TWI427033B - 石墨烯奈米窄帶的製備方法 - Google Patents

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Description

石墨烯奈米窄帶的製備方法
本發明涉及一種石墨烯奈米窄帶的製備方法，尤其涉及一種定向排列的石墨烯奈米窄帶的製備方法。
石墨烯具有穩定的二維晶格結構和優異的電學性能，近年來迅速成為碳材料家族中的“明星分子”。由於具備和傳統矽半導體工藝的相容性且不存在奈米碳管所面臨的選擇性生長等問題，石墨烯在微納電子器件領域展現出廣闊的應用前景，有望成為構築下一代電子器件的核心材料。
石墨烯片層的形狀決定了其能帶結構，能帶結構又決定其電學性質，電學性質又進而決定其應用潛力。目前，基於石墨烯的電子器件實用化所面臨的一大挑戰是將其圖形化為具備不同電學性質的微納結構，為下一步的電路集成奠定基礎。在這種情況下，發展一種可以有效製備石墨烯奈米窄帶的方法至關重要。
目前，製備石墨烯奈米窄帶的方法主要包括：1)利用鐳射燒蝕或強氧化劑蝕刻的方法縱向剖開奈米碳管壁，以得到單層或多層石墨烯奈米窄帶。該方法的效率較低，可控性較差，獲得的石墨烯奈米窄帶不平整。2)採用傳統的光刻和氧蝕刻方法切割石墨烯。該方法對基底的要求高，並且涉及了各種溶劑的使用，不利於表面器件的製備及集成，另外，奈米級光罩的製備也較為困難，成本較高。3)採用催化粒子原位反應切割石墨烯。該方法效率較低，並且涉及了溶液及高溫反應，且製備過程具備不可控性。4)利用掃描隧道顯微鏡(STM)針尖電流切割石墨烯。該方法效率低，由於是在高純石墨上實現切割，因而與現行的半導體工藝不相容。5)利用圖形化的二氧化鈦薄膜的光催化反應氧化分解石墨烯片層，得到特定圖案的石墨烯條帶。該方法製備奈米級別的圖形化二氧化鈦薄膜較為困難，需要另外的光罩，因此整個製備過程較為複雜，且所需光催化反應的時間較長。6)利用圖形化排布的催化劑顆粒，利用化學氣相沈積法直接生長石墨烯條帶。該方法中對催化劑顆粒進行圖形化排布較為困難，不易控制其尺寸和形狀，因此獲得的石墨烯條帶的尺寸也較難控制。
有鑒於此，確有必要提供一種石墨烯奈米窄帶的製備方法，該方法可調整與控制石墨烯奈米窄帶的尺寸，且方法簡單，易於操作，效率較高。
一種石墨烯奈米窄帶的製備方法，包括以下步驟：提供一基底，設置一石墨烯膜於該基底的一表面；提供一奈米碳管拉膜結構，覆蓋於該石墨烯膜遠離基底的一表面，該奈米碳管拉膜結構包括多個定向排列的奈米碳管束以及多個分佈於所述奈米碳管束之間的帶狀間隙；利用反應離子蝕刻該奈米碳管拉膜結構及位於該奈米碳管拉膜結構帶狀間隙下方的石墨烯膜，獲得多個定向排列的石墨烯奈米窄帶；以及利用超聲處理的方法，將殘餘的奈米碳管拉膜結構與獲得的石墨烯奈米窄帶分離。
與先前技術相比，本發明提供的石墨烯奈米窄帶的製備方法，利用奈米碳管拉膜結構作為光罩，由於該奈米碳管拉膜結構包括多個定向排列的帶狀間隙和奈米碳管束，且該定向排列的帶狀間隙和奈米碳管束的寬度均可以通過調整該奈米碳管拉膜結構中奈米碳管拉膜的層數以及通過有機溶劑處理該奈米碳管拉膜或者利用鐳射掃描該奈米碳管拉膜等方法來調整，因此，本發明的製備方法獲得的石墨烯奈米窄帶尺寸易於控制，從而克服了普通的光刻膠光罩在成型後不能隨意改變其圖案和尺寸的缺陷。並且，利用本發明的製備方法獲得石墨烯奈米窄帶具有定向排列的特點，可直接應用於一些半導體器件和感測器中。另外，利用奈米碳管拉膜結構作為光罩，相比於其他奈米級光罩的製備來說，奈米碳管拉膜結構的製備更為簡便，且特別適合於光罩的連續化、規模化生產。因此，利用本發明方法製備石墨烯奈米窄帶，具有工藝簡單、效率高、可規模化生產的優點。
