TWI445834B - 製造變形金屬物件之方法及藉由該方法形成之金屬物件 - Google Patents
製造變形金屬物件之方法及藉由該方法形成之金屬物件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI445834B TWI445834B TW96107945A TW96107945A TWI445834B TW I445834 B TWI445834 B TW I445834B TW 96107945 A TW96107945 A TW 96107945A TW 96107945 A TW96107945 A TW 96107945A TW I445834 B TWI445834 B TW I445834B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- rolling
- metal
- slab
- thickness
- ingot
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 194
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 194
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 100
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 205
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 67
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 19
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical group [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000004579 marble Substances 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 239000000047 product Substances 0.000 description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 9
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 6
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 210000003195 fascia Anatomy 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009497 press forging Methods 0.000 description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000005555 metalworking Methods 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 238000001887 electron backscatter diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000013062 quality control Sample Substances 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 description 1
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 description 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B1/00—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations
- B21B1/08—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations for rolling structural sections, i.e. work of special cross-section, e.g. angle steel
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B1/00—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations
- B21B1/02—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations for rolling heavy work, e.g. ingots, slabs, blooms, or billets, in which the cross-sectional form is unimportant ; Rolling combined with forging or pressing
- B21B1/026—Rolling
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B1/00—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations
- B21B1/08—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations for rolling structural sections, i.e. work of special cross-section, e.g. angle steel
- B21B1/0805—Flat bars, i.e. having a substantially rectangular cross-section
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
- C22C27/02—Alloys based on vanadium, niobium, or tantalum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/16—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of other metals or alloys based thereon
- C22F1/18—High-melting or refractory metals or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/16—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of other metals or alloys based thereon
- C22F1/18—High-melting or refractory metals or alloys based thereon
- C22F1/183—High-melting or refractory metals or alloys based thereon of titanium or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12993—Surface feature [e.g., rough, mirror]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Metal Rolling (AREA)
- Control Of Metal Rolling (AREA)
Description
本發明係關於金屬小坯、板坯、板、桿及濺鍍標靶及其他金屬物件。更特定言之,本發明係關於一種製造一有用於製造濺鍍標靶及其他物件之金屬之方法,該金屬較佳具有均一細晶粒大小、均質微結構、低紋理條帶,及/或沒有表面大理岩化。
需要濺鍍標靶及濺鍍標靶材料之某些可觀測性質以用於增強閥金屬濺鍍標靶之濺鍍效能(例如,參見Michaluk之"Correlating Discrete Orientation and Grain Size to the Sputter Deposition Properties of Tantalum",JEM
,2000年1月;Michaluk、Smathers及Field之Twelfth International Conference on Texture of Materials
,J.A.Szpunar(ed.),National Research Council of Canada,1999年,第1357頁)。細晶粒大小及大體上沒有明顯紋理帶之均質微結構為此等性質之實例。一般而言,金屬材料(且詳言之,標靶材料)之晶粒大小、晶粒均一性及紋理均質性為可藉由(例如)美國專利第6,462,339 B1號(Michaluk等人)及Wright等人之"Scalar Measures of Texture Heterogeneity
",MATERIAL SCIENCE FORUM,第495-497卷(2005年9月)第207-212頁中所描述之方法量測的品質,其全文以引用之方式併入本文中。
因此,在相關市場中日益關注開發用於製造類似於具有上文所描述之冶金品質及紋理品質之濺鍍標靶的高純度金屬物件之工藝。併入鍛造及/或軋製步驟,與一或多個中間退火步驟以及一或多個清潔步驟組合之習知金屬加工多步驟序列通常用於製造適當軋機形式,且大體由C.Pokross之"Controlling the Texture of Tantalum Plate
",JOURNAL OF METALS,1989年10月,第46-49頁;及J.B.Clark、R.K.Garrett、Jr.、T.L.Jungling、R.I.Asfahani之"Influence of Transverse Rolling on the Microstructural and Textural Development in Pure Tantalum
",METALLURGICAL TRANSACTIONS A,23A,第2183-91頁(1992年)描述,其全文以引用之方式併入本文中。用以製造具有細晶粒大小及均質紋理之鉭濺鍍標靶之多步驟鍛造、清潔、退火及軋製工藝之實例在美國專利第6,348,113號(Michaluk等人)中描述,其全文以引用之方式併入本文中。
鉭已作為用於在先進積體電路微電子設備中使用之銅互連之主要擴散障壁材料而出現。在此等微電子設備之製造序列期間,鉭或氮化鉭障壁薄膜藉由物理氣相沈積(PVD)沈積,物理氣相沈積(PVD)係一源材料(稱為"濺鍍標靶")由高能量電漿腐蝕之已為吾人所接受之工藝。電漿離子轟擊及穿透至濺鍍標靶之晶格中引起原子自濺鍍標靶之表面噴射,隨後沈積於基板之上。濺鍍沈積之薄膜之品質受許多因素影響,包括濺鍍標靶之化學及冶金均質性。
近年來,研究工作已集中於開發增加純度、縮小晶粒大小及控制鉭濺鍍標靶材料之紋理的工藝。舉例而言,美國專利第6,348,113號(Michaluk等人)及美國專利申請案第2002/0157736號(Michaluk)及第2003/0019746號(Ford等人)描述了用於經由變形及退火操作之特定組合以達到鉭材料或鉭濺鍍標靶組件中之精選晶粒大小及/或較佳方位的金屬加工工藝,其每一者以引用之方式併入本文中。
在美國專利第6,348,113號(Michaluk等人)中描述一種適用於製造大批及成批量具有微結構及紋理均質性之高純度鉭濺鍍標靶的方法。雖然與分批法相比,大量製造之工藝提供顯著成本益處,但其常常不能藉由一標準化及可重複變形序列來達成緊密尺寸公差。高純度鉭錠及大型軋製板坯之機械反應歸因於其較大之非均質晶粒結構而非常易變。將一預定且一致之軋縮量排程強加於高純度鉭之大型板坯上可導致隨每一縮小道次板厚度之偏差,且最終將產出具有過大規格變化之板產品。由於此狀態,用於自大型板坯軋製鉭板之習知方法係視板之寬度及規格而定使軋機輥子間隙縮小一特定量,隨後添加精加工道次以達成通常約標靶厚度之+/- 10%的規格公差。
