JP5181209B2 - 半導体ウエハのダイシング方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハのダイシング方法に関し、さらに詳しくは、表面に回路が形成され、裏面外周部に環状凸部を有する半導体ウエハをダイシングする方法に関する。

半導体ウエハは表面に回路が形成された後、ウエハの裏面側に研削加工を施し、ウエハの厚みを調整する裏面研削工程およびウエハを所定のチップサイズに個片化するダイシング工程が行われる。近年のＩＣカードの普及にともない、その構成部材である半導体チップの薄型化が進められている。このため、従来３５０μｍ程度の厚みであったウエハを、５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。しかし、半導体ウエハは薄くなるにつれて、加工や運搬の際、破損する危険性が高くなる。

このため、図２〜図４に示すように、裏面研削時に、裏面内周部１６のみを研削し、裏面外周部に環状凸部１７を残存させ、ウエハに剛性を持たせることが提案されている（特許文献１、２、３等）。ウエハ表面には、図２に示すように、外周端から数ｍｍの範囲には回路１３が形成されていない余剰部分１５があり、回路１３は余剰部分を除くウエハ内周部１４に形成されている。上記の環状凸部を有するウエハでは、表面の回路形成部分（ウエハ内周部１４）に対応する裏面内周部１６が所定の厚みまで研削され、回路が形成されていない余剰部分１５に対応する裏面外周部は研削されずに残存し、環状凸部１７となる。環状凸部１７は比較的剛性が高いため、上記の形態に研削されたウエハは、安定して搬送、保管でき、また加工時の破損が少なくなる。なお、図３は環状凸部１７が形成されている裏面側からの斜視図、図４は図２、３の断面図を示す。

半導体ウエハを回路毎に個片化（ダイシング）する際には、通常はウエハ裏面側をダイシングシート１０等で固定し、回路表面側からダイシングブレード（ＤＢ）等を用いてウエハを切断している。ダイシングブレードＤＢは、図１０に示すように、回転軸２０に取り付けられた丸刃であり、厚みが薄い場合には、補強のために台座２１が取り付けられている。

しかし、上記のようにウエハ裏面の内周部のみを研削し、外周部に環状凸部１７を残存させた場合には、図１０に示すように、ウエハのダイシング工程において、生成したチップ１２がダイシングシート１０上に保持されずに、チップ１２が脱落または飛散してしまうことがある。外周部に環状凸部１７を有するウエハでは、内周部１６の平面と環状凸部１７との段差が２００〜７００μｍ程度になる。このため、環状凸部１７の近傍では、内周部１６の平面にダイシングシート１０が密着しないことがある。この状態でウエハ１１のダイシングを行うと、環状凸部１７の近傍で切断されたチップ１２がダイシングシート１０上に保持されずに、チップ１２が脱落または飛散してしまう。また、ウエハの固定が不十分であるため、ダイシング中にウエハが振動し、チッピング等のダイシング不良が発生しやすい。

そこで、前記した特許文献１〜３では、ダイシングに先立ち、環状凸部１７をその内周に沿って切断し、環状凸部を除去する方法、あるいは環状凸部１７をグラインダー等により研削して除去する方法が提案されている。環状凸部１７を除去することで、ウエハ裏面は平坦になり、ダイシングシート１０を密着させることができるため、上記の問題は解消される。しかし、環状凸部１７を除去する工程において、ウエハ１１が破損するおそれがあり、また工程数も増加してしまう。

このため、これらの問題を解消するため、環状凸部１７が形成された裏面側に比べて、比較的平滑な回路表面側にダイシングシート１０を貼付して、ウエハの個片化を行うことが検討される。この場合、ダイシングブレードＤＢは、ウエハ１１の外側部から進入し、環状凸部１７を切り込み、次いでダイシングストリートＤＳに沿って内周部１６平面を切断する。

