TWI472268B - 具有鐵氧體結構之電漿源天線及使用其之電漿產生裝置 - Google Patents

Description

具有鐵氧體結構之電漿源天線及使用其之電漿產生裝置

本發明涉及一種具有鐵氧體結構之電漿源天線和使用其之電漿產生裝置，較具體地說，是涉及一個具有鐵氧體結構之電漿源天線和使用其之電漿產生裝置，該裝置在內置式電感耦合電漿產生裝置之線狀天線單元上設置弧狀的鐵氧體結構，以將從線狀天線單元輻射形成的場集中於加工基板上，藉由高導磁率的鐵氧體結構形成強大的磁場，並可減少線狀天線單元朝加工基板之反方向形成的場所造成的功率損耗。

一般而言，電漿產生裝置可分為：將加工基板置於互為相反之上下平板電極之間，並以其電容特性產生電漿的電容耦合電漿(CCP)產生裝置，以及在反應室中以一上方線圈相對一下方平面電極之感應場產生電漿的電感耦合電漿(ICP)產生裝置。

特別地，由於電感耦合電漿產生裝置相對電子迴旋共振(ECR)電漿產生裝置或螺旋波激發電漿(HWEP)產生裝置來說，具有較為簡單之構造，並因為可藉其而獲得大尺寸的電漿區域的事實，ICP被廣泛地應用，且對ICP的相關研究也不斷地持續進行中。

ICP產生裝置具有一個反應室，供蝕刻對象設置於其內的下部，螺旋狀天線源則設置在其最上部並露出於空氣，該ICP產生裝置並具有一個設於天線源與反應室之間 的介質材料，以將其等彼此隔絕並保持反應室之真空狀態。

然而，這種螺旋天線源卻可能由於蝕刻對象的大尺寸面積化而衍生出各種問題。

上述問題是指，隨著蝕刻對象面積增大而增大的反應室面積，其用以保持天線源和反應室之間的真空的介電材料的大小和厚度也需對應增大。因此導致ICP產生裝置的製造成本增加，並且導致天線源及電漿之間的距離增加，以致效率下降。

此外，大尺寸區域的反應室使得天線源長度需對應增長，此導致施加電力的損耗增加，且由於天線阻抗所造成電漿的不均勻，從而降低了蝕刻速率。

此外，當所施加的電力是使用13.56MHz電源供應器時，駐波效應(具有相同的振幅和頻率的兩波，以相反方向行進且彼此重疊，使得兩波看起來是靜止的)會從源頭上對應半波的長度產生，從而使其無法形成大尺寸的電漿區域。

同時，為了解決這些問題，本案申請人申請了韓國專利申請號2003-28849，名稱為"具有內置式線狀天線單元的大面積處理電感耦合電漿處理裝置"，以及韓國專利申請號2004-17227，名稱為"具有電磁鐵之電感耦合電漿處理裝置"，將其各別簡要地介紹如下。

首先，如第一圖A所示，韓國專利申請號2003-28849所揭露之具有內置式線性天線的大面積處理電感耦合電漿 處理裝置，其包括：一個反應室1，以及多個施加有感應電源的線性天線2，線性天線2外露的兩相鄰端係於反應室1外連接形成一彎曲狀，線性天線2係呈線性地設置在反應室1內的上部且以一個預定的距離與反應室1形成橫向間隔，並利用該裝置之至少一個相鄰於線性天線2的磁性體3，產生與線性天線2所產生的電場交錯的磁場，以使電子以螺旋方式運動。

此時，線性天線2和磁性體3是被石英所形成的保護管4、5所圍繞，以防止線性天線2和磁性體3直接露出於電漿，並且，反應室1內的下部提供有一供加工基板安置的載台6。

接著，如第一圖B所示，韓國專利申請號2004-17227所揭露之具有電磁鐵的電感耦合電漿處理裝置，包括一個反應室8，其具有一個供蝕刻基板安置的載台7；一組天線源11，其具有複數交錯地平行設置之天線棒9、10，其特點在於每一個天線棒9、10包括複數個設置於其上部之磁性體12。在此情況下，天線棒9、10和磁性體12被石英所形成的保護管13、14所圍繞，以防止天線棒9、10和磁性體12直接露出於電漿。天線源11的一端連接到一個射頻電源供應器15，而天線源11的另一端則接地。