某些軋製理論規定必需每一軋製道次之大縮量以達成遍及組件之厚度之均一應變分佈,此有益於在成品板中達到均質退火響應及細的、均一微結構。規模(Scale)提出了一阻礙在將大體積鉭板坯處理成板時採取大軋縮量之能力之主要因數,因為大縮量(例如,真應變縮小)可表示多於輥軋機可處理之縮量之一次咬入(bite)。此情況在板坯或板厚度最大之情況下開始軋製時尤其正確。舉例而言,4"厚之板坯之0.2真應變縮小需要一0.725"縮小道次。採取此大型咬入將必需之分離力將超過習知製造輥軋機之能力。相反,在0.40"厚之板上之0.2真應變縮小僅等於0.073"軋縮量,此完全在許多製造軋機之能力範圍內。影響鉭之軋縮率之另一因數為板寬度。對於一給定之每道次輥子間隙、板規及軋機,較寬之板將比窄板經受每軋製道次較少量之縮小。
由於成批鉭之處理不能完全依賴於大軋縮量來將板坯縮小成板,因此應變不可能貫穿板之厚度均一分佈。結果,產品不會均勻地響應退火,此由鉭板中之微結構及紋理不連續性之存在來證明,如在文獻(例如,Michaluk等人之"Correlating Discrete Orientation and Grain Size to the Sputter Deposition Properties of Tantalum"(JEM
,2002年1月);Michaluk等人之"Tantalum 101:The Economics and Technology of Tantalum"(Semiconductor Inter
.,2000年7月),兩者皆以引用之方式併入本文中)中所報導。經退火之鉭板之冶金及紋理均質性藉由將中間退火操作併入至如美國專利第6,348,113號所教示之工藝而增強。然而,在鉭板之處理期間併入一或多個中間退火操作亦將減小賦予最終產品之總應變。此進而將減小板之退火響應,且因此限制在鉭產品中達到細平均晶粒大小之能力。
已認為鉭中大理岩化結構之存在或出現對鉭濺鍍標靶材料及組件之效能及可靠性係有害的。發明者最近才發現在鉭及其他金屬中可找到兩種不同類型之大理岩化:沿一腐蝕之鉭標靶或組件之濺鍍表面所觀測到之大理岩化,及在鉭標靶或組件之製造狀態表面周圍所觀測到之大理岩化。在一腐蝕之鉭濺鍍標靶中,大理岩化由基質材料之亞光毛面(由多小面濺鍍腐蝕晶粒形成)周圍之暴露的、抗濺鍍(100)紋理帶(顯現為有光澤之區域)之混合物形成。一濺鍍腐蝕表面之大理岩紋之傾向由鉭濺鍍標靶或組件最小化或在鉭濺鍍標靶或組件中消除,該等鉭濺鍍標靶或組件經處理具有貫穿鉭標靶之厚度的均質紋理,如在美國專利第6,348,113號中所描述。用於量化鉭濺鍍標靶材料及組件之紋理均質性之分析方法在美國專利第6,462,339號(Michaluk等人)中描述,其以引用之方式併入本文中。用於量化條帶之另一分析方法在2004年2月18日申請之美國專利申請案第60/545,617號中描述且以引用的方式併入本文中。
可在輕微濺鍍(例如,燒穿試驗)之後沿鍛製鉭材料或濺鍍組件之製造狀態表面溶解表面大理岩紋,或藉由在含有氫氟酸、濃縮之烷基化物,或發煙硫及/或硫酸之溶液中,或其他適當蝕刻溶液中化學蝕刻來溶解表面大理岩紋。在經退火之鉭板中,表面大理岩化顯現為大的、隔離斑塊及/或在經酸清潔之軋製狀態表面上的變色區域之網路。可藉由自每一表面銑切或蝕刻約0.025"之材料而移除鉭之大理岩化表面;然而,此用於消除表面大理岩紋之方法經濟上不合需要。可將表面大理岩紋視為區域中具有不同平均晶粒大小之區域及/或具有不同初級紋理(例如,(100)對(111))之區域。表面大理岩紋可更歸因於晶粒大小之差異,其中當將一個區域中之平均晶粒大小與另一區域中之平均晶粒大小比較時,該等區域可具有±2 ASTM或更多,諸如±2 ASTM至±5 ASTM、或±2 ASTM至±4 ASTM、或±2 ASTM至±3 ASTM之平均晶粒大小之差異。
因此,需要一種製造具有優良冶金及紋理品質之濺鍍標靶材料,且減少與展現此等品質之濺鍍標靶之製造相關的成本之方法。
因此,本發明之一特徵係提供一種製造一具有均一細晶粒大小及/或紋理均質性及視需要具有足以劃分為多個板坯之尺寸的金屬或濺鍍標靶之方法。
本發明之另一特徵係提供一種用於一金屬錠之變形的工藝。
本發明之另一特徵係提供一種用於製造濺鍍標靶之大規模製造工藝。
本發明之另一特徵係提供一種大體上沒有表面大理岩化之閥金屬(或其他金屬)材料或濺鍍組件。
本發明之另一特徵係提供一種用於製造成批量金屬材料或濺鍍組件之工藝,該等金屬材料或濺鍍組件具有一具有約150微米或更小或75微米或更小之平均晶粒大小之細的、均質微結構,及/或一貫穿金屬材料或濺鍍組件之厚度的均一紋理。
本發明之另一特徵係提供一種用於在產品之一生產批次內製造具有一致的化學、冶金及紋理性質之成批量金屬材料或濺鍍組件的工藝。
本發明之另一特徵係提供一種用於在產品之多個生產批次之間製造具有一致的化學、冶金及紋理性質之成批量金屬材料或濺鍍組件的工藝。
本發明之另一特徵係提供一種用於在產品之多個生產批次內製造具有一致的化學、冶金及紋理性質之成批量金屬(例如,鉭)材料或濺鍍組件的工藝。
本發明之另一特徵係提供一種金屬(例如,鉭)材料,該金屬材料具有適用於形成包括濺鍍組件及濺鍍標靶之組件之微結構及紋理屬性,諸如在Ford之美國公開專利申請案第2003/0019746號中所描述之彼等組件,其全文以引用之方式併入本文中。
本發明之另一特徵係提供一種包括形成之濺鍍組件及濺鍍標靶的形成之金屬(例如,鉭)組件,該等形成之濺鍍組件及濺鍍標靶具有一具有約150微米或更小、75微米或更小、或20微米或更小之平均晶粒大小之細的、均質微結構,及/或貫穿形成之組件、濺鍍組件或濺鍍標靶之厚度的均一紋理,其充分保持均一金屬材料之冶金及紋理屬性而無需在形成後退火組件。
本發明之額外特徵及優勢將部分在以下實施方式中陳述,且部分將自實施方式顯而易見,或可由本發明之實踐來學習。本發明之目標及其他優勢將借助於在實施方式及所附申請專利範圍中特別指出之元件及組合來實現及達成。
為達成此等及其他優勢,及根據本發明之目的,如本文所實施及廣泛描述,本發明係關於一種製造具有一最終厚度之金屬物件之方法。該方法包括使一金屬錠變形以形成一具有長度、寬度及厚度之類似矩形板坯之板坯,其中此等尺寸中之兩者在彼此之25%範圍內,或在彼此之15%範圍內,及隨後進行該板坯之第一軋製以形成一中間板,其中該第一軋製包括一或多個軋製道次。作為一選項,該方法進一步包括該中間板之一第二軋製以形成一金屬板,其中該第二軋製包括一或多個軋製道次,且其中第二軋製之該等軋製道次中之每一者較佳賦予大於約0.06之真應變縮小。本發明進一步係關於由該工藝製成之產品,包括濺鍍標靶及其他組件。軋製步驟可為冷軋、溫軋,或熱軋步驟。
應理解,前述一般描述及以下實施方式僅為例示性及解釋性且意欲提供本發明之進一步解釋,如申請專利範圍所主張之。
併入並組成本申請案之一部分之所附圖式說明本發明的一些實施例,且連同實施方式一起用來解釋本發明之原理。
本發明係關於一種製造一變形金屬之方法,該變形金屬視需要具有足以被劃分以形成隨後可形成金屬物件(諸如,濺鍍標靶)之複數個板坯、小坯、桿、板及其類似物之尺寸。閥金屬可具有優良冶金品質及紋理品質。較佳,金屬具有均一細晶粒大小及均質微結構及/或沒有或大體上沒有紋理梯度。舉例而言,金屬可為一閥金屬,其中該閥金屬可具有小於約100微米之平均晶粒大小及/或大體上沒有如(100)紋理帶或其他類型之(x,y,z)紋理帶之紋理帶(或條帶)之紋理。本發明亦係關於在包括薄膜領域之許多技術中有用之方法及金屬產品(例如,濺鍍標靶及其他組件,此等標靶之表現,及其類似物)。本發明部分關於製備具有所要特徵(例如,紋理、晶粒大小及其類似物)之金屬材料之方法且進一步係關於產品自身。在一實施例中,該方法首先包括處理一金屬錠(諸如,鉭錠),較佳處理成一矩形形狀或其他適當形狀以用於變形處理(例如,自一具有矩形橫截面、方形橫截面、八角形橫截面或圓形橫截面之錠形成一板坯)。該錠可購得。
可根據Michaluk等人之美國專利第6,348,113號之教示來製備錠,該專利以引用之方式併入本文中。關於金屬錠,金屬錠可為任何直徑及長度。金屬可為bcc金屬。金屬可為閥金屬,如鉭或鈮,或可為含有至少一種bcc金屬或至少一種閥金屬之合金。出於本發明之目的,閥金屬通常包括鉭、鈮及其合金,且亦可包括IVB族、VB族及VIB族之金屬,及鋁及銅,及其合金。閥金屬(例如)由Diggle在"Oxides and Oxide Films"第1卷,第94-95頁(1972年,Marcel Dekker,Inc.,紐約)中描述,其全文以引用之方式併入本文中。閥金屬通常由一初級金屬處理器經由包括化學還原之工藝而自其礦石提取且形成粉末,如(例如)在美國專利第6,348,113號中所描述。通常由一初級金屬處理器執行之其他金屬精煉技術包括熱聚結金屬粉末、在吸氧劑材料存在的情況下去氧經聚結之金屬粉末,及隨後在酸性浸出溶液中瀝濾經去氧之金屬粉末,如(例如)在美國專利第6,312,642號中所揭示。初級金屬處理器隨後可使閥金屬粉末或熔融原料經受電子束或真空電弧熔化或其他熔化技術來鑄造或形成一金屬錠。本發明中處理之金屬可為一耐火金屬,但亦可使用其他金屬。可用本發明處理之金屬之類型的特定實例包括(但不限於)鉭、鈮、銅、鈦、金、銀、鈷及其合金。
在本發明之至少一個實施例中,較佳,金屬錠具有至少8吋之直徑,且更佳,具有至少9吋、至少11吋、至少12吋或更大之直徑。例如,金屬錠可具有約10吋至約20吋、或約9吋至約13吋、或10吋至15吋、或9吋至15吋,或11吋至15吋之直徑。錠之高度或長度可為任何量,諸如,至少20吋、至少30吋、至少40吋、至少45吋,及類似尺寸。舉例而言,錠之長度或高度可為約20吋至約120吋或約30吋至約45吋。錠可為圓柱形狀,但可使用其他形狀。在形成錠之後且在錠之任何變形之前,視需要,可使用習知技術機械清潔錠。例如,機械清潔(離開表面)可引起錠之直徑的縮小,諸如約1%至約10%之直徑縮小。作為一特定實例,錠可具有12吋之標稱鑄造狀態直徑,且歸因於機械清潔,錠可在機械清潔後在直徑上具有10.75至11.75吋之直徑。在本發明之至少一個實施例中,使金屬錠變形以形成一具有長度、寬度及厚度之板坯,該板坯較佳為一矩形板坯,其中此三個尺寸中之至少兩者在彼此之25%範圍內或15%範圍內。更佳,三個尺寸中之至少兩者在彼此之10%範圍內或5%範圍內或1%範圍內,諸如在彼此之0.1至25%範圍內、或自0.5%至15%,或自1%自10%。換言之,三個尺寸中之至少兩者具有非常類似之尺寸。例如,三個尺寸中之兩者可為在變形金屬錠之後所形成的板坯之寬度及厚度。最佳,三個尺寸中之兩者在尺寸上大體上相同或精確相同。例如,三個尺寸中之兩者(諸如,厚度及寬度)皆為5至5½吋。在一或多個實施例中,使金屬錠變形以形成一具有任何橫截面形狀(諸如,方形橫截面、矩形橫截面、八角形橫截面、圓形橫截面及其類似物)之板坯。基於一真應變,此變形為一板坯較佳引起錠之橫截面面積縮小至少0.95或95%(真應變基準),且更佳至少1.0或100%,且甚至更佳1.2或120%。基於一真應變基準,橫截面表面面積之縮小可在0.95至5.0、或1.0至5.0、或1.1至4.7、或1.0至4.5、或1.1至4、或1.5至3、或2.0至4.0之範圍及類似範圍內。橫截面面積之此縮小可藉由確定依賴於其側邊之圓柱形錠之橫截面表面面積(亦即,π R2
)及隨後計算板坯之橫截面面積(意謂高度×寬度)來計算。真應變縮小由以下公式計算:ε=ln(T/T0
),其中T為縮小之前的厚度而T0
為縮小之後的厚度。在每一種情況下,錠之長度及所得板坯之長度被忽略,因為此並非橫截面面積之計算之部分。例如,若使用12吋圓形錠,則橫截面表面面積在橫截面面積上將為113.1平方吋,且若將此錠變形為一具有方形橫截面面積之矩形,其中寬度及厚度皆為5吋,則橫截面面積中之真應變縮小將為約1.32或約132%縮小。橫截面面積中之大百分率縮小可與實施例組合,在該實施例中一旦將錠變形為一板坯後,三個尺寸中之至少兩者在彼此之25%範圍內或15%範圍內,或在彼此之10%範圍內,或在彼此之5%範圍內,或在彼此之1%範圍內,或大體上相同或相等。
可使用任何標準金屬加工來達成金屬錠之變形。較佳,變形金屬錠以形成板坯係藉由諸如壓鍛、側鍛及/或單獨頂鍛之鍛造技術(或其他變形技術,諸如,擠壓)或組合側鍛、擠壓及類似技術來達成。最佳,變形金屬錠係藉由壓鍛來達成,其中圓柱形金屬錠係依賴於其側邊且在頂部及底部上壓鍛,且隨後旋轉90°並經受進一步壓鍛,及繼續此工藝直至形成具有本文所描述之尺寸的所要板坯。此鍛造可發生於一開模中。在變形金屬錠以形成板坯之後,板坯可視需要具有一方形或近似方形之橫截面以及任何所要長度。可達成其他橫截面形狀。板坯可具有足夠尺寸及體積來製造一個或多個金屬物件,如板、濺鍍標靶坯料及其類似物。出於本發明之目的,最終產品可為任何金屬物件且濺鍍坯料僅為一較佳實例。板坯亦應具有足夠厚度以許可在處理期間達成必要量之工作(例如,冷加工)以達成適當退火響應且較佳避免形成一大理岩化表面。在此點上,且嚴格而言僅作為一實例,板坯可具有約3至約11吋之厚度、約3至約11吋之寬度,及約18至約200吋或更大之長度。板坯之橫截面可為矩形、方形、八角形、雙八角形,或圓形。此處給出之尺寸係用於方形或矩形橫截面。板坯之總寬度及厚度(或面積)大體類似之類似尺寸可用於非矩形形狀。
