TWI452449B - 電子照片感光體及導電性基體之製造方法，暨圖像形成裝置及電子照片匣 - Google Patents

電子照片感光體及導電性基體之製造方法，暨圖像形成裝置及電子照片匣 Download PDF

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Description

電子照片感光體及導電性基體之製造方法，暨圖像形成裝置及電子照片匣
本發明係關於一種電子照片感光體及用於其之導電性基體之製造方法，以及使用其之圖像形成裝置及電子照片匣者。
電子照片技術因具有即時性、且可獲得高品質之圖像等，故近年來不僅用於複印機領域，亦廣泛應用於各種印表機領域中。至於成為電子照片技術核心之電子照片感光體(以下適當單獨稱為「感光體」)，開發有使用與無機系光導電材料相比，具有無公害、易於製造等優點之有機系光導電材料作為其光導電材料的有機感光體。
通常，有機感光體係於導電性基體(導電性支持體)上形成感光層而成。作為感光體之類型，已知有：具有使光導電性材料溶解或分散於黏合劑樹脂中之單層感光層(單層型感光層)的所謂單層型感光體；具有包含將含有電荷產生物質之電荷產生層、含有電荷傳輸物質之電荷傳輸層積層而成之複數層的感光層(積層型感光層)的所謂積層型感光體等。
於有機感光體中，由於感光體之使用環境之變化或因反覆使用而引起之電氣特性等之變化，有時會於使用該感光體而形成之圖像上發現各種缺陷。作為改善其之技術之一，已知有為形成穩定且良好之圖像，而於導電性基板與感光層之間設置含有黏合劑樹脂及氧化鈦粒子之底塗層的方法(例如，參照專利文獻1)。
有機感光體所具有之層，通常就其生產性高低而言，可藉由將於各種溶劑中溶解或分散有材料之塗佈液進行塗佈、乾燥而形成。此時，於含有氧化鈦粒子及黏合劑樹脂之底塗層中，氧化鈦粒子及黏合劑樹脂於底塗層中以不相容之狀態存在，因此該底塗層形成用塗佈液由分散有氧化鈦粒子之塗佈液形成。
習知，如此之塗佈液通常係藉由將氧化鈦粒子，長時間以球磨機、砂磨機、行星式軋機、輥磨機等眾所周知之機械性粉碎裝置，濕式分散於有機溶劑中而製造(例如，參照專利文獻1)。並且，揭示有：於使用分散介質將底塗層形成用塗佈液中之氧化鈦粒子進行分散之情況，可藉由將分散介質之材質設為氧化鈦或氧化鋯，提供即使於低溫低濕條件下帶電曝光重複特性亦優異的電子照片感光體(例如，參照專利文獻2)。
又，已知：通常氧化鈦粒子凝集而成二次粒子，將其分散成接近於一次粒子之形態，藉此，黑點、色點等圖像缺陷變少。
另一方面，於使用感光體進行圖像形成之情況，有時產生稱作干涉條紋之圖像不均作為一種圖像缺陷。其原因在於：利用雷射或發光二極體(LED)之寫入光，於電子照片感光體之基體表面或塗佈膜界面產生反射干涉，由於塗佈膜之微小膜厚差而使作用於電荷產生層之光強度產生不均，因此，靈敏度根據部位而變化。
作為防止該干涉條紋缺陷之策略，有效的是將基體表面進行粗面化之方法，提案有各種粗面化法(專利文獻3~9)。
專利文獻1：日本專利特開平11－202519號公報專利文獻2：日本專利特開平6－273962號公報專利文獻3：日本專利特開2000－105481號公報專利文獻4：日本專利特開平6－138683號公報專利文獻5：日本專利特開2001－296679號公報專利文獻6：日本專利特開平5－224437號公報專利文獻7：日本專利特開平8－248660號公報專利文獻8：日本專利特開平6－138683號公報專利文獻9：日本專利特開平1－123246號公報
然而，若使基體表面之粗度過大，則存在如下情況：基體之粗度對形成於基體上之塗佈膜厚之均勻性產生不良影響，基體上產生毛刺(burr)，局部性產生塗佈膜厚之薄狀部分，於圖像上產生黑點、黑條紋、色點等圖像缺陷。
又，分散於底塗層中之氧化鈦等金屬氧化物粒子，於可使利用雷射或LED等之寫入光散射之方面具有緩和干涉條紋之效果。然而，若為減少黑點或色點等圖像缺陷，而將該金屬氧化物粒子分散成接近於一次粒子之形態，則藉由底塗層之干涉條紋緩和效果變少，圖像上之干涉條紋增加。進而，若為使干涉條紋減少，而將基體表面顯著粗面化，則出現使黑點、色點、黑條紋等圖像缺陷增加之結果。
如此，於平衡性佳地減少全部圖像缺陷之方面，性能上仍不充分之方面較多。
本發明係鑒於上述電子照片技術之背景而創造者，其目的在於提供一種黑點、色點、干涉條紋等圖像缺陷難以出現的高性能之電子照片感光體、及用於其之導電性基體之製造方法、以及使用其之圖像形成裝置及電子照片匣。
本發明者等人對上述課題努力研究之結果發現：藉由將底塗層中之氧化鈦粒子之粒度管理至特定範圍，即使於不同使用環境中亦具有良好電氣特性，可形成黑點、色點等圖像缺陷極難出現的高品質之圖像，並且，藉由與具有特定範圍之表面粗度的導電性基體組合而形成干涉條紋難以出現的高畫質之圖像，最終完成本發明。
即，本發明之要旨在於一種電子照片感光體，其係於表面之最大高度粗度Rz為0.8≦Rz≦2 μm之導電性基體上，具備含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之底塗層、以及形成於該底塗層上之感光層者，上述電子照片感光體之特徵在於：於甲醇與1－丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散該底塗層而成的液體中之該金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之體積平均粒徑為0.1 μm以下，且累積90%粒徑為0.3 μm以下(申請專利範圍第1項)。
此時，較佳的是該導電性基體表面形狀藉由切削加工而形成(申請專利範圍第2項)。
又，較佳的是，於該導電性基體表面形成微細之溝，該溝之形狀，於將該導電性基體表面展開於平面上之情況，為曲線且不連續(申請專利範圍第3項)。
進而，較佳的是形成於該導電性基體表面之溝為格子狀(申請專利範圍第4項)。
又，較佳的是，該導電性基體之表面的峰度Rku為3.5≦Rku≦25，且形成於該導電性基體之表面的溝寬度L為0.5≦L≦6.0 μm(申請專利範圍第5項)。
本發明之其他要旨在於一種導電性基體之製造方法，其係上述電子照片感光體所具有之導電性基體之製造方法，其特徵在於：使可撓性材料接觸於上述導電性基體表面，使之相對於上述導電性基體表面相對移動(申請專利範圍第6項)。
此時，較佳的是上述導電性基體之表面預先實施有切削加工、引縮加工、研磨加工、及搪磨加工之任一種加工(申請專利範圍第7至10項)。
又，作為上述可撓性材料，較佳的是使用刷(申請專利範圍第11項)，尤佳的是使用由混有研磨粒之樹脂形成的刷(申請專利範圍第12項)。
本發明之進而其他要旨在於一種圖像形成裝置，其特徵在於具備：上述電子照片感光體、使該電子照片感光體帶電之帶電手段、對帶電之該電子照片感光體進行圖像曝光形成靜電潛像之圖像曝光手段、藉由碳粉將上述靜電潛像顯影之顯影手段、將上述碳粉轉印於被轉印體之轉印手段(申請專利範圍第13項)。
本發明之進而其他要旨在於一種電子照片匣，其特徵在於具備：上述電子照片感光體，以及使該電子照片感光體帶電之帶電手段、對帶電之該電子照片感光體進行圖像曝光來形成靜電潛像之圖像曝光手段、藉由碳粉將上述靜電潛像顯影之顯影手段、將上述碳粉轉印於被轉印體之轉印手段、使轉印於被轉印體之碳粉固定之固定手段、及將附著於該電子照片感光體之上述碳粉回收之清潔手段的至少一種手段(申請專利範圍第14項)。
根據本發明，可提供一種黑點、色點、干涉條紋等圖像缺陷難以出現的高性能之電子照片感光體及用於其之導電性基體、以及使用其之圖像形成裝置及電子照片匣。
以下，對本發明之實施形態加以詳細說明，以下所述構成必要條件之說明係本發明實施形態之代表例，可於不脫離本發明主旨之範圍內，任意變更而實施。
本發明之電子照片感光體，係於導電性基體上具備含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之底塗層、以及形成於該底塗層上之感光層而構成者。又，於本發明之電子照片感光體中，使用具有既定之表面粗度者作為導電性基體者，並且使用含有具有既定之粒徑分布之金屬氧化物粒子者作為底塗層。
[I.導電性基體] [I－1.導電性基體之表面粗度]
本發明之導電性基體具有既定範圍之最大高度粗度Rz，藉此，可防止干涉條紋缺陷。具體而言，本發明之導電性基體之表面最大高度粗度Rz，通常為0.8 μm以上、較佳的是1.0 μm以上、更佳的是1.1 μm以上，又，通常為2 μm以下、較佳的是1.8 μm以下、更佳的是1.6 μm以下。若最大高度粗度Rz過小則存在反射光之散射效果不充分之可能性，若過大則圖像黑點等缺陷變得易於出現。再者，上述最大高度粗度Rz，於JIS B 0601：2001中被規定。又，此處所謂導電性基體之表面，係指導電性基體之表面的至少一部分，通常指導電性基體之圖像形成區域。
只要表面之粗度達到上述範圍之最大高度粗度Rz，則對本發明之導電性基體之表面形狀並無限制，又，該導電性基體之表面的粗面化之方法亦為任意。
例如，可於與導電性基體之軸大致正交之方向上形成溝。如此之溝，多數是於藉由切削加工進行粗面化之情況下所形成。然而，該情況下，寫入至感光體之光的反射光於與基體軸平行的特定面內散射，存在無法充分獲得干涉條紋抑制效果之可能性。
因此，將本發明之導電性基體之表面進行粗面化時，較佳的是，於導電性基體之表面上，形成於將導電性基體表面展開於平面上之情況，成為曲線且不連續之形狀的微細之溝(以下適當稱作「弧狀溝」)。此處，所謂於將導電性基體表面展開於平面上之情況下的曲線且不連續之形狀，意指將於導電性基體表面所觀察到之溝投影於平面上時之形狀，成為該形狀之微細之溝，有深度之變化等，但開口部存在於基體表面內，實質上於與基體表面平行之面方向上成為曲線且不連續。由於使用藉由弧狀溝而粗面化之導電性基體，導電性基體之表面之反射光之規則性混亂，與塗佈膜(即，底塗層或感光層)界面反射光之干涉亦混亂。藉此，可提高干涉條紋抑制效果。又，於導電性基體之表面形成直線狀之溝而進行粗面化之情況，由於溝而散射之反射光之方向變為特定角度方向，但若如弧狀溝般將溝形狀設為曲線，則散射之反射光之方向微妙地變化。進而，藉由將溝設為不連續而使溝之接頭部分的反射光之方向發生變化。根據該等，若藉由弧狀溝進行粗面化則導電性基體表面上之反射光之方向變得複雜，抑制干涉條紋之效果變高。
又，弧狀溝較佳的是形成為格子狀。即，形成於導電性基體之表面的弧狀溝通常大量形成，因此於導電性基體之表面形成弧狀溝大量形成而成之溝紋，該溝紋較佳的是成為格子狀。可藉此，進一步提高導電性基體之表面形狀的不規則性，因此可更穩定地防止干涉條紋。
作為本發明之導電性基體之表面粗度的指標，若滿足上述最大高度粗度Rz則並無特別限制，較佳的是滿足以下條件。
即，本發明之導電性基體之表面的峰度Rku，通常為3.5以上、較佳的是4.2以上、更佳的是4.5以上，又，通常為25以下、較佳的是15以下、更佳的是9以下。峰度Rku係表示粗度分布波形之尖端者，藉由將該峰度Rku限制於上述範圍，可防止圖像形成時產生的圖像缺陷，且，導電性基體之實用上的生產性良好。再者，峰度Rku可藉由JIS B 0601：2001中所規定之方法測定。
峰度Rku於弧狀溝稀疏的狀態下取較大之值，若導電性基體之表面之粗面化進行則存在變小之傾向。因加工方法而存在若干差異，通常隨著粗面化之進行，峰度Rku逐漸變小，收限在接近於3之數值。再者，例如於藉由如搪磨加工或鼓風加工之技術進行粗面化之情況，較多的是峰度Rku通常達到2.5~3左右。又，於利用使用刀具之切削加工進行粗面化之情況，由於形成鋸齒狀的凹凸，較多的是峰度Rku通常達到2~3左右。
又，於形成上述弧狀溝之情況，該弧狀溝之溝寬度L，通常為0.5 μm以上、較佳的是0.6 μm以上、更佳的是0.7 μm以上，又，通常為6.0 μm以下、較佳的是4.0 μm以下、更佳的是3.0 μm以下。若溝寬度L過窄則有時導電性基體之生產性變差，若過寬則有時導電性基體之表面的凹凸之深度亦一同變大，圖像形成時黑條紋等圖像缺陷變得易於出現。
再者，溝寬度L可以如下方式測定：對藉由光學顯微鏡以400倍之倍率所觀察的導電性基體表面之任意20條溝，分別測定任意5點之溝寬度，將所獲得之合計100處之溝寬度值的算術平均值作為溝寬度L。
本發明之導電性基體，尤佳的是上述最大高度粗度Rz、峰度Rku及溝寬度L均限制於上述較佳的範圍內。即，本發明之導電性基體，尤佳的是表面之最大高度粗度Rz為0.8≦Rz≦2 μm，表面之峰度Rku為3.5≦Rku≦25，且，形成於表面的溝寬度L為0.5≦L≦6.0 μm。
[I－2.導電性基體之構成]
作為本發明之導電性基體，可使用眾所周知之電子照片感光體中所採用者。例如可舉出：包含鋁、不銹鋼、銅、鎳等金屬材料之鼓、片材或該等之金屬箔的層壓物、蒸鍍物，或於表面上設置鋁、銅、鈀、氧化錫、氧化銦等導電性層之聚酯薄膜，紙等絕緣性基體等。進而，例如亦可舉出：將金屬粉末、碳黑、碘化銅、高分子電解質等導電性物質與適當之黏合劑樹脂一同塗佈而進行導電處理的塑膠薄膜、塑膠鼓、紙、紙管等。又，例如亦可舉出：含有金屬粉末、碳黑、碳纖維等導電性物質，具有導電性的塑膠之片材或鼓等。又，例如亦可舉出：以氧化錫、氧化銦等導電性金屬氧化物進行導電處理的塑膠薄膜或帶等。
其中，較佳的是由鋁等金屬形成的環狀管。尤其鋁或鋁合金(以下，總稱為鋁)之環狀管，可較佳地用作本發明之導電性基體。
[I－3.導電性基體之製造方法]
將導電性基體粗面化而製造本發明之導電性基體的方法為任意。
作為通常的粗面化之方法，例如有藉由利用車床等之切削加工而形成導電性基體之表面形狀，於導電性基體之表面形成凹凸之方法。可藉由該切削加工而實現上述最大高度粗度Rz。
而於藉由切削加工進行粗面化之情況，有時表面粗度之微妙變化對干涉條紋之有無產生影響。因此，於藉由切削加工進行粗面化之情況，於切削條件之維持管理上嚴加細心的注意。又，於通常之切削加工之情況，較多的是如上述之、規則性高的連續之溝形成於與基體軸大致正交的方向上。
但於本發明之導電性基體之製造方法中，作為粗面化方法，較佳的是，使可撓性材料接觸於導電性基體表面，使之相對於導電性基體表面進行相對移動，藉此進行粗面化。以下，對該粗面化方法加以說明。
首先，準備成為粗面化對象的導電性基體。導電性基體如上述為任意，其中，較佳的是鋁或鋁合金之環狀管。
對使上述環狀管成形而進行製造時所用的成形方法並無限制。作為成形方法，例如可知：擠出加工、拉製加工、切削加工、引縮加工等，較多的是將該等複數種加工步驟組合而成形最終的環狀管。通常，進行切削加工或引縮加工作為最終的步驟。其中，利用引縮加工之成形生產性優異，故較佳。若利用引縮加工進行導電性基體之成形，則與利用切削加工而成形之情況相比，可大幅縮短導電性基體之製造所需之時間。
鋁之環狀管，可直接使用利用如上述之通常加工法而成形者。但為滿足電子照片感光體所要求的機械精度，較佳的是藉由如下方法而得之導電性基體：於進行粗面化前，預先進行引縮加工、切削加工、研磨加工、搪磨加工等加工(事前加工)之至少一種，某種程度地於導電性基體之表面形成凹凸後，將表面加工成既定的表面粗度(上述最大高度粗度Rz)。
又，於使用除鋁之環狀管以外之導電性基體的情況，亦較佳的是：預先進行上述事前加工，某種程度地於導電性基體之表面形成凹凸後，進行弧狀溝之形成。藉由進行如此之事前加工，而提昇導電性基體之生產性。即，根據事前處理之種類，可於導電性基體之表面，形成向軸方向、圓周方向等延伸的連續或間斷之溝，故與僅形成弧狀溝之情況相比，可使導電性基體之表面形狀更加不規則，可藉此，獲得更優異的干涉條紋抑制效果。
再者，導電性基體之成形時所進行的加工中，引縮加工或切削加工等成形加工亦作為上述事前加工而發揮作用。
準備好導電性基體後，使可撓性材料作為摩擦材與該導電性基體之表面接觸，並使之相對移動，藉此形成弧狀溝。使摩擦材於接觸部位產生變形，藉此自接觸開始至結束期間摩擦速度發生變化，故溝形狀成為曲線。通常所用的具有曲面之表面的導電性基體，只要不使導電性基體與摩擦材之旋轉軸平行接觸，則溝形狀成為曲線。即，形成本發明之弧狀溝時，導電性基體與摩擦材之旋轉軸處於不平行之位置關係。
作為可撓性材料，例如可舉出：橡膠或樹脂、海綿、刷、布、不織布等，但並無限制。又，為提高弧狀溝之生成效率，較佳的是於該等可撓性材料中投入研磨粒，尤佳的是由混有研磨粒之樹脂形成的刷。
於使用如幾乎無可撓性之研磨石者作為摩擦材的情況，於導電性基體之表面產生有較深傷痕的部位，故欠佳。藉由使用細研磨粒可淺淺地形成溝，但該情況下不僅生產性降低，亦存在研磨石產生堵塞之可能性。有時使用鋁或其合金作為導電性基體，堵塞之研磨粉易於轉印至柔軟的鋁或其合金之表面，故易於變成異物缺陷。又，研磨石於接觸部位上幾乎無變形，故較多的是溝長度短且為直線狀。
作為所使用之刷，較佳的是於尼龍等樹脂中混入研磨粒者。通常所使用之研磨刷主要利用刷材(所謂「刷毛」)之前端部的研磨力，混有研磨粒之刷，可有效利用刷材之幹部上的研磨。因此可進行穩定地研磨，即：可擴大接觸部，生產性亦提高，進而有效利用刷之彈性，凹凸不過大，除去量亦控制為少量。又，由於刷材之柔軟性及接觸部分經常變化，亦難以產生堵塞。有效利用該特徵，亦可使用於研磨石研磨之情況下，會產生堵塞而無法使用的小粒徑之研磨粒，可容易地將表面粗度控制為低水平，故對干涉條紋以外的圖像缺陷亦有高效果。進而，所形成的弧狀溝之不規則性高，其於抑制干涉條紋上亦產生高效果。
又，上述最大高度粗度Rz、峰度Rku及溝寬度L，可根據所使用之刷材的長度、硬度、植入密度、混入刷中之研磨粒的粒徑等物性，暨刷之旋轉數、及使刷抵接於導電性基體的時間等處理條件進行控制。
最大高度粗度Rz，於該等中，尤其受混入刷中之研磨粒的粒徑影響較大，存在如下傾向：若研磨粒粒徑大則Rz亦大，若研磨粒粒徑小則Rz亦變小。因此，上述研磨粒之粒徑，使用通常為1 μm以上、較佳的是5 μm以上，又，通常為50 μm以下、較佳的是35 μm以下者。