然而，在上述文件所揭露的技術內容中，由於輻射場是從線性天線形成，電漿不會完全集中於加工基板，並會朝向加工基板以外的區域激發，從而增加了功率損耗。

另外，由於電漿被激發於不必要的零件上，集中於加 工基板的電漿密度相對較低，以致增加了半導體製程時間。

此外，當在每一個線性天線所形成的場是相對不規則時，此不規則性無法輕易被補償，造成難以於反應室中均勻地產生電漿。

本發明之一目的，在於提供一種具有鐵氧體結構之電漿源天線及使用其之電漿產生裝置，藉由在內置式電感耦合電漿產生裝置之線性天線上設置弧狀的鐵氧體結構，可將從線性天線輻射形成的場集中於加工基板上。

本發明之另一目的，在於提供一種具有鐵氧體結構之電漿源天線及使用其之電漿產生裝置，藉由具有高導磁率並經過同一方向外部磁場之強烈磁化的鐵氧體結構，可形成強大的磁場並減低線性天線於加工基板反方向形成的場所造成的功率損耗。

本發明之再一目的，在於提供一種具有鐵氧體結構之電漿源天線及使用其之電漿產生裝置，藉由在內置式線性天線上裝設拱形之鐵氧體結構，以增加電漿的密度及均勻度，可進行大面積高密度電漿製程。

本發明的又一目的，在於提供一種具有鐵氧體結構之電漿源天線及使用其之電漿產生裝置，藉由在線性天線上裝設拱形鐵氧體結構，可改善半導體製程的效率及產量。

在一方面，本發明提供了一種電漿源天線，包括：一個線狀天線單元，其包括呈線狀的第一天線及第二天線， 且第一天線及第二天線各以其一端相互連接以形成一個環狀；以及複數個設置於線狀天線單元之第一天線及第二天線上的鐵氧0體結構，用以將第一天線及第二天線輻射形成的場集中於一個方向。

此外，鐵氧體的結構可具有一個拱形。

此外，鐵氧體結構的數量可為複數，並可於各鐵氧體結構之間設置鐵氟龍。

此外，各鐵氧體結構可具有不同的大小或厚度。

此外，鐵氟龍可由下列任何一種由聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene；PTFE)、過氟烷氧基(perfluoroalkoxy；PFA)、氟化乙烯丙烯(fluoroethylenepropylene；FEP)，以及聚氟化乙二烯(poly vinylidene fluoride；PVDF)所組成的群體中所選出的材料來形成。

此外，線狀天線單元可***於一個由石英所形成的感應線圈保護管中。

此外，線狀天線單元可由任何一種由銅、不銹鋼、銀，及鋁所組成的群體中所選出的材料來加以形成。

另一方面，本發明提供了一種電漿產生裝置，其包括一個供電漿於其內產生的反應室；至少一組設置在反應室上部的線狀天線單元，線狀天線單元包括呈線狀之第一天線及第二天線，第一天線及第二天線設置於反應室內的上部且彼此以一個預定的距離間隔地通過反應室，並且第一天線及鄰近的第二天線各以其露出於反應室外的一端彼此連接形成一個環狀。電漿產生裝置還包括：電性連接到線 狀天線單元的另一端的一個電源供應器，以及設置在反應室內之第一天線和第二天線上的複數個鐵氧體結構，用以將反應室內之線狀天線單元輻射形成的場集中於反應室內的加工基板上。

