TWI479641B - 發光元件及其製作方法 - Google Patents

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Description

發光元件及其製作方法
本發明是有關於一種發光元件之結構及其製作方法，特別是提供一種具有高電壓驅動、高演色性以及光密度集中之高發光效率白光發光元件之結構及其一種堆疊微型發光二極體晶粒群之製作方法。
請參閱第1圖，其係為美國專利第US5998925號所揭示之白光發光二極體之示意圖。該白光發光元件1至少包含一支架11、一發出藍光波長之氮化鎵系發光二極體晶粒12以及一波長轉換螢光材料13。該波長轉換螢光材料13係與一封蓋樹脂14相混合且吸收部份該氮化鎵系發光二極體晶粒12所發出之藍光能量而轉換發出綠光波長之光，因此獲得由藍光波長及綠光波長所混合出之白光。雖然此習知之技術具有製作方法簡單之優點，然而，該白光發光元件1之光譜因缺乏紅光成分使得其演色性特性不佳，故應用上有其缺點存在。
請參閱第2圖，其係為美國專利第US5851063號所揭示之高演色性之白光發光元件之光譜圖。該白光元件係由至少包含一發出藍光波段(455~490nm)之發光二極體、一發出綠光波段(530~570nm) 之發光二極體、以及一發出紅光波段(605~630nm)之發光二極體所組合而成。該白光發光元件係藉由各發光波段適當之色溫調整以及組合而達成演色性大於80之目標。然而，由於該白光係經由三種不同發光二極體經由光學混光之技術而成，其製作技術上，很難獲得色度均勻性佳的白光發光元件，故應用上有其缺點存在。
又，美國專利第US6351069號係揭露一種高演色性及色度均勻性佳的白光發光元件。該白光發光元件係由一可發出藍光波段之發光二極體，特別是一種氮化鎵系發光二極體晶粒，以及兩種螢光材料所組合而成。該兩種螢光材料分別吸收部份之藍光波段能量而轉換成綠光波段以及紅光波段，經由此三種不同波長之藍光、綠光以及紅光相混合，進而達到高演色性及色度均勻性佳之白光發光元件。然而，由於可吸收藍光波段能量而轉換成紅光所使用之螢光材料，其光轉換效率偏低，因此，無法提升白光發光元件之整體發光效率，應用上有其缺點存在。
再者，為了同時改善上述白光發光元件之缺點，請參閱第3圖，其係美國專利第US6234648號所揭露之一種高演色性及高發光效率之白光發光元件20。該習知之技術係利用至少一發出藍光波長之氮化鎵系發光二極體21、至少一發出紅光波長 之發光二極體22以及一波長轉換螢光材料23所組成。該波長轉換螢光材料23可吸收部分由發出藍光波長之氮化鎵系發光二極體21之能量而轉換成發出綠光波長之光，經由此三種不同波長之藍光、綠光以及紅光相混合，進而達到高演色性及高發光效率之白光發光元件。
然而，由於該發出藍光波長之氮化鎵系發光二極體21以及該可發出紅光波長之發光二極體22係採分離方式放置於承載器24之上，因此，該白光發光元件20之整體尺寸難以縮小而且光學混光上的均勻性不易設計，且應用於照明光源上，仍存在光源無法有效集中之缺點。
又，為了增進上述之交流驅動之發光二極體陣列之演色性，請參閱第4圖，其係為美國公開專利第US20090109151號之發光裝置示意圖。為了提高交流驅動白光發光二極體元件之演色性，該發光裝置係由兩組發出不同波長之交流驅動發光二極體群組41及42加上另一混合波長轉換螢光材料43之封蓋樹脂組合成白光發光二極體裝置40，其方式一為分別提供一可發出藍光以及一可發出綠光之交流驅動發光二極體，於該可發出藍光之交流驅動發光二極體之上方加上混合可發出紅光之螢光材料之封蓋樹脂。
另外，方式二為分別提供一可發出藍光以及一 可發出紅光之交流驅動發光二極體，於該可發出藍光之交流驅動發光二極體之上方加上混合可發出介於藍光以及紅光之間之螢光材料之封蓋樹脂。該專利雖揭示提高演色性之方法，但目前製作紅色波段(600~630nm)螢光材料之技術雖然非常成熟，但其轉換效率仍然偏低，因此，方式一雖可以增加整體發光裝置之演色性但無法有效地達到提高整體裝置之發光效率。另，方式二雖然可以有效地提高演色性且避免整體裝置之發光效率下降，但該發出藍光以及紅光之交流驅動發光二極體係採分離方式放置，因此，該白光二極體裝置40之整體尺寸難以縮小而且光學混光上的均勻性不易設計，故應用上仍有其缺點。