又，峰度Rku，與刷接觸於導電性基體之頻率有關，尤其根據刷之旋轉數、刷與導電性基體之處理時間及利用刷之粗面化處理之處理次數而變化。通常，處理開始之初，峰度Rku大，隨著處理進行則變小。因此，測定處理中途之峰度Rku，於峰度Rku達到上述較佳的範圍之時點結束處理，則可獲得形成所期望之弧狀溝的導電性基體。
進而，進行粗面化處理時之條件可恆定，亦可變化。尤其，若進行複數次不同條件之處理，則可將弧狀溝形成為格子狀，故較佳。
然而，可知：通常於利用切削加工、研磨加工、搪磨加工等而於導電性基體表面形成凹凸之情況，產生微細之毛刺。該毛刺於導電性基體上形成底塗層或感光層時局部性形成底塗層或感光層之膜厚較薄的部分，經常於圖像上變成黑點、色點、黑條紋等圖像缺陷。但，如上述使可撓性材料作為摩擦材接觸於導電性基體表面，使之相對移動，藉此可除去導電性基體表面之毛刺。因此，根據本發明之導電性基體之粗面化方法，亦可獲得即使因事前處理而產生毛刺，最終導電性基體之品質亦不降低之優點。
以下，對上述粗面化方法，舉出例加以具體說明。
圖1係用以說明導電性基體之粗面化方法之一例的示意圖。導電性基體1藉由內擴把持機構2以可旋轉之方式被把持，隨著內擴把持機構2之旋轉而繞軸(以下適當稱作「基體軸」)1A之周圍旋轉。
作為由可撓性材料形成的摩擦材之輪狀刷3，以該刷材可移動地且可繞軸(以下適當稱作「刷軸」)3A之周圍旋轉地，可接觸於導電性基體1之方式配設。藉此，刷3一面以刷軸3A為中心旋轉，一面可相對於導電性基體1而相對地移動。刷3之移動方向，只要可使導電性基體1之表面之圖像形成區域相當的部位與刷3接觸則為任意，通常於與導電性基體1之軸方向平行方向(圖1中之上下方向)上移動。
如本例之輪狀刷3之情況，為形成弧狀溝(參照圖2、3)，較佳的是刷3之旋轉軸(通常為刷軸3A)設為不平行於導電性基體1之位置關係。即，為防止因導電性基體1與刷3之旋轉軸之傾斜或刷偏摩耗而產生的接觸不均勻所導致的加工不均，較佳的是刷3之旋轉軸(即，刷軸3A)設定成相對於導電性基體1之基體軸1A而處於非同一平面上之位置(扭曲之位置)。
其原因在於：於基體軸1A與刷軸3A平行之情況，難以形成曲線且不連續之弧狀溝。又，其原因在於：該情況下，由於刷材之長度差或密度差而於刷3上產生研磨力之不均勻性(尤其，刷軸3A之方向的不均勻性)，該不均勻性直接轉印至導電性基體1之表面，故導電性基體1之表面的研磨狀態亦於軸方向上變得不均勻，產生不均。
再者，藉由如日本專利特開平9－114118號公報所揭示的，使刷3或導電性基體1於軸方向上相對搖動之技術而改善局部性加工不均，但該情況下，亦有時於觀察導電性基體1之整個軸方向之情況下產生加工不均。
於由如本例之構成形成弧狀溝之情況，使刷3接觸於導電性基體1之表面，一面使刷3旋轉，一面於導電性基體1之軸方向使刷3移動。此時，導電性基體1亦以基體軸1A為中心而旋轉。再者，圖1中，以箭頭表示導電性基體1及刷3之旋轉方向。
藉此，刷3產生彈性變形並接觸於導電性基體1，故於導電性基體1之表面形成弧狀溝。尤其，如圖1以基體軸1A與刷軸3A大致正交之方式配設之情況下，藉由將刷3之旋轉數設定為低且將接觸程度設定為小，而於將導電性基體1展開時，形成如圖2所示之斜向弧狀溝。另一方面，若升高刷3之旋轉數且增大接觸程度，則形成如圖3所示之斜格子狀之弧狀溝。若比較兩者，則升高刷3之旋轉數且增大接觸程度，可提高生產性，故更佳。
又，刷3相對於導電性基體1之相對移動，通常一次足夠，亦可進行多次。於使之多次移動之情況下，可一直向一個方向移動，亦可相對往復移動。
再者，該例中使用輪狀刷3，對刷之形狀並無限制。例如，可使用如圖4所示之杯狀刷4等。於使用杯狀刷4之情況，若刷軸4A不平行於基體軸1A，則雙方之軸1A、4A可位於同一平面上。再者，於圖4中，使用與圖1相同之符號所示的部位，表示與圖1相同者。
又，於使用如圖1所示之輪狀刷3之情況，對輪狀刷3之構成並無限制。因此，可於導電性基體1上以鋸齒狀植入刷材而成，為進一步提高植入密度，較佳的是藉由將通道刷4纏繞於軸材等方式而構成者。
進而，如圖5可使用複數個刷3。可藉由使用複數個刷3而提昇生產性，藉由改變各刷3之旋轉條件而將導電性基體1之表面製成更複雜之形狀的粗面，故亦可進一步提昇干涉條紋抑制效果。再者，於圖5中，使用與圖1相同之符號所示的部位表示與圖1相同者。
然而，有時於導電性基體1之表面殘留有研磨粉(例如，被削之導電性基體1之粉等)。又，於刷3含有研磨粒之情況，亦存在：該研磨粒自刷3脫離，殘留於導電性基體1之表面之狀況。因此，進行粗面化時，為將上述研磨粉或自刷3脫離的研磨粒等微粒子自導電性基體1之表面除去，較佳的是澆灑清洗液，或一面浸漬於清洗液一面實施。對清洗液並無限制，可使用有機系、水系等各種清洗劑，為防止微粒子之吸附，亦可使用如於半導體清洗中所用的氨化水。
進而，因經過粗面化而於導電性基體1之表面露出新生面，故於粗面化後不立即進行底塗層之塗佈形成的情況，為防止表面腐蝕，亦可使用加工油代替清洗液而實施粗面化，保護導電性基體1之表面。較佳的是亦包括如此之情況，於粗面化後，底塗層之形成前實施完成清洗，進而於底塗層形成前的導電性基體之清洗步驟中，加入粗面化步驟，於提高生產性方面更佳。例如，如圖6所示，藉由於清洗刷5之正下方加入粗面化用之刷3，可於粗面化後立即進行強力物理清洗，使導電性基體1之表面狀態維持清潔狀態並可粗面化。再者，於圖6中，使用與圖1相同之符號所示的部位表示與圖1相同者。
又，此處，藉由刷3移動，而使刷3相對於導電性基體1進行相對移動，亦可藉由使導電性基體1移動而使刷3相對於導電性基體1進行相對移動。又，亦可藉由導電性基體1及刷3之兩者移動，而使刷3相對於導電性基體1進行相對移動。
[I－4.關於導電性基體的其他事項]
於使用鋁合金等金屬材料作為導電性基體之情況，可使用實施陽極氧化處理者。於實施陽極氧化處理之情況，較理想的是藉由眾所周知之方法實施封孔處理。
[II.底塗層]
底塗層係含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之層。又，只要不顯著損害本發明之效果，底塗層可含有其他成分。
本發明之底塗層設置於導電性基體與感光層之間，具有以下功能中之至少任一種：改善導電性基體與感光層之接著性、隱藏導電性基體之污垢或損傷等、防止由雜質或表面物性之不均質化引起之載子注入、改良電氣特性之不均一性、防止由重複使用引起之表面電位降低、防止成為畫質缺陷原因之局部性表面電位變動等，並非表現光電特性所必需之層。
[II－1.金屬氧化物粒子]
[II－1－1.金屬氧化物粒子之種類]作為本發明之金屬氧化物粒子，可使用可用於電子照片感光體之任何金屬氧化物粒子。
若舉出形成金屬氧化物粒子之金屬氧化物之具體例，則可舉出：氧化鈦、氧化鋁、氧化矽、氧化鋯、氧化鋅、氧化鐵等含有1種金屬元素之金屬氧化物；鈦酸鈣、鈦酸鍶、鈦酸鋇等含有複數種金屬元素之金屬氧化物等。該等中，較佳的是含有能帶隙為2~4 eV之金屬氧化物之金屬氧化物粒子。其原因在於：若能帶隙過小，則變得易於產生自導電性基體之載子注入，且變得易於產生黑點或色點等圖像缺陷。又，若能帶隙過大，則存在由於電子之捕獲而引起電荷之移動受阻，電氣特性惡化之可能性。
再者，金屬氧化物粒子可僅使用一種粒子，亦可以任意組合及比率並用複數種粒子。又，金屬氧化物粒子可使用僅由1種金屬氧化物形成者，亦可為以任意組合及比率並用2種以上金屬氧化物而形成者。
上述形成金屬氧化物粒子之金屬氧化物中，較佳的是氧化鈦、氧化鋁、氧化矽及氧化鋅，更佳的是氧化鈦及氧化鋁，尤佳的是氧化鈦。
又，只要不顯著損害本發明之效果，金屬氧化物粒子之結晶型為任意。例如，對使用氧化鈦作為金屬氧化物之金屬氧化物粒子(即，氧化鈦粒子)之結晶型並未限制，可使用金紅石型、銳鈦礦型、板鈦礦型、非晶型中之任一種。又，氧化鈦粒子之結晶型係上述結晶狀態不同者，故可含有複數種結晶狀態者。
進而，金屬氧化物粒子可於其表面進行各種表面處理。例如可利用氧化錫、氧化鋁、氧化銻、氧化鋯、氧化矽等無機物，或者十八酸、多元醇、有機矽化合物等有機物等處理劑進行處理。
尤其於使用氧化鈦粒子作為金屬氧化物粒子之情況，較佳的是利用有機矽化合物進行表面處理。作為有機矽化合物，例如可舉出：二甲基聚矽氧烷、甲基氫化聚矽氧烷等聚矽氧油；甲基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷等有機矽烷；六甲基二矽氮烷等矽氮烷；乙烯基三甲氧基矽烷、γ－巰基丙基三甲氧基矽烷、γ－胺基丙基三乙氧基矽烷等矽烷偶合劑等。
又，金屬氧化物粒子尤佳的是以下述式(i)之構造所表示之矽烷處理劑進行處理。該矽烷處理劑與金屬氧化物粒子之反應性亦優良，係良好之處理劑。
上述式(i)中，R1 及R2 分別獨立表示烷基。對R1 及R2 之碳數並無限制，通常為1以上，又，通常為18以下，較佳的是10以下，更佳的是6以下。若舉出R1 及R2 中之適合者，則可舉出甲基、乙基等。
又，上述式(i)中，R3 表示烷基或烷氧基。對R3 之碳數並無限制，通常為1以上，又，通常為18以下，較佳的是10以下，更佳的是6以下。若舉出R3 中之適合者，則可舉出甲基、乙基、甲氧基、乙氧基等。
若R1 ~R3 之碳數過多，則存在與金屬氧化物粒子之反應性降低，或者處理後之金屬氧化物粒子於底塗層形成用塗佈液中之分散穩定性降低之可能性。
再者，該等經表面處理之金屬氧化物粒子之最表面，通常以如上所述之處理劑進行處理。此時，上述表面處理可僅進行1種表面處理，亦可以任意組合進行2種以上之表面處理。例如，可於以上述式(i)所表示之矽烷處理劑進行表面處理之前，以氧化鋁、氧化矽或氧化鋯等處理劑等進行處理。又，亦可以任意之組合及比率，並用實施有不同表面處理之金屬氧化物粒子。
舉出本發明之金屬氧化物粒子中經商品化者。但本發明之金屬氧化物粒子並不限定於以下所例示之商品。
作為氧化鈦粒子之具體商品之例，可舉出：未實施表面處理之超微粒子氧化鈦「TTO－55(N)」；實施有Al2 O3 包覆之超微粒子氧化鈦「TTO－55(A)」、「TTO－55(B)」；以十八酸實施表面處理之超微粒子氧化鈦「TTO－55(C)」；以Al2 O3 及有機矽氧烷實施表面處理之超微粒子氧化鈦「TTO－55(S)」；高純度氧化鈦「CR－EL」；硫酸法氧化鈦「R－550」、「R－580」、「R－630」、「R－670」、「R－680」、「R－780」、「A－100」、「A－220」、「W－10」；氯化法氧化鈦「CR－50」、「CR－58」、「CR－60」、「CR－60－2」、「CR－67」；導電性氧化鈦「SN－100P」、「SN－100D」、「ET－300W」；(以上，石原產業股份有限公司製造)等。又，以「R－60」、「A－110」、「A－150」等氧化鈦為代表，亦可舉出：實施有Al2 O3 包覆之「SR－1」、「R－GL」、「R－5N」、「R－5N－2」、「R－52N」、「RK－1」、「A－SP」；實施有SiO2 、Al2 O3 包覆之「R－GX」、「R－7E」；實施有ZnO、SiO2 、Al2 O3 包覆之「R－650」；實施有ZrO2 、Al2 O3 包覆之「R－61N」；(以上，堺化學工業股份有限公司製造)等。進而，亦可舉出：以SiO2 、Al2 O3 進行表面處理之「TR－700」；以ZnO、SiO2 、Al2 O3 進行表面處理之「TR－840」、「TA－500」，以及「TA－100」、「TA－200」、「TA－300」等表面未經處理之氧化鈦；以Al2 O3 實施表面處理之「TA－400」(以上，富士鈦工業股份有限公司製造)；未實施表面處理之「MT－150W」、「MT－500B」；以SiO2 、Al2 O3 進行表面處理之「MT－100SA」、「MT－500SA」；以SiO2 、Al2 O3 及有機矽氧烷進行表面處理之「MT－100SAS」、「MT－500SAS」(Tayca股份有限公司製造)等。
又，作為氧化鋁粒子之具體商品之例，可舉出「氧化鋁C」(日本Aerosil公司製造)等。
進而，作為氧化矽粒子之具體商品之例，可舉出「200CF」、「R972」(日本Aerosil公司製造)，「KEP－30」(日本觸媒股份有限公司製造)等。
又，作為氧化錫粒子之具體商品之例，可舉出「SN－100P」(石原產業股份有限公司製造)等。
進而，作為氧化鋅粒子之具體商品之例，可舉出「MZ－305S」(Tayca股份有限公司製造)等。
[II－1－2.金屬氧化物粒子之物性]關於本發明之金屬氧化物粒子之粒徑分布，以下必要條件成立。即，將本發明之底塗層分散於以7：3之重量比混合有甲醇及1－丙醇之溶劑中而得之液體(以下適當稱為「底塗層測定用分散液」)中的金屬氧化物粒子之以動態光散射法測定之體積平均粒徑為0.1 μm以下，且，累積90%粒徑為0.3 μm以下。
以下，就該方面加以詳細說明。
[關於金屬氧化物粒子之體積平均粒徑]本發明之金屬氧化物粒子於底塗層測定用分散液中以動態光散射法測定之體積平均粒徑為0.1 μm以下，較佳的是95 nm以下，更佳的是90 nm以下。又，對上述體積平均粒徑之下限並無限制，通常為20 nm以上。藉由滿足上述範圍，本發明之電子照片感光體於低溫低濕下之曝光－帶電重複特性穩定，可抑制於所得圖像上產生黑點、色點等圖像缺陷。
[關於金屬氧化物粒子之累積90%粒徑]本發明之金屬氧化物粒子於底塗層測定用分散液中以動態光散射法測定之累積90%粒徑為0.3 μm以下，較佳的是0.25 μm以下，更佳的是0.2 μm以下。又，對上述累積90%粒徑之下限並無限制，通常為10 nm以上，較佳的是20 nm以上，更佳的是50 nm以上。於習知之電子照片感光體中，底塗層中含有藉由金屬氧化物粒子凝集而成之可貫穿底塗層表裏的粗大金屬氧化物粒子凝集體，由於該粗大金屬氧化物粒子凝集體，存在圖像形成時產生缺陷之可能性。進而，於使用接觸式者作為帶電手段之情況，亦存在於感光層上進行帶電時，電荷經由該金屬氧化物粒子而自感光層移動至導電性基體，變得無法正確進行帶電之可能性。然而，於本發明之電子照片感光體中，累積90%粒徑非常小，故如上所述成為缺陷原因之大金屬氧化物粒子變得非常少。其結果為，於本發明之電子照片感光體中，可抑制產生缺陷及無法正確進行帶電，可形成高品質之圖像。
[體積平均粒徑及累積90%粒徑之測定方法]本發明之金屬氧化物粒子之上述體積平均粒徑及上述累積90%粒徑，係藉由將底塗層分散於以7：3之重量比混合有甲醇及1－丙醇之混合溶劑(其成為粒度測定時之分散溶劑)中，製備底塗層測定用分散液，以動態光散射法測定該底塗層測定用分散液中之金屬氧化物粒子之粒度分布而得之值。
動態光散射法，係對粒子照射雷射光，檢測與微小分散之粒子的布朗運動之速度相應之相位不同之光的散射(都普勒平移)，求出粒度分布者。底塗層測定用分散液中之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積90%粒徑之值，係於底塗層測定用分散液中金屬氧化物粒子穩定分散時之值，並非表示底塗層形成後之底塗層內之粒徑。於實際測定中，關於上述體積平均粒徑及累積90%粒徑，具體而言，係使用動態光散射方式粒度分析儀(日機裝公司製造，MICROTRAC UPA model：9340－UPA，以下簡稱為UPA)，以下述設定進行者。具體之測定操作基於上述粒度分析儀之使用說明書(日機裝公司製造，文件No.T15－490A00，修訂No.E)而進行。
．動態光散射方式粒度分析儀之設定測定上限：5.9978 μm測定下限：0.0035 μm通道數：44測定時間：300 sec.粒子透過性：吸收粒子折射率：N/A(不適用)粒子形狀：非球形密度：4.20 g/cm3 (＊)分散溶劑種類：甲醇/1－丙醇＝7/3分散溶劑折射率：1.35
(＊)密度之值為二氧化鈦粒子之情況，其他粒子之情況下使用上述使用說明書中所記載之數值。
再者，作為分散溶劑的甲醇與1－丙醇之混合溶劑(重量比：甲醇/1－丙醇＝7/3；折射率＝1.35)之使用量，設為作為試料之底塗層測定用分散液之樣品濃度指數(SIGNAL LEVEL)成為0.6~0.8之量。
又，利用動態光散射進行之粒度測定設為於25℃進行者。
所謂本發明之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積90%粒徑，係於如上所述以動態光散射法測定粒度分布之情況，將金屬氧化物粒子之總體積設為100%，以上述動態光散射法自小粒徑側求出體積粒度分布之累積曲線時，將該累積曲線成為50%之點的粒徑作為體積平均粒徑(中徑：Median diameter)，將累積曲線成為90%之點的粒徑作為累積90%粒徑。
[其他物性]對本發明之金屬氧化物粒子之平均一次粒徑並無限制，只要不顯著損害本發明之效果，則為任意。其中，本發明之金屬氧化物粒子之平均一次粒徑通常為1 nm以上，較佳的是5 nm以上；又，通常為100 nm以下，較佳的是70 nm以下，更佳的是50 nm以下。
再者，該平均一次粒徑，可根據以穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope，以下適當稱為「TEM」)直接觀察之粒子的直徑之算術平均值而求出。
又，對本發明之金屬氧化物粒子之折射率亦無限制，若為可用於電子照片感光體者，則可使用任意者。本發明之金屬氧化物粒子之折射率通常為1.3以上，較佳的是1.4以上；又，通常為3.0以下，較佳的是2.9以下，更佳的是2.8以下。
再者，金屬氧化物粒子之折射率可使用各種出版物中所記載之文獻值。例如，若根據填料活用辭典(填料研究會編(filler Society of Japan)，大成公司，1994)，則成為如下述表1所示。