更另一方面，本發明提供了一種電漿產生裝置，其包括一個供電漿於其內產生的反應室；設於反應室內的上部且彼此以一個預定的距離間隔地通過反應室的第一線狀天線單元及第二線狀天線單元，第一線狀天線單元包括呈線狀且彼此相鄰地露出於反應室外的第一天線及第二天線，第一天線及第二天線各以其一端彼此連接而形成一個環狀。第二線狀天線單元包括彼此以一預定距離設置於第一天線及第二天線之間的第三天線及第四天線。該電漿產生裝置更包括：分別電性連接到第一線狀天線單元的另一端及第二線狀天線單元的另一端的複數個電源供應器，以及設置在反應室內之該些天線上的複數個鐵氧體結構，用以將線狀天線單元輻射形成的場集中於反應室內的加工基板上。

此外，鐵氧體結構可具有一個拱形。

此外，鐵氧體結構的數量可為複數，並可於各鐵氧體結構之間設置鐵氟龍。

此外，各鐵氧體結構可具有不同的大小或厚度。

此外，鐵氟龍可由下列任何一種由聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene; PTFE)、過氟烷氧基(perfluoroalkoxy; PFA)、氟化乙烯丙烯(fluoroethylenepropylene; FEP)，以 及聚氟化乙二烯(poly vinylidene fluoride；PVDF)所組成的群體中所選出的材料來形成。

此外，電源供應器可在100千赫至30兆赫的頻率範圍內驅動。

此外，該些線狀天線單元的相反端可接地。

此外，分別連接到該些線狀天線單元的電源供應器可獨立地控制以均勻化反應室內之電漿密度。

有關本發明之技術內容，在以下配合參考圖式之一具體實施例中，將可清楚的說明：此外，在本發明的整個描述中，相似元件的標號及其說明並不重覆出現。

第二圖是依照本發明之第一具體實施例之具有鐵氧體結構之電漿源天線的一個示意圖。第三圖是依照本發明之第二具體實施例之具有鐵氧體結構之電漿源天線的一個示意圖。

如第二圖所示，依照本發明之第一個具體實施例之電漿源天線100，其包括一個線狀天線單元21，以及複數個形成於線狀天線單元21上的鐵氧體結構23a。

線狀天線單元21包括呈線狀且各以其一端相互連接以形成一個環狀的一第一天線25及一第二天線27。線狀天線單元21***於石英所形成的感應線圈保護管29中。線狀天線單元21可由任何一個自銅、不銹鋼、銀，及鋁所組成的群體中所選出的材料所形成。

鐵氧體結構23a是設置於第一天線25及第二天線27上的拱狀結構，且具有將第一天線25及第二天線27輻射形成之場集中於一個方向的功能。換句話說，鐵氧體結構23a是用來使線狀天線單元21形成的場從一個並未形成有鐵氧體結構23a的線狀天線單元21表面上向外輻射形成。

另一方面，鐵氧體結構23a可製作為一種平面型式以覆蓋第一天線25及第二天線27兩者，更可製作為各種可將場集中於加工基板上的形狀。在此情況下，鐵氧體結構23a可調整其安裝區域以調整電漿均勻度及電漿特性，藉以改變第一天線25及第二天線27上之電漿均勻度及場方向。

此外，鐵氧體結構23a是一種具有高導磁率的鐵氧磁物質，並在具有同一的磁場方向的外部磁場中經過強烈的磁化。因此，相對於傳統的電漿源天線來說，具有鐵氧體結構23a的電漿源天線100可形成一個相對較強的磁場，並可用以產生高密度電漿。

如第三圖所示，依照本發明之第二具體實施例的電漿源天線101，包括一第一天線25、一第二天線27，以及複數個設置於第一天線25及第二天線27上的鐵氧體結構23b。

相較於本發明第一具體實施例之電漿源天線100來說，該些鐵氧體結構23b是局部地安裝，且是以具有不同大小和厚度的方式來安裝，藉以調整電漿的均勻度。此外，包括鐵氟龍31等絕緣材料可插設於該些相鄰的鐵氧體 結構23B之間，藉以調整電漿的均勻度。在本實施例中，鐵氟龍可由任何一種由聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene；PTFE)、過氟烷氧基(perfluoroalkoxy；PFA)、氟化乙烯丙烯(fluoroethylenepropylene；FEP)，以及聚氟化乙二烯(poly vinylidene fluoride；PVDF)所組成的群體中所選出的材料來形成。

