TWI448194B - 有機發光元件，含彼之顯示元件，及含彼之照明裝置 - Google Patents

有機發光元件，含彼之顯示元件，及含彼之照明裝置 Download PDF

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TWI448194B
TWI448194B TW099113904A TW99113904A TWI448194B TW I448194 B TWI448194 B TW I448194B TW 099113904 A TW099113904 A TW 099113904A TW 99113904 A TW99113904 A TW 99113904A TW I448194 B TWI448194 B TW I448194B
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Description

有機發光元件，含彼之顯示元件，及含彼之照明裝置
本發明係關於一種藉由使用電致發光(EL)現象之有機發光裝置，一種包括一有機發光裝置之顯示元件，及一種包括一有機發光裝置之照明裝置。
本申請案主張揭示於2009年6月12日在日本專利局申請之日本優先權專利申請案JP 2009-141281中之優先權及含有與此專利相關之標的。
由於各裝置具有由有機化合物構成介於一陽極與一陰極間之一發光層，且可達成藉由低電壓驅動大面積顯示元件，故有機發光裝置(有機EL元件、有機電致發光元件)已引起人們的注意。
配置以上所述之顯示元件的該有機發光裝置係提供於(例如)由玻璃或其類似物製成之一透明基板上。該有機發光裝置中，自該基板側起依序層疊一由ITO(氧化銦錫：透明電極)構成之陽極、一有機層、及一陰極。該有機層具有一結構，其中自該陽極側起依序層疊一電子電洞注入層、一電子電洞傳輸層、及一電子傳輸發光層。於此有機發光裝置中，自該陰極注入之電子與自該陽極注入之電子電洞於發光層中重新結合，且以此電子-電洞重新結合產生之光係自該基板側通過陽極提取。
通常而言，有機發光裝置之壽命係由所注入之電荷所決定，其可藉由減少驅動時之起始亮度而解決。然而，減少起始亮度限制實際應用，且否認有機發光裝置潛在可行性，導致無法實現下一代電視。
因此，為實現高亮度及長壽命兩個目的，已提出所謂之堆疊型有機發光裝置。例如，日本未審查專利公開申請案第2006-173550號揭示一種技術，其中包括一發光層之複數個有機層被認為係一發光元件，且使兩個發光元件層疊以將一連接層夾置在中間，用以在一陽極與一陰極之間產生一電荷。
然而，在各個發光元件包括不同顏色發光層之情況下，諸如色彩亮度及電流效率之發光特性仍不足以使用於所有的顏色仍，且有改善之空間。
本發明之實施例克服前述缺陷。每一實施例備有一有機發光裝置，其中各個發光元件包括已改善光對每一顏色的提取效率之不同顏色發光層。
一實施例可包括一具有該有機發光裝置之顯示元件，由此獲得改善之光提取效率。一實施例可包括一具有該有機發光裝置之照明裝置，並從而導致改善光提取效率。
根據一實施例，一有機發光裝置包括於一基板上之一第一電極及一第二電極。該有機發光裝置亦包括一包括一第一發光層之第一發光元件，及一包括一第二發光層之第二發光元件。該等第一及第二發光元件係位在該等第一及第二電極之間。該第一電極反射來自該等發光元件中之至少一者之光，以與自該第一發光層發射之光產生一干涉圖案。該干涉圖案具有複數個干涉位置，以使一第一干涉位置係位在該第一發光層中，且一第二干涉位置係位在該第二發光層中。
根據一實施例，一有機發光裝置包括一堆疊。該堆疊包括一陽極、一第一發光層、一第二發光層、及一陰極。該堆疊係經組態以發射白光且於自該第一發光層發射之光與自該陽極反射之光之間產生干涉。所得干涉具有包括一第一干涉位置與一第二干涉位置之干涉圖案。該第二干涉位置係位於該第二發光層中。該第二發光層可係一紅光發射層，一綠光發射層，或一黃光發射層。
根據一實施例，一種製造一發射白光之有機發光裝置之方法包括形成具有一金屬膜及一透明膜之一層壓結構之一陽極。該方法包括在該陽極之一側上形成複數個發光元件。該複數個發光元件包括一具有一第一發光層之第一發光元件及一具有一第二發光層之第二發光元件。該第一發光元件及該第二發光元件係藉由一介入電荷層分隔。該方法包括形成一陰極，以使複數個發光元件係提供於一堆疊結構中之該陽極與該陰極之間。
根據此方法，在自該第一發光層發射之光與自該陽極反射之光之間產生干涉圖案。該干涉圖案包括一第一干涉位置及一第二干涉位置。於該陽極與該第二發光層之間形成距離，以使該干涉圖案之該第二干涉位置係位於該第二發光層中。
如本文所揭示之一有機發光裝置改良在該第一顏色發光層中產生之光與在該第二顏色發光層中產生之光。因此，當建構一電子設備(諸如一顯示元件或一照明裝置)以包括一有機發光裝置時，則高亮度顯示器或照明器可藉由使用該有機發光裝置得以實現及獲得。
以下描述將更充分顯現本發明之其他及另外目標、特徵及優點。
下文將參照圖式詳細描述本發明之實施例。描述係以下列次序出現：
1.第一實施例(二階、三種顏色且頂部發射型之實例)
2.第一修飾實例(二階、三種顏色且底部發射型之實例)
3.第二修飾實例(二階、兩種顏色且頂部發射型之實例)
4.第三修飾實例(二階、兩種顏色且底部發射型之實例)
5.應用實例(照明裝置及液晶顯示元件)
6.第二實施例(具有濾色器之實例：顯示元件)
7.應用實例(電子裝置)
8.實例
第一實施例
圖1繪示根據本發明之第一實施例之一有機發光裝置之結構。該有機發光裝置可用於一照明裝置，一液晶使用背光元件或其類似物。例如，該有機發光裝置具有依序在一基板11上之作為一陽極之一第一電極12、一第一發光元件13、一連接層14、一第二發光元件15、及作為一陰極之一第二電極16。
該基板11係其中有機發光裝置係設置於其一主面側上之支撐媒介，且可使用一適宜基板作為基板11。例如，使用石英、玻璃、金屬箔、樹脂膜、樹脂片或其類似物。具體言之，石英或玻璃為較佳。在使用樹脂之情況下，材料之實例包括由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)為代表之甲基丙烯酸樹脂，諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、及聚萘二甲酸丁二酯(PBN)之聚酯，及聚碳酸酯樹脂。在使用樹脂之情況下，為抑制水滲透性及氣體滲透性，層壓結構與表面處理為必需。