可在形成為一板坯之後或在其後之任何點,使用習知金屬切割技術(諸如,鋸切)將板坯劃分為多個板坯。所劃分之板坯之數目視初始長度及成品金屬物件之所要尺寸而定。例如,一具有150至200吋之長度之板坯可被劃分為多個板坯,例如,每一板坯具有20至40吋(諸如,30吋)之長度。較佳,板坯具有4.5至6吋之厚度、4.5至6吋之寬度、30吋之長度,其中軋製面較佳具有平面度在0.040吋或更小之範圍內之兩個相對的軋製表面。可使用其他尺寸用於本發明之目的。舉例而言,一具有大體上方形橫截面之矩形形狀可具有5吋乘5吋乘大於30吋之長度的尺寸。可視需要以如上文所描述之相同方式機械清潔板坯。例如,可機械清潔形成厚度之兩個側邊且可移除總共0.250吋(每一側0.125吋)。可選擇清潔一或多個表面或所有表面。可視需要(例如)在一保護性環境(例如,惰性或真空退火)中對板坯進行一或多次熱處理(例如,退火)來達成應力釋放、部分再結晶,及/或完全再結晶。可使用之退火條件在本文稍後描述。板坯隨後可經受至少一第一軋製以形成一中間板,其中該第一軋製可包括複數個軋製道次。作為一種選擇該方法可進一步包括使中間板經受一第二軋製以形成一金屬板,其中該第二軋製可包括複數個軋製道次,且其中第二軋製之軋製道次中之每一者較佳賦予約0.06或更多(例如,每道次0.06至0.35、每道次0.06至0.25、每道次0.06至0.18、每道次0.06至0.16、每道次0.06至0.15、每道次0.06至0.13、每道次0.06至0.12、每道次0.06至0.10、每道次0.08至0.18、每道次0.09至0.17、每道次0.1至0.15),或(例如)每道次約0.12或更多,或(例如)不超過每道次約0.35之真應變縮小。第二軋製之最後軋製道次可視需要賦予一等於或大於由其他軋製道次所賦予之真應變縮小的真應變縮小。第二軋製之軋製道次中之至少一者(及較佳所有道次)可處於相對於第一軋製之軋製道次中的至少一者之一橫向方向上。第一軋製及/或第二軋製之軋製道次可為多方向時脈軋製及類似軋製。軋製步驟可為冷軋或溫軋或熱軋或此等軋製步驟之各種組合。真應變之定義為ε=1n(ti/tf),其中ε為真應變或真應變縮小,ti為板之初始厚度(縮小之前),tf為板之最終厚度(縮小之後),及1n為比率之自然對數。
在一或多個實施例中,在第一軋製及/或第二軋製中之每一後續軋製道次可在前一軋製道次之真應變縮小的25%範圍內,且可在前一軋製道次之20%範圍內、或15%範圍內、或10%範圍內、或7%範圍內、或5%範圍內、或2.5%範圍內,或1%範圍內。例如,後續軋製道次之真應變縮小可與前一軋製道次之真應變縮小相同或幾乎相同,或可在前一軋製道次之真應變縮小之0.5%至25%範圍內、或1%至20%範圍內或1.5%至15%範圍內。下一或後續軋製道次之真應變縮小接近前一軋製道次之真應變縮小之此選擇可促進金屬中之更均一之紋理及/或晶粒大小。
如所述,根據以下準則,軋製(例如,冷軋、溫軋、熱軋)每一板坯以製造所要規格及尺寸之板來產出一個或多個濺鍍標靶坯料。軋製板坯以形成一具有在板坯與所要成品板之厚度之間的厚度之中間板。舉例而言,中間板可具有約0.3吋至約1.5吋之厚度。中間板之厚度,使得在自中間規格至成品之軋製中所賦予之真應變,可為在自中間規格至最終規格軋製板坯中所賦予之總真應變之約0.35或更多,及較佳約0.50或更多,或通常,在至少一個實施例中,不超過1.0,諸如約0.35至約1.0。第二軋製之最後軋製可賦予一等於或大於由任一其他軋製道次所賦予之真應變縮小的真應變縮小。舉例而言,將一5.25"板坯冷軋成一具有0.300"之厚度的成品板表示2.86之總真應變縮小;自一具有0.569"之厚度之中間板所軋製的成品板將具有0.64之在自中間規格至成品之軋製中所賦予之真應變。同樣,舉例而言,自一具有0.950"之厚度之中間板所軋製的成品板將具有1.15之在自中間規格至成品(0.300")之軋製中所賦予之真應變,其中在自板坯軋製成中間板時所賦予之真應變約1.71。出於本發明之目的,本發明中所描述之每一軋製步驟可為一冷軋步驟、一溫軋步驟、或一熱軋步驟,或其任何組合。此外,每一軋製步驟可包含一或多個軋製步驟,其中在一個以上軋製步驟用於一特定步驟中的情況下,多個軋製步驟可全部為冷軋、溫軋及/或熱軋,或可為各種冷軋、溫軋及/或熱軋步驟之混合。熟習此項技術者理解此等術語。冷軋係在軋製期間通常處於周圍溫度或更低溫度下,而溫軋通常稍高於周圍溫度(諸如,高於周圍溫度10℃至約25℃),而熱軋通常高於周圍溫度25℃或更高,其中溫度係金屬之溫度。在本發明中,諸如矩形板坯之板坯之軋製可藉由任何軋製排程及軋製方向來達成。例如,板坯之軋製可藉由交叉軋製或橫向軋製來達成。藉由在兩個或兩個以上方向上軋製所達成之縮小關於每一方向可相等或對於每一方向可不同。例如,在本發明之一實施例中,板坯可在兩個方向上經受橫向軋製,例如,在長度之方向上及在寬度之方向上,例如,如圖1A及圖1B所示。自達成板坯之厚度之相同%縮小之觀點來看,在此等方向中之每一者上之軋製可為類似的,或軋製可不同以使得在一個方向上之%縮小大於另一方向上之%縮小。"第一軋製"可全部在相同方向或不同方向上。又,"第二軋製"可全部在相同方向或不同方向上。第一軋製可在不同於第二軋製之方向上。例如,在交叉軋製或橫向軋製中,第一軋製可全部在一個方向上,且第二軋製可與第一軋製成90°。作為另一實例,在一個方向上之真應變%縮小(相對於厚度之%縮小)在一個方向上與在另一方向上相比可為100%或更多、150%或更多、200%或更多、250%或更多、300%或更多、350%或更多、或400%或更多(例如,100%至500%,或150%至400%)。例如,在寬度方向(沿寬度)中之%縮小可大於長度方向(沿長度)50%至400%。作為另一實例,在一個方向上之縮小可約為60%至300%或自約50%至約85%或自約70%,其中此等百分率之縮小係參考軋製之前之板坯的起始厚度之縮小。在一或多個實施例中,較佳為矩形之板坯在第一軋製之前的厚度厚於金屬物件之最終厚度至少5倍、或厚於金屬物件之最終厚度至少10倍、或厚於金屬物件之最終厚度至少15倍、或厚於金屬物件之最終厚度至少20倍,諸如厚於金屬物件之最終厚度約5倍至約20倍。又,出於本發明之目的,在金屬之任何加工之前或在金屬之任何加工之後(例如,軋製及類似加工),可在每一加工步驟中對金屬材料進行一或多次(例如,1、2、3、4或更多次)熱處理(例如,退火)。此熱處理可達成應力釋放,及/或部分再結晶或完全再結晶。
在將大板坯軋製成中間板中,常常不實際亦不必要對每一軋製道次採取大應變縮小來達成中間板中之均一加工。自板坯軋製成中間板之一目的係藉由一受控且可重複之工藝製造一中間形式。該中間形式可具有足夠大小,使得可隨後將其軋製成成品板或具有足夠大小以產出一或多個金屬物件(如濺鍍標靶坯料)之板。較佳控制該工藝使得自板坯至中間板之縮小率在板坯之間可重複,及使得限制板坯之側向擴展量以最佳化自板坯之產品產率。若工件之長度擴展超過容許限制,則可能難於將中間板軋製至標靶規格範圍及同時達成最佳化產品產率所必要之最小寬度。在至少一個實施例中,中間板之長度大於板坯之長度至少約10%或更多(例如,自10%至50%、或自15%至45%,自20%至40%)。
將板坯軋製成中間板之工藝可以每一軋製道次採取較小縮小開始。例如,參見本文之表1-表3。雖然用於將板坯軋製成中間板之軋製排程可界定為以每道次之所要真應變縮小為目標,但此方法實施、監控及驗證順從性將困難且耗時。一更佳之方法係使用由軋機間隙設定之改變所界定之軋製排程來將板坯軋製成中間板。參見本文之表1-表3。該方法將以採取一或兩個"定尺寸道次"開始來達到一預定軋機間隙設定,隨後每一道次將軋機間隙減小一預定量。軋機間隙設定隨每一軋製道次之改變可保持不變、順序地增加,或增量式增加。在工件之厚度逼近中間板之標靶厚度時,可根據軋機操作員之判斷改變軋機間隙設定之改變以便達到所要中間板寬度及厚度範圍。
必須注意限制在將板坯軋製成中間板時工件之側向擴展量。側向擴展可由採取平整道次發生,因此應最小化平整道次之數目及每一平整道次所賦予之應變的量。平整道次之總數目可為1至20、或1至10,或1至5。又,以一角度將工件饋入軋機中係不可取的。需要使用一推桿來將工件饋入軋機中。
作為一選擇,在可為(例如)寬展軋製之第一軋製之後,軋製方向上之尺寸將增加,且在一或多個實施例中,軋製方向上之尺寸將大大增加。例如,若第一軋製係在寬度方向上或沿寬度方向,則寬度可增加100%至1,000%或更多。嚴格而言此作為一實例。當軋製方向上之尺寸已顯著增加時,作為一選擇,隨後可視需要將經軋製之板坯或中間板劃分為兩個或兩個以上中間板。作為另一實例,視最終產品之所要之最終尺寸而定,在尺寸已增加之軋製方向上,可將中間板劃分為二分之一或三分之一或四分之一。作為另一實例,在第一軋製之後寬度可為約50吋,且在移除邊緣之後,可切割中間板使得每一切割後之中間板之寬度為約20吋。又,作為一選擇,可移除進入滾筒之板之前緣(或前邊緣)及後緣(或後邊緣)。有時,此等邊緣被稱為"管(pipe)",歸因於軋製期間發生於板之邊緣(前及後)的形成。可自前緣及後緣移除此等"管"區,且此等"管"區有時可在軋製方向上達到整個尺寸之1%至15%。例如,約40吋之寬度可在每一邊緣上移除5吋之"管"區。在第一軋製之後,可視需要使用稍後描述之條件對中間板進行熱處理或退火。
在第二可選軋製之後,作為一選擇,可以與上文關於在第一軋製之後出現之"管"區所描述的相同方式移除在前緣上、在後緣上、或在兩者上之"管"區。另外,在第一軋製及/或第二軋製之後,可以下文所描述之方式對板進行退火。又,可基於最終產品將板劃分為所需尺寸。例如,可將材料剪切或噴射切割至適當大小。又,在任何變形步驟之後或在任何變形步驟之前,可水平軋製金屬(諸如,板坯或板)以便在金屬之一或多個表面上達成更均一之平面度,使得兩個相對的軋製表面之平面度在0.050吋或更小之範圍內(諸如,0.020吋或更小)或在0.010吋或更小之範圍內(例如,在0.001吋至0.050吋之範圍內,或在0.005吋至0.020吋之範圍內)。
在任何變形步驟及/或清潔/洗滌步驟及/或劃分/切割步驟之前及/或之後,可對金屬進行一或多次(例如,1、2、3、4或更多次)退火。較佳在5×10-4
托(torr)或更高之真空中,及在確保金屬之回收或完全再結晶之足夠溫度下持續足夠時間來達成退火。可使用其他退火條件。視需要,可在約700-1500℃或約850至約1500℃之溫度下持續約10至30分鐘或高達約24小時或更長,及更佳在約1050至約1300℃之溫度下持續1-3小時或更長對金屬進行退火以達成應力釋放,及/或部分或完全再結晶,且較佳無過量非均一晶粒生長或二次再結晶。可使用其他時間及溫度。退火溫度係指烘箱或爐內之溫度。
將中間板軋製成成品板之目標可為賦予每道次足夠真應變以達到貫穿板之厚度的均質應變,從而在退火之後達到材料中之細且均一之晶粒結構及紋理。在至少一個實施例中,需要在縮小中間板厚度至成品板厚度之每一軋製道次中賦予最小0.06之真應變縮小(例如,0.06至0.19或0.06至0.18、0.06至0.15、或0.06至0.12)。需要在第二縮小軋製工藝期間之軋製方向垂直於中間板之第一軋製方向。然而,直接自板坯軋製成成品板,或中間板至成品板之時脈軋製係可允許的。
隨後可使用每道次具有一經界定最小真應變之軋製排程將每一中間板軋製(例如,冷軋)成所要尺寸之成品板。為確保批次之間工藝及產品之一致性,較佳預定大縮量道次之數目及每一道次之容許真應變縮小範圍(例如,如表1-表3中所示)。又,為防止軋製之後板之過量彎曲,最後軋製道次賦予大於先前軋製道次之真應變縮小係有益的。將中間板軋製成最終產品之排程之一實例如下:可藉由每道次0.06-0.22真應變或每道次0.06至0.18真應變之五個縮小道次而將具有0.4-1.00"之厚度範圍之中間板批次軋製成0.300"的標靶規格。
在任何點或階段,可將板坯、中間板及/或成品板處理成具有平坦且平行之面。較佳以不污染表面或不將外來物埋入至表面中之方式處理軋製面。諸如銑切或快速切割(fly cutting)之機械加工方法為用於使軋製面平坦且平行之較佳方法。可使用諸如磨削或研磨之其他方法(例如,使用來自Blanchard、Mattison、Gockel或Reform之機器),及可使用諸如重酸洗之後續清潔操作而自所有表面移除(例如)約0.001"以移除任何經埋入之污染物。
在任何點或階段,隨後可清潔板坯、中間板及/或成品板以移除表面上之任何異物(諸如,油及/或氧化物殘渣)。諸如在美國專利第6,348,113號中所描述之氫氟酸、硝酸及去離子水之酸浸溶液可滿足需要。如所述,可在真空或惰性氣氛中,例如在700-1500℃或850-1500℃之間之溫度下持續約10-30分鐘或高達約24小時或更長,及更佳在約1050至約1300℃之溫度下持續2-3小時來對板坯、中間板、及/或成品板及/或金屬物件進行退火,以達成應力釋放及/或部分或完全再結晶,而無過量非均一之晶粒生長或二次再結晶。
