TWI424411B - 電致發光裝置 - Google Patents

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Description

電致發光裝置
本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種電致發光裝置。
電致發光裝置是一種自發光性(Emissive)之裝置。由於電致發光裝置具有無視角限制、低製造成本、高應答速度(約為液晶的百倍以上)、省電、可使用於可攜式機器的直流驅動、工作溫度範圍大以及重量輕且可隨硬體設備小型化及薄型化等等。因此，電致發光裝置具有極大的發展潛力，可望成為下一世代的新穎平面顯示器。
一般來說，電致發光裝置是由一上電極層、一下電極層以及夾於兩電極層之間之一發光層所組成，其中下電極層一般是採用透明導電材質，以使發光層所產生的光線可以穿透出。然而，由於當電致發光裝置朝向大尺寸發展時，因電源線上的阻抗而產生的壓降會使得靠近電源輸入端與遠離電源輸入端的畫素的電壓有明顯的不同。而由於電致發光裝置中各畫素的發光亮度與流經此畫素的電流大小有關。因此，將使得此電致發光裝置之整體發光均勻度不佳。
本發明提供一種電致發光裝置，其可以解決傳統電致發光裝置之整體發光均勻度不佳的問題。
本發明提出一種電致發光裝置，其包括基板、畫素陣列、多個引線組、多個驅動裝置以及至少一電源傳輸圖案。基板具有顯示區以及位於顯示區周圍的週邊電路區。畫素陣列位於基板的顯示區中，畫素陣列具有多個畫素結構，每一畫素結構包括至少一主動元件以及與至少一主動元件電性連接之一發光元件。引線組設置於基板的週邊電路區中並且與畫素陣列電性連接，其中每一引線組具有多條引線。每一驅動裝置與其中一引線組電性連接。電源傳輸圖案設置於基板的週邊電路區中並且位於相鄰的引線組之間，其中電源傳輸圖案之一端與畫素陣列的發光元件電性連接，且電源傳輸圖案之另一端與對應的驅動裝置電性連接。
本發明提出一種電致發光裝置，其包括基板、畫素陣列、多個引線組、至少一驅動裝置以及至少一電源傳輸圖案。畫素陣列位於基板上，畫素陣列具有多個畫素結構，每一畫素結構包括至少一主動元件以及與至少一主動元件電性連接之一發光元件。引線組設置於基板上，並且與畫素陣列電性連接，其中每一引線組具有多條引線。驅動裝置與其中一引線組電性連接。電源傳輸圖案位於相鄰的引線組之間，其中電源傳輸圖案之一端與畫素陣列的發光元件電性連接，且電源傳輸圖案之另一端與對應的驅動裝置電性連接。
基於上述，本發明因於相鄰的引線組之間設置電源傳輸圖案，且電源傳輸圖案之一端與畫素陣列的發光元件電性連接，且電源傳輸圖案之另一端與對應的驅動裝置電性連接。藉由電源傳輸圖案可以減少電源線上的壓降，進而改善電致發光裝置之整體發光均勻度。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是根據本發明一實施例之電致發光裝置之上視示意圖。圖2是圖1之電致發光裝置中畫素陣列的等效電路圖。圖3是圖1之周邊電路區的局部示意圖。圖4是圖2之畫素陣列之其中一個畫素結構的剖面示意圖。
請先參照圖1，本實施例之電致發光裝置包括基板100、畫素陣列110、多個引線組LS、多個驅動裝置30s,30g以及至少一電源傳輸圖案40a,40b。
基板100具有顯示區10以及位於顯示區10周圍的週邊電路區20。基板100可為透明基板，其例如是透明玻璃基板或是透明軟質基板。基板100主要是作為承載電致發光裝置之組成元件之用。為了使電致發光元件所產生的光可以從基板100透射出，基板100是採用透明或是透光材質。一般來說，從基板100出光之電致發光裝置又稱為底部發光型電致發光裝置。