相較於本發明第一具體實施例之電漿源天線100來說，電漿源天線101可輕易安裝，且部分的該些鐵氧體結構23b是可拆卸式的安裝以均勻地控制從第一天線25及第二天線27所產生的電漿。

雖然上述具體實施例說明的是採用環狀之電漿源天線100、101，但必要時，也可將電漿源天線形成為直線形或梳形。此外，鐵氧體結構23a及23b也可依製程所需而安裝於一個螺旋形線狀天線單元上。此外，鐵氧體結構23b也可製作為一種平面形狀以覆蓋第一天線25及第二天線27兩者，或是各種可用以將場集中於加工基板上的不同形狀。

接下來，配合如第四圖至第八圖所示，對另一個依照本發明之具體實施例的電漿產生裝置進行詳細說明。

第四圖是依照本發明第一具體實施例之電漿產生裝置的一示意圖。第五圖則是第四圖中沿A-A’的一個剖視圖。

如第四圖與第五圖所示，反應室41形成有一個電漿產生空間，該空間的一個較低的部分安裝有一個載台43，該載台43提供進行蝕刻或沉積製程的加工基板設置於其上。 在本實施例中，加工基板可以是厚度300毫米或以上的一個用來製作半導體元件的晶圓，或者是用以製作平面顯示器的一個基板。反應室41的底部或是側壁上的一部分形成有一個連接到一個真空泵(圖未示)的排氣管。

載台43被裝設為可垂直移動，並可形成為一個靜電吸盤。載台43連接有一用以提供偏壓電源的偏壓電源供應器，且進一步具有一個安裝於載台43以測量偏壓的偏壓量測裝置(圖未示)。

同時，反應室41內的上部安裝有複數個通過反應室41的線狀天線單元21，且其兩端設置成露出於反應室41的一個表面之外。線狀天線單元21的第一天線25和第二天線27於反應室41外以串聯方式相互連接形成一個環狀。

第一天線25及第二天線27各別地***於感應線圈保護管29中，並在反應室41內的上部保持其線性狀態。線狀天線單元21的一端連接到一個電源供應器47以進行感應放電，而線狀天線單元21未連接電源供應器47的另一端則接地。電源供應器47是在100千赫至30兆赫的頻率範圍內進行驅動。

當電源供應器47低於30MHz的頻率範圍內進行驅動時(舉例來說，4兆赫或2兆赫)，線狀天線單元21的阻抗特性和電流分佈特性會由於頻率所致之電漿源天線100發熱減少而改善，並改善從產生的電漿吸收的功率特性。

線狀天線單元21可由任何一個由銅、不銹鋼、銀，及鋁所組成的群體中所選出的材料來形成，而電感線圈保護 管29則由可以高度忍受濺射的石英所形成。

鐵氧體結構23a分別設置於第一天線25及第二天線27上。鐵氧體結構23a具有一個拱形的形狀，且具有將第一天線25及第二天線27輻射形成的場集中於載台43上之加工基板上的功能。

另一方面，鐵氧體結構23a可製成一種平面形狀以覆蓋第一天線25及第二天線27兩者。在此情況中，平面形鐵氧體結構23a可調整其安裝區域以調整電漿均勻度和電漿特性，並可調整其安裝角度以變化電漿均勻度及第一天線25及第二天線27上的場方向。

因此，由於鐵氧體具有的高導磁率，使得具有鐵氧體結構23a的電漿源天線100可形成較傳統電漿源天線為強的磁場，且可產生高電漿密度與均勻度，從而減少加工基板反方向形成的場所造成的功率損耗。因此，它可提高對加工基板進行蝕刻製程或沉積製程的效率，從而提高半導體元件的產量。