圖2及圖3展示根據本發明之若干實施例變形金屬錠10(例如,鉭或鈮)以最終產出板100的若干實施例。可首先例如藉由鍛造(壓鍛)(例如,由箭頭所指示)來變形金屬錠10以形成板坯20。板坯20可呈具有第一尺寸L、垂直於該第一尺寸L之第二尺寸W,及垂直於該第二尺寸W之第三尺寸T(其可在第二尺寸W之15%範圍內)的矩形形狀。視需要,可如所論述對板坯20進行退火。可視需要將板坯20劃分為具有板坯20之W及T的多個板坯25,如圖2中所示。可在兩個方向(或兩個以上方向)上軋製板坯20(未劃分)或劃分後之25以形成一中間板及隨後形成成品板30。根據另一實施例,可較佳使用一塊料軋機藉由塊料軋製板坯來達成板坯之變形。可將成品板劃分為如圖3中所示之多個板。多方向變形閥金屬可與在一個以上方向上橫向軋製板坯(例如,如圖1a及圖1b中所說明)形成對照。在橫向軋製工藝中,在第一方向(A)上軋製金屬工件90,及隨後在垂直於第一方向(A)之第二方向(B)上軋製,使得增加長度及寬度同時減小最小尺寸(例如,厚度)。因此,橫向軋製具有將金屬工件平整至所要厚度之效應。多方向變形亦不同於使金屬工件恢復或大體上恢復至先前形狀之冗餘鍛造,例如,如在美國專利申請公開案第US2002/0112789 A1號中所示。可將板30或劃分後之板100進一步處理成濺鍍標靶,如在美國專利第6,348,113 B1號(Michaluk等人)及在美國專利申請公開案第U.S.2003/0037847 A1號、第2003/0019746 A1號、第2002/0157736 A1號、第2002/0072475 A1號,及第2002/002695 A1號中所描述,其全文皆以引用之方式併入本文中。濺鍍標靶或標靶坯料可為(例如)平面的或圓柱的(例如,中空陰極磁控管),及可進一步鍵結或附著至底板。
作為一具體實例,圖11陳述可發生之金屬處理,該處理始於藉由在一EB爐中熔融(一或多次,諸如兩次)而自綠色原材(green log)形成錠且隨後在其後機械清潔錠。隨後可鍛造錠、再劃分及隨後進行機械清潔。隨後可寬展軋製經機械清潔之劃分後之板坯且隨後可移除"管"區。另外,可如所示再劃分由第一軋製所形成之中間板。隨後,可旋轉切割後之中間板並橫向軋製,且然後可將板切割至適當大小。退火可發生於此工藝之任何階段,且圖11展示(僅用作例示性目的)各種起始直徑、尺寸及最終尺寸,及各種百分率縮小。
根據本發明之一實施例,經變形之成品金屬物件可具有足以被劃分以形成複數個濺鍍標靶及較佳一或多個測試或品質控制樣本之尺寸。成品金屬物件可為任何形狀,且較佳大體上呈矩形形狀。例如,長度可為12吋至50吋或更長,寬度可為12吋至100吋或更寬,且厚度可為0.1至1吋、或0.1至0.8吋或0.1至0.5吋。較佳,矩形為42吋乘84吋、20吋乘84吋,或24吋乘36吋。較佳,金屬具有約0.1至約0.8吋、且更佳約0.25至約0.46吋之標稱厚度。
根據本發明之至少一個實施例之閥金屬的變形可製造一板坯,該板坯具有小於約250微米之平均晶粒大小及/或一大體上沒有(100)紋理帶或其他(x y z)紋理帶之紋理。板坯較佳具有約5至100微米或約20至約150微米,或更佳為50微米或更小之平均晶粒大小。平均晶粒大小可為5至75微米、或5至50微米、或5至35微米、或5至25微米,或5至20微米。
在本發明之至少一個實施例中,該方法進一步包括分割隨後可進一步進行熱處理及/或機械處理之板坯、軋製板坯、板及/或成品板。可藉由將板坯、軋製板坯或板或成品板分離成預定數目之軋製件來達成分割。分割可藉由(例如)切割、機械加工、水射流切割、衝壓、電漿切割、火焰切割、銑切、磨削、鋸切、雷射切割、鑽孔、電極放電加工或其任何組合來達成。可特定定尺寸劃分件中之一或多者以用作一測試或品質控制樣本。
此外,本發明係關於一種製造高純度金屬板(或其他類型之金屬板)之方法,該等板視需要具有足夠尺寸以產出複數個濺鍍標靶坯料或組件。較佳,例如成品板之所得金屬(例如,鉭)具有一細的、均一微結構。平均晶粒大小可為5至75微米、或5至50微米、或5至35微米、或5至25微米,或5至20微米。舉例而言,諸如閥金屬之所得金屬可具有約150微米或更小、或約75微米或更小、或50微米或更小、諸如18微米或更小,或15微米或更小之平均晶粒大小,及/或一大體上沒有如(例如)(100)紋理帶或其他(x y z)紋理帶之紋理帶之紋理。所得金屬可沒有或大體上沒有紋理梯度。所得金屬可大體上沒有未再結晶之帶。所得金屬可具有在表面上及/或貫穿厚度之均一紋理,諸如(100)、(111)、混合紋理(如(111):(100))及類似紋理。紋理可為諸如初級(111)或初級(100)紋理之初級紋理,或一混合(111)(100)紋理,其中所有紋理較佳在表面上及/或貫穿厚度係均一的。紋理可為隨機的,諸如一均一隨機(或非主要)紋理,較佳貫穿厚度。隨機性可具有較佳貫穿金屬大體上一致之任何比率的紋理。出於本發明之目的,本申請案通篇論述了鉭金屬,嚴格而言此係出於例示性目的,因為吾人認識到本發明同樣適用於其他金屬,包括其他閥金屬(例如,鈮)及其他金屬及其合金。
關於板坯、中間板、成品板、金屬物件及/或濺鍍標靶,及包括錠之任何其他組件,就所存在之金屬而言此等材料可具有任何純度。例如,就所存在之金屬而言,純度可為95%或更高,諸如至少99%、至少99.5%、至少99.9%、至少99.95%、至少99.99%、至少99.995%或至少99.999%純,諸如99.95%至99.99995%或99.99%至99.999%,其中%係指金屬及金屬雜質之缺乏。例如,此等純度可適用於鉭金屬板坯,其中板坯可為99%純鉭、更高純度等等。金屬物件或成品板可具有本文所述之金屬純度、紋理及/或晶粒大小之任何組合。此外,起始錠或板坯可具有任何平均晶粒大小,諸如2000微米或更小,及更佳1000微米或更小,及更佳500微米或更小,甚至更佳150微米或更小。
此外,關於起始板坯或通常製成板坯之錠以及加工板坯所得之其他後續組件(諸如,中間板)的紋理,紋理可為表面上及/或貫穿材料(諸如,板坯)之厚度的任何紋理,諸如,初級(100)或初級(111)紋理或混合(111):(100)紋理(或其他混合紋理及/或隨機紋理)。較佳,在紋理為初級(111)或混合(111):(100)紋理時,諸如板坯之材料不具有諸如(100)紋理條帶之任何紋理條帶。
在本發明之一實施例中,由本發明之工藝所得之產品較佳產生板或金屬物件(如濺鍍標靶),其中所存在之所有晶粒中之至少95%為100微米或更少、或75微米或更少、或50微米或更少、或35微米或更少、或25微米或更少,在所存在之所有晶粒之95%的情況下。平均晶粒大小可為5至75微米、或5至50微米、或5至35微米、或5至25微米,或5至20微米。更佳,由本發明之工藝所得之產品產生板或濺鍍標靶,其中所存在之所有晶粒中之至少99%為100微米或更少、或75微米或更少、或50微米或更少、及更佳35微米或更少,且甚至更佳25微米或更少,諸如平均晶粒大小可為5至75微米、或5至50微米、或5至35微米、或5至25微米,或5至20微米。較佳,所存在之所有晶粒中之至少99.5%具有此所要的晶粒結構,且更佳所存在之所有晶粒中之99.9%具有此晶粒結構,亦即100微米或更少、75微米或更少、50微米或更少、及更佳35微米或更少,且甚至更佳25微米或更少,諸如平均晶粒大小可為5至75微米、或5至50微米、或5至35微米、或5至25微米,或5至20微米。此高百分率之低晶粒大小之確定較佳係基於量測在展示晶粒結構的顯微照片上隨機選擇之500個晶粒。板及/或金屬物件之平均晶粒大小可為約150微米或更少,諸如約5至約100微米,或約10微米至約75微米。
較佳,閥金屬板具有在表面上之初級(111)或初級(100)或混合(111)(100)紋理及/或貫穿其厚度之轉置初級(111)、轉置初級(100)或混合轉置(111)(100)。
此外,較佳製造板(以及濺鍍標靶),其中產品在板或標靶之表面上大體上沒有大理岩化。大體上沒有大理岩化較佳意謂板或標靶之表面之表面面積的25%或更少不具有大理岩化,且更佳,板或標靶之表面之表面面積的20%或更少、15%或更少、10%或更少、5%或更少、3%或更少、或1%或更少不具有大理岩化。大理岩化可為含有不同於初級紋理之紋理之斑塊或大條帶區域。例如,當存在初級(111)紋理時,呈斑塊或大條帶區域之形式的大理岩化將通常為在板或標靶之表面上及亦可貫穿板或標靶之厚度延伸的(100)紋理區域。此斑塊或大條帶區域通常可視為一具有板或標靶之整個表面面積之至少0.25%之表面面積的斑塊,且就板或標靶之表面上之單一斑塊而言在表面面積上可甚至更大,諸如0.5%或1%、2%、3%、4%,或5%或更大。可能確定存在界定板或標靶之表面上之大理岩化的一個以上斑塊。使用上文在美國專利申請案第60/545,617號中所涉及之非破壞性條帶測試,本申請案可定量地證實此情況。另外,板或標靶可具有1%或更少(諸如,0.60至0.95%)之條帶(%條帶面積)。本發明用以減小展示大理岩化之個別斑塊之大小及/或減小出現大理岩化之全部斑塊的數目。因此,本發明最小化受大理岩化影響之表面面積且減小出現之大理岩化斑塊的數目。藉由減小板或標靶之表面上的大理岩化,板或標靶不必經受對板或標靶之進一步加工及/或進一步退火。此外,不必移除板或標靶之頂面以便移除大理岩化效應。因此,借助於本發明,需要對板或標靶之較少實體加工,從而引起人工成本以及關於材料損耗之節約。此外,藉由提供具有較少大理岩化之產品,板及更重要地,標靶可被均一濺鍍而無材料浪費。
本發明之金屬板可具有一表面面積,該表面面積在濺鍍或化學腐蝕之後具有少於75%,諸如少於50%或少於25%之有光澤斑點,諸如0.5%至50%、或0.75%至25%或0.50%至15%。較佳,表面面積在濺鍍或化學腐蝕之後具有少於10%之有光澤斑點。更佳,表面面積在濺鍍或化學反應之後具有少於5%之有光澤斑點,且最佳少於1%之有光澤斑點。
出於本發明之目的,紋理亦可為諸如(111):(100)混合紋理之混合紋理,且此混合紋理較佳貫穿板或標靶之表面及/或厚度係均一的。如在美國專利第6,348,113號中所描述之包括薄膜、電容器殼、電容器及其類似物之形成的各種用途此處皆可達成且為避免重複,此等用途及類似用途併入本文中。又,在美國專利第6,348,113號中所陳述之用途、晶粒大小、紋理、純度可在本文用於本文之金屬且其全文併入本文中。
本發明之金屬板可具有極方位之總變化(Ω)。可根據美國專利第6,462,339號貫穿板之厚度量測極方位之總變化。量測極方位之總變化之方法可與用於量化多晶材料的紋理均質性之方法相同。方法可包括選擇一基準極方位、用掃描方位影像顯微法增量掃描具有一厚度之材料或其部分之一橫截面以增量獲取貫穿厚度的多重晶粒之實際極方位、確定基準極方位與材料或其部分中之多重晶粒之實際極方位之間的方位差、指定貫穿厚度所量測之每一晶粒處自基準極方位之取向差異(misorientation)之值,及確定貫穿厚度之每一量測之增量的平均取向差異;及藉由確定貫穿厚度之每一量測之增量的平均取向差異的二階導數來獲取紋理條帶。使用上文所描述之方法,貫穿板之厚度所量測之本發明的金屬板之極方位之總變化可為小於約50/mm。較佳,根據美國專利第6,462,339號,貫穿本發明之板之厚度所量測的極方位之總變化為小於約25/mm,更佳小於約10/mm,且最佳小於約5/mm,諸如1/mm至49/mm、或1/mm至25/mm,或1/mm至10/mm。
本發明之金屬板根據美國專利第6,462,339號可具有貫穿板之厚度所量測之紋理彎曲(texture inflection)(Λ)的純量剛性值(scalar severity)。方法可包括選擇一基準極方位、用掃描方位影像顯微法增量掃描具有一厚度之材料或其部分之一橫截面以增量獲取貫穿厚度的多重晶粒之實際極方位、確定基準極方位與材料或其部分中之多重晶粒之實際極方位之間的方位差、指定貫穿該厚度所量測之每一晶粒處自基準極方位之取向差異之值,及確定貫穿厚度之每一量測之增量的平均取向差異;及藉由確定貫穿厚度之每一量測之增量的平均取向差異的二階導數來確定紋理條帶。貫穿板之厚度所量測之本發明的金屬板之紋理彎曲之純量剛性值可為小於約5/mm。較佳,根據美國專利第6,462,339號,貫穿板之厚度所量測的紋理彎曲之純量剛性值小於約4/mm,更佳小於約2/mm,且最佳小於約1/mm,諸如0.1/mm至4.9/mm或0.5/mm至3.9/mm或0.5/mm至1.9/mm。
在本發明之至少一個實施例中,本發明之金屬板或金屬物件可具有非常低之紋理梯度。舉例而言,可相對於金屬板之異質性及條帶,如使用Wright,S.I.及D.F.Field之在Proceedings of ICOTOM 14(2005年)
中所出版之"Scalar Measures of Texture Heterogeneity"所計算,來量測紋理梯度。此在Materials Science Forum,第495-497卷,2005年9月,第207-212頁中進一步論述。此紋理梯度係基於在此等出版物中所描述之使用自動EBSD或方位影像顯微鏡(OIM)的方法。出於本發明之目的,且在至少一個實施例中,均一性因數(H)具有0.3或更小或0.2或更小之值,諸如0.05至0.2、或0.12至0.175,或約0.13至約0.16。在至少一個實施例中,本發明之金屬板或金屬物件可具有0.1或更小之條帶因數(banding factor)(B),諸如約0.01至約0.075、或約0.02至約0.05,或約0.03至約0.04。