しかし、このダイシング方法においても、ウエハの破損やチッピングが発生することがある。内周部１６の平面と環状凸部１７との間には２００〜７００μｍ程度の段差がある。このため、環状凸部１７を切断する際のブレードに対する負荷が大きくなり、この負荷が環状凸部１７と内周部１６との境界に加わり、この境界近傍においてウエハの破損やチッピングを引き起こすと考えられる。

このような問題を解消するため、特許文献４には、裏面外周部に環状凸部１７を有する半導体ウエハをダイシングする際に、環状凸部１７に溝を形成し、この溝の位置に合わせて、残余の環状凸部１７およびウエハ内周部１６をフルカットするダイシング方法が提案されている。このようなダイシング方法によれば、環状凸部１７とウエハ内周部１６との段差が解消され、段差に起因するウエハの破損やチッピングを防止することができる。
特開2007-19379号公報 特開2007-266352号公報 特開2007-287796号公報 特開2008-244375号公報

しかし、特許文献４に記載の方法によっても、ウエハの破損やチッピングを完全に防止することは、なお困難であった。特許文献４の方法では、ウエハ底面から溝の底までの距離を“ａ”、ウエハ内周部の厚さを“ｄ”とした場合に、ａ／ｄを１．０５以上とすることが推奨されている。つまり、環状凸部１７に形成された溝の底部と内周部平面との間には、わずかな段差が残存する。ダイシングブレードおよびウエハに加わる負荷という点では無視しうる程度の段差であるが、このわずかな段差がチッピング等の原因となっている可能性があり、本発明者らは鋭意検討を続けた結果、次のような知見を得た。

すなわち、上記のような裏面外周部に環状凸部１７を有する半導体ウエハ１１は、平板なウエハの裏面内周部をグラインダー等により研削することで得られる。この際、環状凸部１７の内側壁はグラインダーの側部により削られ、環状凸部１７の内側壁には微小な凹凸（破砕層）が発生する。溝の底部と内周部平面との間に段差が残存する場合には、環状凸部の内側壁底部の破砕層も残存することになる。そして、本発明者らは、環状凸部の内側壁底部に残存した破砕層が、チッピングやウエハ割れの起点となるとの知見を得た。したがって、溝を削成する際に、ダイシングライン上に存在する環状凸部を、内周部平面と同一高さ、またはそれ以下まで削成し、ダイシングライン上における環状凸部内側壁底部の破砕層を完全に除去すれば、チッピング等の発生をさらに低減できる可能性がある。

裏面研削終了後に、破砕層を除去する処理が行われることがある。しかし、工程が増え、生産性が低下する。また、この処理によっても破砕層を完全に除去することが困難であり、チップ破損とチッピングの発生を完全に抑制することができず、なお改善が要望されている。

本発明は、上記のような知見に基づいてなされたものであり、表面に回路１３が形成され、裏面外周部に環状凸部１７を有する半導体ウエハ１１を安定して、ウエハの破損やチッピングを起こすことなく個片化しうるダイシング方法を提供することを目的としている。

このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）ウエハ内周部表面に回路が形成され、裏面外周部に環状凸部を有する半導体ウエハの回路面側を固定し、
ダイシングストリート延長線上の環状凸部に、第１ブレードにより溝を削成し、
第２ブレードを、溝から進入させダイシングストリートに沿って走行し、半導体ウエハを個片化する、半導体ウエハのダイシング方法であって、
環状凸部の全厚Ｔ１と、ウエハ内周部厚Ｔ２と、環状凸部頂部からの溝の深さＤとが、
Ｔ１＞Ｄ≧Ｔ１−Ｔ２ の関係を満たす半導体ウエハのダイシング方法。

（２）第１ブレードの幅Ｗ１が第２ブレードの幅Ｗ２よりも広い、（１）に記載のダイシング方法。

（３）第１ブレードによる溝の削成を環状凸部にのみ行う（１）に記載の半導体ウエハのダイシング方法。

本発明に係るダイシング方法によれば、表面に回路１３が形成され、裏面外周部に環状凸部１７を有する半導体ウエハ１１を安定して、ウエハの破損やチッピングを起こすことなく個片化することができる。

