TWI422661B - 液狀樹脂組成物，附有黏著劑層之半導體晶圓，附有黏著劑層之半導體元件，半導體封裝，半導體元件之製造方法及半導體封裝之製造方法 - Google Patents

液狀樹脂組成物，附有黏著劑層之半導體晶圓，附有黏著劑層之半導體元件，半導體封裝，半導體元件之製造方法及半導體封裝之製造方法 Download PDF

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TWI422661B
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Takeshi Masuda
Hikaru Okubo
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Sumitomo Bakelite Co
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Description

液狀樹脂組成物，附有黏著劑層之半導體晶圓，附有黏著劑層之半導體元件，半導體封裝，半導體元件之製造方法及半導體封裝之製造方法
本發明係關於液狀樹脂組成物、附有黏著劑層之半導體晶圓、附有黏著劑層之半導體元件、半導體封裝、半導體元件之製造方法及半導體封裝之製造方法。
近年來之行動電話、個人數位助理器、DVC(digital video camera，數位攝影機)等之高功能化、小型化、輕量化之發展顯著，從而強烈要求半導體封裝之高功能化、小型化、輕量化。因此，實施下述嘗試：為實現半導體封裝之高功能化而將功能不同之多個半導體元件、或者同一功能之多個半導體元件搭載於1個封裝中，且為實現小型化．輕量化而僅可能地使半導體元件之大小與封裝之大小接近。故而，半導體元件之薄型化進一步推進，且半導體元件與金屬或有機基板等支持體之線接合墊的距離逐漸接近。
習知之半導體組裝步驟之晶粒黏著步驟中，藉由於支持體上塗佈液狀之晶粒黏著材，且於室溫下搭載半導體元件後進行加熱硬化而將半導體元件黏著於支持體上，然而無法忽視下述問題，即，於半導體元件表面或線接合墊上附著晶粒黏著材之問題，由於晶粒黏著材之滲出(僅晶粒黏著材之液狀成分以毛細管現象傳遞之現象)而導致之污染問題。
因此採用下述方法：使用薄膜狀之晶粒黏著材來代替液狀之晶粒黏著材，將薄膜狀之晶粒黏著材貼附於支持體後，一邊加熱一邊搭載半導體元件之方法；將藉由以於半導體晶圓背面貼附薄膜狀晶粒黏著材之狀態貼附於切割片(dicing sheet)後使其單片化而獲得之附有晶粒黏著材之半導體元件，一邊加熱一邊搭載於支持體上之方法；將藉由於具有切割片功能之晶粒黏著薄膜上貼附半導體晶圓且使其單片化而獲得之附有晶粒黏著材之半導體元件，一邊加熱一邊搭載於支持體上之方法等(例如，參照專利文獻1、2)。
另一方面，由於半導體元件之進一步多層化、半導體封裝之進一步薄型化，故不僅半導體元件，支持體之薄型化亦不斷推進。使用薄型之支持體時，由半導體構成材料之熱膨脹係數差所引起之封裝翹曲更加顯著。並且，由配線間之寄生電容導致之信號傳播速度降低引起傳送延遲，為了半導體裝置之高速，以減少該傳送延遲為目的而應用低介電係數之絕緣膜作為層間絕緣膜，然而一般而言，會出現低介電係數之絕緣膜的機械強度弱，且半導體元件之翹曲有時會破壞絕緣膜的情況。
此處，半導體封裝或半導體元件之翹曲係由各構成構件之熱膨脹係數差所引起，故而較理想的是使用薄膜狀之晶粒黏著材時，降低搭載半導體元件之溫度。
因此，為了降低薄膜狀之晶粒黏著材的半導體元件搭載溫度，須要使用玻璃轉移溫度低之熱可塑成分、或增加低分子量成分，然而其結果導致在室溫附近亦出現黏著(黏性)。
室溫附近之黏性常常係於將半導體元件自切割片剝離之步驟中拾取性降低之原因，並且係於將所拾取之半導體元件暫時放置於其他載物台之步驟(例如，參照專利文獻3~5)中貼附於載物台之原因。
此處，針對室溫下無黏著之材料，提出有若干個嘗試作為晶圓級晶片尺寸封裝之密封材(例如，參照專利文獻6~8)。該等發明中，於附有焊錫等凸塊之晶圓上塗佈樹脂組成物且實施加熱處理，藉此於室溫成為無黏著之狀態後進行單片化，但為了於下一步驟同時進行密封與焊錫接合，而須要於焊錫熔點以上之溫度下接合。
如此雖可於低溫下搭載，但無法滿足對室溫下無黏性之樹脂組成物的要求。
專利文獻1：日本專利特開2002－294177號公報專利文獻2：日本專利特開2003－347321號公報專利文獻3：日本專利特開平6－132327號公報專利文獻4：日本專利特開平7－201897號公報專利文獻5：日本專利特開2000－252303號公報專利文獻6：日本專利特開2000－174044號公報專利文獻7：日本專利特開2001－93940號公報專利文獻8：日本專利特開2003－212964號公報
本發明為了解決上述課題，而提供一種可於低溫下搭載於支持體上、且加熱處理後於室溫下無黏性之液狀樹脂組成物，使用該液狀樹脂組成物而製作之附有黏著劑層之半導體晶圓，使用該液狀樹脂組成物而製作之附有黏著劑層之半導體元件，使用該液狀樹脂組成物而製作之半導體封裝，可於低溫下搭載於支持體上、且於室溫下無黏性之附有黏著劑層之半導體元件之製造方法及半導體封裝之製造方法。
上述目的係藉由下述[1]~[25]所記載之本發明而實現。
[1]一種液狀樹脂組成物，其係使半導體元件黏著於支持體上之液狀樹脂組成物，其特徵在於，將使該液狀樹脂組成物以120℃、10分鐘加熱處理後於25℃下之黏著力設為0.05 N以下，且將80℃下之黏著力設為1 N以上。
[2]如[1]之液狀樹脂組成物，其中，上述液狀樹脂組成物之上述加熱處理後之揮發分為1重量%以下。
[3]如[1]之液狀樹脂組成物，其中，將分子量200以上5000以下之面積(b)相對於上述液狀樹脂組成物之加熱處理前的以GPC進行測定而獲得之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)設為0.6以上。
[4]如[1]之液狀樹脂組成物，其中，於分子量200以上5000以下之面積(b’)相對於上述液狀樹脂組成物之上述加熱處理後之樹脂組成物的以GPC進行測定而獲得之分子量200以上之面積(a’)的比例(b’/a’)、及分子量200以上5000以下之面積(b)相對於上述加熱處理前之液狀樹脂組成物的以GPC進行測定而獲得之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)中，[(b’/a’)/(b/a)]為0.7以上。
[5]如[1]之液狀樹脂組成物，其中，其包含具有環氧丙基之化合物(A)與具有酚性羥基之化合物(B)。
[6]如[5]之液狀樹脂組成物，其中，上述具有酚性羥基之化合物(B)包含分子量1000以下之化合物(B1)與分子量1500以上5000以下之化合物(B2)。
[7]如[6]之液狀樹脂組成物，其中，上述化合物(B2)係包含羥基苯乙烯作為單體成分之化合物。
[8]如[6]之液狀樹脂組成物，其中，上述化合物(B2)之分散度為1.5以下。
[9]如[6]之液狀樹脂組成物，其中，以上述化合物(B1)/上述化合物(B2)所表示之重量比為0.6以上、7以下。
[10]一種附有黏著劑層之半導體晶圓，其係形成有以包含熱硬化性樹脂與溶劑之液狀樹脂組成物所形成之黏著劑層的半導體晶圓，其特徵在於，將該黏著劑層於25℃下之黏著力設為0.05 N以下，且將於80℃下之黏著力設為1 N以上。
[11]如上述[10]之附有黏著劑層之半導體晶圓，其中，上述黏著劑層之揮發分為1重量%以下。
[12]如上述[10]之附有黏著劑層之半導體晶圓，其中，上述黏著劑層係藉由對將分子量200以上5000以下之面積(b)相對於以GPC進行測定而獲得之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)設為0.6以上之液狀樹脂組成物進行加熱處理而獲得者。
[13]如上述[10]之附有黏著劑層之半導體晶圓，其中，上述黏著劑層係藉由加熱處理液狀樹脂組成物而獲得者，且於分子量200以上5000以下之面積(b’)相對於以GPC進行測定而獲得之分子量200以上之面積(a’)比例為(b’/a’)與、及分子量200以上5000以下之面積(b)相對於上述加熱處理前之液狀樹脂組成物的以GPC進行測定而獲得之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)中，[(b’/a’)/(b/a)]為0.7以上。
[14]如上述[10]之附有黏著劑層之半導體晶圓，其中，上述黏著劑層之表面粗糙度為±5 μm。
[15]如上述[10]之附有黏著劑層之半導體晶圓，其中，於黏著劑層側貼附有切割片。
[16]一種附有黏著劑層之半導體元件，其特徵在於，將上述[15]之附有黏著劑層之半導體晶圓藉由切割而單片化。
[17]一種半導體封裝，其特徵在於，將上述[16]之附有黏著劑層之半導體元件搭載於支持體上。
[18]一種半導體元件之製造方法，其特徵在於，具有：於晶圓之一面側塗佈由包含熱硬化性樹脂與溶劑之液狀樹脂組成物所構成之黏著劑的塗佈步驟；於大致維持上述液狀樹脂組成物之分子量的狀態下揮發上述溶劑而形成黏著劑層之揮發步驟；於上述晶圓之一面側貼附切割片之貼附步驟；及將上述晶圓單片化之單片化步驟，並且將上述揮發步驟後之黏著劑層於25℃下之黏著力設為0.05 N以下，且將於80℃下之黏著力設為1 N以上。
[19]如上述[18]之半導體元件之製造方法，其中，分子量200以上5000以下之面積(b)相對於上述塗佈步驟之液狀樹脂組成物的以GPC進行測定而獲得之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)為0.6以上。