請參照圖1以及圖2，畫素陣列110位於基板100的顯示區10中。畫素陣列110具有多個畫素結構P，每一畫素結構P包括至少一主動元件T1 ,T2 以及與至少一主動元件T1 ,T2 電性連接之一發光元件O。根據本發明之一實施例，畫素陣列110更包括多條掃描線SL、多條資料線DL以及多條電源線PL(如圖4所示)連接至電壓VDD ，每一畫素結構P與對應的一條掃描線SL、對應的一條資料線DL以及對應的一條電源線PL(如圖4所示)連接至電壓VDD 電性連接。在本實施例中，每一畫素結構P包括第一主動元件T1 、第二主動元件T2 以及電容器CS。發光元件O包括第一電極層130、發光層160以及第二電極層170。在本實施例中，每一畫素結構P是以兩個主動元件搭配一個電容器(2T1C)為例來說明，但並非用以限定本發明，本發明不限每一畫素結構P內的主動元件與電容器的個數。
在本實施例中，請同時參照圖2以及圖4，在2T1C形式的畫素結構中，主動元件T1 具有閘極G1 、源極S1 、汲極D1 以及通道區CH1 ，且源極S1 與資料線DL1 電性連接，閘極G1 與掃描線SL電性連接，且汲極D1 與主動元件T2 電性連接；主動元件T2 具有閘極G2 、源極S2 、汲極D2 以及通道區CH2 ，且主動元件T2 的閘極G2 是與主動元件T1 的汲極D2 電性連接，主動元件T2 的源極S2 是與電源線PL1 電性連接。電容器CS的一電極端E1 是與主動元件T1 的汲極D1 電性連接，電容器CS的另一電極端E2 與主動元件T2 的源極S2 以及電源供應線PL1 電性連接。上述之主動元件T1 、T2 是以頂部閘極型薄膜電晶體(又可稱為多晶矽薄膜電晶體)為例來說明。換言之，主動元件T1 之源極S1 、汲極D1 以及通道區CH1 是形成在一半導體層(多晶矽層)中。在上述半導體層與閘極G1 之間夾有一層閘極絕緣層102，且在閘極G1 上另覆蓋有一層絕緣層104。源極S1 透過貫穿絕緣層104、106的源極金屬層SM1 而與資料線DL1 電性連接，汲極D1 透過貫穿絕緣層104、106的汲極金屬層DM1 而與主動元件T2 的源極S2 電性連接。此外，主動元件T2 之源極S2 、汲極D2 以及通道區CH2 是形成在一半導體層(多晶矽層)中。類似地，在上述半導體層與閘極G2 之間夾有一層閘極絕緣層102，且在閘極G2 上覆蓋有一層絕緣層104。源極S2 透過貫穿絕緣層104、106的源極金屬層SM2 與電源線PL1 電性連接，汲極D2 亦與貫穿絕緣層104、106的汲極金屬層DM2 電性連接。
在本實施例中，是以頂部閘極型薄膜電晶體(又可稱為多晶矽薄膜電晶體)為例來說，但本發明不限於此。根據其他實施例，主動元件T1 、T2 也可以是底部閘極型薄膜電晶體(又可稱為非晶矽薄膜電晶體)。另外，上述圖2以及圖4所繪示之畫素結構P之設計僅用來說明本發明，以使本領域技術人員可以瞭解本發明並據以實施，但其並非用以限定本發明。在其他的實施例中，亦可以採用其他種形式的佈局設計。
請繼續參照圖2以及圖4，在上述第一主動元件T1 、第二主動元件T2 以及電容器CS上方是另覆蓋一層絕緣層106。發光元件O是設置在絕緣層106上。發光元件O包括第一電極層130、發光層160以及第二電極層170。
第一電極層130設置於絕緣層106之表面上，且與主動元件T2 之汲極D2 電性連接。在本實施例中，第一電極層130是透過形成在絕緣層106中之接觸窗C而與主動元件T2 之汲極金屬層DM2 電性連接。第一電極層130為透明電極層，其材質可為金屬氧化物，如銦錫氧化物或是銦鋅氧化物等等。此外，在第一電極層130上更覆蓋有一層絕緣層108，且絕緣層108具有一開口150，其暴露出第一電極層130。在每一畫素區110中，開口150所佔的區域相當於第一電極層130所在的區域，或者是略小於第一電極層130所在的區域。
發光層160位於開口150所暴露出的第一電極層130上。發光層160可為有機發光層或無機發光層。根據發光層160所使用之材質，此電致發光裝置可稱為有機電致發光裝置或是無機電致發光裝置。另外，每一畫素結構P之發光元件O的發光層160可為紅色有機發光圖案、綠色有機發光圖案、藍色有機發光圖案或是混合各頻譜的光產生的不同顏色(例如白、橘、紫、...等)發光圖案。
