TWI447492B - 顯示面板 - Google Patents

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TWI447492B TW100127051A TW100127051A TWI447492B TW I447492 B TWI447492 B TW I447492B TW 100127051 A TW100127051 A TW 100127051A TW 100127051 A TW100127051 A TW 100127051A TW I447492 B TWI447492 B TW I447492B
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Shih Hsun Lo
Shan Fu Yuan
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Description

顯示面板
本申請案是有關於一種顯示面板,且特別是有關於一種具有溝槽與擋牆之配合設計的顯示面板。
近年來,由於各種顯示技術不斷地蓬勃發展,在經過持續地研究開發之後,電泳顯示面板、液晶顯示面板、有機發光二極體顯示面板等產品已逐漸地商業化,並且被應用於各種尺寸的顯示裝置中。
以液晶顯示面板為例,其製造過程包括薄膜電晶體陣列基板的製作、彩色濾光基板的製作、框膠塗佈、液晶注入、薄膜電晶體陣列基板與彩色濾光基板對位壓合、框膠固化等步驟。在框膠塗佈的過程中,若所塗佈之膠量過多,極有可能導致框膠在第一基板與第二基板彼此接合的過程中發生溢流(overflow),進而遮蔽住薄膜電晶體陣列基板或彩色濾光基板上的對位標記,此時,溢流的框膠會影響薄膜電晶體陣列基板與彩色濾光基板之間的對位。值得注意的是,由於框膠的溢流現象多發生在框膠的角落處,而對位標記亦多半製作於薄膜電晶體陣列基板或彩色濾光基板的角落處,因此若可避免溢流的框膠遮蔽對位標記,將有助於增加液晶顯示面板的良率。
本申請案提供一種顯示面板,其具有溝槽與擋牆之配合設計。
本申請案提供一種顯示面板,其包括一第一基板、一第二基板、一對位標記、一顯示介質、一框膠以及一擋牆。第一基板具有一溝槽,對位標記配置於第一基板或第二基板上,顯示介質配置於第一基板與第二基板之間,而框膠配置於第一基板與第二基板之間並且環繞顯示介質,其中對位標記位於框膠所環繞的範圍之外。此外,擋牆配置於第一基板與第二基板之間,且溝槽與擋牆位於框膠與對位標記之間。
在本發明之一實施例中,前述之第一基板為一主動元件陣列基板,而第二基板為一對向基板。
在本發明之一實施例中,前述之主動元件陣列基板具有一保護層,而溝槽位於保護層中。
在本發明之一實施例中,前述之顯示介質例如為液晶層、有機電激發光層或電泳液層。
在本發明之一實施例中,前述之擋牆位於第一基板上,而擋牆朝向第二基板延伸,且擋牆例如係與第二基板之間維持一間隙。
在本發明之一實施例中,前述之擋牆位於第二基板上,而擋牆朝向第一基板延伸,且擋牆例如係與第一基板之間維持一間隙。
在本發明之一實施例中,前述之擋牆例如為L形擋牆或弧形擋牆。
在本發明之一實施例中,前述之顯示面板可進一步包括多個間隙物(spacers),其中間隙物配置於第一基板與第二基板之間,而間隙物位於框膠所環繞的區域內,且擋牆之材質與間隙物之材質實質上相同。
在本發明之一實施例中,前述之顯示面板可進一步包括多個配置於第一基板與第二基板之間的間隙物,其中至少部分之間隙物被框膠所包覆,且擋牆之材質與間隙物之材質實質上相同。
在本發明之一實施例中,前述之溝槽與框膠之間的最短距離小於擋牆與框膠之間的最短距離。換言之,溝槽位於框膠與擋牆之間。
在本發明之一實施例中,前述之溝槽的深度例如係介於3500埃至40000埃之間。
在本發明之一實施例中,前述之擋牆的高度例如係介於2微米至4微米之間。
在本申請案之顯示面板中,溝槽與擋牆之配合設計可以有效地避免框膠在第一基板與第二基板彼此接合的過程中溢流而遮蔽對位標記。換言之,本申請案之溝槽與擋牆的配合設計可以確保第一基板與第二基板之間的對位。
為讓本申請案之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
【第一實施例】