在本實施例中，反應室41具有一個長方體形，電漿源天線100具有四個相互獨立形成的環路，其中該些環路可具有相同的尺寸，並且在必要時，設於兩外側的環路可與設於內側的兩環路具有不同的尺寸。藉由調整設置在反應室41兩外側的環路的大小，可調整反應室41中之電漿密度及均勻度。最終，藉由調整環路的數量或尺寸，可適當地控制從超大尺寸電漿產生裝置所產生之電漿密度和均勻度。

同時，可將一個用以測量電漿密度和均勻度的量測裝置49，例如Langmuir探針，安裝在反應室41的一個較低部份，以測量離子飽和電流與電子數量，從而測量電漿密度和均勻度。

第六圖是具有本發明第二具體實施例之電漿源天線的電漿產生裝置的示意圖。

如第六圖所示，複數鐵氧體結構23b被安裝在第一天線25及第二天線27上。相較於本發明第一具體實施例的電漿源天線100而言，複數個鐵氧體結構23b是局部地安裝，且在該些相鄰的鐵氧體結構23b之間設置有鐵氟龍31。

電漿源天線101可被較為輕易地安裝，且部分鐵氧體結構23b是可拆卸地安裝以均勻地控制從第一天線25及第二天線27產生出的電漿。由於其他相關元件與本發明第一具體實施例的電漿源天線相同，其說明在此處被省略。

第七圖及第八圖是另一個具有本發明第一及第二具體實施例之電漿源天線的電漿產生裝置的示意圖。

如第七圖及第八圖所示，電漿產生裝置包括至少一第一線狀天線單元21，線狀天線單元21包括具有線性形狀的一第一天線25和一第二天線27，第一天線25第二天線27設置在具有電漿產生空間的反應室41內之上部並以一個預定的距離相互間隔地通過反應室41，且露出於反應室41外以連接相鄰之第一天線25及第二天線27的一端，而另一端電連接於一個電源供應器47；而第二線狀天線單元53具有複 數個以一個預定的距離彼此間隔地設置於天線25、27之間的額外天線51，且該些額外天線51彼此連接形成一單體。必要時，該些額外天線51可作為第三、第四，或第五天線等。

電源供應器55連接到第二次線狀天線單元53的一端，而鐵氧體結構23a及23b係設置於形成於反應室41內的天線25、27，及51上，以將線性天線25，27和51向外輻射形成的場集中於反應室41內的加工基板上。

類似環狀電漿源天線，梳形電漿源天線也可有效地減少一個由電源供應器所供應的射頻電源之供電通路，因而完全排除駐波效應。此外，可藉使用鐵氧體結構而防止功率損失並增加電漿密度和均勻度。

雖然目前由發明人所構思的本發明已藉由上述數個具體實施例所詳細敘述，但不限於此，本發明亦可以各種未偏離本發明之範圍的形式來呈現。舉例來說，具體實施例中的鐵氧體結構是以安裝在應用於內置式電感耦合電漿產生裝置的天線上來進行描述。然而，鐵氧體結構亦可廣泛用於外置式電感耦合電漿產生裝置或類似裝置的天線上，其中該外置式電感耦合電漿產生裝置是指一種結合電感耦合電漿產生裝置與電容耦合電漿產生裝置的電漿產生裝置。

如上所述，本發明提供了一種具有鐵氧體結構之電漿源天線和使用其之電漿產生裝置。電漿源天線包括形成於線狀天線單元上的鐵氧體結構，而電漿產生裝置採用內置 式電感耦合電漿源天線作為電漿源天線，其應用於半導體器件製造過程中以蝕刻或沉積300毫米或更大的晶圓，或是下世代平面顯示器製程。此外，鐵氧體結構亦可廣泛應用於外置式電感耦合電漿產生裝置或類似裝置的天線上，其中該外置式電感耦合電漿產生裝置是指一種結合電感耦合電漿產生裝置與電容耦合電漿產生裝置的電漿產生裝置。