第二電極層170覆蓋於發光層160上，並且延伸至絕緣層108之表面上。在本實施例中，第二電極層170為未圖案化之電極層，因而所有畫素結構P之發光元件O的第二電極層170都彼此電性連接在一起。第二電極層170可為金屬電極層或是透明導電層。此外，第二電極層170與位於基板100上之主動元件T1 ,T2 之間夾有多層絕緣層108、106，因此第二電極層170與主動元件T1 ,T2 、掃描線SL、資料線DL、電源線PL以及引線組LS1 ,LS2 之間是夾有至少兩層絕緣層108、106。
根據其他實施例，上述之發光元件O中可更包括電子輸入層、電洞輸入層、電子傳輸層以及電洞傳輸層等等。
請繼續參照圖1，引線組LS1 ,LS2 設置於基板100的週邊電路區20中，且引線組LS1 ,LS2 與畫素陣列110電性連接，其中每一引線組LS1 具有多條引線L1 ，每一引線組LS2 具有多條引線L2 。根據本實施例，上述之引線組LS1 是與畫素陣列110中的資料線DL電性連接，上述之引線組LS2 是與畫素陣列110中的掃描線SL電性連接，然而，並不以此為限，引線組LS1 也可設計為與畫素陣列110中的資料線DL以及部份掃描線SL電性連接，用來減少原本引線組LS2 中所設計的引線數目，或者是，引線組LS2 也可設計為與畫素陣列110中的部份資料線DL以及掃描線SL電性連接，用來減少原本引線組LS1 中所設計的引線數目，或者是，將引線組LS1 設計為與畫素陣列110中的所有資料線DL以及掃描線SL電性連接，原本大幅度減少引線組LS2 中所設計的引線數目，或者是，將引線組LS2 設計為與畫素陣列110中的所有資料線DL以及掃描線SL電性連接，原本大幅度減少引線組LS1 中所設計的引線數目。更詳細來說，引線組LS1 中的引線L1 是分別與畫素陣列110中的資料線DL電性連接，且引線組LS2 中的引線L2 是分別與畫素陣列110中掃描線SL電性連接。此外，畫素陣列110中的電源線PL(VDD )可與引線組LS1 中的其他引線L1 ’(不與資料線DL連接的引線)或引線組LS2 中的其他引線L2 ’(不與掃描線SL連接的引線)電性連接。
驅動裝置30s,30g分別與對應的引線組LS1 ,LS2 電性連接。在本實施例中，驅動裝置30s又稱為源極驅動裝置，驅動裝置30g又稱為閘極驅動裝置。源極驅動裝置30s透過引線組LS1 與資料線DL電性連接，閘極驅動30g裝置透過引線組LS2 與掃描線SL電性連接。根據本發明一實施例，如圖3所示，每一個驅動裝置30s包括一軟性電路板30a以及位於軟性電路板30a上之一晶片30b，因此驅動裝置30亦可稱為在薄膜上的晶片(chip on film,COF)。類似地，每一個驅動裝置30g亦可包括一軟性電路板以及位於軟性電路板上之一晶片(未繪示出)。
請參照圖1與圖3，電源傳輸圖案40a設置於基板100的週邊電路區20中並且位於兩個相鄰的引線組LS1 之間，如此一來，空間利用率便相對提高。特別是，電源傳輸圖案40a之一端與畫素陣列110的發光元件O之第二電極層170電性連接，且電源傳輸圖案40a之另一端與對應的驅動裝置30s電性連接。類似地，電源傳輸圖案40b設置於基板100的週邊電路區20中並且位於兩個相鄰的引線組LS2 之間。電源傳輸圖案40b之一端與畫素陣列110的發光元件O之第二電極層170電性連接，且電源傳輸圖案40b之另一端與對應的驅動裝置30g電性連接。
在本實施例中，電源傳輸圖案40a是與鄰近的兩個驅動裝置30s電性連接。換言之，因電源傳輸圖案40a是位於兩個相鄰的引線組LS1 之間，因此電源傳輸圖案40a可與和上述相鄰的引線組LS1 電性連接的驅動裝置30s電性連接。類似地，電源傳輸圖案40b是與鄰近的兩個驅動裝置30g電性連接。換言之，因電源傳輸圖案40b是位於兩個相鄰的引線組LS2 之間，因此電源傳輸圖案40b可與和上述相鄰的引線組LS2 電性連接的驅動裝置30g電性連接。更詳細來說，在本實施例中，如圖3所示，驅動裝置30s之軟性電路板30a上通常會有至少一擬接墊30c，而電源傳輸圖案40a則是透過與擬接墊30c電性連接，進而與驅動裝置30s電性連接。類似地，驅動裝置30g之軟性電路板上通常會有至少一擬接墊(未繪示出)，而電源傳輸圖案40b則是透過與擬接墊電性連接，進而與驅動裝置30g電性連接。此外。電源傳輸圖案40a與畫素陣列110之發光元件O的第二電極層170之間是藉由接觸窗C1 電性連接。電源傳輸圖案40b與畫素陣列110之發光元件O的第二電極層170之間是藉由接觸窗C2 電性連接。