在本發明之一或多個實施例中,貫穿金屬板或金屬物件,均一性因數(H)可變化不超過0.2,諸如不超過0.1、或不超過0.05、或不超過0.01、或不超過0.005,或不超過0.001。貫穿金屬板或物件,均一性因數(H)可自0.001變化至0.05、或可自0.01變化至0.15,或可自0.01變化至0.2。在本發明之一或多個實施例中,條帶因數(B)可變化不超過0.05,諸如不超過0.04、或不超過0.03,或不超過0.02,或不超過0.01。貫穿金屬板或金屬物件,條帶因數(B)可自0.005變化至0.05、或可自0.01變化至0.04、或可自0.01變化至0.03、或可變化不超過0.01至0.025。在本發明之一或多個實施例中,貫穿金屬板或金屬物件,紋理之隨機度數(degree random)或隨機倍數(times random)可變化不超過5個隨機度數或隨機倍數,諸如不超過4個隨機度數或隨機倍數、或不超過2個隨機度數或隨機倍數,或1個隨機度數或隨機倍數。貫穿金屬板或金屬物件,隨機度數或隨機倍數可自1個隨機度數或隨機倍數變化至5個隨機度數或隨機倍數、或自1個隨機度數或隨機倍數變化至4個隨機度數或隨機倍數、或自1個隨機度數或隨機倍數變化至3個隨機度數或隨機倍數,或自1個隨機度數或隨機倍數變化至2個隨機度數或隨機倍數。"隨機度數或隨機倍數"係指一數值量,其中一特定紋理(例如,(111)或(100)或混合紋理)以大於隨機量之規定量存在。在量測金屬板或金屬物件之此受控均一性中,可在金屬板或金屬物件上取10個樣本,如圖12所示,以確定每一樣本之(H)、(B)、隨機度數、結晶方向圖,及/或平均晶粒大小。在圖12中,僅使用S1或S2中之一者作為10個樣本中之一個樣本。雖然圖12展示一圓盤形狀,但可以相同方式遵循用於其他金屬物件之類似位置。此等10個樣本反映對於10個樣本中之每一者就貫穿厚度而言對金屬物件或金屬板的理解,且進一步表示對跨越垂直於厚度之平面之完整理解。因此,此測試提供在金屬板或物件之每一平面(x,y,z)上對金屬的非常完整之理解。
在本發明之一或多個實施例中,貫穿金屬板或金屬物件,金屬板或金屬物件可具有超過隨機量至少7度或倍,諸如超過隨機量7至25(或更多)度或倍、超過隨機量8至20度或倍或超過隨機量10至15度或倍之初級紋理,較佳使用圖12中之10個樣本位置。
本發明之金屬板或金屬物件可具有結合條帶因數之均一性因數或單單具有此等因數中之僅一者。均一性因數及/或條帶因數可獨立於或連同本文所述之純度、紋理及/或晶粒大小而存在。因此,一金屬可具有此等特徵中之一或多者。(H)因數及(B)因數可用於任何紋理或初級紋理(諸如(111)、(100)),或混合紋理(如(111:100))。較佳,關於金屬之所有以上特徵(例如,晶粒大小、紋理、(H)、(B),及/或純度),較佳金屬為鉭、鈮或其合金。
將由以下實例進一步闡明本發明,該等實例僅意欲為本發明之例示性實例。表中以%為單位之真應變可藉由除以100來轉換以獲取上文在本說明書中所使用之單位。
實例:使用壓鍛步驟將鉭錠形成為板坯以獲取起始尺寸Ws
=5、Ls
=表1中之值,及Ts
=5.25"(標稱)。將板坯切割成多個板坯(多達6個)使得切割後之板坯長度為27吋。隨後機械清潔切割後之板坯。隨後在一真空爐中在1050℃下對板坯退火3小時。表1亦提供在自成品板切割後所要之最終產品大小。板坯隨後在圖3中之W方向上或圖1a中之A方向上經受第一軋製(寬展軋製)。表2中陳述用於各種板坯之第一軋製之軋製排程。在第一軋製之後,藉由沿寬度切成兩半來切割/劃分經軋製之板坯。又,修剪經受軋製之前邊緣及後邊緣。隨後,對所指示之一些樣本對經切割軋製之板坯進行退火。"中間板"表示在第一軋製道次之後且在第二軋製之前的板。在第一軋製之後,來自板坯中之每一者之中間板具有以下尺寸:Li
=Ls
±5至10%、Wi
=參見表3,及Ti
=參見表3。隨後,中間板經受橫向於第一軋製方向之第二軋製。第二軋製方向處於圖3中之L方向上或圖1b中之B方向上。
第二軋製排程連同其他資訊在表4中(30個板樣本)。在第二軋製之後,修剪徑軋製之板坯之前邊緣。隨後,對經修剪之中間板進行水平軋製以獲取更均一之平面度。所有距離量測以吋為單位。實際軋機拉伸(Actual Mill Stretch)為估計之量測或軋製期間軋機之"進給(give)"。分離力為在每一軋製道次期間所施加之力的量且為2,500噸之百分率。每一"起始厚度"表示一穿過軋機輥子之道次。在第二軋製之後,再次在一真空爐中在1050℃下對成品鉭板退火兩小時。實際後道次厚度及實際軋機拉伸係由軋製步驟所產生之量測之結果。厚度之縮小表示一軋製步驟,該軋製步驟為一冷軋步驟。
在以上實例中之一者中形成之鉭板(即來自表4,樣本275631D2)隨後經受電子背散射撓射分析以提供結晶方位之空間特定量測及量測由本發明製成之鉭板之紋理異質性。圖4-圖10提供對此鉭板所獲取之資料。詳言之,圖4提供用於來自表4之鉭板之方位色碼圖及反極圖。每10微米進行掃描,且已將色碼圖接合在一起以展示鉭板之貫穿厚度。如圖可見,(111)方位由藍色指示,而(001)或(100)由紅色指示,且(101)由淺綠色色調指示。觀察色碼圖,清楚的是初級紋理為貫穿鉭板之厚度的(111)紋理,及此(111)紋理為主要紋理且貫穿板之厚度係非常均一的。存在(100)紋理之一些跡象,其相對於整個紋理為少數。圖5提供具有5度公差之結晶方向圖用於偵測各種紋理之目的。如在5度公差的情況下可見,具有5度公差之初級紋理為具有非常少量之(100)的(111)。關於具有10度公差之結晶方向圖(即,圖6)及具有15度公差之結晶方向圖(即,圖7),再次可見初級紋理明顯為具有少量(100)之(111)且基本上沒有(101)。圖8及圖9分別提供關於來自表4之鉭板(樣本275631 D2)之極圖圖示及反極圖圖示。如自此等圖示可見,存在高含量之(111)及遠遠更少量之(100)及極其少量的(101)。最後,圖10提供一展示平均晶粒大小為約50微米及標準差為26微米之晶粒大小直方圖。此外,所有此資料係關於表4中所獲取之鉭板。最後,關於表4中所獲取之鉭板,使用如在Wright等人之"Scaler Measures of Texture Heterogeneity"中所描述及計算之均一性因數(H)及條帶因數(B)量測紋理異質性,如先前所論述及如在Proceedings of ICOTOM 14
(2005年)中進一步描述。基於此測試方法及標準,表4之鉭板具有均一性因數(H)0.16及條帶因數(B)0.04。紋理梯度為描述在掃描區域內局部紋理分佈之均質/異質程度之度量。亦顯示一第二度量,其給出紋理是否由交替條帶組成之概念。假定紋理變異水平或垂直地變化。一次僅可檢查一個相位。支持計算之實際數學在Wright,S.I.及D.P.Field(2005年)之在2005年7月出版於Proceedings of ICOTOM 14
中且在Leuven,Belgium佔有(hold)之"Scalar Measures of Texture Heterogeneity"中報導。H
為描述自關於紋理之完美均質分佈之值0及關於異質結構的值1中之異質性及範圍的量測。類似地,B描述條帶且值0表示沒有條帶,而值0.5將描述如針對理想化微結構所展示之有條帶之極端情況。因此,本發明之鉭板具有極好之低條帶及貫穿金屬板的厚度之極好之紋理均一性,以及非常可接受之平均晶粒大小。
在本發明中製造之金屬板之一者中,使用圖12中所陳述之樣本位置,關於均一性因數(H)、條帶因數(B)及關於(111)紋理之隨機度數或隨機倍數來分析十個樣本。如自取自相同金屬板之此等十個樣本可見,關於紋理之均一性及關於條帶之缺乏之均一性係顯著的。均一性因數(H)為0.3或更小,且在許多情況下為0.2±0.05,而條帶因數(B)均一地較小且為0.05或更小,且許多時候為0.03±0.02。此外,關於紋理之隨機度數或隨機倍數非常均一且為7.3或更高,且不超過8.9。因此,隨機度數或隨機倍數在相當緊密之範圍內且因此亦展示均一性。
10‧‧‧金屬錠
20‧‧‧板坯
25‧‧‧板坯
30‧‧‧成品板
90‧‧‧金屬工件
100‧‧‧產出板
A‧‧‧第一方向
B‧‧‧第二方向
L‧‧‧第一尺寸
L1
‧‧‧第一尺寸
T‧‧‧第三尺寸
T1
‧‧‧第三尺寸
W‧‧‧第二尺寸
W1
‧‧‧第二尺寸
圖1a及圖1b說明一橫向軋製工藝。
圖2為根據本發明之一實施例之變形工藝的示意性表示。
圖3為根據本發明之一實施例之變形工藝的示意性表示。
圖4(彩色)為本發明之鉭板之方位色碼圖及反極圖。
圖5(彩色)為本發明之鉭板之具有5度公差的結晶方向圖。
圖6(彩色)為本發明之鉭板之具有10度公差的結晶方向圖。
圖7(彩色)為本發明之鉭板之具有15度公差的結晶方向圖。
圖8(彩色)為(111)、(001)及(110)之極圖圖示,及圖9(彩色)為本發明之鉭板之反極圖圖示。
圖10(彩色)為本發明之鉭板之晶粒大小直方圖及資料。
圖11a及b為展示用於本發明之各種實施例之各種工藝步驟及參數的流程圖。
圖12為諸如一圓盤之金屬物件之圖式,其進一步展示自該金屬物件取樣以量測紋理及/或晶粒大小之所要位置,以便獲得在全部所有(x,y,z)平面上對金屬物件之充分理解。
10...金屬錠
20...板坯
25...板坯
30...成品板
Claims (65)
- 一種製造一具有一最終厚度之金屬物件之方法,其包含:使一金屬錠變形以形成一具有一長度、一寬度及一厚度之矩形板坯,其中該等三個尺寸中之兩者在彼此之25%範圍內;該矩形板坯之一第一軋製以形成一中間板,其中該第一軋製包括複數個軋製道次;及該中間板之一第二軋製以形成一金屬板,其中該第二軋製包括複數個軋製道次,且其中該第二軋製之該等軋製道次中之每一者賦予每道次約0.06至0.18的一真應變縮小。
- 如請求項1之方法,其中三個尺寸中之該兩者在彼此之15%範圍內。
- 如請求項1之方法,其中三個尺寸中之該兩者在彼此之10%範圍內。
- 如請求項1之方法,其中三個尺寸中之該兩者在彼此之1%範圍內。
- 如請求項1之方法,其中三個尺寸中之該兩者為寬度及厚度。
- 如請求項1之方法,其中該金屬錠具有一至少9½吋之直徑。
- 如請求項1之方法,其中該金屬錠具有一至少11吋之直徑。
- 如請求項1之方法,其中該金屬錠具有一10吋至約20吋之直徑。
- 如請求項1之方法,其中該矩形板坯在該第一軋製之前具有一厚於該金屬物件之該最終厚度至少5倍之厚度。
- 如請求項1之方法,其中該矩形板坯在該第一軋製之前具有一厚於該金屬物件之該最終厚度至少10倍之厚度。
- 如請求項1之方法,其中該矩形板坯在該第一軋製之前具有一厚於該金屬物件之該最終厚度至少15倍之厚度。
- 如請求項1之方法,其中該矩形板坯在該第一軋製之前具有一厚於該金屬物件之該最終厚度至少20倍之厚度。
- 如請求項1之方法,其中由該第二軋製所賦予之一總真應變縮小為一真應變縮小之約0.10至約1.0。
- 如請求項1之方法,其中由該第二軋製所賦予之一總真應變縮小為一真應變縮小之約0.20至約0.5。
- 如請求項1之方法,其中該第一軋製包含一由軋機間隙設定之變化所界定之軋製排程。
- 如請求項1之方法,其中該第二軋製之一最後軋製道次賦予一等於或大於由任一其他軋製道次所賦予之一真應變縮小的真應變縮小。
- 如請求項1之方法,其中該金屬錠為鈮、鉭,或其一合金。
- 如請求項1之方法,其中該金屬錠為銅或鈦或其合金。
- 如請求項1之方法,其進一步包含在該第一軋製之前對該板坯進行退火。
- 如請求項19之方法,其中該退火係在真空或惰性條件之下,在一約700℃至約1500℃之溫度下持續約30分鐘至約24小時的時間。
- 如請求項1之方法,其進一步包含提供該矩形板坯具有平面度在約0.02吋範圍內之兩個相對軋製表面。
- 如請求項1之方法,其中該矩形板坯具有一約3至約8吋之厚度、一約3至約8吋之寬度,及一約10至約48吋之長度。
- 如請求項1之方法,其中該中間板具有一約0.40至約1.5吋之厚度。
- 如請求項1之方法,其中該中間板具有一大於該矩形板坯之一長度約10%或更少的長度。
- 如請求項1之方法,其進一步包含對該中間板進行退火。
- 如請求項25之方法,其中該退火係在真空或惰性條件之下,在一約700℃至約1500℃之溫度下持續約30分鐘至約24小時的時間。
- 如請求項1之方法,其中該第二軋製之該等軋製道次中之至少一者在相對於該第一軋製的該等軋製道次中之至少一者之一橫向方向上。
- 如請求項1之方法,其中該第二軋製之該等軋製道次為多方向的。
- 如請求項1之方法,其中該金屬錠具有一橫截面面積且該矩形板坯具有一橫截面面積,其中在形成該矩形板坯 中,與該矩形板坯之橫截面面積相比,基於一真應變,該金屬錠之該橫截面面積經受一至少95%之真應變縮小。
