TWI461855B - 具有塗層薄膜黏附其上之部份的微影裝置 - Google Patents

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Erik Roelof Loopstra
Der Ham Ronald Van
Wilhelmus Franciscus Johannes Simons
Daniel Jozef Maria Direcks
Franciscus Johannes Joseph Janssen
Gert-Jan Gerardus Johannes Thomas Brands
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Description

具有塗層薄膜黏附其上之部份的微影裝置
本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部件上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部件(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部件的網路。習知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部件上來照射每一目標部件；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部件。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化器件轉印至基板。
微影裝置可為如下類型：其中基板浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之第一元件之間。在 (例如)美國專利申請公開案第US 2004/0119954號及PCT專利申請公開案第WO 2004/093160號中提及浸沒微影術。
在浸沒型微影裝置中，潤濕表面之接觸角可能為顯著的。然而，接觸角可(例如)由於輻射曝光、機械接觸等等而在使用期間降級。浸沒液體之使用亦可或或者在液體或自液體所發散之可能蒸汽附近的投影系統、基板支撐件或微影裝置之其他部分上導致污漬。舉例而言，污漬可殘留於可存在於基板支撐件上之感測器上。此可能導致在(例如)將基板與圖案化器件對準時之不精確性及/或感測器之縮短使用壽命。
微影裝置中可能出現之額外或替代問題為污染物在裝置之一或多個部分(例如，感測器)上之沈積及堆積。該等污染物可能源自(例如)來自抗蝕劑過程之浸出產物。污染物之沈積可視沈積之位置而導致與(例如)上述接觸角、裝置部分之使用壽命、對準、調平、感測器格柵退化及/或輻射阻塞有關的關注。
可將區域薄膜密封件施加於浸沒型微影裝置之基板支撐件之頂部表面的部分上，以便保護其免於浸沒液體。然而，區域個別薄膜密封件可能需要區域親水性間隙及/或形成高度梯階。由於此情形，可能殘留浸沒液體且可能引入不當力。
另外，微影裝置之基板支撐件之頂部表面的部分可區域地塗佈有塗層，以便保護其免於UV輻射。然而，此等區 域塗層(例如)由於無意接觸及/或使用降級而經受磨損，從而導致表面疏水性性質之改變。塗層之損害導致待由塗層保護之部分(在此情況下為基板支撐件)的昂貴替換或整修。
存在眾多用於施加塗層之方法，諸如，化學氣相沈積及離子束濺鍍。使用此等方法之系統主要經設計以極精密地塗佈所要表面。結果，系統極為昂貴且需要廣泛裝設時間。
因此，需要(例如)提供一種經適當地保護免於來自(例如)UV輻射及/或浸沒液體之負面影響的微影裝置。
根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，其包含：照明系統，照明系統經組態以調節輻射光束；支撐件，支撐件經建構以支撐圖案化器件，圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；基板支撐件，基板支撐件經建構以固持基板；投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部件上；及攜載塗層之可移除式黏著薄膜，可移除式黏著薄膜係在裝置之至少一部分。
根據本發明之一實施例，提供一種器件製造方法，其包含：在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案；使用微影裝置來將經圖案化輻射光束投影至基板之目標 部件上，攜載塗層之可移除式黏著薄膜係在裝置之至少一部分上；顯影經投影基板；及由經顯影基板製造器件。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他適當輻射)；圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至第一***件PM，第一***件PM經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件。裝置亦包括：基板支撐件(例如，基板台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之晶圓)W且連接至第二***件PW，第二***件PW經組態以根據某些參數來精確地定位基板。裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部件C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
