TWI465727B - 薄膜式探測裝置及製造薄膜式探測裝置之方法 - Google Patents

Description

薄膜式探測裝置及製造薄膜式探測裝置之方法

本發明關於一種薄膜式探測裝置及製造薄膜式探測裝置之方法，更明確地係，有關一種包括在與待測物件的電極相同節距上個別形成的一探針片，且即使電極具微米節距，仍呈現良好接觸性能之薄膜式探測裝置及製造薄膜式探測裝置之方法。

通常，用於製造面板顯示器裝置或半導體裝置之製程包括一些電氣測試。

針對一面板顯示器裝置，製程包括：一液晶胞製程，其在一薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)基材與一濾色器基材之間注入液晶；一模組製程，供附接具一驅動晶片的捲帶式自動接合積體電路(Tape Automated BondinGIntegrated Circuit，TAB IC)至液晶胞；及一造模製程，供安裝一外殼在模組上，其中該液晶胞會在模組製程前進行電氣測試。

更明確地係，附接TAB IC至液晶胞(即是，一待測物件)填料上形成電極的製程前，測試可藉由施加測試信號至液晶胞的電極執行，此電極係電連接至TAB IC，且如果液晶胞通過測試，然後執行模組製程。

一探測裝置用來執行此一電氣測試。一傳統探測裝置包括一主體區塊；一翼片，其係電連接液晶胞的電極與TAB IC的電極，TAB IC係電連接至翼片；一彈性電路板；一印刷電路板，其係電連接彈性電路板等。

明確地係，傳統探測裝置施加電信號至翼片，其係暫時***在待測物件與TAB IC的電極之間，其最終係彼此連接。***的翼片可提高接觸性能，但傾向造成電信號損失，使得施加的電信號不能完全轉送給電極。此外，製造存在的問題在於翼片必須獨立製造且具微米節距。

為了克服此問題，本發明的申請者提出韓國專利第720378號。請即參考圖1，改良式探測裝置(1)包括一主體區塊(10)，一TAB IC(20)、與一彈性電路板(40)。一支撐構件(30)係附接至TAB IC(20)的一側，所以在TAB IC(20)的一側接觸係依待測物件的電極而彈性受壓。一印刷電路板(未在圖顯示)係電連接至彈性電路板(40)的一端。同樣地，探測裝置(1)沒有翼片。換句話說，TAB IC(20)係直接接觸待測物件的一電極。因此，可克服上述問題。

請即參考圖2，TAB IC(20)具有在絕緣薄膜(21)上形成的一圖案接線(23)，且一些圖案接線(23)係當作觸點(23a)接觸待測物的電極。彈性電路板具有一供電連接的連接器(24)與一驅動晶片(22)。很顯然，觸點(23a)與電極係以一對一方式彼此接觸。

圖3顯示TAB IC(20)的觸點(23a)接觸待測物L的填料(50)。如圖所示，可看出，每一觸點(23a)係實質完全接觸接觸區域中間填料(50)的電極(51)(參見放大圓圈)。

不過，觸點(23a)不會正確接觸電極(51)的中間，而是偏向接觸區域右邊的電極(51)左邊(參見右邊的放大圓圈)。

同樣地，觸點(23a)不會正確接觸電極(51)的中間，而是偏向接觸區域左邊的電極(51)右邊(參見左邊的放大圓圈)。

此背後的理由在於TAB IC的觸點(23a)的節距P2小於待測物填料(50)電極的節距P2(P2>P1)。

此現象無法避免發生。如果完成測試，且實現模組製程，TAB IC的觸點係透過與位於填料的觸點之熱壓而電連接填料。在此情況，觸點的節距會在施熱後擴大。因此，如果觸點的節距最初是與填料電極的節距相同，觸點的節距會被施熱擴大供連接，使得觸點的節距會與填料的電極偏離。現考慮電極節距的擴大，觸點節距的形成係小於填料的電極節距。

同樣地，如果具有小電極節距的TAB IC直接接觸待測物的填料，從接觸性能的觀點存在一問題。即是，因為TAB IC的觸點以不同於待測物填料電極節距形成，所以接觸性能較差，不容易在TAB IC與填料電極的觸點間達成一對一接觸。

為了解決此問題，提議要擴大TAB IC的電極節距的方法。例如，請即參考圖4，一具有觸點(123a)的絕緣薄膜係以一夾持器G抓緊在相對兩側邊，且向外拉以擴大觸點(123a)。