- 如請求項29之方法,其中橫截面面積中之該真應變縮小為至少100%。
- 一種由如請求項1之方法形成之金屬板。
- 如請求項31之金屬板,其中該金屬板具有一20微米或更小之平均晶粒大小。
- 一種製造一具有一最終厚度之金屬物件之方法,其包含:a)使一具有一橫截面面積之金屬錠變形以形成一具有一長度、一寬度及一厚度與一橫截面面積之板坯,其中與該金屬錠之該橫截面面積相比,基於一總真應變縮小,該板坯之該橫截面面積更小至少95%,且其中該板坯之長度、寬度及厚度中之兩者在彼此之25%範圍內;b)該板坯之一第一軋製以形成一中間板或一金屬板,其中該第一軋製包括複數個軋製道次;c)視需要,該中間板之一第二軋製以形成一金屬板,其中該第二軋製包括複數個軋製道次,且其中該第二軋製之該等軋製道次中之每一者賦予約0.06或更多之一真應變縮小。
- 如請求項33之方法,其中該板坯之該橫截面面積更小至少100%。
- 如請求項33之方法,其中該板坯之該橫截面面積更小至 少95%至500%。
- 如請求項33之方法,其中該金屬錠具有一至少9½吋之直徑。
- 如請求項33之方法,其中該金屬錠具有一至少11吋之直徑。
- 如請求項33之方法,其中該金屬錠具有一10吋至約20吋之直徑。
- 如請求項33之方法,其中由該第二軋製所賦予之一總真應變縮小為一真應變縮小之約0.10至約1.0。
- 如請求項33之方法,其中由該第二軋製所賦予之一總真應變縮小為一真應變縮小之約0.20至約0.5。
- 如請求項33之方法,其中該金屬錠為鈮、鉭,或其一合金。
- 如請求項33之方法,其進一步包含在該第一軋製之前對該板坯進行退火。
- 如請求項33之方法,其進一步包含對該中間板或該金屬板或兩者進行退火。
- 如請求項33之方法,其中該第二軋製發生且該第二軋製之該等軋製道次中之至少一者在相對於該第一軋製的該等軋製道次中之至少一者之一橫向方向上。
- 一種體心立方結構(BCC)金屬,其係由請求項1或33之方法所形成,且具有0.3或更小之一紋理梯度均一性因數(H)。
- 如請求項45之BCC金屬,其中該紋理梯度均一性因數為 約0.1至0.2。
- 如請求項45之BCC金屬,其中該紋理梯度均一性因數為約0.12至約0.17。
- 一種體心立方結構(BCC)金屬,其係由請求項1或33之方法所形成,且具有0.1或更小之一紋理梯度條帶因數(banding factor)(B)。
- 如請求項48之BCC金屬,其中該紋理梯度條帶因數為約0.01至約0.075。
- 如請求項48之BCC金屬,其中該紋理梯度條帶因數為約0.02至約0.05。
- 如請求項48之BCC金屬,其中該BCC金屬具有0.2或更小之一紋理梯度均一性因數(H)。
- 如請求項48之BCC金屬,其中該紋理梯度均一性因數為約0.1至0.2。
- 如請求項48之BCC金屬,其中該紋理梯度均一性因數為約0.12至約0.17。
- 如請求項48之BCC金屬,其中該BCC金屬為鉭。
- 如請求項45之BCC金屬,其中該BCC金屬為鉭。
- 如請求項48之BCC金屬,其具有該BCC金屬之至少99.95%之一金屬純度。
- 如請求項48之BCC金屬,其中該BCC金屬具有約75微米或更小之一平均晶粒大小。
- 如請求項48之BCC金屬,其中該BCC金屬為鉭且具有一遍及該BCC金屬之該厚度之初級(111)紋理。
- 如請求項33之方法,其中該第二軋製發生。
- 如請求項33之方法,其中該第一軋製為一時脈軋製(clock rolling)以形成該金屬板。
- 如請求項1之方法,其中該真應變縮小為每道次約0.06至0.15。
- 如請求項1之方法,其中該第二軋製中之後續軋製道次在前一軋製道次之該真應變縮小的25%範圍內。
- 如請求項1之方法,其中該第二軋製中之該後續軋製道次在該前一軋製道次之該真應變縮小的5%範圍內。
- 如請求項45之BCC金屬,其中遍及該BCC金屬該均一性因數變化不超過±0.1。
- 如請求項48之BCC金屬,其中遍及該BCC金屬該紋理梯度條帶因數變化不超過±0.05。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US77973506P | 2006-03-07 | 2006-03-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200801214A TW200801214A (en) | 2008-01-01 |
TWI445834B true TWI445834B (zh) | 2014-07-21 |
Family
ID=38475466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW96107945A TWI445834B (zh) | 2006-03-07 | 2007-03-07 | 製造變形金屬物件之方法及藉由該方法形成之金屬物件 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8382920B2 (zh) |
JP (1) | JP5114812B2 (zh) |
KR (1) | KR101466996B1 (zh) |
CN (1) | CN101374611B (zh) |
AT (1) | AT506547B1 (zh) |
CZ (1) | CZ308045B6 (zh) |
DE (1) | DE112007000440B4 (zh) |
EE (1) | EE05493B1 (zh) |
FR (1) | FR2900584A1 (zh) |
IE (1) | IE86184B1 (zh) |
TW (1) | TWI445834B (zh) |
WO (1) | WO2007103309A2 (zh) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8381385B2 (en) * | 2004-12-27 | 2013-02-26 | Tri-Arrows Aluminum Inc. | Shaped direct chill aluminum ingot |
US20060137851A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Gyan Jha | Shaped direct chill aluminum ingot |
US7776166B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-08-17 | Praxair Technology, Inc. | Texture and grain size controlled hollow cathode magnetron targets and method of manufacture |
US7754027B2 (en) * | 2007-08-27 | 2010-07-13 | China Steel Corporation | Method for manufacturing a sputtering target |
WO2010028495A1 (en) * | 2008-09-10 | 2010-03-18 | 9128-5270 Quebec Inc. | Process for making high electrical conductivity aluminium plates |
JP2012505311A (ja) * | 2008-10-10 | 2012-03-01 | トーソー エスエムディー,インク. | 円形溝プレス装置とスパッターリングターゲットの製造方法 |
WO2010051040A1 (en) * | 2008-11-03 | 2010-05-06 | Tosoh Smd, Inc. | Method of making a sputter target and sputter targets made thereby |
US20100180427A1 (en) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | Ford Motor Company | Texturing of thin metal sheets/foils for enhanced formability and manufacturability |
KR101376453B1 (ko) | 2009-03-31 | 2014-03-19 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 스퍼터링용 란타늄 타깃 |
US20100330389A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Ford Motor Company | Skin pass for cladding thin metal sheets |
JP5291754B2 (ja) | 2011-04-15 | 2013-09-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 太陽電池用スパッタリングターゲット |
WO2013050935A1 (en) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Babasaheb Neelkanth Kalyani | A process for making forged and machined components |
WO2013141231A1 (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに同ターゲットを用いて形成した半導体配線用バリア膜 |
CN102873093B (zh) * | 2012-10-31 | 2014-12-03 | 西安诺博尔稀贵金属材料有限公司 | 一种大尺寸钽板材的制备方法 |
CN104937133A (zh) | 2013-03-04 | 2015-09-23 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 钽溅射靶及其制造方法 |
CN104561912B (zh) * | 2013-10-15 | 2017-10-13 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 钛聚焦环的制作方法 |
JP6599234B2 (ja) * | 2013-10-29 | 2019-10-30 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法、ならびに半導体素子の製造方法 |
JP5828350B2 (ja) * | 2014-04-11 | 2015-12-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 円筒型スパッタリングターゲット用素材の製造方法 |
EP3275585B1 (en) * | 2015-03-26 | 2019-12-25 | Institute of Metal Research Chinese Academy of Sciences | Constructing and forging method for preparing homogenized forged pieces |
CN108026634A (zh) * | 2015-08-03 | 2018-05-11 | 霍尼韦尔国际公司 | 具有改善性质的无摩擦锻造铝合金溅射靶 |
US10371650B2 (en) * | 2016-09-22 | 2019-08-06 | Advanced Manufacturing LLC | Macrotexture map visualizing texture heterogeneity in polycrystalline parts |
US10900102B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-01-26 | Honeywell International Inc. | High strength aluminum alloy backing plate and methods of making |
CN106893989B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-10-01 | 昆山全亚冠环保科技有限公司 | 一种银钛合金靶材防开裂轧制工艺 |
US11062889B2 (en) | 2017-06-26 | 2021-07-13 | Tosoh Smd, Inc. | Method of production of uniform metal plates and sputtering targets made thereby |
