TWI434128B - 具有交換橋之微影裝置 - Google Patents

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TWI434128B
TWI434128B TW098138291A TW98138291A TWI434128B TW I434128 B TWI434128 B TW I434128B TW 098138291 A TW098138291 A TW 098138291A TW 98138291 A TW98138291 A TW 98138291A TW I434128 B TWI434128 B TW I434128B
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Description

具有交換橋之微影裝置
本發明係關於一種包括用於固持基板之兩個平台的微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下,圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如,矽晶圓)上之目標部分(例如,包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言,單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。習知微影裝置包括:所謂的步進器,其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分;及所謂的掃描器,其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
自美國專利第7,310,132 B1號知曉微影裝置。在美國專利第7,310,132 B1號中,微影裝置經描述成包括兩個基板平台。每一基板平台具有形成用於移動基板之第二***之一部分的長衝程模組及短衝程模組。此外,已知微影裝置具有以可移動部件之形式的交換橋。美國專利第7,310,132 B1號描述已知微影裝置之兩個主要實施例。在第一組態中,基板平台係相對於彼此可移動,且在第二組態中,基板平台係經由交換橋而耦接(此係藉由使用可移動部件將基板平台之頂部表面放在一起加以實現)以用於聯合移動。
在已知微影裝置之第一實施例中,在第一組態(其中並行地使用基板台,或在台中之一者上進行預備步驟,同時將另一台用於曝光)中,短衝程模組中之一者之可移動部分載運交換橋。載運交換橋係不良的,因為其可能形成動態干擾且因此形成降低之定位精確度(因為交換橋之質量添加至短衝程模組之可移動部分且因此劣化其動力學)。
在已知微影裝置之第二實施例中,在第二組態(其中平台經延伸且執行同時移動)中,交換橋係耦接至短衝程模組之可移動部分且耦接至平台之一長衝程模組之可移動部分。此係不良的,因為在短衝程模組之可移動部分與長衝程模組之可移動部分之間存在動態耦接。結果,可將來自長衝程模組之動態干擾傳輸至短衝程模組。
在本發明之一態樣中,提供一種微影裝置,微影裝置包括:第一平台及第二平台,第一平台及第二平台各自經組態以固持基板,第一平台及第二平台中之每一者具有經組態以移動具有基板之台的短衝程模組及經組態以移動平台之短衝程模組的長衝程模組;交換橋,交換橋經組態以耦接第一平台與第二平台,其中在使用中在第一組態中第一平台與第二平台係相對於彼此可移動,且其中在第二組態中第一平台與第二平台係經由交換橋而耦接以進行聯合移動;橋固持器,橋固持器經組態以在第一組態中固持交換橋,其中橋固持器係動態地隔離於第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分;及耦接器,耦接器經組態以耦接第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分與交換橋,使得在使用中在第二組態中交換橋僅係與第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分耦接。
以此方式,在第一組態及第二組態中均有效地減少動態干擾。在第一組態中獲得此減少,因為動態地隔離於短衝程模組之可移動部分的橋固持器固持動態地隔離於短衝程模組之可移動部分的交換橋,使得交換橋之質量不添加至短衝程模組之可移動部分且不劣化其動力學。在第二組態中獲得此減少,因為交換橋係動態地隔離於長衝程模組,使得有效地無干擾可自長衝程模組傳輸至短衝程模組。
在本發明之一實施例中,橋固持器係連接至微影裝置之靜止部分,例如,投影系統或靜止框架。益處在於:在第一組態中,兩個平台均可移動而無至橋固持器及交換橋之任何耦接。此得到較好動態行為。
在本發明之一實施例中,橋固持器係直接或間接耦接至長衝程模組中之一者之可移動部分。此實施例之益處在於:在第一組態中,交換橋經固持成動態地隔離於短衝程模組之可移動部分,且經儲存成接近於短衝程模組。當改變至第二組態時,交換橋可經快速地部署於短衝程模組之可移動部分之間,此改良微影裝置之產出率。
在本發明之一實施例中,橋固持器經組態以在第一組態中固持交換橋,使得防止交換橋與微影裝置之另一部分碰撞。益處在於:在第一組態中,交換橋不能藉由與微影裝置之另一部分碰撞而受到損害。
在本發明之一實施例中,微影裝置具有在長衝程模組之可移動部分與橋固持器之間的鉸鏈,使得交換橋可藉由鉸鏈而自第一位置旋轉至第二位置。
在本發明之一實施例中,微影裝置具有橋頭,橋頭經組態以將交換橋耦接至短衝程模組中之一者之可移動部分,使得短衝程模組及/或交換橋之變形彼此至少部分地隔離。益處在於:交換橋之變形導致短衝程模組之最小變形,且反之亦然。