此外，驅動裝置30s,30g與引線組LS1 ,LS2 之間可透過異方性導電膠而電性連接。以驅動裝置30s與引線組LS1 為例，如圖5所示，在基板100上之引線組LS1 (引線L1 )與驅動裝置30s之間可設置異方性導電膠32a。藉由異方性導電膠32a以使引線組LS1 (引線L1 )與驅動裝置30s電性連接。
另外，本實施例之電致發光裝置更包括電路板50a,50b，如圖1所示，電路板50a與驅動裝置30s電性連接，且電路板50b與驅動裝置30g電性連接。更詳細來說，驅動裝置30s,30g與電路板50a,50b之間可透過異方性導電膠而電性連接。以驅動裝置30s與電路板50a為例，如圖5所示，在電路板50a上之接墊52與驅動裝置30s之間可設置異方性導電膠32b。藉由異方性導電膠32b以使電路板50a與驅動裝置30s電性連接。
再者，根據本發明之一實施例，上述之電源傳輸圖案40a,40b是電性連接至一接地電位，因此電源傳輸圖案40a,40b是用來傳遞一接地電位。換言之，接地電位經由電路板50a,50b、驅動裝置30s,30g而傳送至電源傳輸圖案40a,40b之後，再進一步傳送至畫素陣列110的發光元件O的第二電極層170。如此，便使得發光二極體O之第二電極層170所電性連接的VSS 是接地電位，此時，引線L1 ’(或是引線L2 ’)便是傳遞VDD 電位。
根據本發明之另一實施例，上述之電源傳輸圖案40a,40b是電性連接至一驅動電壓，且所述驅動電壓約為-10伏特至0伏特。因此電源傳輸圖案40a,40b是用來傳遞一驅動電壓。換言之，驅動電壓經由電路板50a,50b、驅動裝置30s,30g而傳送至電源傳輸圖案40a,40b之後，再進一步傳送至畫素陣列110的發光元件O的第二電極層170。如此，便使得發光二極體O之第二電極層170所電性連接的VDD 是驅動電壓，此時，引線L1 ’(或是引線L2 ’)便是傳遞VSS 接地電位。
圖6是根據本發明另一實施例之電致發光裝置之周邊電路區的局部示意圖。請參照圖6，圖6之實施例與圖3之實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，並且不再重複贅述。圖6之實施例與圖3之實施例不同之處在於圖6之實施例之電致發光裝置更包括至少一修補線RL1 ,RL2 ，其位於電源傳輸圖案40a與引線組LS1 之間。一般來說，電致發光裝置之修補線RL1 ,RL2 可預留來對畫素陣列110中的缺陷畫素進行修補，以提升電致發光裝置的良率。而修補線RL1 ,RL2 一般也會與驅動裝置30s電性連接。然，倘若在電致發光裝置中設置有修補線RL1 ,RL2 ，則修補線RL1 ,RL2 不與發光元件O之第二電極層170重疊。主要是因為，當修補線RL1 ,RL2 於進行修補程序時，修補線RL1 ,RL2 不與發光元件O之第二電極層170重疊可以防止修補線RL1 ,RL2 與發光元件O之第二電極層170有異常的短路或電性連接。
然，為了使第二電極層170與電源傳輸圖案40a電性連接，圖6之實施例之電致發光裝置更包括一連接部172，其設置於第二電極層170以及電源傳輸圖案40a之間，以電性連接第二電極層170以及電源傳輸圖案40a。在此實施例中，連接部172與電源傳輸圖案40a是藉由接觸窗C1 電性連接，且連接部172是直接與第二電極層170連接。換言之，因連接部172與電源傳輸圖案40a屬於不同膜層，且兩者之間夾有絕緣層，因此連接部172與電源傳輸圖案40a是藉由接觸窗C1 電性連接。另外，因連接部172與第二電極層170是屬於同一膜層，因此連接部172可直接與第二電極層170連接在一起。
上述圖6僅繪示出於電源傳輸圖案40a與引線組LS1 之間有設置修補線RL1 ,RL2 。然而，根據其他實施例，在電源傳輸圖案40b與引線組LS2 之間也可以設置修補線(未繪示出)。由於在電源傳輸圖案40b與引線組LS2 之間的修補線的設計與修補線RL1 ,RL2 相似或相同，因此此領域技術人員可以根據圖6之說明而瞭解在電源傳輸圖案40b與引線組LS2 之間的修補線的佈局及設計。