下面將結合圖式及具體實施例對本發明提供的石墨烯奈米窄帶的製備方法作進一步的詳細說明。
請一併參閱圖1及圖2，本發明實施例提供一種石墨烯奈米窄帶10的製備方法，該方法包括以下步驟：
S1：提供一基底20，該基底20具有一第一表面201以及一與該第一表面201相對的第二表面202，設置一石墨烯膜30於該基底20的第一表面201，該石墨烯膜30具有一遠離該基底20的第三表面301；
S2：提供一奈米碳管拉膜結構40，該奈米碳管拉膜結構40包括多個定向排列的帶狀間隙412和奈米碳管束411，將該奈米碳管拉膜結構40覆蓋於上述石墨烯膜30遠離基底20的第三表面301；
S3：利用反應離子蝕刻該奈米碳管拉膜結構40及位於該奈米碳管拉膜結構40的帶狀間隙412下方的石墨烯膜30，獲得多個石墨烯奈米窄帶10；以及
S4：利用超聲處理的方法，將殘餘的奈米碳管拉膜結構40與獲得的石墨烯奈米窄帶10分離。
步驟S1中，所述基底20為一薄膜狀或薄片狀基底。該基底20的材料可以為矽、二氧化矽、碳化矽、石英、玻璃或金屬材料。所述金屬材料可以為銅、鎳和鐵等。該基底20的厚度為100奈米至1毫米。該基底20的第一表面201的面積不限，可以根據實際需要進行調整。
步驟S1中，所述石墨烯膜30可以是從所述基底20上原位生長的，也可以是從其他基底轉移至所述基底20上的。所述石墨烯膜30由單層石墨烯或多層石墨烯組成，其厚度為0.5奈米至10奈米。所述石墨烯膜30的第三表面301的面積可根據製備方法的不同而調整，具體為1平方毫米至100平方厘米。所述石墨烯膜30的製備方法不限，可通過化學氣相沈積法合成，也可通過熱解SiC法、金屬基底外延生長法、有機合成法、還原氧化石墨法或機械剝離法獲得。本實施例優選使用化學氣相沈積法合成該石墨烯膜30於所述基底20，具體包括以下步驟：
S11：提供一基底20，將所述基底20放入一反應室內，高溫處理所述基底20的第一表面201；
S12：向所述反應室內通入碳源氣，於所述基底20的第一表面201生長石墨烯膜30；
S13：將所述基底20冷卻至室溫，取出生長有石墨烯膜30的基底20。
步驟S11中，所述反應室為生長石墨烯膜30的反應空間。該反應室為一密閉空腔，該密閉空腔具有一個進氣口以及一個出氣口。所述進氣口用於通入反應氣體，如氫氣和甲烷；所述出氣口與一抽真空裝置相連通。所述抽真空裝置通過該出氣口控制反應室的真空度以及氣壓。進一步地，所述反應室還可以包括一個水冷裝置，用於控制反應室中的基底20的溫度。本實施例中，所述反應室為一石英管。
步驟S11中，對基底20的第一表面201進行高溫處理，可使得基底20的第一表面201結構更加平整，從而有利於生長石墨烯膜30。所述高溫處理所述基底20的步驟具體為：將所述基底20放入所述反應室，並通入氫氣，氫氣的氣體流量為2sccm(標準狀態毫升/分鐘)~35sccm；升高所述反應室的溫度，對所述基底20的第一表面201高溫處理約1小時。所述反應室內的溫度控制在800攝氏度至1500攝氏度。該反應室內為真空環境，該反應室內的氣壓為10-1 帕至102 帕。本實施例中，氫氣的氣體流量為2sccm，反應室內的氣壓為13.3帕，反應溫度為1000攝氏度，升溫時間為40分鐘，恒溫時間為20分鐘。所述基底20經高溫處理後，該基底20的第一表面201的表面結構更平整，適宜生長石墨烯。在氫氣環境中加熱，可以還原該基底20表面的氧化層，同時防止進一步氧化。