在本發明之一實施例中,微影裝置具有去耦器,去耦器經組態以藉由將短衝程模組之可移動部分朝向彼此移動而自短衝程模組之可移動部分去耦交換橋,橋固持器經建構以在已去耦交換橋之後捕獲交換橋。在正常情形中,為了去耦交換橋,首先降低短衝程模組之可移動部分以將交換橋置放至橋固持器上,且接著移動成彼此遠離以去耦交換橋。該實施例之益處在於:在短衝程模組之可移動部分移動成彼此過於接近的異常情形中,可藉由去耦交換橋來防止損害。
在本發明之一實施例中,提供一種器件製造方法,器件製造方法包括:藉由交換橋來耦接第一平台與第二平台,第一平台及第二平台各自經組態以固持基板,第一平台及第二平台中之每一者具有短衝程模組及經組態以移動平台之短衝程模組的長衝程模組,其中在使用中在第一組態中第一平台與第二平台係相對於彼此可移動,且其中在第二組態中第一平台與第二平台係經由交換橋而耦接以用於聯合移動;在第一組態中藉由橋固持器來固持交換橋,其中橋固持器係動態地隔離於第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分;及耦接第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分與交換橋,使得在使用中在第二組態中交換橋僅係與第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分耦接。
現將參看隨附圖式來描述本發明之實施例。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包括:照明系統(照明器) IL,其經組態以調節輻射光束B(例如,UV輻射或DUV輻射);圖案化器件支撐件或支撐結構(例如,光罩台) MT,其經建構以支撐圖案化器件(例如,光罩) MA,且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件之第一***PM;基板台(例如,晶圓台) WT,其經建構以固持基板(例如,塗覆抗蝕劑之晶圓) W,且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二***PW;及投影系統(例如,折射投影透鏡系統) PS,其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如,包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用以引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件,諸如,折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件,或其任何組合。
圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如,圖案化器件是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台,其可根據需要而係固定或可移動的。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案(例如)以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意,例如,若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵,則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常,被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如,積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可係透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列,及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的,且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型,以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置,該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜,以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統,包括折射、反射、折射反射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合,其適合於所使用之曝光輻射,或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪,裝置為透射類型(例如,使用透射光罩)。