CN110000211A (zh) * | 2018-01-05 | 2019-07-12 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材轧制方法 |
KR102117404B1 (ko) * | 2018-05-10 | 2020-06-01 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 스퍼터링 폐타겟으로부터 유가금속 회수방법 및 공정 부산물 재활용 방법 |
EP4031509A4 (en) * | 2019-09-18 | 2024-01-10 | Massachusetts Institute of Technology | SYSTEMS, COMPOSITIONS AND METHODS FOR PRODUCING SHARP EDGES |
CN113231465B (zh) * | 2021-05-13 | 2022-05-13 | 太原理工大学 | 一种大尺寸Ni-Ni3Al-NiAl层状结构复合板的制备方法 |
CN113351676B (zh) * | 2021-06-09 | 2024-04-12 | 湖北美科精毅科技有限公司 | 宽幅整体挤压壁板和轧制板材组织性能及尺寸均匀性控制方法 |
CN113751637B (zh) * | 2021-09-16 | 2023-08-18 | 湖南湘投金天钛业科技股份有限公司 | 一种提高大规格钛板坯成品率的锻造方法 |
WO2023224084A1 (ja) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 東ソー株式会社 | 金属スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに、金属材料及びその製造方法 |
Family Cites Families (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1370328A (en) * | 1921-03-01 | Method of making tubes | ||
US2516863A (en) * | 1946-07-15 | 1950-08-01 | Gardner Daniel | Process of producing tantalum, columbium, and compounds thereof |
DE1849708U (de) * | 1959-06-11 | 1962-04-12 | Siemag Siegener Masch Bau | Hilfsvorrichtung fuer das pruefen der oberflaechenbeschaffenheit von walzgutknueppeln. |
US3489533A (en) * | 1967-03-01 | 1970-01-13 | Fansteel Inc | Refractory metal sheet |
FR2129996B1 (zh) * | 1971-03-25 | 1975-01-17 | Centre Nat Etd Spatiales | |
US3954514A (en) * | 1975-04-02 | 1976-05-04 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Textureless forging of beryllium |
DE2517180C3 (de) * | 1975-04-18 | 1979-04-19 | Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von feinem hochkapazitiven Erdsäuremetallpulver für Elektrolytkondensatoren |
US4092181A (en) * | 1977-04-25 | 1978-05-30 | Rockwell International Corporation | Method of imparting a fine grain structure to aluminum alloys having precipitating constituents |
US4141719A (en) * | 1977-05-31 | 1979-02-27 | Fansteel Inc. | Tantalum metal powder |
FR2475426A1 (fr) * | 1980-02-12 | 1981-08-14 | Secim | Procede de realisation de fils metalliques |
FR2529578B1 (fr) * | 1982-07-02 | 1986-04-11 | Cegedur | Procede pour ameliorer a la fois la resistance a la fatigue et la tenacite des alliages d'al a haute resistance |
JPS61210158A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 超塑性2相ステンレス鋼およびその熱間加工法 |
US4721537A (en) * | 1985-10-15 | 1988-01-26 | Rockwell International Corporation | Method of producing a fine grain aluminum alloy using three axes deformation |
US4684399A (en) * | 1986-03-04 | 1987-08-04 | Cabot Corporation | Tantalum powder process |
JPH0621346B2 (ja) | 1986-06-11 | 1994-03-23 | 日本鉱業株式会社 | 高純度金属タンタル製ターゲットの製造方法 |
US4722754A (en) | 1986-09-10 | 1988-02-02 | Rockwell International Corporation | Superplastically formable aluminum alloy and composite material |
JPS63216966A (ja) | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
DE3712281A1 (de) | 1987-04-10 | 1988-10-27 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur herstellung von hochduktilem tantal-halbzeug |
JPH01290766A (ja) | 1988-05-18 | 1989-11-22 | Nippon Mining Co Ltd | Ti含有高純度Taターゲット及びその製造方法 |
JP3031474B2 (ja) | 1989-12-26 | 2000-04-10 | 株式会社東芝 | 高純度タンタル材,タンタルターゲット,薄膜および半導体装置の製造方法 |
CH682326A5 (zh) * | 1990-06-11 | 1993-08-31 | Alusuisse Lonza Services Ag | |
DE4021207A1 (de) * | 1990-07-03 | 1992-01-16 | Starck Hermann C Fa | Verfahren zur gewinnung und trennung von tantal und niob |
FR2664618B1 (fr) * | 1990-07-10 | 1993-10-08 | Pechiney Aluminium | Procede de fabrication de cathodes pour pulverisation cathodique a base d'aluminium de tres haute purete. |
JPH04178940A (ja) | 1990-11-13 | 1992-06-25 | Mitsubishi Kasei Corp | 光記録媒体 |
US5087297A (en) * | 1991-01-17 | 1992-02-11 | Johnson Matthey Inc. | Aluminum target for magnetron sputtering and method of making same |
US5693159A (en) * | 1991-04-15 | 1997-12-02 | United Technologies Corporation | Superalloy forging process |
US5370839A (en) * | 1991-07-05 | 1994-12-06 | Nippon Steel Corporation | Tial-based intermetallic compound alloys having superplasticity |
DE4207145C1 (en) | 1992-03-06 | 1993-04-29 | H.C. Starck Gmbh & Co Kg, 3380 Goslar, De | Hydro:methallurgical process for recovery of tantalum and niobium - by digesting material e.g. columbite ore with hydrofluoric acid followed by solvent extn. of formed fluoro:complexes |
JP3197640B2 (ja) | 1992-11-30 | 2001-08-13 | 朝日興業株式会社 | 気泡発生装置 |
JPH06264232A (ja) | 1993-03-12 | 1994-09-20 | Nikko Kinzoku Kk | Ta製スパッタリングタ−ゲットとその製造方法 |
DE4404374C1 (de) | 1994-02-11 | 1995-05-18 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Gewinnung und Trennung von Tantal und Niob |
US5687600A (en) * | 1994-10-26 | 1997-11-18 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Metal sputtering target assembly |
US5850755A (en) * | 1995-02-08 | 1998-12-22 | Segal; Vladimir M. | Method and apparatus for intensive plastic deformation of flat billets |
US5665180A (en) * | 1995-06-07 | 1997-09-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for hot rolling single crystal nickel base superalloys |
US5993513A (en) * | 1996-04-05 | 1999-11-30 | Cabot Corporation | Method for controlling the oxygen content in valve metal materials |
FR2756572B1 (fr) * | 1996-12-04 | 1999-01-08 | Pechiney Aluminium | Alliages d'aluminium a temperature de recristallisation elevee utilisee dans les cibles de pulverisation cathodiques |
US6569270B2 (en) * | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