[20]如上述[18]之半導體元件之製造方法，其中，分子量200以上5000以下之面積(b’)相對於上述揮發步驟後之黏著劑層的以GPC進行測定而獲得之分子量200以上之面積(a’)的比例(b’/a’)、與分子量200以上5000以下之面積(b)相對於上述塗佈步驟之液狀樹脂組成物的以GPC進行測定而獲得之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)的比例[(b’/a’)/(b/a)]為0.7以上。
[21]如上述[18]之半導體元件之製造方法，其中，上述揮發步驟後之黏著劑層的揮發分為1重量%以下。
[22]如上述[18]之半導體元件之製造方法，其中，上述塗佈步驟中，利用旋塗法將以上述液狀樹脂組成物所構成之上述黏著劑塗佈於上述晶圓之一面側。
[23]如上述[18]之半導體元件之製造方法，其中，上述塗佈步驟中，相對於上述晶圓，使吐出上述液狀樹脂組成物之噴嘴相對地移動，於上述晶圓之一面塗佈上述液狀樹脂組成物。
[24]一種半導體封裝之製造方法，其特徵在於，具有將利用上述[18]之方法而製造之半導體元件搭載於支持體上之步驟。
[25]如上述[24]之半導體封裝之製造方法，其中，將上述半導體元件搭載於支持體上之步驟係於200℃以下進行。
根據本發明，可提供一種可於低溫下搭載於支持體上、且於室溫下無黏性之液狀樹脂組成物，使用該液狀樹脂組成物而製作之附有黏著劑層之半導體晶圓，使用該液狀樹脂組成物而製作之附有黏著劑層之半導體元件，使用該液狀樹脂組成物而製作之半導體封裝，半導體元件之製造方法及半導體封裝之製造方法。
上述目的、及其他目的、特徵及優點係藉由以下所闡述之較佳實施形態、及隨附其之以下圖式而進一步明瞭。
以下，就本發明加以說明。
[液狀樹脂組成物]
本發明之液狀樹脂組成物係作為黏著劑而塗佈於例如半導體晶圓背面者。藉由將半導體晶圓與液狀樹脂組成物一同加熱處理、切割，可獲得附有黏著劑層之半導體元件。藉由將上述附有黏著劑層之半導體元件搭載於支持體上，可獲得半導體封裝。
液狀樹脂組成物於晶圓之一面側塗佈為50 μm之厚度且以120℃、10分鐘加熱處理後，於25℃下之黏著力為0.05 N以下，於80℃下之黏著力為1 N以上。
其中，液狀樹脂組成物較佳為於晶圓之一面側塗佈為50 μm之厚度且以120℃、10分鐘加熱處理後，於25℃下之黏著力為0.02 N以下，於80℃下之黏著力為1.5 N以上。
並且，較佳為於晶圓之一面側塗佈為50 μm之厚度且實施120℃、10分鐘加熱處理後之揮發分為1重量%以下。
並且，表面粗糙度(厚度精度)較佳為±5 μm以內，且上述液狀樹脂組成物較佳為包含於室溫下凝固之熱硬化性樹脂與使該熱硬化性樹脂溶解之溶劑(稀釋劑)者。作為該熱硬化性樹脂，可列舉於室溫下凝固之環氧樹脂、於室溫下凝固之丙烯酸系樹脂、於室溫下凝固之順丁烯二醯亞胺樹脂、於室溫下凝固之酚樹脂等。
並不限於該等，其中較佳為包含具有環氧丙基之化合物(A)與具有酚性羥基之化合物(B)，更佳為具有酚性羥基之化合物(B)係包含分子量1000以下之化合物(B1)與分子量1500以上5000以下之化合物(B2)者。此處所謂分子量，係指利用GPC(凝膠滲透層析法，Gel Permeation Chromatography)測定之數量平均分子量(Mn)的值。
作為具有環氧丙基之化合物(A)，較佳為於分子內具有2個以上之環氧丙基者且於室溫下為固形之環氧樹脂，更佳為軟化點為40℃以上80℃以下者。軟化點低於該範圍時，存在對晶圓之一面實施塗佈加熱處理後於25℃下之黏著力高於0.05 N之情況；高於該範圍時，存在80℃下之黏著力未達1 N之情況。作為上述環氧樹脂，可列舉：酚系酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂、聯苯基芳烷基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、其他具有三苯基甲烷骨架之環氧樹脂、具有萘骨架之環氧樹脂、具有蒽骨架之環氧樹脂等，然而具有結晶性者於液狀樹脂組成物中或者於晶圓一面進行塗佈加熱處理後會有析出之情況，故而須要注意。
再者，軟化點例如可藉由依照JISK7234之環球法進行測量。
作為具有酚性羥基之化合物(B)，例如較佳為於25℃下為固形之酚樹脂，但作為具有酚性羥基之化合物(B)，尤佳為包含分子量1000以下之化合物(B1)與分子量1500以上5000以下之化合物(B2)。
其原因在於，僅使用分子量為1000以下之化合物(B1)時，塗佈於晶圓一面且實施120℃、10分鐘加熱處理後於25℃下之黏著力、80℃下之黏著力、25℃下之黏著強度優良，但於130℃下之黏著強度、175℃下之黏著強度過於降低。因此，若將附有黏著劑層之半導體元件搭載於支持體上後，不進行硬化而進行線接合，則線接合時存在由於半導體元件搖動而出現線接合不良、樹脂密封時出現半導體元件剝離等缺陷之情況。因此，藉由併用分子量1500以上5000以下之化合物(B2)，而使將附有黏著劑層之半導體元件搭載於支持體上後於130℃、175℃下之黏著強度變得良好。
另一方面，僅使用化合物(B2)作為化合物(B)時，液狀樹脂組成物之黏度過高，塗佈於晶圓之一面且加熱處理後於80℃下之黏著力降低，且無法於低溫下實施搭載。較佳之化合物(B1)與化合物(B2)之重量比為(B1)/(B2)為0.1以上、9以下，更佳為0.6以上、7以下，更佳之重量比為0.8以上、3以下。
作為化合物(B1)，若為具有2個以上之酚性羥基之化合物且分子量為1000以下，則並無特別限制，可列舉以下化合物。可列舉：藉由雙酚A、雙酚F、雙酚S等雙酚類，酚系酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等酚或其衍生物與甲醛之反應而獲得之化合物；藉由酚或其衍生物與苯甲醛之反應而獲得之化合物；苯酚芳烷基型酚樹脂、聯苯基芳烷基型酚樹脂；其他具有萘骨架者、具有蒽骨架者且於1分子內具有2個以上之酚性羥基(包含萘酚型羥基等直接鍵結於芳香族環之羥基)之化合物等。即使化合物(B1)之軟化點高，但與環氧樹脂混合時混合物之軟化點降低，故而亦可使用例如軟化點為150℃者。
作為化合物(B2)，若為具有2個以上之酚性羥基之化合物且分子量為1500以上5000以下，則並無特別限制，尤佳使用者係包含羥基苯乙烯作為單體成分之化合物，係藉由羥基苯乙烯單獨聚合或者羥基苯乙烯與可與其共聚合之化合物進行自由基聚合或者離子聚合而獲得之聚羥基苯乙烯或羥基苯乙烯共聚物，且分子量為1500以上5000以下者。更佳為聚羥基苯乙烯或羥基苯乙烯共聚物，且分子量為1500以上3000以下者。
作為以上之化合物(B2)，分散度(以GPC所求得之重量平均分子量(Mw)與數量平均分子量(Mn)之比)為1.5以下者可容易地兼具低溫下之搭載性與搭載後於130℃及175℃下之黏著強度，故而可尤佳地使用。更佳之分散度為1.3以下。
使用分散度超過1.5之化合物(B2)時，存在液狀樹脂組成物之黏度過高，低溫下之搭載性降低之情況。
化合物(A)與化合物(B)之比例較佳為相對於環氧丙基1，酚性羥基為0.7至1.3。更佳之比例為相對於環氧丙基1，酚性羥基為0.9至1.1。以促進環氧丙基與酚性羥基之反應為目的，亦可調配硬化加速劑。作為可使用之硬化加速劑，可列舉咪唑類、磷系化合物等。此處，一般眾所周知有調配有利用紫外線等能量射線來引發反應之光起始劑之樹脂組成物，然而由於液狀樹脂組成物之塗佈、加熱處理、切割、半導體元件搭載之一系列作業通常於螢光燈之照明下進行，故而包含光起始劑並非較佳。包含光起始劑時，例如於利用旋塗法塗佈液狀樹脂組成物之步驟中，存在樹脂組成物之黏度經時變化而難以獲得厚度穩定之黏著劑層之情況。
並且，由於利用網版印刷、模板印刷、旋塗法等將液狀樹脂組成物塗佈於晶圓之一面，故而所使用之稀釋劑較佳為使熱硬化性樹脂溶解且沸點為100℃以上，較佳為240℃以下。熱硬化性樹脂未溶解時，存在塗佈後之表面不平滑、後述之單片化時出現異常(晶片飛散等)之情況，並且存在搭載於支持體上時殘留有空氣之情況。並且，所使用之稀釋劑的沸點為100℃以下時，存在塗佈作業時由於揮發而引起之黏度變化顯著且導致厚度不均一、磨損等情況；沸點高於240℃時，加熱處理後之揮發分量過多，有可能殘留有黏性。