於本發明之底塗層中，只要不顯著損害本發明之效果，金屬氧化物粒子與黏合劑樹脂之使用比率為任意。其中，於本發明之底塗層中，相對於1重量份之黏合劑樹脂，金屬氧化物粒子通常於0.5重量份以上，較佳的是0.7重量份以上，更佳的是1.0重量份以上，又，通常於8重量份以下，較佳的是4重量份以下，更佳的是3.8重量份以下，尤佳的是3.5重量份以下之範圍內使用。若金屬氧化物粒子相對於黏合劑樹脂過少，則存在所得電子照片感光體之電氣特性惡化，尤其是殘餘電位上升之可能性；若過多，則存在使用該電子照片感光體而形成之圖像上黑點或色點等圖像缺陷增加之可能性。
[II－2.黏合劑樹脂]
作為於本發明之底塗層中所使用之黏合劑樹脂，只要不顯著損害本發明之效果，可使用任意者。通常使用可溶於有機溶劑等溶劑中，且底塗層不溶於用於感光層形成用塗佈液之有機溶劑等溶劑中，或者溶解性低、實質上未混合者。
作為如此黏合劑樹脂，例如，苯氧、環氧、聚乙烯吡咯啶酮、聚乙烯醇、酪蛋白、聚丙烯酸、纖維素類、明膠、澱粉、聚胺酯、聚醯亞胺、聚醯胺等樹脂可單獨或者與硬化劑一同以硬化之形式使用。其中，醇可溶性之共聚合聚醯胺、改質聚醯胺等聚醯胺樹脂表現出良好之分散性及塗佈性，故較佳。
作為聚醯胺樹脂，例如可舉出：使6－尼龍、66－尼龍、610－尼龍、11－尼龍、12－尼龍等共聚合之所謂共聚合尼龍；如N－烷氧基甲基改質尼龍、N－烷氧基乙基改質尼龍之使尼龍化學改質之類型等之醇可溶性尼龍樹脂等。作為具體商品，例如可舉出：「CM4000」、「CM8000」(以上，東麗製造)，「F－30K」、「MF－30」、「EF－30T」(以上，長瀨化成股份有限公司製造)等。
該等聚醯胺樹脂中，尤佳的是使用含有與下述式(ii)所表示之二胺對應之二胺成分(以下適當稱為「與式(ii)對應之二胺成分」)作為構成成分之共聚合聚醯胺樹脂。
於上述式(ii)中，R4 ~R7 表示氫原子或有機取代基。m、n分別獨立表示0~4之整數。再者，於具有複數個取代基之情況，彼等取代基相互間可相同，亦可不同。
若舉出適合者作為R4 ~R7 所表示之有機取代基，則可舉出可含有雜原子之烴基。其中作為較佳者，例如可舉出：甲基、乙基、正丙基、異丙基等烷基；甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基等烷氧基；苯基、萘基、蒽基、芘基等芳基，更較佳的是烷基、或烷氧基。尤佳的是甲基、乙基。
又，只要不顯著損害本發明之效果，R4 ~R7 所表示之有機取代基之碳數為任意，通常20為以下，較佳的是18以下，更佳的是12以下；又，通常為1以上。若碳數過大，則準備底塗層形成用塗佈液時，對溶劑之溶解性惡化，又，即使可溶解，亦表現出作為底塗層形成用塗佈液之保存穩定性惡化之傾向。
含有與上述式(ii)對應之二胺成分作為構成成分之共聚合聚醯胺樹脂，亦可含有除與式(ii)對應之二胺成分以外之構成成分(以下適當僅稱為「其他聚醯胺構成成分」)作為構成單位。作為其他聚醯胺構成成分，例如可舉出：γ－丁內醯胺、ε－己內醯胺、十二內醯胺等內醯胺類；1,4－丁烷二甲酸、1,12－十二烷二甲酸、1,20－二十烷二甲酸等二甲酸類；1,4－丁二胺、1,6－己二胺、1,8－辛二胺、1,12－十二烷二胺等二胺類；哌等。此時，上述共聚合聚醯胺樹脂，例如可舉出使其構成成分共聚合為二元、三元、四元等者。
於含有與上述式(ii)對應之二胺成分作為構成成分之共聚合聚醯胺樹脂含有其他聚醯胺構成成分作為構成單位之情況，對與式(ii)對應之二胺成分於總構成成分中所占之比例並無限制，通常為5 mol%以上，較佳的是10 mol%以上，更佳的是15 mol%以上；又，通常為40 mol%以下，較佳的是30 mol%以下。若與式(ii)對應之二胺成分過多，則存在底塗層形成用塗佈液之穩定性變差之可能性；若過少，則存在高溫高濕度條件下之電氣特性變化變大，電氣特性對環境變化之穩定性變差之可能性。
將上述共聚合聚醯胺樹脂之具體例表示如下。其中，具體例中，共聚合比率表示單體之投入比率(莫耳比率)。
對上述共聚合聚醯胺之製造方法並無特別限制，可適當應用通常之聚醯胺之聚縮合方法。例如可適當應用熔融聚合法、溶液聚合法、界面聚合法等聚縮合方法。又，聚合時，例如可使聚合系中含有乙酸或苯甲酸等一元酸；己胺、苯胺等一元鹼等作為分子量調節劑。
再者，黏合劑樹脂可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
又，對本發明之黏合劑樹脂之數量平均分子量亦並無限制。例如，於使用共聚合聚醯胺作為黏合劑樹脂之情況，共聚合聚醯胺之數量平均分子量通常為10000以上，較佳的是15000以上；又，通常為50000以下，較佳的是35000以下。數量平均分子量過小、或過大，均變得難以保持底塗層之均勻性。
[II－3.其他成分]
只要不顯著損害本發明之效果，本發明之底塗層可含有除上述金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂以外之成分。例如，可使底塗層中含有添加劑作為其他成分。
作為添加劑，例如可舉出：以亞磷酸鈉、次磷酸鈉、亞磷酸、次磷酸或受阻酚為代表之熱穩定劑，其他聚合添加劑、抗氧化劑等。再者，添加劑可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
[II－4.底塗層之物性]
[膜厚]底塗層之膜厚為任意，就提高本發明之電子照片感光體之感光體特性及塗佈性之觀點而言，較佳的是，通常為0.1 μm以上，較佳的是0.3 μm以上，更佳的是0.5 μm以上；又，通常為20 μm以下，較佳的是15 μm以下，更佳的是10 μm以下之範圍。
[表面粗度]本發明之底塗層，對其表面形狀並無限制，但通常於面內均方根粗度(RMS)、面內算術平均粗度(Ra)、面內最大粗度(P－V)方面具有特徵。再者，該等數值係JIS B 0601：2001規定中之均方根高度、算術平均高度、最大高度的基準長度於基準面上擴張而得之數值，使用作為基準面之高度方向之值Z(x)，面內均方根粗度(RMS)表示Z(x)之均方根，面內算術平均粗度(Ra)表示Z(x)之絕對值的平均值，面內最大粗度(P－V)表示Z(x)的峰高度之最大值與谷深度之最大值之和。
本發明之底塗層之面內均方根粗度(RMS)，通常於10nm以上、較佳的是20nm以上，又，通常於100nm以下、較佳的是50nm以下之範圍內。若面內均方根粗度(RMS)過小，則存在與上層之接著性惡化之可能性，若過大，則存在導致上層之塗佈膜厚均勻性惡化之可能性。
本發明之底塗層之面內算術平均粗度(Ra)，通常於10nm以上，又，通常於50nm以下之範圍。若面內算術平均粗度(Ra)過小，則存在與上層之接著性惡化之可能性，若過大，則存在導致上層之塗佈膜厚均勻性惡化之可能性。
本發明之底塗層之面內最大粗度(P－V)，通常於100nm以上、較佳的是300nm以上，又，通常於1000nm以下、較佳的是800nm以下之範圍內。若面內最大粗度(P－V)過小，則存在與上層之接著性惡化之可能性，若過大，則存在導致上層之塗佈膜厚均勻性惡化之可能性。
再者，上述與表面形狀相關之指標(RMS、Ra、P－V)之數值，若利用可高精度測定基準面內之凹凸的表面形狀分析裝置進行測定，則可利用任何表面形狀分析裝置進行測定，較佳的是利用使用光干涉顯微鏡，將高精度相移檢測法與干涉條紋之級數加以組合，而檢測試料表面凹凸之方法進行測定。
更具體而言，較佳的是使用菱化系統股份有限公司之Micromap，利用干涉條紋定址(addressing)方式，以波型(Wave mode)進行測定。
[製成分散液之情況之吸光度]又，本發明之底塗層，於分散於可將黏結該底塗層之黏合劑樹脂溶解之溶劑中而製成分散液(以下適當稱為「吸光度測定用分散液」)之情況，通常該分散液之吸光度顯示特定之物性。
吸光度測定用分散液之吸光度，可利用通常已知之分光光度計(absorption spectrophotometer)進行測定。測定吸光度時之槽尺寸、試料濃度等條件，隨所使用之金屬氧化物粒子之粒徑、折射率等物性而變化，因此通常於欲測定之波長區域(於本發明，為400 nm~1000 nm)中，適當調整試料濃度以不超過檢測器之測定界限。
又，測定時之槽尺寸(光徑長度)使用10 mm者。所使用之槽若為於400 nm~1000 nm之範圍內實質上透明者，則可使用任意者，較佳的是使用石英槽，尤佳的是使用試料槽與標準槽之透過率特性之差在特定範圍內之匹配槽。
於分散本發明之底塗層而製成吸光度測定用分散液時，可藉由對黏結底塗層之黏合劑樹脂實質不溶解、可溶解形成於底塗層上之感光層等的溶劑溶解除去底塗層上之層後，將黏結底塗層之黏合劑樹脂溶解於溶劑中，藉此而製成吸光度測定用分散液。此時，作為可溶解底塗層之溶劑，使用於400 nm~1000 nm之波長區域中光吸收量不大的溶劑即可。
若舉出可溶解底塗層之溶劑之具體例，則可使用甲醇、乙醇、1－丙醇、2－丙醇等醇類，尤其可使用甲醇、乙醇、1－丙醇。又，該等可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
尤其是利用以7：3之重量比混合有甲醇及1－丙醇之溶劑，分散本發明之底塗層而得之吸光度測定用分散液的對波長為400 nm之光的吸光度與對波長為1000 nm之光的吸光度之差(吸光度差)如下所述。即，於金屬氧化物粒子之折射率為2.0以上之情況，上述吸光度差通常為0.3(Abs)以下，較佳的是0.2(Abs)以下。又，於金屬氧化物粒子之折射率未滿2.0之情況，通常為0.02(Abs)以下，較佳的是0.01(Abs)以下。
再者，吸光度之值依據所測定之液體之固形分濃度。因此，於進行吸光度測定之情況，上述分散液中之金屬氧化物粒子較佳的是以濃度成為0.003重量%~0.0075重量%之範圍之方式進行分散。
[底塗層之正反射率]本發明之底塗層之正反射率通常於本發明中顯示特定值。所謂本發明之底塗層之正反射率，係表示導電性基體上之底塗層相對於導電性基體之正反射率。該底塗層之正反射率隨底塗層之膜厚而變化，故此處規定為將底塗層之膜厚設為2 μm之情況之反射率。
本發明之底塗層，於底塗層所含金屬氧化物粒子之折射率為2.0以上之情況，換算為該底塗層為2 μm之情況下的該底塗層對波長為480 nm之光之正反射相對於該導電性基體對波長為480 nm之光之正反射的比，通常為50%以上。
另一方面，於底塗層所含金屬氧化物粒子之折射率未滿2.0之情況，換算為該底塗層為2 μm之情況下的該底塗層對波長為400 nm之光之正反射相對於該導電性基體對波長為400 nm之光之正反射的比，通常為50%以上。
此處，於該底塗層含有複數種折射率為2.0以上之金屬氧化物粒子之情況，及含有複數種折射率未滿2.0之金屬氧化物粒子之情況，較佳的均為與上述相同之正反射。又，於該底塗層同時含有折射率為2.0以上之金屬氧化物粒子、及折射率未滿2.0之金屬氧化物粒子之情況，與含有折射率為2.0以上之金屬氧化物粒子之情況相同，較佳的是換算為該底塗層為2 μm之情況下的該底塗層對波長為480 nm之光之正反射相對於該導電性基體對波長為480 nm之光之正反射的比，為上述範圍(50%以上)。
以上，就底塗層之膜厚為2 μm之情況加以詳細說明，於本發明之電子照片感光體中，底塗層之膜厚並不限定為2 μm，可為任意膜厚。於底塗層之膜厚為2 μm以外之厚度之情況，可使用形成該底塗層時所使用之底塗層形成用塗佈液(後述)，於與該電子照片感光體相同之導電性基體上，塗佈形成膜厚為2 μm之底塗層，對該底塗層測定正反射率。又，作為其他方法，有測定該電子照片感光體之底塗層之正反射率，換算為其膜厚為2 μm之情況的方法。
以下，就其換算方法加以說明。
於特定單色光通過底塗層，於導電性基體上正反射，再次通過底塗層進行檢測之情況，假定為垂直於光之厚度為dL之薄層。
一般認為通過厚度為dL之薄層後之光的強度之減少量－dI，與通過上述層前之光的強度I、及層之厚度dL成比例，若以式表現，則可記為如下(k為常數)。
－dI＝kIdL (A)
若將式(A)變形，則成為如下。
－dI/I＝kdL (B)
若將式(B)之兩邊，分別於I0 至I、0至L之區間進行積分，則獲得以下之式。再者，I0 表示入射光之強度。
log(I0 /I)＝kL (C)
式(C)與溶液系中稱為Lambert法則者相同，亦可應用於本發明之反射率測定中。
若將式(C)變形，則成為I＝I0 exp(－kL) (D)
以式(D)表示入射光到達導電性基體表面為止之狀態。
另一方面，正反射率以入射光對導電性基體之反射光為分母，因此認為素管表面之反射率R＝I1 /I0 。此處，I1 表示反射光之強度。
然後，根據式(D)，到達導電性基體表面之光乘以反射率R後進行正反射，再次通過光徑長度L射出底塗層表面。即，成為I＝I0 exp(－kL)．R．exp(－kL) (E)
代入R＝I1 /I0 ，進一步變形，可獲得如下關係式：I/I1 ＝exp(－2kL) (F)
其係對底塗層之反射率相對於對導電性基體之反射率的值，將其定義為正反射率。
如上所述，於2 μm之底塗層中，光徑長度往返為4 μm，任意導電性基體上之底塗層之反射率T為底塗層之膜厚L(此時光徑長度成為2L)之函數，表示為T(L)。根據式(F)，下式成立T(L)＝I/I1 ＝exp(－2kL) (G)
另一方面，欲知值為T(2)，因此於式(G)中代入L＝2，成為T(2)＝I/I1 ＝exp(－4k) (H)
若使式(G)與式(H)聯立而消去k，則成為T(2)＝T(L)2/L (I)
即，底塗層之膜厚為L(μm)時，藉由測定該底塗層之反射率T(L)，可以相當高之準確度估算底塗層為2 μm之情況之反射率T(2)。底塗層之膜厚L之值可以粗度計等任意膜厚計測裝置進行計測。
[III.底塗層之形成方法]
對本發明之底塗層之形成方法並無限制。而通常係將含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之底塗層形成用塗佈液塗佈於導電性基體之表面，使其乾燥而獲得底塗層。
[III－1.底塗層形成用塗佈液]
本發明之底塗層形成用塗佈液係用以形成底塗層者，含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂。又，通常本發明之底塗層形成用塗佈液含有溶劑。進而，本發明之底塗層形成用塗佈液，可於不顯著損害本發明效果之範圍內含有其他成分。
[III－1－1.金屬氧化物粒子]金屬氧化物粒子與作為底塗層中所含之金屬氧化物粒子加以說明者相同。
其中，關於本發明之底塗層形成用塗佈液中的金屬氧化物粒子之粒徑分布，通常，以下必要條件成立。即，本發明之底塗層形成用塗佈液中的金屬氧化物粒子之以動態光散射法測定之體積平均粒徑及累積90%粒徑，分別與上述底塗層測定用分散液中的金屬氧化物粒子之以動態光散射法測定之體積平均粒徑及累積90%粒徑相同。
因此，於本發明之底塗層形成用塗佈液中，金屬氧化物粒子之體積平均粒徑通常為0.1 μm以下(參照[關於金屬氧化物粒子之體積平均粒徑])。
於本發明之底塗層形成用塗佈液中，較理想為金屬氧化物粒子作為一次粒子存在。然而，通常如此情況較少，多數情況下產生凝集而作為凝集體二次粒子存在，或者二者混合存在。因此，該狀態下之粒度分布如何非常重要。
因此，於本發明之底塗層形成用塗佈液中，藉由將底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑設為上述範圍(0.1 μm以下)，而減少底塗層形成用塗佈液中之沈澱或黏性變化。藉此，結果可使底塗層形成後之膜厚及表面性均勻。另一方面，於金屬氧化物粒子之體積平均粒徑變得過大之情況(超過0.1 μm之情況)，相反底塗層形成用塗佈液中之沈澱或黏性變化變大，結果底塗層形成後之膜厚及表面性變得不均勻，因此存在對其上層(電荷產生層等)之品質亦造成不良影響之可能性。
又，於本發明之底塗層形成用塗佈液中，金屬氧化物粒子之累積90%粒徑通常為0.3 μm以下(參照[關於金屬氧化物粒子之累積90%粒徑])。
若本發明之金屬氧化物粒子於底塗層形成用塗佈液中作為球形一次粒子存在，則其為理想之情況。然而，如此金屬氧化物粒子實際上並非可在實用上獲得者。本發明者等人發現，假設金屬氧化物粒子為即使凝集，累積90%粒徑亦充分小者，即，具體而言若累積90%粒徑為0.3 μm以下，則作為底塗層形成用塗佈液，凝膠化或黏性變化少，可長期保存，結果為底塗層形成後之膜厚及表面性變得均勻。另一方面，若底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子過大，則液體中之凝膠化或黏性變化大，結果為底塗層形成後之膜厚及表面性變得不均勻，因此存在對其上層(電荷產生層等)之品質亦造成不良影響之可能性。
再者，上述底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積90%粒徑的測定方法，並非測定底塗層測定用分散液中之金屬氧化物粒子者，而為直接測定底塗層形成用塗佈液者，於以下方面，與上述底塗層測定用分散液中之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積90%粒徑的測定方法不同。再者，除以下方面之外，上述底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積90%粒徑的測定方法，與底塗層測定用分散液中之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積90%粒徑的測定方法相同。