圖案化器件支撐件以視圖案化器件之定向、微影裝置之 設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部件中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會精確地對應於基板之目標部件中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部件中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、 電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板支撐件(及/或兩個或兩個以上圖案化器件支撐件)的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外支撐件，或可在一或多個支撐件上執行預備步驟，同時將一或多個其他支撐件用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部件可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術可用以增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語"浸沒"不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射器時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束借助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器 IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐結構(例如，光罩台)MTL之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部件C上。借助於第二***件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器，或電容性感測器)，基板支撐件WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部件C。類似地，第一***件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位圖案化器件MA。一般而言，可借助於形成第一***件PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件MT之移動。類似地，可使用形成第二***PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板支撐件WT之移動。在步進器(與 掃描器相對)之情況下，圖案化器件支撐件MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部件，但其可位於目標部件之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部件C上時，使圖案化器件支撐件MT及基板支撐件WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板支撐件WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部件C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部件C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部件C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件MT及基板支撐件WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板支撐件WT相對於圖案化器件支撐件MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部件的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部件之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影 至目標部件C上時，使圖案化器件支撐件MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板支撐件WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板支撐件WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2為基板支撐件WT之頂部表面的平面示意圖。頂部表面包含各種孔口。中心(圓形)孔口為定位有基板之凹座1。若干其他組件圍繞中心孔口而定位且經配置為由投影系統PS之經圖案化光束照明。此等組件可為感測器，諸如，兩個透射影像感測器2、光點感測器3及整合透鏡干涉計4。其亦可為一或多個其他種類之量測器件、密封器件及/或致動器。為了(例如)適當地保護頂部表面免於來自投影系統PS之UV輻射，施加攜載功能塗層6之可移除式薄膜5(見圖3)。薄膜5之內側具備黏著層7。在此情況下之功能塗層至少保護免於UV輻射。
攜載塗層6之黏著薄膜5可覆蓋基板支撐件WT之實質上整個頂部表面，包括位於頂部表面中之組件。然而，理想地，攜載塗層6之黏著薄膜5覆蓋基板支撐件WT之頂部表面，除了提供於其中之用於位於頂部表面中之組件的開口以外，及/或除了用於基板W之凹座1以外。因此，攜載塗 層6之黏著薄膜5包含用於組件及/或基板W之開口。此具有組件及/或基板可經移除及/或替換而不必移除攜載塗層6之整個黏著薄膜5的優點。在此情況下之組件可由個別保護覆蓋元件單獨地覆蓋，個別保護覆蓋元件可有利地由攜載塗層6之黏著薄膜5之相同材料的部分形成。