以下本発明の好ましい態様について、図面を参照しながら、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。

本発明においては、まず図１に示すように、表面に回路１３が形成され、裏面外周部に環状凸部１７を有する半導体ウエハ１１の回路面側を固定する。また、図２は、表面に回路１３が形成され、裏面外周部に環状凸部１７を有する半導体ウエハ１１の回路面側の平面図を示し、図３は環状凸部１７が形成された裏面側からの斜視図、図４は図２、３の断面図を示す。

半導体ウエハ１１はシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路１３の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路１３が形成される。回路１３は、ウエハ１１の内周部１４表面に格子状に形成され、外周端から数ｍｍの範囲には回路が存在しない余剰部分１５が残存する。ウエハ１１の研削前の厚みは特に限定はされないが、通常は５００〜１０００μｍ程度である。

裏面研削時には、表面の回路１３を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハ１１の回路面側（すなわち表面保護シート側）をチャックテーブル等により固定し、回路１３が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。裏面研削時には、まず裏面全面を所定の厚みまで研削した後に、表面の回路形成部分（内周部１４）に対応する裏面内周部１６のみを研削し、回路１３が形成されていない余剰部分１５に対応する裏面領域は研削せずに残存させる。この結果、研削後の半導体ウエハ１１は、裏面の内周部１６のみがさらに薄く研削され、外周部分には環状の凸部１７が残存する。このような裏面研削は、たとえば前記した特許文献１〜３に記載された公知の手法により行うことができる。

環状凸部１７の全厚Ｔ１は特に限定はされず、ウエハに必要な剛性を与え、またハンドリング性を損なわない程度であればよく、一般的には４００〜７２５μｍ程度である。環状凸部の幅は、余剰部分１５の幅程度であり、一般的には２．５ｍｍ程度である。また、内周部１６の厚みＴ２はデバイスの設計に依存し、通常は２５〜２００μｍ程度である。したがって、内周部１６の平面と環状凸部１７との間には２００〜７００μｍ程度の段差がある。

裏面研削工程の後、研削によって生成した破砕層を除去する処理が行われてもよい。また、裏面研削工程に続いて、必要に応じ裏面にエッチング処理などの発熱を伴う加工処理や、裏面への金属膜の蒸着、有機膜の焼き付けのように高温で行われる処理を施してもよい。裏面の内周部１６のみが所定の厚みにまで研削され、外周部分には環状凸部１７を有するウエハ１１によれば、環状凸部１７の剛性が高いため、ウエハを破損することなく、搬送、保管、加工等を行うことができる。

裏面研削工程後、図１に示すように、ウエハ１１の回路面側を固定し、回路毎にダイシングする。ダイシングは回路１３を個片化するように、裏面側においてダイシングストリートＤＳに沿って行われる。ウエハ１１の固定方法は特に限定はされないが、ダイシングシートと呼ばれる再剥離性の粘着シートを用いた方法が簡便である。再剥離性の粘着シートとしては、紫外線等のエネルギー線により粘着剤層が硬化し、粘着力が激減または消失するエネルギー線硬化型の粘着剤を備えた、エネルギー線硬化型粘着シートが特に好ましく用いられる。

本発明において、ダイシングシート１０によりウエハを固定する場合には、ダイシングシート１０の粘着剤としては、回路面の段差に良く追従し、回路面に密着して貼付可能な柔軟性のある粘着剤を使用することが好ましい。また、本発明においては、後述するように回路が形成されていない裏面側からダイシングブレードによりウエハ１１を切断する。この際、回路表面の回路パターンをＣＣＤカメラなどにより認識し、回路間のダイシングラインＤＳを切断するようにダイシングブレードを連動させる。したがって、回路パターンの認識を確実に行うため、ダイシングシートとしては透明性の高いシートを使用することが好ましい。