該第一電極12(例如)具有10 nm至1000 nm(包括兩者)之層壓方向厚度(下文簡稱為厚度)。該第一電極12之材料實例包括簡單物質或諸如鉻(Cr)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎢(W)及銀(Ag)之金屬元素的合金。此外，該第一電極12可具有包括由簡單物質或前述金屬元素合金構成之一金屬膜12A及由銦與錫之氧化物(ITO)、InZnO(銦鋅氧化物)、氧化鋅(ZnO)與鋁(Al)之合金或其類似物構成之一透明導電膜12B的一層壓結構。在該第一電極12係用作一陽極之情況下，該第一電極12較佳係由具有高電子電洞注入特性之材料製成。然而，若提供適宜的電子電洞注入層，則可使用因於表面上存在氧化物層而具有電子電洞注入障壁缺陷且具有較小功函數之材料，諸如鋁(Al)合金，作為第一電極12。
此外，該第一電極12亦具有作為反射層之功能。亦即，如下文所描述，於有機發光裝置中，例如於一藍光發射層13C或其類似物中產生之光係藉由該第一電極12反射，且於經反射之光與藍光發射層13C或其類似物中產生之光之間引起干涉。
在該第一電極12具有由一金屬膜12A與一透明導電膜12B構成之一層壓結構之情況下，於藍光發射層13C或其類似物中產生之光的反射面變為該金屬膜12A與該透明電極膜12B之間的介面。
該第一發光元件13具有(例如)一結構，其中一第一電子電洞注入層13A、一第一電子電洞傳輸層13B、一藍光發射層13C、一第一電子傳輸層13D，及一第一電子注入層13E係自該第一電極12側起依序層疊。就前述層體而言，可根據需求提供除了藍光發射層13C以外之層體。
該第一電子電洞注入層13A係意欲改良電子電洞注入效率且係為防止洩漏之一緩衝層。該第一電子電洞注入層13A具有(例如)10 nm之厚度，且係由TPTE(N,N-雙(4-二苯基胺基聯苯)-N,N-二苯基聯苯胺)構成。
該第一電子電洞傳輸層13B係意欲改良效率以將電子電洞傳輸至紅光發射層15C中。該第一電子電洞傳輸層13B具有(例如)20 nm之厚度，且係由化學式1所示二胺化合物構成。
另外，就前述電子電洞注入層13A或前述電子電洞傳輸層13B之材料而言，例如可使用輕油精、苯乙烯胺、三苯基胺、卟啉、聯伸三苯、氮雜聯伸三苯、四氰基喹諾二甲烷、***、咪唑、噁二唑、聚芳基烷、伸苯二胺、芳胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、二苯乙烯或其衍生物。此外，可使用雜環共軛系統單體/寡聚體/聚合物，諸如聚矽烷化合物、乙烯基咔唑化合物、噻吩化合物、及苯胺化合物。
另外，前述電子電洞注入層13A或前述電子電洞傳輸層13B材料之更特定實例包括α-萘基苯基伸苯基二胺、卟啉、金屬四苯基卟啉、金屬萘酞菁、六氰基氮雜聯伸三苯、7,7,8,8-四氰基喹諾二甲烷(TCNQ)、7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟喹諾二甲烷(F4-TCNQ)、四氰基4,4,4-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺、N,N,N',N'-四(對-甲苯基)對-伸苯二胺、N,N,N',N'-四苯基-4,4'-二胺聯苯、N-苯基咔唑、4-二-對-甲苯基胺基二苯乙烯、聚(對伸苯基乙烯)、聚(噻吩伸乙烯)及聚(2,2'-噻吩基吡咯)。然而，其實例不限於此。
前述胺化合物可單獨或可與其他電子電洞傳輸物質混合使用。
在施加電場之情況下，產生電子-電洞重新結合。結果，藍光發射層13C產生藍光。該藍光發射層13C具有(例如)30 nm之厚度，且係由以5%之相對膜厚度比摻雜有作為摻雜物材料之化學式3所示二胺基衍生物之作為主體材料之化學式2所示第三丁基ADN構成。
此外，作為光發射層材料，可使用由伸苯基核、萘核、蒽核、芘核、稠四苯核、核、或苝核構成之芳香族烴化合物。具體言之，可適宜使用9,10-二苯基蒽、9,10-二(1-萘基)蒽、9,10-二(2-萘基)蒽、1,6-二苯基芘、1,6-二(1-萘基)芘、1,6-二(2-萘基)、1,8-二苯基芘、1,8-二(1-萘基)芘、1,8-二(2-萘基)芘、紅烯、6,12-二苯基、6,12-二(1-萘基)、6,12-二(2-萘基)及其類似物。
此外，為控制光發射層13C中之光發射光譜，可將少量其他客體材料加入光發射層13C中。就諸等其他客體材料而言，可適宜使用諸如萘衍生物、胺化合物、芘衍生物、稠四苯衍生物、苝衍生物、香豆素衍生物，及吡喃系列染料。具體言之，可適宜使用芳香族三級胺化合物。
該第一電子傳輸層13D係意欲以改良將電子傳輸至藍光發射層13C中之效率。該第一電子傳輸層13D具有(例如)80 nm之厚度，且係由BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉)構成。
該電子傳輸層13D材料之實例包括喹啉、苝、雙苯乙烯、吡嗪、***、噁唑、噁二唑、芴酮及其衍生物。其具體實例包括三(8-羥基喹啉酮)鋁(簡寫為Alq3 )、蒽、萘、菲、芘、苝、丁二烯、香豆素、吖啶、二苯乙烯、及其衍生物。
該第一電子注入層13E係意欲以改良電子注入效率。該第一電子注入層13E具有(例如)約0.5 nm之厚度，且係由碳酸鋰(Li2 CO3 )構成。
構成電子注入補充層13E材料之實例包括鹼金屬元素、第2族元素、及稀土元素之氧化物、複合氧化物、鹵化物、或碳酸鹽。
在前述者中，可包含以元素態之第2族元素(Mg、Ca、Sr及Ba)及稀土元素(Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Td、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu)。
除了前述化合物以外之氧化物實例包括鹼金屬氧化物(諸如氧化鋰及氧化鈉)、鹼土金屬氧化物(諸如氧化鎂及氧化鈣)及稀土金屬氧化物(諸如氧化釩及氧化釔)。
每一元素複合氧化物之實例包括鉬酸鋰、矽酸鋰、鉬酸銫、矽酸銫、鉬酸鈣、矽酸鈣、鉬酸鎂、及矽酸鎂。
每一元素鹵化物之實例各包括氟化物、氯化物、溴化物及碘化物。
每一元素之碳酸鹽實例各包括鹼金屬碳酸鹽(諸如碳酸鋰及碳酸鈉)、第2族元素碳酸鹽(諸如碳酸鈣、碳酸鍶、及碳酸鋇)及稀土金屬碳酸鹽(諸如碳酸釩及碳酸釔)。
若前述材料係用作構成第一電子注入層13E之材料，則可獲得有利裝置特性。鑒於塊體狀態材料之安定性、薄膜形成安定性、成份等，就第一電子注入層13E之組份材料而言，諸如氟化鋰之鹼金屬鹽或諸如碳酸鋰之鹼金屬碳酸鹽係適宜。
在施加電壓之時，連接層14係意欲將電子電洞注入設置於第二電極16(陰極)側上之第二發光元件15中，及將電子注入設置於第一電極12(陽極)側上之第一發光元件13中。該連接層14係電荷層。該連接層14具有(例如)由具有5 nm厚度的Alq3 (8-羥基喹啉酮鋁)膜及由化學式4所示具有10 nm厚度之化合物構成的HAT(六氮雜聯伸三苯)膜構成之一層壓結構。Alq3 膜係摻雜有(例如)5%作為金屬組份之鎂(Mg)。