再者，近年來對於高功率、高演色性以及光密度集中之發光二極體光源之需求日益迫切，鑑於此問題，為了能夠兼顧解決之，本發明人基於多年從事研究開發與諸多實務經驗，提出一種發光元件之結構及其製作方法，以作為改善上述缺點之實現方式與依據。
有鑑於上述習知技藝之問題，本發明之其中一目的就是在提供一種高電壓驅動、高演色性以及光密度集中特性之高發光效率白光發光元件。
根據本發明之一目的，又提出一種高電壓驅動 白光發光元件，其至少包含一支架、第一絕緣性基板、一第一發光二極體晶粒群、第二發光二極體晶粒群及一波長轉換螢光材料所組成。第一絕緣性基板，形成於支架之上。第一發光二極體晶粒群形成於第一絕緣性基板之第一區域上，以發出第一光線。第二發光二極體晶粒群形成於第一絕緣性基板之第二區域上方，以發出第二光線。波長轉換螢光材料位於第一發光二極體晶粒群及第二發光二極體晶粒群之上，吸收部分第一發光二極體晶粒群所發出的第一光線並轉換成第三光線，第一光線、第二光線和第三光線具有不同波長之光譜範圍。
根據本發明之一目的，又提出一種高電壓驅動以及光密度集中之白光發光元件，其包含一支架、複數個發出不同波長之微型發光二極體晶粒群堆疊以及至少一波長轉換螢光材料所組成。
根據本發明之一目的，又提出一種高電壓驅動以及高演色性之白光發光元件，其包含一支架、至少一氮化鋁銦鎵系發光二極體晶粒群、至少一氮磷化鋁銦鎵系發光二極體晶粒群以及至少一波長轉換螢光材料。
根據本發明之一目的，又提出一種高電壓驅動白光發光元件之製作方法，其步驟包含：首先，設置第一絕緣性基板於一支架上。接著，設置第一發光二極體晶粒群於該第一絕緣性基板之第一區域 上，以發出第一光線。再接著，設置第二發光二極體晶粒群於第一絕緣性基板之第二區域上方，以發出第二光線。最後，設置一波長轉換螢光材料於該第一發光二極體晶粒群及第二發光二極體晶粒群之上，以吸收部分該第一發光二極體晶粒群所發出的第一光線並轉換第三光線，其中第一光線、第二光線和第三光線係具有不同波長之光譜範圍。
根據本發明之一目的，又提出一種高電壓驅動白光發光元件之製作方法，其中更包含將第二微型發光二極體晶粒群堆疊於氮化鋁銦鎵系磊晶層之步驟。
根據本發明之一目的，再提出一種高電壓驅動白光發光元件之製作方法，其中更包含將第二微型發光二極體晶粒群覆晶堆疊於該第一絕緣性基板之步驟。
承上所述，依本發明之發光元件之結構及其製作方法，其可具有一或多個下述優點：
(1)此發光元件，係以複數個可發出不同波長之微型發光二極體晶粒群以及波長轉換螢光材料所組成，藉此達成增進該元件之演色性以及發光效率。
(2)此發光元件，係以複數個可發出不同波長之微型發光二極體晶粒群所堆疊組成，藉此達成光密度以及元件密集化之目的。
(3)此發光元件，係串聯複數個微型發光二極體晶粒所組成，藉此達成應用於高電壓驅動之目的。
為了使 貴審查委員對本發明之結構特徵及所達成之功效有進一步之了解與認識，謹佐以較佳之實施例及配合詳細說明，說明如後：
請參閱第5圖，其係為本發明之發光元件之第一較佳實施例之結構示意圖。其中，本發明之發光元件包含一支架61、一第一發光二極體晶粒群62、一第二發光二極體晶粒群63、一波長轉換螢光材料64以及一封蓋樹脂65。其中，該波長轉換螢光材料64係位於該第一發光二極體晶粒群62、第二發光二極體晶粒群63以及該封蓋樹脂65之上，另一可行之實施結構係將該波長轉換螢光材料64混合於該封蓋樹脂65之中以取代該封蓋樹脂65。其中，該波長轉換螢光材料64可吸收部份由第一發光二極體晶粒群62所發出的光，並轉換成另一波長的光。該第一發光二極體晶粒群62係由位於第一絕緣性基板611之上之氮化鋁銦鎵系(AlInGaN-based)磊晶層612所組成之多個微型發光二極體晶粒群，該多個微型晶粒群中各別獨立之微型晶粒具有同面之正負電極且該各別獨立之微型晶 粒係以串聯方式做電氣連結。其中，更包含至少一對正負極打線襯墊617可與外界做電氣之連結。該第二發光二極體晶粒群63係由位於第二絕緣性基板621之上之氮磷化鋁銦鎵系(AlInGaPN-based)磊晶層622所組成之多個微型發光二極體晶粒群，該晶粒群中各別獨立之微型晶粒亦具有同面之正負電極且該各別獨立之微型晶粒亦係以串聯方式做電氣連結。其中，亦包含至少一對正負極打線襯墊618可與外界做電氣之連結。另，該第二發光二極體晶粒群63係以第二絕緣性基板621與第一發光二極體晶粒群62之第一絕緣性基板611以堆疊貼合製程相結合，並利用各別之正負極打線襯墊617及618將第一發光二極體晶粒群62與第二發光二極體晶粒群63做串聯電氣連結。另，該第一發光二極體晶粒群62與該第二發光二極體晶粒群63亦可以不做串聯而採分別驅動及控制。