ダイシングシート１０のウエハ回路面への貼付は、マウンターと呼ばれる装置により行われるのが一般的だが特に限定はされない。また、ダイシングシート１０の周辺部はリングフレームＲＦにより固定する。

次いで、ダイシングストリートＤＳ延長線上の環状凸部１７に、第１ブレードＤＢ１により溝１８を削成する。図５に、回路表面側のダイシングストリートに対応する、裏面側におけるダイシングストリートＤＳを示す。ここで、ダイシングストリートＤＳとは、回路を区画する仮想線であり、この仮想線に沿ってウエハを切断し、チップを得る。

第１ブレードＤＢ１は、一定の高さを回転しながら走行し、環状凸部１７に接すると凸部１７を切り込み、溝１８を削成する。環状凸部１７に溝１８を削成した後、第１ブレードＤＢ１を裏面内周部１６に走行させ、ダイシングストリートＤＳに沿って、環状凸部１７および裏面の内周部１６の両方に溝を形成してもよいが、環状凸部１７に溝１８を削成した後、第１ブレードＤＢ１を反転または上方に移動させ、環状凸部１７にのみに溝１８を削成することが好ましい。

溝１８の幅は第１ブレードＤＢ１の刃幅Ｗ１とほぼ等しく、後述する第２ブレードＤＢ２の幅Ｗ２以上であり、好ましくはＷ２よりも広い。第１ブレードＤＢ１の刃幅Ｗ１は、特に限定はされないが、一般的には２０〜１０００μｍ程度である。第１ブレードＤＢ１の刃幅Ｗ１は、第２ブレードＤＢ２の台座２１の幅を考慮して適宜選択される。一般に第２ブレードＤＢ２は、刃幅が狭く、補強用の台座２１が取り付けられていることが多い。第２ブレードＤＢ２の溝１８への進入を円滑に行うため、溝１８の幅Ｗ１は、第２ブレードＤＢ２の刃幅と台座２１の合計厚みよりも広くする。このため、第１ブレードＤＢ１としては、比較的刃幅の広いものが好ましく用いられる。

図６に、溝１８が削成された環状凸部１７の断面図を示す。溝１８の幅は、第１ブレードＤＢ１の刃幅Ｗ１とほぼ等しい。また、環状凸部１７からの溝１８の深さＤは、Ｔ１＞Ｄ≧Ｔ１−Ｔ２の範囲である。

ここで、溝１８の深さＤ＝（Ｔ１−Ｔ２）である場合、溝１８は、内周部１６の平面と同一の高さまで切り込まれていることを意味する。このように環状凸部に溝１８を削成することで、溝１８が削成された部分においては、環状凸部１７の内側壁底部の破砕層は完全に除去され、また内周部平面と環状凸部との間の段差が解消される。

また、Ｄ＞Ｔ１−Ｔ２である場合には、溝１８は、内周部１６の平面以下の高さまで切り込まれていることを意味する。また、内周部平面にはダイシングラインに沿って深さＴ２−（Ｔ１−Ｄ）の溝が削成されていることを意味する。この場合も、溝１８が削成された部分においては、環状凸部１７の内側壁底部の破砕層は完全に除去される。

なお、Ｄ＞Ｔ１−Ｔ２の場合においては、環状凸部１７に溝１８を削成した後、第１ブレードＤＢ１を裏面内周部１６に走行させ、ダイシングストリートＤＳに沿って、環状凸部１７および裏面の内周部１６の両方に溝１８を削成してもよいが、この場合、内周部には深さ「Ｔ２−（Ｔ１−Ｄ）」の溝１８が削成されることになり、ウエハが破損する可能性が高くなる。そのため、本発明においては、環状凸部１７に溝１８を削成した後、第１ブレードＤＢ１を反転または上方に移動させ、環状凸部１７のみに溝１８を削成する方が好ましい。この場合、裏面内周部１６には溝１８が削成されないため、ウエハ破損を防止することができ、溝１８により、環状凸部１７の内側壁底部の破砕層は完全に除去される。

