TWI425672B - 用於製造封裝發光二極體的方法 - Google Patents

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用於製造封裝發光二極體的方法
本發明係有關於封裝的發光二極體,特別關係於一種封裝發光二極體的製造方法。
習知之封裝發光二極體,係以螢光粉混合於矽膠或環氧樹脂中,並以矽膠或環氧樹脂包覆於發光二極體晶片周圍,可利用發光二極體產生的光激發螢光粉,進而可發出各種顏色或白色的可見光。
然而,此種封裝發光二極體卻容易有不穩定與壽命不長的問題。矽膠與環氧樹脂外表可能受到水分侵蝕,使螢光粉與水分接觸,而造成螢光粉變質,耗損封裝發光二極體的壽命;此外,發光二極體晶片於使用時將會使溫度上升,尤其,於不斷提高發光二極體照明功率的同時,發光二極體晶片將產生更多的熱,使周圍的矽膠、環氧樹脂與螢光粉發生變質,影響封裝發光二極體的穩定度與使用壽命。
本發明之主要目的在於提供一種封裝的發光二極體製程,使所製造出的發光二極體具有較佳的壽命與穩定度。
為達成上述目的,本發明提供一種用於製造封裝發光二極體的方法,包含下列步驟:備料、建置電路與固定。
其中,備料係取一基板及一蓋板,該基板具有一第一面與 一第二面,該蓋板具有一第三面與一第四面,該第二面與該第三面其中一者具有一凸緣,該凸緣圍構有一凹槽,該蓋板包含一螢光層。
其中,建置電路係於該第二面固設至少一發光二極體電路,該發光二極體電路包含至少一發光二極體晶片。
其中,固定係於真空環境下將該蓋板固設於該基板,使該凹槽被該蓋板及該基板所封閉形成一封閉空間,該發光二極體電路位於該封閉空間中。
藉此,本發明中的發光二極體晶片與螢光層之間隔有真空夾層,可減少傳遞至螢光層的熱,而可減少蓋板與螢光物質變質的情形,同時,該蓋板更可以玻璃製作而成,避免水分侵蝕而接觸螢光物質,進一步減少螢光物質變質的情形,提高發光二極體的使用壽命。
以下僅以實施例說明本發明可能之實施態樣,然並非用以限制本發明所欲保護之範疇,合先敘明。
本發明提供一種用於製造封裝發光二極體的方法,可供用以製造如圖1所示封裝的發光二極體。
請參考圖2至圖5,本發明所提供用於製造封裝發光二極體的方法包括有以下步驟:備料:取一基板1與一蓋板2。其中,該銅合金或陶瓷製成之基板1具有一第一面11與一第二面12,該蓋板2具有一第三面21與一第四面22,該第二面12形成有一凸緣3,該凸緣3圍構有一凹槽,其中該凸緣3可能為一體成型於該基板1,或可利用其他零件組裝或膠合於基板1形成,於本發明其他可能的實施例中,該凸緣3亦可位於該第三面21。該蓋板2包括有一螢光層,更明確地說,該蓋板中混合分佈有螢光物質,具體而言,該蓋板2可由玻璃、壓克力或其他可透光材料製成,製造時於原料中混合加入螢光物質粉末,使製作成型之蓋板2即為一螢光層。較佳者該蓋板2之第三面21或第四面22表面可形成有凹凸紋路,可利用凹凸紋路對光進行反射與折射,以發揮聚光之效果。
建置電路:如圖3所示,於第二面12固設一發光二極體電路4,該發光二極體電路4可包括一至多個發光二極體晶片41,並可包括連接於發光二極體晶片的導線42,其中較佳者,該發光二極體電路4的設置可採用SMT(Surface Mount Technology表面黏著技術)製程。
固定:於真空環境下將該蓋板2固設於該基板1,使該凹槽被該蓋板2與該基板1所封閉,形成一封閉空間,且該封閉空間內為真空狀態,該發光二極體電路4則位於該封閉空間中。其中,該蓋板2與該基板1之間係利用光硬化樹脂5加以固定,於本發明其他可能的實施例中,若該蓋板2為壓克力或其他易於熔融的材料,亦可利用高週波加熱,再進一步將該蓋板2與該基板1壓合。
利用上述步驟,即可用以製造圖1所示封裝之發光二極體,其中,發光二極體晶片41係與該蓋板2分離,且封閉空間中為真空狀態,使發光二極體晶片41所產生的熱不易傳遞至蓋板2,可避免蓋板2中的螢光物質受到高溫影響而變質;同時,蓋板2中的螢光物質係被包覆於蓋板2的其他材料中,可避免螢光物質直接向外暴露,而可避免螢光物質接觸水分而變質。
又,蓋板2與基板1之間的封閉空間為真空狀態,可減少發光二極體晶片41所產生的光接觸空氣而產生損耗,可維持較佳的發光效率;同時,該蓋板2可形成凹凸紋路,可提供聚光的效果,維持較佳的照明能力。
請參考圖6,於本發明其他實施例中,該蓋板2可進一步包括一保護層23,該保護層23位於該第四面22,可利用該保護層阻隔外界的空氣或水,避免螢光層24表面的螢光物質接觸空氣與水,而可提高該螢光層24的穩定度。另請參考圖7,該蓋板2可更進一步包含另一保護層25,使該螢光層24被夾設於二保護層23、25之間,又更進一步提高該螢光層24的穩定度。
綜上所述,使本發明所提供之用於製造封裝發光二極體的方法可用以製造封裝的發光二極體,可提高封裝的發光二極體的耐用度與穩定度,實為具有進步之功效,符合本國專利法規定之專利要件,爰依法提起專利申請,鑑請 鈞局早日核予專利,實感德便。
1‧‧‧基板
11‧‧‧第一面
12‧‧‧第二面
2‧‧‧蓋板
21‧‧‧第三面
22‧‧‧第四面
23、25‧‧‧保護層
24‧‧‧螢光層
3‧‧‧凸緣
4‧‧‧發光二極體電路
41‧‧‧發光二極體晶片
42‧‧‧導線
5‧‧‧光硬化樹脂
圖1為本發明之局部剖視圖。
圖2至圖5為本發明之連續生產示意圖。
圖6與圖7為本發明其他實施例之剖面示意圖。
1...基板
2...蓋板
3...凸緣
4...發光二極體電路