又，該第一絕緣性基板611之形狀為四邊形，然而該第二發光二極體晶粒群63堆疊貼合之區域係配置於該第一絕緣性基板611之中央區域、四個角落或四個邊而且採對稱方式分佈，如第6(a)至6(c)圖所示。請參閱第6圖，該堆疊貼合之區域之形成方法係以習知之蝕刻製程將該區域之氮化鋁銦鎵系(AlInGaN-based)磊晶層612移除。接著，提供一固晶膠材於該第一絕緣性基板611上已被蝕刻之 區域，接續，將第二絕緣性基板621之一側經由固晶膠材與該第一絕緣性基板611上已被蝕刻之區域相貼合，最後，以熱處理將固晶膠材固化而完成該第一發光二極體晶粒群62與第二發光二極體晶粒群63之堆疊貼合製程。而本發明之該支架61之材質可為陶瓷系列(Ceramic based)、氮化鋁(AlN-based)、銅、鋁、鉬、鎢、氧化鋁(AlO-based)或上述所組合之複合材質其中之一。該波長轉換螢光材料64可為Sr1-x-y Bax Cay SiO4 ：Eu2+ F、(Sr1-x-y Eux Mny )P2+z O7 ：Eu2+ F、(Ba,Sr,Ca)Al2 O4 ：Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2 O7 ：Eu、SrGa2 S4 ：Eu、((Ba,Sr,Ca)1-x Eux )(Mg,Zn)1-x Mnx ))Al10 O17 Ca8 Mg(SiO4 )4 Cl2 ：Eu,Mn((Ba,Sr,Ca,Mg)1-x Eux )2 SiO4 、Ca2 MgSi2 O7 ：Cl、SrSi3 O8 ．2SrCl2 ：Eu、BAM：Eu、Sr-Aluminate：Eu、Thiogallate：Eu、Chlorosilicate：Eu、Borate：Ce,Tb、Sr4 Al14 O25 ：Eu、YBO3 ：Ce,Tb、BaMgAl10 O17 ：Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2 S4：Eu、Ca2 MgSi2 O7 ：Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu、ZnS：Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(Aly Ga1-y )5 O12 ：Ce、(Sr1-x-y-z Bax Cay Euz )2 SiO4 、(Sr1-a-b Cab Bac )Six Ny Oz ：Eua 以及Sr5 (PO4 )3 C1：Eua 之其 中之一或上述所組成之混合材質，並且可以吸收部份第一發光二極體晶粒群62所發出的光並轉換成波長為550~590nm之黃綠光。
本發明之發光元件可應用於高電壓之電源輸入，例如：當施以3伏特之工作電壓於該第一發光二極體晶粒群62中之單顆微晶粒時，該單一微晶粒之相對應工作電流為15毫安培，而該第一發光二極體晶粒群62係由30顆之微晶粒串聯組成，當施以工作電壓90伏特時，則每顆微晶粒可分配到3伏特之工作電壓。又，當施以2伏特之工作電壓於該第二發光二極體晶粒群63中之單顆微晶粒時，該單一微晶粒之相對應工作電流為15毫安培，而該第二發光二極體晶粒群63係由15顆之微晶粒串聯組成，當施以工作電壓30伏特時，則每顆微晶粒可分配到2伏特之工作電壓。
由以上所描述之第一發光二極體晶粒群62以及第二發光二極體晶粒群63所串聯組合而成之發光元件，當施以工作電壓120伏特時，該第一發光二極體晶粒群62可發出波長介於430~490nm之藍光波段，而該第二發光二極體晶粒群63可發出波長介於605~650nm之紅光波段，亦即該第一發光二極體晶粒群62、該第二發光二極體晶粒群63以及該波長轉換螢光材料64三者可發出不同波長之光。該發光波段430~490nm、605~650nm以及 550~590nm組合成為兼具高演色性以及高發光效率之高壓驅動白光發光元件。