圖1為本發明第一實施例之顯示面板的上視示意圖,圖2為圖1中角落C處沿著A-A’剖線之剖面示意圖,而圖3為框膠發生溢流的剖面示意圖。請參照圖1與圖2,本實施例之顯示面板100包括一第一基板110、一第二基板120、一對位標記130、一顯示介質140、一框膠150以及一擋牆160。第一基板110具有一溝槽G,對位標記130配置於第一基板110或第二基板120上,顯示介質140配置於第一基板110與第二基板120之間,而框膠150配置於第一基板110與第二基板120之間並且環繞顯示介質140,其中對位標記130位於框膠150所環繞的範圍之外。此外,擋牆160配置於第一基板110與第二基板120之間,且溝槽G與擋牆160位於框膠150與對位標記130之間。在本實施例中,顯示面板100例如為液晶顯示面板、有機電激發光顯示面板或電泳顯示面板。換言之,本實施例之顯示介質例如為液晶層、有機電激發光層或電泳液層。
在本實施例中,第一基板110例如為一具有薄膜電晶體陣列TFT的薄膜電晶體陣列基板(TFT array substrate),當然第一基板110亦可以是其他型態之主動元件陣列基板,而第二基板120例如為一具有彩色濾光薄膜(未繪示)、黑矩陣(未繪示)以及共通電極COM的對向基板。此外,前述之第一基板110(即主動元件陣列基板)可進一步包括一保護層PV,而前述之溝槽G位於保護層PV中。在本實施例中,溝槽G的深度例如係介於3500埃至40000埃之間,而溝槽G的深度例如係小於保護層PV的厚度。然而,本實施例並不限定溝槽G的深度,意即溝槽G的深度亦可大於或等於保護層PV的厚度。
如圖1所示,本實施例之對位標記130例如具有十字形圖案或是具有十字形鏤空區域之圖案。然而,本實施例不限定對位標記130的形狀,其可以是能夠輔助對位的任意形狀之圖案。舉例而言,當對位標記130係位於第一基板110上時,對位標記130可與薄膜電晶體陣列TFT中的金屬層一起製作,此時,對位標記130例如具有十字形圖案。當對位標記130係位於第二基板120上時,對位標記130可與第二基板120上的黑矩陣一併製作,此時,對位標記130例如具有十字形鏤空區域之圖案。
在本實施例中,擋牆160例如係位於第二基板120上,而擋牆160會朝向第一基板110延伸,且擋牆160例如係與第一基板110之間維持一間隙G1。此外,擋牆160的高度例如係介於2微米至4微米之間。舉例而言,本實施例之擋牆160例如為L形擋牆。當然,擋牆160亦可以是弧形擋牆(未繪示)或是其他形狀之擋牆。
在框膠150未發生溢流的情況下,溝槽G與框膠150之間的最短距離D1小於擋牆160與框膠150之間的最短距離D2,如圖2所示。換言之,溝槽G位於框膠150的外側壁與擋牆160之間。當框膠150之溢流情況發生時,框膠150的寬度會明顯地變寬,且溝槽G會被溢流的框膠150所覆蓋,如圖3所示。溢流的框膠150有可能會與擋牆160接觸。
值得注意的是,本實施例不限定溝槽G會完全被溢流的框膠150所覆蓋,亦不限定溢流的框膠150必須與擋牆160接觸。舉例而言,溢流的框膠150可能僅覆蓋於部分的溝槽G上,且未與擋牆160接觸。此外,溢流的框膠150亦可能完全覆蓋住溝槽G,但未與擋牆160接觸。
承上述,溝槽G是否被完全溢流的框膠150所覆蓋以及框膠150至否與擋牆160接觸端視框膠150溢流的程度(膠量)而定。
在本實施例中,在框膠150溢流至遮蔽對位標記130之前,其必須先填滿溝槽G以及溝槽G上方的空間,且必須穿過擋牆160與第二基板120之間的間隙G1,才有機會遮蔽住對位標記130。因此,前述之溝槽G與擋牆160可以有效地降低框膠150遮蔽住對位標記130的風險,增進第一基板110與第二基板120之間對位的精確度。
在本實施例中,顯示面板100可進一步包括多個配置於第一基板110與第二基板120之間的間隙物PS,這些間隙物PS係位於框膠150所環繞的區域內,且擋牆160之材質與間隙物PS之材質實質上相同。換言之,本實施例之擋牆160可與間隙物PS一併製作,故擋牆160的製作與顯示面板之製程相容,不會造成製程成本上的負擔。
【第二實施例】
圖4為本發明第二實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖4,本實施例之顯示面板100a與第一實施例之顯示面板100類似,以下僅針對二實施例之間的主要差異進行描述,其餘技術細節不再重述。在本實施例之顯示面板100a中,擋牆160a位於第一基板110上,而擋牆160a朝向第二基板120延伸,且擋牆160a例如係與第二基板120之間維持一間隙G2。換言之,擋牆160a與溝槽G位於同一的基板上。
【第三實施例】
圖5為本發明第三實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖5,本實施例之顯示面板100b與第一實施例之顯示面板100類似,以下僅針對二實施例之間的主要差異進行描述,其餘技術細節不再重述。在本實施例之顯示面板100a中,部分的間隙物PS位於框膠150所環繞的區域內,而部分的間隙物PS會被框膠150所包覆。