或者,裝置可為反射類型(例如,使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列,或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等「多平台」機器中,可並行地使用額外台,或可在一或多個台上進行預備步驟,同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型:其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之液體(例如,水)覆蓋,以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間,例如,圖案化器件(例如,光罩)與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中,而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1,照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言,當輻射源為準分子雷射時,輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下,不認為輻射源形成微影裝置之一部分,且輻射光束係藉助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下,例如,當輻射源為汞燈時,輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常,可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外,照明器IL可包括各種其他組件,諸如,積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束,以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如,光罩台)MT上之圖案化器件(例如,光罩)MA上,且係藉由圖案化器件而圖案化。在橫穿圖案化器件(例如,光罩)MA後,輻射光束B傳遞通過投影系統PS,投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二***PW及位置感測器IF(例如,干涉器件、線性編碼器或電容性感測器),基板台WT可精確地移動,例如,以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地,第一***PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而精確地定位圖案化器件(例如,光罩) MA。一般而言,可藉助於形成第一***PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件(例如,光罩台) MT之移動。類似地,可使用形成第二***PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下,圖案化器件支撐件(例如,光罩台) MT可僅連接至短衝程致動器,或可係固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如,光罩) MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分,但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地,在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如,光罩) MA上之情形中,圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中:
1.在步進模式中,在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時,使圖案化器件支撐件(例如,光罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即,單次靜態曝光)。接著,使基板台WT在X及/或Y方向上移位,使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中,曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中,在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時,同步地掃描圖案化器件支撐件(例如,光罩台) MT及基板台WT(亦即,單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化器件支撐件(例如,光罩台) MT之速度及方向。在掃描模式中,曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上),而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中,在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時,使圖案化器件支撐件(例如,光罩台) MT保持基本上靜止,從而固持可程式化圖案化器件,且移動或掃描基板台WT。在此模式中,通常使用脈衝式輻射源,且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如,如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
微影裝置亦可為如下類型:其中基板係浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如,水)中,以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間,例如,圖案化器件(例如,光罩)與投影系統之第一元件之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2示意性地描繪圖1之微影裝置之平台。長衝程模組18及短衝程模組20各自可劃分成靜止部分及可移動部分。每一模組包括用以相對於靜止部分來移動模組之可移動部分的馬達。在圖2中,描繪平台支撐件30,其可為用以支撐平台之石台。附接至平台支撐件30的係長衝程模組18之靜止部分8。長衝程模組18之可移動部分10係相對於靜止部分8可移動。附接至長衝程模組18之可移動部分10的係短衝程模組20之靜止部分12。短衝程模組20之可移動部分14係相對於靜止部分12可移動。基板台WT係附接至短衝程模組20之可移動部分14。基板台WT經組態以支撐不為平台之一部分的基板W。