步驟S12中，保持所述反應室中的氫氣流量不變，並繼續通入的條件下，在高溫下通入碳源氣體，從而在該基底20的第一表面201及第二表面202沈積碳原子，形成一石墨烯膜30。所述氫氣與碳源氣的通氣流量比的範圍為2:15~2:45。所述碳源氣可以為甲烷、乙烷、乙烯或乙炔等化合物。所述反應室內的溫度為800攝氏度至1500攝氏度。該反應室內為真空環境，該反應室內的氣壓為10-1 帕至102 帕。反應時的恒溫時間為10分鐘到60分鐘。本實施例中，反應室內的氣壓為500mTorr(毫托)，反應溫度為1000攝氏度，碳源氣為甲烷，碳源氣的氣體流量為25sccm，恒溫時間30分鐘。
步驟S13中，需要在保持碳源氣以及氫氣的通入流量不變的情況下，將所述基底20冷卻至室溫。本實施例中，在冷卻過程中，向反應室內通入流量為25sccm的甲烷，流量為2sccm的氫氣，在66.5帕氣壓下，冷卻1小時。待該基底20冷卻後，取出該基底20，該基底20的第一表面201以及第二表面202生長有一石墨烯膜30。另外，當所述基底20的溫度低於200攝氏度的情況下，可以僅僅在氫氣保護的條件下，冷卻該基底20至室溫。
可以理解，所述化學氣相沈積法生長石墨烯膜30過程中，碳原子在沈積時，該基底20的第一表面201以及第二表面202均有石墨烯膜30形成。上述方法中，可以進一步包括一個去除第二表面202的石墨烯膜30的步驟。去除第二表面202的石墨烯膜30可以採用研磨的方法實現，具體地，可以採用砂紙打磨所述基底20的第二表面202上的石墨烯膜30。
請一併參閱圖3和圖4，步驟S2中所述的奈米碳管拉膜結構40由一奈米碳管拉膜410組成或由多層奈米碳管拉膜410重疊設置而成。所述奈米碳管拉膜410包括多個首尾相連且定向排列的奈米碳管束411，所述奈米碳管拉膜410還包括多個分佈於所述奈米碳管束411之間的與所述定向排列的方向平行的帶狀間隙412。當所述奈米碳管拉膜結構40由多層奈米碳管拉膜410重疊設置而成時，該多個奈米碳管拉膜410中的奈米碳管束411沿同一方向定向排列。由於所述奈米碳管拉膜結構40由一奈米碳管拉膜410組成或由多層奈米碳管拉膜410重疊設置而成，所以，所述奈米碳管拉膜結構40也包括多個定向排列的奈米碳管束411以及多個分佈於所述奈米碳管束411之間且定向排列的帶狀間隙412。
步驟S2中，所述奈米碳管拉膜結構40的製備方法包括以下具體步驟：
S21：提供一奈米碳管陣列，優選地，該陣列為超順排奈米碳管陣列；
S22：採用一拉伸工具從奈米碳管陣列中拉取獲得一第一奈米碳管拉膜；
S23：提供一固定框架，將上述第一奈米碳管拉膜沿第一方向黏附於固定框架，並去除固定框架外的多餘的奈米碳管拉膜；
S24：按照與步驟S22相同的方法獲得一第二奈米碳管拉膜，將該第二奈米碳管拉膜沿所述第一方向黏附於上述固定框架，並覆蓋上述第一奈米碳管拉膜形成一兩層的奈米碳管拉膜結構。類似地，可將一具有與上述奈米碳管拉膜相同結構的第三奈米碳管拉膜或更多層的奈米碳管拉膜依次覆蓋於上述第二奈米碳管拉膜，進而形成多層的奈米碳管拉膜結構40。
步驟S21中，超順排奈米碳管陣列的製備方法採用化學氣相沈積法，其具體步驟包括：（a）提供一平整基底，該基底可選用P型或N型矽基底，或選用形成有氧化層的矽基底，本實施例優選為採用4英寸的矽基底；（b）在基底表面均勻形成一催化劑層，該催化劑層材料可選用鐵（Fe）、鈷（Co）、鎳（Ni）或其任意組合的合金之一；（c）將上述形成有催化劑層的基底在700攝氏度~900攝氏度的空氣中退火約30分鐘~90分鐘；（d）將處理過的基底置於反應爐中，在保護氣體環境下加熱到500攝氏度~740攝氏度，然後通入碳源氣體反應約5分鐘~30分鐘，生長得到超順排奈米碳管陣列，其高度為200微米~400微米。該超順排奈米碳管陣列為多個彼此平行且垂直於基底生長的奈米碳管形成的純奈米碳管陣列。通過上述控制生長條件，該超順排奈米碳管陣列中基本不含有雜質，如無定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等。該奈米碳管陣列中的奈米碳管彼此通過凡德瓦力緊密接觸形成陣列。本實施例中碳源氣可選用乙炔等化學性質較活潑的碳氫化合物，保護氣體可選用氮氣、氨氣或惰性氣體。