作為上述稀釋劑，若所使用之熱硬化性樹脂的溶解性充分，則並無特別限制，但由於係半導體用途，故而鹵素系稀釋劑欠佳。並且，包含第一胺、第二胺之胺系稀釋劑等使液狀樹脂組成物之保存性降低之稀釋劑欠佳。可使用之稀釋劑係以下者，且該等亦可單獨使用亦可併用多種。辛烷、2,2,3－三甲基戊烷、壬烷、2,2,5－三甲基己烷、癸烷、十二烷、1－辛烯、1－壬烯、1－癸烯、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、乙苯、異丙苯、均三甲苯、四氫萘、正丁基苯、第二丁基苯、第三丁基苯、對異丙基甲苯、鄰二乙苯、間二乙苯、對二乙苯、戊基苯、甲基環己烷、乙基環己烷、對蓋烷、聯環己烷、α－蒎烯、雙戊烯、十氫萘、1－丁醇、異丁醇、1－戊醇、2－戊醇、3－戊醇、2－甲基－1－丁醇、異戊醇、第三戊醇、3－甲基－2－丁醇、新戊醇、1－己醇、2－甲基－1－戊醇、4－甲基－2－戊醇、2－乙基－1－丁醇、1－庚醇、2－庚醇、3－庚醇、1－辛醇、2－辛醇、2－乙基－1－己醇、1－壬醇、3,5,5－三甲基－1－己醇、1－癸醇、苄醇、環己醇、1－甲基環己醇、2－甲基環己醇、3－甲基環己醇、α－松脂醇、1,2－乙二醇、1,2－丙二醇、1,3－丙二醇、1,2－丁二醇、1,3－丁二醇、1,4－丁二醇、2,3－丁二醇、2－丁烯－1,4－二醇、2－甲基－2,4－戊二醇、二丁醚、二己醚、苯甲醚、苯***、丁基苯基醚、戊基苯基醚、鄰甲氧基甲苯、間甲氧基甲苯、對甲氧基甲苯、苄基***、二烷、1,2－二乙氧基乙烷、1,2－二丁氧基乙烷、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二***、1－甲基甘油醚、2－甲基甘油醚、1,2－二甲基甘油醚、1,3－二甲基甘油醚、三甲基甘油醚、1－乙基甘油醚、1,3－二乙基甘油醚、三乙基甘油醚、縮醛、2－戊酮、3－戊酮、2－己酮、甲基異丁基酮、2－庚酮、4－庚酮、二異丁基酮、丙酮基丙酮、異亞丙基丙酮、異佛爾酮、環己酮、甲基環己酮、甲酸丁酯、甲酸戊酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸第二丁酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、乙酸3－甲氧基丁酯、乙酸第二己酯、乙酸2－乙基丁酯、乙酸2－乙基己酯、乙酸環己酯、乙酸苄酯、丙酸丁酯、丙酸異戊酯、丁酸甲酯、丁酸乙酯、丁酸丁酯、丁酸異戊酯、異丁酸異丁酯、異戊酸乙酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、γ－丁內酯、乙二酸二乙酯、乙二酸二戊酯、丙二酸二乙酯、順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯、檸檬酸三丁酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、乙二醇單甲酸酯、乙二醇單丁酸酯、二乙二醇單乙酸酯、甘油單乙酸酯、碳酸二乙酯、N,N－二甲基甲醯胺、N,N－二乙基甲醯胺、N,N－二甲基乙醯胺、N,N,N’,N’－四甲基脲、N－甲基吡咯啶酮、2－甲氧基乙醇、2－乙氧基乙醇、2－(甲氧基乙氧基)乙醇、2－異丙氧基乙醇、2－丁氧基乙醇、2－(異戊氧基)乙醇、2－(己氧基)乙醇、呋喃甲醇、四氫呋喃甲醇、二乙二醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單***、二乙二醇單丁醚、1－甲氧基－2－丙醇、1－乙氧基－2－丙醇、二丙二醇、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單***、二丙酮醇、N－乙基啉、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乙酸2－甲氧基乙酯、乙酸2－乙氧基乙酯、乙酸2－丁氧基乙酯、二乙二醇單***乙酸酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯。其中，尤佳之稀釋劑係沸點為150℃以上220℃以下者，尤佳者係二乙二醇二甲醚、二乙二醇二***、2－庚酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、乙酸3－甲氧基丁酯、乙酸2－乙基丁酯、γ－丁內酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、2－丁氧基乙醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單***、二丙二醇單甲醚、二丙酮醇、乙酸2－乙氧基乙酯、乙酸2－丁氧基乙酯、二乙二醇單***乙酸酯。
本發明之液狀樹脂組成物中亦可使用熱可塑性樹脂。若使用熱可塑性樹脂，則硬化物之交聯密度下降，可降低硬化物之彈性率。作為較佳之熱可塑性樹脂，可列舉苯氧樹脂、(甲基)丙烯酸酯之聚合物等，尤佳為使用以(甲基)丙烯酸乙酯或(甲基)丙烯酸丁酯為主成分，使(甲基)丙烯酸環氧丙酯、丙烯腈等進行共聚合而得之化合物。其中，若該等熱可塑性樹脂之分子量過高、使用量過多，則塗佈於晶圓之一面且實施加熱處理後於80℃下之黏著力未達1 N。另一方面，為了將塗佈於晶圓之一面且實施加熱處理後於80℃下之黏著力保持為良好之水準，亦可使用玻璃轉移溫度低之熱可塑性樹脂，但該情況時，塗佈於晶圓之一面且實施加熱處理後於25℃下之黏著力超過0.05 N，或者搭載於支持體上之附有黏著劑層之半導體元件於130℃及175℃下之黏著力過於降低。故而，使用熱可塑性樹脂時，相對於化合物(A)、化合物(B)與熱可塑性樹脂之合計，較佳為40重量%以下。更佳為30重量%以下。尤佳為25重量%以下。
進而，本發明之液狀樹脂組成物中，亦可視需要而使用偶合劑、均化劑、消泡劑、界面活性劑等。
本發明之液狀樹脂組成物可藉由下述操作而製造：例如於具備加熱裝置以及攪拌器之混合裝置內加熱混合溶劑、化合物(A)、化合物(B)、視需要之熱可塑性樹脂，藉此獲得均一之液體後，冷卻至25℃，添加硬化加速劑、偶合劑等添加劑，進一步混合。
並且，液狀樹脂組成物較佳為分子量200以上5000以下之面積(b)相對於GPC測定之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)滿足0.6以上之液狀樹脂組成物。尤佳為(b/a)為0.7以上，更佳為(b/a)為0.8以上。
若(b/a)未達0.6，則加熱處理後於80℃下之黏著力有可能並不充分，且附有黏著劑層之半導體元件的安裝性有可能不良。此處，GPC之測定係使用Waters公司製Alliance(2695分離模組、2414折射率檢測器、TSK GEL GMHHR－L×2＋TSK Guard Column HHR－L×1、流動相：THF、1.0 ml/分)，以管柱溫度40.0℃、示差折射率計內溫度40.0℃、樣品注入量100 μl、樣品濃度1~5 mg/ml之條件進行。分子量之校正曲線係使用Shodex Standard SL－105(昭和電工(股)製)而製成。
進而，將液狀樹脂組成物於晶圓之一面塗佈為50 μm之厚度且實施120℃、10分鐘加熱處理後之黏著劑層的GPC測定之分子量200以上之面積為(a’)，將分子量200以上5000以下之面積(b’)相對於面積(a’)之比例設為(b’/a’)時，其與上述b/a之比[(b’/a’)/(b/a)]較佳為0.7以上。其中[(b’/a’)/(b/a)]尤佳為0.8以上。其原因在於，若[(b’/a’)/(b/a)]未達0.7，則加熱處理後於80℃下之黏著力有可能並不充分，附有黏著劑層之半導體元件的安裝性有可能不良。
並且，利用旋塗法將液狀樹脂組成物塗佈於晶圓之一面時，若於液狀樹脂組成物中存在微米尺寸之固形物，則導致加熱處理後之黏著劑層表面的平滑性降低，出現針孔/空隙等，故而欠佳。故而須要充分注意用於液狀樹脂組成物之熱硬化性樹脂、硬化加速劑之析出。製作液狀樹脂組成物時，較佳為利用10 μm之過濾器過濾，更佳為利用10 μm之過濾器過濾後利用3 μm之過濾器過濾，尤佳為進一步利用1 μm之過濾器過濾。並且，旋塗法中無法使用填充料。液狀樹脂組成物之黏度較佳為1 Pa．s以上40 Pa．s以下。其原因在於，低於或高於該範圍均會於旋塗後無法獲得厚度良好的黏著劑層。此處，黏度之值係使用E型黏度計(東機產業(股)製、3度錐)，以25℃、2.5 rpm測定之值。更佳之黏度範圍係2 Pa．s以上30 Pa．s以下，更佳為2 Pa．s以上15 Pa．s以下。
其次，就使用上述液狀樹脂組成物之附有黏著劑層之半導體晶圓、附有黏著劑層之半導體元件、半導體封裝之製造方法加以說明。參照圖1及圖2進行說明。
[塗佈步驟]
如圖1(A)所示，上述液狀樹脂組成物係塗佈於具有線接合用焊接墊等的半導體晶圓2背面(電路面之背面)而使用。圖1中，符號1係液狀樹脂組成物。
此處，作為半導體晶圓2，亦有使用表面未形成電路者之情況。通常以控制厚度為目的，於切割步驟前研削半導體晶圓背面，液狀樹脂組成物1之塗佈係於研削背面之後進行。作為液狀樹脂組成物1之塗佈方法，可為網版印刷、模板印刷、旋塗法等，就塗佈厚度之穩定性、表面之平滑性之觀點而言，較佳為利用旋塗法進行塗佈。旋塗法可以眾所周知之方法進行。即下述方法：將貼附有背面研磨膠帶(以於研削背面時保護晶圓之電路面為目的而貼附於電路面之膠帶)之狀態的晶圓以晶圓背面為上之方式設置於旋塗機上，於15℃以上40℃以下將液狀樹脂組成物供給至晶圓之中央部，使晶圓旋轉，藉此將液狀樹脂組成物均勻地塗佈於晶圓背面整體。
所使用之背面研磨膠帶較佳為可耐受後述加熱處理步驟之耐熱性優良者，亦較佳為具有晶圓支撐功能(抑制背面研磨後變薄之晶圓翹曲、變形之功能)者。旋塗溫度低於15℃時，存在液狀樹脂組成物之黏度增高，塗佈後之厚度並不均一之情況，故而欠佳；高於40℃時，由於液狀樹脂組成物揮發導致黏度變化，從而導致塗佈厚度不均一，故而欠佳。更佳之溫度範圍為20℃以上30℃以下，為獲得更加穩定之塗佈厚度，較佳為於控制為±2℃之環境下塗佈。晶圓之轉速依存於所使用之液狀樹脂組成物的黏度、塗佈溫度、目標塗佈厚度，通常係以300 rpm以上10000 rpm以下進行。液狀樹脂組成物之供給亦可為：於晶圓停止狀態下逐漸提高轉速之方法；或者以300 rpm之低轉速進行供給，若有必要則進一步提高轉速之方法。
再者，亦可使用圖2所示之裝置6塗佈液狀樹脂組成物。
該情況時，使晶圓2旋轉，自晶圓2中心部向邊緣部使吐出上述液狀樹脂組成物之噴嘴61移動(圖2箭頭方向)，於晶圓2之一面塗佈液狀樹脂組成物。噴嘴61相對於晶圓2而相對地移動。
藉由使用上述方法，可降低液狀樹脂組成物之塗佈損失。