該連接層14可構造為由諸如氧化鉬(MoO3 )、氧化鎢(WO3 )、氧化釩(V2 O5 )、及七氧化錸(Re2 O7 )之金屬氧化物，或諸如卟啉、金屬四苯基卟啉、金屬萘酞菁、六氰基氮雜聯伸三苯、7,7,8,8-四氰基喹諾二甲烷(TCNQ)、及7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟喹諾二甲烷(F4-TCNQ)之電荷傳輸錯合化合物構成之單層。此外，可藉由對例示為前述電子電洞注入層13A或電子電洞傳輸層13B之材料的胺化合物提供摻雜物而構造該連接層14。
該第二發光元件15具有(例如)一結構，其中一第二電子電洞傳輸層15B、一紅光發射層15C、一中間層15D、一綠光發射層15E、一第二電子傳輸層15F、及一第二電子注入層15G係自該第一電極12側起依序層疊。可根據需求提供除了紅光發射層15C及綠光發射層15E以外之層體。
該第二電子電洞傳輸層15B亦具有作為一電子電洞注入層之功能。該第二電子電洞傳輸層15B具有(例如)20 nm之厚度，且係由化學式1所示二胺化合物構成。
就設置於該連接層14之兩側上之該第一電子傳輸層13D及該第二電子電洞傳輸層15B而言，該第一電子傳輸層13D之厚度較佳大於該第二電子電洞傳輸層15B之厚度，此因由此可進一步改良性能之故。
該紅光發射層15C具有(例如)20 nm之厚度，且係由以1%之相對膜厚度比摻雜有作為摻雜物材料之化學式5所示吡咯甲川硼錯合物的作為主體材料之紅烯構成。
中間層15D具有(例如)5 nm之厚度，且係由電子電洞傳輸材料構成。該中間層15D較佳係由胺材料製成。其具體實例包括化學式1所示胺化合物。
該綠光發射層15E具有(例如)40 nm之厚度，且係由以10%之相對膜厚度比摻雜有作為摻雜物材料之化學式6所示二胺基蒽衍生物的作為主體材料之9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)構成。
該中間層15D可係由與該綠光發射層15E之主體材料相同之材料，亦即ADN製成。由此，於製造步驟中，該綠光發射層15E與該中間層15D係可藉由僅阻斷摻雜物材料之蒸發而連續形成。
該第二電子傳輸層15F具有(例如)20 nm之厚度，且係由BCP構成。
該第二電子注入層15G具有(例如)0.3 nm之厚度，且係由Li2 O構成。
該第二電極16之光學透明性較佳儘可能高以改良藍光發射層13C或其類似物中產生之光之提取效率。因此，較佳地，該第二電極具有(例如)約3 nm之厚度，且係由單一物質或金屬元素(諸如鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)及鈉(Na))合金構成之金屬箔膜製成。具體言之，鎂及銀合金(MgAg合金)或鋁(Al)及鋰(Li)之合金(AlLi合金)係較佳。此外，該第二電極16係由諸如ITO(銦錫複合氧化物)及IZO(銦鋅複合氧化物)之透明導電膜製成。
圖2繪示第一電極12、藍光發射層13C、連接層14、紅光發射層15C及綠光發射層15E之間之設置關係。在該藍光發射層13C中產生之光具有藍色干涉圖案IB，其包括複數個藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等，其中於該藍光發射層13C中產生之光與自該第一電極12反射之光係藉由干涉相互增強。該綠光發射層15E具有綠色干涉圖案IG，其包括複數個綠色干涉位置IG0、IG1等，其中於該綠光發射層15E中產生之光與該第一電極12中反射之光係藉由干涉相互增強。該藍光發射層13C包括該複數個藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等中之一者。同時，該綠光發射層15E包括該複數個藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等中之另一者。由此，於有機發光裝置中，藍光與綠光提取效率可得以改善。
如圖2所繪示，各干涉位置對應於所得干涉圖案之各自峰(亦即高峰)。如所知，干涉圖案係由兩個或多個其他波形產生之波形。干涉圖案之各干涉位置係自反射點(諸如陽極12)列舉。例如，第一干涉位置(例如IB0、IG0等)對應於自該陽極之第一個峰。第二干涉位置(例如IB1、IG1等)對應於自該陽極之第二個峰。相繼而後之各干涉位置係以相似方式提及。
於包含於藍光發射層13C中之藍色干涉位置與第一電極12之間的光程L1滿足數學式1。於包含於綠光發射層15E中之藍色干涉位置與第一電極12之間的光程Ln 滿足數學式2。就式中之L1 、Ln 與λ1 、λn 而言，單位應係統一的，及例如將(nm)用作單位。
數學式1
L1 =(m1 -Φ/2π)λ1 /2
式中，「L1 」表示包含於藍光發射層13C中之藍色干涉位置與第一電極12間之光程。「m1 」表示級數(0或整數)。「Φ」表示當藍光發射層13C中產生之光係藉由該第一電極12反射時產生之一相位移。「λ1 」表示當藍光發射層13C中產生之光係自該第二電極16側照射時之波峰波長。
數學式2
Ln =(mn -Φ/2π)λn /2
mn >m1
λn =λ1
式中，「Ln 」表示包含於綠光發射層15E中之藍色干涉位置與第一電極12之間的光程。「mn 」表示級數(自然數)。「Φ」表示當藍光發射層13C中產生之光係藉由該第一電極12反射時產生之相位移。
具體言之，藍光發射層13C較佳經設置以包括自藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等中離第一電極12最近之最接近干涉位置IB0(在數學式1中之級數m1 為0：零級數干涉位置之情況下)。綠光發射層15E較佳經設置以包括自藍色干涉位置IB0、IB1等中之最接近干涉位置IB0之後第二接近該第一電極12之位置IB1(在數學式2中之級數mn 係1：一級干涉位置之情況下)。由此，減小該第一發光元件13之厚度與該第二發光元件15之厚度，且因此可降低對光發射必需之電壓。
藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等表示藉由數學式1或數學式2所測定之點。實際上，藍光發射層13C與綠光發射層15E具有一定程度厚度。若藍色干涉位置IB0、IB1及IB2係以朝藍光發射層13C或綠光發射層15E之厚度方向包含於一指定位置中，則前述效應可得以達成。
紅光發射層15C係經設置足以接近綠光發射層15E。該紅光發射層15C不一定經設置以包括藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等。如圖2所示，該紅光發射層15C可經設置於該綠光發射層15E之該第一電極12側。反之，如圖3所示，該紅光發射層15C可經設置於該綠光發射層15E之該第二電極16側。