在以上所述的實施例中，是以在顯示區10兩側的周邊電路區20中設置驅動電路30s,30g、引線組LS1 ,LS2 、電源傳輸圖案40a,40b以及電路板50a,50b為例來說明。然而，本發明不限於此。根據其他實施例，亦可僅在顯示區10的其中一側的周邊電路區20中設置驅動電路、引線組、電源傳輸圖案以及電路板。另外，本發明也不限制驅動電路30s,30g、引線組LS1 ,LS2 以及電源傳輸圖案40a,40b的數量。驅動電路30s,30g、引線組LS1 ,LS2 以及電源傳輸圖案40a,40b的數量可根據電致發光裝置的尺寸而有所不同。此外，本發明不限制在相鄰的兩個引線組之間即設置一個電源傳輸圖案。實際上可以根據產品實際所需而在電致發光裝置中設置一個或一個以上的電源傳輸圖案。
綜上所述，由於本發明在相鄰的引線組之間設置電源傳輸圖案，且電源傳輸圖案之一端與畫素陣列的發光元件電性連接，且電源傳輸圖案之另一端與對應的驅動裝置電性連接。因此，藉由電源傳輸圖案可以減少電源線上的壓降，進而改善電致發光裝置之整體發光均勻度。
此外，由於本發明是現有的引線組之間的空間設置電源傳輸圖案。因此，此電源傳輸圖案不需要額外的佈局空間。
再者，本發明是利用現有的驅動電路之軟性電路板上的擬接墊來與電源傳輸圖案電性連接。因此，不需另外設置軟性電路板來與電源傳輸圖案電性連接。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．基板
10．．．顯示區
20．．．周邊電路區
110．．．畫素陣列
30s,30g．．．驅動電路
30c．．．擬接墊
32a,32b．．．異方性導電膠
40a,40b．．．電源傳輸圖案
50a,50b．．．電路板
52．．．接墊
102、104、106、108．．．絕緣層
130．．．第一電極層
150．．．開口
160．．．發光層
170．．．第二電極層
172．．．連接部
P．．．畫素結構
O．．．發光元件
LS1 ,LS2 ．．．引線組
L1 ,L2 ,L1 ’,L2 ’．．．引線
C,C1 ,C2 ．．．接觸窗
SL．．．掃描線
DL．．．資料線
PL．．．電源線
RL1 ,RL2 ．．．修補線
T1 ,T2 ．．．主動元件
CS．．．電容器
G1 ,G1 ．．．閘極
S1 ,S2 ．．．源極
D1 ,D2 ．．．汲極
CH1 ,CH2 ．．．通道區
E1 ,E2 ．．．電極端
SM1 ,SM2 ．．．源極金屬層
DM1 ,DM2 ．．．汲極金屬層
VDD ,VSS ．．．電源
圖1是根據本發明一實施例之電致發光裝置之上視示意圖。
圖2是圖1之電致發光裝置中畫素陣列的等效電路圖。
圖3是圖1之周邊電路區的局部示意圖。
圖4是圖2之畫素陣列之其中一個畫素結構的剖面示意圖。
圖5是圖1沿著A-A’的剖面示意圖。
圖6是根據本發明另一實施例之電致發光裝置之周邊電路區的局部示意圖。
100．．．基板
10．．．顯示區
20．．．周邊電路區
110．．．畫素陣列
30s,30g．．．驅動電路
40a,40b．．．電源傳輸圖案
50a,50b．．．電路板
170．．．第二電極層
LS1 ,LS2 ．．．引線組
L1 ,L2 ,L1 ’,L2 ’．．．引線

Claims (16)

  1. 一種電致發光裝置，包括：一基板，其具有一顯示區以及位於該顯示區周圍的一週邊電路區；一畫素陣列，位於該基板的該顯示區中，其中該畫素陣列具有多個畫素結構，每一畫素結構包括至少一主動元件以及與該至少一主動元件電性連接之一發光元件；多個引線組，設置於該基板的該週邊電路區中，並且與該畫素陣列電性連接，其中每一引線組具有多條引線；多個驅動裝置，其中每一驅動裝置與其中一引線組電性連接；至少一電源傳輸圖案，設置於該基板的該週邊電路區中並且位於相鄰的該些引線組之間，其中該電源傳輸圖案之一端與該畫素陣列的該發光元件電性連接，且該電源傳輸圖案之另一端與對應的該驅動裝置電性連接；以及至少一修補線，位於該電源傳輸圖案與對應的該引線組之間，其中該發光元件包括一第一電極層，位於該第一電極層上之一發光層以及位於該發光層上之一第二電極層，其中該修補線不與該第二電極層重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置，其中該電源傳輸圖案與鄰近的兩個驅動裝置電性連接。