並且，噴嘴61之移動速度、晶圓2之旋轉速度並無特別限制，例如，亦可自晶圓2之中心部面向邊緣部逐漸降低噴嘴61之移動速度。
再者，使用圖2所示之裝置6之方法時，亦可將液狀樹脂組成物作為包含填充料者。
[揮發步驟]
其次，對塗佈有液狀樹脂組成物1之半導體晶圓2進行加熱處理。該揮發步驟中，以液狀樹脂組成物1之分子量未變動之程度、即幾乎未出現液狀樹脂組成物1之硬化之程度進行加熱處理。此處，將對液狀樹脂組成物1進行揮發處理而得者作為黏著劑層1’(參照圖1(B))。
具體而言，將分子量200以上5000以下之面積(b’)相對於揮發步驟後之黏著劑層之以GPC測定的分子量200以上之面積(a’)的比例設為(b’/a’)，並且將分子量200以上5000以下之面積(b)相對於塗佈步驟之黏著層(液狀樹脂組成物)之以GPC測定而獲得之分子量200以上之面積(a)的比例設為(b/a)，則較佳為將兩者之比[(b’/a’)/(b/a)]設為0.7以上，更佳為設為0.8以上。
如此，可藉由以液狀樹脂組成物1之分子量未變動之方式進行加熱處理，而抑制於將半導體元件搭載於支持體上時之搭載溫度下黏著劑層1’之黏度上升。故而，於後段，將半導體元件搭載於支持體上時，低溫下之搭載性變得良好。
加熱處理可為熱板上之處理、烘箱中之處理、回焊爐中之處理等，處理溫度較佳為200℃以下，更佳為150℃以下。其原因在於，將處理溫度設為低溫時處理後之翹曲較小。並且，處理時間較佳為30分鐘以下。處理時間長於30分鐘時，生產性變差，並且於處理後之翹曲方面亦不利。尤佳之加熱處理條件為150℃以下、15分鐘以下，例如120℃、10分鐘。
加熱處理後之黏著劑層1’之厚度較佳為200 μm以下，更佳之厚度為5 μm以上50 μm以下。厚度之控制可藉由調整塗佈條件及調整液狀樹脂組成物1之黏度而進行。例如，若使用低黏度之液狀樹脂組成物1，則可獲得更薄之黏著劑層1’，使用旋塗法作為塗佈方法時，藉由提高塗佈時之轉速，可獲得更薄之黏著劑層1’。使用薄膜狀之晶粒黏著材時，必須準備目標厚度之薄膜，可藉由調整塗佈條件及調整液狀樹脂組成物1之黏度而控制厚度。
加熱處理後，揮發分大量包含於黏著劑層1’中時，將導致後述黏著劑層1’之黏性、拾取性降低、搭載於支持體上時出現空隙，故而將液狀樹脂組成物1於晶圓背面塗佈為50 μm厚度且於120℃下加熱處理10分鐘後之揮發分較佳為1重量%以下。此處，塗佈後之液狀樹脂組成物的厚度係以非接觸之厚度計所測定之值。並且，揮發分係以如下方式所測定之值。
將液狀樹脂組成物塗佈為50±5 μm之晶圓於控制為120±5℃之乾燥機中加熱處理10±1分鐘後，於冷卻所取出之晶圓之前，以刮勺抽樣5~30 mg之黏著劑層。
其次，以熱天平法(TGA)以10℃/分鐘自25℃升溫至300℃，測定該抽樣之黏著劑層而獲得重量減少曲線。將該重量減少曲線之200℃下之重量減少率(抽樣且施加至TGA之黏著層的重量－200℃之重量/抽樣且施加至TGA之黏著層的重量)作為揮發分。更佳之重量減少率為0.5重量%以下，尤佳為0.1重量%以下。
並且，較佳為黏著劑層1’於25℃下無黏著(黏性)。具有黏性時，貼附於切割片之晶圓安裝步驟中，出現搬送不良之情況，並且後述之拾取步驟中亦出現不良。故而，如[液狀樹脂組成物]項中所說明，將液狀樹脂組成物於晶圓背面塗佈為50 μm之厚度且於120℃下加熱處理10分鐘後之黏著劑層之黏性指標、即25℃下之黏著力為0.05 N以下。
並且，亦如[液狀樹脂組成物]項中所說明，就半導體元件之低溫搭載性觀點而言，將液狀樹脂組成物於晶圓背面塗佈為50 μm之厚度且於120℃下加熱處理10分鐘後於80℃下之黏著力為1 N以上。
此處，黏著力係使用黏著力測定機(RHESCA公司製)，以探針下降速度(Immersion Speed)30 mm/min、測試速度600 mm/min、密著負重(Preload)0.2 N、密著保持時間(Press Time)1.0秒、探針5.1 mm(SUS304)之條件所測定之值。
並且，上述黏著力之測定係以如下方式進行。
將液狀樹脂組成物塗佈為50±5 μm之晶圓於120±5℃之乾燥機中加熱處理10±1分鐘且冷卻。其後，以黏著劑層在下之方式貼附於切割片(住友Bakelite(股)製、FSL－N4003)，以切割機(Dicing Saw)切割為6×6 mm。用手自切割片剝離藉由切割而單片化為6×6 mm之附有黏著劑層之半導體元件的一部分，以上述黏著力測定條件於25℃、80℃下測定黏著劑層側之黏著力。
再者，本發明中所謂於120℃下加熱處理10分鐘，係指於120±5℃下加熱處理10±1分鐘。
本步驟中所獲得之附有黏著劑層之晶圓5之黏著劑層1’於25℃下之黏著力為0.05 N以下，80℃下之黏著力為1 N以上。黏著力之測定條件與上述方法相同。即，係使用黏著力測定機(RHESCA公司製)，以探針下降速度(Immersion Speed)30 mm/min、測試速度600 mm/min、密著負重(Preload)0.2 N、密著保持時間(Press Time)1.0秒、探針5.1 mm(SUS304)之條件所測定之值。以黏著劑層在下之方式將附有黏著劑層之晶圓貼附於切割片(住友Bakelite(股)製、FSL－N4003)，以切割機切割為6×6 mm。用手自切割片剝離藉由切割而單片化為6×6 mm之附有黏著劑層之半導體元件的一部分，以上述黏著力測定條件於25℃、80℃下測定黏著劑層側之黏著力。
並且，黏著劑層1’之揮發分為1重量%以下。該揮發分之測定方法亦與上述測定方法相同，於揮發處理後、冷卻晶圓之前，以刮勺抽樣5~30 mg之黏著劑層。繼而，以熱天平法(TGA)，以10℃/分鐘自25℃升溫至300℃，測定該抽樣之黏著劑層而獲得重量減少曲線。將該重量減少曲線之200℃下之重量減少率(抽樣且施加至TGA之黏著層的重量－200℃之重量/抽樣且施加至TGA之黏著層的重量)作為揮發分。
進而，附有黏著劑層之晶圓5之黏著劑層1’的厚度精度(表面粗糙度)較佳為±5 μm以內，更佳為±3 μm以內。此處所謂厚度精度，係指與以雷射粗糙度計測定晶片面內之凹凸變化而得之表面分布的平均值之差距。其原因在於，厚度精度大於該厚度精度時，無法獲得穩定之厚度。
[貼附步驟、單片化步驟]
其次，如圖1(B)所示，將所獲得之附有黏著劑層之晶圓5貼附於切割片3，如圖1(C)所示進行單片化(切割)。圖1(C)之虛線係切割線。此處，將附有黏著劑層之晶圓5完全地切割，並且切割至切割片3之厚度中間位置。作為切割片3可使用市銷者。並且，單片化通常係使用切割機等專用裝置進行，從而獲得附有黏著劑層之半導體元件4。此處，如上述所示黏著劑層之平滑性並不充分時，存在於黏著劑層與切割片之間殘留有空氣之情況，故而，切割時出現晶片缺損(晶片之邊緣部分缺損之現象)、晶片裂縫(於晶片之邊緣部分出現裂縫之現象)、晶片飛散(切割時晶片自切割片脫離之現象)等，導致附有黏著劑層之半導體元件4之良率降低。
再者，切割片3係貼附於附有黏著劑層之晶圓5之黏著劑層1’側。
藉由以上步驟，可獲得附有黏著劑層之半導體元件4(參照圖1(D))。
圖1(D)中，符號2’表示藉由切割半導體晶圓2而獲得之半導體元件。
[半導體封裝之製造方法]
將以上述方式而獲得之附有黏著劑層之半導體元件4以貼附於切割片3之狀態(切割片3貼附於貼片環)而設置於黏晶機。並且，經拾取(自切割片3取下半導體元件之步驟)而於加熱下以如圖1(D)所示之方式搭載於支持體W上。拾取時須要於附有黏著劑層之半導體元件4與切割片3之界面實施剝離，黏著劑層1’之於25℃下之黏著力大於0.05 N時，產生無法拾取、拾取時附有黏著劑層之半導體元件4偏移而無法搭載於正確位置、黏著劑層1’之一部分殘留於切割片3等問題。
所謂搭載本發明之附有黏著劑層之半導體元件4的支持體W，係指導線架、有機基板等。圖1(D)中，支持體W係有機基板。並且，將上述附有黏著劑層之半導體元件4積層於其他半導體元件時，該其他半導體元件成為支持體。該其他半導體元件較佳為搭載於導線架、有機基板等上。
半導體元件搭載溫度較佳為200℃以下，更佳為150℃以下。高溫下之半導體元件搭載常常導致翹曲。並且搭載半導體元件時會施加負重，負重根據不同種類之黏晶機而不同。亦有如一部分LOC(Lead On Chip)焊接機般，對每個半導體元件施加20 N左右之負重之機種，通常係以3~5 N左右之負重進行。若考慮到半導體元件4之薄型化、機械強度低之半導體元件，則較佳為可以5 N以下、更佳為1~4 N進行搭載。搭載時間(將半導體元件加壓至支持體之時間)，就生產性觀點而言，較佳為10秒以下，更佳為3秒以下，尤佳為1秒以下。
為如上所述於低溫下搭載附有黏著劑層之半導體元件4，而將液狀樹脂組成物1於晶圓背面塗佈為50 μm之厚度，於120℃下加熱處理10分鐘後之黏著劑層1’之於80℃下之黏著力較佳為1 N以上。其原因在於，使用加熱處理後之黏著劑層之於80℃下之黏著力不同的各種附有黏著劑之半導體元件，進行搭載於PBGA(Plastic Ball Grid Array，塑封球柵陣列)基板之實驗的結果為，於80℃下之黏著力若為1 N以上，則搭載後之黏著面積可確保為90%以上，相對於此，未達1 N時，黏著面積未達90%之情況較多。此處搭載後之黏著面積係用手剝離搭載於PBGA基板上之半導體元件，以相對於半導體元件之面積的黏著部分面積來確認。所黏著之部分係PBGA基板表面稍顯白、且具有不光滑感之部分，相對於此，非黏著部分之表面平滑且與搭載前無變化，故而可容易地目視識別。於80℃下之黏著力係將液狀樹脂組成物塗佈為50±5 μm之晶圓於設為120±5℃之乾燥機中加熱處理10±1分鐘後使其冷卻，以黏著劑層1’在下之方式貼附於切割片(住友Bakelite(股)製、FSL－N4003)，再以切割機切割為6×6 mm，藉此而獲得單片化為6×6 mm之附有黏著劑層之半導體元件，將其一部分用手剝離，以上述黏著力測定法於80℃下測定黏著劑層側之黏著力而獲得者。