如果想要擴大TAB IC的電極節距，觸點(123a)的節距P3會在填料上針對一對一接觸擴大(參見圖5)。即是，觸點(123a)之每一者不僅接觸在接觸區域中間填料的電極(51)中心，而且在其右與左側(參見放大圓圈)。

換句話說，觸點(123a)的節距擴大使得填料的電極節距P2會變成相同或實質與觸點的節距P3相同(P2=P3)。

不過，仍然存在一問題，即不容易獲得TAB IC觸點的節距準確擴大至想要的節距。

本發明要解決上述問題，且本發明之一態樣係提供一薄膜式探測裝置及製造薄膜式探測裝置之方法，包括在與待測物件電極相同的節距上個別形成之一探針片，且即使電極具有微米節距，仍呈現良好接觸性能。

根據一態樣，一薄膜式探測裝置包括：一探針片，其具有在一絕緣薄膜上形成的圖案接線，允許一些圖案接線用來接觸待測物；及一主體區塊，其具有在底部配置的探針片。該等觸點係以兩或多線形成。

觸點的個別線可交替形成。

觸點可具有比圖案接線的其他區域更大的面積，以改善物件的接觸性能。

除了觸點以外，圖案接線的其他區域可係絕緣。

絕緣薄膜可在具有供驅動物件之一驅動晶片的一側提供。

驅動晶片可安裝在附接至物件成品的一TAB IC上。

一些圖案接線可在具有在其形成觸點的一側後端上形成，使得不會在觸點間通過。

在後端形成的圖案接線可經由透過絕緣薄膜形成的孔連接觸點。

根據另一態樣，製造一薄膜式探測裝置之方法包括：在一絕緣薄膜上形成一圖案接線；除了觸點接觸待測物的電極以外，絕緣圖案接線；藉由安裝供驅動絕緣薄膜上物件的一驅動晶片以製造一探針片；及固定該探針片至一主體區塊。

該驅動晶片可安裝在要附接至一物件成品的TAB IC上。

觸點可具有與物件電極相同的節距。

觸點係以兩或多線形成。

觸點的個別線係以交替形成。

一些圖案接線可在具有在其上形成觸點的一側後端形成，使得不會在觸點間通過。

在後端形成的圖案接線可經由透過絕緣薄膜形成的孔連接至觸點。

本發明的示例性具體實施例現將參考附圖描述。

請即參考圖6，根據示例性具體實施例之一薄膜式探測裝置包括一探針片，其專屬於測試及個別製造，而不是後處理(例如擴大等)附接至待測物成品的一捲帶式自動接合積體電路(TAB IC)。

一種製造探針片(220)的方法包括在一絕緣薄膜(221)上形成一圖案接線(222)，其中一些圖案接線(222)當作觸點(222a)接觸待測物的填料(50)。在此具體實施例中，圖案接線(222)之每一頂端係當作觸點(222a)。當然，觸點(222a)形成具有與物件電極(51)相同的節距。然後，除了觸點(222a)以外，圖案接線(222)係被絕緣。最後，探針片(220)固定至一主體區塊(10)(參見圖1)。為了改善接觸性能，觸點(222a)具有比圖案接線(222)的其他區域更大的面積。

此外，探針片(220)可具有在一TAB IC嵌入上安裝的一驅動晶片，或一驅動晶片安裝的TAB IC可連接至探針片(220)的後端。

請即參考7和8，根據一具體實施例的探針片(320)可具有以兩線形成的第一線觸點323a與第二線觸點323b。在此情況，第一線觸點323a與第二線觸點323b為交替配置，所以一 接線圖案(323)連接至第一線觸點(323a)不會與第二線觸點(323b)形成干擾。或者，根據具體實施例的探針片可具有以三或多線形成的觸點。

因此，一待測物的第一線電極(51a)與第二線電極(51b)係分別接觸探針片(320)的第一線觸點(323a)與第二線觸點(323b)。在此情況，物件可藉由施加一測試信號進行電測試。

請即參考圖9和10，如果一探針片(420)的第二線觸點422a與第一線觸點423a係以兩線形成，形成第一線觸點(423a)之一圖案接線(423)可在第二線觸點(422a)間通過，造成短路。若要避免此短路，一些圖案接線(423b)要在具有形成第二線觸點(422a)的一側後端上形成，使得不會在第二線觸點(422a)間通過。