即，於測定底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積90%粒徑時，分散溶劑種類為底塗層形成用塗佈液中所使用之溶劑，分散溶劑折射率採用底塗層形成用塗佈液中所使用之溶劑之折射率。又，於底塗層形成用塗佈液過濃，其濃度成為測定裝置之可測定範圍外之情況，將底塗層形成用塗佈液以甲醇與1－丙醇之混合溶劑(重量比：甲醇/1－丙醇＝7/3，折射率＝1.35)進行稀釋，以將該底塗層形成用塗佈液之濃度限制於測定裝置可測定之範圍內。例如，於上述UPA之情況，以甲醇與1－丙醇之混合溶劑稀釋底塗層形成用塗佈液，使適於測定之樣品濃度指數(SIGNAL LEVEL)成為0.6~0.8。一般認為，即使以如此方式進行稀釋，底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積粒徑亦不變化，因此將進行上述稀釋後測定之體積平均粒徑及累積90%粒徑，作為底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積90%粒徑。
又，本發明之底塗層形成用塗佈液之吸光度，可利用通常已知之分光光度計(absorption spectrophotometer)進行測定。測定吸光度時之槽尺寸、試料濃度等條件，隨所使用之金屬氧化物粒子之粒徑、折射率等物性而變化，因此，通常於欲測定之波長區域(於本發明中，為400nm~1000nm)中，適當調整試料濃度，使其不超過檢測器之測定界限。於本發明中，調整試料濃度，使底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之量成為0.0075重量%~0.012重量%。用以調整試料濃度之溶劑，通常使用作為底塗層形成用塗佈液之溶劑而使用之溶劑，但若為與底塗層形成用塗佈液之溶劑及黏合劑樹脂具有相容性，於混合之情況不產生混濁等，於400 nm~1000 nm之波長區域中光吸收量不大者，則可使用任意者。若舉出具體例，則可使用：甲醇、乙醇、1－丙醇、2－丙醇等醇類；甲苯、二甲苯等烴類；四氫呋喃等醚類；甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類等。
又，測定時之槽尺寸(光徑長度)使用10 mm者。所使用之槽，若為於400 nm~1000 nm之範圍內實質上透明者，則可使用任意者，較佳的是使用石英槽，尤佳的是使用試料槽與標準槽之透過率特性之差在特定範圍內之匹配槽。
[III－1－2.黏合劑樹脂]底塗層形成用塗佈液中所含之黏合劑樹脂，與作為底塗層中所含之黏合劑樹脂加以說明者相同。
其中，只要不顯著損害本發明之效果，底塗層形成用塗佈液中之黏合劑樹脂之含有率為任意，通常於0.5重量%以上、較佳的是1重量%以上，又，通常於20重量%以下、較佳的是10重量%以下之範圍內使用。
[III－1－3.溶劑]作為本發明之底塗層形成用塗佈液中所使用之溶劑(底塗層用溶劑)，若為可溶解本發明之黏合劑樹脂者，則可使用任意者。作為該溶劑，通常使用有機溶劑。若舉出溶劑之例，則可舉出：甲醇、乙醇、異丙醇或正丙醇等碳數為5以下之醇類；氯仿、1,2－二氯乙烷、二氯甲烷、三氯乙烯、四氯化碳、1,2－二氯丙烷等鹵化烴類；二甲基甲醯胺等含氮有機溶劑類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類等。
又，上述溶劑可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。進而，即使單獨為並不溶解本發明之黏合劑樹脂之溶劑，若藉由製成與其他溶劑(例如，上述例示之有機溶劑等)之混合溶劑而可溶解黏合劑樹脂，則亦可使用。一般而言，使用混合溶劑可減少塗佈不均。
於本發明之底塗層形成用塗佈液中，溶劑與金屬氧化物粒子、黏合劑樹脂等固形分之量比，因底塗層形成用塗佈液之塗佈方法而不同，若可實現於所應用之塗佈方法中，可形成均勻之塗膜，則可適當變更後使用。若舉出具體範圍，則就底塗層形成用塗佈液之穩定性及塗佈性方面而言，底塗層形成用塗佈液中之固形分濃度較佳的是，通常為1重量%以上，較佳的是2重量%以上；又，通常30重量%以下，較佳的是25重量%以下。
[III－1－4.其他成分]底塗層形成用塗佈液中所含有之其他成分，與作為底塗層中所含有之其他成分而說明者相同。
[III－1－5.底塗層形成用塗佈液之優點]本發明之底塗層形成用塗佈液之保存穩定性高。作為保存穩定性之指標，有各種指標，例如，本發明之底塗層形成用塗佈液之製作時與室溫下保存120天後之黏度變化率(即，將保存120天後之黏度與製作時之黏度差，除以製作時之黏度而得之值)通常為20%以下，較佳的是15%以下，更佳的是10%以下。再者，黏度可使用E型黏度計(東機美克公司製造，製品名ED)，以依據JIS Z 8803之方法進行測定。
又，若使用本發明之底塗層形成用塗佈液，則可高品質、且高效地製造電子照片感光體。
[III－2.底塗層形成用塗佈液之製造方法]
對本發明之底塗層形成用塗佈液之製造方法並無限制。其中，本發明之底塗層形成用塗佈液係如上所述含有金屬氧化物粒子者，金屬氧化物粒子分散存在於底塗層形成用塗佈液中。因此，本發明之底塗層形成用塗佈液之製造方法，通常具有使金屬氧化物粒子分散之分散步驟。
為使金屬氧化物粒子分散，例如，若以球磨機、砂磨機、行星式軋機(planetary mill)、輥磨機等眾所周知之機械性粉碎裝置(分散裝置)，於溶劑(以下將分散時所使用之溶劑適當稱為「分散溶劑」)中進行濕式分散即可。一般認為，藉由該分散步驟，本發明之金屬氧化物粒子進行分散，成為具有上述既定之粒徑分布者。又，分散溶劑可使用底塗層形成用塗佈液中所使用之溶劑，亦可使用其以外之溶劑。其中，於使用除底塗層形成用塗佈液中所使用之溶劑以外之溶劑作為分散溶劑之情況，分散後將金屬氧化物粒子與用於底塗層形成用塗佈液之溶劑進行混合或者溶劑交換，此時，較佳的是一面防止金屬氧化物粒子凝集而不具有既定之粒徑分布，一面進行上述混合或溶劑交換等。
於濕式分散之方法中，尤佳的是利用分散介質進行分散者。
作為利用分散介質進行分散之分散裝置，可使用眾所周知之任一種分散裝置進行分散。若舉出利用分散介質進行分散之分散裝置之例，則可舉出：卵石磨機(pebble mill)、球磨機、砂磨機、篩磨機(screen mill)、凹口研磨機(gap mill)、振磨機、塗料振盪器、磨碎機等。該等中，較佳的是可使金屬氧化物粒子循環分散者。又，就分散效率、到達粒徑之細度、連續運轉之簡易度等方面而言，尤佳的是例如砂磨機、篩磨機、凹口研磨機等濕式攪拌球磨機。再者，上述之該等研磨機，可為縱型、橫型中任一種。又，研磨機之圓盤形狀，可使用平板型、垂直銷型、水平銷型等任意者。較佳的是使用液體循環型砂磨機。
再者，該等分散裝置可僅以1種實施，亦可任意組合2種以上而實施。
又，利用分散介質進行分散時，可藉由使用具有既定平均粒徑之分散介質，而將底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及上述累積90%粒徑限制於上述範圍內。
即，於本發明之底塗層形成用塗佈液之製造方法中，於在濕式攪拌球磨機中進行金屬氧化物粒子之分散之情況，作為該濕式攪拌球磨機之分散介質，使用平均粒徑通常為5 μm以上，較佳的是10 μm以上，又，通常為200 μm以下，較佳的是100 μm以下之分散介質。小粒徑之分散介質存在可以短時間製作均勻分散液之傾向，但若粒徑變得過小，則分散介質之質量變得過小，存在無法高效分散之可能性。
又，一般認為，使用具有上述平均粒徑之分散介質，係可藉由上述製造方法，而將底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積90%粒徑限制於所需範圍內的一個原因。因此，使用於濕式攪拌球磨機中使用具有上述平均粒徑之分散介質進行分散的金屬氧化物粒子而製造之底塗層形成用塗佈液，良好滿足本發明之底塗層形成用塗佈液之必要條件。
分散介質通常為接近於圓球之形狀，故例如可藉由JIS Z 8801：2000等中所揭示之利用篩進行篩分之方法、或以圖像分析進行測定而求出平均粒徑，可藉由阿基米德法測定密度。具體而言，例如可利用以Nireco(股)製造之LUZEX50等為代表之圖像分析裝置，測定分散介質之平均粒徑及圓球度。
對分散介質之密度並無限制，通常使用5.5 g/cm3 以上者，較佳的是使用5.9 g/cm3 以上者，更佳的是使用6.0 g/cm3 以上者。一般而言，使用密度更高之分散介質進行分散，存在可以短時間製作均勻分散液之傾向。作為分散介質之圓球度，較佳的是1.08以下者，更佳的是使用具有1.07以下之圓球度之分散介質。
作為分散介質之材質，若為不溶於上述漿料所含之分散溶劑，且比重大於上述漿料者，不與漿料反應，或不使漿料變質者，則可使用眾所周知之任何分散介質。作為其例，可舉出：鉻球(球軸承用鋼球)、碳球(碳鋼球)等鋼球；不銹鋼球；氮化矽、碳化矽、氧化鋯、氧化鋁等陶瓷球；以氮化鈦、碳氮化鈦等膜包覆之球等。該等中，較佳的是陶瓷球，尤佳的是氧化鋯煅燒球。更具體而言，尤佳的是使用專利第3400836號公報中所揭示之氧化鋯煅燒珠。
再者，分散介質可僅使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
又，於上述濕式攪拌球磨機中，尤佳的是使用具備如下者：筒形定子；設於定子一端之漿料供給口；設於定子另一端之漿料排出口；將填充於定子內之分散介質以及自供給口供給之漿料攪拌混合之轉子；連接於排出口，並且設置為可旋轉，用以利用離心力作用將分散介質與漿料分離，使漿料自排出口排出的分離器。
此處，漿料至少含有金屬氧化物粒子及分散溶劑。
以下，就該濕式攪拌球磨機之構成加以詳細說明。
定子係內部具有中空部之筒形(通常為圓筒形狀)容器，於其一端形成漿料供給口，於其另一端形成漿料排出口。進而，於內部之中空部填充有分散介質，利用該分散介質，將漿料中之金屬氧化物粒子進行分散。又，自供給口向定子內供給漿料，定子內之漿料自排出口排出定子外。
又，轉子設於定子內部，係將上述分散介質及漿料攪拌混合者。再者，作為轉子之類型，例如有銷、圓盤、環型等，可使用任一種類型之轉子。
進而，分離器係將分散介質與漿料分離者。該分離器以連接於定子排出口之方式設置。並且以將定子內之漿料及分散介質分離，將漿料自定子之排出口送出於定子外部之方式構成。
又，此處所使用之分離器係設置成可旋轉者，較理想為葉輪型者，利用由分離器之旋轉而產生之離心力作用，將分散介質與漿料分離。
再者，分離器可設置成與上述轉子成為一體而旋轉，亦可與轉子分別獨立旋轉。
又，濕式攪拌球磨機較佳的是具備成為上述分離器之旋轉軸之軸。進而，較佳的是於該軸之軸心，形成與排出口相通之中空排出通路。即，以至少具備如下構件之方式構成濕式攪拌球磨機：圓筒形定子；設於定子一端之漿料供給口；設於定子另一端之漿料排出口；將填充於定子內之分散介質以及自供給口供給之漿料攪拌混合之轉子；連接於排出口，並且設置為可旋轉，用以利用離心力作用將分散介質與漿料分離，使漿料自排出口排出的葉輪型分離器；成為分離器之旋轉軸之軸；進而較佳的是於軸之軸心，形成與排出口相通之中空排出通路。
於軸中所形成之上述排出通路，連通分離器之旋轉中心與定子之排出口。因此，通過上述排出通路，利用分離器將自分散介質分離之漿料送出至排出口，自排出口排出定子外部。此時，上述排出通路通過軸之軸心，軸心中並無離心力作用，因此漿料以不具有動能之狀態排出。因此並未浪費地放出動能，未消耗無用之動力。
如此濕式攪拌球磨機可為橫向，但為提高分散介質之填充率，較佳的是縱向。此時，排出口較佳的是設於研磨機上端。進而，此時，較理想為分離器亦設於分散介質填充高度上方。
於將排出口設於研磨機上端之情況，將供給口設於研磨機底部。該情況下，作為更佳之態樣，供給口係以閥座，以及以可升降之方式嵌合於閥座，且可與閥座之邊緣進行線接觸之V形、梯形或圓錐狀之閥體構成。藉此，可於閥座之邊緣與閥體之間形成分散介質無法通過之環狀狹縫。因此，可於供給口供給漿料，又可防止分散介質之落入。又，可藉由使閥體上升，而擴大狹縫以排出分散介質，或者可藉由使閥體下降，而封閉狹縫以密封研磨機。進而，因狹縫形成於閥體與閥座之邊緣，故漿料中之粗粒子(金屬氧化物粒子)難以卡入，即使卡入亦易於上下脫離而難以產生堵塞。
又，若利用振動手段使閥體上下振動，則可使卡入狹縫之粗粒子自狹縫脫離，因此卡入本身難以產生。並且，藉由閥體振動而對漿料施加剪力以降低黏度，可增加漿料於上述狹縫中之通過量(即，供給量)。對使閥體振動之振動手段並無限制，例如，除振動器等機械手段之外，可使用使作用於與閥體成為一體之活塞的壓縮空氣之壓力變動之手段，例如往復式壓縮機、切換壓縮空氣之吸排的電磁切換閥等。
於如此濕式攪拌球磨機中，又，較佳的是於底部設置分離分散介質之篩、及漿料取出口，以使分散結束後，可取出濕式攪拌球磨機內所殘留之漿料。
又，將濕式攪拌球磨機縱向設置，將軸支持於定子上端，並且於定子上端的支承軸之軸承部，設置O環、及具有匹配環之機械軸封，進而，於軸承部形成O環所嵌合之環狀溝，於該環狀溝安裝O環，於該情況下，較佳的是於該環狀溝之下側部，形成向下方張開之錐狀切入。即，濕式攪拌球磨機係具備如下者而構成：圓筒形之縱型定子，設於定子底部之漿料供給口，設於定子上端之漿料排出口，支持於定子上端、且以電動機等驅動手段進行旋轉驅動之軸，固定於軸、且將填充於定子內之分散介質以及自供給口供給之漿料攪拌混合之銷、圓盤或環型轉子，設於排出口附近、自漿料中分離分散介質之分離器，設於定子上端之支承軸的軸承部之機械軸封；並且較佳的是於與機械軸封之匹配環接觸之O環嵌合的環狀溝之下側部，形成向下方張開之錐狀切入。
根據上述濕式攪拌球磨機，藉由將機械軸封設置於分散介質或漿料幾乎不具有動能之軸心部，並且設置於彼等之液面水準上方之定子上端，可於機械軸封之匹配環與O環嵌合溝下側部之間，大幅減少分散介質或漿料進入。
而且，O環所嵌合之環狀溝之下側部，藉由切入而向下方張開，間隙擴大，因此難以產生因漿料或分散介質進入發生卡入、或固化而引起之堵塞，匹配環對密封環之跟追順利進行，而維持機械軸封之功能。再者，O環所嵌合之嵌合溝下側部形成剖面V形，整體並不薄，故並不損害強度，亦未損害O環之保持功能。
又，尤佳的是，上述分離器具備：於對向之內側面具備葉片之嵌合溝之兩片圓盤、嵌合於上述嵌合溝且介於圓盤間之葉片、自兩側夾持使葉片介於中間之上述圓盤的支持手段而構成。即，作為上述濕式攪拌球磨機係具備以下者而構成：筒形定子，設於上述定子一端之漿料之供給口，設於上述定子之另一端之上述漿料排出口，將填充於上述定子內之上述分散介質以及自上述供給口供給之漿料攪拌混合之轉子，連接於上述排出口並且於上述定子內設置成可旋轉、用以利用離心力作用將上述分散介質與上述漿料分離、使上述漿料自上述排出口排出的分離器；並且較佳的是於上述分離器中，具備於對向之內側面具備葉片之嵌合溝之兩片圓盤、嵌合於上述嵌合溝且介於上述圓盤間之上述葉片、自兩側夾持使上述葉片介於中間之上述圓盤的支持手段。此時，於較佳態樣中，支持手段包括形成分格軸之軸的格子、嵌合於軸而按壓圓盤之圓筒狀按壓手段，以利用軸之格子及按壓手段自兩側夾持使葉片介於中間之圓盤而支持之方式構成。利用如此濕式攪拌球磨機，可易於將底塗層中之金屬氧化物粒子限制於上述體積平均粒徑及累積90%粒徑範圍內。又，此處，分離器較佳的是葉輪型構成。
以下，為更具體地說明上述縱型濕式攪拌球磨機之構成，而舉出濕式攪拌球磨機之一實施形態進行說明。其中，用以製造本發明之底塗層用塗佈液的攪拌裝置，並不限定於此處所例示者。
圖7係示意性表示該實施形態之濕式攪拌球磨機之構成的縱剖面圖。於圖7中，漿料(圖示省略)以如下方式進行循環粉碎：供給至縱型濕式攪拌球磨機中，以該研磨機與分散介質(圖示省略)一同攪拌而粉碎後，以分離器14分離分散介質，通過形成於軸15之軸心的排出通路19排出後，沿返迴路徑(圖示省略)返回。
縱型濕式攪拌球磨機如圖7詳細所示，包括：定子17，其係縱向圓筒形，且其具備用以冷卻研磨機之冷卻水所通過之套管16；軸15，其位於定子17之軸心，於定子17上部以可旋轉之方式軸承，並且於軸承部具有圖8(後述)中所示之機械軸封，且將上側部之軸心作為中空之排出通路19；銷或圓盤狀轉子21，其於軸15之下端部徑向突出設置；滑輪24，其固著於軸15之上部，以傳達驅動力；旋轉接頭25，其安裝於軸15上端之開口端；分離器14，其係於定子17內之上部附近固著於軸15上，用以分離介質；漿料供給口26，其與軸15之軸端對向而設置於定子17之底部；分離分散介質之篩28，其置於格子狀篩支架27上，該篩支架27設置於設於定子17底部之偏心位置之漿料取出口29。
分離器14包括以一定間隔而固著於軸15上之一對圓盤31、及連結兩圓盤31之葉片32，構成葉輪，與軸15一同旋轉而賦予進入圓盤31之間之分散介質及漿料以離心力，利用其比重差使分散介質於徑向上向外飛出，另一方面，通過軸15之軸心的排出通路19排出漿料。
漿料之供給口26包括以可升降之方式嵌合於形成於定子17底部之閥座的倒梯形閥體35、及自定子17底部向下突出之有底圓筒體36，若為供給漿料而向上推閥體35，則於閥座之間形成環狀狹縫(未圖示)，藉此漿料供給至定子17內。
原料供給時之閥體35，利用送入圓筒體36內之漿料的供給壓，抵抗研磨機內之壓力而上升，於閥座之間形成狹縫。
為消除狹縫處之堵塞，反覆進行閥體35以短週期上升至上限位置之上下振動，可消除卡入。該閥體35之振動可經常進行，亦可於漿料中含有大量粗粒子之情況下進行，又，亦可於由堵塞而引起漿料之供給壓上升時，與其連動而進行。
機械軸封如圖8詳細所示，利用彈簧102之作用將定子側之匹配環101壓著於固定於軸15之密封環100上，定子17與匹配環101之密封，係藉由嵌合於定子側之嵌合溝103的O環104而進行者，於圖8中，於O環嵌合溝103之下側部，具有向下張開之錐狀切入(未圖示)，嵌合溝103之下側部與匹配環101之間的間隙最小部分之長度「a」狹窄，因此不產生以下情況：介質或漿料進入而固化，使匹配環101之活動受阻，與密封環100之間之密封受損。