請參閱第7圖，其係為本發明之發光元件之第二較佳實施例之結構示意圖。其與第一實施例不同處在於該堆疊貼合之區域為位於該第一絕緣性基板611之上之氮化鋁銦鎵系(AlInGaN-based)磊晶層612之表面，該區域並沒有製做任何的微型晶粒。該堆疊貼合之形成方法係直接提供一透明固晶膠材於該氮化鋁銦鎵系(AlInGaN-based)磊晶層612之上，接續，將第二絕緣性基板621之一側經由該透明固晶膠材與位於該第一絕緣性基板611之上之氮化鋁銦鎵系(AlInGaN-based)磊晶層612相貼合，最後，以熱處理將透明固晶膠材固化而完成該第一發光二極體晶粒群62與第二發光二極體晶粒群63之堆疊貼合製程。
請參閱第8圖，其係為本發明之發光元件之第三較佳實施例之結構示意圖。其與第一實施例不同處在於該第二發光二極體晶粒群63係以習知之覆晶方式與第一發光二極體晶粒群62相結合。又，該覆晶貼合之區域613係配置於該第一絕緣性基板611之中央區域、四個角落或四個邊而且採對稱方式分佈。該覆晶貼合之區域613之形成方法係以習知之蝕刻製程將該區域之氮化鋁銦鎵系(AlInGaN-based)磊晶層612移除。接著，製做金屬 導線614以及金屬襯墊615於該第一絕緣性基板611之上，亦即氮化鋁銦鎵系(AlInGaN-based)磊晶層612已被蝕刻之區域製做金屬導線614以及金屬襯墊615，接續，將第二發光二極體晶粒群63之一對正負極打線襯墊(如第6圖中之618圖示)與第一絕緣性基板611上之金屬襯墊615相黏合而完成該第二發光二極體晶粒群63之覆晶貼合製程。該第二絕緣性基板621係為一透光基板且為本實施例中該第二發光二極體晶粒群63之出光面。
請參閱第9圖，其係為本發明之發光元件之第四較佳實施例之結構示意圖。其與第二實施例不同處在於該第二發光二極體晶粒群63係以覆晶方式與第一發光二極體晶粒群62相結合。又，該覆晶貼合之區域613係配置於該第一絕緣性基板611之上之氮化鋁銦鎵系(AlInGaN-based)磊晶層612之中央區域、四個角落或四個邊而且採對稱方式分佈，該覆晶貼合之區域613並沒有製做任何的微型晶粒。首先，形成該覆晶貼合之區域613之方法係沉積一絕緣層616於該區域之氮化鋁銦鎵系(AlInGaN-based)磊晶層612之表面。接著，製做金屬導線614以及金屬襯墊615於該絕緣層616之上，接續，將第二發光二極體晶粒群63之一對正負極打線襯墊(如第6圖中之618圖示)與該絕緣層616上之金屬襯墊615相黏合而完成該第二發光二 極體晶粒群63之覆晶貼合製程。
請參閱第10圖，其係為本發明之發光元件之第五較佳實施例之結構示意圖。其與第一以及第二實施例不同處在於該第一發光二極體晶粒群62更包含至少一反射層700於該第一絕緣性基板611無第一發光二極體晶粒群62之一側，其功用係將由該第一發光二極體晶粒群62、該第二發光二極體晶粒群63以及該波長轉換螢光材料64射向該第一絕緣性基板611之光線反射至該具有該波長轉換螢光材料64之出光面。該反射層700可為一金屬反射鏡(Metal Reflector)、一全方位反射鏡(Omnidirectional Reflector)、一布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector)以及光子晶體反射鏡(Optical Crystal Reflector)之其中之一或其所組合，其對於可見光之反射率可達95%以上。
請參閱第11圖，其係為本發明之發光元件之第六較佳實施例之結構示意圖。其與第一以及第二實施例不同處在於該第二發光二極體晶粒群63更包含至少一反射層700於該第二絕緣性基板621無第二發光二極體晶粒群63之一側，其功用係將由該第二發光二極體晶粒群63以及該波長轉換螢光材料64射向該第二絕緣性基板621之光線反射至該具有該波長轉換螢光材料64之出光面。而該反射層700可為一金屬反射鏡(Metal Reflector)、一全方 位反射鏡(Omnidirection Reflector)、一布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector)以及光子晶體反射鏡(Optical Crystal Reflector)之其中之一或其所組合，其對於可見光之反射率可達95%以上。