根據本發明之一實施例的施加攜載塗層之黏著薄膜會有利地減少其所黏附至之裝置之部分的輻射誘發性退化。塗層(例如)對於紫外線波長可為不透明的，否則紫外線波長可損害裝置之部分。亦或或者有可能使用輻射吸收塗層。將具有精密厚度且具有昂貴設備之塗層直接精確地施加至待保護之裝置之該等部分上不再為必要的。替代地，可(例如)在製造薄膜之後及/或在施加具有黏著層之薄膜之後不久於微影裝置外部在更早階段將塗層容易地、快速地且可靠地施加至薄膜上。可藉由任何適當方法或過程來將塗層提供於薄膜上。在一實施例中，藉由濺鍍、旋塗、浸塗或低真空電漿過程來施加塗層。隨後，可將薄膜連同塗層一起容易地、快速地且可靠地黏附至裝置之各部分上。此節省時間及成本。注意，塗層不僅保護裝置之各部分，而且保護薄膜及黏著層自身免於輻射誘發性退化。因為攜載塗層之黏著薄膜為可移除式的，所以必要時，新黏著薄膜(換言之，具有黏著劑及塗層之整個新薄膜)可容易替換黏著薄膜。在該替換之後，黏著薄膜所黏附至之裝置的部分被再次充分地保護一段時間。此實質上延長該部分之使用壽命且增加使用微影裝置之基板製造過程的精確性。此 外，攜載塗層之黏著薄膜可另外或或者有利地施加至裝置之部分上，其中(例如)因為部分可能決不被加熱而可能不直接施加有塗層。
薄膜可由諸如金屬箔之薄箔材料製成。薄膜可具有任何適當厚度。在一實施例中，薄膜之厚度為至少9微米且具有為11微米之最大厚度。有利地，攜載塗層之薄膜具有與其所黏附至之裝置之部分(在此情況下為基板支撐件WT)實質上相同的熱膨脹特性。在一實施例中，薄膜可具備帶狀物或似風箱結構，使得其能夠連同基板支撐件(必要時)一起容易地膨脹及/或收縮。
塗層6可由保護免於紫外線輻射之材料製成。在一實施例中，塗層為疏水性塗層，更特定而言，例如，包含聚合六甲基二矽氧烷之疏水性塗層。此外或作為一替代例，塗層包含來自聚矽氧及/或氧化鈦家族之化合物。亦可使用其他有機氧基金屬化合物。塗層可具有任何適當厚度。在一實施例中，塗層之厚度為至少400奈米且具有為600奈米之最大厚度。
黏著層7包含黏著劑，使得薄膜連同其塗層一起可自其所黏附至之部分(在此情況下為基板支撐件WT)的頂部表面被容易地移除(理想地為手動地)。黏著劑應以足夠強度黏附至攜載塗層之薄膜，使得在正常操作期間，攜載塗層之薄膜保持於適當位置且不易被無意接觸損害。在一實施例中，黏著層7包含熱熔黏著劑，特別為壓敏熱熔黏著劑。舉例而言，可使用三嵌段聚合物，例如，苯乙烯-異戊二 烯-苯乙烯。注意，儘管該黏著劑對延長之UV輻射曝光敏感，但根據本發明之一實施例，因為塗層可保護黏著劑，所以此並非問題。黏著層可具有任何適當厚度。在一實施例中，黏著層之厚度為至少9微米且具有為11微米之最大厚度。
圖4及圖5展示浸沒微影裝置之一實施例，其除了圖1之實施例以外還包含具有液體限制結構之液體供應系統，有時被稱作浸沒蓋罩IH，其沿投影系統PS之最終元件與基板支撐件WT之間的空間之邊界之至少一部分延伸。限制結構可延伸略微超過投影系統之最終元件。液體供應系統用以將液體供應至由限制結構在投影系統PS之最終元件與基板W之間所界定的空間。在此情況下，液體位準上升超過最終元件，使得提供液體之緩衝區。因此，形成液體20之儲集層，其可由圍繞投影系統PS之影像場至基板W之無接觸式密封件密封於空間中。
根據一實施例，攜載功能塗層之可移除式黏著薄膜提供於液體限制結構之至少一部分上。詳言之，至少其頂部表面21可具備攜載塗層之可移除式黏著薄膜。在此情況下，功能塗層使得其具有一或多個所要性質，特別為所要接觸角。因此，有可能每次提供具備具有該(該等)所要性質之"可更換"頂部層的表面。必要時，塗層亦可使得結構之部分經適當地保護免於來自浸沒液體之負面影響及/或由於來自投影系統PS之輻射的退化。亦可或替代地藉由攜載塗層之該黏著薄膜來保護結構之其他部分。
此外，諸如在圖2及圖3之實施例中，基板支撐件WT亦可具有黏附至其之攜載塗層之黏著薄膜。此有助於將液體保持於限制結構內，特別在鄰接基板W之基板支撐件WT之頂部表面的邊緣部分24相反於限制結構之內部周邊邊緣部分25而安放的情況下。又，其有助於防止將污漬形成至基板支撐件WT之頂部表面上。在此情況下，塗層理想地為具有大於85(後退接觸角)或大於95(靜態接觸角)之水接觸角的疏水性材料。該疏水性塗層被已知避免其藉由含水液體(例如，浸沒液體)所覆蓋之部分的污漬化。在一實施例中，疏水性塗層包含氧化鈦。此具有以下優點：其為用於在UV輻射之影響下分解在用於微影術之抗蝕劑中之烴的催化劑。因此，具有攜載塗層之黏著薄膜的系統在使用期間可稍微自我清潔。
除了所示實施例以外，眾多替代例為可能的。舉例而言，攜載塗層之薄膜可提供於裝置之在裝置操作期間曝光於輻射或以浸沒液體潤濕的一或多個其他部分上，例如，照明系統之部分、圖案化器件支撐件之部分、基板支撐件之部分，及/或投影系統之部分。詳言之，薄膜可沿投影系統之邊緣部分黏附至投影系統的上側或下側、黏附於圖案化器件支撐件之頂部上，等等。薄膜亦可黏附於可鄰近浸沒微影裝置中之基板提供於基板支撐件中之所謂的封閉碟片之頂部或底部上。該封閉碟片可臨時替代液體限制結構下方之基板，且因此(例如)在交換基板期間密封限制結構。
在一實施例中，攜載塗層之黏著薄膜中的若干者可經提供成堆疊於彼此之頂部上。攜載塗層之黏著薄膜可在需要時(換言之，例如，在其已以其不能再適當地執行其功能之方式被損害或退化之後)被逐一撕掉。因為現僅需要移除所使用之薄膜，所以可最小化裝置之停機時間。在一替代例中，有可能每次按需要儘快地將攜載塗層之新黏著薄膜置放於舊黏著薄膜之頂部上。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部件"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基 板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5 nm至20 nm之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見到，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
1‧‧‧凹座
2‧‧‧透射影像感測器
3‧‧‧光點感測器