圖4繪示各顏色光發射層在例如於日本未經審查專利公開申請案第2007-12369號中所描述之既有層壓型有機發光裝置中之設置。該既有有機發光裝置使用如此實施例所採用之因該第一電極12中之反射而產生之干涉。然而，該既有有機發光裝置具有與下文中之此實施例之結構完全不同的結構。亦即，藍光發射層13C係經設置以包括自該複數個藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等中之最接近干涉位置IB0。綠光發射層15E係經設置以包括自該複數個綠色干涉位置IG0、IG1等中之最接近干涉位置IG0。於該紅光發射層15C中產生之光具有包括複數個紅色干涉位置IR0、IR1等之紅色干涉圖案IR，其中於該紅光發射層15C中產生之光與該第一電極12中反射之光係藉由干涉相互加強。紅光發射層係經設置以包括自該複數個紅色干涉位置IR0、IR1等中之最接近干涉位置IR0。
現將描述根據本發明之一實施例的一種製造方法。有機發光裝置可(例如)如下製造。
首先，製備由前述材料製成之基板11。由前述材料製成之第一電極12係藉由(例如)噴灑方法或蒸發方法形成於該基板11上。
接著，藉由(例如)蒸發方法將具有前述厚度且由前述材料製成之第一電子電洞注入層13A、第一電子電洞傳輸層13B、藍光發射層13C、第一電子傳輸層13D及第一電子注入層13E於第一電極12上依序層疊以形成第一發光元件13。此時，例如，第一電子電洞注入層13A之蒸發速度係0.2 nm/秒至0.4 nm/秒(包括兩者)，第一電子電洞傳輸層13B之蒸發速度係0.5 nm/秒至0.7 nm/秒(包括兩者)，且第一電子注入層13E之蒸發速度係0.01 nm/秒。
隨後，具有前述厚度且係由前述材料製成之連接層14係藉由(例如)蒸發方法形成於第一發光元件13上。
其後，藉由(例如)蒸發方法將具有前述厚度且由前述材料製成之第二電子電洞傳輸層15B、紅光發射層15C、中間層15D、綠光發射層15E、第二電子傳輸層15F及第二電子注入層15G依序層疊於連接層14上以形成第二發光元件15。此時，例如，第二電子電洞傳輸層15F之蒸發速度係0.2 nm/秒至0.4 nm/秒(包括兩者)，中間層15D之蒸發速度係0.2 nm/秒至0.4 nm/秒(包括兩者)，及第二電子注入層15G之蒸發速度係0.01 nm/秒。
形成第二發光元件後，藉由(例如)蒸發方法將具有前述厚度且由前述材料製成之第二電極16形成於第二發光元件15上。根據需求，由氮化矽或其類似物(未闡釋，並參照圖19)構成之一保護層可藉由(例如)CVD方法(化學氣相沉積方法)密封而形成。
於有機發光裝置中，在將指定電壓施加於第一電極12與第二電極16之間之情況下，於藍光發射層13C、紅光發射層15C及綠光發射層15E中注入電流，於是產生電子-電洞重新結合。由此，產生藍、紅及綠光發射。結果，其顏色混合引起白光發射。
於此實施例中，藍光發射層13C係經設置以包括自該複數個藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等中之最接近干涉位置IB0。因此，若於光發射層13中產生之光係藉由第一電極12反射並返回至光發射位置，則所返回之光相便與光發射時之相態相同。因此，所產生之光與所反射之光相互加強，且可有效提取藍光發射層13C中產生之光。另外，綠光發射層15E係經設置以包括自該複數個藍色干涉位置IB0、IB1等中之最接近干涉位置IB0後之第二接近第一電極12的位置IB1。因此可有效提取於綠光發射層15E中產生之光。
如上所述，於此實施例中，藍光發射層13C係經設置以包括該複數個藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等中之一者，而綠光發射層15E係經設置以包括該複數個藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等之另一者。由此，可改良藍光發射層13C中產生之光及綠光發射層15E中產生之光的光提取效率。因此，可降低電能消耗。
第一修飾實例
圖5繪示根據一第一修飾實例之一有機發光裝置之截面圖。該有機發光裝置具有類似於該第一實施例有機發光裝置之結構，除了該有機發光裝置係底部發射型裝置以外，其中藍光發射層13C等中產生之光係自基板11側提取，且其作用與效果與第一實施例中相似。因此，藉由對相應元件附上相同參考符號進行描述。
該有機發光裝置具有依序在基板11上作為一陽極之第二電極16、第二發光元件15、連接層14、第一發光元件13及作為一陰極之第一電極12。
該第一電極12具有一結構，其中一具有約0.3 nm之厚度之LiF膜12B及一具有100 nm之厚度之鋁膜12A係自基板11側起依序層疊。該第一電極12亦具有如於第一實施例中作為一反射層之功能。
該第一發光元件13具有(例如)一結構，其中第一電子傳輸層13D、藍光發射層13C、第一電子電洞傳輸層13B及第一電子電洞注入層13A係自該第一電極12側起依序層疊。就前述層體而言，根據需求可提供除了藍光發射層13C以外之層體。
該第一電子電洞注入層13A具有(例如)10 nm之厚度，且係由TPTE構成。
該第一電子電洞傳輸層13B具有(例如)20 nm之厚度，且係由α-NPD(N,N'-雙(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺)構成。
該藍光發射層13C具有(例如)30 nm之厚度，且係由以5%之相對膜厚度比摻雜有作為摻雜物材料之化學式7所示二胺基衍生物的作為主體材料之化學式2所示第三丁基ADN構成。
該第一電子傳輸層13D具有(例如)30 nm之厚度，且係由BCP構成。
該連接層14具有(例如)一由一具有10 nm厚度之Alq3 膜及一由化學式4所示化合物構成且具有10 nm厚度之HAT膜構成的層壓結構。該Alq3 膜係摻雜有(例如)作為金屬組份之5%鎂(Mg)。
該第二發光元件15具有(例如)一結構，其中第二電子注入層15G、第二電子傳輸層15F、綠光發射層15E、中間層15D、紅光發射層15C、第二電子電洞傳輸層15B及第二電子電洞注入層15A係自第一電極12側起依序層疊。根據需求可提供除了紅光發射層15C與綠光發射層15E以外之層體。
該第二電子電洞注入層15A具有(例如)10 nm之厚度，且係由TPTE構成。
該第二電子電洞傳輸層15B具有(例如)30 nm之厚度，且係由α-NPD構成。
該紅光發射層15C具有(例如)20 nm之厚度，且係由以1%之相對膜厚度比摻雜有作為摻雜物材料之作為主體材料之化學式5所示吡咯甲川硼錯合物的紅烯構成。
中間層15D具有(例如)5 nm之厚度，且係由α-NPD構成。
綠光發射層15E具有(例如)40 nm之厚度，且係由以5%之相對膜厚度比摻雜有作為摻雜物材料之化學式6所示二胺基蒽衍生物的作為主體材料之ADN構成。
該第二電子傳輸層15F具有(例如)70 nm之厚度，且係由BCP構成。