並且，於黏晶機上拾取上述單片化為6×6 mm之附有黏著劑層之半導體元件，以接合負重1.0 N、支持體加熱溫度130℃、搭載時間8秒(包含支持體表面溫度升溫至130℃之時間7秒)之條件，搭載於PBGA基板(封裝尺寸35×35 mm、核心材：BT(雙順丁烯二醯亞胺－三)樹脂、阻焊劑：PSR4000AUS308(太陽油墨製造(股)製)、厚度0.56 mm)之樣品在25℃下之黏著力較佳為1 N以上。黏著力係以晶片切變強度測試機(Dage公司製、系列4000)進行測定之值。黏著力低於其時，存在搬送中半導體元件脫落之情況。更佳為10 N以上，更佳為20 N以上。尤佳為50 N以上。
將搭載附有黏著劑層之半導體元件4之支持體W視需要而加熱硬化後，進行線接合。線接合之條件並無特別限制，可以通常條件進行，若考慮到上述翹曲問題，則較佳為於低溫下進行。尤佳之線接合溫度為150℃以下。線接合時，若黏著劑層1’之黏著力過低，則存在半導體元件4脫落之情況、或線接合之強度並不充分之情況。因此，於比線接合溫度稍高之175℃下之黏著力較佳為100 N以上。此處，於175℃下之黏著力係使用藉由於黏晶機上拾取單片化為6×6 mm之附有黏著劑層之半導體元件，以接合負重1.0 N、支持體加熱溫度130℃、搭載時間8秒(包含支持體表面溫度升溫至130℃之時間7秒)之條件，搭載於PBGA基板(封裝尺寸35×35 mm、核心材：BT(雙順丁烯二醯亞胺－三)樹脂、阻焊劑：PSR4000AUS308(太陽油墨製造(股)製)、厚度0.56 mm)上，且進行150℃、60分鐘硬化而獲得之樣品，以晶片切變強度測試機(Dage公司製，系列4000)於175℃下測定而得之值。更佳為200 N以上，更佳為500 N以上。
線接合之後進入樹脂密封步驟。通常使用於環氧樹脂中分散有填充料之轉注成形用密封材。可使用之轉注成形用密封材並無特別限制，自環境問題考慮，較佳為並未使用銻化合物、溴化物者。更佳者為係使用聯苯基芳烷基型環氧樹脂及/或聯苯基芳烷基型酚樹脂之密封材且並未使用銻化合物、溴化物者。其原因在於，使用聯苯基芳烷基型環氧樹脂及/或聯苯基芳烷基型酚樹脂之密封材即使不使用銻化合物、溴化物，亦顯示出良好之耐燃性(UL試驗)，並且顯示出良好之抗回焊龜裂性。
樹脂密封通常係於160℃~180℃下進行。故而，將線接合後之半導體元件搭載於支持體上之黏著力過低時，於樹脂密封步驟中存在出現半導體元件剝離、或者半導體元件分散之危險性。因此，上述黏著力測定用樣品(僅將單片化為6×6 mm之附有黏著劑層之半導體元件搭載於PBGA基板上，而不進行黏著劑層之硬化)於175℃(典型之樹脂密封溫度)下之黏著力較佳為1 N以上。尤佳為3 N以上。其原因在於，若為其以上之黏著力，則於樹脂密封中不會出現剝離等異常。
進行樹脂密封後，視需要進行封膠後烘烤(post mold cure)，使用導線架作為支持體時，視需要實施導線加工、外裝電鍍等，獲得半導體封裝。並且，使用有機基板作為支持體時，視需要進行錫球焊接等，獲得半導體封裝。
以下，使用實施例說明本發明，但並不限定於該等。
[實施例]
其次，就本發明之實施例加以說明。
[實施例1~4、比較例1~9] [液狀樹脂組成物]
．液狀樹脂組成物A
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物A。
所獲得之液狀樹脂組成物A之黏度為3 Pa．s。再者，黏度係使用E型黏度計(東機產業(股)製、3度錐)，於25℃、2.5 rpm下測定之值(以下所示之黏度亦同樣測定)。
．液狀樹脂組成物B
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物B。
所獲得之液狀樹脂組成物B之黏度為8 Pa．s。
．液狀樹脂組成物C
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物C。
此處所使用之磷系觸媒係如下製作。
於附有攪拌裝置之可分離式燒瓶中投入37.5 g(0.15莫耳)之4,4’－雙酚S(日華化學工業(股)製BPS－N)、41.9 g(0.1莫耳)之四苯基溴化磷、100 ml之離子交換水，於100℃下攪拌。進而，於內部不溶之狀態下一邊攪拌，一邊添加事先以50 ml之離子交換水將4.0 g(0.1莫耳)之氫氧化鈉溶解而得之溶液。繼續攪拌一段時間後，獲得白色沈澱。過濾、乾燥沈澱，將所獲得之白色結晶(68.5 g)用作觸媒。
所獲得之液狀樹脂組成物C的黏度為8 Pa．s。
．液狀樹脂組成物D
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物D。
所獲得之液狀樹脂組成物D之黏度為2 Pa．s。
．液狀樹脂組成物E
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物E。
所獲得之液狀樹脂組成物E之黏度為5 Pa．s。
．液狀樹脂組成物F
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物F。
所獲得之液狀樹脂組成物F之黏度為6 Pa．s。
．液狀樹脂組成物G
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物G。
所獲得之液狀樹脂組成物G之黏度為9 Pa．s。
．液狀樹脂組成物H
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，欲以1 μm之網眼過濾，但出現堵塞，故而不進行過濾而獲得樹脂組成物H。
所獲得之液狀樹脂組成物H之黏度為11 Pa．s。
將20 mg之液狀樹脂組成物A~H溶解於6 ml之四氫呋喃(以下簡稱為THF)中，進行GPC之測定。GPC之測定係使用Waters公司製Alliance(2695分離模組、2414折射率檢測器、TSK GEL GMHHR－L×2＋TSK Guard Column HHR－L×1、流動相：THF、1.0 ml/分)，以管柱溫度40.0℃、示差折射率計內溫度40.0℃、樣品注入量100 μl之條件進行。分子量之校正曲線係使用Shodex Standard SL－105(昭和電工(股)製)而製成。算出所獲得之GPC圖中之分子量200以上5000以下之面積(b)相對於分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)。
並且，使用液狀樹脂組成物A~H以塗佈後之厚度為50±5 μm之方式旋塗於2張6吋晶圓，於120℃之乾燥機中加熱處理10分鐘，藉此獲得附有樹脂層之晶圓。旋塗係使用旋塗機(MIKASA(股)製、1H－DX)進行。旋塗後之厚度係以非接觸之厚度計測定，未達到50±5 μm時，藉由變更旋塗條件而達到上述範圍。
將第1張晶圓於加熱處理後，立即用刮勺收集樹脂層之一部分，作為揮發分之測定用樣品。揮發分係以TGA(示差熱天平)於樣品重量10 mg、以升溫速度10℃/分鐘自25℃升溫之條件下所測定之於200℃之重量減少率的值。加熱處理後立即進行抽樣係由於若冷卻至25℃，則樹脂層成為固形而難以實施抽樣。並且，使用除經抽樣以外之部分以目視進行外觀檢查。外觀檢查係檢查針孔、空隙、異物數。並且，樹脂層之厚度係藉由使用接觸式厚度量規測定晶圓與樹脂層之合計厚度，扣除事前所測定之晶圓厚度而算出樹脂層之厚度。進而，厚度精度係使用雷射三維測定機(日立土浦Engineering(股)製)，以並不通過所抽樣之揮發分測定用之部位，而通過附有樹脂層之晶圓中心之方式，以150 mm之長度進行測定。
繼而，將附有樹脂層之晶圓貼附於切割片(住友Bakelite(股)製、FSL－N4003)上並使其單片化。用手自切割片剝離經單片化之半導體元件的一部分，以用於樹脂層之於25℃及80℃下之黏著力測定。黏著力之測定係使用黏著力測定機(RHESCA公司製)，以探針下降速度(Immersion Speed)30 mm/min、測試速度600 mm/min、密著負重(Preload)0.2 N、密著保持時間(Press Time)1.0秒、探針5.1 mm μ(SUS304)進行。
進而，藉由將3個同樣地用手剝離之附有樹脂層之半導體元件浸漬於6 ml之THF中，於25℃下浸漬60分鐘，而作為GPC測定用樣品。根據以與上述相同之條件測定之GPC圖，算出分子量200以上5000以下之面積(b’)相對於分子量200以上之面積(a’)的比例(b’/a’)，從而算出[(b’/a’)/(b/a)]之值。
測定結果示於表1。
[實施例1]
使用利用上述液狀樹脂組成物A所製作之附有樹脂層之半導體元件(第1張半導體晶圓經單片化為6×6 mm之半導體元件)，進行以下試驗。第2張半導體晶圓經單片化為10×10 mm。
．黏著力將單片化為6×6 mm之附有樹脂層之晶圓安裝於黏晶機，以頂出銷高度350 μm(將切割薄膜下表面作為0)、拾取時間500 ms之條件實施拾取，以接合負重1.0 N、支持體加熱溫度為130℃、8秒(包含支持體表面溫度升溫至130℃之時間7秒)之條件，搭載於PBGA基板(封裝尺寸35×35 mm、核心材：BT(雙順丁烯二醯亞胺－三)樹脂、阻焊劑：PSR4000AUS308(太陽油墨製造(股)製)、厚度0.56 mm)上，於150℃下硬化60分鐘。於25℃下測定搭載後(硬化前)之樣品的黏著力，於175℃下測定硬化後之樣品的黏著力。黏著力之測定係以晶片切變強度測試機(Dage公司製、系列4000)進行。