步驟S22中，具體包括以下步驟：（a）從奈米碳管陣列中選定一定寬度的多個奈米碳管片斷，本實施例優選為採用具有一定寬度的膠帶接觸奈米碳管陣列以選定一定寬度的多個奈米碳管片斷；（b）以一定速度沿基本垂直於奈米碳管陣列生長方向拉伸該多個奈米碳管片斷，以形成一連續的第一奈米碳管拉膜。在上述拉伸過程中，該多個奈米碳管片斷在拉力作用下沿拉伸方向逐漸脫離基底的同時，由於凡德瓦力作用，該選定的多個奈米碳管片斷分別與其他奈米碳管片斷首尾相連地連續地被拉出，從而形成一奈米碳管拉膜。該奈米碳管拉膜為定向排列的多個奈米碳管束首尾相連形成的具有一定寬度的奈米碳管拉膜。該奈米碳管拉膜中奈米碳管的排列方向基本平行於奈米碳管拉膜的拉伸方向。
步驟S23中，該固定框架為一方形的金屬框架，用於固定奈米碳管拉膜，其材質不限。該固定框架的大小可依據實際需求確定，當固定框架的寬度大於上述第一奈米碳管拉膜的寬度時，可將多個上述第一奈米碳管拉膜並排覆蓋並黏附在固定框架上。
本實施例中，通過上述方法製備獲得的奈米碳管拉膜結構40的寬度可為1厘米~10厘米，所述奈米碳管拉膜結構40的厚度可為10奈米~100微米。
所述奈米碳管拉膜結構40中的奈米碳管束411的寬度和帶狀間隙412的寬度可以調節，如通過對該奈米碳管拉膜結構40的表面進行鐳射掃描處理，可以燒蝕掉該奈米碳管拉膜結構40中直徑較大的部分奈米碳管，從而可以增大帶狀間隙412的寬度，減小奈米碳管束411的寬度。又如可以通過使用揮發性有機溶劑如乙醇、丙酮等處理該奈米碳管拉膜結構40的方式，將該奈米碳管拉膜結構40中的部分奈米碳管收縮聚集，從而同時增大帶狀間隙412和奈米碳管束411的寬度。而且，有機溶劑處理後的奈米碳管拉膜結構40的黏性變小，從而在後續步驟中可以很容易的去除。另外，還可以通過增加該奈米碳管拉膜結構40中奈米碳管拉膜410的層數的方式來減小帶狀間隙412的寬度，增大奈米碳管束411的寬度。具體地，該奈米碳管拉膜結構40中的帶狀間隙412的寬度調節範圍可在5奈米~500微米。
因此，本發明利用奈米碳管拉膜結構40作為光罩，可以根據實際需要隨時調整其帶狀間隙412的尺寸，且其可調節的尺寸範圍較大，也就是說，本發明用奈米碳管拉膜結構40作為光罩，具有光罩圖案和尺寸靈活可調的優點，從而克服了普通的光刻膠光罩在成型後不能隨意改變其圖案和尺寸的缺陷。另外，奈米碳管拉膜結構40可以直接通過將奈米碳管拉膜410鋪設於石墨烯生長基底的方式獲得，且該奈米碳管拉膜結構40具有自支撐特性，從而可以很容易地整體移動，調整與金屬基底20的接觸。最後，本發明的奈米碳管拉膜結構40具有製備方法簡單、製備成本低以及製造效率高等優點。
步驟S3可在一反應離子蝕刻機中進行。具體包括以下步驟：
S31：將鋪有石墨烯膜30和奈米碳管拉膜結構40的基底20放入反應離子蝕刻機的真空腔體中，並將該真空腔體中抽成真空；
S32：在反應離子蝕刻機的真空腔體中通入反應氣體；
S33：在上述真空腔體中通過輝光放電反應產生反應氣體的等離子體，並與奈米碳管拉膜結構40以及位於該奈米碳管拉膜結構40帶狀間隙下方的石墨烯膜30反應。
步驟S32中，該反應氣體可選擇為氧氣、氫氣、氬氣、四氟化碳或氨氣等。本實施例中優選為氧氣。