該第二電子注入層15G具有(例如)0.3 nm之厚度，且係由LiF構成。
該第二電極16具有(例如)200 nm之厚度，且係由ITO構成。
該有機發光裝置可以與第一實施例相同之方法製造。此時，例如，第二電子電洞注入層15A之蒸發速度係0.2 nm/秒至0.4 nm/秒(包括兩者)，第二電子電洞傳輸層15B之蒸發速度係0.2 nm/秒至0.4 nm/秒(包括兩者)，中間層15D之蒸發速度係0.2 nm/秒至0.4 nm/秒(包括兩者)，及第二電子注入層15G之蒸發速度係0.01 nm/秒。此外，第一電子電洞傳輸層13B之蒸發速度係0.2 nm/秒至0.4 nm/秒(包括兩者)。
第二修飾實例
圖6與圖7繪示根據一第二修飾實例之一有機發光裝置之截面結構。該有機發光裝置具有類似於前述第一實施例之結構，除了該有機發光裝置係僅具有藍光發射層13C及綠光發射層15E之二階及兩種顏色頂部發射型裝置以外，且係可以與前述第一實施例相同之方式製造。其作用與效果類似於前述第一實施例之作用與效果。
第三修飾實例
圖8繪示根據一第三修飾實例之一有機發光裝置之截面圖。該有機發光裝置具有類似於第一修飾實例裝置之一結構，除了該有機發光裝置係僅具有藍光發射層13C與紅光發射層15C之二階及兩種顏色底部發射型裝置以外，且係可以與前述第一修飾實例相同之方式製造。其作用與效果類似於前述第一修飾實例之作用與效果。
該第一發光元件13具有(例如)一結構，其中第一電子傳輸層13D、藍光發射層13C及第一電子電洞傳輸層13B係自第一電極12側起依序層疊。就前述層體而言，根據需求可提供除了藍光發射層13C以外之層體。
該第一電子電洞傳輸層13B具有(例如)20 nm之厚度，且係由α-NPD構成。
該藍光發射層13C具有(例如)30 nm之厚度，且係由以5%相對膜厚度摻雜有作為摻雜物材料之化學式7所示二胺基衍生物的作為主體材料之ADN構成。
該第一電子傳輸層13D具有(例如)30 nm之厚度，且係由BCP構成。
該連接層14具有(例如)一由一具有10 nm厚度之Alq3 膜及一由化學式4所示化合物構成且具有10 nm厚度之HAT膜構成之層壓結構。該Alq3 膜摻雜有(例如)作為金屬組份之5%鎂(Mg)。
該第二發光元件15具有(例如)一結構，其中第二電子注入層15G、第二電子傳輸層15F、紅光發射層15C、第二電子電洞傳輸層15B及第二電子電洞注入層15A係自第一電極12側起依序層疊。根據需求可提供除了紅光發射層15C以外之層體。
該第二電子電洞注入層15A具有(例如)10 nm之厚度，且係由TPTE構成。
該第二電子電洞傳輸層15B具有(例如)25 nm之厚度，且係由α-NPD構成。
該紅光發射層15C具有(例如)45 nm之厚度，且係由以1%之相對膜厚度摻雜有作為摻雜物材料之化學式5所示吡咯甲川硼錯合物之作為主體材料之紅烯構成。
該第二電子傳輸層15F具有(例如)65 nm之厚度，且係由BCP構成。
該第二電子注入層15G具有(例如)0.3 nm之厚度，且係由LiF構成。
該第二電極16具有(例如)200 nm之厚度，且係由ITO構成。
該有機發光裝置可係與第一修飾實例相同之方式製造。此時，例如，第二電子電洞注入層15A之蒸發速度係0.2 nm/秒至0.4 nm/秒(包括兩者)，第二電子電洞傳輸層15B之蒸發速度係0.2 nm/秒至0.4 nm/秒(包括兩者)，及第二電子注入層15G之蒸發速度係0.01 nm/秒。此外，第一電子電洞傳輸層13B之蒸發速度係0.2 nm/秒至0.4 nm/秒(包括兩者)。
另外，於第二修飾實例與第三修飾實例中，綠光發射層15E或紅光發射層15C係提供為黃光發射層15E(或15C)，及白光發射可藉由來自紅光發射層15C與黃光發射層15E(或15C)之光之顏色混合而獲得。
照明裝置
圖9與圖10繪示一桌面照明裝置之外觀，該裝置應用第一實施例或修飾實例1至3之有機發光裝置。於該照明裝置中，一發光區段23連接於一供應於一基座21上之柱22。該發光區段23係由根據前述第一實施例或前述修飾實例1至3之白光發射型有機發光裝置構成。若將一彈性部件(諸如樹脂基板)用作基板11，則發光區段23可以諸如圖9所示之圓柱形及圖10所示之弧形的指定形狀形成。
圖11繪示一室內照明裝置之外觀，該裝置應用第一實施例或修飾實例1至3之有機發光裝置。該照明裝置具有(例如)一由根據前述第一實施例或前述修飾實例1至3之白光發射型有機發光裝置構成之發光區段24。適宜數量發光區段24係以特定間隔設置於一建築之一天花板30A上。發光區段24之設置地方不限於天花板30A，但可依據目的設置於指定地方中，諸如一牆壁30B及一地板(未顯示)。
液晶顯示元件
圖12繪示一液晶顯示元件之一概要結構，該液晶顯示元件應用第一實施例或修飾實例1至3之有機發光裝置。該液晶顯示元件係用作一液晶電視元件或其類似物，且係一具有一液晶面板41與一背光元件(表面發光源元件)42之可透射彩色液晶顯示元件。
液晶面板41係一可透射液晶面板，其中一液晶層係夾在一對透明基板中間。於該透明基板之內表面上，提供一透明電極膜、一定向膜、一濾光鏡等。於該透明基板之外表面上，各自提供「偏轉板。根據需求，可將一光學補償片(諸如一波板)設置於該透明基板與該偏轉板之間。
該背光元件42具有一光源43及一漫射板44。該光源43係由根據前述第一實施例或前述修飾實例1至3之白光發射型有機發光裝置構成。該漫射板44係與一視情況之光學功能片45組合以建構一螢幕。來自光源43之光照射至一第一面44A，且光自該第一面44A相對面上之一第二面44B再次照射。漫射板44係置於離光源43距離D處。自光源43照射之光在由漫射板44與光學功能片45構成之螢幕與光源43之間之空間內混合。由此，使進入漫射板44之光均勻。
第二實施例
圖13繪示根據本發明之一第二實施例之一顯示元件的一結構。該顯示元件係用作一有機EL電視元件或其類似物。於該顯示元件中，例如作為一顯示區域110，複數個有機發光裝置10R、10G、10B係以一矩陣狀態設置於一基板11上。為用於顯示一視訊之驅動器的一信號線驅動電路120與一掃描線驅動電路130係形成於該顯示區域110之周邊上。
於顯示區域110中，提供一像素驅動電路140。圖14繪示像素驅動電路140之一實例。像素驅動電路140係一於處在低於第一電極12或第二電極16之一層體中形成之主動驅動電路。亦即，像素驅動電路140具有一驅動電晶體Tr1，一書寫電晶體Tr2，一介於該驅動電晶體Tr1與該書寫電晶體Tr2之間之電容器(保持性電容)及串聯接連於在一第一電源線(Vcc)與一第二電源線(GND)之間的該驅動電晶體Tr1的有機EL裝置10R(或10G、10B)。驅動電晶體Tr1及書寫電晶體Tr2係由通用薄膜電晶體(TFT(薄膜電晶體))構成。其結構不受到特定限制，且可例如為倒置交錯結構(所謂之底閘型)或交錯結構(頂閘型)。