請參閱第12圖，其係為本發明之發光元件之第七較佳實施例之結構示意圖。其與第三以及第四實施例不同處在於該第二發光二極體晶粒群63更包含至少一反射層700於具有該氮磷化鋁銦鎵系(AlInGaPN-based)磊晶層622之一側之上方，其功用係將由該第二發光二極體晶粒群63以及該波長轉換螢光材料64射向該第一絕緣基板611之上之氮化鋁銦鎵系(AlInGaN-based)磊晶層612之光線反射至該具有該第二絕緣性基板621之出光面。該反射層700可為一金屬反射鏡(Metal Reflector)、一全方位反射鏡(Omnidirection Reflector)、一布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector)以及光子晶體反射鏡(Optical Crystal Reflector)之其中之一或其所組合，其對於可見光之反射率可達95%以上。
請參閱第13圖，其係為本發明之白光發光元件之製作方法流程圖。步驟S1，設置第一絕緣性基板於支架上。步驟S2，設置形成第一發光二極體晶粒群於第一絕緣性基板之第一區域上，以發出第一光線。步驟S3，設置形成第二發光二極體晶粒群於一第二絕緣性基板並設置於第一絕緣性基板 之另一第二區域上方以發出第二光線，第一發光二極體晶粒群及第二發光二極體晶粒群係發出不同波長之光且設置第一絕緣性基板於一支架之上。步驟S4，設置一波長轉換螢光材料於第一發光二極體晶粒群及第二發光二極體晶粒群之上，以吸收部分第一發光二極體晶粒群發出的第一光線並轉換成另一波長第三光線。其中，第一光線、第二光線和第三光線係具有不同波長之光譜範圍。
請參閱第14圖，其係為本發明之白光發光元件之製作方法第一實施例流程圖。步驟S11，提供一第一絕緣性基板。步驟S12，形成一氮化鋁銦鎵系磊晶層於該第一絕緣性基板之上。步驟S13，蝕刻部份氮化鋁銦鎵系磊晶層而露出部分第一絕緣性基板。步驟S14，形成微型氮化鋁銦鎵系發光二極體晶粒並串聯各個微型氮化鋁銦鎵系發光二極體晶粒以形成第一發光二極體晶粒群。步驟S15，提供一第二絕緣性基板。步驟S16，形成微型氮磷化鋁銦鎵系發光二極體晶粒於該第二絕緣性基板之上並串聯各個微型氮磷化鋁銦鎵系發光二極體晶粒以形成第二發光二極體晶粒群。步驟S17，將第二發光二極體晶粒群，形成於該部分露出之第一絕緣性基板之上。步驟S18，串聯第一發光二極體晶粒群與第二發光二極體晶粒群。
承上所述之本發明之發光元件，係由複數個發 出不同波長之微型發光二極體晶粒群以及至少一個波長轉換螢光材料所組合而成。藉此達成高電壓驅動之高發光效率白光發光元件。另，本發明之發光元件，係以氮化鋁銦鎵系發光二極體晶粒群、氮磷化鋁銦鎵系發光二極體晶粒群以及波長轉換螢光材料所組成，藉此增進演色性之高發光效率白光發光元件。又，本發明之發光元件，係以堆疊貼合技術將氮化鋁銦鎵系發光二極體晶粒群與氮磷化鋁銦鎵系發光二極體晶粒群結合已達成發光元件之發光密度集中之功效。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
1、20‧‧‧白光發光元件
11、61‧‧‧支架
12、21‧‧‧藍光波長之氮化鎵系發光二極體晶粒
13、23、43、64‧‧‧螢光材料
14、43、65‧‧‧封蓋樹脂
22‧‧‧紅光波長之發光二極體晶粒
24‧‧‧承載器
40‧‧‧白光發光二極體裝置
41、42‧‧‧交流驅動發光二極體群組
62‧‧‧第一發光二極體晶粒群
63‧‧‧第二發光二極體晶粒群
611‧‧‧第一絕緣性基板
612‧‧‧氮化鋁銦鎵系磊晶層
613‧‧‧覆晶貼合之區域
614‧‧‧金屬導線
615‧‧‧金屬襯墊
616‧‧‧絕緣層
617、618‧‧‧正負極打線襯墊
621‧‧‧第二絕緣性基板
622‧‧‧氮磷化鋁銦鎵系磊晶層
700‧‧‧反射層
S1-S4、S11-S18‧‧‧步驟
第1圖 係為習知之白光發光元件之結構示意圖；第2圖 係為習知之另一白光發光元件之結構示意圖；第3圖 係為習知之又一白光發光元件之結構示意圖；第4圖 係為習知之另一交流驅動發光二極體陣列結構之示意圖；第5圖 係為本發明之第一較佳實施例之發光元件之結構之示意圖； 第6(a)至6(c)圖 係為本發明之第一較佳實施例之堆疊貼合區域配置之示意圖；第7圖 係為本發明之第二較佳實施例之發光元件之結構之示意圖；第8圖 係為本發明之第三較佳實施例之發光元件之結構之示意圖；第9圖 係為本發明之第四較佳實施例之發光元件之結構之示意圖；第10圖 係為本發明之第五較佳實施例之發光元件之結構之示意圖；第11圖 係為本發明之第六較佳實施例之發光元件之結構之示意圖；第12圖 係為本發明之第七較佳實施例之發光元件之結構之示意圖；第13圖 係為本發明之白光發光元件之製作方法流程圖；以及第14圖 係為本發明之白光發光元件之製作方法第一實施例流程圖。