在前述多個實施例之顯示面板中,溝槽G與擋牆160、160a之配合設計可以有效地避免框膠150在第一基板110與第二基板120彼此接合的過程中溢流而遮蔽住對位標記130。換言之,本申請案之溝槽G與擋牆160、160a的配合設計可以確保第一基板110與第二基板120之間的對位。
雖然本申請案已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本申請案,任何熟習此技藝者,在不脫離本申請案之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本申請案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、100a、100b...顯示面板
110...第一基板
120...第二基板
130...對位標記
140...顯示介質
150...框膠
160、160a...擋牆
C...角落
G...溝槽
PV...保護層
TFT...薄膜電晶體陣列
PS...間隙物
G1、G2...間隙
D1、D2...最短距離
COM...共通電極
圖1為本發明第一實施例之顯示面板的上視示意圖。
圖2為圖1中角落C處沿著A-A’剖線之剖面示意圖。
圖3為框膠發生溢流的剖面示意圖。
圖4為本發明第二實施例之顯示面板的剖面示意圖。
圖5為本發明第三實施例之顯示面板的剖面示意圖。
100...顯示面板
110...第一基板
120...第二基板
130...對位標記
140...顯示介質
150...框膠
160...擋牆
C...角落
G...溝槽
PS...間隙物

Claims (14)

  1. 一種顯示面板,包括:一第一基板,具有一溝槽;一第二基板;一對位標記,配置於該第一基板或該第二基板上;一顯示介質,配置於該第一基板與該第二基板之間;一框膠,配置於該第一基板與該第二基板之間並且環繞該顯示介質,其中該對位標記位於該框膠所環繞的範圍之外;以及一擋牆,配置於該第一基板與該第二基板之間,其中該溝槽與該擋牆位於該框膠與該對位標記之間,且該溝槽位於該框膠與該擋牆之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該第一基板為一主動元件陣列基板,而該第二基板為一對向基板。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示面板,其中該主動元件陣列基板具有一保護層,而該溝槽位於該保護層中。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該顯示介質包括液晶層、有機電激發光層或電泳液層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該擋牆位於該第一基板上,且該擋牆朝向該第二基板延伸。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示面板,其中該擋牆與該第二基板之間維持一間隙。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該擋牆位於該第二基板上,且該擋牆朝向該第一基板延伸。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示面板,其中該擋牆與該第一基板之間維持一間隙。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該擋牆為L形擋牆或弧形擋牆。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,更包括多個間隙物,配置於該第一基板與該第二基板之間,其中該些間隙物位於該框膠所環繞的區域內,且該擋牆之材質與該些間隙物之材質實質上相同。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,更包括多個間隙物,配置於該第一基板與該第二基板之間,其中至少部分之該些間隙物被該框膠所包覆,且該擋牆之材質與該些間隙物之材質實質上相同。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該溝槽與該框膠之間的最短距離小於該擋牆與該框膠之間的最短距離。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該溝槽的深度介於3500埃至40000埃之間。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該擋牆的高度介於2微米至4微米之間。
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