US6323055B1 (en) * | 1998-05-27 | 2001-11-27 | The Alta Group, Inc. | Tantalum sputtering target and method of manufacture |
US6348139B1 (en) * | 1998-06-17 | 2002-02-19 | Honeywell International Inc. | Tantalum-comprising articles |
US6193821B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-02-27 | Tosoh Smd, Inc. | Fine grain tantalum sputtering target and fabrication process |
US6348113B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
JP3527647B2 (ja) | 1998-11-27 | 2004-05-17 | 住友電装株式会社 | 抵抗溶接用電極の製造方法および抵抗溶接用電極 |
JP3997375B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2007-10-24 | 日立電線株式会社 | スパッタ用銅ターゲット材およびその製造方法 |
US20040072009A1 (en) * | 1999-12-16 | 2004-04-15 | Segal Vladimir M. | Copper sputtering targets and methods of forming copper sputtering targets |
US6331233B1 (en) * | 2000-02-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture |
DE60136351D1 (de) * | 2000-05-22 | 2008-12-11 | Cabot Corp | Hochreines niobmetall und erzeugnisse daraus und verfahren zu dessen herstellung |
US6462339B1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-10-08 | Cabot Corporation | Method for quantifying the texture homogeneity of a polycrystalline material |
US6946039B1 (en) * | 2000-11-02 | 2005-09-20 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets, and methods of fabricating metallic materials |
US6887356B2 (en) * | 2000-11-27 | 2005-05-03 | Cabot Corporation | Hollow cathode target and methods of making same |
IL156802A0 (en) * | 2001-01-11 | 2004-02-08 | Cabot Corp | Tantalum and niobium billets and methods of producing same |
AU2002257005B2 (en) | 2001-02-20 | 2007-05-31 | H.C. Starck, Inc. | Refractory metal plates with uniform texture and methods of making the same |
DE60231538D1 (de) * | 2001-11-26 | 2009-04-23 | Nikko Materials Co Ltd | Sputtertarget und herstellungsverfahren dafür |
JP4376487B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2009-12-02 | 日鉱金属株式会社 | 高純度ニッケル合金ターゲットの製造方法 |
JP4883546B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2012-02-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP4178940B2 (ja) | 2002-12-18 | 2008-11-12 | Jfeスチール株式会社 | 耐二次加工脆性に優れた高強度薄鋼板およびその製造方法 |
TWI341337B (en) * | 2003-01-07 | 2011-05-01 | Cabot Corp | Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same |
US6890393B2 (en) | 2003-02-07 | 2005-05-10 | Advanced Steel Technology, Llc | Fine-grained martensitic stainless steel and method thereof |
US7228722B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-06-12 | Cabot Corporation | Method of forming sputtering articles by multidirectional deformation |
JP2007521140A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-08-02 | キャボット コーポレイション | 高い完全度のスパッタリングターゲット材料及びそれを大量に製造する方法 |
US20050252268A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-11-17 | Michaluk Christopher A | High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same |
US20060042728A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Brad Lemon | Molybdenum sputtering targets |
US7998287B2 (en) * | 2005-02-10 | 2011-08-16 | Cabot Corporation | Tantalum sputtering target and method of fabrication |
-
2007
- 2007-03-06 JP JP2008558336A patent/JP5114812B2/ja active Active
- 2007-03-06 DE DE112007000440.1T patent/DE112007000440B4/de active Active
- 2007-03-06 AT ATA9106/2007A patent/AT506547B1/de active
- 2007-03-06 WO PCT/US2007/005584 patent/WO2007103309A2/en active Application Filing
- 2007-03-06 EE EEP200800048A patent/EE05493B1/xx not_active IP Right Cessation
- 2007-03-06 KR KR1020087021715A patent/KR101466996B1/ko active IP Right Grant
- 2007-03-06 CZ CZ2008543A patent/CZ308045B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2007-03-06 CN CN200780003134.7A patent/CN101374611B/zh active Active
- 2007-03-07 US US11/715,259 patent/US8382920B2/en active Active
- 2007-03-07 FR FR0753702A patent/FR2900584A1/fr not_active Withdrawn
- 2007-03-07 TW TW96107945A patent/TWI445834B/zh active
- 2007-03-07 IE IE20070150A patent/IE86184B1/en not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-01-29 US US13/815,075 patent/US8974611B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112007000440B4 (de) | 2021-01-07 |
AT506547B1 (de) | 2013-02-15 |
CZ308045B6 (cs) | 2019-11-20 |
IE20070150A1 (en) | 2013-02-27 |
CN101374611A (zh) | 2009-02-25 |
FR2900584A1 (fr) | 2007-11-09 |
WO2007103309A3 (en) | 2007-11-22 |
KR101466996B1 (ko) | 2014-12-01 |
AT506547A5 (de) | 2012-12-15 |
US8382920B2 (en) | 2013-02-26 |
EE05493B1 (et) | 2011-12-15 |
EE200800048A (et) | 2008-10-15 |
US20130149553A1 (en) | 2013-06-13 |
WO2007103309A2 (en) | 2007-09-13 |
TW200801214A (en) | 2008-01-01 |
US20070209741A1 (en) | 2007-09-13 |
DE112007000440T5 (de) | 2009-04-09 |
CZ2008543A3 (cs) | 2009-03-25 |
KR20080098414A (ko) | 2008-11-07 |
JP2009528922A (ja) | 2009-08-13 |
IE86184B1 (en) | 2013-05-08 |
AT506547A2 (de) | 2009-10-15 |
JP5114812B2 (ja) | 2013-01-09 |
US8974611B2 (en) | 2015-03-10 |
CN101374611B (zh) | 2015-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI445834B (zh) | 製造變形金屬物件之方法及藉由該方法形成之金屬物件 | |
EP2185300B1 (en) | Refractory metal plates with improved uniformity of texture | |
US8231745B2 (en) | Sputtering target and method of fabrication | |
KR101690394B1 (ko) | 탄탈 스퍼터링 타깃의 제조 방법 | |
KR101626286B1 (ko) | 스퍼터 타겟 제조 방법 및 이에 의해 제조된 스퍼터 타겟 | |
US7228722B2 (en) | Method of forming sputtering articles by multidirectional deformation | |
US20050252268A1 (en) | High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same | |
US20050236076A1 (en) | High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same | |
JP3711196B2 (ja) | スパッタリングターゲット用チタンの製造方法およびその製造に用いるチタンスラブ |