在下文中將長衝程模組18之可移動部分10及短衝程模組20之靜止部分12稱作中間部分22。
圖3以俯視圖根據經引導朝向藉由線LL'所指示之平面之箭頭MM'描繪圖1之微影裝置之一部分,其包括經組態以固持基板W1及W2之兩個平台2及4。圖5以側視圖根據相對於線NN'的圖3中之箭頭OO'描繪具有經組態以移動固持基板W1及W2之台WT1及WT2之短衝程模組20.1及20.2的每一平台。圖5進一步描繪用以移動短衝程模組20.1及20.2之長衝程模組18.1及18.2。微影裝置具有用以耦接平台2與平台4之交換橋6,其中在如圖3所示之第一情形或組態中,平台2與平台4係相對於彼此可移動。在圖4所描繪之第二情形或組態中,平台2與平台4係經由交換橋6而耦接以(例如)在箭頭JM之方向上進行聯合移動。在圖5中,微影裝置之所描繪部分展示經組態以在第一情形中固持交換橋6之橋固持器16,其中橋固持器16係動態地隔離於短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14。微影裝置進一步具有如下系統:該系統經組態以自橋固持器16取下交換橋6,且在短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14與交換橋6之間進行耦接,使得在使用中在第二情形中交換橋6僅係與短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14耦接。在下文中可將此系統稱作耦接器。
在此項技術中已知的係短衝程模組20之靜止部分12可動態地隔離於可移動部分14。此可(例如)藉由使用羅倫茲(Lorentz)馬達進行。在此類型之馬達的情況下,在馬達之靜止部分與可移動部分之間存在電磁接觸且無機械接觸。因此,來自靜止部分之動態振動在很大程度上不能傳播至可移動部分,且反之亦然。
根據圖5,橋固持器16係直接或間接耦接至長衝程模組18.1之可移動部分10。橋固持器16可經由短衝程模組20之靜止部分12及/或經由連接至可移動部分10或靜止部分12之一或多個額外組件而間接耦接至可移動部分10。然而,亦有可能將橋固持器16連接至微影裝置之靜止部分,例如,投影透鏡PS或支撐長衝程模組18.1及18.2之支撐框架30。
微影裝置可具有浸沒系統。在圖8中示意性地所描繪之實施例中,浸沒系統23在基板W2與投影透鏡PS之間經由入口23.1而將液體24施加至基板W2上之局域化區域。經由出口23.2而移除自局域化區域流動之液體。圖8描繪平台2與平台4係藉由交換橋6而耦接之第二情形。平台2與平台4可在箭頭JM之方向上以聯合移動而一起移動。當在方向JM上移動時,基板W2經移動成遠離投影系統PS下方,且基板W1係在投影系統PS下方移動。將投影系統PS下方之一基板以另一基板進行調換被稱作交換。在交換基板期間,較佳的係繼續液體24之流動。此可有助於避免投影系統PS上之乾燥污漬。需要防止洩漏至微影裝置中,此洩漏可導致損害及污染。交換橋6可藉由提供用於液體24之邊界而促使在交換期間防止液體24在平台2與平台4之間的洩漏。
圖9展示橋固持器16經組態以在第一位置中固持交換橋6以使得防止交換橋6與微影裝置之另一部分碰撞的實施例。在第一位置中,交換橋6係藉由保險桿26保護以防止交換橋與微影裝置之另一部分碰撞。該實施例具有如下系統或耦接器:該系統或耦接器經組態以自橋固持器16取下交換橋6,且在短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14與交換橋6之間進行耦接。在此實施例中,系統或耦接器包括控制器、馬達及鉸鏈28。控制器經組態以控制馬達,馬達可藉由在中間部分22與橋固持器16之間使用鉸鏈28來旋轉交換橋6。交換橋6係藉由橋固持器16固持,因此,藉由旋轉橋固持器16,可在如圖10所示之第二位置中旋轉交換橋6。在第二位置中,有可能將短衝程模組20.1及20.2耦接至交換橋6且自橋固持器16釋放交換橋6。在另一實施例中,耦接器包括一個鉸鏈。
在另一實施例中,經組態以耦接短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14的耦接器包括機器人臂,機器人臂經組態以自橋固持器16取下交換橋6,且接著將交換橋6移動至交換橋6可耦接至平台2及4之短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14的位置。
圖11根據鑒於箭頭SS'之方向的圖7中之線RR'描繪具有兩個橋頭32之微影裝置,橋頭32經組態以將交換橋6耦接至短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14,使得短衝程模組20.1及20.2及/或交換橋6之變形彼此至少部分地隔離。此意謂(例如)短衝程模組20.1及20.2及/或橋頭32之熱膨脹的效應係藉由橋頭32之動態特性及(在可能時)橋頭32之可撓性特性(例如,將橋頭32耦接至短衝程模組20.1及20.2之方式)而最小化。