於像素驅動電路140中，複數個信號線120A係以行方向設置，及複數個掃描線130A係以列方向設置。在各信號線120A與各掃描線130A之間的每一截面對應於有機發光裝置10R、10G及10B(子像素)中之一者。各信號線120A係連接於信號線驅動電路120。經由信號線120A將圖像信號供應至來自信號線驅動電路120之書寫電晶體Tr2之源電極。各掃描線130A係連接於掃描線驅動電路130。經由掃描線130A將掃描信號依序供應至來自掃描線驅動電路130之書寫電晶體Tr2之閘電極。
圖15至圖18繪示圖13所示之有機發光裝置10R、10G及10B之截面結構。圖15至圖18所示之有機發光裝置10R、10G及10B具有一與前述第一實施例或前述修飾實例1至3之結構類似之結構，除了該等有機發光裝置10R、10G及10B具有一由一紅色濾光器17R、一綠色濾光器17G及一藍色濾光器17B構成之濾色器17以外，且其作用與效果與前述第一實施例或前述修飾實例1至3之作用與效果相似。於圖17與圖18中，藉由來自紅光發射層15C與黃光發射層15E(或15C)之光之顏色混合獲得白光發射。
濾色器17係意欲將有機發光裝置10R、10G及10B中產生之白光分離及提取為紅色、綠色及藍色，且意欲吸收經有機發光裝置10R、10G及10B及其間之佈線反射之外部光以改良對比度。紅色濾色器17R、綠色濾色器17G及藍色濾色器17B係對應於有機發光裝置10R、10G及10B依序設置。紅色濾色器17R、綠色濾色器17G及藍色濾色器17B分別係由混有顏料之樹脂製成。藉選擇顏料作出調整，以使於所期望紅、綠或藍波長區域中之透光性高，而於其他波長區域中之透光性低。
另外，於紅色濾色器17R、綠色濾色器17G及藍色濾色器17B中具有高透光度之波長範圍與因干涉加強之光的光譜峰波長λ1 及λn 一致。由此，除了自第二電極16側進入之外部光以外，唯有具有等於較佳提取之光的光譜峰波長λ1 及λn 之波長的光通過濾色器17，而具有其他波長之外部光被阻止進入有機發光裝置10R、10G及10B。
於顯示元件中，將掃描信號經由書寫電晶體Tr2之閘電極自掃描線驅動電路130供應至各像素，而經由書寫電晶體Tr2使來自信號線驅動電路120之圖像信號保留於保持性電容Cs中。亦即，根據保留於保持性電容Cs中之信號，開關控制驅動電晶體Tr1，並由此將一驅動電流Id注入各自有機發光裝置10R、10G及10B中。結果，產生電子電洞重新結合以開始光發射。光係經第一電極12反射並產生干涉。其後，光透過第二電極16，於濾色器17中色彩分離，並經提取。
模組及應用實例
對前述實施例中所述之顯示元件之應用實例給予說明。前述實施例之顯示元件可應用於在任何領域中用於顯示自外輸入之視訊信號或內部產生作為一圖像或一視訊之視訊信號之一電子裝置的一顯示元件，諸如一電視元件、一數位相機、一筆記本型個人電腦、諸如行動電話之一可擕式終端裝置及一視訊相機。
模組
前述實施例之顯示元件併入諸如而後提及之第一至第五應用實例之各種電子裝置中作為(例如)如圖19所示之模組。於該模組中，例如自一保護層18開始暴露之一區域210係提供於基板11之一側上，及一外部連接終端(未顯示)係藉由延伸信號線驅動電路120與掃描線驅動電路130之佈線而於暴露區域210中形成。該外部連接終端可具有用於輸入及輸出一信號之一彈性印刷電路(FPC)220。
第一應用實例
圖20係一電視元件之外觀，該元件應用前述實施例之顯示元件。該電視元件具有例如一視訊顯示螢幕區段300，其包括一面板310與一濾色玻璃320。該視訊顯示螢幕係由根據前述實施例之顯示元件構成。
第二應用實例
圖21A與21B係一數位相機之外觀，該數位相機應用前述實施例之顯示元件。該數位相機具有例如一用於一快閃410之光發射區段、一顯示區段420、一選單開關430及一快門按鈕440。該顯示區段420係由根據前述實施例之顯示元件構成。
第三應用實例
圖22係一應用前述實施例之顯示元件的筆記本型個人電腦之外觀。該筆記本型個人電腦具有例如一主體510、一用於輸入字母等操作之鍵盤520及一用於顯示一圖像之顯示區段530。該顯示區段530係由根據前述實施例之顯示元件構成。
第四應用實例
圖23係應用前述實施例之顯示元件之一視訊相機的外觀。該視訊相機具有例如一主體610、一用於射擊提供於該主體610正表面上之一目標620之透鏡、一在射擊時之啟動/停止開關630及一顯示區段640。該顯示區段640係由根據前述實施例之顯示元件構成。
第五應用實例
圖24A至24G係應用前述實施例之顯示元件之一行動電話之外觀。於該行動電話中，例如一上封包710與一下封包720係藉由一連接區段(鉸鏈區段)730連接。該行動電話具有一顯示器740、一子顯示器750、一圖片燈760及一相機770。該顯示器740或該子顯示器750係由根據前述實施例之顯示元件構成。
實例
以下將描述本發明之特定實例。
實例1
圖5所示之二階、三種顏色及底部發射型有機發光裝置係以與前述第一修飾實例相同之方式製造。此時，將尺寸為30 mm*30 mm之玻璃板用作基板11。
藍光發射層13C係經設置以包括自藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等中最接近第一電極12之最靠近干涉位置IB0(在數學式1中之級數m1 係0：零級干涉位置之情況下)。綠光發射層15E係經設置以包括自藍色干涉位置IB0、IB1等中之最靠近干涉位置IB0後第二接近第一電極12之位置IB1(在數學式2中之級數mn 係1：一級干涉位置之情況下)。
就所獲得有機發光裝置而言，檢測10 mA/cm2 中之電壓。所得數值係11 V，而電流效率係13.5 cd/A。就色點而言，觀察到白色(0.29，0.35)。
比較實例1
一有機發光裝置係以與前述實例1相同方式製造，除了該第一電極係具有一層壓結構以預防干涉之一透光性電極以外，該層壓結構係由具有0.3 nm厚度之一LiF膜及具有20 nm厚度之一ITO膜構成。該ITO膜係藉由噴灑方法形成。
就實例1與比較實例1之所得有機發光裝置而言，檢查各光發射光譜。藉由使於藍光發射波峰位置處獲得之光譜標準化而得到之結構係繪示於圖25中。
如圖25所證明，於其中第一電極12反射之光產生干涉之實例1中，綠光發射峰強度係比其中不產生干涉之比較實例1增加了約1.3倍。亦即，發現就綠光發射層15E係經設置以包括自藍色干涉位置IB0、IB1等中之最靠近干涉位置IB0後之第二接近第一電極12之位置IB1(在數學式2中之級數mn 係1：一級干涉位置之情況下)而論，綠光發射提取效率得以改善，並因此獲得有利白色光譜。
實例2
圖1所示之二階、三種顏色及頂部發射型有機發光裝置係以與前述第一實施例相同之方式製造。