明確地係，形成第一線觸點(423a)的圖案接線(423)係分成在絕緣薄膜(421)的一側上的接線圖案(423c)、與在絕緣薄膜(421)的另一側上的接線圖案(423b)，且這些接線圖案係經由透過絕緣薄膜(421)形成的孔(111、112)彼此電連接。

根據具體實施例，即使一待測物的電極具有微米節距，可提高接觸性能。

此外，具有與待測物的電極相同節距的探針片係個別製造，藉此改善接觸性能。

此外，即使待測物的電極具有微米節距，一測試信號可完全施加不致造成短路。

雖然一些具體實施例已在本發明描述，但是所屬技術領域專業人士應該明白，具體實施例只是說明，且各種不同修改與變化可達成，不致悖離本發明的精神及範疇。本發明的範疇應只受限於文後申請專利範圍與等效物。

1‧‧‧探測裝置

10‧‧‧主體區塊

20‧‧‧捲帶式自動接合積體電路

21‧‧‧絕緣薄膜

22‧‧‧驅動晶片

23‧‧‧圖案接線

23a‧‧‧觸點

24‧‧‧連接器

30‧‧‧支撐構件

40‧‧‧彈性電路板

50‧‧‧填料

51‧‧‧電極

51a‧‧‧第一線電極

51b‧‧‧第二線電極

111‧‧‧孔

112‧‧‧孔

123a‧‧‧觸點

220‧‧‧探針片

221‧‧‧絕緣薄膜

222‧‧‧圖案接線

222a‧‧‧觸點

320‧‧‧探針片

323‧‧‧接線圖案

323a‧‧‧第一線觸點

323b‧‧‧第二線觸點

420‧‧‧探針片

421‧‧‧絕緣薄膜

422a‧‧‧第二線觸點

423‧‧‧圖案接線

423a‧‧‧第一線觸點

423b‧‧‧接線圖案

423c‧‧‧接線圖案

本發明的上述及其他態樣、特徵及效益可從下列連同附圖的示例性具體實施例變得更瞭解，其中：圖1至5說明一傳統薄膜式探測裝置及製造薄膜式探測裝置之方法；及圖6至10說明根據本發明之示例性具體實施例的一薄膜式探測裝置及製造薄膜式探測裝置之方法。

50‧‧‧填料

51a‧‧‧第一線電極

221‧‧‧絕緣薄膜

220‧‧‧探針片

222‧‧‧圖案接線

222a‧‧‧觸點

Claims (14)

1. 一種薄膜式探測裝置，其包括：一探針片，其具有在一絕緣薄膜上形成的複數圖案接線，以允許一些該些圖案接線當作複數觸點接觸一待測物，該等觸點係以兩或多線形成，且每一該觸點的面積大於每一該圖案接線的面積以改善與該待測物的接觸性能；及一主體區塊，其具有在底部配置的該探針片。
2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜式探測裝置，其中該等觸點的個別線係交替形成。
3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜式探測裝置，其中除了觸點以外，該等圖案接線的其他區域係絕緣。
4. 如申請專利範圍第2項所述之薄膜式探測裝置，其中該絕緣薄膜係在具有一驅動晶片供驅動物件的一側提供。
5. 如申請專利範圍第4項所述之薄膜式探測裝置，其中該，驅動晶片係安裝在附接至物件成品的一捲帶式自動接合積體電路(TAB IC)上。
6. 如申請專利範圍第2項所述之薄膜式探測裝置，其中一些圖案接線係在形成觸點的一側後端上形成，使得不會在觸點間通過。
7. 如申請專利範圍第6項所述之薄膜式探測裝置，其中該等在後端形成的圖案接線係經由透過絕緣薄膜形成的孔連接觸點。
8. 一種製造薄膜式探測裝置之方法，該方法包括：在一絕緣薄膜上形成圖案接線；除了接觸待測物電極的觸點以外，該等圖案接線係絕緣； 藉由在絕緣薄膜上安裝供驅動物件的一驅動晶片，以製造一探針片；及固定該探針片至一主體區塊。
9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該驅動晶片係安裝在附接至成品的一捲帶式自動接合積體電路(TAB IC)上。
10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該等觸點具有與物件電極相同的節距。
11. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該等觸點係以兩或多線形成。
12. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該等觸點的個別線係交替形成。
13. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中一些圖案接線係在具有形成觸點的一側後端上形成，使得不會在觸點間通過。
14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該等在後端形成的圖案接線係經由透過絕緣薄膜的孔連接觸點。