Claims (4)

  1. 一種用於製造封裝發光二極體的方法,包含下列步驟:備料:取一基板及一蓋板,該基板具有一第一面與一第二面,該蓋板具有一第三面與一第四面,該第二面與該第三面其中一者具有一凸緣,該凸緣圍構有一凹槽,該蓋板包含一螢光層;建置電路:於該第二面固設至少一發光二極體電路,該發光二極體電路包含至少一發光二極體晶片;固定:於真空環境下將該蓋板固設於該基板,使該凹槽被該蓋板及該基板所封閉形成一封閉空間,該發光二極體電路位於該封閉空間中;其中,該蓋板更包含二保護層,該螢光層被夾設於該二保護層之間。
  2. 如請求項1所述用於製造封裝發光二極體的方法,其中該固定步驟中,係以光硬化樹脂將該蓋板與該基板相互固定。
  3. 如請求項1所述用於製造封裝發光二極體的方法,其中該第三面形成有凹凸紋路。
  4. 如請求項1所述用於製造封裝發光二極體的方法,其中該第四面形成有凹凸紋路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1601772A (zh) * 2004-09-22 2005-03-30 邹庆福 阵列式发光二极管的模组化结构及其封装方法
CN101643315A (zh) * 2009-08-10 2010-02-10 武汉理工大学 白光led用低熔点荧光玻璃及其制备方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN1601772A (zh) * 2004-09-22 2005-03-30 邹庆福 阵列式发光二极管的模组化结构及其封装方法
CN101643315A (zh) * 2009-08-10 2010-02-10 武汉理工大学 白光led用低熔点荧光玻璃及其制备方法

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