在圖11之實施例中,每一橋頭32係經由在y方向上具可撓性之板片彈簧36且經由在y方向上約束橋頭32之中心支撐件34而連接至短衝程模組20.1或20.2之可移動部分14。因為僅在一個位置處在y方向上約束每一橋頭32,所以橋頭32及短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14可在y方向上相對於彼此自由地膨脹及收縮。此意謂:在短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14在y方向上變形的情況下,耦接至橋頭32之交換橋6不變形,且反之亦然。結果,短衝程模組20.1及20.2及/或交換橋6之變形彼此至少部分地隔離。此等變形可由液體24所導致之熱膨脹、加速力或壓力導致。用以將橋頭32連接至短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14的其他組態係可能的。舉例而言,橋頭32可僅藉由兩個板片彈簧36約束,其中之一者係在y方向上硬化以在y方向上約束橋頭32。亦有可能將橋頭32安裝至交換橋6。另外,微影裝置可僅具有一個橋頭32。
在此項技術中已知的係針對彼此連接之組件使用具有相同熱膨脹係數之材料,以便最小化由熱膨脹所導致之變形。然而,因為短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14與橋頭32可在y方向上相對於彼此自由地膨脹及收縮(如圖11之實施例中所示),所以可使用具有不同熱膨脹係數之材料而不會增加由熱膨脹所導致之變形。對於橋頭32,可使用具有高耐磨性之第一材料(諸如,硬金屬),因此,可重複地耦接及去耦交換橋6而不會磨損橋頭32。短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14可包括熱膨脹係數低於第一材料之熱膨脹係數的第二材料(諸如,微晶玻璃),以達成熱穩定形狀。
圖12及圖13以一視圖根據在圖4所描繪之箭頭QQ'之方向上的線PP'展示微影裝置。短衝程模組20.1之可移動部分14.1具有橋頭32,橋頭32具有用以與連接至交換橋6之耦接件48耦接的V型凹槽。短衝程模組20.2之可移動部分14.2具有橋頭44,橋頭44包括傾斜表面38及用以與在x方向上具可撓性且連接至交換橋6之可撓性耦接件46耦接的V型凹槽。橋固持器16具有用以固持交換橋6之V型凹槽42,且係經由鉸鏈28而連接至中間部分22.1,鉸鏈28可沿著y軸相對於中間部分22.1來旋轉橋固持器16。在x方向上藉由可移動部分14.1及14.2來按壓交換橋6,從而導致耦接件48緊固至橋頭32之V型凹槽,且導致可撓性耦接件46緊固至橋頭44之V型凹槽。以此方式,將交換橋6耦接至可移動部分14.1及14.2。可撓性耦接件46有助於最小化由可移動部分14.1與可移動部分14.2之間的距離之變化所導致的按壓力之變化。此等距離變化可由可移動部分14.1及14.2之位置誤差導致。以此方式,可使用大體上恆定預定按壓力來耦接交換橋6。
為了去耦交換橋6,首先降低短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14以將交換橋6置放至橋固持器16上,且接著移動成彼此遠離以減少交換橋6上之按壓力且最終去耦交換橋6。
根據圖12及圖13之實施例的益處在於:其具有藉由將短衝程模組22.1及22.2之可移動部分朝向彼此移動而自短衝程模組22.1及22.2之可移動部分14去耦交換橋6的安全措施,橋固持器16經建構以在已去耦交換橋之後捕獲交換橋6。圖13描繪異常情形,其中交換橋6係耦接至短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14.1及14.2,但可移動部分14.1及14.2經定位成彼此過於接近而使交換橋6保持耦接。為了去耦交換橋6,微影裝置具有經組態以藉由將短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14.1及14.2朝向彼此移動來去耦交換橋6的系統或去耦器。在此實施例中,系統或去耦器包括傾斜表面38及可撓性耦接件46。為了去耦交換橋6,橋頭44之傾斜表面38向下按壓交換橋6。當向下按壓交換橋6時,可撓性耦接件46被壓縮且能夠自橋頭44中之V型凹槽去耦。結果,交換橋6由於重力而降落,且係在已藉由使用V型凹槽42去耦交換橋之後藉由橋固持器16捕獲。在可移動部分14.1與可移動部分14.2之間的距離變得甚至更小的情況下,傾斜表面38導致橋固持器16藉由經由橋固持器16上之交換橋6的按壓而圍繞鉸鏈28旋轉。藉由在圖13所描繪之異常情形中去耦及按離具有或無橋固持器16之交換橋6,可防止對微影裝置之損害。可移動部分14.1與可移動部分14.2彼此過於接近之原因可為可移動部分14.1及14.2中之一者之位置控制器的故障或至平台2及4中之一者之電功率的損耗。替代圖13所描繪之實施例,傾斜表面38為短衝程模組20.1及20.2中之一者之可移動部分14的整合部分,或基板台WT1及WT2中之一者的整合部分。如圖11所描繪之實施例中所描述,橋頭32及44可具有用以至少部分地將短衝程模組20.1及20.2及/或交換橋6之變形彼此隔離的系統。有可能向交換橋6提供傾斜表面。在另一實施例中,傾斜表面38在除了向下以外之另一方向上(例如,向側面)按壓交換橋6。有可能使橋固持器16係可平移的。可撓性耦接件46可在除了x方向以外之另一方向上(例如,在z方向上)具硬性,因此,其可用以抵抗藉由液體24提供至交換橋6之壓力。此可減少在液體24通過交換橋6時交換橋6之變形。代替傾斜表面38及可撓性耦接件46,亦有可能向微影裝置提供用於藉由將短衝程模組20.1及20.2之可移動部分14朝向彼此移動來去耦交換橋及移動橋固持器的其他構件,諸如,在交換橋6與橋頭32及44之間的可破裂以去耦交換橋6之弱耦接件。在另一實施例中,耦接件48係連接至橋頭32及/或可撓性耦接件46係連接至橋頭44,且交換橋6具有V型凹槽。亦有可能使交換橋6具有用於藉由橋固持器16所固持之V型凹槽。熟習此項技術者應瞭解,可使用其他類型之凹槽。