次いで、図７に示すように、第２ブレードＤＢ２を、溝１８から進入させ、ダイシングストリートＤＳに沿って走行し、半導体ウエハ１１をフルカットし、個片化する。

第２ブレードＤＢ２の刃幅Ｗ２は、前記したように第１ブレードＤＢ１の刃幅Ｗ１と同一またはこれ以下であり、一般的には１０〜６０μｍ程度である。溝１８が削成された部分においては、環状凸部１７に削成された溝１８の底面の高さが内周部１６の平面と同等以下になり、内周部１６の平面と環状凸部１７との間の段差が解消されているため、第２ブレードＤＢ２を環状凸部１７から内周部１６の平面に進入させた際に、第２ブレードＤＢ２およびウエハ１１に加わる負荷が緩和され、安定して内周部１６の平面をダイシングストリートＤＳに沿って切断することができるため、ウエハの破損やチッピングが低減される。また、環状凸部１７の内側壁底部の破砕層は完全に除去されているため、第２ブレードＤＢ２がダイシングストリートＤＳに沿って切断する際、裏面研削時に生成した環状凸部内側壁の破砕層を起点としたウエハの破損やチッピングを抑制することができ、外周部に環状凸部を有する半導体ウエハのダイシングにおけるウエハの破損とチッピングの発生を極限まで抑制することが可能になる。

また、溝１８が削成されたため、第２ブレードＤＢ２により切断すべき深さは、浅くなる。したがって、刃出し量ＢＬが小さく、刃幅の薄いブレードを使用することが可能になり、チップ収量の向上が図られる。また、刃出し量ＢＬが小さなブレードの場合、台座２１が邪魔をして十分に切り込めない場合があるが、溝１８を削成することで台座２１と溝側部との間に距離が取れるため、台座部分が溝内部に進入する深さでも切り込みが可能になる。

また、第２ブレードＤＢ２の台座２１が、溝側部と接触する場合には、第２ブレードＤＢ２が走行するラインを、溝１８の中心線からやや変位させてもよい（図７参照）。台座はブレードの片面に取り付けられているため、第２ブレードＤＢ２が走行するラインを、台座２１の反対側へずらすことで、台座２１と溝側部との接触が解消される。特に第１ブレードＤＢ１が走行するラインをダイシングストリートＤＳからやや変位させ、第２ブレードＤＢ２が走行するラインをダイシングストリートＤＳと一致させることが好ましい。

また、環状凸部１７にのみ溝１８を削成する場合、第１ブレードＤＢ１にて環状凸部１７に溝１８を削成した後、第１ブレードＤＢ１を反転させてもよく、図８に示すように、左側から右方向に第一ブレードを移動し、第１ブレードＤＢ１で図の左側の環状凸部１７に溝１８を削成し、内周部に差し掛かったところで速やかに上空に第１ブレードＤＢ１を退避させ、そのまま上空を通過し右側の環状凸部１７より右へ移動後、所定深さの溝を削成する高さへ第１ブレードＤＢ１を降ろし、さらに左方向へ移動することで右側の環状凸部１７に溝１８を削成してもよい。

本発明において、第１ブレードＤＢ１による溝１８の削成と、第２ブレードＤＢ２によるウエハ１１のフルカットは逐次的に行っても良く、また連続して行っても良い。すなわち、第１ブレードＤＢ１によりウエハ１１の環状凸部１７に溝１８を削成した後に、ブレードを交換し、第２ブレードＤＢ２によるフルカットダイシングを行っても良い。また、図９（ダイシングストリートＤＳ上での断面図）に示すように、第１ブレードＤＢ１と第２ブレードＤＢ２とを直列に並べ、第１ブレードＤＢ１を図８に示すように運動させて環状凸部１７に溝１８を削成した後、第１ブレードＤＢ１により削成した溝１８から、直ちに第２ブレードＤＢ２を進入させウエハのフルカットする方法を採用してもよい。

