JP5414729B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、このパターニングデバイスは、パターニングされた放射ビームを形成するために放射ビームに対してその断面内にパターンを付与することができるサポートと、
基板を保持するように構成された基板サポートと、
パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分の上に投影するように構成された投影システムと、
装置の少なくとも一部分の上の、コーティングを付けた取り外しできる粘着性フィルムと
を備えたリソグラフィ装置が提供される。
放射ビームに対してその断面内にパターンを付与するステップと、
コーティングを付けた取り外しできる粘着性フィルムがその装置の少なくとも一部分の上に存在するリソグラフィ装置を使用して、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分の上に投影するステップと、
投影された基板を現像するステップと、
現像された基板からデバイスを製造するステップと
を含むデバイス製造方法が提供される。
Claims (15)
- リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスが、パターニングされた放射ビームを形成するために前記放射ビームに対してその断面内にパターンを付与することができるサポートと、
基板を保持するように構成された基板サポートと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板のターゲット部分の上に投影するように構成された投影システムと、
前記装置の少なくとも一部分の上の、コーティングを付けた取り外しできる粘着性フィルムと、を備え、
前記フィルムは、前記投影システムからの放射による影響及び/又は前記リソグラフィ装置に使用される液体による影響に対して、前記フィルムが付着される面を保護するように構成されている、
リソグラフィ装置。 - 前記投影システムと前記基板サポートとの間の空間の境界の少なくとも一部分に沿って延在する液体閉じ込め構造体を有する液体供給システムをさらに備え、
前記コーティングを付けた前記フィルムは、前記液体閉じ込め構造体の少なくとも一部分の上に存在する、
請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記コーティングを付けた前記フィルムは、前記装置の運転中に放射に曝される前記装置の少なくとも一部分の上に存在する、
請求項1または2に記載のリソグラフィ装置。 - 前記コーティングを付けた前記フィルムは、(i)前記照明システム、または(ii)前記パターニングデバイスサポート、または(iii)前記基板サポート、または(iv)前記投影システム、または(v)(i)〜(iv)から選択された任意の組合せ、の少なくとも一部分の上に存在する、
請求項1から3いずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記コーティングを付けた前記フィルムは、前記基板サポートの上面の少なくとも一部分の上に存在する、
請求項4に記載のリソグラフィ装置。 - 前記コーティングを付けた前記フィルムは、前記上面の中に配置される1つまたは複数のデバイスのための前記基板サポートの中の1つまたは複数の開口部を除く前記基板サポートの前記上面を覆う、
請求項5に記載のリソグラフィ装置。 - 前記上面の中に配置される前記1つまたは複数のデバイスは、(i)測定デバイス、または(ii)シールデバイス、または(iii)アクチェエータ、または(iv)(i)〜(iii)から選択された任意の組合せ、を備える、
請求項6に記載のリソグラフィ装置。 - 前記コーティングを付けた前記フィルムは、前記基板サポートの中の前記1つまたは複数の開口部に対応する1つまたは複数の開口部を備える、
請求項6に記載のリソグラフィ装置。 - それぞれがコーティングを付け積み重ねて配置された複数の粘着性フィルムを備える、
請求項1から8いずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記フィルムは金属箔を備える、
請求項1から9いずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記コーティングを付けた前記フィルムは、そのフィルムが付着される前記装置の前記部分と概ね同一の熱膨張特性を有する、
請求項1から10いずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記コーティングは紫外放射から保護する能力があるまたは疎水性コーティングである、
請求項1から3および5から11いずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記疎水性コーティングは重合ヘキサメチルジシロキサンを含む、
請求項12に記載のリソグラフィ装置。 - 前記コーティングはシリコーンまたは酸化チタンを含む、
請求項1から13いずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 放射ビームに対してその断面内にパターンを付与するステップと、
コーティングを付けた取り外しできる粘着性フィルムがその装置の少なくとも一部分の上に存在するリソグラフィ装置の投影システムを使用して、前記パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分の上に投影するステップと、
前記投影された基板を現像するステップと、
前記現像された基板からデバイスを製造するステップと、
を含み、
前記フィルムは、前記投影システムからの放射による影響及び/又は前記リソグラフィ装置に使用される液体による影響に対して、前記フィルムが付着される面を保護するように構成されている、
デバイス製造方法。
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US4131363A (en) * | 1977-12-05 | 1978-12-26 | International Business Machines Corporation | Pellicle cover for projection printing system |
US5008156A (en) * | 1986-11-07 | 1991-04-16 | Exion Technology, Inc. | Photochemically stable mid and deep ultraviolet pellicles |
JP2524987B2 (ja) * | 1986-12-19 | 1996-08-14 | 株式会社クラレ | 偏光膜の製造方法 |
JPH09260257A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Canon Inc | レンズ汚染を防止した投影露光装置およびそれを用いた半導体デバイス製造プロセス |
US6190743B1 (en) * | 1998-07-06 | 2001-02-20 | Micro Lithography, Inc. | Photomask protection system |
KR100549776B1 (ko) * | 1999-07-01 | 2006-02-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 공간필터링을 통한 이미지향상의 장치 및 방법 |
JP4634680B2 (ja) * | 1999-07-08 | 2011-02-16 | ソマール株式会社 | 容易に剥離可能な粘着性フィルム |
KR100815314B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2008-03-19 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접착제 조성물, 그의 제조 방법, 이것을 사용한 접착필름, 반도체 탑재용 기판 및 반도체 장치 |
JP3514439B2 (ja) * | 2000-04-20 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法 |
JP2002151400A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Canon Inc | 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場 |
JP2002341548A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Sony Corp | ウェーハの処理方法 |
AU2003231551A1 (en) * | 2002-05-01 | 2003-11-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | High refraction film, its coating composition, and an anti-reflection film, a polarizing plate and an image display device including said film |
US6992750B2 (en) * | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
JP2004288766A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4488005B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路 |
KR101940892B1 (ko) * | 2003-06-13 | 2019-01-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
KR101682884B1 (ko) * | 2003-12-03 | 2016-12-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
JP4513534B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
KR101377815B1 (ko) * | 2004-02-03 | 2014-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4513590B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 光学部品及び露光装置 |
JP4622340B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005268693A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、回路基板および電子機器 |
WO2006030908A1 (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nikon Corporation | 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006317693A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Nec Toppan Circuit Solutions Inc | 露光方法及び露光用マスク並びにマスク用保護フィルム |
US20070004182A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and system for inhibiting immersion lithography defect formation |
US7728951B2 (en) * | 2005-09-29 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for conditioning an interior space of a device manufacturing apparatus |
KR100800182B1 (ko) * | 2005-11-08 | 2008-02-01 | 광 석 서 | 발수 방오 처리된 대전방지 보호 테이프 |
KR100593814B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2006-06-28 | 에이스 인더스트리 주식회사 | 반도체 다이본딩용 점착테이프 |
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