於上述實施形態中，轉子21與分離器14固定於相同之軸15上，於其他實施形態中固定於配置於同軸上之不同軸，各自進行旋轉驅動。於將轉子及分離器安裝於相同軸上之上述圖示之實施形態中，驅動裝置只要一個即可，因此構造簡單，與此相對，於將轉子及軸安裝於不同軸，以不同驅動裝置進行旋轉驅動之後者實施形態中，可分別以最佳旋轉數使轉子與分離器驅動。
圖9所示之球磨機，係將軸105設為分格軸，自軸下端嵌插分離器106，繼而交替嵌插分隔件107及圓盤或銷狀轉子108後，於軸下端以螺釘110固定塞子109，以軸105之格子105a及塞子109夾入分離器106、分隔件107及轉子108而連結固定，分離器106如圖10所示，包括：於對向內側之面上分別形成葉片嵌合溝114之一對圓盤115、介於兩圓盤間而嵌合於葉片嵌合溝114之葉片116、及使兩圓盤115維持一定間隔且形成通往排出通路111之孔112的環狀分隔件113，構成葉輪。
再者，作為具有本實施形態中所例示之構造的濕式攪拌球磨機，具體而言，例如可舉出壽工業股份有限公司製造之Ultra Apex Mill。
本實施形態之濕式攪拌球磨機以如上方式構成，因此進行漿料分散時，根據以下順序進行。即，於本實施形態之濕式攪拌球磨機之定子17內填充分散介質(未圖示)，以外部動力驅動，轉子21及分離器14旋轉驅動，另一方面，漿料以一定量輸送至供給口26。藉此，通過形成於閥座邊緣與閥體35之間之狹縫(未圖示)向定子17內供給漿料。
藉由轉子21之旋轉而攪拌混合定子17內之漿料及分散介質，進行漿料之粉碎。又，藉由分離器14之旋轉，進入分離器14內之分散介質及漿料因比重差而分離，比重較重之分散介質於徑向上向外飛出，與此相對，比重較輕之漿料通過形成於軸15之軸心的排出通路19排出，回到原料槽中。於粉碎進行到一定程度之階段，適當測定漿料之粒度，若達所需粒度，則暫且停止原料泵，繼而停止研磨機之運轉，結束粉碎。
又，於使用濕式攪拌球磨機使金屬氧化物粒子分散之情況，對填充於濕式攪拌球磨機內之分散介質的填充率並無限制，若可使金屬氧化物粒子進行分散至具有所需之粒度分布，則為任意。其中，於使用上述縱型濕式攪拌球磨機使金屬氧化物粒子分散之情況，填充於濕式攪拌球磨機內之分散介質的填充率通常為50%以上，較佳的是70%以上，更佳的是80%以上；又，通常100%以下，較佳的是95%以下，更佳的是90%以下。
適用於使金屬氧化物粒子分散之濕式攪拌球磨機，分離器可為篩或狹縫機構，如上所述，較理想為葉輪型者，較佳的是縱型。較理想為濕式攪拌球磨機為縱向，且將分離器設置於研磨機上部，尤其若將分散介質之填充率設定於上述範圍內，則可進行最有效之粉碎，且可使分離器位於介質填充高度上方，亦有可防止分散介質附著於分離器而排出之效果。
又，適用於分散金屬氧化物粒子之濕式攪拌球磨機的運轉條件，影響底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子的體積平均粒徑及累積90%粒徑、底塗層形成用塗佈液之穩定性、塗佈該底塗層形成用塗佈液而形成之底塗層的表面形狀、具有塗佈該底塗層形成用塗佈液而形成之底塗層的電子照片感光體之特性。尤其可舉出漿料供給速度、及轉子之旋轉速度作為影響較大者。
漿料之供給速度與濕式攪拌球磨機中漿料滯留之時間有關，因此受研磨機之容積及其形狀之影響，於通常所使用之定子之情況，每1升(以下，簡記為L)之濕式攪拌球磨機容積，通常為20kg/hr以上、較佳的是30kg/hr以上，又，通常為80kg/hr以下、較佳的是70kg/hr以下之範圍。
又，轉子之旋轉速度受轉子形狀或與定子之間隙等參數的影響，於通常所使用之定子及轉子之情況，轉子前端部之圓周速度通常為5 m/sec以上、較佳的是8 m/sec以上、更佳的是10 m/sec以上，又，通常為20 m/sec以下、較佳的是15 m/sec以下、更佳的是12 m/sec以下之範圍。
進而，對分散介質之使用量並無限制。其中，分散介質通常相對於漿料，以容積比計使用1~5倍。除分散介質以外，亦可並用分散後可易於除去之分散助劑而實施。作為分散助劑之例，可舉出食鹽、芒硝等。
又，金屬氧化物粒子之分散較佳的是於分散溶劑之共存下以濕式進行。又，只要可適當分散金屬氧化物粒子，則可使除分散溶劑以外之成分共存。作為如此可共存之成分，例如可舉出黏合劑樹脂或各種添加劑等。
作為分散溶劑，並未特別限制，若使用上述底塗層形成用塗佈液中所使用之溶劑，則分散後無需經過溶劑交換等步驟，故較佳。該等分散溶劑可單獨使用任1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上，用作混合溶劑。
就生產性之觀點而言，分散溶劑之使用量相對於1重量份成為分散對象之金屬氧化物，通常為0.1重量份以上、較佳的是1重量份以上，又，通常為500重量份以下、較佳的是100重量份以下之範圍。
又，作為機械性分散時之溫度，可於溶劑(或混合溶劑)之凝固點以上、沸點以下之溫度下進行，就製造時之安全性方面而言，通常於10℃以上、200℃以下之範圍內進行。
較佳的是於使用分散介質之分散處理後，自漿料中分離．除去分散介質，進而實施超音波處理。超音波處理係對金屬氧化物粒子施加超音波振動者。
對振動頻率等超音波處理時之條件並無特別限制，以通常為10 kHz以上、較佳的是15 kHz以上，又，通常為40 kHz以下、較佳的是35 kHz以下之頻率的振盪器施加超音波振動。
又，對超音波振盪機之輸出功率並無特別限制，通常使用100 W~5 kW者。
進而，通常，與以藉由大輸出功率超音波振盪機之超音波處理大量漿料相比，以藉由小輸出功率超音波振盪機之超音波處理少量漿料時的分散效率佳。因此，一次處理之漿料量通常為1 L以上，較佳的是5 L以上，更佳的是10 L以上；又，通常50 L以下，較佳的是30 L以下，更佳的是20 L以下。又，該情況之超音波振盪機之輸出功率，較佳的是200 W以上，更佳的是300 W以上，更佳的是500 W以上；又，較佳的是3 kW以下，更佳的是2 kW以下，更佳的是1.5 kW以下。
對金屬氧化物粒子施加超音波振動的方法並無特別限制，例如可舉出：於容納漿料之容器中直接浸漬超音波振盪機之方法、於容納漿料之容器外壁接觸超音波振盪機之方法、於藉由超音波振盪機而產生振動之液體中浸漬容納漿料之容器的方法等。該等方法中，較適合的是使用於藉由超音波振盪機而產生振動之液體中浸漬容納漿料之容器的方法。
上述情況下，對藉由超音波振盪機而產生振動之液體並無限制，例如可舉出：水；甲醇等醇類；甲苯等芳香族烴類；聚矽氧油等油脂類。其中，若就製造上之安全性、成本、清洗性等方面而言，則較佳的是使用水。
於藉由超音波振盪機而產生振動之液體中浸漬容納漿料之容器的方法中，由該液體之溫度引起超音波處理之效率變化，因此較佳的是將該液體之溫度保持恆定。存在由於所施加之超音波振動而使產生振動之液體的溫度上升之情況。該液體之溫度較佳的是於通常為5℃以上、較佳的是10℃以上、更佳的是15℃以上，又，通常為60℃以下、較佳的是50℃以下、更佳的是40℃以下之溫度範圍內進行超音波處理。
對超音波處理時容納漿料之容器並無限制。例如，若為通常用於裝入用於形成電子照片感光體用感光層之底塗層形成用塗佈液的容器，則可使用任一種容器。若舉出具體例，則可舉出：聚乙烯、聚丙烯等樹脂製容器，或者玻璃製容器、金屬製罐等。該等中較佳的是金屬製罐，尤其適合使用JIS Z 1602中所規定之18升之金屬製罐。其原因在於，難以被有機溶劑侵入，且耐衝擊。
又，為除去粗大粒子，分散後之漿料、或超音波處理後之漿料視需要於過濾後使用。作為該情況下之過濾介質，通常可使用用以過濾之纖維素纖維、樹脂纖維、玻璃纖維等任一種過濾材料。作為過濾介質之形態，根據過濾面積大效率佳等理由，較佳的是於芯材上捲有各種纖維之所謂捲繞式過濾器(wind filter)。作為芯材，可使用先前眾所周知之任一種芯材，可舉出：不銹鋼芯材、聚丙烯等不溶於上述漿料或漿料含有之溶劑中的樹脂製芯材等。
以如此方式獲得之漿料，可視需要而使其進一步含有溶劑、黏合劑樹脂(黏結劑)、其他成分(助劑等)等，製成底塗層形成用塗佈液。再者，金屬氧化物粒子可於上述分散或超音波處理之步驟前、步驟中及步驟後之任一階段中，與底塗層形成用塗佈液用溶劑及黏合劑樹脂、以及視需要所使用之其他成分混合。因此，金屬氧化物粒子與溶劑、黏合劑樹脂、其他成分等之混合未必於分散或超音波處理後進行。
根據以上所說明之本發明之底塗層形成用塗佈液之製造方法，可高效生產本發明之底塗層形成用塗佈液，並且獲得保存穩定性更高之底塗層形成用塗佈液。因此，可高效獲得更高品質之電子照片感光體。
[III－3.底塗層之形成]
可藉由將本發明之底塗層形成用塗佈液塗佈於導電性基體上進行乾燥，而形成本發明之底塗層。對塗佈本發明之底塗層形成用塗佈液之方法並無限制，例如可舉出：浸漬塗佈、噴射塗佈、噴嘴塗佈、螺旋塗佈、環塗佈、棒式塗佈、輥式塗佈、亂刀塗佈等。再者，該等塗佈法可僅實施1種，亦可任意組合2種以上而實施。
作為噴射塗佈法，例如有：空氣噴射法、無氣噴射法、靜電空氣噴射法、靜電無氣噴射法、旋轉霧化式靜電噴射法、熱噴法、熱無氣噴射法等。又，若考慮用以獲得均勻膜厚之微粒化度、附著效率等，較佳的是於旋轉霧化式靜電噴射法中，實施日本專利再公表平1－805198號公報中所揭示之搬送方法，即，一邊使圓筒狀工件旋轉，一面於其軸方向上無間隔地連續搬送。藉此，綜合而言，可以高附著效率獲得底塗層之膜厚均勻性優異之電子照片感光體。
作為螺旋塗佈法，有日本專利特開昭52－119651號公報中所揭示之使用注液塗佈機或簾幕式塗佈機之方法、日本專利特開平1－231966號公報中所揭示之使塗料自微小開口部以條狀連續飛射之方法、日本專利特開平3－193161號公報中所揭示之使用多噴嘴體之方法等。
於浸漬塗佈法之情況，通常，底塗層形成用塗佈液之總固形分濃度通常為1重量%以上、較佳的是10重量%以上，通常設於50重量%以下、較佳的是35重量%以下之範圍內，將黏度設於較佳的是0.1 cps以上，又，較佳的是100 cps以下之範圍內。再者，1 cps＝1×10－3 Pa．s。
塗佈後，乾燥塗佈膜，較佳的是調整乾燥溫度、時間，以進行必需且充分之乾燥。乾燥溫度通常為100℃以上、較佳的是110℃以上、更佳的是115℃以上，又，通常為250℃以下、較佳的是170℃以下、更佳的是140℃以下之範圍。對乾燥方法並無限制，例如可使用熱風乾燥機、蒸汽乾燥機、紅外線乾燥機及遠紅外線乾燥機等。
[IV.感光層]
感光層之構成可採用可應用於眾所周知之電子照片感光體的任何構成。若舉出具體例，則可舉出：具有使光導電性材料溶解或分散於黏合劑樹脂中之單層感光層(即，單層型感光層)的所謂單層型感光體；具有包括將含有電荷產生物質之電荷產生層、及含有電荷傳輸物質之電荷傳輸層積層而成之複數層的感光層(即，積層型感光層)之所謂積層型感光體等。已知一般而言，光導電性材料無論為單層型抑或積層型，於功能方面可表現同等性能。
本發明之電子照片感光體所具有之感光層可為眾所周知之任一種形態，就感光體之機械物性、電氣特性、製造穩定性等方面綜合而言，較佳的是積層型感光體。尤其是更佳的是於導電性基體上依序積層有底塗層、電荷產生層及電荷傳輸層之順積層型感光體。
[IV－1.電荷產生物質]
作為本發明中用於電子照片感光體之電荷產生物質，可使用自先前提案用於本用途之任意物質。作為如此之物質，例如可舉出：偶氮系顏料、酞菁系顏料、花蒽酮系顏料、喹吖啶酮系顏料、花青素系顏料、吡喃鎓系顏料、噻喃(thiapyrylium)系顏料、靛藍系顏料、多環醌系顏料、方酸系顏料等。尤佳的是酞菁顏料、或者偶氮顏料。酞菁顏料於可獲得對較長波長之雷射光具有高靈敏度之感光體的方面優異，又，偶氮顏料於對白色光及較短波長之雷射光具有充分靈敏度的方面亦優異。
本發明中，使用酞菁系化合物作為電荷產生物質之情況下，顯示高效果，故較佳。作為酞菁系化合物之具體例，可舉出：無金屬酞菁、銅、銦、鎵、錫、鈦、鋅、釩、矽、鍺等金屬、或者其氧化物、鹵化物、氫氧化物、烷氧化物等配位之酞菁等。
又，對酞菁系化合物之結晶型並無限制，尤佳的是：作為高靈敏度結晶型之X型、τ型無金屬酞菁、A型(別稱β型)、B型(別稱α型)、D型(別稱Y型)等之氧鈦酞菁(別稱：酞菁氧鈦)、酞菁氧釩、氯銦酞菁、II型等之氯鎵酞菁、V型等之羥基鎵酞菁、G型、I型等之μ－酮基－鎵酞菁二聚物、II型等之μ－酮基－鋁酞菁二聚物。再者，該等酞菁顏料中，尤佳的是A型(β型)、B型(α型)及D型(Y型)氧鈦酞菁、II型氯鎵酞菁、V型羥基鎵酞菁、G型μ－酮基－鎵酞菁二聚物等。
進而，該等酞菁系化合物中，較佳的是：於相對於Cu Ka特性X射線之X射線繞射光譜的布拉格角(2 θ±0.2°)27.3°處顯示主要繞射波峰之酞菁氧鈦，於9.3°、13.2°、26.2°及27.1°處顯示主要繞射波峰之酞菁氧鈦，於9.2°、14.1°、15.3°、19.7°、27.1°處顯示主要繞射波峰之二羥基矽酞菁，於8.5°、12.2°、13.8°、16.9°、22.4°、28.4°及30.1°處顯示主要繞射波峰之二氯化錫酞菁，於7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°及28.3°處顯示主要繞射波峰之羥基鎵酞菁，以及於7.4°、16.6°、25.5°及28.3°處顯示主要繞射波峰之氯鎵酞菁。於該等中，尤佳的是於27.3°處顯示主要繞射波峰之酞菁氧鈦，該情況下，特佳的是於9.5°、24.1°及27.3°處顯示主要繞射波峰之酞菁氧鈦。
又，電荷產生物質可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。因此，上述酞菁系化合物，亦可僅使用單一之化合物，或以2種以上化合物之混合或混晶狀態使用。作為此處之酞菁系化合物之混合或混晶狀態，可於之後混合各個構成要素而使用，亦可於合成、顏料化、結晶化等酞菁系化合物之製造．處理步驟中產生混合狀態。作為如此之處理，例如可舉出酸糊處理．磨碎處理．溶劑處理等。對用以產生混晶狀態之方法並無限制，例如可舉出：如日本專利特開平10－48859號公報所揭示，將2種結晶混合後進行機械性磨碎、不定形化之後，藉由溶劑處理轉變為特定結晶狀態之方法。
又，於使用酞菁系化合物之情況，可並用除酞菁系化合物以外之電荷產生物質。例如，可將偶氮顏料、苝顏料、喹吖啶酮顏料、多環醌顏料、靛藍顏料、苯并咪唑顏料、吡喃鎓鹽、噻喃鹽、方酸鹽等電荷產生物質混合使用。
電荷產生物質分散於感光層形成用塗佈液中，可於分散於該感光層形成用塗佈液中之前，預先進行前粉碎。前粉碎可使用各種裝置進行，但通常使用球磨機、砂磨機等進行。作為投入該等粉碎裝置之粉碎介質，若為於粉碎處理時，粉碎介質不會粉化，且分散處理後可易於分離者，則可使用任意者，例如可舉出：玻璃、氧化鋁、氧化鋯、不銹鋼、陶瓷等之珠或球等。前粉碎中，較佳的是粉碎至體積平均粒徑達到500 μm以下，更佳的是粉碎至250 μm以下。再者，電荷產生物質之體積平均粒徑，可藉由業者通常所用的任何方法進行測定，通常藉由普通沈降法或離心沈降法進行測定。
[IV－2.電荷傳輸物質]
對電荷傳輸物質並無限制。若舉出電荷傳輸物質之例，則可舉出：聚乙烯咔唑、聚乙烯芘、聚縮水甘油基咔唑、聚苊(polyacenaphthylene)等高分子化合物；芘、蒽等多環芳香族化合物；吲哚衍生物、咪唑衍生物、咔唑衍生物、吡唑衍生物、吡唑啉衍生物、二唑衍生物、唑衍生物、噻二唑衍生物等雜環化合物；對二乙胺基苯甲醛－N,N－二苯基腙、N－甲基咔唑－3－甲醛－N,N－二苯基腙等腙系化合物；5－(4－(二對甲苯胺基)亞苄基)－5H－二苯并(a,d)環庚烯等苯乙烯系化合物；對三甲苯胺等三芳基胺系化合物；N,N,N’,N’－四苯基聯苯胺等聯苯胺系化合物；丁二烯系化合物；二(對二甲苯胺基苯基)甲烷等三苯基甲烷系化合物等。於該等中，較佳的是使用腙衍生物、咔唑衍生物、苯乙烯系化合物、丁二烯系化合物、三芳基胺系化合物、聯苯胺系化合物、或者該等複數個鍵結者。該等電荷傳輸物質，可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
[IV－3.感光層用黏合劑樹脂]
本發明之電子照片感光體之感光層，以各種黏合劑樹脂黏結光導電性材料之形式而形成。作為感光層用黏合劑樹脂，可使用可用於電子照片感光體之眾所周知的任意黏合劑樹脂。若舉出感光層用黏合劑樹脂之具體例，則可使用：聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚酯聚碳酸酯、聚乙烯縮醛、聚乙烯乙醯縮醛、聚乙烯丙醛、聚乙烯丁醛、聚碸、聚醯亞胺、苯氧樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、聚矽氧樹脂、纖維素酯、纖維素醚、氯乙烯－醋酸乙烯酯共聚物、聚氯乙烯等乙烯聚合物、及其共聚物等。又，亦可使用該等之部分交聯硬化物。再者，感光層用黏合劑樹脂，可單獨使用1種，亦可以任意之組合及比率並用2種以上。
[IV－4.含有電荷產生物質之層]
．積層型感光體於本發明之電子照片感光體為所謂的積層型感光體之情況，含有電荷產生物質之層，通常係電荷產生層。其中，於積層型感光體中，只要不顯著損害本發明之效果，則可於電荷傳輸層中含有電荷產生物質。
對電荷產生物質之體積平均粒徑並無限制。然而，通常電荷產生物質分散於感光層形成用塗佈液中，對該分散方法並無限制，例如可舉出：球磨機分散方法、粉碎機分散法、砂磨機分散法等。此時，該感光層形成用塗佈液中之電荷產生物質之粒徑，有效的是微細化為通常0.5 μm以下、較佳的是0.3 μm以下、更佳的是0.15 μm以下。
又，電荷產生層之膜厚為任意，通常0.1 μm以上、較佳的是0.15 μm以上，又，較適合的是通常2 μm以下、較佳的是0.8 μm以下。