61‧‧‧支架
62‧‧‧第一發光二極體晶粒群
63‧‧‧第二發光二極體晶粒群
64‧‧‧波長轉換螢光材料
65‧‧‧封蓋樹脂
611‧‧‧第一絕緣性基板
612‧‧‧氮化鋁銦鎵系磊晶層
617、618‧‧‧正負極打線襯墊
621‧‧‧第二絕緣性基板
622‧‧‧氮磷化鋁銦鎵系磊晶層

Claims (27)

  1. 一種發光元件，至少包含：一第一絕緣性基板；一第二絕緣性基板，形成於該第一絕緣性基板之上並暴露出該第一絕緣性基板之一區域；一第一發光二極體晶粒群，形成於該區域上，並發出一第一光線；一第二發光二極體晶粒群，形成於該第二絕緣性基板上方，並發出一第二光線；以及一波長轉換螢光材料，位於該第一發光二極體晶粒群及該第二發光二極體晶粒群之上，吸收該第一光線並轉發出一第三光線，其中，該第一光線、該第二光線和該第三光線係具有不同波長之光譜範圍。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中，該第一發光二極體晶粒群包含複數個彼此串聯之氮化鋁銦鎵系微型發光二極體晶粒。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中，該第二發光二極體晶粒群包含複數個彼此串聯之磷化鋁銦鎵系微型發光二極體晶粒。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件， 其中，該第三光線係為黃綠光。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中，該第二發光二極體晶粒群係配置於該第一絕緣性基板之中央、邊緣或者角落。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中，該第一發光二極體包含一第一磊晶層，直接接觸該第一絕緣性基板。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包含一氮化鋁銦鎵系磊晶層，係設置於該第一絕緣性基板和該第二絕緣性基板之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包含一反射層，係設置於該第一絕緣性基板或該第二絕緣性基板下方。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第二發光二極體晶粒群以覆晶的方式設置於該第一絕緣基板上方。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中，該第一光線為藍光。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包含一反射層，係設置於該第一絕緣基板與該第二發光二極體晶粒群之間。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包含一絕緣層，係設置於該第一絕緣基板與第二 發光二極體晶粒群之間。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之發光元件，更包含一反射層，係設置於該絕緣層與該第二發光二極體晶粒群之間。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包含一金屬導線，該金屬導線電氣連接該第一發光二極體晶粒群以及該第二發光二極體晶粒群。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包含一金屬襯墊形成於該第一絕緣性基板之上，其中該第二發光二極體晶粒群以覆晶方式與該金屬襯墊電性連結。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包含一封蓋樹脂，包覆該第一發光二極體晶粒群以及該第二發光二極體晶粒群。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之發光元件，其中，該封蓋樹脂位於該波長轉換螢光材料與該第一發光二極體晶粒群之間。