在一實施例中,橋固持器16具有用以固持交換橋6之磁體。可藉由將超過藉由磁體所提供之磁性固持力的力施加至交換橋6而自橋固持器16釋放交換橋6。在另一實施例中,交換橋6具有磁體。
在一實施例中,微影裝置具有用以提取液體24之一部分的提取孔。提取孔可被提供至交換橋6及/或橋頭32及44中之一者及/或提供至短衝程模組20.1及20.2中之一者之可移動部分14。
在本發明之一實施例中,平台2及4各自具有用於固持交換橋6之橋固持器16,針對每一橋固持器為一個交換橋。
在本發明之一實施例中,短衝程模組20.1及20.2中之一者具有感測器台而非基板台WT1或WT2。感測器台可具有感測器且可能不能夠支撐基板。感測器可用以(例如)相對於投影系統PS來對準感測器台,或量測傳遞通過投影系統PS之輻射光束的性質,諸如,放大率或強度。在如圖8所示之組態中,感測器台可用以藉由擔當用於液體24之邊界(例如,類似於圖8中之基板W2)而有助於防止液體24之不當洩漏。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用,但應理解,本文所描述之微影裝置可具有其他應用,諸如,製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭,等等。熟習此項技術者應瞭解,在該等替代應用之情境中,可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時,可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外,可將基板處理一次以上,(例如)以便形成多層IC,使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影之情境中對本發明之實施例的使用,但應瞭解,本發明可用於其他應用(例如,壓印微影)中,且在情境允許時不限於光學微影。在壓印微影中,圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中,在基板上,抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後,將圖案化器件移出抗蝕劑,從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射,包括紫外線(UV)輻射(例如,具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如,具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長);以及粒子束(諸如,離子束或電子束)。
術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合,包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
在一實施例中,提供一種微影裝置,微影裝置包含第一平台及第二平台,第一平台及第二平台各自經組態以固持基板。第一平台及第二平台中之每一者具有短衝程模組及經組態以移動平台之短衝程模組的長衝程模組。微影裝置進一步具有交換橋,交換橋經組態以耦接第一平台與第二平台,其中在使用中在第一組態中第一平台與第二平台係相對於彼此可移動。在第二組態中第一平台與第二平台係經由交換橋而耦接以用於聯合移動。微影裝置進一步具有橋固持器,橋固持器經組態以在第一組態中固持交換橋,其中橋固持器係動態地隔離於第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分。微影裝置進一步具有耦接器,耦接器經組態以耦接第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分與交換橋,使得在使用中在第二組態中交換橋僅係與第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分耦接。
橋固持器可直接耦接至第一平台或第二平台之長衝程模組之可移動部分。橋固持器可經組態以在第一位置中固持交換橋,使得防止交換橋與微影裝置之另一部分碰撞。
微影裝置可進一步包含鉸鏈,鉸鏈係配置於第一平台之長衝程模組之可移動部分與橋固持器之間,使得交換橋可藉由鉸鏈而自第一位置旋轉至第二位置。
微影裝置可進一步包含橋頭,橋頭經組態以將交換橋耦接至第一平台或第二平台之短衝程模組之可移動部分,使得短衝程模組及/或交換橋之變形彼此至少部分地隔離。
微影裝置可進一步包含去耦器,去耦器經組態以藉由將第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分朝向彼此移動而自第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分去耦交換橋。橋固持器可經建構以在已去耦交換橋之後捕獲交換橋。
在一實施例中,提供一種器件製造方法,器件製造方法包含藉由交換橋來耦接第一平台與第二平台。第一平台及第二平台各自經組態以固持基板。第一平台及第二平台中之每一者具有短衝程模組及經組態以移動平台之短衝程模組的長衝程模組。在使用中在第一組態中第一平台與第二平台係相對於彼此可移動。在第二組態中第一平台與第二平台係經由交換橋而耦接以用於聯合移動。方法進一步包含在第一組態中藉由橋固持器來固持交換橋,其中橋固持器係動態地隔離於第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分。方法進一步包含耦接第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分與交換橋,使得在使用中在第二組態中交換橋僅係與第一平台及第二平台之短衝程模組之可移動部分耦接。