步驟S33中，所述反應氣體通過輝光放電形成等離子體，該等離子體包括帶電荷的離子及電子。上述帶電荷的離子通過撞擊奈米碳管及石墨烯表面對兩者進行物理蝕刻，或者通過與奈米碳管和石墨烯中的碳原子反應生成二氧化碳等易揮發的反應產物對兩者進行化學蝕刻。依據反應氣體的不同，該等離子體包括氧等離子體、氫等離子體、氬等離子體、四氟化碳等離子體或氨等離子體等常用的等離子體。上述輝光放電反應的功率可以為1瓦~100瓦，優選為10瓦。反應氣體流量為10sccm~100sccm，優選為50sccm。真空腔體內氣體壓強為1帕~100帕，優選為10帕。等離子體與奈米碳管及石墨烯反應時間為5秒~30分鐘，優選為10秒~8分鐘。
由於本實施例中的石墨烯膜30的厚度為0.5奈米~10奈米，而奈米碳管拉膜結構40的厚度為10奈米~100微米，因此，在反應離子蝕刻的過程中，當透過奈米碳管拉膜結構40的帶狀間隙412而到達所述石墨烯膜30的等離子體完全蝕刻掉帶狀間隙412下方的部分石墨烯膜30時，覆蓋於所述石墨烯膜30上方的奈米碳管拉膜結構40中的奈米碳管束411還沒有被完全蝕刻掉，故，被所述奈米碳管拉膜結構40中的奈米碳管束411遮擋住的部分石墨烯膜30沒有受到反應離子蝕刻的作用，保持著完好的結構。最終，等反應離子蝕刻結束後，在基底20上獲得了被殘餘的奈米碳管拉膜結構40覆蓋的多個定向排列的石墨烯奈米窄帶10。
步驟S4中，所述超聲處理的時間為3分鐘~30分鐘，優選為10分鐘。
進一步地，在步驟S4之後，還可以對獲得的石墨烯奈米窄帶10進行自然風乾或烘乾處理，以便後續應用。請一併參閱圖5和圖6，圖5和圖6分別為利用本發明製備方法獲得的兩種定向排列的石墨烯奈米窄帶的結構示意圖。
相較於先前技術，本發明提供的石墨烯奈米窄帶的製備方法，利用奈米碳管拉膜結構作為光罩，由於該奈米碳管拉膜結構包括多個定向排列的帶狀間隙和奈米碳管束，且該定向排列的帶狀間隙和奈米碳管束的寬度均可以通過調整該奈米碳管拉膜結構中奈米碳管拉膜的層數以及通過有機溶劑處理該奈米碳管拉膜或者利用鐳射掃描該奈米碳管拉膜等方法來調整，因此，本發明的製備方法獲得的石墨烯奈米窄帶尺寸易於控制，從而克服了普通的光刻膠光罩在成型後不能隨意改變其圖案和尺寸的缺陷。並且，利用本發明的製備方法獲得石墨烯奈米窄帶具有定向排列的特點，可直接應用於一些半導體器件和感測器中。另外，利用奈米碳管拉膜結構作為光罩，相比於其他奈米級光罩的製備來說，奈米碳管拉膜結構的製備更為簡便，且特別適合於光罩的連續化、規模化生產。因此，利用本發明方法製備石墨烯奈米窄帶，具有工藝簡單、效率高、可規模化生產的優點。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
10‧‧‧石墨烯奈米窄帶
20‧‧‧基底
201‧‧‧第一表面
202‧‧‧第二表面
30‧‧‧石墨烯膜
301‧‧‧第三表面
40‧‧‧奈米碳管拉膜結構
410‧‧‧奈米碳管拉膜
411‧‧‧奈米碳管束
412‧‧‧帶狀間隙
圖1為本發明實施例的石墨烯奈米窄帶的製備方法的流程圖。
圖2為本發明實施例的石墨烯奈米窄帶的製備方法的工藝流程示意圖。
圖3為本發明實施例的石墨烯奈米窄帶的製備方法中使用的奈米碳管拉膜結構的示意圖。
圖4為本發明實施例的石墨烯奈米窄帶的製備方法中使用的奈米碳管拉膜結構的掃描電鏡照片。
圖5為本發明實施例的製備方法獲得的石墨烯奈米窄帶的結構示意圖。
圖6為本發明實施例的製備方法獲得的石墨烯奈米窄帶的另一結構示意圖。

Claims (15)

  1. 一種石墨烯奈米窄帶的製備方法，包括以下步驟：
    提供一基底，該基底具有一第一表面以及一與該第一表面相對的第二表面；
    設置一石墨烯膜於該基底的第一表面，該石墨烯膜具有一遠離該基底的第三表面；