．空隙、初期剝離將單片化為10×10 mm之附有樹脂層之半導體元件安裝於黏晶機，以頂出銷高度350 μm(將切割薄膜下表面作為0)、拾取時間500 ms之條件實施拾取，以接合負重2.9 N、支持體加熱溫度為130℃、8秒(包含升溫時間)之條件貼附於PBGA基板(封裝尺寸35×35 mm、核心材：BT(雙順丁烯二醯亞胺－三)樹脂、阻焊劑：PSR4000AUS308(太陽油墨製造(股)製)、厚度0.56 mm)上，於150℃下硬化60分鐘。其後，以使用苯基芳烷基環氧之環氧系密封樹脂(住友Bakelite(股)製EME－G770)加以密封，於175℃下進行4小時之封膠後烘烤。藉由以透過型之超音波探傷裝置觀察封膠後烘烤後之PBGA封裝，而確認空隙及初期剝離之產生。空隙及初期剝離係以超音波不透過部分(黑色部分)之面積相對於晶片面積的比例(%)來確認。
．回流焊試驗以85℃、60%RH對進行有空隙、初期剝離之觀察的封裝實施168小時吸濕處理。繼而，使其3次通過以260℃以上之時間達到10秒以上之方式設定之IR回焊裝置。其後，以透過型之超音波探傷裝置觀察裂縫之產生情況。用於試驗之4個封裝中，以出現裂縫之封裝數表示。
測定結果示於表1。
[實施例2]
使用利用上述液狀樹脂組成物B所製作之附有樹脂層之晶圓，以與實施例1相同之方式進行試驗。
[實施例3]
使用利用上述液狀樹脂組成物C所製作之附有樹脂層之晶圓，以與實施例1相同之方式進行試驗。
[實施例4]
藉由使用液狀樹脂組成物A旋塗於2張6吋之晶圓上，進行120℃、10分鐘加熱處理而獲得附有樹脂層之晶圓。旋塗係以表1所示之條件進行，評估結果示於表1。
[比較例1~4]
藉由使用液狀樹脂組成物A旋塗於2張6吋之晶圓上，進行加熱處理而獲得附有樹脂層之晶圓。旋塗及加熱處理係以表1所示之條件進行，評估結果示於表1。
再者，比較例1、2中，為測定黏著力而用手剝離經切割為6×6 mm之附有樹脂層之半導體元件時，樹脂層之一部分殘留於切割片。並且，製作黏著力測定用樣品時，以實施例1之條件無法拾取，故而變更為頂出銷高度500 μm、拾取時間3秒之條件。確認於拾取後之切割片中殘存有樹脂層。進而，組裝回流焊性試驗用PBGA時，亦因以實施例1之條件無法拾取，故而變更為頂出銷高度700 μm、拾取時間3秒之條件。確認於拾取後之切割片中殘存有樹脂層。
比較例4中，製作黏著力測定用樣品時，以實施例1之條件無法搭載於PBGA基板(若搭載後使基板傾斜，則晶片連同樹脂層一起下落)，故而變更為接合負重10.0 N、支持體加熱溫度160℃、8秒(包含升溫)。進而，組裝回流焊性試驗用PBGA時，亦因以實施例1之條件無法搭載於PBGA基板(若搭載後使基板傾斜，則晶片連同樹脂層一起下落)，故而變更為接合負重10.0 N、支持體加熱溫度160℃、8秒(包含升溫時間)，但為觀察空隙、初期剝離而以透過型超音波探傷裝置測定後，確認半導體元件分散，故而無法評估空隙、初期剝離及回流焊性。
[比較例5]
使用利用上述液狀樹脂組成物D所製作之附有樹脂層之晶圓，以與實施例1相同之方式進行試驗。為測定黏著力而用手剝離經切割為6×6 mm之附有樹脂層之半導體元件時，樹脂層之一部分殘留於切割片。並且，製作黏著力測定用樣品時，以實施例1之條件無法拾取，故而變更為頂出銷高度500 μm、拾取時間3秒之條件。確認於拾取後之切割片中殘存有樹脂層。進而，組裝回流焊性試驗用PBGA時，亦因以實施例1之條件無法拾取，故而變更為頂出銷高度700 μm、拾取時間3秒之條件。確認於拾取後之切割片中殘存有樹脂層。
[比較例6、7]
使用利用上述液狀樹脂組成物E、F所製作之附有樹脂層之晶圓，以與實施例1相同之方式進行試驗。
[比較例8]
使用利用上述液狀樹脂組成物G所製作之附有樹脂層之晶圓，以與實施例1相同之方式進行試驗。為測定黏著力而用手剝離經切割為6×6 mm之附有樹脂層之半導體元件時，樹脂層之一部分殘留於切割片。並且，製作黏著力測定用樣品時，以實施例1之條件無法拾取，故而變更為頂出銷高度500 μm、拾取時間3秒之條件。確認於拾取後之切割片中殘存有樹脂層。進而，組裝回流焊性試驗用PBGA時，亦因以實施例1之條件無法拾取，故而變更為頂出銷高度700 μm、拾取時間3秒之條件。確認於拾取後之切割片中殘存有樹脂層。
[比較例9]
使用利用上述液狀樹脂組成物H所製作之附有樹脂層之半導體元件，以與實施例1相同之方式進行試驗。製作黏著力測定用樣品時，以實施例1之條件無法搭載於PBGA基板(若搭載後使基板傾斜，則晶片連同樹脂層一起下落)，故而變更為接合負重10.0 N、支持體加熱溫度160℃、8秒(包含升溫)。進而，組裝回流焊性試驗用PBGA時，亦因以實施例1之條件無法搭載於PBGA基板(若搭載後使基板傾斜，則晶片連同樹脂層一起下落)，故而變更為接合負重10.0 N、支持體加熱溫度160℃、8秒(包含升溫時間)，但為觀察空隙、初期剝離而以透過型超音波探傷裝置測定後，確認半導體元件分散，故而無法評估空隙、初期剝離及回流焊性。
實施例1中，於加熱處理後之揮發分少，外觀良好，厚度精度亦良好。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、1.8 N，拾取性良好，亦未出現空隙，回流焊後亦未出現裂縫。
實施例2中，於加熱處理後之揮發分少，外觀良好，厚度精度亦良好。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、1.5 N，拾取性良好，亦未出現空隙，回流焊後亦未出現裂縫。
實施例3中，於加熱處理後之揮發分少，外觀良好，厚度精度亦良好。並且，25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、1.5 N，拾取性良好，亦未出現空隙，回流焊後亦未出現裂縫。
實施例4中，藉由變更旋塗條件而可獲得較厚之樹脂層。加熱處理後之揮發分少、外觀良好，厚度精度亦良好。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、2.0 N，拾取性良好，亦未出現空隙，回流焊後亦未產生裂縫。
比較例1中將加熱處理條件變更為80℃、30分鐘。外觀良好，厚度精度亦良好，但揮發分為2.3重量%。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.08 N、2.0 N，拾取性不良，拾取時樹脂層之一部分殘存於切割片，故而出現空隙，回流焊後出現裂縫。
比較例2中將加熱處理條件變更為100℃、10分鐘。外觀良好，厚度精度亦良好，但揮發分為1.3重量%。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.10 N、2.5 N，拾取性不良，拾取時黏著劑層之一部分殘存於切割片，故而出現空隙，回流焊後出現裂縫。
比較例3中將加熱處理條件變更為120℃、60分鐘，加熱處理後之揮發分少，並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、0.1 N，拾取性良好，但出現初期剝離(濡濕不足)，回流焊後出現裂縫。
比較例4中將加熱處理條件變更為150℃、10分鐘，加熱處理後之揮發分少，並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、0.02 N，拾取性良好，但對PBGA基板之搭載性不良，變更搭載條件，但黏著力弱，成形時半導體元件分散。
比較例5中，加熱處理後之揮發分少、外觀良好，厚度精度亦良好。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.15 N、2.3 N，拾取性不良，拾取時樹脂層之一部分殘存於切割片，故而出現空隙，回流焊後出現裂縫。
比較例6中，加熱處理後之揮發分少，外觀良好，厚度精度亦良好。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、0.5 N，拾取性良好，但出現初期剝離(濡濕不足)，回流焊後出現裂縫。
比較例7中，加熱處理後之揮發分少、外觀良好，厚度精度亦良好。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、0.2 N，拾取性良好，但出現初期剝離(濡濕不足)，回流焊後出現裂縫。
比較例8中，外觀良好，厚度精度亦良好，但加熱處理後之揮發分為2.0重量%。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.08 N、2.1 N，拾取性不良，拾取時由於樹脂層之一部分殘存於切割片以及受揮發分之影響，故而出現空隙，回流焊後出現裂縫。
比較例9中，由於包含固形份，故而於旋塗後之表面觀察到一顆顆粒狀物，並且觀察到自粒狀物向周邊部不均一之狀況。故而厚度精度不良。加熱處理後之揮發分少，於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、0.1 N，拾取性良好，但對PBGA基板之搭載性不良，變更搭載條件，但黏著力弱，成形時半導體元件分散。
[實施例5~11、比較例10]
其次，就實施例5~11、比較例10加以說明。
[液狀樹脂組成物之製備]
．液狀樹脂組成物I
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物I。