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置，其中每一驅動裝置包括一軟性電路板以及位於該軟性電路板上之一晶片。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之電致發光裝置，其中該軟性電路板上具有至少一擬接墊，且該電源傳輸圖案與該擬接墊電性連接。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置，其中該電源傳輸圖案與該發光元件藉由一接觸窗電性連接。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置，更包括一連接部，設置於該第二電極層以及該電源傳輸圖案之間，以電性連接該第二電極層以及該電源傳輸圖案。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置，其中該連接部與該電源傳輸圖案藉由一接觸窗電性連接，且該連接部直接與該第二電極層連接。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置，更包括一異方性導電膠，位於該些驅動裝置與該些引線組之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置，更包括一電路板，其與該些驅動裝置電性連接。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電致發光裝置，更包括一異方性導電膠，位於該些驅動裝置與該電路板之間。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置，其中該畫素結構之該發光元件包括一第一電極層，位於該第一電極層上之一發光層以及位於該發光層上之一第二電極層，該第一電極層與該至少一主動元件電性連接。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置，其中該畫素陣列更包括多條掃描線、多條資料線以及多條電源線。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之電致發光裝置，其中該些驅動裝置包括至少一源極驅動裝置以及至少一閘極驅動裝置，該源極驅動裝置透過一部分之該些引線組與該些資料線電性連接，該閘極驅動裝置透過另一部分之該些引線組與該些掃描線電性連接。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置，其中該至少一電源傳輸圖案傳遞一接地電位。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置，其中該至少一電源傳輸圖案傳遞一驅動電壓，該驅動電壓約為-10伏特至0伏特。
  16. 一種電致發光裝置，包括：一基板；一畫素陣列，位於該基板的該顯示區中，其中該畫素陣列具有多個畫素結構，每一畫素結構包括至少一主動元件以及與該至少一主動元件電性連接之一發光元件；多個引線組，設置於該基板上，並且與該畫素陣列電性連接，其中每一引線組具有多條引線；至少一驅動裝置，與其中一引線組電性連接；至少一電源傳輸圖案，位於相鄰的該些引線組之間，其中該電源傳輸圖案之一端與該畫素陣列的該發光元件電性連接，且該電源傳輸圖案之另一端與對應的該驅動裝置電性連接；以及至少一修補線，位於該電源傳輸圖案與對應的該引線組之間，其中該發光元件包括一第一電極層，位於該第一 電極層上之一發光層以及位於該發光層上之一第二電極層，其中該修補線不與該第二電極層重疊。
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