    提供一奈米碳管拉膜結構，該奈米碳管拉膜結構包括多個定向排列的奈米碳管束以及分佈於所述奈米碳管束之間的帶狀間隙，將該奈米碳管拉膜結構覆蓋於上述石墨烯膜的第三表面；
    利用反應離子蝕刻該奈米碳管拉膜結構及位於該奈米碳管拉膜結構的帶狀間隙下方的石墨烯膜，獲得多個石墨烯奈米窄帶；以及
    利用超聲處理的方法，將殘餘的奈米碳管拉膜結構與獲得的石墨烯奈米窄帶分離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述基底的材料為矽、二氧化矽、碳化矽、石英、玻璃和金屬材料中的一種。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述石墨烯膜由單層石墨烯或多層石墨烯組成，其厚度為0.5奈米至10奈米。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述奈米碳管拉膜結構由一奈米碳管拉膜組成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述奈米碳管拉膜結構由多層奈米碳管拉膜重疊設置而成。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述奈米碳管拉膜包括多個首尾相連且定向排列的奈米碳管束，以及多個分佈於所述奈米碳管束之間的帶狀間隙。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述奈米碳管拉膜結構的寬度為1厘米至10厘米，厚度為10奈米至100微米。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述奈米碳管束的寬度為5奈米至500微米。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述利用反應離子蝕刻該奈米碳管拉膜結構及位於該奈米碳管拉膜結構的帶狀間隙下方的石墨烯膜的過程在一反應離子蝕刻機中進行，具體包括以下步驟：
    將鋪有石墨烯膜和奈米碳管拉膜結構的基底放入反應離子蝕刻機的真空腔體中，並將該真空腔體中抽成真空；
    在反應離子蝕刻機的真空腔體中通入反應氣體；以及
    在所述真空腔體中通過輝光放電反應產生反應氣體的等離子體，並與奈米碳管拉膜結構以及位於該奈米碳管拉膜結構的帶狀間隙下方的石墨烯膜反應。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述反應氣體為氧氣、氫氣、氬氣、四氟化碳和氨氣中的一種。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述反應的時間為5秒至30分鐘。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述反應的時間為10秒至8分鐘。
  13. 如申請專利範圍第9項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述輝光放電反應的功率為1瓦~100瓦。
  14. 如申請專利範圍第9項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述輝光放電反應的功率為10瓦。
  15. 如申請專利範圍第9項所述的石墨烯奈米窄帶的製備方法，其中，所述反應氣體流量為10sccm~100sccm。
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