所獲得之液狀樹脂組成物I之黏度為4 Pa．s。再者，黏度係使用E型黏度計(東機產業(股)製、3度錐)，於25℃、2.5 rpm下測定之值(以下所示之黏度亦同樣測定)。
．液狀樹脂組成物J
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物J。
所獲得之液狀樹脂組成物J之黏度為12 Pa．s。
．液狀樹脂組成物K
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物K。
所獲得之液狀樹脂組成物K之黏度為4 Pa．s。
．液狀樹脂組成物L
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物L。
所獲得之液狀樹脂組成物L之黏度為5 Pa．s。
．液狀樹脂組成物M
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物M。
此處所使用之磷系觸媒係如下製作。
於附有攪拌裝置之可分離式燒瓶中投入37.5 g(0.15莫耳)之4,4’－雙酚S(日華化學工業(股)製BPS－N)、41.9 g(0.1莫耳)之四苯基溴化磷、100 ml之離子交換水，於100℃下攪拌。進而，於內部不溶之狀態下一邊攪拌，一邊添加事先以50 ml之離子交換水將4.0 g(0.1莫耳)之氫氧化鈉溶解而得之溶液。繼續攪拌一段時間後，獲得白色沈澱。過濾、乾燥沈澱，將所獲得之白色結晶(68.5 g)用作觸媒。
所獲得之液狀樹脂組成物M之黏度為5 Pa．s。
．液狀樹脂組成物N
將上述原料調配入可分離式燒瓶中，藉由於150℃下攪拌1小時而獲得淡黃色透明之液體。將其冷卻至25℃後，添加以下原料，於25℃下攪拌30分鐘後，以1 μm之網眼過濾，藉此獲得液狀樹脂組成物N。
所獲得之液狀樹脂組成物N之黏度為13 Pa．s。
[實施例5]
將20 mg之液狀樹脂組成物I溶解於6 ml之四氫呋喃(以下簡稱為THF)中，進行GPC之測定。GPC之測定係使用Waters公司製Alliance(2695分離模組、2414折射率檢測器、TSK GEL GMHHR－L×2＋TSK Guard Column HHR－L×1、流動相：THF、1.0 ml/分)，以管柱溫度40.0℃、示差折射率計內溫度40.0℃、樣品注入量100 μl之條件進行。分子量之校正曲線係使用Shodex Standard SL－105(昭和電工(股)製)而製成。算出所獲得之GPC圖中分子量200以上5000以下之面積(b)相對於分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)。
並且，使用液狀樹脂組成物I，於1張6吋晶圓(未形成電路之裸矽晶圓、厚度625 μm)及1張8吋晶圓(具有0.5%銅之鋁墊，鈍化膜為SiN、厚度350 μm)上以塗佈後之厚度為50±5 μm之方式進行旋塗，於調整為120℃之乾燥機中加熱處理10分鐘，藉此獲得附有黏著劑層之晶圓。旋塗係使用旋塗機(MIKASA(股)製、1H－DX)進行。旋塗後之厚度係以非接觸之厚度計進行測定，未達到50±5 μm時，藉由變更旋塗條件而達到上述範圍。
將6吋晶圓加熱處理後，立即用刮勺收集黏著劑層之一部分，作為揮發分之測定用樣品。揮發分係以TGA(示差熱天平)於樣品重量10 mg、以升溫速度10℃/分鐘自25℃升溫測定時，於200℃之重量減少率的值。加熱處理後立即進行抽樣係由於若冷卻至25℃，則樹脂層成為固形，難以實施抽樣。並且，使用除經抽樣以外之部分以目視進行外觀檢查。外觀檢查係檢查針孔/空隙、異物數。並且，黏著劑層之厚度係藉由使用接觸式厚度量規測定晶圓與黏著劑層之合計厚度，扣除事前所測定之晶圓厚度而算出的黏著劑層之厚度。進而，厚度精度係使用雷射三維測定機(日立土浦Engineering(股)製)，以並不通過所抽樣之揮發分測定用之部位，而通過附有黏著劑層之晶圓中心之方式，以150 mm之長度進行測定。
其次，將附有黏著劑層之6吋晶圓及8吋晶圓貼附於切割片(住友Bakelite(股)製、FSL－N4003)上，分別單片化為6×6 mm、10.5×10.5 mm。用手自切割片剝離經單片化為6×6 mm之6吋晶圓的一部分剝離，用於黏著劑層之於25℃及80℃下之黏著力測定。黏著力之測定係使用黏著力測定機(RHESCA公司製)，以探針下降速度(Immersion Speed)30 mm/min、測試速度600 mm/min、密著負重(Preload)0.2 N、密著保持時間(Press Time)1.0秒、探針5.1 mm(SUS304)進行。
並且，藉由將3個同樣地用手剝離之經單片化為6×6 mm之附有黏著劑層之半導體元件浸漬於6 ml之THF中，於25℃下浸漬60分鐘而作為GPC測定用樣品。根據以與上述相同之條件測定之GPC圖，算出分子量200以上5000以下之面積(b’)相對於分子量200以上之面積(a’)的比例(b’/a’)，從而算出[(b’/a’)/(b/a)]之值。
進而，如後述所示，對以下項目亦進行評估。
．黏著力將單片化為6×6 mm之附有黏著劑層之晶圓安裝於黏晶機，以頂出銷高度350 μm(將切割薄膜下表面作為0)、拾取時間500 ms之條件實施拾取，於接合負重1.0 N、基板加熱溫度為130℃、8秒(包含基板表面溫度升溫至130℃之時間7秒)之條件下搭載於PBGA基板(封裝尺寸35×35 mm、核心材：BT(雙順丁烯二醯亞胺－三)、阻焊劑：PSR4000AUS308(太陽油墨製造(股)製)、厚度0.56 mm)上。於25℃、130℃、175℃下測定搭載後之樣品(未進行硬化)的黏著力。黏著力之測定係以晶片切變強度測試機(Dage公司製、系列4000)進行。
．空隙、初期剝離將單片化為10.5×10.5 mm之附有黏著劑之晶圓安裝於黏晶機，以頂出銷高度350 μm(將切割薄膜下表面作為0)、拾取時間500 ms之條件實施拾取，於接合負重2.9 N、基板加熱溫度為130℃、8秒(包含升溫時間)之條件下搭載於PBGA基板(封裝尺寸35×35 mm、核心材：BT(雙順丁烯二醯亞胺－三)、阻焊劑：PSR4000AUS308(太陽油墨製造(股)製)、厚度0.56 mm)上後(不進行硬化)，以下述條件進行線接合。
焊線機：Eagle 60(ASM公司製)金線：SGS－H、25 μm(住友金屬礦山(股)製)線接合溫度：130℃焊接負重：45 g超音波功率：120(128 kHz)
進行線接合後，以使用聯苯基芳烷基環氧之環氧系密封樹脂(住友Bakelite(股)製EME－G770)加以密封，於175℃下進行4小時之封膠後烘烤。以透過型之超音波探傷裝置觀察封膠後烘烤後之PBGA封裝，藉此確認空隙及初期剝離之產生。空隙及初期剝離係以超音波不透過部分(黑色部分)之面積相對於晶片面積的比例來確認。
．回流焊性試驗以85℃、60%RH對進行有空隙、初期剝離之觀察的封裝實施168小時吸濕處理。繼而，使其3次通過以260℃以上之時間達到10秒以上之方式設定之IR回焊裝置。其後，以透過型之超音波探傷裝置觀察裂縫之產生情況。用於試驗之4個封裝中，以出現裂縫之封裝數表示。
測定結果示於表2。
[實施例6]
除了使用上述液狀樹脂組成物J以外，以與實施例5相同之方式進行評估。
[實施例7]
除了使用上述液狀樹脂組成物K以外，以與實施例5相同之方式進行評估。
[實施例8]
除了使用上述液狀樹脂組成物L以外，以與實施例5相同之方式進行評估。
[實施例9]
除了使用上述液狀樹脂組成物M以外，以與實施例5相同之方式進行評估。
[比較例10]
使用液狀樹脂組成物N，以與實施例5相同之方式進行評估。
比較例10中，製作黏著力測定用樣品時，以實施例1之條件無法搭載於PBGA基板(若搭載後使基板傾斜，則晶片連同黏著劑一起下落)，故而變更為接合負重20.0 N、基板加熱溫度200℃、17秒(包含升溫時間)。進而，組裝回流焊性試驗用PBGA時，亦因以實施例1之條件無法搭載於PBGA基板(若搭載後使基板傾斜，則晶片連同黏著劑一起下落)，故而變更為接合負重20.0 N、支持體加熱溫度200℃、17秒(包含升溫時間)。
評估結果示於表2。
實施例5中，旋塗/加熱處理後之揮發分少，外觀良好，厚度精度亦良好。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、1.8 N，拾取性良好，半導體元件搭載後即便不進行硬化亦可進行線接合。於密封後之封裝中亦無空隙、剝離之出現，回流焊後亦未產生裂縫。
實施例6中，旋塗/加熱處理後之揮發分少，外觀良好，厚度精度亦良好。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、3.0 N，拾取性良好，半導體元件搭載後即便不進行硬化亦可進行線接合。於密封後之封裝中亦無空隙、剝離之出現，回流焊後亦未產生裂縫。
實施例7中，旋塗/加熱處理後之揮發分少，外觀良好，厚度精度亦良好。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、1.5 N，拾取性良好，半導體元件搭載後即便不進行硬化亦可進行線接合。於密封後之封裝中亦無空隙、剝離之出現，回流焊後亦未產生裂縫。
實施例8中，旋塗/加熱處理後之揮發分少，外觀良好，厚度精度亦良好。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、2.3 N，拾取性良好，半導體元件搭載後即便不進行硬化亦可進行線接合。於密封後之封裝中亦無空隙、剝離之出現，回流焊後亦未產生裂縫。