4‧‧‧整合透鏡干涉計
5‧‧‧可移除式薄膜
6‧‧‧功能塗層
7‧‧‧黏著層
21‧‧‧頂部表面
24‧‧‧頂部表面的邊緣部分
25‧‧‧內部周邊邊緣部分
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束傳送系統
C‧‧‧目標部件
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IH‧‧‧浸沒蓋罩
IL‧‧‧照明系統
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧圖案化器件支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一***件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二***件
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板支撐件
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2展示圖1之基板支撐件的俯視圖；圖3展示圖2之示意性放大側視圖；圖4展示根據本發明之一實施例的浸沒型微影裝置；及圖5展示具有圖4之浸沒蓋罩之基板支撐件的放大圖。
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束傳送系統
C‧‧‧目標部件
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧圖案化器件支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一***件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二***件
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板支撐件
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向

Claims (23)

  1. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，該照明系統經組構(configured)以調節一輻射光束；一支撐件，該支撐件經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板支撐件，該基板支撐件經建構以固持一基板；一投影系統，該投影系統經組構以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部件上；及攜載一塗層之一可移除式黏著薄膜，該可移除式黏著薄膜係在該微影裝置之至少一部分上。
  2. 如請求項1之微影裝置，其進一步包含具有一液體限制結構之一液體供應系統，該液體限制結構沿該投影系統與該基板支撐件之間的一空間之一邊界之至少部分延伸，攜載該塗層之該薄膜係在該液體限制結構之至少部分上。
  3. 如請求項1之微影裝置，其中攜載該塗層之該薄膜係在該微影裝置之於該微影裝置之操作期間曝光於輻射的至少部分上。
  4. 如請求項1之微影裝置，其中攜載該塗層之該薄膜係在(i)該照明系統或(ii)該圖案化器件支撐件或(iii)該基板支撐件或(iv)該投影系統或(v)選自(i)至(iv)之任一組合的至少部分上。
  5. 如請求項4之微影裝置，其中攜載該塗層之該薄膜係在 該基板支撐件之一頂部表面的至少部分上。
  6. 如請求項5之微影裝置，其中攜載該塗層之該薄膜覆蓋該基板支撐件之實質上整個該頂部表面。
  7. 如請求項5之微影裝置，其中攜載該塗層之該薄膜覆蓋該基板支撐件之該頂部表面，除了用於位於該頂部表面中之一或多個器件之在該基板支撐件中的一或多個開口以外。
  8. 如請求項7之微影裝置，其中位於該頂部表面中之該一或多個器件包含(i)一量測器件或(ii)一密封器件或(iii)一致動器或(iv)選自(i)至(iii)之任何組合。
  9. 如請求項7之微影裝置，其中攜載該塗層之該薄膜包含對應於該基板支撐件中之該一或多個開口的一或多個開口。
  10. 如請求項1之微影裝置，其包含以一堆疊所配置之複數個黏著薄膜，每一者攜載該塗層。
  11. 如請求項1之微影裝置，其中該薄膜包含一金屬箔。
  12. 如請求項1之微影裝置，其中該薄膜具有一為11微米之最大厚度。
  13. 如請求項1之微影裝置，其中攜載該塗層之該薄膜具有與其所黏附至之該微影裝置之該部分實質上相同的熱膨脹特性。
  14. 如請求項1之微影裝置，其中該塗層保護免於紫外線輻射。
  15. 如請求項1之微影裝置，其中該塗層為一疏水性塗層。
  16. 如請求項15之微影裝置，其中該疏水性塗層包含聚合六甲基二矽氧烷。
  17. 如請求項1之微影裝置，其中該塗層具有一為600奈米之最大厚度。
  18. 如請求項1之微影裝置，其中該塗層包含聚矽氧。
  19. 如請求項1之微影裝置，其中該塗層包含氧化鈦。
  20. 如請求項1之微影裝置，其中該塗層具有一為至少85度之水接觸角。
  21. 如請求項1之微影裝置，其中該黏著薄膜包含一熱熔黏著劑。
  22. 如請求項1之微影裝置，其中該黏著薄膜包含一具有一為11微米之最大厚度的黏著層。
  23. 一種器件製造方法，其包含：在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案；使用一微影裝置來將該經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部件上，攜載一塗層之一可移除式黏著薄膜係在該微影裝置之至少一部分上；顯影該經投影基板；及自該經顯影基板製造一器件。
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