儘管以上已描述本發明之特定實施例,但應瞭解,可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言,本發明可採取如下形式:電腦程式,其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列;或資料儲存媒體(例如,半導體記憶體、磁碟或光碟),其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲係說明性而非限制性的。因此,對於熟習此項技術者而言將顯而易見,可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
2...平台
4...平台
6...交換橋
8...長衝程模組18之靜止部分
10...長衝程模組18之可移動部分
12...短衝程模組20之靜止部分
14...短衝程模組20之可移動部分
14.1...短衝程模組20.1之可移動部分
14.2...短衝程模組20.2之可移動部分
16...橋固持器
18...長衝程模組
18.1...長衝程模組
18.2...長衝程模組
20...短衝程模組
20.1...短衝程模組
20.2...短衝程模組
22...中間部分
22.1...短衝程模組/中間部分
22.2...短衝程模組
23.1...入口
23.2...出口
24...液體
26...保險桿
28...鉸鏈
30...平台支撐件/支撐框架
32...橋頭
34...中心支撐件
36...板片彈簧
38...傾斜表面
42...V型凹槽
44...橋頭
46...可撓性耦接件
48...耦接件
AD...調整器
B...輻射光束
BD...光束傳送系統
C...目標部分
CO...聚光器
IF...位置感測器
IL...照明系統/照明器
IN...積光器
M1...圖案化器件對準標記
M2...圖案化器件對準標記
MA...圖案化器件
MT...圖案化器件支撐件或支撐結構
P1...基板對準標記
P2...基板對準標記
PM...第一***
PS...投影系統/投影透鏡
PW...第二***
SO...輻射源
W...基板
W1...基板
W2...基板
WT...基板台
WT1...基板台
WT2...基板台
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置;
圖2以側視圖示意性地描繪圖1之微影裝置之平台;
圖3以俯視圖根據經引導朝向藉由線LL'所指示之平面之箭頭MM'描繪在第一組態中圖1之微影裝置之一部分;
圖4描繪在第二組態中圖1之微影裝置之一部分;
圖5以側視圖根據相對於線NN'的圖3中之箭頭OO'描繪在平台可相對於彼此移動之第一組態中之微影裝置;
圖6描繪在交換橋可耦接至平台之位置中之交換橋;
圖7以側視圖根據相對於線PP'的圖4中之箭頭QQ'描繪在平台係藉由交換橋而彼此耦接之第二組態中之微影裝置;
圖8描繪在交換基板期間具有浸沒液體之微影裝置之實施例之一部分;
圖9描繪交換橋係在第一位置中之實施例,在第一位置中,交換橋係藉由保險桿保護,以便防止其與微影裝置之另一部分碰撞;
圖10描繪交換橋係在第二位置中的圖9之實施例,在第二位置中,交換橋可自橋固持器取下且可耦接至短衝程模組之可移動部分;
圖11根據在箭頭SS'之方向上的圖7中之線RR'描繪具有經組態以耦接交換橋之兩個橋頭之微影裝置;
圖12以一視圖根據在圖4所描繪之箭頭QQ'之方向上的線PP'展示微影裝置,其中微影裝置具有經組態以去耦交換橋且移動橋固持器之系統;及
圖13描繪短衝程模組之可移動部分經定位成彼此過於接近而使交換橋6保持耦接的圖12之實施例。
2...平台
4...平台
6...交換橋
16...橋固持器
18.1...長衝程模組
18.2...長衝程模組
20.1...短衝程模組
20.2...短衝程模組
30...平台支撐件/支撐框架
W1...基板
W2...基板
WT1...基板台
WT2...基板台

Claims (7)

  1. 一種微影裝置,其包含:一第一平台及一第二平台,該第一平台及該第二平台各自經組態以固持一基板,該第一平台及該第二平台中之每一者具有一短衝程模組及經組態以移動該平台之該短衝程模組的一長衝程模組;一交換橋,該交換橋經組態以耦接該第一平台與該第二平台,其中在使用中在一第一組態中該第一平台與該第二平台係相對於彼此可移動,且其中在一第二組態中,該第一平台與該第二平台係經由該交換橋而耦接以用於聯合移動;一橋固持器,該橋固持器經組態以在該第一組態中固持該交換橋,其中該橋固持器係動態地隔離於該第一平台及該第二平台之該短衝程模組之一可移動部分;及一耦接器,該耦接器經組態以耦接該第一平台及該第二平台之該短衝程模組之該可移動部分與該交換橋,使得在使用中在該第二組態中該交換橋僅係與該第一平台及該第二平台之該短衝程模組之該可移動部分耦接。
  2. 如請求項1之微影裝置,其中該橋固持器係直接耦接至該第一平台或該第二平台之該長衝程模組之該可移動部分。
  3. 如請求項1之微影裝置,其中該橋固持器經組態以在一第一位置中固持該交換橋,使得防止該交換橋與該微影裝置之另一部分碰撞。
  4. 如請求項3之微影裝置,其進一步包含一鉸鏈,該鉸鏈係配置於該第一平台之該長衝程模組之該可移動部分與該橋固持器之間,使得該交換橋可藉由該鉸鏈而自該第一位置旋轉至一第二位置。