實施例9中，旋塗/加熱處理後之揮發分少，外觀良好，厚度精度亦良好。並且於25℃及80℃下之黏著力分別為0.02 N、2.5 N，拾取性良好，半導體元件搭載後即便不進行硬化亦可進行線接合。於密封後之封裝中亦無空隙、剝離之出現，回流焊後亦未產生裂縫。
比較例10中，旋塗/加熱處理後之揮發分少，外觀良好，厚度精度亦良好。並且於25℃下之黏著力為0.02 N，拾取性良好，但並不包含化合物(B1)(分子量1000以下之具有酚性羥基之化合物)，僅包含化合物(B2)(分子量1500以上5000以下之具有酚性羥基之化合物)，故而於80℃下之黏著力為0.1 N，以與實施例1相同之條件無法將半導體元件搭載於支持體。藉由變更搭載條件而繼續評估，但密封後觀察到半導體元件之剝離，於回流焊後封裝整體出現裂縫。
[實施例10]
除了使用上述液狀樹脂組成物M，以下述方式塗佈液狀樹脂組成物M以外，以與實施例5相同之方式進行評估。
使用圖2所示之塗佈裝置6，以平均塗佈量0.45 cc/min、晶圓旋轉速度25 rpm、噴嘴移動速度0.5 mm/sec、噴嘴61之前端與6吋晶圓表面之距離(間隙)100 μm之條件將液狀樹脂組成物M塗佈於6吋晶圓。塗佈後之厚度為54 μm，外觀良好。繼而，於120℃之乾燥機中加熱處理10分鐘。乾燥後之黏著劑層的膜厚為32 μm(厚度精度±3 μm)。此處，黏著劑層之揮發分為0.1重量%，於25℃下之黏著力為0.02 N，於80℃下之黏著力為2.4 N，GPC面積(b’/a’)為0.78，GPC面積(b’/a’)/(b/a)為0.81，於25℃下之黏著力為180 N，於130℃下之黏著力為120 N，於175℃下之黏著力為10 N。
所獲得之半導體裝置無空隙、初期剝離等，且回流焊性亦優良。進而，相較於以旋塗法塗佈之情況，亦降低所廢棄之液狀黏著劑M的量。
1．．．液狀樹脂組成物
1’．．．黏著劑層
2．．．半導體晶圓
2’．．．切割半導體晶圓2而獲得之半導體元件
3．．．切割片
4．．．附有黏著劑層之半導體元件
5．．．附有黏著劑層之晶圓
6．．．塗佈裝置
61．．．噴嘴
W．．．支持體
圖1(A)至(D)係表示本發明一實施形態之半導體封裝的製造步驟之模式圖。
圖2係表示本發明一實施形態之液狀樹脂組成物的塗佈方法之模式圖。
1．．．液狀樹脂組成物
1’．．．黏著劑層
2．．．半導體晶圓
2’．．．切割半導體晶圓2而獲得之半導體元件
3．．．切割片
4．．．附有黏著劑層之半導體元件
5．．．附有黏著劑層之晶圓
W．．．支持體

Claims (23)

  1. 一種液狀樹脂組成物，係使半導體元件黏著於支持體者，其特徵在於，將該液狀樹脂組成物以120℃、10分鐘加熱處理後於25℃下之黏著力定為0.05N以下，且將80℃下之黏著力定為1N以上，該液狀樹脂組成物包含具有環氧丙基之化合物(A)與具有酚性羥基之化合物(B)，上述具有酚性羥基之化合物(B)包含數量平均分子量1000以下之化合物(B1)與數量平均分子量1500以上且5000以下之化合物(B2)。
  2. 如申請專利範圍第1項之液狀樹脂組成物，其中，上述液狀樹脂組成物之上述加熱處理後之揮發分為1重量%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之液狀樹脂組成物，其中，將上述液狀樹脂組成物之上述加熱處理前以GPC進行測定而獲得之GPC圖中之分子量200以上且5000以下之面積(b)相對於上述GPC圖中之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)設為0.6以上。
  4. 如申請專利範圍第1項之液狀樹脂組成物，其中，上述液狀樹脂組成物中，於上述加熱處理後之樹脂組成物以GPC進行測定而獲得之GPC圖中之分子量200以上且5000以下之面積(b’)相對於上述GPC圖中之分子量200以上之面積(a’)的比例(b’/a’)、及上述加熱處理前之液狀樹脂 組成物以GPC進行測定而獲得之GPC圖中之分子量200以上且5000以下之面積(b)相對於上述GPC圖中之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)中，[(b’/a’)/(b/a)]為0.7以上。
  5. 如申請專利範圍第1項之液狀樹脂組成物，其中，上述化合物(B2)係包含羥基苯乙烯作為單體成分之化合物。
  6. 如申請專利範圍第1項之液狀樹脂組成物，其中，上述化合物(B2)之分散度為1.5以下。
  7. 如申請專利範圍第1項之液狀樹脂組成物，其中，以上述化合物(B1)/上述化合物(B2)所表示之重量比為0.6以上且7以下。
  8. 一種附有黏著劑層之半導體晶圓，係形成有以包含熱硬化性樹脂與溶劑之液狀樹脂組成物所形成之黏著劑層者，其特徵在於，將該黏著劑層於25℃下之黏著力定為0.05N以下，且將80℃下之黏著力定為1N以上，該黏著劑層係經由對液狀樹脂組成物進行加熱而獲得，該液狀樹脂組成物包含具有環氧丙基之化合物(A)與具有酚性羥基之化合物(B)，上述具有酚性羥基之化合物(B)包含數量平均分子量1000以下之化合物(B1)與數量平均分子量1500以上且5000以下之化合物(B2)。
  9. 如申請專利範圍第8項之附有黏著劑層之半導體晶圓，其中，上述黏著劑層之揮發分為1重量%以下。
  10. 如申請專利範圍第8項之附有黏著劑層之半導體晶 圓，其中，上述黏著劑層係藉由對將以GPC進行測定而獲得之GPC圖中之分子量200以上且5000以下之面積(b)相對於上述GPC圖中之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)設為0.6以上之液狀樹脂組成物進行加熱處理而獲得者。
  11. 如申請專利範圍第8項之附有黏著劑層之半導體晶圓，其中，上述黏著劑層係藉由對液狀樹脂組成物進行加熱處理而獲得者，於以GPC進行測定而獲得之GPC圖中之分子量200以上且5000以下之面積(b’)相對於上述GPC圖中之分子量200以上之面積(a’)的比例(b’/a’)、及上述加熱處理前之液狀樹脂組成物以GPC進行測定而獲得之GPC圖中之分子量200以上且5000以下之面積(b)相對於上述GPC圖中之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)中，[(b’/a’)/(b/a)]為0.7以上。
  12. 如申請專利範圍第8項之附有黏著劑層之半導體晶圓，其中，上述黏著劑層之表面粗糙度為±5μm。
  13. 如申請專利範圍第8項之附有黏著劑層之半導體晶圓，其中，於上述黏著劑層側貼附有切割片(dicing sheet)。
  14. 一種附有黏著劑層之半導體元件，其特徵在於，將申請專利範圍第13項之附有黏著劑層之半導體晶圓，藉由切割而單片化。
  15. 一種半導體封裝，其特徵在於，將申請專利範圍第14項之附有黏著劑層之半導體元件搭載於支持體上。
  16. 一種半導體元件之製造方法，其特徵在於具有：塗佈步驟，係於晶圓之一面側塗佈由液狀樹脂組成物所構成之黏著劑，該液狀樹脂組成物包含熱硬化性樹脂與溶劑，且包含具有環氧丙基之化合物(A)與具有酚性羥基之化合物(B)，上述具有酚性羥基之化合物(B)包含數量平均分子量1000以下之化合物(B1)與數量平均分子量1500以上且5000以下之化合物(B2)；揮發步驟，係於大致維持上述液狀樹脂組成物之分子量的狀態下，揮發上述溶劑而形成黏著劑層；貼附步驟，係於上述晶圓之一面側貼附切割片；以及單片化步驟，係將上述晶圓單片化；將上述揮發步驟後之黏著劑層於25℃下之黏著力定為0.05N以下，且將80℃下之黏著力定為1N以上。
  17. 如申請專利範圍第16項之半導體元件之製造方法，其中，上述塗佈步驟之液狀樹脂組成物以GPC進行測定而獲得之GPC圖中之分子量200以上且5000以下之面積(b)相對於上述GPC圖中之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)為0.6以上。
  18. 如申請專利範圍第16項之半導體元件之製造方法，其中，上述揮發步驟後之黏著劑層以GPC進行測定而獲得之GPC圖中之分子量200以上且5000以下之面積(b’)相對於上述GPC圖中之分子量200以上之面積(a’)的比例(b’/a’)、與上述塗佈步驟之液狀樹脂組成物以GPC進行測定而獲得之GPC圖中之分子量200以上且5000以下之 面積(b)相對於上述GPC圖中之分子量200以上之面積(a)的比例(b/a)的比例[(b’/a’)/(b/a)]為0.7以上。
  19. 如申請專利範圍第16項之半導體元件之製造方法，其中，上述揮發步驟後之黏著劑層的揮發分為1重量%以下。
  20. 如申請專利範圍第16項之半導體元件之製造方法，其中，上述塗佈步驟中，利用旋塗法將以上述液狀樹脂組成物所構成之上述黏著劑塗佈於上述晶圓之一面側。
  21. 如申請專利範圍第16項之半導體元件之製造方法，其中，上述塗佈步驟中，相對於上述晶圓，使吐出上述液狀樹脂組成物之噴嘴相對地移動，於上述晶圓之一面塗佈上述液狀樹脂組成物。
  22. 一種半導體封裝之製造方法，其特徵在於，具有利用申請專利範圍第16項之方法製造半導體元件後，將其搭載於支持體之步驟。
  23. 如申請專利範圍第22項之半導體封裝之製造方法，其中，將上述半導體元件搭載於支持體之步驟係於200℃以下進行。
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