可從上述看出，在本發明具有鐵氧體結構的電漿源天線與使用其之電漿產生裝置中，拱狀鐵氧體結構可安裝在內置式電感耦合電漿產生成裝置的線狀天線單元上，將線狀天線單元輻射形成的場集中於加工基板上。

此外，由於具有高導磁率且經過具有同一磁場方向的外部磁場之強烈磁化後的鐵氧體結構，可使具有鐵氧體結構的電漿源天線和使用其之電漿產生裝置形成一個強烈磁場，並可減少線狀天線單元朝加工基板反向形成的場所造成的功率耗損。

此外，在具有鐵氧體結構的電漿源天線和使用其之電漿產生裝置中，拱形鐵氧體結構可以安裝於內置式的線狀天線單元上，以增加電漿密度和均勻度，以進行大尺寸高密度電漿製程。

此外，在具有鐵氧體結構的電漿源天線和使用其之電漿產生裝置中，拱形鐵氧體結構可以安裝在線狀天線單元上，以提高半導體製程的效率和產量。

雖然本發明已藉其數個具體實施例進行說明，然而該 技術領域之通常知識者應當清楚知道，在未明顯偏離其後所附加之本發明申請專利範圍及其等效變化的精神和範圍下所作的各種修改，仍屬本發明之涵蓋範圍之內。

<先前技術>

1‧‧‧反應室

2‧‧‧線性天線

3‧‧‧磁性體

4、5‧‧‧保護管

6‧‧‧載台

7‧‧‧載台

8‧‧‧反應室

9、10‧‧‧天線棒

11‧‧‧天線源

12‧‧‧磁性體

13、14‧‧‧保護管

15‧‧‧電源供應器

<本發明>

100‧‧‧電漿源天線

101‧‧‧電漿源天線

21‧‧‧線狀天線單元

23a‧‧‧鐵氧體結構

23b‧‧‧鐵氧體結構

25‧‧‧第一天線

27‧‧‧第二天線

29‧‧‧感應線圈保護管

41‧‧‧反應室

43‧‧‧載台

47‧‧‧電源供應器

49‧‧‧量測裝置

51‧‧‧天線

53‧‧‧線狀天線單元

55‧‧‧電源供應器

第一圖A 為傳統具有內置式線性天線的電漿產生裝置的示意圖；第一圖B 為傳統使用磁場的超大型電漿產生裝置的示意圖；第二圖 為依據本發明第一具體實施例之具有鐵氧體結構的電漿源天線的示意圖；第三圖 為依據本發明第二具體實施例之具有鐵氧體結構之電漿源天線的示意圖；第四圖 為具有本發明第一具體實施例之電漿源天線的電漿產生裝置的示意圖；第五圖 為第四圖中沿A-A’之剖視圖；第六圖 為具有本發明第二具體實施例之電漿源天線的電漿產生裝置的示意圖；第七圖 為另一具有本發明第一具體實施例之電漿源天線的電漿產生裝置的示意圖；及第八圖 為另一具有本發明第二具體實施例之電漿源天線的電漿產生裝置的示意圖。

100‧‧‧電漿源天線

21‧‧‧線狀天線單元

23a‧‧‧鐵氧體結構

25‧‧‧第一天線

27‧‧‧第二天線

29‧‧‧感應線圈保護管

41‧‧‧反應室

43‧‧‧載台

47‧‧‧電源供應器

49‧‧‧量測裝置

Claims (10)