  5. 如請求項1之微影裝置,其進一步包含一橋頭,該橋頭經組態以將該交換橋耦接至該第一平台或該第二平台之該短衝程模組之該可移動部分,使得該短衝程模組及/或該交換橋之變形彼此至少部分地隔離。
  6. 如請求項1之微影裝置,其包含一去耦器,該去耦器經組態以藉由將該第一平台及該第二平台之該等短衝程模組之一可移動部分朝向彼此移動而自該第一平台及該第二平台之該短衝程模組之該可移動部分去耦該交換橋,該橋固持器經建構以在已去耦該交換橋之後捕獲該交換橋。
  7. 一種器件製造方法,其包含:藉由一交換橋來耦接一第一平台與一第二平台,該第一平台及該第二平台各自經組態以固持一基板,該第一平台及該第二平台中之每一者具有一短衝程模組及經組態以移動該平台之該短衝程模組的一長衝程模組,其中在使用中在一第一組態中該第一平台與該第二平台係相對於彼此可移動,且其中在一第二組態中該第一平台與該第二平台係經由該交換橋而耦接以用於聯合移動;在該第一組態中藉由一橋固持器來固持該交換橋,其中該橋固持器係動態地隔離於該第一平台及該第二平台之該短衝程模組之一可移動部分;及耦接該第一平台及該第二平台之該短衝程模組之該可移動部分與該交換橋,使得在使用中在該第二組態中該交換橋僅係與該第一平台及該第二平台之該短衝程模組之該可移動部分耦接。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102141739B (zh) * 2011-04-01 2013-01-16 清华大学 光刻机硅片台双台交换***
NL2008831A (en) 2011-06-22 2013-01-02 Asml Netherlands Bv Positioning device, lithographic apparatus, positioning method and device manufacturing method.
WO2013113632A2 (en) * 2012-02-03 2013-08-08 Asml Netherlands B.V. A stage system and a lithographic apparatus
US10551751B2 (en) 2012-04-26 2020-02-04 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus and device manufacturing method
US9377697B2 (en) 2012-12-20 2016-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and table for use in such an apparatus
CN107561866B (zh) * 2016-06-30 2019-08-23 上海微电子装备(集团)股份有限公司 用于浸没式光刻机的双工件台装置以及浸没式光刻机
CN108663906A (zh) * 2017-03-31 2018-10-16 上海微电子装备(集团)股份有限公司 浸没式光刻机基底台***、浸没式光刻机

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209039A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
JP2002280283A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Canon Inc 基板処理装置
TWI278721B (en) * 2002-04-09 2007-04-11 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus, and manufacturing method of device
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7161659B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101138070B (zh) * 2005-08-05 2011-03-23 株式会社尼康 载台装置及曝光装置
SG170060A1 (en) 2005-09-09 2011-04-29 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device production method
US7310132B2 (en) * 2006-03-17 2007-12-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008124219A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Canon Inc 液浸露光装置
JP2008218595A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Canon Inc 露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20100128241A1 (en) 2010-05-27
CN101813890A (zh) 2010-08-25
US8189174B2 (en) 2012-05-29
JP2010123960A (ja) 2010-06-03
KR20100057519A (ko) 2010-05-31
KR101085958B1 (ko) 2011-11-22
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