藍光發射層13C係經設置以包括自藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等中最接近第一電極12之最靠近干涉位置IB0(在數學式1中之級數m1 係0：零級干涉位置之情況下)。綠光發射層15E係經設置以包括自藍色干涉位置IB0、IB1等中之最靠近干涉位置IB0後之第二接近第一電極12之位置IB1(在數學式2中之級數mn 係1：一級干涉位置之情況下)。
當打開所得有機發光裝置時，源自第一發光元件13之藍光與源自第二發光元件15之紅及綠光混合並觀察到白光發射。另外，於10 mA/cm2 中之電壓係11.2 V，及電流效率係16.5 cd/A。就色點而言，觀察到白色(0.32，0.28)。亦即，發現就綠光發射層15E係經設置以包括自藍色干涉位置IB0、IB1等中之最靠近干涉位置IB0後之第二接近第一電極12之位置IB1(在數學式2中之級數mn 係1：一級干涉位置之情況下)而論，綠光發射提取效率得以改善，並因此獲得有利白色光譜。
實例3
圖8所示之二階、兩種顏色及底部發射型有機發光裝置係以與前述第三修飾實例相同之方式製造。
藍光發射層13C係經設置以包括自藍色干涉位置IB0、IB1、IB2等中之最靠近第一電極12之干涉位置IB0(在數學式1中之級數m1 係0：零級干涉位置之情況下)。紅光發射層15C係經設置以包括自藍色干涉位置IB0、IB1等中最接近干涉位置IB0後之第二靠近第一電極12之位置IB1(在數學式2中之級數mn 係1：一級干涉位置之情況下)。
就所得有機發光裝置而言，檢查於10 mA/cm2 中之電壓。所得值為11V，且電流效率係13.5 cd/A。就色點而言，觀察到品紅色(0.31，0.23)。
比較實例3
以與前述實例3相同方式製造一有機發光裝置，除了該第一電極係具有由一具有0.3 nm厚度之LiF膜及一具有20 nm厚度之ITO膜構成之一層壓結構以預防干涉之一透光性電極以外。該ITO膜係藉由噴灑方法形成。
就實例3與比較實例3所得有機發光裝置而言，檢查各光發射光譜。藉由使在藍光發射峰位置處獲得之光譜標準化而獲得之結果係示於圖26中。
如圖26所證明，於其中第一電極12反射之光產生干涉之實例3中，紅光發射峰強度係比其中不產生干涉之比較實例3增加了約1.4倍。亦即，發現在紅光發射層係經設置以包括藍色干涉位置之情況下，紅光發射提取效率得以改善，且可改良亮度。
雖然已參照實施例及實例描述本發明，但本發明不限於前述實施例與前述實例，且可作出各種修飾。例如，兩或更多個光發射層可提供於第一發光元件13中。
另外，例如，各層之材料、厚度、膜形成方法、膜形成條件等不限於彼等描述於前述實施例與實例中者，但可採用其他厚度、其他膜形成方法及其他膜形成條件。
另外，於前述實施例與實例中，已特定描述有機發光裝置10R、10G及10B之結構。然而，並不總必須提供所有層體且可另外提供其他層體。
此外，於前述第二實施例中，已描述主動矩陣顯示元件。然而，本發明亦可應用於一被動矩陣顯示元件。此外，用於驅動該主動矩陣之像素驅動電路不限於前述第二實施例所描述之結構。若必要，則可添加一電容裝置或一電晶體。就此而言，根據該像素驅動電路之變化，可添加除了前述信號線驅動電路120與掃描線驅動電路130以外之一必要驅動電路。
熟習此項技術者應瞭解各種修飾、組合、子組合及更替可視設計需求與其他因素而存在，只須其等屬於其隨附申請專利範圍或對等物之範疇內即可。
10B．．．有機EL裝置
10G．．．有機EL裝置
10R．．．有機EL裝置
11．．．基板
12．．．第一電極
12A．．．金屬膜
12B．．．透明導電膜
13．．．第一發光元件
13A．．．第一電子電洞注入層
13B．．．第一電子電洞傳輸層
13C．．．藍光發射層
13D．．．第一電子傳輸層
13E．．．第一電子注入層
14．．．連接層
15．．．第二發光元件
15B．．．第二電子電洞傳輸層
15C．．．紅光發射層
15D．．．中間層
15E．．．綠光發射層
15F．．．第二電子傳輸層
15G．．．第二電子注入層
16．．．第二電極
17．．．濾色器
17B．．．藍色濾色器
17G．．．綠色濾色器
17R．．．紅色濾色器
18．．．保護層
21．．．基座
22．．．柱
23．．．發光區段
24．．．發光區段
30A．．．天花板
30B．．．牆壁
41．．．液晶面板
42．．．背光元件
43．．．光源
44．．．漫射板
44A．．．第一面
44B．．．第二面
45．．．光學功能片
110．．．顯示區域
120．．．信號線驅動電路
120A．．．信號線
130．．．掃描線驅動電路
130A．．．掃描線
140．．．像素驅動電路
210．．．暴露區域
220．．．彈性印刷電路
300．．．視訊顯示螢幕區段
310．．．面板
320．．．濾色玻璃
410．．．快閃
420．．．顯示區段
430．．．選單開關
440．．．快門按鈕
510．．．主體
520．．．鍵盤
530．．．顯示區段
610．．．主體
620．．．透鏡
630．．．啟動/停止開關
640．．．顯示區段
710．．．上封包
720．．．下封包
730．．．連接區段
740．．．顯示器
750．．．子顯示器
760．．．圖片燈
770．．．相機
Cs．．．電容器
GND．．．第二電源線
IB．．．藍色干涉圖案
IB0．．．藍色干涉位置
IB1．．．藍色干涉位置
IB2．．．藍色干涉位置
IG．．．綠色干涉圖案
IG0．．．綠色干涉位置
IG1．．．綠色干涉位置
IR．．．紅色干涉圖案
IR0．．．紅色干涉位置
Tr1．．．驅動電晶體
Tr2．．．書寫電晶體
Vcc．．．第一電源線
圖1係繪示根據本發明一第一實施例之一有機發光裝置一結構的截面圖。
圖2係用於繪示圖1所示有機發光裝置之發光層設置的圖。
圖3係用於繪示圖2所示發光層之另一設置之圖。
圖4係用於繪示相關有機發光裝置之發光層設置之圖。
圖5係繪示根據一第一修飾實例之一有機發光裝置之結構的截面圖。
圖6係繪示根據一第二修飾實例之一有機發光裝置之結構的截面圖。
圖7係用於繪示圖6所示有機發光裝置之發光層設置的圖。
圖8係繪示根據一第三修飾實例之一有機發光裝置之結構的截面圖。
圖9係繪示一包括圖1所示有機發光裝置的照明裝置之一實例之外觀的透視圖。
圖10係繪示一照明裝置之另一實例的外觀之透視圖。
圖11係繪示一照明裝置之又另一實例的外觀之透視圖。
圖12係繪示一包括圖1所示有機發光裝置的液晶顯示元件的概要結構之截面圖。
圖13係繪示根據本發明之一第二實施例的一顯示元件之結構之圖。
圖14係繪示圖13所示像素驅動電路之一實例之圖。
圖15係繪示圖13所示有機發光裝置的結構之截面圖。
圖16係繪示圖13所示有機發光裝置的另一結構之截面圖。
圖17係繪示圖13所示有機發光裝置的又另一結構之截面圖。
圖18係繪示圖13所示有機發光裝置之又另一結構之截面圖。
圖19係繪示包括前述實施例顯示元件之一模組的示意結構之平面圖。