1. 一種電漿源天線，包含：一線狀天線單元，包括呈線狀的一第一天線及一第二天線，該第一天線及第二天線各以其一端相互連接形成一個環狀；及複數鐵氧體結構，分別設置於該線狀天線單元的第一天線與第二天線上，用以將從該第一天線及第二天線輻射形成的場集中於一個方向，其中該鐵氧體結構具有一個拱形，該第一天線及第二天線上的鐵氧體結構的數量為複數，且更包含設置於該等鐵氧體結構之間的鐵氟龍，且該等鐵氧體結構具有不同的尺寸或厚度。
2. 依據申請專利範圍第1項所述之電漿源天線，其中該鐵氟龍可由下列任何一種由聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene；PTFE)、過氟烷氧基(perfluoroalkoxy；PFA)、氟化乙烯丙烯(fluoroethylenepropylene；FEP)，以及聚氟化乙二烯(poly vinylidene fluoride；PVDF)所組成的群體中所選出的材料來形成。
3. 依據申請專利範圍第2項所述之電漿源天線，其中該線狀天線單元的該第一天線及該第二天線是插設於一個由石 英的感應線圈保護管中。
4. 依據申請專利範圍第3項所述之電漿源天線，其中該線狀天線單元是由任何一個選自銅，不銹鋼，銀，鋁所組成的群組中的材料所形成。
5. 一種電漿產生裝置，包含一供電漿產生的反應室，以及至少一包括一第一天線及一第二天線的線狀天線單元，其中該第一天線及該第二天線呈線狀且設置在該反應室的上部，並以一個預定的距離彼此間隔地通過該反應室，且相鄰之該第一天線及該第二天線露出於該反應室外的一端彼此連接而形成一個環狀，其中，該電漿產生裝置更包含：一電源供應器，電性連接到該線狀天線單元的一端；及複數鐵氧體結構，分別設置於該反應室內之該第一天線及第二天線上，用以將從該線狀天線單元輻射形成的場集中於該反應室內的加工基板上，該鐵氧體結構具有一個拱形，該第一天線及第二天線上的該鐵氧體結構的數量為複數，且更包含設置於該等鐵氧體結構之間的鐵氟龍，且該等鐵氧體結構具有不同的尺寸或厚度。
6. 一種電漿產生裝置，包含一供電漿產生的反應室，以及 分別設置在該反應室內之上部且以一預定距離彼此間隔地通過該反應室的一第一線狀天線單元及一第二線狀天線單元，該第一線狀天線單元包含呈線狀且露出於該反應室的彼此相鄰的一第一天線及一第二天線，且該第一天線及該第二天線各具有其一端彼此連接以形成一環狀，該第二線狀天線單元包含設置於該第一天線與第二天線之間且以一預定距離間隔的一第三天線及一第四天線，其中，該電漿產生裝置更包含：複數電源供應器，分別電性連接到該第一線狀天線單元的一端及該第二線狀天線單元的一端；及複數鐵氧體結構，分別設置於該反應室內之該第一天線、該第二天線、該第三天線及該第四天線上，用以將從該第一線狀天線單元及該第二線狀天線單元輻射形成的場集中於反應室內的加工基板上，該鐵氧體結構具有一個拱形，該第一天線、該第二天線、該第三天線及該第四天線上的該鐵氧體結構的數量為複數，且更包含設置於該等鐵氧體結構之間的鐵氟龍，且該等鐵氧體結構具有不同的尺寸或厚度。
7. 依據申請專利範圍第6項所述之電漿產生裝置，其中該鐵氟龍是由任何一種由聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene； PTFE)、過氟烷氧基(perfluoroalkoxy；PFA)、氟化乙烯丙烯(fluoroethylenepropylene；FEP)，以及聚氟化乙二烯(poly vinylidene fluoride；PVDF)所組成的群體中所選出的材料來形成。
8. 依據申請專利範圍第7項所述之電漿產生裝置，其中該電源供應器在100千赫至30兆赫之頻率範圍內驅動。
9. 依據申請專利範圍第8項所述之電漿產生裝置，其中該等第一線狀天線單元及第二線狀天線單元分別接地。
10. 依據申請專利範圍第9項所述之電漿產生裝置，其中分別連接到該第一線狀天線單元及該第二線狀天線單元之該等電源供應器可獨立地控制以均勻化該反應室中之電漿密度。