ダイシング終了後、ダイシングシート１０からチップをピックアップする。なお、ダイシングシート１０の粘着剤層２を紫外線硬化型粘着剤で形成した場合には、ピックアップに先立ち、粘着剤層２に紫外線を照射して粘着力を低下した後にチップのピックアップを行う。

ピックアップに先立ち、ダイシングシート１０のエキスパンドを行うと、チップ間隔が拡張し、チップのピックアップをさらに容易に行えるようになる。また、ダイシング終了後に、ダイシングシート１０上に整列しているチップ群を、ピックアップ用の他の粘着シートに転写した後に、エキスパンドおよびチップのピックアップを行ってもよい。

ピックアップされたチップはその後、常法によりダイボンド、樹脂封止がされ半導体装置が製造される。

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
環状凸部を有する半導体ウエハとして下記ウエハを準備し、平滑面側（環状凸部が形成されていない面）に、全厚９０μｍのダイシングシート（リンテック社製、Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−６６８（商品名））を貼付し、シート外縁部をリングフレームで固定し、ダイシング装置（ディスコ社製、DFD６５１）のテーブル上に設置した。なお、以下で「ブレード高さ」とは、ブレードの下端とテーブル表面との距離を意味する。

半導体ウエハとして、直径１５０ｍｍ、環状凸部の幅２．５ｍｍ、環状凸部の全厚（Ｔ１）７２５μｍ、内周部の厚み（Ｔ２）１００μｍのウエハを準備した。

第１ブレードとして、刃幅（Ｗ１）８００μｍのブレード（ディスコ社製、型番B1A801 SD1200N50M42）を刃出し量（ＢＬ）が２３００μｍとなるようにダイシング装置に取り付け、第２ブレードとして、刃幅（Ｗ２）２０μｍ、刃出し量（ＢＬ）５１０μｍのブレード（ディスコ社製、型番NBC-ZH205O SE-27HEBB）をダイシング装置に取り付けた。

この際、第１ブレード、第２ブレードを直列に配置し、第１ブレードが走行するラインの中心から、第２ブレードが走行するラインの中心を台座２１の反対側へ３００μｍずらし、また第１ブレード高さを１７０μｍ、第２ブレード高さを６０μｍとした。

第１ブレードを回転数４００００ｒｐｍで回転させ、ウエハ外側からブレードを進入させ、環状凸部にのみ深さ（Ｄ）６４５μｍ、幅８００μｍの溝を削成した。次いで、第２ブレードを回転数４００００ｒｐｍで回転させ、溝から進入させてウエハをチップサイズ５ｍｍ×５ｍｍにフルカットダイシングした。なお、この際、第１ブレードは、図８に示すように運動させた。

ウエハの割れが無く、安定したダイシングが可能であり、また得られたチップもチッピングの無い良好なものであった。

（実施例２）
環状凸部を有する半導体ウエハとして下記ウエハを準備し、平滑面側（環状凸部が形成されていない面）に、全厚９０μｍのダイシングシート（リンテック社製、Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−６６８（商品名））を貼付し、シート外縁部をリングフレームで固定し、ダイシング装置のテーブル上に設置した。

半導体ウエハとして、直径１５０ｍｍ、環状凸部の幅２．５ｍｍ、環状凸部の全厚（Ｔ１）７２５μｍ、内周部の厚み（Ｔ２）１００μｍのウエハを準備した。

第１ブレードとして、刃幅（Ｗ１）８００μｍのブレード（ディスコ社製、型番B1A801 SD1200N50M42）を刃出し量（ＢＬ）が２３００μｍとなるようにダイシング装置（ディスコ社製、DFD６５１）に取り付け、第２ブレードとして、刃幅（Ｗ２）２０μｍ、刃出し量（ＢＬ）５１０μｍのブレード（ディスコ社製、型番NBC-ZH205O SE-27HEBB）をダイシング装置に取り付けた。