圖20係繪示前述實施例顯示元件之一第一應用實例外觀之透視圖。
圖21A係繪示自一第二應用實例之正面觀察之外觀的透視圖，及圖21B係繪示自該第二應用實例之背面觀察之外觀的透視圖。
圖22係繪示一第三應用實例之外觀的透視圖。
圖23係繪示一第四應用實例之外觀的透視圖。
圖24A係未閉合第五應用實例之正視圖，圖24B係其側視圖，圖24C係閉合第五應用實例之正視圖，圖24D係其左側視圖，圖24E係其右側視圖，圖24F係其俯視圖，及圖24G係其仰視圖。
圖25係闡釋一實例結果之圖。
圖26係闡釋一實例結果之圖。
11．．．基板
12．．．第一電極
12A．．．金屬膜
12B．．．透明導電膜
13．．．第一發光元件
13A．．．第一電子電洞注入層
13B．．．第一電子電洞傳輸層
13C．．．藍光發射層
13D．．．第一電子傳輸層
13E．．．第一電子注入層
14．．．連接層
15．．．第二發光元件
15B．．．第二電子電洞傳輸層
15C．．．紅光發射層
15D．．．中間層
15E．．．綠光發射層
15F．．．第二電子傳輸層
15G．．．第二電子注入層
16．．．第二電極

Claims (21)

  1. 一種有機發光裝置，其包含：一位於一基板上之第一電極；一位於該基板上之第二電極；及位於該第一電極與該第二電極之間的複數個發光元件，該複數個發光元件包括一含有一第一光發射層之第一發光元件，及一含有一第二光發射層之第二發光元件，其中該第一電極反射來自該複數個發光元件中之至少一者之光以與自該第一光發射層發射之光產生一干涉圖案，該干涉圖案包括複數個干涉位置，該複數個干涉位置係位在於經反射之光與自該第一光發射層發射之光之間所形成的干涉之峰位置處，及該複數個發光元件係經放置以使一第一干涉位置係位在該第一光發射層內，及一第二干涉位置係位在該第二光發射層內。
  2. 如請求項1之裝置，其中該第一干涉位置係位於比該第二干涉位置更接近該第一電極處。
  3. 如請求項1之裝置，其中該第一發光元件係置於比該第二發光元件更接近該第一電極處。
  4. 如請求項1之裝置，其中，該第一光發射層係一藍光發射層，且該第二光發射層係與該第一光發射層顏色不同。
  5. 如請求項4之裝置，其中，該第二光發射層係選自由一紅光發射層與一綠光發射層組成之群。
  6. 如請求項1之裝置，其中該第二光發射層係一黃光發射層，以便藉由來自該第一光發射層與該黃光發射層之光的顏色混合獲得白光。
  7. 如請求項1之裝置，其進一步包含：一位於該第一發光元件與該第二發光元件之間的電荷層。
  8. 如請求項1之裝置，其中，該第一發光元件進一步包括一電子傳輸層，該第二發光元件進一步包括一電子電洞傳輸層，且該電子傳輸層之厚度係大於該電子電洞傳輸層之厚度。
  9. 一種有機發光裝置，其包含：一堆疊，其包括一陽極、一第一光發射層、一第二光發射層、及一陰極，該堆疊係經組態以發射白光，且於自該第一光發射層發射之光與自該陽極反射之光之間產生干涉，其中，所形成的干涉具有一干涉圖案，其包括一第一干涉峰位置及一第二干涉峰位置，及該第二干涉峰位置係位在該第二光發射層內，該第二光發射層係選自由一紅光發射層、一綠光發射層及一黃光發射層組成之群。
  10. 如請求項9之裝置，其中該第一干涉峰位置係位在該第一光發射層內，該第一光發射層係一藍光發射層。
  11. 如請求項9之裝置，其中該陽極係一層壓結構，其包括一金屬膜及一透明電極膜。
  12. 如請求項9之裝置，其中將濾色器提供於該陰極之遠離該陽極之一側上。
  13. 如請求項9之裝置，其中介於該第一干涉峰位置與該陽極之間的一光程係小於介於該第二干涉峰位置與該陽極之間的光程。
  14. 如請求項9之裝置，其中介於該第一干涉位置與該陽極之間的一光程(L1 )係經設定以使L1 =(m1 -Φ/2π)λ1 /2,其中，m1 表示零或一整數，Φ表示當於該第一光發射層中產生之光經該第一電極反射時所產生之一相位移，及λ1 表示當於該第一光發射層中產生之光係自面向該陰極一側照射時之光譜的一峰波長。
  15. 如請求項14之裝置，其中介於該第二干涉位置與該陽極之間的一光程(L2 )係經設定以使L2 =(m2 -Φ/2π)λ2 /2其中，m2 表示一整數，以使m2 >m1 ，Φ表示當於該第一光發射層中產生之光經該第一電極反射時所產生之一相位移，及λ2 表示當於該第一光發射層中產生之光係自面向該陰極之一側照射時之光譜的一峰波長。
  16. 如請求項9之裝置，其進一步包含：一位於該堆疊中之電荷層，該電荷層係位於該第一光發射層與該第二光發射層之間。
  17. 一種製造一發射白光之有機發光裝置之方法，其包含：形成一具有一金屬膜及一透明膜之一層壓結構的陽極；於該陽極之一側上形成複數個發光元件，該複數個發光元件包括(a)具有一第一光發射層之一第一發光元件及(b)具有一第二光發射層之一第二發光元件，其中該第一發光元件與該第二發光元件係藉由一介入電荷層分隔；及形成一陰極，以使該複數個發光元件係位於一堆疊結構中之該陽極與該陰極之間；其中，於自該第一光發射層發射之光與自該陽極反射之光之間產生一干涉圖案，該干涉圖案包括一第一干涉峰位置及一第二干涉峰位置，及介於該陽極與該第二光發射層之間的一距離係經形成為使該干涉圖案之該第二干涉峰位置係位在該第二光發射層內。
  18. 如請求項17之方法，其中介於該陽極與該第一光發射層之間的一距離係經形成為使該干涉圖案之一第一干涉峰位置係位在該第一光發射層內。
  19. 如請求項17之方法，其中，該第一光發射層係一藍光發射層，及該第二光發射層發射與該第一光發射層不同顏色之光。
  20. 一種顯示元件，其包含：一顯示區域，及複數個在該顯示區域內之有機發光裝置，其中各有機發光裝置包含：一陽極；一陰極；及介於該陽極與該陰極之間的複數個發光元件，該複數個發光元件包括一含有一第一光發射層之第一發光元件，及一含有一第二光發射層之第二發光元件，其中，該陽極反射來自該複數個發光元件之至少一者的光以與自該第一光發射層發射之光產生一干涉圖案，該干涉圖案包括複數個干涉峰，及該複數個發光元件係經放置以使該第一光發射層攔截一第一干涉峰，及該第二光發射層攔截一第二干涉峰。
  21. 一種照明裝置，其包含：一發光區段，及一有機發光裝置，其能發射來自於該發光區段內之光，該有機發光裝置包含：一陽極；一陰極；及介於該陽極與該陰極之間的複數個發光元件，該複數個發光元件包括一含有一第一光發射層之第一發光元件，及一含有一第二光發射層之第二發光元件，其中，該陽極反射來自該複數個發光元件中之至少一者之光以與自該第一光發射層發射之光產生一干涉圖案，該干涉圖案包括複數個干涉峰，及該複數個發光元件係經放置以使該第一光發射層攔截一第一干涉峰，及該第二光發射層攔截一第二干涉峰。
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