於含有電荷產生物質之層為電荷產生層之情況，該電荷產生層中之電荷產生物質之使用比率，相對於100重量份於電荷產生層中所含之感光層用黏合劑樹脂，通常為30重量份以上，較佳的是50重量份以上，又，通常為500重量份以下，較佳的是300重量份以下。若電荷產生物質之使用量過少，則存在作為電子照片感光體之電氣特性變得不充分之可能性，若過多則存在損害塗佈液之穩定性之可能性。
進而，可於電荷產生層中含有：用以改良成膜性、可撓性、機械強度等之眾所周知的可塑劑，用以抑制殘留電位之添加劑，用以提昇分散穩定性之分散輔助劑，用以改善塗佈性之勻平劑，界面活性劑，聚矽氧油，氟系油以及其他添加劑。再者，該等添加劑，可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
．單層型感光體於本發明之電子照片感光體為所謂的單層型感光體之情況，於以與後述之電荷傳輸層相同之調配比例之感光層用黏合劑樹脂以及電荷傳輸物質為主成分的基質中，分散上述電荷產生物質。
於用於單層型之感光層之情況，較理想的是電荷產生物質之粒徑充分小。因此，於單層型之感光層中，電荷產生物質之體積平均粒徑，通常為0.5 μm以下，較佳的是0.3 μm以下，更佳的是0.15 μm以下。
單層型感光層之膜厚為任意，通常為5 μm以上，較佳的是10 μm以上，又，通常為50 μm以下，較佳的是45 μm以下。
分散於感光層內之電荷產生物質之量為任意，若過少則存在無法獲得充分靈敏度之可能性，若過多，則存在產生帶電性降低、靈敏度降低等之可能性。因此，單層型感光層中之電荷產生物質之含有率，通常為0.5重量%以上，較佳的是1.0重量%以上，又，通常為50重量%以下，較佳的是45重量%以下。
又，於單層型感光體之感光層中亦可含有：用以改良成膜性、可撓性、機械強度等之眾所周知的可塑劑，用以抑制殘留電位之添加劑，用以提昇分散穩定性之分散輔助劑，用以改善塗佈性之勻平劑，界面活性劑，聚矽氧油，氟系油以及其他添加劑。再者，該等添加劑，可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
[IV－5.含有電荷傳輸物質之層]
於本發明之電子照片感光體為所謂的積層型感光體之情況，含有電荷傳輸物質之層，通常係電荷傳輸層。電荷傳輸層可單獨由具有電荷傳輸功能之樹脂形成，更佳的是上述電荷傳輸物質分散或者溶解於感光層用黏合劑樹脂中之構成。
電荷傳輸層之膜厚為任意，通常為5 μm以上，較佳的是10 μm以上，更佳的是15 μm以上，又，通常為60 μm以下，較佳的是45 μm以下，更佳的是27 μm以下。
另一方面，於本發明之電子照片感光體為所謂的單層型感光體之情況，單層型感光層，使用上述電荷傳輸物質分散或者溶解於黏合劑樹脂中之構成，作為分散電荷產生物質之基質。
作為用於含有電荷傳輸物質之層的黏合劑樹脂，可使用上述感光層用黏合劑樹脂。其中，若特別舉出用於含有電荷傳輸物質之層的較佳者之例，則可舉出：聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯等乙烯聚合物及其共聚物，聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、聚酯碳酸鹽、聚碸、聚醯亞胺、苯氧、環氧、聚矽氧樹脂等以及該等之部分交聯硬化物等。再者，該黏合劑樹脂可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
又，於電荷傳輸層及單層型感光層中，上述黏合劑樹脂與電荷傳輸物質之比例只要不顯著損害本發明之效果則為任意，相對於100重量份黏合劑樹脂，電荷傳輸物質，於通常為20重量份以上，較佳的是30重量份以上，更佳的是40重量份以上，又，通常為200重量份以下，較佳的是150重量份以下，更佳的是120重量份以下之範圍內使用。
進而，含有電荷傳輸物質之層，可視需要而含有受阻酚、受阻胺等抗氧化劑，紫外線吸收劑，增感劑，勻平劑，吸電子性物質等各種添加劑。再者，該等添加劑可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
[IV－6.其他層]
本發明之電子照片感光體，除上述底塗層及感光層以外，可含有其他層。
若舉例，則可設置先前眾所周知的、例如以熱可塑性或熱硬化性聚合物為主體的表面保護層或面塗層作為最表面層。
[IV－7.層形成法]
對除感光體所具有之底塗層以外之各層的形成方法並無限制，可使用任意方法。例如，如以本發明之底塗層形成用塗佈液形成底塗層之情況，使用例如浸漬塗佈方法、噴射塗佈方法、環塗佈方法等眾所周知之方法，依序塗佈將層中所含有之物質溶解或分散於溶劑中而得之塗佈液(感光層形成用塗佈液、電荷產生層形成用塗佈液、電荷傳輸層形成用塗佈液等)，使之乾燥而形成。該情況下，塗佈液可視需要而含有用以改善塗佈性之勻平劑或抗氧化劑、增感劑等各種添加劑。
對用於塗佈液之溶劑並無限制，通常使用有機溶劑。作為較佳的溶劑之例，例如可舉出：甲醇、乙醇、丙醇、1－己醇、1,3－丁二醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮類；二烷、四氫呋喃、乙二醇單甲醚等醚類；4－甲氧基－4－甲基－2－戊酮等醚酮類；苯、甲苯、二甲苯、氯苯等(鹵)芳香族烴類；乙酸甲酯、乙酸乙酯等酯類；N,N－二甲基甲醯胺、N,N－二甲基乙醯胺等醯胺類；二甲亞碸等亞碸類。又該等溶劑中，可尤佳地使用醇類、芳香族烴類、醚類、醚酮類。又，作為更佳者，可舉出：甲苯、二甲苯、1－己醇、1,3－丁二醇、四氫呋喃、4－甲氧基－4－甲基－2－戊酮等。
上述溶劑可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。作為尤佳的混合並用2種以上之溶劑之例，可舉出醚類、醇類、醯胺類、亞碸類、醚酮類等，其中，較佳的是1,2－二甲氧乙烷等醚類、1－丙醇等醇類。尤佳的是醚類。尤其是考慮到於以酞菁氧鈦作為電荷產生物質而製造塗佈液時，該酞菁之結晶形穩定化能力、分散穩定性等方面。
再者，對用於塗佈液之溶劑之量並無限制，根據塗佈液之組成或塗佈方法等，使用適當量即可。
[V.本發明之電子照片感光體之優點]
本發明之電子照片感光體，可防止由於曝光之光的干涉所產生之條紋，並且不出現黑點、色點、黑條紋等圖像缺陷，可獲得良好之圖像。又，亦可能獲得如以下之優點。
即，即使於各種使用環境下亦可形成高畫質之圖像，且，耐久穩定性優異。因此，本發明之電子照片感光體，於用於圖像形成之情況，可抑制因環境而產生之影響，並形成高品質之圖像。
進而，習知之電子照片感光體，於底塗層上含有氧化物粒子凝集而成的粗大金屬氧化物粒子，存在由於該粗大金屬氧化物粒子，而於圖像形成時產生缺陷之可能性。進而，於使用接觸式者作為帶電手段之情況，亦存在於感光層進行帶電時，電荷經由該金屬氧化物粒子自感光層移動至導電性基體，變得無法進行正確帶電之可能性。但，本發明之電子照片感光體，具備使用平均粒徑非常小，且，具有良好粒徑分布的金屬氧化物粒子之底塗層，故可抑制缺陷或無法適當帶電，可形成高品質之圖像。
[VI.圖像形成裝置]
其次，就使用本發明之電子照片感光體的圖像形成裝置(本發明之圖像形成裝置)之實施形態，使用表示裝置主要部分構成之圖11加以說明。其中，實施形態並不限定於以下說明，只要不脫離本發明之要旨，可任意變形後實施。
如圖11所示，圖像形成裝置係具備電子照片感光體201、帶電裝置(帶電手段)202、曝光裝置(曝光手段；圖像曝光手段)203、顯影裝置(顯影手段)204及轉印裝置(轉印手段)205而構成，進而，視需要設置清潔裝置(清潔手段)206及固定裝置(固定手段)207。
又，於本發明之圖像形成裝置中，具備上述本發明之電子照片感光體作為感光體201。即，本發明之圖像形成裝置，係具備電子照片感光體、使該電子照片感光體帶電之帶電手段、對帶電之該電子照片感光體進行圖像曝光以形成靜電潛像之圖像曝光手段、以碳粉使上述靜電潛像顯影之顯影手段、將上述碳粉轉印於被轉印體上之轉印手段的圖像形成裝置；作為該電子照片感光體，係於表面之最大高度粗度Rz為0.8≦Rz≦2 μm之導電性基體上，具有含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之底塗層、及形成於該底塗層上之感光層者，將該底塗層分散於以7：3之重量比混合有甲醇及1－丙醇之溶劑中而得之液體中的該金屬氧化物粒子之以動態光散射法測定之體積平均粒徑為0.1 μm以下，且累積90%粒徑為0.3 μm以下。
電子照片感光體201若為上述本發明之電子照片感光體，則無特別限制，於圖11中作為其一例，舉出於圓筒狀導電性基體之表面形成上述感光層之鼓狀感光體。沿該電子照片感光體201之外周面，分別配置帶電裝置202、曝光裝置203、顯影裝置204、轉印裝置205及清潔裝置206。
帶電裝置202係使電子照片感光體201帶電者，其使電子照片感光體201之表面均勻帶電至既定電位。為有效應用本發明之效果，較佳的是帶電裝置與電子照片感光體201接觸配置。於圖11中，舉出輥型帶電裝置(帶電輥)作為帶電裝置202之一例，此外常使用corotron(電暈器)或scorotron(柵控電暈器)等電暈帶電裝置、帶電刷等接觸型帶電裝置等。
再者，電子照片感光體201及帶電裝置202於多數情況下，作為具備該二者之匣(以下適當稱為感光體匣)，設計成可自圖像形成裝置之本體卸除。因此，例如於電子照片感光體201或帶電裝置202劣化之情況，可自圖像形成裝置本體卸除該感光體匣，將其他新感光體匣安裝於圖像形成裝置本體。又，後述碳粉於多數情況下，積存於碳粉匣中，設計成可自圖像形成裝置本體卸除，於所使用之碳粉匣中之碳粉用完之情況，可自圖像形成裝置本體卸除該碳粉匣，安裝其他新碳粉匣。進而，亦可使用電子照片感光體201、帶電裝置202、碳粉全部具備之匣。
曝光裝置203若為可對電子照片感光體201進行曝光(圖像曝光)於電子照片感光體201之感光面形成靜電潛像者，則對其種類並無特別限制。作為具體例，可舉出：鹵素燈、螢光燈、半導體雷射或He－Ne雷射等雷射、LED(發光二極體)等。又，亦可以感光體內部曝光方式進行曝光。進行曝光時之光為任意，例如，以波長為780nm之單色光、波長為600nm~700nm之稍偏短波長之單色光、波長為350nm~600nm之短波長單色光等進行曝光即可。該等中，較佳的是以波長為350nm~600nm之短波長單色光等進行曝光，更佳的是以波長為380nm~500nm之單色光進行曝光。
顯影裝置204係將上述靜電潛像顯影者。對其種類並無特別限制，可使用：乾粉顯影、單組分導電碳粉顯影、雙組分磁刷顯影等乾式顯影方式或濕式顯影方式等之任意裝置。圖11中，顯影裝置204包括顯影槽241、攪拌器242、供給輥243、顯影輥244及控制構件245，成為碳粉T積存於顯影槽241之內部之構成。又，視需要，可使顯影裝置204附帶補給碳粉T之補給裝置(未圖示)。該補給裝置之構成為可自瓶、匣等容器中補給碳粉T。
供給輥243由導電性海綿等形成。顯影輥244包括：鐵、不銹鋼、鋁、鎳等金屬輥，或者於上述金屬輥上包覆聚矽氧樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、氟樹脂等之樹脂輥等。可視需要對該顯影輥244之表面進行平滑加工或粗糙加工。
顯影輥244配置於電子照片感光體201與供給輥243之間，分別抵接於電子照片感光體201及供給輥243。供給輥243及顯影輥244藉由旋轉驅動機構(未圖示)旋轉。供給輥243負載有所積存之碳粉T，供給至顯影輥244。顯影輥244負載有由供給輥243供給之碳粉T，使其與電子照片感光體201之表面接觸。
控制構件245由聚矽氧樹脂或胺基甲酸乙酯樹脂等樹脂葉片，不銹鋼、鋁、銅、黃銅、磷青銅等金屬葉片，或者於上述金屬葉片上包覆樹脂之葉片等形成。該控制構件245抵接於顯影輥244，藉由彈簧等以既定力向顯影輥244側擠壓(一般之葉片線壓為5~500g/cm)。視需要，可使該控制構件245具備藉由與碳粉T之摩擦帶電而使碳粉T帶電之功能。
攪拌器242藉由旋轉驅動機構分別旋轉，以攪拌碳粉T，並且將碳粉T搬送至供給輥243側。攪拌器242可改變翼之形狀、大小等，設置複數種。
碳粉T之種類為任意，除粉狀碳粉以外，可使用利用懸浮聚合法或乳化聚合法等之聚合碳粉等。尤其是於使用聚合碳粉之情況，較佳的是粒徑4~8 μm左右之小粒徑者，又，碳粉之粒子形狀亦可使用自接近於球形者至馬鈴薯狀之不符合球形者的各種形狀。聚合碳粉之帶電均勻性、轉印性優異，適用於高畫質化。
轉印裝置205，對其種類並無特別限制，可使用：利用電暈轉印、輥轉印、帶轉印等靜電轉印法，壓力轉印法，黏著轉印法等任意方式之裝置。此處，轉印裝置205係由與電子照片感光體201對向配置之轉印充電器、轉印輥、轉印帶等構成者。該轉印裝置205，係以與碳粉T之帶電電位相反之極性施加既定電壓值(轉印電壓)，將形成於電子照片感光體201上之碳粉像轉印至轉印材料(被轉印體、紙張、介質)P上者。於本發明中，於轉印裝置205經由轉印材料而接觸配置於感光體之情況下有效。
對清潔裝置206並無特別限制，可使用清潔刷、磁力清潔刷、靜電清潔刷、磁力清潔輥、清潔刀片等任意之清潔裝置。清潔裝置206係以清潔構件去除附著於感光體201之殘留碳粉，且回收殘留碳粉者。其中，於殘留於感光體表面之碳粉少，或幾乎無之情況，亦可無清潔裝置206。
固定裝置207包括上部固定構件(固定輥)271及下部固定構件(固定輥)272，於固定構件271或272之內部具備加熱裝置273。再者，於圖11中，舉出於上部固定構件271之內部具備加熱裝置273之例。上部及下部之各固定構件271、272可使用：於不銹鋼、鋁等之金屬素管上包覆矽膠之固定輥，進而以氟樹脂包覆之固定輥、固定板等眾所周知之熱固定構件。進而，為提高脫模性，各固定構件271、272可設為供給聚矽氧油等脫模劑之構成，亦可設為以彈簧等相互強制性施加壓力之構成。
轉印至記錄紙P上之碳粉，通過加熱至既定溫度之上部固定構件271與下部固定構件272之間時，碳粉被熱加熱至熔融狀態，通過後加以冷卻而將碳粉固定至記錄紙P上。
再者，關於固定裝置，亦對其種類無特別限定，以此處所使用者為代表，可設置熱輥固定、閃光固定、熱熔固定、加壓固定等藉由任意方式之固定裝置。
於以如上所述之方式構成之電子照片裝置中，以如下方式進行圖像之記錄。即，首先感光體201之表面(感光面)藉由帶電裝置202而帶電至既定電位(例如－600 V)。此時，亦可藉由直流電壓而使其帶電，亦可將交流電壓重疊於直流電壓而使其帶電。
繼而，將帶電感光體201之感光面，根據欲記錄之圖像，以曝光裝置203進行曝光，於感光面形成靜電潛像。繼而，以顯影裝置204進行形成於該感光體201之感光面上的靜電潛像之顯影。
顯影裝置204將由供給輥243供給之碳粉T，以控制構件(顯影葉片)245進行薄層化，並且使其摩擦帶電至既定極性(此處與感光體201之帶電電位為相同極性，為負極性)，一面負載於顯影輥244一面搬送，使其與感光體201之表面接觸。
若顯影輥244所負載之帶電碳粉T與感光體201之表面接觸，則與靜電潛像對應之碳粉像形成於感光體201之感光面。繼而該碳粉像由轉印裝置205轉印至記錄紙P上。其後，以清潔裝置206除去未轉印而殘留於感光體201之感光面的碳粉。
碳粉像轉印至記錄紙P上後，使其通過固定裝置207，將碳粉像熱固定至記錄紙P上，藉此獲得最終圖像。
再者，圖像形成裝置除上述構成以外，亦可設為例如可進行去靜電步驟之構成。去靜電步驟係藉由對電子照片感光體進行曝光而進行電子照片感光體之去靜電的步驟，作為去靜電裝置，可使用螢光燈、LED等。又，去靜電步驟中所使用之光，多數情況下為強度方面具有曝光之光的3倍以上曝光能量的光。
又，圖像形成裝置亦可進一步變形而構成，例如，設為可進行前曝光步驟、輔助帶電步驟等步驟之構成，或者設為進行平版印刷之構成，進而亦可設為使用複數種碳粉之全色串聯方式的構成。
再者，感光體201於以上述方式與帶電裝置202組合而構成匣之情況，更佳的是具備顯影裝置204而構成。進而，除上述感光體201以外，可視需要，與帶電裝置202、曝光裝置203、顯影裝置204、轉印裝置205、清潔裝置206、及固定裝置207中1個或2個以上組合，構成一體型匣(電子照片匣)，亦可將該電子照片匣構成為可對複印機或雷射束印表機等電子照片裝置本體裝卸之構成。即，本發明之電子照片匣係具備：電子照片感光體以及使該電子照片感光體帶電之帶電手段、對帶電之該電子照片感光體進行圖像曝光以形成靜電潛像之圖像曝光手段、以碳粉使上述靜電潛像顯影之顯影手段、將上述碳粉轉印於被轉印體上之轉印手段、使轉印於被轉印體上之碳粉固定之固定手段、將附著於該電子照片感光體之碳粉回收之清潔手段中之至少一個的電子照片匣，較佳的是具備以下電子照片感光體作為上述電子照片感光體：該電子照片感光體係於表面之最大高度粗度Rz為0.8≦Rz≦2 μm之導電性基體上，具有含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之底塗層、及形成於該底塗層上之感光層的電子照片感光體，將該底塗層分散於以7：3之重量比混合有甲醇及1－丙醇之溶劑中而得之液體中的該金屬氧化物粒子之以動態光散射法測定之體積平均粒徑為0.1 μm以下，且累積90%粒徑為0.3 μm以下。
該情況下，以與上述實施形態中所說明之匣相同之方式，例如於電子照片感光體101或其他構件劣化之情況，自圖像形成裝置本體卸除該電子照片匣，將其他新的電子照片匣安裝於圖像形成裝置本體，藉此圖像形成裝置之保養．管理變得容易。
根據本發明之圖像形成裝置及電氣照片匣，可形成高品質之圖像。習知，尤其於轉印裝置205經由轉印材料而接觸配置於感光體之情況，易於產生圖像之品質劣化，但本發明之圖像形成裝置及電子照片匣產生如此之品質劣化的可能性小，故有效。
(實施例)