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中，該第二光線為紅光。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中，該波長轉換螢光材料包含至少一種材料選自Sr1-x-y Bax Cay SiO4 ：Eu2+ F、(Sr1-x-y Eux Mny )P2+z O7 ：Eu2+ F、 (Ba,Sr,Ca)Al2 O4 ：Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2 O7 ：Eu、SrGa2 S4 ：Eu、((Ba,Sr,Ca)1-x Eux )(Mg,Zn)1-x Mnx ))Al10 O17 、Ca8 Mg(SiO4 )4 Cl2 ：Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-x Eux )2 SiO4 、Ca2 MgSi2 O7 ：Cl、SrSi3 O8 ．2SrCl2 ：Eu、BAM：Eu、Sr-Aluminate：Eu、Thiogallate：Eu、Chlorosilicate：Eu、Borate：Ce,Tb、Sr4 Al14 O25 ：Eu、YBO3 ：Ce,Tb、BaMgAl10 O17 ：Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2 S4 ：Eu、Ca2 MgSi2 O7 ：Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu、ZnS：Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(Aly Ga1-y )5 O12 ：Ce、(Sr1-x-y-z Bax Cay Euz )2 SiO4 、(Sr1-a-b Cab Bac )Six Ny Oz ：Eua 以及Sr5 (PO4 )3 Cl：Eua 所組成群組。
  20. 一種發光元件之製作方法，其步驟包含：設置一第一發光二極體晶粒群於一第一絕緣性基板上，並暴露出該第一絕緣性基板之一區域，該第一發光二極體晶粒群可以發出一第一光線；設置一第二絕緣性基板於該區域上；設置一第二發光二極體晶粒群於該第二絕緣性基板上方，該第二發光二極體晶粒群可以發出一第二光線；以及設置一波長轉換螢光材料於該第一發光二極體 晶粒群及第二發光二極體晶粒群之上，以吸收該第一光線並發出一第三光線，其中，該第一光線、該第二光線和該第三光線係具有不同波長之光譜範圍。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之發光元件之製作方法，更包含以覆晶的方式將該第二發光二極體晶粒群設置於該第一絕緣基板上方。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之發光元件之製作方法，更包含提供至少一金屬導線電氣連接該第一發光二極體晶粒群以及該第二發光二極體晶粒群。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之發光元件之製作方法，其中，設置該第一發光二極體晶粒群於該第一絕緣性基板上之步驟包含形成一第一磊晶層於該第一絕緣性基板上。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之發光元件之製作方法，更包含移除部分該第一磊晶層而露出該第一絕緣性基板之該區域。
  25. 如申請專利範圍第23項所述之發光元件之製作方法，其中，設置該第二絕緣性基板於該區域上之步驟包含以該第二絕緣性基板貼合至該第一磊晶層。
  26. 如申請專利範圍第20項所述之發光元件之製作方法，其中，設置該第二絕緣性基板於該區域上之步驟包含以該第二絕緣性基板貼合至該第一絕緣基板。
  27. 如申請專利範圍第20項所述之發光元件之製作方法，其中，設置該第二發光二極體晶粒群於該第二絕緣性基板之步驟包含形成多個微型發光二極體晶粒於該第二絕緣性基板上。
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