この際、第１ブレード、第２ブレードを直列に配置し、第１ブレードの中心と、第２ブレードが走行するラインの中心とを一致させ、また第１ブレード高さを１７０μｍ、第２ブレード高さを６０μｍとした。

第１ブレードを回転数４００００ｒｐｍ、第２ブレードを回転数４００００ｒｐｍで回転させ、ウエハ外側からブレードを進入させた。第１ブレードで、環状凸部に対しては深さ（Ｄ）６４５μｍ、幅８００μｍの溝を、内周部に対しては深さ２０μｍ、幅８００μｍの溝を削成し、溝から第２ブレードを進入させてウエハをチップサイズ５ｍｍ×５ｍｍにフルカットダイシングした。

ウエハの割れが無く、安定したダイシングが可能であり、また得られたチップもチッピングの無い良好なものであった。

（比較例１）
実施例２において、第１ブレード高さを２３０μｍとし、環状凸部に第１ブレードで深さ（Ｄ）５８５μｍ、幅８００μｍの溝を削成し、溝から第２ブレードを進入させてウエハをフルカットダイシングした以外は同様の操作を行った。

第２ブレードが環状凸部から内周部平面に進入する際に、環状凸部と内周部平面との境目で、ウエハにクラックが発生した。また得られたチップにもチッピングは発生した。

（比較例２）
実施例１において、第１ブレードを用いず、第２ブレード単独でダイシングを試みたが、第２ブレードの刃出し量（ＢＬ）が環状凸部の高さＴ１よりも少ないため、環状凸部を切断できず、ダイシングは不可能であった。

（比較例３）
比較例２において、環状凸部の全厚（Ｔ１）が４００μｍである半導体ウエハを用意してダイシングを行った以外は同様の操作を行った。

第２ブレードが環状凸部から内周部平面に進入する際に、環状凸部と内周部平面との境目で、ウエハにクラックが発生した。また得られたチップにもチッピングは発生した。

以上の結果を下表にまとめる。

半導体ウエハの回路面側を固定した状態の断面図を示す。 半導体ウエハの回路形成面の平面図を示す。 裏面外周部に環状凸部が形成された半導体ウエハの斜視図を示す。 図３の断面図を示す。 半導体ウエハ裏面側のダイシングストリートを示す。 第１ブレードで環状凸部に溝を削成した状態を示す。 第２ブレードで半導体ウエハをフルカットダイシングしている状態を示す。 本発明のダイシング方法の一実施態様を示す。 本発明のダイシング方法の一実施態様を示す。 従来法によるダイシング工程の概略を示す。

符号の説明

１０…ダイシングシート
１１…半導体ウエハ
１２…半導体チップ
１３…回路
１４…回路表面内周部
１５…余剰部分
１６…裏面の内周部
１７…環状凸部
１８…溝
２０…ブレードの回転軸
２１…ブレードの台座
ＤＢ１…第１ブレード
ＤＢ２…第２ブレード
ＲＦ…リングフレーム

Claims (3)

1. ウエハ内周部表面に回路が形成され、裏面外周部に環状凸部を有する半導体ウエハの回路面側を固定し、
   ダイシングストリート延長線上の環状凸部に、第１ブレードにより溝を削成し、
   第２ブレードを、溝から進入させダイシングストリートに沿って走行し、半導体ウエハを個片化する、半導体ウエハのダイシング方法であって、
   環状凸部の全厚Ｔ１と、ウエハ内周部厚Ｔ２と、環状凸部頂部からの溝の深さＤとが、
   Ｔ１＞Ｄ≧Ｔ１−Ｔ２ の関係を満たす半導体ウエハのダイシング方法。
2. 第１ブレードの幅Ｗ１が第２ブレードの幅Ｗ２よりも広い、請求項１に記載のダイシング方法。
3. 第１ブレードによる溝の削成を環状凸部にのみ行う請求項１に記載の半導体ウエハのダイシング方法。

Images