以下，就本發明，舉出實施例及比較例加以進一步具體說明，本發明只要不脫離其主旨，並不限定於該等。再者，於實施例之說明中，若無特別說明，則「份」表示「重量份」。
[實施例1] [基體1]
以最大高度粗度Rz達到1.3 μm之方式，藉由使用多晶金剛石刀具之切削加工，製造外徑30mm×長度357mm×厚度1.0mm的JIS H4040中所規定的A6063鋁合金製之基體1。又，留取一部分所製造之基體1，使用所留取者，分別測定基體1之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、及峰度Rku。作為具體的測定方法，使用東京精密(股)公司製造之表面粗度測定器「Surfcom 480A」，根據JIS B0601：1994，將所測定之數值解讀成JIS B0601：2001中所規定。將結果表示於表3。
[底塗層用塗佈液]
將平均一次粒徑為40nm之金紅石型氧化鈦(石原產業股份有限公司製造之「TTO55N」)、及相對於該氧化鈦為3重量%之甲基二甲氧基矽烷(東芝有機矽公司製造之「TSL8117」)，以亨舍爾混合機混合而獲得表面處理氧化鈦，將50份之所得之表面處理氧化鈦，與120份之甲醇混合形成原料漿料，將1kg之該原料漿料，以直徑約為100 μm之氧化鋯珠(Nikkato股份有限公司製造之YTZ)為分散介質，使用研磨機容積約為0.15 L之壽工業股份有限公司製造之Ultra Apex Mill(UAM－015型)，於轉子圓周速度為10 m/sec、液體流量為10 kg/hr之液體循環狀態下分散處理1小時，以製作氧化鈦分散液。
將上述氧化鈦分散液與甲醇/1－丙醇/甲苯之混合溶劑、以及包含ε－己內醯胺[下述式(A)所表示之化合物]/雙(4－胺基－3－甲基環己基)甲烷[下述式(B)所表示之化合物]/1,6－己二胺[下述式(C)所表示之化合物]/1,10－癸二酸[下述式(D)所表示之化合物]/1,18－十八二酸[下述式(E)所表示之化合物]的組成莫耳比率為60%/15%/5%/15%/5%的共聚合聚醯胺之顆粒，一面加熱一面攪拌、混合，使聚醯胺顆粒溶解後，利用輸出功率為1200 W之超音波振盪器進行1小時之超音波分散處理，進而利用孔徑為5 μm之PTFE製薄膜過濾器(Advantec製造之Mitex LC)過濾，獲得表面處理氧化鈦/共聚合聚醯胺之重量比為3/1、甲醇/1－丙醇/甲苯混合溶劑之重量比為7/1/2、且所含固形分之濃度為18.0重量%的底塗層形成用塗佈液A。
對於該底塗層形成用塗佈液A，將使用上述UPA而測定的粒度分布(體積平均粒徑及累積90%粒徑)表示於表2。
藉由浸漬塗佈，將底塗層形成用塗佈液A塗佈於上述基體1上，使乾燥後之膜厚成為1.5 μm，進行乾燥而形成底塗層。藉由掃描電子顯微鏡觀察底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
[電荷產生層用塗佈液]
混合20重量份之作為電荷產生物質的具有如圖12所示之相對於Cu K α特性X射線之粉末X射線繞射光譜圖的酞菁氧鈦，以及280重量份1,2－二甲氧乙烷，藉由砂磨機進行分散處理2小時，製造分散液。繼而將該分散液與10重量份之聚乙烯丁醛(電氣化學工業(股)製造、商品名「Denka Butyral」# 6000C)、253重量份之1,2－二甲氧乙烷、85重量份之4－甲氧基－4－甲基戊酮－2加以混合，進而混合234重量份之1,2－二甲氧乙烷，於超音波分散機處理後，藉由孔徑為5 μm之PTFE製薄膜過濾器(Advantech公司製造之Mitex LC)進行過濾，製造電荷產生層用塗佈液1。藉由浸漬塗佈，將該電荷產生層用塗佈液1塗佈於上述底塗層上，使乾燥後之膜厚成為0.4 μm，進行乾燥而形成電荷產生層。
[電荷傳輸層用塗佈液]
繼而，於該電荷產生層上，塗佈電荷傳輸層用塗佈液，使乾燥後之膜厚成為17 μm，於室溫下風乾25分鐘，上述電荷傳輸層用塗佈液係將56份下述所示之腙化合物、 14份下述所示之腙化合物、 及100份具有下述重複構造之聚碳酸酯樹脂(黏度平均分子量約4萬)、 0.05重量份聚矽氧油溶解於640重量份四氫呋喃/甲苯(8/2)混合溶劑中而成者。
進而於125℃乾燥20分鐘設置電荷傳輸層而製造電子照片感光體。將該電子照片感光體設為感光體P1。
於如此而獲得之感光體P1上安裝驅動用之凸緣構件，裝入佳能(Canon)製之黑白雷射光束式印表機LBP－850之匣中，形成圖像藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。再者，於表3中，對於干涉條紋、黑點及黑條紋，均無之情況下，以「○」表示，可確認但於使用上為可容許之程度的情況下，以「△」表示，使用上無法容許之程度的情況下，以「×」表示。
[實施例2]
使用於外徑60 mm之PVC製圓筒基底上，開出孔徑5 mm×孔間隔10 mm之鋸齒狀孔，以長度達到25 mm之方式植入混有直徑0.45 mm、粒度# 500(平均粒徑為34 μm)之氧化鋁研磨粒的尼龍材(杜邦(DuPont)公司製造之「TynexA」)而製成的刷，對外徑30 mm×長度357 mm×厚度1.0 mm之JIS H4040中所規定A6063鋁合金製之鏡面切削管(Ra0.03 Rz0.2)，於基體旋轉數為200 rpm、刷旋轉數為750 rpm、接觸程度為10 mm、提起速度為5 mm/sec、撒水量為1 L/min之條件下實施粗面化加工。此處，提起速度設定為極快而使溝之密度不會變得稀疏。
繼而，清洗經粗面化加工之管。首先，於以濃度4重量%溶解Kizai(股)製造之脫脂劑「NG－30」而得的60℃之液體中浸漬5分鐘，繼而於包含3槽之常溫純水中依序浸漬各1分鐘除去脫脂劑後，於82℃之純水中浸漬10 sec，以10 mm/sec之速度提起，進行出水乾燥。最後於150℃之潔淨烘箱中，實施10分鐘最終乾燥，冷卻至室溫。其結果，獲得於基體表面形成如圖3所示的，曲線且不連續、斜格子狀之溝的基體2。
留取如此而形成之基體2的一部分用以測定表面粗度及溝寬度，於其他清洗結束的基體2上與實施例1相同地形成底塗層及感光層，獲得感光體P2。
使用如此而獲得之感光體P2，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
又，分別與實施例1相同地測定所留取之基體2的面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、及峰度Rku。進而，根據藉由光學顯微鏡所觀察、攝影的基體表面照片(400倍)，分別測定形成於基體2之表面的溝之溝寬度L的最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。亦將其結果表示於表3。
[實施例3]
使用外徑30mm×長度357 mm×厚度1.0mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金製之引縮管，除此之外，與實施例2相同地進行粗面化加工，獲得基體3。
留取如此而形成的基體3之一部分用以測定表面粗度及溝寬度，於其他清洗結束的基體3上與實施例1相同地形成感光層，獲得感光體P3。
使用如此而獲得的感光體P3，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
又，以與實施例2相同之操作，分別測定所留取的基體3之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、及峰度Rku。進而，分別測定形成於基體3之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。亦將其結果表示於表3。
[實施例4]
使用與日本專利特開平7－43922號公報中所揭示者相同地使用無心研磨機，進行研磨使Rz達到1.0 μm的，外徑30 mm×長度357 mm×厚度1.0 mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金製研磨管，將刷材製成混有直徑0.3 mm、粒度# 500(平均粒徑為34 μm)之氧化鋁研磨粒之尼龍材(旭化成(股)公司製造之「Sungrid」)，將粗面化加工條件設為：基體旋轉數為250 rpm、刷旋轉數為750 rpm、接觸程度6 mm、提起速度5 mm/sec、撒水量1 L/min，除此之外，以與實施例1相同之操作，於基體表面上形成如圖3所示之，曲線且不連續的斜溝，獲得基體4。
留取如此而形成的基體4之一部分用以測定表面粗度及溝寬度，於其他清洗結束的基體4上與實施例1相同地形成感光層，獲得感光體P4。
使用如此而獲得的感光體P4，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
又，以與實施例2相同之操作，分別測定所留取的基體4之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、及峰度Rku。進而，分別測定形成於基體4之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。亦將其結果表示於表3。
[實施例5]
藉由與日本專利特開平5－216261號公報中之實施例4所揭示相同的方法，將外徑30 mm×長度357 mm×厚度1.0 mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金製之鏡面切削管(Ra＝0.03 μm；Rz＝0.2 μm)進行乾式搪磨處理。
對於該基體，將刷材製成混有直徑0.3 mm、粒度# 1000(平均粒徑為16 μm)之氧化鋁研磨粒之尼龍材(旭化成(股)公司製造之「Sungrid」)，將粗面化加工條件設為：基體旋轉數為250 rpm、刷旋轉數為750 rpm、接觸程度6 mm、提起速度為10 mm/sec、撒水量為1 L/min，除此之外，以與實施例1相同之操作，於基體表面形成如圖3所示之，曲線且不連續的斜溝，獲得基體5。
留取如此而形成的基體5之一部分用以測定表面粗度及溝寬度，於其他清洗結束之管上與實施例1相同地形成感光層，獲得感光體P5。
使用如此而獲得的感光體P5，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
又，以與實施例2相同之操作，分別測定所留取的基體5之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、及峰度Rku。進而，分別測定形成於基體5之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。亦將其結果表示於表3。
[實施例6]
使用外徑30 mm×長度357 mm×厚度1.0 mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金之引縮管，將刷材製成混有直徑0.3 mm、粒度# 1000(平均粒徑為16 μm)之氧化鋁研磨粒之尼龍材(旭化成(股)公司製造之「Sungrid」)，將粗面化加工條件設為：基體旋轉數為300 rpm、刷旋轉數為100 rpm、接觸程度4 mm、提起速度為1 mm/sec、撒水量為1 L/min，除此之外，以與實施例1相同之操作，於基體表面形成如圖2所示之，曲線且不連續的斜溝，獲得基體6。
留取一部分該基體6，使用所留取者，以與實施例2相同之操作，分別測定基體6之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、峰度Rku、以及形成於基體6之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。將其結果表示於表3。
使用直徑約50 μm之氧化鋯珠(Nikkato股份有限公司製造之YTZ)，作為藉由Ultra Apex Mill進行分散時之分散介質，除此之外，以與實施例1相同之操作製造底塗層形成用塗佈液B，以與實施例1相同之操作測定物性。將結果表示於表2。
藉由浸漬塗佈，將底塗層形成用塗佈液B塗佈於上述基體6上，使乾燥後之膜厚成為2 μm，進行乾燥而形成底塗層。藉由掃描電子顯微鏡觀察底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
將94.2 cm2 該底塗層浸漬於70 g甲醇、30 g之1－丙醇的混合溶液中，藉由輸出功率為600 W之超音波振盪器進行超音波處理5分鐘，獲得底塗層分散液，與實施例1相同地藉由UPA測定該分散液中之金屬氧化物粒子的粒度分布，結果體積平均粒徑為0.09 μm、累積90%粒徑為0.14 μm。
於上述底塗層上，與實施例1相同地形成電荷產生層及電荷傳輸層，獲得感光體P6。
將94.2 cm2 該感光體P6的感光層浸漬於100 cm3 四氫呋喃中，藉由輸出功率為600 W之超音波振盪器進行超音波處理5分鐘而溶解除去後，將該部分浸漬於70 g甲醇、30 g之1－丙醇的混合溶液中，藉由輸出功率為600 W之超音波振盪器進行超音波處理5分鐘，獲得底塗層分散液，藉由與實施例1相同之UPA測定該分散液中之金屬氧化物粒子的粒度分布，結果體積平均粒徑為0.09 μm、累積90%粒徑為0.14 μm。
使用如此而獲得的感光體P6，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
[實施例7]
將藉由Ultra Apex Mill進行分散時之轉子圓周速度設為12 m/sec，除此之外，以與實施例6相同之操作製造底塗層形成用塗佈液C，以與實施例1相同之操作測定物性。將結果表示於表2。
藉由浸漬塗佈，將底塗層形成用塗佈液C塗佈於上述基體3上，使乾燥後之膜厚成為2 μm，進行乾燥而形成底塗層。藉由掃描電子顯微鏡觀察底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
於上述底塗層上，與實施例1相同地形成電荷產生層及電荷傳輸層，獲得感光體P7。
使用如此而獲得的感光體P7，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
[實施例8]
使用外徑30mm×長度357mm×厚度1.0mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金製之引縮管，將刷材製成混有直徑0.4mm、粒度# 800(平均粒徑為20 μm)之氧化鋁研磨粒之尼龍材(Toray Monofilament(股)公司製造之「Toraygrid」)，將粗面化加工條件設為：基體旋轉數為250rpm、刷旋轉數為750rpm、接觸程度6mm、提起速度為8mm/sec、撒水量為1 L/min，除此之外，以與實施例1相同之操作，於基體表面形成如圖3所示之，曲線且不連續的斜溝，獲得基體7。
留取一部分該基體7，使用所留取者，以與實施例2相同之操作，分別測定基體7之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、峰度Rku、以及形成於基體7之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。將其結果表示於表3。
使用直徑約30 μm之氧化鋯珠(Nikkato股份有限公司製造之YTZ)，作為藉由Ultra Apex Mill進行分散時之分散介質，除此之外，以與實施例7相同之操作製造底塗層形成用塗佈液D，以與實施例1相同之操作測定物性。將結果表示於表2。
藉由浸漬塗佈，將底塗層形成用塗佈液D塗佈於上述基體7上，使乾燥後之膜厚成為2 μm，進行乾燥而形成底塗層。藉由掃描電子顯微鏡觀察底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
於上述底塗層上，與實施例1相同地形成電荷產生層及電荷傳輸層，獲得感光體P8。
使用如此而獲得的感光體P8，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
[實施例9]
使用外徑30 mm×長度357 mm×厚度1.0 mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金製之引縮管，將刷材製成混有直徑0.45 mm、粒度# 500(平均粒徑為340 μm)之氧化鋁研磨粒之尼龍材(旭化成(股)公司製造之「Sungrid」)，將粗面化加工條件設為：基體旋轉數為250 rpm、刷旋轉數為750 rpm、接觸程度6 mm、提起速度為10 mm/sec、撒水量為1 L/min，除此之外，以與實施例1相同之操作，於基體表面形成如圖3所示之，曲線且不連續的斜溝，獲得基體8。
留取一部分該基體8，使用所留取者，以與實施例2相同之操作，分別測定基體8之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、峰度Rku、以及形成於基體8之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。將其結果表示於表3。
藉由浸漬塗佈，將底塗層形成用塗佈液D塗佈於上述基體8上，使乾燥後之膜厚成為2 μm，進行乾燥而形成底塗層。藉由掃描電子顯微鏡觀察底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
於上述底塗層上，與實施例1相同地形成電荷產生層及電荷傳輸層，獲得感光體P9。
使用如此而獲得的感光體P9，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
[實施例10]
