄膜。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，其中該薄膜的表面電阻介於1至1000Ω/□。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，更包括0.5至85重量份之接著劑。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，其中該接著劑包括聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、聚丙烯酸(polyacrylic acid)、聚氨酯(polyurethane)、環氧樹脂(epoxy resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene)、或前述之組合。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之具有導電性與鐵磁性之複合材料，其中該具有導電性與鐵磁性之複合材料應用於電磁波遮蔽、雷達/微波吸收、或靜電防護。
  15. 一種混成漿料，包括：一導電性高分子；一柱狀奈米氧化鐵，其係具有鐵磁性的氧化鐵，且該柱狀奈米氧化鐵的長徑比大於3；一溶劑；以及其中該導電性高分子基質係具有共軛雙鍵的高分子聚合物，包括聚乙炔(polyacetylene)、聚吡咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)、聚苯胺(polyaniline)、對聚苯硫醚(poly(p-phenylene sulfide))、聚對位苯基乙烯(poly(p-phenylene vinylene))、聚3,4-二氧乙烯噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))、聚3,4-二氧乙烯噻吩-聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-polystyrene sulfonate)、或前述之組合。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之混成漿料，更包括一接著劑。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之混成漿料，其中該柱狀奈米氧化鐵：該導電性高分子：該接著劑：該溶劑的重量比為0.01-0.5：1-3：0.5-1.5：90-98。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之混成漿料，更包括一導電性高分子外殼包覆在該柱狀奈米氧化鐵表面以形成一核殼(core shell)結構。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之混成漿料，其中該溶劑係為一水性溶劑，其包括以水為主要成份的溶劑或水。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之混成漿料，其中該混成漿料的固含量介於0.5至90%。
  21. 如申請專利範圍第15項所述之混成漿料，其中該混成漿料的導電度介於20至2000μS。
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