使用外徑30 mm×長度346 mm×厚度1.0 mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金製之基體，與實施例2相同地進行粗面化，獲得基體9。
留取一部分該基體9，使用所留取者，以與實施例2相同之操作，分別測定基體9之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、峰度Rku、以及形成於基體9之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。將其結果表示於表3。
藉由浸漬塗佈，將底塗層形成用塗佈液D塗佈於上述基體9上，使乾燥後之膜厚成為2 μm，進行乾燥而形成底塗層。藉由掃描電子顯微鏡觀察底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
繼而，於該電荷產生層上塗佈下述塗佈液，使乾燥後之膜厚成為10 μm，進行乾燥而設置電荷傳輸層，製造電子照片感光體P10，上述塗佈液係將60份作為電荷傳輸物質之以如下式所示之結構為主體的、由日本專利特開2002－080432公報中之實施例1所揭示的製造方法所製造的組成物(A)、 100份具有下述重複構造之聚碳酸酯樹脂(黏度平均分子量約3萬)、 0.05重量份聚矽氧油溶解於640重量份四氫呋喃/甲苯(8/2)混合溶劑中而成者。
將所製造之感光體P10安裝於松下通信(Panasonic Communication)股份有限公司製造之複印機(製品名：Workio DP1820)之匣(具有雙成分碳粉、scorotron帶電構件及葉片清潔構件，作為一體型匣)中，形成圖像，結果可獲得良好之圖像。
[實施例11]
將提起速度設為1.3 mm/sec，除此之外，以與實施例10相同之操作獲得基體10。
留取一部分該基體10，使用所留取者，以與實施例2相同之操作，分別測定基體10之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、峰度Rku、以及形成於基體10之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。將其結果表示於表3。
於基體10上，以與實施例10相同之操作形成感光層，獲得感光體P11。
將所製造之感光體P11安裝於松下通信股份有限公司製造之複印機(製品名：Workio DP1820)之匣中，形成圖像，結果可獲得良好之圖像。
[實施例12]
使用外徑30 mm×長度388 mm×厚度0.75 mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金製之引縮管，與實施例2相同地進行粗面化處理，於基體表面形成如圖3所示之，曲線且不連續的斜溝，獲得基體11。
留取一部分該基體11，使用所留取者，以與實施例2相同之操作，分別測定基體11之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、峰度Rku、以及形成於基體11之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。將其結果表示於表3。
將表面處理氧化鈦/共聚合聚醯胺之重量比設為2/1，除此之外，以與實施例2相同之操作製造底塗層形成用塗佈液E。對該底塗層形成用塗佈液E，以與實施例1相同之操作測定物性。將結果表示於表2。
藉由浸漬塗佈，將底塗層形成用塗佈液E塗佈於上述基體11上，使乾燥後之膜厚成為2 μm，進行乾燥而形成底塗層。藉由掃描電子顯微鏡觀察底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
於上述底塗層上，與實施例10相同地形成電荷產生層及電荷傳輸層，獲得感光體P12。
將所製造之感光體安裝於松下通信股份有限公司製造之複印機(製品名：Workio C262)之匣(具有雙成分碳粉、接觸帶電輥構件及葉片清潔構件，作為一體型匣)中，形成圖像，結果可獲得良好之圖像。
[實施例13]
使用外徑30 mm×長度388 mm×厚度0.75 mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金製之引縮管，與實施例11相同地進行粗面化處理，於基體表面形成如圖3所示之，曲線且不連續的斜溝，獲得基體12。
留取一部分該基體12，使用所留取者，以與實施例2相同之操作，分別測定基體12之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、峰度Rku、以及形成於基體12之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。將其結果表示於表3。
於上述基體12上，與實施例12相同地形成電荷產生層及電荷傳輸層，獲得感光體P13。
將所製造之感光體安裝於松下通信股份有限公司製造之複印機(製品名：Workio C262)之匣中，形成圖像，結果可獲得良好之圖像。
[比較例1]
以表面之最大高度粗度Rz達到0.6 μm之方式，使用多晶金剛石刀具進行切削加工，藉此製造外徑30 mm×長度357 mm×厚度1.0 mm之JIS H4040中所規定的A6063鋁合金製之基體13。
留取一部分該基體13，使用所留取者，以與實施例1相同之操作，分別測定基體13之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz及峰度Rku。將其結果表示於表3。
於基體13上，以與實施例1相同之操作形成感光層，獲得感光體P14。
使用如此而獲得的感光體P14，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
[比較例2]
將50份表面處理氧化鈦與120份甲醇混合，直接使用利用直徑約5 mm之氧化鋁球(Nikkato股份有限公司製造之HD)藉由球磨機進行分散5小時而得之分散漿液，不使用Ultra Apex Mill進行分散，除此之外，以與實施例1相同之操作製造底塗層形成用塗佈液F。
對該底塗層形成用塗佈液F，以與實施例1相同之操作測定物性。將結果表示於表2。
藉由浸漬塗佈，將底塗層形成用塗佈液F塗佈於上述基體1上，使乾燥後之膜厚成為1.5 μm，進行乾燥而形成底塗層。藉由掃描電子顯微鏡觀察底塗層之表面，結果觀察到凝集物。
於其上，以與實施例1相同之操作形成電荷產生層及電荷傳輸層，獲得感光體P15。
使用如此而獲得的感光體P15，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
[比較例3]
使用外徑30mm×長度357mm×厚度1.0mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金製之引縮管，將刷材製成混有直徑0.3mm、粒度# 1000(平均粒徑為16 μm)之氧化鋁研磨粒之尼龍材(旭化成(股)公司製造之「Sungrid」)，將粗面化加工條件設為：基體旋轉數為200rpm、刷旋轉數為750rpm、接觸程度10mm、提起速度為5mm/sec、撒水量為1 L/min，除此之外，以與實施例2相同之操作，形成曲線且不連續的斜溝，獲得基體14。
留取一部分該基體14，使用所留取者，以與實施例2相同之操作，分別測定基體14之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、峰度Rku、以及形成於基體14之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。將其結果表示於表3。
於基體14上，以與實施例1相同之操作形成感光層，獲得感光體P16。
使用如此而獲得的感光體P16，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
[比較例4]
於基體3上，以與比較例2相同之操作形成感光層，獲得感光體P17。
使用如此而獲得的感光體P17，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
[比較例5]
使用外徑30 mm×長度346 mm×厚度1.0 mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金製之基體，與實施例8相同地進行粗面化，獲得基體15。
留取一部分該基體15，使用所留取者，以與實施例2相同之操作，分別測定基體15之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、峰度Rku、以及形成於基體15之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。將其結果表示於表3。
於基體15上，以與實施例10相同之操作形成感光層，獲得感光體P18。
將所製造之感光體安裝於松下通信股份有限公司製造之複印機(製品名：Workio DP1820)之匣中，形成圖像，結果可獲得良好之圖像。
[比較例6]
使用外徑30 mm×長度388 mm×厚度0.75 mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金製之引縮管，與實施例8相同地進行粗面化處理，獲得基體16。
留取一部分該基體16，使用所留取者，以與實施例2相同之操作，分別測定基體16之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、峰度Rku、以及形成於基體16之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。將其結果表示於表3。
於基體16上，以與實施例12相同之操作形成感光層，獲得感光體P19。
將所製造之感光體P19安裝於松下通信股份有限公司製造之複印機(製品名：Workio C262)之匣中，形成圖像，結果可獲得良好之圖像。
[比較例7]
以表面之最大高度粗度Rz達到1.4 μm之方式，使用多晶金剛石刀具進行切削加工，藉此製造外徑30 mm×長度357 mm×厚度1.0 mm之JIS H4040中所規定的A6063鋁合金製之基體17。
留取一部分該基體17，使用所留取者，以與實施例1相同之操作，分別測定基體17之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz及峰度Rku。將其結果表示於表3。
於基體17上，以與實施例1相同之操作形成感光層，獲得感光體P20。
使用如此而獲得的感光體P20，與實施例1相同地形成圖像，藉由目視實施圖像評估。將其結果表示於表3。
[比較例8]
使用外徑30 mm×長度346 mm×厚度1.0 mm之JIS H4040中所規定的A3003鋁合金之引縮管，將刷材製成混有直徑0.55 mm、粒度# 500(平均粒徑為34 μm)之氧化鋁研磨粒之尼龍材(杜邦公司製造「TynexA」)，將粗面化加工條件設為：基體旋轉數為250 rpm、刷旋轉數為750 rpm、接觸程度6 mm、提起速度為1.3 mm/sec、撒水量為1 L/min，除此之外，以與實施例2相同之操作，於基體表面形成曲線且不連續的斜溝，獲得基體18。
留取一部分該基體18，使用所留取者，以與實施例2相同之操作，分別測定基體18之面內算術平均粗度Ra、最大高度粗度Rz、峰度Rku、以及形成於基體18之表面的溝之溝寬度L之最大值(橫溝最大值)及最小值(橫溝最小值)。將其結果表示於表3。
於基體18上，以與實施例10相同之操作形成感光層，獲得感光體P21。
將所製造之感光體P21安裝於松下通信股份有限公司製造之複印機(製品名：Workio DP1820)之匣中，形成圖像，結果可獲得良好之圖像。
(產業上之可利用性)
本發明可用於產業上之任意領域中，尤其可適用於電子照片方式之印表機、傳真機、複印機等。
以上，使用特定態樣就本發明加以詳細說明，本業者明瞭可於不脫離本發明之意圖及範圍之情況下，進行各種變更。
再者，本申請係基於2006年5月18日提出申請之日本專利申請案(特願2006－139528號)，藉由引用而援用其整體。
1．．．導電性基體
1A．．．導電性基體之軸
2．．．內擴把持機構
3．．．輪狀刷
3A．．．輪狀刷之軸
4．．．杯狀刷
4A．．．杯狀刷之軸
5．．．清洗刷
14、106．．．分離器
15、105．．．軸
16．．．套管
17．．．定子
19、111．．．排出通路
21、108．．．轉子
24．．．滑輪
25．．．旋轉接頭
26．．．原料漿料之供給口
27．．．篩支架
28．．．篩
29．．．製品漿料取出口
31、115．．．圓盤
32、116．．．葉片
35．．．閥體
36．．．圓筒體
100．．．密封環
101．．．匹配環
102．．．彈簧
103．．．嵌合溝
104．．．O環
105a．．．格子
107、113．．．分隔件
109．．．塞子
110．．．螺釘
112．．．孔
114．．．葉片嵌合溝
201．．．感光體
202．．．帶電裝置(帶電輥)
203．．．曝光裝置
204．．．顯影裝置
205．．．轉印裝置
206．．．清潔裝置
207．．．固定裝置
241．．．顯影槽
242．．．攪拌器
243．．．供給輥
244．．．顯影輥
245．．．控制構件
271．．．上部固定構件(固定輥)
272．．．下部固定構件(固定輥)
273．．．加熱裝置
T．．．碳粉
P．．．轉印材料(紙張、介質)
圖1係用以說明本發明之導電性基體之粗面化方法之一例的示意圖。
圖2係顯示將本發明之導電性基體之表面展開於平面上之情況下的溝形狀之一例的示意圖。
圖3係顯示將本發明之導電性基體之表面展開於平面上之情況下的溝形狀之一例的示意圖。
圖4係用以說明製造本發明之導電性基體之方法之一例的示意圖。
圖5係用以說明製造本發明之導電性基體之方法之一例的示意圖。
圖6係用以說明製造本發明之導電性基體之方法之一例的示意圖。
圖7係示意性表示本發明之一實施形態之濕式攪拌球磨機的構成之縱剖面圖。
圖8係示意性表示用於本發明之一實施形態之濕式攪拌球磨機的機械軸封之擴大縱剖面圖。
圖9係示意性表示本發明之一實施形態之濕式攪拌球磨機的其他例之縱剖面圖。
圖10係示意性表示圖9所示之濕式攪拌球磨機的分離器之橫剖面圖。
圖11係表示具有本發明之電子照片感光體的圖像形成裝置之一實施態樣之主要部分構成的概略圖。
圖12係於本發明之實施例及比較例之電子照片感光體中，用作電荷產生物質之酞菁氧鈦的相對於Cu K α特性X射線之粉末X射線繞射光譜圖。

Claims (14)

  1. 一種電子照片感光體，其係於表面之最大高度粗度Rz為0.8μm≦Rz≦2μm之導電性基體上，具備含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之底塗層、以及形成於該底塗層上之感光層者，其特徵在於：於甲醇與1-丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散該底塗層而成的液體中之該金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之二次粒子的體積平均粒徑為0.1μm以下，且累積90%粒徑為0.3μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子照片感光體，其中，該導電性基體表面形狀藉由切削加工而形成。
  3. 如申請專利範圍第1項之電子照片感光體，其中，於該導電性基體表面形成有微細之溝，於將該導電性基體表面展開於平面上之情況，該溝之形狀為曲線且不連續。
  4. 如申請專利範圍第3項之電子照片感光體，其中，形成於該導電性基體表面之溝為格子狀。
  5. 如申請專利範圍第3項之電子照片感光體，其中，該導電性基體之表面之峰度Rku為3.5≦Rku≦25，且形成於該導電性基體之表面之溝寬度L為0.5μm≦L≦6.0μm。
  6. 一種導電性基體之製造方法，其係申請專利範圍第1及3至5項中任一項之電子照片感光體所具有之導電性基體之製造方法，其特徵在於：使可撓性材料接觸於上述導電性基體表面， 使之相對於上述導電性基體表面相對移動。
  7. 如申請專利範圍第6項之導電性基體之製造方法，其中，上述導電性基體之表面預先經切削加工。
  8. 如申請專利範圍第7項之導電性基體之製造方法，其中，上述導電性基體之表面預先經引縮加工。
  9. 如申請專利範圍第8項之導電性基體之製造方法，其中，上述導電性基體之表面預先經研磨加工。
  10. 如申請專利範圍第9項之導電性基體之製造方法，其中，上述導電性基體之表面預先經搪磨加工。
  11. 如申請專利範圍第10項之導電性基體之製造方法，其中，使用刷作為上述可撓性材料。
  12. 如申請專利範圍第11項之導電性基體之製造方法，其中，上述刷由混有研磨粒之樹脂形成。
  13. 一種圖像形成裝置，其特徵在於具備：申請專利範圍第1至5項中任一項之電子照片感光體；使該電子照片感光體帶電之帶電手段；對帶電之該電子照片感光體進行圖像曝光來形成靜電潛像之圖像曝光手段；藉由碳粉將上述靜電潛像顯影之顯影手段；及將上述碳粉轉印於被轉印體之轉印手段。
  14. 一種電子照片匣，其特徵在於具備：申請專利範圍第1至5項中任一項之電子照片感光體；及使該電子照片感光體帶電之帶電手段、對帶電之該電子照片感光體進行圖像曝光形成靜電潛像之圖像曝光手段、藉由 碳粉將上述靜電潛像顯影之顯影手段、將上述碳粉轉印於被轉印體之轉印手段、使轉印於被轉印體之碳粉固定之固定手段、及將附著於該電子照片感光體之上述碳粉回收之清潔手段中的至少一種手段。
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